特開 2024-125580 静電チャック

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024125580

(43)【公開日】2024-09-19

(54)【発明の名称】静電チャック

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/683 20060101AFI20240911BHJP

   H01L 21/3065 20060101ALI20240911BHJP

   H01L 21/31 20060101ALI20240911BHJP

   C23C 14/50 20060101ALI20240911BHJP

   C23C 16/458 20060101ALI20240911BHJP

【ＦＩ】

H01L21/68 R

H01L21/302 101G

H01L21/31 B

C23C14/50 A

C23C14/50 E

C23C16/458

【審査請求】未請求

【請求項の数】4

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023033493

(22)【出願日】2023-03-06

(71)【出願人】

【識別番号】000010087

【氏名又は名称】ＴＯＴＯ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100140486

【弁理士】

【氏名又は名称】鎌田 徹

(74)【代理人】

【識別番号】100079108

【弁理士】

【氏名又は名称】稲葉 良幸

(74)【代理人】

【識別番号】100121843

【弁理士】

【氏名又は名称】村井 賢郎

(74)【代理人】

【識別番号】100170058

【弁理士】

【氏名又は名称】津田 拓真

(72)【発明者】

【氏名】池口 雅文

(72)【発明者】

【氏名】糸山 哲朗

(72)【発明者】

【氏名】早川 達也

【テーマコード（参考）】

4K029

4K030

5F004

5F045

5F131

【Ｆターム（参考）】

4K029AA24

4K029BD01

4K029DA08

4K029JA01

4K029JA06

4K030CA04

4K030CA12

4K030GA02

4K030KA26

4K030KA46

4K030LA15

5F004AA01

5F004BB18

5F004BB22

5F004BB25

5F004BB29

5F004BD04

5F045BB02

5F045DP02

5F045EJ03

5F045EJ09

5F045EM05

5F045EM07

5F045EM09

5F131AA02

5F131AA03

5F131AA32

5F131BA03

5F131BA04

5F131BA19

5F131BA23

5F131CA03

5F131EB11

5F131EB54

5F131EB82

5F131EB84

(57)【要約】

【課題】基板の面内温度分布のばらつきを抑制することのできる静電チャック、を提供する。
【解決手段】静電チャック１０は、誘電体基板１００と、誘電体基板１００に接合され、冷媒流路４００が内部に形成されたベースプレート２００と、を備える。誘電体基板１００の面１１０に対し垂直な方向から見た場合において、冷媒流路４００は、周方向に沿って並ぶように配置された複数の第１部分流路４１０Ａに分かれており、それぞれの第１部分流路４１０Ａの端部が、ベースプレート２００に形成された１つの流路４０１に繋がっている。
【選択図】図３

【特許請求の範囲】

【請求項1】

被吸着物が載置される載置面を有する誘電体基板と、
前記誘電体基板のうち前記載置面とは反対側の面に接合され、冷媒の通る冷媒流路が内部に形成されたベースプレートと、を備え、
前記載置面に対し垂直な方向から見た場合において、
前記冷媒流路は、周方向に沿って並ぶように配置された複数の部分流路に分かれており、それぞれの前記部分流路の端部が、前記ベースプレートに形成された１つの接続流路に繋がっていることを特徴とする、静電チャック。

【請求項2】

前記載置面に対し垂直な方向から見た場合において、
前記接続流路は、前記ベースプレートの中心となる位置に形成されていることを特徴とする、請求項１に記載の静電チャック。

【請求項3】

それぞれの前記部分流路は、
周方向に沿って円弧状に伸びる複数の周方向流路と、
前記周方向流路の端部同士を繋ぐように屈曲している屈曲流路と、を含むことを特徴とする、請求項２に記載の静電チャック。

【請求項4】

前記部分流路の数は、前記ベースプレートに形成されたリフトピン穴の数の整数倍であることを特徴とする、請求項１に記載の静電チャック。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は静電チャックに関する。

【背景技術】

【0002】

例えばＣＶＤ装置やエッチング装置のような半導体製造装置には、処理の対象となるシリコンウェハ等の基板を吸着し保持するための装置として、静電チャックが設けられる。静電チャックは、吸着電極が設けられた誘電体基板と、誘電体基板を支持するベースプレートと、を備え、これらが互いに接合された構成を有する。吸着電極は、誘電体基板に内蔵されるのが一般的であるが、金属であるベースプレートが吸着電極として用いられる場合もある。吸着電極に電圧が印加されると静電力が生じ、誘電体基板上に載置された基板が吸着され保持される。

【0003】

エッチング等の処理中においては、基板の温度を適切な温度に維持する必要がある。このため、下記特許文献１に記載されているように、ベースプレートの内部には、冷媒を通すための冷媒流路が形成される。基板からの熱は、誘電体基板及びベースプレートを介して冷媒へと伝えられ、冷媒と共に外部へと排出される。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２０２０－１６１５９７号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

処理中においては、上記のように基板の温度を適切な温度に維持することに加え、基板の各部における温度分布（つまり面内温度分布）のばらつきを可能な限り小さくすることも求められる。このため、ベースプレートの内部において冷媒流路をどのような経路で引き回すのかが重要となる。上記特許文献１では、冷媒流路の構成について提案がなされてはいるが、基板の面内温度分布を均一に近づけるにあたっては更なる改良の余地がある。

【0006】

本発明はこのような課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、基板の面内温度分布のばらつきを抑制することのできる静電チャック、を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0007】

上記課題を解決するために、本発明に係る静電チャックは、被吸着物が載置される載置面を有する誘電体基板と、誘電体基板のうち載置面とは反対側の面に接合され、冷媒の通る冷媒流路が内部に形成されたベースプレートと、を備える。載置面に対し垂直な方向から見た場合において、冷媒流路は、周方向に沿って並ぶように配置された複数の部分流路に分かれており、それぞれの部分流路の端部が、ベースプレートに形成された１つの接続流路に繋がっている。

【0008】

このような構成の静電チャックでは、冷媒流路が、周方向に沿って並ぶように配置された複数の部分流路に分かれている。これにより、例えば、リフトピン穴の位置を避けながらも、基板の面内温度分布が不均一とならないように冷媒流路を引き回すことが可能となる。

【0009】

それぞれの部分流路の端部は、ベースプレートに形成された１つの接続流路に繋がっている。このような構成においては、１つの接続流路から、複数の部分流路に対し同じ温度の冷媒を供給することが可能となるので、面内温度分布を更に一化することができる。

【0010】

また、本発明に係る静電チャックでは、載置面に対し垂直な方向から見た場合において、接続流路は、ベースプレートの中心となる位置に形成されていることも好ましい。接続流路を中心に配置することで、複数の部分流路の形状を互いに同一とすることが可能となるので、面内温度分布を更に均一化することができる。

【0011】

また、本発明に係る静電チャックでは、それぞれの部分流路は、周方向に沿って円弧状に伸びる複数の周方向流路と、周方向流路の端部同士を繋ぐように屈曲している屈曲流路と、を含むことも好ましい。周方向流路と屈曲流路とを組み合わせた構成とすることで、部分流路を密に引き回すことが可能となり、周方向に並ぶ各領域のそれぞれを適切に温度調整することができる。

【0012】

また、本発明に係る静電チャックでは、部分流路の数は、ベースプレートに形成されたリフトピン穴の数の整数倍であることも好ましい。このような構成とすることで、リフトピン穴の位置を避けるように部分流路を配置しながらも、それぞれのリフトピン穴について、リフトピン穴と冷媒流路との位置関係を同じにすることが可能となる。

【発明の効果】

【0013】

本発明によれば、基板の面内温度分布のばらつきを抑制することのできる静電チャック、を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0014】

【図1】本実施形態に係る静電チャックの構成を模式的に示す断面図である。

【図2】本実施形態のベースプレート内に形成された冷媒流路の構成を模式的に示す図である。

【図3】本実施形態のベースプレート内に形成された冷媒流路の構成を模式的に示す図である。

【図4】本実施形態のベースプレート内に形成された冷媒流路の構成を模式的に示す図である。

【図5】本実施形態のベースプレートを、被接合面とは反対側から見て描いた図である。

【発明を実施するための形態】

【0015】

以下、添付図面を参照しながら本実施形態について説明する。説明の理解を容易にするため、各図面において同一の構成要素に対しては可能な限り同一の符号を付して、重複する説明は省略する。

【0016】

第１実施形態について説明する。本実施形態に係る静電チャック１０は、例えばＣＶＤ成膜装置のような不図示の半導体製造装置の内部において、処理対象となる基板Ｗを静電力によって吸着し保持するものである。基板Ｗは、例えばシリコンウェハである。静電チャック１０は、半導体製造装置以外の装置に用いられてもよい。

【0017】

図１には、基板Ｗを吸着保持した状態の静電チャック１０の構成が、模式的な断面図として示されている。静電チャック１０は、誘電体基板１００と、ベースプレート２００と、接合層３００と、を備える。

【0018】

誘電体基板１００は、セラミック焼結体からなる略円盤状の部材である。誘電体基板１００は、例えば高純度の酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）を含むが、他の材料を含んでもよい。誘電体基板１００におけるセラミックスの純度や種類、添加物等は、半導体製造装置において誘電体基板１００に求められる耐プラズマ性等を考慮して、適宜設定することができる。

【0019】

誘電体基板１００のうち図１における上方側の面１１０は、被吸着物である基板Ｗが載置される「載置面」となっている。また、誘電体基板１００のうち図１における下方側の面１２０（つまり、面１１０とは反対側の面１２０）は、後述の接合層３００を介してベースプレート２００に接合される「被接合面」となっている。面１１０に対し垂直な方向に沿って、面１１０側から静電チャック１０を見た場合の視点のことを、以下では「上面視」のようにも表記する。

【0020】

誘電体基板１００の内部には吸着電極１３０が埋め込まれている。吸着電極１３０は、例えばタングステン等の金属材料により形成された薄い平板状の層であり、面１１０に対し平行となるように配置されている。給電路１３を介して外部から吸着電極１３０に電圧が印加されると、面１１０と基板Ｗとの間に静電力が生じ、これにより基板Ｗが吸着保持される。吸着電極１３０は、所謂「双極」の電極として本実施形態のように２つ設けられていてもよいが、所謂「単極」の電極として１つだけ設けられていてもよい。

【0021】

図１においては、給電路１３の全体が簡略化して描かれている。給電路１３のうち誘電体基板１００の内部の部分は、例えば、導電体の充填された細長いビア（穴）として構成されており、その下端には不図示の電極端子が設けられている。給電路１３のうちベースプレート２００を貫いている部分は、上記の電極端子に一端が接続された棒状の金属（バスバー）である。ベースプレート２００には、当該金属を挿通するための不図示の貫通穴が形成されている。

【0022】

誘電体基板１００と基板Ｗとの間には空間ＳＰが形成されている。半導体製造装置において成膜等の処理が行われる際には、空間ＳＰには、後述のガス穴１５０を介して外部から温度調整用のヘリウムガスが供給される。誘電体基板１００と基板Ｗとの間にヘリウムガスを介在させることで、両者間の熱抵抗が調整され、これにより基板Ｗの温度が適温に保たれる。尚、空間ＳＰに供給される温度調整用のガスは、ヘリウムとは異なる種類のガスであってもよい。

【0023】

吸着面である面１１０上にはシールリング１１１やドット１１２が設けられており、空間ＳＰはこれらの周囲に形成されている。

【0024】

シールリング１１１は、最外周となる位置において空間ＳＰを区画する壁である。それぞれのシールリング１１１の上端は面１１０の一部となっており、基板Ｗに当接する。尚、空間ＳＰを分割するように複数のシールリング１１１が設けられていてもよい。このような構成とすることで、それぞれの空間ＳＰにおけるヘリウムガスの圧力を個別に調整し、処理中における基板Ｗの表面温度分布を均一に近づけることが可能となる。

【0025】

図１等において符号「１１６」が付されている部分は、空間ＳＰの底面である。以下では、当該部分のことを「底面１１６」とも称する。シールリング１１１は、次に述べるドット１１２と共に、面１１０の一部を底面１１６の位置まで掘り下げた結果として形成されている。

【0026】

ドット１１２は、底面１１６から突出する円形の突起である。ドット１１２は複数設けられており、誘電体基板１００の吸着面において略均等に分散配置されている。それぞれのドット１１２の上端は、面１１０の一部となっており、基板Ｗに当接する。このようなドット１１２を複数設けておくことで、基板Ｗの撓みが抑制される。

【0027】

それぞれの空間ＳＰの底面１１６には、溝１１３が形成されている。溝１１３は、底面１１６から更に面１２０側へと後退させるように形成された溝である。溝１１３は、ガス穴１５０から供給されるヘリウムガスを、空間ＳＰ内に素早く拡散させ、空間ＳＰ内の圧力分布を短時間のうちに略均一とすることを目的として形成されている。

【0028】

誘電体基板１００には、面１１０から面１２０に向かって垂直に貫くようガス穴１５０が形成されている。ガス穴１５０は複数個（例えば２０個以上）形成されているが、図１においてはそのうちの１つのみが図示されている。ガス穴１５０のうち空間ＳＰ側の端部は、溝１１３の底面において開口している。吸着電極１３０のうちそれぞれのガス穴１５０と交差する部分には、ガス穴１５０との干渉を避けるための開口１３１が形成されている。このような開口１３１を形成しておくことにより、ガス穴１５０の内面において吸着電極１３０が露出しないため、基板Ｗと吸着電極１３０との間における放電が防止される。

【0029】

誘電体基板１００には更に、面１１０から面１２０側に向かって垂直に貫くようリフトピン穴１６０が形成されている。リフトピン穴１６０は、半導体製造装置に設けられた不図示のリフトピンが挿通される穴である。リフトピン穴１６０は、計３つ形成されており、これらが１２０度等配となるように配置されているのであるが、図１においてはそのうちの１つのみが図示されている。リフトピン穴１６０を通じて上下に移動するリフトピンにより、誘電体基板１００の面１１０に対する基板Ｗの着脱が行われる。吸着電極１３０のうちそれぞれのリフトピン穴１６０と交差する部分には、リフトピン穴１６０との干渉を避けるための開口１３２が形成されている。このような開口１３２を形成しておくことにより、リフトピン穴１６０の内面において吸着電極１３０が露出しないため、基板Ｗと吸着電極１３０との間における放電が防止される。

【0030】

ベースプレート２００は、誘電体基板１００を支持するために、誘電体基板１００の面１２０に接合される略円盤状の部材である。ベースプレート２００は、例えばアルミニウムのような金属により形成されている。ベースプレート２００のうち、図１における上方側の面２１０は、接合層３００を介して誘電体基板１００に接合される「被接合面」となっている。面２１０を含むベースプレート２００の表面は、例えばアルミナ溶射膜のような絶縁膜で覆われていてもよい。

【0031】

接合層３００は、誘電体基板１００とベースプレート２００との間に設けられた層であって、両者を接合している。接合層３００は、絶縁性の材料からなる接着材を硬化させたものである。このような接着剤としては、例えばポリイミド系の接着剤を用いることができる。

【0032】

ベースプレート２００には、面２１０からら、図１における下方側の面２２０側に向かって垂直に伸びるガス穴２５０が形成されている。ガス穴２５０は、上面視において誘電体基板１００のガス穴１５０と重なる位置、のそれぞれに形成されており、接合層３００に設けられた貫通穴を介してガス穴１５０に連通されている。ガス穴２５０は、誘電体基板１００のガス穴１５０と共に、空間ＳＰに向けてヘリウムガスを供給するための経路の一部となっている。

【0033】

尚、ガス穴２５０は、本実施形態のように全体が直線状に伸びるように形成されていてもよいが、面２２０に向かう途中で屈曲するように形成されていてもよい。また、面２１０側の複数のガス穴２５０を、ベースプレート２００の内部において少数の流路に集約した上で、当該流路を面２２０側まで伸ばすような構成としてもよい。

【0034】

ベースプレート２００には更に、面２１０から面２２０側に向かって垂直に貫くようリフトピン穴２６０が形成されている。リフトピン穴２６０は、誘電体基板１００のリフトピン穴１６０と同様に、半導体製造装置に設けられた不図示のリフトピンが挿通される穴である。リフトピン穴２６０は、上面視において誘電体基板１００のリフトピン穴１６０と重なる位置、のそれぞれに形成されており、接合層３００に設けられた貫通穴を介してリフトピン穴１６０に連通されている。

【0035】

ベースプレート２００の内部には、冷媒を流すための冷媒流路４００が形成されている。半導体製造装置において成膜等の処理が行われる際には、外部から冷媒が冷媒流路４００に供給され、これによりベースプレート２００が冷却される。処理中において基板Ｗで生じた熱は、空間ＳＰのヘリウムガス、誘電体基板１００、及びベースプレート２００を介して冷媒へと伝えられ、冷媒と共に外部へと排出される。

【0036】

冷媒流路４００は、第１流路４１０と第２流路４２０とを含む。第１流路４１０は、冷媒流路４００のうち誘電体基板１００側（図１では上方側）となる位置に配置された部分であって、第２流路４２０は、冷媒流路４００のうち誘電体基板１００側とは反対側（図１では下方側）となる位置に配置された部分である。第１流路４１０と第２流路４２０との間は、図１においては不図示の接続流路４３０によって接続されている。その結果、冷媒流路４００はその全体が単一の空間として形成されている。冷媒流路４００は、冷媒が、第１流路４１０を流れた後で第２流路４２０を流れるように構成されている。つまり、第１流路４１０は「往路」として構成されており、第２流路４２０は「復路」として構成されている。

【0037】

図２乃至５を参照しながら、冷媒流路４００の具体的な構成について説明する。図２には、冷媒流路４００の全体構成が模式的な斜視図として示されている。図２においては、冷媒流路４００の構成が見やすくなるように、接続流路４３０や後述の流路４０１を実際よりも上下方向に長く引き伸ばして描いてある。図３には、第１流路４１０の構成が上面視で示されている。図４には、第２流路４２０の構成が上面視で示されている。図５には、面２２０側から見た場合におけるベースプレート２００の構成が示されている。

【0038】

図２等において符号「４０１」が付されているのは、冷媒流路４００のうち、外部から供給された冷媒が最初に流れる入口部分である。当該部分のことを、以下では「流路４０１」とも表記する。流路４０１は、面２１０に対して垂直な方向に伸びるように形成された円柱形状の流路である。流路４０１の中心軸は、上面視において面２１０や面２２０の中心と一致している。つまり、流路４０１は、上面視においてベースプレート２００の中心となる位置に形成されている。流路４０１は、その一端が第１流路４１０に繋がっており、他端が面２２０まで伸びている。図５に示されるように、面２２０には、流路４０１の端部である開口２８１が形成されている。

【0039】

図２等において符号「４０２」が付されているのは、冷媒流路４００のうち、外部に排出される冷媒が最後に通る出口部分である。当該部分のことを、以下では「流路４０２」とも表記する。流路４０２は、流路４０１と同様に、面２１０に対して垂直な方向に伸びるように形成された円柱形状の流路である。流路４０２は計３つ設けられている。それぞれの流路４０２は、その一端が第２流路４２０に繋がっており、他端が面２２０まで伸びている。図５に示されるように、面２２０には、流路４０２の端部である開口２８２が形成されている。

【0040】

尚、外部からの冷媒を流路４０２に供給し、流路４０１から冷媒を外部に排出することとしてもよい。流路４０１及び流路４０２のうちどちらを冷媒の入口として用いるのかは、特に限定されない。

【0041】

図３に示されるように、第１流路４１０は、計６つの第１部分流路４１０Ａに分かれており、それぞれの第１部分流路４１０Ａの端部が１つの流路４０１に対し繋がっている。流路４０１は、本実施形態における「接続流路」に該当する。

【0042】

上面視において、それぞれの第１部分流路４１０Ａは周方向に沿って並ぶように配置されている。それぞれの第１部分流路４１０Ａの形状は互いに同一であるが、一部の形状において互いに相違していてもよい。

【0043】

第１部分流路４１０Ａは、複数の周方向流路４１１と、複数の屈曲流路４１２と、を含む。周方向流路４１１は、周方向に沿って円弧状に伸びるように形成された流路である。上面視において、それぞれの周方向流路４１１の曲率中心は、流路４０１の中心軸と一致している。１つの第１部分流路４１０Ａが有する複数の周方向流路４１１は、中心部から外周側に向かって概ね等間隔で並んでいる。屈曲流路４１２は、周方向流路４１１の端部同士を繋ぐように形成された部分である。屈曲流路４１２によって、複数の周方向流路４１１が１つの第１部分流路４１０Ａとなるように繋がっている。それぞれの屈曲流路４１２は、冷媒の流れる方向を概ね１８０度変化させるよう半円状に屈曲している。

【0044】

第１部分流路４１０Ａのうち、流路４０１とは反対側の端部、すなわち下流側の端部には、接続流路４３０が接続されている。図２に示されるように、接続流路４３０は、面２１０に対して垂直な方向に伸びるように形成された円柱形状の流路であって、それぞれの第１部分流路４１０Ａに対応して１つずつ形成されている。つまり、本実施形態では計６つの接続流路４３０が形成されている。

【0045】

以上のような構成により、外部から供給された冷媒は、流路４０１からそれぞれの第１部分流路４１０Ａに流入し、外周側にある接続流路４３０へと向かって流れる。つまり、第１流路４１０では、冷媒は第１部分流路４１０Ａを中央側から外周側に向かって流れる。接続流路４３０に到達した冷媒は、接続流路４３０を通って第２流路４２０へと向かう。

【0046】

図４に示されるように、本実施形態の第２流路４２０の形状は、第１流路４１０（図３）の形状と概ね同じである。第２流路４２０は、第１流路４１０と同様に計６つの第２部分流路４２０Ａに分かれている。上面視において、それぞれの第２部分流路４２０Ａは周方向に沿って並ぶように配置されている。

【0047】

第２部分流路４２０Ａは、複数の周方向流路４２１と、複数の屈曲流路４２２と、を含む。周方向流路４２１は、周方向に沿って円弧状に伸びるように形成された流路である。上面視において、それぞれの周方向流路４２１の曲率中心は、流路４０１の中心軸と一致している。１つの第２部分流路４２０Ａが有する複数の周方向流路４２１は、中心部から外周側に向かって概ね等間隔で並んでいる。屈曲流路４２２は、周方向流路４２１の端部同士を繋ぐように形成された部分である。屈曲流路４２２によって、複数の周方向流路４２１が１つの第２部分流路４２０Ａとなるように繋がっている。それぞれの屈曲流路４２２は、冷媒の流れる方向を概ね１８０度変化させるよう半円状に屈曲している。

【0048】

本実施形態では、それぞれの周方向流路４２１が、いずれも上面視において周方向流路４１１と完全に重なる位置に形成されている。また、それぞれの屈曲流路４２２が、いずれも上面視において屈曲流路４１２と完全に重なる位置に形成されている。つまり、上下に並ぶ第１部分流路４１０Ａと第２部分流路４２０Ａとを対比すると、上面視においては周方向流路４１１の形状と周方向流路４２１の形状とが完全に一致しており、屈曲流路４１２の形状と屈曲流路４２２の形状とが完全に一致している。

【0049】

第２部分流路４２０Ａのうち外周側の端部は、第１部分流路４１０Ａと同様に接続流路４３０に繋がっている。第２部分流路４２０Ａのうち内周側の端部は、先に述べた流路４０２の端部に繋がっている。本実施形態では、互いに隣り合う一対の第２部分流路４２０Ａが、１つの流路４０２に繋がっている。上面視における第２部分流路４２０Ａの形状は、流路４０２の近傍部分を除き、第１部分流路４１０Ａの形状と一致しており、且つ重なっている。

【0050】

以上のような構成により、接続流路４３０を通った冷媒は、接続流路４３０から第２部分流路４２０Ａに流入し、中央側にある流路４０２へと向かって流れる。つまり、第２流路４２０では、冷媒は第２部分流路４２０Ａを外周側から中央側に向かって流れる。その後、冷媒は流路４０２を通って外部へと排出される。

【0051】

以上のように、本実施形態のベースプレート２００に形成された冷媒流路４００は、第１流路４１０と第２流路４２０を有している。これらのうち、往路である第１流路４１０は、周方向に沿って並ぶように配置された複数の第１部分流路４１０Ａに分かれており、それぞれの第１部分流路４１０Ａの端部が、ベースプレート２００に形成された１つの流路４０１（接続流路）に繋がっている。

【0052】

図５に示されるように、計３つあるリフトピン穴２６０はいずれも、周方向に沿って並ぶように配置された第１部分流路４１０Ａの間となる位置に配置されている。冷媒流路４００を複数の第１部分流路４１０Ａに分けておくことで、図５のようにリフトピン穴２６０の位置を避けてそれぞれの第１部分流路４１０Ａを配置しながら、基板Ｗの面内温度分布が不均一とならないように冷媒流路４００を引き回すことが可能となる。

【0053】

それぞれの第１部分流路４１０Ａの端部は、ベースプレート２００に形成された１つの流路４０１（接続流路）に繋がっている。このような構成においては、１つの流路４０１から、それぞれの第１部分流路４１０Ａに対し同じ温度の冷媒を供給することにより、基板Ｗの面内温度分布を均一化することができる。

【0054】

流路４０１は、本実施形態のように、上面視においてベースプレート２００の中心となる位置に配置することが好ましい。流路４０１をベースプレート２００の中心に配置すれば、複数の第１部分流路４１０Ａの形状を互いに同一とすることが可能となるので、面内温度分布を更に均一化することができる。

【0055】

それぞれの第１部分流路４１０Ａは、周方向に沿って円弧状に伸びる複数の周方向流路４１１と、周方向流路４１１の端部同士を繋ぐように屈曲している屈曲流路４１２と、を含んでいる。周方向流路４１１と屈曲流路４１２とを組み合わせた構成とすることで、第１部分流路４１０Ａを密に引き回すことが可能となり、基板Ｗのうち周方向に並ぶ各領域のそれぞれを適切に温度調整することができる。

【0056】

第１部分流路４１０Ａの数は、本実施形態のようにリフトピン穴２６０の数の整数倍とすることが好ましい。このような構成とすることで、それぞれの第１部分流路４１０Ａの形状を互いに概ね同一とすることができる。その結果、リフトピン穴２６０の位置を避けるように第１部分流路４１０Ａを配置しながらも、それぞれのリフトピン穴２６０について、リフトピン穴２６０と冷媒流路４００との位置関係を同じにすることが可能となる。これにより、リフトピン穴２６０の近傍において面内温度分布が不均一になることを抑制することができる。

【0057】

本実施形態では、往路である第１流路４１０とは別に、復路である第２流路４２０を面２２０側に設けてある。第２流路４２０は、本実施形態のように、第１流路４１０と同様の形状の流路として形成されていてもよいが、第１流路４１０とは全く異なる形状の流路として形成されていてもよい。例えば、それぞれの接続流路４３０の下端から、中央側にある流路４０２に向かって直線状に伸びるような流路として、第２流路４２０が設けられていてもよい。

【0058】

また、第１流路４１０のみが形成されており、第２流路４２０が形成されていない構成であってもよい。例えば、それぞれの接続流路４３０が、第１流路４１０の端部から面２２０まで伸びている構成としてもよい。

【0059】

以上、具体例を参照しつつ本実施形態について説明した。しかし、本開示はこれらの具体例に限定されるものではない。これら具体例に、当業者が適宜設計変更を加えたものも、本開示の特徴を備えている限り、本開示の範囲に包含される。前述した各具体例が備える各要素およびその配置、条件、形状などは、例示したものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。前述した各具体例が備える各要素は、技術的な矛盾が生じない限り、適宜組み合わせを変えることができる。

【符号の説明】

【0060】

Ｗ：基板
１０：静電チャック
１００：誘電体基板
１１０，１２０:面
２００：ベースプレート
２６０：リフトピン穴
４００：冷媒流路
４０１，４０２：流路
４１０Ａ：第１部分流路
４１１：周方向流路
４１２：屈曲流路

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】