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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024123450
(43)【公開日】2024-09-12
(54)【発明の名称】半導体記憶装置
(51)【国際特許分類】
H05K 1/02 20060101AFI20240905BHJP
H05K 3/46 20060101ALI20240905BHJP
H01L 23/12 20060101ALI20240905BHJP
【ＦＩ】
H05K1/02 J
H05K3/46 B
H05K3/46 Q
H01L23/12 Q
【審査請求】未請求
【請求項の数】14
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023030874
(22)【出願日】2023-03-01
(71)【出願人】
【識別番号】318010018
【氏名又は名称】キオクシア株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110001634
【氏名又は名称】弁理士法人志賀国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】石崎 聖和
【テーマコード（参考）】
5E316
5E338
【Ｆターム（参考）】
5E316AA15
5E316AA32
5E316CC04
5E316CC09
5E316EE01
5E316GG28
5E316HH07
5E316JJ02
5E338AA03
5E338AA16
5E338BB75
5E338CD12
5E338EE11
(57)【要約】
【課題】一実施形態は、信頼性の向上を図ることができる半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】一実施形態の半導体記憶装置は、絶縁基材と、配線パターンと、絶縁膜と、電子部品とを備える。前記配線パターンは、円弧状の縁を含む第１パッドと、第１配線とを含む。前記第１配線は、第１部分と、第２部分と、第３部分とを有する。前記第１部分は、前記絶縁膜の第１開口の内側で前記第１パッドに接続され、第１方向に延びている。前記第２部分は、前記第１開口の内側で前記第１パッドと接続され、前記第１パッドから離れるに従い前記第１部分との間の距離が大きくなる第２方向に延びている。前記第３部分は、前記第１部分および前記第２部分に対して前記第１パッドとは反対側に配置され、前記第１部分および前記第２部分と接続されている。前記第１配線は、前記第１パッドの周方向において９０度の角度範囲内で前記第１パッドに接続されている。
【選択図】図５
【解決手段】一実施形態の半導体記憶装置は、絶縁基材と、配線パターンと、絶縁膜と、電子部品とを備える。前記配線パターンは、円弧状の縁を含む第１パッドと、第１配線とを含む。前記第１配線は、第１部分と、第２部分と、第３部分とを有する。前記第１部分は、前記絶縁膜の第１開口の内側で前記第１パッドに接続され、第１方向に延びている。前記第２部分は、前記第１開口の内側で前記第１パッドと接続され、前記第１パッドから離れるに従い前記第１部分との間の距離が大きくなる第２方向に延びている。前記第３部分は、前記第１部分および前記第２部分に対して前記第１パッドとは反対側に配置され、前記第１部分および前記第２部分と接続されている。前記第１配線は、前記第１パッドの周方向において９０度の角度範囲内で前記第１パッドに接続されている。
【選択図】図５
【特許請求の範囲】
【請求項1】
絶縁基材と、
前記絶縁基材に設けられた配線パターンと、
前記絶縁基材の表面に設けられ、前記配線パターンの一部を覆う絶縁膜と、
前記配線パターンに電気的に接続された電子部品と、
を備え、
前記配線パターンは、円弧状の縁を含む第１パッドと、第１配線とを含み、
前記絶縁膜は、前記第１パッドよりも大きな第１開口を有し、
前記第１配線は、
前記第１開口の内側で前記第１パッドと接続され、第１方向に延びた第１部分と、
前記第１開口の内側で前記第１パッドと接続され、前記第１パッドから離れるに従い前記第１部分との間の距離が大きくなる第２方向に延びた第２部分と、
前記第１部分および前記第２部分に対して前記第１パッドとは反対側に配置され、前記第１部分および前記第２部分と接続された第３部分と、
を有し、
前記第１配線は、前記第１パッドの周方向において９０度の角度範囲内で前記第１パッドと接続された、
半導体記憶装置。
前記絶縁基材に設けられた配線パターンと、
前記絶縁基材の表面に設けられ、前記配線パターンの一部を覆う絶縁膜と、
前記配線パターンに電気的に接続された電子部品と、
を備え、
前記配線パターンは、円弧状の縁を含む第１パッドと、第１配線とを含み、
前記絶縁膜は、前記第１パッドよりも大きな第１開口を有し、
前記第１配線は、
前記第１開口の内側で前記第１パッドと接続され、第１方向に延びた第１部分と、
前記第１開口の内側で前記第１パッドと接続され、前記第１パッドから離れるに従い前記第１部分との間の距離が大きくなる第２方向に延びた第２部分と、
前記第１部分および前記第２部分に対して前記第１パッドとは反対側に配置され、前記第１部分および前記第２部分と接続された第３部分と、
を有し、
前記第１配線は、前記第１パッドの周方向において９０度の角度範囲内で前記第１パッドと接続された、
半導体記憶装置。
【請求項2】
前記周方向において前記第１部分と前記第２部分との間に隙間が存在する、
請求項１に記載の半導体記憶装置。
請求項１に記載の半導体記憶装置。
【請求項3】
前記第２部分は、前記周方向において前記第１部分から離れた位置で前記第１パッドと接続された、
請求項１または請求項２に記載の半導体記憶装置。
請求項１または請求項２に記載の半導体記憶装置。
【請求項4】
前記第１配線は、前記周方向において６０度の角度範囲内で前記第１パッドと接続された、
請求項１または請求項２に記載の半導体記憶装置。
請求項１または請求項２に記載の半導体記憶装置。
【請求項5】
前記第１配線は、前記第３部分に対して前記第１パッドとは反対側に配置されて線状に延びた線部を含み、
前記第１パッドと前記線部とを最短距離で結ぶ仮想的な線を第１仮想線とする場合、
前記第１方向は、前記第１仮想線に対して第１側に傾斜し、
前記第２方向は、前記第１仮想線に対して前記第１側とは反対側の第２側に傾斜した、
請求項１または請求項２に記載の半導体記憶装置。
前記第１パッドと前記線部とを最短距離で結ぶ仮想的な線を第１仮想線とする場合、
前記第１方向は、前記第１仮想線に対して第１側に傾斜し、
前記第２方向は、前記第１仮想線に対して前記第１側とは反対側の第２側に傾斜した、
請求項１または請求項２に記載の半導体記憶装置。
【請求項6】
前記配線パターンは、前記第１パッドの隣に配置されて円弧状の縁を含む第２パッドと、第２配線とをさらに含み、
前記絶縁膜は、前記第２パッドよりも大きな第２開口をさらに有し、
前記第２配線は、
前記第２開口の内側で前記第２パッドと接続され、前記第１方向とは異なる第３方向に延びた第１部分と、
前記第２開口の内側で前記第２パッドと接続され、前記第２方向とは異なる方向であって、前記第２パッドから離れるに従い前記第２配線の前記第１部分との間の距離が大きくなる第４方向に延びた第２部分と、
前記第２配線の前記第１部分および前記第２部分に対して前記第２パッドとは反対側に配置され、前記第２配線の前記第１部分および前記第２部分と接続された第３部分と、
を有し、
前記第２配線は、前記第２パッドの周方向において９０度の角度範囲内で前記第２パッドと接続された、
請求項１または請求項２に記載の半導体記憶装置。
前記絶縁膜は、前記第２パッドよりも大きな第２開口をさらに有し、
前記第２配線は、
前記第２開口の内側で前記第２パッドと接続され、前記第１方向とは異なる第３方向に延びた第１部分と、
前記第２開口の内側で前記第２パッドと接続され、前記第２方向とは異なる方向であって、前記第２パッドから離れるに従い前記第２配線の前記第１部分との間の距離が大きくなる第４方向に延びた第２部分と、
前記第２配線の前記第１部分および前記第２部分に対して前記第２パッドとは反対側に配置され、前記第２配線の前記第１部分および前記第２部分と接続された第３部分と、
を有し、
前記第２配線は、前記第２パッドの周方向において９０度の角度範囲内で前記第２パッドと接続された、
請求項１または請求項２に記載の半導体記憶装置。
【請求項7】
前記第１配線は、前記第１配線の前記第３部分に対して前記第１パッドとは反対側に配置されて線状に延びた線部を含み、
前記第２配線は、前記第２配線の前記第３部分に対して前記第２パッドとは反対側に配置されて線状に延びた線部を含み、
前記第１配線の前記線部と、前記第２配線の前記線部とは、少なくとも部分的に平行に延びている、
請求項６に記載の半導体記憶装置。
前記第２配線は、前記第２配線の前記第３部分に対して前記第２パッドとは反対側に配置されて線状に延びた線部を含み、
前記第１配線の前記線部と、前記第２配線の前記線部とは、少なくとも部分的に平行に延びている、
請求項６に記載の半導体記憶装置。
【請求項8】
前記電子部品は、前記第１パッドに接続される半田接合部を有した、
請求項１または請求項２に記載の半導体記憶装置。
請求項１または請求項２に記載の半導体記憶装置。
【請求項9】
絶縁基材と、
前記絶縁基材に設けられた配線パターンと、
前記絶縁基材の表面に設けられ、前記配線パターンの一部を覆う絶縁膜と、
前記配線パターンに電気的に接続された電子部品と、
を備え、
前記配線パターンは、第１パッドと、第１配線とを含み、
前記第１配線は、線状に延びた線部と、前記線部と前記第１パッドとの間に設けられ前記線部から前記第１パッドに近付くに従い幅が広くなる部分を含む接続部とを有し、
前記絶縁膜は、前記第１パッドに対応して設けられた第１開口を有し、
前記第１開口の開口縁は、第１縁部と、前記第１縁部に対して前記第１開口の内側に突出した第２縁部とを有し、
前記第１縁部と前記第２縁部との境界は、前記絶縁基材の厚さ方向から見た場合、前記接続部と重なる位置に設けられた、
半導体記憶装置。
前記絶縁基材に設けられた配線パターンと、
前記絶縁基材の表面に設けられ、前記配線パターンの一部を覆う絶縁膜と、
前記配線パターンに電気的に接続された電子部品と、
を備え、
前記配線パターンは、第１パッドと、第１配線とを含み、
前記第１配線は、線状に延びた線部と、前記線部と前記第１パッドとの間に設けられ前記線部から前記第１パッドに近付くに従い幅が広くなる部分を含む接続部とを有し、
前記絶縁膜は、前記第１パッドに対応して設けられた第１開口を有し、
前記第１開口の開口縁は、第１縁部と、前記第１縁部に対して前記第１開口の内側に突出した第２縁部とを有し、
前記第１縁部と前記第２縁部との境界は、前記絶縁基材の厚さ方向から見た場合、前記接続部と重なる位置に設けられた、
半導体記憶装置。
【請求項10】
前記接続部は、前記線部から前記第１パッドに近付くに従い幅が広くなる第１部分と、前記第１部分と前記第１パッドとの間に設けられ、全長に亘り前記第１パッドの最大幅と同じ幅を有して前記第１部分と前記第１パッドとを接続した第２部分とを含み、
前記第１縁部と前記第２縁部との前記境界は、前記絶縁基材の厚さ方向から見た場合、前記接続部の前記第２部分と重なる位置に設けられた、
請求項９に記載の半導体記憶装置。
前記第１縁部と前記第２縁部との前記境界は、前記絶縁基材の厚さ方向から見た場合、前記接続部の前記第２部分と重なる位置に設けられた、
請求項９に記載の半導体記憶装置。
【請求項11】
前記開口縁の少なくとも一部は、円弧状であり、
前記第２縁部は、前記開口縁の周方向において、９０度の角度範囲内に設けられた、
請求項９または請求項１０に記載の半導体記憶装置。
前記第２縁部は、前記開口縁の周方向において、９０度の角度範囲内に設けられた、
請求項９または請求項１０に記載の半導体記憶装置。
【請求項12】
絶縁基材と、
前記絶縁基材に設けられた配線パターンと、
前記絶縁基材の表面に設けられ、前記配線パターンの一部を覆う絶縁膜と、
前記配線パターンに電気的に接続された電子部品と、
を備え、
前記配線パターンは、円弧状の縁を含む第１パッドと、第１配線とを含み、
前記第１配線は、線状に延びた線部と、前記線部から前記第１パッドに近付くに従い幅が広くなる第１部分と、前記第１部分と前記第１パッドとの間に設けられ、全長に亘り前記第１パッドの最大幅と同じ幅を有して前記第１部分と前記第１パッドとを接続した第２部分とを含み、
前記絶縁膜は、前記第１パッドに対応して設けられた第１開口を有し、
前記第１開口の開口縁は、第１縁部と、前記第１縁部に対して前記第１開口の内側に突出した第２縁部とを有し、
前記第１縁部と前記第２縁部との境界は、前記絶縁基材の厚さ方向から見た場合、前記第１パッドの周方向において前記第２部分と隣り合う位置に設けられた、
半導体記憶装置。
前記絶縁基材に設けられた配線パターンと、
前記絶縁基材の表面に設けられ、前記配線パターンの一部を覆う絶縁膜と、
前記配線パターンに電気的に接続された電子部品と、
を備え、
前記配線パターンは、円弧状の縁を含む第１パッドと、第１配線とを含み、
前記第１配線は、線状に延びた線部と、前記線部から前記第１パッドに近付くに従い幅が広くなる第１部分と、前記第１部分と前記第１パッドとの間に設けられ、全長に亘り前記第１パッドの最大幅と同じ幅を有して前記第１部分と前記第１パッドとを接続した第２部分とを含み、
前記絶縁膜は、前記第１パッドに対応して設けられた第１開口を有し、
前記第１開口の開口縁は、第１縁部と、前記第１縁部に対して前記第１開口の内側に突出した第２縁部とを有し、
前記第１縁部と前記第２縁部との境界は、前記絶縁基材の厚さ方向から見た場合、前記第１パッドの周方向において前記第２部分と隣り合う位置に設けられた、
半導体記憶装置。
【請求項13】
絶縁基材と、
前記絶縁基材に設けられた配線パターンと、
前記絶縁基材の表面に設けられ、前記配線パターンの一部を覆う絶縁膜と、
前記配線パターンに電気的に接続された電子部品と、
を備え、
前記配線パターンは、第１パッドと、第１配線とを含み、
前記絶縁膜は、前記第１パッドに対応して設けられた第１開口を有し、
前記第１配線は、線状に延びた線部と、前記線部と前記第１パッドとの間に設けられた接続部とを含み、
前記接続部は、前記第１パッドから前記線部に向かう第１方向に延びて前記第１パッドから前記線部に近付くに従い幅が小さくなる第１部分と、前記絶縁基材の厚さ方向から見た場合に前記第１開口の開口縁と重なる位置に設けられ、前記第１部分から前記第１方向とは交差した第２方向に突出した第２部分とを含む、
半導体記憶装置。
前記絶縁基材に設けられた配線パターンと、
前記絶縁基材の表面に設けられ、前記配線パターンの一部を覆う絶縁膜と、
前記配線パターンに電気的に接続された電子部品と、
を備え、
前記配線パターンは、第１パッドと、第１配線とを含み、
前記絶縁膜は、前記第１パッドに対応して設けられた第１開口を有し、
前記第１配線は、線状に延びた線部と、前記線部と前記第１パッドとの間に設けられた接続部とを含み、
前記接続部は、前記第１パッドから前記線部に向かう第１方向に延びて前記第１パッドから前記線部に近付くに従い幅が小さくなる第１部分と、前記絶縁基材の厚さ方向から見た場合に前記第１開口の開口縁と重なる位置に設けられ、前記第１部分から前記第１方向とは交差した第２方向に突出した第２部分とを含む、
半導体記憶装置。
【請求項14】
前記第２部分の外形は、前記第１部分から離れるに従い前記第１部分に対する傾きが徐々に大きくなる曲線部を含む、
請求項１３に記載の半導体記憶装置。
請求項１３に記載の半導体記憶装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明の実施形態は、半導体記憶装置に関する。
【背景技術】
【0002】
プリント基板と、プリント基板に実装された電子部品とを有した半導体記憶装置が知られている。電子部品の半田接合部は、プリント基板のパッドに接続される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】米国特許出願公開第２００４／００７５１７７号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
一実施形態は、信頼性の向上を図ることができる半導体記憶装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0005】
一実施形態の半導体記憶装置は、絶縁基材と、配線パターンと、絶縁膜と、電子部品とを備える。前記配線パターンは、前記絶縁基材に設けられている。前記絶縁膜は、前記絶縁基材の表面に設けられ、前記配線パターンの一部を覆う。前記電子部品は、前記配線パターンに電気的に接続されている。前記配線パターンは、円弧状の縁を含む第１パッドと、第１配線とを含む。前記絶縁膜は、前記第１パッドよりも大きな第１開口を有する。前記第１配線は、第１部分と、第２部分と、第３部分とを有する。前記第１部分は、前記第１開口の内側で前記第１パッドと接続され、第１方向に延びている。前記第２部分は、前記第１開口の内側で前記第１パッドと接続され、前記第１パッドから離れるに従い前記第１部分との間の距離が大きくなる第２方向に延びている。前記第３部分は、前記第１部分および前記第２部分に対して前記第１パッドとは反対側に配置され、前記第１部分および前記第２部分と接続されている。前記第１配線は、前記第１パッドの周方向において９０度の角度範囲内で前記第１パッドに接続されている。
【図面の簡単な説明】
【0006】
【図1】第１実施形態の半導体記憶装置を示す斜視図。
【図2】第１実施形態の半導体記憶装置を一部分解して示す斜視図。
【図3】第１実施形態の基板ユニットの一部を示す断面図。
【図4】第１実施形態の配線パターンの配線構造を説明するための平面図。
【図6】第１実施形態の第１変形例の基板の一部を示す断面図。
【図7】第１実施形態の第２変形例の基板の一部を示す断面図。
【図8】第２実施形態の基板の一部を示す断面図。
【図9】第２実施形態の変形例の基板の一部を示す断面図。
【図10】第３実施形態の基板の一部を示す断面図。
【図11】第４実施形態の基板の一部を示す断面図。
【図12】第５実施形態の半導体記憶装置を示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【0007】
以下、実施形態の半導体記憶装置を、図面を参照して説明する。以下の説明では、同一または類似の機能を有する構成に同一の符号を付す。そして、それら構成の重複する説明は省略する場合がある。
【0008】
本出願では用語を以下のように定義する。「平行」、「直交」、または「同じ」とは、それぞれ「略平行」、「略直交」、または「略同じ」である場合を含み得る。「接続」とは、機械的な接続に限定されず、電気的な接続を含み得る。すなわち「接続」とは、接続対象である２つの要素が直接に接続される場合に限定されず、接続対象である２つの要素が別の要素を間に介在させて接続される場合を含み得る。
【0009】
＋Ｘ方向、－Ｘ方向、＋Ｙ方向、－Ｙ方向、＋Ｚ方向、および－Ｚ方向は、以下のように定義される。＋Ｘ方向、－Ｘ方向、＋Ｙ方向、および－Ｙ方向は、後述する基板２１の第１面２１ａと平行な方向である（図２参照）。＋Ｘ方向は、後述する基板２１の第１端部２１ｅ１から第２端部２１ｅ２に向かう方向である（図２参照）。－Ｘ方向は、＋Ｘ方向とは反対の方向である。＋Ｘ方向と－Ｘ方向とを区別しない場合は、単に「Ｘ方向」と称する。＋Ｙ方向および－Ｙ方向は、Ｘ方向とは交差する（例えば直交する）方向である。＋Ｙ方向は、後述する基板２１の第３端部２１ｅ３から第４端部２１ｅ４に向かう方向である（図２参照）。－Ｙ方向は、＋Ｙ方向とは反対の方向である。＋Ｙ方向と－Ｙ方向とを区別しない場合は、単に「Ｙ方向」と称する。＋Ｚ方向および－Ｚ方向は、Ｘ方向およびＹ方向とは交差する（例えば直交する）方向であり、基板２１の厚さ方向である。＋Ｚ方向は、後述する基板２１の第２面２１ｂから第１面２１ａに向かう方向である（図２参照）。－Ｚ方向は、＋Ｚ方向とは反対の方向である。＋Ｚ方向と－Ｚ方向とを区別しない場合は、単に「Ｚ方向」と称する。
【0010】
（第１実施形態）
＜１．半導体記憶装置の全体構成＞
図１から図５を参照し、第１実施形態の半導体記憶装置１について説明する。
図１は、第１実施形態の半導体記憶装置１を示す斜視図である。半導体記憶装置１は、例えばＳＳＤ（Solid State Drive）のような記憶装置である。半導体記憶装置１は、例えば、サーバまたはパーソナルコンピュータのような情報処理装置に取り付けられ、情報処理装置の記憶領域として利用される。本出願では、半導体記憶装置１が取り付けられる情報処理装置を「ホスト装置」と称する。
＜１．半導体記憶装置の全体構成＞
図１から図５を参照し、第１実施形態の半導体記憶装置１について説明する。
図１は、第１実施形態の半導体記憶装置１を示す斜視図である。半導体記憶装置１は、例えばＳＳＤ（Solid State Drive）のような記憶装置である。半導体記憶装置１は、例えば、サーバまたはパーソナルコンピュータのような情報処理装置に取り付けられ、情報処理装置の記憶領域として利用される。本出願では、半導体記憶装置１が取り付けられる情報処理装置を「ホスト装置」と称する。
【0011】
図２は、半導体記憶装置１を一部分解して示す斜視図である。半導体記憶装置１は、例えば、筐体１０と、基板ユニット２０とを有する。
【0012】
＜１．１ 筐体＞
筐体１０は、半導体記憶装置１の外郭を形成する部材である。筐体１０は、例えば、第１部材１１と、第２部材１２と、複数の固定部材１３とを含む。第１部材１１は、例えば、基板ユニット２０に対して＋Ｚ方向側に位置した壁部と、基板ユニット２０に対して＋Ｙ方向側に位置した壁部と、基板ユニット２０に対して－Ｙ方向側に位置した壁部とを含む。第２部材１２は、基板ユニット２０に対して－Ｚ方向側に位置した壁部を含む。固定部材１３は、第１部材１１と第２部材１２とを連結する部材である。固定部材１３は、例えばねじである。本実施形態では、第１部材１１と第２部材１２とが複数の固定部材１３によって連結されることで、筐体１０が形成される。なお、筐体１０は、省略されてもよい。この場合は、基板ユニット２０が「半導体記憶装置」の一例に該当する。
筐体１０は、半導体記憶装置１の外郭を形成する部材である。筐体１０は、例えば、第１部材１１と、第２部材１２と、複数の固定部材１３とを含む。第１部材１１は、例えば、基板ユニット２０に対して＋Ｚ方向側に位置した壁部と、基板ユニット２０に対して＋Ｙ方向側に位置した壁部と、基板ユニット２０に対して－Ｙ方向側に位置した壁部とを含む。第２部材１２は、基板ユニット２０に対して－Ｚ方向側に位置した壁部を含む。固定部材１３は、第１部材１１と第２部材１２とを連結する部材である。固定部材１３は、例えばねじである。本実施形態では、第１部材１１と第２部材１２とが複数の固定部材１３によって連結されることで、筐体１０が形成される。なお、筐体１０は、省略されてもよい。この場合は、基板ユニット２０が「半導体記憶装置」の一例に該当する。
【0013】
＜１．２ 基板ユニット＞
基板ユニット２０は、回路を含む部品が実装された組立体である。基板ユニット２０の少なくとも一部は、筐体１０に収容される。基板ユニット２０は、例えば、基板２１、コントローラ２２、電力変換部品２３、電源回路部品２４、複数のＮＡＮＤメモリ２５、およびＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）２６を有する。
基板ユニット２０は、回路を含む部品が実装された組立体である。基板ユニット２０の少なくとも一部は、筐体１０に収容される。基板ユニット２０は、例えば、基板２１、コントローラ２２、電力変換部品２３、電源回路部品２４、複数のＮＡＮＤメモリ２５、およびＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）２６を有する。
【0014】
基板２１は、プリント配線板である。基板２１は、Ｘ方向およびＹ方向に沿う板状である。基板２１は、第１面２１ａと、第２面２１ｂとを有する。第１面２１ａは、＋Ｚ方向に向いた面である。第２面２１ｂは、第１面２１ａとは反対側に位置し、－Ｚ方向に向いた面である。
【0015】
基板２１は、当該基板２１の長手方向（Ｘ方向）の両端部として、第１端部２１ｅ１と、第１端部２１ｅ１とは反対側に位置した第２端部２１ｅ２とを有する。基板２１の第１端部２１ｅ１は、コネクタＮを有する。コネクタＮは、ホスト装置に接続可能な電気接続部である。また、基板２１は、当該基板２１の短手方向（Ｙ方向）の両端部として、第３端部２１ｅ３と、第３端部２１ｅ３とは反対側に位置した第４端部２１ｅ４とを有する。
【0016】
コントローラ２２は、基板２１に実装された制御用部品である。コントローラ２２は、半導体記憶装置１の全体を統括的に制御する。コントローラ２２は、例えば、ホスト装置との通信を行うホストインターフェース回路、複数のＮＡＮＤメモリ２５を制御する制御回路、およびＤＲＡＭ２６を制御する制御回路などが１つの半導体チップに集積されたＳｏＣ（System on a Chip）を含む半導体パッケージである。コントローラ２２は、例えば、ＮＡＮＤメモリ２５に対するデータの書き込み、読み出し、または消去を制御する。
【0017】
電力変換部品２３は、電力を変換する部品である。電力変換部品２３は、例えば、ＤＣ－ＤＣコンバータである。電力変換部品２３は、コネクタＮを介してホスト装置から供給される電力を所望の電力に変換する。電力変換部品２３は、変換した電力を電源回路部品２４に出力する。
【0018】
電源回路部品２４は、電力管理を行う部品である。電源回路部品２４は、例えば、ＰＭＩＣ（Power Management IC）である。電源回路部品２４は、基板ユニット２０に含まれる各部品（コントローラ２２、ＮＡＮＤメモリ２５、ＤＲＡＭ２６など）に電力を供給する。
【0019】
ＮＡＮＤメモリ２５は、不揮発にデータを記憶する半導体メモリチップを含む半導体パッケージである。ＮＡＮＤメモリ２５は、例えば、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリである。図２に示すように、複数のＮＡＮＤメモリ２５は、基板２１の第１面２１ａと第２面２１ｂとに分かれて実装されている。ＮＡＮＤメモリ２５は、「半導体メモリ」の一例である。ただし、「半導体メモリ」は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリに限定されず、ＮＯＲ型メモリ、ＭＲＡＭ（Magnetoresistive Random Access Memory）、または抵抗変化型メモリなど他の種類のメモリでもよい。
【0020】
ＤＲＡＭ２６は、揮発にデータを記憶する半導体メモリチップを含む半導体パッケージである。ＤＲＡＭ２６は、ホスト装置から受信した書き込みデータ、または１つ以上のＮＡＮＤメモリ２５から読み出された読み出しデータなどが一時的に格納されるデータバッファとして用いられる。
【0021】
＜２．電子部品の実装構造＞
次に、電子部品の実装構造について説明する。以下では、コントローラ２２、ＮＡＮＤメモリ２５、およびＤＲＡＭ２６を区別しない場合、電子部品３０と称する。すなわち、コントローラ２２、ＮＡＮＤメモリ２５、およびＤＲＡＭ２６の各々は、電子部品３０の一例である。ただし、電子部品３０は、上記例に限定されず、他の種類の半導体メモリでもよく、半導体メモリ以外の電子部品でもよい。
次に、電子部品の実装構造について説明する。以下では、コントローラ２２、ＮＡＮＤメモリ２５、およびＤＲＡＭ２６を区別しない場合、電子部品３０と称する。すなわち、コントローラ２２、ＮＡＮＤメモリ２５、およびＤＲＡＭ２６の各々は、電子部品３０の一例である。ただし、電子部品３０は、上記例に限定されず、他の種類の半導体メモリでもよく、半導体メモリ以外の電子部品でもよい。
【0022】
＜２．１ 電子部品の構成＞
次に、電子部品３０の構成について説明する。
図３は、基板ユニット２０の一部を示す断面図である。電子部品３０は、パッケージ基板３１、回路チップ３２、封止樹脂部３３、および複数の接合部３４を有する。
次に、電子部品３０の構成について説明する。
図３は、基板ユニット２０の一部を示す断面図である。電子部品３０は、パッケージ基板３１、回路チップ３２、封止樹脂部３３、および複数の接合部３４を有する。
【0023】
パッケージ基板３１は、電子部品３０のベースとなる基板である。パッケージ基板３１は、プリント配線板である。パッケージ基板３１は、Ｘ方向およびＹ方向に沿う板状である。パッケージ基板３１は、例えば、絶縁基材４１と、配線パターン４２と、絶縁膜４３とを含む。
【0024】
絶縁基材４１は、ガラスエポキシ樹脂のような絶縁体により形成されている。絶縁基材４１は、第１面４１ａと、第２面４１ｂとを有する。第１面４１ａは、＋Ｚ方向に向いた面である。第２面４１ｂは、第１面４１ａとは反対側に位置し、－Ｚ方向に向いた面である。
【0025】
配線パターン４２は、絶縁基材４１の内層および外層（表面層）に設けられた導体パターンである。配線パターン４２は、絶縁基材４１の第２面４１ｂに設けられた複数のパッド４２ａを含む。複数のパッド４２ａは、複数の接合部３４の配置位置に対応するように格子状に並べて配置されている。
【0026】
絶縁膜４３は、絶縁基材４１の第２面４１ｂに設けられたソルダーレジスト膜である。絶縁膜４３は、複数のパッド４２ａを露出させる複数の開口４３ａを有するとともに、複数のパッド４２ａを外れた領域を覆う。
【0027】
回路チップ３２は、絶縁基材４１の第１面４１ａに設けられている。回路チップ３２は、例えば、集積回路を含む。
【0028】
封止樹脂部３３は、回路チップ３２を覆う封止部である。封止樹脂部３３は、例えばモールド樹脂部であり、絶縁性を有する。
【0029】
複数の接合部３４は、電子部品３０の外部に露出した電気接続端子である。複数の接合部３４は、複数のパッド４２ａに設けられている。複数の接合部３４は、Ｘ方向およびＹ方向に沿う格子状に並べて配置されている。複数の接合部３４は、半田のような導電性材料で形成された接合部（例えば半田接合部）である。複数の接合部３４は、例えば、半田ボールである。電子部品３０は、例えば、ＢＧＡ（Ball Grid Array）タイプのパッケージ部品である。ただし、接合部３４は、半田ボールに限定されない。電子部品３０は、複数の接合部３４を介して、後述する基板２１の配線パターン５２に電気的に接続される。
【0030】
【0031】
絶縁基材５１は、ガラスエポキシ樹脂のような絶縁体により形成されている。絶縁基材５１は、第１面５１ａと、第２面５１ｂとを有する。第１面５１ａは、＋Ｚ方向に向いた面である。第２面５１ｂは、第１面５１ａとは反対側に位置し、－Ｚ方向に向いた面である。
【0032】
配線パターン５２は、絶縁基材５１の内層および外層（表面層）に設けられた導体パターンである。配線パターン５２は、絶縁基材５１の第１面５１ａに設けられた複数のパッド６１を含む。複数のパッド６１は、電子部品３０の複数の接合部３４の配置位置に対応するように格子状に並べて配置されている。
【0033】
第１絶縁膜５３は、絶縁基材５１の第１面５１ａに設けられたソルダーレジスト膜であり、配線パターン５２の一部を覆う。第１絶縁膜５３は、複数のパッド６１に対応して設けられた複数の開口９１を有し、複数のパッド６１を基板２１の外部に露出させる。開口９１の中心は、パッド６１の中心と一致する。第２絶縁膜５４は、絶縁基材５１の第２面５１ｂに設けられたソルダーレジスト膜であり、配線パターン５２の別の一部を覆う。
【0034】
＜２．３ 配線構造＞
次に、配線パターン５２の配線構造について説明する。
図４は、配線パターン５２の配線構造を説明するための平面図である。図４では説明の便宜上、第１絶縁膜５３の図示を省略するとともに、配線パターン５２にハッチングを付している。また図４では、配線パターン５２に含まれる一部の配線のみを示している。
次に、配線パターン５２の配線構造について説明する。
図４は、配線パターン５２の配線構造を説明するための平面図である。図４では説明の便宜上、第１絶縁膜５３の図示を省略するとともに、配線パターン５２にハッチングを付している。また図４では、配線パターン５２に含まれる一部の配線のみを示している。
【0035】
本実施形態では、配線パターン５２は、複数の配線６２を含む。複数の配線６２に含まれる２以上の配線６２は、パッド６１からＸ方向（基板２１の長手方向）に延びている。また、複数の配線６２に含まれる別の２以上の配線６２は、パッド６１からＹ方向（基板２１の短手方向）に延びている。
【0036】
＜２．４ 寸法例＞
次に、基板２１に関する寸法の一例について説明する。本実施形態では、複数のパッド６１の中心間距離は、０．６５ｍｍである。パッド６１の直径は、０．２８ｍｍである。開口９１の直径は、０．３８ｍｍである。配線６２の幅は、０．０８５ｍｍである。平行に並ぶ複数の配線６２の中心間距離は、０．３２５ｍｍである。ただし、基板２１に関する寸法は、上記例に限定されず、種々の寸法が採用可能である。
次に、基板２１に関する寸法の一例について説明する。本実施形態では、複数のパッド６１の中心間距離は、０．６５ｍｍである。パッド６１の直径は、０．２８ｍｍである。開口９１の直径は、０．３８ｍｍである。配線６２の幅は、０．０８５ｍｍである。平行に並ぶ複数の配線６２の中心間距離は、０．３２５ｍｍである。ただし、基板２１に関する寸法は、上記例に限定されず、種々の寸法が採用可能である。
【0037】
＜３．補強用構造＞
次に、基板２１と電子部品３０との接合部分の補強構造について説明する。
図５は、図４中に示されたＦ５線で囲まれた領域を拡大して示す断面図である。本実施形態では、各パッド６１は、円弧状の縁を含む。本出願で「円弧状の縁を含む」とは、例えば、パッド６１のなかで配線６２に接続された部分以外が円弧状の縁を有する場合である。ただし、本出願で「円弧状の縁を含む」とは、上記例に限定されず、パッド６１のなかで配線６２に接続された部分に加え、別の部分が円弧以外の外形を有する場合も該当し得る。
次に、基板２１と電子部品３０との接合部分の補強構造について説明する。
図５は、図４中に示されたＦ５線で囲まれた領域を拡大して示す断面図である。本実施形態では、各パッド６１は、円弧状の縁を含む。本出願で「円弧状の縁を含む」とは、例えば、パッド６１のなかで配線６２に接続された部分以外が円弧状の縁を有する場合である。ただし、本出願で「円弧状の縁を含む」とは、上記例に限定されず、パッド６１のなかで配線６２に接続された部分に加え、別の部分が円弧以外の外形を有する場合も該当し得る。
【0038】
本実施形態では、開口９１は、円形であり、パッド６１よりも大きい。本出願で「開口がパッドよりも大きい」とは、例えば、開口９１の直径がパッド６１の直径よりも大きい（開口９１の半径がパッド６１の円弧部分の曲率半径よりも大きい）ことを意味する。
【0039】
本実施形態では、複数のパッド６１は、第１パッド６１Ａ、第２パッド６１Ｂ、第３パッド６１Ｃ、第４パッド６１Ｄ、第５パッド６１Ｅ、および第６パッド６１Ｆを含む。第１パッド６１Ａ、第３パッド６１Ｃ、および第５パッド６１Ｅは、この順に＋Ｙ方向に並ぶ。第２パッド６１Ｂは、第１パッド６１Ａの＋Ｘ方向側（電子部品３０の中心側）に位置する。第４パッド６１Ｄは、第３パッド６１Ｃの＋Ｘ方向側（電子部品３０の中心側）に位置する。第６パッド６１Ｆは、第５パッド６１Ｅの＋Ｘ方向側（電子部品３０の中心側）に位置する。
【0040】
複数の配線６２は、第１配線６２Ａ、第２配線６２Ｂ、第３配線６２Ｃ、第４配線６２Ｄ、第５配線６２Ｅ、および第６配線６２Ｆを含む。第１配線６２Ａは、第１パッド６１Ａに接続されている。第２配線６２Ｂは、第２パッド６１Ｂに接続されている。第３配線６２Ｃは、第３パッド６１Ｃに接続されている。第４配線６２Ｄは、第４パッド６１Ｄに接続されている。第５配線６２Ｅは、第５パッド６１Ｅに接続されている。第６配線６２Ｆは、第６パッド６１Ｆに接続されている。
【0041】
複数の開口９１は、第１開口９１Ａ、第２開口９１Ｂ、第３開口９１Ｃ、第４開口９１Ｄ、第５開口９１Ｅ、および第６開口９１Ｆを含む。第１開口９１Ａは、第１パッド６１Ａに対応して設けられ、第１パッド６１Ａを外部に露出させる。第２開口９１Ｂは、第２パッド６１Ｂに対応して設けられ、第２パッド６１Ｂを外部に露出させる。第３開口９１Ｃは、第３パッド６１Ｃに対応して設けられ、第３パッド６１Ｃを外部に露出させる。第４開口９１Ｄは、第４パッド６１Ｄに対応して設けられ、第４パッド６１Ｄを外部に露出させる。第５開口９１Ｅは、第５パッド６１Ｅに対応して設けられ、第５パッド６１Ｅを外部に露出させる。第６開口９１Ｆは、第６パッド６１Ｆに対応して設けられ、第６パッド６１Ｆを外部に露出させる。
【0042】
＜３．１ 第１配線の構成＞
次に、第１配線６２Ａの構成について説明する。第１配線６２Ａは、例えば、線部７１と、接続部７２とを含む。
次に、第１配線６２Ａの構成について説明する。第１配線６２Ａは、例えば、線部７１と、接続部７２とを含む。
【0043】
線部７１は、線状に延びている。例えば、線部７１は、Ｘ方向に沿う直線状に延びている。本出願で「線状に延びている」とは、直線状に延びた場合に限定されず、曲線状に延びた場合も該当し得る。
【0044】
接続部７２は、線部７１と第１パッド６１Ａとの間に設けられ、線部７１と第１パッド６１Ａとを接続している。接続部７２の少なくとも一部の幅（例えばＹ方向の幅）は、線部７１の幅（例えばＹ方向の幅）よりも大きい。本実施形態では、接続部７２は、第１部分８１と、第２部分８２と、第３部分８３とを含む。
【0045】
第１部分８１は、第１開口９１Ａの内側で第１パッド６１Ａと接続されている。第１部分８１は、第１パッド６１Ａから第１方向に延びている。例えば、第１方向は、第１パッド６１Ａの径方向（第１パッド６１Ａの中心Ｃを起点する放射方向）である。例えば、上述した線部７１と第１パッド６１Ａとを最短距離で結ぶ仮想的な線を第１仮想線Ｖ１とする場合、第１方向は、第１仮想線Ｖ１に対して－Ｙ方向側（第１側）に傾斜している。例えば、第１部分８１は、第１パッド６１Ａの中心Ｃから第１方向に延びた中心線Ｃ１に沿って直線状に延びている。例えば、第１部分８１は、第１仮想線Ｖ１に対して上記第１側に３０度傾斜して延びている。第１仮想線Ｖ１は、「第１基準線」と称されてもよい。
【0046】
第２部分８２は、第１パッド６１Ａの周方向において第１部分８１から離れた位置で、第１パッド６１Ａと接続されている。周方向とは、円の円周に沿った方向のことを意味する。第２部分８２は、第１開口９１Ａの内側で第１パッド６１Ａと接続されている。第２部分８２は、第１パッド６１Ａから上記第１方向とは異なる第２方向に延びている。第２方向は、第１パッド６１Ａから離れるに従い第１部分８１との間の距離が大きくなる方向である。例えば、第２方向は、第１パッド６１Ａの径方向（第１パッド６１Ａの中心Ｃを起点する放射方向）である。例えば、第２方向は、第１仮想線Ｖ１に対して＋Ｙ方向側（上記第１側とは反対側である第２側）に傾斜している。例えば、第２部分８２は、第１パッド６１Ａの中心Ｃから第２方向に延びた中心線Ｃ２に沿って直線状に延びている。例えば、第２部分８２は、第１仮想線Ｖ１に対して上記第２側に３０度傾いて延びている。言い換えると、中心線Ｃ１と中心線Ｃ２との間の角度は、６０度である。第２仮想線Ｖ２は、「第２基準線」と称されてもよい。
【0047】
本実施形態では、第１パッド６１Ａの周方向において、第１部分８１と第２部分８２との間には、導電部が存在しない隙間Ｓ１が存在する。隙間Ｓ１の一部は、第１開口９１Ａの内側に位置する。なお、上述した接合部３４の接合状態によっては、接合部３４の一部が隙間Ｓ１に存在し得る。また本実施形態では、第１パッド６１Ａと第１開口９１Ａの開口縁との間は、接続部７２が存在する領域を除き、隙間Ｓ２が存在する。
【0048】
第３部分８３は、第１部分８１および第２部分８２に対して第１パッド６１Ａとは反対側に配置されている。第３部分８３は、第１パッド６１Ａの周方向で第１部分８１と第２部分８２とに亘る幅が広い部分を含み、第１部分８１および第２部分８２と接続されている。第３部分８３と第１パッド６１Ａとの間には、第１部分８１と第２部分８２との間に形成された隙間Ｓ１が存在する。第３部分８３は、第１パッド６１Ａから離れる方向に進むに従い幅（例えばＹ方向の幅）が狭くなる。第３部分８３は、線部７１と、第１部分８１および第２部分８２との間に配置されている。第３部分８３は、線部７１に接続されている。
【0049】
本実施形態では、第１配線６２Ａは、第１パッド６１Ａの周方向において、９０度の角度範囲Ｒ内で第１パッド６１Ａと接続されている。本出願で「配線がパッドの周方向において９０度の角度範囲内でパッドに接続されている」とは、異なる方向に延びた複数の部分（例えば第１部分８１および第２部分８２）を配線が有する場合に、周方向で最外の両端部に位置する２つの部分の中心線同士の間の角度が９０度以下であることを意味する。例えば本実施形態では、第１配線６２Ａにおいて、第１部分８１の中心線Ｃ１と、第２部分８２の中心線Ｃ２との間の角度が９０度以下であることを意味する。
【0050】
なお本出願で「配線がパッドの周方向における９０度の角度範囲内でパッドに接続されている」とは、上記両端部に位置する２つの部分の中心線同士の間の角度が９０度以下である場合において、上記両端部に位置する２つの部分のそれぞれの一部が９０度の角度範囲Ｒからはみ出す場合も該当し得る。この場合の具体例は、後述する第１変形例（図６参照）のなかで詳しく説明する。上述した定義は、角度範囲Ｒが９０度未満の場合も同様である。
【0051】
本実施形態では、さらに言えば、第１配線６２Ａは、第１パッド６１Ａの周方向において６０度の角度範囲Ｒ内で第１パッド６１Ａに接続されている。すなわち、第１部分８１の中心線Ｃ１と、第２部分８２の中心線Ｃ２との間の角度が６０度以下である。
【0052】
＜３．２ 第２配線の構造＞
第２配線６２Ｂは、第１配線６２Ａと同様に、例えば、線部７１と、接続部７２とを含む。第２配線６２Ｂの接続部７２は、第１配線６２Ａの接続部７２と同様に、第１部分８１と、第２部分８２と、第３部分８３とを含む。以下に説明する以外の第２配線６２Ｂの詳細は、上述した第１配線６２Ａと同じである。すなわち、第２配線６２Ｂの詳細は、上述した第１配線６２Ａの説明において、「第１パッド６１Ａ」を「第２パッド６１Ｂ」と読み替え、「第１配線６２Ａ」を「第２配線６２Ｂ」と読み替え、「第１開口９１Ａ」を「第２開口９１Ｂ」と読み替え、「第１方向」を「第３方向」と読み替え、「第２方向」を「第４方向」と読み替えればよい。
第２配線６２Ｂは、第１配線６２Ａと同様に、例えば、線部７１と、接続部７２とを含む。第２配線６２Ｂの接続部７２は、第１配線６２Ａの接続部７２と同様に、第１部分８１と、第２部分８２と、第３部分８３とを含む。以下に説明する以外の第２配線６２Ｂの詳細は、上述した第１配線６２Ａと同じである。すなわち、第２配線６２Ｂの詳細は、上述した第１配線６２Ａの説明において、「第１パッド６１Ａ」を「第２パッド６１Ｂ」と読み替え、「第１配線６２Ａ」を「第２配線６２Ｂ」と読み替え、「第１開口９１Ａ」を「第２開口９１Ｂ」と読み替え、「第１方向」を「第３方向」と読み替え、「第２方向」を「第４方向」と読み替えればよい。
【0053】
本実施形態では、第２配線６２Ｂの線部７１と、第２パッド６１Ｂとは、Ｘ方向に並ばない。第２配線６２Ｂの線部７１は、第１配線６２Ａと第３配線６２Ｃとの間を延びるとともに、第１パッド６１Ａと第３パッド６１Ｃとの間を通って第２パッド６１Ｂの近くまで延びている。第２配線６２Ｂの線部７１は、第２配線６２Ｂの第３部分８３に対して第２パッド６１Ｂとは反対側に配置されている。第１配線６２Ａの線部７１と、第２配線６２Ｂの線部７１とは、少なくとも部分的に平行に延びている。
【0054】
第２パッド６１Ｂと第２配線６２Ｂの線部７１とを最短距離で結ぶ仮想的な線を第２仮想線Ｖ２とする場合、第２仮想線Ｖ２は、第１仮想線Ｖ１とはＸＹ平面において交差する方向に延びている。「ＸＹ平面」とは、Ｘ方向およびＹ方向と平行な平面である。例えば、第１仮想線Ｖ１と第２仮想線Ｖ２との間の角度は、４５度である。すなわち、本実施形態では、第１配線６２Ａの接続部７２と第１パッド６１Ａとが並ぶ方向と、第２配線６２Ｂの接続部７２と第２パッド６１Ｂとが並ぶ方向とは異なる。
【0055】
本実施形態では、第２配線６２Ｂの第１部分８１は、第２パッド６１Ｂから第３方向に延びている。第３方向は、上記第１方向とは異なる方向である。例えば、第３方向は、第２パッド６１Ｂの径方向（第２パッド６１Ｂの中心Ｃを起点とする放射方向）である。例えば、第３方向は、第２仮想線Ｖ２に対して一方の側に傾斜している。例えば、第２配線６２Ｂの第１部分８１は、第２パッド６１Ｂの中心Ｃから第３方向に延びた中心線Ｃ３に沿って直線状に延びている。例えば、第２配線６２Ｂの第１部分８１は、第２仮想線Ｖ２に対して３０度傾いて延びている。
【0056】
第２配線６２Ｂの第２部分８２は、第２パッド６１Ｂから第４方向に延びている。第４方向は、上記第２方向とは異なるとともに、上記第３方向とも異なる方向である。第４方向は、第２パッド６１Ｂから離れるに従い第２配線６２Ｂの第１部分８１との間の距離が大きくなる方向である。例えば、第４方向は、第２パッド６１Ｂの径方向（第２パッド６１Ｂの中心Ｃを起点とする放射方向）である。例えば、第４方向は、第２仮想線Ｖ２に対して、第３方向とは反対側に傾斜している。例えば、第２配線６２Ｂの第２部分８２は、第２パッド６１Ｂの中心Ｃから第４方向に延びた中心線Ｃ４に沿って直線状に延びている。例えば、第２配線６２Ｂの第２部分８２は、第２仮想線Ｖ２に対して３０度傾いて延びている。
【0057】
本実施形態では、第２配線６２Ｂは、第２パッド６１Ｂの周方向において９０度の角度範囲Ｒ内で第２パッド６１Ｂと接続されている。すなわち、第２配線６２Ｂにおいて、第１部分８１の中心線Ｃ３と、第２部分８２の中心線Ｃ４との間の角度が９０度以下（さらに言えば６０度以下）である。
【0058】
＜３．３ 第３から第６配線の構造＞
第３配線６２Ｃおよび第５配線６２Ｅの各々は、上述した第１配線６２Ａと同じ構成を有する。一方で、第４配線６２Ｄおよび第６配線６２Ｆの各々は、上述した第２配線６２Ｂと同じ構成を有する。例えば、第４配線６２Ｄの線部７１は、第３配線６２Ｃと第５配線６２Ｅとの間を延びるとともに、第３パッド６１Ｃと第５パッド６１Ｅとの間を通って第４パッド６１Ｄの近くまで延びている。
第３配線６２Ｃおよび第５配線６２Ｅの各々は、上述した第１配線６２Ａと同じ構成を有する。一方で、第４配線６２Ｄおよび第６配線６２Ｆの各々は、上述した第２配線６２Ｂと同じ構成を有する。例えば、第４配線６２Ｄの線部７１は、第３配線６２Ｃと第５配線６２Ｅとの間を延びるとともに、第３パッド６１Ｃと第５パッド６１Ｅとの間を通って第４パッド６１Ｄの近くまで延びている。
【0059】
＜４．作用＞
次に、本実施形態の構造の作用について説明する。
図５に示すように、電子部品３０の接合部３４は、例えばリフロー工程で加熱されることで、パッド６１の外形に沿う形状に変化する。本実施形態では、接合部３４の一部は、接続部７２の第１部分８１に沿って存在し、開口９１の開口縁に接する。また、接合部３４の別の一部は、接続部７２の第２部分８２に沿って存在し、開口９１の開口縁に接する。これにより、各接合部３４に作用する応力が複数方向に分散される。
次に、本実施形態の構造の作用について説明する。
図５に示すように、電子部品３０の接合部３４は、例えばリフロー工程で加熱されることで、パッド６１の外形に沿う形状に変化する。本実施形態では、接合部３４の一部は、接続部７２の第１部分８１に沿って存在し、開口９１の開口縁に接する。また、接合部３４の別の一部は、接続部７２の第２部分８２に沿って存在し、開口９１の開口縁に接する。これにより、各接合部３４に作用する応力が複数方向に分散される。
【0060】
本実施形態では、第１パッド６１Ａ、第３パッド６１Ｃ、および第５パッド６１Ｅの各々に接合された接合部３４は、第１部分８１および第２部分８２上で開口９１の開口縁に接して、上記第１方向と上記第２方向とに応力を分散させる。一方で、第２パッド６１Ｂ、第４パッド６１Ｄ、および第６パッド６１Ｆの各々に接合された接合部３４は、第１部分８１および第２部分８２上で開口９１の開口縁に接して、上記第３方向と上記第４方向とに応力を分散させる。これより、電子部品３０全体として、より多くの方向（第１から第４の方向）に応力を分散させることができる。
【0061】
＜５．利点＞
半導体記憶装置では、利用環境の温度差による膨張収縮や振動衝撃によって、プリント基板のパッドと電子部品の接合部との間に応力が作用する。近年の半導体記憶装置では、製品小型化や搭載部品の高密度化のため、プリント基板に実装される電子部品の間隔や、プリント基板を筐体に固定する固定部（拘束部）と電子部品との間隔がさらに狭くなり、プリント基板の膨張収縮や振動衝撃による応力の影響を受けやすい。
半導体記憶装置では、利用環境の温度差による膨張収縮や振動衝撃によって、プリント基板のパッドと電子部品の接合部との間に応力が作用する。近年の半導体記憶装置では、製品小型化や搭載部品の高密度化のため、プリント基板に実装される電子部品の間隔や、プリント基板を筐体に固定する固定部（拘束部）と電子部品との間隔がさらに狭くなり、プリント基板の膨張収縮や振動衝撃による応力の影響を受けやすい。
【0062】
そこで本実施形態では、配線パターン５２は、第１パッド６１Ａと、第１配線６２Ａとを有する。第１配線６２Ａは、第１部分８１、第２部分８２、および第３部分８３を含む。第１部分８１は、第１開口９１Ａの内側で第１パッド６１Ａと接続され、第１方向に延びている。第２部分８２は、第１開口９１Ａの内側で第１パッド６１Ａと接続され、第１パッド６１Ａから離れるに従い第１部分８１との間の距離が大きくなる第２方向に延びている。第３部分８３は、第１部分８１および第２部分８２に対して第１パッド６１Ａとは反対側に配置され、第１部分８１および第２部分８２と接続されている。第１配線６２Ａは、第１パッド６１Ａの周方向において９０度の角度範囲Ｒ内で第１パッド６１Ａに接続されている。
【0063】
このような構成によれば、上述したように接合部３４に作用する応力を複数方向に分散させることができる。これにより、接合部３４および基板２１において不具合が生じにくく、接合部３４の接合信頼性の向上を図ることができる。その結果、半導体記憶装置１の信頼性の向上を図ることができる。また本実施形態では、第１配線６２Ａは、９０度の角度範囲Ｒ内で第１パッド６１Ａに接続されている。このような構成によれば、接合部３４に作用する応力が複数方向に分散させる構造を実現しつつ、複数のパッド６１および複数の配線６２を高密度に配置しやすくなる。これにより、半導体記憶装置１の小型化を図ることができる。
【0064】
本実施形態では、第１パッド６１Ａの周方向において第１部分８１と第２部分８２との間に隙間Ｓ１が存在する。このような構成によれば、第１部分８１と第２部分８２とが独立して第１開口９１Ａの開口縁に接するため、上記第１方向と上記第２方向とに応力がさらに分散しやすくなる。
【0065】
本実施形態では、第２部分８２は、第１パッド６１Ａの周方向において第１部分８１から離れた位置で第１パッド６１Ａと接続されている。このような構成によれば、第１部分８１と第２部分８２とが大きく離れて位置することになるため、上記第１方向と上記第２方向とに応力がさらに分散しやすくなる。
【0066】
本実施形態では、第１配線６２Ａは、第１パッド６１Ａの周方向に関して６０度の角度範囲Ｒ内で第１パッド６１Ａに接続されている。このような構成によれば、接合部３４に作用する応力が複数方向に分散させる構造を実現しつつ、複数のパッド６１および複数の配線６２をさらに高密度に配置しやすくなる。これにより、半導体記憶装置１のさらなる小型化を図ることができる。
【0067】
本実施形態では、第１パッド６１Ａと線部７１とを最短距離で結ぶ仮想的な線を第１仮想線Ｖ１とする場合、上記第１方向は、第１仮想線Ｖ１に対して第１側に傾斜し、上記第２方向は、第１仮想線Ｖ１に対して上記第１側とは反対側の第２側に傾斜している。このような構成によれば、接合部３４に作用する応力が複数方向に分散させる構造を実現しつつ、配線６２の構成を小さく纏めやすくなる。これにより、半導体記憶装置１のさらなる小型化を図ることができる。
【0068】
本実施形態では、第２配線６２Ｂの第１部分８１は、第２開口９１Ｂの内側で第２パッド６１Ｂと接続され、上記第１方向とは異なる第３方向に延びている。第２配線６２Ｂの第２部分８２は、第２開口９１Ｂの内側で第２パッド６１Ｂと接続され、上記第２方向とは異なる第４方向に延びている。このような構成によれば、複数の接合部３４と基板２１との間に作用する応力をさらに多くの方向に分散させることができる。これにより、個々の接合部３４の接合信頼性のさらなる向上を図ることができる。
【0069】
本実施形態では、第１配線６２Ａの接続部７２と第１パッド６１Ａとが並ぶ方向と、第２配線６２Ｂの接続部７２と第２パッド６１Ｂとが並ぶ方向と、は異なる。第１配線６２Ａの線部７１と、第２配線６２Ｂの線部７１とは、少なくとも部分的に平行に延びている。このような構成によれば、第１配線６２Ａの接続部７２と第１パッド６１Ａとが並ぶ方向と、第２配線６２Ｂの接続部７２と第２パッド６１Ｂとが並ぶ方向とを異ならせることで、高密度配置を実現しつつ、第１配線６２Ａと平行な方向に第２配線６２Ｂを引き出しやすくなる。これにより、半導体記憶装置１のさらなる小型化を図ることができる。
【0070】
＜６．変形例＞
次に、第１実施形態のいくつかの変形例について説明する。なお、各変形例において以下に説明する以外の構成は、第１実施形態の構成と同じである。
次に、第１実施形態のいくつかの変形例について説明する。なお、各変形例において以下に説明する以外の構成は、第１実施形態の構成と同じである。
【0071】
＜６．１ 第１変形例＞
図６は、第１変形例の基板２１の一部を示す断面図である。本変形例では、第１配線６２Ａ、第３配線６２Ｃ、および第５配線６２Ｅの各々において、第１部分８１の中心線Ｃ１と、第２部分８２の中心線Ｃ２との間の角度は、９０度である。同様に、本変形例では、第２配線６２Ｂ、第４配線６２Ｄ、および第６配線６２Ｆの各々において、第１部分８１の中心線Ｃ３と、第２部分８２の中心線Ｃ４との間の角度は、９０度である。
図６は、第１変形例の基板２１の一部を示す断面図である。本変形例では、第１配線６２Ａ、第３配線６２Ｃ、および第５配線６２Ｅの各々において、第１部分８１の中心線Ｃ１と、第２部分８２の中心線Ｃ２との間の角度は、９０度である。同様に、本変形例では、第２配線６２Ｂ、第４配線６２Ｄ、および第６配線６２Ｆの各々において、第１部分８１の中心線Ｃ３と、第２部分８２の中心線Ｃ４との間の角度は、９０度である。
【0072】
これらの場合、第１配線６２Ａから第６配線６２Ｆの各々において、パッド６１の周方向において、接続部７２の両端部に位置する２つの部分（第１部分８１および第２部分８２）のそれぞれの一部が９０度の角度範囲Ｒからはみ出す。しかしながら、上述したように、上記両端部に位置する２つの部分の中心線同士の間の角度が９０度以下である場合は、本出願でいう「配線がパッドの周方向において９０度の角度範囲内でパッドに接続されている」ことの一例に該当する。
【0073】
図６に示すように、本変形例では、各配線６２の接続部７２は、上述した第１部分８１から第３部分８３に加え、第４部分８４を含む。第４部分８４は、第３部分８３とパッド６１との間に設けられ、第３部分８３とパッド６１とに接続されている。第４部分８４は、パッド６１の周方向において、第１部分８１と第２部分８２との間に配置されるとともに、第１部分８１および第２部分８２とは異なる位置でパッド６１に接続されている。
【0074】
これにより、パッド６１の周方向において第１部分８１と第４部分８４の間には、導電部が存在しない隙間Ｓ１ａが形成されている。同様に、パッド６１の周方向において第２部分８２と第４部分８４の間には、導電部が存在しない隙間Ｓ１ｂが形成されている。隙間Ｓ１ａおよび隙間Ｓ１ｂの各々の一部は、開口９１の内側に位置する。
【0075】
このような構成によれば、各接合部３４に作用する応力を３つの方向に分散させることができる。これにより、例えば第１実施形態と比べて、接合部３４の接合信頼性のさらなる向上を図ることができる。
【0076】
＜６．２ 第２変形例＞
図７は、第２変形例の基板２１の一部を示す断面図である。本変形例では、第１配線６２Ａ、第３配線６２Ｃ、および第５配線６２Ｅの各々において、第１部分８１の中心線Ｃ１と、第２部分８２の中心線Ｃ２との間の角度は、９０度である。同様に、本変形例では、第２配線６２Ｂ、第４配線６２Ｄ、および第６配線６２Ｆの各々において、第１部分８１の中心線Ｃ３と、第２部分８２の中心線Ｃ４との間の角度は、９０度である。
図７は、第２変形例の基板２１の一部を示す断面図である。本変形例では、第１配線６２Ａ、第３配線６２Ｃ、および第５配線６２Ｅの各々において、第１部分８１の中心線Ｃ１と、第２部分８２の中心線Ｃ２との間の角度は、９０度である。同様に、本変形例では、第２配線６２Ｂ、第４配線６２Ｄ、および第６配線６２Ｆの各々において、第１部分８１の中心線Ｃ３と、第２部分８２の中心線Ｃ４との間の角度は、９０度である。
【0077】
このような構成によれば、各接合部３４に作用する応力を互いに大きく離れた２つの方向に分散させることができる。これにより、例えば第１実施形態と比べて、接合部３４の接合信頼性のさらなる向上を図ることができる。
【0078】
＜６．３ その他の変形例＞
以上、いくつかの変形例について説明した。ただし、第１実施形態の変形例は、上記例に限定されない。例えば、第１実施形態、第１変形例、および第２変形例において、接続部７２に設けられた隙間Ｓ１，Ｓ１ａ，Ｓ１ｂは存在しなくてもよい。
以上、いくつかの変形例について説明した。ただし、第１実施形態の変形例は、上記例に限定されない。例えば、第１実施形態、第１変形例、および第２変形例において、接続部７２に設けられた隙間Ｓ１，Ｓ１ａ，Ｓ１ｂは存在しなくてもよい。
【0079】
（第２実施形態）
次に、第２実施形態について説明する。第２実施形態は、第１絶縁膜５３の開口９１の開口縁が突出部を有した点で、第１実施形態とは異なる。なお、以下に説明する以外の構成は、第１実施形態の構成と同じである。
次に、第２実施形態について説明する。第２実施形態は、第１絶縁膜５３の開口９１の開口縁が突出部を有した点で、第１実施形態とは異なる。なお、以下に説明する以外の構成は、第１実施形態の構成と同じである。
【0080】
図８は、第２実施形態の基板２１の一部を示す断面図である。本実施形態では、配線パターン５２は、例えば、複数のパッド６１（例えば第１から第６のパッド６１Ａ～６１Ｆ）と、複数の配線６２（例えば第１から第６の配線６２Ａ～６２Ｆ）とを含む。
【0081】
（配線の形状）
第１配線６２Ａは、例えば、線部７１と、接続部７２とを含む。本実施形態では、接続部７２は、例えば、第１部分１０１と、第２部分１０２とを有する。
第１配線６２Ａは、例えば、線部７１と、接続部７２とを含む。本実施形態では、接続部７２は、例えば、第１部分１０１と、第２部分１０２とを有する。
【0082】
第１部分１０１は、線部７１から第１パッド６１Ａに近付くに従い幅（例えばＹ方向の幅）が広くなる。第１部分１０１の最大幅は、第１パッド６１Ａの最大幅（例えば直径）と同じである。
【0083】
第２部分１０２は、第１部分１０１と第１パッド６１Ａとの間に設けられている。第２部分１０２は、第２部分１０２の全長に亘り第１パッド６１Ａの最大幅（例えば直径）と同じ幅を有して、第１部分１０１と第１パッド６１Ａとを接続している。
【0084】
（開口の形状）
第１絶縁膜５３は、複数の開口９１（例えば第１から第６の開口９１Ａ～８１Ｆ）を有する。第１開口９１Ａは、第１パッド６１Ａに対応して設けられ、第１パッド６１Ａよりも大きい。第１開口９１Ａの開口縁１１０は、第１縁部１１１と、第２縁部１１２とを含む。
第１絶縁膜５３は、複数の開口９１（例えば第１から第６の開口９１Ａ～８１Ｆ）を有する。第１開口９１Ａは、第１パッド６１Ａに対応して設けられ、第１パッド６１Ａよりも大きい。第１開口９１Ａの開口縁１１０は、第１縁部１１１と、第２縁部１１２とを含む。
【0085】
第１縁部１１１は、円弧状に延びている。第１縁部１１１の曲率半径は、第１パッド６１Ａの半径（第１パッド６１Ａの円弧部分の曲率半径）よりも大きい。本実施形態では、第１縁部１１１は、第１パッド６１Ａの周方向において２７０度以上の角度範囲に亘って形成されている。
【0086】
第２縁部１１２は、第１縁部１１１から第１開口９１Ａの内側に突出した突出部である。これにより、第１パッド６１Ａの周方向における第２縁部１１２の一方の端と、第１縁部１１１との境界には、第１段差Ｂ１が存在する。第１パッド６１Ａの周方向における第２縁部１１２の他方の端と、第１縁部１１１との境界には、第２段差Ｂ２が存在する。第１段差Ｂ１および第２段差Ｂ２は、ＸＹ平面内の段差である。
【0087】
本実施形態では、第１段差Ｂ１および第２段差Ｂ２の各々は、第１パッド６１Ａの径方向（第１パッド６１Ａの中心Ｃを起点する放射方向）に沿う。すなわち、第１段差Ｂ１および第２段差Ｂ２は、第１仮想線Ｖ１に対して傾斜している。第２縁部１１２は、第１パッド６１Ａの周方向において９０度の角度範囲内に設けられている。第１段差Ｂ１と第２段差Ｂ２との間の角度は、例えば、９０度以内である。本実施形態では、第１段差Ｂ１と第２段差Ｂ２との間の角度は、３０度である。
【0088】
本実施形態では、第１段差Ｂ１および第２段差Ｂ２は、絶縁基材４１の厚さ方向から見た場合（すなわちＺ方向から見た場合）、第１配線６２Ａの接続部７２と重なる位置に設けられている。すなわち、第１段差Ｂ１および第２段差Ｂ２は、第１パッド６１Ａと第１開口９１の開口縁１１０との間の隙間Ｓ２から離れている。さらに言えば、第１段差Ｂ１および第２段差Ｂ２は、絶縁基材４１の厚さ方向から見た場合、接続部７２のなかで幅が広くなった第２部分１０２と重なる位置に設けられている。
【0089】
第２配線６２Ｂの接続部７２は、第１配線６２Ａの接続部７２と同様に、第１部分１０１と、第２部分１０２とを含む。第２開口９１Ｂは、第１開口９１Ａと同様に、第１縁部１１１と、第２縁部１１２とを含む。以下に説明する以外の第２配線６２Ｂおよび第２開口９１Ｂの詳細は、上述した第１配線６２Ａおよび第１開口９１Ａと同じである。すなわち、第２配線６２Ｂおよび第２開口９１Ｂの詳細は、上述した第１配線６２Ａおよび第１開口９１Ａの説明において、「第１パッド６１Ａ」を「第２パッド６１Ｂ」と読み替え、「第１配線６２Ａ」を「第２配線６２Ｂ」と読み替え、「第１開口９１Ａ」を「第２開口９１Ｂ」と読み替えればよい。
【0090】
本実施形態では、第２配線６２Ｂの線部７１と、第２パッド６１Ｂとは、Ｘ方向に並ばない。第２配線６２Ｂの線部７１は、第１配線６２Ａと第３配線６２Ｃとの間を延びるとともに、第１パッド６１Ａと第３パッド６１Ｃとの間を通って第２パッド６１Ｂの近くまで延びている。第２配線６２Ｂの線部７１は、第２配線６２Ｂの接続部７２に対して第２パッド６１Ｂとは反対側に配置されている。第１配線６２Ａの線部７１と、第２配線６２Ｂの線部７１とは、少なくとも部分的に平行に延びている。
【0091】
本実施形態では、第２仮想線Ｖ２は、第１仮想線Ｖ１とは交差する方向に延びている。例えば、第１仮想線Ｖ１と第２仮想線Ｖ２との間の角度は、４５度である。すなわち、本実施形態では、第１配線６２Ａの接続部７２と第１パッド６１Ａとが並ぶ方向と、第２配線６２Ｂの接続部７２と第２パッド６１Ｂとが並ぶ方向とは異なる。
【0092】
第３配線６２Ｃおよび第５配線６２Ｅの各々は、上述した第１配線６２Ａと同じ構成を有する。第３開口９１Ｃおよび第５開口９１Ｅの各々は、上述した第１開口９１Ａと同じ構成を有する。一方で、第４配線６２Ｄおよび第６配線６２Ｆの各々は、上述した第２配線６２Ｂと同じ構成を有する。第４開口９１Ｄおよび第６開口９１Ｆの各々は、上述した第２開口９１Ｂと同じ構成を有する。
【0093】
（作用）
本実施形態では、接合部３４は、開口９１の第１縁部１１１の一部に接するとともに、開口９１の第１段差Ｂ１および第２段差Ｂ２に接する。これにより、接合部３４に作用する応力が複数方向に分散される。
本実施形態では、接合部３４は、開口９１の第１縁部１１１の一部に接するとともに、開口９１の第１段差Ｂ１および第２段差Ｂ２に接する。これにより、接合部３４に作用する応力が複数方向に分散される。
【0094】
（利点）
本実施形態では、第１開口９１Ａの開口縁１１０は、第１縁部１１１と、第１縁部１１１に対して第１開口９１Ａの内側に突出した第２縁部１１２とを有する。第１縁部１１１と第２縁部１１２との境界（例えば段差Ｂ１）は、絶縁基材４１の厚さ方向から見た場合、配線６２の接続部７２と重なる位置に設けられている。このような構成によれば、例えば製造時に第１絶縁膜５３の位置ずれが生じた場合でも、第１縁部１１１と第２縁部１１２との境界（例えば段差Ｂ１）が接続部７２の上に留まりやすい。このため、例えば製造時に第１絶縁膜５３の位置ずれが生じた場合でも、第１縁部１１１と第２縁部１１２との境界に接合部３４が接することができ、接合部３４に作用する応力を複数方向に分散させることができる。これにより、接合部３４の接合信頼性の向上を図ることができる。その結果、半導体記憶装置１の信頼性の向上を図ることができる。
本実施形態では、第１開口９１Ａの開口縁１１０は、第１縁部１１１と、第１縁部１１１に対して第１開口９１Ａの内側に突出した第２縁部１１２とを有する。第１縁部１１１と第２縁部１１２との境界（例えば段差Ｂ１）は、絶縁基材４１の厚さ方向から見た場合、配線６２の接続部７２と重なる位置に設けられている。このような構成によれば、例えば製造時に第１絶縁膜５３の位置ずれが生じた場合でも、第１縁部１１１と第２縁部１１２との境界（例えば段差Ｂ１）が接続部７２の上に留まりやすい。このため、例えば製造時に第１絶縁膜５３の位置ずれが生じた場合でも、第１縁部１１１と第２縁部１１２との境界に接合部３４が接することができ、接合部３４に作用する応力を複数方向に分散させることができる。これにより、接合部３４の接合信頼性の向上を図ることができる。その結果、半導体記憶装置１の信頼性の向上を図ることができる。
【0095】
（変形例）
次に、第２実施形態の変形例について説明する。なお、本変形例において以下に説明する以外の構成は、第２実施形態の構成と同じである。
次に、第２実施形態の変形例について説明する。なお、本変形例において以下に説明する以外の構成は、第２実施形態の構成と同じである。
【0096】
図９は、第２実施形態の変形例の基板２１の一部を示す断面図である。本実施形態では、第１段差Ｂ１と第２段差Ｂ２との間の角度は、４５度である。このような構成によれば、各接合部３４に作用する応力を互いに大きく離れた複数の方向に分散させることができる。これにより、例えば第２実施形態と比べて、接合部３４の接合信頼性のさらなる向上を図ることができる。
【0097】
（第３実施形態）
次に、第３実施形態について説明する。第３実施形態は、第１絶縁膜５３の開口９１の第１段差Ｂ１および第２段差Ｂ２の位置が接続部７２を外れた位置に設けられた点で、第２実施形態とは異なる。なお、以下に説明する以外の構成は、第２実施形態の構成と同じである。
次に、第３実施形態について説明する。第３実施形態は、第１絶縁膜５３の開口９１の第１段差Ｂ１および第２段差Ｂ２の位置が接続部７２を外れた位置に設けられた点で、第２実施形態とは異なる。なお、以下に説明する以外の構成は、第２実施形態の構成と同じである。
【0098】
図１０は、第２実施形態の基板２１の一部を示す断面図である。本実施形態では、第１段差Ｂ１および第２段差Ｂ２の各々は、絶縁基材４１の厚さ方向から見た場合、接続部７２を外れるとともに、接続部７２の第２部分１０２と隣り合う位置に設けられている。
【0099】
このような構成によれば、接合部３４のなかで表面張力により第１パッド６１Ａの縁から膨らんだ部分が第１段差Ｂ１および第２段差Ｂ２に接する。これにより、接合部３４に作用する応力が複数方向に分散される。
【0100】
本実施形態では、第１段差Ｂ１と第２段差Ｂ２とが大きく離れているため、各接合部３４に作用する応力を互いに大きく離れた複数の位置で分散させることができる。これにより、例えば第２実施形態と比べて、接合部３４の接合信頼性のさらなる向上を図ることができる。
【0101】
（第４実施形態）
次に、第４実施形態について説明する。第４実施形態は、配線６２が突出部を有した点で、第１実施形態とは異なる。以下に説明する以外の構成は、第１実施形態の構成と同じである。
次に、第４実施形態について説明する。第４実施形態は、配線６２が突出部を有した点で、第１実施形態とは異なる。以下に説明する以外の構成は、第１実施形態の構成と同じである。
【0102】
図１１は、第４実施形態の基板２１の一部を示す断面図である。本実施形態では、第１絶縁膜５３は、複数の開口９１（例えば第１から第６の開口９１Ａ～９１Ｂ）を有する。開口９１は、第１実施形態と同様に、円形である。
【0103】
配線パターン５２は、例えば、複数のパッド６１（例えば第１から第６のパッド６１Ａ～６１Ｆ）と、複数の配線６２（例えば第１から第６の配線６２Ａ～６２Ｆ）とを含む。
【0104】
第１配線６２Ａは、例えば、線部７１と、接続部７２とを含む。本実施形態では、接続部７２は、例えば、第１部分１２１と、第２部分１２２と、第３部分１２３とを有する。
【0105】
第１部分１２１は、第１パッド６１Ａと線部７１との間に設けられている。第１部分１２１は、第１パッド６１Ａから線部７１に向かう第１方向に延びている。第１部分１２１は、第１パッド６１Ａから線部７１に近付くに従い幅が小さくなる。第１部分１２１は、は、第１パッド６１Ａと線部７１とを接続している。
【0106】
第２部分１２２は、絶縁基材４１の厚さ方向から見た場合に、第１開口９１Ａの開口縁１１０と重なる位置に設けられている。第２部分１２２は、第１部分１２１から第１方向とは交差した第２方向に突出している。第２部分１２２の外形は、例えば、第１部分１２１の外形に滑らかに連続するとともに、第１部分１２１から離れる方向に凸となる半円状である。例えば、第２部分１２２は、第１部分１２１の縁に対して直交する方向に突出している。
【0107】
第２部分１２２の外形は、例えば、第１曲線部１２２ａ、第２曲線部１２２ｂ、および第３曲線部１２２ｃを含む。第１曲線部１２２ａは、第１部分１２１に滑らかに連続するとともに、第１部分１２１から離れるに従い第１部分１２１に対する傾きが徐々に大きくなる円弧状である。第２曲線部１２２ｂは、第１部分１２１に連続している。第２曲線部１２２ｂは、第１部分１２１から離れるに従い第１部分１２１に対する傾きが徐々に小さくなる円弧状である。第２曲線部１２２ｂは、第２部分１２２の頂部（突出端）を形成する。第３曲線部１２２ｃは、第２曲線部１２２ｂに対して、第１曲線部１２２ａとは反対側に配置されている。第３曲線部１２２ｃは、第１部分１２１に滑らかに連続するとともに、第１部分１２１から離れるに従い第１部分１２１に対する傾きが徐々に大きくなる円弧状である。第１開口９１Ａの開口縁１１０は、絶縁基材４１の厚さ方向で見た場合、第１曲線部１２２ａまたは第２曲線部１２２ｂと重なる。
【0108】
第３部分１２３は、第１部分１２１に対して、第２部分１２２とは反対側に配置されている。第３部分１２３は、絶縁基材４１の厚さ方向から見た場合に、第１開口９１Ａの開口縁１１０と重なる位置に設けられている。第３部分１２３は、第１部分１２１から第１方向とは交差した第３方向に突出している。第３部分１２３の外形は、例えば、第１部分１２１の外形に滑らかに連続するとともに、第１部分１２１から離れる方向に凸となる半円状である。例えば、第３部分１２３は、第１部分１２１の縁に対して直交する方向に突出している。
【0109】
第３部分１２３の外形は、例えば、第１曲線部１２３ａ、第２曲線部１２３ｂ、および第３曲線部１２３ｃを含む。第１曲線部１２３ａは、第１部分１２１に滑らかに連続するとともに、第１部分１２１から離れるに従い第１部分１２１に対する傾きが徐々に大きくなる円弧状である。第２曲線部１２３ｂは、第１部分１２１に連続している。第２曲線部１２３ｂは、第１部分１２１から離れるに従い第１部分１２１に対する傾きが徐々に小さくなる円弧状である。第２曲線部１２３ｂは、第３部分１２３の頂部（突出端）を形成する。第３曲線部１２３ｃは、第２曲線部１２３ｂに対して、第１曲線部１２２ａとは反対側に配置されている。第３曲線部１２３ｃは、第１部分１２１に滑らかに連続するとともに、第１部分１２１から離れるに従い第１部分１２１に対する傾きが徐々に大きくなる円弧状である。第１開口９１Ａの開口縁１１０は、絶縁基材４１の厚さ方向で見た場合、第１曲線部１２３ａまたは第２曲線部１２３ｂと重なる。
【0110】
第２配線６２Ｂの接続部７２は、第１配線６２Ａの接続部７２と同様に、第１部分１２１と、第２部分１２２と、第３部分１２３を含む。以下に説明する以外の第２配線６２Ｂの詳細は、上述した第１配線６２Ａと同じである。すなわち、第２配線６２Ｂの詳細は、上述した第１配線６２Ａの説明において、「第１パッド６１Ａ」を「第２パッド６１Ｂ」と読み替え、「第１配線６２Ａ」を「第２配線６２Ｂ」と読み替え、「第１開口９１Ａ」を「第２開口９１Ｂ」と読み替えればよい。
【0111】
本実施形態では、第２配線６２Ｂの線部７１と、第２パッド６１Ｂとは、Ｘ方向に並ばない。第２配線６２Ｂの線部７１は、第１配線６２Ａと第３配線６２Ｃとの間を延びるとともに、第１パッド６１Ａと第３パッド６１Ｃとの間を通って第２パッド６１Ｂの近くまで延びている。第２配線６２Ｂの線部７１は、第２配線６２Ｂの接続部７２に対して第２パッド６１Ｂとは反対側に配置されている。第１配線６２Ａの線部７１と、第２配線６２Ｂの線部７１とは、少なくとも部分的に平行に延びている。
【0112】
本実施形態では、第２仮想線Ｖ２は、第１仮想線Ｖ１とは交差する方向に延びている。例えば、第１仮想線Ｖ１と第２仮想線Ｖ２との間の角度は、４５度である。すなわち、本実施形態では、第１配線６２Ａの接続部７２と第１パッド６１Ａとが並ぶ方向と、第２配線６２Ｂの接続部７２と第２パッド６１Ｂとが並ぶ方向とは異なる。
【0113】
第３配線６２Ｃおよび第５配線６２Ｅの各々は、上述した第１配線６２Ａと同じ構成を有する。一方で、第４配線６２Ｄおよび第６配線６２Ｆの各々は、上述した第２配線６２Ｂと同じ構成を有する。
【0114】
（作用）
本実施形態では、接合部３４の一部は、接続部７２の第１部分１２１に沿って存在し、開口９１の開口縁１１０に接する。また、接合部３４の別の一部は、接続部７２の第２部分１２２に沿って存在し、開口９１の開口縁１１０に接する。これにより、各接合部３４に作用する応力が複数方向に分散される。
本実施形態では、接合部３４の一部は、接続部７２の第１部分１２１に沿って存在し、開口９１の開口縁１１０に接する。また、接合部３４の別の一部は、接続部７２の第２部分１２２に沿って存在し、開口９１の開口縁１１０に接する。これにより、各接合部３４に作用する応力が複数方向に分散される。
【0115】
本実施形態では、第１パッド６１Ａ、第３パッド６１Ｃ、および第５パッド６１Ｅの各々に接合された接合部３４は、第１部分１２１および第２部分１２２上で開口９１の開口縁１１０に接して、複数の方向に応力を分散させる。一方で、第２パッド６１Ｂ、第４パッド６１Ｄ、および第６パッド６１Ｆの各々に接合された接合部３４は、第２部分１２２および第３部分１２３上で開口９１の開口縁に接して、上記とは異なる複数の応力に分散させる。これより、電子部品３０全体として、より多くの方向に応力を分散させることができる。
【0116】
（利点）
本実施形態では、第１配線６２Ａは、線部７１と、線部７１と第１パッド６１Ａとの間に設けられた接続部７２とを含む。接続部７２は、第１パッド６１Ａから線部７１に近付くに従い幅が小さくなる第１部分１２１と、絶縁基材５１の厚さ方向から見た場合に前記第１開口９１Ａの開口縁１１０と重なる位置に設けられ、第１部分１２１から第１方向とは交差した第２方向に突出した第２部分１２２とを含む。
本実施形態では、第１配線６２Ａは、線部７１と、線部７１と第１パッド６１Ａとの間に設けられた接続部７２とを含む。接続部７２は、第１パッド６１Ａから線部７１に近付くに従い幅が小さくなる第１部分１２１と、絶縁基材５１の厚さ方向から見た場合に前記第１開口９１Ａの開口縁１１０と重なる位置に設けられ、第１部分１２１から第１方向とは交差した第２方向に突出した第２部分１２２とを含む。
【0117】
このような構成によれば、上述したように接合部３４に作用する応力が複数方向に分散させることができる。これにより、接合部３４および基板２１において不具合が生じにくく、接合部３４の接合信頼性の向上を図ることができる。その結果、半導体記憶装置１の信頼性の向上を図ることができる。
【0118】
本実施形態では、第２部分１２２の外形は、第１部分１２１から離れるに従い第１部分１２１に対する傾きが徐々に大きくなる曲線部１２２ａを含む。このような構成によれば、リフロー工程で溶けた接合部３４が第１部分１２１から第２部分１２２に入りやすいとともに、第１開口９１Ａの開口縁１１０と第２部分１２２とが接する方向と、第１開口９１Ａの開口縁１１０と第３部分１２３とが接する方向とが大きく異なりやすい。このため、各接合部３４に作用する応力を互いに大きく離れた２つの方向に分散させることができる。これにより、例えば第１実施形態と比べて、接合部３４の接合信頼性のさらなる向上を図ることができる。
【0119】
（第５実施形態）
次に、第５実施形態について説明する。第５実施形態は、上述した補強構造がパッケー型の半導体記憶装置の裏面に適用された点で、第１実施形態とは異なる。以下に説明する以外の構成は、第１実施形態の構成と同じである。
次に、第５実施形態について説明する。第５実施形態は、上述した補強構造がパッケー型の半導体記憶装置の裏面に適用された点で、第１実施形態とは異なる。以下に説明する以外の構成は、第１実施形態の構成と同じである。
【0120】
図１２は、パッケージ型の半導体記憶装置１Ａを示す断面図である。半導体記憶装置１Ａは、パッケージ基板３１Ａ、回路チップ３２、封止樹脂部３３、および複数の接合部３４を有する。
【0121】
パッケージ基板３１Ａは、半導体記憶装置１Ａのベースとなる基板である。パッケージ基板３１Ａは、プリント配線板である。パッケージ基板３１Ａは、Ｘ方向およびＹ方向に沿う板状である。パッケージ基板３１Ａは、例えば、絶縁基材５１と、配線パターン５２と、絶縁膜５３とを含む。配線パターン５２と絶縁膜５３は、絶縁基材５１の－Ｚ方向側の面に設けられている。配線パターン５２は、複数のパッド６１を含む。上述した第１から第４の実施形態およびそれらの変形例は、配線パターン５２の配線６２、および／または絶縁膜５３の開口９１に適用される。
【0122】
このような構成によれば、半導体記憶装置１Ａの信頼性の向上を図ることができる。
【0123】
以上、いくつかの実施形態および変形例について説明したが、実施形態は上記例に限定されない。例えば、上述した実施形態は、互いに組み合わされて実現されてもよい。
【0124】
以上説明した少なくともひとつの実施形態によれば、基板の第１配線は、第１開口の内側で第１パッドと接続され、第１方向に延びた第１部分と、第１開口の内側で第１パッドと接続され、第１パッドから離れるに従い第１部分との間の距離が大きくなる第２方向に延びた第２部分とを有する。第１配線は、第１パッドの周方向において９０度の角度範囲内で第１パッドと接続されている。このような構成によれば、半導体記憶装置の信頼性の向上を図ることができる。
【0125】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【0126】
１，１Ａ…半導体記憶装置、２１…基板、３０…電子部品、５１…絶縁基材、５２…配線パターン、５３…第１絶縁膜（絶縁膜）、６１Ａ…第１パッド、６１Ｂ…第２パッド、６２Ａ…第１配線、６２Ｂ…第２配線、７１…線部、７２…接続部、８１…第１部分、８２…第２部分、８３…第３部分、９１Ａ…第１開口、９１Ｂ…第２開口、１０１…第１部分、１０２…第２部分、１１０…開口縁、１１１…第１縁部、１１２…第２縁部、１２１…第１部分、１２２…第２部分、１２２ａ…第１曲線部、１２３…第３部分、１２３ａ…第１曲線部。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】