(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024126281
(43)【公開日】2024-09-20
(54)【発明の名称】伝送線路－導波管変換器
(51)【国際特許分類】
H01P 5/107 20060101AFI20240912BHJP
【ＦＩ】
H01P5/107 B
【審査請求】未請求
【請求項の数】10
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023034563
(22)【出願日】2023-03-07
(71)【出願人】
【識別番号】301072650
【氏名又は名称】ＮＥＣスペーステクノロジー株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100103894
【弁理士】
【氏名又は名称】家入 健
(72)【発明者】
【氏名】笹村 謙
(57)【要約】
【課題】低背な構成で取付が容易な伝送線路－導波管変換器を提供する。
【解決手段】実施形態に係る伝送線路－導波管変換器は、信号導体１３を有するプリント配線板１０と、プリント配線板１０に実装され、信号導体１３に接続される、アンテナ部２２２を含む変換パターン２２を有するセラミックパッケージ２０と、セラミックパッケージ２０を囲むようにプリント配線板１０上に設けられ、アンテナ部２２２と電磁的に結合された導波路を有する導波管３０と、セラミックパッケージ２０のプリント配線板１０側に設けられ、導波管３０を終端するバックショートとを備える。
【選択図】図１
【解決手段】実施形態に係る伝送線路－導波管変換器は、信号導体１３を有するプリント配線板１０と、プリント配線板１０に実装され、信号導体１３に接続される、アンテナ部２２２を含む変換パターン２２を有するセラミックパッケージ２０と、セラミックパッケージ２０を囲むようにプリント配線板１０上に設けられ、アンテナ部２２２と電磁的に結合された導波路を有する導波管３０と、セラミックパッケージ２０のプリント配線板１０側に設けられ、導波管３０を終端するバックショートとを備える。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
伝送線路を有するプリント配線板と、
前記プリント配線板に実装され、前記伝送線路に接続される、アンテナ部を含むパターンを有するパターン部品と、
前記パターン部品を囲むように前記プリント配線板上に設けられ、前記パターンと電磁的に結合された導波路を有する導波管と、
前記パターン部品の前記プリント配線板側に設けられ、前記導波路を終端するバックショートと、
を備える、
伝送線路－導波管変換器。
前記プリント配線板に実装され、前記伝送線路に接続される、アンテナ部を含むパターンを有するパターン部品と、
前記パターン部品を囲むように前記プリント配線板上に設けられ、前記パターンと電磁的に結合された導波路を有する導波管と、
前記パターン部品の前記プリント配線板側に設けられ、前記導波路を終端するバックショートと、
を備える、
伝送線路－導波管変換器。
【請求項2】
前記パターン部品は、セラミックパッケージである、
請求項１に記載の伝送線路－導波管変換器。
請求項１に記載の伝送線路－導波管変換器。
【請求項3】
前記プリント配線板上には、前記バックショートに接続される接地パターンが形成され、
前記セラミックパッケージは、前記接地パターン上に実装される、
請求項２に記載の伝送線路－導波管変換器。
前記セラミックパッケージは、前記接地パターン上に実装される、
請求項２に記載の伝送線路－導波管変換器。
【請求項4】
前記バックショートは、前記パターン部品上に形成される、
請求項１に記載の伝送線路－導波管変換器。
請求項１に記載の伝送線路－導波管変換器。
【請求項5】
前記セラミックパッケージは、前記導波管の延びる方向に向かって、前記プリント配線板側から離れるほどサイズが小さくなる、
請求項２に記載の伝送線路－導波管変換器。
請求項２に記載の伝送線路－導波管変換器。
【請求項6】
前記バックショートは、前記プリント配線板の前記パターン部品が実装される面とは反対側の面に設けられている、
請求項１に記載の伝送線路－導波管変換器。
請求項１に記載の伝送線路－導波管変換器。
【請求項7】
前記プリント配線板は多層基板であり、前記バックショートは前記プリント配線板中に設けられている、
請求項１に記載の伝送線路－導波管変換器。
請求項１に記載の伝送線路－導波管変換器。
【請求項8】
前記導波管は、当該導波管の内壁から、前記導波管の延びる方向に対して直交する方向に向かって突出する縮径部を備える、
請求項１に記載の伝送線路－導波管変換器。
請求項１に記載の伝送線路－導波管変換器。
【請求項9】
前記パターン部品は、集積回路部品を含むパッケージであり、
前記アンテナ部は、前記集積回路部品上に形成される、
請求項１に記載の伝送線路－導波管変換器。
前記アンテナ部は、前記集積回路部品上に形成される、
請求項１に記載の伝送線路－導波管変換器。
【請求項10】
前記パッケージは、前記集積回路部品を覆うパッケージキャップをさらに備え、
前記パッケージキャップの、少なくとも前記アンテナ部に対応する部分は非金属である、
請求項９に記載の伝送線路－導波管変換器。
前記パッケージキャップの、少なくとも前記アンテナ部に対応する部分は非金属である、
請求項９に記載の伝送線路－導波管変換器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、伝送線路－導波管変換器に関する。
【背景技術】
【0002】
基板上の伝送線路を伝搬する信号から導波管を伝搬する信号への変換を行う伝送線路－導波管変換器が知られている。このような変換器は、マイクロ波又はミリ波の高周波信号を伝送するアンテナ装置に広く用いられている。この変換器として、例えば、導波管と、バックショートと呼ばれる金属カバーとの間に、マイクロストリップ線路やコプレーナ導波路等の伝送線路が形成された基板を挟み込んだ構造が知られている。
【0003】
バックショートは、基板上の変換パターンから信号を伝播したい方向とは逆の方向に導波管を閉じるように形成される。このバックショートの長さは、λｇ／４（λｇ：管内波長）程度に設定される。バックショート長は電波の波長で決まるため、周波数が低いほど長くなり、基板外にバックショートを設けるための大きな空間が必要となっていた。
【0004】
そこで、特許文献１は、低背な構成でバックショート機能を実現する高周波回路－導波管変換器を提案している。特許文献１に記載の変換器は、誘電体層内に設けられた、ストリップ導体及びアンテナを有する配線を備えている。誘電体層の一方側には第１導体層が形成され、他方側には電磁結合用の開口を有する第２導体層が形成されている。アンテナの周囲には、誘電体層を貫通して第１導体層と第２導体層を導通する導体壁が設けられており、第２導体層の下方には導波管が設けられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【特許文献1】特開２０１４－１８３４５８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
特許文献１では、誘電体層を形成する誘電体材料として、例えば酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化珪素、ムライト等を主成分とするセラミック材料が用いられている。一方、導波管は、アルミナ等の金属酸化物や樹脂で管状に構成されており、その内壁は金、銀等の貴金属で被覆されている。特許文献１では、このような導波管の端部を、セラミック基板に直接接続する構造となっている。しかしながら、セラミック基板は固く割れやすいため、導波管等の金属部品を直接取り付けるのは困難である。
【0007】
本開示の目的は、上述した課題を鑑み、低背な構成で取付が容易な伝送線路－導波管変換器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0008】
本開示の一態様に係る伝送線路－導波管変換器は、伝送線路を有するプリント配線板と、前記プリント配線板に実装され、前記伝送線路に接続されるパターンを有するセラミックパッケージと、前記セラミックパッケージを囲むように前記プリント配線板上に設けられ、前記パターンと電磁的に結合された導波路を有する導波管とを備える。
【発明の効果】
【0009】
本開示によれば、低背な構成で取付が容易な伝送線路－導波管変換器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0010】
【図1】実施形態１に係る伝送線路－導波管変換器の構成を示す図である。
【図8】実施形態２に係る伝送線路－導波管変換器の構成を示す図である。
【図15】実施形態３に係る伝送線路－導波管変換器の構成を示す図である。
【図22】実施形態４に係る伝送線路－導波管変換器の構成を示す図である。
【図24】実施形態４に係る伝送線路－導波管変換器の他の構成例を示す図である。
【図25】実施形態５に係る伝送線路－導波管変換器の構成を示す図である。
【図26】実施形態６に係る伝送線路－導波管変換器の構成を示す図である。
【図30】実施形態６に係る伝送線路－導波管変換器の他の構成例を示す図である。
【図31】実施形態６に係る伝送線路－導波管変換器の他の構成例を示す図である。
【図32】実施形態７に係る伝送線路－導波管変換器の構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0011】
以下では、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。各図面において、同一又は対応する要素には同一の符号が付されており、説明の明確化のため、必要に応じて重複説明は省略される。なお、図１において、紙面の左右方向をｘ方向、上下方向をｙ方向、垂直な方向をｚ方向とするｘｙｚ座標を適用する。また、他の図面においても、同様の方向を示すｘｙｚ座標を適用するものとする。また、図２、９、１６、２８、３３は、プリント配線板１０のみの構成を示しており、セラミックパッケージ２０や導波管３０等の他の要素が設けられる箇所は一点鎖線で示されている。
【0012】
実施形態は、マイクロ波及びミリ波等の高周波信号を、プリント配線板（以下、単に基板と称する場合がある）上の伝送線路から導波管の伝搬モードに変換する変換器である。実施形態１～６は、伝送線路としてマイクロストリップ線路を用いた例を示しており、実施形態７はコプレーナ導波路を用いた例を示している。マイクロストリップ線路、コプレーナ導波路は、高周波信号を伝送することを目的として基板上に形成した伝送線路である。
【0013】
マイクロストリップ線路は、例えば、基板に形成された接地導体との距離ｄと、基板の比誘電率εｒとに応じた幅ｗの線状の信号導体を形成することで、所望のインピーダンスを有するように調整した伝送線路である。また、コプレーナ導波路とは、基板の同一表面において、少なくとも一つの信号導体と、少なくとも一つの接地導体とを備える伝送線路である。
【0014】
導波管は、一般的にはアルミ、鉄、銅、真鍮等の金属で構成される管状の部材である。なお、導波管は、プラスチック、有機材料等の非金属に金属メッキをしたものであってもよい。導波管は、高周波信号を減衰させずに、その内部を良好に伝搬可能である。導波管は、例えば、断面が長方形であり、その縦横の寸法は伝搬する高周波信号の周波数によって決定される。
【0015】
基板上の伝送線路から導波管に変換する場合、基板に対して垂直に導波管が延びるように接続される構造が広く用いられる。伝送線路から導波管に信号の伝播方法を変換するために、基板上にはパッチアンテナないし類似形状を形成し、電界を発生させる。その際、導波管のある順方向と逆方向の両方向に伝播信号が発生する。そこで、導波管のない逆方向にアンテナ面からλｇ／４程度離れた適切な位置にバックショートと呼ばれるショート面を配置することで、バックショートによる反射波がアンテナの順方向信号と同相合成でき、低損失で導波管に伝播される。
【0016】
バックショート長は電波の波長で決まり、周波数が低いほど長くなる。６～４０ＧＨｚ程度の周波数の場合、基板厚では距離が足りないため、基板上にバックショートとして金属カバーなどの構造物を取り付ける必要があった。例えば、２０ＧＨｚ帯で、基板中の波長短縮効果が２／３程度である場合、バックショート長λｇ／４=２．５ｍｍ程度となる。基板厚は通常１～１．５ｍｍであるため、基板中にバックショートを形成することはできず、基板外に大きな空間が必要となっていた。したがって、フェーズドアレイアンテナなど、基板の裏面側にアンテナが敷き詰められている場合、バックショートを設けることができないため伝送線路－導波管変換器を設けることができなかった。
【0017】
そこで、本実施形態では、低温同時焼成セラミックス（Low Temperature Co-fired Ceramics：ＬＴＣＣ）、高温同時焼成セラミックス（High Temperature Co-fired Ceramics：ＨＴＣＣ）などを用いたセラミックパッケージを用いることで、基板裏面側に構造物を用意せずに、容易に取り付けることができる伝送線路－導波管変換器を提供する。
【0018】
実施形態１．
図１～７を参照して、実施形態１に係る伝送線路－導波管変換器について説明する。図１は、実施形態１に係る伝送線路－導波管変換器の構成を示す図である。図２は、図１の伝送線路－導波管変換器に用いられるプリント配線板の一例を示す図である。図３は、図２のＩＩＩ－ＩＩＩ断面図である。図４は、図１の伝送線路－導波管変換器に用いられるセラミックパッケージの一例を示す図である。図５は、図４のＶ－Ｖ断面図の一部である。図６は図１のＡ－Ａ断面図であり、図７は図１のＢ－Ｂ断面図である。以下の説明では、伝送線路－導波管変換器を変換器１と称する。
図１～７を参照して、実施形態１に係る伝送線路－導波管変換器について説明する。図１は、実施形態１に係る伝送線路－導波管変換器の構成を示す図である。図２は、図１の伝送線路－導波管変換器に用いられるプリント配線板の一例を示す図である。図３は、図２のＩＩＩ－ＩＩＩ断面図である。図４は、図１の伝送線路－導波管変換器に用いられるセラミックパッケージの一例を示す図である。図５は、図４のＶ－Ｖ断面図の一部である。図６は図１のＡ－Ａ断面図であり、図７は図１のＢ－Ｂ断面図である。以下の説明では、伝送線路－導波管変換器を変換器１と称する。
【0019】
図１に示すように、変換器１は、プリント配線板１０、セラミックパッケージ２０、導波管３０を含む。プリント配線板１０は、基板１１、ＧＮＤ（接地）パターン１２、信号導体１３、ＧＮＤパターン１４、インナービア１５を有する。基板１１としては、ガラスエポキシ基板、ポリイミド基板、ガラスコンポジット基板、テフロン（登録商標）基板等が用いられ得る。例えば、基板１１として、パナソニック株式会社製のＭｅｇｔｒｏｎ６や、ロジャース社製のＲｏｇｅｒｓ材等を用いることができる。
【0020】
図２、３を参照すると、プリント配線板１０は、多層基板であり、１層目にＧＮＤパターン１２及び信号導体１３、２層目にＧＮＤパターン１４が設けられている。ＧＮＤパターン１２、信号導体１３、ＧＮＤパターン１４の材料としては、通常、銅が用いられるが、金・銀・アルミニウム等を主成分とする金属等が用いられてもよい。ＧＮＤパターン１２とＧＮＤパターン１４とは、インナービア１５により接続されている。図２に示すように、インナービア１５は、ＧＮＤパターン１２の下部に、信号導体１３の先端を囲むように複数配置されている。なお、ＧＮＤパターン１４より下層は、任意の導体層やビア導体が形成されて、他の回路パターンを形成していてもよい。
【0021】
基板１１上の、ｘｙ平面視で略矩形の枠状の導波管３０が配置される箇所及びその内側には、ＧＮＤパターン１２が設けられている。セラミックパッケージ２０は、基板１１上において、枠状の導波管３０内に配置される。すなわち、セラミックパッケージ２０及び導波管３０は、ＧＮＤパターン１２上に設けられる。また、基板１１のＧＮＤパターン１２が設けられている面と同一の面には、ＧＮＤパターン１２に接触しないように、信号導体１３が設けられている。信号導体１３は、ｘ方向の中央に、ｙ方向に沿って線状に形成されている。信号導体１３が、伝送線路であるマイクロストリップ線路となる。基板１１の内部に形成されるＧＮＤパターン１４は、基板１１を挟んで信号導体１３に対向し、マイクロストリップ線路のグランドとして機能する。
【0022】
プリント配線板１０のＧＮＤパターン１２上には、セラミックパッケージ２０が設けられている。セラミックパッケージ２０は、ＬＴＣＣやＨＴＣＣなどの厚膜基板の製造技術を用いて製造される。図４、５をさらに参照すると、セラミックパッケージ２０は、セラミック層２１、変換パターン２２、金属パターン２３を含む。実施形態１に示す例では、セラミック層２１は上面視が正方形の直方体である。なお、セラミック層２１の形状は一例であり、これに限定されるものではない。例えば、セラミック層２１は上面視が長方形であってもよい。セラミック層２１は、酸化アルミニウム・窒化アルミニウム・窒化珪素・ムライト等を主成分とする誘電性を有するセラミック材料からなる、ＬＴＣＣ又はＨＴＣＣなどにより形成される。
【0023】
図１に示すように、変換パターン２２は、例えば、信号導体１３と同一の幅であり、当該信号導体と接続される接続部２２１と、接続部２２１の先端に連続して形成される、接続部２２１よりも大きい幅のアンテナ部２２２とを有し得る。信号導体１３及び変換パターン２２は、ｘ方向の中央において、ｙ方向に沿って線状に延びている。変換パターン２２は、高周波信号を放射し、導波管３０に電磁結合で給電する役割を果たす。
【0024】
図４には、セラミックパッケージ２０の、プリント配線板１０に対向する裏面側が示されている。セラミックパッケージ２０の裏面側には、セラミックパッケージ２０をプリント配線板１０に実装した時に、信号導体１３に接続される変換パターン２２の一部が形成されている。変換パターン２２は、セラミックパッケージ２０の表面側から、側面を通って、裏面側まで延在している。
【0025】
また、セラミックパッケージ２０の裏面側の、変換パターン２２から間隔を空けた、残余の領域には金属パターン２３が形成されている。すなわち、金属パターン２３は、セラミックパッケージ２０のプリント配線板１０側に設けられる。金属パターン２３は、プリント配線板１０のＧＮＤパターン１２に接続される。ＧＮＤパターン１２は、セラミックパッケージ２０をプリント配線板１０にはんだ付けして実装する時の接合箇所とすることができる。実施形態１では、金属パターン２３が、導波路を終端するバックショートを構成する。
【0026】
セラミック層２１のｚ方向の厚さは上述したバックショート長に基づいて決定され得る。換言すると、アンテナ部２２２と金属パターン２３との間の距離は、アンテナ部２２２から放射された電波のうち、導波管３０とは逆の方向に向かって放射する電波を反射させて、アンテナ部２２２に同相で戻すことができる長さである。アンテナ部２２２と金属パターン２３との間の距離は例えば、λｇ／４である。なお、インピーダンス整合を確保するために、アンテナ部２２２と金属パターン２３との間の距離はλｇ／４と異なっていてもよい。
【0027】
変換パターン２２から放射される電波は、バックショートとしての金属パターン２３において位相が１８０°反転して反射され、反射されて戻ってくる電波は、変換パターン２２から直接導波管に放射される電波と同相となり、低損失で導波管に給電される。変換パターン２２からバックショートの間には、セラミックパッケージ２０の厚さが含まれる。ＬＴＣＣなどを用いたセラミックパッケージ２０は一般にプリント配線板１０と比べて比誘電率が高く、波長短縮効果が大きい。そのため、薄いセラミックパッケージであってもバックショートまでの距離を稼ぐことができ、プリント配線板１０の裏面側にバックショートとして他の構造物を設ける必要はない。
【0028】
セラミックパッケージ２０は、Ａｕ、Ａｇ、Ａｇ／Ｐｄ、Ａｇ／Ｐｔ系の導体ペーストを導体材料として使用して各セラミックグリーンシート層に印刷することで、上記の変換パターンを含む微細パターンを高精度に形成することができる。また、セラミックパッケージ２０は誘電体材料からなるため、真空と比べてパッケージ中での波長短縮効果が得られる。また、セラミックパッケージ２０は、はんだ付け等によりプリント配線板１０に容易に実装することが可能である。
【0029】
図１に示すように、セラミックパッケージ２０の周囲には、信号導体１３に対応する部分を開口した、導波管３０が設けられている。導波管３０は、セラミックパッケージ２０の周囲を略矩形の枠状に囲んでおり、変換パターン２２と電磁的に結合された導波路を有する。図６、７に示すように実施形態１では、導波管３０は、プリント配線板１０の他の箇所に形成される回路等を保護するためのケース３１と一体的に形成されている。ケース３１は、例えば、プリント配線板１０に直接ねじ３２により取り付けられる。このように、導波管３０はプリント配線板１０に固定されるため、変換器１は振動や衝撃に対する耐性が高くなる。なお、図７に示すように、プリント配線板１０の裏面側にもケースが配置されて、導波管３０と一体的に形成されたケース３１とともに共通のねじにより共締めされてもよい。なお、導波管３０の、プリント配線板１０への取付方法はねじ止めに限らず、接着剤等で取り付けることも可能である。
【0030】
このように、実施形態１によれば、伝送線路－導波管変換器において、プリント配線板１０上にセラミックパッケージ２０を実装することで、バックショートとして他の構造物を基板裏面に形成する必要がなくなる。また、セラミックパッケージ２０は加工精度が高いため、金属カバーなどの構造物に比べて安価に品質のばらつきを抑えることができる。
【0031】
また、特許文献１では、セラミック基板に対して直接導波管を取り付ける構造となっており、セラミック基板は固く割れやすいため、導波管等の金属部品を直接取り付けるのは困難であった。これに対し、実施形態では、導波管３０を含むケース３１をプリント配線板１０に対して取り付けるため、ねじ止め等の簡易な方法で導波管３０を取り付けることができる。
【0032】
また、特許文献１では、誘電体層を貫通して、誘電体層の両面にそれぞれ形成された第１及び第２導体層を繋ぐ導体スルーホールをアンテナの周辺を囲むように形成した導体壁を設ける必要がある。高周波信号の周波数が低い場合、この導体壁の面積が非常に大きくなり、セラミック基板を大きくする必要がある。これに対し、実施形態では、プリント配線板１０や、セラミックパッケージ２０に導体壁を設ける必要がないため、サイズを小さくすることができる。このため、実施形態に係る発明は、部品に係るコストや、部品の強度の観点においても特許文献１に対して有利である。
【0033】
実施形態２．
図８～１４を参照して、実施形態２に係る変換器１について説明する。図８は、実施形態２に係る変換器１の構成を示す図である。図９は、図８の変換器１に用いられるプリント配線板の一例を示す図である。図１０は、図９のＸ－Ｘ断面図であり、図１１は、図９のＸＩ－ＸＩ断面図である。図１２は、図８の変換器１に用いられるセラミックパッケージの一例を示す図である。図１３は、図１２のＸＩＩＩ－ＸＩＩＩ断面図の一部である。図１４は、図８のＣ－Ｃ断面図である。
図８～１４を参照して、実施形態２に係る変換器１について説明する。図８は、実施形態２に係る変換器１の構成を示す図である。図９は、図８の変換器１に用いられるプリント配線板の一例を示す図である。図１０は、図９のＸ－Ｘ断面図であり、図１１は、図９のＸＩ－ＸＩ断面図である。図１２は、図８の変換器１に用いられるセラミックパッケージの一例を示す図である。図１３は、図１２のＸＩＩＩ－ＸＩＩＩ断面図の一部である。図１４は、図８のＣ－Ｃ断面図である。
【0034】
実施形態２では、プリント配線板１０上に形成されているＧＮＤパターン１２上に、セラミックパッケージ２０を接合する方法として、はんだ合金といったはんだ接合用材料を用いたはんだ接合方法を用いた例について説明する。
【0035】
図８に示すように、実施形態２では、セラミックパッケージ２０の一部が、ｘｙ平面視で開口が設けられた略矩形の枠状の導波管３０からはみ出すように配置される。図９、１０、１１に示すように、プリント配線板１０の１層目にＧＮＤパターン１２、信号導体１３、２層目にＧＮＤパターン１４が設けられている。信号導体１３は、プリント配線板１０のｘ方向の中央に、ｙ方向に沿って線状に形成されている。信号導体１３が、伝送線路であるマイクロストリップ線路となる。基板１１の内部に形成されるＧＮＤパターン１４は、基板１１を挟んで信号導体１３に対向し、マイクロストリップ線路のグランドとして機能する。
【0036】
ＧＮＤパターン１２は、枠状部分１２１と、枠状部分１２１から信号導体１３の周囲を囲む囲繞部分１２２とを含むように設けられている。ＧＮＤパターン１２は、インナービア１５を介して、２層目のＧＮＤパターン１４に接続されている。インナービア１５は、枠状のＧＮＤパターン１２の下部に複数並列して配置されている。
【0037】
本実施形態では、枠状のＧＮＤパターン１２とＧＮＤパターン１４とをつなぐインナービア１５の列により導体壁が形成される。この導体壁は、アンテナ部２２２の周囲を矩形の枠状に囲んでいる。このインナービア１５の列と、ＧＮＤパターン１２、ＧＮＤパターン１４とで疑似導波管が形成される。例えば、特許文献１に記載されているように、複数のインナービア１５の間隔はλｇ／８以下に設定することができる。この疑似導波管で周囲を囲むことによって、アンテナ部２２２から放射された電波が外部に漏れることを抑制することができる。
【0038】
図１０、１１に示す例では、４層目のＧＮＤパターンがバックショートとして機能する。このバックショートと同じエリアの５、６層目は、任意に設計することができる。このため、特許文献１のように、誘電体層の両側にそれぞれ形成された導電層を接続した導体壁をバックショートとする場合と比較して、設計の自由度が向上する。なお、必要に応じて、４層のＧＮＤパターン以外の層を用いて、バックショートを形成してもよい。
【0039】
また、インナービア１５は、ＧＮＤパターン１２の下部において、ｘｙ平面視で信号導体１３の先端を囲む位置にも複数配置されている。なお、ＧＮＤパターン１４より下層は、任意の導体層やビア導体が形成されて、他の回路パターンを形成していてもよい。また、ＧＮＤパターン１２は、ｘ方向の中央において、枠の内側に突出する突出部１２３を含む。
【0040】
プリント配線板１０上の突出部１２３から、導波管３０の開口を通って、信号導体１３にわたって、セラミックパッケージ２０が配置される。図１２、１３をさらに参照すると、セラミックパッケージ２０は、セラミック層２１、変換パターン２２、金属パターン２３を含む。実施形態２では、セラミック層２１は上面視でｙ方向に長い長方形である。
【0041】
図８に示すように、変換パターン２２は、例えば、信号導体１３と同一の幅であり、当該信号導体と接続される接続部２２１と、接続部２２１の先端に連続して形成される、接続部２２１よりも大きい幅のアンテナ部２２２とを有し得る。信号導体１３及び変換パターン２２は、ｘ方向の中央において、ｙ方向に沿って線状に延びている。
【0042】
図１２には、セラミックパッケージ２０の、プリント配線板１０に対向する裏面側が示されている。セラミックパッケージ２０の裏面側には、セラミックパッケージ２０をプリント配線板１０に実装した時に、信号導体１３に接続される変換パターン２２が形成されている。すなわち、変換パターン２２は、セラミックパッケージ２０の表面側から、側面を通って、裏面側まで延在している。また、セラミックパッケージ２０の裏面側の、変換パターン２２から間隔を空けた、残余の領域において、セラミック層２１のｙ方向の両縁部にはそれぞれ金属パターン２３が形成されている。金属パターン２３は、プリント配線板１０のＧＮＤパターン１２に接続される。ＧＮＤパターン１２は、セラミックパッケージ２０をプリント配線板１０にはんだ付けして実装する時の接合箇所とすることができる。実施形態２では、２つの金属パターン２３が、セラミックパッケージ２０をプリント配線板１０にはんだで接合する時の接合部分となる。
【0043】
ＧＮＤパターン１２の枠状部分１２１の上部には、導波管３０が配置される。導波管３０は、セラミックパッケージ２０が通る部分を開口し、セラミックパッケージ２０のｘ方向の両方の側面、ｙ方向の一方の側面を囲むように設けられている。実施形態２における、導波管３０とプリント配線板１０との接続方法は実施形態１と同様である。例えば、図１４に示すように、導波管３０とケース３１とが一体となっており、ケース３１をプリント配線板１０にねじ止めすることで、導波管３０をプリント配線板１０に固定することができる。また、導波管３０は、接着材等でプリント配線板１０に取り付けられてもよい。
【0044】
このように、実施形態２では、伝送線路－導波管変換器において、プリント配線板１０上にセラミックパッケージ２０を実装することで、バックショートとして他の構造物を基板裏面に形成する必要がなくなる。また、図１２に示すように、セラミックパッケージ２０のｙ方向の両端部に金属パターン２３を形成することで、セラミックパッケージ２０をプリント配線板１０にはんだ等で実装したときにはがれにくくすることができる。さらに、セラミックパッケージ２０のアンテナ部２２２の裏面側には金属パターン２３が配置されていないため、バックショートの機能をプリント配線板１０内に持たせることが可能となる。このように、プリント配線板１０内にバックショートを収めることができるため、セラミックパッケージ２０の厚さを薄くすることが可能となる。また、実施形態２では、導波管３０をプリント配線板１０に対して取り付けるため、簡易な方法で導波管３０を取り付けることができる。
【0045】
実施形態３．
図１５～２１を参照して、実施形態３に係る変換器１について説明する。図１５は、実施形態３に係る変換器１の構成を示す図である。図１６は、図１５の変換器１に用いられるプリント配線板の一例を示す図である。図１７は、図１６のＸＶＩＩ－ＸＶＩＩ断面図であり、図１８は、図１６のＸＶＩＩＩ－ＸＶＩＩＩ断面図である。図１９は、図１５の変換器１に用いられるセラミックパッケージの一例を示す図である。図２０は、図１９のＸＸ－ＸＸ断面図の一部である。図２１は、図１５のＤ－Ｄ断面図である。実施形態３では、プリント配線板１０にセラミックパッケージ２０を接合する方法として、接着剤を用いる方法を採用した例について説明する。
図１５～２１を参照して、実施形態３に係る変換器１について説明する。図１５は、実施形態３に係る変換器１の構成を示す図である。図１６は、図１５の変換器１に用いられるプリント配線板の一例を示す図である。図１７は、図１６のＸＶＩＩ－ＸＶＩＩ断面図であり、図１８は、図１６のＸＶＩＩＩ－ＸＶＩＩＩ断面図である。図１９は、図１５の変換器１に用いられるセラミックパッケージの一例を示す図である。図２０は、図１９のＸＸ－ＸＸ断面図の一部である。図２１は、図１５のＤ－Ｄ断面図である。実施形態３では、プリント配線板１０にセラミックパッケージ２０を接合する方法として、接着剤を用いる方法を採用した例について説明する。
【0046】
図１５に示すように、実施形態３では、セラミックパッケージ２０の一端部が、導波管３０の開口部分にかかるように配置される。実施の形態２と同様に、図１６、１７、１８に示すように、プリント配線板１０の１層目にＧＮＤパターン１２、信号導体１３、２層目にＧＮＤパターン１４が設けられている。信号導体１３は、プリント配線板１０のｘ方向の中央に、ｙ方向に沿って線状に形成されている。信号導体１３が、伝送線路であるマイクロストリップ線路となる。基板１１の内部に形成されるＧＮＤパターン１４は、基板１１を挟んで信号導体１３に対向し、マイクロストリップ線路のグランドとして機能する。
【0047】
ＧＮＤパターン１２は、枠状部分１２１と、枠状部分１２１から信号導体１３の周囲を囲む囲繞部分１２２とを含むように設けられている。ＧＮＤパターン１２は、インナービア１５を介して、２層目のＧＮＤパターン１４に接続されている。インナービア１５は、枠状のＧＮＤパターン１２の下部に複数並列して配置されている。
【0048】
また、実施の形態２と同様に、本実施形態においても、枠状のＧＮＤパターン１２とＧＮＤパターン１４とをつなぐインナービア１５の列により導体壁が形成される。この導体壁は、アンテナ部２２２の周囲を矩形の枠状に囲んでおり、疑似導波管を形成する。導体壁の信号導体１３の反対側に配置される面は、バックショートとして機能し得る。また、インナービア１５は、ＧＮＤパターン１２の下部において、ｘｙ平面視で信号導体１３のｘ方向に隣接する位置で、ｙ方向に沿って複数配置されている。なお、ＧＮＤパターン１４より下層は、任意の導体層やビア導体が形成されて、他の回路パターンを形成していてもよい。
【0049】
セラミックパッケージ２０は、プリント配線板１０上において、ｘｙ平面視で略矩形の枠状の導波管の内側に配置される。図１９、２０をさらに参照すると、セラミックパッケージ２０は、セラミック層２１、変換パターン２２、接着剤を塗布することが可能な塗布領域２４を含む。実施形態３では、セラミック層２１は上面視でｙ方向に長い長方形である。上述した実施形態と同様に、図１５に示す変換パターン２２は、信号導体１３と同一の幅であり、当該信号導体と接続される接続部２２１と、接続部２２１の先端に連続して形成される、接続部２２１よりも大きい幅のアンテナ部２２２とを有し得る。
【0050】
図１９には、セラミックパッケージ２０の、プリント配線板１０に対向する裏面側が示されている。セラミックパッケージ２０の裏面側には、セラミックパッケージ２０をプリント配線板１０に実装した時に、信号導体１３に接続される変換パターン２２が形成されている。また、セラミックパッケージ２０の裏面側の、変換パターン２２から間隔を空けた、残余の領域には、接着剤の塗布領域２４が配置されている。接着剤の塗布領域２４は、セラミックパッケージ２０をプリント配線板１０に実装する際に用いられる。図２１に示すように、接続部２２１は、例えば、半田付けでプリント配線板１０の信号導体１３に接続される。
【0051】
ＧＮＤパターン１２の枠状部分１２１の上部には、導波管３０が配置される。導波管３０は、セラミックパッケージ２０の端部がかかる部分を開口し、セラミックパッケージ２０のｘ方向の両方の側面、ｙ方向の一方の側面を囲むように設けられている。上述したように、実施形態２では、導波管３０は、実施形態１と同様にねじ止めや接着材等でプリント配線板１０に容易に取り付けられ得る。このように、実施形態３では、伝送線路－導波管変換器において、セラミックパッケージ２０及び導波管３０のいずれも容易にプリント配線板１０に取り付けることができる。
【0052】
実施形態４．
図２２、２３を参照して、実施形態４に係る変換器１について説明する。図２２は、実施形態４に係る変換器１の構成を示す図である。図２３は、図２２のＥ－Ｅ断面図である。実施形態４の実施形態１と異なる点は、セラミックパッケージ２０の形状である。ここでは、実施形態４に用いられるセラミックパッケージ２０の形状について詳細に説明する。
図２２、２３を参照して、実施形態４に係る変換器１について説明する。図２２は、実施形態４に係る変換器１の構成を示す図である。図２３は、図２２のＥ－Ｅ断面図である。実施形態４の実施形態１と異なる点は、セラミックパッケージ２０の形状である。ここでは、実施形態４に用いられるセラミックパッケージ２０の形状について詳細に説明する。
【0053】
図２２、２３に示すように、セラミックパッケージ２０の信号導体１３に対向する側には、信号導体１３から離れるにつれて上り階段状にセラミックパッケージ２０の厚みが増大する階段部２５が形成されている。すなわち、セラミックパッケージ２０は、導波管３０の延びるｚ方向に向かって、プリント配線板１０側から離れるほどｘｙ平面視のサイズが小さくなる。一例として、階段部２５は、セラミックパッケージ２０のｙ方向に沿って、信号導体１３に対向する端部から中央部にかけて設けられている。変換パターン２２の接続部２２１はセラミック層２１の階段部２５の各段を通って最上段に至るように形成され、アンテナ部２２２はセラミック層２１の最上段に形成される。セラミックパッケージ２０を囲むように配置された導波管３０は、セラミック層２１の最上段に形成されたアンテナ部２２２と電磁的に結合して導波路を構成する。
【0054】
また、金属パターン２３は、階段部２５が設けられていないセラミック層２１の裏面側に形成される。実施形態４では、実施形態１と同様に、金属パターン２３は、プリント配線板１０のＧＮＤパターン１２に接続される。ＧＮＤパターン１２は、セラミックパッケージ２０をプリント配線板１０にはんだ付けして実装する時の接合箇所とすることができる。実施形態４では、金属パターン２３が、導波路を終端するバックショートを構成する。したがって、セラミック層２１の最上段のｚ方向の厚さは上述したバックショート長に基づいて決定され得る。
【0055】
このように、実施形態４によれば、上記実施形態と同様に、バックショートとして他の構造物を基板裏面に形成する必要がなく、導波管３０を簡易な方法でプリント配線板１０を取り付けることができる。また、実施形態４では、セラミックパッケージ２０が階段部２５を備えていることにより、より広帯域で、より特性の良いインピーダンスマッチングを行うことができるる。その結果、信号の入力方向への反射による伝搬ロス（リターンロス）を低減することが可能となる。
【0056】
なお、図２２、２３に示す例では、セラミックパッケージ２０が階段部２５を有して、セラミック層２１の厚さが段階的に増大するようにしたが、この例に限定されるものではない。例えば、階段部２５に対応する位置のセラミック層２１の厚さが線形的に増大する構成であってもよい。また、階段部２５に対応する位置のセラミック層２１がｙｚ平面視で湾曲して、非線形的にその厚さが増大する構成であってもよい。
【0057】
なお、変換パターン２２とバックショートとの距離が、セラミックパッケージ２０の厚さのみでは、アンテナ部２２２から導波管３０とは逆の方向に向かって放射した電波を反射させて、アンテナ部２２２に同相で戻すことができる長さ（λｇ／４）に足りない場合には、プリント配線板１０に形成されるバックショートパターン１６を用いることも可能である。
【0058】
図２４は、実施形態４に係る伝送線路－導波管変換器の他の構成例を示す図である。例えば、図２４に示すように、バックショートパターン１６は、プリント配線板１０のセラミックパッケージ２０が実装される面とは反対側の面に設けられ得る。なお、ここでは図示しないが、プリント配線板１０が多層基板である場合、バックショートパターン１６はプリント配線板１０中に設けられていてもよい。
【0059】
このように、セラミックパッケージ２０の厚さだけではバックショートの距離を確保できない場合でも、セラミックパッケージ２０の厚さとプリント配線板１０の厚さとを組み合わせてバックショートを構成することで、構造物を取り付ける必要がなくなる。すなわち、プリント配線板１０とセラミックパッケージ２０のみで伝送線路－導波管変換器に必要なパターンを形成することができる。
【0060】
実施形態５．
図２５を参照して、実施形態５に係る変換器１について説明する。図２５は、実施形態５に係る変換器１の構成を示す図である。実施形態５の実施形態１と異なる点は、導波管３０の形状である。ここでは、実施形態５に用いられる導波管３０の形状について詳細に説明する。
図２５を参照して、実施形態５に係る変換器１について説明する。図２５は、実施形態５に係る変換器１の構成を示す図である。実施形態５の実施形態１と異なる点は、導波管３０の形状である。ここでは、実施形態５に用いられる導波管３０の形状について詳細に説明する。
【0061】
図２５に示すように、導波管３０の内壁には、導波管３０の延びる方向に対して直交する方向に向かって突出する縮径部３３が形成されている。図２５に示す例では、縮径部３３は階段状に形成されており、導波管３０の内径はセラミックパッケージ２０に近づくにつれて、段階的に縮小している。すなわち、導波管３０の内壁は、ｚ方向に沿って、セラミックパッケージ２０に近づくにつれて先細りになっている。
【0062】
先細りになった導波管３０の先端位置には開口部３４が形成されている。また、導波管３０の開口部３４よりもプリント配線板１０側には、セラミックパッケージ２０を配置するための空間が形成されている。図２５に示す例では、実施形態１と同様に、直方体のセラミックパッケージ２０がプリント配線板１０に実装されている。セラミックパッケージ２０上に形成された変換パターン２２のアンテナ部２２２と導波管３０とが電磁的に結合して、導波路を構成する。また、同様に、セラミックパッケージ２０の裏面側の金属パターン２３がバックショートを構成する。
【0063】
このように、実施形態４では、導波管３０が縮径部３３を備えていることにより、リターンロスを低減することが可能となる。なお、図２５に示す例では、導波管３０が階段状の縮径部３３を有しているが、この例に限定されるものではない。例えば、導波管３０が縮径部３３の代わりに、導波管３０の内径がセラミックパッケージ２０に近づくにつれて線形的に縮小するような傾斜部が設けられていてもよい。また、傾斜部は、導波管３０の断面をｘ方向から見た時に湾曲する、導波管３０の内径がセラミックパッケージ２０に近づくにつれて非線形的に縮小するような構成であってもよい。
【0064】
実施形態６．
図２６～２９を参照して、実施形態６に係る変換器１について説明する。図２６は、実施形態６に係る伝送線路－導波管変換器の構成を示す図である。図２７は、図２６のＦ－Ｆ断面図である。図２８、２９は、図２６の伝送線路－導波管変換器に用いられるセラミックパッケージの構成を説明する図である。なお、図２８、２９では、説明のため、パッケージキャップ２８の図示を省略している。
図２６～２９を参照して、実施形態６に係る変換器１について説明する。図２６は、実施形態６に係る伝送線路－導波管変換器の構成を示す図である。図２７は、図２６のＦ－Ｆ断面図である。図２８、２９は、図２６の伝送線路－導波管変換器に用いられるセラミックパッケージの構成を説明する図である。なお、図２８、２９では、説明のため、パッケージキャップ２８の図示を省略している。
【0065】
実施形態６が他の実施形態と異なる点は、アンテナ部２２２がセラミックパッケージ２０上ではないところに形成される点である。ここでは、セラミックパッケージ内に実装された、ＭＭＩＣ（Monolithic Microwave Integrated Circuit）やＭＩＣ（Microwave Integrated Circuit）といった高周波回路が形成される部品上に形成される例について説明する。
【0066】
なお、ＭＩＣとは、アルミナ基板などに形成された薄膜パターンと、マイクロ波ダイオードやトランジスタ等の単体の能動部品、チップと呼ばれる抵抗やコンデンサ等の受動部品を並べたものである。また、ＭＭＩＣとは単一の半導体基板上に能動素子（電界効果型トランジスタ（ＦＥＴ）やバイポーラジャンクショントランジスタ（ＢＪＴ）等）、受動素子（伝送線路、抵抗、コンデンサ等）などが形成されたものである。半導体プロセスとしては、化合物系（ＧａＡｓ、ＧａＮ、ＩｎＧａＰ等）や、シリコン系が代表して挙げられる。シリコン系の半導体デバイスには、ＣＭＯＳ（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor）、バイポーラトランジスタ）が含まれ得る。
【0067】
通常、ＭＩＣやＭＭＩＣなどは直接プリント配線板１０に実装することはなく、パッケージに封入された状態で実装される。図２７、２８を参照すると、実施形態６では、セラミックパッケージ２０は、パッケージベース２６、集積回路部品２７、パッケージキャップ２８を含む。パッケージベース２６は、薄膜パターン２６１が形成されたパッケージ用のセラミック基板である。セラミック基板は、アルミナ（Al2O3）や窒化アルミニウム（AlN）等の材料が用いられ、ＬＴＣＣやＨＴＣＣなどのプロセスで形成され得る。集積回路部品２７は、例えば、上述したＭＭＩＣに相当し、半導体基板上に集積回路が形成されたものである。集積回路部品２７の裏面には、バックショートとして機能する金属パターン（不図示）が形成される。
【0068】
図２８に示すように、集積回路部品２７は、半導体基板上に、接続部２２１、アンテナ部２２２、アンプ等の回路２７１が形成された構成を有している。集積回路部品２７は、パッケージベース２６上にろう材などを用いて実装される。また、図２９に示すように、集積回路部品２７の接続部２２１が、パッケージベース２６の薄膜パターン２６１にワイヤ２９によりボンディングされている。
【0069】
パッケージベース２６に実装された集積回路部品２７は、中空のパッケージキャップ２８により気密に封止される。ここでは、パッケージキャップ２８として、セラミックキャップが用いられる。パッケージキャップ２８は、ＬＴＣＣやＨＴＣＣなどの誘電体から形成され得る。セラミックキャップを用いる場合、キャップ内側に金属箔や電波吸収体シートを貼り付けて、干渉電波をシールドする構造をとることができる。図２７に示すように、パッケージキャップ２８のアンテナ部２２２を覆う部分は、非金属部２８１で構成される。本実施形態のようにセラミックパッケージの場合は該当部分を金属メッキで覆わないようにすればよい。
【0070】
セラミックパッケージ２０は、図２８に示すように、はんだ付け等によりプリント配線板１０のＧＮＤパターン１２上に実装される。パッケージベース２６上の薄膜パターン２６１は、プリント配線板１０上の信号導体１３に接続される。信号導体１３からの信号は、集積回路部品２７内部のアンプなどの回路２７１を通過し、アンテナ部２２２から出力される。アンテナ部２２２は、導波管３０と電磁的に結合して導波路を構成する。
【0071】
なお、実施形態６は、セラミックパッケージに限定されず、金属パッケージ、プラスチックパッケージなどであってもよい。金属パッケージを用いる場合、パッケージキャップ２８が金属で形成されることが多い。この場合、パッケージキャップ２８のアンテナ部２２２を覆う部分は、非金属で覆う必要がある。金属パッケージは、例えば、パッケージベース２６とパッケージキャップ２８を接合するシーリング材としてガラスを用いたガラス封止などがある。
【0072】
また、プラスチックパッケージの場合、プリント配線板１０に形成された金属の土台（リードフレーム）上に集積回路部品２７が実装され、プラスチックを充填して固める。このため、パッケージベースとパッケージキャップの区別がない。プラスチックパッケージはもともと非金属であるため、パッケージキャップ２８のアンテナ部２２２を覆う部分に対して、特別な処置は不要である。
【0073】
上述の例では、バックショートが集積回路部品２７の裏面側に形成されていたが、この例に限定されない。例えば、図３０に示すように、プリント配線板１０の１層目にバックショートパターン１６を形成してもよい。又は、図３１に示すように、プリント配線板１０中の４層のＧＮＤパターンをバックショートとして用いてもよい。実施形態６と、上述の実施形態を適宜組み合わせることができる。
【0074】
実施形態７．
図３２、３３を参照して、実施形態７に係る変換器１について説明する。図３２は、実施形態７に係る伝送線路－導波管変換器の構成を示す図である。図３３は、図３２の伝送線路－導波管変換器に用いられるプリント配線板の一例を示す図である。実施形態７は、伝送線路としてコプレーナ導波路を用いた例を示している。上述したように、コプレーナ導波路とは、基板の同一表面において、少なくとも一つの信号導体と、少なくとも一つの接地導体とを備える伝送線路である。
図３２、３３を参照して、実施形態７に係る変換器１について説明する。図３２は、実施形態７に係る伝送線路－導波管変換器の構成を示す図である。図３３は、図３２の伝送線路－導波管変換器に用いられるプリント配線板の一例を示す図である。実施形態７は、伝送線路としてコプレーナ導波路を用いた例を示している。上述したように、コプレーナ導波路とは、基板の同一表面において、少なくとも一つの信号導体と、少なくとも一つの接地導体とを備える伝送線路である。
【0075】
なお、実施形態７では、実施形態１と同様に、セラミックパッケージ２０が、上面視が正方形の直方体であり、プリント配線板１０のＧＮＤパターン１２上に実装されるものとする。なお、上述の通り、セラミックパッケージ２０の形状は一例であり、この例に限定されない。セラミックパッケージ２０は、基板１１上において、枠状の導波管３０内に配置される。図３３に示すように、実施形態７では、コプレーナ導波路となる信号導体１３がｘ方向の中央に、ｙ方向に沿って線状に形成されている。
【0076】
信号導体１３の周囲には、インナービア１５が設けられている。インナービア１５は、信号の伝搬方向に沿って複数個設けられている。図３３に示す例では、インナービア１５は、信号導体１３のｘ方向における両側において、ｙ方向に沿ってそれぞれ１列に並んでいる。インナービア１５は、プリント配線板１０の表面に形成されたＧＮＤパターン１２と、図示しないプリント配線板１０内に形成された図示しないＧＮＤパターン１４とを接続する。ＧＮＤパターン１２が信号導体１３に対向し、コプレーナ導波路のグランドとして機能する。
【0077】
プリント配線板１０のＧＮＤパターン１２上には、セラミックパッケージ２０が設けられている。また、セラミックパッケージ２０を囲むように、導波管３０がプリント配線板１０に取り付けられる。このように、伝送線路としてコプレーナ導波路を用いた場合でも、バックショートとして構造物を必要とせず、導波管３０取り付けが容易な伝送線路－導波管変換器を提供することが可能となる。
【0078】
なお、本発明は上記実施形態に限られたものではなく、趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更することが可能である。上記実施形態では、プリント配線板１０上にセラミックパッケージ２０を実装する例が示されているが、これに限定されない。例えば、プリント配線板１０上にアンテナ部を有する変換パターンが形成された他のプリント配線板が実装されてもよい。
【符号の説明】
【0079】
１ 変換器
１０ プリント配線板
１１ 基板
１２ ＧＮＤパターン
１２１ 枠状部分
１２２ 囲繞部分
１３ 信号導体
１４ ＧＮＤパターン
１５ インナービア
１６ バックショートパターン
２０ セラミックパッケージ
２１ セラミック層
２２ 変換パターン
２２１ 接続部
２２２ アンテナ部
２３ 金属パターン
２４ 塗布領域
２５ 階段部
２６ パッケージベース
２６１ 薄膜パターン
２７ 集積回路部品
２７１ 回路
２８ パッケージキャップ
２９ ワイヤ
３０ 導波管
３１ ケース
３２ ねじ
３３ 縮径部
３４ 開口部
１０ プリント配線板
１１ 基板
１２ ＧＮＤパターン
１２１ 枠状部分
１２２ 囲繞部分
１３ 信号導体
１４ ＧＮＤパターン
１５ インナービア
１６ バックショートパターン
２０ セラミックパッケージ
２１ セラミック層
２２ 変換パターン
２２１ 接続部
２２２ アンテナ部
２３ 金属パターン
２４ 塗布領域
２５ 階段部
２６ パッケージベース
２６１ 薄膜パターン
２７ 集積回路部品
２７１ 回路
２８ パッケージキャップ
２９ ワイヤ
３０ 導波管
３１ ケース
３２ ねじ
３３ 縮径部
３４ 開口部
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】
【図32】
【図33】