特開 2024-125920 導電粒子及びその製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024125920

(43)【公開日】2024-09-19

(54)【発明の名称】導電粒子及びその製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01B 13/00 20060101AFI20240911BHJP

   H01B 5/00 20060101ALI20240911BHJP

【ＦＩ】

H01B13/00 501Z

H01B5/00 C

【審査請求】未請求

【請求項の数】10

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023034054

(22)【出願日】2023-03-06

(71)【出願人】

【識別番号】521467881

【氏名又は名称】吉林ＯＬＥＤ日本研究所株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100187388

【弁理士】

【氏名又は名称】樋口 天光

(72)【発明者】

【氏名】張 鵬

(72)【発明者】

【氏名】古山 晃一

【テーマコード（参考）】

5G307

【Ｆターム（参考）】

5G307AA08

(57)【要約】

【課題】異方性導電フィルム用の導電粒子において、球状形状を有し且つ絶縁材料よりなる基材粒子の表面に導電膜を均一に厚く形成することができる導電粒子を提供する。
【解決手段】導電粒子１の製造方法は、ポリドデカンアミドよりなる基材粒子２を用意する工程と、基材粒子２の表面を覆い、且つ、Ｎｉ、Ｃｕ及びＴｉを含有する合金よりなる金属層３を、バレルスパッタリング法により形成する工程と、を有する。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

（ａ）ポリドデカンアミドよりなる基材粒子を用意する工程、
（ｂ）前記基材粒子の表面を覆い、且つ、Ｎｉ、Ｃｕ及びＴｉを含有する第１合金よりなる第１金属層を、バレルスパッタリング法により形成する工程、
を有する、導電粒子の製造方法。

【請求項2】

請求項１に記載の導電粒子の製造方法において、
（ｃ）前記（ａ）工程の後、前記（ｂ）工程の前に、前記基材粒子の表面を覆い、且つ、Ｎｉ及びＢを含有するか又はＮｉ及びＰを含有する第２合金よりなる第２金属層を、無電解めっき法により形成する工程、
を有し、
前記（ｂ）工程では、前記第２金属層を介して前記基材粒子の表面を覆う前記第１金属層を形成する、導電粒子の製造方法。

【請求項3】

請求項２に記載の導電粒子の製造方法において、
前記第１金属層の第１厚さは、前記第２金属層の第２厚さよりも厚い、導電粒子の製造方法。

【請求項4】

請求項１に記載の導電粒子の製造方法において、
（ｄ）前記（ｂ）工程の前に、アルミナ、ジルコニア又はシリカよりなるメディア粒子を用意する工程、
を有し、
前記基材粒子の第１平均粒径は、前記メディア粒子の第２平均粒径よりも小さく、
前記（ｂ）工程では、前記第１金属層を、バレルスパッタリング装置を用いたバレルスパッタリング法により形成し、
前記バレルスパッタリング装置は、
水平方向に沿った第１軸を中心として揺動可能又は回転可能に設けられた真空容器と、
前記真空容器内を真空排気する真空排気部と、
前記真空容器を前記第１軸を中心として揺動駆動又は回転駆動する駆動部と、
前記真空容器内に配置され、且つ、Ｎｉ、Ｃｕ及びＴｉを含有する第３合金よりなるターゲットと、
前記ターゲットに電力を供給する電力供給部と、
を含み、
前記（ｂ）工程は、
（ｂ１）前記基材粒子及び前記メディア粒子を、前記真空容器内に収容する工程、
（ｂ２）前記（ｂ１）工程の後、前記真空容器内を前記真空排気部により真空排気する工程、
（ｂ３）前記（ｂ２）工程の後、前記真空容器内が前記真空排気部により真空排気された状態で、前記真空容器を前記駆動部により揺動駆動又は回転駆動し、前記電力供給部により前記ターゲットに電力を供給し、電力が供給されている前記ターゲットがスパッタされることにより、前記真空容器内に収容されている前記基材粒子の表面を覆う前記第１金属層を形成し、前記真空容器内に収容されている前記メディア粒子の表面を覆い、且つ、Ｎｉ、Ｃｕ及びＴｉを含有する第４合金よりなる第３金属層を形成する工程、
（ｂ４）前記（ｂ３）工程の後、前記基材粒子を前記メディア粒子から篩分ける工程、
を含む、導電粒子の製造方法。

【請求項5】

請求項４に記載の導電粒子の製造方法において、
前記（ｂ２）工程では、前記真空容器内を前記真空排気部により真空排気することにより、前記真空容器内の圧力を９．５×１０^－４～３．７×１０^－３Ｐａの第１圧力に減圧し、
前記（ｂ３）工程では、前記電力供給部により前記ターゲットに１８０～２２０Ｗの第１電力を供給し、前記第１電力が供給されている前記ターゲットがスパッタされることにより、前記第１金属層を形成し、前記第３金属層を形成し、
前記（ｂ３）工程にて、前記第１電力が供給されている前記ターゲットがスパッタされている間の前記真空容器内の圧力は、１．５～３Ｐａである、導電粒子の製造方法。

【請求項6】

請求項５に記載の導電粒子の製造方法において、
前記（ｂ３）工程にて、前記第１電力が供給されている前記ターゲットがスパッタされている間の前記基材粒子の温度は、１００～１８０℃である、導電粒子の製造方法。

【請求項7】

ポリドデカンアミドよりなる基材粒子と、
前記基材粒子の表面を覆い、且つ、Ｎｉ、Ｃｕ及びＴｉを含有する第１合金よりなる第１金属層と、
を有する、導電粒子。

【請求項8】

請求項７に記載の導電粒子において、
前記基材粒子の表面を覆い、且つ、Ｎｉ及びＢを含有するか又はＮｉ及びＰを含有する第２合金よりなる第２金属層を有し、
前記第１金属層は、前記第２金属層を介して前記基材粒子の表面を覆っている、導電粒子。

【請求項9】

請求項８に記載の導電粒子において、
前記第１金属層の第１厚さは、前記第２金属層の第２厚さよりも厚い、導電粒子。

【請求項10】

請求項７に記載の導電粒子において、
前記導電粒子を真空容器内に収容し、前記真空容器内を真空排気部により真空排気することにより、前記真空容器内の圧力を９．５×１０^－４～３．７×１０^－３Ｐａの第１圧力に減圧した後、前記真空容器内が前記真空排気部により真空排気された状態で、前記導電粒子を加熱部により１００～１８０℃の第１温度に加熱したとき、前記導電粒子が加熱されている間の前記真空容器内の圧力は、１．５～３Ｐａである、導電粒子。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、導電粒子及びその製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

例えば液晶表示装置若しくはプラズマディスプレイ装置等の平面表示装置又は駆動回路基板等において、表示パネル上若しくは基板上の端子部と外部接続端子とを接続するために、又は、パネル面若しくは基板面にＩＣ（Integrated Circuit）チップを実装するために、異方性導電接着剤が用いられている。

【0003】

異方性導電接着剤は、ベースとなる接着剤樹脂中に導電粒子（導電性微粒子）が分散されたものであり、電極端子の間に挟まれて厚さ方向に加圧された状態で、導電粒子が電極端子間の電気的接続を実現する。一般には、異方性導電接着剤は、フィルム又はペースト等の状態で、即ち、異方性導電フィルム（Anisotropic Conductive Film：ＡＣＦ）又は異方性導電ペースト（Anisotropic Conductive Paste：ＡＣＰ）等として、供給されている。ここで、異方性導電フィルムは、異方性導電シートとも称される。また、ベースとなる接着剤樹脂として、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂が用いられている。

【0004】

このような異方性導電接着剤に用いられる導電粒子に求められる重要な特性は、導電性が高いことである。そのため、導電粒子として、金属粒子が好ましく、特に銀粒子が好ましい。しかし、銀は高価な物質であり、コスト低減を目標として代替材料が求められている。また銀粒子を含め、金属粒子は密度（比重）が高く、樹脂への分散性に劣るという欠点を有する。そのため、密度（比重）を低減した導電粒子として、樹脂粒子の表面に金属層を有するものが知られている。

【0005】

特開２００４－１６４８７４号公報（特許文献１）には、導電微粒子において、平均粒径１～１００μｍの球状の基材微粒子が、０．０３～１．０μｍの金属層により被覆されており、基材微粒子は、ε－カプロラクタムと、炭素数１０～１２の非分岐脂肪族炭素鎖を有するラクタムとを共重合した構造のポリアミド樹脂である技術が開示されている。

【0006】

また、特開２００６－０１２７０９号公報（特許文献２）には、導電性微粒子において、ガラス転移温度が１００℃以上３００℃以下であって、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、及びエポキシ樹脂からなる群より選ばれる少なくとも１種であるポリマー（ａ）からなるポリマー微粒子（Ａ）が導電性金属（Ｂ）により被覆されてなる技術が開示されている。

【0007】

また、特開２００８－２５１４５２号公報（特許文献３）には、導電性微粒子において、熱可塑性樹脂（Ａ）からなる高分子微粒子と、その表面に形成された金属層（Ｄ）からなる技術が開示されている。

【0008】

また、特開昭６３－１９０２０４号公報（特許文献４）には、樹脂微球体の表面にニッケルおよび／またはコバルトからなる導電薄膜層が形成された導電性微球体において、該導電薄膜層にリンを１．５～４重量％の割合で含有する技術が開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0009】

【特許文献1】特開２００４－１６４８７４号公報

【特許文献2】特開２００６－０１２７０９号公報

【特許文献3】特開２００８－２５１４５２号公報

【特許文献4】特開昭６３－１９０２０４号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0010】

異方性導電フィルム（異方性導電シート）用の導電粒子としては、球状形状を有し且つ絶縁材料よりなる基材粒子の表面に導電膜を均一に厚く形成することが望ましい。しかし、従来、このような球状形状を有し且つ絶縁材料よりなる基材粒子の表面に導電膜を均一に厚く形成することは困難であった。

【0011】

本発明は、上述のような従来技術の問題点を解決すべくなされたものであって、異方性導電フィルム用の導電粒子において、球状形状を有し且つ絶縁材料よりなる基材粒子の表面に導電膜を均一に厚く形成することができる導電粒子を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0012】

本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。

【0013】

本発明の一態様としての導電粒子の製造方法は、ポリドデカンアミドよりなる基材粒子を用意する（ａ）工程と、基材粒子の表面を覆い、且つ、Ｎｉ、Ｃｕ及びＴｉを含有する第１合金よりなる第１金属層を、バレルスパッタリング法により形成する（ｂ）工程と、を有する。

【0014】

また、他の一態様として、当該導電粒子の製造方法は、（ａ）工程の後、（ｂ）工程の前に、基材粒子の表面を覆い、且つ、Ｎｉ及びＢを含有するか又はＮｉ及びＰを含有する第２合金よりなる第２金属層を、無電解めっき法により形成する（ｃ）工程を有し、（ｂ）工程では、第２金属層を介して基材粒子の表面を覆う第１金属層を形成してもよい。

【0015】

また、他の一態様として、第１金属層の第１厚さは、第２金属層の第２厚さよりも厚くてもよい。

【0016】

また、他の一態様として、当該導電粒子の製造方法は、（ｂ）工程の前に、アルミナ、ジルコニア又はシリカよりなるメディア粒子を用意する（ｄ）工程を有し、基材粒子の第１平均粒径は、メディア粒子の第２平均粒径よりも小さくてもよい。（ｂ）工程では、第１金属層を、バレルスパッタリング装置を用いたバレルスパッタリング法により形成し、バレルスパッタリング装置は、水平方向に沿った第１軸を中心として揺動可能又は回転可能に設けられた真空容器と、真空容器内を真空排気する真空排気部と、真空容器を第１軸を中心として揺動駆動又は回転駆動する駆動部と、真空容器内に配置され、且つ、Ｎｉ、Ｃｕ及びＴｉを含有する第３合金よりなるターゲットと、ターゲットに電力を供給する電力供給部と、を含んでもよい。（ｂ）工程は、基材粒子及びメディア粒子を、真空容器内に収容する（ｂ１）工程と、（ｂ１）工程の後、真空容器内を真空排気部により真空排気する（ｂ２）工程と、（ｂ２）工程の後、真空容器内が真空排気部により真空排気された状態で、真空容器を駆動部により揺動駆動又は回転駆動し、電力供給部によりターゲットに電力を供給し、電力が供給されているターゲットがスパッタされることにより、真空容器内に収容されている基材粒子の表面を覆う第１金属層を形成し、真空容器内に収容されているメディア粒子の表面を覆い、且つ、Ｎｉ、Ｃｕ及びＴｉを含有する第４合金よりなる第３金属層を形成する（ｂ３）工程と、（ｂ３）工程の後、基材粒子をメディア粒子から篩分ける（ｂ４）工程と、を含んでもよい。

【0017】

また、他の一態様として、（ｂ２）工程では、真空容器内を真空排気部により真空排気することにより、真空容器内の圧力を９．５×１０^－４～３．７×１０^－３Ｐａの第１圧力に減圧し、（ｂ３）工程では、電力供給部によりターゲットに１８０～２２０Ｗの第１電力を供給し、第１電力が供給されているターゲットがスパッタされることにより、第１金属層を形成し、第３金属層を形成し、（ｂ３）工程にて、第１電力が供給されているターゲットがスパッタされている間の真空容器内の圧力は、１．５～３Ｐａであってもよい。

【0018】

また、他の一態様として、（ｂ３）工程にて、第１電力が供給されているターゲットがスパッタされている間の基材粒子の温度は、１００～１８０℃であってもよい。

【0019】

また、本発明の一態様としての導電粒子は、ポリドデカンアミドよりなる基材粒子と、基材粒子の表面を覆い、且つ、Ｎｉ、Ｃｕ及びＴｉを含有する第１合金よりなる第１金属層と、を有する。

【0020】

また、他の一態様として、当該導電粒子は、基材粒子の表面を覆い、且つ、Ｎｉ及びＢを含有するか又はＮｉ及びＰを含有する第２合金よりなる第２金属層を有し、第１金属層は、第２金属層を介して基材粒子の表面を覆っていてもよい。

【0021】

また、他の一態様として、第１金属層の第１厚さは、第２金属層の第２厚さよりも厚くてもよい。

【0022】

また、他の一態様として、導電粒子を真空容器内に収容し、真空容器内を真空排気部により真空排気することにより、真空容器内の圧力を９．５×１０^－４～３．７×１０^－３Ｐａの第１圧力に減圧した後、真空容器内が真空排気部により真空排気された状態で、導電粒子を加熱部により１００～１８０℃の第１温度に加熱したとき、導電粒子が加熱されている間の真空容器内の圧力は、１．５～３Ｐａであってもよい。

【発明の効果】

【0023】

本発明の一態様を適用することで、異方性導電フィルム用の導電粒子において、球状形状を有し且つ絶縁材料よりなる基材粒子の表面に導電膜を均一に厚く形成することができる。

【図面の簡単な説明】

【0024】

【図1】実施の形態の導電粒子の一例を模式的に示す断面図である。

【図2】実施の形態の導電粒子の他の例を模式的に示す断面図である。

【図3】図１に示す導電粒子の製造工程中の断面図である。

【図4】図１に示す導電粒子の製造工程中の断面図である。

【図5】図１に示す導電粒子の製造工程中の断面図である。

【図6】バレルスパッタリング装置の構成を模式的に示す図である。

【図7】図２に示す導電粒子の製造工程中の断面図である。

【図8】実施例１の導電粒子をＳＥＭにより観察した観察像である。

【図9】実施例２の導電粒子をＳＥＭにより観察した観察像である。

【発明を実施するための形態】

【0025】

以下に、本発明の各実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。

【0026】

なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実施の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。

【0027】

また本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。

【0028】

更に、実施の形態で用いる図面においては、構造物を区別するために付したハッチング（網掛け）を図面に応じて省略する場合もある。

【0029】

なお、以下の実施の形態においてＡ～Ｂとして範囲を示す場合には、特に明示した場合を除き、Ａ以上Ｂ以下を示すものとする。

【0030】

（実施の形態）
＜導電粒子＞
初めに、本発明の一実施形態である実施の形態の導電粒子について説明する。本実施の形態の導電粒子は、異方性導電フィルム（異方性導電シート）用の導電粒子である。

【0031】

図１は、実施の形態の導電粒子の一例を模式的に示す断面図である。図１に示す例では、導電粒子１は、基材粒子２と、金属層３と、を有する。基材粒子２は、ポリドデカンアミド樹脂即ちポリドデカンアミド（ナイロン１２）よりなる。金属層３は、基材粒子２の表面を覆い、且つ、Ｎｉ（ニッケル）、Ｃｕ（銅）及びＴｉ（チタン）を含有する合金よりなる。即ち、金属層３は、基材粒子２の表面上に形成されている。

【0032】

ポリドデカンアミド樹脂は、ポリアミド（Polyamide）樹脂、即ちポリアミドの一種である。ポリアミド樹脂とは、アミド結合によって多数のモノマーが結合してできたポリマーであり、多数のモノマーを含む重合性組成物が重合即ち硬化された重合体である。また、一般に脂肪族骨格を含むポリアミド樹脂をナイロンと総称する。

【0033】

ナイロンは、一般的には、アミド基を有するために吸水性が高い。また、ナイロンは、結晶性が高い樹脂で、絶縁性及び耐薬品性に優れる。また、ナイロンは、アミド基の水素結合により、優れた強靭性、耐衝撃性、柔軟性を示す。

【0034】

また、ポリドデカンアミド樹脂即ちポリドデカンアミドは、ナイロン１２とも称される。ナイロン１２は、ラウリルラクタムを開環重縮合したポリアミド樹脂であり、略号はＰＡ１２である。融点は１７６℃であり、ガラス遷移点は５０℃、比重は１．０２である。ナイロン１２は、カプロラクタムを開環重縮合したナイロン６及びナイロン６６に比べて、融点、吸水性が低く、耐寒衝撃性に優れている。また、ナイロン１２は、ポリアミド樹脂の中では最も低密度（低比重）である。このような、ナイロン１２は、球状形状を有する真球状の微粒子が容易に得られ、製造コストが低いこともあり、例えば化粧品として用いられている。

【0035】

金属層３が、Ｎｉ、Ｃｕ及びＴｉを含有する合金よりなることにより、基材粒子２の表面上に、導電性、耐食性、密着性及び剛性に優れた金属層３を形成することができる。

【0036】

例えばめっきにより、基材粒子の表面に導電膜としての金属層を均一に厚く形成することは、困難である。そのため、基材粒子の表面に導電膜としての金属層を均一に厚く形成するためには、後述する図６を用いて説明するように、基材粒子の表面を覆う金属層を、バレルスパッタリング装置を用いたバレルスパッタリング法により形成することが望ましい。

【0037】

しかし、後述する比較例１乃至比較例４において説明するように、基材粒子２が、例えばポリカーボネート樹脂、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）樹脂、フェノール樹脂又はアクリル樹脂等、ポリアミド樹脂以外の樹脂よりなる場合、基材粒子を真空容器内に収容し、真空容器内が真空排気された状態で、例えば１８０℃程度の温度まで加熱された場合に、基材粒子の表面からガスが発生するか、又は、基材粒子が溶融することにより、真空容器内の圧力が上昇し、スパッタすることが困難である。

【0038】

一方、基材粒子がポリアミド樹脂よりなる場合、基材粒子を真空容器内に収容し、真空容器内が真空排気された状態で、例えば１８０℃程度の温度まで加熱された場合に、基材粒子がポリアミド樹脂以外の樹脂よりなる場合に比べて、基材粒子の表面からガスが発生しにくく、且つ、基材粒子が溶融しにくいので、真空容器内の圧力が上昇せず、安定してスパッタすることができる。

【0039】

また、上記特許文献１には、導電微粒子において、平均粒径１～１００μｍの球状の基材微粒子が、０．０３～１．０μｍの金属層により被覆されており、基材微粒子は、ε－カプロラクタムと、炭素数１０～１２の非分岐脂肪族炭素鎖を有するラクタムとを共重合した構造のポリアミド樹脂である技術が開示されている。ここで、ε－カプロラクタムを重合したポリアミド樹脂は、ナイロン６である。

【0040】

しかし、基材粒子が、ナイロン６又はナイロン６６等、ポリドデカンアミド樹脂即ちポリドデカンアミド（ナイロン１２）以外のポリアミド樹脂よりなる場合、基材粒子がポリドデカンアミド樹脂よりなる場合に比べて、基材粒子を真空容器内に収容し、真空容器内が真空排気された状態で、例えば１８０℃程度の温度まで加熱された場合に、基材粒子の表面からガスが発生することにより、真空容器内の圧力が上昇し、スパッタすることが困難である。これは、ナイロン６又はナイロン６６等の融点がナイロン１２の融点よりは高いものの、ナイロン６又はナイロン６６等の吸水性がナイロン１２の吸水性よりも高く、例えば１８０℃程度の温度まで加熱された場合に水分の脱離が多いためと考えられる。一方、基材粒子２が、ポリドデカンアミド樹脂即ちポリドデカンアミド（ナイロン１２）よりなる場合、基材粒子２を真空容器内に収容し、真空容器内が真空排気された状態で、１８０℃程度の温度まで加熱された場合に、基材粒子がポリドデカンアミド樹脂以外のポリアミド樹脂よりなる場合に比べて、基材粒子２の表面からガスが発生しにくいので、真空容器内の圧力が上昇せず、安定してスパッタすることができる。

【0041】

また、基材粒子が、ナイロン６又はナイロン６６等、ポリドデカンアミド樹脂即ちポリドデカンアミド（ナイロン１２）以外のポリアミド樹脂よりなる場合、基材粒子がポリドデカンアミド樹脂よりなる場合に比べて、基材粒子の密度（比重）が大きいため、導電粒子を異方性導電フィルム又は異方性導電接着剤に適用した場合に、重力により導電粒子が偏在すること等により、異方性導電フィルム又は異方性導電接着剤の導電性が低下するおそれがある。

【0042】

一方、基材粒子２がポリドデカンアミド樹脂よりなる場合、基材粒子２の密度（比重）が小さいため、導電粒子１を異方性導電フィルム又は異方性導電接着剤に適用した場合に、重力により導電粒子１が偏在することを防止又は抑制し、異方性導電フィルム又は異方性導電接着剤の導電性を向上させることができる。

【0043】

更に、本実施の形態の導電粒子によれば、基材粒子２がポリドデカンアミド樹脂よりなることにより、球状形状を有し且つ絶縁材料よりなる基材粒子を低コストで容易に得ることができる。

【0044】

また、基材粒子２の表面を覆う金属層３が、Ｎｉ、Ｃｕ及びＴｉを含有する合金よりなることにより、後述する図６を用いて説明するように、バレルスパッタリング装置を用いたバレルスパッタリング法により、導電膜としての金属層３を、基材粒子２の表面に均一に厚く形成することができる。

【0045】

好適には、基材粒子２の平均粒径は、２～２０μｍである。基材粒子２の平均粒径が２μｍ以上の場合、基材粒子２の平均粒径が２μｍ未満の場合に比べて、基材粒子２の平均粒径が大きいので、基材粒子２を容易に製造することができる。また、基材粒子２の平均粒径が２０μｍ以下の場合、基材粒子２の平均粒径が２０μｍを超える場合に比べて、基材粒子２の平均粒径が小さいので、基材粒子２の表面に金属層３が形成されてなる導電粒子１を異方性導電フィルム又は異方性導電接着剤に適用した場合に、回路線幅が細い場合でも、電気特性に優れた平面表示装置又は駆動回路基板を容易に製造することができる。

【0046】

また、基材粒子が、ナイロン６又はナイロン６６等、ポリドデカンアミド樹脂即ちポリドデカンアミド（ナイロン１２）以外のポリアミド樹脂よりなる場合、基材粒子がポリドデカンアミド樹脂よりなる場合に比べて、２～２０μｍの平均粒径を有する真球状の微粒子が容易に得られない。一方、基材粒子２が、ポリドデカンアミド樹脂よりなる場合、２～２０μｍの平均粒径を有する真球状の微粒子を容易に得ることができる。

【0047】

好適には、金属層３の厚さは、０．０５～１．０μｍである。金属層３の厚さが０．０５μｍ以上の場合、金属層３の厚さが０．０５μｍ未満の場合に比べて、金属層３の厚さが厚いので、基材粒子２の表面に金属層３が形成されてなる導電粒子１の導電性を向上させることができる。また、金属層３の厚さが１．０μｍ以下の場合、金属層３の厚さが１．０μｍを超える場合に比べて、基材粒子２の表面に金属層３が形成されてなる導電粒子１の平均粒径が小さいので、基材粒子２の表面に金属層３が形成されてなる導電粒子１を異方性導電フィルム又は異方性導電接着剤に適用した場合に、回路線幅が細い場合でも、電気特性に優れた平面表示装置又は駆動回路基板を容易に製造することができる。

【0048】

好適には、金属層３において、Ｃｕの含有量は１５～５５重量％であり、Ｔｉの含有量は０．５～１０重量％であり、残部はＮｉである。Ｃｕの含有量が１５重量％以上の場合、Ｃｕの含有量が１５重量％未満の場合に比べて、Ｃｕの含有量が多いので、金属層３の導電性を向上させることができる。また、Ｃｕの含有量が５５重量％以下の場合、Ｃｕの含有量が５５重量％を超える場合に比べて、Ｃｕの含有量が少ないので、金属層３の耐食性を向上させることができる。また、Ｔｉの含有量が０．５重量％以上の場合、Ｔｉの含有量が０．５重量％未満の場合に比べて、Ｔｉの含有量が多いので、金属層３の密着性を向上させることができ、Ｔｉの含有量が１０重量％以下の場合、Ｔｉの含有量が１０重量％を超える場合に比べて、Ｔｉの含有量が少ないので、金属層３の剛性を向上させることができる。

【0049】

また、金属層３は、Ｔｉに加えて、更にＣｒを含有する合金よりなるものでもよい。このような場合、好適には、金属層３において、Ｃｕの含有量は１５～５５重量％であり、Ｔｉの含有量とＣｒの含有量との和は０．５～１０重量％であり、残部はＮｉである。金属層３がＣｒを含有することにより、金属層３の耐食性を更に向上させることができる。

【0050】

本実施の形態の導電粒子によれば、基材粒子２がポリドデカンアミド樹脂即ちポリドデカンアミド（ナイロン１２）よりなることにより、球状形状を有し且つ絶縁材料よりなる基材粒子２を低コストで容易に得ることができる。また、基材粒子２の表面を覆う金属層３が、Ｎｉ、Ｃｕ及びＴｉを含有する合金よりなることにより、後述する図６を用いて説明するように、基材粒子２の表面に導電膜を均一に厚く形成することができる。

【0051】

図２は、実施の形態の導電粒子の他の例を模式的に示す断面図である。図２に示す例では、図１に示した例と異なり、導電粒子１ａは、基材粒子２及び金属層３に加えて、基材粒子２の表面を覆い、且つ、Ｎｉ及びＢ（ホウ素）を含有するか又はＮｉ及びＰ（リン）を含有する合金よりなる金属層４を有し、金属層３は、金属層４を介して基材粒子２の表面を覆っている。即ち、金属層４は、基材粒子２の表面上に形成され、基材粒子２の表面と金属層３との間に介在し、金属層３は、金属層４上に形成されている。

【0052】

図２に示す導電粒子１ａでは、図１に示す導電粒子１が有する効果に加えて、金属層４が、Ｎｉ及びＢを含有するか又はＮｉ及びＰを含有する合金よりなることにより、基材粒子２の表面上に、導電性、耐食性及び密着性に優れた金属層４を形成することができる。また、金属層４が、Ｎｉ及びＢを含有するか又はＮｉ及びＰを含有する合金よりなることにより、例えば熱処理により磁性を有する金属層４を形成することができる。

【0053】

好適には、金属層４における、Ｂ又はＰの含有量は０．３～１０重量％であり、残部はＮｉである。Ｂ又はＰの含有量が０．３重量％以上の場合、Ｂ又はＰの含有量が０．３重量％未満の場合に比べて、ジメチルアミンボランを含有する無電解Ｎｉ－Ｂめっき液又は次亜リン酸水溶液を含有する無電解Ｎｉ－Ｐめっき液を用いることにより金属層４を容易に形成することができる。Ｂ又はＰの含有量が１０重量％以下の場合、Ｂ又はＰの含有量が１０重量％を超える場合に比べて、金属層４の磁性を向上させることができる。これにより、本実施の形態の導電粒子を異方性導電フィルム（異方性導電シート）用の導電粒子として用いる場合において、電極端子の間で導電粒子を厚さ方向に磁場配向させることができるので、電極端子間の電気的接続を良好にすることができる。

【0054】

好適には、金属層３の厚さＴＨ１は、金属層４の厚さＴＨ２よりも厚い。例えば金属層４を無電解めっき法により形成し、金属層３をバレルスパッタリング法により形成する場合、バレルスパッタリング法により金属層３を形成する際の成膜速度が、無電解めっき法により金属層４を形成する際の成膜速度よりも大きいので、金属層３の厚さを、金属層４の厚さよりも容易に厚くすることができ、導電粒子の導電性を容易に向上させることができる。

【0055】

＜導電粒子の製造方法＞
次に、本実施の形態の導電粒子の製造方法について説明する。図３乃至図５は、図１に示す導電粒子の製造工程中の断面図である。図３は、基材粒子２を示し、図４及び図５は、メディア粒子５を示している。図６は、バレルスパッタリング装置の構成を模式的に示す図である。

【0056】

図１に示す導電粒子の製造方法では、まず、図３に示すように、ポリドデカンアミド樹脂即ちポリドデカンアミド（ナイロン１２）よりなる基材粒子２を用意する（ステップＳ１）。また、図４に示すように、アルミナ、ジルコニア又はシリカよりなるメディア粒子５を用意する（ステップＳ２）。ここで、「メディア」とは、「媒体」又は「分散媒」を意味し、メディア粒子５は、基材粒子２が分散されたメディア粒子５を撹拌することにより、基材粒子２を効率良く撹拌するためのものである。

【0057】

次に、図１に示したように、基材粒子２の表面を覆い、且つ、Ｎｉ、Ｃｕ及びＴｉを含有する合金よりなる金属層３を、バレルスパッタリング装置を用いたバレルスパッタリング法により形成する（ステップＳ３）。即ち、ステップＳ３では、図１に示したように、基材粒子２の表面上に、金属層３を形成する。

【0058】

図６に示すように、バレルスパッタリング装置１０は、真空容器１１と、真空排気部１２と、駆動部１３と、ターゲット１４と、電力供給部１５と、を有する。

【0059】

真空容器１１は、基材粒子２の表面を金属層３で被覆させる被覆処理を行うためのものである。真空容器１１は、水平方向に沿った中心軸ＣＡ１を中心とした円筒形状を有し、且つ、例えば直径が２００ｍｍである円筒部１１ａと、円筒部１１ａの内部に設置され、且つ、中心軸ＣＡ１に垂直な断面形状が六角形形状を有するバレル（六角型バレル）１１ｂと、を含む。

【0060】

図６に示す断面は、中心軸ＣＡ１に垂直な断面、即ち水平方向に垂直な断面である。なお、図６に示す例では、中心軸ＣＡ１に垂直な断面形状が六角形形状を有するバレル１１ｂが用いられているが、これに限定されるものではなく、中心軸ＣＡ１に垂直な断面形状が六角形以外のＮ角形形状（Ｎは３以上の整数）即ち多角形形状を有するバレルが用いられることもできる。

【0061】

真空容器１１は、水平方向に沿った中心軸ＣＡ１を中心として揺動可能又は回転可能に設けられている。具体的には、真空容器１１に含まれるバレル１１ｂが揺動可能又は回転可能に設けられている。

【0062】

真空排気部１２は、真空容器１１内を真空排気する。具体的には、真空排気部１２は、ターボ分子ポンプ（ＴＭＰ）１６及びロータリーポンプ（ＲＰ）１７を含み、円筒部１１ａ内を真空排気する。

【0063】

真空容器１１（円筒部１１ａ）には配管１８の一端が接続されており、この配管１８の他端にはバルブ１９の一方側が接続されている。バルブ１９の他方側は配管２１の一端に接続され、配管２１の他端はターボ分子ポンプ（ＴＭＰ）１６の吸気側に接続されている。ターボ分子ポンプ１６の排気側は配管２２の一端に接続され、配管２２の他端はバルブ２３の一方側に接続されている。バルブ２３の他方側は配管２４の一端に接続され、配管２４の他端はロータリーポンプ（ＲＰ）１７に接続されている。また、配管１８は配管２５の一端に接続され、配管２５の他端はバルブ２６の一方側に接続されている。バルブ２６の他方側は配管２７の一端に接続され、配管２７の他端は配管２４に接続されている。

【0064】

駆動部１３は、真空容器１１を中心軸ＣＡ１を中心として揺動駆動又は回転駆動する。具体的には、駆動部１３は、バレル１１ｂを矢印のように中心軸ＣＡ１を中心として揺動駆動又は回転駆動するものであり、バレル１１ｂ内の基材粒子２を攪拌しながら被覆処理を行うためのものである。

【0065】

ターゲット１４は、真空容器１１内に配置され、且つ、Ｎｉ、Ｃｕ及びＴｉを含有する合金よりなる。ターゲット１４におけるＣｕの含有量、Ｔｉの含有量は、金属層３におけるＣｕの含有量、Ｔｉの含有量と同様とすることができ、残部はＮｉである。ターゲット１４は、バレル１１ｂ内に配置され、例えば中心軸ＣＡ１の周りの回転角度を自由に変えられるように設けられている。これにより、バレル１１ｂを回転させながら被覆処理を行う時、ターゲット１４を、被処理粒子としての基材粒子２及びメディア粒子５と対向するように、基材粒子２及びメディア粒子５が配置されている方向に向けることができ、スパッタ効率を向上させ、成膜速度を向上させることが可能となる。なお、図５では、便宜上、基材粒子２及びメディア粒子５を同一の粒径を有する被処理粒子として図示している。

【0066】

電力供給部１５は、ターゲット１４に高周波電力を供給する。具体的には、電力供給部１５は、ターゲット１４と真空容器１１（円筒部１１ａ）との間に高周波電力を供給する。電力供給部１５は、整合器（図示は省略）に接続され、整合器は、ターゲット保持部（図示は省略）を介して、ターゲット１４に接続されている。即ち、バレルスパッタリング装置１０は、ＲＦスパッタリング装置である。なお、バレルスパッタリング装置１０は、直流スパッタリング装置であってもよく、このような場合、電力供給部１５は、高周波電力に代えて直流電力をターゲット１４に供給する。

【0067】

また、バレルスパッタリング装置１０は、真空容器１１（円筒部１１ａ）内を加熱するためのヒータ（加熱部）２８を有する。また、バレルスパッタリング装置１０は、真空容器１１（円筒部１１ａ）内の圧力を測定する圧力計２９を有する。また、バレルスパッタリング装置１０は、真空容器１１（円筒部１１ａ）内にバルブ３１を介して窒素ガスを供給する窒素ガス供給機構３２と、真空容器１１（円筒部１１ａ）内にバルブ３３を介してアルゴンガスを供給するアルゴンガス供給機構３４と、を有する。

【0068】

次に、バレルスパッタリング装置１０を用いたバレルスパッタリング法により、基材粒子２の表面上に金属層３を形成する工程（ステップＳ３）について説明する。

【0069】

このステップＳ３では、まず、基材粒子２及びメディア粒子５を、真空容器１１（バレル１１ｂ）内に収容する（ステップＳ１１）。このステップＳ１１では、ステップＳ１にて用意した基材粒子２、及び、ステップＳ２にて用意した、アルミナ、ジルコニア又はシリカよりなるメディア粒子５を、真空容器１１（バレル１１ｂ）内に収容する。

【0070】

このステップＳ３では、次に、真空容器１１（円筒部１１ａ）内を真空排気部１２により真空排気する（ステップＳ１２）。このステップＳ１２では、具体的には、真空排気部１２に含まれるターボ分子ポンプ１６を用いて円筒部１１ａ内に高真空状態を作り、ヒータ２８で六角型バレルを例えば８０～１００℃の温度まで加熱しながら、円筒部１１ａ内を例えば９．５×１０^－４～３．７×１０^－３Ｐａの圧力（到達圧力）に減圧する。

【0071】

このステップＳ３では、次に、真空容器１１（円筒部１１ａ）内が真空排気部１２により真空排気された状態で、真空容器１１（バレル１１ｂ）を駆動部１３により揺動駆動又は回転駆動し、電力供給部１５によりターゲット１４に高周波電力を供給し、高周波電力が供給されているターゲット１４がスパッタされる。これにより、図１に示したように、真空容器１１（バレル１１ｂ）内に収容されている基材粒子２の表面を覆い、且つ、Ｎｉ、Ｃｕ及びＴｉを含有する合金よりなる金属層３を形成し、図５に示すように、真空容器１１（バレル１１ｂ）内に収容されているメディア粒子５の表面を覆い、且つ、Ｎｉ、Ｃｕ及びＴｉを含有する合金よりなる金属層６を形成する（ステップＳ１３）。

【0072】

このステップＳ１３では、具体的には、真空容器１１（円筒部１１ａ）内が真空排気部１２により真空排気された状態で、アルゴンガス供給機構３４又は窒素ガス供給機構３２によりアルゴン（Ａｒ）又は窒素（Ｎ_２）などの不活性ガスを真空容器１１（円筒部１１ａ）内に供給する。この際の真空容器１１（円筒部１１ａ）内の圧力は０．２Ｐａ程度である。そして、真空容器１１（バレル１１ｂ）を駆動部１３により例えば３０分間、２０ｒｐｍの回転速度で回転駆動することで、真空容器１１（バレル１１ｂ）内の基材粒子２及びメディア粒子５を揺動又は回転させ、攪拌する。その際、ターゲット１４は基材粒子２及びメディア粒子５と対向するように、基材粒子２及びメディア粒子５が配置されている方向に向けられる。また、電力供給部１５によりターゲット１４と真空容器１１（円筒部１１ａ）との間に例えば１８０～２２０Ｗの高周波電力を印加することで、図１に示したように、基材粒子２の表面に金属層３を形成し、図５に示すように、メディア粒子５の表面に金属層６を形成する。金属層６におけるＣｕの含有量、Ｔｉの含有量は、金属層３及びターゲット１４におけるＣｕの含有量、Ｔｉの含有量と同様とすることができ、残部はＮｉである。

【0073】

このステップＳ３では、次に、基材粒子２及びメディア粒子５を真空容器１１（バレル１１ｂ）から取り出した後、基材粒子２をメディア粒子５から篩分ける（ステップＳ１４）。これにより、図１に示したように、基材粒子２と、基材粒子２の表面上に形成された金属層３と、を有する導電粒子１を得ることができる。

【0074】

本実施の形態の導電粒子の製造方法によれば、バレル１１ｂを揺動又は回転させることで被処理粒子としての基材粒子２及びメディア粒子５を攪拌することができ、更にバレル１１ｂの中心軸ＣＡ１に垂直な断面形状を六角形形状とすることにより、基材粒子２及びメディア粒子５を重力により定期的に落下させることができる。このため、攪拌効率を飛躍的に向上させることができ、基材粒子２の表面を金属層３で被覆し、メディア粒子５の表面を金属層６で被覆する被覆処理を行う際に問題となる、水分又は静電気力による基材粒子２及びメディア粒子５の凝集を防止又は抑制することができる。つまり、揺動又は回転による攪拌と、凝集した基材粒子２及びメディア粒子５の粉砕を同時且つ効果的に行うことができる。従って、被処理粒子としての基材粒子２及びメディア粒子５の粒径が非常に小さい場合でも、基材粒子２の表面を金属層３で均一に被覆し、メディア粒子５の表面を金属層６で均一に被覆することが可能となる。

【0075】

また、後述する実施例１及び実施例２並びに比較例１及び比較例２を用いて説明するように、メディア粒子５がアルミナ、ジルコニア又はシリカよりなる場合、メディア粒子５が例えばポリカーボネート樹脂又はフェノール樹脂等よりなる場合に比べて、メディア粒子５の表面からガスが発生しないので、真空容器１１（円筒部１１ａ）内を３．７×１０^－３Ｐａ以下の圧力（到達圧力）まで減圧することができ、スパッタ中の圧力が３Ｐａ以下であるので、基材粒子２の表面に金属層３をバレルスパッタリング法により容易に形成することができる。

【0076】

好適には、基材粒子２の平均粒径は、メディア粒子５の平均粒径よりも小さい。これにより、メディア粒子５の平均粒径が、基材粒子２の平均粒径よりも大きいので、メディア粒子５同士の凝集を防止又は抑制することができ、且つ、基材粒子２をメディア粒子５から容易に篩分けることができる。

【0077】

なお、上記した導電粒子の製造方法の説明では、ステップＳ３において、基材粒子２とメディア粒子５とを真空容器１１（バレル１１ｂ）内に収容し、金属層３及び金属層６をバレルスパッタリング法により形成する例を例示して説明した。しかしながら、真空容器１１（バレル１１ｂ）内に収容する基材粒子２の重量又は平均粒径によっては、メディア粒子５を収容せず、基材粒子２のみを収容して、金属層３のみをバレルスパッタリング法により形成することもできる。

【0078】

図７は、図２に示す導電粒子の製造工程中の断面図である。図７は、基材粒子２を示している。

【0079】

図２に示す導電粒子の製造方法では、図１に示す導電粒子の製造工程におけるステップＳ１の工程と同様の工程を行って、図３に示したように、ポリドデカンアミド樹脂即ちポリドデカンアミド（ナイロン１２）よりなる基材粒子を用意した後（ステップＳ２１）、図７に示すように、基材粒子２の表面を覆い、且つ、Ｎｉ及びＢを含有するか又はＮｉ及びＰを含有する合金よりなる金属層４を、無電解めっき法により形成する（ステップＳ２２）。即ち、ステップＳ２２では、図７に示すように、基材粒子２の表面上に、金属層４を形成する。

【0080】

具体的には、基材粒子２に、例えばＰｄ触媒を含有する触媒溶液を接触させることにより、基材粒子２の表面にＰｄ触媒を担持させる処理を行う。その後、ジメチルアミンボランを含有する無電解Ｎｉ－Ｂめっき液又は次亜リン酸水溶液を含有する無電解Ｎｉ－Ｐめっき液を加温、撹拌しながら、Ｐｄ触媒が担持された基材粒子２を浸漬することにより、基材粒子２の表面上に、Ｎ－Ｂ合金又はＮ－Ｐ合金よりなる金属層４を、無電解めっき法により形成する。

【0081】

また、図１に示す導電粒子の製造工程におけるステップＳ２の工程と同様の工程を行って、図４に示したように、アルミナ、ジルコニア又はシリカよりなるメディア粒子５を用意する（ステップＳ２３）。

【0082】

次に、図２に示したように、金属層４を介して基材粒子２の表面を覆い、且つ、Ｎｉ、Ｃｕ及びＴｉを含有する合金よりなる金属層３を、バレルスパッタリング装置を用いたバレルスパッタリング法により形成する（ステップＳ２４）。即ち、ステップＳ２４では、図２に示したように、金属層４上に、金属層３を形成する。

【0083】

このステップＳ２４の工程、即ちバレルスパッタリング装置を用いたバレルスパッタリング法により基材粒子２の表面に金属層３を形成する工程については、図１に示す導電粒子の製造工程において、図６を用いて説明したステップＳ３の工程と同様にすることができる。即ち、ステップＳ２４では、図１に示す導電粒子の製造工程におけるステップＳ１１乃至ステップＳ１４と同様の工程であるステップＳ３１乃至ステップＳ３４の工程を行う。

【0084】

具体的には、ステップＳ３１では、表面に金属層４が形成された基材粒子２及びメディア粒子５を、真空容器１１（バレル１１ｂ）内に収容し、ステップＳ３２では、真空容器１１（円筒部１１ａ）内を真空排気部１２により真空排気する。また、ステップＳ３３では、真空容器１１（円筒部１１ａ）内が真空排気部１２により真空排気された状態で、真空容器１１（バレル１１ｂ）を駆動部１３により揺動駆動又は回転駆動し、電力供給部１５によりターゲット１４に電力を供給し、電力が供給されているターゲット１４がスパッタされる。これにより、図２に示したように、真空容器１１（バレル１１ｂ）内に収容されている基材粒子２の表面を金属層４を介して覆う金属層３を形成し、図５に示したように、真空容器１１（バレル１１ｂ）内に収容されているメディア粒子５の表面を覆う金属層６を形成する。また、ステップＳ３４では、基材粒子２をメディア粒子５から篩分ける。これにより、図２に示したように、基材粒子２と、基材粒子２の表面上に形成された金属層４と、金属層４上に形成された金属層３と、を有する導電粒子１ａを得ることができる。

【実施例0085】

以下、実施例に基づいて本実施の形態を更に詳細に説明する。なお、本発明は以下の実施例によって限定されるものではない。

【0086】

（実施例１）
実施例１の導電粒子として、実施の形態で図１を用いて説明した導電粒子１を、以下の作製条件で作製した。

【0087】

また、実施例１の導電粒子の作製条件の一部を、後述する実施例２、比較例１乃至比較例４の導電粒子の作製条件の一部と合わせて、以下の表１に示す。

【0088】

【表1】

【0089】

表１に示すように、基材粒子２として、ポリドデカンアミド樹脂即ちナイロン１２よりなる基材粒子（商品名：ＳＰ－５００、東レ株式会社製）を用意した。基材粒子２の形状は真球状であり、基材粒子２の平均粒径は５μｍであった。

【0090】

また、メディア粒子５として、アルミナよりなるメディア粒子を用意した。メディア粒子５の形状は真球状であり、メディア粒子５の平均粒径は１００μｍであった。

【0091】

次に、１５ｇの基材粒子２、及び、７５ｇのメディア粒子５を、バレルスパッタリング装置１０の真空容器１１（バレル１１ｂ）内に収容した。真空容器１１（バレル１１ｂ）内には、Ｎｉ、Ｃｕ及びＴｉを含有する合金よりなるターゲット１４が配置されていた。ターゲット１４として、Ｎｉの含有量が６２重量％であり、Ｃｕの含有量が３５重量％であり、Ｔｉの含有量が３重量％であるものを用いた。

【0092】

次に、真空容器１１（円筒部１１ａ）の内部を真空排気部１２により真空排気した。ヒータ２８で真空容器１１（円筒部１１ａ）を９０℃の温度に１５分間加熱しながら、真空容器１１（円筒部１１ａ）内を３．７×１０^－３Ｐａの圧力（到達圧力）まで減圧した。

【0093】

次に、真空容器１１（円筒部１１ａ）内が真空排気部１２により真空排気された状態で、アルゴンガス供給機構３４によりＡｒガスを２４．０ｓｃｃｍの流量で真空容器１１（円筒部１１ａ）内に供給し、真空容器１１（円筒部１１ａ）内の圧力を０．２Ｐａとした。また、真空容器１１（バレル１１ｂ）を駆動部１３により揺動駆動（バレルスイング若しくはアームスイング）することで、真空容器１１（バレル１１ｂ）内の基材粒子２及びメディア粒子５を攪拌した。そして、電力供給部１５によりターゲット１４と真空容器１１（円筒部１１ａ）との間に２００Ｗの高周波電力を３時間供給することで、バレルスパッタリング法により基材粒子２の表面に０．１μｍ（目標値）の厚さを有する金属層３を形成し、メディア粒子５の表面に０．１μｍ（目標値）の厚さを有する金属層６を形成した。

【0094】

バレルスパッタリング法により３時間金属層３を形成している間、最初の１．５時間で真空容器１１（円筒部１１ａ）内の圧力は０．２Ｐａから１．５Ｐａに上昇したが、その後更には圧力は上昇しなかった。また、高周波電力が供給されているターゲット１４がスパッタされている間の真空容器１１（円筒部１１ａ）内の温度は、ベーキングヒーターにより加熱された９０℃よりも１０℃程度高い１００℃程度以上であり、且つ、後述する比較例４にて１６０℃の融点を有するアクリル樹脂よりなる基材粒子２が溶融したため１６０℃よりも２０℃程度高い１８０℃程度以下である、と考えられることから、１００～１８０℃と考えられる。

【0095】

次に、３２５番（粒径４６μｍに相当）のメッシュを用いて、基材粒子２をメディア粒子５から篩分けることにより、基材粒子２と金属層３とを有する実施例１の導電粒子１が得られた。

【0096】

図８は、実施例１の導電粒子を走査型電子顕微鏡（Scanning Electron Microscope：ＳＥＭ）により観察した観察像である。図８に示すように、真球状の形状を有する５μｍ程度の平均粒径を有する導電粒子１が観察されることから、球状形状を有し且つ絶縁材料よりなる基材粒子２の表面に金属層３が均一に形成されたことが分かる。また、肉眼で観察した場合でも、実施例１の導電粒子１の表面は、黒色を帯びており、基材粒子２の表面に金属層３が形成されたことが分かる。また、ターゲット１４の比抵抗が５．９×１０^－５Ωｃｍであったことから、金属層３の比抵抗は、６～１０×１０^－５Ωｃｍであり、導電性を有すると考えられる。

【0097】

また、詳細な説明は省略するものの、ターゲット１４と真空容器１１（円筒部１１ａ）との間に２００Ｗを超える高周波電力を３時間供給するか、又は、ターゲット１４と真空容器１１（円筒部１１ａ）との間に２００Ｗの高周波電力を３時間を超える時間の間供給することにより、基材粒子２の表面に０．１μｍを超える厚さを有する金属層３を容易に形成できることが確認された。そのため、本実施の形態の導電粒子によれば、球状形状を有し且つ絶縁材料よりなる基材粒子２の表面に導電膜を均一に厚く形成できることが明らかになった。

【0098】

また、詳細な説明は省略するものの、基材粒子２として、ナイロン１２よりなる基材粒子に代えて、ナイロン６及びナイロン６６等、ポリアミド樹脂のうちポリドデカンアミド樹脂以外の樹脂よりなる基材粒子を用いたこと以外は、実施例１の導電粒子の作製条件と同様の作製条件で、導電粒子を作製した。しかしながら、真空容器１１（円筒部１１ａ）内を３．２×１０^－２Ｐａの圧力（到達圧力）までしか減圧できず、電力供給部１５による高周波電力の供給開始とともに３Ｐａを超える圧力まで大幅な圧力上昇が観察され、正常なスパッタが困難と判断し、高周波電力の供給を停止した。

【0099】

（実施例２）
次に、実施例２の導電粒子として、実施の形態で図２を用いて説明した導電粒子１ａを、以下の作製条件で作製した。

【0100】

実施例１と同様に、表１に示すように、基材粒子２として、ポリドデカンアミド即ちナイロン１２よりなる基材粒子（商品名：ＳＰ－５００、東レ株式会社製）を用意した。基材粒子２の形状は真球状であり、基材粒子２の平均粒径は５μｍであった。

【0101】

また、実施例１と同様に、メディア粒子５として、アルミナよりなるメディア粒子を用意した。メディア粒子５の形状は真球状であり、メディア粒子５の平均粒径は１００μｍであった。

【0102】

次に、実施例１とは異なり、基材粒子２の表面を覆い、且つ、Ｎｉ及びＢを含有する合金よりなる金属層４を、無電解めっき法により形成した。具体的には、基材粒子２に、Ｐｄ触媒を含有する触媒溶液を接触させることにより、基材粒子２の表面にＰｄ触媒を担持させる処理を行った。その後、ジメチルアミンボランを含有する無電解Ｎｉ－Ｂめっき液を加温、撹拌しながら、Ｐｄ触媒が担持された基材粒子２を浸漬することにより、Ｎｉ：Ｂ＝９７：３の重量組成比（重量比）を有するＮ－Ｂ合金よりなる金属層４を無電解めっき法により形成した。即ち、金属層４において、Ｂの含有量は３重量％であった。表面に金属層４が形成された基材粒子２を肉眼で観察すると、基材粒子２の表面は、黒色を帯びており、金属層４が形成されたことが分かった。

【0103】

なお、次の工程には用いていないが、ジメチルアミンボランを含有する無電解Ｎｉ－Ｂめっき液に代えて、次亜リン酸水溶液を含有する無電解Ｎｉ－Ｐめっき液を用いることにより、Ｎｉ：Ｐ＝９５：５の重量組成比（重量比）を有するＮ－Ｐ合金よりなる金属層４を無電解めっき法により形成した。即ち、金属層４において、Ｐの含有量は５重量％であった。表面に金属層４が形成された基材粒子２を肉眼で観察すると、基材粒子２の表面は、黒色を帯びており、金属層４が形成されたことが分かった。

【0104】

次に、表面にＮ－Ｂ合金よりなる金属層４が形成された６．２４ｇの基材粒子２、及び、５０ｇのメディア粒子を、バレルスパッタリング装置１０の真空容器１１（バレル１１ｂ）内に収容した。真空容器１１（バレル１１ｂ）内には、Ｎｉ、Ｃｕ及びＴｉを含有する合金よりなるターゲット１４が配置されていた。ターゲット１４として、実施例１と同様に、Ｎｉの含有量が６２重量％であり、Ｃｕの含有量が３５重量％であり、Ｔｉの含有量が３重量％であるものを用いた。

【0105】

次に、真空容器１１（円筒部１１ａ）の内部を真空排気部１２により真空排気した。ヒータ２８で真空容器１１（円筒部１１ａ）を９０℃の温度に１５分間加熱しながら、真空容器１１（円筒部１１ａ）内を９．５×１０^－４Ｐａの圧力（到達圧力）まで減圧した。

【0106】

次に、真空容器１１（円筒部１１ａ）内が真空排気部１２により真空排気された状態で、アルゴンガス供給機構３４によりＡｒガスを２４．０ｓｃｃｍの流量で真空容器１１（円筒部１１ａ）内に供給し、真空容器１１（円筒部１１ａ）内の圧力を０．２Ｐａとした。また、真空容器１１（バレル１１ｂ）を駆動部１３により揺動駆動（バレルスイング若しくはアームスイング）することで、真空容器１１（バレル１１ｂ）内の基材粒子２及びメディア粒子５を攪拌した。そして、電力供給部１５によりターゲット１４と真空容器１１（円筒部１１ａ）との間に２００Ｗの高周波電力を３時間供給することで、バレルスパッタリング法により基材粒子２の表面に金属層４を介して０．１μｍ（目標値）の厚さを有する金属層３を形成し、メディア粒子５の表面に０．１μｍ（目標値）の厚さを有する金属層６を形成した。

【0107】

バレルスパッタリング法により３時間金属層３を形成している間、真空容器１１（円筒部１１ａ）内の圧力は３Ｐａまで徐々に上昇した。また、高周波電力が供給されているターゲット１４がスパッタされている間の真空容器１１（円筒部１１ａ）内の温度は、実施例１と同様に、１００～１８０℃と考えられる。

【0108】

次に、３２５番のメッシュを用いて、基材粒子２をメディア粒子から篩分けることにより、基材粒子２と金属層４と金属層３とを有する実施例２の導電粒子１ａが得られた。

【0109】

図９は、実施例２の導電粒子をＳＥＭにより観察した観察像である。図９に示すように、真球状の形状を有する５μｍ程度の平均粒径を有する導電粒子１ａが観察されることから、球状形状を有し且つ絶縁材料よりなる基材粒子２の表面に金属層４を介して金属層３が均一に形成されたことが分かる。また、肉眼で観察した場合でも、実施例２の導電粒子１ａの表面は、黒色を帯びており、基材粒子２の表面に金属層４を介して金属層３が形成されたことが分かる。また、ターゲット１４の比抵抗が５．９×１０^－５Ωｃｍであったことから、金属層３の比抵抗は、６～１０×１０^－５Ωｃｍであり、導電性を有すると考えられる。

【0110】

また、詳細な説明は省略するものの、ターゲット１４と真空容器１１（円筒部１１ａ）との間に２００Ｗを超える高周波電力を３時間供給するか、又は、ターゲット１４と真空容器１１（円筒部１１ａ）との間に２００Ｗの高周波電力を３時間を超える時間の間供給することにより、基材粒子２の表面に金属層４を介して０．１μｍを超える厚さを有する金属層３を形成できることが確認された。そのため、本実施の形態の導電粒子によれば、球状形状を有し且つ絶縁材料よりなる基材粒子２の表面に導電膜を均一に厚く形成できることが明らかになった。

【0111】

また、詳細な説明は省略するものの、基材粒子２として、ナイロン１２よりなる基材粒子に代えて、ナイロン６及びナイロン６６等、ポリアミド樹脂のうちポリドデカンアミド樹脂以外の樹脂よりなる基材粒子を用いたこと以外は、実施例２の導電粒子の作製条件と同様の作製条件で、導電粒子を作製した。しかしながら、真空容器１１（円筒部１１ａ）内を３．２×１０^－２Ｐａの圧力（到達圧力）までしか減圧できず、電力供給部１５による高周波電力の供給開始とともに３Ｐａを超える圧力まで大幅な圧力上昇が観察され、正常なスパッタが困難と判断し、高周波電力の供給を停止した。

【0112】

（比較例１）
次に、比較例１の導電粒子を作製する試験を行った。

【0113】

表１に示すように、比較例１の導電粒子を作製する試験では、基材粒子として、ポリドデカンアミド即ちナイロン１２よりなる基材粒子（商品名：ＳＰ－５００、東レ株式会社製）を用意した。基材粒子の形状は真球状であり、基材粒子の平均粒径は５μｍであった。

【0114】

一方、比較例１では、メディア粒子として、実施例１におけるアルミナに代えて、ポリカーボネート樹脂よりなるメディア粒子を用意した。メディア粒子の形状は真球状であり、基材粒子の平均粒径は４０μｍであった。

【0115】

次に、２０ｇの基材粒子、及び、５０ｇのメディア粒子を、バレルスパッタリング装置１０の真空容器１１（バレル１１ｂ）内に収容した。真空容器１１（バレル１１ｂ）内には、実施例１におけるターゲット１４の組成と同様の組成を有するターゲット１４が配置されていた。次に、真空容器１１（円筒部１１ａ）の内部を真空排気部１２により真空排気した。ヒータ２８で真空容器１１（円筒部１１ａ）を９０℃の温度に１５分間加熱しながら、真空容器１１（円筒部１１ａ）内を２．２×１０^－３Ｐａの圧力（到達圧力）まで減圧した。

【0116】

次に、真空容器１１（円筒部１１ａ）内が真空排気部１２により真空排気された状態で、アルゴンガス供給機構３４によりＡｒガスを２４．０ｓｃｃｍの流量で真空容器１１（円筒部１１ａ）内に供給し、真空容器１１（円筒部１１ａ）内の圧力を０．２Ｐａとした。また、真空容器１１（バレル１１ｂ）を駆動部１３により揺動駆動（バレルスイング若しくはアームスイング）することで、真空容器１１（バレル１１ｂ）内の基材粒子及びメディア粒子を攪拌した。そして、電力供給部１５によりターゲット１４と真空容器１１（円筒部１１ａ）との間に２００Ｗの高周波電力の供給を開始したところ、供給開始とともに３Ｐａを超える圧力まで周期的な圧力上昇が観察され、正常なスパッタが困難と判断し、高周波電力の供給を停止した。

【0117】

また、詳細な説明は省略するものの、実施例１及び実施例２において、バレルスパッタリング装置１０の真空容器１１（バレル１１ｂ）内にメディア粒子５を収容しない場合、基材粒子２の撹拌が十分でなく、一部の基材粒子２の表面には金属層３を均一に形成することはできるものの、全ての基材粒子２の表面に金属層３を均一に形成することができなかった。

【0118】

また、詳細な説明は省略するものの、実施例１及び実施例２において、メディア粒子５として、アルミナよりなるメディア粒子に代えて、ジルコニア、シリカよりなるメディア粒子を用いた場合にも、実施例１及び実施例２と同様の結果が得られた。即ち、メディア粒子５がアルミナ、ジルコニア又はシリカよりなる場合、メディア粒子５が例えばポリカーボネートよりなる場合及び後述する比較例２を用いて説明するようにフェノール樹脂よりなる場合に比べて、メディア粒子５の表面からガスが発生しない。そのため、真空容器１１（円筒部１１ａ）内を３．７×１０^－３Ｐａ以下の圧力（到達圧力）まで減圧することができ、スパッタ中の圧力が３Ｐａ以下であるので、基材粒子２の表面に金属層３をバレルスパッタリング法により容易に形成することができる。

【0119】

そのため、基材粒子２の表面に金属層３を均一に形成するためには、バレルスパッタリング装置１０を用いたバレルスパッタリング法により金属層３を形成し、且つ、メディア粒子５として、アルミナ、ジルコニア又はシリカよりなるメディア粒子を用いることが好ましいことが明らかになった。

【0120】

（比較例２及び比較例３）
次に、比較例２及び比較例３の導電粒子を作製する試験を行った。

【0121】

まず、表１に示すように、比較例２の導電粒子を作製する試験では、基材粒子として、ポリドデカンアミド即ちナイロン１２よりなる基材粒子に代えて、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）樹脂よりなる基材粒子を用意した。基材粒子の形状は真球状であり、基材粒子２の平均粒径は１００μｍであった。

【0122】

また、比較例２では、メディア粒子として、実施例１におけるアルミナよりなるメディア粒子に代えて、フェノール樹脂よりなるメディア粒子を用意した。メディア粒子の形状は真球状であり、メディア粒子の平均粒径は５μｍであった。

【0123】

次に、５０ｇの基材粒子、及び、５０ｇのメディア粒子を、バレルスパッタリング装置１０の真空容器１１（バレル１１ｂ）内に収容した。真空容器１１（バレル１１ｂ）内には、実施例１におけるターゲット１４の組成と同様の組成を有するターゲット１４が配置されていた。次に、真空容器１１（円筒部１１ａ）の内部を真空排気部１２により真空排気した。ヒータ２８で真空容器１１（円筒部１１ａ）を９０℃の温度に１５分間加熱しながら、真空容器１１（円筒部１１ａ）内を減圧した。しかしながら、比較例２では、真空容器１１（円筒部１１ａ）内を３．２×１０^－２Ｐａの圧力（到達圧力）までしか減圧できなかった。

【0124】

次に、真空容器１１（円筒部１１ａ）内が真空排気部１２により真空排気された状態で、アルゴンガス供給機構３４によりＡｒガスを２４．０ｓｃｃｍの流量で真空容器１１（円筒部１１ａ）内に供給し、真空容器１１（円筒部１１ａ）内の圧力を０．２Ｐａとした。また、真空容器１１（バレル１１ｂ）を駆動部１３により駆動することで、真空容器１１（バレル１１ｂ）内の基材粒子及びメディア粒子を攪拌した。そして、電力供給部１５によりターゲット１４と真空容器１１との間に２００Ｗの高周波電力の供給を開始したところ、供給開始とともに３Ｐａを超える圧力まで大幅な圧力上昇が観察され、正常なスパッタが困難と判断し、高周波電力の供給を停止した。

【0125】

また、比較例３の導電粒子を作製する試験では、メディア粒子を用いず、５０ｇの基材粒子のみを、バレルスパッタリング装置１０の真空容器１１内に収容したこと以外は、比較例２の導電粒子を作製する試験と同様の条件で、比較例３の導電粒子を作製する試験を行った。しかしながら、比較例２と同様に、比較例３でも、真空容器１１（円筒部１１ａ）内を３．２×１０^－２Ｐａの圧力（到達圧力）までしか減圧できず、電力供給部１５による高周波電力の供給開始とともに３Ｐａを超える圧力まで大幅な圧力上昇が観察され、正常なスパッタが困難と判断し、高周波電力の供給を停止した。

【0126】

また、詳細な説明は省略するものの、比較例２において、基材粒子として、ポリドデカンアミド即ちナイロン１２よりなる基材粒子に代えて、ポリドデカンアミド樹脂即ちナイロン１２以外のポリアミド樹脂よりなる基材粒子を用いた場合にも、比較例２と同様の結果が得られた。

【0127】

そのため、基材粒子２の表面に金属層３を均一に厚く形成するためには、バレルスパッタリング装置を用いたバレルスパッタリング法により金属層３を形成し、且つ、基材粒子２として、ポリドデカンアミド樹脂即ちナイロン１２よりなる基材粒子２を用いることが好ましいことが明らかになった。

【0128】

上記した実施例１及び実施例２並びに比較例１乃至比較例３によれば、ステップＳ１２又はステップＳ３２において、真空容器１１（円筒部１１ａ）内を真空排気部１２により真空排気することにより、真空容器１１（円筒部１１ａ）内の圧力を９．５×１０^－４～３．７×１０^－３Ｐａの圧力（到達圧力）に減圧する場合に、基材粒子２の表面に金属層３をバレルスパッタリング法により均一に厚く形成できることが明らかになった。また、ステップＳ１３又はステップＳ３３において、電力供給部１５によりターゲット１４に１８０～２２０Ｗの高周波電力を供給し、高周波電力が供給されているターゲット１４がスパッタされることにより、金属層３を形成し、金属層６を形成する場合に、基材粒子２の表面に金属層３をバレルスパッタリング法により均一に厚く形成できることが明らかになった。また、ステップＳ１３又はステップＳ３３において、高周波電力が供給されているターゲット１４がスパッタされている間の真空容器１１（円筒部１１ａ）内の圧力が１．５～３Ｐａである場合に、基材粒子２の表面に金属層３をバレルスパッタリング法により均一に厚く形成できることが明らかになった。

【0129】

また、上記した実施例１及び実施例２並びに比較例１乃至比較例３によれば、高周波電力が供給されているターゲット１４がスパッタされている間の基材粒子２の温度が１００～１８０℃である場合に、基材粒子２の表面に金属層３をバレルスパッタリング法により均一に厚く形成できることが明らかになった。

【0130】

また、上記した実施例１及び実施例２並びに比較例１乃至比較例３によれば、本実施の形態の導電粒子の製造方法により作製された導電粒子１又は１ａを真空容器１１（円筒部１１ａ）内に収容し、真空容器１１（円筒部１１ａ）内を真空排気部１２により真空排気することにより、真空容器１１（円筒部１１ａ）内の圧力を９．５×１０^－４～３．７×１０^－３Ｐａの圧力に減圧した後、真空容器１１（円筒部１１ａ）内が真空排気部１２により真空排気された状態で、導電粒子１又は１ａをヒータ（加熱部）２８により１００～１８０℃の温度に加熱したとき、導電粒子１又は１ａが加熱されている間の真空容器１１（円筒部１１ａ）内の圧力は、１．５～３Ｐａであり、このような場合に、導電粒子１又は１ａが、基材粒子２の表面に金属層３をバレルスパッタリング法により均一に厚く形成されたものであると確認できることが明らかになった。

【0131】

（比較例４）
次に、比較例４の導電粒子を作製する試験を行った。

【0132】

まず、表１に示すように、比較例４の導電粒子を製造する試験では、基材粒子として、ポリドデカンアミド即ちナイロン１２よりなる基材粒子に代えて、アクリル樹脂よりなる基材粒子を用意した。基材粒子の形状は真球状であり、基材粒子の平均粒径は５μｍであった。

【0133】

また、比較例４の導電粒子を作製する試験では、メディア粒子を用いず、５０ｇの基材粒子のみを、バレルスパッタリング装置１０の真空容器１１（バレル１１ｂ）内に収容したこと以外は、比較例２の導電粒子の作製条件と同様の作製条件で、比較例４の導電粒子を作製する試験を行った。

【0134】

しかしながら、比較例４でも、比較例２と同様に、真空容器１１（円筒部１１ａ）内を３．２×１０^－２Ｐａの圧力（到達圧力）までしか減圧できず、電力供給部１５による高周波電力の供給開始とともに３Ｐａを超える圧力まで大幅な圧力上昇が観察され、正常なスパッタが困難と判断し、高周波電力の供給を停止した。また、比較例４の導電粒子を作製する試験では、基材粒子が溶融した。

【0135】

そのため、高周波電力が供給されているターゲット１４がスパッタされている間の真空容器１１（円筒部１１ａ）内の温度は、１６０℃の融点を有するアクリル樹脂よりなる基材粒子２を用いた場合に基材粒子２が溶融したため１６０℃よりも２０℃程度高い１８０℃程度以下である、と考えられる。

【0136】

以上、本発明者によってなされた発明をその実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。

【0137】

本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。

【0138】

例えば、前述の各実施の形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。

【符号の説明】

【0139】

１、１ａ 導電粒子
２ 基材粒子
３、４、６ 金属層
５ メディア粒子
１０ バレルスパッタリング装置
１１ 真空容器
１１ａ 円筒部
１１ｂ バレル
１２ 真空排気部
１３ 駆動部
１４ ターゲット
１５ 電力供給部
１６ ターボ分子ポンプ
１７ ロータリーポンプ
１８、２１、２２、２４、２５、２７ 配管
１９、２３、２６、３１、３３ バルブ
２８ ヒータ
２９ 圧力計
３２ 窒素ガス供給機構
３４ アルゴンガス供給機構
ＣＡ１ 中心軸
ＴＨ１、ＴＨ２ 厚さ

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】