特開 2024-124088 表示装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024124088

(43)【公開日】2024-09-12

(54)【発明の名称】表示装置

(51)【国際特許分類】

   H10K 50/84 20230101AFI20240905BHJP

   H10K 50/844 20230101ALI20240905BHJP

   H10K 59/129 20230101ALI20240905BHJP

   H10K 59/40 20230101ALI20240905BHJP

   H10K 59/131 20230101ALI20240905BHJP

   H10K 59/122 20230101ALI20240905BHJP

   H10K 50/824 20230101ALI20240905BHJP

   G09F 9/30 20060101ALI20240905BHJP

   G09F 9/00 20060101ALI20240905BHJP

【ＦＩ】

H10K50/84

H10K50/844

H10K59/129

H10K59/40

H10K59/131

H10K59/122

H10K50/824

G09F9/30 309

G09F9/30 349Z

G09F9/00 366A

G09F9/30 365

【審査請求】未請求

【請求項の数】11

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023032017

(22)【出願日】2023-03-02

(71)【出願人】

【識別番号】502356528

【氏名又は名称】株式会社ジャパンディスプレイ

(74)【代理人】

【識別番号】110001737

【氏名又は名称】弁理士法人スズエ国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】田畠 弘志

(72)【発明者】

【氏名】高橋 英幸

【テーマコード（参考）】

3K107

5C094

5G435

【Ｆターム（参考）】

3K107AA01

3K107BB01

3K107BB08

3K107CC23

3K107DD37

3K107DD38

3K107DD39

3K107DD58

3K107DD89

3K107DD90

3K107DD92

3K107DD93

3K107EE48

3K107EE49

3K107EE50

3K107EE57

3K107EE66

3K107HH05

5C094AA38

5C094BA03

5C094BA27

5C094CA19

5C094DA07

5C094DA13

5C094DB02

5C094FA01

5C094FA02

5C094FB01

5C094FB15

5G435AA13

5G435BB05

5G435CC09

5G435EE49

5G435HH14

(57)【要約】

【課題】水分に対する耐性を高めた表示装置を提供すること。
【解決手段】一実施形態に係る表示装置は、基板と、絶縁層と、下電極と、リブと、隔壁と、上電極と、有機層と、ダム構造と、導電層と、を備える。下電極は、画素を含む表示領域において絶縁層の上方に配置される。上電極は、下電極に対向し、隔壁に接続される。有機層は、下電極と上電極の間に配置され、下電極と上電極の電位差に応じて発光する。ダム構造は、基板の端部と表示領域の間の周辺領域に配置された少なくとも１つの凸部を含む。導電層は、周辺領域に配置され、隔壁に接続される。上電極および有機層は、周辺領域にも配置される。上電極および有機層の端部は、平面視においてダム構造と表示領域の間に位置する。導電層の端部は、平面視において、上電極および有機層の端部と、表示領域の間に位置し、上電極および有機層によって覆われている。
【選択図】 図７

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板と、
前記基板の上方に配置された絶縁層と、
画素を含む表示領域において前記絶縁層の上方に配置された下電極と、
前記下電極と重なる開口を有するリブと、
前記表示領域において前記リブの上方に配置された隔壁と、
前記下電極に対向し、前記隔壁に接続された上電極と、
前記下電極と前記上電極の間に配置され、前記下電極と前記上電極の電位差に応じて発光する有機層と、
前記基板の端部と前記表示領域の間の周辺領域に配置された少なくとも１つの凸部を含むダム構造と、
前記周辺領域に配置され、前記隔壁に接続された導電層と、
を備え、
前記上電極および前記有機層は、前記周辺領域にも配置され、
前記上電極および前記有機層の端部は、平面視において前記ダム構造と前記表示領域の間に位置し、
前記導電層の端部は、平面視において、前記上電極および前記有機層の端部と、前記表示領域の間に位置し、前記上電極および前記有機層によって覆われている、
表示装置。

【請求項2】

前記ダム構造は、前記表示領域を囲う第１凸部と、前記第１凸部を囲う第２凸部と、を含み、
前記上電極、前記有機層および前記導電層の端部はそれぞれ、平面視において前記第１凸部と前記表示領域の間に位置している、
請求項１に記載の表示装置。

【請求項3】

前記上電極および前記有機層を覆う第１封止層をさらに備え、
前記第１封止層の端部は、平面視において前記第１凸部と前記導電層の端部の間に位置している、
請求項２に記載の表示装置。

【請求項4】

前記上電極、前記有機層および前記第１封止層を覆うとともに、前記ダム構造の少なくとも一部を覆う第１樹脂層と、
前記第１樹脂層を覆うとともに、前記ダム構造のうち前記第１樹脂層の外側に位置する部分を覆う第２封止層と、
前記第２封止層を覆う第２樹脂層と、をさらに備える、
請求項３に記載の表示装置。

【請求項5】

前記表示領域に配置され、前記下電極に電圧を供給する画素回路と、
前記周辺領域に配置され、前記画素回路に信号を供給する駆動回路と、をさらに備え、
前記導電層の端部は、平面視において、前記ダム構造と前記駆動回路の間に位置している、
請求項１に記載の表示装置。

【請求項6】

前記周辺領域に配置された第１給電線と、
前記周辺領域に位置する第１コンタクト部において前記第１給電線に接続され、かつ、前記周辺領域に位置する第２コンタクト部において前記導電層に接続された中継配線と、をさらに備え、
前記リブは、前記周辺領域において前記第１凸部の側面に接触し、前記中継配線を覆っている、
請求項２に記載の表示装置。

【請求項7】

前記上電極および前記有機層の端部は、平面視において前記リブの端部と前記導電層の端部の間に位置している、
請求項６に記載の表示装置。

【請求項8】

前記ダム構造は、前記絶縁層と同じ材料で形成されている、
請求項１に記載の表示装置。

【請求項9】

前記第２封止層、前記第２樹脂層および前記基板の端部は、平面視において重なる、
請求項４に記載の表示装置。

【請求項10】

前記表示領域に配置されたタッチパネル電極と、
前記周辺領域において前記第２封止層の上に配置され、前記タッチパネル電極に接続された配線と、
前記周辺領域に配置された第２給電線と、をさらに備え、
前記配線は、前記周辺領域に位置する第３コンタクト部において、前記第２給電線に接続され、かつ、前記第２樹脂層によって覆われている、
請求項４に記載の表示装置。

【請求項11】

前記第３コンタクト部は、平面視において、前記ダム構造のうちの少なくとも一部と重なる、
請求項１０に記載の表示装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明の実施形態は、表示装置に関する。

【背景技術】

【0002】

近年、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を適用した表示装置が実用化されている。この表示素子は、下電極と、下電極を覆う有機層と、有機層を覆う上電極とを備えている。

【0003】

一般に、有機層は水分への耐性が低い。何らかの原因で有機層に水分が到達すると、発光時における表示素子の輝度低下など、表示品位の低下を招く一因となり得る。また、表示領域の周囲の周辺領域に配置された駆動回路に水分が侵入すると、駆動回路を構成する要素が劣化し、表示装置の動作に不具合が生じ得る。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２０００－１９５６７７号公報

【特許文献2】特開２００４－２０７２１７号公報

【特許文献3】特開２００８－１３５３２５号公報

【特許文献4】特開２００９－３２６７３号公報

【特許文献5】特開２０１０－１１８１９１号公報

【特許文献6】国際公開第２０１８／１７９３０８号

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

本発明の目的は、水分に対する耐性を高めた表示装置を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0006】

一実施形態に係る表示装置は、基板と、絶縁層と、下電極と、リブと、隔壁と、上電極と、有機層と、ダム構造と、導電層と、を備える。前記絶縁層は、前記基板の上方に配置される。前記下電極は、画素を含む表示領域において前記絶縁層の上方に配置される。前記リブは、前記下電極と重なる開口を有する。前記隔壁は、前記表示領域において前記リブの上方に配置される。前記上電極は、前記下電極に対向し、前記隔壁に接続される。前記有機層は、前記下電極と前記上電極の間に配置され、前記下電極と前記上電極の電位差に応じて発光する。前記ダム構造は、前記基板の端部と前記表示領域の間の周辺領域に配置された少なくとも１つの凸部を含む。前記導電層は、前記周辺領域に配置され、前記隔壁に接続される。前記上電極および前記有機層は、前記周辺領域にも配置される。前記上電極および前記有機層の端部は、平面視において前記ダム構造と前記表示領域の間に位置する。前記導電層の端部は、平面視において、前記上電極および前記有機層の端部と、前記表示領域の間に位置し、前記上電極および前記有機層によって覆われている。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】図１は、一実施形態に係る表示装置の構成例を示す図である。

【図2】図２は、副画素のレイアウトの一例を示す図である。

【図3】図３は、図２中のＩＩＩ－ＩＩＩ線に沿う表示装置の概略的な断面図である。

【図4】図４は、表示装置が備えるいくつかの要素の概略的な平面図である。

【図5】図５は、表示装置が備える他の要素の概略的な平面図である。

【図6】図６は、図４において鎖線枠で囲った領域の拡大図である。

【図7】図７は、図６におけるＶＩＩ－ＶＩＩ線に沿う表示装置の概略的な断面図である。

【図8】図８は、比較例に係る表示装置の概略的な断面図である。

【図9】図９は、同実施形態の変形例に係る表示装置の概略的な断面図である。

【図10】図１０は、同実施形態の変形例に係る表示装置の概略的な断面図である。

【図11】図１１は、同実施形態の変形例に係る表示装置の概略的な断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0008】

以下、図面を参照して実施形態を説明する。
なお、開示はあくまで一例にすぎず、以下の実施形態に記載した内容により発明が限定されるものではない。当業者が容易に想到し得る変形は、当然に開示の範囲に含まれる。説明をより明確にするため、図面において、各部分のサイズ、形状等を実際の実施態様に対して変更して模式的に表す場合もある。複数の図面において、対応する要素には同じ参照数字を付して、詳細な説明を省略する場合もある。

【0009】

図面には、必要に応じて理解を容易にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を記載する。Ｘ軸に沿った方向を第１方向と称し、Ｙ軸に沿った方向を第２方向と称し、Ｚ軸に沿った方向を第３方向と称する。第３方向Ｚと平行に各種要素を見ることを平面視という。

【0010】

本実施形態に係る表示装置は、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を備える有機エレクトロルミネッセンス表示装置であり、テレビ、パーソナルコンピュータ、車載機器、タブレット端末、スマートフォン、携帯電話端末等に搭載され得る。

【0011】

図１は、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰの構成例を示す図である。表示装置ＤＳＰは、絶縁性の基板１０の上に、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡの周辺の周辺領域ＳＡとを有している。基板１０は、ガラスであってもよいし、可撓性を有する樹脂フィルムであってもよい。

【0012】

本実施形態においては、平面視における基板１０の形状が長方形である。但し、基板１０の平面視における形状は長方形に限らず、正方形、円形あるいは楕円形などの他の形状であってもよい。

【0013】

表示領域ＤＡは、第１方向Ｘおよび第２方向Ｙにマトリクス状に配列された複数の画素ＰＸを備えている。画素ＰＸは、複数の副画素ＳＰを含む。一例では、画素ＰＸは、赤色の副画素ＳＰ１、緑色の副画素ＳＰ２および青色の副画素ＳＰ３を含む。なお、画素ＰＸは、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３とともに、あるいは副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のいずれかに代えて、白色などの他の色の副画素ＳＰを含んでもよい。

【0014】

副画素ＳＰは、画素回路１と、画素回路１によって駆動される表示素子２０とを備えている。画素回路１は、画素スイッチ２と、駆動トランジスタ３と、キャパシタ４とを備えている。画素スイッチ２および駆動トランジスタ３は、例えば薄膜トランジスタにより構成されたスイッチング素子である。

【0015】

画素スイッチ２のゲート電極は、走査線ＧＬに接続されている。画素スイッチ２のソース電極およびドレイン電極の一方は信号線ＳＬに接続され、他方は駆動トランジスタ３のゲート電極およびキャパシタ４に接続されている。駆動トランジスタ３において、ソース電極およびドレイン電極の一方は電源線ＰＬおよびキャパシタ４に接続され、他方は表示素子２０に接続されている。

【0016】

表示素子２０は、発光素子としての有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）である。例えば、副画素ＳＰ１は赤色の波長域の光を放つ表示素子２０を備え、副画素ＳＰ２は緑色の波長域の光を放つ表示素子２０を備え、副画素ＳＰ３は青色の波長域の光を放つ表示素子２０を備えている。

【0017】

なお、画素回路１の構成は図示した例に限らない。例えば、画素回路１は、より多くの薄膜トランジスタおよびキャパシタを備えてもよい。

【0018】

図２は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトの一例を示す図である。図２の例においては、副画素ＳＰ１と副画素ＳＰ２が第２方向Ｙに並んでいる。さらに、副画素ＳＰ１，ＳＰ２がそれぞれ副画素ＳＰ３と第１方向Ｘに並んでいる。

【0019】

副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３がこのようなレイアウトである場合、表示領域ＤＡには、副画素ＳＰ１，ＳＰ２が第２方向Ｙに交互に配置された列と、複数の副画素ＳＰ３が第２方向Ｙに繰り返し配置された列とが形成される。これらの列は、第１方向Ｘに交互に並ぶ。

【0020】

なお、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトは図２の例に限られない。他の一例として、各画素ＰＸにおける副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３が第１方向Ｘに順に並んでいてもよい。

【0021】

表示領域ＤＡには、リブ５および隔壁６が配置されている。リブ５は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３においてそれぞれ画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３を有している。図２の例においては、画素開口ＡＰ２が画素開口ＡＰ１よりも大きく、画素開口ＡＰ３が画素開口ＡＰ２よりも大きい。

【0022】

隔壁６は、隣り合う副画素ＳＰの境界に配置され、平面視においてリブ５と重なっている。隔壁６は、第１方向Ｘに延びる複数の第１隔壁６ｘと、第２方向Ｙに延びる複数の第２隔壁６ｙとを有している。複数の第１隔壁６ｘは、第２方向Ｙに隣り合う画素開口ＡＰ１，ＡＰ２の間、および、第２方向Ｙに隣り合う２つの画素開口ＡＰ３の間にそれぞれ配置されている。第２隔壁６ｙは、第１方向Ｘに隣り合う画素開口ＡＰ１，ＡＰ３の間、および、第１方向Ｘに隣り合う画素開口ＡＰ２，ＡＰ３の間にそれぞれ配置されている。

【0023】

図２の例においては、第１隔壁６ｘおよび第２隔壁６ｙが互いに接続されている。これにより、隔壁６は全体として画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３を囲う格子状である。隔壁６は、リブ５と同様に副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３において開口を有するということもできる。

【0024】

副画素ＳＰ１は、画素開口ＡＰ１とそれぞれ重なる下電極ＬＥ１、上電極ＵＥ１および有機層ＯＲ１を備えている。副画素ＳＰ２は、画素開口ＡＰ２とそれぞれ重なる下電極ＬＥ２、上電極ＵＥ２および有機層ＯＲ２を備えている。副画素ＳＰ３は、画素開口ＡＰ３とそれぞれ重なる下電極ＬＥ３、上電極ＵＥ３および有機層ＯＲ３を備えている。図２の例においては、上電極ＵＥ１および有機層ＯＲ１の外形が一致し、上電極ＵＥ２および有機層ＯＲ２の外形が一致し、上電極ＵＥ３および有機層ＯＲ３の外形が一致している。

【0025】

下電極ＬＥ１、上電極ＵＥ１および有機層ＯＲ１は、副画素ＳＰ１の表示素子２０を構成する。下電極ＬＥ２、上電極ＵＥ２および有機層ＯＲ２は、副画素ＳＰ２の表示素子２０を構成する。下電極ＬＥ３、上電極ＵＥ３および有機層ＯＲ３は、副画素ＳＰ３の表示素子２０を構成する。

【0026】

下電極ＬＥ１は、コンタクトホールＣＨ１を通じて副画素ＳＰ１の画素回路１（図１参照）に接続されている。下電極ＬＥ２は、コンタクトホールＣＨ２を通じて副画素ＳＰ２の画素回路１に接続されている。下電極ＬＥ３は、コンタクトホールＣＨ３を通じて副画素ＳＰ３の画素回路１に接続されている。

【0027】

図２の例において、コンタクトホールＣＨ１，ＣＨ２は、第２方向Ｙに隣り合う画素開口ＡＰ１，ＡＰ２の間の第１隔壁６ｘと全体的に重なっている。コンタクトホールＣＨ３は、第２方向Ｙに隣り合う２つの画素開口ＡＰ３の間の第１隔壁６ｘと全体的に重なっている。他の例として、コンタクトホールＣＨ１，ＣＨ２，ＣＨ３の少なくとも一部が第１隔壁６ｘと重なっていなくてもよい。

【0028】

図３は、図２中のＩＩＩ線－ＩＩＩ線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。上述の基板１０の上に回路層１１が配置されている。回路層１１は、図１に示した画素回路１、走査線ＧＬ、信号線ＳＬおよび電源線ＰＬなどの各種回路や配線を含む。回路層１１は、有機絶縁層１２により覆われている。有機絶縁層１２は、回路層１１により生じる凹凸を平坦化する平坦化膜として機能する。図３の断面には表れていないが、上述のコンタクトホールＣＨ１，ＣＨ２，ＣＨ３は有機絶縁層１２に設けられている。

【0029】

下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、有機絶縁層１２の上に配置されている。リブ５は、有機絶縁層１２および下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の上に配置されている。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の端部は、リブ５により覆われている。

【0030】

隔壁６は、リブ５の上に配置された導電性を有する下部６１と、下部６１の上に配置された上部６２とを含む。上部６２は、下部６１よりも大きい幅を有している。これにより、図３においては上部６２の両端部が下部６１の側面よりも突出している。このような隔壁６の形状は、オーバーハング状ということもできる。

【0031】

有機層ＯＲ１は、画素開口ＡＰ１を通じて下電極ＬＥ１を覆っている。上電極ＵＥ１は、有機層ＯＲ１を覆い、下電極ＬＥ１と対向している。有機層ＯＲ２は、画素開口ＡＰ２を通じて下電極ＬＥ２を覆っている。上電極ＵＥ２は、有機層ＯＲ２を覆い、下電極ＬＥ２と対向している。有機層ＯＲ３は、画素開口ＡＰ３を通じて下電極ＬＥ３を覆っている。上電極ＵＥ３は、有機層ＯＲ３を覆い、下電極ＬＥ３と対向している。

【0032】

図３の例においては、有機層ＯＲ１の上にキャップ層ＣＰ１が配置され、有機層ＯＲ２の上にキャップ層ＣＰ２が配置され、有機層ＯＲ３の上にキャップ層ＣＰ３が配置されている。キャップ層ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３は、それぞれ有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３が発する光の光学特性を調整する。

【0033】

有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１およびキャップ層ＣＰ１の一部は、上部６２の上に位置している。上述の一部は、有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１およびキャップ層ＣＰ１の他の部分と離間している。同様に、有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２およびキャップ層ＣＰ２の一部は上部６２の上に位置し、当該一部は有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２およびキャップ層ＣＰ２の他の部分と離間している。さらに、有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３およびキャップ層ＣＰ３の一部は上部６２の上に位置し、当該一部は有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３およびキャップ層ＣＰ３の他の部分と離間している。

【0034】

副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３には、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３がそれぞれ配置されている。封止層ＳＥ１は、キャップ層ＣＰ１や隔壁６を連続的に覆っている。封止層ＳＥ２は、キャップ層ＣＰ２や隔壁６を連続的に覆っている。封止層ＳＥ３は、キャップ層ＣＰ３や隔壁６を連続的に覆っている。

【0035】

図３の例においては、副画素ＳＰ１，ＳＰ３の間の隔壁６上の有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、キャップ層ＣＰ１および封止層ＳＥ１と、当該隔壁６上の有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３、キャップ層ＣＰ３および封止層ＳＥ３とが離間している。また、副画素ＳＰ２，ＳＰ３の間の隔壁６上の有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２、キャップ層ＣＰ２および封止層ＳＥ２と、当該隔壁６上の有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３、キャップ層ＣＰ３および封止層ＳＥ３とが離間している。

【0036】

封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、樹脂層１３により覆われている。樹脂層１３は、封止層１４により覆われている。さらに、封止層１４は、樹脂層１５により覆われている。

【0037】

有機絶縁層１２および樹脂層１３，１５は、有機材料で形成されている。リブ５および封止層１４，ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、例えばシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）などの無機材料で形成されている。リブ５および封止層１４，ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）または酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）のいずれかの単層体として形成されてもよい。また、リブ５および封止層１４，ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、シリコン窒化物層、シリコン酸化物層、シリコン酸窒化物層および酸化アルミニウム層のうちの少なくとも２つの組み合わせによる積層体として形成されてもよい。

【0038】

上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３は、例えばマグネシウムと銀の合金（ＭｇＡｇ）などの金属材料で形成されている。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の電位が上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３の電位よりも相対的に高い場合、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３がアノードに相当し、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３がカソードに相当する。また、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３の電位が下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の電位よりも相対的に高い場合、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３がアノードに相当し、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３がカソードに相当する。

【0039】

有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３は、一対の機能層と、これら機能層の間に配置された発光層とを含む。一例として、有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３は、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロッキング層、発光層、正孔ブロッキング層、電子輸送層および電子注入層を順に積層した構造を有している。

【0040】

キャップ層ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３は、例えば、透明な複数の薄膜の多層体によって形成されている。多層体は、複数の薄膜として、無機材料によって形成された薄膜および有機材料によって形成された薄膜を含んでもよい。また、これら複数の薄膜は、互いに異なる屈折率を有している。多層体を構成する薄膜の材料は、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３の材料とは異なり、また、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３の材料とも異なる。なお、キャップ層ＣＰ１，ＣＰ２．ＣＰ３は省略されてもよい。

【0041】

隔壁６には、共通電圧が供給されている。この共通電圧は、下部６１の側面に接触した上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３にそれぞれ供給される。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３には、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３がそれぞれ有する画素回路１を通じて画素電圧が供給される。

【0042】

下電極ＬＥ１と上電極ＵＥ１の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ１の発光層が赤色の波長域の光を放つ。下電極ＬＥ２と上電極ＵＥ２の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ２の発光層が緑色の波長域の光を放つ。下電極ＬＥ３と上電極ＵＥ３の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ３の発光層が青色の波長域の光を放つ。

【0043】

続いて、周辺領域ＳＡに適用し得る構造について説明する。
図４は、表示装置ＤＳＰの概略的な平面図である。表示装置ＤＳＰは、周辺領域ＳＡに配置される要素として、第１ゲート駆動回路ＧＤ１、第２ゲート駆動回路ＧＤ２、セレクタ回路ＳＴおよび端子部Ｔを備えている。第１ゲート駆動回路ＧＤ１、第２ゲート駆動回路ＧＤ２およびセレクタ回路ＳＴは、それぞれ画素回路１に信号を供給する駆動回路の一例であり、図３に示した回路層１１に含まれる。

【0044】

第１ゲート駆動回路ＧＤ１および第２ゲート駆動回路ＧＤ２は、図１に示した走査線ＧＬに走査信号を供給する。端子部Ｔには、例えばフレキシブル回路基板が接続される。セレクタ回路ＳＴは、このフレキシブル回路基板から入力される映像信号を図１に示した信号線ＳＬに供給する。

【0045】

基板１０は、第１端部Ｅ１、第２端部Ｅ２、第３端部Ｅ３および第４端部Ｅ４を有している。第１端部Ｅ１および第２端部Ｅ２は、第２方向Ｙと平行に延びている。第３端部Ｅ３および第４端部Ｅ４は、第１方向Ｘと平行に延びている。

【0046】

図４の例においては、第１ゲート駆動回路ＧＤ１が表示領域ＤＡと第１端部Ｅ１の間に配置され、第２ゲート駆動回路ＧＤ２が表示領域ＤＡと第２端部Ｅ２の間に配置され、セレクタ回路ＳＴおよび端子部Ｔが表示領域ＤＡと第３端部Ｅ３の間に配置されている。

【0047】

さらに、表示装置ＤＳＰは、周辺領域ＳＡに配置された導電層ＣＬ（ドット模様を付した部分）およびダム構造ＤＳ（斜線模様を付した部分）を備えている。図４の例においては、導電層ＣＬが表示領域ＤＡを囲っている。また、ダム構造ＤＳが導電層ＣＬを囲っている。ダム構造ＤＳは、例えば、図３に示した樹脂層１３を堰き止める役割を担う。

【0048】

導電層ＣＬは、表示領域ＤＡに配置された隔壁６と接続されている。導電層ＣＬは、第１ゲート駆動回路ＧＤ１、第２ゲート駆動回路ＧＤ２およびセレクタ回路ＳＴと平面視において重なっている。

【0049】

なお、導電層ＣＬは、必ずしも表示領域ＤＡを囲う形状を有する必要はない。例えば、表示領域ＤＡと第３端部Ｅ３の間や、表示領域ＤＡと第４端部Ｅ４の間に導電層ＣＬが配置されていなくてもよい。

【0050】

図５は、周辺領域ＳＡに配置される他の要素を示す概略的な平面図である。周辺領域ＳＡには、給電線ＰＷ（斜線模様を付した部分）および中継配線ＲＬ（ドット模様を付した部分）が配置されている。

【0051】

図５においては給電線ＰＷおよび中継配線ＲＬが表示領域ＤＡを囲っているが、この例に限られない。給電線ＰＷおよび中継配線ＲＬは、部分的に重なっている。

【0052】

給電線ＰＷは、第３端部Ｅ３の近傍に位置する一対のパッドＰＤを有している。これらパッドＰＤは、端子部Ｔと電気的に接続されている。給電線ＰＷには、端子部Ｔおよび各パッドＰＤを通じて共通電圧が供給される。さらに、給電線ＰＷの共通電圧は、中継配線ＲＬに供給される。

【0053】

図６は、図４において鎖線枠ＶＩで囲った領域の拡大図である。図７は、図６におけるＶＩＩ－ＶＩＩ線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。図６においてドット模様を付した領域が導電層ＣＬおよび隔壁６（第１隔壁６ｘおよび第２隔壁６ｙ）に相当する。導電層ＣＬおよび隔壁６は、同じ材料で同じ製造プロセスにより一体的に形成されている。

【0054】

図６および図７に示すように、ダム構造ＤＳは、第１凸部Ｒ１、第２凸部Ｒ２、第３凸部Ｒ３および第４凸部Ｒ４を有している。第１凸部Ｒ１は表示領域ＤＡを囲い、第２凸部Ｒ２は第１凸部Ｒ１を囲い、第３凸部Ｒ３は第２凸部Ｒ２を囲い、第４凸部Ｒ４は第３凸部Ｒ３を囲う。なお、ダム構造ＤＳが有する凸部の数は４つに限定されず、３つ以下または５つ以上であってもよい。

【0055】

図７に示すように、凸部Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４は、有機絶縁層１２の端部１２ａと基板１０の第１端部Ｅ１の間に位置している。凸部Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４は、端部１２ａと第２端部Ｅ２の間、端部１２ａと第３端部Ｅ３の間、端部１２ａと第４端部Ｅ４の間にも位置している。凸部Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４は、例えば有機絶縁層１２と同じ材料で同じ製造プロセスにより形成されている。

【0056】

凸部Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４のうち隣り合う２つの間隔は、凸部Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４のそれぞれの幅よりも大きい。一例として、凸部Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４のそれぞれの幅は１５～２５μｍであり、凸部Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４のうち隣り合う２つの間隔は２５～３５μｍである。また、凸部Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４のそれぞれの高さは３～４μｍである。

【0057】

図７の例において、回路層１１は、絶縁層３１，３２，３３および金属層４１，４２，４３を備えている。絶縁層３１は、基板１０を覆っている。金属層４１は、絶縁層３１の上に配置され、絶縁層３２により覆われている。金属層４２は、絶縁層３２の上に配置され、絶縁層３３により覆われている。金属層４３は、絶縁層３３の上に配置され、有機絶縁層１２により覆われている。

【0058】

絶縁層３１，３２，３３は、例えばシリコン窒化物およびシリコン酸化物などの無機材料で形成されている。金属層４１，４２，４３は、例えばモリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、モリブデンタングステン合金（ＭｏＷ）、アルミニウム（Ａｌ）および銅（Ｃｕ）などの金属材料の単層構造または積層構造を有している。

【0059】

第１ゲート駆動回路ＧＤ１は、金属層４１，４２，４３や半導体層によって形成されている。図４に示した第２ゲート駆動回路ＧＤ２およびセレクタ回路ＳＴや、図１に示した画素回路１も同様に、金属層４１，４２，４３や半導体層によって形成されている。また、図１に示した走査線ＧＬ、信号線ＳＬおよび電源線ＰＬは、金属層４１，４２，４３のいずれかによって形成されている。

【0060】

凸部Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４は、絶縁層３３の上に配置されている。リブ５は、周辺領域ＳＡにも配置されている。図７に示すように、リブ５は、第１凸部Ｒ１の側面に接触し、中継配線ＲＬを覆っている。これによれば、導電層ＣＬおよび隔壁６が形成される過程において、中継配線ＲＬおよび給電線ＰＷが損傷してしまうことを防ぐことができる。

【0061】

導電層ＣＬは、図３に示した隔壁６と同じく下部６１および上部６２を含む。導電層ＣＬにおいても、上部６２の端部が下部６１の側面よりも突出している。

【0062】

図７に示すように、導電層ＣＬの端部ＣＬａは、有機絶縁層１２の端部１２ａと、第１凸部Ｒ１との間に位置している。別の表現によれば、図６に示すように、導電層ＣＬの端部ＣＬａは、表示領域ＤＡと、第１凸部Ｒ１との間に位置している。

【0063】

導電層ＣＬの端部ＣＬａは、全周にわたり有機絶縁層１２の端部１２ａと、第１凸部Ｒ１との間に位置している。別の表現によれば、図４に示すように、端部ＣＬａは、全周にわたりダム構造ＤＳの内側に位置している。図４に示すように、端部ＣＬａは、第１ゲート駆動回路ＧＤ１とダム構造ＤＳの間、第２ゲート駆動回路ＧＤ２とダム構造ＤＳの間、セレクタ回路ＳＴとダム構造ＤＳの間に位置している。

【0064】

図７の例において、給電線ＰＷ（第１給電線）は、金属層４２によって形成された第１部分Ｐ１と、金属層４３によって形成された第２部分Ｐ２とを有している。第２部分Ｐ２は、第１部分Ｐ１に接触している。例えば、図５に示した給電線ＰＷのうち、パッドＰＤは第１部分Ｐ１によって形成され、表示領域ＤＡを囲う部分は少なくとも第２部分Ｐ２によって形成されている。

【0065】

中継配線ＲＬは、大部分が有機絶縁層１２の上に配置され、リブ５によって覆われている。中継配線ＲＬは、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３と同じ材料で同じ製造プロセスにより形成されている。

【0066】

中継配線ＲＬは、第１コンタクト部ＣＮ１において給電線ＰＷに接続され、第２コンタクト部ＣＮ２において導電層ＣＬに接続されている。これにより、導電層ＣＬには、中継配線ＲＬを介して給電線ＰＷの共通電圧が供給される。さらに、導電層ＣＬの共通電圧は、表示領域ＤＡの隔壁６および上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３に供給される。

【0067】

第１コンタクト部ＣＮ１は、有機絶縁層１２の端部１２ａと、第１凸部Ｒ１との間に位置している。第１コンタクト部ＣＮ１においては、中継配線ＲＬの下面が給電線ＰＷの第２部分Ｐ２に接触し、中継配線ＲＬの上面はリブ５によって覆われている。

【0068】

第１コンタクト部ＣＮ１は、例えば図５において給電線ＰＷと中継配線ＲＬが重なった領域に相当し、表示領域ＤＡを囲っている。但し、第１コンタクト部ＣＮ１は、表示領域ＤＡの周囲の少なくとも１か所において途切れていてもよい。

【0069】

図６および図７に示すように、第２コンタクト部ＣＮ２は、リブ５に設けられた複数のコンタクトホールＣＨａを有している。導電層ＣＬの下部６１は、これらコンタクトホールＣＨａを通じて中継配線ＲＬの上面に接触している。

【0070】

図６の例においては、複数のコンタクトホールＣＨａがいずれも第１方向Ｘに長尺に延びるとともに第２方向Ｙに並んでいる。コンタクトホールＣＨａの形状および配置はこの例に限られず、種々の態様に変形し得る。

【0071】

図６に示すように、第２コンタクト部ＣＮ２は、平面視において第１コンタクト部ＣＮ１と表示領域ＤＡの間に位置している。導電層ＣＬの端部ＣＬａは、平面視において第１コンタクト部ＣＮ１と重なり、第１凸部Ｒ１と離間している。導電層ＣＬの端部ＣＬａは、全周にわたり、平面視において第１コンタクト部ＣＮ１と重なり、第１凸部Ｒ１と離間している。

【0072】

導電層ＣＬは、第１方向Ｘおよび第２方向Ｙに一定の間隔を空けて並んだ複数の開口ＡＰａを有している。図６の例においては、これら開口ＡＰａの一部が第２方向Ｙに隣り合うコンタクトホールＣＨａの間に位置している。開口ＡＰａは、例えば平面視においてコンタクトホールＣＨａよりも小さい。

【0073】

導電層ＣＬおよび隔壁６の形成に際しては、先ず下部６１および上部６２の基となる層が表示領域ＤＡおよび周辺領域ＳＡの全体に形成され、これらの層がエッチングにより導電層ＣＬおよび隔壁６の形状にパターニングされる。表示領域ＤＡにおいては各副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３に対応する開口（第１隔壁６ｘと第２隔壁６ｙで囲われる領域）が多く存在する。表示領域ＤＡと周辺領域ＳＡとでこのような開口の密度が異なると、均一なエッチングの進行を実現できない可能性がある。これに対し、導電層ＣＬに複数の開口ＡＰａを設けることにより、表示領域ＤＡと周辺領域ＳＡとでエッチングの進行を均一化することができる。

【0074】

図７に示すように、周辺領域ＳＡには、有機層ＯＲｓ、上電極ＵＥｓ、キャップ層ＣＰｓおよび封止層ＳＥｓ（第１封止層）が配置されている。図７の例においては有機層ＯＲｓ、上電極ＵＥｓおよびキャップ層ＣＰｓを一つの層として示しているが、実際には上電極ＵＥｓが有機層ＯＲｓを覆い、キャップ層ＣＰｓが上電極ＵＥｓを覆っている。有機層ＯＲｓ、上電極ＵＥｓおよびキャップ層ＣＰｓは、導電層ＣＬを覆っている。封止層ＳＥｓは、有機層ＯＲｓ、上電極ＵＥｓおよびキャップ層ＣＰｓを覆っている。封止層ＳＥｓの端部は、平面視において、有機層ＯＲｓ、上電極ＵＥｓおよびキャップ層ＣＰｓの端部を覆っている。図７に示すように、有機層ＯＲｓ、上電極ＵＥｓ、キャップ層ＣＰｓは、導電層ＣＬの端部ＣＬａの上部６２により分断されるため、有機層ＯＲｓ、上電極ＵＥｓ、キャップ層ＣＰｓは導電層ＣＬの端部ＣＬａまで配置され一旦途切れる。導電層ＣＬの下部６１の側面には少なくとも有機層ＯＲｓ、上電極ＵＥｓ、キャップ層ＣＰｓは配置されておらず、上部６２の下側（下部６１と接続される側）と下部６１の側面の少なくとも一部は封止層ＳＥｓと接触している。導電層ＣＬの端部ＣＬａより外側にある有機層ＯＲｓ、上電極ＵＥｓ、キャップ層ＣＰｓはリブ５上で封止層ＳＥｓに覆われ、有機層ＯＲｓ、上電極ＵＥｓ、キャップ層ＣＰｓおよび封止層ＳＥｓの端部は導電層ＣＬの端部ＣＬａと第１凸部Ｒ１との間に位置している。別の表現によれば、導電層ＣＬの上部６２にある有機層ＯＲｓ、上電極ＵＥｓ、キャップ層ＣＰｓとリブ５上にある有機層ＯＲｓ、上電極ＵＥｓ、キャップ層ＣＰｓは導電層ＣＬの端部ＣＬａの上部６２の下側及び下部６１の領域で分断され、それぞれが独立し封止層ＳＥｓによって電気的にも物理的にも絶縁した状態になっている。したがって、有機層ＯＲｓ、上電極ＵＥｓ、キャップ層ＣＰｓおよび封止層ＳＥｓの最外周の端部は、表示領域ＤＡと、第１凸部Ｒ１との間に位置している。有機層ＯＲｓ、上電極ＵＥｓ、キャップ層ＣＰｓおよび封止層ＳＥｓの端部は、全周にわたり導電層ＣＬの端部ＣＬａと、第１凸部Ｒ１との間に位置している。

【0075】

有機層ＯＲｓは、有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３のいずれかと同じ材料で同じ製造プロセスにより形成されている。上電極ＵＥｓは、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３のいずれかと同じ材料で同じ製造プロセスにより形成されている。キャップ層ＣＰｓは、キャップ層ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３のいずれかと同じ材料で同じ製造プロセスにより形成されている。封止層ＳＥｓは、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３のいずれかと同じ材料で同じ製造プロセスにより形成されている。一例では、有機層ＯＲｓ、上電極ＵＥｓ、キャップ層ＣＰｓおよび封止層ＳＥｓは、それぞれ有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３、キャップ層ＣＰ３および封止層ＳＥ３と同じ材料で同じ製造プロセスにより形成されている。

【0076】

樹脂層１３（第１樹脂層）は、例えばインクジェット方式により形成される。凸部Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４により生じる封止層ＳＥｓの凹凸によって、硬化前の樹脂層１３の拡がりが抑制される。図７においては樹脂層１３の端部が第２凸部Ｒ２の近傍に位置しているが、この例に限られない。樹脂層１３は、有機層ＯＲｓ、上電極ＵＥｓ、キャップ層ＣＰｓおよび封止層ＳＥｓを覆っている。封止層１４（第２封止層）は、樹脂層１３を覆っている。封止層１４は、樹脂層１３の端部の外側においては絶縁層３３およびダム構造ＤＳと接触している。樹脂層１５（第２樹脂層）は、封止層１４を全体的に覆っている。封止層１４の端部と樹脂層１５の端部は、平面視において重なっている。

【0077】

なお、図６および図７においては表示領域ＤＡと第１端部Ｅ１の間の構造に着目したが、表示領域ＤＡと第２端部Ｅ２の間、表示領域ＤＡと第３端部Ｅ３の間、および、表示領域ＤＡと第４端部Ｅ４の間にも同様の構造を適用できる。

【0078】

以上の本実施形態に係る表示装置ＤＳＰにおいては、表示領域ＤＡに配置された隔壁６が周辺領域ＳＡに配置された導電層ＣＬと接続されている。さらに、隔壁６が副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３の上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３に接続され、導電層ＣＬが給電線ＰＷに接続されている。このような構造においては、給電線ＰＷの共通電圧を、導電層ＣＬおよび隔壁６を介して上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３に供給することができる。

【0079】

以下では、比較例を用いて、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰの効果についてさらに説明する。なお、比較例は、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰが奏し得る効果の一部を説明するためのものであって、本実施形態と比較例とで共通する構成や効果を本願発明の範囲から除外するものではない。

【0080】

図８は、比較例に係る表示装置ＤＳＰ１の概略的な断面図である。なお、図８においては、表示領域ＤＡと第１端部Ｅ１の間の構造のみを示しているが、表示装置ＤＳＰ１は、表示領域ＤＡと第２端部Ｅ２の間、表示領域ＤＡと第３端部Ｅ３の間、および、表示領域ＤＡと第４端部Ｅ４の間においても同様の構造を有する。

【0081】

比較例に係る表示装置ＤＳＰ１は、主に、（１）有機層ＯＲｓ、上電極ＵＥｓおよびキャップ層ＣＰｓがダム構造ＤＳを覆うように配置され、外部に露出している点と、（２）導電層ＣＬの端部ＣＬａがダム構造ＤＳの第１凸部Ｒ１と基板１０の端部Ｅ１，Ｅ２，Ｅ３，Ｅ４の間に位置している点とで、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰと相違している。

【0082】

比較例に係る表示装置ＤＳＰ１のように、周辺領域ＳＡにおいて、有機層ＯＲｓ、上電極ＵＥｓおよびキャップ層ＣＰｓがダム構造ＤＳを覆うように配置され、外部に露出している場合、これらの層を通じて表示装置ＤＳＰ１内部に水分が侵入する可能性がある。この水分がゲート駆動回路ＧＤ１，ＧＤ２、セレクタ回路ＳＴ、給電線ＰＷ、画素回路１および表示素子２０などに到達すると、表示装置ＤＳＰ１の動作不良が生じ得る。

【0083】

このため、比較例に係る表示装置ＤＳＰ１においては、図８に示すように、導電層ＣＬの端部ＣＬａを、ダム構造ＤＳの第１凸部Ｒ１と基板１０の端部Ｅ１，Ｅ２，Ｅ３，Ｅ４の間に位置させることにより、端部ＣＬａで有機層ＯＲｓ、上電極ＵＥｓおよびキャップ層ＣＰｓを分断し、表示装置ＤＳＰ１内部への水分侵入を抑制している。

【0084】

しかしながら、比較例に係る表示装置ＤＳＰ１においては、例えば図８の鎖線枠ＶＩＩＩで囲まれた領域において封止層ＳＥｓに欠陥（例えばクラックなど）が生じると、外部から有機層ＯＲｓ、上電極ＵＥｓおよびキャップ層ＣＰｓを通じて導電層ＣＬの端部ＣＬａまで侵入してきた水分が、封止層ＳＥｓに生じた欠陥から表示装置ＤＳＰ１内部に侵入してしまう可能性がある（図８の矢印ＡＲ参照）。

【0085】

これに対し、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰにおいては、導電層ＣＬの端部ＣＬａと、有機層ＯＲｓ、上電極ＵＥｓ、キャップ層ＣＰｓおよび封止層ＳＥｓの端部とが、平面視において、有機絶縁層１２の端部１２ａと第１凸部Ｒ１の間に位置している。別の表現によれば、導電層ＣＬの端部ＣＬａと、有機層ＯＲｓ、上電極ＵＥｓ、キャップ層ＣＰｓおよび封止層ＳＥｓの端部とが、平面視において、表示領域ＤＡと第１凸部Ｒ１の間に位置している。また、導電層ＣＬは有機層ＯＲｓ、上電極ＵＥｓ、キャップ層ＣＰｓおよび封止層ＳＥｓによって覆われ、有機層ＯＲｓ、上電極ＵＥｓ、キャップ層ＣＰｓおよび封止層ＳＥｓは樹脂層１３によって覆われている。

【0086】

これによれば、水分の侵入経路になり得る有機層ＯＲｓ、上電極ＵＥｓおよびキャップ層ＣＰｓが外部に露出しないため、これらの層を通じた表示装置ＤＳＰ内部への水分侵入を抑制することができる。また、有機層ＯＲｓ、上電極ＵＥｓおよびキャップ層ＣＰｓは導電層ＣＬの端部ＣＬａで分離されているため、これらの層を通じた表示装置ＤＳＰ内部への水分侵入を更に抑制することができる。結果として、表示装置ＤＳＰの水分への耐性が向上する。また、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰにおいては、封止層ＳＥｓの一部に欠陥が生じたとしても、外部から表示装置ＤＳＰ内部に水分が侵入し得る経路がないため、封止層ＳＥｓの欠陥に伴い表示装置ＤＳＰ内部に水分が侵入することもない。

【0087】

なお、本実施形態においては、図７に示したように、基板１０の端部Ｅ１と、封止層１４および樹脂層１５の端部とが平面視において重なっていない構造を示したが、表示装置ＤＳＰは、図９に示すように、基板１０の端部Ｅ１と、封止層１４および樹脂層１５の端部とが平面視において重なる構造を有していてもよい。つまり、表示装置ＤＳＰは、周辺領域ＳＡにおいて、封止層１４と絶縁層３３が接触している部分であれば、任意の位置（例えば、図７の第２凸部Ｒ２と第３凸部Ｒ３の間、図７の第３凸部Ｒ３と第４凸部Ｒ４の間等）でカットされて構わない。これによれば、表示装置ＤＳＰの狭額縁化を実現させることが可能である。また、この場合であっても、水分の侵入経路になり得る有機層ＯＲｓ、上電極ＵＥｓおよびキャップ層ＣＰｓが外部に露出しないため、上述の効果と同様な効果を得ることができる。

【0088】

また、導電層ＣＬの端部ＣＬａと、有機層ＯＲｓ、上電極ＵＥｓ、キャップ層ＣＰｓおよび封止層ＳＥｓの端部とを、有機絶縁層１２の端部１２ａと第１凸部Ｒ１の間に位置させる構造は、表示装置ＤＳＰがいわゆるタッチパネルの機能を備える場合にも適用できる。

【0089】

図１０は、表示装置ＤＳＰがタッチパネルの機能を備える場合の構造であって、表示領域ＤＡに配置される要素を示す概略的な断面図である。図１０に示す表示装置ＤＳＰは、封止層１４の上に、タッチパネル電極ＴＰが配置されている点で、図３に示した構造と相違している。

【0090】

図１０に示すように、タッチパネル電極ＴＰは、隔壁６の上方に位置し、隔壁６に沿って延在する。タッチパネル電極ＴＰは、樹脂層１５によって覆われている。タッチパネル電極ＴＰは、例えば、金属材料で形成されている。一例では、タッチパネル電極ＴＰは、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）の積層構造を有している。但し、タッチパネル電極ＴＰは、他の金属材料の積層構造を有してもよいし、単層構造を有してもよい。あるいは、タッチパネル電極ＴＰは、透明導電材料、具体的には、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）やＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）などで形成されてもよい。

【0091】

図１１は、表示装置ＤＳＰがタッチパネルの機能を備える場合の構造であって、周辺領域ＳＡに配置される要素を示す概略的な断面図である。図１１に示す表示装置ＤＳＰは、封止層１４の上にタッチパネル電極ＴＰに接続される配線ＴＬが配置されている点と、配線ＴＬと端子部Ｔ（図１１では図示せず）を電気的に接続する給電線ＰＷＴが配置されている点とで、図７に示した構造と相違している。

【0092】

図１１に示すように、封止層１４の上には、タッチパネル電極ＴＰに接続される配線ＴＬが配置される。配線ＴＬは、樹脂層１５によって覆われている。配線ＴＬは、タッチパネル電極ＴＰと同じ材料で同じ製造プロセスにより形成されている。

【0093】

給電線ＰＷＴ（第２給電線）は、絶縁層３３の上に配置され、第３凸部Ｒ３によって覆われている。給電線ＰＷＴは、金属層４３および給電線ＰＷを構成する第２部分Ｐ２と同じ材料で同じ製造プロセスにより形成されている。給電線ＰＷＴは、第３コンタクト部ＣＮ３において、配線ＴＬに接続されている。第３コンタクト部ＣＮ３は、封止層１４および第３凸部Ｒ３に設けられたコンタクトホールＣＨｂを有している。配線ＴＬは、コンタクトホールＣＨｂを通じて給電線ＰＷＴの上面に接触している。

【0094】

導電層ＣＬの端部ＣＬａと、有機層ＯＲｓ、上電極ＵＥｓ、キャップ層ＣＰｓおよび封止層ＳＥｓの端部とを、有機絶縁層１２の端部１２ａと第１凸部Ｒ１の間に位置させる構造を、タッチパネルの機能を備える表示装置ＤＳＰに適用することによれば、ダム構造ＤＳの上に、有機層ＯＲｓ、上電極ＵＥｓ、キャップ層ＣＰｓおよび封止層ＳＥｓが配置されないため、第３コンタクト部ＣＮ３を、ダム構造ＤＳと重なる位置に設けることが可能である。これによれば、第３コンタクト部ＣＮ３において、配線ＴＬを樹脂層１５で覆って、保護することができる。なお、この場合であっても、水分の侵入経路になり得る有機層ＯＲｓ、上電極ＵＥｓおよびキャップ層ＣＰｓが外部に露出しないことに変わりはないため、水分耐性については、上述の効果と同様な効果を得ることができる。

【0095】

以上説明した一実施形態によれば、水分に対する耐性を高めた表示装置ＤＳＰを提供することが可能である。

【0096】

なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

【符号の説明】

【0097】

ＤＳＰ…表示装置、ＤＡ…表示領域、ＳＡ…周辺領域、ＰＸ…画素、ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３…下電極、ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３，ＵＥｓ…上電極、ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３，ＯＲｓ…有機層、ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３，ＳＥｓ…封止層、ＣＬ…導電層、ＰＷ…給電線、ＲＬ…中継配線、ＤＳ…ダム構造、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４…凸部、ＣＮ１…第１コンタクト部、ＣＮ２…第２コンタクト部、ＣＮ３…第３コンタクト部、ＧＤ１…第１ゲート駆動回路、ＧＤ２…第２ゲート駆動回路、ＳＴ…セレクタ回路、１…画素回路、５…リブ、６…隔壁、１０…基板、１２…有機絶縁層、１３…樹脂層、１４…封止層、１５…樹脂層。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】