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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024125652
(43)【公開日】2024-09-19
(54)【発明の名称】磁気検出装置
(51)【国際特許分類】
G01R 33/07 20060101AFI20240911BHJP
H10N 52/00 20230101ALI20240911BHJP
H01L 21/822 20060101ALI20240911BHJP
H10N 52/80 20230101ALI20240911BHJP
G01R 33/025 20060101ALI20240911BHJP
【ＦＩ】
G01R33/07
H10N52/00 Z
H01L27/04 D
H10N52/80 Z
G01R33/025
【審査請求】未請求
【請求項の数】20
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023033612
(22)【出願日】2023-03-06
(71)【出願人】
【識別番号】000116024
【氏名又は名称】ローム株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100105957
【弁理士】
【氏名又は名称】恩田 誠
(74)【代理人】
【識別番号】100068755
【弁理士】
【氏名又は名称】恩田 博宣
(72)【発明者】
【氏名】北出 哲也
【テーマコード（参考）】
2G017
5F038
5F092
【Ｆターム（参考）】
2G017AA02
2G017AB01
2G017AB07
2G017AC02
2G017AC06
2G017AD53
2G017AD57
2G017AD58
2G017AD61
2G017AD62
5F038AZ07
5F038CA02
5F038CA05
5F038CA06
5F038CA10
5F038CD02
5F038CD16
5F038CD18
5F038EZ01
5F038EZ02
5F038EZ14
5F038EZ20
5F092AA15
5F092AB01
5F092AC02
5F092BA02
5F092BA12
5F092BA15
5F092BA37
5F092DA01
5F092EA01
5F092EA05
5F092EA06
(57)【要約】
【課題】磁気検出素子に対する磁界の影響を低減すること。
【解決手段】磁気検出装置は、基板表面を有する基板２０と、基板表面に設けられた磁気検出素子３０と、基板表面上において磁気検出素子３０から離隔した位置に配置された第１端子８１および第２端子８２と、基板表面上に形成されており、第１端子８１と第２端子８２とを電気的に接続する表面配線７０と、を備える。表面配線７０は、第１端子８１から第２端子８２に電流が流れることによって磁気検出素子３０に対してＺ方向に沿う第１方向成分を含む磁界を付与する第１配線部７１と、第１端子８１から第２端子８２に電流が流れることによって磁気検出素子３０に対して第１方向成分とは反対方向である第２方向成分を含む磁界を付与する第２配線部７２と、を含む。
【選択図】図４
【解決手段】磁気検出装置は、基板表面を有する基板２０と、基板表面に設けられた磁気検出素子３０と、基板表面上において磁気検出素子３０から離隔した位置に配置された第１端子８１および第２端子８２と、基板表面上に形成されており、第１端子８１と第２端子８２とを電気的に接続する表面配線７０と、を備える。表面配線７０は、第１端子８１から第２端子８２に電流が流れることによって磁気検出素子３０に対してＺ方向に沿う第１方向成分を含む磁界を付与する第１配線部７１と、第１端子８１から第２端子８２に電流が流れることによって磁気検出素子３０に対して第１方向成分とは反対方向である第２方向成分を含む磁界を付与する第２配線部７２と、を含む。
【選択図】図４
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板表面を有する基板と、
前記基板表面に設けられた磁気検出素子と、
前記基板表面上において前記磁気検出素子から離隔した位置に配置された第１端子および第２端子と、
前記基板表面上に形成されており、前記第１端子と前記第２端子とを電気的に接続する表面配線と、
を備え、
前記表面配線は、
前記第１端子から前記第２端子に電流が流れることによって前記磁気検出素子に対して前記基板の厚さ方向に沿う第１方向成分を含む磁界を付与する第１配線部と、
前記第１端子から前記第２端子に電流が流れることによって前記磁気検出素子に対して前記第１方向成分とは反対方向である第２方向成分を含む磁界を付与する第２配線部と、
を含む、磁気検出装置。
前記基板表面に設けられた磁気検出素子と、
前記基板表面上において前記磁気検出素子から離隔した位置に配置された第１端子および第２端子と、
前記基板表面上に形成されており、前記第１端子と前記第２端子とを電気的に接続する表面配線と、
を備え、
前記表面配線は、
前記第１端子から前記第２端子に電流が流れることによって前記磁気検出素子に対して前記基板の厚さ方向に沿う第１方向成分を含む磁界を付与する第１配線部と、
前記第１端子から前記第２端子に電流が流れることによって前記磁気検出素子に対して前記第１方向成分とは反対方向である第２方向成分を含む磁界を付与する第２配線部と、
を含む、磁気検出装置。
【請求項2】
前記第１配線部および前記第２配線部は、前記磁気検出素子の両側に対向配置されている
請求項１に記載の磁気検出装置。
請求項１に記載の磁気検出装置。
【請求項3】
前記第１端子および前記第２端子は、前記磁気検出素子に対して第３方向の両側に分散して配置されており、
前記第１配線部および前記第２配線部は、前記基板の厚さ方向から視て、前記磁気検出素子に対して前記第３方向と直交する第４方向の両側に対向配置されている
請求項２に記載の磁気検出装置。
前記第１配線部および前記第２配線部は、前記基板の厚さ方向から視て、前記磁気検出素子に対して前記第３方向と直交する第４方向の両側に対向配置されている
請求項２に記載の磁気検出装置。
【請求項4】
前記基板の厚さ方向から視て、前記第１配線部と前記磁気検出素子との前記第４方向の間の距離は、前記第２配線部と前記磁気検出素子との前記第４方向の間の距離と等しい
請求項３に記載の磁気検出装置。
請求項３に記載の磁気検出装置。
【請求項5】
前記第１配線部の幅寸法と前記第２配線部の幅寸法とは互いに等しい
請求項１に記載の磁気検出装置。
請求項１に記載の磁気検出装置。
【請求項6】
前記表面配線は、
前記第１端子に電気的に接続された第１接続配線部と、
前記第２端子に電気的に接続された第２接続配線部と、
前記第１接続配線部から分岐して前記第１配線部に接続された第１分岐配線部と、
前記第１接続配線部から分岐して前記第２配線部に接続された第２分岐配線部と、
前記第２接続配線部から分岐して前記第１配線部に接続された第３分岐配線部と、
前記第２接続配線部から分岐して前記第２配線部に接続された第４分岐配線部と、
を含む
請求項１に記載の磁気検出装置。
前記第１端子に電気的に接続された第１接続配線部と、
前記第２端子に電気的に接続された第２接続配線部と、
前記第１接続配線部から分岐して前記第１配線部に接続された第１分岐配線部と、
前記第１接続配線部から分岐して前記第２配線部に接続された第２分岐配線部と、
前記第２接続配線部から分岐して前記第１配線部に接続された第３分岐配線部と、
前記第２接続配線部から分岐して前記第２配線部に接続された第４分岐配線部と、
を含む
請求項１に記載の磁気検出装置。
【請求項7】
前記第１端子から前記表面配線に供給される電流を制御するトランジスタを備え、
前記第１端子と前記第１接続配線部とは、前記トランジスタを介して電気的に接続されている
請求項６に記載の磁気検出装置。
前記第１端子と前記第１接続配線部とは、前記トランジスタを介して電気的に接続されている
請求項６に記載の磁気検出装置。
【請求項8】
前記基板の厚さ方向から視て、前記第１配線部、前記第２配線部、前記第１分岐配線部、前記第２分岐配線部、前記第３分岐配線部、および前記第４分岐配線部は、前記磁気検出素子の全周を囲むように形成されている
請求項６に記載の磁気検出装置。
請求項６に記載の磁気検出装置。
【請求項9】
前記第１分岐配線部の幅寸法と前記第４分岐配線部の幅寸法とは互いに等しい
請求項６に記載の磁気検出装置。
請求項６に記載の磁気検出装置。
【請求項10】
前記第２分岐配線部の幅寸法と前記第３分岐配線部の幅寸法とは互いに等しい
請求項６に記載の磁気検出装置。
請求項６に記載の磁気検出装置。
【請求項11】
前記第１分岐配線部および前記第２分岐配線部と、前記第３分岐配線部および前記第４分岐配線部とは、前記基板の厚さ方向から視て、前記磁気検出素子に対して第３方向の両側に対向配置されており、
前記第１配線部および前記第２配線部は、前記基板の厚さ方向から視て、前記磁気検出素子に対して前記第３方向と直交する第４方向の両側に対向配置されており、
前記第１分岐配線部と前記磁気検出素子との前記第３方向の間の距離、前記第２分岐配線部と前記磁気検出素子との前記第３方向の間の距離、前記第３分岐配線部と前記磁気検出素子との前記第３方向の間の距離、および前記第４分岐配線部と前記磁気検出素子との前記第３方向の間の距離の各々は、前記第１配線部と前記磁気検出素子との前記第４方向の間の距離および前記第２配線部と前記磁気検出素子との前記第４方向の間の距離の双方よりも大きい
請求項６に記載の磁気検出装置。
前記第１配線部および前記第２配線部は、前記基板の厚さ方向から視て、前記磁気検出素子に対して前記第３方向と直交する第４方向の両側に対向配置されており、
前記第１分岐配線部と前記磁気検出素子との前記第３方向の間の距離、前記第２分岐配線部と前記磁気検出素子との前記第３方向の間の距離、前記第３分岐配線部と前記磁気検出素子との前記第３方向の間の距離、および前記第４分岐配線部と前記磁気検出素子との前記第３方向の間の距離の各々は、前記第１配線部と前記磁気検出素子との前記第４方向の間の距離および前記第２配線部と前記磁気検出素子との前記第４方向の間の距離の双方よりも大きい
請求項６に記載の磁気検出装置。
【請求項12】
前記第１分岐配線部および前記第２分岐配線部と、前記第３分岐配線部および前記第４分岐配線部とは、前記基板の厚さ方向から視て、前記磁気検出素子に対して第３方向の両側に対向配置されており、
前記第１配線部および前記第２配線部は、前記基板の厚さ方向から視て、前記磁気検出素子に対して前記第３方向と直交する第４方向の両側に対向配置されており、
前記第１分岐配線部と前記磁気検出素子との前記第３方向の間の距離、前記第２分岐配線部と前記磁気検出素子との前記第３方向の間の距離、前記第３分岐配線部と前記磁気検出素子との前記第３方向の間の距離、および前記第４分岐配線部と前記磁気検出素子との前記第３方向の間の距離の各々は、前記第１配線部と前記磁気検出素子との前記第４方向の間の距離および前記第２配線部と前記磁気検出素子との前記第４方向の間の距離の双方よりも小さい
請求項６に記載の磁気検出装置。
前記第１配線部および前記第２配線部は、前記基板の厚さ方向から視て、前記磁気検出素子に対して前記第３方向と直交する第４方向の両側に対向配置されており、
前記第１分岐配線部と前記磁気検出素子との前記第３方向の間の距離、前記第２分岐配線部と前記磁気検出素子との前記第３方向の間の距離、前記第３分岐配線部と前記磁気検出素子との前記第３方向の間の距離、および前記第４分岐配線部と前記磁気検出素子との前記第３方向の間の距離の各々は、前記第１配線部と前記磁気検出素子との前記第４方向の間の距離および前記第２配線部と前記磁気検出素子との前記第４方向の間の距離の双方よりも小さい
請求項６に記載の磁気検出装置。
【請求項13】
前記表面配線は、
前記第１端子から前記第２端子に電流が流れることによって前記磁気検出素子に対して前記第１方向成分または前記第２方向成分を含む磁界を付与する第３配線部と、
前記第１端子から前記第２端子に電流が流れることによって前記磁気検出素子に対して前記第３配線部が前記磁気検出素子に磁界を付与する前記第１方向成分または前記第２方向成分とは反対方向の磁界を付与する第４配線部と、
を含み、
前記第３配線部および前記第４配線部の双方は、前記基板の厚さ方向から視て、前記第１配線部および前記第２配線部の双方が延びる方向とは異なる方向に延びている
請求項１に記載の磁気検出装置。
前記第１端子から前記第２端子に電流が流れることによって前記磁気検出素子に対して前記第１方向成分または前記第２方向成分を含む磁界を付与する第３配線部と、
前記第１端子から前記第２端子に電流が流れることによって前記磁気検出素子に対して前記第３配線部が前記磁気検出素子に磁界を付与する前記第１方向成分または前記第２方向成分とは反対方向の磁界を付与する第４配線部と、
を含み、
前記第３配線部および前記第４配線部の双方は、前記基板の厚さ方向から視て、前記第１配線部および前記第２配線部の双方が延びる方向とは異なる方向に延びている
請求項１に記載の磁気検出装置。
【請求項14】
前記第３配線部は、前記第１配線部および前記第２配線部の双方の第１端部同士を接続し、
前記第４配線部は、前記第１配線部および前記第２配線部の双方の第２端部同士を接続し、
前記表面配線は、
前記第１端子に電気的に接続され、前記第１配線部の前記第１端部に接続された第１接続配線部と、
前記第２端子に電気的に接続され、前記第２配線部の前記第２端部に接続された第２接続配線部と、
を含む
請求項１３に記載の磁気検出装置。
前記第４配線部は、前記第１配線部および前記第２配線部の双方の第２端部同士を接続し、
前記表面配線は、
前記第１端子に電気的に接続され、前記第１配線部の前記第１端部に接続された第１接続配線部と、
前記第２端子に電気的に接続され、前記第２配線部の前記第２端部に接続された第２接続配線部と、
を含む
請求項１３に記載の磁気検出装置。
【請求項15】
前記基板の厚さ方向から視て、前記第１配線部、前記第２配線部、前記第３配線部、および前記第４配線部は、前記磁気検出素子の全周を囲むように形成されている
請求項１３に記載の磁気検出装置。
請求項１３に記載の磁気検出装置。
【請求項16】
前記第１端子および前記第２端子は、前記磁気検出素子に対して第３方向の両側に分散して配置されており、
前記第１配線部および前記第２配線部は、前記基板の厚さ方向から視て、前記磁気検出素子に対して前記第３方向と直交する第４方向の両側に対向配置されており、
前記第３配線部および前記第４配線部は、前記基板の厚さ方向から視て、前記磁気検出素子に対して前記第３方向の両側に対向配置されている
請求項１３に記載の磁気検出装置。
前記第１配線部および前記第２配線部は、前記基板の厚さ方向から視て、前記磁気検出素子に対して前記第３方向と直交する第４方向の両側に対向配置されており、
前記第３配線部および前記第４配線部は、前記基板の厚さ方向から視て、前記磁気検出素子に対して前記第３方向の両側に対向配置されている
請求項１３に記載の磁気検出装置。
【請求項17】
前記第１配線部と前記磁気検出素子との前記第４方向の間の距離は、前記第２配線部と前記磁気検出素子との前記第４方向の間の距離と等しく、
前記第３配線部と前記磁気検出素子との前記第３方向の間の距離は、前記第４配線部と前記磁気検出素子との前記第３方向の間の距離と等しい
請求項１６に記載の磁気検出装置。
前記第３配線部と前記磁気検出素子との前記第３方向の間の距離は、前記第４配線部と前記磁気検出素子との前記第３方向の間の距離と等しい
請求項１６に記載の磁気検出装置。
【請求項18】
前記第３配線部の幅寸法および前記第４配線部の幅寸法は互いに等しい
請求項１３に記載の磁気検出装置。
請求項１３に記載の磁気検出装置。
【請求項19】
前記基板は、半導体基板であり、
前記基板表面には、絶縁層が形成されており、
前記磁気検出素子は、前記半導体基板に設けられており、
前記表面配線は、前記絶縁層上に形成されている
請求項１～１８のいずれか一項に記載の磁気検出装置。
前記基板表面には、絶縁層が形成されており、
前記磁気検出素子は、前記半導体基板に設けられており、
前記表面配線は、前記絶縁層上に形成されている
請求項１～１８のいずれか一項に記載の磁気検出装置。
【請求項20】
前記磁気検出素子は、半導体チップとして形成され、前記基板表面に実装されている
請求項１～１８のいずれか一項に記載の磁気検出装置。
請求項１～１８のいずれか一項に記載の磁気検出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、磁気検出装置に関する。
【背景技術】
【0002】
磁気検出装置の一例として、基板と、基板に設けられた磁気検出素子とを備えた構成が知られている（たとえば特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０１９－１４４０３７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
ところで、磁気検出装置に設けられた配線に電流が流れることに起因して磁界が発生する。この磁界の磁気検出素子に対する影響を低減することが求められている。
【課題を解決するための手段】
【0005】
上記課題を解決する磁気検出装置は、基板表面を有する基板と、前記基板表面に設けられた磁気検出素子と、前記基板表面上において前記磁気検出素子から離隔した位置に配置された第１端子および第２端子と、前記基板表面上に形成されており、前記第１端子と前記第２端子とを電気的に接続する表面配線と、を備え、前記表面配線は、前記第１端子から前記第２端子に電流が流れることによって前記磁気検出素子に対して前記基板の厚さ方向に沿う第１方向成分を含む磁界を付与する第１配線部と、前記第１端子から前記第２端子に電流が流れることによって前記磁気検出素子に対して前記第１方向成分とは反対方向である第２方向成分を含む磁界を付与する第２配線部と、を含む。
【発明の効果】
【0006】
上記磁気検出装置によれば、磁気検出素子に対する磁界の影響を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【発明を実施するための形態】
【0008】
以下、添付図面を参照して、本開示における磁気検出装置のいくつかの実施形態について説明する。なお、説明を簡単かつ明確にするため、図面に示される構成要素は、必ずしも一定の縮尺で描かれていない。また、理解を容易にするため、断面図ではハッチング線が省略されている場合がある。添付図面は、本開示の実施形態を例示するに過ぎず、本開示を制限するものとみなされるべきではない。
【0009】
以下の詳細な説明は、本開示の例示的な実施形態を具体化する装置、システム、および方法を含む。この詳細な記載は本来説明のためのものに過ぎず、本開示の実施形態またはこのような実施形態の適用および使用を限定することを意図しない。
【0010】
以下の説明において、「Ａ部品の幅寸法はＢ部品の幅寸法と等しい」、または「Ａ部品の幅寸法とＢ部品の幅寸法とは互いに等しい」との記載は、Ａ部品の幅寸法とＢ部品の幅寸法との差の絶対値が例えばＡ部品の幅寸法の１０％以内であることを意味する。また、「Ａ部品の長さ寸法はＢ部品の長さ寸法と等しい」、または「Ａ部品の長さ寸法とＢ部品の長さ寸法とは互いに等しい」との記載は、Ａ部品の長さ寸法とＢ部品の長さ寸法との差の絶対値が例えばＡ部品の長さ寸法の１０％以内であることを意味する。また、「距離Ａは距離Ｂと等しい」、または「距離Ａと距離Ｂとは互いに等しい」との記載は、距離Ａと距離Ｂとの差の絶対値が例えば距離Ａの１０％以内であることを意味する。
【0011】
＜第１実施形態＞
［磁気検出装置の全体構成］
図１および図２を参照して、第１実施形態の磁気検出装置１０の全体構成について説明する。図１は、磁気検出装置１０の概略的な平面構造を示している。図２は、磁気検出装置１０の概略的な回路構成を示している。
［磁気検出装置の全体構成］
図１および図２を参照して、第１実施形態の磁気検出装置１０の全体構成について説明する。図１は、磁気検出装置１０の概略的な平面構造を示している。図２は、磁気検出装置１０の概略的な回路構成を示している。
【0012】
なお、本開示において使用される「平面視」という用語は、図１に示される互いに直交するＸＹＺ軸のＺ方向に磁気検出装置１０を視ることをいう。特に断りが無い場合、「平面視」とは磁気検出装置１０をＺ軸に沿って上方から視ることを指す。
【0013】
図１に示すように、磁気検出装置１０は、基板２０、磁気検出素子３０、表面配線７０、および第１～第３端子８１～８３を備える。磁気検出装置１０は、例えば半導体チップとして設けられている。磁気検出装置１０は、図示していないが、基板２０を支持するダイパッドと、基板２０の周囲に配置されたリードフレームと、基板２０およびリードフレームを封止する封止樹脂と、を備えてよい。この場合、リードフレームの一部は、封止樹脂から露出している。また、基板２０とリードフレームとは、ワイヤによって接続されていてよい。
【0014】
基板２０は、例えばＺ方向を厚さ方向とする矩形平板状に形成されている。一例では、基板２０は、平面視においてＸ方向が長手方向となり、Ｙ方向が短手方向となる矩形状である。基板２０は、Ｚ方向において互いに反対側を向く基板表面２１および基板裏面２２と、基板表面２１と基板裏面２２とを繋ぐ第１～第４基板側面２３～２６と、を有する。第１基板側面２３および第２基板側面２４は基板２０のＸ方向の両端面を構成し、第３基板側面２５および第４基板側面２６は基板２０のＹ方向の両端面を構成している。なお、平面視における基板２０の形状は任意に変更可能である。一例では、平面視における基板２０の形状は正方形であってもよい。
【0015】
磁気検出素子３０は、例えば基板２０のＸ方向の中央かつＹ方向の中央に位置している。磁気検出素子３０は、この素子をＺ方向に通過する磁界の磁束密度に応じた電圧を出力するように構成されている。磁気検出素子３０の一例は、ホール素子である。平面視において、磁気検出素子３０は矩形状に形成されている。一例では、平面視における磁気検出素子３０の形状は正方形である。
【0016】
図示していないが、基板２０には、磁気検出素子３０に電気的に接続された処理回路と、処理回路と電気的に接続された外部端子である素子用端子と、が形成されている。処理回路は、磁気検出素子３０が磁気検出した信号のノイズの除去等の信号処理を行う回路である。信号処理された後の信号は、出力信号として素子用端子に出力される。
【0017】
第１～第３端子８１～８３は、基板表面２１上において磁気検出素子３０から離隔した位置に配置されている。第１～第３端子８１～８３は、磁気検出素子３０に対してＸ方向に離隔して配置されている。つまり、第１～第３端子８１～８３は、磁気検出素子３０に対して基板２０の長手方向に離隔して配置されている。ここで、Ｘ方向は「第３方向」に対応している。第１端子８１は、磁気検出素子３０に対して第３方向に離隔して配置され、第２端子８２は、磁気検出素子３０に対して第３方向と逆方向に離隔して配置されている。つまり、第１端子８１および第２端子８２は、磁気検出素子３０を挟んで両側に配置されている。このため、第１端子８１および第２端子８２（第３端子８３）は、磁気検出素子３０に対して第３方向の両側に分散して配置されているといえる。
【0018】
なお、第３方向と直交する方向から視て、第３方向において、第１端子８１と第２端子８２との間に磁気検出素子３０が配置されていれば、第１端子８１および第２端子８２が磁気検出素子３０に対して第３方向の両側に分散して配置されているといえる。また、第３方向は、Ｘ方向に限られず、平面視においてＸ方向とは異なる任意の方向であってもよい。
【0019】
第１端子８１は、平面視において磁気検出素子３０と第１基板側面２３との間に配置されている。一例では、第１端子８１は、平面視において第１基板側面２３と隣り合う位置に配置されている。つまり、第１端子８１は、基板２０のＸ方向（長手方向）の両端部のうち第１基板側面２３に近い方の端部に配置されている。また、第１端子８１は、Ｙ方向において磁気検出素子３０と揃った位置に配置されている。
【0020】
第２端子８２および第３端子８３は、平面視において磁気検出素子３０と第２基板側面２４との間に配置されている。一例では、第２端子８２および第３端子８３は、平面視において第２基板側面２４と隣り合う位置に配置されている。つまり、第２端子８２および第３端子８３は、基板２０のＸ方向の両端部のうち第２基板側面２４に近い方の端部に配置されている。また、第２端子８２は、Ｙ方向において磁気検出素子３０と揃った位置に配置されている。第２端子８２は、Ｙ方向において第１端子８１と揃った位置に配置されている。
【0021】
第２端子８２および第３端子８３は、Ｘ方向において互いに同じ位置であってＹ方向において互いに離隔して配列されている。第３端子８３は、第２端子８２と第４基板側面２６との間に配置されている。第３端子８３は、Ｙ方向において第４基板側面２６と隣り合う位置に配置されている。このため、第３端子８３は、Ｙ方向において磁気検出素子３０よりも第４基板側面２６寄りの位置に配置されている。
【0022】
第１端子８１は、磁気検出装置１０の外部に設けられた直流電源ＤＶ（図２）から例えば数ｍＡ～数十ｍＡの電流が供給される端子である。このため、第１端子８１は、大電流印加端子と称してもよい。一例では、第１端子８１には、１０ｍＡ以上５０ｍＡ以下の電流が供給されてよい。第２端子８２は接地（ＧＮＤ）端子であり、第３端子８３は電源端子である。第２端子８２および第３端子８３は、磁気検出装置１０に搭載された回路素子に電源電圧ＶＤＤを供給するための端子である。回路素子は、例えば磁気検出素子３０が接続された検出回路、ドライバ素子４１の駆動回路等を構成する素子を含む。第１～第３端子８１～８３は、例えばＴｉ（チタン）、ＴｉＮ（窒化チタン）、Ｔａ（タンタル）、ＴａＮ（窒化タンタル）、Ａｕ（金）、Ａｇ（銀）、Ｃｕ（銅）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｐｄ（パラジウム）、およびＷ（タングステン）のうち１つまたは複数が適宜選択される。
【0023】
表面配線７０は、基板表面２１上に形成されている。表面配線７０は、第１端子８１と第２端子８２とを電気的に接続している。表面配線７０は、例えばＴｉ、ＴｉＮ、Ｔａ、ＴａＮ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｐｄ、およびＷのうち１つまたは複数が適宜選択される。一例では、表面配線７０は、Ａｌを含む材料によって形成されている。
【0024】
一例では、磁気検出装置１０は、ドライバ素子４１および保護素子４２を備える。
ドライバ素子４１は、表面配線７０に流れる電流を制御する素子である。ドライバ素子４１は、トランジスタによって構成されている。トランジスタとしては、例えばＭＯＳＦＥＴが用いられている。一例では、ドライバ素子４１がオン状態において第１端子８１から表面配線７０に電流が流れる。このように、ドライバ素子４１は「トランジスタ」に対応している。
ドライバ素子４１は、表面配線７０に流れる電流を制御する素子である。ドライバ素子４１は、トランジスタによって構成されている。トランジスタとしては、例えばＭＯＳＦＥＴが用いられている。一例では、ドライバ素子４１がオン状態において第１端子８１から表面配線７０に電流が流れる。このように、ドライバ素子４１は「トランジスタ」に対応している。
【0025】
ドライバ素子４１は、平面視において磁気検出素子３０と第１基板側面２３との間に配置されている。ドライバ素子４１は、平面視において例えば第１基板側面２３と隣り合う位置に設けられている。ドライバ素子４１は、例えばＹ方向において基板２０の略全体にわたり形成されている。第１端子８１は、平面視においてドライバ素子４１と重なる位置に配置されている。
【0026】
保護素子４２は、例えば静電気に起因して第３端子８３に電源電圧ＶＤＤよりも高い電圧が印加されたときに第３端子８３に接続された回路素子を保護する素子である。保護素子４２としては、例えばダイオードが用いられる。ダイオードとしての保護素子４２は、そのアノードが第２端子８２に電気的に接続されており、そのカソードが第３端子８３に電気的に接続されている。
【0027】
保護素子４２は、第２端子８２および第３端子８３の近傍に配置されている。保護素子４２は、平面視において磁気検出素子３０と第２基板側面２４との間に配置されている。保護素子４２は、平面視において例えば第２基板側面２４と隣り合う位置に設けられている。保護素子４２は、例えばＹ方向において基板２０の略全体にわたり形成されている。第２端子８２および第３端子８３の双方は、平面視において保護素子４２と重なる位置に配置されている。
【0028】
図２に示すように、第１端子８１は、ドライバ素子４１としてのＭＯＳＦＥＴのドレインに電気的に接続されている。ドライバ素子４１のゲートは、図示していない制御端子に電気的に接続されている。ドライバ素子４１のソースは、表面配線７０を介して第２端子８２に電気的に接続されている。第２端子８２は、保護素子４２のアノードと電気的に接続されている。第３端子８３は、保護素子４２のカソードと電気的に接続されている。
【0029】
磁気検出装置１０には、例えば直流電源ＤＶが電気的に接続される。直流電源ＤＶの正極は、例えば第１端子８１に電気的に接続される。このため、直流電源ＤＶからの電流は、第１端子８１、ドライバ素子４１、および表面配線７０の順を経て第２端子８２に流れる。
【0030】
［磁気検出装置の断面構造］
図３を参照して、磁気検出装置１０の断面構造について説明する。図３は、図１のＦ３－Ｆ３線で磁気検出装置１０を切断した概略的な断面構造を示している。図３では、図面を容易に理解するため、後述するドライバ素子４１および保護素子４２が形成される領域はドットを付している。
図３を参照して、磁気検出装置１０の断面構造について説明する。図３は、図１のＦ３－Ｆ３線で磁気検出装置１０を切断した概略的な断面構造を示している。図３では、図面を容易に理解するため、後述するドライバ素子４１および保護素子４２が形成される領域はドットを付している。
【0031】
図３に示すように、基板２０は、半導体基板２７と、半導体基板２７上に設けられた半導体層４０と、を含む。
半導体基板２７は、Ｚ方向を厚さ方向とする矩形平板状に形成されている。半導体基板２７は、例えばＳｉ（シリコン）を含む材料によって形成されている。なお、半導体基板２７は、ワイドバンドギャップ半導体または化合物半導体が用いられていてもよい。ワイドバンドギャップ半導体は、２．０ｅＶ以上のバンドギャップを有する半導体基板である。ワイドバンドギャップ半導体は、ＳｉＣ（炭化シリコン）であってもよい。化合物半導体は、ＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体であってもよい。化合物半導体は、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）、ＩｎＮ（窒化インジウム）、ＧａＮ（窒化ガリウム）、およびＧａＡｓ（ヒ化ガリウム）のうち少なくとも１つを含んでいてもよい。
半導体基板２７は、Ｚ方向を厚さ方向とする矩形平板状に形成されている。半導体基板２７は、例えばＳｉ（シリコン）を含む材料によって形成されている。なお、半導体基板２７は、ワイドバンドギャップ半導体または化合物半導体が用いられていてもよい。ワイドバンドギャップ半導体は、２．０ｅＶ以上のバンドギャップを有する半導体基板である。ワイドバンドギャップ半導体は、ＳｉＣ（炭化シリコン）であってもよい。化合物半導体は、ＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体であってもよい。化合物半導体は、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）、ＩｎＮ（窒化インジウム）、ＧａＮ（窒化ガリウム）、およびＧａＡｓ（ヒ化ガリウム）のうち少なくとも１つを含んでいてもよい。
【0032】
半導体層４０は、Ｚ方向を厚さ方向となるエピタキシャル層によって形成されている。一例では、エピタキシャル層としての半導体層４０はｎ型不純物を含む。ｎ型不純物濃度は、例えば１×１０１４ｃｍ－３以上１×１０１６ｃｍ－３以下である。
【0033】
第１実施形態では、磁気検出素子３０、ドライバ素子４１、および保護素子４２の各々は、基板２０に設けられている。より詳細には、磁気検出素子３０、ドライバ素子４１、および保護素子４２の各々は、半導体層４０に設けられている。半導体層４０の表面４０Ａは、基板表面２１を構成している。磁気検出素子３０、ドライバ素子４１、および保護素子４２の各々は、半導体層４０の表層（半導体層４０の表面４０Ａを含む領域）に設けられている。このため、磁気検出素子３０、ドライバ素子４１、および保護素子４２の各々は、基板表面２１に設けられているといえる。
【0034】
半導体層４０上には、絶縁層５０および配線層６０がこの順に積層されている。つまり、磁気検出装置１０は、半導体層４０上に設けられた絶縁層５０と、絶縁層５０上に設けられた配線層６０と、を備える。
【0035】
絶縁層５０は、基板表面２１の全体にわたり形成されている。絶縁層５０は、例えばＳｉＮ（窒化シリコン）およびＳｉＯ２（酸化シリコン）の少なくとも一方を含む材料によって構成されている。絶縁層５０は、ＳｉＮ層およびＳｉＯ２層の積層構造であってもよい。
【0036】
絶縁層５０のうち平面視においてドライバ素子４１と重なる位置には、ドライバ素子４１のソースと電気的に接続された第１コンタクト５１および第２コンタクト５２が設けられている。第１コンタクト５１は、絶縁層５０をＺ方向に貫通することによってドライバ素子４１と接している。第２コンタクト５２は、絶縁層５０をＺ方向に貫通することによって保護素子４２と接している。第１コンタクト５１および第２コンタクト５２の各々は、例えばＴｉ、ＴｉＮ、Ｔａ、ＴａＮ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｐｄ、およびＷのうち１つまたは複数が適宜選択される。
【0037】
配線層６０は、第１端子８１と第２端子８２との間の導電経路の一部を形成する層である。配線層６０は、配線絶縁膜６１および表面配線７０を含む。
表面配線７０は、絶縁層５０の表面５０Ａ上に配置されている。一例では、平面視において表面配線７０は、第１端子８１と部分的に重なる位置に配置されている。また一例では、平面視において表面配線７０は、第２端子８２と少なくとも部分的に重なる位置に配置されている。
表面配線７０は、絶縁層５０の表面５０Ａ上に配置されている。一例では、平面視において表面配線７０は、第１端子８１と部分的に重なる位置に配置されている。また一例では、平面視において表面配線７０は、第２端子８２と少なくとも部分的に重なる位置に配置されている。
【0038】
配線層６０が絶縁層５０上に設けられているため、配線層６０は、Ｚ方向において磁気検出素子３０とは異なる位置に配置されている。換言すると、表面配線７０は、Ｚ方向において磁気検出素子３０とは異なる位置に配置されている。表面配線７０は、Ｚ方向において磁気検出素子３０に対して半導体基板２７とは反対側に配置されている。
【0039】
配線絶縁膜６１は、表面配線７０と、表面配線７０から露出した絶縁層５０の表面５０Ａとの双方を覆っている。配線絶縁膜６１は、層間絶縁膜であり、例えばＳｉＯ２を含む材料によって形成されている。
【0040】
配線層６０には、第３コンタクト６２および第４コンタクト６３が設けられている。第３コンタクト６２は、第１端子８１とドライバ素子４１のドレインとを電気的に接続している。第４コンタクト６３は、第２端子８２と表面配線７０とを電気的に接続している。
【0041】
第３コンタクト６２は、平面視において表面配線７０とは異なる位置に配置されている。一例では、第３コンタクト６２は、表面配線７０と第１基板側面２３とのＸ方向の間に設けられている。第３コンタクト６２は、平面視において第１端子８１と重なる位置に配置されている。第３コンタクト６２は、配線絶縁膜６１および絶縁層５０の双方をＺ方向に貫通している。これにより、第３コンタクト６２は、第１端子８１とドライバ素子４１との双方に接している。
【0042】
第４コンタクト６３は、平面視において第２端子８２と表面配線７０との双方と重なる位置に配置されている。第４コンタクト６３は、配線絶縁膜６１のうち表面配線７０を覆う部分をＺ方向に貫通している。これにより、第４コンタクト６３は、第２端子８２と表面配線７０との双方に接している。
【0043】
図示していないが、配線層６０には、第５コンタクトが設けられている。第５コンタクトは、第３端子８３（図１参照）と保護素子４２のカソードとを電気的に接続している。第５コンタクトは、平面視において保護素子４２および第３端子８３の双方と重なる位置に配置されている。
【0044】
第３コンタクト６２、第４コンタクト６３、および第５コンタクトの各々は、例えばＴｉ、ＴｉＮ、Ｔａ、ＴａＮ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｐｄ、およびＷのうち１つまたは複数が適宜選択される。
【0045】
第１～第３端子８１～８３は、配線層６０上に設けられている。なお、図３では、第１端子８１および第２端子８２を示している。第１端子８１は、第３コンタクト６２を介してドライバ素子４１のドレインと電気的に接続されている。ドライバ素子４１のソースが第１コンタクト５１を介して表面配線７０と電気的に接続されているため、第１端子８１は、ドライバ素子４１を介して表面配線７０と電気的に接続されているといえる。
【0046】
［表面配線の構成および磁気検出素子と表面配線との関係］
図４を参照して、表面配線７０の構成および磁気検出素子３０と表面配線７０との関係について説明する。
図４を参照して、表面配線７０の構成および磁気検出素子３０と表面配線７０との関係について説明する。
【0047】
表面配線７０は、第１配線部７１、第２配線部７２、第１接続配線部７３、第１分岐配線部７４、第２分岐配線部７５、第２接続配線部７６、第３分岐配線部７７、および第４分岐配線部７８を含む。一例では、これら配線部７１～７８は一体に形成されている。なお、図４では、便宜上、これら配線部７１～７８を破線によって区画している。また、図３の絶縁層５０の表面５０Ａに表面配線７０が設けられているため、第１配線部７１、第２配線部７２、第１接続配線部７３、第１分岐配線部７４、第２分岐配線部７５、第２接続配線部７６、第３分岐配線部７７、および第４分岐配線部７８は、Ｚ方向において互いに同じ位置に配置されている。
【0048】
第１配線部７１および第２配線部７２は、磁気検出素子３０の両側に対向配置されている。一例では、第１配線部７１および第２配線部７２は、平面視において磁気検出素子３０のＹ方向の両側に対向配置されている。ここで、Ｙ方向は「第４方向」に対応している。第１配線部７１および第２配線部７２の双方は、Ｚ方向において磁気検出素子３０に対して半導体基板２７（図３参照）とは反対側に配置されている。
【0049】
第１配線部７１および第２配線部７２の双方は、Ｘ方向に延びている。このため、平面視において、第１配線部７１および第２配線部７２は互いに平行であるといえる。一例では、第１配線部７１の長さ寸法Ｌ１および第２配線部７２の長さ寸法Ｌ２の双方は、磁気検出素子３０のＸ方向の寸法よりも大きい。第１配線部７１の長さ寸法Ｌ１と第２配線部７２の長さ寸法Ｌ２とは互いに等しくてよい。
【0050】
ここで、第１配線部７１の長さ寸法Ｌ１は、平面視において第１配線部７１が延びる方向の寸法である。一例では、第１配線部７１の長さ寸法Ｌ１は、第１配線部７１のＸ方向の寸法である。第２配線部７２の長さ寸法Ｌ２は、平面視において第２配線部７２が延びる方向の寸法である。一例では、第２配線部７２の長さ寸法Ｌ２は、第２配線部７２のＸ方向の寸法である。
【0051】
第１配線部７１の幅寸法Ｗ１と第２配線部７２の幅寸法Ｗ２とは互いに等しくてよい。
ここで、第１配線部７１の幅寸法Ｗ１は、平面視において第１配線部７１が延びる方向と直交する方向の寸法である。一例では、第１配線部７１の幅寸法Ｗ１は、第１配線部７１のＹ方向の寸法である。第２配線部７２の幅寸法Ｗ２は、平面視において第２配線部７２が延びる方向と直交する方向の寸法である。一例では、第２配線部７２の幅寸法Ｗ２は、第２配線部７２のＹ方向の寸法である。
ここで、第１配線部７１の幅寸法Ｗ１は、平面視において第１配線部７１が延びる方向と直交する方向の寸法である。一例では、第１配線部７１の幅寸法Ｗ１は、第１配線部７１のＹ方向の寸法である。第２配線部７２の幅寸法Ｗ２は、平面視において第２配線部７２が延びる方向と直交する方向の寸法である。一例では、第２配線部７２の幅寸法Ｗ２は、第２配線部７２のＹ方向の寸法である。
【0052】
第１接続配線部７３は、Ｘ方向に延びている。第１接続配線部７３は、Ｘ方向において磁気検出素子３０よりも第１端子８１寄りに配置されている。平面視において、第１接続配線部７３のＹ方向の位置は、第１端子８１のＹ方向の位置と同じである。第１接続配線部７３は、表面配線７０のうち第１端子８１に最も近い部分である。
【0053】
第１接続配線部７３は、第１端子８１と電気的に接続されている。より詳細には、第１端子８１と第１接続配線部７３とは、トランジスタであるドライバ素子４１（図３参照）を介して電気的に接続されている。第１接続配線部７３は、ドライバ素子４１のソースと電気的に接続されている。具体的には、ドライバ素子４１のソースに接続された第１コンタクト５１（図３参照）に第１接続配線部７３が接続されている。
【0054】
第１接続配線部７３の幅寸法Ｗ３は、第１配線部７１の幅寸法Ｗ１と等しくてよい。ここで、第１接続配線部７３の幅寸法Ｗ３は、平面視において第１接続配線部７３が延びる方向と直交する方向の寸法である。一例では、第１接続配線部７３の幅寸法Ｗ３は、第１接続配線部７３のＹ方向の寸法である。また、第１接続配線部７３の幅寸法Ｗ３は、第２配線部７２の幅寸法Ｗ２と等しくてよい。
【0055】
第１分岐配線部７４は、第１接続配線部７３から分岐して第１配線部７１に接続されている。第１分岐配線部７４は、Ｘ方向において磁気検出素子３０よりも第１端子８１寄りに配置されている。第１分岐配線部７４は、Ｙ方向に延びている。
【0056】
第１分岐配線部７４の幅寸法Ｗ４は、第１配線部７１の幅寸法Ｗ１と等しくてよい。ここで、第１分岐配線部７４の幅寸法Ｗ４は、平面視において第１分岐配線部７４が延びる方向と直交する方向の寸法である。一例では、第１分岐配線部７４の幅寸法Ｗ４は、第１分岐配線部７４のＸ方向の寸法である。また、第１分岐配線部７４の幅寸法Ｗ４は、第２配線部７２の幅寸法Ｗ２と等しくてよい。
【0057】
第２分岐配線部７５は、第１接続配線部７３から分岐して第２配線部７２に接続されている。第２分岐配線部７５は、Ｘ方向において磁気検出素子３０よりも第１端子８１寄りに配置されている。第２分岐配線部７５のＸ方向の位置は、第１分岐配線部７４のＸ方向の位置と同じである。第２分岐配線部７５は、Ｙ方向において第１接続配線部７３に対して第１分岐配線部７４とは反対側に配置されている。第２分岐配線部７５は、Ｙ方向に延びている。
【0058】
第２分岐配線部７５の幅寸法Ｗ５は、第１分岐配線部７４の幅寸法Ｗ４と等しくてよい。ここで、第２分岐配線部７５の幅寸法Ｗ５は、平面視において第２分岐配線部７５が延びる方向と直交する方向の寸法である。
【0059】
第２分岐配線部７５の長さ寸法Ｌ５は、第１分岐配線部７４の長さ寸法Ｌ４と等しくてよい。ここで、第２分岐配線部７５の長さ寸法Ｌ５は、第２分岐配線部７５が延びる方向の寸法である。一例では、第２分岐配線部７５の長さ寸法Ｌ５は、第２分岐配線部７５のＹ方向の寸法である。第１分岐配線部７４の長さ寸法Ｌ４は、第１分岐配線部７４が延びる方向の寸法である。一例では、第１分岐配線部７４の長さ寸法Ｌ４は、第１分岐配線部７４のＹ方向の寸法である。
【0060】
第２接続配線部７６は、Ｘ方向に延びている。第２接続配線部７６は、Ｘ方向において第１配線部７１および第２配線部７２の双方よりも第２端子８２寄りに配置されている。平面視において、第２接続配線部７６のＹ方向の位置は、第２端子８２のＹ方向の位置と同じである。第２接続配線部７６は、表面配線７０のうち第２端子８２に最も近い部分である。
【0061】
第２接続配線部７６は、第２端子８２と電気的に接続されている。より詳細には、第２端子８２と第２接続配線部７６とは、第４コンタクト６３（図３参照）を介して電気的に接続されている。
【0062】
第２接続配線部７６の幅寸法Ｗ６は、第１配線部７１の幅寸法Ｗ１と等しくてよい。ここで、第２接続配線部７６の幅寸法Ｗ６は、平面視において第２接続配線部７６が延びる方向と直交する方向の寸法である。一例では、第２接続配線部７６の幅寸法Ｗ６は、第２接続配線部７６のＹ方向の寸法である。また、第２接続配線部７６の幅寸法Ｗ６は、第２配線部７２の幅寸法Ｗ２と等しくてよい。また、第２接続配線部７６の幅寸法Ｗ６は、第１接続配線部７３の幅寸法Ｗ３と等しくてよい。
【0063】
第３分岐配線部７７は、第２接続配線部７６から分岐して第１配線部７１に接続されている。第３分岐配線部７７は、Ｘ方向において磁気検出素子３０よりも第２端子８２寄りに配置されている。第３分岐配線部７７のＹ方向の位置は、第１分岐配線部７４のＹ方向の位置と等しい。このため、第３分岐配線部７７および第１分岐配線部７４は、Ｘ方向において磁気検出素子３０の両側に対向配置されている。第３分岐配線部７７は、Ｙ方向に延びている。また、第３分岐配線部７７および第２分岐配線部７５は、Ｘ方向において磁気検出素子３０の両側に配置されている。
【0064】
第３分岐配線部７７の幅寸法Ｗ７は、第１配線部７１の幅寸法Ｗ１と等しくてよい。ここで、第３分岐配線部７７の幅寸法Ｗ７は、平面視において第３分岐配線部７７が延びる方向と直交する方向の寸法である。一例では、第３分岐配線部７７の幅寸法Ｗ７は、第３分岐配線部７７のＸ方向の寸法である。第３分岐配線部７７の幅寸法Ｗ７は、第１分岐配線部７４の幅寸法Ｗ４と等しくてよい。
【0065】
第３分岐配線部７７の幅寸法Ｗ７と第２分岐配線部７５の幅寸法Ｗ５とは互いに等しくてよい。また、第３分岐配線部７７の幅寸法Ｗ７と第１分岐配線部７４の幅寸法Ｗ４とは互いに等しくてよい。
【0066】
第３分岐配線部７７の長さ寸法Ｌ７と第２分岐配線部７５の長さ寸法Ｌ５とは互いに等しくてよい。ここで、第３分岐配線部７７の長さ寸法Ｌ７は、平面視において第３分岐配線部７７が延びる方向の寸法である。一例では、第３分岐配線部７７の長さ寸法Ｌ７は、第３分岐配線部７７のＹ方向の寸法である。また、第３分岐配線部７７の長さ寸法Ｌ７は、第１分岐配線部７４の長さ寸法Ｌ４と等しくてよい。
【0067】
第４分岐配線部７８は、第２接続配線部７６から分岐して第２配線部７２に接続されている。第４分岐配線部７８は、Ｘ方向において磁気検出素子３０よりも第２端子８２寄りに配置されている。第４分岐配線部７８のＸ方向の位置は、第３分岐配線部７７のＸ方向の位置と同じである。第４分岐配線部７８は、Ｙ方向において第２接続配線部７６に対して第３分岐配線部７７とは反対側に配置されている。このため、第４分岐配線部７８および第２分岐配線部７５は、Ｘ方向において磁気検出素子３０の両側に対向配置されている。第４分岐配線部７８は、Ｙ方向に延びている。また、第４分岐配線部７８および第１分岐配線部７４は、Ｘ方向において磁気検出素子３０の両側に配置されている。
【0068】
第４分岐配線部７８の幅寸法Ｗ８は、第１分岐配線部７４の幅寸法Ｗ４と等しくてよい。ここで、第４分岐配線部７８の幅寸法Ｗ８は、平面視において第４分岐配線部７８が延びる方向と直交する方向の寸法である。
【0069】
第４分岐配線部７８の長さ寸法Ｌ８は、第１分岐配線部７４の長さ寸法Ｌ４と等しくてよい。ここで、第４分岐配線部７８の長さ寸法Ｌ８は、第４分岐配線部７８が延びる方向の寸法である。一例では、第４分岐配線部７８の長さ寸法Ｌ８は、第４分岐配線部７８のＹ方向の寸法である。
【0070】
なお、第１分岐配線部７４、第２分岐配線部７５、第３分岐配線部７７、および第４分岐配線部７８の各々は、Ｚ方向において磁気検出素子３０に対して半導体基板２７とは反対側に配置されている。
【0071】
第１配線部７１、第２配線部７２、第１接続配線部７３、第１分岐配線部７４、第２分岐配線部７５、第２接続配線部７６、第３分岐配線部７７、および第４分岐配線部７８の各々の厚さは互いに等しくてよい。
【0072】
このため、第１配線部７１をＹＺ平面で切断した断面の面積である第１面積は、第２配線部７２をＹＺ平面で切断した断面の面積である第２面積と等しくてよい。ここで、第１面積と第２面積との差が例えば第１面積の１０％以内であれば、第１面積が第２面積と等しいといえる。
【0073】
また、第１接続配線部７３をＹＺ平面で切断した断面の面積である第３面積は、第１面積（第２面積）と等しくてよい。ここで、第３面積と第１面積（第２面積）との差が例えば第３面積の１０％以内であれば、第３面積が第１面積（第２面積）と等しいといえる。
【0074】
また、第２接続配線部７６をＹＺ平面で切断した断面の面積である第６面積は、第３面積と等しくてよい。ここで、第６面積と第３面積との差が例えば第６面積の１０％以内であれば、第６面積が第３面積と等しいといえる。
【0075】
また、第１分岐配線部７４をＸＺ平面で切断した断面の面積である第４面積は、第４分岐配線部７８をＸＺ平面で切断した断面の面積である第８面積と等しくてよい。ここで、第４面積と第８面積との差が例えば第４面積の１０％以内であれば、第４面積が第８面積と等しいといえる。
【0076】
また、第２分岐配線部７５をＸＺ平面で切断した断面の面積である第５面積は、第３分岐配線部７７をＸＺ平面で切断した断面の面積である第７面積と等しくてよい。ここで、第５面積と第７面積との差が例えば第５面積の１０％以内であれば、第５面積が第７面積と等しいといえる。
【0077】
第１端子８１から第２端子８２に電流が流れるとき、第１分岐配線部７４、第１配線部７１、および第４分岐配線部７８の順に流れる電流量と、第２分岐配線部７５、第２配線部７２、および第３分岐配線部７７の順に流れる電流量とが互いに同じになるように、表面配線７０の各配線部７１，７２，７４，７５，７７，７８の幅寸法、長さ寸法、および厚さが設定されている。一例では、上述したとおり、第１分岐配線部７４の幅寸法Ｗ４および長さ寸法Ｌ４と第２分岐配線部７５の幅寸法Ｗ５および長さ寸法Ｌ５とが互いに等しく、第１配線部７１の幅寸法Ｗ１および長さ寸法Ｌ１と第２配線部７２の幅寸法Ｗ２および長さ寸法Ｌ２とが互いに等しく、第３分岐配線部７７の幅寸法Ｗ７および長さ寸法Ｌ７と第４分岐配線部７８の幅寸法Ｗ８および長さ寸法Ｌ８とが互いに等しい。そして、表面配線７０の厚さが一定である。これにより、第１分岐配線部７４、第１配線部７１、および第４分岐配線部７８における抵抗値と、第２分岐配線部７５、第２配線部７２、および第３分岐配線部７７における抵抗値とが等しくなるため、第１分岐配線部７４、第１配線部７１、および第４分岐配線部７８の順に流れる電流量と、第２分岐配線部７５、第２配線部７２、および第３分岐配線部７７の順に流れる電流量とが互いに同じになる。
【0078】
一例では、各配線部７１，７２，７４，７５，７７，７８の幅寸法は、数十μｍ（例えば３０μｍ）である。なお、各配線部７１，７２，７４，７５，７７，７８の幅寸法は、例えば第１端子８１から第２端子８２に流れる電流量に応じて設定される。
【0079】
なお、第１分岐配線部７４、第１配線部７１、および第４分岐配線部７８の順に流れる電流量と、第２分岐配線部７５、第２配線部７２、および第３分岐配線部７７の順に流れる電流量とが互いに同じにできれば、表面配線７０の各配線部７１，７２，７４，７５，７７，７８の幅寸法、長さ寸法、および厚さの各々は適宜変更可能である。
【0080】
図４に示すとおり、平面視において、第１配線部７１、第２配線部７２、第１分岐配線部７４、第２分岐配線部７５、第３分岐配線部７７、および第４分岐配線部７８は、磁気検出素子３０の全周を囲むように形成されている。平面視において、第１配線部７１、第２配線部７２、第１分岐配線部７４、第２分岐配線部７５、第３分岐配線部７７、および第４分岐配線部７８は、矩形枠状を構成している。
【0081】
第１配線部７１、第２配線部７２、第１分岐配線部７４、第２分岐配線部７５、第３分岐配線部７７、および第４分岐配線部７８は、平面視において、磁気検出素子３０と隣り合うように設けられている。より詳細には、平面視で正方形状の磁気検出素子３０は、第１～第４辺３１～３４を含む。第１辺３１および第２辺３２は、磁気検出素子３０のＹ方向の両端面を構成している。第３辺３３および第４辺３４は、磁気検出素子３０のＸ方向の両端面を構成している。第１辺３１は平面視において第１配線部７１とＹ方向に隣り合う位置に設けられ、第２辺３２は平面視において第２配線部７２とＹ方向に隣り合う位置に設けられている。第３辺３３は平面視において第１分岐配線部７４および第２分岐配線部７５とＸ方向に隣り合う位置に設けられ、第４辺３４は平面視において第３分岐配線部７７および第４分岐配線部７８とＸ方向に隣り合う位置に設けられている。
【0082】
第１辺３１および第２辺３２は、平面視においてＹ方向に延びている。第３辺３３および第４辺３４は、平面視においてＸ方向に延びている。つまり、平面視において第１配線部７１と隣り合う第１辺３１は、第１配線部７１と平行となる。平面視において第２配線部７２と隣り合う第２辺３２は、第２配線部７２と平行となる。平面視において第１分岐配線部７４および第２分岐配線部７５と隣り合う第３辺３３は、第１分岐配線部７４および第２分岐配線部７５と平行となる。平面視において第３分岐配線部７７および第４分岐配線部７８と隣り合う第４辺３４は、第３分岐配線部７７および第４分岐配線部７８と平行となる。
【0083】
第１実施形態では、第１配線部７１と磁気検出素子３０とのＹ方向の間の距離Ｄ１は、第２配線部７２と磁気検出素子３０とのＹ方向の間の距離Ｄ２と等しくてよい。
また、第１分岐配線部７４と磁気検出素子３０とのＸ方向の間の距離Ｄ４は、第４分岐配線部７８と磁気検出素子３０とのＸ方向の間の距離Ｄ８と等しくてよい。
また、第１分岐配線部７４と磁気検出素子３０とのＸ方向の間の距離Ｄ４は、第４分岐配線部７８と磁気検出素子３０とのＸ方向の間の距離Ｄ８と等しくてよい。
【0084】
また、第２分岐配線部７５と磁気検出素子３０とのＸ方向の間の距離Ｄ５は、第３分岐配線部７７と磁気検出素子３０とのＸ方向の間の距離Ｄ７と等しくてよい。
また、距離Ｄ４は、距離Ｄ５と等しくてよい。距離Ｄ７は、距離Ｄ８と等しくてよい。距離Ｄ１は、距離Ｄ４と等しくてよい。距離Ｄ１は、距離Ｄ７と等しくてよい。距離Ｄ２は、距離Ｄ８と等しくてよい。距離Ｄ２は、距離Ｄ５と等しくてよい。図４に示す例では、距離Ｄ１，Ｄ２，Ｄ４，Ｄ５，Ｄ７，Ｄ８は、互いに等しい。
また、距離Ｄ４は、距離Ｄ５と等しくてよい。距離Ｄ７は、距離Ｄ８と等しくてよい。距離Ｄ１は、距離Ｄ４と等しくてよい。距離Ｄ１は、距離Ｄ７と等しくてよい。距離Ｄ２は、距離Ｄ８と等しくてよい。距離Ｄ２は、距離Ｄ５と等しくてよい。図４に示す例では、距離Ｄ１，Ｄ２，Ｄ４，Ｄ５，Ｄ７，Ｄ８は、互いに等しい。
【0085】
［作用］
図５および図６を参照して、第１実施形態の磁気検出装置１０の作用について説明する。図６は、比較例の磁気検出装置１０Ｘの平面構造を示している。比較例の磁気検出装置１０Ｘは、表面配線７０Ｘの構成が異なる。このため、比較例の磁気検出装置１０Ｘでは、表面配線７０Ｘ以外の構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。
図５および図６を参照して、第１実施形態の磁気検出装置１０の作用について説明する。図６は、比較例の磁気検出装置１０Ｘの平面構造を示している。比較例の磁気検出装置１０Ｘは、表面配線７０Ｘの構成が異なる。このため、比較例の磁気検出装置１０Ｘでは、表面配線７０Ｘ以外の構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。
【0086】
図６に示すように、比較例の磁気検出装置１０Ｘでは、表面配線７０Ｘが磁気検出素子３０に対してＹ方向に離隔するように配置されている。より詳細には、表面配線７０Ｘは、基板２０の第３基板側面２５とＹ方向に隣り合う位置に配置されている。これにより、第１端子８１から第２端子８２に向けて表面配線７０Ｘを介して電流が供給されるとき、表面配線７０Ｘが発生する磁界の磁気検出素子３０への影響を低減している。
【0087】
しかし、比較例の磁気検出装置１０Ｘは半導体チップであるため、表面配線７０Ｘと磁気検出素子３０とのＹ方向の間の距離を大きくとることには限界がある。これにより、表面配線７０Ｘが発生する磁界の磁気検出素子３０への影響を十分に低減することは困難である。
【0088】
この点、図５に示すように、第１実施形態の磁気検出装置１０においては、第１配線部７１および第２配線部７２は、磁気検出素子３０のＹ方向の両側に配置され、かつ第１端子８１から第２端子８２に電流が流れる場合に第１配線部７１および第２配線部７２に同じ方向に電流が流れる。これにより、第１端子８１から第２端子８２に電流が流れることによって第１配線部７１には、第１磁気方向Ｍ１の第１磁界Ｅ１が発生する。そして、第１端子８１から第２端子８２に電流が流れることによって第２配線部７２には、第１磁気方向Ｍ１と同じ方向の第２磁気方向Ｍ２の第２磁界Ｅ２が発生する。第１配線部７１および第２配線部７２は、磁気検出素子３０のＹ方向の両側に配置されるため、第１磁界Ｅ１および第２磁界Ｅ２は、磁気検出素子３０において第１磁気方向Ｍ１および第２磁気方向Ｍ２が互いに交差する方向となる。
【0089】
そして、第１磁界Ｅ１のうち磁気検出素子３０を通過する磁界におけるＺ方向に沿う第１方向成分ＭＺ１は、第２磁界Ｅ２のうち磁気検出素子３０を通過する磁界におけるＺ方向に沿う第２方向成分ＭＺ２と反対方向になる。つまり、第１方向成分ＭＺ１と第２方向成分ＭＺ２とが互いに弱め合うことによって、第１磁界Ｅ１および第２磁界Ｅ２の磁気検出素子３０への影響を低減することができる。
【0090】
ここで、磁気検出素子３０はＺ方向の磁気を検出するように構成されているため、第１方向成分ＭＺ１および第２方向成分ＭＺ２が互いに弱め合うことによって、磁気検出素子３０の磁気検出方向における第１磁界Ｅ１および第２磁界Ｅ２による影響を低減することができる。
【0091】
また、第１分岐配線部７４および第４分岐配線部７８は、磁気検出素子３０のＸ方向の両側に配置され、かつ第１端子８１から第２端子８２に電流が流れる場合、第１分岐配線部７４および第４分岐配線部７８に同じ方向に電流が流れる。このため、第１分岐配線部７４が発生する磁界の向き（磁気方向）と第４分岐配線部７８が発生する磁界の向き（磁気方向）とが磁気検出素子３０において互いに交差する方向となる。これにより、第１分岐配線部７４の磁界のうち磁気検出素子３０を通過する磁界におけるＺ方向に沿う成分は、第４分岐配線部７８の磁界のうち磁気検出素子３０を通過する磁界におけるＺ方向に沿う成分と反対方向になる。つまり、これら成分は互いに弱め合うことによって、第１分岐配線部７４の磁界および第４分岐配線部７８の磁界の磁気検出素子３０への影響を低減することができる。
【0092】
また、第２分岐配線部７５および第３分岐配線部７７は、磁気検出素子３０のＸ方向の両側に配置され、かつ第１端子８１から第２端子８２に電流が流れる場合、第２分岐配線部７５および第３分岐配線部７７に同じ方向に電流が流れる。このため、第２分岐配線部７５が発生する磁界の向き（磁気方向）と第３分岐配線部７７が発生する磁界の向き（磁気方向）とが磁気検出素子３０において互いに交差する方向となる。これにより、第２分岐配線部７５の磁界のうち磁気検出素子３０を通過する磁界におけるＺ方向に沿う成分は、第３分岐配線部７７の磁界のうち磁気検出素子３０を通過する磁界におけるＺ方向に沿う成分と反対方向になる。つまり、これら成分は互いに弱め合うことによって、第２分岐配線部７５の磁界および第３分岐配線部７７の磁界の磁気検出素子３０への影響を低減することができる。
【0093】
［効果］
第１実施形態の磁気検出装置１０によれば、以下の効果が得られる。
（１－１）磁気検出装置１０は、基板表面２１を有する基板２０と、基板表面２１に設けられた磁気検出素子３０と、基板表面２１上において磁気検出素子３０から離隔した位置に配置された第１端子８１および第２端子８２と、基板表面２１上に形成されており、第１端子８１と第２端子８２とを電気的に接続する表面配線７０と、を備える。表面配線７０は、第１端子８１から第２端子８２に電流が流れることによって磁気検出素子３０に対してＺ方向に沿う第１方向成分ＭＺ１を含む磁界を付与する第１配線部７１と、第１端子８１から第２端子８２に電流が流れることによって磁気検出素子３０に対して第１方向成分ＭＺ１とは反対方向である第２方向成分ＭＺ２を含む磁界を付与する第２配線部７２と、を含む。
第１実施形態の磁気検出装置１０によれば、以下の効果が得られる。
（１－１）磁気検出装置１０は、基板表面２１を有する基板２０と、基板表面２１に設けられた磁気検出素子３０と、基板表面２１上において磁気検出素子３０から離隔した位置に配置された第１端子８１および第２端子８２と、基板表面２１上に形成されており、第１端子８１と第２端子８２とを電気的に接続する表面配線７０と、を備える。表面配線７０は、第１端子８１から第２端子８２に電流が流れることによって磁気検出素子３０に対してＺ方向に沿う第１方向成分ＭＺ１を含む磁界を付与する第１配線部７１と、第１端子８１から第２端子８２に電流が流れることによって磁気検出素子３０に対して第１方向成分ＭＺ１とは反対方向である第２方向成分ＭＺ２を含む磁界を付与する第２配線部７２と、を含む。
【0094】
この構成によれば、第１端子８１から第２端子８２に電流が流れるとき、第１配線部７１に発生する磁界の第１方向成分ＭＺ１と、第２配線部７２に発生する磁界の第２方向成分ＭＺ２とが磁気検出素子３０において互いに反対方向になることによって、表面配線７０に起因する磁気検出素子３０への磁界の影響を低減できる。したがって、磁気検出素子３０の検出精度の低下を抑制できる。
【0095】
（１－２）第１配線部７１および第２配線部７２は、磁気検出素子３０の両側に対向配置されている。
この構成によれば、第１端子８１から第２端子８２に電流が流れるとき、第１配線部７１および第２配線部７２の電流が流れる方向が同じになる。そして、第１配線部７１および第２配線部７２が磁気検出素子３０の両側に対向配置されるため、第１配線部７１に発生する磁界の第１方向成分ＭＺ１と、第２配線部７２に発生する磁界の第２方向成分ＭＺ２とが磁気検出素子３０において互いに反対方向になる。したがって、表面配線７０に起因する磁気検出素子３０への磁界の影響を低減できる。
この構成によれば、第１端子８１から第２端子８２に電流が流れるとき、第１配線部７１および第２配線部７２の電流が流れる方向が同じになる。そして、第１配線部７１および第２配線部７２が磁気検出素子３０の両側に対向配置されるため、第１配線部７１に発生する磁界の第１方向成分ＭＺ１と、第２配線部７２に発生する磁界の第２方向成分ＭＺ２とが磁気検出素子３０において互いに反対方向になる。したがって、表面配線７０に起因する磁気検出素子３０への磁界の影響を低減できる。
【0096】
（１－３）平面視において、第１配線部７１と磁気検出素子３０とのＹ方向の間の距離Ｄ１は、第２配線部７２と磁気検出素子３０とのＹ方向の間の距離Ｄ２と等しい。
この構成によれば、第１端子８１から第２端子８２に電流が流れるとき、第１配線部７１に発生する磁界の第１方向成分ＭＺ１の大きさと、第２配線部７２に発生する磁界の第２方向成分ＭＺ２の大きさとが互いに近づく。これにより、表面配線７０に起因する磁気検出素子３０への磁界の影響をさらに低減できる。
この構成によれば、第１端子８１から第２端子８２に電流が流れるとき、第１配線部７１に発生する磁界の第１方向成分ＭＺ１の大きさと、第２配線部７２に発生する磁界の第２方向成分ＭＺ２の大きさとが互いに近づく。これにより、表面配線７０に起因する磁気検出素子３０への磁界の影響をさらに低減できる。
【0097】
（１－４）第１配線部７１の幅寸法Ｗ１と第２配線部７２の幅寸法Ｗ２とは互いに等しい。
この構成によれば、第１配線部７１および第２配線部７２における電気抵抗を互いに近づけることができるため、第１配線部７１に流れる電流の大きさおよび第２配線部７２に流れる電流の大きさを互いに近づけることができる。これにより、第１配線部７１に発生する磁界の第１方向成分ＭＺ１の大きさと、第２配線部７２に発生する磁界の第２方向成分ＭＺ２の大きさとが互いに近づく。したがって、表面配線７０に起因する磁気検出素子３０への磁界の影響をさらに低減できる。
この構成によれば、第１配線部７１および第２配線部７２における電気抵抗を互いに近づけることができるため、第１配線部７１に流れる電流の大きさおよび第２配線部７２に流れる電流の大きさを互いに近づけることができる。これにより、第１配線部７１に発生する磁界の第１方向成分ＭＺ１の大きさと、第２配線部７２に発生する磁界の第２方向成分ＭＺ２の大きさとが互いに近づく。したがって、表面配線７０に起因する磁気検出素子３０への磁界の影響をさらに低減できる。
【0098】
（１－５）表面配線７０は、第１端子８１に電気的に接続された第１接続配線部７３と、第２端子８２に電気的に接続された第２接続配線部７６と、第１接続配線部７３から分岐して第１配線部７１に接続された第１分岐配線部７４と、第１接続配線部７３から分岐して第２配線部７２に接続された第２分岐配線部７５と、第２接続配線部７６から分岐して第１配線部７１に接続された第３分岐配線部７７と、第２接続配線部７６から分岐して第２配線部７２に接続された第４分岐配線部７８と、を含む。平面視において、第１配線部７１、第２配線部７２、第１分岐配線部７４、第２分岐配線部７５、第３分岐配線部７７、および第４分岐配線部７８は、磁気検出素子３０の全周を囲むように形成されている。
【0099】
この構成によれば、平面視において第１分岐配線部７４に流れる電流の方向と第４分岐配線部７８に流れる電流の方向とが互いに等しく、かつ第１分岐配線部７４および第４分岐配線部７８は磁気検出素子３０の両側に配置されている。このため、第１分岐配線部７４に発生する磁界のうちのＺ方向成分と、第４分岐配線部７８に発生する磁界のうちのＺ方向成分とが磁気検出素子３０において互いに反対方向になる。
【0100】
また、平面視において第２分岐配線部７５に流れる電流の方向と第３分岐配線部７７に流れる電流の方向とが互いに等しく、かつ第２分岐配線部７５および第３分岐配線部７７は磁気検出素子３０の両側に配置されている。このため、第２分岐配線部７５に発生する磁界のうちのＺ方向成分と、第３分岐配線部７７に発生する磁界のうちのＺ方向成分とが磁気検出素子３０において互いに反対方向となる。したがって、表面配線７０に起因する磁気検出素子３０への磁界の影響を低減できる。
【0101】
（１－６）第１分岐配線部７４の幅寸法Ｗ４と第４分岐配線部７８の幅寸法Ｗ８とは互いに等しい。
この構成によれば、第１分岐配線部７４および第４分岐配線部７８における電気抵抗を互いに近づけることができるため、第１分岐配線部７４に流れる電流の大きさおよび第４分岐配線部７８に流れる電流の大きさを互いに近づけることができる。これにより、第１分岐配線部７４に発生する磁界のＺ方向成分の大きさと、第４分岐配線部７８に発生する磁界のＺ方向成分の大きさとが互いに近づく。したがって、表面配線７０に起因する磁気検出素子３０への磁界の影響をさらに低減できる。
この構成によれば、第１分岐配線部７４および第４分岐配線部７８における電気抵抗を互いに近づけることができるため、第１分岐配線部７４に流れる電流の大きさおよび第４分岐配線部７８に流れる電流の大きさを互いに近づけることができる。これにより、第１分岐配線部７４に発生する磁界のＺ方向成分の大きさと、第４分岐配線部７８に発生する磁界のＺ方向成分の大きさとが互いに近づく。したがって、表面配線７０に起因する磁気検出素子３０への磁界の影響をさらに低減できる。
【0102】
（１－７）第２分岐配線部７５の幅寸法Ｗ５と第３分岐配線部７７の幅寸法Ｗ７とは互いに等しい。
この構成によれば、第２分岐配線部７５および第３分岐配線部７７における電気抵抗を互いに近づけることができるため、第２分岐配線部７５に流れる電流の大きさおよび第３分岐配線部７７に流れる電流の大きさを互いに近づけることができる。これにより、第２分岐配線部７５に発生する磁界のＺ方向成分の大きさと、第３分岐配線部７７に発生する磁界のＺ方向成分の大きさとが互いに近づく。したがって、表面配線７０に起因する磁気検出素子３０への磁界の影響をさらに低減できる。
この構成によれば、第２分岐配線部７５および第３分岐配線部７７における電気抵抗を互いに近づけることができるため、第２分岐配線部７５に流れる電流の大きさおよび第３分岐配線部７７に流れる電流の大きさを互いに近づけることができる。これにより、第２分岐配線部７５に発生する磁界のＺ方向成分の大きさと、第３分岐配線部７７に発生する磁界のＺ方向成分の大きさとが互いに近づく。したがって、表面配線７０に起因する磁気検出素子３０への磁界の影響をさらに低減できる。
【0103】
（１－８）第１分岐配線部７４と磁気検出素子３０とのＸ方向の間の距離Ｄ４と、第４分岐配線部７８と磁気検出素子３０とのＸ方向の間の距離Ｄ８とは互いに等しい。
この構成によれば、第１端子８１から第２端子８２に電流が流れるとき、第１分岐配線部７４に発生する磁界のＺ方向成分の大きさと、第４分岐配線部７８に発生する磁界のＺ方向成分の大きさとが互いに近づく。これにより、表面配線７０に起因する磁気検出素子３０への磁界の影響をさらに低減できる。
この構成によれば、第１端子８１から第２端子８２に電流が流れるとき、第１分岐配線部７４に発生する磁界のＺ方向成分の大きさと、第４分岐配線部７８に発生する磁界のＺ方向成分の大きさとが互いに近づく。これにより、表面配線７０に起因する磁気検出素子３０への磁界の影響をさらに低減できる。
【0104】
（１－９）第２分岐配線部７５と磁気検出素子３０とのＸ方向の間の距離Ｄ５と第３分岐配線部７７と磁気検出素子３０とのＸ方向の間の距離Ｄ７とは互いに等しい。
この構成によれば、第１端子８１から第２端子８２に電流が流れるとき、第２分岐配線部７５に発生する磁界のＺ方向成分の大きさと、第３分岐配線部７７に発生する磁界のＺ方向成分の大きさとが互いに近づく。これにより、表面配線７０に起因する磁気検出素子３０への磁界の影響をさらに低減できる。
この構成によれば、第１端子８１から第２端子８２に電流が流れるとき、第２分岐配線部７５に発生する磁界のＺ方向成分の大きさと、第３分岐配線部７７に発生する磁界のＺ方向成分の大きさとが互いに近づく。これにより、表面配線７０に起因する磁気検出素子３０への磁界の影響をさらに低減できる。
【0105】
（１－１０）第１配線部７１、第２配線部７２、第１分岐配線部７４、第２分岐配線部７５、第３分岐配線部７７、および第４分岐配線部７８は、平面視において、磁気検出素子３０と隣り合うように設けられている。
【0106】
この構成によれば、平面視において第１配線部７１、第２配線部７２、第１分岐配線部７４、第２分岐配線部７５、第３分岐配線部７７、および第４分岐配線部７８によって形成された矩形状の面積が小さくなる。これにより、平面視において基板２０における第１配線部７１、第２配線部７２、第１分岐配線部７４、第２分岐配線部７５、第３分岐配線部７７、および第４分岐配線部７８によって形成された矩形状以外のスペースを大きくとることができる。したがって、表面配線７０以外の配線パターンの設計の自由度の向上を図ることができる。
【0107】
＜第２実施形態＞
図７～図９を参照して、第２実施形態の磁気検出装置１０について説明する。第２実施形態の磁気検出装置１０では、第１実施形態の磁気検出装置１０と比較して、表面配線９０の構成と、第１端子８１および第２端子８２の位置関係とが異なる。以下の説明では、第１実施形態と共通する構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。
図７～図９を参照して、第２実施形態の磁気検出装置１０について説明する。第２実施形態の磁気検出装置１０では、第１実施形態の磁気検出装置１０と比較して、表面配線９０の構成と、第１端子８１および第２端子８２の位置関係とが異なる。以下の説明では、第１実施形態と共通する構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。
【0108】
図７は、第２実施形態の磁気検出装置１０の平面構造を示している。図８は、図７の磁気検出素子３０、表面配線９０、第１端子８１、および第２端子８２を抜き出した図である。図９は、図８のＦ９－Ｆ９線で磁気検出装置１０を切断した断面図であり、後述する第３配線部９３および第４配線部９４と磁気検出素子３０との磁界の関係を示している。
【0109】
図７に示すように、第２実施形態の第１端子８１および第２端子８２は、第１実施形態と同様に、磁気検出素子３０に対してＸ方向の両側に分散して配置されている。ここで、Ｘ方向は「第３方向」に対応している。
【0110】
第２実施形態の第１端子８１および第２端子８２は、第１実施形態と比較して、Ｙ方向の位置が異なるように配置されている。第１端子８１のＹ方向の位置および第２端子８２のＹ方向の位置は互いに異なる。より詳細には、第１端子８１は、Ｙ方向において磁気検出素子３０に対して第４基板側面２６寄りに配置されている。第２端子８２は、Ｙ方向において磁気検出素子３０に対して第３基板側面２５寄りに配置されている。
【0111】
図８に示すように、表面配線９０は、第１配線部９１、第２配線部９２、第３配線部９３、第４配線部９４、第１接続配線部９５、および第２接続配線部９６を含む。一例では、これら配線部９１～９６は一体に形成されている。なお、表面配線９０は、第１実施形態の表面配線７０と同じ材料によって形成されている。また、図８では、便宜上、これら配線部９１～９６を破線によって区画している。
【0112】
第１配線部９１および第２配線部９２の磁気検出素子３０に対する位置関係は、第１実施形態の第１配線部７１および第２配線部７２と同じである。つまり、第１配線部９１および第２配線部９２は、平面視において、磁気検出素子３０に対してＹ方向の両側に対向配置されている。ここで、Ｙ方向は「第４方向」に対応している。
【0113】
また、第１配線部９１および第２配線部９２の幅寸法ＷＡ１，ＷＡ２および長さ寸法ＬＡ１，ＬＡ２の関係は、第１実施形態の第１配線部７１のおよび第２配線部７２の各々の幅寸法Ｗ１，Ｗ２および長さ寸法Ｌ１，Ｌ２（ともに図４参照）と同じである。なお、図8に示す表面配線９０の区分の仕方では、第１配線部９１の長さ寸法ＬＡ１は、第１配線部７１の長さ寸法Ｌ１よりも大きい。第２配線部９２の長さ寸法ＬＡ２は、第２配線部７２の長さ寸法Ｌ２よりも大きい。
【0114】
第１配線部９１は、Ｘ方向の両端部として第１端部９１Ａおよび第２端部９１Ｂを含む。第１配線部９１の第１端部９１Ａは、第１配線部９１のＸ方向の両端部のうち第１端子８１に近い方の端部である。第１配線部９１の第２端部９１Ｂは、第１配線部９１のＸ方向の両端部のうち第１端子８１から遠い方の端部である。
【0115】
第２配線部９２は、Ｘ方向の両端部として第１端部９２Ａおよび第２端部９２Ｂを含む。第２配線部９２の第１端部９２Ａは、第２配線部９２のＸ方向の両端部のうち第１端子８１に近い方の端部である。第２配線部９２の第２端部９２Ｂは、第２配線部９２のＸ方向の両端部のうち第１端子８１から遠い方の端部である。第２配線部９２の第１端部９２ＡのＸ方向の位置は、第１配線部９１の第１端部９１ＡのＸ方向の位置と同じである。第２配線部９２の第２端部９２ＢのＸ方向の位置は、第１配線部９１の第２端部９１ＢのＸ方向の位置と同じである。
【0116】
第３配線部９３および第４配線部９４は、平面視において第１配線部９１および第２配線部９２の双方が延びる方向（Ｘ方向）とは異なる方向に延びている。第２実施形態では、第３配線部９３および第４配線部９４の双方は、平面視において第１配線部９１および第２配線部９２の双方が延びる方向と直交する方向（Ｙ方向）に延びている。このように、第３配線部９３および第４配線部９４は、互いに平行である。
【0117】
第３配線部９３は、Ｘ方向において磁気検出素子３０に対して第１端子８１寄りに配置されている。第４配線部９４は、Ｘ方向において磁気検出素子３０に対して第２端子８２寄りに配置されている。このように、第３配線部９３および第４配線部９４は、Ｘ方向において磁気検出素子３０の両側に対向配置されている。
【0118】
第３配線部９３は、第１配線部９１および第２配線部９２の第１端部９１Ａ，９２Ａ同士を接続している。第４配線部９４は、第１配線部９１および第２配線部９２の第２端部９１Ｂ，９２Ｂ同士を接続している。図７に示すとおり、平面視において、第１配線部９１、第２配線部９２、第３配線部９３、および第４配線部９４は、磁気検出素子３０を囲むように形成されている。
【0119】
第３配線部９３の幅寸法ＷＡ３は、第１配線部９１の幅寸法ＷＡ１と等しくてよい。第３配線部９３の幅寸法ＷＡ３は、第２配線部９２の幅寸法ＷＡ２と等しくてよい。第４配線部９４の幅寸法ＷＡ４は、第１配線部９１の幅寸法ＷＡ１と等しくてよい。第４配線部９４の幅寸法ＷＡ４は、第２配線部９２の幅寸法ＷＡ２と等しくてよい。このため、第３配線部９３の幅寸法ＷＡ３および第４配線部９４の幅寸法ＷＡ４は互いに等しくてよい。また、第３配線部９３の長さ寸法ＬＡ３および第４配線部９４の長さ寸法ＬＡ４は互いに等しくてよい。
【0120】
第１接続配線部９５は、第１端子８１に電気的に接続されている。第１接続配線部９５と第１端子８１との電気的な接続構造は、例えば第１実施形態の第１接続配線部７３と第１端子８１との電気的な接続構造と同じである。
【0121】
第１接続配線部９５は、第１配線部９１の第１端部９１Ａに接続されている。このように、第１配線部９１の第１端部９１Ａには、第１接続配線部９５および第３配線部９３が接続されている。第１接続配線部９５は、第１配線部９１の第１端部９１ＡからＸ方向に延びている。
【0122】
第１接続配線部９５の幅寸法ＷＡ５は、第１配線部９１の幅寸法ＷＡ１と等しくてよい。第１接続配線部９５の幅寸法ＷＡ５は、第２配線部９２の幅寸法ＷＡ２と等しくてよい。第１接続配線部９５の幅寸法ＷＡ５は、第３配線部９３の幅寸法ＷＡ３と等しくてよい。
【0123】
第２接続配線部９６は、第２端子８２に電気的に接続されている。第２接続配線部９６と第２端子８２との電気的な接続構造は、例えば第１実施形態の第２接続配線部７６と第２端子８２との電気的な接続構造と同じである。
【0124】
第２接続配線部９６は、第２配線部９２の第２端部９２Ｂに接続されている。このように、第２配線部９２の第２端部９２Ｂには、第２接続配線部９６および第４配線部９４が接続されている。第２接続配線部９６は、第２配線部９２の第２端部９２ＢからＸ方向に延びている。
【0125】
第２接続配線部９６の幅寸法ＷＡ６は、第１配線部９１の幅寸法ＷＡ１と等しくてよい。第２接続配線部９６の幅寸法ＷＡ６は、第２配線部９２の幅寸法ＷＡ２と等しくてよい。第２接続配線部９６の幅寸法ＷＡ６は、第４配線部９４の幅寸法ＷＡ４と等しくてよい。第２接続配線部９６の幅寸法ＷＡ６は、第１接続配線部９５の幅寸法ＷＡ５と等しくてよい。
【0126】
第１端子８１から第２端子８２に電流が流れるとき、第１配線部９１および第４配線部９４の順に流れる電流量と、第３配線部９３および第２配線部９２の順に流れる電流量とが互いに同じになるように、表面配線９０の第１～第４配線部９１～９４の幅寸法、長さ寸法、および厚さが設定されている。一例では、上述したとおり、第１配線部９１の幅寸法ＷＡ１および長さ寸法ＬＡ１と第２配線部９２の幅寸法ＷＡ２および長さ寸法ＬＡ２とが互いに等しく、第３配線部９３の幅寸法ＷＡ３および長さ寸法ＬＡ３と第４配線部９４の幅寸法ＷＡ４および長さ寸法ＬＡ４とが互いに等しい。そして、表面配線９０の厚さが一定である。これにより、第１配線部９１および第４配線部９４における抵抗値と、第３配線部９３および第２配線部９２における抵抗値とが等しくなるため、第１配線部９１および第４配線部９４の順に流れる電流量と、第３配線部９３および第２配線部９２の順に流れる電流量とが互いに同じになる。
【0127】
一例では、各配線部９１～９４の幅寸法は、数十μｍ（例えば３０μｍ）である。なお、各配線部９１～９４の幅寸法は、例えば第１端子８１から第２端子８２に流れる電流量に応じて設定される。
【0128】
なお、第１配線部９１および第４配線部９４の順に流れる電流量と、第３配線部９３および第２配線部９２の順に流れる電流量とが互いに同じにできれば、表面配線９０の第１～第４配線部９１～９４の幅寸法、長さ寸法、および厚さの各々は適宜変更可能である。
【0129】
磁気検出素子３０と表面配線９０との位置関係は、次のとおりである。
磁気検出素子３０と第１配線部９１とのＹ方向の間の距離ＤＡ１は、磁気検出素子３０と第２配線部９２とのＹ方向の間の距離ＤＡ２と等しくてよい。
磁気検出素子３０と第１配線部９１とのＹ方向の間の距離ＤＡ１は、磁気検出素子３０と第２配線部９２とのＹ方向の間の距離ＤＡ２と等しくてよい。
【0130】
磁気検出素子３０と第３配線部９３とのＸ方向の間の距離ＤＡ３は、磁気検出素子３０と第４配線部９４とのＸ方向の間の距離ＤＡ４と等しくてよい。
距離ＤＡ１は距離ＤＡ３と等しくてよい。一例では、距離ＤＡ１は距離ＤＡ４と等しくてよい。
距離ＤＡ１は距離ＤＡ３と等しくてよい。一例では、距離ＤＡ１は距離ＤＡ４と等しくてよい。
【0131】
距離ＤＡ２は距離ＤＡ３と等しくてよい。距離ＤＡ２は距離ＤＡ４と等しくてよい。図８の例では、距離ＤＡ１～ＤＡ４は、互いに等しい。
次に、磁気検出素子３０に対する表面配線９０の磁界の関係について説明する。
次に、磁気検出素子３０に対する表面配線９０の磁界の関係について説明する。
【0132】
図示していないが、第１実施形態と同様に、第１配線部９１および第２配線部９２は、磁気検出素子３０のＹ方向の両側に配置され、かつ第１端子８１から第２端子８２に電流が流れる場合に第１配線部９１および第２配線部９２に同じ方向に電流が流れる。このため、第１端子８１から第２端子８２に電流が流れることによって第１配線部９１には、第１磁気方向Ｍ１の磁界が発生する。そして、第１端子８１から第２端子８２に電流が流れることによって第２配線部９２には、第１磁気方向Ｍ１と同じ方向の第２磁気方向Ｍ２の磁界が発生する。第１配線部９１および第２配線部９２は、磁気検出素子３０のＹ方向の両側に配置されるため、第１配線部９１の磁界および第２配線部９２の磁界は、磁気検出素子３０において第１磁気方向Ｍ１および第２磁気方向Ｍ２が互いに交差する方向となる。
【0133】
これにより、第１配線部９１の磁界のうち磁気検出素子３０を通過する磁界におけるＺ方向に沿う第１方向成分ＭＺ１は、第２配線部９２の磁界のうち磁気検出素子３０を通過する磁界におけるＺ方向に沿う第２方向成分ＭＺ２と反対方向になる。つまり、第１方向成分ＭＺ１と第２方向成分ＭＺ２とが互いに弱め合うことによって、第１配線部９１の磁界および第２配線部９２の磁界の磁気検出素子３０への影響を低減することができる。
【0134】
図９に示すように、第３配線部９３および第４配線部９４は、磁気検出素子３０のＸ方向の両側に配置され、かつ第１端子８１から第２端子８２に電流が流れる場合に第３配線部９３および第４配線部９４に同じ方向に電流が流れる。このため、第１端子８１から第２端子８２に電流が流れることによって第３配線部９３には、第３磁気方向Ｍ３の第３磁界Ｅ３が発生する。そして、第１端子８１から第２端子８２に電流が流れることによって第４配線部９４には、第３磁気方向Ｍ３と同じ方向の第４磁気方向Ｍ４の第４磁界Ｅ４が発生する。第３配線部９３および第４配線部９４は、磁気検出素子３０のＸ方向の両側に配置されるため、第３磁界Ｅ３および第４磁界Ｅ４は、磁気検出素子３０において第３磁気方向Ｍ３および第４磁気方向Ｍ４が互いに交差する方向となる。
【0135】
これにより、第３磁界Ｅ３のうち磁気検出素子３０を通過する磁界におけるＺ方向に沿う成分は、図９の上向きとなるので第２方向成分ＭＺ２となる。一方、第４磁界Ｅ４のうち磁気検出素子３０を通過する磁界におけるＺ方向に沿う成分は、図９の下向きとなるので第１方向成分ＭＺ１となる。つまり、互いに反対方向となる第１方向成分ＭＺ１と第２方向成分ＭＺ２とが互いに弱め合うことによって、第３磁界Ｅ３および第４磁界Ｅ４の磁気検出素子３０への影響を低減することができる。
【0136】
［効果］
第２実施形態の磁気検出装置１０によれば、以下の効果が得られる。
（２－１）表面配線９０は、第１端子８１から第２端子８２に電流が流れることによって磁気検出素子３０に対してＺ方向に沿う第１方向成分ＭＺ１を含む磁界を付与する第１配線部９１と、第１端子８１から第２端子８２に電流が流れることによって磁気検出素子３０に対して第１方向成分ＭＺ１とは反対方向である第２方向成分ＭＺ２を含む磁界を付与する第２配線部９２と、を含む。
第２実施形態の磁気検出装置１０によれば、以下の効果が得られる。
（２－１）表面配線９０は、第１端子８１から第２端子８２に電流が流れることによって磁気検出素子３０に対してＺ方向に沿う第１方向成分ＭＺ１を含む磁界を付与する第１配線部９１と、第１端子８１から第２端子８２に電流が流れることによって磁気検出素子３０に対して第１方向成分ＭＺ１とは反対方向である第２方向成分ＭＺ２を含む磁界を付与する第２配線部９２と、を含む。
【0137】
この構成によれば、第１端子８１から第２端子８２に電流が流れるとき、第１配線部９１に発生する磁界の第１方向成分ＭＺ１と、第２配線部９２に発生する磁界の第２方向成分ＭＺ２とが磁気検出素子３０において互いに反対方向になることによって、表面配線９０に起因する磁気検出素子３０への磁界の影響を低減できる。したがって、磁気検出素子３０の検出精度の低下を抑制できる。
【0138】
（２－２）表面配線９０は、第１端子８１から第２端子８２に電流が流れることによって磁気検出素子３０に対して第２方向成分ＭＺ２を含む第３磁界Ｅ３を付与する第３配線部９３と、第１端子８１から第２端子８２に電流が流れることによって磁気検出素子３０に対して第２方向成分ＭＺ２とは反対方向である第１方向成分ＭＺ１の第４磁界Ｅ４を付与する第４配線部９４と、を含む。第３配線部９３および第４配線部９４の双方は、平面視において、第１配線部９１および第２配線部９２の双方が延びる方向とは異なる方向に延びている。
【0139】
この構成によれば、第１端子８１から第２端子８２に電流が流れるとき、第３磁界Ｅ３の第２方向成分ＭＺ２と、第４磁界Ｅ４の第１方向成分ＭＺ１とが磁気検出素子３０において互いに反対方向になることによって、表面配線９０に起因する磁気検出素子３０への磁界の影響をさらに低減できる。したがって、磁気検出素子３０の検出精度の低下をさらに抑制できる。
【0140】
（２－３）第１配線部９１と磁気検出素子３０とのＹ方向の間の距離ＤＡ１は、第２配線部９２と磁気検出素子３０とのＹ方向の間の距離ＤＡ２と等しい。第３配線部９３と磁気検出素子３０とのＸ方向の間の距離ＤＡ３は、第４配線部９４と磁気検出素子３０とのＸ方向の間の距離ＤＡ４と等しい。
【0141】
この構成によれば、第１端子８１から第２端子８２に電流が流れるとき、第１配線部９１に発生する磁界の第１方向成分ＭＺ１の大きさと、第２配線部９２に発生する磁界の第２方向成分ＭＺ２の大きさとが互いに近づく。これにより、表面配線９０に起因する磁気検出素子３０への磁界の影響をさらに低減できる。また、第１端子８１から第２端子８２に電流が流れるとき、第３配線部９３に発生する磁界の第２方向成分ＭＺ２の大きさと、第４配線部９４に発生する磁界の第１方向成分ＭＺ１の大きさとが互いに近づく。これにより、表面配線９０に起因する磁気検出素子３０への磁界の影響をさらに低減できる。
【0142】
（２－４）第３配線部９３の幅寸法ＷＡ３および第４配線部９４の幅寸法ＷＡ４は互いに等しい。
この構成によれば、第３配線部９３および第４配線部９４における電気抵抗を互いに近づけることができるため、第３配線部９３に流れる電流の大きさおよび第４配線部９４に流れる電流の大きさを互いに近づけることができる。これにより、第３磁界Ｅ３の第２方向成分ＭＺ２の大きさと、第４磁界Ｅ４の第１方向成分ＭＺ１の大きさとが互いに近づく。したがって、表面配線９０に起因する磁気検出素子３０への磁界の影響をさらに低減できる。
この構成によれば、第３配線部９３および第４配線部９４における電気抵抗を互いに近づけることができるため、第３配線部９３に流れる電流の大きさおよび第４配線部９４に流れる電流の大きさを互いに近づけることができる。これにより、第３磁界Ｅ３の第２方向成分ＭＺ２の大きさと、第４磁界Ｅ４の第１方向成分ＭＺ１の大きさとが互いに近づく。したがって、表面配線９０に起因する磁気検出素子３０への磁界の影響をさらに低減できる。
【0143】
（２－５）第１配線部９１の幅寸法ＷＡ１および第２配線部９２の幅寸法ＷＡ２は互いに等しい。
この構成によれば、第１配線部９１および第２配線部９２における電気抵抗を互いに近づけることができるため、第１配線部９１に流れる電流の大きさおよび第２配線部９２に流れる電流の大きさを互いに近づけることができる。これにより、第１配線部９１に発生する磁界の第１方向成分ＭＺ１の大きさと、第２配線部９２に発生する磁界の第２方向成分ＭＺ２の大きさとが互いに近づく。したがって、表面配線９０に起因する磁気検出素子３０への磁界の影響をさらに低減できる。
この構成によれば、第１配線部９１および第２配線部９２における電気抵抗を互いに近づけることができるため、第１配線部９１に流れる電流の大きさおよび第２配線部９２に流れる電流の大きさを互いに近づけることができる。これにより、第１配線部９１に発生する磁界の第１方向成分ＭＺ１の大きさと、第２配線部９２に発生する磁界の第２方向成分ＭＺ２の大きさとが互いに近づく。したがって、表面配線９０に起因する磁気検出素子３０への磁界の影響をさらに低減できる。
【0144】
＜第３実施形態＞
図１０を参照して、第３実施形態の磁気検出装置１０について説明する。第３実施形態の磁気検出装置１０では、第１実施形態の磁気検出装置１０と比較して、表面配線１００の構成が異なる。以下の説明では、第１実施形態と共通する構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。
図１０を参照して、第３実施形態の磁気検出装置１０について説明する。第３実施形態の磁気検出装置１０では、第１実施形態の磁気検出装置１０と比較して、表面配線１００の構成が異なる。以下の説明では、第１実施形態と共通する構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。
【0145】
図１０に示すように、表面配線１００は、第１配線部１０１、第２配線部１０２、第１端部接続部１０３、第２端部接続部１０４、第３端部接続部１０５、および第４端部接続部１０６を含む。一例では、これら配線部１０１，１０２およびこれら接続部１０３～１０６は一体に形成されている。なお、表面配線１００は、第１実施形態の表面配線７０と同じ材料によって形成されている。また、図１０では、便宜上、これら配線部１０１，１０２および接続部１０３～１０６を破線で区画している。
【0146】
第１配線部１０１および第２配線部１０２の磁気検出素子３０に対する位置関係は、第１実施形態の第１配線部７１および第２配線部７２と同じである。つまり、第１配線部１０１および第２配線部１０２は、平面視において、磁気検出素子３０に対してＹ方向の両側に対向配置されている。ここで、Ｙ方向は「第４方向」に対応している。
【0147】
また、第１配線部１０１および第２配線部１０２の幅寸法ＷＢ１，ＷＢ２の関係は、第１実施形態の第１配線部７１のおよび第２配線部７２の各々の幅寸法Ｗ１，Ｗ２と同じである。
【0148】
第１配線部１０１および第２配線部１０２の双方は、Ｘ方向において第１端子８１から第２端子８２までにわたりＸ方向に延びている。このため、第１配線部１０１および第２配線部１０２の長さ寸法ＬＢ１，ＬＢ２は、第１実施形態の第１配線部７１および第２配線部７２の長さ寸法Ｌ１，Ｌ２よりも長い。第１配線部１０１の長さ寸法ＬＢ１および第２配線部１０２の長さ寸法ＬＢ２は互いに等しくてよい。磁気検出素子３０と第１配線部１０１とのＹ方向の間の距離ＤＢ１は、磁気検出素子３０と第２配線部１０２とのＹ方向の間の距離ＤＢ２と等しくてよい。
【0149】
第１端部接続部１０３は、第１端子８１に電気的に接続されている。第１端部接続部１０３と第１端子８１との電気的な接続構造は、第１実施形態の第１接続配線部７３と第１端子８１との電気的な接続構造と同じである。
【0150】
第１端部接続部１０３は、第１配線部１０１のＸ方向の両端部のうち第１端子８１に近い方の端部に接続されている。第１端部接続部１０３は、第１配線部１０１の第１端子８１に近い方の端部からＹ方向に延びている。
【0151】
第２端部接続部１０４は、第２端子８２に電気的に接続されている。第２端部接続部１０４と第２端子８２との電気的な接続構造は、第１実施形態の第２接続配線部７６と第２端子８２との電気的な接続構造と同じである。
【0152】
第２端部接続部１０４は、第１配線部１０１のＸ方向の両端部のうち第２端子８２に近い方の端部に接続されている。第２端部接続部１０４は、第１配線部１０１の第２端子８２に近い方の端部からＹ方向に延びている。
【0153】
第３端部接続部１０５は、第１端子８１に電気的に接続されている。第３端部接続部１０５と第１端子８１との電気的な接続構造は、第１実施形態の第１接続配線部７３と第１端子８１との電気的な接続構造と同じである。
【0154】
第３端部接続部１０５は、第２配線部１０２のＸ方向の両端部のうち第１端子８１に近い方の端部に接続されている。第３端部接続部１０５は、第２配線部１０２の第１端子８１に近い方の端部からＹ方向に延びている。
【0155】
第４端部接続部１０６は、第２端子８２に電気的に接続されている。第４端部接続部１０６と第２端子８２との電気的な接続構造は、第１実施形態の第２接続配線部７６と第２端子８２との電気的な接続構造と同じである。
【0156】
第４端部接続部１０６は、第２配線部１０２のＸ方向の両端部のうち第２端子８２に近い方の端部に接続されている。第４端部接続部１０６は、第２配線部１０２の第２端子８２に近い方の端部からＹ方向に延びている。なお、第３実施形態の磁気検出装置１０によれば、第１実施形態の（１－１）～（１－４）の効果と同様の効果が得られる。
【0157】
＜第４実施形態＞
図１１および図１２を参照して、第４実施形態の磁気検出装置１０について説明する。第４実施形態の磁気検出装置１０では、第１実施形態の磁気検出装置１０と比較して、基板１１０、磁気検出素子１２０、および表面配線１３０の構成が異なる。以下の説明では、第１実施形態と共通する構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。
図１１および図１２を参照して、第４実施形態の磁気検出装置１０について説明する。第４実施形態の磁気検出装置１０では、第１実施形態の磁気検出装置１０と比較して、基板１１０、磁気検出素子１２０、および表面配線１３０の構成が異なる。以下の説明では、第１実施形態と共通する構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。
【0158】
図１１に示すように、第４実施形態の磁気検出装置１０は、例えばガラスエポキシ樹脂によって形成された基板１１０を備える。基板１１０には、ドライバ素子４１および保護素子４２（図１参照）が設けられていない。基板１１０は、Ｚ方向において互いに反対側を向く基板表面１１１および基板裏面１１２（図１２参照）を含む。
【0159】
磁気検出素子１２０は、半導体チップとして形成されている。磁気検出素子１２０は、例えばホール素子である。図１２に示すように、磁気検出素子１２０は、基板１１０の基板表面１１１に設けられた実装パターン１１３に接合材ＳＤによって接合されている。実装パターン１１３は、例えば金属層によって形成されている。金属層としては、例えばＣｕを含む材料によって形成されている。このように、磁気検出素子１２０は、基板表面１１１に実装されている。
【0160】
図１２に示すように、表面配線１３０は、基板表面１１１上に形成されている。図１１に示すように、平面視における表面配線１３０の形状は、第１実施形態の平面視における表面配線７０（図１参照）の形状と同じである。表面配線１３０は、例えばＣｕを含む材料によって形成されている。一例では、表面配線１３０は銅箔によって形成されている。
【0161】
表面配線１３０は、第１配線部１３１、第２配線部１３２、第１接続配線部１３３、第１分岐配線部１３４、第２分岐配線部１３５、第２接続配線部１３６、第３分岐配線部１３７、および第４分岐配線部１３８を含む。第１配線部１３１は第１実施形態の表面配線７０の第１配線部７１と対応し、第２配線部１３２は表面配線７０の第２配線部７２と対応している。第１接続配線部１３３は表面配線７０の第１接続配線部７３に対応し、第１分岐配線部１３４は表面配線７０の第１分岐配線部７４に対応し、第２分岐配線部１３５は表面配線７０の第２分岐配線部７５に対応している。第２接続配線部１３６は表面配線７０の第２接続配線部７６に対応し、第３分岐配線部１３７は表面配線７０の第３分岐配線部７７に対応し、第４分岐配線部１３８は表面配線７０の第４分岐配線部７８に対応している。
【0162】
図１２に示すように、Ｚ方向において、表面配線１３０は、磁気検出素子１２０に対してずれて配置されている。より詳細には、Ｚ方向において、表面配線１３０は、磁気検出素子１２０よりも基板１１０寄りに配置されている。なお、第４実施形態の磁気検出装置１０によれば、第１実施形態の（１－１）～（１－９）の効果と同様の効果が得られる。
【0163】
＜変更例＞
上記実施形態は、以下のように変更して実施することができる。以下の変更例は、技術的に矛盾が生じない限り、互いに組み合わせることができる。また、第１～第４実施形態は、技術的に矛盾が生じない限り、互いに組み合わせることができる。
上記実施形態は、以下のように変更して実施することができる。以下の変更例は、技術的に矛盾が生じない限り、互いに組み合わせることができる。また、第１～第４実施形態は、技術的に矛盾が生じない限り、互いに組み合わせることができる。
【0164】
・第１実施形態において、表面配線７０における第１分岐配線部７４、第２分岐配線部７５、第３分岐配線部７７、および第４分岐配線部７８の各々のＸ方向の位置は任意に変更可能である。一例では、図１３に示すように、第１分岐配線部７４と磁気検出素子３０とのＸ方向の間の距離Ｄ４、第２分岐配線部７５と磁気検出素子３０とのＸ方向の間の距離Ｄ５、第３分岐配線部７７と磁気検出素子３０とのＸ方向の間の距離Ｄ７、および第４分岐配線部７８と磁気検出素子３０とのＸ方向の間の距離Ｄ８の各々は、第１配線部７１と磁気検出素子３０とのＹ方向の間の距離Ｄ１および第２配線部７２と磁気検出素子３０とのＹ方向の間の距離Ｄ２の双方よりも大きい。この場合、距離Ｄ１は距離Ｄ２と等しくてよい。距離Ｄ４は距離Ｄ８と等しくてよい。距離Ｄ５は距離Ｄ７と等しくてよい。距離Ｄ４は距離Ｄ５と等しくてよい。距離Ｄ７は距離Ｄ８と等しくてよい。また、図示していないが、距離Ｄ４，Ｄ５，Ｄ７，Ｄ８の各々は、距離Ｄ１，Ｄ２よりも小さくてもよい。換言すると、距離Ｄ１，Ｄ２は、距離Ｄ４，Ｄ５，Ｄ７，Ｄ８よりも大きくてもよい。
【0165】
・各実施形態において、平面視における表面配線７０，９０，１００のうち磁気検出素子３０を囲む部分の形状は任意に変更可能である。
一例では、図１４に示すように、第１配線部９１および第２配線部９２の双方は、平面視においてＺ方向と直交する方向のうちＸ方向およびＹ方向の双方と交差する方向（第５方向）に延びていてもよい。この場合、第１配線部９１および第２配線部９２は、平面視において第５方向と直交する第６方向に配列されていてもよい。つまり、第１配線部９１および第２配線部９２は、第６方向において磁気検出素子３０の両側に対向配置されている。
一例では、図１４に示すように、第１配線部９１および第２配線部９２の双方は、平面視においてＺ方向と直交する方向のうちＸ方向およびＹ方向の双方と交差する方向（第５方向）に延びていてもよい。この場合、第１配線部９１および第２配線部９２は、平面視において第５方向と直交する第６方向に配列されていてもよい。つまり、第１配線部９１および第２配線部９２は、第６方向において磁気検出素子３０の両側に対向配置されている。
【0166】
第３配線部９３および第４配線部９４は、平面視においてＺ方向と直交する方向のうちＸ方向、Ｙ方向、および第５方向と交差する方向（第７方向）に延びていてもよい。この場合、第３配線部９３および第４配線部９４は、平面視において第７方向と直交する第８方向に配列されていてもよい。つまり、第３配線部９３および第４配線部９４は、第８方向において磁気検出素子３０の両側に対向配置されている。図１４に示す例では、第５方向と第７方向とが直交している。このため、第７方向は第６方向と一致し、第８方向は第５方向と一致している。
【0167】
磁気検出素子３０の第１～第４辺３１～３４のうち第１辺３１および第２辺３２は、平面視において第５方向に延びていてもよい。第３辺３３および第４辺３４は、平面視において第６方向に延びていてもよい。つまり、平面視において第１配線部９１と隣り合う第１辺３１は、第１配線部９１と平行となる。平面視において第２配線部９２と隣り合う第２辺３２は、第２配線部９２と平行となる。平面視において第３配線部９３と隣り合う第３辺３３は、第３配線部９３と平行となる。平面視において第４配線部９４と隣り合う第４辺３４は、第４配線部９４と平行となる。
【0168】
なお、図１５に示すように、磁気検出素子３０の第１～第４辺３１～３４と、第１配線部９１、第２配線部９２、第３配線部９３、および第４配線部９４とが平行でなくてもよい。図１５に示す例では、平面視において第１配線部９１および第２配線部９２の配列方向である第６方向と、第３配線部９３および第４配線部９４の配列方向である第８方向とは、交差しているが直交していない。このため、第５方向および第７方向も交差しているが直交していない。
【0169】
・第１および第４実施形態において、表面配線７０は図１６に示すように変更してもよい。具体的には、第１配線部７１と第１分岐配線部７４との接続部分に湾曲部１４１が形成されている。第１配線部７１と第３分岐配線部７７との接続部分に湾曲部１４２が形成されている。第２配線部７２と第２分岐配線部７５との接続部分に湾曲部１４３が形成されている。第２配線部７２と第４分岐配線部７８との接続部分に湾曲部１４４が形成されている。
【0170】
また、第１接続配線部７３と第１分岐配線部７４および第２分岐配線部７５との接続部分に湾曲部１４５が形成されている。第２接続配線部７６と第３分岐配線部７７および第４分岐配線部７８との接続部分に湾曲部１４６が形成されている。
【0171】
・第１および第４実施形態において、表面配線７０は図１７に示すように変更してもよい。具体的には、第１配線部７１と第１分岐配線部７４との接続部分に傾斜部１５１が形成されている。第１配線部７１と第３分岐配線部７７との接続部分に傾斜部１５２が形成されている。第２配線部７２と第２分岐配線部７５との接続部分に傾斜部１５３が形成されている。第２配線部７２と第４分岐配線部７８との接続部分に傾斜部１５４が形成されている。
【0172】
また、第１接続配線部７３と第１分岐配線部７４および第２分岐配線部７５との接続部分に傾斜部１５５が形成されている。第２接続配線部７６と第３分岐配線部７７および第４分岐配線部７８との接続部分に傾斜部１５６が形成されている。
【0173】
なお、第２実施形態の表面配線９０における第１配線部９１と第３配線部９３との接続部分、第１配線部９１と第４配線部９４との接続部分、第２配線部９２と第３配線部９３との接続部分、および第２配線部９２と第４配線部９４との接続部分も同様に変更してもよい。また、表面配線９０における第１接続配線部９５と第３配線部９３との接続部分および第２接続配線部９６と第４配線部９４との接続部分も同様に変更してもよい。
【0174】
また、第３実施形態の表面配線１００における第１配線部１０１と第１端部接続部１０３との接続部分、第１配線部１０１と第２端部接続部１０４との接続部分、第２配線部１０２と第３端部接続部１０５との接続部分、および第２配線部１０２と第４端部接続部１０６との接続部分も同様に変更してもよい。
【0175】
・第１および第４実施形態において、第１配線部７１および第２配線部７２の幅寸法Ｗ１，Ｗ２は、第１分岐配線部７４および第４分岐配線部７８の幅寸法Ｗ４，Ｗ８および第２分岐配線部７５および第３分岐配線部７７の幅寸法Ｗ５，Ｗ７の少なくとも一方と異なっていてもよい。
【0176】
・第１および第４実施形態において、第１分岐配線部７４および第４分岐配線部７８の幅寸法Ｗ４，Ｗ８は、第２分岐配線部７５および第３分岐配線部７７の幅寸法Ｗ５，Ｗ７と異なっていてもよい。
【0177】
・第１および第４実施形態において、第１接続配線部７３の幅寸法Ｗ３は、第１配線部７１の幅寸法Ｗ１および第２配線部７２の幅寸法Ｗ２と異なっていてもよい。一例では、第１接続配線部７３の幅寸法Ｗ３は、第１配線部７１の幅寸法Ｗ１および第２配線部７２の幅寸法Ｗ２の双方よりも大きくてもよい。
【0178】
・第１および第４実施形態において、第１配線部７１の幅寸法Ｗ１と第２配線部７２の幅寸法Ｗ２とは互いに異なっていてもよい。
・第１および第４実施形態において、第１分岐配線部７４の幅寸法Ｗ４と第４分岐配線部７８の幅寸法Ｗ８とは互いに異なっていてもよい。
・第１および第４実施形態において、第１分岐配線部７４の幅寸法Ｗ４と第４分岐配線部７８の幅寸法Ｗ８とは互いに異なっていてもよい。
【0179】
・第１および第４実施形態において、第２分岐配線部７５の幅寸法Ｗ５と第３分岐配線部７７の幅寸法Ｗ７とは互いに異なっていてもよい。
・第１および第４実施形態において、第１接続配線部７３および第２接続配線部７６の幅寸法Ｗ３，Ｗ６は、各配線部７１，７２，７４，７５，７７，７８の幅寸法以上であってもよい。
・第１および第４実施形態において、第１接続配線部７３および第２接続配線部７６の幅寸法Ｗ３，Ｗ６は、各配線部７１，７２，７４，７５，７７，７８の幅寸法以上であってもよい。
【0180】
・第１および第４実施形態において、第１配線部７１と磁気検出素子３０とのＹ方向の間の距離Ｄ１と第２配線部７２と磁気検出素子３０とのＹ方向の間の距離Ｄ２とが互いに異なっていてもよい。
【0181】
・第１および第４実施形態において、第１分岐配線部７４と磁気検出素子３０とのＸ方向の間の距離Ｄ４と第４分岐配線部７８と磁気検出素子３０とのＸ方向の間の距離Ｄ８とが互いに異なっていてもよい。
【0182】
・第１および第４実施形態において、第２分岐配線部７５と磁気検出素子３０とのＸ方向の間の距離Ｄ５と第３分岐配線部７７と磁気検出素子３０とのＸ方向の間の距離Ｄ７とが互いに異なっていてもよい。
【0183】
・第２実施形態において、第１接続配線部９５の幅寸法ＷＡ３は、第１配線部９１の幅寸法ＷＡ１および第２配線部９２の幅寸法ＷＡ２と異なっていてもよい。一例では、第１接続配線部９５の幅寸法ＷＡ３は、第１配線部９１の幅寸法ＷＡ１および第２配線部９２の幅寸法ＷＡ２の双方よりも大きくてもよい。
【0184】
・第２実施形態において、第１配線部９１および第２配線部９２の幅寸法ＷＡ１，ＷＡ２と、第３配線部９３および第４配線部９４の幅寸法ＷＡ３，ＷＡ４とは互いに異なっていてもよい。
【0185】
・第２実施形態において、第１配線部９１の幅寸法ＷＡ１と第２配線部９２の幅寸法ＷＡ２とは互いに異なっていてもよい。
・第２実施形態において、第３配線部９３の幅寸法ＷＡ３と第４配線部９４の幅寸法ＷＡ４とは互いに異なっていてもよい。
・第２実施形態において、第３配線部９３の幅寸法ＷＡ３と第４配線部９４の幅寸法ＷＡ４とは互いに異なっていてもよい。
【0186】
・第２実施形態において、第１配線部９１と磁気検出素子３０とのＹ方向の間の距離ＤＡ１と第２配線部９２と磁気検出素子３０とのＹ方向の間の距離ＤＡ２とが互いに異なっていてもよい。
【0187】
・第２実施形態において、第３配線部９３と磁気検出素子３０とのＸ方向の間の距離ＤＡ３と第４配線部９４と磁気検出素子３０とのＸ方向の間の距離ＤＡ４とは互いに異なっていてもよい。
【0188】
・第１および第２実施形態において、第１端子８１および第２端子８２の配置位置は任意に変更可能である。一例では、第１端子８１および第２端子８２は、Ｙ方向において磁気検出素子３０に対して分散して配置されていてもよい。この場合、第１接続配線部７３（９５）は、平面視において例えば第１配線部７１（９１）と交差する方向あるいは直交する方向に延びている。第２接続配線部７６（９６）は、平面視において例えば第２配線部７２（９２）と交差する方向あるいは直交する方向に延びている。
【0189】
・第３実施形態において、第１配線部１０１の幅寸法ＷＢ１と第２配線部１０２の幅寸法ＷＢ２とは互いに異なっていてもよい。
・第３実施形態において、第１配線部１０１と磁気検出素子３０とのＹ方向の間の距離ＤＢ１と第２配線部１０２と磁気検出素子３０とのＹ方向の間の距離ＤＢ２とが互いに異なっていてもよい。
・第３実施形態において、第１配線部１０１と磁気検出素子３０とのＹ方向の間の距離ＤＢ１と第２配線部１０２と磁気検出素子３０とのＹ方向の間の距離ＤＢ２とが互いに異なっていてもよい。
【0190】
・第４実施形態において、平面視における表面配線１３０の形状は任意に変更可能である。一例では、平面視における表面配線１３０の形状は、第２実施形態の表面配線９０の形状であってもよい。この場合、第１端子８１および第２端子８２の配置位置は、第２実施形態の第１端子８１および第２端子８２の配置位置と同じである。一例では、平面視における表面配線１３０の形状は、第３実施形態の表面配線１００の形状であってもよい。
【0191】
・第１～第３実施形態において、保護素子４２を省略してもよい。
・第１～第３実施形態において、ドライバ素子４１を省略してもよい。この場合、第１端子８１は、コンタクトによって第１配線部７１，９１，１０１と電気的に接続されている。コンタクトは、配線層６０の配線絶縁膜６１をＺ方向に貫通している。コンタクトは、第１端子８１と第１配線部７１，９１，１０１との双方に接している。
・第１～第３実施形態において、ドライバ素子４１を省略してもよい。この場合、第１端子８１は、コンタクトによって第１配線部７１，９１，１０１と電気的に接続されている。コンタクトは、配線層６０の配線絶縁膜６１をＺ方向に貫通している。コンタクトは、第１端子８１と第１配線部７１，９１，１０１との双方に接している。
【0192】
・各実施形態において、第３端子８３を省略してもよい。
本明細書に記載の様々な例のうち１つまたは複数を、技術的に矛盾しない範囲で組み合わせることができる。
本明細書に記載の様々な例のうち１つまたは複数を、技術的に矛盾しない範囲で組み合わせることができる。
【0193】
本開示で使用される「～上に」という用語は、文脈によって明らかにそうでないことが示されない限り、「～上に」と「～の上方に」の意味を含む。したがって、例えば「第１要素が第２要素上に実装される」という表現は、或る実施形態では第１要素が第２要素に接触して第２要素上に直接配置され得るが、他の実施形態では第１要素が第２要素に接触することなく第２要素の上方に配置され得ることが意図される。すなわち、「～上に」という用語は、第１要素と第２要素との間に他の要素が形成される構造を排除しない。
【0194】
＜付記＞
上記各実施形態および各変更例から把握できる技術的思想を以下に記載する。なお、各付記に記載された構成要素に対応する実施形態の構成要素の符号を括弧書きで示す。符号は、理解の補助のために例として示すものであり、各付記に記載された構成要素は、符号で示される構成要素に限定されるべきではない。
上記各実施形態および各変更例から把握できる技術的思想を以下に記載する。なお、各付記に記載された構成要素に対応する実施形態の構成要素の符号を括弧書きで示す。符号は、理解の補助のために例として示すものであり、各付記に記載された構成要素は、符号で示される構成要素に限定されるべきではない。
【0195】
［付記１］
基板表面（２１）を有する基板（２０）と、
前記基板表面（２１）に設けられた磁気検出素子（３０）と、
前記基板表面（２１）上において前記磁気検出素子（３０）から離隔した位置に配置された第１端子（８１）および第２端子（８２）と、
前記基板表面（２１）上に形成されており、前記第１端子（８１）と前記第２端子（８２）とを電気的に接続する表面配線（７０）と、
を備え、
前記表面配線（７０）は、
前記第１端子（８１）から前記第２端子（８２）に電流が流れることによって前記磁気検出素子（３０）に対して前記基板（２０）の厚さ方向（Ｚ方向）に沿う第１方向成分（ＭＺ１）を含む磁界を付与する第１配線部（７１）と、
前記第１端子（８１）から前記第２端子（８２）に電流が流れることによって前記磁気検出素子（３０）に対して前記第１方向成分（ＭＺ１）とは反対方向である第２方向成分（ＭＺ２）を含む磁界を付与する第２配線部（７２）と、
を含む、磁気検出装置（１０）。
基板表面（２１）を有する基板（２０）と、
前記基板表面（２１）に設けられた磁気検出素子（３０）と、
前記基板表面（２１）上において前記磁気検出素子（３０）から離隔した位置に配置された第１端子（８１）および第２端子（８２）と、
前記基板表面（２１）上に形成されており、前記第１端子（８１）と前記第２端子（８２）とを電気的に接続する表面配線（７０）と、
を備え、
前記表面配線（７０）は、
前記第１端子（８１）から前記第２端子（８２）に電流が流れることによって前記磁気検出素子（３０）に対して前記基板（２０）の厚さ方向（Ｚ方向）に沿う第１方向成分（ＭＺ１）を含む磁界を付与する第１配線部（７１）と、
前記第１端子（８１）から前記第２端子（８２）に電流が流れることによって前記磁気検出素子（３０）に対して前記第１方向成分（ＭＺ１）とは反対方向である第２方向成分（ＭＺ２）を含む磁界を付与する第２配線部（７２）と、
を含む、磁気検出装置（１０）。
【0196】
［付記２］
前記第１配線部（７１）および前記第２配線部（７２）は、前記磁気検出素子（３０）の両側に対向配置されている
付記１に記載の磁気検出装置。
前記第１配線部（７１）および前記第２配線部（７２）は、前記磁気検出素子（３０）の両側に対向配置されている
付記１に記載の磁気検出装置。
【0197】
［付記３］
前記第１端子（８１）および前記第２端子（８２）は、前記磁気検出素子（３０）に対して第３方向（Ｘ方向）の両側に分散して配置されており、
前記第１配線部（７１）および前記第２配線部（７２）は、前記基板（２０）の厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記磁気検出素子（３０）に対して前記第３方向（Ｘ方向）と直交する第４方向（Ｙ方向）の両側に対向配置されている
付記２に記載の磁気検出装置。
前記第１端子（８１）および前記第２端子（８２）は、前記磁気検出素子（３０）に対して第３方向（Ｘ方向）の両側に分散して配置されており、
前記第１配線部（７１）および前記第２配線部（７２）は、前記基板（２０）の厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記磁気検出素子（３０）に対して前記第３方向（Ｘ方向）と直交する第４方向（Ｙ方向）の両側に対向配置されている
付記２に記載の磁気検出装置。
【0198】
［付記４］
前記基板（２０）の厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記第１配線部（７１）と前記磁気検出素子（３０）との前記第４方向（Ｙ方向）の間の距離（Ｄ１）は、前記第２配線部（７２）と前記磁気検出素子（３０）との前記第４方向（Ｙ方向）の間の距離（Ｄ２）と等しい
付記３に記載の磁気検出装置。
前記基板（２０）の厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記第１配線部（７１）と前記磁気検出素子（３０）との前記第４方向（Ｙ方向）の間の距離（Ｄ１）は、前記第２配線部（７２）と前記磁気検出素子（３０）との前記第４方向（Ｙ方向）の間の距離（Ｄ２）と等しい
付記３に記載の磁気検出装置。
【0199】
［付記５］
前記第１配線部（７１）の幅寸法（Ｗ１）と前記第２配線部（７２）の幅寸法（Ｗ２）とは互いに等しい
付記１～４のいずれか１つに記載の磁気検出装置。
前記第１配線部（７１）の幅寸法（Ｗ１）と前記第２配線部（７２）の幅寸法（Ｗ２）とは互いに等しい
付記１～４のいずれか１つに記載の磁気検出装置。
【0200】
［付記６］
前記表面配線（７０）は、
前記第１端子（８１）に電気的に接続された第１接続配線部（７３）と、
前記第２端子（８２）に電気的に接続された第２接続配線部（７６）と、
前記第１接続配線部（７３）から分岐して前記第１配線部（７１）に接続された第１分岐配線部（７４）と、
前記第１接続配線部（７３）から分岐して前記第２配線部（７２）に接続された第２分岐配線部（７５）と、
前記第２接続配線部（７６）から分岐して前記第１配線部（７１）に接続された第３分岐配線部（７７）と、
前記第２接続配線部（７６）から分岐して前記第２配線部（７２）に接続された第４分岐配線部（７８）と、
を含む、付記１～５のいずれか１つに記載の磁気検出装置。
前記表面配線（７０）は、
前記第１端子（８１）に電気的に接続された第１接続配線部（７３）と、
前記第２端子（８２）に電気的に接続された第２接続配線部（７６）と、
前記第１接続配線部（７３）から分岐して前記第１配線部（７１）に接続された第１分岐配線部（７４）と、
前記第１接続配線部（７３）から分岐して前記第２配線部（７２）に接続された第２分岐配線部（７５）と、
前記第２接続配線部（７６）から分岐して前記第１配線部（７１）に接続された第３分岐配線部（７７）と、
前記第２接続配線部（７６）から分岐して前記第２配線部（７２）に接続された第４分岐配線部（７８）と、
を含む、付記１～５のいずれか１つに記載の磁気検出装置。
【0201】
［付記７］
前記第１端子（８１）から前記表面配線（７０）に供給される電流を制御するトランジスタ（４１）を備え、
前記第１端子（８１）と前記第１接続配線部（７３）とは、前記トランジスタ（４１）を介して電気的に接続されている
付記６に記載の磁気検出装置。
前記第１端子（８１）から前記表面配線（７０）に供給される電流を制御するトランジスタ（４１）を備え、
前記第１端子（８１）と前記第１接続配線部（７３）とは、前記トランジスタ（４１）を介して電気的に接続されている
付記６に記載の磁気検出装置。
【0202】
［付記８］
前記基板（２０）の厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記第１配線部（７１）、前記第２配線部（７２）、前記第１分岐配線部（７４）、前記第２分岐配線部（７５）、前記第３分岐配線部（７７）、および前記第４分岐配線部（７８）は、前記磁気検出素子（３０）の全周を囲むように形成されている
付記６または７に記載の磁気検出装置。
前記基板（２０）の厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記第１配線部（７１）、前記第２配線部（７２）、前記第１分岐配線部（７４）、前記第２分岐配線部（７５）、前記第３分岐配線部（７７）、および前記第４分岐配線部（７８）は、前記磁気検出素子（３０）の全周を囲むように形成されている
付記６または７に記載の磁気検出装置。
【0203】
［付記９］
前記第１分岐配線部（７４）の幅寸法（Ｗ４）と前記第４分岐配線部（７８）の幅寸法（Ｗ８）とは互いに等しい
付記６～８のいずれか１つに記載の磁気検出装置。
前記第１分岐配線部（７４）の幅寸法（Ｗ４）と前記第４分岐配線部（７８）の幅寸法（Ｗ８）とは互いに等しい
付記６～８のいずれか１つに記載の磁気検出装置。
【0204】
［付記１０］
前記第２分岐配線部（７５）の幅寸法（Ｗ５）と前記第３分岐配線部（７７）の幅寸法（Ｗ７）とは互いに等しい
付記６～９のいずれか１つに記載の磁気検出装置。
前記第２分岐配線部（７５）の幅寸法（Ｗ５）と前記第３分岐配線部（７７）の幅寸法（Ｗ７）とは互いに等しい
付記６～９のいずれか１つに記載の磁気検出装置。
【0205】
［付記１１］
前記第１分岐配線部（７４）および前記第２分岐配線部（７５）と、前記第３分岐配線部（７７）および前記第４分岐配線部（７８）とは、前記基板（２０）の厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記磁気検出素子（３０）に対して第３方向（Ｘ方向）の両側に対向配置されており、
前記第１配線部（７１）および前記第２配線部（７２）は、前記基板（２０）の厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記磁気検出素子（３０）に対して前記第３方向（Ｘ方向）と直交する第４方向（Ｙ方向）の両側に対向配置されており、
前記第１分岐配線部（７４）と前記磁気検出素子（３０）との前記第３方向（Ｘ方向）の間の距離（Ｄ４）、前記第２分岐配線部（７５）と前記磁気検出素子（３０）との前記第３方向（Ｘ方向）の間の距離（Ｄ５）、前記第３分岐配線部（７７）と前記磁気検出素子（３０）との前記第３方向（Ｘ方向）の間の距離（Ｄ７）、および前記第４分岐配線部（７８）と前記磁気検出素子（３０）との前記第３方向（Ｘ方向）の間の距離（Ｄ８）の各々は、前記第１配線部（７１）と前記磁気検出素子（３０）との前記第４方向（Ｙ方向）の間の距離（Ｄ１）および前記第２配線部（７２）と前記磁気検出素子（３０）との前記第４方向（Ｙ方向）の間の距離（Ｄ２）の双方よりも大きい
付記６～１０のいずれか１つに記載の磁気検出装置。
前記第１分岐配線部（７４）および前記第２分岐配線部（７５）と、前記第３分岐配線部（７７）および前記第４分岐配線部（７８）とは、前記基板（２０）の厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記磁気検出素子（３０）に対して第３方向（Ｘ方向）の両側に対向配置されており、
前記第１配線部（７１）および前記第２配線部（７２）は、前記基板（２０）の厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記磁気検出素子（３０）に対して前記第３方向（Ｘ方向）と直交する第４方向（Ｙ方向）の両側に対向配置されており、
前記第１分岐配線部（７４）と前記磁気検出素子（３０）との前記第３方向（Ｘ方向）の間の距離（Ｄ４）、前記第２分岐配線部（７５）と前記磁気検出素子（３０）との前記第３方向（Ｘ方向）の間の距離（Ｄ５）、前記第３分岐配線部（７７）と前記磁気検出素子（３０）との前記第３方向（Ｘ方向）の間の距離（Ｄ７）、および前記第４分岐配線部（７８）と前記磁気検出素子（３０）との前記第３方向（Ｘ方向）の間の距離（Ｄ８）の各々は、前記第１配線部（７１）と前記磁気検出素子（３０）との前記第４方向（Ｙ方向）の間の距離（Ｄ１）および前記第２配線部（７２）と前記磁気検出素子（３０）との前記第４方向（Ｙ方向）の間の距離（Ｄ２）の双方よりも大きい
付記６～１０のいずれか１つに記載の磁気検出装置。
【0206】
［付記１２］
前記第１分岐配線部（７４）および前記第２分岐配線部（７５）と、前記第３分岐配線部（７７）および前記第４分岐配線部（７８）とは、前記基板（２０）の厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記磁気検出素子（３０）に対して第３方向（Ｘ方向）の両側に対向配置されており、
前記第１配線部（７１）および前記第２配線部（７２）は、前記基板（２０）の厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記磁気検出素子（３０）に対して前記第３方向（Ｘ方向）と直交する第４方向（Ｙ方向）の両側に対向配置されており、
前記第１分岐配線部（７４）と前記磁気検出素子（３０）との前記第３方向（Ｘ方向）の間の距離（Ｄ４）、前記第２分岐配線部（７５）と前記磁気検出素子（３０）との前記第３方向（Ｘ方向）の間の距離（Ｄ５）、前記第３分岐配線部（７７）と前記磁気検出素子（３０）との前記第３方向（Ｘ方向）の間の距離（Ｄ７）、および前記第４分岐配線部（７８）と前記磁気検出素子（３０）との前記第３方向（Ｘ方向）の間の距離（Ｄ８）の各々は、前記第１配線部（７１）と前記磁気検出素子（３０）との前記第４方向（Ｙ方向）の間の距離（Ｄ１）および前記第２配線部（７２）と前記磁気検出素子（３０）との前記第４方向（Ｙ方向）の間の距離（Ｄ２）の双方よりも小さい
付記６～１０のいずれか１つに記載の磁気検出装置。
前記第１分岐配線部（７４）および前記第２分岐配線部（７５）と、前記第３分岐配線部（７７）および前記第４分岐配線部（７８）とは、前記基板（２０）の厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記磁気検出素子（３０）に対して第３方向（Ｘ方向）の両側に対向配置されており、
前記第１配線部（７１）および前記第２配線部（７２）は、前記基板（２０）の厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記磁気検出素子（３０）に対して前記第３方向（Ｘ方向）と直交する第４方向（Ｙ方向）の両側に対向配置されており、
前記第１分岐配線部（７４）と前記磁気検出素子（３０）との前記第３方向（Ｘ方向）の間の距離（Ｄ４）、前記第２分岐配線部（７５）と前記磁気検出素子（３０）との前記第３方向（Ｘ方向）の間の距離（Ｄ５）、前記第３分岐配線部（７７）と前記磁気検出素子（３０）との前記第３方向（Ｘ方向）の間の距離（Ｄ７）、および前記第４分岐配線部（７８）と前記磁気検出素子（３０）との前記第３方向（Ｘ方向）の間の距離（Ｄ８）の各々は、前記第１配線部（７１）と前記磁気検出素子（３０）との前記第４方向（Ｙ方向）の間の距離（Ｄ１）および前記第２配線部（７２）と前記磁気検出素子（３０）との前記第４方向（Ｙ方向）の間の距離（Ｄ２）の双方よりも小さい
付記６～１０のいずれか１つに記載の磁気検出装置。
【0207】
［付記１３］
前記表面配線（９０）は、
前記第１端子（８１）から前記第２端子（８２）に電流が流れることによって前記磁気検出素子（３０）に対して前記第１方向成分（ＭＺ１）または前記第２方向成分（ＭＺ２）を含む磁界を付与する第３配線部（９３）と、
前記第１端子（８１）から前記第２端子（８２）に電流が流れることによって前記磁気検出素子（３０）に対して前記第３配線部（９３）が前記磁気検出素子（３０）に磁界を付与する前記第１方向成分（ＭＺ１）または前記第２方向成分（ＭＺ２）とは反対方向の磁界を付与する第４配線部（９４）と、
を含み、
前記第３配線部（９３）および前記第４配線部（９４）の双方は、前記基板（２０）の厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記第１配線部（９１）および前記第２配線部（９２）の双方が延びる方向とは異なる方向に延びている
付記１～５のいずれか１つに記載の磁気検出装置。
前記表面配線（９０）は、
前記第１端子（８１）から前記第２端子（８２）に電流が流れることによって前記磁気検出素子（３０）に対して前記第１方向成分（ＭＺ１）または前記第２方向成分（ＭＺ２）を含む磁界を付与する第３配線部（９３）と、
前記第１端子（８１）から前記第２端子（８２）に電流が流れることによって前記磁気検出素子（３０）に対して前記第３配線部（９３）が前記磁気検出素子（３０）に磁界を付与する前記第１方向成分（ＭＺ１）または前記第２方向成分（ＭＺ２）とは反対方向の磁界を付与する第４配線部（９４）と、
を含み、
前記第３配線部（９３）および前記第４配線部（９４）の双方は、前記基板（２０）の厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記第１配線部（９１）および前記第２配線部（９２）の双方が延びる方向とは異なる方向に延びている
付記１～５のいずれか１つに記載の磁気検出装置。
【0208】
［付記１４］
前記第３配線部（９３）は、前記第１配線部（９１）および前記第２配線部（９２）の双方の第１端部（９１Ａ，９２Ａ）同士を接続し、
前記第４配線部（９４）は、前記第１配線部（９１）および前記第２配線部（９２）の双方の第２端部（９１Ｂ，９２Ｂ）同士を接続し、
前記表面配線（９０）は、
前記第１端子（８１）に電気的に接続され、前記第１配線部（９１）の前記第１端部（９１Ａ）に接続された第１接続配線部（９５）と、
前記第２端子（８２）に電気的に接続され、前記第２配線部（９２）の前記第２端部（９２Ｂ）に接続された第２接続配線部（９６）と、
を含む、付記１３に記載の磁気検出装置。
前記第３配線部（９３）は、前記第１配線部（９１）および前記第２配線部（９２）の双方の第１端部（９１Ａ，９２Ａ）同士を接続し、
前記第４配線部（９４）は、前記第１配線部（９１）および前記第２配線部（９２）の双方の第２端部（９１Ｂ，９２Ｂ）同士を接続し、
前記表面配線（９０）は、
前記第１端子（８１）に電気的に接続され、前記第１配線部（９１）の前記第１端部（９１Ａ）に接続された第１接続配線部（９５）と、
前記第２端子（８２）に電気的に接続され、前記第２配線部（９２）の前記第２端部（９２Ｂ）に接続された第２接続配線部（９６）と、
を含む、付記１３に記載の磁気検出装置。
【0209】
［付記１５］
前記基板（２０）の厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記第１配線部（９１）、前記第２配線部（９２）、前記第３配線部（９３）、および前記第４配線部（９４）は、前記磁気検出素子（３０）の全周を囲むように形成されている
付記１３または１４に記載の磁気検出装置。
前記基板（２０）の厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記第１配線部（９１）、前記第２配線部（９２）、前記第３配線部（９３）、および前記第４配線部（９４）は、前記磁気検出素子（３０）の全周を囲むように形成されている
付記１３または１４に記載の磁気検出装置。
【0210】
［付記１６］
前記第１端子（８１）および前記第２端子（８２）は、前記磁気検出素子（３０）に対して第３方向（Ｘ方向）の両側に分散して配置されており、
前記第１配線部（９１）および前記第２配線部（９２）は、前記基板（２０）の厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記磁気検出素子（３０）に対して前記第３方向（Ｘ方向）と直交する第４方向（Ｙ方向）の両側に対向配置されており、
前記第３配線部（９３）および前記第４配線部（９４）は、前記基板（２０）の厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記磁気検出素子（３０）に対して前記第３方向（Ｘ方向）の両側に対向配置されている
付記１３～１５のいずれか１つに記載の磁気検出装置。
前記第１端子（８１）および前記第２端子（８２）は、前記磁気検出素子（３０）に対して第３方向（Ｘ方向）の両側に分散して配置されており、
前記第１配線部（９１）および前記第２配線部（９２）は、前記基板（２０）の厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記磁気検出素子（３０）に対して前記第３方向（Ｘ方向）と直交する第４方向（Ｙ方向）の両側に対向配置されており、
前記第３配線部（９３）および前記第４配線部（９４）は、前記基板（２０）の厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記磁気検出素子（３０）に対して前記第３方向（Ｘ方向）の両側に対向配置されている
付記１３～１５のいずれか１つに記載の磁気検出装置。
【0211】
［付記１７］
前記第１配線部（９１）と前記磁気検出素子（３０）との前記第４方向（Ｙ方向）の間の距離（ＤＡ１）は、前記第２配線部（９２）と前記磁気検出素子（３０）との前記第４方向（Ｙ方向）の間の距離（ＤＡ２）と等しく、
前記第３配線部（９３）と前記磁気検出素子（３０）との前記第３方向（Ｘ方向）の間の距離（ＤＡ３）は、前記第４配線部（９４）と前記磁気検出素子（３０）との前記第３方向（Ｘ方向）の間の距離（ＤＡ４）と等しい
付記１６に記載の磁気検出装置。
前記第１配線部（９１）と前記磁気検出素子（３０）との前記第４方向（Ｙ方向）の間の距離（ＤＡ１）は、前記第２配線部（９２）と前記磁気検出素子（３０）との前記第４方向（Ｙ方向）の間の距離（ＤＡ２）と等しく、
前記第３配線部（９３）と前記磁気検出素子（３０）との前記第３方向（Ｘ方向）の間の距離（ＤＡ３）は、前記第４配線部（９４）と前記磁気検出素子（３０）との前記第３方向（Ｘ方向）の間の距離（ＤＡ４）と等しい
付記１６に記載の磁気検出装置。
【0212】
［付記１８］
前記第３配線部（９３）の幅寸法（ＷＡ３）および前記第４配線部（９４）の幅寸法（ＷＡ４）は互いに等しい
付記１３～１７のいずれか１つに記載の磁気検出装置。
前記第３配線部（９３）の幅寸法（ＷＡ３）および前記第４配線部（９４）の幅寸法（ＷＡ４）は互いに等しい
付記１３～１７のいずれか１つに記載の磁気検出装置。
【0213】
［付記１９］
前記基板（２０）は、半導体基板であり、
前記基板表面（２１）には、絶縁層（５０）が形成されており、
前記磁気検出素子（３０）は、前記半導体基板（２０）に設けられており、
前記表面配線（７０）は、前記絶縁層（５０）上に形成されている
付記１～１８のいずれか１つに記載の磁気検出装置。
前記基板（２０）は、半導体基板であり、
前記基板表面（２１）には、絶縁層（５０）が形成されており、
前記磁気検出素子（３０）は、前記半導体基板（２０）に設けられており、
前記表面配線（７０）は、前記絶縁層（５０）上に形成されている
付記１～１８のいずれか１つに記載の磁気検出装置。
【0214】
［付記２０］
前記磁気検出素子（３０）は、半導体チップとして形成され、前記基板表面（２１）に実装されている
付記１～１８のいずれか１つに記載の磁気検出装置。
前記磁気検出素子（３０）は、半導体チップとして形成され、前記基板表面（２１）に実装されている
付記１～１８のいずれか１つに記載の磁気検出装置。
【0215】
［付記２１］
前記第３配線部（９３）と前記磁気検出素子（３０）との前記第３方向（Ｘ方向）の間の距離（ＤＡ３）は、前記第４配線部（９４）と前記磁気検出素子（３０）との前記第３方向（Ｘ方向）の間の距離（ＤＡ４）と等しい
付記１６または１７に記載の磁気検出装置。
前記第３配線部（９３）と前記磁気検出素子（３０）との前記第３方向（Ｘ方向）の間の距離（ＤＡ３）は、前記第４配線部（９４）と前記磁気検出素子（３０）との前記第３方向（Ｘ方向）の間の距離（ＤＡ４）と等しい
付記１６または１７に記載の磁気検出装置。
【0216】
［付記２２］
前記第１分岐配線部（７４）および前記第２分岐配線部（７５）と、前記第３分岐配線部（７７）および前記第４分岐配線部（７８）とは、前記基板（２０）の厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記磁気検出素子（３０）に対して第３方向（Ｘ方向）の両側に対向配置されており、
前記第１配線部（７１）および前記第２配線部（７２）は、前記基板（２０）の厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記磁気検出素子（３０）に対して第３方向（Ｘ方向）と直交する第４方向（Ｙ方向）の両側に対向配置されており、
前記第１分岐配線部（７４）と前記磁気検出素子（３０）との前記第３方向（Ｘ方向）の間の距離（Ｄ４）は、前記第４分岐配線部（７８）と前記磁気検出素子（３０）との前記第３方向（Ｘ方向）の間の距離（Ｄ８）と等しい
付記６～１０のいずれか１つに記載の磁気検出装置。
前記第１分岐配線部（７４）および前記第２分岐配線部（７５）と、前記第３分岐配線部（７７）および前記第４分岐配線部（７８）とは、前記基板（２０）の厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記磁気検出素子（３０）に対して第３方向（Ｘ方向）の両側に対向配置されており、
前記第１配線部（７１）および前記第２配線部（７２）は、前記基板（２０）の厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記磁気検出素子（３０）に対して第３方向（Ｘ方向）と直交する第４方向（Ｙ方向）の両側に対向配置されており、
前記第１分岐配線部（７４）と前記磁気検出素子（３０）との前記第３方向（Ｘ方向）の間の距離（Ｄ４）は、前記第４分岐配線部（７８）と前記磁気検出素子（３０）との前記第３方向（Ｘ方向）の間の距離（Ｄ８）と等しい
付記６～１０のいずれか１つに記載の磁気検出装置。
【0217】
［付記２３］
前記第１分岐配線部（７４）および前記第２分岐配線部（７５）と、前記第３分岐配線部（７７）および前記第４分岐配線部（７８）とは、前記基板（２０）の厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記磁気検出素子（３０）に対して第３方向（Ｘ方向）の両側に対向配置されており、
前記第１配線部（７１）および前記第２配線部（７２）は、前記基板（２０）の厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記磁気検出素子（３０）に対して第３方向（Ｘ方向）と直交する第４方向（Ｙ方向）の両側に対向配置されており、
前記第２分岐配線部（７５）と前記磁気検出素子（３０）との前記第３方向（Ｘ方向）の間の距離（Ｄ５）は、前記第３分岐配線部（７７）と前記磁気検出素子（３０）との前記第３方向（Ｘ方向）の間の距離（Ｄ７）と等しい
付記６～１０のいずれか１つに記載の磁気検出装置。
前記第１分岐配線部（７４）および前記第２分岐配線部（７５）と、前記第３分岐配線部（７７）および前記第４分岐配線部（７８）とは、前記基板（２０）の厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記磁気検出素子（３０）に対して第３方向（Ｘ方向）の両側に対向配置されており、
前記第１配線部（７１）および前記第２配線部（７２）は、前記基板（２０）の厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記磁気検出素子（３０）に対して第３方向（Ｘ方向）と直交する第４方向（Ｙ方向）の両側に対向配置されており、
前記第２分岐配線部（７５）と前記磁気検出素子（３０）との前記第３方向（Ｘ方向）の間の距離（Ｄ５）は、前記第３分岐配線部（７７）と前記磁気検出素子（３０）との前記第３方向（Ｘ方向）の間の距離（Ｄ７）と等しい
付記６～１０のいずれか１つに記載の磁気検出装置。
【0218】
［付記２４］
前記第１配線部（７１）および前記第２配線部（７２）は、前記基板（２０）の厚さ方向（Ｚ方向）から視て、互いに平行である
付記１～１０のいずれか１つに記載の磁気検出装置。
前記第１配線部（７１）および前記第２配線部（７２）は、前記基板（２０）の厚さ方向（Ｚ方向）から視て、互いに平行である
付記１～１０のいずれか１つに記載の磁気検出装置。
【0219】
［付記２５］
前記第１分岐配線部（７４）および前記第４分岐配線部（７８）は、前記基板（２０）の厚さ方向（Ｚ方向）から視て、互いに平行である
付記６～１０のいずれか１つに記載の磁気検出装置。
前記第１分岐配線部（７４）および前記第４分岐配線部（７８）は、前記基板（２０）の厚さ方向（Ｚ方向）から視て、互いに平行である
付記６～１０のいずれか１つに記載の磁気検出装置。
【0220】
［付記２６］
前記第２分岐配線部（７５）および前記第３分岐配線部（７７）は、前記基板（２０）の厚さ方向（Ｚ方向）から視て、互いに平行である
付記６～１０のいずれか１つに記載の磁気検出装置。
前記第２分岐配線部（７５）および前記第３分岐配線部（７７）は、前記基板（２０）の厚さ方向（Ｚ方向）から視て、互いに平行である
付記６～１０のいずれか１つに記載の磁気検出装置。
【0221】
［付記２７］
前記第３配線部（９３）および前記第４配線部（９４）は、前記基板（２０）の厚さ方向（Ｚ方向）から視て、互いに平行である
付記１２～１５のいずれか１つに記載の磁気検出装置。
前記第３配線部（９３）および前記第４配線部（９４）は、前記基板（２０）の厚さ方向（Ｚ方向）から視て、互いに平行である
付記１２～１５のいずれか１つに記載の磁気検出装置。
【0222】
［付記２８］
前記第１配線部（７１）および前記第２配線部（７２）の双方は、前記基板（２０）の厚さ方向（Ｚ方向）において互いに同じ位置に配置され、かつ前記磁気検出素子（３０）とは異なる位置に配置されている
付記１～１９のいずれか１つに記載の磁気検出装置。
前記第１配線部（７１）および前記第２配線部（７２）の双方は、前記基板（２０）の厚さ方向（Ｚ方向）において互いに同じ位置に配置され、かつ前記磁気検出素子（３０）とは異なる位置に配置されている
付記１～１９のいずれか１つに記載の磁気検出装置。
【0223】
［付記２９］
前記第１分岐配線部（７４）および前記第４分岐配線部（７８）の双方は、前記基板（２０）の厚さ方向（Ｚ方向）において互いに同じ位置に配置され、かつ前記磁気検出素子（３０）とは異なる位置に配置されている
付記６～１２のいずれか１つに記載の磁気検出装置。
前記第１分岐配線部（７４）および前記第４分岐配線部（７８）の双方は、前記基板（２０）の厚さ方向（Ｚ方向）において互いに同じ位置に配置され、かつ前記磁気検出素子（３０）とは異なる位置に配置されている
付記６～１２のいずれか１つに記載の磁気検出装置。
【0224】
［付記３０］
前記第２分岐配線部（７５）および前記第３分岐配線部（７７）の双方は、前記基板（２０）の厚さ方向（Ｚ方向）において互いに同じ位置に配置され、かつ前記磁気検出素子（３０）とは異なる位置に配置されている
付記６～１２のいずれか１つに記載の磁気検出装置。
前記第２分岐配線部（７５）および前記第３分岐配線部（７７）の双方は、前記基板（２０）の厚さ方向（Ｚ方向）において互いに同じ位置に配置され、かつ前記磁気検出素子（３０）とは異なる位置に配置されている
付記６～１２のいずれか１つに記載の磁気検出装置。
【0225】
［付記３１］
前記第３配線部（９３）および前記第４配線部（９４）の双方は、前記基板（２０）の厚さ方向（Ｚ方向）において互いに同じ位置に配置され、かつ前記磁気検出素子（３０）とは異なる位置に配置されている
付記１３～１８のいずれか１つに記載の磁気検出装置。
前記第３配線部（９３）および前記第４配線部（９４）の双方は、前記基板（２０）の厚さ方向（Ｚ方向）において互いに同じ位置に配置され、かつ前記磁気検出素子（３０）とは異なる位置に配置されている
付記１３～１８のいずれか１つに記載の磁気検出装置。
【0226】
以上の説明は単に例示である。本開示の技術を説明する目的のために列挙された構成要素および方法（製造プロセス）以外に、より多くの考えられる組み合わせおよび置換が可能であることを当業者は認識し得る。本開示は、特許請求の範囲を含む本開示の範囲内に含まれるすべての代替、変形、および変更を包含することが意図される。
【符号の説明】
【0227】
１０…磁気検出装置
１０Ｘ…比較例の磁気検出装置
２０…基板
２１…基板表面
２２…基板裏面
２３～２６…第１～第４基板側面
２７…半導体基板
３０…磁気検出素子
３１～３４…第１～第４辺
４０…半導体層
４０Ａ…表面
４１…ドライバ素子
４２…保護素子
５０…絶縁層
５０Ａ…表面
５１…第１コンタクト
５２…第２コンタクト
６０…配線層
６１…配線絶縁膜
６２…第３コンタクト
６３…第４コンタクト
７０…表面配線
７０Ｘ…比較例の表面配線
７１…第１配線部
７２…第２配線部
７３…第１接続配線部
７４…第１分岐配線部
７５…第２分岐配線部
７６…第２接続配線部
７７…第３分岐配線部
７８…第４分岐配線部
８１…第１端子
８２…第２端子
８３…第３端子
９０…表面配線
９１…第１配線部
９１Ａ…第１端部
９１Ｂ…第２端部
９２…第２配線部
９２Ａ…第１端部
９２Ｂ…第２端部
９３…第３配線部
９４…第４配線部
９５…第１接続配線部
９６…第２接続配線部
１００…表面配線
１０１…第１配線部
１０２…第２配線部
１０３…第１端部接続部
１０４…第２端部接続部
１０５…第３端部接続部
１０６…第４端部接続部
１１０…基板
１１１…基板表面
１１２…基板裏面
１１３…実装パターン
１２０…磁気検出素子
１３０…表面配線
１３１…第１配線部
１３２…第２配線部
１３３…第１接続配線部
１３４…第１分岐配線部
１３５…第２分岐配線部
１３６…第２接続配線部
１３７…第３分岐配線部
１３８…第４分岐配線部
１４１～１４６…湾曲部
１５１～１５６…傾斜部
ＳＤ…接合材
ＤＶ…直流電源
Ｅ１…第１磁界
Ｅ２…第２磁界
Ｅ３…第３磁界
Ｅ４…第４磁界
Ｍ１…第１磁気方向
Ｍ２…第２磁気方向
ＭＺ１…第１方向成分
ＭＺ２…第２方向成分
Ｌ１…第１配線部の長さ寸法
Ｌ２…第２配線部の長さ寸法
Ｌ４…第１分岐配線部の長さ寸法
Ｌ５…第２分岐配線部の長さ寸法
Ｌ７…第３分岐配線部の長さ寸法
Ｌ８…第４分岐配線部の長さ寸法
Ｗ１…第１配線部の幅寸法
Ｗ２…第２配線部の幅寸法
Ｗ３…第１接続配線部の幅寸法
Ｗ４…第１分岐配線部の幅寸法
Ｗ５…第２分岐配線部の幅寸法
Ｗ６…第２接続配線部の幅寸法
Ｗ７…第３分岐配線部の幅寸法
Ｗ８…第４分岐配線部の幅寸法
Ｄ１…第１配線部と磁気検出素子との間の距離
Ｄ２…第２配線部と磁気検出素子との間の距離
Ｄ４…第１分岐配線部と磁気検出素子との間の距離
Ｄ５…第２分岐配線部と磁気検出素子との間の距離
Ｄ７…第３分岐配線部と磁気検出素子との間の距離
Ｄ８…第４分岐配線部と磁気検出素子との間の距離
ＬＡ１…第１配線部の長さ寸法
ＬＡ２…第２配線部の長さ寸法
ＬＡ３…第３配線部の長さ寸法
ＬＡ４…第４配線部の長さ寸法
ＷＡ１…第１配線部の幅寸法
ＷＡ２…第２配線部の幅寸法
ＷＡ３…第３配線部の幅寸法
ＷＡ４…第４配線部の幅寸法
ＷＡ５…第１接続配線部の幅寸法
ＷＡ６…第２接続配線部の幅寸法
ＤＡ１…第１配線部と磁気検出素子との間の距離
ＤＡ２…第２配線部と磁気検出素子との間の距離
ＤＡ３…第３配線部と磁気検出素子との間の距離
ＤＡ４…第４配線部と磁気検出素子との間の距離
ＬＢ１…第１配線部の長さ寸法
ＬＢ２…第２配線部の長さ寸法
ＷＢ１…第１配線部の幅寸法
ＷＢ２…第２配線部の幅寸法
ＤＢ１…第１配線部と磁気検出素子との間の距離
ＤＢ２…第２配線部と磁気検出素子との間の距離
１０Ｘ…比較例の磁気検出装置
２０…基板
２１…基板表面
２２…基板裏面
２３～２６…第１～第４基板側面
２７…半導体基板
３０…磁気検出素子
３１～３４…第１～第４辺
４０…半導体層
４０Ａ…表面
４１…ドライバ素子
４２…保護素子
５０…絶縁層
５０Ａ…表面
５１…第１コンタクト
５２…第２コンタクト
６０…配線層
６１…配線絶縁膜
６２…第３コンタクト
６３…第４コンタクト
７０…表面配線
７０Ｘ…比較例の表面配線
７１…第１配線部
７２…第２配線部
７３…第１接続配線部
７４…第１分岐配線部
７５…第２分岐配線部
７６…第２接続配線部
７７…第３分岐配線部
７８…第４分岐配線部
８１…第１端子
８２…第２端子
８３…第３端子
９０…表面配線
９１…第１配線部
９１Ａ…第１端部
９１Ｂ…第２端部
９２…第２配線部
９２Ａ…第１端部
９２Ｂ…第２端部
９３…第３配線部
９４…第４配線部
９５…第１接続配線部
９６…第２接続配線部
１００…表面配線
１０１…第１配線部
１０２…第２配線部
１０３…第１端部接続部
１０４…第２端部接続部
１０５…第３端部接続部
１０６…第４端部接続部
１１０…基板
１１１…基板表面
１１２…基板裏面
１１３…実装パターン
１２０…磁気検出素子
１３０…表面配線
１３１…第１配線部
１３２…第２配線部
１３３…第１接続配線部
１３４…第１分岐配線部
１３５…第２分岐配線部
１３６…第２接続配線部
１３７…第３分岐配線部
１３８…第４分岐配線部
１４１～１４６…湾曲部
１５１～１５６…傾斜部
ＳＤ…接合材
ＤＶ…直流電源
Ｅ１…第１磁界
Ｅ２…第２磁界
Ｅ３…第３磁界
Ｅ４…第４磁界
Ｍ１…第１磁気方向
Ｍ２…第２磁気方向
ＭＺ１…第１方向成分
ＭＺ２…第２方向成分
Ｌ１…第１配線部の長さ寸法
Ｌ２…第２配線部の長さ寸法
Ｌ４…第１分岐配線部の長さ寸法
Ｌ５…第２分岐配線部の長さ寸法
Ｌ７…第３分岐配線部の長さ寸法
Ｌ８…第４分岐配線部の長さ寸法
Ｗ１…第１配線部の幅寸法
Ｗ２…第２配線部の幅寸法
Ｗ３…第１接続配線部の幅寸法
Ｗ４…第１分岐配線部の幅寸法
Ｗ５…第２分岐配線部の幅寸法
Ｗ６…第２接続配線部の幅寸法
Ｗ７…第３分岐配線部の幅寸法
Ｗ８…第４分岐配線部の幅寸法
Ｄ１…第１配線部と磁気検出素子との間の距離
Ｄ２…第２配線部と磁気検出素子との間の距離
Ｄ４…第１分岐配線部と磁気検出素子との間の距離
Ｄ５…第２分岐配線部と磁気検出素子との間の距離
Ｄ７…第３分岐配線部と磁気検出素子との間の距離
Ｄ８…第４分岐配線部と磁気検出素子との間の距離
ＬＡ１…第１配線部の長さ寸法
ＬＡ２…第２配線部の長さ寸法
ＬＡ３…第３配線部の長さ寸法
ＬＡ４…第４配線部の長さ寸法
ＷＡ１…第１配線部の幅寸法
ＷＡ２…第２配線部の幅寸法
ＷＡ３…第３配線部の幅寸法
ＷＡ４…第４配線部の幅寸法
ＷＡ５…第１接続配線部の幅寸法
ＷＡ６…第２接続配線部の幅寸法
ＤＡ１…第１配線部と磁気検出素子との間の距離
ＤＡ２…第２配線部と磁気検出素子との間の距離
ＤＡ３…第３配線部と磁気検出素子との間の距離
ＤＡ４…第４配線部と磁気検出素子との間の距離
ＬＢ１…第１配線部の長さ寸法
ＬＢ２…第２配線部の長さ寸法
ＷＢ１…第１配線部の幅寸法
ＷＢ２…第２配線部の幅寸法
ＤＢ１…第１配線部と磁気検出素子との間の距離
ＤＢ２…第２配線部と磁気検出素子との間の距離
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】