特開 2024-124622 発光装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024124622

(43)【公開日】2024-09-13

(54)【発明の名称】発光装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 33/56 20100101AFI20240906BHJP

   H01L 33/54 20100101ALI20240906BHJP

   H01L 33/50 20100101ALI20240906BHJP

【ＦＩ】

H01L33/56

H01L33/54

H01L33/50

【審査請求】未請求

【請求項の数】7

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023032420

(22)【出願日】2023-03-03

(71)【出願人】

【識別番号】000131430

【氏名又は名称】シチズン電子株式会社

(71)【出願人】

【識別番号】000001960

【氏名又は名称】シチズン時計株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100097043

【弁理士】

【氏名又は名称】浅川 哲

(74)【代理人】

【識別番号】100197996

【弁理士】

【氏名又は名称】中村 武彦

(72)【発明者】

【氏名】大森 祐治

【テーマコード（参考）】

5F142

【Ｆターム（参考）】

5F142AA03

5F142BA02

5F142BA32

5F142CA02

5F142CB12

5F142CB15

5F142CB23

5F142CD02

5F142CD17

5F142CD44

5F142CD47

5F142CE03

5F142CE16

5F142CG05

5F142CG14

5F142CG26

5F142DA12

5F142DA22

5F142DA34

5F142DA73

5F142FA28

(57)【要約】

【課題】 発光効率の低下を抑制する発光装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 基板１０と、基板の上面に実装された１以上の発光素子１１と、発光素子の上面の少なくとも一部を覆う波長変換部材１２と、波長変換部材の表面の少なくとも一部を覆う透明層１４と、基板の上面、発光素子、波長変換部材及び透明層を覆う封止材１５を備える発光装置である。この発光装置の封止材は、第２透明樹脂３３を含み、透明層の屈折率は第２透明樹脂の屈折率より低い。
【選択図】 図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板と、
前記基板の上面に実装された１以上の発光素子と、
前記発光素子の上面の少なくとも一部を覆う波長変換部材と、
前記波長変換部材の表面の少なくとも一部を覆う透明層と、
前記基板の上面、前記発光素子、前記波長変換部材及び前記透明層を覆う封止材を備え、
前記封止材は、第２透明樹脂を含み、
前記透明層の屈折率は前記第２透明樹脂の屈折率より低い発光装置。

【請求項2】

前記基板の上面には、前記封止材を囲うように配置される反射枠体を備える請求項１に記載の発光装置

【請求項3】

前記波長変換部材の表面は、前記波長変換部材の厚さが、前記発光素子の外縁から内側に向けて連続的に厚くなるような形状を有する請求項１又は２に記載の発光装置。

【請求項4】

前記波長変換部材の表面は、ドーム状の曲面形状を有する請求項３に記載の発光装置。

【請求項5】

前記波長変換部材は、第１透明樹脂と第１蛍光体を含み、
前記封止材は、第２蛍光体を更に含む請求項１又は２に記載の発光装置。

【請求項6】

前記第１蛍光体が発光する光の主波長は、前記第２蛍光体が発光する光の主波長より大きい請求項５に記載の発光装置。

【請求項7】

前記発光素子の上面より高さ位置が低い領域の前記封止材に含まれる前記第２蛍光体の含有量は、前記発光素子の上面より高さ位置が高い領域の前記封止材に含まれる前記第２蛍光体の含有量より多い請求項５に記載の発光装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、発光装置に関する。

【背景技術】

【0002】

発光装置において、効率よく光を取り出す技術が知られている。例えば、特許文献１には、発光素子の上方に配置された第１蛍光体と、発光素子の上方よりも側方に多く分布するように配置された第２蛍光体を備える発光装置が記載される。特許文献１に記載される発光装置は、発光素子の側方で第２蛍光体によって波長変換した光が、第１蛍光体に吸収されるのを抑制するため、効率よく光を取り出すことができる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１５－１５３７１号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

しかしながら、特許文献１に記載される発光装置は、発光素子の側面から出射される光の一部又は発光素子の側方で第２蛍光体によって波長変換した光の一部が、第１蛍光体に吸収され、発光装置の発光効率が低下するおそれがある。

【0005】

そこで、本発明は、発光素子の側面から出射される光の一部又は発光素子の側方で第２蛍光体によって波長変換した光の一部が、発光素子の上面を覆う波長変換部材に吸収されることを低減し、発光効率の低下を抑制する発光装置を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明に係る発光装置は、基板と、基板の上面に実装された１以上の発光素子と、発光素子の上面の少なくとも一部を覆う波長変換部材と、波長変換部材の表面の少なくとも一部を覆う透明層と、基板の上面、発光素子、波長変換部材及び透明層を覆う封止材を備え、前記封止材は、第２透明樹脂を含み、前記透明層の屈折率は前記第２透明樹脂の屈折率より低い。

【0007】

さらに、本発明に係る発光装置は、基板の上面には、封止材を囲うように配置される反射枠体を備えることが好ましい。

【0008】

さらに、本発明に係る発光装置は、波長変換部材の表面は、波長変換部材の厚さが、発光素子の外縁から内側に向けて連続的に厚くなるような形状を有することが好ましい。

【0009】

さらに、本発明に係る発光装置は、波長変換部材の表面は、ドーム状の曲面形状を有することが好ましい。

【0010】

さらに、本発明に係る発光装置は、封止材は、第２蛍光体を更に含むことが好ましい。

【0011】

さらに、本発明に係る発光装置は、第１蛍光体が発光する光の主波長は、第２蛍光体が発光する光の主波長より大きいことが好ましい。

【0012】

さらに、本発明に係る発光装置は、発光素子の上面より高さ位置が低い領域の封止材に含まれる第２蛍光体の含有重量は、発光素子の上面より高さ位置が高い領域の前記封止材に含まれる第２蛍光体の含有重量より多いことが好ましい。

【発明の効果】

【0013】

本発明に係る発光装置によれば、波長変換部材の表面の少なくとも一部を覆う透明層の屈折率を、前記波長変換部材及び透明層を覆う封止材に含まれる第２透明樹脂の屈折率より低いものとしたので、発光素子の側面から出射される光の一部又は発光素子の側方で第２蛍光体によって波長変換した光の一部が、発光素子の上面を覆う波長変換部材に吸収されることを低減し、発光効率の低下を抑制することが実現可能になる。

【図面の簡単な説明】

【0014】

【図1】本発明の一実施形態に係る発光装置の斜視図である。

【図2】（ａ）は図１に示す発光装置の平面図であり、（ｂ）は図２（ａ）に示すＡ－Ａ’線に沿う断面図である。

【図3】発光装置の製造工程を示す図である。（ａ）は第１工程を示し、（ｂ）は第２工程を示し、（ｃ）は第３工程を示し、（ｄ）は第４工程を示し、（ｅ）は第５工程を示し、（ｆ）は第６工程を示す。図３（ａ）～（ｆ）に示す図は、図１に示すＡ－Ａ’線に沿う断面に対応する断面図である。

【図4】発光装置の動作を説明するための模式図である。

【図5】本実施形態の変形例に係る発光装置の断面図であり、図２（ａ）に示すＡ－Ａ’線に沿う断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0015】

以下、図面を参照して、本発明に係る発光装置について説明する。ただし、本発明の技術的範囲はそれらの実施の形態には限定されず、特許請求の範囲に記載された発明とその均等物に及ぶ点に留意されたい。また、図面は、発光装置及び発光装置の構成部材、第１蛍光体及び第２蛍光体を模式的に表したものであり、これらの実寸の寸法および寸法比は、図面上の寸法および寸法比と必ずしも一致していない。

【0016】

図１は、本発明の一実施形態に係る発光装置１の斜視図であり、図２（ａ）は図１に示す発光装置１の平面図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）に示すＡ－Ａ’線に沿う断面図である。図２（ａ）において第１蛍光体３２及び第２蛍光体３４は省略される。図２（ｂ）においてボンディングワイヤ１６は省略される。

【0017】

発光装置１は、基板１０と、基板１０の上面に配置される複数の発光素子１１と、各発光素子１１の上面に配置された波長変換部材１２と、波長変換部材１２を被覆する透明層１４と、基板１０の上面周縁を囲う反射枠体１３と、反射枠体１３内に充填される封止材１５と、を有する。

【0018】

基板１０は、ガラスエポキシ樹脂等の絶縁性樹脂で形成された矩形状の平面形状を有する基材２０と、基材２０の上面に配置されたアノード配線２１及びカソード配線２２と、基材２０の裏面に配置されたアノード端子２３及びカソード端子２４と、からなるプリント基板である。アノード配線２１、カソード配線２２、アノード端子２３及びカソード端子２４は、銅等の導電性薄膜により形成される配線パターンである。また、アノード配線２１とアノード端子２３との間、及びカソード配線２２とカソード端子２４との間は、不図示のスルーホールを介して接続される。本実施形態においては、基板１０は一辺が４．２ｍｍの正方形の平面形状を有し、厚さは０．３ｍｍである。

【0019】

発光素子１１は、上面、下面及び側面を有し、矩形の平面形状を有する青色ＬＥＤダイである。発光素子１１はアノード電極とカソード電極を有し、発光素子１１のアノード電極とカソード電極との間に順方向電圧が印加されることに応じて、発光素子１１の上面及び側面から青色光を出射する。発光素子１１から出射される青色光の主波長は、４４５ｎｍと４９５ｎｍとの間の範囲内である。発光素子１１は、透明な基板であるサファイヤ基板上に窒化ガリウム層により形成されるＰＮ接合層を積層して形成される。本実施形態において、発光素子１１のアノード電極及びカソード電極の両電極は、発光素子１１の上面に配置される。また、発光素子１１は、厚さが０．２ｍｍ、一辺が０．７ｍｍの正方形の平面形状を有し、発光素子１１から出射される青色光の主波長は４５０ｎｍである。

【0020】

基板１０の上面には４個の発光素子１１が配置される。４個の発光素子１１は、アノード配線２１とカソード配線２２の間にボンディングワイヤ１６によって順方向に直列接続される。直列接続された一端の発光素子１１ａのアノード電極はアノード配線２１と接続され、直列接続された他端の発光素子１１ｂのカソード電極はカソード配線２２に接続される。そして、４個の発光素子１１は、アノード配線２１及びカソード配線２２を介して接続されるアノード端子２３とカソード端子２４との間に順方向電圧が印加されることに応じて青色光を出射する。

【0021】

ボンディングワイヤ１６は、金又は銅等の導電体により形成されたワイヤであり、一の発光素子１１のカソード電極と他の発光素子１１のアノード電極との間、直列接続された一端の発光素子１１ａのアノード端子とアノード配線２１との間、及び直列接続された他端の発光素子１１ｂのカソード端子とカソード配線２２との間を電気的に接続する。

【0022】

本実施形態においては、４個の発光素子１１が配置されているが、本発明に係る発光装置においては、配置される発光素子の個数は１~３個でも良く、５個以上でも良い。また、本実施形態においては、複数の発光素子が直列接続されているが、本発明に係る発光装置においては、並列接続でも良いし、直列接続と並列接続の併用であっても良い。

【0023】

また、本実施形態においては、発光素子１１のアノード電極及びカソード電極の両電極は発光素子１１の上面に配置されるが、本発明に係る発光装置においては、アノード電極及びカソード電極の両電極の一方若しくは両方が発光素子の下面に配置されても良い。

【0024】

また、本実施形態においては、発光素子１１は、ボンディングワイヤ１６によって電気的に接続されるが、本発明に係る発光装置においては、発光素子は、基板上に配置された銅等の導電性薄膜により形成される配線パターンによって接続されても良い。

【0025】

波長変換部材１２は、母材としての第１透明樹脂３１の中に第１蛍光体３２を含有させた合成樹脂材であり、発光素子１１の上面を覆うように配置される。平面視において、正方形の発光素子１１の上面に内接する様に略円形の波長変換部材１２が配置される。平面視において、正方形の発光素子１１の上面に内接する様に略円形の波長変換部材１２が配置されるので、発光素子１１の上面の四隅には波長変換部材１２は配置されず、波長変換部材１２は発光素子１１の上面の一部にのみ配置される。本実施形態においては、波長変換部材１２は発光素子１１の上面の一部にのみ配置されているが、本発明に係る発光装置においては、波長変換部材は発光素子の上面を全体に亘って覆っても良い。このように、波長変換部材は発光素子の上面の少なくとも一部を覆うように配置されていればよい。

【0026】

第１透明樹脂３１は、ジメチルを含有したシリコーン樹脂等の透明な樹脂である。第１透明樹脂３１の屈折率は１．４０以上１．６０未満である。本実施形態において、第１透明樹脂３１の屈折率は１．４１である。

【0027】

第１蛍光体３２は、例えば、Ｙ３（Ａｌ、Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ３＋若しくはＬＵ３Ａｌ５０１２：Ｃｅ３＋等のセリウムで賦活されたガーネット系蛍光体、ＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ２＋若しくは（Ｓｒ，Ｃａ）ＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ２＋等のユーロピウムで賦活された窒化物系蛍光体、Ｋ２ＳｉＦ６：Ｍｎ４＋等のマンガンで賦活されたフッ化物系蛍光体、又はこれらの混合物であり、発光素子１１が発する青色光を吸収して、赤色、緑色、黄色等に波長変換した光を出射する。本実施形態において、第１蛍光体３２は、ＳＣＡＳＮとも称される（Ｓｒ，Ｃａ）ＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ２＋であり、発光素子１１が発する青色光を吸収して、主波長６４０ｎｍの赤色に波長変換した光を出射する。

【0028】

反射枠体１３は、酸化チタン等の白色の粒子が含有されたシリコーン樹脂などの合成樹脂で形成され、８０％以上の光反射率を有し、基板１０の上面において、発光素子１１を囲むように配置される。反射枠体１３は、封止材１５の流出を防止する。

【0029】

透明層１４は、アクリル樹脂、フッ素化合物及びシリコーン樹脂を含有した透明な合成樹脂から成る層である。ドーム状の曲面形状からなる波長変換部材１２の表面を、波長変換部材１２の表面形状に沿いながら薄い膜で覆う様に配置される。透明層１４がこのように配置されることで、波長変換部材１２を構成する第１透明樹脂３１及び第１蛍光体３２を、封止材１５とは隔離して配置することができ、波長変換部材１２の表面において、第１透明樹脂３１に覆われずに露出する様に配置された第１蛍光体３２も封止材１５とは隔離して配置することができる。透明層１４の屈折率は、１．４０以上１．５０未満であり、第２透明樹脂３３の屈折率は１．５０以上１．６０未満である。したがって、透明層１４の屈折率は、第２透明樹脂３３の屈折率より低い。また、波長変換部材１２の表面形状に沿いながら覆う様に配置される透明層１４の厚さは、１μｍ以上２μｍ以下である。なお、透明層１４は、発光素子１１の側面を覆うように配置されても良いし、アノード配線２１及びカソード配線２２を覆うように基板１０の上面に配置されても良い。本実施形態においては、透明層１４の屈折率は１．４１である。

【0030】

封止材１５は、母材としての第２透明樹脂３３の中に第２蛍光体３４を含有させた合成樹脂材である。封止材１５は、反射枠体１３に囲まれる領域において、基板１０の上面、発光素子１１、波長変換部材１２、透明層１４及びボンディングワイヤ１６を覆う様に配置される。

【0031】

第２透明樹脂３３は、フェニルを含有したシリコーン樹脂等の透明な樹脂である。前述したように、第２透明樹脂３３の屈折率は１．５０以上１．６０未満である。本実施形態において、第２透明樹脂３３の屈折率は１．５４である。

【0032】

第２蛍光体３４は、例えば、Ｙ３（Ａｌ、Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ３＋若しくはＬＵ３Ａｌ５０１２：Ｃｅ３＋等のセリウムで賦活されたガーネット系蛍光体、ＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ２＋若しくは（Ｓｒ，Ｃａ）ＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ２＋等のユーロピウムで賦活された窒化物系蛍光体、Ｋ２ＳｉＦ６：Ｍｎ４＋等のマンガンで賦活されたフッ化物系蛍光体、又はこれらの混合物であり、発光素子１１が発する青色光を吸収して、赤色、緑色、黄色等に波長変換した光を出射する。第２蛍光体３４が発光素子１１の発する青色光を吸収して出射する波長変換された光の主波長は、第１蛍光体３２が発光素子１１の発する青色光を吸収して出射する波長変換された光の主波長とは異なる。本実施形態においては、第２蛍光体３４は、ＹＡＧとも称されるＹ３（Ａｌ、Ｇａ）５０１２：Ｃｅ３+であり、発光素子１１が発する青色光を吸収して、主波長５４０ｎｍの緑色に波長変換した光を出射する。第２蛍光体３４が出射する光の主波長は、第１蛍光体３２が出射する光の主波長よりも短いことが好ましい。なお、図に示した第１蛍光体、第２蛍光体の形状は便宜上のものであって、実際の形状とは異なる。

【0033】

発光装置１は、発光素子１１の上面から出射される青色光と、発光素子１１の上面から出射された青色光が第１蛍光体３２により波長変換された光と、発光素子１１の側面から出射される青色光と、発光素子１１の側面から出射された青色光が第２蛍光体３４により波長変換された光との合成光を光出射面１７から出射する。

【0034】

本実施形態に係る発光装置においては、封止材１５には第２蛍光体３４が含有されるが、必ずしも封止材１５には第２蛍光体３４が含有されなくても良い。封止材１５に第２蛍光体３４が含有されない発光装置では、発光素子１１の上面から出射される青色光と、発光素子１１の上面から出射された青色光が第１蛍光体により波長変換された光と、発光素子１１の側面から出射される青色光との合成光が光出射面１７から出射される。

【0035】

図３は、本実施形態に係る発光装置１の製造工程を示す図である。図３（ａ）は第１工程を示し、図３（ｂ）は第２工程を示し、図３（ｃ）は第３工程を示し、図３（ｄ）は第４工程を示し、図３（ｅ）は第５工程を示し、図３（ｆ）は第６工程を示す。図３（ａ）～（ｆ）に示す図は、図１のＡ－Ａ’線に沿う断面に対応する断面図である。図３（ｂ）～（ｆ）においてボンディングワイヤ１６は省略される。

【0036】

まず、第１工程において、基板１０が準備される。

【0037】

次に、第２工程において、基板１０の上面に４個の発光素子１１が配置されると共に、発光素子１１とアノード配線２１との間、発光素子１１とカソード配線との間、及び、発光素子１１同士の間がボンディングワイヤ１６によって接続される。

【0038】

次に、第３工程において、発光素子１１の上面に波長変換部材１２が配置される。波長変換部材１２は、発光素子１１の上面において表面張力により保持された状態で加熱等により固化されて配置される。本実施形態においては、波長変換部材１２は、発光素子１１の上面において表面張力によりドーム形状に保持された状態で固化されて配置されるが、本発明に係る発光装置においては、波長変換部材は、正面形状が矩形であって、上面が平坦なシート状の固形物であって、発光素子の上面に接着されて配置されても良い。

【0039】

次に、第４工程において、基板１０の外縁に沿って４個の発光素子１１を囲むように反射枠体１３が配置される。

【0040】

次に、第５工程において、波長変換部材１２の表面全体を覆うようにして透明層１４が形成される。

【0041】

次に、第６工程において、反射枠体１３の内側に封止材１５が充填及び固化されて発光装置１の製造工程は終了する。本発明に係る発光装置においては、反射枠体１３は除去されても良い。

【0042】

図４は、本実施形態に係る発光装置１の動作を説明するための模式図である。

【0043】

図４において、矢印Ｌ１は発光素子１１の側面から出射される光の一部の光路を示している。Ｌ１に示す通り、発光素子１１の側面から出射される光の一部は、封止材１５に入射し、第２透明樹脂３３を透過する一方、第２透明樹脂３３を透過した光の一部が第２蛍光体３４に吸収され、主波長５４０ｎｍの緑色に波長変換された光を出射する。さらに、第２蛍光体３４から波長変換部材１２の方向に進んだ光は透明層１４に到達する。透明層１４の屈折率が第２透明樹脂３３の屈折率より低いので、透明層１４に到達した光のうち、透明層１４に対して臨界角θｃより大きい入射角θ１で透明層１４に到達した光は、透明層１４の表面で全反射され、波長変換部材１２に入射しない。そのため、第１蛍光体３２で波長変換されることなく、効率よく光出射面１７から光を出射する。

【0044】

図４において、矢印Ｌ２は発光素子１１の側面から出射される光の一部の光路を示している。Ｌ２に示す通り、発光素子１１の側面から出射される光の一部は、封止材１５に入射し、第２透明樹脂３３を透過する。第２透明樹脂３３を透過した光の一部は、第２蛍光体３４に到達することなく、反射枠体１３に到達して反射する。反射枠体１３で反射した光の一部は、波長変換部材１２の方向に進んで透明層１４に到達する。透明層１４の屈折率が第２透明樹脂３３の屈折率より低いので、透明層１４に到達した光のうち、透明層１４に対して臨界角θｃより大きい入射角θ２で透明層１４に到達した光は、透明層１４の表面で全反射され、波長変換部材１２に入射しない。波長変換部材１２に入射しないので、そのため、第１蛍光体３２で波長変換されることなく、効率よく光出射面１７から光を出射する。

【0045】

図４において、矢印Ｌ３は発光素子１１の側面から出射される光の一部の光路を示している。Ｌ３に示す通り、発光素子１１の側面から出射される光の一部は、封止材１５に入射し、第２透明樹脂３３を透過する。第２透明樹脂３３を透過した光の一部は、他方の発光素子１１の上面に配置された波長変換部材１２の方向に進んで他方の透明層１４に到達する。透明層１４の屈折率が第２透明樹脂３３の屈折率より低いので、透明層１４に到達した光のうち、透明層１４に対して臨界角θｃより大きい入射角θ３で透明層１４に到達した光は、透明層１４の表面で全反射され、波長変換部材１２に入射しない。そのため、第１蛍光体３２で波長変換されることなく、効率よく光出射面１７から光を出射する。

【0046】

上記臨界角θｃは、透明層１４の屈折率をｎ１、第２透明樹脂３３の屈折率をｎ２とすると、θｃ＝ｓｉｎ－１（ｎ１／ｎ２）で示される角である。

【0047】

上記入射角θ１は、第２蛍光体３４ａで波長変換された光が透明層１４に到達したときの光の進行方向と、光が到達した地点における透明層１４の法線方向Ｎ１がなす角である。

【0048】

上記入射角θ２は、反射枠体１３で反射した光が透明層１４に到達したときの光の進行方向と、光が到達した地点における透明層１４の法線方向Ｎ２がなす角である。

【0049】

上記入射角θ３は、発光素子１１の側面から出射した光が透明層１４に到達したときの光の進行方向と、光が到達した地点における透明層１４の法線方向Ｎ３がなす角である。

【0050】

本実施形態においては、透明層１４は波長変換部材１２の表面を全体に亘って覆っているが、本発明の発光装置においては、透明層は波長変換部材の表面の一部を覆っていてもよい。透明層が波長変換部材の表面の一部を覆っていれば、波長変換部材の表面の一部を覆っている透明層の屈折率は、波長変換部材及び透明層を覆う封止材に含まれる第２透明層の屈折率より低いものとしたので、透明層において全反射される光が増え、波長変換部材に入射する光が減り、第１蛍光体で波長変換される光が低減され、効率よく光出射面から光を出射することができる。よって、透明層は、波長変換部材の表面の少なくとも一部を覆えばよい。

【0051】

波長変換部材１２の表面は、波長変換部材１２の厚さが発光素子１１の外縁から内側に向けて連続的に厚くなるような形状を有することが好ましい。波長変換部材１２の表面が、波長変換部材１２の厚さが発光素子１１の外縁から内側に向けて連続的に厚くなるような形状を有すると、波長変換部材１２の表面形状に沿いながら覆う様に配置される透明層１４の光出射面１７側の面へ入射する光の入射角が臨界角より大きくなり易くなるため、全反射される光が増える。全反射される光が増えることにより、波長変換部材１２に入射する光が減り、第１蛍光体３２で波長変換される光が低減され、効率よく光出射面１７から光を出射する。

【0052】

さらに、波長変換部材１２の表面は、ドーム状の曲面形状を有することが好ましい。波長変換部材１２の表面形状に沿いながら覆う様に配置される透明層１４の波長変換部材１２と接する側の面で、発光素子１１の上面から出射される光の入射角が臨界角より小さくなり易くなるため、全反射される光が減るからである。全反射される光が減ることにより、透明層１４を透過する光が増え、効率よく光出射面１７から光を出射する。

【0053】

さらに、第１蛍光体３２が出射する光の主波長は、第２蛍光体３４が出射する光の主波長より大きいことが好ましい。第１蛍光体３２から出射した光が、第２蛍光体３４で波長変換されることが低減され、効率よく光出射面１７から光を出射するからである。

【0054】

図５は、本実施形態の変形例に係る発光装置の断面図であり、図２（ａ）に示すＡ－Ａ’線に沿う断面図である。図５においてボンディングワイヤ１６は省略される。

【0055】

発光装置１ａは、封止材１５に含まれる第２蛍光体３４の配置の分布のみが発光装置１と相違する。

【0056】

発光装置１ａにおいて、発光素子１１の上面より高さ位置が低い領域の封止材１５に含まれる第２蛍光体３４の含有重量は、発光素子１１の上面より高さ位置が高い領域の封止材１５に含まれる第２蛍光体３４の含有重量より多い。発光素子１１の上面を境にして第２蛍光体３４の含有量を変えることで、第２蛍光体３４から出射される光のうち、透明層１４の表面で全反射される光が増えて波長変換部材１２に入射する光が減る。そのため、第１蛍光体３２で波長変換される光が低減され、光出射面１７から効率よく光を出射することができる。

【0057】

発光素子１１の上面より低い領域の封止材１５に含まれる第２蛍光体３４の含有重量を、発光素子１１の上面より高い領域の封止材１５に含まれる第２蛍光体３４の含有重量より多くするには、本実施形態の第６工程において、反射枠体１３の内側に充填された封止材１５の固化を、第２蛍光体３４を沈降させてから行うようにすれば良い。

【符号の説明】

【0058】

１、１ａ 発光装置
１０ 基板
１１ 発光素子
１３ 反射枠体
１２ 波長変換部材
１４ 透明層
１５ 封止材
１６ ボンディングワイヤ
１７ 光出射面
２０ 基材
２１ アノード配線
２２ カソード配線
２３ アノード端子
２４ カソード端子
３１ 第１透明樹脂
３２ 第１蛍光体
３３ 第２透明樹脂
３４ 第２蛍光体

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】