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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024125836
(43)【公開日】2024-09-19
(54)【発明の名称】半導体装置およびその製造方法
(51)【国際特許分類】
H01L 25/07 20060101AFI20240911BHJP
H01L 23/48 20060101ALI20240911BHJP
H01L 23/28 20060101ALI20240911BHJP
【ＦＩ】
H01L25/04 C
H01L23/48 G
H01L23/48 J
H01L23/48 Q
H01L23/28 A
【審査請求】未請求
【請求項の数】9
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023033929
(22)【出願日】2023-03-06
(71)【出願人】
【識別番号】000004260
【氏名又は名称】株式会社デンソー
(71)【出願人】
【識別番号】000003207
【氏名又は名称】トヨタ自動車株式会社
(71)【出願人】
【識別番号】520124752
【氏名又は名称】株式会社ミライズテクノロジーズ
(74)【代理人】
【識別番号】110001128
【氏名又は名称】弁理士法人ゆうあい特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】桑田 和輝
(72)【発明者】
【氏名】石野 寛
(72)【発明者】
【氏名】遠藤 剛
(72)【発明者】
【氏名】加藤 良隆
【テーマコード（参考）】
4M109
【Ｆターム（参考）】
4M109AA01
4M109BA04
4M109FA01
(57)【要約】
【課題】不具合の発生を抑制することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】第１引き出し配線１８は、第１接続対象１５に接続された第１接続部１８ａと、封止樹脂２７から露出した第１頂部１８ｃと、一面１１ａに対して傾斜し第１接続部１８ａおよび第１頂部１８ｃを連結する第１立設部１８ｂと、を備え、第２引き出し配線１９は、第２接続対象１６に接続された第２接続部１９ａと、封止樹脂２７から露出した第２頂部１９ｃと、一面１１ａに対して傾斜し第２接続部１９ａおよび第２頂部１９ｃを連結する第２立設部１９ｂと、を備え、第１頂部１８ｃと第２頂部１９ｃとは、互いに対向して配置されている。
【選択図】図５
【解決手段】第１引き出し配線１８は、第１接続対象１５に接続された第１接続部１８ａと、封止樹脂２７から露出した第１頂部１８ｃと、一面１１ａに対して傾斜し第１接続部１８ａおよび第１頂部１８ｃを連結する第１立設部１８ｂと、を備え、第２引き出し配線１９は、第２接続対象１６に接続された第２接続部１９ａと、封止樹脂２７から露出した第２頂部１９ｃと、一面１１ａに対して傾斜し第２接続部１９ａおよび第２頂部１９ｃを連結する第２立設部１９ｂと、を備え、第１頂部１８ｃと第２頂部１９ｃとは、互いに対向して配置されている。
【選択図】図５
【特許請求の範囲】
【請求項1】
半導体装置であって、
基板（１１）の一面（１１ａ）側に配置された第１接続対象（１２ａ、１５）および第２接続対象（１２ｂ、１６）と、
前記第１接続対象に接続された第１引き出し配線（１８、２５、３１、３２）および前記第２接続対象に接続された第２引き出し配線（１９、２６、３０）と、
前記第１接続対象、前記第２接続対象、前記第１引き出し配線、前記第２引き出し配線を封止する封止樹脂（２７）と、を備え、
前記第１引き出し配線は、前記第１接続対象に接続された第１接続部（１８ａ、２５ａ、３１ａ、３２ａ）と、前記封止樹脂から露出した第１頂部（１８ｃ、２５ｃ、３１ｃ、３２ｃ）と、前記一面に対して傾斜し前記第１接続部および前記第１頂部を連結する第１立設部（１８ｂ、２５ｂ、３１ｂ、３２ｂ）と、を備え、
前記第２引き出し配線は、前記第２接続対象に接続された第２接続部（１９ａ、２６ａ、３０ａ）と、前記封止樹脂から露出した第２頂部（１９ｃ、２６ｃ、３０ｃ）と、前記一面に対して傾斜し前記第２接続部および前記第２頂部を連結する第２立設部（１９ｂ、２６ｂ、３０ｂ）と、を備え、
前記第１頂部と前記第２頂部とは、互いに対向して配置されている半導体装置。
基板（１１）の一面（１１ａ）側に配置された第１接続対象（１２ａ、１５）および第２接続対象（１２ｂ、１６）と、
前記第１接続対象に接続された第１引き出し配線（１８、２５、３１、３２）および前記第２接続対象に接続された第２引き出し配線（１９、２６、３０）と、
前記第１接続対象、前記第２接続対象、前記第１引き出し配線、前記第２引き出し配線を封止する封止樹脂（２７）と、を備え、
前記第１引き出し配線は、前記第１接続対象に接続された第１接続部（１８ａ、２５ａ、３１ａ、３２ａ）と、前記封止樹脂から露出した第１頂部（１８ｃ、２５ｃ、３１ｃ、３２ｃ）と、前記一面に対して傾斜し前記第１接続部および前記第１頂部を連結する第１立設部（１８ｂ、２５ｂ、３１ｂ、３２ｂ）と、を備え、
前記第２引き出し配線は、前記第２接続対象に接続された第２接続部（１９ａ、２６ａ、３０ａ）と、前記封止樹脂から露出した第２頂部（１９ｃ、２６ｃ、３０ｃ）と、前記一面に対して傾斜し前記第２接続部および前記第２頂部を連結する第２立設部（１９ｂ、２６ｂ、３０ｂ）と、を備え、
前記第１頂部と前記第２頂部とは、互いに対向して配置されている半導体装置。
【請求項2】
前記第１頂部と前記第２頂部とは、前記封止樹脂に形成された凹部（２８）を挟んで対向している請求項１に記載の半導体装置。
【請求項3】
前記第１頂部の端面と前記第２頂部の端面とは、前記凹部において前記封止樹脂から露出している請求項２に記載の半導体装置。
【請求項4】
前記凹部を埋め込む埋め込み樹脂（３４）を備える請求項２または３に記載の半導体装置。
【請求項5】
前記第１頂部は、前記第１立設部に接続された部分から前記第２頂部に対向する端部に向かって厚さが小さくなる先細り形状とされており、
前記第２頂部は、前記第２立設部に接続された部分から前記第１頂部に対向する端部に向かって厚さが小さくなる先細り形状とされている請求項１に記載の半導体装置。
前記第２頂部は、前記第２立設部に接続された部分から前記第１頂部に対向する端部に向かって厚さが小さくなる先細り形状とされている請求項１に記載の半導体装置。
【請求項6】
半導体装置の製造方法であって、
基板（１１）の一面（１１ａ）側に複数の接続対象（１２ａ、１２ｂ、１５、１６）を配置することと、
複数の前記接続対象を架橋する形状の架橋配線（２９）を形成することと、
前記接続対象および前記架橋配線を封止樹脂（２７）で封止することと、
前記封止樹脂の表面に前記架橋配線の一部を露出させることと、
該露出した前記架橋配線を分断することと、を行う半導体装置の製造方法。
基板（１１）の一面（１１ａ）側に複数の接続対象（１２ａ、１２ｂ、１５、１６）を配置することと、
複数の前記接続対象を架橋する形状の架橋配線（２９）を形成することと、
前記接続対象および前記架橋配線を封止樹脂（２７）で封止することと、
前記封止樹脂の表面に前記架橋配線の一部を露出させることと、
該露出した前記架橋配線を分断することと、を行う半導体装置の製造方法。
【請求項7】
前記分断することでは、該露出した前記架橋配線の一部を除去して複数の前記接続対象を絶縁させるように前記封止樹脂の表面に凹部（２８）を形成する請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項8】
前記架橋配線のうち、前記露出させることで前記封止樹脂から露出する部分に孔部（２９ｔ）を形成することを行い、
前記分断することでは、前記架橋配線のうち前記孔部が形成された部分を除去する請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
前記分断することでは、前記架橋配線のうち前記孔部が形成された部分を除去する請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項9】
前記架橋配線は、複数の前記接続対象に接続される複数の接続部（２９ａ、２９ｄ、２９ｆ、２９ｈ、２９ｊ、２９ｌ、２９ｎ）と、前記接続部に対して前記接続対象とは反対側に配置される頂部（２９ｃ）と、前記一面に対して傾斜し前記接続部および前記頂部を連結する複数の立設部（２９ｂ、２９ｅ、２９ｇ、２９ｉ、２９ｋ、２９ｍ、２９ｏ）と、を備え、
前記頂部は、前記立設部に接続された部分から中央部に向かって厚さが小さくなっており、
前記封止することでは、前記接続部と、前記立設部と、前記頂部の少なくとも一部とが封止されるように前記封止樹脂を配置し、
前記分断することでは、前記頂部のうち該厚さが小さくされた部分を除去して前記頂部を複数に分断する請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
前記頂部は、前記立設部に接続された部分から中央部に向かって厚さが小さくなっており、
前記封止することでは、前記接続部と、前記立設部と、前記頂部の少なくとも一部とが封止されるように前記封止樹脂を配置し、
前記分断することでは、前記頂部のうち該厚さが小さくされた部分を除去して前記頂部を複数に分断する請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、半導体装置およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【0002】
従来、ＩＧＢＴ（Insulated-Gate Bipolar Transistor）素子等の半導体素子を樹脂封止した構成の半導体装置では、半導体素子の電極を、半導体素子に接続されたボンディングワイヤと、封止樹脂の側面から突出したリードとを介してゲート駆動回路に接続している。このような接続方法では、配線が横方向に広がるため、半導体装置の横方向の寸法が大きくなる。また、経路長が長くなるため、寄生インダクタンスが大きくなる。
【0003】
例えば特許文献１では、半導体素子の上面に対して垂直に延設された配線を形成し、この配線により半導体素子と駆動回路とを接続している。これによれば、ワイヤボンドレス化による半導体装置の小型化や、経路短縮による寄生インダクタンスの低減を図ることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開２０１０－１２９５５０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
しかしながら、垂直に引き出された配線は単独では保持が困難であるため、樹脂封止時に配線が倒れて工程不具合が発生するおそれがある。
【0006】
本発明は上記点に鑑みて、不具合の発生を抑制することができる半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、半導体装置であって、基板（１１）の一面（１１ａ）側に配置された第１接続対象（１２ａ、１５）および第２接続対象（１２ｂ、１６）と、第１接続対象に接続された第１引き出し配線（１８、２５、３１、３２）および第２接続対象に接続された第２引き出し配線（１９、２６、３０）と、第１接続対象、第２接続対象、第１引き出し配線、第２引き出し配線を封止する封止樹脂（２７）と、を備え、第１引き出し配線は、第１接続対象に接続された第１接続部（１８ａ、２５ａ、３１ａ、３２ａ）と、封止樹脂から露出した第１頂部（１８ｃ、２５ｃ、３１ｃ、３２ｃ）と、一面に対して傾斜し第１接続部および第１頂部を連結する第１立設部（１８ｂ、２５ｂ、３１ｂ、３２ｂ）と、を備え、第２引き出し配線は、第２接続対象に接続された第２接続部（１９ａ、２６ａ、３０ａ）と、封止樹脂から露出した第２頂部（１９ｃ、２６ｃ、３０ｃ）と、一面に対して傾斜し第２接続部および第２頂部を連結する第２立設部（１９ｂ、２６ｂ、３０ｂ）と、を備え、第１頂部と第２頂部とは、互いに対向して配置されている。
【0008】
第１頂部と第２頂部とが互いに対向して配置された第１引き出し配線および第２引き出し配線は、半導体装置の製造時に、第１接続対象と第２接続対象とを架橋する形状の配線を形成し、樹脂封止後にこの配線の一部を除去することによって形成することができる。配線を複数の接続対象を架橋する形状とすることにより、配線が複数の点で支持されるため、樹脂封止による配線の倒れを抑制し、不具合の発生を抑制することができる。
【0009】
また、請求項６に記載の発明では、半導体装置の製造方法であって、基板（１１）の一面（１１ａ）側に複数の接続対象（１２ａ、１２ｂ、１５、１６）を配置することと、複数の接続対象を架橋する形状の架橋配線（２９）を形成することと、接続対象および架橋配線を封止樹脂（２７）で封止することと、封止樹脂の表面に架橋配線の一部を露出させることと、該露出した架橋配線を分断することと、を行う。
【0010】
これによれば、配線が複数の接続対象を架橋する形状とされ、複数の点で支持されるため、樹脂封止による配線の倒れを抑制し、不具合の発生を抑制することができる。
【0011】
なお、各構成要素等に付された括弧付きの参照符号は、その構成要素等と後述する実施形態に記載の具体的な構成要素等との対応関係の一例を示すものである。
【図面の簡単な説明】
【0012】
【図1】第１実施形態にかかる半導体装置の斜視図である。
【図2】半導体装置の内部構成を示す斜視図である。
【図3】半導体素子近傍の斜視図である。
【図4】半導体素子近傍の上面図である。
【図6A】半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【図7】半導体装置の製造工程を示す斜視図である。
【図8】比較例の断面図である。
【図9】比較例の製造工程を示す断面図である。
【図10】第２実施形態にかかる半導体装置の上面図である。
【図11】半導体装置の内部構成を示す上面図である。
【図12】配線が配置された様子を示す上面図である。
【図13】半導体装置の製造工程を示す上面図である。
【図14】第３実施形態における半導体装置の製造工程を示す斜視図である。
【図15】半導体装置の製造工程を示す上面図である。
【図16】第４実施形態にかかる半導体装置の断面図である。
【図17】第５実施形態にかかる半導体装置の断面図である。
【図18A】半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【図19】第６実施形態にかかる半導体装置の断面図である。
【図20A】半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0013】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、同一符号を付して説明を行う。
【0014】
（第１実施形態）
第１実施形態について説明する。図１～図５に示す本実施形態の半導体装置１０は、例えばモータ駆動のためのスイッチング装置として用いられるパワーモジュールである。図１～図５に示すように、半導体装置１０は、基板１１と、上面配線１２と、下面配線１３と、接合材１４と、半導体素子１５と、半導体素子１６と、接合材１７とを備える。また、半導体装置１０は、引き出し配線１８と、引き出し配線１９と、バスバー２０と、バスバー２１と、Ｐ端子２２と、Ｎ端子２３と、Ｏ端子２４と、引き出し配線２５と、引き出し配線２６と、封止樹脂２７とを備える。図５に示すように、半導体装置１０は、駆動回路５０に接続されている。駆動回路５０は、半導体素子１５、１６を駆動するための回路である。
第１実施形態について説明する。図１～図５に示す本実施形態の半導体装置１０は、例えばモータ駆動のためのスイッチング装置として用いられるパワーモジュールである。図１～図５に示すように、半導体装置１０は、基板１１と、上面配線１２と、下面配線１３と、接合材１４と、半導体素子１５と、半導体素子１６と、接合材１７とを備える。また、半導体装置１０は、引き出し配線１８と、引き出し配線１９と、バスバー２０と、バスバー２１と、Ｐ端子２２と、Ｎ端子２３と、Ｏ端子２４と、引き出し配線２５と、引き出し配線２６と、封止樹脂２７とを備える。図５に示すように、半導体装置１０は、駆動回路５０に接続されている。駆動回路５０は、半導体素子１５、１６を駆動するための回路である。
【0015】
基板１１は、樹脂等で構成された絶縁性基板である。基板１１の上面、下面をそれぞれ一面１１ａ、他面１１ｂとする。一面１１ａ、他面１１ｂにはそれぞれ上面配線１２、下面配線１３が形成されている。上面配線１２、下面配線１３は銅、アルミニウム等の導電性金属で構成されている。上面配線１２の上面には、接合材１４によって半導体素子１５、半導体素子１６が接合されている。接合材１４は、はんだ等で構成されている。
【0016】
半導体素子１５、１６は、例えばＩＧＢＴ素子や、ＳｉＣ（炭化珪素）を用いたＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）素子等のスイッチング素子である。上面配線１２のうち、半導体素子１５が配置された部分を上面配線１２ａとし、半導体素子１６が配置された部分を上面配線１２ｂとする。図３、図４に示すように、上面配線１２ａ、１２ｂは分離されている。半導体素子１５および上面配線１２ａは、第１接続対象に相当する。半導体素子１６および上面配線１２ｂは、第２接続対象に相当する。
【0017】
図５に示すように、半導体素子１５、１６には、それぞれのゲート電極に接続された信号パッド１５ａ、１６ａが形成されている。信号パッド１５ａ、１６ａは、それぞれ複数形成されている。半導体素子１５、１６は、信号パッド１５ａ、１６ａにおいて、接合材１７によって引き出し配線１８、１９に接続されている。接合材１７は、はんだ等で構成されている。引き出し配線１８、１９は、半導体素子１５、１６を駆動回路５０に接続するためのものであり、アルミニウム等の導電性金属で構成されている。
【0018】
図２に示すように、半導体素子１５、１６の上面には、バスバー２０、２１が接合されている。半導体素子１５、１６は、バスバー２０、２１、上面配線１２を介して、Ｐ端子２２、Ｎ端子２３、Ｏ端子２４に接続されている。Ｐ端子２２、Ｎ端子２３、Ｏ端子２４は、半導体素子１５、１６を図示しない電源に接続するためのものであり、アルミニウム等で構成されている。
【0019】
引き出し配線２５、２６は、上面配線１２ａ、１２ｂを駆動回路５０に接続するためのものであり、アルミニウム等の導電性金属で構成されている。引き出し配線１８、２５は、第１引き出し配線に相当する。引き出し配線１９、２６は、第２引き出し配線に相当する。
【0020】
図１、図５に示すように、基板１１～引き出し配線２６は、封止樹脂２７によって封止されている。一面１１ａに平行で互いに垂直な２方向をそれぞれＸ方向、Ｙ方向とする。半導体素子１５、１６はＸ方向に並んでおり、封止樹脂２７は、Ｘ方向を長手方向とし、Ｙ方向を短手方向とする矩形板状に形成されている。封止樹脂２７の上面、すなわち、基板１１に対して半導体素子１５、１６と同じ側の面を一面２７ａとし、上面とは反対側の下面を他面２７ｂとする。また、封止樹脂２７の側面のうち、Ｙ方向に平行な２つの面をそれぞれ側面２７ｃ、２７ｄとする。
【0021】
下面配線１３のうち基板１１とは反対側の面は、他面２７ｂに露出している。Ｐ端子２２、Ｎ端子２３のうち上面配線１２、半導体素子１５、１６等とは反対側の端部は、側面２７ｃから突出している。Ｏ端子２４のうち上面配線１２、半導体素子１５、１６等とは反対側の端部は、側面２７ｄから突出している。図１に示すように、封止樹脂２７の一部は、側面２７ｃから突出して、Ｐ端子２２、Ｎ端子２３の根元を覆っている。また、封止樹脂２７の一部は、側面２７ｄから突出して、Ｏ端子２４の根元を覆っている。
【0022】
引き出し配線１８は、一部が封止樹脂２７から露出している。具体的には、図３～図５に示すように、引き出し配線１８は、接続部１８ａと、立設部１８ｂと、頂部１８ｃとを備えている。接続部１８ａは、半導体素子１５に接続された部分であり、一面１１ａに平行な板状に形成されている。立設部１８ｂは、接続部１８ａと頂部１８ｃとを連結する部分であり、一面１１ａに対して傾斜して、半導体素子１５に対して基板１１とは反対側に立設されている。頂部１８ｃは、駆動回路５０に接続される部分であり、一面１１ａに平行な板状に形成されている。引き出し配線１８は、頂部１８ｃの上面において一面２７ａに露出している。頂部１８ｃは、一面２７ａのうち、側面２７ｃ、２７ｄおよび他の２つの側面から離れた内周部に露出しており、頂部１８ｃの上面は一面２７ａと同じ平面を構成している。
【0023】
引き出し配線１９、２５、２６についても、これと同様である。すなわち、引き出し配線１９は、接続部１９ａと、立設部１９ｂと、頂部１９ｃとを備えている。接続部１９ａは、半導体素子１６に接続された部分である。立設部１９ｂは、接続部１９ａと頂部１９ｃとを連結する部分である。頂部１９ｃは、駆動回路５０に接続される部分である。
【0024】
また、引き出し配線２５は、接続部２５ａと、立設部２５ｂと、頂部２５ｃとを備えている。接続部２５ａは、上面配線１２ａに接続された部分である。立設部２５ｂは、接続部２５ａと頂部２５ｃとを連結する部分である。頂部２５ｃは、駆動回路５０に接続される部分である。
【0025】
また、引き出し配線２６は、接続部２６ａと、立設部２６ｂと、頂部２６ｃとを備えている。接続部２６ａは、上面配線１２ｂに接続された部分である。立設部２６ｂは、接続部２６ａと頂部２６ｃとを連結する部分である。頂部２６ｃは、駆動回路５０に接続される部分である。
【0026】
そして、接続部１９ａ、２５ａ、２６ａ、頂部１９ｃ、２５ｃ、２６ｃは、一面１１ａに平行な板状に形成されている。立設部１９ｂ、２５ｂ、２６ｂは、一面１１ａに対して傾斜して、半導体素子１６、上面配線１２ａ、１２ｂに対して基板１１とは反対側に立設されている。引き出し配線１９、２５、２６は、頂部１９ｃ、２５ｃ、２６ｃの上面において一面２７ａに露出している。頂部１９ｃ、２５ｃ、２６ｃは、一面２７ａのうち、側面２７ｃ、２７ｄおよび他の２つの側面から離れた内周部に露出しており、頂部１９ｃ、２５ｃ、２６ｃの上面は一面２７ａと同じ平面を構成している。
【0027】
本実施形態では、立設部１８ｂ、１９ｂ、２５ｂ、２６ｂは、一面１１ａに対して垂直な板状の部材とされている。接続部１８ａ、２５ａは第１接続部に相当し、立設部１８ｂ、２５ｂは第１立設部に相当し、頂部１８ｃ、２５ｃは第１頂部に相当する。接続部１９ａ、２６ａは第２接続部に相当し、立設部１９ｂ、２６ｂは第２立設部に相当し、頂部１９ｃ、２６ｃは第２頂部に相当する。
【0028】
図１、図５に示すように、封止樹脂２７には、凹部２８が形成されている。凹部２８は、一面２７ａに開口して、Ｙ方向に直線状に延設されている。凹部２８は、頂部１８ｃ、２５ｃと頂部１９ｃ、２６ｃとの間に形成されており、頂部１８ｃ、２５ｃと頂部１９ｃ、２６ｃとは、凹部２８を挟んで対向している。頂部１８ｃ、２５ｃの端面と、頂部１９ｃ、２６ｃの端面は、凹部２８において露出している。
【0029】
引き出し配線１８、１９は、それぞれ複数形成されている。具体的には、半導体素子１５、１６には５つの信号パッド１５ａ、１６ａが形成されており、図１～図４に示すように、引き出し配線１８、１９は信号パッド１５ａ、１６ａに対応してそれぞれ５つ形成されている。５つの引き出し配線１８と引き出し配線２５とは、Ｙ方向に並んでいる。また、５つの引き出し配線１９と引き出し配線２６とは、凹部２８に対して引き出し配線１８、２５とは反対側において、Ｙ方向に並んでいる。図４の破線部は、凹部２８に対応する領域である。そして、５つの頂部１８ｃおよび頂部２５ｃの端面と、５つの頂部１９ｃおよび頂部２６ｃの端面とは、凹部２８において露出し、凹部２８を挟んで対向している。
【0030】
【0031】
半導体素子１５、１６は、Ｐ端子２２、Ｎ端子２３、Ｏ端子２４を介して図示しない電源および図示しないモータ等の電気負荷に接続される。また、図５に示すように、半導体素子１５、１６は、引き出し配線１８、１９、および接合材６０を介して駆動回路５０に接続される。半導体装置１０では、駆動回路５０から半導体素子１５、１６のゲート電極に入力される信号によって半導体素子１５、１６のオンとオフとが切り替えられ、電気負荷への供給電流が制御される。
【0032】
半導体装置１０の製造方法について説明する。本実施形態の半導体装置１０は、図６Ａ～図６Ｅに示す工程によって製造される。図６Ａに示す工程では、基板１１を用意し、フォトリソグラフィおよびエッチングを用いて、一面１１ａに上面配線１２を形成し、他面１１ｂに下面配線１３を形成する。また、半導体プロセスによって半導体素子１５、１６を形成し、接合材１４によって上面配線１２ａ、１２ｂの上面に半導体素子１５、１６を接合する。図６Ａ～図６Ｅでは図示を省略しているが、半導体素子１５、１６が上面配線１２に接合された後に、バスバー２０、２１、Ｐ端子２２、Ｎ端子２３、Ｏ端子２４が半導体素子１５、１６、上面配線１２に接合される。
【0033】
図６Ｂに示す工程では、半導体素子１５、１６に配線を接続する。具体的には、半導体素子１５と半導体素子１６とを接続する架橋配線２９を用意し、半導体素子１５、１６の上面に形成された信号パッド１５ａ、１６ａに、接合材１７によって架橋配線２９を接合する。なお、架橋配線２９は、上面配線１２ａ、１２ｂにも接合される。
【0034】
図６Ｂ、図７に示すように、架橋配線２９は、接続部２９ａと、立設部２９ｂと、頂部２９ｃとを備えている。接続部２９ａは、信号パッド１５ａに接続された部分であり、一面１１ａに平行な板状に形成されている。立設部２９ｂは、接続部２９ａと頂部２９ｃとを連結する部分であり、一面１１ａに対して傾斜して、半導体素子１５に対して基板１１とは反対側に立設されている。頂部２９ｃは、接続部２９ａに対して半導体素子１５とは反対側に配置されており、一面１１ａに平行な板状に形成されている。頂部２９ｃは、厚さが一定とされている。
【0035】
また、架橋配線２９は、信号パッド１６ａに接続された接続部２９ｄと、接続部２９ｄと頂部２９ｃとを連結する立設部２９ｅとを備えている。また、架橋配線２９は、上面配線１２ａに接続された接続部２９ｆと、接続部２９ｆと頂部２９ｃとを連結する立設部２９ｇとを備えている。また、架橋配線２９は、上面配線１２ｂに接続された接続部２９ｈと、接続部２９ｈと頂部２９ｃとを連結する立設部２９ｉとを備えている。接続部２９ｄ、２９ｆ、２９ｈは、一面１１ａに平行な板状に形成されている。立設部２９ｅ、２９ｇ、２９ｉは、一面１１ａに対して傾斜して、半導体素子１６、上面配線１２ａ、１２ｂに対して基板１１とは反対側に立設されている。本実施形態では、立設部２９ｂ、２９ｅ、２９ｇ、２９ｉは、一面１１ａに対して垂直な板状の部材とされている。
【0036】
架橋配線２９は、複数の信号パッド１５ａ、１６ａに対応して、複数の接続部２９ａ、２９ｄを備えている。立設部２９ｂ、２９ｅは、接続部２９ａ、２９ｄに対応して複数形成されており、１つの頂部２９ｃに対して複数の立設部２９ｂ、２９ｅと立設部２９ｇ、２９ｉとが接続されている。頂部２９ｃは、Ｘ方向に延設されて立設部２９ｂ、２９ｅ、２９ｇ、２９ｉに連結された部分と、この立設部２９ｂ、２９ｅ、２９ｇ、２９ｉに連結された部分を連結するようにＹ方向に延設された部分とで構成されている。前述したように信号パッド１５ａ、１６ａはそれぞれ５つ形成されており、接続部２９ａ、２９ｄ、立設部２９ｂ、２９ｅはそれぞれ５つ形成されている。
【0037】
このように、架橋配線２９は、半導体素子１５および上面配線１２ａと、半導体素子１６および上面配線１２ｂとを架橋する形状とされている。このような形状の架橋配線２９は、例えばプレス成形によって形成される。
【0038】
図６Ｃに示す工程では、基板１１～接合材１７、架橋配線２９を、封止樹脂２７によって封止する。なお、封止樹脂２７は、下面配線１３のうち基板１１とは反対側の面、および、Ｐ端子２２～Ｏ端子２４の端部が封止樹脂２７から露出するように形成される。
【0039】
図６Ｄに示す工程では、封止樹脂２７の一部を除去し、頂部２９ｃを露出させる。具体的には、封止樹脂２７のうち頂部２９ｃよりも上部に位置する表層部を切削によって除去する。これにより、頂部２９ｃの上面が封止樹脂２７から露出する。
【0040】
図６Ｅに示す工程では、頂部２９ｃの一部を除去して架橋配線２９を分断し、互いに電気的に絶縁された引き出し配線１８、１９、２５、２６を形成する。具体的には、頂部２９ｃのうちＹ方向に延設された部分と、その下の封止樹脂２７の一部とを切削により除去して、Ｙ方向に延設された凹部２８を形成する。
【0041】
これにより、架橋配線２９が引き出し配線１８、１９、２５、２６に分断される。すなわち、接続部２９ａと、立設部２９ｂと、頂部２９ｃのうち立設部２９ｂに連結された部分とが、それぞれ、接続部１８ａ、立設部１８ｂ、頂部１８ｃとなる。また、接続部２９ｄと、立設部２９ｅと、頂部２９ｃのうち立設部２９ｅに連結された部分とが、それぞれ、接続部１９ａ、立設部１９ｂ、頂部１９ｃとなる。また、接続部２９ｆと、立設部２９ｇと、頂部２９ｃのうち立設部２９ｇに連結された部分とが、それぞれ、接続部２５ａ、立設部２５ｂ、頂部２５ｃとなる。また、接続部２９ｈと、立設部２９ｉと、頂部２９ｃのうち立設部２９ｉに連結された部分とが、それぞれ、接続部２６ａ、立設部２６ｂ、頂部２６ｃとなる。
【0042】
本実施形態の効果について説明する。図８に示す比較例は、本実施形態の半導体装置１０とは異なり、引き出し配線１８、１９の代わりに垂直配線１００を備えている。垂直配線１００は、一面１１ａに対して垂直な方向に延設された棒状の配線とされており、一端が接合材１７を介して信号パッド１５ａ、１６ａに接続されており、他端が接合材６０を介して駆動回路５０に接続されている。また、この比較例は、引き出し配線２５、２６の代わりに図示しない２つの垂直配線を備えている。２つの垂直配線は、一面１１ａに対して垂直な方向に延設された棒状の配線とされており、一端が上面配線１２ａ、１２ｂに接続されており、他端が駆動回路５０に接続されている。
【0043】
【0044】
このように各垂直配線１００を単独で保持した状態で、図６Ｃに示す工程と同様に基板１１等を樹脂封止すると、垂直配線１００の保持が不安定であるため、樹脂の流入により垂直配線１００が倒れて工程不具合が発生するおそれがある。
【0045】
これに対して、本実施形態では、後に引き出し配線１８、１９、２５、２６となる架橋配線２９が、上面配線１２ａ、１２ｂ、半導体素子１５、１６を架橋するように配置され、接続部２９ａ、２９ｄ、２９ｆ、２９ｈによって複数の点で支持される。そのため、架橋配線２９を安定して保持することが可能となり、樹脂封止時に架橋配線２９が倒れにくくなる。
【0046】
以上説明したように、本実施形態では、複数の接続対象を架橋する形状の架橋配線２９を配置し、封止樹脂２７から露出した頂部２９ｃを分断することにより引き出し配線１８、１９、２５、２６を形成する。これによれば、架橋配線２９が複数の点で支持されるため、樹脂封止による架橋配線２９の倒れを抑制し、工程不具合の発生を抑制することができる。
【0047】
（第２実施形態）
第２実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対して上面配線１２、架橋配線２９の構成を変更したものであり、その他については第１実施形態と同様であるため、第１実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
第２実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対して上面配線１２、架橋配線２９の構成を変更したものであり、その他については第１実施形態と同様であるため、第１実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
【0048】
図１０に示すように、本実施形態のＰ端子２２、Ｎ端子２３、Ｏ端子２４は、封止樹脂２７の一面２７ａに露出している。図１１に示すように、上面配線１２ａ、１２ｂは、半導体素子１５、１６の外側に広い面積が確保されている。具体的には、上面配線１２ａのうち半導体素子１５に対してＹ方向一方側に、矩形状の領域１２ｃが確保されている。また、上面配線１２ｂのうち半導体素子１６に対してＹ方向他方側に、矩形状の領域１２ｄが確保されている。引き出し配線２５、２６は、それぞれ領域１２ｃ、１２ｄに接続されている。図１２に示すように、半導体装置１０は、引き出し配線３０、３１、３２と、バスバー３３とを備えている。
【0049】
引き出し配線３０は、上面配線１２ｂを駆動回路５０に接続するためのものである。引き出し配線３０は、接続部３０ａと、立設部３０ｂと、頂部３０ｃとを備えている。接続部３０ａは、上面配線１２ｂに接続された部分であり、領域１２ｄに接合されている。立設部３０ｂは、接続部３０ａと頂部３０ｃとを連結するものであり、一面１１ａに対して傾斜するように、上面配線１２ｂに対して基板１１とは反対側に立設されている。頂部３０ｃは、一面２７ａに露出して駆動回路５０に接続される部分である。Ｐ端子２２は、頂部３０ｃで構成されている。
【0050】
引き出し配線３１は、半導体素子１５の上面に形成された電極を駆動回路５０に接続するためのものである。引き出し配線３１は、接続部３１ａと、立設部３１ｂと、頂部３１ｃとを備えている。接続部３１ａは、半導体素子１５の上面電極に接続された部分である。立設部３１ｂは、接続部３１ａと頂部３１ｃとを連結するものであり、一面１１ａに対して傾斜するように、半導体素子１５に対して基板１１とは反対側に立設されている。頂部３１ｃは、一面２７ａに露出して駆動回路５０に接続される部分である。Ｎ端子２３は、頂部３１ｃで構成されている。
【0051】
引き出し配線３２は、上面配線１２ａを駆動回路５０に接続するためのものである。引き出し配線３２は、接続部３２ａと、立設部３２ｂと、頂部３２ｃとを備えている。接続部３２ａは、上面配線１２ａに接続された部分であり、領域１２ｃに接合されている。立設部３２ｂは、接続部３２ａと頂部３２ｃとを連結するものであり、一面１１ａに対して傾斜するように、上面配線１２ａに対して基板１１とは反対側に立設されている。頂部３２ｃは、一面２７ａに露出して駆動回路５０に接続される部分である。Ｏ端子２４は、頂部３２ｃで構成されている。
【0052】
接続部３０ａ、３１ａ、３２ａ、頂部３０ｃ、３１ｃ、３２ｃは、一面１１ａに平行な板状の部材とされている。立設部３０ｂ、３１ｂ、３２ｂは、一面１１ａに垂直な板状の部材とされている。
【0053】
半導体素子１６の上面には、バスバー３３が接合されている。半導体素子１５、１６は、上面配線１２、引き出し配線３０、３１、３２、バスバー３３を介して、駆動回路５０に接続されている。
【0054】
図１０に示すように、頂部１８ｃ、２５ｃ、３１ｃ、３２ｃは、Ｙ方向において頂部３２ｃ、２５ｃ、１８ｃ、３１ｃの順に並んでいる。頂部１９ｃ、２６ｃ、３０ｃは、Ｙ方向において頂部１９ｃ、２６ｃ、３０ｃの順に並んでいる。頂部１８ｃ、２５ｃ、３１ｃ、３２ｃと、頂部１９ｃ、２６ｃ、３０ｃとは、凹部２８を挟んで対向している。頂部１８ｃ、２５ｃ、３１ｃ、３２ｃの先端面と、頂部１９ｃ、２６ｃ、３０ｃの先端面とは、凹部２８において露出している。
【0055】
本実施形態では、引き出し配線１８、２５、３１、３２が第１引き出し配線に相当し、引き出し配線１９、２６、３０が第２引き出し配線に相当する。接続部３１ａ、３２ａは第１接続部に相当し、立設部３１ｂ、３２ｂは第１立設部に相当し、頂部３１ｃ、３２ｃは第１頂部に相当する。接続部３０ａは第２接続部に相当し、立設部３０ｂは第２立設部に相当し、頂部３０ｃは第２頂部に相当する。
【0056】
本実施形態では、図６Ａに示す工程の後、図１３に示す形状の架橋配線２９とバスバー３３が配置される。本実施形態の架橋配線２９は、半導体素子１５の信号パッド１５ａと、半導体素子１５の上面電極と、領域１２ｃと、半導体素子１６の信号パッド１６ａと、領域１２ｄとを架橋する形状とされる。架橋配線２９は、接続部２９ａ～立設部２９ｉに加えて、接続部２９ｊと、立設部２９ｋと、接続部２９ｌと、立設部２９ｍと、接続部２９ｎと、立設部２９ｏと、を備える。
【0057】
接続部２９ｊは、領域１２ｄに接続された部分である。立設部２９ｋは、接続部２９ｊと頂部２９ｃとを連結する部分である。接続部２９ｌは、半導体素子１５の上面電極に接続された部分である。立設部２９ｍは、接続部２９ｌと頂部２９ｃとを連結する部分である。接続部２９ｎは、領域１２ｃに接続された部分である。立設部２９ｏは、接続部２９ｎと頂部２９ｃとを連結する部分である。
【0058】
接続部２９ｊ、２９ｌ、２９ｎは、一面１１ａに平行な板状に形成されている。立設部２９ｋ、２９ｍ、２９ｏは、一面１１ａに対して傾斜して、上面配線１２、半導体素子１５に対して基板１１とは反対側に立設されている。本実施形態では、立設部２９ｋ、２９ｍ、２９ｏは、一面１１ａに対して垂直な板状の部材とされている。
【0059】
頂部２９ｃは、Ｙ方向に延設された部分を含んでいる。この延設された部分を頂部２９ｐとする。頂部２９ｃは、頂部２９ｐのＹ方向一方側端部においてＸ方向一方側に延設されている。この延設された部分を頂部２９ｑとする。頂部２９ｃは、頂部２９ｐのＹ方向他方側端部においてＸ方向一方側とＸ方向他方側に延設されている。このＸ方向一方側に延設された部分を頂部２９ｒとし、Ｘ方向他方側に延設された部分を頂部２９ｓとする。
【0060】
立設部２９ｂ、２９ｇは、頂部２９ｐのＸ方向一方側に連結されている。立設部２９ｅ、２９ｉは、頂部２９ｐのＸ方向他方側に連結されている。立設部２９ｋは、頂部２９ｓのＹ方向一方側に連結されている。立設部２９ｍは、頂部２９ｒのＹ方向一方側に連結されている。立設部２９ｏは、頂部２９ｑのＹ方向他方側に連結されている。
【0061】
本実施形態では、基板１１等を封止樹脂２７で封止し、封止樹脂２７を切削して頂部２９ｃを露出させた後、頂部２９ｐを除去するように切削を行い、凹部２８を形成する。これにより架橋配線２９が分断され、引き出し配線１８、１９、２５、２６、３０、３１、３２が形成される。
【0062】
すなわち、第１実施形態と同様に接続部２９ａ、２９ｄ、２９ｆ、２９ｈ、立設部２９ｂ、２９ｅ、２９ｇ、２９ｉ、頂部２９ｃの一部が引き出し配線１８、１９、２５、２６となる。また、接続部２９ｊ、立設部２９ｋ、頂部２９ｓがそれぞれ接続部３０ａ、立設部３０ｂ、頂部３０ｃとなる。また、接続部２９ｌ、立設部２９ｍ、頂部２９ｒがそれぞれ接続部３１ａ、立設部３１ｂ、頂部３１ｃとなる。また、接続部２９ｎ、立設部２９ｏ、頂部２９ｑがそれぞれ接続部３２ａ、立設部３２ｂ、頂部３２ｃとなる。
【0063】
本実施形態では、接合面積の大きいパワー配線の一部を架橋配線２９で構成しているため、架橋配線２９をさらに安定して保持することが可能となり、樹脂封止による架橋配線２９の倒れをさらに抑制することができる。
【0064】
本実施形態は、第１実施形態と同様の構成および作動からは第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
【0065】
（第３実施形態）
第３実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対して架橋配線２９の構成を変更したものであり、その他については第１実施形態と同様であるため、第１実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
第３実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対して架橋配線２９の構成を変更したものであり、その他については第１実施形態と同様であるため、第１実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
【0066】
本実施形態では、図６Ｂに示す工程において、図１４に示す架橋配線２９を配置する。この架橋配線２９には、頂部２９ｃを貫通する孔部２９ｔが形成されている。孔部２９ｔは複数形成されており、複数の孔部２９ｔは、Ｙ方向に並ぶように形成されている。なお、図１４では孔部２９ｔは頂部２９ｃの上面において円形状に開口しているが、孔部２９ｔが他の形状、例えば矩形状に開口していてもよい。孔部２９ｔは、例えば架橋配線２９をプレス成形する際に形成される。
【0067】
図６Ｅに示す工程では、孔部２９ｔを基準に切削工具の位置合わせをして切削を行う。具体的には、図１５に示すように、複数の孔部２９ｔを結ぶ直線Ｌ１が切削工具の移動経路の中心軸となるように設定し、切削を行う。
【0068】
本実施形態は、第１実施形態と同様の構成および作動からは第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
【0069】
また、上記実施形態によれば、以下のような効果を得ることができる。
【0070】
（１）架橋配線２９のうち図６Ｄに示す工程で封止樹脂２７から露出する部分に孔部２９ｔを形成し、図６Ｅに示す工程では架橋配線２９のうち孔部２９ｔが形成された部分を除去する。これによれば、凹部２８が形成される領域の中心軸が視認しやすくなるため、凹部２８の位置ずれを抑制することができる。また、凹部２８の形成時に除去される部分のうち、頂部２９ｃの占める部分が減って封止樹脂２７の占める部分が増えるため、架橋配線２９への切削ストレスが低減し、架橋配線２９の封止樹脂２７からの剥離を抑制することができ、絶縁性を向上させることができる。
【0071】
（第４実施形態）
第４実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対して埋め込み樹脂を追加したものであり、その他については第１実施形態と同様であるため、第１実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
第４実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対して埋め込み樹脂を追加したものであり、その他については第１実施形態と同様であるため、第１実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
【0072】
図１６に示すように、本実施形態の半導体装置１０は、凹部２８を埋め込む埋め込み樹脂３４を備える。頂部１８ｃの先端面と頂部１９ｃの先端面とは、埋め込み樹脂３４を挟んで対向している。埋め込み樹脂３４は絶縁性の樹脂材料で構成されている。また、埋め込み樹脂３４は、隙間を埋めるのに適した、封止樹脂２７よりもフィラーの小さい樹脂とされている。
【0073】
埋め込み樹脂３４は、図６Ｅに示す工程の後、駆動回路５０が半導体装置１０に接合される前に、例えば塗布によって凹部２８に埋め込まれる。
【0074】
本実施形態は、第１実施形態と同様の構成および作動からは第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
【0075】
また、上記実施形態によれば、以下のような効果を得ることができる。
【0076】
（１）凹部２８を埋め込む埋め込み樹脂３４を備える。これによれば、頂部１８ｃ、１９ｃの先端が樹脂で覆われるため、絶縁性が向上する。
【0077】
（第５実施形態）
第５実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対して封止樹脂２７、架橋配線２９の構成を変更したものであり、その他については第１実施形態と同様であるため、第１実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
第５実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対して封止樹脂２７、架橋配線２９の構成を変更したものであり、その他については第１実施形態と同様であるため、第１実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
【0078】
図１７に示すように、本実施形態の封止樹脂２７には凹部２８が形成されておらず、一面２７ａは平坦面とされている。そして、頂部１８ｃと頂部１９ｃとは、封止樹脂２７の一部を挟んで対向している。
【0079】
本実施形態では、図６Ａに示す工程の後、図１８Ａに示す形状の架橋配線２９が配置される。この架橋配線２９では、頂部２９ｃの下面側に凹部が形成されている。この凹部は、頂部２９ｃのＹ方向一方側端部から他方側端部に至るように、Ｙ方向に平行な直線状に形成されている。これにより、頂部２９ｃは、立設部２９ｂ、２９ｅ、２９ｇ、２９ｉに接続された部分よりも中央部の厚さが小さくされている。
【0080】
図１８Ｂに示す工程では、基板１１等を樹脂封止した後、破線Ｌ２の位置まで封止樹脂２７および架橋配線２９を切削する。これにより、頂部２９ｃのうち厚さが小さくされた中央部が除去されて、架橋配線２９が分断され、引き出し配線１８、１９、２５、２６が形成される。
【0081】
なお、図１８Ｂに示す工程では、頂部２９ｃのうち少なくとも破線Ｌ２より下の部分が封止樹脂２７によって封止されればよく、架橋配線２９のうち破線Ｌ２よりも上の部分が封止樹脂２７から露出していてもよい。
【0082】
本実施形態は、第１実施形態と同様の構成および作動からは第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
【0083】
（第６実施形態）
第６実施形態について説明する。本実施形態は、第５実施形態に対して架橋配線２９の形状を変更したものであり、その他については第５実施形態と同様であるため、第５実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
第６実施形態について説明する。本実施形態は、第５実施形態に対して架橋配線２９の形状を変更したものであり、その他については第５実施形態と同様であるため、第５実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
【0084】
図１９に示すように、本実施形態の頂部１８ｃは、立設部１８ｂに接続された部分から頂部１９ｃに対向する端部に向かって厚さが小さくなる先細り形状とされている。また、頂部１９ｃは、立設部１９ｂに接続された部分から頂部１８ｃに対向する端部に向かって厚さが小さくなる先細り形状とされている。
【0085】
本実施形態では、図６Ａに示す工程の後、図２０Ａに示す形状の架橋配線２９が配置される。この架橋配線２９では、頂部２９ｃの下面側に凹部が形成されている。この凹部は、頂部２９ｃのＹ方向一方側端部から他方側端部に至るように、Ｙ方向に平行な直線状に形成されている。また、この凹部は、頂部２９ｃのＸ方向一方側端部および他方側端部から中央部に近づくにつれて深さが大きくなるように形成されている。これにより、頂部２９ｃは、立設部２９ｂ、２９ｅ、２９ｇ、２９ｉに接続された部分から中央部に向かって厚さが小さくされている。
【0086】
図２０Ｂに示す工程では、基板１１等を樹脂封止した後、破線Ｌ３の位置まで封止樹脂２７および架橋配線２９を切削する。これにより、頂部２９ｃのうち厚さが所定値よりも小さくされた中央部が除去されて、架橋配線２９が分断され、引き出し配線１８、１９、２５、２６が形成される。
【0087】
なお、図２０Ｂに示す工程では、頂部２９ｃのうち少なくとも破線Ｌ３より下の部分が封止樹脂２７によって封止されればよく、架橋配線２９のうち破線Ｌ３よりも上の部分が封止樹脂２７から露出していてもよい。
【0088】
本実施形態は、第１、第５実施形態と同様の構成および作動からは第１、第５実施形態と同様の効果を得ることができる。
【0089】
（他の実施形態）
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。また、上記各実施形態は、互いに無関係なものではなく、組み合わせが明らかに不可な場合を除き、適宜組み合わせが可能である。また、上記各実施形態において、実施形態を構成する要素は、特に必須であると明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。また、上記各実施形態において、実施形態の構成要素の個数、数値、量、範囲等の数値が言及されている場合、特に必須であると明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではない。また、上記各実施形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に特定の形状、位置関係等に限定される場合等を除き、その形状、位置関係等に限定されるものではない。
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。また、上記各実施形態は、互いに無関係なものではなく、組み合わせが明らかに不可な場合を除き、適宜組み合わせが可能である。また、上記各実施形態において、実施形態を構成する要素は、特に必須であると明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。また、上記各実施形態において、実施形態の構成要素の個数、数値、量、範囲等の数値が言及されている場合、特に必須であると明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではない。また、上記各実施形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に特定の形状、位置関係等に限定される場合等を除き、その形状、位置関係等に限定されるものではない。
【0090】
第２実施形態において、第３実施形態のように孔部２９ｔを形成してもよい。第２、第３実施形態において、第４実施形態のように凹部２８を埋め込み樹脂３４で埋め込んでもよい。第２～第４実施形態において、第５、第６実施形態のように頂部２９ｃの一部を薄くしてもよい。第５、第６実施形態において、第１実施形態のように凹部２８を形成して架橋配線２９を分断してもよい。
【0091】
上記各実施形態では、半導体素子１５および上面配線１２ａを第１接続対象とし、半導体素子１６および上面配線１２ｂを第２接続対象としたが、半導体素子１５のみを第１接続対象としてもよいし、上面配線１２ａのみを第１接続対象としてもよい。また、半導体素子１６のみを第２接続対象としてもよいし、上面配線１２ｂのみを第２接続対象としてもよい。また、第１、第２接続対象に半導体素子１５、１６、上面配線１２以外の部材が含まれていてもよい。例えば、第１、第２接続対象のうち一方または両方に基板１１が含まれていてもよい。
【0092】
架橋配線２９は、少なくとも２点で支持されればよい。すなわち、半導体装置１０が、第１引き出し配線と第２引き出し配線を少なくとも１つずつ備えていればよい。しかしながら、架橋配線２９を３点で支持することにより、架橋配線２９をさらに安定して保持することが可能となり、樹脂封止による架橋配線２９の倒れをさらに抑制することができる。この場合、第１引き出し配線と第２引き出し配線の少なくともいずれか一方が２つ以上形成される。
【0093】
立設部１８ｂ、立設部１９ｃ、立設部２９ｂは、基板１１の上面に対して傾斜して上方に引き出されていればよく、基板１１の上面に垂直でなくてもよい。
【0094】
（本開示の特徴）
［第１の観点］
半導体装置であって、
基板（１１）の一面（１１ａ）側に配置された第１接続対象（１２ａ、１５）および第２接続対象（１２ｂ、１６）と、
前記第１接続対象に接続された第１引き出し配線（１８、２５、３１、３２）および前記第２接続対象に接続された第２引き出し配線（１９、２６、３０）と、
前記第１接続対象、前記第２接続対象、前記第１引き出し配線、前記第２引き出し配線を封止する封止樹脂（２７）と、を備え、
前記第１引き出し配線は、前記第１接続対象に接続された第１接続部（１８ａ、２５ａ、３１ａ、３２ａ）と、前記封止樹脂から露出した第１頂部（１８ｃ、２５ｃ、３１ｃ、３２ｃ）と、前記一面に対して傾斜し前記第１接続部および前記第１頂部を連結する第１立設部（１８ｂ、２５ｂ、３１ｂ、３２ｂ）と、を備え、
前記第２引き出し配線は、前記第２接続対象に接続された第２接続部（１９ａ、２６ａ、３０ａ）と、前記封止樹脂から露出した第２頂部（１９ｃ、２６ｃ、３０ｃ）と、前記一面に対して傾斜し前記第２接続部および前記第２頂部を連結する第２立設部（１９ｂ、２６ｂ、３０ｂ）と、を備え、
前記第１頂部と前記第２頂部とは、互いに対向して配置されている半導体装置。
［第２の観点］
前記第１頂部と前記第２頂部とは、前記封止樹脂に形成された凹部（２８）を挟んで対向している第１の観点に記載の半導体装置。
［第３の観点］
前記第１頂部の端面と前記第２頂部の端面とは、前記凹部において前記封止樹脂から露出している第２の観点に記載の半導体装置。
［第４の観点］
前記凹部を埋め込む埋め込み樹脂（３４）を備える第２または第３の観点に記載の半導体装置。
［第５の観点］
前記第１頂部は、前記第１立設部に接続された部分から前記第２頂部に対向する端部に向かって厚さが小さくなる先細り形状とされており、
前記第２頂部は、前記第２立設部に接続された部分から前記第１頂部に対向する端部に向かって厚さが小さくなる先細り形状とされている第１ないし第４の観点のいずれか１つに記載の半導体装置。
［第６の観点］
半導体装置の製造方法であって、
基板（１１）の一面（１１ａ）側に複数の接続対象（１２ａ、１２ｂ、１５、１６）を配置することと、
複数の前記接続対象を架橋する形状の架橋配線（２９）を形成することと、
前記接続対象および前記架橋配線を封止樹脂（２７）で封止することと、
前記封止樹脂の表面に前記架橋配線の一部を露出させることと、
該露出した前記架橋配線を分断することと、を行う半導体装置の製造方法。
［第７の観点］
前記分断することでは、該露出した前記架橋配線の一部を除去して複数の前記接続対象を絶縁させるように前記封止樹脂の表面に凹部（２８）を形成する第６の観点に記載の半導体装置の製造方法。
［第８の観点］
前記架橋配線のうち、前記露出させることで前記封止樹脂から露出する部分に孔部（２９ｔ）を形成することを行い、
前記分断することでは、前記架橋配線のうち前記孔部が形成された部分を除去する第７の観点に記載の半導体装置の製造方法。
［第９の観点］
前記架橋配線は、複数の前記接続対象に接続される複数の接続部（２９ａ、２９ｄ、２９ｆ、２９ｈ、２９ｊ、２９ｌ、２９ｎ）と、前記接続部に対して前記接続対象とは反対側に配置される頂部（２９ｃ）と、前記一面に対して傾斜し前記接続部および前記頂部を連結する複数の立設部（２９ｂ、２９ｅ、２９ｇ、２９ｉ、２９ｋ、２９ｍ、２９ｏ）と、を備え、
前記頂部は、前記立設部に接続された部分から中央部に向かって厚さが小さくなっており、
前記封止することでは、前記接続部と、前記立設部と、前記頂部の少なくとも一部とが封止されるように前記封止樹脂を配置し、
前記分断することでは、前記頂部のうち該厚さが小さくされた部分を除去して前記頂部を複数に分断する第６ないし第８の観点のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
［第１の観点］
半導体装置であって、
基板（１１）の一面（１１ａ）側に配置された第１接続対象（１２ａ、１５）および第２接続対象（１２ｂ、１６）と、
前記第１接続対象に接続された第１引き出し配線（１８、２５、３１、３２）および前記第２接続対象に接続された第２引き出し配線（１９、２６、３０）と、
前記第１接続対象、前記第２接続対象、前記第１引き出し配線、前記第２引き出し配線を封止する封止樹脂（２７）と、を備え、
前記第１引き出し配線は、前記第１接続対象に接続された第１接続部（１８ａ、２５ａ、３１ａ、３２ａ）と、前記封止樹脂から露出した第１頂部（１８ｃ、２５ｃ、３１ｃ、３２ｃ）と、前記一面に対して傾斜し前記第１接続部および前記第１頂部を連結する第１立設部（１８ｂ、２５ｂ、３１ｂ、３２ｂ）と、を備え、
前記第２引き出し配線は、前記第２接続対象に接続された第２接続部（１９ａ、２６ａ、３０ａ）と、前記封止樹脂から露出した第２頂部（１９ｃ、２６ｃ、３０ｃ）と、前記一面に対して傾斜し前記第２接続部および前記第２頂部を連結する第２立設部（１９ｂ、２６ｂ、３０ｂ）と、を備え、
前記第１頂部と前記第２頂部とは、互いに対向して配置されている半導体装置。
［第２の観点］
前記第１頂部と前記第２頂部とは、前記封止樹脂に形成された凹部（２８）を挟んで対向している第１の観点に記載の半導体装置。
［第３の観点］
前記第１頂部の端面と前記第２頂部の端面とは、前記凹部において前記封止樹脂から露出している第２の観点に記載の半導体装置。
［第４の観点］
前記凹部を埋め込む埋め込み樹脂（３４）を備える第２または第３の観点に記載の半導体装置。
［第５の観点］
前記第１頂部は、前記第１立設部に接続された部分から前記第２頂部に対向する端部に向かって厚さが小さくなる先細り形状とされており、
前記第２頂部は、前記第２立設部に接続された部分から前記第１頂部に対向する端部に向かって厚さが小さくなる先細り形状とされている第１ないし第４の観点のいずれか１つに記載の半導体装置。
［第６の観点］
半導体装置の製造方法であって、
基板（１１）の一面（１１ａ）側に複数の接続対象（１２ａ、１２ｂ、１５、１６）を配置することと、
複数の前記接続対象を架橋する形状の架橋配線（２９）を形成することと、
前記接続対象および前記架橋配線を封止樹脂（２７）で封止することと、
前記封止樹脂の表面に前記架橋配線の一部を露出させることと、
該露出した前記架橋配線を分断することと、を行う半導体装置の製造方法。
［第７の観点］
前記分断することでは、該露出した前記架橋配線の一部を除去して複数の前記接続対象を絶縁させるように前記封止樹脂の表面に凹部（２８）を形成する第６の観点に記載の半導体装置の製造方法。
［第８の観点］
前記架橋配線のうち、前記露出させることで前記封止樹脂から露出する部分に孔部（２９ｔ）を形成することを行い、
前記分断することでは、前記架橋配線のうち前記孔部が形成された部分を除去する第７の観点に記載の半導体装置の製造方法。
［第９の観点］
前記架橋配線は、複数の前記接続対象に接続される複数の接続部（２９ａ、２９ｄ、２９ｆ、２９ｈ、２９ｊ、２９ｌ、２９ｎ）と、前記接続部に対して前記接続対象とは反対側に配置される頂部（２９ｃ）と、前記一面に対して傾斜し前記接続部および前記頂部を連結する複数の立設部（２９ｂ、２９ｅ、２９ｇ、２９ｉ、２９ｋ、２９ｍ、２９ｏ）と、を備え、
前記頂部は、前記立設部に接続された部分から中央部に向かって厚さが小さくなっており、
前記封止することでは、前記接続部と、前記立設部と、前記頂部の少なくとも一部とが封止されるように前記封止樹脂を配置し、
前記分断することでは、前記頂部のうち該厚さが小さくされた部分を除去して前記頂部を複数に分断する第６ないし第８の観点のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
【符号の説明】
【0095】
１１ 基板
１２、１２ａ、１２ｂ 上面配線
１５ 半導体素子
１６ 半導体素子
１８ 引き出し配線
１９ 引き出し配線
２７ 封止樹脂
１２、１２ａ、１２ｂ 上面配線
１５ 半導体素子
１６ 半導体素子
１８ 引き出し配線
１９ 引き出し配線
２７ 封止樹脂
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6A】
【図6B】
【図6C】
【図6D】
【図6E】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18A】
【図18B】
【図19】
【図20A】
【図20B】