特開 2024-123737 プリント配線板

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024123737

(43)【公開日】2024-09-12

(54)【発明の名称】プリント配線板

(51)【国際特許分類】

   H05K 3/46 20060101AFI20240905BHJP

【ＦＩ】

H05K3/46 B

H05K3/46 S

H05K3/46 N

【審査請求】未請求

【請求項の数】8

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023031378

(22)【出願日】2023-03-01

(71)【出願人】

【識別番号】000000158

【氏名又は名称】イビデン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110001519

【氏名又は名称】弁理士法人太陽国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】酒井 純

(72)【発明者】

【氏名】吉川 恭平

(72)【発明者】

【氏名】畑中 隼也

【テーマコード（参考）】

5E316

【Ｆターム（参考）】

5E316AA12

5E316AA15

5E316AA32

5E316AA43

5E316CC08

5E316CC32

5E316DD17

5E316DD24

5E316DD33

5E316DD47

5E316EE33

5E316GG17

5E316GG22

5E316GG28

5E316HH11

(57)【要約】

【課題】プリント配線板の品質向上。
【解決手段】実施形態のプリント配線板２は、第一導体層１０と、第一面２２及び第一面と反対側の第二面２４とを有し、第二面２４が第一導体層１０と対向して第一導体層上に形成されている樹脂絶縁層２０と、樹脂絶縁層２０の第一面２２に形成され、樹脂絶縁層側のシード層１０ａと、シード層上の金属層（電解めっき層３０ｂ）と、を含む第二導体層３０と、樹脂絶縁層２０を貫通し第一導体層１０と第二導体層３０とを接続するビア導体４０と、樹脂絶縁層２０とシード１０ａ層の間に位置する部分を含み、樹脂に対し鉄又はクロムのいずれかを０．２ａｔ％以上５．０ａｔ％以下で含有する下地層３３と、を有する。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第一導体層と、
第一面及び前記第一面と反対側の第二面とを有し、前記第二面が前記第一導体層と対向して前記第一導体層上に形成されている樹脂絶縁層と、
前記樹脂絶縁層の前記第一面に形成され、前記樹脂絶縁層側のシード層と、前記シード層上の金属層と、を含む第二導体層と、
前記樹脂絶縁層を貫通し前記第一導体層と前記第二導体層とを接続するビア導体と、
前記樹脂絶縁層と前記シード層の間に位置する部分を含み、樹脂に対し鉄又はクロムのいずれかを０．２ａｔ％以上５．０ａｔ％以下で含有する下地層と、
を有するプリント配線板。

【請求項2】

請求項１に記載のプリント配線板であって、
前記金属層が銅めっき層である。

【請求項3】

請求項１に記載のプリント配線板であって、
前記シード層が、
前記樹脂絶縁層側に位置し銅合金により形成されている第一シード層と、
前記第一シード層上で銅により形成されている第二シード層と、
を含む。

【請求項4】

請求項１に記載のプリント配線板であって、
前記樹脂絶縁層は、樹脂と無機粒子と、を含む。

【請求項5】

請求項４に記載のプリント配線板であって、
前記第一面は前記樹脂で形成されている。

【請求項6】

請求項４に記載にプリント配線板であって、
前記ビア導体が形成されているビア孔の内壁面は前記樹脂と前記無機粒子とで形成されている。

【請求項7】

請求項１に記載のプリント配線板であって、
前記第一面の算術平均粗さ（Ｒａ）は０．０２μｍ以上０．６０μｍ以下である。

【請求項8】

請求項１に記載のプリント配線板であって、
前記下地層は、前記樹脂絶縁層の前記第一面において前記第二導体層がない部分にも存在している。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示する技術は、プリント配線板に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、層間樹脂絶縁層と導体回路とが交互に積層され、上層の導体回路と下層の導体回路とがバイアホールを介して接続されてなる多層プリント配線板が記載されている。特許文献１には、ポリオレフィン系樹脂絶縁層の表面にＮｉ薄膜を形成し、さらに、Ｎｉ金属層上に銅層を形成し、ついで無電解めっきを施して、銅の無電解めっき膜を形成することが記載されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２００９－３０２５８８号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

樹脂絶縁層上にスパッタリング等で導体層（スパッタ膜）を形成する場合、樹脂絶縁層に対する導体層の密着性を高くすることが望まれる。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本開示のプリント配線板は、第一導体層と、第一面及び前記第一面と反対側の第二面とを有し、前記第二面が前記第一導体層と対向して前記第一導体層上に形成されている樹脂絶縁層と、前記樹脂絶縁層の前記第一面に形成され、前記樹脂絶縁層側のシード層と、前記シード層上の金属層と、を含む第二導体層と、前記樹脂絶縁層を貫通し前記第一導体層と前記第二導体層とを接続するビア導体と、前記樹脂絶縁層と前記シード層の間に位置する部分を含み、樹脂に対し鉄又はクロムのいずれかを０．２ａｔ％以上５．０ａｔ％以下で含有する下地層と、を有する。

【0006】

本開示の実施形態によれば、樹脂絶縁層に対する第一導体層の密着性を高くできる。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】本開示の第一実施形態のプリント配線板を示す断面図である。

【図2A】本開示の第一実施形態のプリント配線板を部分的に拡大して示す断面図である。

【図2B】本開示の第一実施形態のプリント配線板を部分的に拡大して示す断面図である。

【図3A】本開示の第一実施形態のプリント配線板の製造工程の一例を示す断面図である

【図3B】本開示の第一実施形態のプリント配線板の製造工程の一例を示す断面図である

【図3C】本開示の第一実施形態のプリント配線板の製造工程の一例を示す断面図である

【図3D】本開示の第一実施形態のプリント配線板の製造工程の一例を示す断面図である

【図3E】本開示の第一実施形態のプリント配線板の製造工程の一例を示す断面図である

【図3F】本開示の第一実施形態のプリント配線板の製造工程の一例を示す断面図である

【図3G】本開示の第一実施形態のプリント配線板の製造工程の一例を示す断面図である

【図3H】本開示の第一実施形態のプリント配線板の製造工程の一例を示す断面図である

【図3I】本開示の第一実施形態のプリント配線板の製造工程の一例を示す断面図である

【発明を実施するための形態】

【0008】

以下、図面を参照して本開示の実施形態の一例を詳細に説明する。

【0009】

各図面において同一の符号を用いて示される構成要素は、同一又は同様の構成要素であることを意味する。以下に説明する実施形態において重複する説明及び符号については、省略する場合がある。以下の説明において用いられる図面は、いずれも模式的なものである。図面に示される、各要素の寸法の関係、各要素の比率等は、現実のものとは必ずしも一致していない。複数の図面の相互間においても、各要素の寸法の関係、各要素の比率等は必ずしも一致していない。

【0010】

図１は実施形態のプリント配線板２を示す断面図である。図２Ａ及び図２Ｂは実施形態のプリント配線板２の一部を示す拡大断面図である。図１に示されるように、プリント配線板２は、絶縁層４と第一導体層１０と樹脂絶縁層２０と第二導体層３０とビア導体４０とを有する。

【0011】

絶縁層４は樹脂を用いて形成される。絶縁層４はシリカ等の無機粒子を含んでもよい。絶縁層４は、ガラスクロス等の補強材を含んでもよい。絶縁層４は、第三面６（図中の上面）と第三面６と反対側の第四面８（図中の下面）を有する。

【0012】

第一導体層１０は絶縁層４の第三面６上に形成されている。第一導体層１０は信号配線１２とパッド１４とを含む。第一導体層１０は、信号配線１２とパッド１４とは別の導体回路も含んでいてもよい。第一導体層１０は主に銅によって形成される。第一導体層１０は、絶縁層４上のシード層１０ａとシード層１０ａ上の電解めっき層１０ｂで形成されている。

【0013】

樹脂絶縁層２０は絶縁層４の第三面６と第一導体層１０上に形成されている。樹脂絶縁層２０は第一面２２（図中の上面）と第一面２２と反対側の第二面２４（図中の下面）を有する。樹脂絶縁層２０の第二面２４は第一導体層１０と対向する。樹脂絶縁層２０は樹脂８０と多数の無機粒子９０を含む。樹脂８０は、例えば、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂を用いてもよい。樹脂８０は、一例としてエポキシ系樹脂を用いてもよい。多数の無機粒子９０は樹脂８０内に分散されている。無機粒子９０は、例えば、シリカ、アルミナを用いてもよい。無機粒子９０の粒子径は、例えば、平均粒子径０．５μｍ、粒子径範囲は、０．１μｍ以上５．０μｍ以下である。樹脂絶縁層２０は厚み方向に貫通する貫通孔としてのビア孔２６を有している。ビア孔２６の内壁面２７は樹脂８０と無機粒子９０とで形成されている。

【0014】

図１に示されるように、樹脂絶縁層２０の第一面２２は樹脂８０のみで形成されている。第一面２２から無機粒子９０は露出しない。具体的には、第一面２２は無機粒子９０の表面を含まない。樹脂絶縁層２０の第一面２２には凹凸が形成されていない。第一面２２は荒らされていない。第一面２２は平滑に形成されている。第一面２２の算術平均粗さ（Ｒａ）は、例えば０．０２μｍ以上０．０６μｍ以下である。

【0015】

一方、図２Ｂに示されるように、ビア孔２６の内壁面２７には無機粒子９０が露出する。ビア孔２６の内壁面２７は無機粒子９０の表面を含む。ビア孔２６の内壁面２７は凹凸を有する。ビア孔２６の内壁面２７は樹脂８０の露出面と無機粒子９０の露出面とで形成される。

【0016】

樹脂絶縁層２０の厚さは、第二導体層３０の厚さの２倍以上である。樹脂絶縁層２０の厚さＴは第一面２２と第一導体層１０の上面の間の距離である。

【0017】

図２Ｂに示されるように、ビア孔２６の内壁面２７は傾斜している。パッド１４の上面と内壁面２７との間の角度（傾斜角度）θ１は例えば７０°以上８５°以下である。パッド１４の上面は第一導体層１０の上面に含まれる。樹脂絶縁層２０の第一面（上面）２２と内壁面２７との間の角度（傾斜角度）θ２は例えば９５°以上１１０°以下である。

【0018】

図１に示されるように、第二導体層３０は樹脂絶縁層２０の第一面２２上に形成されている。第二導体層３０は第一信号配線３２と第二信号配線３４とランド３６とを含む。第二導体層３０は第一信号配線３２と第二信号配線３４とランド３６とは別の導体回路も含んでいてもよい。第一信号配線３２と第二信号配線３４はペア配線を形成している。第二導体層３０は主に銅によって形成される。第二導体層３０は、第一面２２上のシード層３０ａとシード層３０ａ上の電解めっき層３０ｂで形成されている。シード層３０ａは第一面２２上の第一シード層３１ａと第一シード層３１ａ上の第二シード層３１ｂで形成されている。第一シード層３１ａは銅とケイ素とアルミニウムを含む合金（銅合金）で形成されている。第二シード層３１ｂは銅で形成されている。電解めっき層３０ｂは銅で形成されている。第一シード層３１ａは第一面２２に接している。第二シード層３１ｂは電解めっき層３０ｂと接着している。第二導体層３０のうち樹脂絶縁層２０の第一面２２と対向する面は第一面２２の表面形状に沿って形成されている。第二導体層３０は樹脂絶縁層２０の第一面２２の内側に入り込まない。

【0019】

樹脂絶縁層２０とシード層３０ａの間には、下地層３３が位置している。下地層３３は、樹脂絶縁層２０を構成している樹脂に対し、鉄又はクロムのいずれかを０．２ａｔ％以上５．０ａｔ％以下で含有する。「ａｔ％」は、アトミックパーセント（原子百分率）である。

【0020】

ビア導体４０はビア孔２６内に形成されている。ビア導体４０は、積層方向に隣り合う第一導体層１０と第二導体層３０とを接続する。なお、積層方向とは各層を積層した方向であり、各層の厚み方向と同じ方向である。本実施形態では積層方向は上下方向と同じである。図１ではビア導体４０はパッド１４とランド３６を接続する。ビア導体４０はシード層３０ａとシード層３０ａ上の電解めっき層３０ｂで形成されている。ビア導体４０を形成するシード層３０ａと第二導体層３０を形成するシード層３０ａは共通である。第一シード層３１ａは内壁面２７に接している。

【0021】

樹脂絶縁層２０及び第二導体層３０の表面には、被膜層３５が形成されている。被膜層３５により、樹脂絶縁層２０及び第二導体層３０と、樹脂絶縁層２０及び第二導体層３０に積層される他の層との密着性が高められる。被膜層３５は無くてもよい。

【0022】

［実施形態のプリント配線板２の製造方法］

【0023】

図３Ａ～図３Ｉは実施形態のプリント配線板２の製造方法を示す。図３Ａ～図３Ｉは断面図である。図３Ａは絶縁層４と絶縁層４の第三面６上に形成されている第一導体層１０を示す。第一導体層１０はセミアディティブ法によって形成される。

【0024】

図３Ｂに示されるように、絶縁層４と第一導体層１０上に樹脂絶縁層２０と保護膜５０が形成される。樹脂絶縁層２０の第二面２４が絶縁層４の第三面６と対向している。樹脂絶縁層２０の第一面２２上に保護膜５０が形成される。樹脂絶縁層２０は樹脂８０と無機粒子９０とを有する。無機粒子９０は樹脂８０内に埋まっている。樹脂絶縁層２０の第一面２２は樹脂８０のみで形成される。第一面２２から無機粒子９０は露出しない。第一面２２は無機粒子９０の表面を含まない。樹脂絶縁層２０の第一面２２には凹凸が形成されていない。

【0025】

保護膜５０は樹脂絶縁層２０の第一面２２を完全に覆っている。保護膜５０は、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）製のフィルムである。保護膜５０と樹脂絶縁層２０との間に離型剤による層が形成されている。

【0026】

図３Ｃに示されるように、保護膜５０の上からレーザ光Ｌが照射される。レーザ光Ｌは保護膜５０と樹脂絶縁層２０を同時に貫通する。第一導体層１０のパッド１４に至るビア導体用のビア孔２６が形成される。レーザ光Ｌは例えばＵＶレーザ光、ＣＯ２レーザ光である。ビア孔２６によりパッド１４が露出される。ビア孔２６が形成される時、樹脂絶縁層２０の第一面２２は保護膜５０で覆われている。そのため、ビア孔２６が形成される時、樹脂が飛散しても、第一面２２に樹脂が付着することが抑制される。レーザ光照射後のビア孔２６の内壁面２７は樹脂８０と樹脂８０から突出している無機粒子９０で形成されている。

【0027】

その後、ビア孔２６内が洗浄される。ビア孔２６内を洗浄することによりビア孔２６形成時に発生する樹脂残渣が除去される。ビア孔２６内の洗浄はプラズマによって行われる。即ち洗浄はドライプロセスで行われる。ドライプロセスのガス種は、ハロゲン系ガス（フッ素系ガス、塩素系ガス等）とＯ_２ガスの混合ガス、あるいはハロゲン系ガス（フッ素系ガス、塩素系ガス等）、Ｏ_２ガスの単独のガスである。洗浄はデスミア処理を含む。

【0028】

プラズマにより、樹脂８０が選択的に除去される。プラズマは無機粒子９０より樹脂８０を早く除去する。ビア孔２６内を洗浄することにより、ビア孔２６の内壁面２７には無機粒子９０が露出する（図３Ｃ）。ビア孔２６の内壁面２７は無機粒子９０の表面を含む。ビア孔２６の内壁面２７には凹凸が形成される。一方、樹脂絶縁層２０の第一面２２は保護膜５０で覆われている。第一面２２はプラズマの影響を受けない。第一面２２は樹脂８０のみで形成されている。第一面２２から無機粒子９０は露出しない。第一面２２は無機粒子９０の表面を含まない。樹脂絶縁層２０の第一面２２には凹凸が形成されない。第一面２２は平滑に形成されている。

【0029】

図３Ｄに示されるように、ビア孔２６内を洗浄後に、樹脂絶縁層２０から保護膜５０が除去される。保護膜５０除去後、樹脂絶縁層２０の第一面２２を荒らすことは行われない。第一面２２は平滑に形成される。第一面２２の算術平均粗さ（Ｒａ）は、例えば、０．０２μｍ以上０．０６μｍ以下である。

【0030】

図３Ｅに示されるように、樹脂絶縁層２０の第一面２２、及びビア孔２６から露出する内壁面２７に対し、ＬＩＳ（Ｌｉｎｅａｒ Ｉｏｎ Ｓｏｕｒｃｅ）処理が行われる。ＬＩＳ処理は、スパッタの前に行われる処理である。

【0031】

ＬＩＳ処理では、レーザイオン源から第一面２２及び内壁面２７にビーム状のアルゴンプラズマＰが照射される。第一面２２又は内壁面２７に表層離型剤が付与されている場合は、表層離型剤は、ビーム状のアルゴンプラズマＰの照射により除去される。

【0032】

第一面２２及び内壁面２７には、ビーム状のアルゴンプラズマＰの照射により、下地層３３が生じる。下地層３３は、樹脂絶縁層２０を構成している樹脂に対し、鉄又はクロムのいずれかを０．２ａｔ％以上５．０ａｔ％以下で含有する層である。たとえば、レーザイオン源を備えているプラズマ照射装置からプラズマ照射を行った場合、鉄又はクロムのいずれか（これらの組み合わせを含む）が第一面２２及び内壁面２７に到達するようにできる。この場合、樹脂絶縁層２０を構成している樹脂に対し、鉄又はクロムのいずれかを０．２ａｔ％以上５．０ａｔ％以下で含有するように、プラズマ照射を行い得る。第一面２２及び内壁面２７は、ビーム状のアルゴンプラズマＰの照射により、スパッタ層であるシード層３０ａの密着性が高い表面性状となる。

【0033】

図３Ｆに示されるように、第一面２２及び内壁面２７（下地層３３）上にシード層３０ａが形成される。シード層３０ａはスパッタによって形成される。シード層３０ａの形成はドライプロセスで行われる。第一シード層３１ａが第一面２２上にスパッタで形成される。同時に、ビア孔２６から露出する内壁面２７とパッド１４上に第一シード層３１ａがスパッタで形成される。その後、第一シード層３１ａ上に第二シード層３１ｂがスパッタで形成される。シード層３０ａはビア孔２６から露出するパッド１４の上面とビア孔２６の内壁面２７にも形成される。第一シード層３１ａは銅とケイ素とアルミニウムを含む合金で形成される。第二シード層３１ｂは銅で形成される。

【0034】

図３Ｇに示されるように、シード層３０ａ上にめっきレジスト６０が形成される。めっきレジスト６０は、第一信号配線３２と第二信号配線３４とランド３６（図１参照）を形成するための開口を有する。

【0035】

図３Ｈに示されるように、めっきレジスト６０から露出するシード層３０ａ上に電解めっき層３０ｂが形成される。電解めっき層３０ｂは銅で形成される。電解めっき層３０ｂはビア孔２６を充填する。第一面２２上のシード層３０ａと電解めっき層３０ｂによって、第一信号配線３２と第二信号配線３４とランド３６が形成される。第二導体層３０が形成される。ビア孔２６内のシード層３０ａと電解めっき層３０ｂによって、ビア導体４０が形成される。第二導体層３０とビア導体４０は同時に形成される。ビア導体４０は、パッド１４とランド３６を接続する。第一信号配線３２と第二信号配線３４はペア配線を形成する。

【0036】

図３Ｉで示されるように、めっきレジスト６０が除去される。電解めっき層３０ｂから露出するシード層３０ａが除去される。下地層３３は、第一信号配線３２、第二信号配線３４及びランド３６が形成されていない部分であっても、除去されずに残される。

【0037】

その後、樹脂絶縁層２０の第一面２２に対し、必要に応じてＯ_２アッシング処理が行われる。Ｏ_２アッシング処理では、樹脂絶縁層２０の第一面２２にＯ_２プラズマが照射される。

【0038】

その後、第二導体層３０に対しさらに化成処理が施される。たとえば、樹脂絶縁層２０及び第二導体層３０の表面に、被膜層３５が形成される。実施形態のプリント配線板２（図１参照）が得られる。

【0039】

実施形態のプリント配線板２（図１～図２Ｂ参照）では、樹脂絶縁層２０とシード層３０ａの間に、下地層３３が位置している。下地層３３は、樹脂絶縁層２０を構成している樹脂に対し、銅、鉄又はクロムのいずれかを０．２ａｔ％以上５．０ａｔ％以下で含有する。

【0040】

実施形態のプリント配線板２は、第一面２２及び内壁面２７への、ビーム状のアルゴンプラズマＰの照射により、スパッタ層であるシード層３０ａの密着性が高い表面性状となる。

【0041】

実施形態のプリント配線板２（図１参照）では樹脂絶縁層２０の第一面２２は樹脂８０で形成されている。第一面２２には無機粒子９０が露出しない。第一面２２には凹凸が形成されない。樹脂絶縁層２０の第一面２２近傍部分の比誘電率の標準偏差が大きくなることが抑制される。第一面２２の比誘電率は場所によって大きく変わらない。第一信号配線３２と第二信号配線３４が第一面２２に接していても、第一信号配線３２と第二信号配線３４間の電気信号の伝搬速度の差を小さくすることができる。そのため、実施形態のプリント配線板２ではノイズが抑制される。実施形態のプリント配線板２にロジックＩＣが実装されても、第一信号配線３２で伝達されるデータと第二信号配線で伝達されるデータがロジックＩＣにほぼ遅延なく到達する。ロジックＩＣの誤動作を抑制することができる。第一信号配線３２の長さと第二信号配線３４の長さが５ｍｍ以上であっても、両者の伝搬速度の差を小さくすることができる。第一信号配線３２の長さと第二信号配線３４の長さが１０ｍｍ以上、２０ｍｍ以下であっても、ロジックＩＣの誤動作を抑制することができる。高い品質を有するプリント配線板２が提供される。

【0042】

実施形態のプリント配線板２（図１参照）では、樹脂絶縁層２０の厚さＴは第二導体層３０の厚さの２倍以上である。プリント配線板２がヒートサイクルを受けると、ビア孔２６の内壁面２７とビア導体４０の間に加わるストレスは、第一面２２と第二導体層３０の間に加わるストレスより大きいと考えられる。また、ビア孔２６の内壁面２７に無機粒子９０が存在していると、ビア孔２６の内壁面２７とビア導体４０との密着強度が低下する懸念がある。しかし、下地層３３があることにより、ビア孔２６の内壁面２７とビア導体４０との密着強度の低下が抑制される。ビア導体４０が樹脂絶縁層２０から剥離し難くなる。

【0043】

実施形態のプリント配線板２では、シード層３０ａはスパッタで形成される（図３Ｅ参照）。シード層３０ａを形成する粒子は第一面２２と垂直に衝突する。そのため、第一面２２とシード層３０ａとの密着強度は高い。一方、シード層３０ａを形成する粒子とビア孔２６の内壁面２７は斜めに衝突する。シード層３０ａを形成する粒子がビア孔２６の内壁面２７に斜めに衝突するため、ビア孔２６の内壁面２７とビア導体４０との密着強度は、垂直に衝突する場合と比較して低下する懸念がある。しかし、下地層３３があることにより、プリント配線板２がヒートサイクルを受けても、ビア導体４０が樹脂絶縁層２０から剥離し難い。高い品質を有するプリント配線板２が提供される。

【0044】

本開示の技術では、３０ａの第一シード層３１ａは、銅と第二元素で形成されている。第二元素は、ケイ素、アルミニウム、チタン、ニッケル、クロム、炭素、酸素、スズ、カルシウム、マグネシウム、鉄、モリブデン、銀、の中から選ばれる。第一シード層３１ａは銅を含む合金で形成される。第二シード層３１ｂは銅で形成される。第二シード層３１ｂを形成している銅の量（原子量％）は９９．９％以上である。９９．９５％以上が好ましい。

【0045】

シード層３０ａの第一シード層３１ａは、ケイ素、アルミニウム、チタン、ニッケル、クロム、炭素、酸素、スズ、カルシウム、マグネシウム、鉄、モリブデン、銀、のうちのいずれか１つの金属で形成されてもよい。

【0046】

本開示の技術のプリント配線板２では、樹脂絶縁層２０は樹脂８０と無機粒子９０を含むが、繊維補強材を含んでいてもよい。繊維補強材としては、例えば、ガラスクロス、ガラス不織布、アラミド不織布を用いてもよい。

【0047】

本開示の技術のプリント配線板２では、樹脂絶縁層が一層であるが、二層以上積層されてもよい。

【0048】

本開示の技術のプリント配線板は、各図面に例示される構造、並びに、本明細書において例示される構造、形状、及び材料を備えるものに限定されない。前述したように、実施形態のプリント配線板は任意の積層構造を有し得る。例えば実施形態の配線基板はコア基板を含まないコアレス基板であってもよい。実施形態のプリント配線板は、任意の数の導体層及び絶縁層を含み得る。

【0049】

本開示の技術のプリント配線板の製造方法は、各図面を参照して説明された方法に限定されない。例えば、各絶縁層は、フィルム状の樹脂に限らず、任意の形態の樹脂を用いて形成され得る。実施形態のプリント配線板の製造方法には、前述された各工程以外に任意の工程が追加されてもよく、前述された工程のうちの一部が省略されてもよい。

【符号の説明】

【0050】

２ プリント配線板
４ 絶縁層
６ 第三面
８ 第四面
１０ 第一導体層
１０ａ シード層
１０ｂ 層
１２ 信号配線
１４ パッド
２０ 樹脂絶縁層
２２ 第一面
２４ 第二面
２６ ビア孔
２７ 内壁面
３０ 第二導体層
３０ａ シード層
３０ｂ 層
３１ａ 第一シード層
３１ｂ 第二シード層
３２ 第一信号配線
３３ 下地層
３４ 第二信号配線
３５ 被膜層
３６ ランド
４０ ビア導体
５０ 保護膜
６０ レジスト
８０ 樹脂
９０ 無機粒子

【図1】

【図2A】

【図2B】

【図3A】

【図3B】

【図3C】

【図3D】

【図3E】

【図3F】

【図3G】

【図3H】

【図3I】