(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024124772
(43)【公開日】2024-09-13
(54)【発明の名称】ニッケル粉末の製造方法およびその利用
(51)【国際特許分類】
B22F 1/14 20220101AFI20240906BHJP
B22F 1/054 20220101ALI20240906BHJP
B22F 9/00 20060101ALI20240906BHJP
B22F 1/00 20220101ALI20240906BHJP
【ＦＩ】
B22F1/14 300
B22F1/054
B22F9/00 B
B22F1/00 M
【審査請求】未請求
【請求項の数】10
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023032673
(22)【出願日】2023-03-03
(71)【出願人】
【識別番号】000004293
【氏名又は名称】ノリタケ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100117606
【弁理士】
【氏名又は名称】安部 誠
(74)【代理人】
【識別番号】100121186
【弁理士】
【氏名又は名称】山根 広昭
(72)【発明者】
【氏名】櫻場 俊徳
【テーマコード（参考）】
4K017
4K018
【Ｆターム（参考）】
4K017AA03
4K017AA04
4K017BA03
4K017BA05
4K017BB05
4K017BB06
4K017CA08
4K017DA08
4K017FB05
4K018AA07
4K018BA04
4K018BB05
4K018BC29
4K018KA39
(57)【要約】
【課題】平均粒子径が１００ｎｍ以下のＮｉ粒子を含むニッケル粉末の分散性を向上する。
【解決手段】ここに開示される製造方法は、ＦＥ－ＳＥＭ観察に基づいた平均粒子径が１００ｎｍ以下であるＮｉ粒子が有機溶媒に分散したＮｉスラリーを準備する準備工程と、酸化ガスまたは還元ガスをＮｉスラリーに供給しながら加熱するバブリング処理を実施することによって、Ｎｉ粒子の表面におけるＮｉ（ＯＨ）２を低減する水酸化Ｎｉ低減工程とを含む。かかる構成の製造方法を経て生成されたＮｉ粒子は、粒子表面におけるＮｉ粒子表面の親水基の数が減少している。この結果、有機成分を主成分とする電極ペーストに対して好適な分散性を発揮するニッケル粉末を得ることができる。
【選択図】図１
【解決手段】ここに開示される製造方法は、ＦＥ－ＳＥＭ観察に基づいた平均粒子径が１００ｎｍ以下であるＮｉ粒子が有機溶媒に分散したＮｉスラリーを準備する準備工程と、酸化ガスまたは還元ガスをＮｉスラリーに供給しながら加熱するバブリング処理を実施することによって、Ｎｉ粒子の表面におけるＮｉ（ＯＨ）２を低減する水酸化Ｎｉ低減工程とを含む。かかる構成の製造方法を経て生成されたＮｉ粒子は、粒子表面におけるＮｉ粒子表面の親水基の数が減少している。この結果、有機成分を主成分とする電極ペーストに対して好適な分散性を発揮するニッケル粉末を得ることができる。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
ＦＥ－ＳＥＭ観察に基づいた平均粒子径が１００ｎｍ以下であるＮｉ粒子が有機溶媒に分散したＮｉスラリーを準備する準備工程と、
酸化ガスまたは還元ガスを前記Ｎｉスラリーに供給しながら加熱するバブリング処理を実施することによって、前記Ｎｉ粒子の表面におけるＮｉ（ＯＨ）２を低減する水酸化Ｎｉ低減工程と
を含む、ニッケル粉末の製造方法。
酸化ガスまたは還元ガスを前記Ｎｉスラリーに供給しながら加熱するバブリング処理を実施することによって、前記Ｎｉ粒子の表面におけるＮｉ（ＯＨ）２を低減する水酸化Ｎｉ低減工程と
を含む、ニッケル粉末の製造方法。
【請求項2】
前記準備工程において、ＣＶ値が０．２以下のＮｉ粒子を用いる、請求項１に記載のニッケル粉末の製造方法。
【請求項3】
前記バブリング処理を実施する時間が５分以上である、請求項１または２に記載のニッケル粉末の製造方法。
【請求項4】
前記酸化ガスは、酸素、オゾンから選択される一種を含む、請求項１または２に記載のニッケル粉末の製造方法。
【請求項5】
前記還元ガスは、水素、一酸化炭素から選択される一種を含む、請求項１または２に記載のニッケル粉末の製造方法。
【請求項6】
前記Ｎｉ粒子は、コア粒子と、当該コア粒子の表面の少なくとも一部を被覆するシェルとを備えたコアシェル粒子であり、前記シェルにニッケル元素が含まれている、請求項１または２に記載のニッケル粉末の製造方法。
【請求項7】
Ｎｉ粒子を主体とするニッケル粉末であって、
前記Ｎｉ粒子は、
ＦＥ－ＳＥＭ観察に基づいた平均粒子径が１００ｎｍ以下であり、
Ｘ線光電子分光法により測定される前記Ｎｉ粒子の光電子スペクトルにおいて、Ｎｉ２ｐ軌道を示す領域におけるＮｉとＮｉＯとＮｉ（ＯＨ）２の合計ピーク面積に対する、前記Ｎｉ（ＯＨ）２のピーク面積の比率が６０％以下である、ニッケル粉末。
前記Ｎｉ粒子は、
ＦＥ－ＳＥＭ観察に基づいた平均粒子径が１００ｎｍ以下であり、
Ｘ線光電子分光法により測定される前記Ｎｉ粒子の光電子スペクトルにおいて、Ｎｉ２ｐ軌道を示す領域におけるＮｉとＮｉＯとＮｉ（ＯＨ）２の合計ピーク面積に対する、前記Ｎｉ（ＯＨ）２のピーク面積の比率が６０％以下である、ニッケル粉末。
【請求項8】
前記Ｎｉ粒子は、
前記合計ピーク面積に対する前記Ｎｉのピーク面積の比率が１２％以上４０％以下であり、かつ、
前記合計ピーク面積に対する前記ＮｉＯのピーク面積の比率が１０％以上５０％以下である、請求項７に記載のニッケル粉末。
前記合計ピーク面積に対する前記Ｎｉのピーク面積の比率が１２％以上４０％以下であり、かつ、
前記合計ピーク面積に対する前記ＮｉＯのピーク面積の比率が１０％以上５０％以下である、請求項７に記載のニッケル粉末。
【請求項9】
前記Ｎｉ粒子は、
前記合計ピーク面積に対する前記Ｎｉのピーク面積の比率が４０％以上７０％以下であり、かつ、
前記合計ピーク面積に対する前記ＮｉＯのピーク面積の比率が１％以上１０％以下である、請求項７に記載のニッケル粉末。
前記合計ピーク面積に対する前記Ｎｉのピーク面積の比率が４０％以上７０％以下であり、かつ、
前記合計ピーク面積に対する前記ＮｉＯのピーク面積の比率が１％以上１０％以下である、請求項７に記載のニッケル粉末。
【請求項10】
請求項７に記載のニッケル粉末と、
前記ニッケル粉末を分散させる分散媒と、
を含む、電極ペースト。
前記ニッケル粉末を分散させる分散媒と、
を含む、電極ペースト。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
ここに開示される技術は、ニッケル粉末の製造方法およびその利用に関する。
【背景技術】
【0002】
積層セラミックコンデンサ（ＭＬＣＣ）などの電子部品の電極は、例えば、ニッケル粉末を含む電極ペーストを焼成することで形成される。このニッケル粉末中のＮｉ粒子の表面には、ニッケル単体（Ｎｉ）以外に、酸化ニッケル（ＮｉＯ）や水酸化ニッケル（Ｎｉ（ＯＨ）２）などが存在している。このＮｉ粒子の表面状態は、電極ペーストを焼成する際の収縮量や、電極ペースト内の分散性などに影響を与える要素である。このため、近年では、ニッケル粉末中のＮｉ粒子の表面状態を制御する技術が提案されている。
【0003】
例えば、特許文献１には、ニッケル粉体を窒素含有化合物（一級アルキルアミン、脂肪族アミド）で処理する技術が開示されている。これによって、粒子表面のＮｉ含有成分（Ｎｉ単体、Ｎｉ（ＯＨ）２、ＮｉＯ）に対するＮｉ単体の比率が５０％以上に増加する。このようなＮｉ単体の割合が高いニッケル粉体は、焼成中の熱収縮量が少なくなる。この結果、基材と電極との熱収縮量の差に起因する構造的欠陥（クラック等）を抑制できるとされている。また、特許文献２に記載のＮｉ粒子は、粒子表面の組成が、Ｎｉ：３～２２ｍｏｌ％、Ｎｉ（ＯＨ）２：６４～８５ｍｏｌ％、ＮｉＯ：０～１４ｍｏｌ％に制御されている。特許文献２には、上記構成のＮｉ粒子によると、Ｎｉ粉末と共材との分散状態を改善できると記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特許６６４７４５８号
【特許文献2】特許６２９２０１４号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
ところで、近年では、電極形成用のニッケル粉末の微小化が試みられている。例えば、平均粒子径が１００ｎｍ以下のＮｉ粒子を含む電極ペーストを用いると、焼成後の電極の膜厚が大幅に薄くなるため、電子部品の小型化に大きく貢献できる。しかしながら、平均粒子径が１００ｎｍ以下のＮｉ粒子は、表面積が大きいため、電極ペースト内での分散性が低くなる傾向がある。そして、凝集によって粗大な二次粒子が生じると、焼成後の電極の表面平滑性が低下する可能性がある。ここに開示される技術は、かかる事情に鑑みてなされたものであり、平均粒子径が１００ｎｍ以下のＮｉ粒子を含むニッケル粉末の分散性を向上することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
上記課題を解決するために、ここに開示される技術によって、以下の構成のニッケル粉末の製造方法（以下、単に「製造方法」ともいう。）が提供される。
【0007】
ここに開示される製造方法は、ＦＥ－ＳＥＭ観察に基づいた平均粒子径が１００ｎｍ以下であるＮｉ粒子が有機溶媒に分散したＮｉスラリーを準備する準備工程と、酸化ガスまたは還元ガスをＮｉスラリーに供給しながら加熱するバブリング処理を実施することによって、Ｎｉ粒子の表面におけるＮｉ（ＯＨ）２を低減する水酸化Ｎｉ低減工程とを含む。
【0008】
本発明者は、上述の課題を解決するための検討を重ね、粒子表面のＮｉ（ＯＨ）２量が多いＮｉ粒子は、多くの親水基（ＯＨ基）を有しているため、分散媒やバインダなどの有機成分を多く含む電極ペーストに分散しにくいと考えた。そして、本発明者は、上記知見に基づいてＮｉ粒子表面のＮｉ（ＯＨ）２量を低減させる手段を検討した結果、酸化ガスまたは還元ガスを供給しながら加熱するバブリング処理を発見するに至った。具体的には、酸化ガスを用いたバブリング処理を実施すると、粒子表面のＮｉ（ＯＨ）２が酸化されてＮｉＯが生成される。一方、還元ガスを用いたバブリング処理を実施すると、粒子表面のＮｉ（ＯＨ）２が還元されてＮｉが生成される。これらのバブリング処理によって、Ｎｉ粒子表面のＮｉ（ＯＨ）２量を低減すれば、電極ペーストに対するＮｉ粒子の分散性を向上できる。
【0009】
ここに開示される製造方法の一態様では、準備工程において、ＣＶ値が０．２以下のＮｉ粒子を用いる。粒子径のＣＶ値が少ないＮｉ粒子を用いることによって、膜厚が薄く、かつ、表面が平滑な電極の形成に貢献できる。
【0010】
ここに開示される製造方法の一態様では、水酸化Ｎｉ低減工程におけるバブリング時間が５分以上である。これによって、Ｎｉ粒子の表面のＮｉ（ＯＨ）２量をより好適に低減できる。
【0011】
ここに開示される製造方法の一態様では、酸化ガスは、酸素、オゾンから選択される一種を含む。これらを含む酸化ガスを用いることによって、粒子表面のＮｉ（ＯＨ）２量をより好適に低減できる。
【0012】
ここに開示される製造方法の一態様では、還元ガスは、水素、一酸化炭素から選択される一種を含む。これらを含む還元ガスを用いることによって、粒子表面のＮｉ（ＯＨ）２量をより好適に低減できる。
【0013】
ここに開示される製造方法の一態様では、Ｎｉ粒子は、コア粒子と、当該コア粒子の表面の少なくとも一部を被覆するシェルとを備えたコアシェル粒子であり、シェルにニッケル元素が含まれている。これによって、粒子径を小さい状態に維持しつつ、多量の粒子を生成できる。
【0014】
また、ここに開示される技術の他の側面として、Ｎｉ粒子を主体とするニッケル粉末が提供される。かかるニッケル粉末のＮｉ粒子は、ＦＥ－ＳＥＭ観察に基づいた平均粒子径が１００ｎｍ以下であり、Ｘ線光電子分光法により測定されるＮｉ粒子の光電子スペクトルにおいて、Ｎｉ２ｐ軌道を示す領域におけるＮｉとＮｉＯとＮｉ（ＯＨ）２の合計ピーク面積に対する、Ｎｉ（ＯＨ）２のピーク面積の比率が６０％以下である。
【0015】
上述の通り、ここに開示される製造方法によると、粒子表面のＮｉ（ＯＨ）２量が低減したＮｉ粒子を生成できる。このＮｉ粒子は、粒子表面に対するＸＰＳ解析において、ニッケル含有物（Ｎｉ、ＮｉＯ、Ｎｉ（ＯＨ）２）の合計ピーク面積に対するＮｉ（ＯＨ）２のピーク面積の比率が６０％以下に低下する。かかるＮｉ粒子は、電極ペースト内での分散性に優れている。
【0016】
ここに開示されるニッケル粉末の一態様では、Ｎｉ粒子は、合計ピーク面積に対するＮｉのピーク面積の比率が１０％以上４０％以下であり、かつ、合計ピーク面積に対するＮｉＯのピーク面積の比率が１０％以上５０％以下である。上述のように、水酸化Ｎｉ低減工程においてＮｉ粒子表面のＮｉ（ＯＨ）２を酸化すると、粒子表面のＮｉＯ量が増大したＮｉ粒子が生成される。
【0017】
ここに開示されるニッケル粉末の一態様では、Ｎｉ粒子は、合計ピーク面積に対するＮｉのピーク面積の比率が４０％以上７０％以下であり、かつ、合計ピーク面積に対するＮｉＯのピーク面積の比率が１％以上１０％以下である。上述のように、水酸化Ｎｉ低減工程においてＮｉ粒子表面のＮｉ（ＯＨ）２を還元すると、粒子表面のＮｉ量が増大したＮｉ粒子が生成される。
【0018】
また、ここに開示される技術の他の側面として、電極ペーストが提供される。ここに開示される電極ペーストは、上記構成のニッケル粉末と、ニッケル粉末を分散させる分散媒とを含む。この電極ペーストには、Ｎｉ粒子表面のＮｉ（ＯＨ）２量が低減されたＮｉ粒子が含まれている。かかるＮｉ粒子は、電極ペースト中で好適に分散する。これによって、膜厚が薄く、かつ、表面平滑性に優れた電極を容易に形成できる。
【図面の簡単な説明】
【0019】
【図1】一実施形態に係るニッケル粒子の製造方法を示すフロー図である。
【発明を実施するための形態】
【0020】
以下、ここに開示される技術の好適な実施形態について説明する。なお、本明細書において特に言及している事項以外の事柄であって、ここに開示される技術の実施に必要な事柄は、当該分野における従来技術に基づく当業者の設計事項として把握され得る。ここに開示される技術は、本明細書に開示されている内容と当該分野における技術常識とに基づいて実施することができる。なお、以下の説明は、ここで開示される技術を特定の実施形態に限定することを意図したものではない。なお、本明細書および特許請求の範囲において、所定の数値範囲をＡ～Ｂ（Ａ、Ｂは任意の数値）と記すときは、「Ａ以上Ｂ以下」の意味である。したがって、「Ａ超Ｂ未満」を包含する。
【0021】
１．ニッケル粒子の製造方法
以下、本実施形態に係るニッケル粒子の製造方法について説明する。図１は、本実施形態に係るニッケル粒子の製造方法を示すフロー図である。図１に示すように、本実施形態に係る製造方法は、準備工程Ｓ１０と、水酸化Ｎｉ低減工程Ｓ２０とを含む。さらに、本実施形態に係る製造方法では、水酸化Ｎｉ低減工程Ｓ２０を実施した後に分離工程Ｓ３０を実施する。以下、各工程について説明する。
以下、本実施形態に係るニッケル粒子の製造方法について説明する。図１は、本実施形態に係るニッケル粒子の製造方法を示すフロー図である。図１に示すように、本実施形態に係る製造方法は、準備工程Ｓ１０と、水酸化Ｎｉ低減工程Ｓ２０とを含む。さらに、本実施形態に係る製造方法では、水酸化Ｎｉ低減工程Ｓ２０を実施した後に分離工程Ｓ３０を実施する。以下、各工程について説明する。
【0022】
（１）準備工程Ｓ１０
準備工程Ｓ１０では、有機溶媒にＮｉ粒子が分散したＮｉスラリーを準備する。例えば、Ｎｉスラリーは、有機溶媒にＮｉ粒子を添加して分散処理を行うことで調製できる。また、Ｎｉ粒子は、例えば、有機溶媒にＮｉ塩を添加してＮｉ錯体を生成した後に、加熱処理でＮｉ粒子を析出させる熱分解法で生成される。この熱分解法を行うと、有機溶媒中にＮｉ粒子が分散された状態となるため、そのままＮｉスラリーとして使用することもできる。なお、ここに開示される技術における準備工程Ｓ１０は、Ｎｉスラリーを自ら調製することを必須とするものではなく、市販のＮｉスラリーを購入等してもよい。すなわち、準備工程Ｓ１０の詳細な手順は、ここに開示される技術を限定するものではなく、従来公知の手段を特に制限なく採用できる。
準備工程Ｓ１０では、有機溶媒にＮｉ粒子が分散したＮｉスラリーを準備する。例えば、Ｎｉスラリーは、有機溶媒にＮｉ粒子を添加して分散処理を行うことで調製できる。また、Ｎｉ粒子は、例えば、有機溶媒にＮｉ塩を添加してＮｉ錯体を生成した後に、加熱処理でＮｉ粒子を析出させる熱分解法で生成される。この熱分解法を行うと、有機溶媒中にＮｉ粒子が分散された状態となるため、そのままＮｉスラリーとして使用することもできる。なお、ここに開示される技術における準備工程Ｓ１０は、Ｎｉスラリーを自ら調製することを必須とするものではなく、市販のＮｉスラリーを購入等してもよい。すなわち、準備工程Ｓ１０の詳細な手順は、ここに開示される技術を限定するものではなく、従来公知の手段を特に制限なく採用できる。
【0023】
次に、本実施形態に係る製造方法で用いられ得るＮｉスラリーの原料を説明する。
【0024】
（ａ）Ｎｉ粒子
ニッケル粒子（Ｎｉ粒子）は、焼成後の電極の主成分を構成する材料である。かかるＮｉ粒子を焼成することによって高性能（低抵抗）の導電部材を安価に形成できる。このため、Ｎｉ粒子は、ＭＬＣＣ等の電子部品の電極材料として好適である。なお、本明細書における「Ｎｉ粒子」は、粒子表層の主要元素がＮｉである粒子のことをいう。すなわち、本明細書における「Ｎｉ粒子」は、粒子全体がＮｉで構成された粒子（Ｎｉ単体粒子）だけでなく、Ｎｉ合金粒子、コアシェル粒子などを包含する概念である。なお、上述した「粒子表層の主要元素がＮｉである」とは、ＸＰＳを用いた元素分析において、粒子表層（粒子表面から１０ｎｍの厚みの領域）で最も多く確認される金属元素がＮｉであることを意味する。具体的には、本明細書における「Ｎｉ粒子」は、粒子表層を構成する金属元素の総数を１００モル％としたとき、５０モル％以上（好適には６０モル％以上、より好適には７０モル％以上、さらに好適には８０モル％以上、特に好適には９０モル％以上）がＮｉ元素である粒子のことをいう。なお、Ｎｉ粒子に含まれ得るＮｉ以外の金属元素としては、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）、パラジウム（ｐｄ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、亜鉛（Ｚｎ）、リチウム（Ｌｉ）、ナトリウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、バリウム（Ｂａ）などが挙げられる。
ニッケル粒子（Ｎｉ粒子）は、焼成後の電極の主成分を構成する材料である。かかるＮｉ粒子を焼成することによって高性能（低抵抗）の導電部材を安価に形成できる。このため、Ｎｉ粒子は、ＭＬＣＣ等の電子部品の電極材料として好適である。なお、本明細書における「Ｎｉ粒子」は、粒子表層の主要元素がＮｉである粒子のことをいう。すなわち、本明細書における「Ｎｉ粒子」は、粒子全体がＮｉで構成された粒子（Ｎｉ単体粒子）だけでなく、Ｎｉ合金粒子、コアシェル粒子などを包含する概念である。なお、上述した「粒子表層の主要元素がＮｉである」とは、ＸＰＳを用いた元素分析において、粒子表層（粒子表面から１０ｎｍの厚みの領域）で最も多く確認される金属元素がＮｉであることを意味する。具体的には、本明細書における「Ｎｉ粒子」は、粒子表層を構成する金属元素の総数を１００モル％としたとき、５０モル％以上（好適には６０モル％以上、より好適には７０モル％以上、さらに好適には８０モル％以上、特に好適には９０モル％以上）がＮｉ元素である粒子のことをいう。なお、Ｎｉ粒子に含まれ得るＮｉ以外の金属元素としては、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）、パラジウム（ｐｄ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、亜鉛（Ｚｎ）、リチウム（Ｌｉ）、ナトリウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、バリウム（Ｂａ）などが挙げられる。
【0025】
上述した「コアシェル粒子」とは、コア粒子と、当該コア粒子の表面を被覆するシェルとを備えた多層構造の粒子である。Ｎｉ粒子としてコアシェル粒子を用いる場合には、Ｎｉ元素を含むシェルを形成する。一方、コア粒子の一例として、Ｃｕ粒子、Ａｕ粒子、Ｐｔ粒子、Ａｇ粒子、Ｐｄ粒子などが挙げられる。これらのコア粒子の表面にＮｉシェルを形成することによって、Ｎｉ粒子を生成する際の粒径制御が安定化する。従って、この種のコアシェル粒子の生成では、粒子径を小さい状態に維持しつつ、多量の粒子を生成できるため、生産性を向上させることもできる。なお、導電性の低下を抑制しつつ、材料コストが低いＮｉ粒子を得るという観点では、上記コア粒子の中でもＣｕ粒子が好適である。なお、シェルは、コア粒子の表面の少なくとも一部を被覆していればよく、コア粒子の全体を完全に被覆していなくてもよい。例えば、ＳＥＭ観察に基づいたＮｉシェルの平均被覆率が５０％以上（より好適には７０％以上、さらに好適には８０％以上、特に好適には９０％以上）であれば、十分な導電性を有するコアシェル粒子（Ｎｉ粒子）を得ることができる。なお、Ｎｉシェルの平均被覆率の上限値は、１００％以下でもよく、９９％以下でもよく、９５％以下でもよい。
【0026】
ここで、本実施形態では、ＦＥ－ＳＥＭ観察に基づいた平均粒子径が１００ｎｍ以下のＮｉ粒子を使用する。このような微小なＮｉ粒子を含む電極ペーストは、焼成後の電極の膜厚を薄くできるため、電子部品の小型化に貢献できる。一方で、微小化されたＮｉ粒子は、表面積が増大するため、電極ペースト中で凝集しやすくなる。この結果、粗大な二次粒子が生成されると、薄膜化した電極の表面から粗大粒子が突出して表面平滑性が低下するおそれがある。しかし、本実施形態に係る製造方法によると、電極ペーストに対するＮｉ粒子の分散性を向上できるため、当該Ｎｉ粒子の平均粒子径を１００ｎｍ以下にした場合でも凝集を防止することができる。なお、Ｎｉ粒子の平均粒子径は、８０ｎｍ以下が好ましく、７０ｎｍ以下がより好ましく、６０ｎｍ以下が特に好ましい。これによって、さらに膜厚が薄い電極を容易に形成できる。なお、Ｎｉ粒子の平均粒子径の下限値は、特に限定されず、１ｎｍ以上でもよく、５ｎｍ以上でもよく、１０ｎｍ以上でもよい。なお、本明細書における「ＦＥ－ＳＥＭ観察に基づいた平均粒子径」とは、電界放出型走査電子顕微鏡（ＦＥ－ＳＥＭ：Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｍｉｔｉｏｎ Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を用いて撮像したニッケル粉末の画像から抽出した１０００個のＮｉ粒子の粒度分布における個数基準の積算５０％粒径（Ｄ５０）である。
【0027】
なお、Ｎｉ粒子の形状は、特に限定されず、球形でもよく、非球形でもよい。非球形のＮｉ粒子の一例としては、板状、鱗片状、フレーク状、不定形状等の粒子が挙げられる。なお、球形のＮｉ粒子を使用する場合、当該Ｎｉ粒子のアスペクト比は、１．２以下が好ましく、１．１５以下がより好ましく、１．１以下が特に好ましい。これによって、電極ペースト中のＮｉ粒子の充填密度が向上しやすくなる。なお、このような球形のＮｉ粒子のアスペクト比の下限値は、１以上である。一方、非球形のＮｉ粒子を使用する場合、Ｎｉ粒子のアスペクト比は、１．３以上が好ましく、１．５以上がより好ましく、１．７以上がさらに好ましく、２以上が特に好ましい。このような高アスペクト比のＮｉ粒子を使用すると、電極ペースト内でＮｉ粒子が所定の方向に沿って配向するため、焼成後の電極内で好適な導電経路が形成されやすくなる。一方、粒子生成の容易さなどを考慮すると、非球形の、Ｎｉ粒子のアスペクト比の上限値は、５以下が好ましく、４以下がより好ましく、３以下が特に好ましい。また、本実施形態におけるニッケル粉末は、球形粒子と非球形粒子とを混合した混合粉体でもよい。
【0028】
また、本工程において熱分解法でＮｉ粒子を生成する場合、Ｎｉ供給源としてニッケル塩が用いられる。このニッケル塩としては、ギ酸ニッケル、硝酸ニッケル、硫酸ニッケル、炭酸ニッケル、カルボン酸ニッケル、水酸化ニッケル、塩化ニッケル等が挙げられる。これらのニッケル塩を有機溶媒に添加すると、ニッケル錯体が生成される。このニッケル錯体を加熱することによってＮｉ粒子を生成できる。また、Ｎｉシェルを有するコアシェル粒子を熱分解法で生成する場合、上記ニッケル塩と共に、コア粒子となる金属元素の塩を有機溶媒に添加するとよい。このとき、添加した金属元素の標準電位がＮｉよりも高いと、当該金属元素が優先的に析出する。これによって、所望の金属元素を含むコア粒子が生成された後に、当該コア粒子の表面にＮｉシェルを形成できる。このようなコア粒子を生成し得る金属元素の塩としては、ギ酸銅、酢酸銅、塩化銅、硫酸銅、硝酸銅、酢酸銀、硝酸銀、塩化銀、シュウ酸銀、塩化パラジウム、塩化白金酸、塩化金酸などが挙げられる。
【0029】
（ｂ）有機溶媒
本実施形態に係る製造方法では、Ｎｉ粒子を分散させる分散媒として有機溶媒を使用する。これによって、Ｎｉ粒子の表面に水分が接触し、Ｎｉ（ＯＨ）２量が増加することを防止できる。なお、有機溶媒は、Ｎｉ粒子を分散できるものであれば特に限定されない。この有機溶媒の一例として、エチレングリコール、アルコール類、アミン系化合物、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、アセトン等の低極性溶媒が挙げられる。なお、熱分解法でＮｉ粒子を生成する場合には、ニッケル塩を溶解した際にニッケル錯体を生成する有機溶媒を使用することが好ましい。このような有機溶媒としては、ｎ－オクチルアミン、２－エチルヘキシルアミン、ｎ－デシルアミン、ｎ－ドデシルアミン、ｎ－テトラデシルアミン、ｎ－ヘキサデシルアミン、ステアリルアミン、オレイルアミンなどのアミン系化合物が挙げられる。
本実施形態に係る製造方法では、Ｎｉ粒子を分散させる分散媒として有機溶媒を使用する。これによって、Ｎｉ粒子の表面に水分が接触し、Ｎｉ（ＯＨ）２量が増加することを防止できる。なお、有機溶媒は、Ｎｉ粒子を分散できるものであれば特に限定されない。この有機溶媒の一例として、エチレングリコール、アルコール類、アミン系化合物、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、アセトン等の低極性溶媒が挙げられる。なお、熱分解法でＮｉ粒子を生成する場合には、ニッケル塩を溶解した際にニッケル錯体を生成する有機溶媒を使用することが好ましい。このような有機溶媒としては、ｎ－オクチルアミン、２－エチルヘキシルアミン、ｎ－デシルアミン、ｎ－ドデシルアミン、ｎ－テトラデシルアミン、ｎ－ヘキサデシルアミン、ステアリルアミン、オレイルアミンなどのアミン系化合物が挙げられる。
【0030】
また、本実施形態におけるＮｉスラリーは、有機溶媒に対するＮｉ粒子の含有量が所定の範囲に調整されていることが好ましい。具体的には、有機溶媒に一定量以上のＮｉ粒子を分散させることによって、後述の水酸化Ｎｉ低減工程Ｓ２０を効率よく実施できる。かかる観点から、有機溶媒の重量（ｇ）を１００％としたときのＮｉ粒子の含有量は、０．５％以上が好ましく、１％以上がより好ましく、５％以上が特に好ましい。一方で、Ｎｉ粒子の含有量が多くなりすぎると、有機溶媒中でＮｉ粒子が適切に分散されず、水酸化Ｎｉ低減工程Ｓ２０におけるＮｉ（ＯＨ）２低減作用が不均一になるおそれがある。かかる観点から、上記Ｎｉ粒子の含有量の上限は、３０％以下が好ましく、２５％以下がより好ましく、２０％以下が特に好ましい。
【0031】
（２）水酸化Ｎｉ低減工程Ｓ２０
本工程では、酸化ガスまたは還元ガスをＮｉスラリーに供給しながら加熱するバブリング処理を実施する。これによって、Ｎｉ粒子の表面のＮｉ（ＯＨ）２量を低減できる。これによって、Ｎｉ粒子表面における親水基（ＯＨ基）が減少するため、有機溶媒やバインダを含む電極ペーストに対する分散性が向上する。この結果、電極ペースト中で凝集し難いＮｉ粒子を含むニッケル粉末を製造することができる。
本工程では、酸化ガスまたは還元ガスをＮｉスラリーに供給しながら加熱するバブリング処理を実施する。これによって、Ｎｉ粒子の表面のＮｉ（ＯＨ）２量を低減できる。これによって、Ｎｉ粒子表面における親水基（ＯＨ基）が減少するため、有機溶媒やバインダを含む電極ペーストに対する分散性が向上する。この結果、電極ペースト中で凝集し難いＮｉ粒子を含むニッケル粉末を製造することができる。
【0032】
例えば、本工程で酸化ガスをバブリングすると、Ｎｉ粒子表面のＮｉ（ＯＨ）２が酸化されてＮｉＯが生成される。これによって、Ｎｉ粒子表面における親水基（ＯＨ基）が減少する。また、生成されたＮｉＯは、Ｎｉ粒子の表面を被覆される。これによって、ＮｉスラリーからＮｉ粒子を分離した後に、大気中の水分によって粒子表面のＮｉ（ＯＨ）２量が増加することも抑制できる。なお、酸化ガスは、Ｎｉ（ＯＨ）２に対する酸化作用を有する従来公知の気体を特に制限なく使用できる。例えば、酸化ガスは、酸素、オゾン等の酸化成分を含んでいるとよい。また、酸化ガスは、副成分として、窒素、ヘリウム、アルゴンなどの不活性成分を含んでいてもよい。このような不活性成分を含む混合ガスを使用する場合には、上述の酸化成分を２０％以上（より好適には５０％以上、特に好適には７０％以上）含むことが好ましい。すなわち、本実施形態における酸化ガスは、酸素と窒素との混合気体である大気であってもよい。この場合でも、Ｎｉ粒子表面を好適に酸化できる。一方、混合ガス中の酸化成分の含有率の上限は、特に限定されず、１００％でもよく、９０％以下でもよい。
【0033】
一方、本工程において還元ガスをバブリングすると、Ｎｉ粒子表面のＮｉ（ＯＨ）２が還元されてＮｉが生成される。この場合も、Ｎｉ粒子表面における親水基（ＯＨ基）が減少するため、電極ペーストに対する分散性が向上する。なお、還元ガスは、Ｎｉ（ＯＨ）２に対する還元作用を有する従来公知の気体を特に制限なく使用できる。例えば、還元ガスは、水素、一酸化炭素等の還元成分を含んでいるとよい。また、上記酸化ガスと同様に、還元ガスも、副成分として、窒素、ヘリウム、アルゴンなどの不活性成分を含んでいてもよい。このような不活性成分を含む混合ガスを使用する場合には、上述の還元成分を１％以上（より好適には３％以上、特に好適には５％以上）含むことが好ましい。これによって、Ｎｉ粒子表面を好適に還元できる。一方、混合ガス中の還元成分の含有率の上限は、特に限定されず、１００％でもよく、９０％以下でもよい。
【0034】
なお、バブリング処理で使用するガス（酸化ガスまたは還元ガス）に水分が含まれていると、Ｎｉ粒子表面のＮｉ（ＯＨ）２量が却って増加するおそれがある。このため、バブリング処理用のガスは、乾燥ガスであることが好ましい。具体的には、バブリング処理用のガスの水分含有量は、５００ｐｐｍ以下が好ましく、１００ｐｐｍ以下がより好ましく、１０ｐｐｍ以下が特に好ましく、例えば１ｐｐｍに制御される。これによって、Ｎｉ粒子表面のＮｉ（ＯＨ）２量を好適に低減できる。
【0035】
また、バブリング処理におけるガス供給量は、Ｎｉスラリー１Ｌに対して、１００ｃｍ３／ｍｉｎ以上が好ましく、２００ｃｍ３／ｍｉｎ以上がより好ましく、３００ｃｍ３／ｍｉｎ以上が特に好ましい。これによって、Ｎｉ粒子表面のＮｉ（ＯＨ）２量を効率よく低減させることができる。一方、ガス供給量の上限は、特に限定されず、７０００ｃｍ３／ｍｉｎ以下でもよく、５０００ｃｍ３／ｍｉｎ以下でもよく、２０００ｃｍ３／ｍｉｎ以下でもよい。
【0036】
なお、本工程における加熱温度は、８０℃以上が好ましく、１００℃以上がより好ましく、１５０℃以上が特に好ましい。これによって、Ｎｉ（ＯＨ）２低減反応を好適に促進できる。一方、本工程における加熱温度は、３５０℃以下が好ましく、３００℃以下がより好ましく、２００℃以下が特に好ましい。これによって、有機溶媒が熱分解して炭化ニッケルが生成されることを防止できる。
【0037】
また、バブリング処理の時間は、１分以上が好ましく、５分以上がより好ましく、１５分以上がさらに好ましく、３０分以上が特に好ましい。これによって、Ｎｉ粒子表面のＮｉ（ＯＨ）２量を十分に低減できる。一方、バブリング処理の時間は、１５０分以下が好ましく、１２０分以下がより好ましく、９０分以下がより好ましく、６０分以下が特に好ましい。これによって、加熱を伴うバブリング処理の長期化を抑制し、有機溶媒の分解による炭化ニッケルの生成を防止できる。
【0038】
また、本工程では、バブリング処理を実施する前に、非水溶性のチオ尿素化合物をＮｉスラリーに添加してもよい。このチオ尿素化合物は、加熱処理によって容易に分解し、Ｎｉ粒子の表面に硫化ニッケルを主成分とする硫化Ｎｉ層を形成する。この硫化Ｎｉ層を有するＮｉ粒子は、優れた焼結抑制効果を有しているため、焼成処理中のクラックの発生を好適に抑制できる。なお、上記チオ尿素化合物の一例として、下記の式（１）で示される化合物が挙げられる。この式（１）で示す構成のチオ尿素化合物は、硫化Ｎｉ層の形成を好適に促進できる。なお、この式（１）中のＲ１およびＲ２は、炭素数６以上の鎖状アルキル基又は環状アルキル基である。また、ここでの鎖状アルキル基は、直鎖構造でもよいし、分岐鎖構造でもよい。
Ｒ１－ＨＮＣＳＮＨ－Ｒ２ （１）
Ｒ１－ＨＮＣＳＮＨ－Ｒ２ （１）
【0039】
なお、上記式（１）に示すチオ尿素化合物の一例として、Ｎ，Ｎ’－ジフェニルチオ尿素、Ｎ，Ｎ’－ジヘキシルチオ尿素、１，３－ジシクロヘキシルチオ尿素などが挙げられる。これらのチオ尿素化合物は、有機溶媒に容易に溶解し、かつ、加熱処理によって容易に分解される。このため、上述のチオ尿素化合物を用いることによって、硫化Ｎｉ層の形成をさらに促進できる。また、これらのチオ尿素化合物は、他の硫黄化合物（アルキルチオール等）と比べて酸素との反応性が低いため、Ｎｉスラリーのゲル化を抑制できる。このため、上述のチオ尿素化合物によると、Ｎｉスラリーのゲル化による反応の不均一化を抑制できる。
【0040】
また、チオ尿素化合物の添加量は、Ｎｉスラリー中でＮｉ重量とＳ重量とが所定の比率を満たすように設定することが好ましい。例えば、Ｎｉスラリー中のＮｉ重量（１００％）に対するＳ重量の比率が０．０１％以上（より好適には０．０５％以上、さらに好適には０．１％以上、特に好適には０．５％以上）となるように、チオ尿素化合物の添加量を設定することが好ましい。これによって、Ｎｉ粒子の表面に十分なＳ元素を供給し、硫化Ｎｉ層を好適に形成できる。一方で、チオ尿素化合物の添加量が一定以上を超えると、焼結抑制効果が飽和するだけでなく、加熱炉の硫黄汚染が生じて設備コストが増大するおそれがある。かかる観点から、チオ尿素化合物の添加量は、Ｎｉ元素量に対するＳ元素量の比率が３．０％以下（より好適には２．５％以下、さらに好適には２．０％以下、特に好適には１．５％以下）となるように設定されていることが好ましい。
【0041】
（３）分離工程Ｓ３０
図１に示すように、本実施形態に係る製造方法では、水酸化Ｎｉ低減工程Ｓ２０を実施した後に分離工程Ｓ３０を実施する。この分離工程Ｓ３０では、ＮｉスラリーからＮｉ粒子を分離する。なお、本工程は、スラリーから粉体を分離する際に使用される従来公知の分離手段を特に制限なく使用することができる。このような分離手段の一例として、静置分離、遠心分離、フィルタ濾過などが挙げられる。そして、Ｎｉスラリーから分離されたＮｉ粒子は、所定の有機溶媒で洗浄した後に乾燥することが好ましい。これによって、不純物が除去された乾燥ニッケル粉末を得ることができる。
図１に示すように、本実施形態に係る製造方法では、水酸化Ｎｉ低減工程Ｓ２０を実施した後に分離工程Ｓ３０を実施する。この分離工程Ｓ３０では、ＮｉスラリーからＮｉ粒子を分離する。なお、本工程は、スラリーから粉体を分離する際に使用される従来公知の分離手段を特に制限なく使用することができる。このような分離手段の一例として、静置分離、遠心分離、フィルタ濾過などが挙げられる。そして、Ｎｉスラリーから分離されたＮｉ粒子は、所定の有機溶媒で洗浄した後に乾燥することが好ましい。これによって、不純物が除去された乾燥ニッケル粉末を得ることができる。
【0042】
なお、分離工程Ｓ３０は、ここに開示される製造方法における必須の工程ではない。例えば、Ｎｉスラリーの調製で使用した有機溶媒の種類によっては、水酸化Ｎｉ低減工程Ｓ２０を実施した後のＮｉスラリーをそのまま電極ペーストとして使用することもできる。
【0043】
（４）まとめ
以上の通り、本実施形態に係る製造方法では、バブリング処理によってＮｉ粒子表面のＮｉ（ＯＨ）２を低減させる水酸化Ｎｉ低減工程Ｓ２０を実施する。これによって、Ｎｉ粒子の表面の親水基が減少するため、電極ペーストに対する分散性を向上できる。この結果、電極ペースト中で凝集し難いＮｉ粒子を含むニッケル粉末を製造することができる。
以上の通り、本実施形態に係る製造方法では、バブリング処理によってＮｉ粒子表面のＮｉ（ＯＨ）２を低減させる水酸化Ｎｉ低減工程Ｓ２０を実施する。これによって、Ｎｉ粒子の表面の親水基が減少するため、電極ペーストに対する分散性を向上できる。この結果、電極ペースト中で凝集し難いＮｉ粒子を含むニッケル粉末を製造することができる。
【0044】
また、本実施形態に係る製造方法は、ペースト焼成後の電極にクラック等の構造的欠陥が生じることも抑制できる。具体的には、多くのＮｉ（ＯＨ）２を含むＮｉ粒子は、焼成中に多量の水（Ｈ２Ｏ）が脱離するため、熱収縮量が大きくなる傾向がある。これによって、電極ペーストと基材との熱収縮量に大きな差が生じると、焼成後の電極にクラック等の構造的欠陥が生じる。これに対して、本実施形態に係る製造方法は、Ｎｉ粒子のＮｉ（ＯＨ）２量を低減できるため、焼成後の電極の構造的欠陥の抑制にも貢献できる。
【0045】
２．ニッケル粉末
次に、上記構成の製造方法によって製造されたニッケル粉末について説明する。本実施形態に係るニッケル粉末に含まれるＮｉ粒子は、粒子表面のＮｉ（ＯＨ）２量が低減されている。以下、かかる構成のニッケル粉末について具体的に説明する。
次に、上記構成の製造方法によって製造されたニッケル粉末について説明する。本実施形態に係るニッケル粉末に含まれるＮｉ粒子は、粒子表面のＮｉ（ＯＨ）２量が低減されている。以下、かかる構成のニッケル粉末について具体的に説明する。
【0046】
まず、本明細書における「ニッケル粉末」とは、Ｎｉ粒子を主体とする粉体材料（微粒子の集団（ｐａｒｔｉｃｌｅｓ））である。ここでの「Ｎｉ粒子を主体とする」とは、粉体材料に含まれる無機微粒子のうち、重量基準で最も多く含まれる無機微粒子が、Ｎｉ（ＯＨ）２量が低減されたＮｉ粒子であることを意味する。より具体的には、本明細書における「ニッケル粉末」は、後述するＮｉ（ＯＨ）２量を満たすＮｉ粒子を５０重量％以上（好適には６０重量％以上、より好適には７０重量％以上、さらに好適には８０重量％以上、特に好適には９０重量％以上）含む粉体材料である。換言すると、ここに開示されるニッケル粉末は、ここに開示される技術による焼結抑制効果を著しく損なわない限りにおいて、上記構成のＮｉ粒子以外の無機微粒子を含んでいてもよい。このような副成分としては、後述するＮｉ（ＯＨ）２量を満たさないＮｉ粒子や、他の金属元素を主成分とした無機微粒子（Ｃｕ粒子、Ａｕ粒子、Ａｇ粒子、Ｐｄ粒子、Ｐｔ粒子など）が挙げられる。
【0047】
上述の通り、本実施形態に係る製造方法を経て生成されたＮｉ粒子は、粒子表面のＮｉ（ＯＨ）２量が低減されている。ここでの「粒子表面のＮｉ（ＯＨ）２量が低減されている」とは、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ：Ｘ－ｒａｙ Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）を用いてＮｉ粒子の表面を解析した際に、Ｎｉ含有成分（Ｎｉ単体、ＮｉＯ、Ｎｉ（ＯＨ）２）の総量に対するＮｉ（ＯＨ）２の割合が６０％以下であることをいう。具体的には、ＸＰＳを用いてＮｉ粒子の光電子スペクトルを取得すると、Ｎｉ２ｐ軌道を示す８４５～８７０ｅＶの領域に、Ｎｉ含有成分に由来する複数のピークが確認される。この複数のピークの中で、Ｎｉ単体に由来するピークは、８５２．２ｅＶ付近に確認される。また、ＮｉＯに由来するピークは、８５４．３ｅＶ付近に確認される。そして、Ｎｉ（ＯＨ）２に由来するピークは、８５５．６ｅＶ付近に確認される。このため、ＮｉとＮｉＯとＮｉ（ＯＨ）２の合計ピーク面積ＰＡａｌｌに対するＮｉ（ＯＨ）２のピーク面積ＰＡＮｉ（ＯＨ）２の比率（ＰＡＮｉ（ＯＨ）２／ＰＡａｌｌ）を算出することによって、Ｎｉ含有成分の総量に対するＮｉ（ＯＨ）２の割合を得ることができる。そして、一般的なＮｉ粒子は、大気中の水分によって粒子表面に多くのＮｉ（ＯＨ）２が生成されるため、上記ピーク面積比（ＰＡＮｉ（ＯＨ）２／ＰＡａｌｌ）が６０％を超える。これに対して、本実施形態に係る製造方法を経て生成Ｎｉ粒子は、粒子表面のＮｉ（ＯＨ）２量が低減されているため、上記ピーク面積の比率（ＰＡＮｉ（ＯＨ）２／ＰＡａｌｌ）が６０％以下（好適には５７％以下、より好適には５６％以下、特に好適には５５％以下）に低下する。かかるＮｉ粒子は、粒子表面の親水基が少ないため、電極ペーストに対して優れた分散性を発揮できる。なお、上記ピーク面積比（ＰＡＮｉ（ＯＨ）２／ＰＡａｌｌ）の下限値は、特に限定されず、２５％以上でもよく、３０％以上でもよい。
【0048】
また、上述した通り、水酸化Ｎｉ低減工程Ｓ２０で酸化ガスを使用した場合には、粒子表面のＮｉ（ＯＨ）２が酸化されてＮｉＯとなる。この場合には、粒子表面にＮｉＯが多く存在するＮｉ粒子が生成される。具体的には、酸化ガスによるバブリング処理を実施した場合には、上記ＸＰＳ解析における合計ピーク面積ＰＡａｌｌに対するＮｉＯのピーク面積ＰＡＮｉＯの比率（ＰＡＮｉＯ／ＰＡａｌｌ）が１２％以上（好適には１３％以上、特に好適には２０％以上）に増大する。このようなＮｉ粒子は、粒子表面がＮｉＯに被覆されているため、水分の吸収によるＮｉ（ＯＨ）２の生成をより好適に防止できる。一方、ＮｉＯの存在割合を示すピーク面積比（ＰＡＮｉＯ／ＰＡａｌｌ）の上限値は、特に限定されず、６０％以下でもよく、５５％以下でもよく、５０％以下でもよい。また、酸化ガスによるバブリング処理を実施すると、粒子表面のＮｉも酸化されてＮｉＯになる。このため、酸化ガスによるバブリング処理が行われたＮｉ粒子では、上記合計ピーク面積ＰＡａｌｌに対するＮｉのピーク面積ＰＡＮｉの比率（ＰＡＮｉ／ＰＡａｌｌ）が４５％以下（好適には４０％以下、特に好適には３５％以下）に低減されている。なお、上記Ｎｉの存在割合を示すピーク面積比（ＰＡＮｉ／ＰＡａｌｌ）の下限値は、特に限定されず、１０％以上でもよく、１５％以上でもよい。
【0049】
一方、水酸化Ｎｉ低減工程Ｓ２０で還元ガスを使用した場合には、Ｎｉ（ＯＨ）２が還元されてＮｉとなる。この場合には、粒子表面にＮｉが多く存在するＮｉ粒子が生成される。すなわち、上記ピーク面積比（ＰＡＮｉ／ＰＡａｌｌ）が４０％以上（好適には４２％以上、特に好適には４５％以上）に増大したＮｉ粒子が生成される。このＮｉ粒子も、粒子表面の親水基が低減しているため、電極ペーストに対する分散性が向上する。なお、上記Ｎｉの存在割合を示すピーク面積比（ＰＡＮｉ／ＰＡａｌｌ）の上限値は、特に限定されず、７０％以下でもよく、６５％以下でもよく、６０％以下でもよい。なお、還元ガスによるバブリング処理を実施すると、粒子表面のＮｉＯも還元されてＮｉとなる。このため、還元ガスによるバブリング処理が行われたＮｉ粒子では、上記ＮｉＯの存在割合を示すピーク面積比（ＰＡＮｉＯ／ＰＡａｌｌ）が１０％以下（典型的には９％以下、例えば８％以下）に低下する。なお、上記ＮｉＯの存在割合を示すピーク面積比（ＰＡＮｉＯ／ＰＡａｌｌ）の下限値は、１％以上が好ましく、２．５％以上がより好ましく、５％以上が特に好ましい。このようにＮｉ粒子の表面にＮｉＯをある程度存在させることによって、水分の吸収によるＮｉ（ＯＨ）２の生成を抑制できる。
【0050】
なお、水酸化Ｎｉ低減工程Ｓ２０でチオ尿素化合物を添加した場合、Ｎｉ粒子の表面に硫化ニッケルを含む硫化Ｎｉ層が形成される。この硫化Ｎｉ層は、優れた焼結抑制効果を有しているため、焼成後の電極にクラックが生じることを抑制できる。なお、この場合には、上記ＸＰＳを用いた粒子の表面の解析において硫化ニッケルが確認される。具体的には、ＸＰＳを用いてＮｉ粒子の光電子スペクトルを取得すると、Ｓ２ｐ軌道を示す１５８～１７０ｅＶの領域に、Ｎｉ粒子の表面を構成する成分に由来するピークが確認される。また、これらの中で、硫化Ｎｉに由来するピークは、１６２±０．５ｅＶの領域に確認される。このため、Ｓ２ｐ軌道を示す領域で確認されたピークの合計面積ＰＡ１５８～１７０に対する、硫化Ｎｉに由来するピークの面積ＰＡＮｉＳの割合（ＰＡＮｉＳ／ＰＡ１５８～１７０）を算出することによって、Ｎｉ粒子の表面における硫化Ｎｉの存在割合を解析することができる。このとき、上記チオ尿素化合物の添加による硫化Ｎｉ層の形成を行っていた場合、上記ピーク面積の比率（ＰＡＮｉＳ／ＰＡ１５８～１７０）が８０％以上になる。なお、このピーク面積の比率（ＰＡＮｉＳ／ＰＡ１５８～１７０）は、８５％以上が好ましく、９０％以上がより好ましく、９５％以上が特に好ましい。これによって、より優れた耐焼結性を有するニッケル粉末を得ることができる。なお、上記ピーク面積の比率（ＰＡＮｉＳ／ＰＡ１５８～１７０）の上限値は、特に限定されず、１００％以下でもよく、９９％以下でもよい。
【0051】
３．電極ペースト
本実施形態に係るニッケル粉末は、適当な分散媒に分散させることによって、電極形成用のペースト（電極ペースト）を調製できる。かかる電極ペーストは、分散性に優れたニッケル粉末を含んでいるため、膜厚が薄い電極を容易に形成できる。
本実施形態に係るニッケル粉末は、適当な分散媒に分散させることによって、電極形成用のペースト（電極ペースト）を調製できる。かかる電極ペーストは、分散性に優れたニッケル粉末を含んでいるため、膜厚が薄い電極を容易に形成できる。
【0052】
なお、分散媒は、ニッケル粉末を良好に分散できるものであればよく、電極ペーストに使用され得る従来公知の分散媒を特に制限なく使用できる。上述の通り、本実施形態に係るニッケル粉末に含まれるＮｉ粒子は、粒子表面の親水基が減少しているため、有機系（非水系）の成分に対して好適な分散性を発揮する。このため、電極ペーストの分散媒は、機系（非水系）の分散媒であることが好ましい。このような分散媒の一例として、ミネラルスピリット等の石油系炭化水素（特に脂肪族炭化水素）、エチレングリコールやジエチレングリコール誘導体、トルエン、キシレン、ブチルカルビトール（ＢＣ）、イソボルニルアセテート、ターピネオール、ジヒドロターピネオール等の高沸点有機溶媒などが挙げられる。なお、このような有機系（非水系）の分散媒は、水分の吸収によるＮｉ（ＯＨ）２の生成を抑制することもできる。
【0053】
また、ここに開示される技術を限定することを意図するものではないが、電極ペーストの総重量に対するニッケル粒子の含有量は、３０％～７０％程度（例えば、４０％～６０％）が好ましい。また、電極ペーストの粘度は、概ね１０ｍＰａ・ｓ～１００ｍＰａ・ｓ程度（例えば、２０ｍＰａ・ｓ～５０ｍＰａ・ｓ程度）であることが好ましい。これによって、精密な電極パターンを形成しやすい電極ペーストを容易に得ることができる。なお、電極ペーストの粘度は、Ｅ型粘度計を用いて測定できる。
【0054】
なお、電極ペーストは、ニッケル粒子以外の添加剤を含んでいてもよい。かかる添加剤としては、バインダ、導電材、分散剤、粘度調整剤等が挙げられる。これらの添加剤は、ここに開示される技術の効果（Ｎｉ粒子の分散性）を著しく阻害しない限り、電極ペーストに添加され得る従来公知の添加剤を特に制限なく使用できる。
【0055】
以上、ここに開示される技術の一実施形態について説明した。但し、上述の実施形態は、ここに開示される技術を限定することを意図したものではない。すなわち、ここに開示される技術は、上述した実施形態に対して種々の変更を行ったものを包含し得る。
【0056】
［試験例］
以下、ここで開示される技術に関する試験例について説明する。なお、ここに開示される技術は、以下の試験例に限定されるものではない。
以下、ここで開示される技術に関する試験例について説明する。なお、ここに開示される技術は、以下の試験例に限定されるものではない。
【0057】
１．サンプルの準備
本試験例では、製造方法が異なる６種類のニッケル粉末（サンプル１～６）を準備した。以下、各サンプルを製造した手順について説明する。
本試験例では、製造方法が異なる６種類のニッケル粉末（サンプル１～６）を準備した。以下、各サンプルを製造した手順について説明する。
【0058】
（１）サンプル１
サンプル１では、次の手順に従って、Ｎｉ粒子（Ｃｕ／Ｎｉコアシェル粒子）が有機溶媒（オレイルアミン）に分散したＮｉスラリーを準備した。具体的には、９５７．７ｇのオレイルアミンに、５．１ｇのギ酸ニッケル・二水和物（Ｎｉ量：１．６２ｇ）を添加した。そして、１２０℃の加熱処理を１２０分間実施した。これによって、溶液中にギ酸ニッケル－オレイルアミン錯体を生成した。次に、この溶液に０．６９ｇのギ酸銅・四水和物（Ｃｕ量：０．１９ｇ）を添加した。そして、６０℃の加熱処理を３０分間実施した。これによって、溶液中にギ酸銅－オレイルアミン錯体を生成した。この２種類の錯体を含む溶液を１９０℃の窒素雰囲気下で１０分間加熱した。このように２種類の錯体が存在した溶液を加熱すると、標準電位が高いＣｕが優先的に析出するため、Ｃｕコア粒子が形成される。そして、加熱処理を継続すると、Ｃｕコア粒子の表面にＮｉシェルが生成する。これによって、Ｃｕ／Ｎｉコアシェル粒子が生成される。さらに、本試験では、生成後のＣｕ／Ｎｉコアシェル粒子を種粒子とし、当該種粒子表面のＮｉシェルをさらに成長させた。具体的には、上記種粒子を含む種粒子スラリーに、３４１．９ｇの酢酸ニッケル・四水和物（Ｎｉ量：７４．２７ｇ）を添加した。次に、１３５℃の加熱処理を１２０分間実施した。これによって、スラリー中に酢酸ニッケル－オレイルアミン錯体を生成した。そして、この錯体を含む種粒子スラリーを、２００℃の窒素雰囲気下で３０分間加熱した。これによって、種粒子の表面に付着するようにＮｉが析出する。この結果、十分な厚みのＮｉシェルを有するＣｕ／Ｎｉコアシェル粒子がオレイルアミンに分散したＮｉスラリーが調製される。
サンプル１では、次の手順に従って、Ｎｉ粒子（Ｃｕ／Ｎｉコアシェル粒子）が有機溶媒（オレイルアミン）に分散したＮｉスラリーを準備した。具体的には、９５７．７ｇのオレイルアミンに、５．１ｇのギ酸ニッケル・二水和物（Ｎｉ量：１．６２ｇ）を添加した。そして、１２０℃の加熱処理を１２０分間実施した。これによって、溶液中にギ酸ニッケル－オレイルアミン錯体を生成した。次に、この溶液に０．６９ｇのギ酸銅・四水和物（Ｃｕ量：０．１９ｇ）を添加した。そして、６０℃の加熱処理を３０分間実施した。これによって、溶液中にギ酸銅－オレイルアミン錯体を生成した。この２種類の錯体を含む溶液を１９０℃の窒素雰囲気下で１０分間加熱した。このように２種類の錯体が存在した溶液を加熱すると、標準電位が高いＣｕが優先的に析出するため、Ｃｕコア粒子が形成される。そして、加熱処理を継続すると、Ｃｕコア粒子の表面にＮｉシェルが生成する。これによって、Ｃｕ／Ｎｉコアシェル粒子が生成される。さらに、本試験では、生成後のＣｕ／Ｎｉコアシェル粒子を種粒子とし、当該種粒子表面のＮｉシェルをさらに成長させた。具体的には、上記種粒子を含む種粒子スラリーに、３４１．９ｇの酢酸ニッケル・四水和物（Ｎｉ量：７４．２７ｇ）を添加した。次に、１３５℃の加熱処理を１２０分間実施した。これによって、スラリー中に酢酸ニッケル－オレイルアミン錯体を生成した。そして、この錯体を含む種粒子スラリーを、２００℃の窒素雰囲気下で３０分間加熱した。これによって、種粒子の表面に付着するようにＮｉが析出する。この結果、十分な厚みのＮｉシェルを有するＣｕ／Ｎｉコアシェル粒子がオレイルアミンに分散したＮｉスラリーが調製される。
【0059】
次に、本試験のサンプル１では、Ｎｉ粒子（Ｃｕ／Ｎｉコアシェル粒子）の表面のＮｉ（ＯＨ）２を減少させる処理（水酸化Ｎｉ低減工程）を実施した。具体的には、Ｎｉスラリー中に酸素ガスをバブリングしながら２００℃の加熱処理を５分間実施した。これによって、Ｎｉ粒子の表面を酸化し、粒子表面のＮｉ（ＯＨ）２をＮｉＯに変化させた。
【0060】
次に、サンプル１では、ＮｉスラリーからＮｉ粒子を分離した。具体的には、静置沈降によって、Ｎｉスラリー中にＮｉ粒子を沈降させた。そして、上澄み液を除去することによってＮｉ粒子を分離した。このＮｉ粒子をイソボルニルアセテートで洗浄した後に乾燥処理を行うことによって、Ｃｕ／Ｎｉコアシェル粒子を主体とする乾燥粉末状のニッケル粉末（サンプル１）を得た。
【0061】
（２）サンプル２
本サンプルでは、バブリング処理の時間を１０分間に変更した点を除いて、サンプル１と同様の手順に従ってニッケル粉末を製造した。
本サンプルでは、バブリング処理の時間を１０分間に変更した点を除いて、サンプル１と同様の手順に従ってニッケル粉末を製造した。
【0062】
（３）サンプル３
本サンプルでは、チオ尿素化合物（１．１７ｇのジフェニルチオ尿素）を添加した状態でバブリング処理を行った点を除いて、サンプル１と同様の手順に従ってニッケル粉末を製造した。
本サンプルでは、チオ尿素化合物（１．１７ｇのジフェニルチオ尿素）を添加した状態でバブリング処理を行った点を除いて、サンプル１と同様の手順に従ってニッケル粉末を製造した。
【0063】
（４）サンプル４
本サンプルでは、バブリング処理の時間を３０分間に変更した点を除いて、サンプル１と同様の手順に従ってニッケル粉末を製造した。
本サンプルでは、バブリング処理の時間を３０分間に変更した点を除いて、サンプル１と同様の手順に従ってニッケル粉末を製造した。
【0064】
（５）サンプル５
本サンプルでは、バブリング処理に使用するガスを還元ガス（１％水素含有窒素ガス）に変更した点を除いて、サンプル２と同様の手順に従ってニッケル粉末を製造した。
本サンプルでは、バブリング処理に使用するガスを還元ガス（１％水素含有窒素ガス）に変更した点を除いて、サンプル２と同様の手順に従ってニッケル粉末を製造した。
【0065】
（６）サンプル６
サンプル６では、バブリング処理を行わないことを除いて、サンプル１と同様の手順に従ってニッケル粉末を製造した。
サンプル６では、バブリング処理を行わないことを除いて、サンプル１と同様の手順に従ってニッケル粉末を製造した。
【0066】
２．評価試験
（１）粒度分布の分析
各サンプルのニッケル粉末ＦＥ－ＳＥＭ（日立ハイテク社製、型式：ＳＵ８２３０）を用いて観察した。そして、ＳＥＭ画像から粒子の外周全体が確認できるものを無作為に１０００個抽出し、Ｈｅｙｗｏｏｄ径を測定して粒度分布を測定した。そして、当該粒度分布に基づいて、サンプル１～６の平均粒子径（Ｄ５０粒子径）と変動係数（ＣＶ値）を測定した。測定結果を表１に示す。
（１）粒度分布の分析
各サンプルのニッケル粉末ＦＥ－ＳＥＭ（日立ハイテク社製、型式：ＳＵ８２３０）を用いて観察した。そして、ＳＥＭ画像から粒子の外周全体が確認できるものを無作為に１０００個抽出し、Ｈｅｙｗｏｏｄ径を測定して粒度分布を測定した。そして、当該粒度分布に基づいて、サンプル１～６の平均粒子径（Ｄ５０粒子径）と変動係数（ＣＶ値）を測定した。測定結果を表１に示す。
【0067】
（２）Ｎｉ粒子の表面分析
まず、アルミ箔上にインジウム線をプレスし、各サンプルのニッケル粉末をインジウム上にふりかけ再度プレスするという処理を行ってＸＰＳ分析用サンプルを作成した。そして、当該分析用サンプルに対して、光電子分光分析装置（アルバックファイ社製、型式：ＸＰＳ ＰＨＩ５０００ ＶｅｒｓａＰｒｏｂｅ）を用いて、８４５～８７０ｅＶのナロースキャンにおける光電子スペクトルを取得した。このときの測定条件を以下に示す。
まず、アルミ箔上にインジウム線をプレスし、各サンプルのニッケル粉末をインジウム上にふりかけ再度プレスするという処理を行ってＸＰＳ分析用サンプルを作成した。そして、当該分析用サンプルに対して、光電子分光分析装置（アルバックファイ社製、型式：ＸＰＳ ＰＨＩ５０００ ＶｅｒｓａＰｒｏｂｅ）を用いて、８４５～８７０ｅＶのナロースキャンにおける光電子スペクトルを取得した。このときの測定条件を以下に示す。
【0068】
Ｘ線源：モノクロ化Ａｌ－Ｋα
管電圧：１５ｋＶ
出力：２００Ｗ
中和銃：不使用
パスエネルギー：１１．７５ｅＶ
ステップ：０．１ｅＶ
取り込み時間：２００ｍｓ
積算回数：３０回
管電圧：１５ｋＶ
出力：２００Ｗ
中和銃：不使用
パスエネルギー：１１．７５ｅＶ
ステップ：０．１ｅＶ
取り込み時間：２００ｍｓ
積算回数：３０回
【0069】
次に、この光電子スペクトルから、Ｎｉ２ｐ軌道に由来する光電子エネルギー（８４５～８７０ｅＶ）の領域を分離した。そして、この領域におけるＮｉ由来のピーク（８５．２ｅＶ）と、ＮｉＯ由来のピーク（８５４．３ｅＶ）と、Ｎｉ（ＯＨ）２由来のピーク（８５５．６ｅＶ）の各々のピーク面積を測定した。そして、これらのＮｉ含有成分の合計ピーク面積ＰＡａｌｌを算出した。次に、この合計ピーク面積ＰＡａｌｌに対するＮｉのピーク面積ＰＡＮｉの比率（ＰＡＮｉ／ＰＡａｌｌ）を算出した。同様に、合計ピーク面積ＰＡａｌｌに対するＮｉＯのピーク面積ＰＡＮｉＯの比率（ＰＡＮｉＯ／ＰＡａｌｌ）を算出した。そして、合計ピーク面積ＰＡａｌｌに対するＮｉ（ＯＨ）２のピーク面積ＰＡＮｉ（ＯＨ）２の比率（ＰＡＮｉ（ＯＨ）２／ＰＡａｌｌ）を算出した。各々の算出結果を表１に示す。
【0070】
（３）焼成特性の評価
本試験では、示差熱・熱重量同時測定（ＴＧ－ＤＴＡ：Ｔｈｅｒｍｏｇｒａｖｉｍｅｔｒｙ－Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｎａｌｙｓｉｓ）を実施して、各サンプルの焼成特性を評価した。具体的には、２０ｍｇのニッケル粉末を示差熱天秤装置（リガク社製、型式：ＴＧ－ＤＴＡ８１２２）に収容し、０．５Ｌ／ｍｉｎの流量で窒素ガスを供給しながら、１０℃／ｍｉｎの昇温速度で室温から４００℃まで加熱した。そして、加熱時の重量減少率（％）を測定した。
本試験では、示差熱・熱重量同時測定（ＴＧ－ＤＴＡ：Ｔｈｅｒｍｏｇｒａｖｉｍｅｔｒｙ－Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｎａｌｙｓｉｓ）を実施して、各サンプルの焼成特性を評価した。具体的には、２０ｍｇのニッケル粉末を示差熱天秤装置（リガク社製、型式：ＴＧ－ＤＴＡ８１２２）に収容し、０．５Ｌ／ｍｉｎの流量で窒素ガスを供給しながら、１０℃／ｍｉｎの昇温速度で室温から４００℃まで加熱した。そして、加熱時の重量減少率（％）を測定した。
【0071】
（４）分散性の評価
サンプル１～６のニッケル粉末を用いて電極ペーストを調製し、当該電極ペーストにおけるＮｉ粒子の分散性を評価した。具体的には、ニッケル粉末（４５ｗｔ％）と、チタン酸バリウム粉末（４．５ｗｔ％）と、エチルセルロース樹脂（２ｗｔ％）と、カルボン酸系分散剤（２．０ｗｔ％）と、イソボルニルアセテート（残部）とを混合して、３本ロールを用いて分散した。次に、調整後の電極ペーストをスライドガラスに２μｍの膜厚で塗布した。そして、塗膜に対して１２０℃で５分間の乾燥処理を行った後、光学顕微鏡（倍率２００倍）で塗膜の表面を観察した。そして、粒子径が１μｍ以上の二次粒子を「凝集粒子」とみなし、１視野あたりの凝集粒子が１５個以下であったものを「良」、１６～２５個であったものを「可」、２５個超であったものを「不可」と評価した。評価結果を表１に示す。
サンプル１～６のニッケル粉末を用いて電極ペーストを調製し、当該電極ペーストにおけるＮｉ粒子の分散性を評価した。具体的には、ニッケル粉末（４５ｗｔ％）と、チタン酸バリウム粉末（４．５ｗｔ％）と、エチルセルロース樹脂（２ｗｔ％）と、カルボン酸系分散剤（２．０ｗｔ％）と、イソボルニルアセテート（残部）とを混合して、３本ロールを用いて分散した。次に、調整後の電極ペーストをスライドガラスに２μｍの膜厚で塗布した。そして、塗膜に対して１２０℃で５分間の乾燥処理を行った後、光学顕微鏡（倍率２００倍）で塗膜の表面を観察した。そして、粒子径が１μｍ以上の二次粒子を「凝集粒子」とみなし、１視野あたりの凝集粒子が１５個以下であったものを「良」、１６～２５個であったものを「可」、２５個超であったものを「不可」と評価した。評価結果を表１に示す。
【0072】
【表1】
【0073】
上記表１に示すように、サンプル１～５では、何れも、粒子表面のＮｉ（ＯＨ）２の存在割合がサンプル６よりも低減していた。このことから、酸素ガスまたは還元ガスをバブリングしながらＮｉスラリーを加熱することによって、Ｎｉ（ＯＨ）２の存在量を低減できることが分かった。例えば、酸素ガスをバブリングしたサンプル１～４では、Ｎｉ（ＯＨ）２が低減し、ＮｉＯが増加する傾向が確認された。これは、酸素ガスによってＮｉ（ＯＨ）２が酸化されてＮｉＯとなったためと解される。一方、還元ガスをバブリングしたサンプル５では、Ｎｉ（ＯＨ）２が低減し、Ｎｉが増加する傾向が確認された。これは、還元ガスによってＮｉ（ＯＨ）２が還元されてＮｉとなったためと解される。そして、分散性評価の結果、サンプル１～５は、サンプル６と比べて、分散性に優れていることが確認された。このことから、バブリング処理によって粒子表面のＮｉ（ＯＨ）２を低減させることによって、平均粒子径が１００ｎｍ以下を微小粒子を用いた場合でも、電極ペーストにＮｉ粒子を好適に分散できることが分かった。
【0074】
また、サンプル１～６の重量減少量を比較したところ、サンプル１～５は、サンプル６よりも加熱中の重量減少量が少なくなっていた。これは、粒子表面のＮｉ（ＯＨ）２量を低減させた結果、焼成中のＮｉ粒子からの水分脱離量が減少したためと解される。すなわち、バブリング処理によってＮｉ（ＯＨ）２量を低減させると、焼成中のＮｉ粒子の収縮量が小さくなるため、焼成後の電極にクラック等の構造的欠陥が生じることを防止できると予想される。
【0075】
以上、ここに開示される技術を詳細に説明したが、これらは例示にすぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。すなわち、ここに開示される技術は、以下の項目１～項目１２に記載の形態を包含する。
【0076】
＜項目１＞
ＦＥ－ＳＥＭ観察に基づいた平均粒子径が１００ｎｍ以下であるＮｉ粒子が有機溶媒に分散したＮｉスラリーを準備する準備工程と、
酸化ガスまたは還元ガスを前記Ｎｉスラリーに供給しながら加熱するバブリング処理を実施することによって、前記Ｎｉ粒子の表面におけるＮｉ（ＯＨ）２を低減する水酸化Ｎｉ低減工程と
を含む、ニッケル粉末の製造方法。
ＦＥ－ＳＥＭ観察に基づいた平均粒子径が１００ｎｍ以下であるＮｉ粒子が有機溶媒に分散したＮｉスラリーを準備する準備工程と、
酸化ガスまたは還元ガスを前記Ｎｉスラリーに供給しながら加熱するバブリング処理を実施することによって、前記Ｎｉ粒子の表面におけるＮｉ（ＯＨ）２を低減する水酸化Ｎｉ低減工程と
を含む、ニッケル粉末の製造方法。
【0077】
＜項目２＞
前記準備工程において、ＣＶ値が０．２以下のＮｉ粒子を用いる、項目１に記載のニッケル粉末の製造方法。
前記準備工程において、ＣＶ値が０．２以下のＮｉ粒子を用いる、項目１に記載のニッケル粉末の製造方法。
【0078】
＜項目３＞
前記バブリング処理を実施する時間が５分以上である、項目１または２に記載のニッケル粉末の製造方法。
前記バブリング処理を実施する時間が５分以上である、項目１または２に記載のニッケル粉末の製造方法。
【0079】
＜項目４＞
前記酸化ガスは、酸素、オゾンから選択される一種を含む、項目１～３のいずれか一項に記載のニッケル粉末の製造方法。
前記酸化ガスは、酸素、オゾンから選択される一種を含む、項目１～３のいずれか一項に記載のニッケル粉末の製造方法。
【0080】
＜項目５＞
前記還元ガスは、水素、一酸化炭素から選択される一種を含む、項目１～３のいずれか一項に記載のニッケル粉末の製造方法。
前記還元ガスは、水素、一酸化炭素から選択される一種を含む、項目１～３のいずれか一項に記載のニッケル粉末の製造方法。
【0081】
＜項目６＞
前記Ｎｉ粒子は、コア粒子と、当該コア粒子の表面の少なくとも一部を被覆するシェルとを備えたコアシェル粒子であり、前記シェルにニッケル元素が含まれている、項目１～５のいずれか一項に記載のニッケル粉末の製造方法。
前記Ｎｉ粒子は、コア粒子と、当該コア粒子の表面の少なくとも一部を被覆するシェルとを備えたコアシェル粒子であり、前記シェルにニッケル元素が含まれている、項目１～５のいずれか一項に記載のニッケル粉末の製造方法。
【0082】
＜項目７＞
Ｎｉ粒子を主体とするニッケル粉末であって、
前記Ｎｉ粒子は、
ＦＥ－ＳＥＭ観察に基づいた平均粒子径が１００ｎｍ以下であり、
Ｘ線光電子分光法により測定される前記Ｎｉ粒子の光電子スペクトルにおいて、Ｎｉ２ｐ軌道を示す領域におけるＮｉとＮｉＯとＮｉ（ＯＨ）２の合計ピーク面積に対する、前記Ｎｉ（ＯＨ）２のピーク面積の比率が６０％以下である、ニッケル粉末。
Ｎｉ粒子を主体とするニッケル粉末であって、
前記Ｎｉ粒子は、
ＦＥ－ＳＥＭ観察に基づいた平均粒子径が１００ｎｍ以下であり、
Ｘ線光電子分光法により測定される前記Ｎｉ粒子の光電子スペクトルにおいて、Ｎｉ２ｐ軌道を示す領域におけるＮｉとＮｉＯとＮｉ（ＯＨ）２の合計ピーク面積に対する、前記Ｎｉ（ＯＨ）２のピーク面積の比率が６０％以下である、ニッケル粉末。
【0083】
＜項目８＞
前記Ｎｉ粒子は、
前記合計ピーク面積に対する前記Ｎｉのピーク面積の比率が１２％以上４０％以下であり、かつ、
前記合計ピーク面積に対する前記ＮｉＯのピーク面積の比率が１０％以上５０％以下である、項目７に記載のニッケル粉末。
前記Ｎｉ粒子は、
前記合計ピーク面積に対する前記Ｎｉのピーク面積の比率が１２％以上４０％以下であり、かつ、
前記合計ピーク面積に対する前記ＮｉＯのピーク面積の比率が１０％以上５０％以下である、項目７に記載のニッケル粉末。
【0084】
＜項目９＞
前記Ｎｉ粒子は、
前記合計ピーク面積に対する前記Ｎｉのピーク面積の比率が４０％以上７０％以下であり、かつ、
前記合計ピーク面積に対する前記ＮｉＯのピーク面積の比率が１％以上１０％以下である、項目７に記載のニッケル粉末。
前記Ｎｉ粒子は、
前記合計ピーク面積に対する前記Ｎｉのピーク面積の比率が４０％以上７０％以下であり、かつ、
前記合計ピーク面積に対する前記ＮｉＯのピーク面積の比率が１％以上１０％以下である、項目７に記載のニッケル粉末。
【0085】
＜項目１０＞
項目７～９のいずれか一項に記載のニッケル粉末と、
前記ニッケル粉末を分散させる分散媒と、
を含む、電極ペースト。
項目７～９のいずれか一項に記載のニッケル粉末と、
前記ニッケル粉末を分散させる分散媒と、
を含む、電極ペースト。
【図1】