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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024123811
(43)【公開日】2024-09-12
(54)【発明の名称】表示装置
(51)【国際特許分類】
G02F 1/1335 20060101AFI20240905BHJP
G02F 1/1368 20060101ALI20240905BHJP
G09F 9/30 20060101ALI20240905BHJP
【ＦＩ】
G02F1/1335 505
G02F1/1368
G09F9/30 349D
【審査請求】未請求
【請求項の数】13
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023031520
(22)【出願日】2023-03-02
(71)【出願人】
【識別番号】520487808
【氏名又は名称】シャープディスプレイテクノロジー株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110001036
【氏名又は名称】弁理士法人暁合同特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】吉田 圭介
(72)【発明者】
【氏名】植田 智志
(72)【発明者】
【氏名】美崎 克紀
【テーマコード（参考）】
2H192
2H291
5C094
【Ｆターム（参考）】
2H192AA24
2H192BB12
2H192BB13
2H192CB02
2H192CB05
2H192CB34
2H192CB35
2H192CB37
2H192EA03
2H192EA17
2H192EA34
2H192EA42
2H192JA33
2H192JB01
2H192JB02
2H291FA02Y
2H291FA15Y
2H291FA40Y
2H291FD20
2H291FD25
2H291GA19
2H291HA15
2H291LA03
2H291LA21
2H291MA02
2H291MA11
5C094AA11
5C094BA27
5C094BA43
5C094CA19
5C094ED03
5C094ED12
5C094ED15
5C094HA08
5C094JA08
5C094JA13
(57)【要約】
【課題】反射率の低下を図る
【解決手段】表示装置１１は、第１カラーフィルタ２９Ｇと、第２カラーフィルタ２９Ｂと、第１画素電極２８Ａと、第２画素電極２８Ｂと、共通電極３０と、絶縁膜３５と、第１カラーフィルタ２９Ｇと第２カラーフィルタ２９Ｂとの境界に配される遮光部３７と、を備え、遮光部３７は、遮光膜３８と、遮光膜３８の上層側に配される第１透過膜３９と、第１透過膜３９の上層側に配される反射透過膜４０と、を有し、遮光膜３８は、第１透過膜３９及び反射透過膜４０よりも光の透過率が低く、第１透過膜３９は、反射透過膜４０よりも光の透過率が高く、反射透過膜４０は、第１透過膜３９よりも光の反射率が高く、遮光膜３８よりも光の反射率が低い。
【選択図】図８
【解決手段】表示装置１１は、第１カラーフィルタ２９Ｇと、第２カラーフィルタ２９Ｂと、第１画素電極２８Ａと、第２画素電極２８Ｂと、共通電極３０と、絶縁膜３５と、第１カラーフィルタ２９Ｇと第２カラーフィルタ２９Ｂとの境界に配される遮光部３７と、を備え、遮光部３７は、遮光膜３８と、遮光膜３８の上層側に配される第１透過膜３９と、第１透過膜３９の上層側に配される反射透過膜４０と、を有し、遮光膜３８は、第１透過膜３９及び反射透過膜４０よりも光の透過率が低く、第１透過膜３９は、反射透過膜４０よりも光の透過率が高く、反射透過膜４０は、第１透過膜３９よりも光の反射率が高く、遮光膜３８よりも光の反射率が低い。
【選択図】図８
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１カラーフィルタと、
前記第１カラーフィルタと同層に配されて前記第１カラーフィルタとは異なる色を呈する第２カラーフィルタと、
前記第１カラーフィルタよりも上層側に配されて前記第１カラーフィルタと重畳して配される第１画素電極と、
前記第２カラーフィルタよりも上層側に配されて前記第２カラーフィルタと重畳して配される第２画素電極と、
前記第１画素電極及び前記第２画素電極よりも上層側または下層側に配されて前記第１画素電極及び前記第２画素電極と重畳する共通電極と、
前記第１画素電極及び前記第２画素電極と前記共通電極との間に介在する絶縁膜と、
前記第１カラーフィルタ及び前記第２カラーフィルタよりも上層側にて、前記第１カラーフィルタと前記第２カラーフィルタとの境界に配される遮光部と、を備え、
前記遮光部は、遮光膜と、前記遮光膜の上層側に配される第１透過膜と、前記第１透過膜の上層側に配される反射透過膜と、を有し、
前記遮光膜は、前記第１透過膜及び前記反射透過膜よりも光の透過率が低く、
前記第１透過膜は、前記反射透過膜よりも光の透過率が高く、
前記反射透過膜は、前記第１透過膜よりも光の反射率が高く、前記遮光膜よりも光の反射率が低い表示装置。
前記第１カラーフィルタと同層に配されて前記第１カラーフィルタとは異なる色を呈する第２カラーフィルタと、
前記第１カラーフィルタよりも上層側に配されて前記第１カラーフィルタと重畳して配される第１画素電極と、
前記第２カラーフィルタよりも上層側に配されて前記第２カラーフィルタと重畳して配される第２画素電極と、
前記第１画素電極及び前記第２画素電極よりも上層側または下層側に配されて前記第１画素電極及び前記第２画素電極と重畳する共通電極と、
前記第１画素電極及び前記第２画素電極と前記共通電極との間に介在する絶縁膜と、
前記第１カラーフィルタ及び前記第２カラーフィルタよりも上層側にて、前記第１カラーフィルタと前記第２カラーフィルタとの境界に配される遮光部と、を備え、
前記遮光部は、遮光膜と、前記遮光膜の上層側に配される第１透過膜と、前記第１透過膜の上層側に配される反射透過膜と、を有し、
前記遮光膜は、前記第１透過膜及び前記反射透過膜よりも光の透過率が低く、
前記第１透過膜は、前記反射透過膜よりも光の透過率が高く、
前記反射透過膜は、前記第１透過膜よりも光の反射率が高く、前記遮光膜よりも光の反射率が低い表示装置。
【請求項2】
前記反射透過膜は、膜厚が３ｎｍ～２０ｎｍの範囲とされる請求項１記載の表示装置。
【請求項3】
前記第１透過膜は、膜厚が２０ｎｍ～１００ｎｍの範囲とされる請求項１または請求項２記載の表示装置。
【請求項4】
前記反射透過膜は、前記遮光膜と同じ材料からなり、前記遮光膜よりも膜厚が小さい請求項１または請求項２記載の表示装置。
【請求項5】
前記遮光部は、前記第１画素電極及び前記第２画素電極と前記共通電極とのうちの上層側に位置する電極である上層電極の上層側に配される請求項１または請求項２記載の表示装置。
【請求項6】
前記遮光部は、前記反射透過膜の上層側に配される第２透過膜を有しており、
前記第２透過膜は、前記遮光部の形成範囲外に延在し、前記遮光部の形成範囲外において前記上層電極を覆う請求項５記載の表示装置。
前記第２透過膜は、前記遮光部の形成範囲外に延在し、前記遮光部の形成範囲外において前記上層電極を覆う請求項５記載の表示装置。
【請求項7】
前記遮光部は、前記第１画素電極及び前記第２画素電極と前記共通電極とのうちの上層側に位置する電極である上層電極の下層側で前記絶縁膜の上層側に配される請求項１または請求項２記載の表示装置。
【請求項8】
前記第１透過膜は、前記遮光部の形成範囲外に延在し、前記遮光部の形成範囲外において前記絶縁膜に接して配される請求項７記載の表示装置。
【請求項9】
前記第１透過膜は、前記絶縁膜と同じ屈折率の材料からなる請求項８記載の表示装置。
【請求項10】
前記遮光膜及び前記反射透過膜は、互いに重畳して配される請求項８記載の表示装置。
【請求項11】
前記遮光部は、前記反射透過膜よりも上層側に配される第２透過膜を有しており、
前記第２透過膜は、前記遮光部の形成範囲外に延在し、前記遮光部の形成範囲の内外にわたって前記上層電極を覆う請求項７記載の表示装置。
前記第２透過膜は、前記遮光部の形成範囲外に延在し、前記遮光部の形成範囲の内外にわたって前記上層電極を覆う請求項７記載の表示装置。
【請求項12】
前記第１カラーフィルタ、前記第２カラーフィルタ、前記第１画素電極、前記第２画素電極、前記共通電極、前記絶縁膜及び前記遮光部が設けられる第１基板と、
前記第１基板と対向して配される第２基板と、を備える請求項１または請求項２記載の表示装置。
前記第１基板と対向して配される第２基板と、を備える請求項１または請求項２記載の表示装置。
【請求項13】
前記第１基板と前記第２基板との間に介在する液晶層と、
前記第１基板に設けられて前記液晶層に臨む上面を有する配向膜と、を備えており、
前記遮光部は、前記反射透過膜よりも上層側に配される第２透過膜を有しており、
前記第２透過膜は、前記遮光部の形成範囲外に延在し、少なくとも前記遮光部の形成範囲外において前記第１画素電極及び前記第２画素電極と前記共通電極とのうちの上層側に位置する電極である上層電極を覆っており、
前記配向膜は、前記第２透過膜の上層側に配される請求項１２記載の表示装置。
前記第１基板に設けられて前記液晶層に臨む上面を有する配向膜と、を備えており、
前記遮光部は、前記反射透過膜よりも上層側に配される第２透過膜を有しており、
前記第２透過膜は、前記遮光部の形成範囲外に延在し、少なくとも前記遮光部の形成範囲外において前記第１画素電極及び前記第２画素電極と前記共通電極とのうちの上層側に位置する電極である上層電極を覆っており、
前記配向膜は、前記第２透過膜の上層側に配される請求項１２記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本明細書が開示する技術は、表示装置に関する。
【背景技術】
【0002】
従来、表示装置の一例として下記特許文献１に記載された液晶表示装置が知られている。特許文献１に記載の液晶表示装置は、走査信号線と、映像信号線と、第１電極と、カラーフィルタと、前記映像信号線に沿って前記第１電極に接触した共通配線と、前記共通配線上に位置する反射抑制層と、前記反射抑制層上に位置する透明層と、第２電極と、を備えた第１基板と、前記第１基板上に位置する液晶層と、前記液晶層上に位置する第２基板と、を備え、前記透明層の膜厚が、１０ｎｍ以上、４０ｎｍ以下である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０１７－６８０１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
上記した特許文献１に記載の液晶表示装置では、干渉条件を０次とし、透明層の膜厚を３０ｎｍとすることで、可視波長域のほぼ全域で反射率を低下させている。しかしながら、６５０ｎｍを超える波長領域では反射率が５％以上になるため、反射光量を十分に抑制できているとは言えず、さらには反射光が赤色に色付くという問題があった。
【0005】
本明細書に記載の技術は、上記のような事情に基づいて完成されたものであって、反射率の低下を図ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
（１）本明細書に記載の技術に関わる表示装置は、第１カラーフィルタと、前記第１カラーフィルタと同層に配されて前記第１カラーフィルタとは異なる色を呈する第２カラーフィルタと、前記第１カラーフィルタよりも上層側に配されて前記第１カラーフィルタと重畳して配される第１画素電極と、前記第２カラーフィルタよりも上層側に配されて前記第２カラーフィルタと重畳して配される第２画素電極と、前記第１画素電極及び前記第２画素電極よりも上層側または下層側に配されて前記第１画素電極及び前記第２画素電極と重畳する共通電極と、前記第１画素電極及び前記第２画素電極と前記共通電極との間に介在する絶縁膜と、前記第１カラーフィルタ及び前記第２カラーフィルタよりも上層側にて、前記第１カラーフィルタと前記第２カラーフィルタとの境界に配される遮光部と、を備え、前記遮光部は、遮光膜と、前記遮光膜の上層側に配される第１透過膜と、前記第１透過膜の上層側に配される反射透過膜と、を有し、前記遮光膜は、前記第１透過膜及び前記反射透過膜よりも光の透過率が低く、前記第１透過膜は、前記反射透過膜よりも光の透過率が高く、前記反射透過膜は、前記第１透過膜よりも光の反射率が高く、前記遮光膜よりも光の反射率が低い。
【0007】
（２）また、上記表示装置は、上記（１）に加え、前記反射透過膜は、膜厚が３ｎｍ～２０ｎｍの範囲とされてもよい。
【0008】
（３）また、上記表示装置は、上記（１）または上記（２）に加え、前記第１透過膜は、膜厚が２０ｎｍ～１００ｎｍの範囲とされてもよい。
【0009】
（４）また、上記表示装置は、上記（１）から上記（３）のいずれかに加え、前記反射透過膜は、前記遮光膜と同じ材料からなり、前記遮光膜よりも膜厚が小さくてもよい。
【0010】
（５）また、上記表示装置は、上記（１）から上記（４）のいずれかに加え、前記遮光部は、前記第１画素電極及び前記第２画素電極と前記共通電極とのうちの上層側に位置する電極である上層電極の上層側に配されてもよい。
【0011】
（６）また、上記表示装置は、上記（５）に加え、前記遮光部は、前記反射透過膜の上層側に配される第２透過膜を有しており、前記第２透過膜は、前記遮光部の形成範囲外に延在し、前記遮光部の形成範囲外において前記上層電極を覆ってもよい。
【0012】
（７）また、上記表示装置は、上記（１）から上記（４）のいずれかに加え、前記遮光部は、前記第１画素電極及び前記第２画素電極と前記共通電極とのうちの上層側に位置する電極である上層電極の下層側で前記絶縁膜の上層側に配されてもよい。
【0013】
（８）また、上記表示装置は、上記（７）に加え、前記第１透過膜は、前記遮光部の形成範囲外に延在し、前記遮光部の形成範囲外において前記絶縁膜に接して配されてもよい。
【0014】
（９）また、上記表示装置は、上記（８）に加え、前記第１透過膜は、前記絶縁膜と同じ屈折率の材料からなってもよい。
【0015】
（１０）また、上記表示装置は、上記（８）または上記（９）に加え、前記遮光膜及び前記反射透過膜は、互いに重畳して配されてもよい。
【0016】
（１１）また、上記表示装置は、上記（７）から上記（１０）のいずれかに加え、前記遮光部は、前記反射透過膜よりも上層側に配される第２透過膜を有しており、前記第２透過膜は、前記遮光部の形成範囲外に延在し、前記遮光部の形成範囲の内外にわたって前記上層電極を覆ってもよい。
【0017】
（１２）また、上記表示装置は、上記（１）から上記（１１）のいずれかに加え、前記第１カラーフィルタ、前記第２カラーフィルタ、前記第１画素電極、前記第２画素電極、前記共通電極、前記絶縁膜及び前記遮光部が設けられる第１基板と、前記第１基板と対向して配される第２基板と、を備えてもよい。
【0018】
（１３）また、上記表示装置は、上記（１２）に加え、前記第１基板と前記第２基板との間に介在する液晶層と、前記第１基板に設けられて前記液晶層に臨む上面を有する配向膜と、を備えており、前記遮光部は、前記反射透過膜よりも上層側に配される第２透過膜を有しており、前記第２透過膜は、前記遮光部の形成範囲外に延在し、少なくとも前記遮光部の形成範囲外において前記第１画素電極及び前記第２画素電極と前記共通電極とのうちの上層側に位置する電極である上層電極を覆っており、前記配向膜は、前記第２透過膜の上層側に配されてもよい。
【発明の効果】
【0019】
本明細書に記載の技術によれば、反射率の低下を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【0020】
【図1】実施形態１に係るヘッドマウントディスプレイを使用者が頭部に装着した状態を示す概略斜視図
【図2】実施形態１に係るヘッドマウントディスプレイを構成する頭部装着器具に備わる液晶表示装置及びレンズ部と、使用者の眼球と、の光学的関係を示す概略側面図
【図3】実施形態１に係る液晶表示装置に備わる液晶パネル及びフレキシブル基板の概略平面図
【図4】実施形態１に係る液晶パネルの概略的な断面図
【図5】実施形態１に係る液晶パネルの表示領域における画素配列を示す平面図
【図8】実施形態１に係る液晶パネルに備わる画素電極、共通電極、配向膜及び遮光部等を拡大した断面図
【図9】実施形態１に係る実証実験１における遮光部に係る反射スペクトルを示すグラフ
【図10】実施形態２に係る液晶パネルに備わる画素電極、共通電極、配向膜及び遮光部等を拡大した断面図
【図11】実施形態２に係る実証実験２における遮光部に係る反射スペクトルを示すグラフ
【図12】実施形態３に係る液晶パネルに備わる画素電極、共通電極、配向膜及び遮光部等を拡大した断面図
【発明を実施するための形態】
【0021】
＜実施形態１＞
実施形態１を図１から図９によって説明する。本実施形態では、ゴーグル型のヘッドマウントディスプレイ（HMD:Head-Mounted Display）１０ＨＭＤ及びそれに用いられる液晶表示装置１０を例示する。なお、各図面の一部にはＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸を示しており、各軸方向が各図面で示した方向となるように描かれている。
実施形態１を図１から図９によって説明する。本実施形態では、ゴーグル型のヘッドマウントディスプレイ（HMD:Head-Mounted Display）１０ＨＭＤ及びそれに用いられる液晶表示装置１０を例示する。なお、各図面の一部にはＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸を示しており、各軸方向が各図面で示した方向となるように描かれている。
【0022】
図１を用いてゴーグル型のヘッドマウントディスプレイ１０ＨＭＤの外観を説明する。ヘッドマウントディスプレイ１０ＨＭＤは、図１に示すように、使用者の頭部１０ＨＤに装着される頭部装着器具１０ＨＭＤａを備える。頭部装着器具１０ＨＭＤａは、使用者の両方の眼を囲っている。
【0023】
図２を用いて頭部装着器具１０ＨＭＤａの構成を説明する。頭部装着器具１０ＨＭＤａには、図２に示すように、画像を表示する液晶表示装置１０と、液晶表示装置１０に表示された画像を使用者の眼球１０ＥＹに結像させるレンズ部１０ＲＥと、が少なくとも内蔵されている。液晶表示装置１０は、液晶パネル（表示装置）１１と、液晶パネル１１に光を照射するバックライト装置（照明装置）１２と、を少なくとも備える。液晶パネル１１のうちの、レンズ部１０ＲＥ側の主面が、画像を表示する表示面１１ＤＳとされる。レンズ部１０ＲＥは、液晶表示装置１０と使用者の眼球１０ＥＹとの間に介在するよう配される。レンズ部１０ＲＥにより光に屈折作用が付与される。このレンズ部１０ＲＥの焦点距離を調整することで、使用者は、眼球１０ＥＹの水晶体１０ＥＹａを介して網膜１０ＥＹｂに結像される像が、眼球１０ＥＹからの距離Ｌ２の位置に見かけ上存在する仮想ディスプレイ１０ＶＤに表示されている、と認識することができる。この距離Ｌ２は、眼球１０ＥＹから液晶表示装置１０までの実際の距離Ｌ１よりも遙かに大きい。これにより、使用者は、液晶表示装置１０の画面サイズ（例えば０．数インチから数インチ程度）よりも遙かに大きな画面サイズ（例えば数十インチから数百インチ程度）の仮想ディスプレイ１０ＶＤに表示された虚像である拡大画像を視認することができる。
【0024】
なお、頭部装着器具１０ＨＭＤａに液晶表示装置１０を１つ搭載し、その液晶表示装置１０に右目用画像と左目用画像とを表示させることが可能である。それ以外に、頭部装着器具１０ＨＭＤａに液晶表示装置１０を２つ搭載し、一方の液晶表示装置１０に右目用画像を、他方の液晶表示装置１０に左目用画像を、それぞれ表示させことも可能である。また、頭部装着器具１０ＨＭＤａには、使用者の耳に宛てがわれて音声を発するイヤフォンなどが備えられてもよい。
【0025】
図３等を用いて液晶表示装置１０に備わる液晶パネル１１の構成について説明する。なお、バックライト装置１２の構成は、既知の通りであり、例えば、ＬＥＤなどの光源や光源からの光に光学作用を付与することで面状の光に変換する光学部材などを有する。液晶パネル１１は、図３に示すように、平面に視て全体として方形状をなしている。液晶パネル１１は、画面の中央側部分が、画像が表示される表示領域ＡＡとされる。液晶パネル１１は、画面における表示領域ＡＡを取り囲む額縁状の外周側部分が、画像が表示されない非表示領域ＮＡＡとされる。図３において一点鎖線により囲った範囲が表示領域ＡＡである。なお、本実施形態に係る液晶パネル１１は、上記したヘッドマウントディスプレイ１０ＨＭＤに用いられるものであることから、極めて高い精細度となっており、その画素密度は、例えば１０００ｐｐｉ以上程度とされる。
【0026】
液晶パネル１１は、図３に示すように、一対の基板２０，２１を貼り合わせてなる。一対の基板２０，２１のうち、表側に配されるものが対向基板（第２基板、ＣＦ基板）２０であり、裏側に配されるものがアレイ基板（第１基板、アクティブマトリクス基板）２１である。対向基板２０及びアレイ基板２１は、いずれもほぼ透明で優れた透光性を有するガラス製の基板２０ＧＳ，２１ＧＳの内面側に各種の膜が積層形成されてなるものとされる。基板２０ＧＳ，２１ＧＳは、主な材料として例えば無アルカリガラスを含む。このうちのアレイ基板２１は、対向基板２０よりも大型となっていてその一部が対向基板２０に対して側方に突き出している。アレイ基板２１の突き出し部分２１Ａには、フレキシブル基板１３が実装されている。フレキシブル基板１３は、絶縁性及び可撓性を有する基材上に多数本の配線パターンを形成した構成とされる。フレキシブル基板１３は、一端側がアレイ基板２１に、他端側が外部のコントロール基板（信号供給源）に、それぞれ接続されている。コントロール基板から供給される各種信号は、フレキシブル基板１３を介して液晶パネル１１に伝送される。
【0027】
液晶パネル１１の非表示領域ＮＡＡには、図３に示すように、回路部（周辺回路部）１４が設けられている。回路部１４には、第１回路部１４Ａと、第２回路部１４Ｂと、が含まれる。第１回路部１４Ａは、表示領域ＡＡをＸ軸方向について両側から挟み込む形で一対が配されている。第１回路部１４Ａは、Ｙ軸方向に沿って延在する帯状の範囲に設けられている。第１回路部１４Ａは、後述するゲート配線２５に走査信号を供給するためのものであり、アレイ基板２１にモノリシックに設けられている。第１回路部１４Ａは、ＧＤＭ（Gate Driver Monolithic）回路である。第１回路部１４Ａは、走査信号を所定のタイミングで出力するシフトレジスタ回路や走査信号を増幅するためのバッファ回路等を含む。第２回路部１４Ｂは、Ｙ軸方向について表示領域ＡＡとフレキシブル基板１３との間に挟まれた位置に配されている。第２回路部１４Ｂは、Ｘ軸方向に沿って延在する帯状の範囲に設けられている。第２回路部１４Ｂは、後述するソース配線２６に画像信号（データ信号）を供給するためのものであり、アレイ基板２１にモノリシックに設けられている。第２回路部１４Ｂは、ＳＳＤ（Source Shared Driving）回路等を含む。第２回路部１４Ｂは、フレキシブル基板１３により供給される画像信号を、各ソース配線２６に振り分けるスイッチ機能等を有している。
【0028】
次に、図４を用いて液晶パネル１１の断面構成の概略を説明する。一対の基板２０，２１は、図４に示すように、基板２０，２１の板面の法線方向であるＺ軸方向に間隔を空けて対向して配される。一対の基板２０，２１の間には、少なくとも、液晶層２２と、液晶層２２を封止（シール）するシール部２３と、が介在して設けられている。液晶層２２は、電界印加に伴って光学特性が変化する物質である液晶分子を含む。シール部２３は、全体として平面に視て方形の枠状（無端環状）をなしており、非表示領域ＮＡＡにて液晶層２２を全周にわたって取り囲んでいる。このシール部２３により液晶層２２の厚さ分のギャップ（セルギャップ）が保持される。一対の基板２０，２１の外面側には、それぞれ偏光板２４が貼り付けられている。
【0029】
アレイ基板２１の表示領域ＡＡにおける内面側には、図５に示すように、格子状をなす複数本ずつのゲート配線（走査配線）２５及びソース配線（画像配線）２６が配されている。ゲート配線２５は、表示領域ＡＡを横断する形で概ねＸ軸方向に沿って延在する。ゲート配線２５は、複数がＹ軸方向に間隔を空けて並んで配される。複数のゲート配線２５には、上記した第１回路部１４Ａから出力される走査信号が、図５の上段側から順に供給されるようになっている。ソース配線２６は、表示領域ＡＡを縦断する形で概ねＹ軸方向に沿って延在し、ゲート配線２５と交差する。ソース配線２６は、複数がＸ軸方向に間隔を空けて配される。ソース配線２６には、上記した第２回路部１４Ｂから出力される画像信号が分配される。ゲート配線２５及びソース配線２６の交差部位付近には、ＴＦＴ（スイッチング素子）２７及び画素電極２８が設けられている。ＴＦＴ２７及び画素電極２８は、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に沿って複数ずつ規則的に並んで配されている。ＴＦＴ２７には、ゲート配線２５、ソース配線２６及び画素電極２８が接続されている。ＴＦＴ２７は、ゲート配線２５に供給される走査信号に基づいて駆動されると、ソース配線２６に供給される画像信号に基づいた電位に画素電極２８を充電する。画素電極２８は、Ｙ軸方向を長手方向とした長手状をなしている。画素電極２８のうち、長手方向の一方（図５の下側）の端側部分が、当該画素電極２８の接続対象となるＴＦＴ２７に接続されるゲート配線２５と重畳する。
【0030】
アレイ基板２１の表示領域ＡＡにおける内面側には、図６に示すように、画素電極２８に加えてカラーフィルタ２９が設けられている。つまり、本実施形態に係る液晶パネル１１は、ＣＯＡ（Color Filter On Array）構造である、と言える。カラーフィルタ２９は、画素電極２８と重畳して配され、重畳する画素電極２８と共に表示単位である画素を構成する。カラーフィルタ２９には、互いに異なる色を呈する複数種類（３種類）が含まれる。互いに異なる色を呈する３種類のカラーフィルタ２９は、ゲート配線２５の延在方向（Ｘ軸方向）に隣り合うよう並んで配される。互いに異なる色を呈する複数種類のカラーフィルタ２９は、ソース配線２６の延在方向（概ねＹ軸方向）に沿って延在している。このように、互いに異なる色を呈する複数種類のカラーフィルタ２９は、全体としてストライプ状に配列されている（図５を参照）。互いに異なる色を呈する複数のカラーフィルタ２９は、その境界（色境界）がソース配線２６と重畳する配置とされる。
【0031】
具体的には、カラーフィルタ２９には、図６に示すように、緑色を呈する第１カラーフィルタ（緑色カラーフィルタ）２９Ｇと、青色を呈する第２カラーフィルタ（青色カラーフィルタ）２９Ｂと、赤色を呈する第３カラーフィルタ（赤色カラーフィルタ）２９Ｒと、の３種類が含まれる。以下では、カラーフィルタ２９を区別する場合には、緑色を呈する第１カラーフィルタの符号に添え字Ｇを、青色を呈する第２カラーフィルタの符号に添え字Ｂを、赤色を呈する第３カラーフィルタの符号に添え字Ｒを付し、区別せずに総称する場合には、符号に添え字を付さないものとする。
【0032】
第１カラーフィルタ２９Ｇは、緑色の波長領域（約５００ｎｍ～約５７０ｎｍ）に含まれる波長の緑色光を選択的に透過する。第２カラーフィルタ２９Ｂは、青色の波長領域（約４００ｎｍ～約５００ｎｍ）に含まれる青色光を選択的に透過する。第３カラーフィルタ２９Ｒは、赤色の波長領域（約６００ｎｍ～約７８０ｎｍ）に含まれる波長の赤色光を選択的に透過する。本実施形態では、カラーフィルタ２９は、図６の左側から第３カラーフィルタ２９Ｒ、第１カラーフィルタ２９Ｇ、第２カラーフィルタ２９Ｂの順で繰り返し並ぶ配列とされる。
【0033】
第１カラーフィルタ２９Ｇは、図６に示すように、重畳する画素電極２８と共に緑色を呈する第１画素（緑色画素）ＧＰＸを構成する。第１画素ＧＰＸを構成する画素電極２８を第１画素電極２８Ａとする。第２カラーフィルタ２９Ｂは、重畳する画素電極２８と共に青色を呈する第２画素（青色画素）ＢＰＸを構成する。第２画素ＢＰＸを構成する画素電極２８を第２画素電極２８Ｂとする。第３カラーフィルタ２９Ｒは、重畳する画素電極２８と共に赤色を呈する第３画素（赤色画素）ＲＰＸを構成する。第３画素ＲＰＸを構成する画素電極２８を第３画素電極２８Ｃとする。この液晶パネル１１においては、Ｘ軸方向に沿って並ぶ３色の画素ＧＰＸ，ＢＰＸ，ＲＰＸによって所定の階調のカラー表示を可能な表示画素が構成されている。各画素ＧＰＸ，ＢＰＸ，ＲＰＸにおけるＹ軸方向の配列ピッチは、Ｘ軸方向の配列ピッチの３倍程度とされる。
【0034】
アレイ基板２１の表示領域ＡＡにおける内面側には、図６に示すように、共通電極３０が設けられている。共通電極３０は、画素電極２８よりも上層側に位置しており、表示領域ＡＡのほぼ全域にわたって配されている。これにより、共通電極３０は、表示領域ＡＡに配される全ての画素電極２８に対して重畳する。このように、本実施形態に係るアレイ基板２１では、画素電極２８と共通電極３０とのうちの上層側に位置する電極である「上層電極」が共通電極３０であり、下層側に位置する電極である「下層電極」が画素電極２８である。共通電極３０のうち、複数の画素電極２８に対して重畳する部分には、複数のスリット３０Ａがそれぞれ開口形成されている。共通電極３０には、共通電位（基準電位）とされる共通電位信号が供給されている。ＴＦＴ２７の駆動に伴って画素電極２８がソース配線２６に伝送される画像信号に基づく電位に充電されると、画素電極２８と共通電極３０との間には電位差が生じる。すると、共通電極３０におけるスリット３０Ａの開口縁と画素電極２８との間には、アレイ基板２１の板面に沿う成分に加えて、アレイ基板２１の板面に対する法線方向の成分を含むフリンジ電界（斜め電界）が生じる。従って、このフリンジ電界を利用することで液晶層２２に含まれる液晶分子の配向状態を制御することができ、この液晶分子の配向状態に基づいて所定の表示がなされる。つまり、本実施形態に係る液晶パネル１１は、動作モードがＦＦＳ（Fringe Field Switching）モードとされている。
【0035】
続いて、図６及び図７を用いてアレイ基板２１のガラス基板２１ＧＳに積層される各種の膜について詳しく説明する。アレイ基板２１のガラス基板２１ＧＳには、図６及び図７に示すように、下層側（ガラス基板２１ＧＳ側）から順に、半導体膜、第１絶縁膜３１、第１金属膜、第２絶縁膜３２、第２金属膜、第３絶縁膜３３、第１透明電極膜、カラーフィルタ２９、第４絶縁膜３４、第２透明電極膜、第５絶縁膜３５、第３透明電極膜、第３金属膜、第１透明膜、第４金属膜、第２透明膜、配向膜３６が少なくとも積層形成されている。なお、対向基板２０のガラス基板２０ＧＳには、配向膜２０ＰＩが形成されている。
【0036】
第１金属膜、第２金属膜、第３金属膜及び第４金属膜は、いずれも１種類の金属材料からなる単層膜または異なる種類の金属材料からなる積層膜や合金とされることで導電性及び遮光性を有している。このうち、第１金属膜は、ゲート配線２５を構成する。第２金属膜は、ソース配線２６を構成する。第１透明電極膜、第２透明電極膜及び第３透明電極膜は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）等の透明電極材料からなる。このうち、第２透明電極膜は、画素電極２８を構成する。第３透明電極膜は、共通電極３０を構成する。第２透明電極膜及び第３透明電極膜の材料は、いずれも例えばＩＴＯとされ、それぞれの膜厚は例えば７０ｎｍ程度とされる。
【0037】
第１絶縁膜３１、第２絶縁膜３２、第３絶縁膜３３及び第５絶縁膜３５は、いずれも無機材料（無機樹脂材料）の一種であるＳｉＯ２（酸化シリコン、シリコン酸化物）、ＳｉＮｘ（窒化シリコン）等からなる。このうち、第２絶縁膜３２は、ゲート配線２５とソース配線２６との間に介在してこれらを絶縁状態に保つ。第５絶縁膜３５は、画素電極２８と共通電極３０との間に介在してこれらを絶縁状態に保つ。第５絶縁膜３５の材料は、例えばＳｉＮｘとされ、その膜厚は例えば１００ｎｍ程度とされる。第４絶縁膜３４は、有機材料（有機樹脂材料）の一種であるＰＭＭＡ（アクリル樹脂）等からなる。有機材料からなる第４絶縁膜３４は、無機材料からなる第１絶縁膜３１、第２絶縁膜３２、第３絶縁膜３３及び第５絶縁膜３５よりも膜厚が大きいのが通常である。第１絶縁膜３１、第２絶縁膜３２、第３絶縁膜３３、第４絶縁膜３４及び第５絶縁膜３５は、いずれもほぼ透明である。第１透明膜及び第２透明膜に関しては、後に改めて説明する。
【0038】
配向膜３６は、例えばポリイミド等の有機材料からなる。配向膜３６は、液晶層２２に臨む上面に光配向処理が施されることで、液晶分子を配向させる機能を有する。配向膜３６の膜厚は、例えば８５ｎｍ程度とされる。配向膜３６の材料をポリイミドとした場合、配向膜３６の屈折率は、１．７程度とされる。対向基板２０に備わる配向膜２０ＰＩも、アレイ基板２１に備わる配向膜３６と同様である。
【0039】
半導体膜は、酸化物半導体材料からなる。詳しくは、半導体膜は、例えば酸化物半導体の一種であるインジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物薄膜からなる。インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物薄膜は、非晶質または結晶質とされている。半導体膜の酸化物半導体材料は、シリコン半導体材料に比べると、電圧が印加されない状態（オフ状態）での抵抗値が高い特性を有する。また、半導体膜の酸化物半導体材料は、アモルファスシリコン半導体材料に比べると、高い電子移動度を有している。このような半導体膜を用いてＴＦＴ２７を設けることで、ＴＦＴ２７のオフリーク電流を低減することができるので、低消費電力化等を図ることができる。また、ＴＦＴ２７を小型化することができるので、液晶パネル１１の精細度の向上を図る上で好適である。特に液晶パネル１１をヘッドマウントディスプレイ１０ＨＭＤに用いる上で好適である。
【0040】
なお、アレイ基板２１には、上記した半導体膜よりも下層側に別の半導体膜（第２の半導体膜）を設けるようにしてもよい。この第２の半導体膜は、例えばシリコン半導体材料からなる。より具体的には、第２の半導体膜として、多結晶化されたシリコン薄膜（多結晶シリコン薄膜）の一種であるＣＧシリコン（Continuous Grain Silicon）薄膜を用いることができる。ＣＧシリコン薄膜は、例えばアモルファスシリコン薄膜に金属材料を添加し、５５０℃以下程度の低温で短時間の熱処理を行うことで形成されており、それによりシリコン結晶の結晶粒界における原子配列に連続性を有している。第２の半導体膜のシリコン半導体材料は、酸化物半導体材料に比べると、さらに高い電子移動度を有している。このような第２の半導体膜を用いて回路部１４に含まれるＴＦＴを設けることができる。このようにすれば、回路部１４に含まれるＴＦＴのスイッチング速度を高速化することができるので、表示領域ＡＡの画素電極２８により表示される画像にフリッカや残像等の表示不良が生じ難くなる。
【0041】
続いて、ＴＦＴ２７について詳しく説明する。ＴＦＴ２７は、図５及び図７に示すように、ゲート電極２７Ａと、ソース電極２７Ｂと、ドレイン電極２７Ｃと、半導体部２７Ｄと、を有する。半導体部２７Ｄは、半導体膜からなる。半導体部２７Ｄは、ソース電極２７Ｂ、ドレイン電極２７Ｃ及びゲート電極２７Ａのいずれよりも下層側に位置する。半導体部２７Ｄは、ゲート配線２５及びソース配線２６の双方と交差するよう斜めに延在する。半導体部２７Ｄの一方の端側部分がソース電極２７Ｂ（ソース配２６）と重畳し、他方の端側部分がドレイン電極２７Ｃと重畳する。半導体部２７Ｄの中央側部分がゲート電極２７Ａ（ゲート配線２５）と重畳する。
【0042】
ゲート電極２７Ａは、ゲート配線２５と同じ第１金属膜からなる。ゲート電極２７Ａは、図７に示すように、半導体部２７Ｄに対して第１絶縁膜３１を介して上層側に重畳して配される。ゲート電極２７Ａは、半導体部２７Ｄのうちの中央側部分に対して重畳して配されている。ゲート電極２７Ａ及び半導体部２７Ｄは、間に第１絶縁膜３１が介在することで絶縁状態に保たれている。第１絶縁膜３１は、ゲート電極２７Ａと重畳する範囲に限って設けられており、表示領域ＡＡにおいて島状をなしている。ゲート電極２７Ａは、ゲート配線２５の一部からなる（図５を参照）。ゲート電極２７Ａに走査信号が供給されると、ゲート電極２７Ａから半導体部２７Ｄに作用する電界によって半導体部２７Ｄにチャネル領域が生じる。
【0043】
ソース電極２７Ｂは、ソース配線２６と同じ第２金属膜３５からなる。ソース電極２７Ｂは、図７に示すように、半導体部２７Ｄのうちの一方の端側部分に対して第２絶縁膜３２を介して上層側に重畳して配される。ソース電極２７Ｂは、ゲート電極２７Ａとは非重畳となる位置に配されている。ソース電極２７Ｂは、ソース配線２６の一部からなる（図５を参照）。ソース電極２７Ｂと半導体部２７Ｄとの間に介在する第２絶縁膜３２には、第１コンタクトホール２７ＣＨ１が設けられている。ソース電極２７Ｂは、第２絶縁膜３２の第１コンタクトホール２７ＣＨ１を通して半導体部２７Ｄのうちの一方の端側部分に接続されている。
【0044】
ドレイン電極２７Ｃは、第１透明電極膜からなる。ドレイン電極２７Ｃは、図５に示すように、Ｙ軸方向に沿って延在し、一方（図５の上側）の端側部分が半導体部２７Ｄの一部と重畳する。ドレイン電極２７Ｃは、他方（図５の下側）の端側部分がゲート電極２７Ａや画素電極２８の一部と重畳する。ドレイン電極２７Ｃは、図７に示すように、一方の端側部分が、半導体部２７Ｄにおける他方の端側部分に対して第２絶縁膜３２及び第３絶縁膜３３を介して上層側に重畳して配される。ドレイン電極２７Ｃと半導体部２７Ｄとの間に介在する第２絶縁膜３２及び第３絶縁膜３３には、第２コンタクトホール２７ＣＨ２が設けられている。ドレイン電極２７Ｃは、第２絶縁膜３２及び第３絶縁膜３３の第２コンタクトホール２７ＣＨ２を通して半導体部２７Ｄのうちの他方の端側部分に接続されている。
【0045】
ドレイン電極２７Ｃは、図７に示すように、他方の端側部分が、半導体部２７Ｄにおける中央側部分とゲート電極２７Ａとに対して第２絶縁膜３２及び第３絶縁膜３３を介して上層側に重畳して配される。ドレイン電極２７Ｃは、ゲート電極２７Ａの大部分に対しても重畳して配されている。ドレイン電極２７Ｃ及びゲート電極２７Ａは、間に第２絶縁膜３２及び第３絶縁膜３３が介在することで絶縁状態に保たれている。ドレイン電極２７Ｃは、他方の端側部分が、画素電極２８における長手方向の一方の端側部分に対してカラーフィルタ２９及び第４絶縁膜３４を介して下層側に重畳して配される。ドレイン電極２７Ｃと画素電極２８との間に介在するカラーフィルタ２９及び第４絶縁膜３４には、第３コンタクトホール２７ＣＨ３が設けられている。ドレイン電極２７Ｃは、カラーフィルタ２９及び第４絶縁膜３４の第３コンタクトホール２７ＣＨ３を通して画素電極２８における長手方向の一方の端側部分に接続されている。
【0046】
アレイ基板２１の表示領域ＡＡにおける内面側には、図６及び図７に示すように、カラーフィルタ２９よりも上層側に位置する遮光部３７が設けられている。本実施形態では、遮光部３７は、共通電極３０の上層側に配されている。遮光部３７は、例えばバックライト装置１２から液晶パネル１１に向けて照射される光を遮ることができる。遮光部３７は、図５に示すように、平面形状が略格子状をなしており、Ｘ軸方向及びＹ軸方向にそれぞれ隣り合う画素電極２８の間を仕切っている。遮光部３７は、ゲート配線２５及びソース配線２６と平面に視て重畳する配置とされる。詳しくは、遮光部３７は、Ｘ軸方向に沿って延在して複数のゲート配線２５と重畳する複数の第１遮光部３７Ａと、Ｙ軸方向に沿って延在して複数のソース配線２６と重畳する複数の第２遮光部３７Ｂと、を有する。なお、図６には、第２遮光部３７Ｂが図示され、図７には、第１遮光部３７Ａが図示されている。画素電極２８を挟む関係となる２つずつの第１遮光部３７Ａ及び第２遮光部３７Ｂによって囲まれた領域が、画素電極２８の開口範囲を画定する。上記領域は、画素電極２８と重畳するカラーフィルタ２９の透過光を透過し、液晶パネル１１の外部へ出光させる。第１遮光部３７Ａは、Ｙ軸方向に沿って並ぶ複数の画素電極２８の間を仕切っており、Ｙ軸方向に隣り合う画素ＧＰＸ，ＢＰＸ，ＲＰＸの間で行き交おうとする光を遮ることができる。第２遮光部３７Ｂは、Ｘ軸方向に沿って並ぶ複数の画素電極２８の間を仕切るとともに、互いに異なる色を呈するカラーフィルタ２９Ｇ，２９Ｂ，２９Ｒの境界に配されている。この第２遮光部３７Ｂによって、Ｘ軸方向に隣り合う画素ＧＰＸ，ＢＰＸ，ＲＰＸの間で行き交おうとする光を遮ることができる。つまり、第２遮光部３７Ｂは、互いに異なる色を呈する画素ＧＰＸ，ＢＰＸ，ＲＰＸ間の混色を防ぐことができる。以上のように、遮光部３７によって各画素ＧＰＸ，ＢＰＸ，ＲＰＸの表示独立性が担保されるようになっている。なお、遮光部３７は、アレイ基板２１の非表示領域ＮＡＡにも設けられてもよい。その場合、遮光部３７は、アレイ基板２１の非表示領域ＮＡＡにおいてベタ状に配される。
【0047】
このように、本実施形態に係る液晶パネル１１は、図６に示すように、画素ＧＰＸ，ＢＰＸ，ＲＰＸを構成する画素電極２８及びカラーフィルタ２９に加えて遮光部３７がアレイ基板２１に設けられたＣＯＡ構造となっている。ここで、液晶パネル１１の製造過程において、アレイ基板２１と対向基板２０とを対向させた状態で貼り合わせる際には、両基板２０，２１の間に、両基板２０，２１の主面に沿う方向（Ｘ軸方向やＹ軸方向）に位置ずれが生じる可能性がある。以下で用いられる「位置ずれ」の文言は、「両基板２０，２１の主面に沿う方向についての位置ずれ」を意味する。両基板２０，２１間に上記した位置ずれが生じた場合であっても、第１カラーフィルタ２９Ｇと第１画素電極２８Ａとが位置ずれしたり、第２カラーフィルタ２９Ｂと第２画素電極２８Ｂとが位置ずれしたり、第３カラーフィルタ２９Ｒと第３画素電極２８Ｃとが位置ずれしたり、各カラーフィルタ２９Ｇ，２９Ｂ，２９Ｒと遮光部３７とが位置ずれしたりする事態が避けられる。特に、ヘッドマウントディスプレイ１０ＨＭＤに用いられる液晶パネル１１のように、高精細化が進行した場合に好適となる。
【0048】
遮光部３７の詳しい構成について図８を参照しつつ説明する。本実施形態に係る遮光部３７は、図８に示すように、下記のような多層膜構造となっている。すなわち、遮光部３７は、遮光膜３８と、遮光膜３８の上層側に配される第１透過膜３９と、第１透過膜３９の上層側に配される反射透過膜４０と、を少なくとも有する。
【0049】
遮光膜３８は、第３金属膜からなる。つまり、遮光部３７の中で最下層に位置する遮光膜３８は、図８に示すように、第３透明電極膜からなる共通電極３０の上層側に配されている。遮光膜３８を構成する第３金属膜の金属材料としては、例えばＭｏ（モリブデン）、Ｗ（タングステン）、ＭｏとＷとの合金であるＭｏＷ（モリブデンタングステン）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｃｕ（銅）等を用いることができる。具体的には、遮光膜３８の材料は、Ｍｏとされてもよい。遮光膜３８の膜厚は、バックライト装置１２から照射される光を遮る機能を発揮するため、３０ｎｍ以上とされるのが好ましく、例えば６０ｎｍ程度とされてもよい。遮光膜３８は、第１透過膜３９及び反射透過膜４０に比べると、光の透過率が低くて遮光性が高い。また、遮光膜３８は、第１透過膜３９及び反射透過膜４０に比べると、光の反射率が高い。
【0050】
第１透過膜３９は、第３金属膜の上層側に配される第１透明膜からなる。第１透過膜３９を構成する第１透明膜の材料としては、ほぼ透明で屈折率が高い材料が好ましく、例えばＳｉＮｘ、ＳｉＯ２、ＩＴＯ等を用いることができる。つまり、第１透過膜３９の材料は、絶縁材料であっても導電材料であってもよい。具体的には、第１透過膜３９の材料は、ＳｉＮｘとされてもよい。第１透過膜３９の材料をＳｉＮｘとした場合、第１透過膜３９の屈折率は１．９程度となる。第１透過膜３９の膜厚は、第１透過膜３９が、後述する薄膜干渉による反射光の低減機能を発揮するため、２０ｎｍ～１００ｎｍの範囲とされるのが好ましく、例えば６０ｎｍ程度とされてもよい。第１透過膜３９の膜厚は、遮光膜３８の膜厚と同じでもよい。第１透過膜３９は、ほぼ透明であり、反射透過膜４０に比べると、光の透過率が高い。
【0051】
反射透過膜４０は、第４金属膜からなる。反射透過膜４０を構成する第３金属膜の金属材料としては、例えばＭｏ、Ｗ、ＭｏＷ、Ａｌ、Ｃｕ等を用いることができる。本実施形態では、第４金属膜の材料は、第３金属膜の材料と同一とされる。具体的には、反射透過膜４０の材料は、Ｍｏとされてもよい。反射透過膜４０の膜厚は、遮光膜３８の膜厚よりも小さい。反射透過膜４０の膜厚は、反射透過膜４０が、後述する外光の反射を低減する機能と、後述する遮光膜３８による反射光を再反射する機能と、を発揮するため、３ｎｍ～２０ｎｍの範囲とされるのが好ましく、例えば５ｎｍ程度とされてもよい。反射透過膜４０は、第１透過膜３９に比べると、光の透過率が低いのに加え、光の反射率が高くて遮光性が高い。反射透過膜４０は、遮光膜３８に比べると、光の透過率が高いのに加え、光の反射率が低い。
【0052】
このような構成の遮光部３７を構成する遮光膜３８、第１透過膜３９及び反射透過膜４０は、互いに重畳し合う関係とされ、平面に視ていずれかの膜がはみ出すことがない。従って、アレイ基板２１の製造に際しては、第３金属膜、第１透明膜及び第４金属膜を連続して成膜してから、フォトレジスト膜を成膜・露光・現像し、パターニングされたフォトレジスト膜を介して第３金属膜、第１透明膜及び第４金属膜を一括してエッチング（例えばドライエッチング）することで、遮光膜３８、第１透過膜３９及び反射透過膜４０をパターニングすることができる。
【0053】
遮光部３７のうち、最も光の透過率が低い遮光膜３８は、バックライト装置１２から照射される光を遮るのに主に機能する。つまり、遮光膜３８によりＸ軸方向及びＹ軸方向に隣り合う画素ＧＰＸ，ＢＰＸ，ＲＰＸの間で行き交おうとする光を遮ることができる。遮光膜３８は、遮光部３７の中で、光の透過率が最も低く、光の反射率が最も高い。このため、液晶パネル１１に対して表側外部から入射する外光が遮光膜３８により反射されることで生じる反射光の光量は、反射透過膜４０による反射光の光量よりも多い。仮に遮光膜３８による反射光がそのまま出射してしまうと、表示品位を著しく低下させるおそれがある。
【0054】
これに対し、遮光部３７のうち、第１透過膜３９及び反射透過膜４０は、液晶パネル１１に対して表側外部から入射する外光の反射を抑制するのに主に機能する。詳しくは、上記した外光は、対向基板２０及び液晶層２２を透過すると、遮光部３７のうちの反射透過膜４０に入射する。反射透過膜４０は、遮光膜３８よりも光の反射率が低くて光の透過率が高いので、反射光の発生が抑制されている。本実施形態では、反射透過膜４０の膜厚が５ｎｍであり、２０ｎｍ以下とされているので、遮光膜３８よりも光の反射率が十分に低くて光の透過率が十分に高くなっており、それにより反射透過膜４０による外光の反射が十分に抑制される。
【0055】
外光の一部は、反射透過膜４０を透過し、第１透過膜３９に入射する。第１透過膜３９に入射した光の一部は、反射透過膜４０と第１透過膜３９との界面にて反射され、残りは、反射透過膜４０よりも光の透過率が高い第１透過膜３９を透過し、遮光膜３８に入射する。遮光膜３８に入射した光の一部は、第１透過膜３９と遮光膜３８との界面にて反射される。反射透過膜４０と第１透過膜３９との界面での反射光と、第１透過膜３９と遮光膜３８との界面での反射光と、は、第１透過膜３９の屈折率及び膜厚に応じた干渉条件に基づいてある程度が打ち消される。具体的には、本実施形態では、第１透過膜３９の膜厚が２０ｎｍ～１００ｎｍの範囲とされ、第１透過膜３９の屈折率が１．９程度とされており、それにより第１透過膜３９を干渉膜とすることで極小化する反射率の波長が、比視感度が最も高い波長である５５５ｎｍに十分に近くなっている。例えば、第１透過膜３９の膜厚を２０ｎｍ～１００ｎｍの範囲の中の６０ｎｍ程度とすれば、第１透過膜３９を干渉膜とすることで極小化する反射率の波長が５５０ｎｍ近傍となる。以上により、遮光部３７による外光の反射を十分に抑制することができる。
【0056】
第１透過膜３９と遮光膜３８との界面、つまり遮光膜３８の上面にて反射された光は、第１透過膜３９を透過して反射透過膜４０と第１透過膜３９との界面に達する。反射透過膜４０は、第１透過膜３９よりも光の反射率が高いので、遮光膜３８にて反射された光の一部を遮光膜３８側に向かうよう再反射することができる。つまり、遮光膜３８による反射光の一部は、遮光膜３８と反射透過膜４０との間で繰り返し反射され、表側外部に出射することがない。本実施形態では、反射透過膜４０の膜厚が５ｎｍであり、３ｎｍ以上とされているので、遮光膜３８による反射光を反射透過膜４０によって十分に再反射することができる。これにより、遮光膜３８による反射光の出射が抑制される。以上のように、本実施形態に係る遮光部３７によれば、第１透過膜３９を干渉膜とすることで外光の反射が抑制されるのに加えて、遮光膜３８よりも光の反射率が低い反射透過膜４０によって外光の反射が抑制されるとともに、遮光膜３８による反射光が反射透過膜４０により再反射されることで出射が抑制される。このように、遮光部３７の低反射化が実現されることで、遮光部３７の設置に伴う表示品位の低下を十分に抑制することができる。
【0057】
遮光部３７は、図８に示すように、反射透過膜４０の上層側に配される第２透過膜４１を有する。第２透過膜４１は、遮光部３７の形成範囲外に延在し、遮光部３７の形成範囲外において共通電極３０等を覆う。従って、第２透過膜４１のうち、反射透過膜４０と重畳する部分は、遮光部３７を構成するものの、反射透過膜４０とは非重畳となる部分は、遮光部３７を構成しない。詳しくは、第２透過膜４１は、アレイ基板２１の主面内において少なくとも表示領域ＡＡの全域にわたってベタ状に設けられている。第２透過膜４１は、共通電極３０のうち、遮光部３７とは非重畳となる部分を覆うとともに、第５絶縁膜３５のうち、共通電極３０のスリット３０Ａと重畳する部分を覆う。このように、第２透過膜４１のうち、遮光部３７の形成範囲外に延在する部分によって共通電極３０を保護することができる。
【0058】
第２透過膜４１は、第２透明膜からなる。第２透過膜４１を構成する第２透明膜の材料としては、ほぼ透明で屈折率が高い材料が好ましく、例えばＳｉＮｘ、ＳｉＯ２、ＩＴＯ等を用いることができる。つまり、第２透過膜４１の材料は、絶縁材料であっても導電材料であってもよい。第２透過膜４１の材料は、第１透過膜３９の材料と同一であってもよい。具体的には、第２透過膜４１の材料は、ＳｉＮｘとされてもよい。第２透過膜４１の材料をＳｉＮｘとした場合、第２透過膜４１の屈折率は１．９程度となる。第２透過膜４１の膜厚は、第１透過膜３９の膜厚よりも小さく、例えば２０ｎｍとされてもよい。第２透過膜４１は、ほぼ透明であり、反射透過膜４０に比べると、光の透過率が高い。
【0059】
液晶パネル１１に対して表側外部から入射する外光は、反射透過膜４０よりも先に第２透過膜４１に入射する。第２透過膜４１に入射した光の一部は、第２透過膜４１の上面にて反射され、残りは、第２透過膜４１を透過し、反射透過膜４０に入射する。反射透過膜４０に入射した光の一部は、第２透過膜４１と反射透過膜４０との界面にて反射される。第２透過膜４１の上面での反射光と、第２透過膜４１と反射透過膜４０との界面での反射光と、は、第２透過膜４１の屈折率及び膜厚に応じた干渉条件に基づいてある程度が打ち消される。具体的には、本実施形態では、第２透過膜４１の膜厚が２０ｎｍ程度とされ、第２透過膜４１の屈折率が１．９程度とされており、それにより第２透過膜４１を干渉膜とすることで極小化する反射率の波長を、５５０ｎｍ近傍とすることができる。以上により、遮光部３７による外光の反射をより抑制することができる。
【0060】
上記した第２透過膜４１の上層側には、図８に示すように、配向膜３６が配されている。配向膜３６は、ほぼ透明であり、反射透過膜４０に比べると、光の透過率が高い。配向膜３６の膜厚は、第１透過膜３９の膜厚よりも大きい。配向膜３６の屈折率は、第２透過膜４１の屈折率よりも小さい。配向膜３６は、第２透過膜４１を全域にわたって覆うよう設けられている。従って、液晶パネル１１に対して表側外部から入射する外光は、第２透過膜４１よりも先に配向膜３６に入射する。配向膜３６に入射した光の一部は、配向膜３６の上面にて反射され、残りは、配向膜３６を透過し、第２透過膜４１に入射する。第２透過膜４１に入射した光の一部は、配向膜３６と第２透過膜４１との界面にて反射される。配向膜３６の上面での反射光と、配向膜３６と第２透過膜４１との界面での反射光と、は、配向膜３６の屈折率及び膜厚に応じた干渉条件に基づいてある程度が打ち消される。具体的には、本実施形態では、配向膜３６の膜厚が８５ｎｍ程度とされ、配向膜３６の屈折率が１．７程度とされており、それにより配向膜３６を干渉膜とすることで極小化する反射率の波長を、５５０ｎｍ近傍とすることができる。以上により、遮光部３７による外光の反射を一層抑制することができる。
【0061】
次に、本実施形態に係る液晶パネル１１を用いた実証実験１について説明する。実証実験１では、上記した構成の遮光部３７を備える液晶パネル１１において、遮光部３７に対して上層側から照射される光の波長と、遮光部３７による光の反射率と、の関係をシミュレーションにより試算した。試算結果を図９に示す。図９は、遮光部３７に係る反射スペクトル（分光反射率）を示すグラフである。図９の縦軸が遮光部３７による光の反射率（単位は「％」）であり、横軸が光の波長（単位は「ｎｍ」）である。実証実験１に係る液晶パネル１１においては、下層側から順に、画素電極２８の膜厚が７０ｎｍとされ、第５絶縁膜３５の膜厚が１００ｎｍとされ、共通電極３０の膜厚が７０ｎｍとされ、遮光膜３８の膜厚が６０ｎｍとされ、第１透過膜３９の膜厚が６０ｎｍで屈折率が１．９とされ、反射透過膜４０の膜厚が５ｎｍとされ、第２透過膜４１の膜厚が２０ｎｍで屈折率が１．９とされ、配向膜３６の膜厚が８５ｎｍで屈折率が１．７とされる。また、画素電極２８及び共通電極３０の材料がいずれもＩＴＯであり、遮光膜３８及び反射透過膜４０の材料がいずれもＭｏであり、第５絶縁膜３５、第１透過膜３９及び第２透過膜４１の材料がいずれもＳｉＮｘであり、配向膜３６の材料がポリイミドである。
【0062】
実証実験１の結果について図９を用いて説明する。図９によれば、可視波長域のほぼ全域（少なくとも４００ｎｍ～７００ｎｍの波長範囲）において遮光部３７による光の反射率が５％以下となる結果が得られた。特に、赤色の波長領域である６００ｎｍ～７００ｎｍの波長範囲においては、遮光部３７による光の反射率が２％以下となっている。これにより、反射光が例えば赤色等の特定の色味を帯びる事態が生じ難くなっている、と言える。以上のように、遮光部３７による外光の反射が抑制され、表示品位の向上を図ることができる。
【0063】
以上説明したように本実施形態の液晶パネル（表示装置）１１は、第１カラーフィルタ２９Ｇと、第１カラーフィルタ２９Ｇと同層に配されて第１カラーフィルタ２９Ｇとは異なる色を呈する第２カラーフィルタ２９Ｂと、第１カラーフィルタ２９Ｇよりも上層側に配されて第１カラーフィルタ２９Ｇと重畳して配される第１画素電極２８Ａと、第２カラーフィルタ２９Ｂよりも上層側に配されて第２カラーフィルタ２９Ｂと重畳して配される第２画素電極２８Ｂと、第１画素電極２８Ａ及び第２画素電極２８Ｂよりも上層側または下層側に配されて第１画素電極２８Ａ及び第２画素電極２８Ｂと重畳する共通電極３０と、第１画素電極２８Ａ及び第２画素電極２８Ｂと共通電極３０との間に介在する第５絶縁膜（絶縁膜）３５と、第１カラーフィルタ２９Ｇ及び第２カラーフィルタ２９Ｂよりも上層側にて、第１カラーフィルタ２９Ｇと第２カラーフィルタ２９Ｂとの境界に配される遮光部３７と、を備え、遮光部３７は、遮光膜３８と、遮光膜３８の上層側に配される第１透過膜３９と、第１透過膜３９の上層側に配される反射透過膜４０と、を有し、遮光膜３８は、第１透過膜３９及び反射透過膜４０よりも光の透過率が低く、第１透過膜３９は、反射透過膜４０よりも光の透過率が高く、反射透過膜４０は、第１透過膜３９よりも光の反射率が高く、遮光膜３８よりも光の反射率が低い。
【0064】
第１カラーフィルタ２９Ｇと第２カラーフィルタ２９Ｂとの間を行き交おうとする光は、遮光部３７のうち、第１透過膜３９及び反射透過膜４０よりも光の透過率が低い遮光膜３８によって遮られる。これにより、混色が生じ難くなるので、第１画素電極２８Ａによる表示と、第２画素電極２８Ｂによる表示と、が適切に行われる。
【0065】
遮光部３７に対して上層側から入射する外光は、反射透過膜４０に入射する。反射透過膜４０は、遮光膜３８よりも光の反射率が低いので、反射光の発生が抑制される。外光の一部は、反射透過膜４０を透過し、第１透過膜３９に入射する。第１透過膜３９に入射した光の一部は、反射透過膜４０と第１透過膜３９との界面にて反射され、残りは、反射透過膜４０よりも光の透過率が高い第１透過膜３９を透過し、遮光膜３８に入射する。遮光膜３８に入射した光の一部は、第１透過膜３９と遮光膜３８との界面にて反射される。反射透過膜４０と第１透過膜３９との界面での反射光と、第１透過膜３９と遮光膜３８との界面での反射光と、は、第１透過膜３９の屈折率及び膜厚に応じた干渉条件に基づいてある程度が打ち消される。これにより、遮光部３７による外光の反射が抑制される。
【0066】
第１透過膜３９と遮光膜３８との界面にて反射された光は、第１透過膜３９を透過して反射透過膜４０と第１透過膜３９との界面に達する。反射透過膜４０は、第１透過膜３９よりも光の反射率が高いので、遮光膜３８にて反射された光の一部を遮光膜３８側に向かうよう再反射することができる。これにより、遮光膜３８による反射光の出射が抑制される。以上のように、第１透過膜３９を干渉膜とすることで外光の反射が抑制されるのに加えて、遮光膜３８よりも光の反射率が低い反射透過膜４０によって外光の反射が抑制されるとともに、遮光膜３８による反射光が反射透過膜４０により再反射されることで出射が抑制される。これにより、可視波長域のほぼ全域において遮光部３７による光の反射率を５％以下とすることができ、特に６００ｎｍ～７００ｎｍの波長範囲において遮光部３７による光の反射率を２％以下とすることができるとともに、反射光が特定の色味を帯びる事態が生じ難くなる。以上のように、遮光部３７による外光の反射が抑制され、表示品位の向上を図ることができる。
【0067】
また、反射透過膜４０は、膜厚が３ｎｍ～２０ｎｍの範囲とされる。仮に、反射透過膜４０の膜厚が３ｎｍ未満であると、遮光膜３８による反射光を反射透過膜４０によって十分に再反射できなくなるおそれがあり、また反射透過膜４０の成膜が困難になるおそれがある。仮に、反射透過膜４０の膜厚が２０ｎｍを超えると、反射透過膜４０によって多くの外光を反射してしまい、遮光部３７による外光の反射が十分に抑制されないおそれがある。その点、反射透過膜４０の膜厚が３ｎｍ～２０ｎｍの範囲とされることで、遮光膜３８による反射光を反射透過膜４０によって十分に再反射することができるとともに、反射透過膜４０による外光の反射を十分に抑制することができ、さらには反射透過膜４０を容易に成膜することができる。
【0068】
また、第１透過膜３９は、膜厚が２０ｎｍ～１００ｎｍの範囲とされる。仮に、第１透過膜３９の膜厚が２０ｎｍ未満であったり、１００ｎｍを超えたりすると、第１透過膜３９を干渉膜とすることで極小化する反射率の波長が、比視感度が最も高い波長である５５５ｎｍから離れ過ぎてしまい、遮光部３７による外光の反射が十分に抑制されないおそれがある。その点、第１透過膜３９の膜厚が２０ｎｍ～１００ｎｍの範囲とされることで、第１透過膜３９を干渉膜とすることで極小化する反射率の波長が、比視感度が最も高い波長である５５５ｎｍに十分に近くなる。これにより、遮光部３７による外光の反射を十分に抑制することができる。
【0069】
また、反射透過膜４０は、遮光膜３８と同じ材料からなり、遮光膜３８よりも膜厚が小さい。遮光膜３８と同じ材料からなる反射透過膜４０の膜厚を、遮光膜３８の膜厚よりも小さくすることで、反射透過膜４０における光の透過率を、遮光膜３８における光の透過率よりも高くするとともに、反射透過膜４０における光の反射率を、遮光膜３８における光の反射率よりも低くすることができる。
【0070】
また、遮光部３７は、第１画素電極２８Ａ及び第２画素電極２８Ｂと共通電極３０とのうちの上層側に位置する上層電極である共通電極３０の上層側に配される。このようにすれば、仮に遮光部３７が上層電極である共通電極３０の下層側に配される場合に比べると、第１カラーフィルタ２９Ｇと第２カラーフィルタ２９Ｂとの間を行き交おうとする光を、遮光部３７に含まれる遮光膜３８によってより多く遮ることができる。これにより、混色がより生じ難くなるので、第１画素電極２８Ａによる表示と、第２画素電極２８Ｂによる表示と、がより適切に行われる。
【0071】
また、遮光部３７は、反射透過膜４０の上層側に配される第２透過膜４１を有しており、第２透過膜４１は、遮光部３７の形成範囲外に延在し、遮光部３７の形成範囲外において上層電極である共通電極３０を覆う。遮光部３７の形成範囲外に延在する第２透過膜４１によって上層電極である共通電極３０を保護することができる。
【0072】
また、第１カラーフィルタ２９Ｇ、第２カラーフィルタ２９Ｂ、第１画素電極２８Ａ、第２画素電極２８Ｂ、共通電極３０、第５絶縁膜３５及び遮光部３７が設けられるアレイ基板（第１基板）２１と、アレイ基板２１と対向して配される対向基板（第２基板）２０と、を備える。アレイ基板２１と対向基板２０とを対向させた状態で貼り合わせる際には、両基板２０，２１の間に位置ずれが生じる可能性がある。両基板２０，２１間に位置ずれが生じた場合であっても、第１カラーフィルタ２９Ｇと第１画素電極２８Ａとが位置ずれしたり、第２カラーフィルタ２９Ｂと第２画素電極２８Ｂとが位置ずれしたり、第１カラーフィルタ２９Ｇ及び第２カラーフィルタ２９Ｂと遮光部３７とが位置ずれしたりする事態が避けられる。特に、高精細化が進行した場合に好適となる。
【0073】
また、アレイ基板２１と対向基板２０との間に介在する液晶層２２と、アレイ基板２１に設けられて液晶層２２に臨む上面を有する配向膜３６と、を備えており、遮光部３７は、反射透過膜４０よりも上層側に配される第２透過膜４１を有しており、第２透過膜４１は、遮光部３７の形成範囲外に延在し、少なくとも遮光部３７の形成範囲外において第１画素電極２８Ａ及び第２画素電極２８Ｂと共通電極３０とのうちの上層側に位置する上層電極である共通電極３０を覆っており、配向膜３６は、第２透過膜４１の上層側に配される。対向基板２０及び液晶層２２を透過した外光は、配向膜３６に入射する。配向膜３６に入射した外光の一部は、配向膜３６の上面にて反射され、残りは配向膜３６を透過し、第２透過膜４１に入射する。第２透過膜４１に入射した光の一部は、配向膜３６と第２透過膜４１との界面にて反射される。配向膜３６の上面での反射光と、配向膜３６と第２透過膜４１との界面での反射光と、は、配向膜３６の屈折率及び膜厚に応じた干渉条件に基づいてある程度が打ち消される。このように、配向膜３６を干渉膜とすることで外光の反射が一層抑制される。
【0074】
＜実施形態２＞
実施形態２を図１０または図１１によって説明する。この実施形態２では、遮光部１３７の構成を変更した場合を示す。なお、上記した実施形態１と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。
実施形態２を図１０または図１１によって説明する。この実施形態２では、遮光部１３７の構成を変更した場合を示す。なお、上記した実施形態１と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。
【0075】
本実施形態に係る遮光部１３７は、図１０に示すように、共通電極１３０の下層側で第５絶縁膜１３５の上層側に配されている。なお、実施形態１にて説明した通り、共通電極１３０は、画素電極１２８と共通電極１３０とのうちの上層側に位置する上層電極である。遮光部１３７のうち、遮光膜１３８は、第５絶縁膜１３５の上層側に配される。第１透過膜１３９は、遮光膜１３８の上層側に配される。反射透過膜１４０は、第１透過膜１３９の上層側に配される。第２透過膜１４１は、共通電極１３０の上層側に配される。つまり、共通電極１３０は、反射透過膜１４０の上層側で第２透過膜１４１の下層側に配される。詳しくは、共通電極１３０のうち、遮光部１３７と重畳する部分は、反射透過膜１４０の上層側に位置するものの、遮光部１３７とは非重畳となる部分は、第５絶縁膜１３５の上層側に位置する。つまり、共通電極１３０のうち、遮光部１３７と重畳する部分と、遮光部１３７とは非重畳となる部分と、の間には、遮光部１３７を構成する遮光膜１３８、第１透過膜１３９及び反射透過膜１４０の膜厚の合計分（遮光部１３７の膜厚分）の段差Ｇ１が生じている。このような構成の共通電極１３０は、遮光部１３７の形成範囲の内外にわたって上層側に配される第２透過膜１４１によって覆われている。これにより、共通電極１３０を遮光部１３７の形成範囲の内外にわたって保護することができる。共通電極１３０の材料は、例えばＩＴＯとされる。共通電極１３０は、膜厚が例えば７０ｎｍ程度とされ、屈折率が例えば２．１程度とされる。共通電極１３０は、ほぼ透明であり、反射透過膜１４０に比べると、光の透過率が高い。共通電極１３０の膜厚が第１透過膜１３９の膜厚よりも大きく、共通電極１３０の屈折率が第１透過膜１３９、第２透過膜１４１及び配向膜１３６の各屈折率のいずれよりも大きい。
【0076】
このように、反射透過膜１４０の上層側に位置する共通電極１３０は、アレイ基板１２１の製造に際しては、次のように形成される。すなわち、実施形態１と同様に、連続して成膜された第３金属膜、第１透明膜及び第４金属膜を一括してパターニングし、遮光膜１３８、第１透過膜１３９及び反射透過膜１４０を設けたら、第３透明電極膜を成膜する。続いて、フォトレジスト膜を成膜・露光・現像し、パターニングされたフォトレジスト膜を介して第３透明電極膜をエッチング（例えばウェットエッチング）することで、共通電極１３０をパターニングすることができる。
【0077】
このような構成の遮光部１３７においては、液晶パネル１１に対して表側外部から入射する外光は、第２透過膜１４１を透過すると、反射透過膜１４０よりも先に共通電極１３０に入射する。共通電極１３０に入射した光の一部は、第２透過膜１４１と共通電極１３０との界面にて反射され、残りは、共通電極１３０を透過し、反射透過膜１４０に入射する。反射透過膜１４０に入射した光の一部は、共通電極１３０と反射透過膜１４０との界面にて反射される。第２透過膜１４１と共通電極１３０との界面での反射光と、共通電極１３０と反射透過膜１４０との界面での反射光と、は、共通電極１３０の屈折率及び膜厚に応じた干渉条件に基づいてある程度が打ち消される。具体的には、本実施形態では、共通電極１３０の膜厚が７０ｎｍ程度とされ、共通電極１３０の屈折率が２．１程度とされており、それにより共通電極１３０を干渉膜とすることで極小化する反射率の波長を、５５０ｎｍ近傍とすることができる。以上により、遮光部１３７による外光の反射を、実施形態１よりも一層抑制することができる。また、遮光膜１３８が共通電極１３０に対して積層されることが避けられるので、遮光膜１３８の材料として共通電極１３０（透明電極膜）に対する密着性が低い材料を使用することが可能となり、材料選択の自由度が向上する。これにより、遮光膜１３８の遮光性能向上や遮光膜１３８の薄膜化等を図ることが可能となる。
【0078】
次に、本実施形態に係る液晶パネル１１を用いた実証実験２について説明する。実証実験２では、上記した構成の遮光部１３７を備える液晶パネル１１において、遮光部１３７に対して上層側から照射される光の波長と、遮光部１３７による光の反射率と、の関係をシミュレーションにより試算した。試算結果を図１１に示す。図１１は、遮光部１３７に係る反射スペクトル（分光反射率）を示すグラフである。図１１の縦軸が遮光部１３７による光の反射率（単位は「％」）であり、横軸が光の波長（単位は「ｎｍ」）である。実証実験２に係る液晶パネル１１においては、下層側から順に、画素電極１２８の膜厚が７０ｎｍとされ、第５絶縁膜１３５の膜厚が１００ｎｍとされ、遮光膜１３８の膜厚が６０ｎｍとされ、第１透過膜１３９の膜厚が６０ｎｍで屈折率が１．９とされ、反射透過膜１４０の膜厚が５ｎｍとされ、共通電極１３０の膜厚が７０ｎｍで屈折率が２．１とされ、第２透過膜１４１の膜厚が２０ｎｍで屈折率が１．９とされ、配向膜１３６の膜厚が８５ｎｍで屈折率が１．７とされる。また、画素電極１２８及び共通電極１３０の材料がいずれもＩＴＯであり、遮光膜１３８及び反射透過膜１４０の材料がいずれもＭｏであり、第５絶縁膜１３５、第１透過膜１３９及び第２透過膜１４１の材料がいずれもＳｉＮｘであり、配向膜１３６の材料がポリイミドである。
【0079】
実証実験２の結果について図１１を用いて説明する。図１１によれば、可視波長域のほぼ全域（少なくとも４００ｎｍ～７００ｎｍの波長範囲）において遮光部１３７による光の反射率が３％以下となる結果が得られた。実施形態１と同様に、６００ｎｍ～７００ｎｍの波長範囲において遮光部１３７による光の反射率が２％以下となっている。特に、４５０ｎｍ～６５０ｎｍの波長範囲においては、遮光部１３７による光の反射率が１％以下となっており、さらには５５０ｎｍでの遮光部１３７による光の反射率が０．１％未満となっている。これにより、反射光が例えば赤色等の特定の色味を帯びる事態が生じ難くなっている、と言える。以上のように、実証実験１の結果と比べて、遮光部１３７による外光の反射が一層抑制され、表示品位のさらなる向上を図ることができる。
【0080】
以上説明したように本実施形態によれば、遮光部１３７は、第１画素電極１２８Ａ及び第２画素電極１２８Ｂと共通電極１３０とのうちの上層側に位置する上層電極である共通電極１３０の下層側で第５絶縁膜１３５の上層側に配される。外光は、遮光部１３７よりも先に上層電極である共通電極１３０に入射する。上層電極である共通電極１３０に入射した外光の一部は、上層電極である共通電極１３０の上面にて反射され、残りは上層電極である共通電極１３０を透過し、遮光部１３７の反射透過膜１４０に入射する。反射透過膜１４０に入射した光の一部は、上層電極である共通電極１３０と反射透過膜１４０との界面にて反射される。上層電極である共通電極１３０の上面での反射光と、上層電極である共通電極１３０と反射透過膜１４０との界面での反射光と、は、上層電極である共通電極１３０の屈折率及び膜厚に応じた干渉条件に基づいてある程度が打ち消される。このように、上層電極である共通電極１３０を干渉膜とすることで外光の反射が一層抑制される。特に、可視波長域のほぼ全域において遮光部１３７による光の反射率を３％以下とすることができるので、反射光量を一層抑制することができる。また、遮光膜１３８の材料として上層電極である共通電極１３０に対する密着性が低い材料を使用することが可能となり、材料選択の自由度が向上する。
【0081】
また、遮光部１３７は、反射透過膜１４０よりも上層側に配される第２透過膜１４１を有しており、第２透過膜１４１は、遮光部１３７の形成範囲外に延在し、遮光部１３７の形成範囲の内外にわたって上層電極である共通電極１３０を覆う。第２透過膜１４１によって遮光部１３７の形成範囲の内外にわたって上層電極である共通電極１３０を保護することができる。
【0082】
＜実施形態３＞
実施形態３を図１２によって説明する。この実施形態３では、上記した実施形態２から遮光部２３７の構成を変更した場合を示す。なお、上記した実施形態２と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。
実施形態３を図１２によって説明する。この実施形態３では、上記した実施形態２から遮光部２３７の構成を変更した場合を示す。なお、上記した実施形態２と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。
【0083】
本実施形態に係る遮光部２３７を構成する第１透過膜２３９は、図１２に示すように、遮光部２３７の形成範囲外に延在し、遮光部２３７の形成範囲外において第５絶縁膜２３５に接して配されている。従って、第１透過膜２３９のうち、反射透過膜２４０と重畳する部分は、遮光部２３７を構成するものの、反射透過膜２４０とは非重畳となる部分は、遮光部２３７を構成しない。詳しくは、第１透過膜２３９は、第２透過膜２４１と同様に、アレイ基板２２１の主面内において少なくとも表示領域ＡＡの全域にわたってベタ状に設けられている。第１透過膜２３９のうち、遮光部２３７の形成範囲外に延在する部分は、第５絶縁膜２３５のうちの遮光部２３７とは非重畳となる部分の上面に接している。
【0084】
反射透過膜２４０の上層側に配される共通電極２３０のうち、遮光部２３７とは非重畳となる部分は、第１透過膜２３９の上面に接している。従って、共通電極２３０のうち、遮光部２３７と重畳する部分と、遮光部２３７とは非重畳となる部分と、の間には、遮光部２３７を構成する遮光膜２３８及び反射透過膜２４０の膜厚の合計分の段差Ｇ２が生じている。上記した実施形態２に比べると、共通電極２３０のうち、遮光部２３７とは非重畳となる部分は、第１透過膜２３９の膜厚分だけ嵩上げされている。従って、共通電極２３０のうち、遮光部２３７と重畳する部分と、遮光部２３７とは非重畳となる部分と、の間に生じる段差Ｇ２は、上記した実施形態２にて説明した段差Ｇ１（図１０を参照）に比べると、第１透過膜２３９の膜厚分小さくなっている。これにより、反射透過膜２４０の上層側にて遮光部２３７の形成範囲の内外にわたって設けられる共通電極２３０等に膜切れ等の不具合が生じ難くなる。
【0085】
第１透過膜２３９は、第５絶縁膜２３５と同じ材料からなる。具体的には、第１透過膜２３９及び第５絶縁膜２３５の材料は、いずれもＳｉＮｘであり、その屈折率はいずれも１．９程度で同一となる。このようにすれば、遮光部２３７の形成範囲外において、互いに接する第１透過膜２３９と第５絶縁膜２３５との界面で光の屈折が生じることが避けられる。これにより、表示品位が良好に保たれる。
【0086】
遮光膜２３８及び反射透過膜２４０は、互いに重畳して配される。これら遮光膜２３８及び反射透過膜２４０の間には、第１透過膜２３９が介在している。このため、遮光膜２３８及び反射透過膜２４０は、アレイ基板２２１の製造に際しては、次のように形成される。すなわち、第３金属膜を成膜したら、続いてフォトレジスト膜を成膜・露光・現像し、パターニングされたフォトレジスト膜を介して第３金属膜をエッチング（例えばドライエッチング）することで、遮光膜２３８をパターニングすることができる。次に、第１透明膜を成膜する。ベタ状の第１透明膜によって第１透過膜２３９が構成される。その後、第４金属膜を成膜したら、続いてフォトレジスト膜を成膜・露光・現像する。ここで、第４金属膜上のフォトレジスト膜を露光する際に用いるフォトマスクは、第３金属膜上のフォトレジスト膜を露光する際に用いるフォトマスクと同一のパターンを有する。つまり、遮光膜２３８及び反射透過膜２４０をそれぞれパターニングするにあたり、共通の製造装置が用いられる。パターニングされたフォトレジスト膜を介して第４金属膜をエッチング（例えばドライエッチング）することで、反射透過膜２４０をパターニングすることができる。
【0087】
以上説明したように本実施形態によれば、第１透過膜２３９は、遮光部２３７の形成範囲外に延在し、遮光部２３７の形成範囲外において第５絶縁膜２３５に接して配される。仮に第１透過膜２３９が遮光部２３７の形成範囲に限って設けられる場合には、遮光部２３７の形成範囲内における反射透過膜２４０の上面と、遮光部２３７の形成範囲外における第５絶縁膜２３５の上面と、の間の段差が、遮光部２３７の厚さとなる。これに対し、第１透過膜２３９が遮光部２３７の形成範囲外に延在する構成とされることで、上層電極である共通電極２３０のうち、遮光部２３７と重畳する部分と、遮光部２３７とは非重畳となる部分と、の間に生じる段差Ｇ２が、遮光部２３７の厚さよりも第１透過膜２３９の膜厚分小さくなる。これにより、反射透過膜２４０の上層側に配される上層電極である共通電極２３０等に膜切れ等の不具合が生じ難くなる。
【0088】
また、第１透過膜２３９は、第５絶縁膜２３５と同じ屈折率の材料からなる。このようにすれば、遮光部２３７の形成範囲外において、第１透過膜２３９と第５絶縁膜２３５との界面で光の屈折が生じることが避けられる。これにより、表示品位が良好に保たれる。
【0089】
また、遮光膜２３８及び反射透過膜２４０は、互いに重畳して配される。製造に際して、例えばフォトリソグラフィ法により遮光膜２３８及び反射透過膜２４０をそれぞれパターニングする場合には、共通の製造装置を用いることが可能となる。
【0090】
＜他の実施形態＞
本明細書が開示する技術は、上記記述及び図面によって説明した実施形態に限定されず、例えば次のような実施形態も技術的範囲に含まれる。
本明細書が開示する技術は、上記記述及び図面によって説明した実施形態に限定されず、例えば次のような実施形態も技術的範囲に含まれる。
【0091】
（１）遮光膜３８，１３８，２３８及び反射透過膜４０，１４０，２４０は、異なる材料により構成されてもよい。
【0092】
（２）第１透過膜３９，１３９，２３９及び第２透過膜４１，１４１，２４１は、異なる材料により構成されてもよい。この場合、第１透過膜３９，１３９，２３９及び第２透過膜４１，１４１，２４１の屈折率が異なっていてもよいが、同じであってもよい。
【0093】
（３）第１透過膜３９，１３９，２３９及び第５絶縁膜３５，１３５，２３５は、異なる材料により構成されてもよい。この場合でも、実施形態３においては、第１透過膜２３９及び第５絶縁膜２３５の屈折率を同じにするのが好ましいが、必ずしもその限りではない。なお、実施形態１，２においては第１透過膜３９，１３９及び第５絶縁膜３５，１３５の屈折率が異なっていてもよいが、同じであってもよい。
【0094】
（４）遮光膜３８，１３８，２３８及び第１透過膜３９，１３９，２３９は、膜厚が異なっていてもよい。
【0095】
（５）第１透過膜３９，１３９，２３９及び第２透過膜４１，１４１，２４１は、膜厚が同一であってもよい。また、第２透過膜４１，１４１，２４１の膜厚が、第１透過膜３９，１３９，２３９の膜厚よりも大きくてもよい。
【0096】
（６）第１透過膜３９，１３９，２３９及び配向膜３６，１３６は、膜厚が同一であってもよい。また、第１透過膜３９，１３９，２３９の膜厚が、配向膜３６，１３６の膜厚よりも大きくてもよい。
【0097】
（７）第２透過膜４１，１４１，２４１及び配向膜３６，１３６は、膜厚が同一であってもよい。また、第２透過膜４１，１４１，２４１の膜厚が、配向膜３６，１３６の膜厚よりも大きくてもよい。
【0098】
（８）第１透過膜３９，１３９，２３９及び第５絶縁膜３５，１３５，２３５は、膜厚が同一であってもよい。また、第１透過膜３９，１３９，２３９の膜厚が、第５絶縁膜３５，１３５，２３５の膜厚よりも大きくてもよい。
【0099】
（９）配向膜３６，１３６の屈折率が第２透過膜４１，１４１，２４１の屈折率よりも大きくてもよい。
【0100】
（１０）実施形態２，３に記載の構成において、共通電極（第３透明電極膜）１３０，２３０及び第２透過膜１４１，２４１の膜厚が同一であってもよい。また、第２透過膜１４１，２４１の膜厚が共通電極１３０，２３０の膜厚よりも大きくてもよい。
【0101】
（１１）実施形態２，３に記載の構成において、共通電極（第３透明電極膜）１３０，２３０の屈折率が第２透過膜１４１，２４１の屈折率よりも小さくてもよい。
【0102】
（１２）実施形態２，３に記載の構成において、共通電極（第３透明電極膜）１３０，２３０の屈折率が第１透過膜１３９，２３９の屈折率と同じであってもよいが、異なっていてもよい。
【0103】
（１３）遮光膜３８，１３８，２３８、第１透過膜３９，１３９，２３９、反射透過膜４０，１４０，２４０、第２透過膜４１，１４１，２４１、画素電極２８，１２８、共通電極３０，１３０，２３０、第５絶縁膜３５，１３５，２３５及び配向膜３６，１３６等に用いる具体的な材料は、上記以外にも適宜に変更可能である。
【0104】
（１４）遮光膜３８，１３８，２３８、第１透過膜３９，１３９，２３９、反射透過膜４０，１４０，２４０、第２透過膜４１，１４１，２４１、画素電極２８，１２８、共通電極３０，１３０，２３０、第５絶縁膜３５，１３５，２３５及び配向膜３６，１３６等の膜厚や屈折率の具体的な数値は、上記以外にも適宜に変更可能である。
【0105】
（１５）第２透過膜４１，１４１，２４１は、遮光部３７，１３７，２３７の形成範囲に限って設けられてもよい。
【0106】
（１６）第２透過膜４１，１４１，２４１を省略することも可能である。
【0107】
（１７）遮光部３７，１３７，２３７は、Ｙ軸方向に沿って延在する第２遮光部３７Ｂのみにより構成されてもよい。また、遮光部３７，１３７，２３７は、Ｘ軸方向に沿って延在する第１遮光部３７Ａのみにより構成されてもよい。
【0108】
（１８）ＴＦＴ２７に備わるドレイン電極２７Ｃは、ソース電極２７Ｂと同じ第２金属膜により構成されてもよい。この場合、第１透明電極膜及び第３絶縁膜３３を省略することが可能である。
【0109】
（１９）ＴＦＴ２７の構成は、図面にて示したトップゲート型以外にも、ボトムゲート型、ダブルゲート型等でもよい。
【0110】
（２０）アレイ基板２１，１２１，２２１におけるカラーフィルタ２９のＸ軸方向についての並び順や平面配列は、図示以外にも適宜に変更可能である。カラーフィルタ２９の平面配列の変形例としては、例えば、異なる色を呈するカラーフィルタ２９がＹ軸方向に並んで配列されたり、異なる色を呈するカラーフィルタ２９がＸ軸方向及びＹ軸方向にそれぞれ並んで配列されたりしてもよい。
【0111】
（２１）カラーフィルタ２９の色数は、４色以上でもよい。追加するカラーフィルタ２９は、黄色の波長領域（約５７０ｎｍ～約６００ｎｍ）に含まれる黄色光を出射可能な黄色カラーフィルタや全波長領域の光を出射可能な透明カラーフィルタ等であってもよい。
【0112】
（２２）画素電極２８，１２８と共通電極３０，１３０，２３０とのうちの上層側に位置する電極である「上層電極」が画素電極２８，１２８となり、下層側に位置する電極である「下層電極」が共通電極３０，１３０，２３０となっていてもよい。この場合、「上層電極」である画素電極２８，１２８の上層側または下層側に遮光部３７，１３７，２３７が配される。
【0113】
（２３）半導体膜は、シリコン薄膜（多結晶シリコン薄膜）やアモルファスシリコン薄膜でもよい。
【0114】
（２４）第２の半導体膜を省略することも可能である。
【0115】
（２５）配向膜３６，１３６は、ラビングにより配向処理がなされてもよい。
【0116】
（２６）第２回路部１４Ｂに代えてソースドライバをアレイ基板２１，１２１，２２１にＣＯＧ（Chip On Glass）実装してもよい。
【0117】
（２７）第１回路部１４Ａ及び第２回路部１４Ｂの少なくとも一方は、一部または全てが表示領域ＡＡに配されてもよい。
【0118】
（２８）回路部１４を省略することも可能である。
【0119】
（２９）基板２０ＧＳ，２１ＧＳの材料は、ガラス以外にも合成樹脂等であってもよい。
【0120】
（３０）液晶パネル１１の画素密度の具体的な数値は、適宜に変更可能である。
【0121】
（３１）液晶パネル１１の表示モードは、ＩＰＳモード等でもよい。
【0122】
（３２）液晶パネル１１の平面形状は、横長の長方形、縦長の長方形、正方形、円形、半円形、長円形、楕円形、台形などでもよい。
【0123】
（３３）液晶パネル１１以外にも、自発光式の表示装置である有機ＥＬ表示装置でもよい。
【0124】
（３４）ヘッドマウントディスプレイ１０ＨＭＤ以外にも、液晶パネル１１に表示された画像を、レンズなどを用いて拡大表示する機器として、例えばヘッドアップディスプレイやプロジェクターなどにも適用可能である。また、拡大表示機能を持たない表示装置（テレビ受信装置、タブレット型端末、スマートフォンなど）にも適用可能である。
【符号の説明】
【0125】
１１…液晶パネル（表示装置）、２０…対向基板（第２基板）、２１，１２１，２２１…アレイ基板（第１基板）、２２…液晶層、２８Ａ，１２８Ａ…第１画素電極、２８Ｂ，１２８Ｂ…第２画素電極、２９Ｂ…第２カラーフィルタ、２９Ｇ…第１カラーフィルタ、３０，１３０，２３０…共通電極（上層電極）、３５，１３５，２３５…第５絶縁膜（絶縁膜）、３６，１３６…配向膜、３７，１３７，２３７…遮光部、３８，１３８，２３８…遮光膜、３９，１３９，２３９…第１透過膜、４０，１４０，２４０…反射透過膜、４１，１４１，２４１…第２透過膜
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】