(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024125721
(43)【公開日】2024-09-19
(54)【発明の名称】樹脂組成物
(51)【国際特許分類】
C08L 101/00 20060101AFI20240911BHJP
C08L 63/00 20060101ALI20240911BHJP
C08K 3/20 20060101ALI20240911BHJP
C08K 3/11 20180101ALI20240911BHJP
H05K 1/03 20060101ALI20240911BHJP
H01F 17/00 20060101ALI20240911BHJP
H01F 17/04 20060101ALI20240911BHJP
H01F 27/255 20060101ALI20240911BHJP
【ＦＩ】
C08L101/00
C08L63/00 Z
C08K3/20
C08K3/11
H05K1/03 610L
H01F17/00 A
H01F17/04 F
H01F27/255
【審査請求】未請求
【請求項の数】15
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023033729
(22)【出願日】2023-03-06
(71)【出願人】
【識別番号】000000066
【氏名又は名称】味の素株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110002147
【氏名又は名称】弁理士法人酒井国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】斎藤 瑞季
(72)【発明者】
【氏名】田中 孝幸
(72)【発明者】
【氏名】本間 達也
【テーマコード（参考）】
4J002
5E070
【Ｆターム（参考）】
4J002AA00W
4J002AC03W
4J002BB00W
4J002BE06W
4J002CD01X
4J002CD02X
4J002CD05W
4J002CD05X
4J002CD11X
4J002CF00W
4J002CF273
4J002CH07W
4J002CH08W
4J002CH09W
4J002CM013
4J002CM04W
4J002CN03W
4J002DC006
4J002DE106
4J002FD203
4J002FD206
4J002GQ01
5E070AA01
5E070BA12
5E070BB03
5E070CB01
(57)【要約】
【課題】比透磁率が高く、損失係数が低く、機械的強度に優れる硬化物を得ることができる樹脂組成物等の提供。
【解決手段】（Ａ）重量平均分子量が６００以上の樹脂、（Ｂ）エポキシ樹脂（（Ａ）成分に該当するものは除く）、（Ｃ）アミン系分散剤、及び（Ｄ）磁性粉体を含む、樹脂組成物。
【選択図】なし
【解決手段】（Ａ）重量平均分子量が６００以上の樹脂、（Ｂ）エポキシ樹脂（（Ａ）成分に該当するものは除く）、（Ｃ）アミン系分散剤、及び（Ｄ）磁性粉体を含む、樹脂組成物。
【選択図】なし
【特許請求の範囲】
【請求項1】
（Ａ）重量平均分子量が６００以上の樹脂、
（Ｂ）エポキシ樹脂（（Ａ）成分に該当するものは除く）、
（Ｃ）アミン系分散剤、及び
（Ｄ）磁性粉体を含む、樹脂組成物。
（Ｂ）エポキシ樹脂（（Ａ）成分に該当するものは除く）、
（Ｃ）アミン系分散剤、及び
（Ｄ）磁性粉体を含む、樹脂組成物。
【請求項2】
（Ａ）成分が、（Ａ－１）重量平均分子量が６００以上８０００未満の樹脂オリゴマーを含む、請求項１に記載の樹脂組成物。
【請求項3】
（Ａ）成分が、（Ａ－１）重量平均分子量が６００以上８０００未満の樹脂オリゴマー、及び（Ａ－２）重量平均分子量が８０００以上の樹脂のいずれかを含む、請求項１に記載の樹脂組成物。
【請求項4】
樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合の（Ａ－１）成分の含有量をＡ１とし、（Ａ－２）成分の含有量をＡ２としたとき、Ａ２／（Ａ１＋Ａ２）が、０以上０．７以下である、請求項３に記載の樹脂組成物。
【請求項5】
（Ａ－１）成分が、エポキシ基含有オリゴマーを含む、請求項２に記載の樹脂組成物。
【請求項6】
樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合の（Ａ）成分の含有量をＡｍとし、（Ｂ）成分の含有量をＢｍとしたとき、Ａｍ／（Ａｍ＋Ｂｍ）が、０．１以上０．８以下である、請求項１に記載の樹脂組成物。
【請求項7】
（Ｃ）成分が、ポリエステル骨格を含む、請求項１に記載の樹脂組成物。
【請求項8】
（Ｃ）成分が、式（１）で表されるポリエステル骨格を含む、請求項１に記載の樹脂組成物。
（一般式（１）中、Ｒは、それぞれ独立に炭素原子数２～１０の２価の炭化水素基を表し、ｎは２～１０００の整数を表す。）
【化1】
【請求項9】
（Ｄ）成分の含有量（体積％）が、樹脂組成物の不揮発成分１００体積％に対して、７０体積％以上である、請求項１に記載の樹脂組成物。
【請求項10】
さらに、（Ｅ）溶剤を含む、請求項１に記載の樹脂組成物。
【請求項11】
支持体と、該支持体上に設けられた、請求項１～１０のいずれか１項に記載の樹脂組成物で形成された樹脂組成物層とを含む、樹脂シート。
【請求項12】
スルーホールを有する基板と、前記スルーホールに充填した、請求項１～１０のいずれか１項に記載の樹脂組成物の硬化物と、を有する回路基板。
【請求項13】
請求項１～１０のいずれか１項に記載の樹脂組成物の硬化物である磁性層を含む、回路基板。
【請求項14】
請求項１２に記載の回路基板を含む、インダクタ基板。
【請求項15】
請求項１３に記載の回路基板を含む、インダクタ基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、樹脂組成物、及び当該樹脂組成物を使用した樹脂シート、回路基板、及びインダクタ部品に関する。
【背景技術】
【0002】
プリント配線板等の回路基板にインダクタを内蔵するインダクタ内蔵基板は、インダクタンスを大きくするために、一般に磁性粉体を含有する樹脂組成物の硬化物である磁性層を用いて形成される。
【0003】
例えば、特許文献１には、樹脂シートを用いてインダクタを形成することが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開２０２２－１２０４５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
樹脂組成物を含む樹脂組成物層を備えた樹脂シートを製造する場合、シート化する観点から、樹脂組成物には、一般に、重量平均分子量が３００００程度の高分子化合物を含有させることが求められていた。
しかしながら、高分子化合物を樹脂組成物に含有させると、樹脂シートにおける樹脂組成物層の機械的強度が低下することがある。
しかしながら、高分子化合物を樹脂組成物に含有させると、樹脂シートにおける樹脂組成物層の機械的強度が低下することがある。
【0006】
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであり、比透磁率が高く、損失係数が低く、機械的強度に優れる硬化物を得ることができる樹脂組成物；当該樹脂組成物を用いて得られる樹脂シート、回路基板、及びインダクタ基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本発明者は、上記目的を達成すべく鋭意研究をした結果、重量平均分子量が６００以上の樹脂、エポキシ樹脂、アミン系分散剤、溶剤、及び磁性粉体を組み合わせて含有させた樹脂組成物を用いることにより、樹脂組成物層の硬化物の比透磁率が高く、損失係数が低く、さらに機械的強度に優れることを見出し、本発明を完成するに至った。
【0008】
すなわち、本発明は以下の内容を含む。
［１］ （Ａ）重量平均分子量が６００以上の樹脂、
（Ｂ）エポキシ樹脂（（Ａ）成分に該当するものは除く）、
（Ｃ）アミン系分散剤、及び
（Ｄ）磁性粉体を含む、樹脂組成物。
［２］ （Ａ）成分が、（Ａ－１）重量平均分子量が６００以上８０００未満の樹脂オリゴマーを含む、［１］に記載の樹脂組成物。
［３］ （Ａ）成分が、（Ａ－１）重量平均分子量が６００以上８０００未満の樹脂オリゴマー、及び（Ａ－２）重量平均分子量が８０００以上の樹脂のいずれかを含む、［１］又は［２］に記載の樹脂組成物。
［４］ 樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合の（Ａ－１）成分の含有量をＡ１とし、（Ａ－２）成分の含有量をＡ２としたとき、Ａ２／（Ａ１＋Ａ２）が、０以上０．７以下である、［３］に記載の樹脂組成物。
［５］ （Ａ－１）成分が、エポキシ基含有オリゴマーを含む、［２］～［４］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［６］ 樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合の（Ａ）成分の含有量をＡｍとし、（Ｂ）成分の含有量をＢｍとしたとき、Ａｍ／（Ａｍ＋Ｂｍ）が、０．１以上０．８以下である、［１］～［５］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［７］ （Ｃ）成分が、ポリエステル骨格を含む、［１］～［６］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［８］ （Ｃ）成分が、式（１）で表されるポリエステル骨格を含む、［１］～［７］のいずれかに記載の樹脂組成物。
（一般式（１）中、Ｒは、それぞれ独立に炭素原子数２～１０の２価の炭化水素基を表し、ｎは２～１０００の整数を表す。）
［９］ （Ｄ）成分の含有量（体積％）が、樹脂組成物の不揮発成分１００体積％に対して、７０体積％以上である、［１］～［８］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［１０］ さらに、（Ｅ）溶剤を含む、［１］～［９］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［１１］ 支持体と、該支持体上に設けられた、［１］～［１０］のいずれかに記載の樹脂組成物で形成された樹脂組成物層とを含む、樹脂シート。
［１２］ スルーホールを有する基板と、前記スルーホールに充填した、［１］～［１０］のいずれかに記載の樹脂組成物の硬化物と、を有する回路基板。
［１３］ ［１］～［１０］のいずれか１項に記載の樹脂組成物の硬化物である磁性層を含む、回路基板。
［１４］ ［１２］に記載の回路基板を含む、インダクタ基板。
［１５］ ［１３］に記載の回路基板を含む、インダクタ基板。
［１］ （Ａ）重量平均分子量が６００以上の樹脂、
（Ｂ）エポキシ樹脂（（Ａ）成分に該当するものは除く）、
（Ｃ）アミン系分散剤、及び
（Ｄ）磁性粉体を含む、樹脂組成物。
［２］ （Ａ）成分が、（Ａ－１）重量平均分子量が６００以上８０００未満の樹脂オリゴマーを含む、［１］に記載の樹脂組成物。
［３］ （Ａ）成分が、（Ａ－１）重量平均分子量が６００以上８０００未満の樹脂オリゴマー、及び（Ａ－２）重量平均分子量が８０００以上の樹脂のいずれかを含む、［１］又は［２］に記載の樹脂組成物。
［４］ 樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合の（Ａ－１）成分の含有量をＡ１とし、（Ａ－２）成分の含有量をＡ２としたとき、Ａ２／（Ａ１＋Ａ２）が、０以上０．７以下である、［３］に記載の樹脂組成物。
［５］ （Ａ－１）成分が、エポキシ基含有オリゴマーを含む、［２］～［４］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［６］ 樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合の（Ａ）成分の含有量をＡｍとし、（Ｂ）成分の含有量をＢｍとしたとき、Ａｍ／（Ａｍ＋Ｂｍ）が、０．１以上０．８以下である、［１］～［５］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［７］ （Ｃ）成分が、ポリエステル骨格を含む、［１］～［６］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［８］ （Ｃ）成分が、式（１）で表されるポリエステル骨格を含む、［１］～［７］のいずれかに記載の樹脂組成物。
【化1】
［９］ （Ｄ）成分の含有量（体積％）が、樹脂組成物の不揮発成分１００体積％に対して、７０体積％以上である、［１］～［８］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［１０］ さらに、（Ｅ）溶剤を含む、［１］～［９］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［１１］ 支持体と、該支持体上に設けられた、［１］～［１０］のいずれかに記載の樹脂組成物で形成された樹脂組成物層とを含む、樹脂シート。
［１２］ スルーホールを有する基板と、前記スルーホールに充填した、［１］～［１０］のいずれかに記載の樹脂組成物の硬化物と、を有する回路基板。
［１３］ ［１］～［１０］のいずれか１項に記載の樹脂組成物の硬化物である磁性層を含む、回路基板。
［１４］ ［１２］に記載の回路基板を含む、インダクタ基板。
［１５］ ［１３］に記載の回路基板を含む、インダクタ基板。
【発明の効果】
【0009】
本発明によれば、比透磁率が高く、損失係数が低く、機械的強度に優れる硬化物を得ることができる樹脂シート、及び当該樹脂シートを使用した回路基板、インダクタ部品を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0010】
【発明を実施するための形態】
【0011】
以下、図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。なお、各図面は、発明が理解できる程度に、構成要素の形状、大きさ及び配置が概略的に示されているに過ぎない。本発明は以下の記述によって限定されるものではなく、各構成要素は適宜変更可能である。以下の説明に用いる図面において、同様の構成要素については同一の符号を付して示し、重複する説明については省略する場合がある。また、本発明の実施形態にかかる構成は、必ずしも図示例の配置により、製造されたり、使用されたりするとは限らない。
【0012】
［樹脂組成物］
本発明の樹脂組成物は、（Ａ）重量平均分子量が６００以上の樹脂、（Ｂ）エポキシ樹脂（（Ａ）成分に該当するものは除く）、（Ｃ）アミン系分散剤、及び（Ｄ）磁性粉体を含む。このような樹脂組成物を用いることによって、比透磁率が高く、損失係数が低く、機械的強度に優れる硬化物を得ることが可能にある。
本発明の樹脂組成物は、（Ａ）重量平均分子量が６００以上の樹脂、（Ｂ）エポキシ樹脂（（Ａ）成分に該当するものは除く）、（Ｃ）アミン系分散剤、及び（Ｄ）磁性粉体を含む。このような樹脂組成物を用いることによって、比透磁率が高く、損失係数が低く、機械的強度に優れる硬化物を得ることが可能にある。
【0013】
樹脂組成物は、更に必要に応じて、（Ｅ）溶剤、（Ｆ）硬化剤、及び（Ｇ）その他の添加剤などの任意の成分を含んでいてもよい。
【0014】
以下、樹脂組成物に含まれ得る各成分について説明する。なお、本発明において、樹脂組成物中の各成分の含有量は、別途明示のない限り、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％としたときの値であり、不揮発成分とは、樹脂組成物中の溶剤を除く不揮発成分全体を意味する。
【0015】
＜（Ａ）重量平均分子量が６００以上の樹脂＞
樹脂組成物は、（Ａ）成分として、（Ａ）重量平均分子量が６００以上の樹脂を含有する。（Ａ）重量平均分子量が６００以上の樹脂を樹脂組成物に含有させることで、樹脂組成物の硬化物の機械的強度を高めることができる。（Ａ）成分は、１種単独で用いてもよく、又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
樹脂組成物は、（Ａ）成分として、（Ａ）重量平均分子量が６００以上の樹脂を含有する。（Ａ）重量平均分子量が６００以上の樹脂を樹脂組成物に含有させることで、樹脂組成物の硬化物の機械的強度を高めることができる。（Ａ）成分は、１種単独で用いてもよく、又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【0016】
（Ａ）成分の重量平均分子量は、樹脂組成物の硬化物の機械的強度を高める観点から、６００以上であり、好ましくは７００以上、より好ましくは８００以上である。上限は、好ましくは１０００００以下、より好ましくは５００００以下、さらに好ましくは４００００以下、３００００以下、２００００以下、１００００以下、９０００以下、８０００以下、７５００以下、又は７０００以下である。樹脂の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により測定されるポリスチレン換算の重量平均分子量である。
【0017】
（Ａ）成分としては、本発明の効果を顕著に得る観点から、（Ａ－１）重量平均分子量が６００以上８０００未満の樹脂オリゴマー、及び（Ａ－２）重量平均分子量が８０００以上の樹脂のいずれかを含むことが好ましい。よって、（Ａ）成分は、（Ａ－１）重量平均分子量が６００以上８０００未満の樹脂オリゴマーのみを含んでいてもよく、（Ａ－２）重量平均分子量が８０００以上の樹脂のみを含んでいてもよく、（Ａ－１）重量平均分子量が６００以上８０００未満の樹脂オリゴマー及び（Ａ－２）重量平均分子量が８０００以上の樹脂を組み合わせて含んでいてもよい。（Ａ）成分としては、（Ａ－１）重量平均分子量が６００以上８０００未満の樹脂オリゴマーを含むことが好ましい。
【0018】
（Ａ－１）成分の重量平均分子量は、本発明の効果を顕著に得る観点から、６００以上であり、好ましくは７００以上、より好ましくは８００以上である。上限は、好ましくは８０００未満であり、好ましくは７５００以下、より好ましくは７０００以下である。
【0019】
（Ａ－２）成分の重量平均分子量は、本発明の効果を顕著に得る観点から、８０００以上であり、好ましくは９０００以上、より好ましくは１００００以上である。上限は、好ましくは１０００００以下、より好ましくは５００００以下、さらに好ましくは４００００以下である。
【0020】
（Ａ－１）成分としては、重量平均分子量が６００以上８０００未満の樹脂オリゴマーを使用することができる。このような成分としては、エポキシ基等の熱硬化性の官能基を有する熱硬化性樹脂オリゴマー及び熱可塑性樹脂オリゴマーのいずれかが好ましく、熱硬化性樹脂オリゴマーがより好ましい。熱硬化性樹脂オリゴマーとしては、例えば、エポキシ基含有オリゴマー、フェノール樹脂オリゴマー等が挙げられる。ここで「エポキシ基含有オリゴマー」とは、エポキシ基を有するオリゴマーを表す。中でも、（Ａ－１）成分としては、エポキシ基含有オリゴマーが好ましい。（Ａ－１）成分は、１種単独で用いてもよく、又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【0021】
エポキシ基含有オリゴマーは、１分子中に２個以上のエポキシ基を含むことが好ましい。また、エポキシ基含有オリゴマーは、芳香族構造を有することが好ましく、２種以上のエポキシ基含有オリゴマーを用いる場合は少なくとも１種が芳香族構造を有することがより好ましい。芳香族構造とは、一般に芳香族と定義される化学構造であり、多環芳香族及び芳香族複素環をも含む。１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ基含有オリゴマーの割合は、エポキシ基含有オリゴマーの不揮発成分１００質量％に対して、好ましくは５０質量％以上、より好ましくは６０質量％以上、特に好ましくは７０質量％以上である。
【0022】
エポキシ基含有オリゴマーとしては、ビスフェノール型エポキシ基含有オリゴマーが好ましく、ビスフェノールＡ型エポキシ基含有オリゴマー、ビスフェノールＦ型エポキシ基含有オリゴマー、ビスフェノールＡＦ型エポキシ基含有オリゴマーが好ましく、ビスフェノールＡ型エポキシ基含有オリゴマー、及びビスフェノールＦ型エポキシ基含有オリゴマーのいずれかがより好ましい。エポキシ基含有オリゴマーの具体例としては、三菱ケミカル社製の「ｊＥＲ１００１」（ビスフェノールＡ型エポキシ基含有オリゴマー）、「ｊＥＲ４００５Ｐ」（ビスフェノールＦ型エポキシ基含有オリゴマー）、「ｊＥＲ１００４ＡＦ」（ビスフェノールより製造されるポリエーテルタイプのエポキシ基含有オリゴマー）、「ｊＥＲ４００５Ｐ」（ビスフェノールＦ型エポキシ基含有オリゴマー）、「ｊＥＲ１０１０」（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）、ＤＩＣ社製の「ＥＸＡ－４８５０－１５０」（変性ビスフェノール型エポキシ樹脂）等が挙げられる。これらは１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【0023】
エポキシ基含有オリゴマーのエポキシ当量は、好ましくは５０ｇ／ｅｑ．～５０００ｇ／ｅｑ．、より好ましくは５０ｇ／ｅｑ．～３０００ｇ／ｅｑ．、さらに好ましくは８０ｇ／ｅｑ．～２０００ｇ／ｅｑ．、さらにより好ましくは１１０ｇ／ｅｑ．～１０００ｇ／ｅｑ．である。この範囲となることで、硬化物の架橋密度が十分となり表面粗さの小さい磁性層をもたらすことができる。なお、エポキシ当量は、ＪＩＳ Ｋ７２３６に従って測定することができ、１当量のエポキシ基を含む樹脂の質量である。
【0024】
フェノール樹脂オリゴマーとしては、市販品を用いることができる。フェノール樹脂オリゴマーの市販品としては、丸善石油化学社製の「Ｓ－１Ｐ」、「Ｓ－１Ｐ」等が挙げられる。
【0025】
（Ａ－１）成分の含有量は、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、本発明の効果を顕著に得る観点から、好ましくは０．１質量％以上、より好ましくは０．２質量％以上、さらに好ましくは０．３質量％以上であり、好ましくは５質量％以下、より好ましくは３質量％以下、さらに好ましくは１質量％以下である。
【0026】
（Ａ－２）成分としては、重量平均分子量が８０００以上の樹脂を使用することができる。このような成分としては、熱硬化性樹脂及び熱可塑性樹脂のいずれかが好ましく、熱可塑性樹脂がより好ましい。熱可塑性樹脂としては、例えばフェノキシ樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリエステル樹脂等が挙げられ、フェノキシ樹脂が好ましい。（Ａ－２）成分は、１種単独で用いてもよく、又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【0027】
フェノキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ骨格、ビスフェノールＦ骨格、ビスフェノールＳ骨格、ビスフェノールアセトフェノン骨格、ノボラック骨格、ビフェニル骨格、フルオレン骨格、ジシクロペンタジエン骨格、ノルボルネン骨格、ナフタレン骨格、アントラセン骨格、アダマンタン骨格、テルペン骨格、及びトリメチルシクロヘキサン骨格からなる群から選択される１種類以上の骨格を有するフェノキシ樹脂が挙げられる。フェノキシ樹脂の末端は、フェノール性水酸基、エポキシ基等のいずれの官能基でもよい。フェノキシ樹脂の具体例としては、三菱ケミカル社製の「１２５６」及び「４２５０」（いずれもビスフェノールＡ骨格含有フェノキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ＹＸ８１００」（ビスフェノールＳ骨格含有フェノキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ＹＸ６９５４」（ビスフェノールアセトフェノン骨格含有フェノキシ樹脂）；新日鉄住金化学社製の「ＦＸ２８０」及び「ＦＸ２９３」；三菱ケミカル社製の「ＹＬ７５００ＢＨ３０」、「ＹＸ６９５４ＢＨ３０」、「ＹＸ７５５３」、「ＹＸ７５５３ＢＨ３０」、「ＹＬ７７６９ＢＨ３０」、「ＹＬ６７９４」、「ＹＬ７２１３」、「ＹＬ７２９０」、「ＹＬ７４８２」及び「ＹＬ７８９１ＢＨ３０」；等が挙げられる。
【0028】
ポリビニルアセタール樹脂としては、例えば、ポリビニルホルマール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂が挙げられ、ポリビニルブチラール樹脂が好ましい。ポリビニルアセタール樹脂の具体例としては、電気化学工業社製の「電化ブチラール４０００－２」、「電化ブチラール５０００－Ａ」、「電化ブチラール６０００－Ｃ」、「電化ブチラール６０００－ＥＰ」；積水化学工業社製のエスレックＢＨシリーズ、ＢＸシリーズ（例えばＢＸ－５Ｚ）、ＫＳシリーズ（例えばＫＳ－１）、ＢＬシリーズ、ＢＭシリーズ；等が挙げられる。
【0029】
ポリオレフィン樹脂としては、例えば低密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、エチレン－酢酸ビニル共重合体、エチレン－アクリル酸エチル共重合体、エチレン－アクリル酸メチル共重合体等のエチレン系共重合樹脂；ポリプロピレン、エチレン－プロピレンブロック共重合体等のポリオレフィン系重合体等が挙げられる。
【0030】
ポリイミド樹脂の具体例としては、信越化学工業社製「ＳＬＫ－６１００」、新日本理化社製の「リカコートＳＮ２０」及び「リカコートＰＮ２０」等が挙げられる。ポリイミド樹脂の具体例としてはまた、２官能性ヒドロキシル基末端ポリブタジエン、ジイソシアネート化合物及び四塩基酸無水物を反応させて得られる線状ポリイミド（特開２００６－３７０８３号公報記載のポリイミド）、ポリシロキサン骨格含有ポリイミド（特開２００２－１２６６７号公報及び特開２０００－３１９３８６号公報等に記載のポリイミド）等の変性ポリイミドが挙げられる。
【0031】
ポリブタジエン樹脂としては、例えば、水素化ポリブタジエン骨格含有樹脂、ヒドロキシ基含有ポリブタジエン樹脂、フェノール性水酸基含有ポリブタジエン樹脂、カルボキシ基含有ポリブタジエン樹脂、酸無水物基含有ポリブタジエン樹脂、エポキシ基含有ポリブタジエン樹脂、イソシアネート基含有ポリブタジエン樹脂、ウレタン基含有ポリブタジエン樹脂、ポリフェニレンエーテル－ポリブタジエン樹脂等が挙げられる。
【0032】
ポリアミドイミド樹脂の具体例としては、東洋紡社製の「バイロマックスＨＲ１１ＮＮ」及び「バイロマックスＨＲ１６ＮＮ」が挙げられる。ポリアミドイミド樹脂の具体例としてはまた、日立化成社製の「ＫＳ９１００」、「ＫＳ９３００」（ポリシロキサン骨格含有ポリアミドイミド）等の変性ポリアミドイミドが挙げられる。
【0033】
ポリエーテルスルホン樹脂の具体例としては、住友化学社製の「ＰＥＳ５００３Ｐ」等が挙げられる。
【0034】
ポリスルホン樹脂の具体例としては、ソルベイアドバンストポリマーズ社製のポリスルホン「Ｐ１７００」、「Ｐ３５００」等が挙げられる。
【0035】
ポリフェニレンエーテル樹脂の具体例としては、ＳＡＢＩＣ製「ＮＯＲＹＬ ＳＡ９０」等が挙げられる。ポリエーテルイミド樹脂の具体例としては、ＧＥ社製の「ウルテム」等が挙げられる。
【0036】
ポリカーボネート樹脂としては、例えば、ヒドロキシ基含有カーボネート樹脂、フェノール性水酸基含有カーボネート樹脂、カルボキシ基含有カーボネート樹脂、酸無水物基含有カーボネート樹脂、イソシアネート基含有カーボネート樹脂、ウレタン基含有カーボネート樹脂等が挙げられる。ポリカーボネート樹脂の具体例としては、三菱瓦斯化学社製の「ＦＰＣ０２２０」、旭化成ケミカルズ社製の「Ｔ６００２」、「Ｔ６００１」（ポリカーボネートジオール）、クラレ社製の「Ｃ－１０９０」、「Ｃ－２０９０」、「Ｃ－３０９０」（ポリカーボネートジオール）等が挙げられる。ポリエーテルエーテルケトン樹脂の具体例としては、住友化学社製の「スミプロイＫ」等が挙げられる。
【0037】
ポリエステル樹脂としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリブチレンナフタレート樹脂、ポリトリメチレンテレフタレート樹脂、ポリトリメチレンナフタレート樹脂、ポリシクロヘキサンジメチルテレフタレート樹脂等が挙げられる。
【0038】
（Ａ－２）成分の含有量は、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、好ましくは０．５質量％以上、さらに好ましくは１質量％以上、又は１．５質量％以上であり、本発明の効果を顕著に得る観点から、好ましくは５質量％以下、より好ましくは３質量％以下、さらに好ましくは２質量％以下、特に好ましくは０質量％である。
【0039】
（Ａ－２）成分の含有量は、本発明の効果を顕著に得る観点から、少ないことが好ましい。樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合の（Ａ－１）成分の含有量をＡ１とし、（Ａ－２）成分の含有量をＡ２としたとき、本発明の効果を顕著に得る観点から、Ａ２／（Ａ１＋Ａ２）が、好ましくは０以上、より好ましくは０．２以上、さらに好ましくは０．４以上、０．６以上であり、好ましくは０．７以下である。
【0040】
（Ａ）成分の含有量（（Ａ－１）成分と（Ａ－２）成分との合計含有量）は、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、本発明の効果を顕著に得る観点から、好ましくは０．１質量％以上、より好ましくは０．２質量％以上、さらに好ましくは０．３質量％以上であり、好ましくは５質量％以下、より好ましくは３質量％以下、さらに好ましくは２質量％以下である。
【0041】
＜（Ｂ）エポキシ樹脂＞
樹脂組成物は、（Ｂ）成分として、（Ｂ）エポキシ樹脂を含有する。この（Ｂ）成分としての（Ｂ）エポキシ樹脂には、上述した（Ａ）成分に該当するものは含めない。（Ｂ）エポキシ樹脂を樹脂組成物に含有させることで、機械的強度に優れる樹脂組成物の硬化物を得ることが可能になる。（Ｂ）エポキシ樹脂は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。
樹脂組成物は、（Ｂ）成分として、（Ｂ）エポキシ樹脂を含有する。この（Ｂ）成分としての（Ｂ）エポキシ樹脂には、上述した（Ａ）成分に該当するものは含めない。（Ｂ）エポキシ樹脂を樹脂組成物に含有させることで、機械的強度に優れる樹脂組成物の硬化物を得ることが可能になる。（Ｂ）エポキシ樹脂は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。
【0042】
（Ｂ）エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂；ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂；ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂；ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂；ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂；トリスフェノール型エポキシ樹脂；フェノールノボラック型エポキシ樹脂；ｔｅｒｔ－ブチル－カテコール型エポキシ樹脂；ナフトールノボラック型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂等の縮合環構造を有するエポキシ樹脂；グリシジルアミン型エポキシ樹脂；グリシジルエステル型エポキシ樹脂；クレゾールノボラック型エポキシ樹脂；ビフェニル型エポキシ樹脂；線状脂肪族エポキシ樹脂；ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂；脂環式エポキシ樹脂；複素環式エポキシ樹脂；スピロ環含有エポキシ樹脂；シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂；トリメチロール型エポキシ樹脂；テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂；環状脂肪族ジグリシジルエーテル型エポキシ樹脂等が挙げられる。エポキシ樹脂は１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。（Ｂ）エポキシ樹脂は、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、及びビスフェノールＦ型エポキシ樹脂から選ばれる１種以上であることが好ましく、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、及びビスフェノールＦ型エポキシ樹脂を含むことがより好ましい。
【0043】
（Ｂ）エポキシ樹脂は、１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂を含むことが好ましい。また、（Ｂ）エポキシ樹脂は、芳香族構造を有することが好ましく、２種以上のエポキシ樹脂を用いる場合は少なくとも１種が芳香族構造を有することがより好ましい。芳香族構造とは、一般に芳香族と定義される化学構造であり、多環芳香族及び芳香族複素環をも含む。エポキシ樹脂の不揮発成分１００質量％に対して、１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂の割合は、好ましくは５０質量％以上、より好ましくは６０質量％以上、特に好ましくは７０質量％以上である。
【0044】
エポキシ樹脂には、温度２５℃で液状のエポキシ樹脂（以下「液状エポキシ樹脂」ということがある。）と、温度２５℃で固体状のエポキシ樹脂（以下「固体状エポキシ樹脂」ということがある。）とがある。樹脂組成物は、（Ｂ）エポキシ樹脂として、液状エポキシ樹脂のみを含んでいてもよく、固体状エポキシ樹脂のみを含んでいてもよく、液状エポキシ樹脂及び固体状エポキシ樹脂を組み合わせて含んでいてもよいが、樹脂組成物の粘度を低下させる観点から、液状エポキシ樹脂のみを含むことが好ましい。
【0045】
液状エポキシ樹脂としては、グリシロール型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、エステル骨格を有する脂環式エポキシ樹脂、シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂、環状脂肪族ジグリシジルエーテル型エポキシ樹脂、環状脂肪族グリシジルエーテル型エポキシ樹脂、環状脂肪族グリシジルエーテル型エポキシ樹脂及びブタジエン構造を有するエポキシ樹脂が好ましく、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、及びビスフェノールＦ型エポキシ樹脂がより好ましい。液状エポキシ樹脂の具体例としては、ＤＩＣ社製の「ＨＰ４０３２」、「ＨＰ４０３２Ｄ」、「ＨＰ４０３２ＳＳ」（ナフタレン型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「８２８ＵＳ」、「ｊＥＲ８２８ＥＬ」（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）、「ｊＥＲ８０７」（ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂）、「ｊＥＲ１５２」（フェノールノボラック型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「６３０」、「６３０ＬＳＤ」、ＡＤＥＫＡ社製の「ＥＤ－５２３Ｔ」（グリシロール型エポキシ樹脂（アデカグリシロール））、「ＥＰ－３９８０Ｓ」（グリシジルアミン型エポキシ樹脂）、「ＥＰ－４０８８Ｓ」（ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂）；日鉄ケミカル＆マテリアル社製の「ＺＸ１０５９」（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂の混合品）、「ＥＸ－２０１」（環状脂肪族グリシジルエーテル型エポキシ樹脂）、「ＺＸ１６５８」、「ＺＸ１６５８ＧＳ」（環状脂肪族ジグリシジルエーテル型エポキシ樹脂）；ナガセケムテックス社製の「ＥＸ－７２１」（グリシジルエステル型エポキシ樹脂）；ダイセル社製の「セロキサイド２０２１Ｐ」（エステル骨格を有する脂環式エポキシ樹脂）、「ＰＢ－３６００」（ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂）等が挙げられる。これらは１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【0046】
固体状エポキシ樹脂としては、ナフタレン型４官能エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリスフェノール型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂が好ましい。固体状エポキシ樹脂の具体例としては、ＤＩＣ社製の「ＨＰ４０３２Ｈ」（ナフタレン型エポキシ樹脂）、「ＨＰ－４７００」、「ＨＰ－４７１０」（ナフタレン型４官能エポキシ樹脂）、「Ｎ－６９０」（クレゾールノボラック型エポキシ樹脂）、「Ｎ－６９５」（クレゾールノボラック型エポキシ樹脂）、「ＨＰ－７２００」、「ＨＰ－７２００ＨＨ」、「ＨＰ－７２００Ｈ」（ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂）、「ＥＸＡ－７３１１」、「ＥＸＡ－７３１１－Ｇ３」、「ＥＸＡ－７３１１－Ｇ４」、「ＥＸＡ－７３１１－Ｇ４Ｓ」、「ＨＰ６０００」（ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂）；日本化薬社製の「ＥＰＰＮ－５０２Ｈ」（トリスフェノール型エポキシ樹脂）、「ＮＣ７０００Ｌ」（ナフトールノボラック型エポキシ樹脂）、「ＮＣ３０００Ｈ」、「ＮＣ３０００」、「ＮＣ３０００Ｌ」、「ＮＣ３１００」（ビフェニル型エポキシ樹脂）；日鉄ケミカル＆マテリアル社製の「ＥＳＮ４７５Ｖ」（ナフタレン型エポキシ樹脂）、「ＥＳＮ４８５」（ナフトールノボラック型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ＹＸ４０００Ｈ」、「ＹＬ６１２１」（ビフェニル型エポキシ樹脂）、「ＹＸ４０００ＨＫ」（ビキシレノール型エポキシ樹脂）、「ＹＸ８８００」（アントラセン型エポキシ樹脂）；大阪ガスケミカル社製の「ＰＧ－１００」、「ＣＧ－５００」、三菱ケミカル社製の「ＹＬ７７６０」（ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂）、「ＹＬ７８００」（フルオレン型エポキシ樹脂）、「ｊＥＲ１０１０」（固体状ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）、「ｊＥＲ１０３１Ｓ」（テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂）等が挙げられる。これらは１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【0047】
（Ｂ）エポキシ樹脂として、液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂とを併用する場合、それらの量比（液状エポキシ樹脂：固体状エポキシ樹脂）は、質量比で、１：０．１～１：４の範囲が好ましい。液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂との量比を斯かる範囲とすることにより、十分な破断強度を有する硬化物を得ることができる等の効果が得られる。上記の効果の観点から、液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂の量比（液状エポキシ樹脂：固体状エポキシ樹脂）は、質量比で、１：０．３～１：３．５の範囲であることがより好ましく、１：０．６～１：３の範囲であることがさらに好ましく、１：０．８～１：２．５の範囲であることが特に好ましい。
【0048】
（Ｂ）エポキシ樹脂のエポキシ当量は、好ましくは５０ｇ／ｅｑ．～５０００ｇ／ｅｑ．、より好ましくは５０ｇ／ｅｑ．～３０００ｇ／ｅｑ．、さらに好ましくは８０ｇ／ｅｑ．～２０００ｇ／ｅｑ．、さらにより好ましくは１１０ｇ／ｅｑ．～１０００ｇ／ｅｑ．である。この範囲となることで、硬化物の架橋密度が十分となり表面粗さの小さい磁性層をもたらすことができる。なお、エポキシ当量は、ＪＩＳ Ｋ７２３６に従って測定することができ、１当量のエポキシ基を含む樹脂の質量である。
【0049】
（Ｂ）エポキシ樹脂の重量平均分子量は、好ましくは６００未満、より好ましくは５００以下、さらに好ましくは４００以下である。下限は特に制限されないが、１００以上、より好ましくは１５０以上、さらに好ましくは２００以上である。
【0050】
（Ｂ）エポキシ樹脂の含有量（質量％）は、良好な機械的強度を示す磁性層を得る観点から、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、好ましくは０．１質量％以上、より好ましくは０．３質量％以上、さらに好ましくは０．５質量％以上、更に好ましくは１質量％以上である。エポキシ樹脂の含有量の上限は、本発明の効果が奏される限りにおいて特に限定されないが、好ましくは５質量％以下、より好ましくは３質量％以下、さらに好ましくは２質量％以下である。
【0051】
（Ｂ）エポキシ樹脂の含有量（体積％）は、樹脂組成物中の不揮発成分を１００体積％とした場合、好ましくは１質量％以上、より好ましくは３質量％以上、さらに好ましくは５質量％以上である。上限は、本発明の効果が奏される限りにおいて特に限定されないが、好ましくは２５質量％以下、より好ましくは２０質量％以下、さらに好ましくは１５質量％以下である。
【0052】
樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合の（Ａ）成分の含有量（（Ａ－１）成分と（Ａ－２）成分との合計含有量）をＡｍとし、（Ｂ）エポキシ樹脂の含有量をＢｍとしたとき、Ａｍ／（Ａｍ＋Ｂｍ）は、本発明の効果を顕著に得る観点から、好ましくは０．１以上、より好ましくは０．１５以上、さらに好ましくは０．２以上であり、好ましくは０．８以下、より好ましくは０．４以下、さらに好ましくは０．３以下である。
【0053】
＜（Ｃ）アミン系分散剤＞
樹脂組成物は、（Ｃ）成分として、（Ｃ）アミン系分散剤を含有する。この（Ｃ）成分としての（Ｃ）アミン系分散剤には、上述した（Ａ）成分及び（Ｂ）成分に該当するものは含めない。上記したように、シート化する観点から、樹脂組成物に高分子化合物を含有させると、樹脂組成物の硬化物の機械的強度が低下してしまう。本発明では、樹脂組成物中に（Ａ）成分に組み合わせて（Ｃ）成分を含有させることで、（Ａ）成分及び（Ｃ）成分を含まない樹脂組成物（即ち、（Ａ）成分及び（Ｃ）成分の代わりに（Ａ）成分よりも高分子量である高分子化合物を含むこと以外は樹脂組成物と同じ組成を有する樹脂組成物）に比べて、比透磁率を向上させつつ、機械的強度も向上させることが可能になる。（Ｃ）アミン系分散剤は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。
樹脂組成物は、（Ｃ）成分として、（Ｃ）アミン系分散剤を含有する。この（Ｃ）成分としての（Ｃ）アミン系分散剤には、上述した（Ａ）成分及び（Ｂ）成分に該当するものは含めない。上記したように、シート化する観点から、樹脂組成物に高分子化合物を含有させると、樹脂組成物の硬化物の機械的強度が低下してしまう。本発明では、樹脂組成物中に（Ａ）成分に組み合わせて（Ｃ）成分を含有させることで、（Ａ）成分及び（Ｃ）成分を含まない樹脂組成物（即ち、（Ａ）成分及び（Ｃ）成分の代わりに（Ａ）成分よりも高分子量である高分子化合物を含むこと以外は樹脂組成物と同じ組成を有する樹脂組成物）に比べて、比透磁率を向上させつつ、機械的強度も向上させることが可能になる。（Ｃ）アミン系分散剤は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。
【0054】
本発明の（Ｃ）アミン系分散剤はアミン骨格を有する分散剤をいい、好ましくはポリアミン骨格を有する。（Ｃ）成分のアミン価としては、好ましくは１ｍｇＫＯＨ／ｇ以上、より好ましくは５ｍｇＫＯＨ／ｇ以上、さらに好ましくは１０ｍｇＫＯＨ／ｇ以上であり、好ましくは４５ｍｇＫＯＨ／ｇ以下、より好ましくは４０ｍｇＫＯＨ／ｇ以下、さらに好ましくは３５ｍｇＫＯＨ／ｇ以下である。アミン価は中和滴定法によって測定することができる。具体的には下記方法によって測定することができる。
【0055】
アミン系分散剤のアミン価の測定
試料１５ｇ（固形分換算）を２００ｍＬコニカルビーカーに計量し、トルエンを７５ｍＬ加える。さらにエタノールを５０ｍＬ加え、必要に応じて加温して、試料を均一溶解して溶液を得る。
試料１５ｇ（固形分換算）を２００ｍＬコニカルビーカーに計量し、トルエンを７５ｍＬ加える。さらにエタノールを５０ｍＬ加え、必要に応じて加温して、試料を均一溶解して溶液を得る。
【0056】
この溶液にチモールブルー試液を１０滴加え均一混合し、０．５ｍｏｌ／Ｌ塩酸で振り
混ぜながら滴定した。液が淡紅色を呈した時点で滴定を終了し、下記計算式により、アミ
ン価を算出した。
アミン価（ｍｇＫＯＨ／ｇ）＝（Ａ×ｆ×５６．１０６×０．５）／試料量（ｇ）
Ａ：０．５ｍｏｌ／Ｌ塩酸の量（ｍＬ）
ｆ：０．５ｍｏｌ／Ｌ塩酸のファクター（力価）
混ぜながら滴定した。液が淡紅色を呈した時点で滴定を終了し、下記計算式により、アミ
ン価を算出した。
アミン価（ｍｇＫＯＨ／ｇ）＝（Ａ×ｆ×５６．１０６×０．５）／試料量（ｇ）
Ａ：０．５ｍｏｌ／Ｌ塩酸の量（ｍＬ）
ｆ：０．５ｍｏｌ／Ｌ塩酸のファクター（力価）
【0057】
（Ｃ）成分はカルボキシル基等の酸の官能基を有していてもよい。（Ｃ）の酸価としては、好ましくは１ｍｇＫＯＨ／ｇ以上、より好ましくは３ｍｇＫＯＨ／ｇ以上、さらに好ましくは５ｍｇＫＯＨ／ｇ以上であり、好ましくは３０ｍｇＫＯＨ／ｇ以下、より好ましくは２８ｍｇＫＯＨ／ｇ以下、さらに好ましくは２５ｍｇＫＯＨ／ｇ以下である。酸価は、中和滴定法、具体的にはＪＩＳ Ｋ ００７０ に従って測定することができる。
【0058】
（Ｃ）アミン系分散剤の一実施形態としては、ポリエステルに由来するポリエステル骨格を含む分散剤を使用することができ、詳細は、ポリエステルに由来するポリエステル骨格、及びアミンに由来するアミン骨格、好ましくはポリアミン骨格を有する分散剤を使用できる。（Ａ）成分は、従来用いられてきた高分子化合物よりも重量平均分子量が小さいので、ポリエステル骨格との相溶性が高い。また、高分子化合物は分子長が長いから、樹脂組成物中の磁性粉体間の距離が長くなるので比透磁率の低下を招くが、本発明にて用いられる（Ａ）成分は高分子化合物よりも分子長が短いので、樹脂組成物中の磁性粉体間の距離が短くなる。その結果、磁気モーメントが多くなり、比透磁率が向上すると推定される。また、アミン骨格における窒素原子は磁性粉体と吸着するので、アミン骨格をシェルとしてコアに磁性粉体を内包した態様となる。その結果、樹脂組成物の硬化物の機械的強度を向上させることが可能になると推定される。
【0059】
ポリエステル骨格は、ポリエステルに由来する骨格であり、ポリエステル骨格は、一般式（１）で表されることが好ましい。
（一般式（１）中、Ｒは、それぞれ独立に置換基を有していてもよい炭素原子数２～１０の２価の炭化水素基を表し、ｎは２～１０００の整数を表す。）
【化2】
【0060】
一般式（１）中のＲは、炭素原子数２～１０の２価の炭化水素基を表す。炭化水素基は、炭素原子数が２以上であり、好ましくは３以上、より好ましくは４以上である。炭素原子数の上限は１０以下であり、好ましくは８以下、より好ましくは６以下である。炭化水素基は、直鎖状、分枝状、環状のいずれであってもよく、直鎖状、分枝状の炭化水素基が好ましい。炭化水素基としては、脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基が挙げられ、脂肪族炭化水素基が好ましい。炭化水素基としては、飽和炭化水素基、不飽和炭化水素基のいずれでもよく、飽和炭化水素基が好ましい。炭化水素基の具体例としては、アルキレン基、アルケニレン基、アルキニレン基、アリーレン基等が挙げられる。中でも、炭化水素基としてはアルキレン基が特に好ましい。
【0061】
アルキレン基としては、例えば、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、へキシレン基、ヘプチレン基、オクチレン基、ノニレン基、デシレン基等が挙げられる。アルケニレン基としては、例えば、エテニレン基、プロペニレン基、ブテニレン基、ペンテニレン基、へキセニレン基、ヘプテニレン基、オクテニレン基、ノネニレン基、デセニレン基等が挙げられる。アルキニレン基としては、例えば、エチニレン基、ピロピニレン基、ブチニレン基、ペンチニレン基、ヘキシニレン基、ヘプチニレン基、オクチニレン基、ノニニレン基、デシニレン基等が挙げられる。アリーレン基としては、例えば、フェニレン基、ナフチレン基等が挙げられる。中でも、Ｒとしては、ブチレン基、ペンチレン基が好ましい。
【0062】
一般式（１）中のＲが表す２価の炭化水素基は、置換基を有していなくてもよく、有していてもよい。置換基としては、特に制限はなく、例えば、ハロゲン原子、－ＯＨ、－Ｏ－Ｃ１－６アルキル基、－Ｎ（Ｃ１－１０アルキル基）２、Ｃ１－１０アルキル基、Ｃ６－１０アリール基、－ＮＨ２、－ＣＮ、－Ｃ（Ｏ）Ｏ－Ｃ１－１０アルキル基、－ＣＯＯＨ、－Ｃ（Ｏ）Ｈ、－ＮＯ２等が挙げられる。ここで、「Ｃｐ－ｑ」（ｐ及びｑは正の整数であり、ｐ＜ｑを満たす。）という用語は、この用語の直後に記載された有機基の炭素原子数がｐ～ｑであることを表す。例えば、「Ｃ１－１０アルキル基」という表現は、炭素原子数１～１０のアルキル基を示す。これら置換基は、互いに結合して環を形成していてもよく、環構造は、スピロ環や縮合環も含む。
【0063】
上述の置換基は、さらに置換基（以下、「二次置換基」という場合がある。）を有していてもよい。二次置換基としては、特に記載のない限り、上述の置換基と同じものを用いてよい。
【0064】
一般式（１）中のｎは、２～１０００の整数を表す。ｎは、２以上であり、好ましくは５以上、より好ましくは１０以上である。上限は１０００以下であり、好ましくは５００以下、より好ましくは１００以下、５０以下である。
【0065】
アミン骨格は、アミンに由来する骨格である。アミンとしては、例えば、ポリアリルアミン、ポリビニルアミン等が挙げられる。中でも、ポリアリルアミンが好ましい。
【0066】
（Ｃ）成分は、アミン骨格及びポリエステル骨格に加えて、任意の骨格を含んでいてもよい。任意の骨格としては、例えば一般式（１）中のＲが炭素原子数１又は１１以上の２価の炭化水素基であるポリエステル骨格（ｎは式（１）と同じ）が挙げられる。このポリエステル骨格の末端は特に限定されない。
【0067】
（Ｃ）成分の末端としては、例えば後述するカルボン酸の残基、ヒドロキシ基、水素原子等が挙げられる。
【0068】
（Ｃ）成分は、例えば、ポリアミンにポリエステルを反応させることによって製造することができる。ポリアミンとしては、例えば、ポリアリルアミン、ポリビニルアミン等が挙げられ、ポリアリルアミンが好ましい。
【0069】
ポリアミンは、重合開始剤及び／又は連鎖移動触媒の存在下、モノマーのアミンを重合させることで得られる。例えば、ポリアリルアミンは、重合開始剤及び／又は連鎖移動触媒の存在下、アリルアミンを重合させることで得ることができる。
【0070】
重合開始剤としては特に限定されず、例えば、メチルエチルケトン等のケトンパーオキシド類、ベンゾイルパーオキサイド等のジアシルパーオキシド類、ジイソプロピルパーオキシジカーボネート等のパーオキシジカーボネート類、１、１－ビス（ｔ－ブチルパーロキシ）シクロヘキサン等のパーオキシケタール類、ｔ－ブチルヒドロパーオキシド等のヒドロパーオキシド類、ｔ－ブチルパーオキシピバレート等のパーオキシエステル類、その他アゾビスイソプチロニリトリル、過酸化水素、第一鉄塩等を挙げることができる。さらに特公平２－１４３６４号公報に記載の重合開始剤を用いてもよい。これらは１種単独で用いてもよく、２種以上用いてもよい。
【0071】
連鎖移動触媒としては特に限定されず、例えば、ラウリルメルカプタンなどのアルキルメルカプタン類、メルカプト酢酸、２－メルカプトプロピオン酸、３－メルカプトプロピオン酸などのチオカルボン酸類、チオグリコール酸ブチル、チオグリコール酸２－エチルヘキシル等のチオカルボン酸エステル等が挙げられる。これらは１種単独で用いてもよく、２種以上用いてもよい。
【0072】
ポリアミンの重量平均分子量としては、１５０～１０００００が好ましく、６００～２００００がより好ましい。ポリアミンの重量平均分子量が１５０以上であると、粒子に対する吸着力が向上して粒子分散性が向上し、ポリアミンの重量平均分子量が１０００００以下であると、粒子同士の凝集を抑制でき、粒子分散性が向上する。なお、特公平２－１４３６４号公報に記載の方法を用いて、任意の重量平均分子量のポリアミンを製造してもよい。
【0073】
ポリアミンは、市販品を用いることができる。ポリアミンの市販品としては、例えば、ニットーボーメディカル社製「ＰＡＡ－０１」、「ＰＡＡ－０３」、「ＰＡＡ－０５」、「ＰＡＡ－０８」、「ＰＡＡ－１５」、「ＰＡＡ－１５Ｃ」、「ＰＡＡ－２５」等が挙げられる。
【0074】
ポリエステルは、例えば、例えば一般式（２）で表されるラクトン及びカルボン酸を反応させることで製造することができる。
（一般式（２）中、Ｒ２は、一般式（１）中のＲと同じである。）
【化3】
【0075】
一般式（２）で表されるラクトンとしては、例えば、ε－カプロラクトン、βプロピオラクトン、γ－ブチロラクトン、δ－バレロラクトン、β－メチル－δ－バレロラクトン、４－メチルカプロラクトン、２－メチルカプロラクトン等が挙げられる。
【0076】
カルボン酸は、一般式（２）で表されるラクトンの開環重合の開始剤として機能するものを用いることができる。このようなカルボン酸としては、例えば、リシノール酸、リシノレイン酸、９および１０－ヒドロキシステアリン酸、ひまし油脂肪酸、水添ひまし油脂肪酸、乳酸、１２－ヒドロキシステアリン酸、グリコール酸等のヒドロキシカルボン酸；ドデカン酸、ステアリン酸等が挙げられる。中でも、ヒドロキシカルボン酸が好ましい。
【0077】
反応温度は好ましくは１２０～２２０℃、より好ましくは１６０～２１０℃である。また、反応時間は好ましくは０．５～７２時間である。窒素気流下で反応を行うと、重合度が大きいポリエステルを得ることができる。
【0078】
また、前記の反応は、必要に応じて、反応を制御する観点から重合触媒又は重合開始剤を用いてもよい。
【0079】
重合触媒としては、例えば、テトラメチルアンモニウムクロリド、テトラブチルアンモニウムクロリド、テトラメチルアンモニウムブロミド、テトラブチルアンモニウムブロミドテトラメチルアンモニウムヨード、テトラブチルアンモニウムヨード、ベンジルトリメチルアンモニウムクロリド、ベンジルトリメチルアンモニウムブロミド、ベンジルトリメチルアンモニウムヨード等の四級アンモニウム塩；テトラメチルホスホニウムクロリド、テトラブチルホスホニウムクロリド、テトラメチルホスホニウムブロミド、テトラブチルホスホニウムブロミド、テトラメチルホスホニウムヨード、テトラブチルホスホニウムヨード、ベンジルトリメチルホスホニウムクロリド、ベンジルトリメチルホスホニウムブロミド、ベンジルトリメチルホスホニウムヨード、テトラフェニルホスホニウムクロリド、テトラフェニルホスホニウムブロミド、テトラフェニルホスホニウムヨード等の四級ホスホニウム塩；トリフェニルフォスフィン等のリン化合物；酢酸カリウム、酢酸ナトリウム、安息香酸カリウム、安息香酸ナトリウム等の有機カルボン酸塩；ナトリウムアルコラート、カリウムアルコラート等のアルカリ金属アルコラート；三級アミン類；有機錫化合物；有機アルミニウム化合物；テトラブチルチタネート等の有機チタネート化合物；塩化亜鉛等の亜鉛化合物；等が挙げられる。
【0080】
重合開始剤としては、例えば、酢酸、プロピオン酸、カプリル酸、ノナン酸、カプリン酸、オクチル酸、ラウリル酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、イソノナン酸、アラキン酸等の脂肪族モノカルボン酸；安息香酸、ｐ－ブチル安息香酸等の芳香族モノカルボン酸、等のモノカルボン酸等が挙げられる。
【0081】
ポリエステルの重量平均分子量としては、好ましくは１０００以上、より好ましくは１５００以上、さらに好ましくは２０００以上であり、好ましくは５００００以下、より好ましくは４００００以下、さらに好ましくは３００００以下である。重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により測定されるポリスチレン換算の重量分子量である。
【0082】
ポリアミンとポリエステルとの反応における反応温度及び反応時間は、一般式（２）で表されるラクトン及びカルボン酸の反応における反応温度及び反応時間と同じである。
【0083】
（Ｃ）成分の製造においては、本発明の効果を阻害しない限りにおいて、ポリアミン、ポリエステルに加えて、さらに任意のモノマーを用いてもよい。任意のモノマーとしては、例えば、一般式（１）中のＲが炭素原子数１又は１１以上の２価の炭化水素基であるポリエステル等が挙げられる。
【0084】
（Ｃ）成分のｐＨは、通常４以上７未満となり得る。ｐＨは指示薬法により測定することができる。具体的には、アセトンに分散剤を溶解させて調製した、分散剤濃度０．１ｇ／ｍＬの測定サンプル（２２℃）を、ｐＨ試験紙に浸すことにより測定することができる。ｐＨ試験紙としては、酸性領域のｐＨが測定可能なｐＨ試験紙（例えば測定領域が、ｐＨ０．０～１４．０、ｐＨ１．０～１４．０、又はｐＨ０．５～５．０のもの等）を用いることができ、例えばアズワン社製のｐＨ試験紙「ｐＨ試験紙ｐＨ１～１４」（ｐＨ測定範囲ｐＨ１．０～１４．０）等が挙げられる。
【0085】
（Ｃ）成分の重量平均分子量としては、好ましくは１０００以上、より好ましくは１５００以上、さらに好ましくは２０００以上であり、好ましくは５００００以下、より好ましくは４００００以下、さらに好ましくは３００００以下である。重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により測定されるポリスチレン換算の重量分子量である。
【0086】
（Ｃ）成分は、市販品を用いることができる。（Ｃ）成分の市販品としては、例えば、日本ルーブリゾール社製「ソルスバース２４０００ＧＲ」等が挙げられる。
【0087】
（Ｃ）成分の含有量は、本発明の効果を顕著に得る観点から、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、好ましくは０．０１質量％以上、より好ましくは０．０５質量％以上、さらに好ましくは０．１質量％以上であり、上限は、好ましくは５質量％以下、より好ましくは３質量％以下、さらに好ましくは１質量％以下である。
【0088】
樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合の（Ｃ）成分の含有量をＣｍとする。Ａｍ／Ｃｍは、本発明の効果を顕著に得る観点から、好ましくは０．１以上、より好ましくは０．５以上、さらに好ましくは１以上であり、好ましくは１０以下、より好ましくは８以下、さらに好ましくは５以下である。
【0089】
＜（Ｄ）磁性粉体＞
樹脂組成物は、（Ｄ）成分として、（Ｄ）磁性粉体を含有する。（Ｄ）磁性粉体を樹脂組成物に含有させることで、樹脂組成物の硬化物の比透磁率を高め、損失係数を低減させることができる。（Ｄ）磁性粉体は１種単独で用いてもよく、又は２種以上を併用してもよい。
樹脂組成物は、（Ｄ）成分として、（Ｄ）磁性粉体を含有する。（Ｄ）磁性粉体を樹脂組成物に含有させることで、樹脂組成物の硬化物の比透磁率を高め、損失係数を低減させることができる。（Ｄ）磁性粉体は１種単独で用いてもよく、又は２種以上を併用してもよい。
【0090】
（Ｄ）磁性粉体は、比透磁率が１より大きい材料の粒子を用いることができる。（Ｄ）磁性粉体の一実施形態として、ナノ結晶磁性粉、及び小径磁性粉のいずれかを含むことが好ましく、ナノ結晶磁性粉を含むことがより好ましい。
【0091】
用語「ナノ結晶磁性粉」とは、粒径１００ｎｍ以下の結晶粒を含む磁性粉をいう。結晶粒の粒径の下限は、特に制限はないが、好ましくは１ｎｍ以上である。中でも、ナノ結晶磁性粉は、結晶粒の最大粒径が１００ｎｍ以下であることが好ましい。通常、ナノ結晶磁性粉の粒子１個には、複数個の結晶粒が含まれており、よって、ナノ結晶磁性粉の粒子は多結晶体でありうる。結晶粒の大きさは、例えば、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）により観察しうる。ナノ結晶磁性粉は、結晶粒を含有するので、一般に、Ｘ線回折パターンにおいて結晶性を示すピークを示しうる。結晶粒が有する結晶構造としては、例えばｂｃｃ結晶構造（体心立方格子構造）が挙げられるが、これ以外の結晶構造であってもよい。
【0092】
ナノ結晶磁性粉は、通常、粒子の状態で樹脂組成物に含まれる。ナノ結晶磁性粉は、その粒子の少なくとも一部に結晶粒を含むものであってもよく、粒子の表層に結晶粒を含むものが好ましく、粒子の全体に結晶粒を含むものがより好ましく、結晶粒のみからなるものが特に好ましい。
【0093】
ナノ結晶磁性粉は、通常、５．５μｍ以上２０μｍ以下の範囲の粒径を有する。ナノ結晶磁性粉の粒径は、ミー（Ｍｉｅ）散乱理論に基づくレーザー回折・散乱法により測定することができる。具体的には、レーザー回折散乱式粒径分布測定装置により、ナノ結晶磁性粉の粒径分布を体積基準で作成し、その粒径分布から測定できる。測定サンプルは、磁性粉を超音波により純水中に分散させたものを好ましく使用することができる。レーザー回折散乱式粒径分布測定装置としては、マイクロトラックベル社製「ＭＴ３０００ＩＩ」、堀場製作所社製「ＬＡ－９６０」、島津製作所社製「ＳＡＬＤ－２２００」等を使用することができる。
【0094】
ナノ結晶磁性粉の平均粒径Ｄ５０は、通常５．５μｍ以上、好ましくは５．７μｍ以上、より好ましくは５．９μｍ以上であり、通常２０μｍ以下、好ましくは１８μｍ以下、より好ましくは１６μｍ以下である。このような範囲の平均粒径Ｄ５０を有するナノ結晶磁性粉を用いることで、比透磁率、損失係数及び機械的強度を改善することができる。ナノ結晶磁性粉の平均粒径Ｄ５０は、体積基準のメジアン径を表し、前記のレーザー回折・散乱法で測定された体積基準の粒径分布から測定できる。
【0095】
ナノ結晶磁性粉の体積基準の粒径分布は、通常、正規分布に従う。よって、ナノ結晶磁性粉は、当該ナノ結晶磁性粉の平均粒径Ｄ５０より小さい１０％粒径Ｄ１０、及び、当該ナノ結晶磁性粉の平均粒径Ｄ５０より大きい９０％粒径Ｄ９０を有しうる。ここで、１０％粒径Ｄ１０とは、体積基準の粒径分布において、粒径の小さい側から累積した体積の積算量が１０％となるときの粒径を表す。また、９０％粒径Ｄ９０とは、体積基準の粒径分布において、粒径の小さい側から累積した体積の積算量が９０％となるときの粒径を表す。ナノ結晶磁性粉の１０％粒径Ｄ１０及び９０％粒径Ｄ９０は、前記のレーザー回折・散乱法で測定された体積基準の粒径分布から測定できる。
【0096】
ナノ結晶磁性粉の１０％粒径Ｄ１０は、好ましくは２．０μｍよりも大きく、より好ましくは２．４μｍ以上、特に好ましくは２．８μｍ以上である。上限は、平均粒径Ｄ５０以下であり、例えば、１０μｍ以下、８μｍ以下、６μｍ以下等であり得る。ナノ結晶磁性粉の１０％粒径Ｄ１０が前記範囲にある場合、比透磁率、損失係数及び機械的強度を改善することができる。
【0097】
ナノ結晶磁性粉の９０％粒径Ｄ９０は、好ましくは６０μｍ以下、より好ましくは５０μｍ以下、特に好ましくは４０μｍ以下ある。下限は、平均粒径Ｄ５０以上であり、例えば、６μｍ以上、８μｍ以上、１０μｍ以上等であり得る。ナノ結晶磁性粉の９０％粒径Ｄ９０が前記範囲にある場合、比透磁率、損失係数及び機械的強度を改善することができる。
【0098】
ナノ結晶磁性粉の１０％粒径Ｄ１０と９０％粒径Ｄ９０との差Ｄ９０－Ｄ１０は、好ましくは１μｍ以上、より好ましくは３μｍ以上、特に好ましくは５μｍ以上であり、好ましくは４０μｍ以下、より好ましくは３５μｍ以下、特に好ましくは３０μｍ以下である。差Ｄ９０－Ｄ１０が前記範囲にある場合、比透磁率、損失係数及び機械的強度を改善することができる。
【0099】
ナノ結晶磁性粉の１０％粒径Ｄ１０と９０％粒径Ｄ９０との比Ｄ９０／Ｄ１０は、好ましくは１．１以上、より好ましくは２以上、特に好ましくは３以上であり、好ましくは１０以下、より好ましくは８以下、特に好ましくは６以下である。比Ｄ９０／Ｄ１０が前記範囲にある場合、比透磁率、損失係数及び機械的強度を改善することができる。
【0100】
ナノ結晶磁性粉は、１より大きい比透磁率を有する磁性材料の粒子でありうる。この磁性材料は、通常は無機材料であり、軟磁性材料であってもよく、硬磁性材料であってもよい。また、磁性材料は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。中でも、ナノ結晶磁性粉の偏在化を抑制する観点から、ナノ結晶磁性粉に含まれる磁性材料としては、軟磁性材料が好ましい。
【0101】
ナノ結晶磁性粉が含む磁性材料としては、例えば、磁性金属酸化物、磁性金属が挙げられる。中でも、ナノ結晶磁性粉が含む磁性材料は、鉄（Ｆｅ）を含有することが好ましい。よって、ナノ結晶磁性粉が含む磁性材料としては、結晶性を有する鉄合金磁性材料、結晶性を有するフェライト磁性材料などが挙げられる。透磁率および損失係数の観点では、ナノ結晶磁性粉が含む磁性材料は、Ｆｅに組み合わせて、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ及びＶからなる群から選択される１つ以上の元素を更に含有する組成を有することが好ましい。
【0102】
ナノ結晶磁性粉に含まれる磁性材料の好ましい例としては、特開２０２１－１５８３４３号公報、特開２０２１－１４１２６７号公報、特開２０１９－３１４６３号公報、特開２０２１－１１６０２号公報等に記載の磁性材料が挙げられる。
【0103】
前記の例の中でも、透磁率および損失係数の観点から、Ｆｅ－Ｓｉ－Ｎｂ－Ｂ合金粉が好ましい。Ｆｅ－Ｓｉ－Ｎｂ－Ｂ合金粉とは、Ｆｅ、Ｓｉ、Ｎｂ及びＢを含有する合金で形成された磁性粉を表す。
【0104】
ナノ結晶磁性粉は、前記の磁性材料を含むことが好ましく、前記の磁性材料のみを含むことが好ましい。また、ナノ結晶磁性粉は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。
【0105】
ナノ結晶磁性粉は、例えば、アトマイズ法によって製造しうる。ナノ結晶磁性粉の製造方法の具体例としては、特開２０２１－１４１２６７号公報、特開２０２１－１５８３４３号公報に記載の方法が挙げられる。
【0106】
また、ナノ結晶磁性粉は、市販品を用いてもよい。ナノ結晶磁性粉を含む市販の磁性粉としては、例えば、エプソンアトミックス社製の「ＫＵＡＭＥＴ ＮＣ１－５３μｍ」、「ＫＵＡＭＥＴ ＮＣ１－３８μｍ」、「ＡＴＦＩＮＥ－ＮＣ１ ＰＦ１０ＦＡ」などが挙げられる。なお、ナノ結晶磁性粉を市場から入手する場合、必要に応じて、市販の磁性粉を分級して用いてもよい。
【0107】
ナノ結晶磁性粉は、球状であることが好ましい。ナノ結晶磁性粉の粒子の長軸の長さを短軸の長さで除した値（アスペクト比）としては、好ましくは２以下、より好ましくは１．５以下、さらに好ましくは１．２以下であり、通常１以上、好ましくは１より大きく、より好ましくは１．０５以上である。
【0108】
ナノ結晶磁性粉の含有量（質量％）は、樹脂組成物の不揮発成分１００質量％に対して、好ましくは３０質量％以上、より好ましくは４０質量％以上、さらに好ましくは５０質量％以上であり、好ましくは９０質量％以下、より好ましくは８５質量％以下、さらに好ましくは８０質量％以下である。ナノ結晶磁性粉の含有量が前記範囲にある場合、比透磁率、損失係数及び機械的強度を改善することができる。
【0109】
ナノ結晶磁性粉の含有量（体積％）は、樹脂組成物の不揮発成分１００体積％に対して、好ましくは２３体積％以上、より好ましくは２５体積％以上、さらに好ましくは２８体積％以上であり、好ましくは６０体積％以下、より好ましくは５０体積％以下、さらに好ましくは４０体積％以下である。ナノ結晶磁性粉の含有量が前記範囲にある場合、比透磁率、損失係数及び機械的強度を改善することができる。
【0110】
小径磁性粉は、通常、粒子の状態で樹脂組成物に含まれる。この小径磁性粉は、通常２μｍ以下の粒径を有する。小径磁性粉の粒径は、ナノ結晶磁性粉の粒径と同じ方法によって測定しうる。
【0111】
小径磁性粉の平均粒径Ｄ５０は、通常２μｍ以下、好ましくは１．５μｍ以下、より好ましくは１μｍ以下である。下限は、例えば、０．０１μｍ以上、０．１μｍ以上などでありうる。このような範囲の平均粒径Ｄ５０を有する小径磁性粉を用いることで、比透磁率、損失係数及び機械的強度を改善することができる。小径磁性原料粉の平均粒径Ｄ５０は、体積基準のメジアン径を表し、ナノ結晶磁性粉の平均粒径Ｄ５０と同じ方法によって測定できる。
【0112】
小径磁性粉の体積基準の粒径分布は、通常、正規分布に従う。よって、小径磁性粉は、当該小径磁性粉の平均粒径Ｄ５０より小さい１０％粒径Ｄ１０、及び、当該小径磁性粉の平均粒径Ｄ５０より大きい９０％粒径Ｄ９０を有しうる。小径磁性粉の１０％粒径Ｄ１０及び９０％粒径Ｄ９０は、ナノ結晶磁性粉の１０％粒径Ｄ１０及び９０％粒径Ｄ９０と同じ方法で測定できる。
【0113】
小径磁性粉の１０％粒径Ｄ１０は、好ましくは０．０１μｍ以上、より好ましくは０．０２μｍ以上、特に好ましくは０．０３μｍ以上である。上限は、平均粒径Ｄ５０以下であり、例えば、１μｍ以下、０．７μｍ以下、０．５μｍ以下などでありうる。小径磁性粉の１０％粒径Ｄ１０が前記範囲にある場合、比透磁率、損失係数及び機械的強度を改善することができる。
【0114】
小径磁性粉の９０％粒径Ｄ９０は、好ましくは５．５μｍ未満、より好ましくは４μｍ以下、特に好ましくは２μｍ以下である。下限は、平均粒径Ｄ５０以上であり、例えば、０．５μｍ以上、０．８μｍ以上、１μｍ以上などでありうる。小径磁性粉の９０％粒径Ｄ９０が前記範囲にある場合、比透磁率、損失係数及び機械的強度を改善することができる。
【0115】
小径磁性粉の１０％粒径Ｄ１０と９０％粒径Ｄ９０との差Ｄ９０－Ｄ１０は、好ましくは０．１μｍ以上、より好ましくは０．３μｍ以上、特に好ましくは０．５μｍ以上であり、好ましくは５μｍ以下、より好ましくは４μｍ以下、特に好ましくは３μｍ以下である。差Ｄ９０－Ｄ１０が前記範囲にある場合、比透磁率、損失係数及び機械的強度を改善することができる。
【0116】
小径磁性粉の１０％粒径Ｄ１０と９０％粒径Ｄ９０との比Ｄ９０／Ｄ１０は、好ましくは１．１以上、より好ましくは１．５以上、特に好ましくは２以上であり、好ましくは５０以下、より好ましくは４０以下、特に好ましくは３０以下である。比Ｄ９０／Ｄ１０が前記範囲にある場合、比透磁率、損失係数及び機械的強度を改善することができる。
【0117】
小径磁性粉は、結晶粒を含むナノ結晶磁性粉であってもよく、結晶粒を含まないアモルファス磁性粉であってもよく、ナノ結晶磁性粉以外の結晶磁性粉であってもよく、これらを組み合わせであってもよい。ナノ結晶磁性粉は上記したとおりである。他方、アモルファス磁性材料は、非晶質であるので、通常、Ｘ線回折パターンでは結晶性を示す特定のピークを示さない。一般には、アモルファス磁性粉のＸ線回折パターンには、結晶性を示すピークのないブロードなパターンが現れる。
【0118】
小径磁性粉は、１より大きい比透磁率を有する磁性材料の粒子でありうる。この磁性材料は、通常は無機材料であり、軟磁性材料であってもよく、硬磁性材料であってもよい。また、磁性材料は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。中でも、小径磁性粉の偏在化を抑制する観点から、小径磁性粉に含まれる磁性材料としては、軟磁性材料が好ましい。
【0119】
小径磁性粉が含む磁性材料としては、例えば、磁性金属酸化物材料、磁性金属材料が挙げられる。
【0120】
磁性金属酸化物材料としては、例えば、フェライト系の磁性材料；並びに、酸化鉄粉（ＩＩＩ）、四酸化三鉄粉などの酸化鉄材料；などが挙げられる。中でも、フェライト系の磁性材料が好ましい。フェライト系の磁性材料は、通常、酸化鉄を主成分とする複合酸化物であり、化学的に安定している。よって、フェライト系の磁性材料を用いる場合、耐食性が高く、発火の危険性が低く、減磁し難い等の利点が得られる。
【0121】
フェライト系の磁性材料としては、例えば、Ｆｅ－Ｍｎ系フェライト、Ｆｅ－Ｍｎ－Ｍｇ系フェライト、Ｆｅ－Ｍｎ－Ｍｇ－Ｓｒ系フェライト、Ｆｅ－Ｍｇ－Ｚｎ系フェライト、Ｆｅ－Ｍｇ－Ｓｒ系フェライト、Ｆｅ－Ｚｎ－Ｍｎ系フェライト、Ｆｅ－Ｃｕ－Ｚｎ系フェライト、Ｆｅ－Ｎｉ－Ｚｎ系フェライト、Ｆｅ－Ｎｉ－Ｚｎ－Ｃｕ系フェライト、Ｆｅ－Ｂａ－Ｚｎ系フェライト、Ｆｅ－Ｂａ－Ｍｇ系フェライト、Ｆｅ－Ｂａ－Ｎｉ系フェライト、Ｆｅ－Ｂａ－Ｃｏ系フェライト、Ｆｅ－Ｂａ－Ｎｉ－Ｃｏ系フェライト、Ｆｅ－Ｙ系フェライト等が挙げられる。
【0122】
フェライト系の磁性材料の中でも、本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、Ｍｎ、Ｚｎ、Ｎｉ及びＣｕからなる群より選ばれる少なくとも１種の元素を含むフェライトが好ましく、Ｍｎを含むフェライトが特に好ましい。よって、好ましいフェライト系の磁性材料としては、例えば、Ｆｅ－Ｍｎ系フェライト、Ｆｅ－Ｍｎ－Ｍｇ系フェライト、Ｆｅ－Ｍｎ－Ｍｇ－Ｓｒ系フェライト、Ｆｅ－Ｍｇ－Ｚｎ系フェライト、Ｆｅ－Ｚｎ－Ｍｎ系フェライト、Ｆｅ－Ｃｕ－Ｚｎ系フェライト、Ｆｅ－Ｎｉ－Ｚｎ系フェライト、Ｆｅ－Ｎｉ－Ｚｎ－Ｃｕ系フェライト、Ｆｅ－Ｂａ－Ｚｎ系フェライト、Ｆｅ－Ｂａ－Ｎｉ系フェライト、Ｆｅ－Ｂａ－Ｎｉ－Ｃｏ系フェライトが挙げられる。その中でも、Ｆｅ－Ｍｎ系フェライト、Ｆｅ－Ｍｎ－Ｍｇ系フェライト、Ｆｅ－Ｍｎ－Ｍｇ－Ｓｒ系フェライト、及びＦｅ－Ｚｎ－Ｍｎ系フェライトが好ましく、Ｆｅ－Ｍｎ系フェライトが特に好ましい。Ｆｅ－Ｍｎフェライトは、Ｆｅ及びＭｎを含有するフェライトを表す。
【0123】
磁性金属材料としては、例えば、純鉄；Ｆｅ－Ｓｉ系合金、Ｆｅ－Ｓｉ－Ａｌ系合金、Ｆｅ－Ｃｒ系合金、Ｆｅ－Ｃｒ－Ｓｉ系合金、Ｆｅ－Ｎｉ－Ｃｒ系合金、Ｆｅ－Ｃｒ－Ａｌ系合金、Ｆｅ－Ｎｉ系合金、Ｆｅ－Ｎｉ－Ｂ系合金、Ｆｅ－Ｎｉ－Ｍｏ系合金、Ｆｅ－Ｎｉ－Ｍｏ－Ｃｕ系合金、Ｆｅ－Ｃｏ系合金、Ｆｅ－Ｎｉ－Ｃｏ系合金、Ｃｏ基アモルファス合金等の、結晶質又は非晶質の合金磁性材料；などが挙げられる。磁性金属材料の中でも、鉄合金系磁性材料がより好ましい。本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、Ｆｅと、Ｓｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｎｉ、及びＣｏからなる群より選ばれる少なくとも１種類の元素とを含む鉄合金系磁性材料が好ましく、Ｆｅ－Ｓｉ－Ｃｒ系合金が特に好ましい。Ｆｅ－Ｓｉ－Ｃｒ系合金材料は、Ｆｅ、Ｓｉ及びＣｒを含有する合金を表す。
【0124】
小径磁性粉が含む磁性材料として、ナノ結晶磁性粉の磁性材料として説明した磁性材料を用いてもよい。小径磁性粉が含む磁性材料と、ナノ結晶磁性粉の磁性材料とは、同じでもよく、異なっていてもよい。
【0125】
小径磁性粉は、前記の磁性材料を含むことが好ましく、前記の磁性材料のみを含むことが好ましい。また、小径磁性粉は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。
【0126】
小径磁性粉としては、市販の磁性粉を用いてもよい。市販の磁性粉の具体例としては、パウダーテック社製「ＭＺ０３Ｓ」、「Ｍ０５Ｓ」、「Ｍ００１」「ＭＺ０５Ｓ」；山陽特殊製鋼社製「ＰＳＴ－Ｓ」；エプソンアトミックス社製「ＡＷ２－０８」、「ＡＷ２－０８ＰＦ２０Ｆ」、「ＡＷ２－０８ＰＦ１０Ｆ」、「ＡＷ２－０８ＰＦ３Ｆ」、「Ｆｅ－３．５Ｓｉ－４．５ＣｒＰＦ２０Ｆ」、「Ｆｅ－５０ＮｉＰＦ２０Ｆ」、「Ｆｅ－８０Ｎｉ－４ＭｏＰＦ２０Ｆ」、「ＡＴＦＩＮＥ－ＮＣ１ ＰＦ５ＦＡ」、「ＡＴＦＩＮＥ－ＮＣ１ ＰＦ３ＦＡ」；ＪＦＥケミカル社製「ＣＶＤ鉄粉（０．７μｍ）」、「ＬＤ－Ｍ」、「ＬＤ－ＭＨ」、「ＫＮＩ－１０６」、「ＫＮＩ－１０６ＧＳＭ」、「ＫＮＩ－１０６ＧＳ」、「ＫＮＩ－１０９」、「ＫＮＩ－１０９ＧＳＭ」、「ＫＮＩ－１０９ＧＳ」；戸田工業社製「ＫＮＳ－４１５」、「ＢＳＦ－５４７」、「ＢＳＦ－０２９」、「ＢＳＮ－１２５」、「ＢＳＮ－１２５」、「ＢＳＮ－７１４」、「ＢＳＮ－８２８」、「Ｓ－１２８１」、「Ｓ－１６４１」、「Ｓ－１６５１」、「Ｓ－１４７０」、「Ｓ－１５１１」、「Ｓ－２４３０」；日本重化学工業社製「ＪＲ０９Ｐ２」；ＣＩＫナノテック社製「Ｎａｎｏｔｅｋ」；キンセイマテック社製「ＪＥＭＫ－Ｓ」、「ＪＥＭＫ－Ｈ」：ＡＬＤＲＩＣＨ社製「Ｙｔｔｒｉｕｍ ｉｒｏｎ ｏｘｉｄｅ」；ＤＯＷＡエレクトロニクス社製「ＭＡ－ＲＣＯ－５」；等が挙げられる。小径磁性粉を市場から入手する場合、必要に応じて、市販の磁性粉を分級して用いてもよい。
【0127】
小径磁性粉は、球状であることが好ましい。小径磁性粉の粒子のアスペクト比の範囲は、ナノ結晶磁性粉のアスペクト比の範囲と同じでありうる。小径磁性粉のアスペクト比と、ナノ結晶磁性粉のアスペクト比とは、同じでもよく、異なっていてもよい。
【0128】
小径磁性粉の含有量（質量％）は、樹脂組成物の不揮発成分１００質量％に対して、好ましくは１質量％以上、更に好ましくは５質量％以上、特に好ましくは８質量％以上であり、好ましくは２０質量％以下、好ましくは１５質量％以下、更に好ましくは１０質量％以下である。小径磁性粉の含有量が前記範囲にある場合、比透磁率、損失係数及び機械的強度を改善することができる。
【0129】
小径磁性粉の含有量（体積％）は、樹脂組成物の不揮発成分１００体積％に対して、好ましくは５体積％以上、より好ましくは６体積％以上、さらに好ましくは７体積％以上であり、好ましくは３０体積％以下、より好ましくは２６体積％以下、さらに好ましくは２２体積％以下である。このような含有量の小径磁性粉を用いた場合、比透磁率、損失係数及び機械的強度を改善することができる。
【0130】
樹脂組成物の不揮発成分１００体積％に対して、ナノ結晶磁性粉の含有量（体積％）を「Ｖ（Ａ）」で表し、小径磁性粉の含有量（体積％）を「Ｖ（Ｂ）」で表す。この場合、樹脂組成物に含まれるナノ結晶磁性粉と小径磁性粉との体積比（ナノ結晶磁性粉／小径磁性粉）は、「Ｖ（Ａ）／Ｖ（Ｂ）」で表すことができる。この体積比Ｖ（Ａ）／Ｖ（Ｂ）は、通常０．８以上、好ましくは１以上、より好ましくは１．２以上、特に好ましくは１．４以上であり、通常１２以下、好ましくは８．４以下、より好ましくは７．０以下、更に好ましくは６．０以下、特に好ましくは５．０以下である。体積比Ｖ（Ａ）／Ｖ（Ｂ）が前記の範囲にある場合、比透磁率、損失係数及び機械的強度を改善することができる。
【0131】
また、樹脂組成物の不揮発成分１００体積％に対して、樹脂組成物に含まれるナノ結晶磁性粉と小径磁性粉との合計量（体積％）は、「Ｖ（Ａ）＋Ｖ（Ｂ）」で表すことができる。この合計量（体積％）Ｖ（Ａ）＋Ｖ（Ｂ）は、通常２８体積％以上、好ましくは３４体積％以上、更に好ましくは３８体積％以上、特に好ましくは４０体積％以上であり、好ましくは７２体積％以下、より好ましくは６８体積％以下、更に好ましくは６４体積％以下、特に好ましくは６０体積％以下である。ナノ結晶磁性粉と小径磁性粉との合計量（体積％）Ｖ（Ａ）＋Ｖ（Ｂ）が前記の範囲にある場合、比透磁率、損失係数及び機械的強度を改善することができる。
【0132】
樹脂組成物の不揮発成分１００質量％に対して、ナノ結晶磁性粉の含有量（質量％）を「Ｍ（Ａ）」で表し、小径磁性粉の含有量（質量％）を「Ｍ（Ｂ）」で表す。この場合、樹脂組成物に含まれるナノ結晶磁性粉と小径磁性粉との質量比（（Ａ）ナノ結晶磁性粉／（Ｂ）小径磁性粉）は、「Ｍ（Ａ）／Ｍ（Ｂ）」で表すことができる。この質量比Ｍ（Ａ）／Ｍ（Ｂ）は、好ましくは１以上、より好ましくは３以上、特に好ましくは５以上であり、好ましくは１５以下、より好ましくは１０以下、特に好ましくは９以下である。質量比Ｍ（Ａ）／Ｍ（Ｂ）が前記範囲にある場合、比透磁率、損失係数及び機械的強度を改善することができる。
【0133】
また、樹脂組成物の不揮発成分１００質量％に対して、樹脂組成物に含まれるナノ結晶磁性粉と小径磁性粉との合計量（質量％）は、「Ｍ（Ａ）＋Ｍ（Ｂ）」で表すことができる。この合計量（質量％）Ｍ（Ａ）＋Ｍ（Ｂ）は、好ましくは４０質量％以上、より好ましくは４５質量％以上、更に好ましくは５０質量％以上、特に好ましくは５３質量％以上であり、好ましくは９５質量％以下、より好ましくは９０質量％以下、特に好ましくは８８質量％以下である。合計量（質量％）Ｍ（Ａ）＋Ｍ（Ｂ）が前記範囲にある場合、比透磁率、損失係数及び機械的強度を改善することができる。
【0134】
（Ｄ）磁性粉体は、ナノ結晶磁性粉及び小径磁性粉とは異なる磁性粉をさらに含んでいてもよい。ナノ結晶磁性粉及び小径磁性粉とは異なる磁性粉を、「中間磁性粉」ということがある。
【0135】
中間磁性粉は、下記（Ｄ１）及び（Ｄ２）の磁性粉が包含される。
（Ｄ１）ナノ結晶磁性粉であって、且つ、２μｍより大きく５．５μｍ未満の粒径を有する磁性粉。
（Ｄ２）ナノ結晶磁性粉以外の磁性粉であって、且つ、２μｍより大きく２０μｍ以下の粒径を有する磁性粉。
（Ｄ１）ナノ結晶磁性粉であって、且つ、２μｍより大きく５．５μｍ未満の粒径を有する磁性粉。
（Ｄ２）ナノ結晶磁性粉以外の磁性粉であって、且つ、２μｍより大きく２０μｍ以下の粒径を有する磁性粉。
【0136】
中間磁性粉を樹脂組成物に含有させることで、樹脂組成物中の磁性粉体の割合を大きくできるので、樹脂組成物の硬化物の比透磁率を大きくできる。通常、中間磁性粉によれば硬化物の損失係数が増大しうるが、中間磁性粉が小さい粒径を有するので、その損失係数の増大の程度は抑制できる。よって、中間磁性粉によれば、通常、損失係数の増大を抑制しながら比透磁率を向上させることができる。
【0137】
中間磁性粉の平均粒径Ｄ５０は、具体的には、通常２μｍより大きく、好ましくは２．５μｍ以上、より好ましくは３μｍ以上であり、通常ナノ結晶磁性粉の平均粒径未満、好ましくは５．５μｍ未満、より好ましくは５μｍ以下である。このような範囲の平均粒径Ｄ５０を有する中間磁性粉を用いる場合、比透磁率、損失係数及び機械的強度を改善することができる。中間磁性粉の平均粒径Ｄ５０は、体積基準のメジアン径を表し、ナノ結晶磁性粉の平均粒径Ｄ５０と同じ方法によって測定できる。
【0138】
中間磁性粉の体積基準の粒径分布は、通常、正規分布に従う。よって、中間磁性粉は、当該中間磁性原料粉の平均粒径Ｄ５０より小さい１０％粒径Ｄ１０、及び、当該中間磁性粉の平均粒径Ｄ５０より大きい９０％粒径Ｄ９０を有しうる。中間磁性原料粉の１０％粒径Ｄ１０及び９０％粒径Ｄ９０は、ナノ結晶磁性粉の１０％粒径Ｄ１０及び９０％粒径Ｄ９０と同じ方法で測定できる。
【0139】
中間磁性粉の１０％粒径Ｄ１０は、好ましくは１μｍ以上、より好ましくは１．３μｍ以上、さらに好ましくは１．５μｍ以上である。上限は、平均粒径Ｄ５０以下であり、例えば、５μｍ以下、４μｍ以下、３μｍ以下等であり得る。中間磁性粉の１０％粒径Ｄ１０が前記範囲にある場合、比透磁率、損失係数及び機械的強度を改善することができる。
【0140】
中間磁性粉の９０％粒径Ｄ９０は、好ましくは１０μｍ未満、より好ましくは９μｍ以下、特に好ましくは８μｍ以下ある。下限は、平均粒径Ｄ５０以上であり、例えば、３μｍ以上、４μｍ以上、５μｍ以上等であり得る。中間磁性粉の９０％粒径Ｄ９０が前記範囲にある場合、比透磁率、損失係数及び機械的強度を改善することができる。
【0141】
中間磁性粉の１０％粒径Ｄ１０と９０％粒径Ｄ９０との差Ｄ９０－Ｄ１０は、好ましくは０．１μｍ以上、より好ましくは１μｍ以上、特に好ましくは２μｍ以上であり、好ましくは９μｍ以下、より好ましくは７μｍ以下、特に好ましくは５μｍ以下である。差Ｄ９０－Ｄ１０が前記範囲にある場合、比透磁率、損失係数及び機械的強度を改善することができる。
【0142】
中間磁性粉の１０％粒径Ｄ１０と９０％粒径Ｄ９０との比Ｄ９０／Ｄ１０は、好ましくは１．１以上、より好ましくは１．５以上、特に好ましくは２以上であり、好ましくは１０以下、より好ましくは８以下、特に好ましくは６以下である。比Ｄ９０／Ｄ１０が前記範囲にある場合、比透磁率、損失係数及び機械的強度を改善することができる。
【0143】
中間磁性粉は、結晶粒を含むナノ結晶磁性粉であってもよく、結晶粒を含まないアモルファス磁性粉であってもよく、ナノ結晶磁性粉以外の結晶磁性粉であってもよく、これらを組み合わせであってもよい。この中間磁性粉は、１より大きい比透磁率を有する磁性材料の粒子でありうる。中間磁性粉が含む磁性材料としては、小径磁性粉の磁性材料として説明した磁性材料を用いてもよい。中間磁性粉が含む磁性材料と、小径磁性粉の磁性材料とは、同じでもよく、異なっていてもよい。中間磁性粉は、前記の磁性材料を含むことが好ましく、前記の磁性材料のみを含むことが好ましい。また、中間磁性粉は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。
【0144】
中間磁性粉としては、市販の磁性粉を用いてもよい。市販の磁性粉の具体例としては、小径磁性粉と同様の例が挙げられる。中間磁性粉を市場から入手する場合、必要に応じて、市販の磁性粉を分級して用いてもよい。
【0145】
中間磁性粉は、球状であることが好ましい。中間磁性粉の粒子のアスペクト比の範囲は、ナノ結晶磁性粉のアスペクト比の範囲と同じでありうる。中間磁性粉のアスペクト比と、ナノ結晶磁性粉のアスペクト比とは、同じでもよく、異なっていてもよい。また、中間磁性粉のアスペクト比と、小径磁性粉のアスペクト比とは、同じでもよく、異なっていてもよい。
【0146】
中間磁性粉の含有量（体積％）は、樹脂組成物の不揮発成分１００体積％に対して、０体積％であってもよく、０体積％より大きくてもよく、好ましくは１体積％以上、より好ましくは３体積％以上、特に好ましくは５体積％以上であり、好ましくは２５体積％以下、より好ましくは１５体積％以下、特に好ましくは１３体積％以下である。中間磁性粉の含有量が前記範囲にある場合、比透磁率、損失係数及び機械的強度を改善することができる。
【0147】
中間磁性粉の含有量（質量％）は、樹脂組成物の不揮発成分１００質量％に対して、０質量％であってもよく、０質量％より大きくてもよく、好ましくは１質量％以上、更に好ましくは５質量％以上、特に好ましくは８質量％以上であり、好ましくは２０質量％以下、好ましくは１５質量％以下、更に好ましくは１０質量％以下である。中間磁性粉の含有量が前記範囲にある場合、比透磁率、損失係数及び機械的強度を改善することができる。
【0148】
樹脂組成物の不揮発成分１００体積％に対して、中間磁性粉の量（体積％）を「Ｖ（Ｃ）」で表す。この場合、樹脂組成物に含まれるナノ結晶磁性粉と中間磁性粉との体積比（中間磁性粉／ナノ結晶磁性粉）は、「Ｖ（Ｃ）／Ｖ（Ａ）」で表すことができる。この体積比Ｖ（Ｃ）／Ｖ（Ａ）は、０でもよく、０より大きくてもよく、好ましくは０．０１以上、より好ましくは０．１以上であり、好ましくは１．０以下、より好ましくは０．９以下、特に好ましくは０．８以下である。体積比Ｖ（Ｃ）／Ｖ（Ａ）が前記範囲にある場合、比透磁率、損失係数及び機械的強度を改善することができる。
【0149】
また、樹脂組成物に含まれる小径磁性粉と中間磁性粉との体積比（中間磁性粉／小径磁性粉）は、「Ｖ（Ｃ）／Ｖ（Ｂ）」で表すことができる。この体積比Ｖ（Ｃ）／Ｖ（Ｂ）は、０でもよく、０より大きくてもよく、好ましくは０．０１以上、より好ましくは０．１以上であり、好ましくは８以下、より好ましくは５以下、特に好ましくは２以下である。体積比Ｖ（Ｃ）／Ｖ（Ｂ）が前記範囲にある場合、比透磁率、損失係数及び機械的強度を改善することができる。
【0150】
ナノ結晶磁性粉、小径磁性粉、及び中間磁性粉の合計量（体積％）は、樹脂組成物の不揮発成分１００体積％に対して、好ましくは７０体積％以上、好ましくは７５体積％以上、特に好ましくは８０体積％以上であり、好ましくは９５体積％以下、より好ましくは９０体積％以下、特に好ましくは８５体積％以下である。ナノ結晶磁性粉、小径磁性粉、及び中間磁性粉の合計量（体積％）が前記範囲にある場合、比透磁率、損失係数及び機械的強度を改善することができる。
【0151】
ナノ結晶磁性粉、小径磁性粉、及び中間磁性粉の合計量（体積％）は、樹脂組成物中の全ての磁性粉体の合計量１００体積％に対して、好ましくは５０体積％以上、より好ましくは６０体積％以上、特に好ましくは７０体積％以上であり、通常１００体積％以下である。この数値が大きいことは、樹脂組成物中の粒径が２０μｍより大きい巨大磁性粉体が少ないことを表す。ナノ結晶磁性粉、小径磁性粉、及び中間磁性粉の合計量（体積％）が前記範囲にある場合、比透磁率、損失係数及び機械的強度を改善することができる。
【0152】
樹脂組成物の不揮発成分１００質量％に対して、中間磁性粉の含有量（質量％）を「Ｍ（Ｃ）」で表す。この場合、樹脂組成物に含まれるナノ結晶磁性粉と中間磁性粉との質量比（中間磁性粉／ナノ結晶磁性粉）は、「Ｍ（Ｃ）／Ｍ（Ａ）」で表すことができる。この質量比Ｍ（Ｃ）／Ｍ（Ａ）は、０でもよく、０より大きくてもよく、好ましくは１以上、より好ましくは３以上、特に好ましくは５以上であり、好ましくは１５以下、より好ましくは１０以下、特に好ましくは９以下である。質量比Ｍ（Ｃ）／Ｍ（Ａ）が前記範囲にある場合、比透磁率、損失係数及び機械的強度を改善することができる。
【0153】
また、樹脂組成物に含まれる小径磁性粉と中間磁性粉との質量比（中間磁性粉／小径磁性粉）は、「Ｍ（Ｃ）／Ｍ（Ｂ）」で表すことができる。この質量比Ｍ（Ｃ）／Ｍ（Ｂ）は、０でもよく、０より大きくてもよく、好ましくは０．０１以上、より好ましくは０．１以上、さらに好ましくは０．５以上であり、好ましくは８以下、より好ましくは５以下、特に好ましくは１．５以下である。質量比Ｍ（Ｃ）／Ｍ（Ｂ）が前記範囲にある場合、比透磁率、損失係数及び機械的強度を改善することができる。
【0154】
ナノ結晶磁性粉、小径磁性粉、及び中間磁性粉の合計量（質量％）は、樹脂組成物の不揮発成分１００質量％に対して、好ましくは４０質量％以上、好ましくは５０質量％以上、特に好ましくは６０質量％以上であり、好ましくは９９質量％以下、より好ましくは９８質量％以下である。ナノ結晶磁性粉、小径磁性粉、及び中間磁性粉の合計量（質量％）が前記範囲にある場合、比透磁率、損失係数及び機械的強度を改善することができる。
【0155】
ナノ結晶磁性粉、小径磁性粉、及び中間磁性粉の合計量（質量％）は、樹脂組成物中の全ての磁性粉体の合計量１００質量％に対して、好ましくは５０質量％以上、より好ましくは６０質量％以上、特に好ましくは７０質量％以上であり、通常１００質量％以下である。この数値が大きいことは、樹脂組成物中の粒径が２０μｍより大きい巨大磁性粉体が少ないことを表す。ナノ結晶磁性粉、小径磁性粉、及び中間磁性粉の合計量（質量％）が前記範囲にある場合、比透磁率、損失係数及び機械的強度を改善することができる。
【0156】
樹脂組成物の不揮発成分１００質量％に対して、（Ｄ）磁性粉体の含有量をＤｍとし、（Ｃ）成分の含有量をＣｍとする。Ｄｍ／Ｃｍは、好ましくは１００以上、より好ましくは１３０以上、さらに好ましくは１５０以上であり、好ましくは８００以下、より好ましくは６００以下、さらに好ましくは５５０以下である。
【0157】
（Ｄ）磁性粉体の含有量（体積％）は、樹脂組成物の不揮発成分１００体積％に対して、好ましくは７０体積％以上、好ましくは７５体積％以上、特に好ましくは８０体積％以上であり、好ましくは９５体積％以下、より好ましくは９０体積％以下、特に好ましくは８５体積％以下である。（Ｄ）磁性粉体の含有量が前記範囲にある場合、比透磁率、損失係数及び機械的強度を改善することができる。
【0158】
（Ｄ）磁性粉体の含有量（質量％）は、樹脂組成物の不揮発成分１００質量％に対して、好ましくは４０質量％以上、好ましくは５０質量％以上、特に好ましくは６０質量％以上であり、好ましくは９９質量％以下、より好ましくは９８質量％以下である。（Ｄ）磁性粉体の含有量が前記範囲にある場合、比透磁率、損失係数及び機械的強度を改善することができる。
【0159】
＜（Ｅ）溶剤＞
樹脂組成物は、上述した（Ａ）～（Ｄ）成分といった不揮発成分に組み合わせて、更に、揮発性成分として（Ｅ）溶剤を含んでいてもよい。
樹脂組成物は、上述した（Ａ）～（Ｄ）成分といった不揮発成分に組み合わせて、更に、揮発性成分として（Ｅ）溶剤を含んでいてもよい。
【0160】
（Ｅ）溶剤としては、通常、有機溶剤を用いる。有機溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶剤；酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸イソアミル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、γ-ブチロラクトン等のエステル系溶剤；テトラヒドロピラン、テトラヒドロフラン、１，４－ジオキサン、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、ジフェニルエーテル等のエーテル系溶剤；メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、エチレングリコール等のアルコール系溶剤；酢酸２－エトキシエチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセタート、エチルジグリコールアセテート、γ－ブチロラクトン、メトキシプロピオン酸メチル等のエーテルエステル系溶剤；乳酸メチル、乳酸エチル、２－ヒドロキシイソ酪酸メチル等のエステルアルコール系溶剤；２－メトキシプロパノール、２－メトキシエタノール、２－エトキシエタノール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル（ブチルカルビトール）等のエーテルアルコール系溶剤；Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチル－２－ピロリドン等のアミド系溶剤；ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶剤；アセトニトリル、プロピオニトリル等のニトリル系溶剤；ヘキサン、シクロペンタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶剤；ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、トリメチルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶剤等を挙げることができる。中でも、（Ｅ）溶剤としては、脂肪族炭化水素系溶剤、ケトン系溶剤が好ましい。（Ｅ）溶剤は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。
【0161】
（Ｅ）溶剤の量は、樹脂シートにおける支持体との間の剥離性を向上させ、樹脂組成物層のタック性を低下させる観点から、樹脂組成物の全質量に対して、好ましくは０．５質量％以上、より好ましくは１質量％以上、さらに好ましくは１．５質量％以上である。上限は、樹脂シートの製造において、樹脂ワニスの粘度を下げて塗工しやすくする観点から、好ましくは１５質量％以下、より好ましくは１０質量％以下、さらに好ましくは８質量％以下である。
【0162】
＜（Ｆ）硬化剤＞
樹脂組成物は、（Ａ）～（Ｄ）成分に組み合わせて、（Ｆ）成分として、（Ｆ）硬化剤を含んでいてもよい。この（Ｆ）成分としての（Ｆ）硬化剤には、上述した（Ａ）～（Ｅ）成分に該当するものは含めない。（Ｆ）硬化剤には、（Ｂ）エポキシ樹脂を硬化する機能を有するエポキシ樹脂硬化剤と、（Ｂ）エポキシ樹脂の硬化速度を促進させる機能を有する硬化促進剤とがある。硬化促進剤は、通常、エポキシ樹脂硬化剤と併用して用いる。樹脂組成物は、（Ｆ）硬化剤として、エポキシ樹脂硬化剤を含むことが好ましい。
樹脂組成物は、（Ａ）～（Ｄ）成分に組み合わせて、（Ｆ）成分として、（Ｆ）硬化剤を含んでいてもよい。この（Ｆ）成分としての（Ｆ）硬化剤には、上述した（Ａ）～（Ｅ）成分に該当するものは含めない。（Ｆ）硬化剤には、（Ｂ）エポキシ樹脂を硬化する機能を有するエポキシ樹脂硬化剤と、（Ｂ）エポキシ樹脂の硬化速度を促進させる機能を有する硬化促進剤とがある。硬化促進剤は、通常、エポキシ樹脂硬化剤と併用して用いる。樹脂組成物は、（Ｆ）硬化剤として、エポキシ樹脂硬化剤を含むことが好ましい。
【0163】
（エポキシ樹脂硬化剤）
エポキシ樹脂硬化剤は、通常、（Ｂ）エポキシ樹脂と反応して樹脂組成物を硬化させ得る。エポキシ樹脂硬化剤としては、例えば、フェノール系エポキシ樹脂硬化剤、ナフトール系エポキシ樹脂硬化剤、活性エステル系エポキシ樹脂硬化剤、酸無水物系エポキシ樹脂硬化剤、ベンゾオキサジン系エポキシ樹脂硬化剤、シアネートエステル系エポキシ樹脂硬化剤、及びイミダゾール系エポキシ樹脂硬化剤が挙げられる。エポキシ樹脂硬化剤としては、フェノール系エポキシ樹脂硬化剤、及びナフトール系エポキシ樹脂硬化剤から選択される１種以上が好ましく、フェノール系エポキシ樹脂硬化剤がより好ましい。エポキシ樹脂硬化剤は１種単独で用いてもよく、又は２種以上を併用してもよい。
エポキシ樹脂硬化剤は、通常、（Ｂ）エポキシ樹脂と反応して樹脂組成物を硬化させ得る。エポキシ樹脂硬化剤としては、例えば、フェノール系エポキシ樹脂硬化剤、ナフトール系エポキシ樹脂硬化剤、活性エステル系エポキシ樹脂硬化剤、酸無水物系エポキシ樹脂硬化剤、ベンゾオキサジン系エポキシ樹脂硬化剤、シアネートエステル系エポキシ樹脂硬化剤、及びイミダゾール系エポキシ樹脂硬化剤が挙げられる。エポキシ樹脂硬化剤としては、フェノール系エポキシ樹脂硬化剤、及びナフトール系エポキシ樹脂硬化剤から選択される１種以上が好ましく、フェノール系エポキシ樹脂硬化剤がより好ましい。エポキシ樹脂硬化剤は１種単独で用いてもよく、又は２種以上を併用してもよい。
【0164】
フェノール系エポキシ樹脂硬化剤及びナフトール系エポキシ樹脂硬化剤としては、耐熱性及び耐水性の観点から、ノボラック構造を有するフェノール系エポキシ樹脂硬化剤、又はノボラック構造を有するナフトール系エポキシ樹脂硬化剤が好ましい。フェノール系エポキシ樹脂硬化剤としては、含窒素フェノール系エポキシ樹脂硬化剤が好ましく、トリアジン骨格含有フェノール系エポキシ樹脂硬化剤がより好ましく、トリアジン骨格含有フェノールノボラックエポキシ樹脂硬化剤がさらに好ましい。
【0165】
フェノール系エポキシ樹脂硬化剤及びナフトール系エポキシ樹脂硬化剤の具体例としては、明和化成社製の「ＭＥＨ－７７００」、「ＭＥＨ－７８１０」、「ＭＥＨ－７８５１」、日本化薬社製の「ＮＨＮ」、「ＣＢＮ」、「ＧＰＨ」、新日鉄住金化学社製の「ＳＮ１７０」、「ＳＮ１８０」、「ＳＮ１９０」、「ＳＮ４７５」、「ＳＮ４８５」、「ＳＮ４９５Ｖ」、「ＳＮ３７５」、「ＳＮ３９５」、ＤＩＣ社製の「ＴＤ－２０９０」、「ＬＡ－７０５２」、「ＬＡ－７０５４」、「ＬＡ－１３５６」、「ＬＡ－３０１８－５０Ｐ」、「ＥＸＢ－９５００」、「ＨＰＣ－９５００」、「ＫＡ－１１６０」、「ＫＡ－１１６３」、「ＫＡ－１１６５」、群栄化学社製の「ＧＤＰ－６１１５Ｌ」、「ＧＤＰ－６１１５Ｈ」等が挙げられる。
【0166】
活性エステル系エポキシ樹脂硬化剤としては、特に制限はないが、一般にフェノールエステル類、チオフェノールエステル類、Ｎ－ヒドロキシアミンエステル類、複素環ヒドロキシ化合物のエステル類等の反応活性の高いエステル基を１分子中に２個以上有する化合物が好ましく用いられる。当該活性エステル系エポキシ樹脂硬化剤は、カルボン酸化合物及び／又はチオカルボン酸化合物とヒドロキシ化合物及び／又はチオール化合物との縮合反応によって得られるものが好ましい。特に耐熱性向上の観点から、カルボン酸化合物とヒドロキシ化合物とから得られる活性エステル系エポキシ樹脂硬化剤が好ましく、カルボン酸化合物とフェノール化合物及び／又はナフトール化合物とから得られる活性エステル系エポキシ樹脂硬化剤がより好ましい。カルボン酸化合物としては、例えば安息香酸、酢酸、コハク酸、マレイン酸、イタコン酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ピロメリット酸等が挙げられる。フェノール化合物又はナフトール化合物としては、例えば、ハイドロキノン、レゾルシン、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ、フェノールフタリン、メチル化ビスフェノールＡ、メチル化ビスフェノールＦ、メチル化ビスフェノールＳ、フェノール、ｏ－クレゾール、ｍ－クレゾール、ｐ－クレゾール、カテコール、α－ナフトール、β－ナフトール、１，５－ジヒドロキシナフタレン、１，６－ジヒドロキシナフタレン、２，６－ジヒドロキシナフタレン、ジヒドロキシベンゾフェノン、トリヒドロキシベンゾフェノン、テトラヒドロキシベンゾフェノン、フロログルシン、ベンゼントリオール、ジシクロペンタジエン型ジフェノール化合物、フェノールノボラック等が挙げられる。ここで、「ジシクロペンタジエン型ジフェノール化合物」とは、ジシクロペンタジエン１分子にフェノール２分子が縮合して得られるジフェノール化合物をいう。
【0167】
具体的には、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル系エポキシ樹脂硬化剤、ナフタレン構造を含む活性エステル系エポキシ樹脂硬化剤、フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル系エポキシ樹脂硬化剤、フェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル系エポキシ樹脂硬化剤が好ましい。「ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造」とは、フェニレン－ジシクロペンチレン－フェニレンからなる２価の構造を表す。
【0168】
活性エステル系エポキシ樹脂硬化剤の市販品としては、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル系エポキシ樹脂硬化剤として、ＤＩＣ社製の「ＥＸＢ９４５１」、「ＥＸＢ９４６０」、「ＥＸＢ９４６０Ｓ」、「ＨＰＣ－８０００－６５Ｔ」、「ＨＰＣ－８０００Ｈ－６５ＴＭ」、「ＥＸＢ－８０００Ｌ－６５ＴＭ」；ナフタレン構造を含む活性エステル化合物としてＤＩＣ社製の「ＥＸＢ９４１６－７０ＢＫ」；フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル系エポキシ樹脂硬化剤として三菱ケミカル社製の「ＤＣ８０８」；フェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル系エポキシ樹脂硬化剤として三菱ケミカル社製の「ＹＬＨ１０２６」、「ＹＬＨ１０３０」、「ＹＬＨ１０４８」；フェノールノボラックのアセチル化物である活性エステル系エポキシ樹脂硬化剤として三菱ケミカル社製の「ＤＣ８０８」、等が挙げられる。
【0169】
酸無水物系エポキシ樹脂硬化剤としては、１分子内中に１個以上の酸無水物基を有するエポキシ樹脂硬化剤が挙げられる。酸無水物系エポキシ樹脂硬化剤の具体例としては、無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルナジック酸無水物、水素化メチルナジック酸無水物、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸、ドデセニル無水コハク酸、５－（２，５－ジオキソテトラヒドロ－３－フラニル）－３－メチル－３－シクロヘキセン－１，２－ジカルボン酸無水物、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、オキシジフタル酸二無水物、３，３’－４，４’－ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、１，３，３ａ，４，５，９ｂ－ヘキサヒドロ－５－（テトラヒドロ－２，５－ジオキソ－３－フラニル）－ナフト［１，２－Ｃ］フラン－１，３－ジオン、エチレングリコールビス（アンヒドロトリメリテート）、スチレンとマレイン酸とが共重合したスチレン・マレイン酸樹脂などのポリマー型の酸無水物などが挙げられる。
【0170】
酸無水物系エポキシ樹脂硬化剤の市販品としては、新日本理化社製の「ＨＮＡ－１００」、「ＭＨ－７００」等が挙げられる。
【0171】
ベンゾオキサジン系エポキシ樹脂硬化剤の具体例としては、昭和高分子社製の「ＨＦＢ２００６Ｍ」、四国化成工業社製の「Ｐ－ｄ」、「Ｆ－ａ」が挙げられる。
【0172】
シアネートエステル系エポキシ樹脂硬化剤としては、例えば、ビスフェノールＡジシアネート、ポリフェノールシアネート、オリゴ（３－メチレン－１，５－フェニレンシアネート）、４，４’－メチレンビス（２，６－ジメチルフェニルシアネート）、４，４’－エチリデンジフェニルジシアネート、ヘキサフルオロビスフェノールＡジシアネート、２，２－ビス（４－シアネート）フェニルプロパン、１，１－ビス（４－シアネートフェニルメタン）、ビス（４－シアネート－３，５－ジメチルフェニル）メタン、１，３－ビス（４－シアネートフェニル－１－（メチルエチリデン））ベンゼン、ビス（４－シアネートフェニル）チオエーテル、及びビス（４－シアネートフェニル）エーテル等の２官能シアネート樹脂、フェノールノボラック及びクレゾールノボラック等から誘導される多官能シアネート樹脂、これらシアネート樹脂が一部トリアジン化したプレポリマーなどが挙げられる。シアネートエステル系エポキシ樹脂硬化剤の具体例としては、ロンザジャパン社製の「ＰＴ３０」及び「ＰＴ６０」（いずれもフェノールノボラック型多官能シアネートエステル樹脂）、「ＢＡ２３０」、「ＢＡ２３０Ｓ７５」（ビスフェノールＡジシアネートの一部又は全部がトリアジン化され三量体となったプレポリマー）等が挙げられる。
【0173】
イミダゾール系エポキシ樹脂硬化剤としては、例えば、２－メチルイミダゾール、２－ウンデシルイミダゾール、２－ヘプタデシルイミダゾール、１，２－ジメチルイミダゾール、２－エチル－４－メチルイミダゾール、１，２－ジメチルイミダゾール、２－エチル－４－メチルイミダゾール、２－フェニルイミダゾール、２－フェニル－４－メチルイミダゾール、１－ベンジル－２－メチルイミダゾール、１－ベンジル－２－フェニルイミダゾール、１－シアノエチル－２－メチルイミダゾール、１－シアノエチル－２－ウンデシルイミダゾール、１－シアノエチル－２－エチル－４－メチルイミダゾール、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾール、１－シアノエチル－２－ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２，４－ジアミノ－６－［２’－メチルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジン、２，４－ジアミノ－６－［２’－ウンデシルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジン、２，４－ジアミノ－６－［２’－エチル－４’－メチルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジン、２，４－ジアミノ－６－［２’－メチルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジンイソシアヌル酸付加物、２－フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、２－フェニル－４，５－ジヒドロキシメチルイミダゾール、２－フェニル－４－メチル－５－ヒドロキシメチルイミダゾール、２，３－ジヒドロ－１Ｈ－ピロロ［１，２－ａ］ベンズイミダゾール、１－ドデシル－２－メチル－３－ベンジルイミダゾリウムクロライド、２－メチルイミダゾリン、２－フェニルイミダゾリン等のイミダゾール化合物及びイミダゾール化合物とエポキシ樹脂とのアダクト体が挙げられ、２－エチル－４－メチルイミダゾール、１－ベンジル－２－フェニルイミダゾールが好ましい。
【0174】
イミダゾール系エポキシ樹脂硬化剤としては、市販品を用いてもよく、例えば、四国化成工業社製の「２ＭＺＡ－ＰＷ」、「２ＰＨＺ－ＰＷ」、三菱ケミカル社製の「Ｐ２００－Ｈ５０」等が挙げられる。
【0175】
エポキシ樹脂とエポキシ樹脂硬化剤との量比は、［エポキシ樹脂のエポキシ基の合計数］：［エポキシ樹脂硬化剤の反応基の合計数］の比率で、１：０．２～１：２の範囲であることが好ましく、１：０．３～１：１．５の範囲であることがより好ましく、１：０．４～１：１の範囲であることがさらに好ましい。ここで、エポキシ樹脂硬化剤の反応基とは、活性水酸基、活性エステル基等であり、エポキシ樹脂硬化剤の種類によって異なる。また、エポキシ樹脂のエポキシ基の合計数とは、各エポキシ樹脂の不揮発成分の質量をエポキシ当量で除した値をすべてのエポキシ樹脂について合計した値であり、エポキシ樹脂硬化剤の反応基の合計数とは、各エポキシ樹脂硬化剤の不揮発成分の質量を反応基当量で除した値をすべてのエポキシ樹脂硬化剤について合計した値である。エポキシ樹脂とエポキシ樹脂硬化剤との量比をかかる範囲内とすることにより、硬化物としたときの耐熱性がより向上する。
【0176】
エポキシ樹脂硬化剤の含有量は、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、好ましくは０．１質量％以上、より好ましくは０．５質量％以上、さらに好ましくは０．８質量％以上であり、上限は、好ましくは８質量％以下、より好ましくは３質量％以下、さらに好ましくは２質量％以下である。
【0177】
（硬化促進剤）
硬化促進剤は、通常、（Ｂ）エポキシ樹脂の硬化反応に触媒として作用して、硬化反応を促進しうる。硬化促進剤としては、例えば、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、リン系硬化促進剤、グアニジン系硬化促進剤、金属系硬化促進剤等が挙げられる。硬化促進剤は、樹脂組成物の粘度を低下させる観点から、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、及びグアニジン系硬化促進剤が好ましく、さらに得られる硬化物の機械的強度を向上させる観点からイミダゾール系硬化促進剤がより好ましい。硬化促進剤は１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。硬化促進剤は一般的にエポキシ樹脂硬化剤と併用して用いられる。
硬化促進剤は、通常、（Ｂ）エポキシ樹脂の硬化反応に触媒として作用して、硬化反応を促進しうる。硬化促進剤としては、例えば、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、リン系硬化促進剤、グアニジン系硬化促進剤、金属系硬化促進剤等が挙げられる。硬化促進剤は、樹脂組成物の粘度を低下させる観点から、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、及びグアニジン系硬化促進剤が好ましく、さらに得られる硬化物の機械的強度を向上させる観点からイミダゾール系硬化促進剤がより好ましい。硬化促進剤は１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。硬化促進剤は一般的にエポキシ樹脂硬化剤と併用して用いられる。
【0178】
アミン系硬化促進剤としては、例えば、トリエチルアミン、トリブチルアミン等のトリアルキルアミン、４－ジメチルアミノピリジン、ベンジルジメチルアミン、２，４，６，－トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール、１，８－ジアザビシクロ（５，４，０）－ウンデセン等が挙げられ、４－ジメチルアミノピリジン、１，８－ジアザビシクロ（５，４，０）－ウンデセンが好ましい。
【0179】
アミン系硬化促進剤としては、市販品を用いてもよく、例えば、味の素ファインテクノ社製の「ＰＮ－５０」、「ＰＮ－２３」、「ＭＹ－２５」等が挙げられる。
【0180】
イミダゾール系硬化促進剤としては、前記のイミダゾール系エポキシ樹脂硬化剤と同様である。前記イミダゾール系エポキシ樹脂硬化剤は、他のエポキシ樹脂硬化剤と併用して用いる場合、硬化促進剤として機能する場合がある。
【0181】
リン系硬化促進剤としては、例えば、トリフェニルホスフィン、ホスホニウムボレート化合物、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、ｎ－ブチルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラブチルホスホニウムデカン酸塩、（４－メチルフェニル）トリフェニルホスホニウムチオシアネート、テトラフェニルホスホニウムチオシアネート、ブチルトリフェニルホスホニウムチオシアネート等が挙げられ、トリフェニルホスフィン、テトラブチルホスホニウムデカン酸塩が好ましい。
【0182】
リン系硬化促進剤としては、市販品を用いてもよく、例えば、北興化学工業社製の「ＴＢＰ－ＤＡ」等が挙げられる。
【0183】
グアニジン系硬化促進剤としては、例えば、ジシアンジアミド、１－メチルグアニジン、１－エチルグアニジン、１－シクロヘキシルグアニジン、１－フェニルグアニジン、１－（ｏ－トリル）グアニジン、ジメチルグアニジン、ジフェニルグアニジン、トリメチルグアニジン、テトラメチルグアニジン、ペンタメチルグアニジン、１，５，７－トリアザビシクロ［４．４．０］デカ－５－エン、７－メチル－１，５，７－トリアザビシクロ［４．４．０］デカ－５－エン、１－メチルビグアニド、１－エチルビグアニド、１－ｎ－ブチルビグアニド、１－ｎ－オクタデシルビグアニド、１，１－ジメチルビグアニド、１，１－ジエチルビグアニド、１－シクロヘキシルビグアニド、１－アリルビグアニド、１－フェニルビグアニド、１－（ｏ－トリル）ビグアニド等が挙げられ、ジシアンジアミド、１，５，７－トリアザビシクロ［４．４．０］デカ－５－エンが好ましい。
【0184】
金属系硬化促進剤としては、例えば、コバルト、銅、亜鉛、鉄、ニッケル、マンガン、スズ等の金属の、有機金属錯体又は有機金属塩が挙げられる。有機金属錯体の具体例としては、コバルト（ＩＩ）アセチルアセトナート、コバルト（ＩＩＩ）アセチルアセトナート等の有機コバルト錯体、銅（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機銅錯体、亜鉛（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機亜鉛錯体、鉄（ＩＩＩ）アセチルアセトナート等の有機鉄錯体、ニッケル（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機ニッケル錯体、マンガン（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機マンガン錯体等が挙げられる。有機金属塩としては、例えば、オクチル酸亜鉛、オクチル酸錫、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、ステアリン酸スズ、ステアリン酸亜鉛等が挙げられる。
【0185】
硬化促進剤の含有量は、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、好ましくは０．００１質量％以上、より好ましくは０．００５質量％以上、さらに好ましくは０．０１質量％以上であり、上限は、好ましくは２質量％以下、より好ましくは０．１質量％以下、さらに好ましくは０．０５質量％以下である。
【0186】
（Ｆ）硬化剤の含有量は、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、好ましくは０．１質量％以上、より好ましくは０．５質量％以上、さらに好ましくは０．８質量％以上であり、上限は、好ましくは８質量％以下、より好ましくは４質量％以下、さらに好ましくは３質量％以下である。
【0187】
＜（Ｇ）その他の添加剤＞
樹脂組成物は、任意の不揮発成分として、（Ｇ）その他の添加剤を含んでいてもよい。（Ｇ）その他の添加剤としては、例えば、ラジカル重合性化合物；重合開始剤；有機銅化合物、有機亜鉛化合物、有機コバルト化合物等の有機金属化合物；フタロシアニンブルー、フタロシアニングリーン、アイオディングリーン、ジアゾイエロー、クリスタルバイオレット、酸化チタン、カーボンブラック等の着色剤；ハイドロキノン、カテコール、ピロガロール、フェノチアジン等の重合禁止剤；シリコーン系レベリング剤、アクリルポリマー系レベリング剤等のレベリング剤；ベントン、モンモリロナイト等の増粘剤；シリコーン系消泡剤、アクリル系消泡剤、フッ素系消泡剤、ビニル樹脂系消泡剤等の消泡剤；ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤等の紫外線吸収剤；尿素シラン等の接着性向上剤；トリアゾール系密着性付与剤、テトラゾール系密着性付与剤、トリアジン系密着性付与剤等の密着性付与剤；ヒンダードフェノール系酸化防止剤等の酸化防止剤；スチルベン誘導体等の蛍光増白剤；フッ素系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤等の界面活性剤；リン系難燃剤（例えばリン酸エステル化合物、ホスファゼン化合物、ホスフィン酸化合物、赤リン）、窒素系難燃剤（例えば硫酸メラミン）、ハロゲン系難燃剤、無機系難燃剤（例えば三酸化アンチモン）等の難燃剤；リン酸エステル系分散剤、ポリオキシアルキレン系分散剤、アセチレン系分散剤、シリコーン系分散剤、アニオン性分散剤、カチオン性分散剤等の任意の分散剤（（Ｃ）成分に該当するものは除く）；ボレート系安定剤、チタネート系安定剤、アルミネート系安定剤、ジルコネート系安定剤、イソシアネート系安定剤、カルボン酸系安定剤、カルボン酸無水物系安定剤等の安定剤；第三級アミン類等の光重合開始助剤；ピラリゾン類、アントラセン類、クマリン類、キサントン類、チオキサントン類等の光増感剤；が挙げられる。（Ｇ）その他の添加剤は、１種類を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
樹脂組成物は、任意の不揮発成分として、（Ｇ）その他の添加剤を含んでいてもよい。（Ｇ）その他の添加剤としては、例えば、ラジカル重合性化合物；重合開始剤；有機銅化合物、有機亜鉛化合物、有機コバルト化合物等の有機金属化合物；フタロシアニンブルー、フタロシアニングリーン、アイオディングリーン、ジアゾイエロー、クリスタルバイオレット、酸化チタン、カーボンブラック等の着色剤；ハイドロキノン、カテコール、ピロガロール、フェノチアジン等の重合禁止剤；シリコーン系レベリング剤、アクリルポリマー系レベリング剤等のレベリング剤；ベントン、モンモリロナイト等の増粘剤；シリコーン系消泡剤、アクリル系消泡剤、フッ素系消泡剤、ビニル樹脂系消泡剤等の消泡剤；ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤等の紫外線吸収剤；尿素シラン等の接着性向上剤；トリアゾール系密着性付与剤、テトラゾール系密着性付与剤、トリアジン系密着性付与剤等の密着性付与剤；ヒンダードフェノール系酸化防止剤等の酸化防止剤；スチルベン誘導体等の蛍光増白剤；フッ素系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤等の界面活性剤；リン系難燃剤（例えばリン酸エステル化合物、ホスファゼン化合物、ホスフィン酸化合物、赤リン）、窒素系難燃剤（例えば硫酸メラミン）、ハロゲン系難燃剤、無機系難燃剤（例えば三酸化アンチモン）等の難燃剤；リン酸エステル系分散剤、ポリオキシアルキレン系分散剤、アセチレン系分散剤、シリコーン系分散剤、アニオン性分散剤、カチオン性分散剤等の任意の分散剤（（Ｃ）成分に該当するものは除く）；ボレート系安定剤、チタネート系安定剤、アルミネート系安定剤、ジルコネート系安定剤、イソシアネート系安定剤、カルボン酸系安定剤、カルボン酸無水物系安定剤等の安定剤；第三級アミン類等の光重合開始助剤；ピラリゾン類、アントラセン類、クマリン類、キサントン類、チオキサントン類等の光増感剤；が挙げられる。（Ｇ）その他の添加剤は、１種類を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【0188】
＜樹脂組成物の物性等＞
樹脂組成物を、１９０℃で９０分間加熱することにより得られた硬化物は、機械的強度に優れるという特性を示す。よって、前記硬化物は、引張強度に優れる磁性層をもたらす。引張強度としては、好ましくは７０ＭＰａ以上、より好ましくは７１ＭＰａ以上、さらに好ましくは７２ＭＰａ以上である。上限は特に限定されないが、１５０ＭＰａ以下等とし得る。機械的強度（引張強度）は、後述する実施例に記載の方法で測定できる。
樹脂組成物を、１９０℃で９０分間加熱することにより得られた硬化物は、機械的強度に優れるという特性を示す。よって、前記硬化物は、引張強度に優れる磁性層をもたらす。引張強度としては、好ましくは７０ＭＰａ以上、より好ましくは７１ＭＰａ以上、さらに好ましくは７２ＭＰａ以上である。上限は特に限定されないが、１５０ＭＰａ以下等とし得る。機械的強度（引張強度）は、後述する実施例に記載の方法で測定できる。
【0189】
樹脂組成物を、１９０℃で９０分間加熱することにより得られた硬化物は、機械的強度に優れるという特性を示す。よって、前記硬化物は、破断伸び率に優れる磁性層をもたらす。破断伸び率としては、好ましくは０．５％以上、より好ましくは０．５５％以上、さらに好ましくは０．６％以上である。上限は特に限定されないが、１０％以下等とし得る。機械的強度（破断伸び率）は、後述する実施例に記載の方法で測定できる。
【0190】
樹脂組成物を、１９０℃で９０分間加熱することにより得られた硬化物は、機械的強度に優れるという特性を示す。よって、前記硬化物は、ヤング率に優れる磁性層をもたらす。ヤング率としては、好ましくは１０ＧＰａ以上、より好ましくは１１ＧＰａ以上、さらに好ましくは１２ＧＰａ以上である。上限は特に限定されないが、５０ＧＰａ以下等とし得る。機械的強度（ヤング率）は、後述する実施例に記載の方法で測定できる。
【0191】
樹脂組成物を、１９０℃で９０分間加熱することにより得られた硬化物は、周波数１０ＭＨｚにおける比透磁率が高いという特性を示す。よって、前記硬化物は、比透磁率が高い磁性層をもたらす。この硬化物の周波数１０ＭＨｚにおける比透磁率は、好ましくは４０以上、より好ましくは４３以上、さらに好ましくは４５以上である。また、上限は特に限定されないが１００以下等とし得る。比透磁率は、後述する実施例に記載の方法で測定できる。
【0192】
樹脂組成物を、１９０℃で９０分間加熱することにより得られた硬化物は、通常、周波数１０ＭＨｚにおける損失係数が低いという特性を示す。よって、前記硬化物は、損失係数が低い磁性層をもたらす。この硬化物の周波数１０ＭＨｚにおける損失係数は、好ましくは０．３以下、より好ましくは０．３以下、さらに好ましくは０．２以下である。下限は特に限定されないが０．００１以上等とし得る。損失係数は、後述する実施例に記載の方法で測定できる。
【0193】
樹脂組成物は、上述した利点を活用する観点から、回路基板の磁性層形成用として用いることが好ましい。また、樹脂組成物は、上述した利点を活用する観点から、コア基材のスルーホール充填用として用いることも好ましい。
【0194】
［樹脂シート］
樹脂シートは、支持体と、該支持体上に設けられた、本発明の樹脂組成物で形成された樹脂組成物層とを含む。
樹脂シートは、支持体と、該支持体上に設けられた、本発明の樹脂組成物で形成された樹脂組成物層とを含む。
【0195】
樹脂組成物層の厚さは、薄型化の観点から、好ましくは５μｍ以上、より好ましくは１０μｍ以上、特に好ましくは５０μｍ以上であり、好ましくは６００μｍ以下、より好ましくは３００μｍ以下、特に好ましくは２００μｍ以下である。
【0196】
支持体としては、例えば、プラスチック材料からなるフィルム、金属箔、離型紙が挙げられ、プラスチック材料からなるフィルム、金属箔が好ましい。
【0197】
支持体としてプラスチック材料からなるフィルムを使用する場合、プラスチック材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（以下「ＰＥＴ」と略称することがある。）、ポリエチレンナフタレート（以下「ＰＥＮ」と略称することがある。）等のポリエステル、ポリカーボネート（以下「ＰＣ」と略称することがある。）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）等のアクリルポリマー、環状ポリオレフィン、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、ポリエーテルサルファイド（ＰＥＳ）、ポリエーテルケトン、ポリイミド等が挙げられる。中でも、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートが好ましく、安価なポリエチレンテレフタレートが特に好ましい。
【0198】
支持体として金属箔を使用する場合、金属箔としては、例えば、銅箔、アルミニウム箔等が挙げられ、銅箔が好ましい。銅箔としては、銅の単金属からなる箔を用いてもよく、銅と他の金属（例えば、スズ、クロム、銀、マグネシウム、ニッケル、ジルコニウム、ケイ素、チタン等）との合金からなる箔を用いてもよい。
【0199】
支持体は、樹脂組成物層と接合する面にマット処理、コロナ処理を施してあってもよい。
【0200】
また、支持体としては、樹脂組成物層と接合する面に離型層を有する離型層付き支持体を使用してもよい。離型層付き支持体の離型層に使用する離型剤としては、例えば、アルキド樹脂、ポリオレフィン樹脂、ウレタン樹脂、及びシリコーン樹脂からなる群から選択される１種以上の離型剤が挙げられる。離型層付き支持体は、市販品を用いてもよく、例えば、アルキド樹脂系離型剤を主成分とする離型層を有するＰＥＴフィルムである、リンテック社製の「ＰＥＴ５０１０１０」、「ＳＫ－１」、「ＡＬ－５」、「ＡＬ－７」；東レ社製の「ルミラーＴ６０」；帝人社製の「ピューレックス」；ユニチカ社製の「ユニピール」等が挙げられる。
【0201】
支持体の厚みとしては、特に限定されないが、５μｍ～７５μｍの範囲が好ましく、１０μｍ～６０μｍの範囲がより好ましい。なお、離型層付き支持体を使用する場合、離型層付き支持体全体の厚さが上記範囲であることが好ましい。
【0202】
樹脂シートは、例えば、樹脂組成物を、ダイコーター等を用いて支持体上に塗布し、樹脂組成物層を形成させることにより製造することができる。必要に応じて溶剤に溶解した樹脂ワニスを調製し、この樹脂ワニスを支持体上に塗布してもよい。溶剤を用いる場合、必要に応じて塗布後に乾燥を行ってもよい。
【0203】
乾燥は、加熱、熱風吹きつけ等の方法により実施してよい。乾燥条件は特に限定されないが、樹脂組成物層中の有機溶剤の含有量が１０質量％以下、好ましくは５質量％以下となるように乾燥させる。樹脂組成物中に含まれる成分によっても異なるが、５０℃～１５０℃で３分間～１０分間乾燥させることにより、樹脂組成物層を形成することができる。
【0204】
樹脂シートにおいて、樹脂組成物層の支持体と接合していない面（即ち、支持体とは反対側の面）には、支持体に準じた保護フィルムをさらに積層することができる。保護フィルムの厚さは、特に限定されるものではないが、例えば、１μｍ～４０μｍである。保護フィルムを積層することにより、樹脂組成物層の表面へのゴミ等の付着やキズを抑制することができる。樹脂シートは、ロール状に巻きとって保存することが可能である。樹脂シートが保護フィルムを有する場合、保護フィルムを剥がすことによって使用可能となる。
【0205】
［回路基板及びその製造方法］
本発明の一実施形態に係る回路基板は、磁性層を含む。この磁性層は、上述した樹脂組成物、又は樹脂シートの樹脂組成物層の硬化物を含み、好ましくは上述した樹脂組成物の硬化物のみを含む。回路基板の具体的な構造は、上述した樹脂組成物の硬化物を含む磁性層を備える限り制限は無い。第１実施形態の回路基板は、スルーホールを形成された基材としてのコア基材と、このスルーホールに充填された磁性層とを備える回路基板である。また、第２実施形態の回路基板は、樹脂シートの樹脂組成物層の硬化物により形成された磁性層を含む回路基板である。これら回路基板において、磁性層は、樹脂組成物層を硬化した層でありえ、樹脂組成物を硬化した層であってもよい。以下、回路基板の製造方法の第１実施形態及び第２実施形態について説明する。但し、本発明に係る回路基板の製造方法は、以下に例示する第１及び第２実施形態に限定されない。
本発明の一実施形態に係る回路基板は、磁性層を含む。この磁性層は、上述した樹脂組成物、又は樹脂シートの樹脂組成物層の硬化物を含み、好ましくは上述した樹脂組成物の硬化物のみを含む。回路基板の具体的な構造は、上述した樹脂組成物の硬化物を含む磁性層を備える限り制限は無い。第１実施形態の回路基板は、スルーホールを形成された基材としてのコア基材と、このスルーホールに充填された磁性層とを備える回路基板である。また、第２実施形態の回路基板は、樹脂シートの樹脂組成物層の硬化物により形成された磁性層を含む回路基板である。これら回路基板において、磁性層は、樹脂組成物層を硬化した層でありえ、樹脂組成物を硬化した層であってもよい。以下、回路基板の製造方法の第１実施形態及び第２実施形態について説明する。但し、本発明に係る回路基板の製造方法は、以下に例示する第１及び第２実施形態に限定されない。
【0206】
＜第１実施形態＞
第１実施形態の回路基板は、スルーホールを形成されたコア基材と、このスルーホールに充填された磁性層と、を備える。この回路基板は、例えば、
（１）スルーホールを形成されたコア基材と、樹脂シートとを、樹脂組成物層がスルーホールに充填されるように、積層する工程と、
（２）樹脂組成物層を硬化させて、磁性層を形成する工程と、
をこの順に含む。
第１実施形態の回路基板は、スルーホールを形成されたコア基材と、このスルーホールに充填された磁性層と、を備える。この回路基板は、例えば、
（１）スルーホールを形成されたコア基材と、樹脂シートとを、樹脂組成物層がスルーホールに充填されるように、積層する工程と、
（２）樹脂組成物層を硬化させて、磁性層を形成する工程と、
をこの順に含む。
【0207】
また、第１実施形態の回路基板の製造方法は、前記の工程（１）～（２）に組み合わせて任意の工程を含んでいてもよい。例えば、回路基板の製造方法は、
（３）磁性層を研磨する工程、
（４）磁性層に粗化処理を施す工程、及び、
（５）磁性層上に導体層を形成する工程、
を含んでいてもよい。通常は、工程（３）、工程（４）及び工程（５）はこの順に行われる。
（３）磁性層を研磨する工程、
（４）磁性層に粗化処理を施す工程、及び、
（５）磁性層上に導体層を形成する工程、
を含んでいてもよい。通常は、工程（３）、工程（４）及び工程（５）はこの順に行われる。
【0208】
＜工程（１）＞
工程（１）は、通常、スルーホールが形成されたコア基材を用意する工程を含む。コア基材は、市場から購入して用意してもよい。また、コア基材は、適切な材料を用いて製造して用意してもよい。以下、一例に係るコア基材の製造方法を説明する。
工程（１）は、通常、スルーホールが形成されたコア基材を用意する工程を含む。コア基材は、市場から購入して用意してもよい。また、コア基材は、適切な材料を用いて製造して用意してもよい。以下、一例に係るコア基材の製造方法を説明する。
【0209】
図１は、本発明の第１実施形態係る回路基板の製造方法において、スルーホールを形成される前のコア基材１０を模式的に示す断面図である。コア基材１０を用意する工程は、図１に示す例のように、磁性層が充填されるべきスルーホールが形成されていないコア基材１０を用意することを含んでいてもよい。このコア基材１０は、スルーホールを形成される前の基材であり、板状の部材でありうる。
【0210】
コア基材１０は、通常、支持基板１１を含む。支持基板１１としては、例えば、ガラスエポキシ基板、金属基板、ポリエステル基板、ポリイミド基板、ＢＴレジン基板、熱硬化型ポリフェニレンエーテル基板等の絶縁性基材が挙げられる。また、該支持基板１１上には、金属層が設けられていてもよい。金属層は、支持基板１１の片面に設けられていてもよく、両面に設けられていてもよい。ここでは、支持基板１１の両表面に金属層１２及び１３が設けられた例を示す。金属層１２及び１３としては、例えば、銅等の金属によって形成された層が挙げられる。金属層１２及び１３は、例えば、キャリア付銅箔等の銅箔であってもよく、後述する導体層の材料で形成された金属層であってもよい。
【0211】
図２は、本発明の第１実施形態に係る回路基板の製造方法において、スルーホール１４を形成されたコア基材１０を模式的に示す断面図である。コア基材１０を用意する工程は、図２に示す例のように、コア基材１０にスルーホール１４を形成することを含んでいてもよい。スルーホール１４は、例えば、ドリル加工、レーザー照射、プラズマ照射等の方法により形成することができる。通常は、コア基材１０に貫通穴を形成することにより、スルーホール１４を形成することができる。具体例を挙げると、スルーホール１４の形成は、市販されているドリル装置を用いて実施することができる。市販されているドリル装置としては、例えば、日立ビアメカニクス社製「ＮＤ－１Ｓ２１１」等が挙げられる。
【0212】
図３は、本発明の第１実施形態に係る回路基板の製造方法において、スルーホール１４内にめっき層２０を形成されたコア基材１０を模式的に示す断面図である。コア基材１０を用意する工程は、必要に応じてコア基材１０に粗化処理を施した後、図３に示すようにめっき層２０を形成することを含んでいてもよい。前記の粗化処理としては、乾式及び湿式のいずれの粗化処理を行ってもよい。乾式の粗化処理の例としては、プラズマ処理等が挙げられる。また、湿式の粗化処理の例としては、膨潤液による膨潤処理、酸化剤による粗化処理、及び、中和液による中和処理をこの順に行う方法が挙げられる。めっき層２０は、めっき法により形成されうる。めっき法によりめっき層２０が形成される手順は、後述する工程（５）における導体層の形成と同じでありうる。ここでは、スルーホール１４内、金属層１２の表面、及び、金属層１３の表面にめっき層２０を形成した例を示す。また、本例では、めっき層２０を備えるコア基材を、めっき層２０を形成される前のコア基材１０と同じ符号「１０」を付して説明する。
【0213】
図４は、本発明の第１実施形態に係る回路基板の製造方法において、コア基材１０と樹脂シート３０とを積層する様子を模式的に示す断面図である。工程（１）は、スルーホール１４を形成されたコア基材１０を用意した後で、図４に示すように、コア基材１０と樹脂シート３０とを積層することを含む。本実施形態では、樹脂組成物層３１及び支持体３２を備える樹脂シート３０を、コア基材１０の片方の面１０Ｕに積層する例を示して説明する。以下の説明では、コア基材１０の面のうち、樹脂シート３０と接合される面１０Ｕを「第一面１０Ｕ」と呼び、その反対側の面を「第二面１０Ｄ」と呼ぶことがある。
【0214】
コア基材１０と樹脂シート３０との積層は、樹脂組成物層３１の一部又は全部がスルーホール１４に充填されるように行われる。よって、積層は、通常、樹脂組成物層３１とコア基材１０とが接合するように行われる。具体的には、前記の積層は、樹脂シート３０をコア基材１０に加熱圧着することにより、コア基材１０に樹脂組成物層３１を貼り合わせることで、行うことができる。図４に示す例のように樹脂シート３０が支持体３２を備える場合、前記の積層は、支持体３２側から樹脂シート３０をコア基材１０に押圧することで行いうる。加熱圧着に用いる部材（以下、「加熱圧着部材」ということがある。図示せず。）としては、例えば、加熱された金属板（ＳＵＳ鏡板等）又は金属ロール（ＳＵＳロール等）等が挙げられる。加熱圧着部材を樹脂シート３０に直接プレスしてもよいが、コア基材１０の表面凹凸に樹脂シート３０が十分に追随するよう、耐熱ゴム等の弾性材を介してプレスすることが好ましい。
【0215】
コア基材１０と樹脂シート３０との積層は、例えば、真空ラミネート法により実施してよい。積層条件は、例えば、下記の通りでありうる。加熱圧着温度は、好ましくは６０℃～１６０℃、より好ましくは８０℃～１４０℃の範囲である。加熱圧着圧力は、好ましくは０．０９８ＭＰａ～１．７７ＭＰａ、より好ましくは０．２９ＭＰａ～１．４７ＭＰａの範囲である。加熱圧着時間は、好ましくは２０秒間～４００秒間、より好ましくは３０秒間～３００秒間の範囲である。積層は、好ましくは圧力１３ｈＰａ以下の減圧条件下で実施する。
【0216】
積層の後に、常圧下（大気圧下）、例えば、加熱圧着部材を支持体３２側からプレスすることにより、積層された樹脂シート３０の平滑化処理を行ってもよい。平滑化処理のプレス条件は、上記積層の加熱圧着条件と同様の条件でありうる。なお、積層と平滑化処理は、真空ラミネーターを用いて連続的に行ってもよい。
【0217】
図５は、本発明の第１実施形態に係る回路基板の製造方法において、コア基材１０と樹脂シート３０とを積層した様子を模式的に示す断面図である。コア基材１０と樹脂シート３０との積層により、図５に示すように、樹脂シート３０の樹脂組成物層３１がスルーホール１４に進入するので、スルーホール１４は樹脂組成物層３１によって充填される。ここでは、樹脂組成物層３１の一部がスルーホール１４に進入し、別の一部はスルーホール１４に進入しないでコア基材１０の第一面１０Ｕに付着する例を示して説明する。よって、コア基材１０の第一面１０Ｕには、樹脂組成物層３１が形成されうる。さらに、スルーホール１４に進入した樹脂組成物層３１の更に別の一部はスルーホール１４を通り抜けて、コア基材１０の第二面１０Ｄ側の開口から吐出されうる。よって、コア基材１０の第二面１０Ｄに、樹脂組成物層３１が形成されることがありうる。
【0218】
通常、支持体３２は、コア基材１０と樹脂シート３０との積層の後に剥離される。本実施形態では、コア基材１０と樹脂シート３０との積層後、工程（２）の前に支持体３２を剥離する例を示して説明する。ただし、支持体３２の剥離は、工程（２）より後に行ってもよい。
【0219】
＜工程（２）＞
図６は、本発明の第１実施形態に係る回路基板の製造方法の工程（２）を説明するための模式的な断面図である。工程（２）は、コア基材１０と樹脂シート３０とを積層した後で、図６に示すように、樹脂組成物層３１を硬化させることを含む。樹脂組成物層３１を硬化させることによって、その樹脂組成物の硬化物を含む磁性層４０を形成できる。磁性層４０は、スルーホール１４内に形成され、更に通常はコア基材１０の第一面１０Ｕ及び第二面１０Ｄにも形成されうる。
図６は、本発明の第１実施形態に係る回路基板の製造方法の工程（２）を説明するための模式的な断面図である。工程（２）は、コア基材１０と樹脂シート３０とを積層した後で、図６に示すように、樹脂組成物層３１を硬化させることを含む。樹脂組成物層３１を硬化させることによって、その樹脂組成物の硬化物を含む磁性層４０を形成できる。磁性層４０は、スルーホール１４内に形成され、更に通常はコア基材１０の第一面１０Ｕ及び第二面１０Ｄにも形成されうる。
【0220】
樹脂組成物層３１の硬化は、通常、熱硬化によって行う。樹脂組成物層３１の熱硬化条件は、樹脂組成物層３１の硬化が進行する範囲で、適切に設定しうる。硬化温度は、好ましくは６０℃以上、より好ましくは７０℃以上、さらに好ましくは８０℃以上であり、好ましくは２４５℃以下、より好ましくは２２０℃以下、さらに好ましくは２００℃以下である。硬化時間は、好ましくは５分以上、より好ましくは１０分以上、さらに好ましくは１５分以上であり、好ましくは１２０分以下、より好ましくは１１０分以下、さらに好ましくは１００分以下である。
【0221】
工程（２）で得られる磁性層４０の硬化度は、好ましくは８０％以上、より好ましくは８５％以上、さらに好ましくは９０％以上である。硬化度は、例えば示差走査熱量測定装置を用いて測定できる。
【0222】
回路基板の製造方法は、コア基材１０と樹脂シート３０とを積層した後、樹脂組成物層３１を硬化させる前に、樹脂組成物層３１を硬化温度よりも低い温度で加熱する工程（予備加熱工程）を含んでいてもよい。例えば、樹脂組成物層３１を硬化させるのに先立ち、通常５０℃以上１２０℃未満（好ましくは６０℃以上１１０℃以下、より好ましくは７０℃以上１００℃以下）の温度にて、樹脂組成物層３１を、通常５分間以上（好ましくは５分間～１５０分間、より好ましくは１５分間～１２０分間）、予備加熱してもよい。
【0223】
＜工程（３）＞
図７は、本発明の第１実施形態に係る回路基板の製造方法の工程（３）を説明するための模式的な断面図である。工程（３）は、磁性層４０を研磨することを含んでいてもよい。詳細には、工程（３）は、スルーホール１４の外にある部分の磁性層４０を研磨することを含んでいてもよい。本実施形態に示す例では、コア基材１０の第一面１０Ｕ及び第二面１０Ｄに磁性層４０が形成されているので、それら第一面１０Ｕ及び第二面１０Ｄにある部分の磁性層４０を研磨しうる。スルーホール１４の外にある部分の磁性層４０は、一般的には最終製品には不要な余剰部分である。前記の研磨により、図７に示すように、その余剰部分を除去できる。また、研磨により、磁性層４０の表面としての研磨面４０Ｕ及び４０Ｄを平坦化することができる。
図７は、本発明の第１実施形態に係る回路基板の製造方法の工程（３）を説明するための模式的な断面図である。工程（３）は、磁性層４０を研磨することを含んでいてもよい。詳細には、工程（３）は、スルーホール１４の外にある部分の磁性層４０を研磨することを含んでいてもよい。本実施形態に示す例では、コア基材１０の第一面１０Ｕ及び第二面１０Ｄに磁性層４０が形成されているので、それら第一面１０Ｕ及び第二面１０Ｄにある部分の磁性層４０を研磨しうる。スルーホール１４の外にある部分の磁性層４０は、一般的には最終製品には不要な余剰部分である。前記の研磨により、図７に示すように、その余剰部分を除去できる。また、研磨により、磁性層４０の表面としての研磨面４０Ｕ及び４０Ｄを平坦化することができる。
【0224】
研磨方法としては、磁性層４０の不要部分を除去できる方法を採用しうる。このような研磨方法としては、例えば、バフ研磨、ベルト研磨、セラミック研磨等が挙げられる。市販されているバフ研磨装置としては、例えば、石井表記社製「ＮＴ－７００ＩＭ」等が挙げられる。
【0225】
磁性層４０の研磨面４０Ｕ及び４０Ｄの算術平均粗さ（Ｒａ）としては、導体層（図７では図示せず。）との間の密着性を向上させる観点から、好ましくは３００ｎｍ以上、より好ましくは３５０ｎｍ以上、さらに好ましくは４００ｎｍ以上である。上限は、好ましくは１０００ｎｍ以下、より好ましくは９００ｎｍ以下、さらに好ましくは８００ｎｍ以下である。表面粗さ（Ｒａ）は、例えば、非接触型表面粗さ計を用いて測定することができる。
【0226】
工程（２）後工程（３）前に、磁性層４０の硬化度を更に高めるために、磁性層４０に熱処理を施してもよい。前記熱処理における温度は、上記した硬化温度に準じうる。具体的な熱処理温度は、好ましくは１２０℃以上、より好ましくは１３０℃以上、さらに好ましくは１５０℃以上であり、好ましくは２４５℃以下、より好ましくは２２０℃以下、さらに好ましくは２００℃以下である。熱処理時間は、好ましくは５分以上、より好ましくは１０分以上、さらに好ましくは１５分以上であり、好ましくは１５０分以下、より好ましくは１２０分以下、さらに好ましくは１００分以下である。
【0227】
上述した工程（１）～（２）を行い、更に必要に応じて工程（３）を行うことにより、コア基材１０及び当該コア基材１０のスルーホール１４を充填する磁性層４０を備える回路基板１００を得ることができる。こうして得られた回路基板１００には、必要に応じて、工程（４）及び工程（５）を行って導体層を形成していてもよい。
【0228】
＜工程（４）＞
工程（４）は、磁性層に粗化処理を施すことを含む。通常は、磁性層の研磨面に疎化処理が施される。また、工程（４）では、磁性層の研磨面だけでなく、コア基材１０の表面１０Ｕ及び１０Ｄにも粗化処理が施されてもよい。
工程（４）は、磁性層に粗化処理を施すことを含む。通常は、磁性層の研磨面に疎化処理が施される。また、工程（４）では、磁性層の研磨面だけでなく、コア基材１０の表面１０Ｕ及び１０Ｄにも粗化処理が施されてもよい。
【0229】
粗化処理の手順及び条件は、特に限定されず、例えば、多層プリント配線板の製造方法に際して使用される手順及び条件を採用してもよい。具体例を挙げると、膨潤液による膨潤処理、酸化剤による粗化処理、中和液による中和処理をこの順に含む方法によって、疎化処理を行ってもよい。
【0230】
膨潤処理に用いられる膨潤液としては、例えば、アルカリ溶液、界面活性剤溶液等が挙げられ、好ましくはアルカリ溶液である。膨潤液であるアルカリ溶液としては、水酸化ナトリウム溶液、水酸化カリウム溶液がより好ましい。市販されている膨潤液としては、例えば、アトテックジャパン社製「スウェリング・ディップ・セキュリガンスＰ」、「スウェリング・ディップ・セキュリガンスＳＢＵ」等が挙げられる。
【0231】
膨潤液による膨潤処理は、例えば、３０℃～９０℃の膨潤液に磁性層を１分間～２０分間浸漬することにより行うことができる。磁性層に含まれる樹脂の膨潤を適度なレベルに抑える観点から、４０℃～８０℃の膨潤液に磁性層を５分間～１５分間浸漬させることが好ましい。
【0232】
粗化処理に用いられる酸化剤としては、例えば、水酸化ナトリウムの水溶液に過マンガン酸カリウム又は過マンガン酸ナトリウムを溶解したアルカリ性過マンガン酸溶液が挙げられる。アルカリ性過マンガン酸溶液等の酸化剤による粗化処理は、６０℃～８０℃に加熱した酸化剤の溶液に磁性層を１０分間～３０分間浸漬させることにより行うことが好ましい。また、アルカリ性過マンガン酸溶液における過マンガン酸塩の濃度は、５質量％～１０質量％とすることが好ましい。市販されている酸化剤としては、例えば、アトテックジャパン社製「コンセントレート・コンパクトＰ」、「ドージングソリューション・セキュリガンスＰ」等のアルカリ性過マンガン酸溶液が挙げられる。
【0233】
中和処理に用いられ得る中和液としては、酸性の水溶液が好ましい。中和液の市販品としては、例えば、アトテックジャパン社製「リダクションソリューション・セキュリガンスＰ」が挙げられる。中和液による中和処理は、酸化剤溶液による粗化処理がなされた処理面を３０℃～８０℃の中和液に５分間～３０分間浸漬させることにより行うことができる。作業性等の点から、酸化剤溶液による粗化処理がなされた磁性層を、４０℃～７０℃の中和液に５分間～２０分間浸漬する方法が好ましい。
【0234】
磁性層の表面の粗化処理後の算術平均粗さ（Ｒａ）は、導体層との間の密着性を向上させる観点から、好ましくは３００ｎｍ以上、より好ましくは３５０ｎｍ以上、さらに好ましくは４００ｎｍ以上である。上限は、好ましくは１５００ｎｍ以下、より好ましくは１２００ｎｍ以下、さらに好ましくは１０００ｎｍ以下である。表面粗さ（Ｒａ）は、例えば、非接触型表面粗さ計を用いて測定することができる。
【0235】
＜工程（５）＞
図８は、本発明の第１実施形態に係る回路基板１００の製造方法の工程（５）を説明するための模式的な断面図である。工程（５）は、図８に示すように、磁性層４０の研磨面４０Ｕ及び４０Ｄ上に導体層５０を形成することを含む。本実施形態では、磁性層４０の研磨面４０Ｕ及び４０Ｄだけでなく、その周囲の面（例えば、コア基材１０の第一面１０Ｕ及び第二面１０Ｄ）にも導体層５０を形成した例を示す。また、図８では、コア基材１０の両側に導体層５０を形成した例を示すが、導体層５０は、コア基材１０の片側のみに形成してもよい。
図８は、本発明の第１実施形態に係る回路基板１００の製造方法の工程（５）を説明するための模式的な断面図である。工程（５）は、図８に示すように、磁性層４０の研磨面４０Ｕ及び４０Ｄ上に導体層５０を形成することを含む。本実施形態では、磁性層４０の研磨面４０Ｕ及び４０Ｄだけでなく、その周囲の面（例えば、コア基材１０の第一面１０Ｕ及び第二面１０Ｄ）にも導体層５０を形成した例を示す。また、図８では、コア基材１０の両側に導体層５０を形成した例を示すが、導体層５０は、コア基材１０の片側のみに形成してもよい。
【0236】
図９は、本発明の第１実施形態の係る回路基板１００の製造方法の工程（５）を説明するための模式的な断面図である。図９に示すように、工程（５）は、導体層５０を形成した後、エッチング等の処理により、導体層５０、金属層１２及び１３、並びにめっき層２０の一部を除去して、パターン導体層５１を形成することを含んでいてもよい。
【0237】
導体層５０の形成方法は、例えば、めっき法、スパッタ法、蒸着法などが挙げられ、中でもめっき法が好ましい。好適な実施形態では、セミアディティブ法、フルアディティブ法等の適切な方法によって磁性層４０（及び、必要に応じてコア基板１０）の表面にめっきして、所望の配線パターンを有するパターン導体層５１を形成しうる。導体層５０の材料としては、例えば、金、白金、パラジウム、銀、銅、アルミニウム、コバルト、クロム、亜鉛、ニッケル、チタン、タングステン、鉄、スズ、インジウム等の単金属；金、白金、パラジウム、銀、銅、アルミニウム、コバルト、クロム、亜鉛、ニッケル、チタン、タングステン、鉄、スズ及びインジウムの群から選択される２種以上の金属の合金が挙げられる。中でも、汎用性、コスト、パターニングの容易性等の観点から、クロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、亜鉛、金、パラジウム、銀若しくは銅、又はニッケルクロム合金、銅ニッケル合金、銅チタン合金を用いることが好ましく、クロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、亜鉛、金、パラジウム、銀若しくは銅、又はニッケルクロム合金を用いることがより好ましく、銅を用いることがさらに好ましい。
【0238】
ここで、パターン導体層５１を形成する方法の例を、詳細に説明する。磁性層４０の研磨面４０Ｕ及び４０Ｄに、無電解めっきにより、めっきシード層を形成する。次いで、形成されためっきシード層上に、必要に応じてマスクパターンを形成した後、電解めっきにより電解めっき層を形成する。その後、必要に応じて、マスクパターンを除去し、更に不要なめっきシード層をエッチング等の処理により除去して、所望の配線パターンを有するパターン導体層５１を形成できる。パターン導体層５１の形成後、パターン導体層５１の密着強度を向上させるために、必要によりアニール処理を行ってもよい。アニール処理は、例えば、１５０℃～２００℃で２０分～９０分間加熱することにより行うことができる。
【0239】
パターン導体層５１の厚さは、好ましくは１μｍ以上、より好ましくは３μｍ以上、更に好ましくは５μｍ以上であり、好ましくは７０μｍ以下、より好ましくは５０μｍ以下、更に好ましくは４０μｍ以下、特に好ましくは１０μｍ以下である。
【0240】
以上の方法により、磁性層４０を備える回路基板１００が得られる。磁性層４０は、樹脂組成物層３１を硬化して得られるので、樹脂組成物の硬化物を含む。よって、磁性層４０は、磁性粉体（図示せず）を多く含むことができるので、優れた磁性特性を有することができる。
【0241】
＜第２実施形態＞
第２実施形態の回路基板は、樹脂シートの樹脂組成物層の硬化物により形成された磁性層を含む。この回路基板は、例えば、
（Ａ）樹脂シートを、樹脂組成物層が内層基板と接合するように内層基板に積層し、磁性層を形成する工程、
を含む。
第２実施形態の回路基板は、樹脂シートの樹脂組成物層の硬化物により形成された磁性層を含む。この回路基板は、例えば、
（Ａ）樹脂シートを、樹脂組成物層が内層基板と接合するように内層基板に積層し、磁性層を形成する工程、
を含む。
【0242】
また、第２実施形態の回路基板の製造方法は、工程（Ａ）に加えて、任意の工程を含んでいてもよい。例えば、回路基板の製造方法は、
（Ｂ）磁性層に穴あけ加工を行う工程、
（Ｃ）磁性層に粗化処理を施す工程、及び
（Ｄ）磁性層上に導体層を形成する工程、
を含んでいてもよい。この製造方法は、工程（Ａ）～（Ｄ）をこの順で含むことが好ましい。
（Ｂ）磁性層に穴あけ加工を行う工程、
（Ｃ）磁性層に粗化処理を施す工程、及び
（Ｄ）磁性層上に導体層を形成する工程、
を含んでいてもよい。この製造方法は、工程（Ａ）～（Ｄ）をこの順で含むことが好ましい。
【0243】
＜工程（Ａ）＞
工程（Ａ）は、樹脂シートを、樹脂組成物層が内層基板と接合するように内層基板に積層し、磁性層を形成する工程である。工程（Ａ）の一実施形態として、樹脂シートを、樹脂組成物層が内層基板と接合するように内層基板に積層し、樹脂組成物層を熱硬化して磁性層を形成する。
工程（Ａ）は、樹脂シートを、樹脂組成物層が内層基板と接合するように内層基板に積層し、磁性層を形成する工程である。工程（Ａ）の一実施形態として、樹脂シートを、樹脂組成物層が内層基板と接合するように内層基板に積層し、樹脂組成物層を熱硬化して磁性層を形成する。
【0244】
図１０は、本発明の第２実施形態に係る回路基板の製造方法の工程（Ａ）を説明するための模式的な断面図である。工程（Ａ）は、支持体３３０と、該支持体３３０上に設けられた樹脂組成物層３２０ａとを含む樹脂シート３１０を、樹脂組成物層３２０ａが内層基板２００と接合するように、内層基板２００に積層させる。
【0245】
内層基板２００は、絶縁性の基板である。内層基板２００の材料としては、例えば、ガラスエポキシ基板、金属基板、ポリエステル基板、ポリイミド基板、ＢＴレジン基板、熱硬化型ポリフェニレンエーテル基板等の絶縁性基材が挙げられる。内層基板２００は、その厚さ内に配線等が作り込まれた内層回路基板であってもよい。
【0246】
図１０に一例を示すように、内層基板２００は、第１主表面２００ａ上に設けられる第１導体層４２０と、第２主表面２００ｂ上に設けられる外部端子２４０とを有している。第１導体層４２０は、複数の配線を含んでいてもよい。図示例ではインダクタ素子のコイル状導電性構造体４００を構成する配線のみが示されている。外部端子２４０は図示されていない外部の装置等と電気的に接続するための端子である。外部端子２４０は、第２主表面２００ｂに設けられる導体層の一部として構成することができる。
【0247】
第１導体層４２０、及び外部端子２４０を構成し得る導体材料としては、第１実施形態の「＜工程（５）＞」欄において説明した導体層の材料と同様である。
【0248】
第１導体層４２０、及び外部端子２４０は、単層構造であっても、異なる種類の金属若しくは合金からなる単金属層又は合金層が２層以上積層した複層構造であってもよい。また、第１導体層４２０、外部端子２４０の厚さは、後述する第２導体層４４０と同様である。
【0249】
第１導体層４２０及び外部端子２４０のライン（Ｌ）／スペース（Ｓ）比は特に制限されないが、表面の凹凸を減少させて平滑性に優れる磁性層を得る観点から、通常、９００／９００μｍ以下、好ましくは７００／７００μｍ以下、より好ましくは５００／５００μｍ以下、さらに好ましくは３００／３００μｍ以下、さらにより好ましくは２００／２００μｍ以下である。ライン／スペース比の下限は特に制限されないが、スペースへの樹脂組成物層の埋め込みを良好にする観点から、好ましくは１／１μｍ以上である。
【0250】
内層基板２００は第１主表面２００ａから第２主表面２００ｂに至るように内層基板２００を貫通する複数のスルーホール２２０を有していてもよい。スルーホール２２０にはスルーホール内配線２２０ａが設けられている。スルーホール内配線２２０ａは、第１導体層４２０と外部端子２４０とを電気的に接続している。
【0251】
樹脂組成物層３２０ａと内層基板２００との接合は、第１実施形態の「＜工程（１）＞」欄において説明したコア基材と樹脂シートとの積層方法と同様である。
【0252】
樹脂シートを内層基板に積層した後、樹脂組成物層を熱硬化して磁性層を形成する。図１１に一例を示すように、内層基板２００に接合させた樹脂組成物層３２０ａを熱硬化し第１磁性層３２０を形成する。
【0253】
樹脂組成物層３２０ａの熱硬化条件は、第１実施形態の「＜工程（２）＞」欄において説明した樹脂組成物層の熱硬化条件と同様である。
【0254】
支持体３３０は、工程（Ａ）の熱硬化後と工程（Ｂ）との間に除去してもよく、工程（Ｂ）の後に剥離してもよい。
【0255】
＜工程（Ｂ）＞
図１２は、本発明の第２実施形態に係る回路基板の製造方法の工程（Ｂ）を説明するための模式的な断面図である。工程（Ｂ）は、第１磁性層３２０に穴あけ加工をし、ビアホール３６０を形成する。
図１２は、本発明の第２実施形態に係る回路基板の製造方法の工程（Ｂ）を説明するための模式的な断面図である。工程（Ｂ）は、第１磁性層３２０に穴あけ加工をし、ビアホール３６０を形成する。
【0256】
ビアホール３６０は、第１導体層４２０と、後述する第２導体層４４０とを電気的に接続するための経路となる。ビアホール３６０の形成は、磁性層の形成に使用した樹脂組成物の組成等に応じて、例えば、ドリル、レーザー、プラズマ等を使用して実施してよい。ビアホールの寸法や形状は、回路基板のデザインに応じて適宜決定してよい。
【0257】
＜工程（Ｃ）＞
工程（Ｃ）は、ビアホールを形成した磁性層に粗化処理を施すことを含む。工程（Ｃ）における粗化処理の方法としては、第１実施形態の「＜工程（４）＞」欄に置いて説明したものと同様の方法により行うことができる。
工程（Ｃ）は、ビアホールを形成した磁性層に粗化処理を施すことを含む。工程（Ｃ）における粗化処理の方法としては、第１実施形態の「＜工程（４）＞」欄に置いて説明したものと同様の方法により行うことができる。
【0258】
工程（Ｃ）における粗化処理は、絶縁層の表面を研磨する処理であってもよい。研磨方法としては、第１実施形態の「＜工程（３）＞」欄において説明したものと同様の研磨により行うことができる。
【0259】
磁性層の粗化処理を施した面の算術平均粗さ（Ｒａ）としては、めっき密着性を向上させる観点から、好ましくは３００ｎｍ以上、より好ましくは３５０ｎｍ以上、さらに好ましくは４００ｎｍ以上である。上限は、好ましくは１０００ｎｍ以下、より好ましくは９００ｎｍ以下、さらに好ましくは８００ｎｍ以下である。表面粗さ（Ｒａ）は、例えば、非接触型表面粗さ計を用いて測定することができる。
【0260】
＜工程（Ｄ）＞
図１３は、本発明の第２実施形態に係る回路基板の製造方法の工程（Ｄ）を説明するために模式的な断面図である。工程（Ｄ）では、図１３に一例を示すように、第１磁性層３２０上に、第２導体層４４０を形成することを含む。
図１３は、本発明の第２実施形態に係る回路基板の製造方法の工程（Ｄ）を説明するために模式的な断面図である。工程（Ｄ）では、図１３に一例を示すように、第１磁性層３２０上に、第２導体層４４０を形成することを含む。
【0261】
第２導体層４４０を構成し得る導体材料としては、第１実施形態の「＜工程（５）＞」欄において説明した導体層の材料と同様である。
【0262】
第２導体層４４０の厚さは、薄型化の観点から、好ましくは７０μｍ以下であり、より好ましくは６０μｍ以下であり、さらに好ましくは５０μｍ以下、さらにより好ましくは４０μｍ以下、特に好ましくは３０μｍ以下、２０μｍ以下、１５μｍ以下又は１０μｍ以下である。下限は好ましくは１μｍ以上、より好ましくは３μｍ以上、さらに好ましくは５μｍ以上である。
【0263】
第２導体層４４０は、めっきにより形成することができる。第２導体層４４０は、例えば、無電解めっき工程、マスクパターン形成工程、電解めっき工程、フラッシュエッチング工程を含むセミアディティブ法、フルアディティブ法等の湿式めっき法により形成されることが好ましい。湿式めっき法を用いて第２導体層４４０を形成することにより、所望の配線パターンを含む第２導体層４４０として形成することができる。なお、この工程により、ビアホール３６０内にビアホール内配線３６０ａが併せて形成される。
【0264】
第１導体層４２０及び第２導体層４４０は、例えば後述する図１４～１６に一例を示すように、渦巻状に設けられていてもよい。一例において、第２導体層４４０の渦巻状の配線部のうちの中心側の一端はビアホール内配線３６０ａにより第１導体層４２０の渦巻状の配線部のうちの中心側の一端に電気的に接続されている。第２導体層４４０の渦巻状の配線部のうちの外周側の他端はビアホール内配線３６０ａにより第１導体層４２のランド４２０ａに電気的に接続されている。よって第２導体層４４０の渦巻状の配線部のうちの外周側の他端はビアホール内配線３６０ａ、ランド４２０ａ、スルーホール内配線２２０ａを経て外部端子２４０に電気的に接続される。
【0265】
コイル状導電性構造体４００は、第１導体層４２０の一部分である渦巻状の配線部、第２導体層４４０の一部分である渦巻状の配線部、第１導体層４２０の渦巻状の配線部と第２導体層４４０の渦巻状の配線部とを電気的に接続しているビアホール内配線３６０ａにより構成されている。
【0266】
工程（Ｄ）後、さらに導体層上に磁性層を形成する工程を行ってもよい。詳細は、図１５に一例を示すように、第２導体層４４０及びビアホール内配線３６０ａが形成された第１磁性層３２０上に第２磁性層３４０を形成する。第２磁性層は既に説明した工程と同様の工程により形成してもよい。
【0267】
［インダクタ基板］
インダクタ基板は、本発明の回路基板を含む。このようなインダクタ部品は、第１実施形態の回路基板の製造方法により得られた回路基板を含む場合、前記の樹脂組成物層の硬化物の周囲の少なくとも一部に導体によって形成されたインダクタパターンを有する。このようなインダクタ基板は、例えば特開２０１６－１９７６２４号公報に記載のものを適用できる。
インダクタ基板は、本発明の回路基板を含む。このようなインダクタ部品は、第１実施形態の回路基板の製造方法により得られた回路基板を含む場合、前記の樹脂組成物層の硬化物の周囲の少なくとも一部に導体によって形成されたインダクタパターンを有する。このようなインダクタ基板は、例えば特開２０１６－１９７６２４号公報に記載のものを適用できる。
【0268】
また、第２実施形態の回路基板の製造方法により得られた回路基板を含む場合、インダクタ基板は、磁性層と、この磁性層に少なくとも一部分が埋め込まれた導電性構造体とを有しており、この導電性構造体と、磁性層の厚さ方向に延在し、かつ導電性構造体に囲まれた磁性層のうちの一部分によって構成されるインダクタ素子を含んでいる。ここで図１４は、インダクタ素子を内蔵するインダクタ基板をその厚さ方向の一方からみた模式的な平面図である。図１５は、図１４に示すＩＩ－ＩＩ一点鎖線で示した位置で切断したインダクタ基板の切断端面を示す模式的な図である。図１６は、インダクタ基板のうちの第１導体層の構成を説明するための模式的な平面図である。
【0269】
回路基板１００は、図１４及び図１５に一例として示されるように、複数の磁性層（第１磁性層３２０、第２磁性層３４０）及び複数の導体層（第１導体層４２０、第２導体層４４０）を有する、即ちビルドアップ磁性層及びビルドアップ導体層を有するビルドアップ配線板である。また、インダクタ基板１００は、内層基板２００を備えている。
【0270】
図１５より、第１磁性層３２０及び第２磁性層３４０は一体的な磁性層としてみることができる磁性部３００を構成している。よってコイル状導電性構造体４００は、磁性部３００に少なくとも一部分が埋め込まれるように設けられている。すなわち、本実施形態のインダクタ基板１００において、インダクタ素子はコイル状導電性構造体４００と、磁性部３００の厚さ方向に延在し、かつコイル状導電性構造体４００に囲まれた磁性部３００のうちの一部分である芯部によって構成されている。
【0271】
図１６に一例として示されるように、第１導体層４２０はコイル状導電性構造体４００を構成するための渦巻状の配線部と、スルーホール内配線２２０ａと電気的に接続される矩形状のランド４２０ａとを含んでいる。図示例では渦巻状の配線部は直線状部と直角に屈曲する屈曲部とランド４２０ａを迂回する迂回部を含んでいる。図示例では第１導体層４２０の渦巻状の配線部は全体の輪郭が略矩形状であって、中心側からその外側に向かうにあたり反時計回りに巻いている形状を有している。
【0272】
同様に、第１磁性層３２０上には第２導体層４４０が設けられている。第２導体層４４０はコイル状導電性構造体４００を構成するための渦巻状の配線部を含んでいる。図１４又は図１５では渦巻状の配線部は直線状部と直角に屈曲する屈曲部とを含んでいる。図１４又は図１５では第２導体層４４０の渦巻状の配線部は全体の輪郭が略矩形状であって、中心側からその外側に向かうにあたり時計回りに巻いている形状を有している。
【0273】
このようなインダクタ基板は、半導体チップ等の電子部品を搭載するための配線板として用いることができ、かかる配線板を内層基板として使用した（多層）プリント配線板として用いることもできる。また、かかる配線板を個片化したチップインダクタ基板として用いることもでき、該チップインダクタ基板を表面実装したプリント配線板として用いることもできる。
【0274】
またかかる配線板を用いて、種々の態様の半導体装置を製造することができる。かかる配線板を含む半導体装置は、電気製品（例えば、コンピューター、携帯電話、デジタルカメラおよびテレビ等）および乗物（例えば、自動二輪車、自動車、電車、船舶および航空機等）等に好適に用いることができる。
【実施例0275】
以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。なお、以下の記載において、量を表す「部」及び「％」は、別途明示のない限り、それぞれ「質量部」及び「質量％」を意味する。
【0276】
＜合成例１：ポリエステル溶液１の合成＞
温度計、撹拌機、窒素導入口及び還流管を備えた反応フラスコ内に、１２－ヒドロキシステアリン酸（純正化学社製）１０．０部及びε－カプロラクトン（純正化学社製）１９０部を仕込み、窒素気流下で１６０℃まで４時間かけて昇温し、１６０℃で２時間加熱した後、ε－カプロラクトンの残量が１％以下になるまで加熱を行った。次いで室温まで冷却した。以下、この反応液をポリエステル溶液１と称する。
温度計、撹拌機、窒素導入口及び還流管を備えた反応フラスコ内に、１２－ヒドロキシステアリン酸（純正化学社製）１０．０部及びε－カプロラクトン（純正化学社製）１９０部を仕込み、窒素気流下で１６０℃まで４時間かけて昇温し、１６０℃で２時間加熱した後、ε－カプロラクトンの残量が１％以下になるまで加熱を行った。次いで室温まで冷却した。以下、この反応液をポリエステル溶液１と称する。
【0277】
＜合成例２：アミン系分散剤１の合成＞
温度計、撹拌機、窒素導入口及び還流管を備え反応フラスコ内に、キシレン２５．０部とポリアリルアミン１０％水溶液（日東紡績社製「ＰＡＡ－１ＬＶ」、数平均分子量約３，０００）７０部からなる混合物を１６０℃で撹拌し、分離装置を使用して水を溜去すると共に、キシレンを反応溶液に返流しながら、これに合成例１で得たポリエステル溶液１１４．２１部を１６０℃まで昇温したものを加え、２時間１６０℃で反応を行った。さらに１６０℃で４時間加熱し、キシレンを１６０℃で溜去しアミン系分散剤１を得た。アミン系分散剤１は、一般式（１）中のＲが炭素原子数５のアルキレン基であるポリエステル骨格を有しており、アミン価が２０．０ｍｇＫＯＨ／ｇ、酸価が１６．０ｍｇＫＯＨ／ｇの特性であった。指示薬法でのｐＨ＝６であった。
温度計、撹拌機、窒素導入口及び還流管を備え反応フラスコ内に、キシレン２５．０部とポリアリルアミン１０％水溶液（日東紡績社製「ＰＡＡ－１ＬＶ」、数平均分子量約３，０００）７０部からなる混合物を１６０℃で撹拌し、分離装置を使用して水を溜去すると共に、キシレンを反応溶液に返流しながら、これに合成例１で得たポリエステル溶液１１４．２１部を１６０℃まで昇温したものを加え、２時間１６０℃で反応を行った。さらに１６０℃で４時間加熱し、キシレンを１６０℃で溜去しアミン系分散剤１を得た。アミン系分散剤１は、一般式（１）中のＲが炭素原子数５のアルキレン基であるポリエステル骨格を有しており、アミン価が２０．０ｍｇＫＯＨ／ｇ、酸価が１６．０ｍｇＫＯＨ／ｇの特性であった。指示薬法でのｐＨ＝６であった。
【0278】
＜合成例３：アミン系分散剤２の合成＞
温度計、撹拌機、窒素導入口及び還流管を備え反応フラスコ内に、キシレン２５．０部とポリアリルアミン１０％水溶液（日東紡績社製「ＰＡＡ－１ＬＶ」、数平均分子量約３，０００）７０部からなる混合物を１６０℃で撹拌し、分離装置を使用して水を溜去すると共に、キシレンを反応溶液に返流しながら、これに合成例１で得たポリエステル溶液１１４．２１部を１６０℃まで昇温したものを加え、３時間１６０℃で反応を行った。さらに１６０℃で４時間加熱し、キシレンを１６０℃で溜去しアミン系分散剤２を得た。アミン系分散剤２は、一般式（１）中のＲが炭素原子数５のアルキレン基であるポリエステル骨格を有しており、アミン価が１１．０ｍｇＫＯＨ／ｇ、酸価が１７．５ｍｇＫＯＨ／ｇの特性であった。指示薬法でのｐＨ＝６であった。
温度計、撹拌機、窒素導入口及び還流管を備え反応フラスコ内に、キシレン２５．０部とポリアリルアミン１０％水溶液（日東紡績社製「ＰＡＡ－１ＬＶ」、数平均分子量約３，０００）７０部からなる混合物を１６０℃で撹拌し、分離装置を使用して水を溜去すると共に、キシレンを反応溶液に返流しながら、これに合成例１で得たポリエステル溶液１１４．２１部を１６０℃まで昇温したものを加え、３時間１６０℃で反応を行った。さらに１６０℃で４時間加熱し、キシレンを１６０℃で溜去しアミン系分散剤２を得た。アミン系分散剤２は、一般式（１）中のＲが炭素原子数５のアルキレン基であるポリエステル骨格を有しており、アミン価が１１．０ｍｇＫＯＨ／ｇ、酸価が１７．５ｍｇＫＯＨ／ｇの特性であった。指示薬法でのｐＨ＝６であった。
【0279】
＜実施例１＞
重量平均分子量６００以上８０００未満の樹脂オリゴマー（三菱ケミカル社製「ｊＥＲ１００１」、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、エポキシ当量（ＥＰＷ）４７５ｇ／ｅｑ．、軟化点６４℃、２官能（２Ｂ）、重量平均分子量９００）０．２１部、エポキシ樹脂（日鉄ケミカル＆マテリアル社製「ＺＸ－１０５９」、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂の混合品）０．６５部、アミン系分散剤１ ０．１８部、シクロヘキサノン１．００部、メチルエチルケトン１．００部、磁性粉体（エプソンアトミックス社製「ＫＵＡＭＥＴ ＮＣ１－５３μｍ」、Ｆｅ－Ｓｉ－Ｎｂ－Ｂ合金からなるナノ結晶、平均粒径（Ｄ５０）２７．３μｍ）３４．９０部、磁性粉体（エプソンアトミックス社製「ＡＷ２－０８ＰＦ３Ｆ」、Ｆｅ－Ｓｉ－Ｃｒ合金粉、アモルファス粉、平均粒径（Ｄ５０）３．１μｍ）４．３２部、磁性粉体（ＪＦＥミネラル社製「ＣＶＤ鉄粉（０．７μｍ）」、平均粒径（Ｄ５０）０．７μｍ）４．３１部、及びフェノール樹脂（ＤＩＣ社製「ＬＡ－７０５４」、水酸基当量約１２５の固形分６０％のメチルエチルケトン溶液）０．８４部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂組成物を調製した。
重量平均分子量６００以上８０００未満の樹脂オリゴマー（三菱ケミカル社製「ｊＥＲ１００１」、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、エポキシ当量（ＥＰＷ）４７５ｇ／ｅｑ．、軟化点６４℃、２官能（２Ｂ）、重量平均分子量９００）０．２１部、エポキシ樹脂（日鉄ケミカル＆マテリアル社製「ＺＸ－１０５９」、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂の混合品）０．６５部、アミン系分散剤１ ０．１８部、シクロヘキサノン１．００部、メチルエチルケトン１．００部、磁性粉体（エプソンアトミックス社製「ＫＵＡＭＥＴ ＮＣ１－５３μｍ」、Ｆｅ－Ｓｉ－Ｎｂ－Ｂ合金からなるナノ結晶、平均粒径（Ｄ５０）２７．３μｍ）３４．９０部、磁性粉体（エプソンアトミックス社製「ＡＷ２－０８ＰＦ３Ｆ」、Ｆｅ－Ｓｉ－Ｃｒ合金粉、アモルファス粉、平均粒径（Ｄ５０）３．１μｍ）４．３２部、磁性粉体（ＪＦＥミネラル社製「ＣＶＤ鉄粉（０．７μｍ）」、平均粒径（Ｄ５０）０．７μｍ）４．３１部、及びフェノール樹脂（ＤＩＣ社製「ＬＡ－７０５４」、水酸基当量約１２５の固形分６０％のメチルエチルケトン溶液）０．８４部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂組成物を調製した。
【0280】
＜実施例２＞
実施例１において、
１）重量平均分子量６００以上８０００未満の樹脂オリゴマー（三菱ケミカル社製「ｊＥＲ１００１」、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、エポキシ当量（ＥＰＷ）４７５ｇ／ｅｑ．、軟化点６４℃、２官能（２Ｂ）、重量平均分子量９００）０．２１部を、重量平均分子量６００以上８０００未満の樹脂オリゴマー（三菱ケミカル社製「ｊＥＲ４００５Ｐ」、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、重量平均分子量：６２００）を０．２１部に変え、
２）アミン系分散剤１ ０．１８部を、アミン系分散剤２ ０．１８部に変えた。
以上の事項以外は実施例１と同様にして、樹脂組成物を作製した。
実施例１において、
１）重量平均分子量６００以上８０００未満の樹脂オリゴマー（三菱ケミカル社製「ｊＥＲ１００１」、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、エポキシ当量（ＥＰＷ）４７５ｇ／ｅｑ．、軟化点６４℃、２官能（２Ｂ）、重量平均分子量９００）０．２１部を、重量平均分子量６００以上８０００未満の樹脂オリゴマー（三菱ケミカル社製「ｊＥＲ４００５Ｐ」、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、重量平均分子量：６２００）を０．２１部に変え、
２）アミン系分散剤１ ０．１８部を、アミン系分散剤２ ０．１８部に変えた。
以上の事項以外は実施例１と同様にして、樹脂組成物を作製した。
【0281】
＜実施例３＞
実施例１において、
重量平均分子量６００以上８０００未満の樹脂オリゴマー（三菱ケミカル社製「ｊＥＲ１００１」、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、エポキシ当量（ＥＰＷ）４７５ｇ／ｅｑ．、軟化点６４℃、２官能（２Ｂ）、重量平均分子量９００）０．２１部を、重量平均分子量６００以上８０００未満の樹脂オリゴマー（三菱ケミカル社製「ｊＥＲ４００５Ｐ」、ビスフェノールＦ型エポキシ、重量平均分子量：６２００）を０．２１部に変えた。
以上の事項以外は実施例１と同様にして、樹脂組成物を作製した。
実施例１において、
重量平均分子量６００以上８０００未満の樹脂オリゴマー（三菱ケミカル社製「ｊＥＲ１００１」、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、エポキシ当量（ＥＰＷ）４７５ｇ／ｅｑ．、軟化点６４℃、２官能（２Ｂ）、重量平均分子量９００）０．２１部を、重量平均分子量６００以上８０００未満の樹脂オリゴマー（三菱ケミカル社製「ｊＥＲ４００５Ｐ」、ビスフェノールＦ型エポキシ、重量平均分子量：６２００）を０．２１部に変えた。
以上の事項以外は実施例１と同様にして、樹脂組成物を作製した。
【0282】
＜実施例４＞
実施例１において、
１）重量平均分子量６００以上８０００未満の樹脂オリゴマー（三菱ケミカル社製「ｊＥＲ１００１」、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、エポキシ当量（ＥＰＷ）４７５ｇ／ｅｑ．、軟化点６４℃、２官能（２Ｂ）、重量平均分子量９００）０．２１部を、重量平均分子量６００以上８０００未満の樹脂オリゴマー（三菱ケミカル社製「ｊＥＲ４００５Ｐ」、ビスフェノールＦ型エポキシ、重量平均分子量：６２００）を０．２３部に変え、
２）エポキシ樹脂（日鉄ケミカル＆マテリアル社製「ＺＸ－１０５９」、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂の混合品）の量を、０．６５部から０．７４部に変え、
３）アミン系分散剤１ ０．１８部を、アミン系分散剤２ ０．０９部に変え、
４）メチルエチルケトンの量を、１．００部から１．３０部に変え、
５）フェノール樹脂（ＤＩＣ社製「ＬＡ－７０５４」、水酸基当量約１２５の固形分６０％のメチルエチルケトン溶液）０．８４部を、フェノール樹脂（ＤＩＣ社製「フェノライト ＴＤ－２０９０」、水酸基当量１０５ｇ／ｅｑ．、軟化点１２０℃）０．４８部に変えた。
以上の事項以外は実施例１と同様にして、樹脂組成物を調製した。
実施例１において、
１）重量平均分子量６００以上８０００未満の樹脂オリゴマー（三菱ケミカル社製「ｊＥＲ１００１」、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、エポキシ当量（ＥＰＷ）４７５ｇ／ｅｑ．、軟化点６４℃、２官能（２Ｂ）、重量平均分子量９００）０．２１部を、重量平均分子量６００以上８０００未満の樹脂オリゴマー（三菱ケミカル社製「ｊＥＲ４００５Ｐ」、ビスフェノールＦ型エポキシ、重量平均分子量：６２００）を０．２３部に変え、
２）エポキシ樹脂（日鉄ケミカル＆マテリアル社製「ＺＸ－１０５９」、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂の混合品）の量を、０．６５部から０．７４部に変え、
３）アミン系分散剤１ ０．１８部を、アミン系分散剤２ ０．０９部に変え、
４）メチルエチルケトンの量を、１．００部から１．３０部に変え、
５）フェノール樹脂（ＤＩＣ社製「ＬＡ－７０５４」、水酸基当量約１２５の固形分６０％のメチルエチルケトン溶液）０．８４部を、フェノール樹脂（ＤＩＣ社製「フェノライト ＴＤ－２０９０」、水酸基当量１０５ｇ／ｅｑ．、軟化点１２０℃）０．４８部に変えた。
以上の事項以外は実施例１と同様にして、樹脂組成物を調製した。
【0283】
＜実施例５＞
実施例４において、
１）アミン系分散剤２の量を、０．０９部から０．０８部に変え、
２）硬化促進剤（北興化学工業社製「ＴＢＰ－ＤＡ」）０．０１部を用いた。
以上の事項以外は実施例４と同様にして、樹脂組成物を調製した。
実施例４において、
１）アミン系分散剤２の量を、０．０９部から０．０８部に変え、
２）硬化促進剤（北興化学工業社製「ＴＢＰ－ＤＡ」）０．０１部を用いた。
以上の事項以外は実施例４と同様にして、樹脂組成物を調製した。
【0284】
＜実施例６＞
実施例１において、
１）重量平均分子量６００以上８０００未満の樹脂オリゴマー（三菱ケミカル社製「ｊＥＲ１００１」、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、エポキシ当量（ＥＰＷ）４７５ｇ／ｅｑ．、軟化点６４℃、２官能（２Ｂ）、重量平均分子量９００）０．２１部を、重量平均分子量８０００以上の樹脂（三菱ケミカル社製「ＹＸ７５５３Ｈ３０」、特殊骨格フェノキシ樹脂、メチルエチルケトン：シクロヘキサノン＝１：１の３０％溶液、重量平均分子量：３５０００）を０．９部に変え、
２）エポキシ樹脂（日鉄ケミカル＆マテリアル社製「ＺＸ－１０５９」、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂の混合品）の量を、０．６５部から０．５６部に変え、
３）アミン系分散剤１の量を、０．１８部から０．２７部に変え、
４）メチルエチルケトンの量を、１．００部から０．０５部に変え、
５）フェノール樹脂（ＤＩＣ社製「ＬＡ－７０５４」、水酸基当量約１２５の固形分６０％のメチルエチルケトン溶液）の量を、０．８４部から０．７３部に変え、
６）硬化促進剤（北興化学工業社製「ＴＢＰ－ＤＡ」）０．０１部を用いた。
以上の事項以外は実施例１と同様にして、樹脂組成物を調製した。
実施例１において、
１）重量平均分子量６００以上８０００未満の樹脂オリゴマー（三菱ケミカル社製「ｊＥＲ１００１」、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、エポキシ当量（ＥＰＷ）４７５ｇ／ｅｑ．、軟化点６４℃、２官能（２Ｂ）、重量平均分子量９００）０．２１部を、重量平均分子量８０００以上の樹脂（三菱ケミカル社製「ＹＸ７５５３Ｈ３０」、特殊骨格フェノキシ樹脂、メチルエチルケトン：シクロヘキサノン＝１：１の３０％溶液、重量平均分子量：３５０００）を０．９部に変え、
２）エポキシ樹脂（日鉄ケミカル＆マテリアル社製「ＺＸ－１０５９」、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂の混合品）の量を、０．６５部から０．５６部に変え、
３）アミン系分散剤１の量を、０．１８部から０．２７部に変え、
４）メチルエチルケトンの量を、１．００部から０．０５部に変え、
５）フェノール樹脂（ＤＩＣ社製「ＬＡ－７０５４」、水酸基当量約１２５の固形分６０％のメチルエチルケトン溶液）の量を、０．８４部から０．７３部に変え、
６）硬化促進剤（北興化学工業社製「ＴＢＰ－ＤＡ」）０．０１部を用いた。
以上の事項以外は実施例１と同様にして、樹脂組成物を調製した。
【0285】
＜実施例７＞
実施例１において、
１）アミン系分散剤１ ０．１８部を、アミン系分散剤（日本ルーブリゾール社製のソルスパース２４０００ＧＲ（アミン価４０ｍｇＫＯＨ／ｇ、酸価２５ｍｇＫＯＨ／ｇ、ポリエステル）０．１８部に変えた。
以上の事項以外は実施例１と同様にして、樹脂組成物を調製した。
実施例１において、
１）アミン系分散剤１ ０．１８部を、アミン系分散剤（日本ルーブリゾール社製のソルスパース２４０００ＧＲ（アミン価４０ｍｇＫＯＨ／ｇ、酸価２５ｍｇＫＯＨ／ｇ、ポリエステル）０．１８部に変えた。
以上の事項以外は実施例１と同様にして、樹脂組成物を調製した。
【0286】
＜比較例１＞
実施例６において、
アミン系分散剤２ ０．２７部を、分散剤（日油社製「ＳＣ－１０１５Ｆ」、ポリオキシアルキレン系分散剤）０．２７部に変えた。
以上の事項以外は実施例６と同様にして、樹脂組成物を調製した。
実施例６において、
アミン系分散剤２ ０．２７部を、分散剤（日油社製「ＳＣ－１０１５Ｆ」、ポリオキシアルキレン系分散剤）０．２７部に変えた。
以上の事項以外は実施例６と同様にして、樹脂組成物を調製した。
【0287】
＜比較例２＞
実施例６において、
アミン系分散剤２ ０．２７部を、分散剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ－１０３」、フェニルシランカップリング剤）０．２７部に変えた。
以上の事項以外は実施例６と同様にして、樹脂組成物を調製した。
実施例６において、
アミン系分散剤２ ０．２７部を、分散剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ－１０３」、フェニルシランカップリング剤）０．２７部に変えた。
以上の事項以外は実施例６と同様にして、樹脂組成物を調製した。
【0288】
＜比較例３＞
実施例６において、
アミン系分散剤２ ０．２７部を、分散剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ－５７３」、アミノシラン系カップリング剤）を０．２７部に変えた。
以上の事項以外は実施例６と同様にして、樹脂組成物を調製した。
実施例６において、
アミン系分散剤２ ０．２７部を、分散剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ－５７３」、アミノシラン系カップリング剤）を０．２７部に変えた。
以上の事項以外は実施例６と同様にして、樹脂組成物を調製した。
【0289】
＜比透磁率及び損失係数（損失係数）の測定＞
（１）硬化物の作製
支持体として、シリコーン系離型剤処理を施したポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（リンテック社製「ＰＥＴ５０１０１０」、厚さ５０μｍ）を用意した。各樹脂組成物を上記ＰＥＴフィルムの離型面上に、乾燥後の樹脂組成物層の厚みが１００μｍとなるよう、ドクターブレードにて均一に塗布し、樹脂シートを得た。得られた樹脂シートを１９０℃で９０分間加熱することにより、樹脂組成物層を熱硬化し、支持体を剥離することによりシート状の硬化物を得た。以下、このシート状の硬化物をサンプルＡということがある。
（１）硬化物の作製
支持体として、シリコーン系離型剤処理を施したポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（リンテック社製「ＰＥＴ５０１０１０」、厚さ５０μｍ）を用意した。各樹脂組成物を上記ＰＥＴフィルムの離型面上に、乾燥後の樹脂組成物層の厚みが１００μｍとなるよう、ドクターブレードにて均一に塗布し、樹脂シートを得た。得られた樹脂シートを１９０℃で９０分間加熱することにより、樹脂組成物層を熱硬化し、支持体を剥離することによりシート状の硬化物を得た。以下、このシート状の硬化物をサンプルＡということがある。
【0290】
（２）比透磁率及び損失係数の測定
得られたサンプルＡを切断して、外径１９．２ｍｍ、内径８．２ｍｍのドーナツ状の評価サンプルを得た。この評価サンプルの比透磁率（μ’）、複素透磁率の虚数成分（μ’’）及び損失係数（ｔａｎδ）を、Ｋｅｙｓｉｇｈｔ社製磁性材料テストフィクスチャ「１６４５４Ａ」及びＫｅｙｓｉｇｈｔ社製インピーダンスアナライザー「Ｅ４９９１Ｂ」を用いて、測定周波数１０ＭＨｚ、室温２３℃にて測定した。損失係数ｔａｎδは、式「ｔａｎδ＝μ’’／μ’」により算出した。また、比透磁率は、以下の基準で評価した。
〇：比透磁率が４０以上。
×：比透磁率が４０未満。
得られたサンプルＡを切断して、外径１９．２ｍｍ、内径８．２ｍｍのドーナツ状の評価サンプルを得た。この評価サンプルの比透磁率（μ’）、複素透磁率の虚数成分（μ’’）及び損失係数（ｔａｎδ）を、Ｋｅｙｓｉｇｈｔ社製磁性材料テストフィクスチャ「１６４５４Ａ」及びＫｅｙｓｉｇｈｔ社製インピーダンスアナライザー「Ｅ４９９１Ｂ」を用いて、測定周波数１０ＭＨｚ、室温２３℃にて測定した。損失係数ｔａｎδは、式「ｔａｎδ＝μ’’／μ’」により算出した。また、比透磁率は、以下の基準で評価した。
〇：比透磁率が４０以上。
×：比透磁率が４０未満。
【0291】
＜樹脂組成物の硬化物の引張強度の評価＞
サンプルＡを用いて引張強度の評価を行った。オリエンテック社製引張試験機「ＲＴＣ－１２５０Ａ」を用いて引張強度測定を行い、２３℃における破断点強度を測定した。測定は、ＪＩＳ Ｋ７１２７に準拠して実施した。また、以下の基準で引張強度を評価した。
〇：引張強度が７０ＭＰａ以上。
×：引張強度が７０ＭＰａ未満。
サンプルＡを用いて引張強度の評価を行った。オリエンテック社製引張試験機「ＲＴＣ－１２５０Ａ」を用いて引張強度測定を行い、２３℃における破断点強度を測定した。測定は、ＪＩＳ Ｋ７１２７に準拠して実施した。また、以下の基準で引張強度を評価した。
〇：引張強度が７０ＭＰａ以上。
×：引張強度が７０ＭＰａ未満。
【0292】
＜伸びの評価＞
サンプルＡを用いて伸びの評価を行った。オリエンテック社製引張試験機「ＲＴＣ－１２５０Ａ」を用いて引張強度測定を行い、２３℃における破断伸び率を測定した。測定は、ＪＩＳ Ｋ６２５１に準拠して実施した。
サンプルＡを用いて伸びの評価を行った。オリエンテック社製引張試験機「ＲＴＣ－１２５０Ａ」を用いて引張強度測定を行い、２３℃における破断伸び率を測定した。測定は、ＪＩＳ Ｋ６２５１に準拠して実施した。
【0293】
＜ヤング率の測定＞
サンプルＡを用いてヤング率の評価を行った。オリエンテック社製引張試験機「ＲＴＣ－１２５０Ａ」を用いて引張強度測定を行い、２３℃におけるヤング率を測定した。測定は、ＪＩＳ Ｋ６２５３に準拠して実施した。
サンプルＡを用いてヤング率の評価を行った。オリエンテック社製引張試験機「ＲＴＣ－１２５０Ａ」を用いて引張強度測定を行い、２３℃におけるヤング率を測定した。測定は、ＪＩＳ Ｋ６２５３に準拠して実施した。
【0294】
【表1】
【符号の説明】
【0295】
１０ コア基材
１０Ｕ 第一面
１０Ｄ 第二面
１１ 支持基板
１２ 金属層
１３ 金属層
１４ スルーホール
２０ めっき層
３０ 樹脂シート
３１ 樹脂組成物層
３２ 支持体
４０ 磁性層
４０Ｕ 研磨面
４０Ｄ 研磨面
５０ 導体層
５１ パターン導体層
１００ 回路基板
２００ 内層基板
２００ａ 第１主表面
２００ｂ 第２主表面
２２０ スルーホール
２２０ａ スルーホール内配線
２４０ 外部端子
３００ 磁性部
３１０ 樹脂シート
３２０ａ 樹脂組成物層
３２０ 第１絶縁層
３３０ 支持体
３４０ 第２絶縁層
３６０ ビアホール
３６０ａ ビアホール内配線
４００ コイル状導電性構造体
４２０ 第１導体層
４２０ａ ランド
４４０ 第２導体層
１０Ｕ 第一面
１０Ｄ 第二面
１１ 支持基板
１２ 金属層
１３ 金属層
１４ スルーホール
２０ めっき層
３０ 樹脂シート
３１ 樹脂組成物層
３２ 支持体
４０ 磁性層
４０Ｕ 研磨面
４０Ｄ 研磨面
５０ 導体層
５１ パターン導体層
１００ 回路基板
２００ 内層基板
２００ａ 第１主表面
２００ｂ 第２主表面
２２０ スルーホール
２２０ａ スルーホール内配線
２４０ 外部端子
３００ 磁性部
３１０ 樹脂シート
３２０ａ 樹脂組成物層
３２０ 第１絶縁層
３３０ 支持体
３４０ 第２絶縁層
３６０ ビアホール
３６０ａ ビアホール内配線
４００ コイル状導電性構造体
４２０ 第１導体層
４２０ａ ランド
４４０ 第２導体層
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】