特開 2024-127223 転写方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024127223

(43)【公開日】2024-09-20

(54)【発明の名称】転写方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/683 20060101AFI20240912BHJP

   H01L 33/00 20100101ALI20240912BHJP

   H01L 33/62 20100101ALI20240912BHJP

   G09F 9/00 20060101ALI20240912BHJP

【ＦＩ】

H01L21/68 N

H01L33/00 L

H01L33/62

G09F9/00 338

【審査請求】未請求

【請求項の数】5

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023036228

(22)【出願日】2023-03-09

(71)【出願人】

【識別番号】000219314

【氏名又は名称】東レエンジニアリング株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110001427

【氏名又は名称】弁理士法人前田特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】大久保 憲治

【テーマコード（参考）】

5F131

5F142

5G435

【Ｆターム（参考）】

5F131AA04

5F131AA22

5F131BA51

5F131BA53

5F131BA54

5F131CA22

5F131DA33

5F131DA42

5F131EA07

5F131EA22

5F131EA23

5F131EB55

5F131EB63

5F131EC42

5F131EC62

5F131EC67

5F131EC72

5F142AA26

5F142FA32

5F142GA02

5G435AA17

5G435BB04

5G435CC09

5G435KK05

(57)【要約】

【課題】簡単な方法で色むらが抑制されたＬＥＤディスプレイを製造する転写方法を提供する。
【解決手段】複数の発光素子が配列されたドナーと、発光素子が搭載されるパネルと、ドナーからパネルに発光素子を転写させる転写手段と、ドナーとパネルと転写手段との各々の相対位置を制御する位置制御手段とを用いて発光素子をパネルに転写する転写方法であって、転写手段はドナーよりも小面積の転写領域を有し、転写領域にて発光素子を転写可能な転写可能位置は複数存在し、位置制御手段により転写領域にパネルとドナーの各々の所定の位置が相対するようパネルとドナーを配置させる配置ステップと、転写可能位置のうち一部を選択し、その転写可能位置にて発光素子をパネルに転写させる転写ステップを備え、配置ステップと転写ステップを複数回行い、転写ステップでは転写可能位置の全数と選択した一部の転写可能位置の数との割合を変更可能であって、転写可能位置のうちの一部の選択をランダムに行う。
【選択図】図４

【特許請求の範囲】

【請求項1】

複数の発光素子が平面的に配列されているドナーと、前記発光素子が前記ドナーから転写されて搭載されるパネルと、前記ドナーから前記パネルに前記発光素子を転写させる転写手段と、前記ドナーと前記パネルと前記転写手段とのそれぞれの相対位置を制御する位置制御手段と、を用いて前記発光素子を前記パネルに転写する転写方法であって、
前記転写手段は前記ドナーよりも小さい面積の転写領域を有しており、当該転写領域において前記発光素子の転写を行うことが可能な転写可能位置は複数存在しており、
前記位置制御手段により前記転写領域に対して前記パネルおよび前記ドナーのそれぞれの所定の位置が相対するように前記パネルと前記ドナーとを配置させる配置ステップと、
前記転写可能位置のうち一部を選択し、選択した前記転写可能位置において前記発光素子を前記パネルに転写させる転写ステップと
を備え、
前記配置ステップと前記転写ステップとを複数回行い、
前記転写ステップでは、前記転写可能位置の全数と前記選択した一部の前記転写可能位置の数との割合を変更可能であるとともに、前記転写可能位置のうちの一部の選択をランダムに行う、転写方法。

【請求項2】

さらに前記ドナーにおける前記発光素子の位置情報及び前記パネルにおける転写された前記発光素子の位置情報を記憶する記憶手段を用いて、前記転写ステップでは、前記転写領域に相対する前記ドナーの領域に存在する発光素子の数に応じて前記転写可能位置の全数と前記選択した一部の前記転写可能位置の数との割合を決定する、請求項１に記載の転写方法。

【請求項3】

前記転写ステップでは、前記転写領域に相対する前記ドナーの領域に存在する発光素子の数が所定の数値範囲において少なくなるにつれて、前記転写可能位置の全数に対する前記選択した一部の前記転写可能位置の数の割合を多くする、請求項２に記載の転写方法。

【請求項4】

さらに前記ドナーにおける前記発光素子の位置情報及び前記パネルにおける転写された前記発光素子の位置情報を記憶する記憶手段を用いて、前記転写ステップでは、前記転写領域に相対する前記パネルの領域に存在する発光素子の数に応じて前記転写可能位置の全数と前記選択した一部の前記転写可能位置の数との割合を決定する、請求項１に記載の転写方法。

【請求項5】

前記転写ステップでは、前記転写領域に相対する前記パネルの領域に存在する発光素子の数が所定の数値範囲において多くなるにつれて、前記転写可能位置の全数に対する前記選択した一部の前記転写可能位置の数の割合を多くする、請求項４に記載の転写方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、転写方法に関するものである。

【背景技術】

【0002】

近年、従来の液晶ディスプレイに代わるものとしてＬＥＤを使用したディスプレイの開発が進められており、製品化が進みつつある。このようなＬＥＤを使用したディスプレイ（ＬＥＤディスプレイ）は、ＦＨＤ（Ｆｕｌｌ Ｈｉｇｈ Ｄｅｆｉｎｉｔｉｏｎ）パネルであって、赤色ＬＥＤ、緑色ＬＥＤ、青色ＬＥＤが１９２０×１０８０個、４Ｋパネルでは３８４０×２１６０個、それぞれ格子状の配列にて配線基板に高密度に実装されている。

【0003】

このように配線基板へ高密度に実装される各色ＬＥＤとしては、たとえば約５０μｍ×５０μｍといった微小寸法を有する、いわゆるマイクロＬＥＤが用いられる。このようなマイクロＬＥＤは特許文献１に示すようにサファイアなどの成長基板上に窒化ガリウムの結晶をエピタキシャル成長させる工程などを経て得られ、基板上で上記寸法のチップ状にダイシングされる。このように形成されたＬＥＤチップは、１回もしくは複数回の転写工程を経て成長基板からディスプレイである配線基板へ転写される。その後、熱圧着などの実装工程を経て、配線基板にＬＥＤチップが固定される。

【0004】

ＬＥＤチップをディスプレイパネルである配線基板に転写する方法はいくつかあるが、例えば特許文献２，３に開示されているレーザーアブレーション技術を用いた方法が知られている。

【0005】

特許文献２にはレーザーアブレーション技術を用いた素子（ＬＥＤチップ）の転写方法が開示されている。また、１つの成長基板上に形成された複数のＬＥＤチップの発光波長には個体差があるが、特許文献３には、ＬＥＤディスプレイを製造した際に発光波長の個体差によって色むらが見る人によって感じられないようにする転写方法が開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0006】

【特許文献1】特開２００２－１７０９９３号公報

【特許文献2】特開２００６－４１５００号公報

【特許文献3】特開２０２２－１３５５２１号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0007】

特許文献３に開示された発明は、特許文献２に開示された発明を利用しつつＬＥＤディスプレイに色むらが生じないようにするという新たな課題を解決すべく創作されたものである。しかしながら特許文献３に開示された発明では、１つの成長基板（ウェハ）上のそれぞれのＬＥＤチップの発光特性をすべて計測し、すべてのＬＥＤチップの発光特性を考慮してディスプレイパネルに転写するため、測定、転写のための計算及び転写に非常に時間がかかるという問題があった。

【0008】

本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、簡単な方法で短時間に色むらが抑制されたＬＥＤディスプレイを製造できる転写方法を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0009】

本発明の転写方法は、複数の発光素子が平面的に配列されているドナーと、前記発光素子が前記ドナーから転写されて搭載されるパネルと、前記ドナーから前記パネルに前記発光素子を転写させる転写手段と、前記ドナーと前記パネルと前記転写手段とのそれぞれの相対位置を制御する位置制御手段と、を用いて前記発光素子を前記パネルに転写する転写方法であって、前記転写手段は前記ドナーよりも小さい面積の転写領域を有しており、当該転写領域において前記発光素子の転写を行うことが可能な転写可能位置は複数存在しており、前記位置制御手段により前記転写領域に対して前記パネルおよび前記ドナーのそれぞれの所定の位置が相対するように前記パネルと前記ドナーとを配置させる配置ステップと、前記転写可能位置のうち一部を選択し、選択した前記転写可能位置において前記発光素子を前記パネルに転写させる転写ステップとを備え、前記配置ステップと前記転写ステップとを複数回行い、前記転写ステップでは、前記転写可能位置の全数と前記選択した一部の前記転写可能位置の数との割合を変更可能であるとともに、前記転写可能位置のうちの一部の選択をランダムに行うものである。ここでランダムに行うことは、本転写方法はコンピューターを用いシミュレーション行って実施するので、疑似乱数表を用いて行うことが好ましい。

【0010】

さらに前記ドナーにおける前記発光素子の位置情報及び前記パネルにおける転写された前記発光素子の位置情報を記憶する記憶手段を用いて、前記転写ステップでは、前記転写領域に相対する前記ドナーの領域に存在する発光素子の数に応じて前記転写可能位置の全数と前記選択した一部の前記転写可能位置の数との割合を決定してもよい。

【0011】

前記転写ステップでは、前記転写領域に相対する前記ドナーの領域に存在する発光素子の数が所定の数値範囲において少なくなるにつれて、前記転写可能位置の全数に対する前記選択した一部の前記転写可能位置の数の割合を多くしてもよい。

【発明の効果】

【0012】

上述のような配置ステップと転写ステップとを複数回行ううちに、１つの転写ステップでドナーに存在する転写可能な発光素子のすべてをパネルに転写することはせず、かつその転写しない割合を変更可能とするとともに、転写しない発光素子の位置はランダムに選択するので、パネル上では発光素子がランダムに転写されて、ドナー上における複数の発光素子に発光波長のばらつきがあってもパネルでは発光波長のばらつきに起因する色むらが生じることが大きく抑制される。

【図面の簡単な説明】

【0013】

【図1】実施形態に係る発光素子の転写装置の模式的な図である。

【図2】実施形態に係るドナー、転写手段、転写領域、パネルの相対的な位置関係の一例を示す模式的な図である。

【図3】（Ａ）は転写領域に相対しているドナーの領域、（Ｂ）は転写領域、（Ｃ）は転写領域に相対しているパネルの領域を示す一例である。

【図4】（Ａ）は転写領域に相対しているドナーの領域、（Ｂ）は転写領域、（Ｃ）は転写領域に相対しているパネルの領域を示す別の例である。

【図5】（Ａ）は転写領域に相対しているドナーの領域、（Ｂ）は転写領域、（Ｃ）は転写領域に相対しているパネルの領域を示す他の例である。

【図6】発光素子の未使用割合と非転写割合との関係の一例を示すグラフである。

【発明を実施するための形態】

【0014】

発明を実施するための形態について説明を行う前に、本願発明者が本願発明に思い至り創作した経緯を説明する。

【0015】

サファイアなどの成長基板（ウェハ）上に窒化ガリウムの結晶をエピタキシャル成長させる工程などを経て製造されるマイクロＬＥＤ（発光素子）は、１枚のウェハ上に多数のチップとして存在している。このような成長工程においては、窒化ガリウムの結晶成長を始めどのような加工工程であっても、１つのウェハ上のあらゆる位置において均一に加工がなされるようにすることは非常に困難である。そのため、出来上がったチップの特性は１つ１つ少しずつ異なっていてばらつきがある。このような特性のうち、ディスプレイに関しては発光波長が特に重要になる。

【0016】

上述のようなばらつきは、製造装置内における温度むらや原材料の供給むらに起因する場合が多く、１つの製造装置で多数のウェハを一度に加工する場合には、ウェハを置く位置によってむらが生じてしまう。そのため例えばウェハの中央部分と周辺部分とで、あるいは右側と左側とで、または縞状に特性値の大きさが変化してむらになる。

【0017】

１つのウェハ上の多数のチップに、上記のように特性値、特に発光波長にむらが生じることを回避するのは非常に困難である。従って、例えば、中央部分の発光素子は発光波長が長めであるのに対して、周辺部分の発光素子は発光波長が短めになるといったむらが生じることがままあるが、そのようなむらが存在することを前提としてパネルを製造することになる。

【0018】

一般に１つのウェハには非常に多数のチップ（発光素子）が存在しており、１つのウェハから複数のパネルに発光素子を供給することができる。通常はウェハよりもパネルの方が面積が大きいが、ウェハ上のチップ間距離よりもパネル上のチップ間距離の方がかなり大きいため、１つのウェハ上の発光素子数が１つのパネルに搭載される発光素子数よりも多くなるのである。また、ウェハからパネルに発光素子を転写させる転写装置は、１度に転写することができる領域の面積がウェハ全体やパネル全体の面積に対して小さいため、１つのパネルに必要な発光素子をすべて転写するためには、ウェハ及びパネルを転写領域に対して複数回移動させて転写を行うことが必要である。

【0019】

さらには、パネルの製造コストを低減させるために、移動回数および転写回数を減らすことが重要である。そのためには転写領域内に存在するウェハ上の発光素子であってパネルに転写可能なものはできるだけ多く、可能であれば転写可能な全数を転写することが考えられる。この場合、パネル上の所定の領域にウェハの中央部分から転写可能な限りの発光素子を転写し、その隣の領域にウェハの周辺部分から転写可能な限りの発光素子を転写する、ということが起こりうる。もし上記のように、ウェハの中央部分と周辺部分とで発光素子の発光波長に大きな差があるようなむらがあったとしたら、パネル上の所定の領域は発光波長の長い発光素子が集中的に転写され、その隣の領域には発光波長の短い発光素子が集中的に転写されて、結果として隣接する２つの領域に明確な発光波長の差、即ち色むらが生じることになる。

【0020】

特許文献３に開示された発明はこのような色むらが生じないようにするための発明であるが、１つ１つの発光素子の発光波長を測定・記憶して、それに基づいて転写をコントロールするため、転写をするために計算する時間と、ウェハとパネルの移動時間と回数、転写の時間と回数が膨大になり、パネルへの発光素子の転写の時間が非常に大きくなってしまう。本願発明者はこのような状況に鑑みて様々な検討を行って本願発明に想到するに至った。

【0021】

以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。以下の好ましい実施形態の説明は、本質的に例示に過ぎず、本発明、その適用物あるいはその用途を制限することを意図するものではない。

【0022】

（実施形態１）
実施形態１は、多数のマイクロＬＥＤのチップが平面的に隣り合って配列されているドナー（ウェハ）から、転写手段によりチップをディスプレイパネルとなるパネル基板に転写する転写方法に関する。転写手段はレーザーリフトオフ（レーザーアブレーション技術）を用いているが、他の方法を用いても構わない。

【0023】

図１に示すように、ドナー２０は複数の発光素子２２が平面的に配列されており、保持手段２５により保持されてパネル３０に向き合っている。パネル３０は、発光素子２２ａが転写された面とは反対側の面を載置部３２により吸着把持されており、載置部３２は移動ステージ４２の上に載せられている。なお、保持手段２５はチップをエピタキシャル成長させるベースとなる成長基板やウェハに貼り付けられた中間基板などである。

【0024】

転写手段１０はレーザー光源１１、ガルバノミラー１２、Ｆθレンズ１４を備えている。レーザー光源１１は１本のレーザー光１３を出射する装置である。用いるレーザーとしてはＹＡＧレーザー、可視光レーザー、紫外線レーザーなどを挙げることができる。ガルバノミラー１２は２枚のミラーを有し、これらのミラーの位置および角度を制御することで、入射してきた光線を任意の方向へ出射する。

【0025】

転写は以下のように行われる。レーザー光源１１から発せられたパルス状のレーザー光１３がガルバノミラー１２及びＦθレンズ１４を経由して保持手段２５に照射される。レーザー光１３は保持手段２５を透過して、保持手段２５と発光素子２２との界面に到達し、この界面においてレーザーアブレーションを生じさせる。このレーザーアブレーションによって発光素子２２は保持手段２５から剥離して下側に付勢されて、パネル３０に転写される。なお、パネル３０に転写済みの発光素子には符号２２ａを付す。

【0026】

転写手段においては、レーザー光１３はガルバノミラー１２によって光路が制御されて、保持手段２５の様々な位置に照射されるが、ガルバノミラー１２の位置および角度の変更範囲は限定されている。そのため、図２に示すように、転写手段１０において、レーザー光１３を照射可能な領域である転写領域１５はドナー２０及びパネル３０に比べて小さい面積となっている。

【0027】

（配置ステップ）
転写領域１５がドナー２０及びパネル３０に比べて小さい面積であるので、パネル３０の全面に発光素子２２ａを必要な数だけ転写させるためには、転写領域１５とドナー２０とパネル３０との相対的な位置を変更してその都度転写を行う必要がある。転写手段１０は大がかりな装置であって固定されているので、保持手段２５を把持している把持手段４１によりドナー２０の位置を制御し、パネル３０の位置を移動ステージ４２により制御する。把持手段４１及び移動ステージ４２を備えた位置制御手段によって、パネル３０の発光素子２２ａが転写される面に対して平行にドナー２０及びパネル３０が移動して、転写領域１５とドナー２０とパネル３０との相対的な位置が変わっていく。ドナー２０とパネル３０とは、選択された所定の位置（領域）が転写領域１５に対して相対するように、位置制御手段によって移動されて配置される。

【0028】

（ある相対位置における転写の検討）
図３に示すように、（Ａ）では転写領域１５に相対するドナー２０の領域に複数の発光素子２２が隙間（小さな間隔）を介して隣接して並んでいるのに対し、（Ｃ）では転写領域１５に相対するパネル３０の領域に、ドナー２０における発光素子２２同士の隣接間隔よりも大きな間隔（数倍から数十倍）で発光素子２２ａが転写されることになる。転写領域１５も（Ｂ）に示すようにパネル３０の転写間隔と同じ間隔で転写可能位置１６が設定されている。

【0029】

図３では、ドナー２０に抜けなく発光素子２２が並んでいるため、転写領域１５のすべての転写可能位置１６を用いてパネル３０へ発光素子２２を転写することが可能であり、このようにすることで転写効率を良くすることができるが、このやり方を続けると、パネル３０上において色むらがはっきりと現れることがある。

【0030】

上記のようなパネル３０の発光時の色むらが生じないようにするため、本願発明者は様々なパラメータを用いて検討を行い、シミュレーションを行った結果、転写手段１０による転写可能位置１６をすべて使用するのではなく一部のみ使用するように非転写の割合（すべての転写可能位置の数に対する転写を行わない位置の数の割合）を用いて制御を行うことを見出した。

【0031】

（転写ステップ）
図３，４，５では転写領域１５における転写可能位置１６は９個存在している。パネル３０へのすべての発光素子２２ａの転写が完了するまでは、使用可能な転写可能位置１６をすべて使用して転写を行う方が効率よく転写ができて早く転写が完了する。使用可能な転写可能位置１６というのは、転写可能位置１６に対応するドナー２０の位置に発光素子２２が存在し、且つ転写可能位置１６に対応するパネル３０の位置に発光素子２２が転写されていない状態のものである。

【0032】

例えば、図３のような状態ではドナー２０の転写を行う領域に多数の発光素子２２が存在しており、転写領域１５のすべての転写可能位置１６を用いてパネル３０へ多数（図３では９個）の発光素子２２を転写することが可能であり、このようにすることでその転写における転写効率を良くすることができる。しかしながら上述したように、このような方法で転写を行うとドナー２０に存する複数の発光素子２２の発光波長のばらつきに起因するパネル３０での発光による色むらが顕著に現れてしまうことがある。

【0033】

そこで本実施形態では、転写領域１５における使用可能な転写可能位置１６のうち一部を転写に用いない（次回以降の機会に転写する）ようにすることとした。転写に用いない割合（非転写割合）が多くなると転写の効率が下がって、ドナー２０とパネル３０と転写領域１５との位置と転写順序の計算の時間及び転写の開始から終了までの転写工程にかかる時間の合計時間が増えてしまう。この合計時間と色むらがどの程度生じるのかという関係性をシミュレーションして確認したところ、転写領域１５における使用可能な転写可能位置１６のうち転写に用いない転写可能位置をランダムに決めると、非転写割合が同じで転写に用いない転写可能位置を固定したやり方に比べて、計算を含めたトータルの転写時間はやや長くなるが色むらが大きく抑制されるようになった。

【0034】

これは、パネル３０のある部分には発光波長が長い発光素子２２ばかりが転写され、その隣接部分には発光波長が短い発光素子２２ばかりが転写されるという現象が生じることを、転写に用いない転写可能位置をランダムに決めることによって抑制しているためと考えられる。

【0035】

転写に用いない転写可能位置は、転写毎にランダムに決めても良いし、所定の転写回数毎にランダムに決めて変更しても良い。また、転写に用いない転写可能位置が複数存在するときはそのうちの一部をランダムに決めてもよい。

【0036】

さらに上記の非転写割合をどれくらいに、どのようにしたらよいのかについても検討を行った。図４に示すように、転写領域１５と相対しているドナー２０の領域に転写が行われずに残存している未使用の発光素子２２が多数存在している場合は、転写可能位置１６のうち、転写に用いない転写可能位置（非転写部１８）の占める割合、即ち非転写割合を大きくし（図４では４／９）、図５に示すように、転写領域１５と相対しているドナー２０の領域に転写が行われずに残存している未使用の発光素子２２が少ない場合は、転写可能位置１６のうち、転写に用いない転写可能位置（非転写部１８）の占める割合、即ち非転写割合を小さくする（図５では０／９）と色むらがより抑制されることが判明した。これは、パネル３０上のある領域は発光波長の長い発光素子が集中的に転写され、その隣の領域には発光波長の短い発光素子が集中的に転写されて、結果として隣接する２つの領域に明確な発光波長の差、即ち色むらが生じる現象を抑制するためと考えられる。

【0037】

以上より、転写ステップでは、非転写割合をドナー２０に残存している発光素子２２の数に応じて変更するとともに、転写可能位置１６のうちの非転写部１８の位置の選択をランダムに行うこととした。

【0038】

一般的に１枚のドナー（ウェハ）２０の全発光素子２２数よりも、パネル３０に搭載される全発光素子２２ａ数の方が相当少ないため、１枚のドナー２０から複数枚のパネル３０に発光素子２２を転写できる。そのため、ドナー２０から２枚目以降のパネルに発光素子を転写する際には、ドナー２０に残存している発光素子２２の数は少なくなっている。また、発光素子２２が多数残存しているドナー２０では、転写の際の非転写割合が大きく、かつ非転写部１８の位置がランダムに選択されるので、転写が進んで行くにつれて残存している発光素子２２は、複数のものが隙間なく密集して残存するのではなく、ランダムに隙間がある状態でまばらに残存することになる。

【0039】

そこで、本実施形態では１枚のパネル３０への発光素子２２の転写を開始する際のドナー２０に残存する発光素子２２の数に応じて非転写割合を決定して、転写を行う。具体的な非転写割合は、色むらの抑制と転写時間の短縮とをバランスよく満たすようにシミュレーションによって決めた。１枚のパネル３０に転写を行っている途中で非転写割合を変更する場合もある。このような転写のシミュレーションやシステムはコンピュータを利用して行う。

【0040】

本実施形態では、転写ステップにおいて、非転写割合をドナー２０に残存している発光素子２２の数に応じて変更するとともに、転写可能位置１６のうちの非転写部１８の位置の選択をランダムに行っているので、ドナーであるウェハの発光素子に発光波長のばらつき・むらが存在していても、発光素子が転写されたパネルには色むらがほとんど生じないようにすることができる。また、非転写割合をシミュレーションによって最適化しているので、計算時間を含めた転写工程にかかる時間を色むらの抑制をしながら小さくすることができる。

【0041】

（実施形態２）
実施形態２では、実施形態１において、転写領域１５と相対しているドナー２０の領域に転写されていないで残っている発光素子２２の割合（未使用割合）と、その未使用割合に応じた転写手段１０による転写可能位置１６の使用の制限として非転写割合とを具体的な設定することについて検討を行った。

【0042】

ドナー２０に残存している発光素子２２の位置と数は、転写装置に備えられた記憶手段によって記憶される。位置制御手段によってドナー２０とパネル３０とがある所定の位置に配置されて、転写領域１５に相対したときに、転写領域１５と相対しているドナー２０の領域に転写が行われずに残存している未使用の発光素子２２の位置と数が、記憶手段に記憶されている。記憶手段は、転写開始時のドナー２０に残存しているすべての発光素子２２の位置を記憶しているとともに、転写が行われて行くにつれてドナー２０から転写されていく発光素子２２の位置も記憶している。その結果、ある時点での転写領域１５と相対しているドナー２０の領域に転写が行われずに残存している未使用の発光素子２２の位置と数が記憶手段により確認できる。

【0043】

記憶手段の記憶を利用して、発光素子の未使用割合と非転写割合とをパラメータとし、配置ステップと転写ステップとを繰り返し行っていくシミュレーションを行った。ドナーとして、実際に製造された、それぞれのチップには発光波長にある程度のばらつきがあるウェハをサンプルとして用いた。

【0044】

このシミュレーションの結果、例えば図６に示すような未使用割合と非転写割合との関係に沿って配置ステップと転写ステップとを行えば、完成したパネル３０の色むらが少なく、パネル３０完成までの転写工程の時間も長すぎず適切なものとすることができた。なお、ドナーの実際の発光波長のむらの分布状態や発光波長の差の大きさ、パネルの大きさやパネル上の発光素子の間隔、パネル上の色むらをどの程度まで許容するか、転写工程の時間をどの程度にするか、などによって未使用割合と非転写割合との関係を適宜設定することができる。

【0045】

実施形態２は、実施形態１と同様の効果を奏し、未使用割合と非転写割合との関係を適宜設定することによってパネルの色むらをより抑制することや、色むらを抑えつつ転写工程の時間を短くすることができる。

【0046】

（その他の実施形態）
上述の実施形態は本願発明の例示であって、本願発明はこれらの例に限定されず、これらの例に周知技術や慣用技術、公知技術を組み合わせたり、一部置き換えたりしてもよい。また当業者であれば容易に思いつく改変発明も本願発明に含まれる。

【0047】

転写可能位置の全数と前記選択した一部の前記転写可能位置の数との割合を変更する方法としては、上述のような転写領域に相対するドナーの領域に存在する発光素子の数に応じて変更する方法に限定されない。例えば、配置ステップと転写ステップの繰り返しにおいて、転写開始から所定の繰り返し回数に達したら変更する方法にしてもよく、この際にパネルにすべての発光素子を転写するまでに複数回変更するようにしてもよい。

【0048】

実施形態１，２では、転写領域と相対しているドナーの領域に転写されていないで残っている発光素子の割合（未使用割合）と、転写手段による転写可能位置の使用の制限としての非転写割合とをセットにして制御を行っているが、転写領域と相対しているドナーの領域に転写されていないで残っている発光素子の割合（未使用割合）の代わりに転写領域と相対しているパネルの領域に発光素子が転写されていないで残っている転写待ちの空きスペースの存在割合（空き割合）を用いて非転写割合とセットにして制御を行っても構わない。この場合、空き割合が小さくなるにつれて非転写割合を小さくするように制御を行う。

【符号の説明】

【0049】

１０ 転写手段
１５ 転写領域
１６ 転写可能位置
２０ ドナー
２２ 発光素子
２２ａ 発光素子（パネル上に転写された）
３０ パネル

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】