特開 2024-125633 チップ抵抗器およびチップ抵抗器の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024125633

(43)【公開日】2024-09-19

(54)【発明の名称】チップ抵抗器およびチップ抵抗器の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01C 7/00 20060101AFI20240911BHJP

   H01C 17/00 20060101ALI20240911BHJP

   H01G 2/10 20060101ALI20240911BHJP

【ＦＩ】

H01C7/00 110

H01C17/00 100

H01C7/00 400

H01G2/10 J

【審査請求】未請求

【請求項の数】7

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023033573

(22)【出願日】2023-03-06

(71)【出願人】

【識別番号】000105350

【氏名又は名称】ＫＯＡ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110000442

【氏名又は名称】弁理士法人武和国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】永田 昭彦

(72)【発明者】

【氏名】金子 誉

(72)【発明者】

【氏名】本島 勇一

【テーマコード（参考）】

5E032

5E033

【Ｆターム（参考）】

5E032AB10

5E032BA04

5E032BA15

5E032BB01

5E032CA04

5E032CA11

5E033AA43

5E033BA01

5E033BB02

5E033BC01

5E033BD01

5E033BE02

5E033BF05

5E033BG05

5E033BH02

5E033BH04

(57)【要約】

【課題】表電極の硫化腐食を確実に防止して耐食性に優れたチップ抵抗器を提供する。
【解決手段】本発明のチップ抵抗器１は、直方体形状の絶縁基板２と、絶縁基板２の主面における両端部に設けられた一対の表電極４と、一対の表電極４間を接続する抵抗体３と、絶縁基板２の裏面における両端部に設けられた一対の裏電極６と、一対の表電極４の少なくとも内方側の端部に重なるように設けられた耐硫化性の高い材料からなる一対の保護電極５と、一対の保護電極５の内方側の端部と抵抗体３を覆う無機材料からなる第１絶縁層７と、第１絶縁層７上に設けられた有機材料からなる第２絶縁層８と、絶縁基板２の両端面に延在して表電極３と裏電極６を導通する一対の端面電極９と、一対の端面電極９を覆う外部メッキ層１０とを備え、端面電極１０は保護電極５の上面から第２絶縁層８の端部に至る範囲に形成されている。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

直方体形状の絶縁基板と、
前記絶縁基板の主面における両端部に設けられた一対の表電極と、
一対の前記表電極間を接続するように設けられた抵抗体と、
前記絶縁基板の主面と反対側の裏面における両端部に設けられた一対の裏電極と、
一対の前記表電極の少なくとも内方側の端部に重なるように設けられ、該表電極よりも耐硫化性の高い材料からなる一対の保護電極と、
一対の前記保護電極の内方側の端部と前記抵抗体を覆うように設けられた無機材料からなる第１絶縁層と、
前記第１絶縁層上に設けられた有機材料からなる第２絶縁層と、
前記絶縁基板の両端面に延在して前記表電極と前記裏電極を導通するように設けられた一対の端面電極と、
一対の前記端面電極を覆うように設けられた外部メッキ層と、
を備え、
前記端面電極は、前記保護電極の上面から前記第２絶縁層の端部に至る範囲に形成されている、ことを特徴とするチップ抵抗器。

【請求項2】

前記第１絶縁層の両端部は前記第１絶縁層から露出していると共に、前記端面電極は、前記保護電極の上面から前記第１絶縁層の露出側端部を通って前記第２絶縁層の端部まで形成されている、ことを特徴とする請求項１に記載のチップ抵抗器。

【請求項3】

前記抵抗体は前記絶縁基板の主面上に設けられていると共に、一対の前記表電極は前記抵抗体の両端部に重なるように設けられており、前記保護電極は前記表電極の少なくとも内方側の周面を覆っている、ことを特徴とする請求項１または２に記載のチップ抵抗器。

【請求項4】

一対の前記表電極は前記絶縁基板の主面上における両端部に設けられていると共に、前記抵抗体は一対の前記表電極の両端部上に重なるように設けられており、前記保護電極は前記表電極に重なる前記抵抗体の両端部を覆っている、ことを特徴とする請求項１または２に記載のチップ抵抗器。

【請求項5】

前記抵抗体が薄膜形成された抵抗体材料であると共に、前記表電極と前記保護電極が薄膜形成された導電性の金属皮膜である、ことを特徴とする請求項３または４に記載のチップ抵抗器。

【請求項6】

絶縁基板の主面上に抵抗体を形成する抵抗体形成工程と、
前記抵抗体の両端部に所定間隔を存して一対の表電極を形成する表電極形成工程と、
一対の前記表電極の全体が覆われるように該表電極よりも耐硫化性の高い材料からなる一対の保護電極を形成する保護電極形成工程と、
前記大判基板の主面と反対面に所定間隔を存して一対の裏電極を形成する裏電極形成工程と、
一対の前記保護電極の内方側の端部と前記抵抗体が覆われるように無機材料からなる第１絶縁層を形成する第１絶縁層形成工程と、
前記第１絶縁層の上からレーザー光を照射して前記抵抗体の抵抗値を調整する抵抗値調整工程と、
前記第１絶縁層上に有機材料からなる第２絶縁層を形成する第２絶縁層形成工程と、
前記保護電極と前記裏電極が覆われるように前記絶縁基板の両端面に一対の端面電極を形成する端面電極形成工程と、
一対の前記端面電極が覆われるように外部メッキ層を形成する外部メッキ層形成工程と、
を含み、
前記端面電極工程において、前記端面電極は、前記保護電極の上面から前記第２絶縁層の端部に至る範囲に形成される、ことを特徴とするチップ抵抗器の製造方法。

【請求項7】

前記第２絶縁層形成工程において、前記第２絶縁層が前記第１絶縁層の両端部を露出させた状態で形成されると共に、前記端面電極工程において、前記端面電極が、前記保護電極の上面から前記第１絶縁層の露出側端部を通って前記第２絶縁層の端部まで形成される、ことを特徴とする請求項６に記載のチップ抵抗器の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、チップ抵抗器およびその製造方法に関するものである。

【背景技術】

【0002】

一般的にチップ抵抗器は、直方体形状の絶縁基板と、絶縁基板の表面に所定間隔を存して対向配置された一対の表電極と、これら対をなす表電極どうしを橋絡する抵抗体と、抵抗体を覆う２層構造の保護膜（ガラス層と絶縁樹脂層）と、絶縁基板の裏面に所定間隔を存して対向配置された一対の裏電極と、表電極と裏電極を導通する一対の端面電極と、これら各電極を覆う一対の外部メッキ層等によって主に構成されている。

【0003】

この種のチップ抵抗器において、通常、表電極には比抵抗の低いＡｇ（銀）系の金属材料が用いられており、この表電極を順次覆うように端面電極と外部メッキ層が形成された構成となっているが、外部メッキ層と保護膜の境界部分となる隙間から腐食性の強い硫化ガス等が侵入し易いため、表電極と保護膜の境界位置における表電極部分が硫化ガス等によって腐食されて抵抗値変化や断線等の不具合を招来する虞がある。

【0004】

そこで、保護膜の絶縁樹脂層と表電極の双方に接続する導電性の保護電極を形成し、端面電極を表電極と保護電極に跨るように形成すると共に、外部メッキ層を保護電極と端面電極の境界位置を超えて絶縁樹脂層の端部まで覆うように形成することにより、耐硫化性の向上を図るようにしたチップ抵抗器が提案されている（特許文献１参照）。

【0005】

特許文献１に開示されたチップ抵抗器は、保護膜を構成する２層構造のガラス層と絶縁樹脂層のうち、上層の絶縁樹脂層と表電極とに跨るように保護電極を形成し、この保護電極を介して表電極の上に外部メッキ層が形成されているため、保護電極によって絶縁保護層の表面との間の境界面の長さが長くなり、硫化ガスが絶縁保護層と外部メッキ層との境界面から表電極に到達するのを抑制することができる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0006】

【特許文献1】特開２００７－１２３８３２号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0007】

特許文献１に開示されたチップ抵抗器では、絶縁樹脂層がガラス層の全体と表電極の一部を覆うように形成されており、この絶縁樹脂層と表電極に跨るように保護電極が形成されているため、絶縁樹脂層の内部に硫化ガスが侵入しても、ガラス層の真下の表電極まで硫化ガスが到達しないように阻止される。しかし、絶縁樹脂層がガラス層の端部を覆って表電極に接触している構造であるため、絶縁樹脂層の内部に硫化ガスが侵入すると、その硫化ガスがガラス層の外側を通って表電極に到達してしまうおそれがある。

【0008】

本発明は、上記した従来技術の実情に鑑みてなされたものであり、第１の目的は、表電極の硫化腐食を確実に防止して耐食性に優れたチップ抵抗器を提供することにあり、第２の目的は、そのようなチップ抵抗器の製造方法を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0009】

上記第１の目的を達成するための一形態として、本発明のチップ抵抗器は、直方体形状の絶縁基板と、前記絶縁基板の主面における両端部に設けられた一対の表電極と、一対の前記表電極間を接続するように設けられた抵抗体と、前記絶縁基板の主面と反対側の裏面における両端部に設けられた一対の裏電極と、一対の前記表電極の少なくとも内方側の端部に重なるように設けられ、該表電極よりも耐硫化性の高い材料からなる一対の保護電極と、一対の前記保護電極の内方側の端部と前記抵抗体を覆うように設けられた無機材料からなる第１絶縁層と、前記第１絶縁層上に設けられた有機材料からなる第２絶縁層と、前記絶縁基板の両端面に延在して前記表電極と前記裏電極を導通するように設けられた一対の端面電極と、一対の前記端面電極を覆うように設けられた外部メッキ層と、を備え、前記端面電極は、前記保護電極の上面から前記第２絶縁層の端部に至る範囲に形成されている、ことを特徴としている。

【0010】

また、上記第２の目的を達成するための一形態として、本発明によるチップ抵抗器の製造方法は、絶縁基板の主面上に抵抗体を形成する抵抗体形成工程と、前記抵抗体の両端部に所定間隔を存して一対の表電極を形成する表電極形成工程と、一対の前記表電極の全体が覆われるように該表電極よりも耐硫化性の高い材料からなる一対の保護電極を形成する保護電極形成工程と、前記大判基板の主面と反対面に所定間隔を存して一対の裏電極を形成する裏電極形成工程と、一対の前記保護電極の内方側の端部と前記抵抗体が覆われるように無機材料からなる第１絶縁層を形成する第１絶縁層形成工程と、前記第１絶縁層の上からレーザー光を照射して前記抵抗体の抵抗値を調整する抵抗値調整工程と、前記第１絶縁層上に有機材料からなる第２絶縁層を形成する第２絶縁層形成工程と、前記保護電極と前記裏電極が覆われるように前記絶縁基板の両端面に一対の端面電極を形成する端面電極形成工程と、一対の前記端面電極が覆われるように外部メッキ層を形成する外部メッキ層形成工程と、を含み、前記端面電極工程において、前記端面電極は、前記保護電極の上面から前記第２絶縁層の端部に至る範囲に形成される、ことを特徴としている。

【発明の効果】

【0011】

本発明によれば、表電極の硫化腐食を確実に防止して耐食性に優れたチップ抵抗器を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0012】

【図1】本発明の第１実施形態に係るチップ抵抗器の断面図である。

【図2】図１のＡ部拡大図である。

【図3】該チップ抵抗器の製造工程を示す平面図である。

【図4】該チップ抵抗器の製造工程を示す平面図である。

【図5】該チップ抵抗器の製造工程を示す断面図である。

【図6】該チップ抵抗器の製造工程を示す断面図である。

【図7】本発明の第２実施形態に係るチップ抵抗器の断面図である。

【図8】図７のＢ部拡大図である。

【図9】該チップ抵抗器の製造工程を示す平面図である。

【図10】該チップ抵抗器の製造工程を示す平面図である。

【図11】該チップ抵抗器の製造工程を示す断面図である。

【図12】該チップ抵抗器の製造工程を示す断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0013】

以下、発明の実施の形態について図面を参照しながら説明すると、図１は本発明の第１実施形態に係るチップ抵抗器１の断面図、図２は図１のＡ部拡大図である。

【0014】

図１と図２に示すように、第１実施形態に係るチップ抵抗器１は、直方体形状の絶縁基板２と、絶縁基板２の主面（表面）上に長手方向に沿って設けられた抵抗体３と、抵抗体３上の長手方向両端部に設けられた一対の表電極４と、これら表電極４を覆うように設けられた一対の保護電極５と、絶縁基板２の下面における長手方向両端部に設けられた一対の裏電極６と、抵抗体３の上面と一対の保護電極５の内方側の端部を覆うように設けられた第１絶縁層７と、第１絶縁層７の両端部を除く上面を覆うように設けられた第２絶縁層８と、絶縁基板２の両端面に延在して対応する表電極４と裏電極６間を導通するように設けられた一対の端面電極９と、これら端面電極９を覆うように設けられた一対の外部メッキ層１０と、により主として構成されている。

【0015】

絶縁基板２はセラミックス等からなり、この絶縁基板２は、後述するシート状の大判基板を縦横に延びる一次分割溝と二次分割溝に沿って分割することにより多数個取りされたものである。

【0016】

抵抗体３は、絶縁基板２の主面にＮｉ／Ｃｒ等をスパッタリングして形成された薄膜抵抗体であり、フォトリソグラフィ技術を用いてミアンダ形状（蛇行形状）にパターニングされている。後述するように、この抵抗体３には抵抗値を調整するためのトリミング溝１３が形成されている。

【0017】

一対の表電極４は、抵抗体３上にＣｕ等の比抵抗の低い金属粒子をスパッタリングして形成された薄膜電極であり、フォトリソグラフィ技術を用いて抵抗体３の両端部に矩形状に形成されている。

【0018】

一対の保護電極５は、表電極４上にＮｉやＮｉ／ＣｒやＰｔ等の耐硫化性に富んだ金属粒子をスパッタリングして形成された薄膜電極であり、フォトリソグラフィ技術を用いて表電極４を覆うように矩形状に形成されている。

【0019】

一対の裏電極６は、絶縁基板２の下面にＣｕ等の比抵抗の低い金属粒子をスパッタリングして形成された薄膜電極であり、フォトリソグラフィ技術を用いて絶縁基板２の長手方向両端部に矩形状に形成されている。

【0020】

第１絶縁層７は、抵抗体３の上面と保護電極５の内方側端部が覆われるように、ＣＶＤ法により形成されたＳｉＯ₂等の無機材料からなる。第２絶縁層８は、第１絶縁層７の両端部を除く上面が覆われるように、スクリーン印刷により形成されたエポキシ樹脂やフェノー樹脂等の有機材料からなる。なお、これら第１絶縁層７と第２絶縁層８によって２層構造の保護層が形成されている。

【0021】

一対の端面電極９は、絶縁基板２の端面に向けてＮｉ／Ｃｒ等をスバッタリングすることによって形成されたものであり、これら端面電極９によって絶縁基板２の端面を介して上下に離間する表電極４と裏電極６間が導通されている。なお、端面電極９は、裏電極６と保護電極５を覆うだけでなく、第２絶縁層８から露出する第１絶縁層７の端部と、第２絶縁層８の湾曲した端部にも被着されている。

【0022】

一対の外部メッキ層１０は、それぞれ中間電極１１と外部電極１２の２層構造からなり、これら外部メッキ層１０によって端面電極９が覆われている。内層側の中間電極１１は電解めっきによって形成されたＮｉメッキ層であり、外層側の外部電極１２は電解めっきによって形成されたＳｎメッキ層である。

【0023】

次に、上記の如く構成されたチップ抵抗器１の製造方法について、図３～図６を参照しながら説明する。

【0024】

まず、図３（ａ）と図５（ａ）に示すように、格子状に延びる一次分割溝と二次分割溝が形成された大判基板２Ａを準備する。これら一次分割溝と二次分割溝によって大判基板２Ａの表裏両面は多数のチップ形成領域に区画され、各チップ形成領域がそれぞれ１個分の絶縁基板２となる。図３（ａ）と図５（ａ）には１つのチップ形成領域が代表的に示されているが、実際には、このようなチップ形成領域が格子状に多数配列されている。

【0025】

次に、図３（ｂ）と図５（ｂ）に示すように、大判基板２Ａの表面における各チップ形成領域にＮｉ／Ｃｒをスパッタリングして薄膜抵抗体３Ａを形成する。

【0026】

次に、図３（ｃ）と図５（ｃ）に示すように、薄膜抵抗体３Ａの表面にＣｕをスパッタリングして薄膜表電極４Ａを形成する。

【0027】

次に、フォトリソグラフィ技術により薄膜表電極４Ａをパターニングすることにより、図３（ｄ）と図５（ｄ）に示すように、薄膜抵抗体３Ａの両端部に矩形状をなす一対の表電極４を形成する。

【0028】

次に、フォトリソグラフィ技術により薄膜抵抗体３Ａをパターニングすることにより、図３（ｅ）と図５（ｅ）に示すように、ミアンダ形状の抵抗体３を形成する。この抵抗体３には、複数の開口を短手方向に沿って配列させた抵抗値調整部３ａが形成されており、後述する工程で各開口間を繋ぐ部分を切断することにより、抵抗体３の抵抗値が目標抵抗値に設定されるようになっている。

【0029】

次に、一対の表電極４を不図示のマスキング材で包囲した状態で大判基板２Ａの上方からＮｉをスパッタリングすることにより、図３（ｆ）と図５（ｆ）に示すように、表電極４の上面だけでなく３つの端面を全て覆う保護電極５を形成する。また、これに前後して、大判基板２Ａの裏面に不図示のマスキング材で包囲した状態でＣｕをスパッタリングすることにより、大判基板２Ａの裏面における各チップ形成領域の長手方向両端部に一対の裏電極６を形成する。

【0030】

次に、大判基板２Ａの表面側にＣＶＤ法によりＳｉＯ₂膜を形成した後、これをフォトリソグラフィ技術によりパターニングすることにより、図４（ｇ）と図６（ｇ）に示すように、抵抗体３の上面と保護電極５の内方側端部を覆う第１絶縁層７を形成する。

【0031】

しかる後、第１絶縁層７の上から抵抗体３に対してレーザー光を照射し、このレーザー光を抵抗値調整部３ａに沿って走査することにより、図４（ｈ）と図６（ｈ）に示すように、第１絶縁層７と抵抗体３に直線状に延びるトリミング溝１３を形成する。このトリミング溝１３を延ばして抵抗値調整部３ａの開口間を繋ぐ部分が順次切断されていくと、抵抗体３の抵抗値が段階的に切り上げられて目標抵抗値に設定される。

【0032】

次に、第１絶縁層７の上からエポキシやフェノール等の樹脂ペーストをスクリーン印刷して加熱硬化（焼付け）することにより、図４（ｉ）と図６（ｉ）に示すように、第１絶縁層７の両端部を除く上面を覆う第２絶縁層８を形成する。

【0033】

これまでの工程は大判基板２Ａに対する一括処理であるが、次なる工程では、大判基板２Ａを一次分割溝に沿って短冊状に一次分割することにより、チップ形成領域の長手方向を幅寸法とする短冊状基板２Ｂを得る。

【0034】

そして、この短冊状基板２Ｂの分割面（端面）に向けてＮｉ／Ｃｒをスパッタリングすることにより、図４（ｊ）と図６（ｊ）に示すように、短冊状基板２Ｂ２の端面を介して上下に離間する表電極４と裏電極６間を導通する一対の端面電極９を形成する。その際、端面電極９は、裏電極６と保護電極５を覆うように断面コ字状に形成され、さらに、第２絶縁層８から露出する第１絶縁層７の端部と、第２絶縁層８の湾曲した端部にも被着される。

【0035】

次に、短冊状基板２Ｂを二次分割溝に沿って複数のチップ状基板２Ｃに２次分割した後、これらチップ状基板２Ｃに対して電解Ｎｉめっきを施すことにより、図４（ｋ）と図６（ｋ）に示すように、端面電極９を被覆する中間電極１１を形成する。

【0036】

しかる後、チップ状基板２Ｃに対して電解Ｓｎめっきを施すことにより、図４（ｌ）と図６（ｌ）に示すように、中間電極１１を被覆する外部電極１２を形成する。これにより、Ｎｉメッキ層とＳｎメッキ層の２層構造からなる外部メッキ層１０が形成され、図１に示すチップ抵抗器１が完成する。

【0037】

以上説明したように、第１実施形態に係るチップ抵抗器１は、表電極４上に耐硫化性の高い材料からなる保護電極５が形成されており、端面電極９がこの保護電極５の上面から第２絶縁層８の端部に至る範囲まで形成されているため、端面電極９と第２絶縁層８の境界面から硫化ガスが侵入したとしても、その硫化ガスが表電極４に到達してしまうことを保護電極５によって阻止できる。しかも、表電極４と保護電極５の内方側端部が無機材料からなる第１絶縁層７によって覆われているため、第２絶縁層８の内部に硫化ガスが侵入しても、その硫化ガスが表電極４に到達してしまうことを第１絶縁層７によって阻止できる。したがって、表電極４が硫化ガスによって腐食しまうことがなくなり、耐食性に優れたチップ抵抗器１を実現することができる。

【0038】

また、第１実施形態に係るチップ抵抗器１では、無機材料からなる第１絶縁層７の端部を第２絶縁層８から露出させており、第１絶縁層７が第２絶縁層８よりも大きくなる設計としているため、第２絶縁層８の内部を透過して侵入する硫化ガスに起因する表電極４の腐食を確実に防止することができる。すなわち、エポキシ樹脂等の有機材料からなる第２絶縁層８の端部は、膜厚が薄くて硫化ガスが侵入する経路の短い部分となっているが、当該部分の真下に無機材料からなる第１絶縁層７の露出側端部が延在しているため、第２絶縁層８の端部から侵入した硫化ガスは第１絶縁層７の露出側端部で阻止されて保護電極５まで到達せず、保護電極５で覆われた表電極４に硫化ガスが接触することを確実に防止できる。

【0039】

また、第１実施形態に係るチップ抵抗器１は、絶縁基板２上にＮｉ／Ｃｒ等の金属薄膜を抵抗体３として形成したものであり、抵抗温度係数（ＴＣＲ）や抵抗値変化率等に優れた薄膜チップ抵抗器となっている。そして、抵抗体３上の両端部にＣｕ等の比抵抗の低い金属粒子をスパッタリングして一対の表電極４を薄膜形成した後、これら表電極４の上からＮｉ等の硫化し難い金属粒子をスパッタリングして保護電極５を薄膜形成したので、保護電極５が表電極４の上面だけでなく側端面も覆う構造となっている。そのため、保護電極５を構成するＮｉ皮膜等の表面が硫化しても、それ以上の硫化は進行せず、保護電極５に覆われた表電極４の硫化腐食を確実に防止することができる。

【0040】

なお、第１実施形態に係るチップ抵抗器１では、抵抗体３が全長の長いミアンダ形状に形成されているが、抵抗体３は矩矩形等の他の形状であっても良い。

【0041】

次に、本発明を厚膜チップ抵抗器に適用した第２実施形態について説明すると、図７は第２実施形態に係るチップ抵抗器２１の断面図、図８は図７のＢ部拡大図である。

【0042】

図７と図８に示すように、第２実施形態に係るチップ抵抗器２１は、直方体形状の絶縁基板２２と、絶縁基板２２の主面（表面）における長手方向両端部に設けられた一対の表電極２４と、これら表電極２４の内方側端部に重なるように設けられた抵抗体２３と、表電極２４と抵抗体２３の両端部とを覆うように設けられた一対の保護電極２５と、絶縁基板２２の下面における長手方向両端部に設けられた一対の裏電極２６と、抵抗体２３の上面と一対の保護電極２５の内方側端部とを覆うように設けられた第１絶縁層２７と、第１絶縁層２７の両端部を除く上面を覆うように設けられた第２絶縁層２８と、絶縁基板２２の両端面に延在して対応する表電極２４と裏電極２６間を導通するように設けられた一対の端面電極２９と、これら端面電極２９を覆うように設けられた一対の外部メッキ層３０と、により主として構成されている。

【0043】

絶縁基板２２はセラミックス等からなり、この絶縁基板２２は、後述するシート状の大判基板を縦横に延びる一次分割溝と二次分割溝に沿って分割することにより多数個取りされたものである。

【0044】

一対の表電極２４と一対の裏電極２６は、ＡｇペーストまたはＰｄを含有するＡｇ系ペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成させた厚膜電極である。

【0045】

抵抗体２３は、酸化ルテニウム等の抵抗ペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成させた厚膜抵抗体であり、この抵抗体２３の長手方向の両端部は表電極２４上に重なっている。また、抵抗体２３には抵抗値を調整するためのトリミング溝３３が形成されている。

【0046】

一対の保護電極２５は、ＮｉやＮｉ／ＣｒやＰｔ等の耐硫化性に富んだ金属粒子を表電極２４上にスパッタリングして形成された薄膜電極、または、ＮｉやＰｔ等の耐硫化性に富んだ金属粒子を充填した樹脂ペーストを表電極２４上にスクリーン印刷して加熱硬化させた厚膜電極である。これら保護電極２５は、表電極４上に重なる抵抗体２３の両端部を含めて表電極４の全体を覆うように矩形状に形成されている。

【0047】

第１絶縁層２７は、ＣＶＤ法により形成されたＳｉＯ₂や、ガラスペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成させた無機材料からなり、抵抗体２３の上面と一対の保護電極２５の内方側端部は第１絶縁層２７によって覆われている。第２絶縁層２８は、スクリーン印刷により形成されたエポキシ樹脂やフェノー樹脂等の有機材料からなり、第１絶縁層２７の両端部を除く上面は第２絶縁層２８によって覆われている。なお、これら第１絶縁層２７と第２絶縁層２８によって２層構造の保護層が形成されている。

【0048】

一対の端面電極２９は、絶縁基板２２の端面に向けてＮｉ／Ｃｒ等をスバッタリングすることによって形成されたものであり、これら端面電極２９によって絶縁基板２２の端面を介して上下に離間する表電極２４と裏電極２６間が導通されている。これら端面電極２９は、裏電極２６と保護電極２５を覆うように断面コ字状に形成されており、かつ、第２絶縁層２８から露出する第１絶縁層２７の端部と、第２絶縁層２８の湾曲した端部を覆うように形成されている。

【0049】

一対の外部メッキ層３０は、それぞれ中間電極３１と外部電極３２の２層構造からなり、これら外部メッキ層３０によって端面電極２９が覆われている。内層側の中間電極３１は電解めっきによって形成されたＮｉメッキ層であり、外層側の外部電極３２は電解めっきによって形成されたＳｎメッキ層である。

【0050】

次に、上記の如く構成されたチップ抵抗器２１の製造方法について、図９～図１２を参照しながら説明する。

【0051】

まず、図９（ａ）と図１１（ａ）に示すように、格子状に延びる一次分割溝と二次分割溝が形成された大判基板２２Ａを準備する。これら一次分割溝と二次分割溝によって大判基板２２Ａの表裏両面は多数のチップ形成領域に区画され、これらチップ形成領域がそれぞれ１個分の絶縁基板２２となる。図９（ａ）と図１１（ａ）には１つのチップ形成領域が代表的に示されているが、実際には、このようなチップ形成領域が格子状に多数配列されている。

【0052】

そして、大判基板２２Ａの表面にＡｇペーストまたはＡｇ－Ｐｄペーストをスクリーン印刷した後、これを乾燥・焼成することにより、図９（ｂ）と図１１（ｂ）に示すように、各チップ形成領域の長手方向両端部に所定間隔を存して対向する一対の表電極２４を形成する。

【0053】

次に、大判基板２Ａの裏面にＡｇペーストをスクリーン印刷した後、これを乾燥・焼成することにより、図９（ｃ）と図１１（ｃ）に示すように、各チップ形成領域の長手方向両端部に所定間隔を存して対向する一対の裏電極２６を形成する。なお、表電極２４と裏電極２６の形成順序は逆であっても良く、表電極２４と裏電極２６を同時に形成するようにしても良い。

【0054】

次に、大判基板２２Ａの表面に酸化ルテニウム等を含有した抵抗ペーストをスクリーン印刷した後、これを乾燥・焼成することにより、図９（ｄ）と図１１（ｄ）に示すように、両端部を表電極２４上に重ね合わせた矩形状の抵抗体２３を形成する。

【0055】

次に、Ｎｉ等の金属粒子を表電極２４上にスパッタリングするか、あるいはＮｉ等の金属粒子を充填した樹脂ペーストを表電極２４上にスクリーン印刷して加熱硬化することにより、図９（ｅ）と図１１（ｅ）に示すように、表電極２４を覆う一対の保護電極２５を形成する。これにより、抵抗体２３との重なり部分を含めた表電極４の全体が耐硫化性に優れた材料からなる保護電極２５によって覆われる。

【0056】

次に、大判基板２２Ａの表面側にＣＶＤ法によりＳｉＯ₂膜を形成するか、あるいはガラスペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成することにより、図９（ｆ）と図１１（ｆ）に示すように、抵抗体２３の上面と保護電極２５の内方側端部とを覆う第１絶縁層２７を形成する。

【0057】

しかる後、第１絶縁層２７の上から抵抗体２３に対してレーザー光を照射することにより、図１０（ｇ）と図１２（ｇ）に示すように、第１絶縁層２７と抵抗体２３に直線状に延びるトリミング溝３３を形成する。このトリミング溝３３を延ばすことにより、抵抗体３の抵抗値が切り上げられて目標抵抗値に設定される。なお、トリミング溝３３の形状は、１本の切込みを直線状に延ばしたシングルカットに限らず、ダブルカットやＬ字カット等の公知のものを採用可能である。

【0058】

次に、第１絶縁層２７の上からエポキシ樹脂やフェノール樹脂等の樹脂ペーストをスクリーン印刷して加熱硬化（焼付け）することにより、図１０（ｈ）と図１２（ｈ）に示すように、第１絶縁層２７の両端部を除く上面を覆う第２絶縁層２８を形成する。

【0059】

これまでの工程は大判基板２２Ａに対する一括処理であるが、次なる工程では、大判基板２２Ａを一次分割溝に沿って短冊状に一次分割することにより、チップ形成領域の長手方向を幅寸法とする短冊状基板２２Ｂを得る。

【0060】

次に、この短冊状基板２２Ｂの分割面（端面）に向けてＮｉ／Ｃｒをスパッタリングすることにより、図１０（ｉ）と図１２（ｉ）に示すように、保護電極２５と裏電極２６を導通する一対の端面電極２９を形成する。その際、端面電極２９は、裏電極２６と保護電極２５を覆うように断面コ字状に形成され、さらに、第２絶縁層２８から露出する第１絶縁層２７の端部と、第２絶縁層２８の湾曲した端部にも被着される。

【0061】

次に、短冊状基板２２Ｂを二次分割溝に沿って複数のチップ状基板２２Ｃに２次分割した後、これらチップ状基板２２Ｃに対して電解Ｎｉめっきを施すことにより、図１０（ｊ）と図１２（ｊ）に示すように、端面電極２９を被覆する中間電極３１を形成する。

【0062】

しかる後、チップ状基板２２Ｃに対して電解Ｓｎめっきを施すことにより、図１０（ｋ）と図１２（ｋ）に示すように、中間電極３１を被覆する外部電極３２を形成する。これにより、Ｎｉメッキ層とＳｎメッキ層の２層構造からなる外部メッキ層３０が形成され、図７に示すチップ抵抗器２１が完成する。

【0063】

以上説明したように、第２実施形態に係るチップ抵抗器２１は、表電極２４上に耐硫化性の高い材料からなる保護電極２５が形成されていると共に、この保護電極２５が表電極２４上に重なる抵抗体２３の両端部を覆っており、端面電極２９が保護電極２５の上面から第２絶縁層２８の端部に至る範囲まで形成されているため、端面電極２９と第２絶縁層２８の境界面から硫化ガスが侵入したとしても、その硫化ガスが表電極２４に到達してしまうことを保護電極２５によって阻止できる。しかも、表電極２４と保護電極２５の内方側端部とが無機材料からなる第１絶縁層２７によって覆われているため、第２絶縁層２８の内部に硫化ガスが侵入しても、その硫化ガスが表電極２４に到達してしまうことを第１絶縁層２７によって阻止できる。したがって、表電極２４が硫化ガスによって腐食しまうことがなくなり、耐食性に優れたチップ抵抗器２１を実現することができる。

【0064】

また、第２実施形態に係るチップ抵抗器２１では、無機材料からなる第１絶縁層２７の端部を第２絶縁層２８から露出させており、第１絶縁層２７が第２絶縁層２８よりも大きくなる設計としているため、第１実施形態に係るチップ抵抗器１と同様に、第２絶縁層２８の内部を透過して侵入する硫化ガスに起因する表電極２４の腐食を確実に防止することができる。

【0065】

なお、本発明は上記実施形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変形が可能であり、特許請求の範囲に記載された技術思想に含まれる技術的事項の全てが本発明の対象となる。上記実施形態は、好適な例を示したものであるが、当業者ならば、本明細書に開示の内容から、各種の代替例、修正例、変形例あるいは改良例を実現することができ、これらは添付の特許請求の範囲に記載された技術的範囲に含まれる。

【0066】

例えば、上記実施形態では、表電極４，２４の表面全体を覆うように保護電極５，２５が形成されているが、絶縁基板２，２２の端面と保護電極５，２５の外方側端部との間に隙間を確保し、この隙間から表電極４，２４の一部が露出するようにしても良い。すなわち、保護電極５，２５が表電極４，２４の少なくとも内方側の端部に重なっていれば、上記実施形態と同様の作用効果を奏することができる。

【符号の説明】

【0067】

１，２１ チップ抵抗器
２，２２ 絶縁基板
２Ａ，２２Ａ 大判基板
２Ｂ，２２Ｂ 短冊状基板
２Ｃ，２２Ｃ チップ状基板
３，２３ 抵抗体
４，２４ 表電極
５，２５ 保護電極
６，２６ 裏電極
７，２７ 第１絶縁層
８，２８ 第２絶縁層
９，２９ 端面電極
１０，３０ 外部メッキ層
１１，３１ 中間電極３１
１２，３２ 外部電極
１３，３３ トリミング溝

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】