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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024127445
(43)【公開日】2024-09-20
(54)【発明の名称】フィルタ
(51)【国際特許分類】
H01P 1/205 20060101AFI20240912BHJP
H01P 1/202 20060101ALI20240912BHJP
H01P 7/04 20060101ALI20240912BHJP
H01P 3/12 20060101ALI20240912BHJP
【ＦＩ】
H01P1/205 C
H01P1/202
H01P7/04
H01P3/12 100
【審査請求】有
【請求項の数】8
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023036605
(22)【出願日】2023-03-09
(71)【出願人】
【識別番号】000201777
【氏名又は名称】双信電機株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110003683
【氏名又は名称】弁理士法人桐朋
(72)【発明者】
【氏名】鈴木 瞬
(72)【発明者】
【氏名】今井 嘉治
(72)【発明者】
【氏名】相澤 秀幸
(72)【発明者】
【氏名】河野 真秀
(72)【発明者】
【氏名】小坂 一馬
(72)【発明者】
【氏名】▲高▼橋 良輔
【テーマコード（参考）】
5J006
5J014
【Ｆターム（参考）】
5J006HA04
5J006HA11
5J006HA23
5J006LA02
5J006NB10
5J006NC02
5J006NC03
5J014DA01
(57)【要約】 （修正有）
【課題】Ｑ値の良好なフィルタを提供する。
【解決手段】本開示に係るフィルタ１０は、キャパシタ電極１８、１９Ｃが形成されている層とは異なる層に形成され、共振器１１に接続されておらず、第１遮蔽導体１２Ａに対面している結合容量電極１７を備え、前記結合容量電極の一部が前記第１遮蔽導体と第１キャパシタ電極１８Ａとの間に位置するとともに、前記結合容量電極の他の一部が前記第１遮蔽導体と第２キャパシタ電極１８Ｂとの間に位置する。
【選択図】図１
【解決手段】本開示に係るフィルタ１０は、キャパシタ電極１８、１９Ｃが形成されている層とは異なる層に形成され、共振器１１に接続されておらず、第１遮蔽導体１２Ａに対面している結合容量電極１７を備え、前記結合容量電極の一部が前記第１遮蔽導体と第１キャパシタ電極１８Ａとの間に位置するとともに、前記結合容量電極の他の一部が前記第１遮蔽導体と第２キャパシタ電極１８Ｂとの間に位置する。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１主面と、前記第１主面の反対側に位置する第２主面とを有する誘電体基板と、
前記誘電体基板のうちの前記第１主面側に形成された第１遮蔽導体と、
前記誘電体基板のうちの前記第２主面側に形成された第２遮蔽導体と、
前記第１遮蔽導体と前記第２遮蔽導体との間に形成されたビア電極部と、前記ビア電極部に接続されたキャパシタ電極とをそれぞれ備える複数の共振器と、
前記キャパシタ電極が形成されている層とは異なる層に形成されているとともに、複数の前記共振器のいずれにも接続されておらず、且つ、前記第１遮蔽導体に対面している結合容量電極と、
を備え、
複数の前記共振器のうちの第１共振器は、複数の前記ビア電極部のうちの第１ビア電極部と、前記第１ビア電極部の端部に接続された前記キャパシタ電極である第１キャパシタ電極とを備え、
複数の前記共振器のうちの第２共振器は、複数の前記ビア電極部のうちの第２ビア電極部と、前記第２ビア電極部の端部に接続されるとともに、前記第１キャパシタ電極と同じ層に形成されている前記キャパシタ電極である第２キャパシタ電極とを備え、
前記結合容量電極の一部は、前記第１遮蔽導体と前記第１キャパシタ電極との間に位置し、前記結合容量電極の他の一部は、前記第１遮蔽導体と前記第２キャパシタ電極との間に位置する、フィルタ。
前記誘電体基板のうちの前記第１主面側に形成された第１遮蔽導体と、
前記誘電体基板のうちの前記第２主面側に形成された第２遮蔽導体と、
前記第１遮蔽導体と前記第２遮蔽導体との間に形成されたビア電極部と、前記ビア電極部に接続されたキャパシタ電極とをそれぞれ備える複数の共振器と、
前記キャパシタ電極が形成されている層とは異なる層に形成されているとともに、複数の前記共振器のいずれにも接続されておらず、且つ、前記第１遮蔽導体に対面している結合容量電極と、
を備え、
複数の前記共振器のうちの第１共振器は、複数の前記ビア電極部のうちの第１ビア電極部と、前記第１ビア電極部の端部に接続された前記キャパシタ電極である第１キャパシタ電極とを備え、
複数の前記共振器のうちの第２共振器は、複数の前記ビア電極部のうちの第２ビア電極部と、前記第２ビア電極部の端部に接続されるとともに、前記第１キャパシタ電極と同じ層に形成されている前記キャパシタ電極である第２キャパシタ電極とを備え、
前記結合容量電極の一部は、前記第１遮蔽導体と前記第１キャパシタ電極との間に位置し、前記結合容量電極の他の一部は、前記第１遮蔽導体と前記第２キャパシタ電極との間に位置する、フィルタ。
【請求項2】
請求項１に記載のフィルタにおいて、
複数の前記共振器のうちの第３共振器は、複数の前記ビア電極部のうちの第３ビア電極部と、前記第３ビア電極部の端部に接続された前記キャパシタ電極である第３キャパシタ電極とを備え、
複数の前記結合容量電極のうちの第１結合容量電極の一部は、前記第１遮蔽導体と前記第１キャパシタ電極との間に位置し、前記第１結合容量電極の他の一部は、前記第１遮蔽導体と前記第２キャパシタ電極との間に位置し、
複数の前記結合容量電極のうちの第２結合容量電極の一部は、前記第１遮蔽導体と前記第２キャパシタ電極との間に位置し、前記第２結合容量電極の他の一部は、前記第１遮蔽導体と前記第３キャパシタ電極との間に位置する、フィルタ。
複数の前記共振器のうちの第３共振器は、複数の前記ビア電極部のうちの第３ビア電極部と、前記第３ビア電極部の端部に接続された前記キャパシタ電極である第３キャパシタ電極とを備え、
複数の前記結合容量電極のうちの第１結合容量電極の一部は、前記第１遮蔽導体と前記第１キャパシタ電極との間に位置し、前記第１結合容量電極の他の一部は、前記第１遮蔽導体と前記第２キャパシタ電極との間に位置し、
複数の前記結合容量電極のうちの第２結合容量電極の一部は、前記第１遮蔽導体と前記第２キャパシタ電極との間に位置し、前記第２結合容量電極の他の一部は、前記第１遮蔽導体と前記第３キャパシタ電極との間に位置する、フィルタ。
【請求項3】
請求項１に記載のフィルタであって、
前記第１ビア電極部に接続された第１結合容量パターンと、
前記第２ビア電極部に接続されているとともに、前記第１結合容量パターンと同じ層に形成され、前記第１結合容量パターンと容量結合する第２結合容量パターンと、
をさらに備える、フィルタ。
前記第１ビア電極部に接続された第１結合容量パターンと、
前記第２ビア電極部に接続されているとともに、前記第１結合容量パターンと同じ層に形成され、前記第１結合容量パターンと容量結合する第２結合容量パターンと、
をさらに備える、フィルタ。
【請求項4】
請求項３に記載のフィルタであって、
前記第１結合容量パターンと前記第１キャパシタ電極との間の距離である第１距離は、前記第１遮蔽導体と前記第１キャパシタ電極との間の距離である第２距離の２倍以下である、フィルタ。
前記第１結合容量パターンと前記第１キャパシタ電極との間の距離である第１距離は、前記第１遮蔽導体と前記第１キャパシタ電極との間の距離である第２距離の２倍以下である、フィルタ。
【請求項5】
請求項４に記載のフィルタであって、
前記第１距離は、前記第２距離以下である、フィルタ。
前記第１距離は、前記第２距離以下である、フィルタ。
【請求項6】
請求項１～５のいずれか１項に記載のフィルタであって、
前記第１遮蔽導体と前記第２遮蔽導体との間に形成された第３遮蔽導体をさらに備え、
前記キャパシタ電極が形成されている層は、前記第３遮蔽導体が形成されている層と、前記結合容量電極が形成されている層との間に位置しており、
前記キャパシタ電極の一部は、前記第３遮蔽導体の一部と対面している、フィルタ。
前記第１遮蔽導体と前記第２遮蔽導体との間に形成された第３遮蔽導体をさらに備え、
前記キャパシタ電極が形成されている層は、前記第３遮蔽導体が形成されている層と、前記結合容量電極が形成されている層との間に位置しており、
前記キャパシタ電極の一部は、前記第３遮蔽導体の一部と対面している、フィルタ。
【請求項7】
請求項１に記載のフィルタにおいて、
複数の前記共振器のうちの第３共振器は、複数の前記ビア電極部のうちの第３ビア電極部と、前記第３ビア電極部に接続されるとともに、前記第２キャパシタ電極とは異なる層に形成されている前記キャパシタ電極である第３キャパシタ電極とを備え、
前記第３ビア電極部に接続されるとともに前記第２キャパシタ電極と容量結合する第３結合容量パターンをさらに備える、フィルタ。
複数の前記共振器のうちの第３共振器は、複数の前記ビア電極部のうちの第３ビア電極部と、前記第３ビア電極部に接続されるとともに、前記第２キャパシタ電極とは異なる層に形成されている前記キャパシタ電極である第３キャパシタ電極とを備え、
前記第３ビア電極部に接続されるとともに前記第２キャパシタ電極と容量結合する第３結合容量パターンをさらに備える、フィルタ。
【請求項8】
請求項７に記載のフィルタにおいて、
前記第２ビア電極部に接続されているとともに、前記第３キャパシタ電極と同じ層に形成され、前記第３キャパシタ電極と容量結合する第２結合容量パターンと、
前記第１ビア電極部に接続されているとともに、前記第２結合容量パターンと同じ層に形成され、前記第２結合容量パターンと容量結合する第１結合容量パターンとをさらに備える、フィルタ。
前記第２ビア電極部に接続されているとともに、前記第３キャパシタ電極と同じ層に形成され、前記第３キャパシタ電極と容量結合する第２結合容量パターンと、
前記第１ビア電極部に接続されているとともに、前記第２結合容量パターンと同じ層に形成され、前記第２結合容量パターンと容量結合する第１結合容量パターンとをさらに備える、フィルタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、フィルタに関する。
【背景技術】
【0002】
誘電体基板の一方の主面側に形成された遮蔽導体に対面するストリップ線路と、一端が誘電体基板の他方の主面側に形成された遮蔽導体に接続され、他端がストリップ線路に接続されたビア電極とを有する共振器が提案されている（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０２０－１９８４８２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
より良好なフィルタ特性を実現する技術が待望されている。
【0005】
本発明は、上述した課題を解決することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明の第１の態様は、第１主面と、前記第１主面の反対側に位置する第２主面とを有する誘電体基板と、前記誘電体基板のうちの前記第１主面側に形成された第１遮蔽電極と、前記誘電体基板のうちの前記第２主面側に形成された第２遮蔽電極と、前記第１遮蔽導体と前記第２遮蔽導体との間に形成されたビア電極部と、前記ビア電極部に接続されたキャパシタ電極とをそれぞれ備える複数の共振器と、前記キャパシタ電極が形成されている層とは異なる層に形成されているとともに、複数の前記共振器のいずれにも接続されておらず、且つ、前記第１遮蔽導体に対面している結合容量電極と、を備え、複数の前記共振器のうちの第１共振器は、複数の前記ビア電極部のうちの第１ビア電極部と、前記第１ビア電極部の端部に接続された前記キャパシタ電極である第１キャパシタ電極とを備え、複数の前記共振器のうちの第２共振器は、複数の前記ビア電極部のうちの第２ビア電極部と、前記第２ビア電極部の端部に接続されるとともに、前記第１キャパシタ電極と同じ層に形成されている前記キャパシタ電極である第２キャパシタ電極とを備え、前記結合容量電極の一部は、前記第１遮蔽導体と前記第１キャパシタ電極との間に位置し、前記結合容量電極の他の一部は、前記第１遮蔽導体と前記第２キャパシタ電極との間に位置する、フィルタである。
【発明の効果】
【0007】
本発明によれば、Ｑ値（Quality factor）の良好なフィルタを提供し得る。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【発明を実施するための形態】
【0009】
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態に係るフィルタ１０を示す斜視図である。図２は、第１の実施形態に係るフィルタ１０を示す平面図である。図３は、第１の実施形態に係るフィルタ１０の一部を示す断面図である。図２のＩＩＩ－ＩＩＩ線断面の一部が、図３には示されている。図４は、第１の実施形態に係るフィルタ１０を示す斜視図である。図５は、第１の実施形態に係るフィルタ１０を示す斜視図である。図６は、第１の実施形態に係るフィルタ１０を示す平面図である。図７は、第１の実施形態に係るフィルタ１０を示す斜視図である。図８は、第１の実施形態に係るフィルタ１０を示す平面図である。図９は、第１の実施形態に係るフィルタ１０を示す斜視図である。図１０は、第１の実施形態に係るフィルタ１０を示す平面図である。図１１は、第１の実施形態に係るフィルタ１０を示す斜視図である。図１２は、第１の実施形態に係るフィルタ１０を示す平面図である。図１３は、第１の実施形態に係るフィルタ１０を示す斜視図である。図１４は、第１の実施形態に係るフィルタ１０を示す平面図である。図１５は、第１の実施形態に係るフィルタ１０を示す斜視図である。図１６は、第１の実施形態に係るフィルタ１０を示す平面図である。簡略化を図るべく、図１～図１６においては、一部の構成要素が適宜省略されている。
図１は、第１の実施形態に係るフィルタ１０を示す斜視図である。図２は、第１の実施形態に係るフィルタ１０を示す平面図である。図３は、第１の実施形態に係るフィルタ１０の一部を示す断面図である。図２のＩＩＩ－ＩＩＩ線断面の一部が、図３には示されている。図４は、第１の実施形態に係るフィルタ１０を示す斜視図である。図５は、第１の実施形態に係るフィルタ１０を示す斜視図である。図６は、第１の実施形態に係るフィルタ１０を示す平面図である。図７は、第１の実施形態に係るフィルタ１０を示す斜視図である。図８は、第１の実施形態に係るフィルタ１０を示す平面図である。図９は、第１の実施形態に係るフィルタ１０を示す斜視図である。図１０は、第１の実施形態に係るフィルタ１０を示す平面図である。図１１は、第１の実施形態に係るフィルタ１０を示す斜視図である。図１２は、第１の実施形態に係るフィルタ１０を示す平面図である。図１３は、第１の実施形態に係るフィルタ１０を示す斜視図である。図１４は、第１の実施形態に係るフィルタ１０を示す平面図である。図１５は、第１の実施形態に係るフィルタ１０を示す斜視図である。図１６は、第１の実施形態に係るフィルタ１０を示す平面図である。簡略化を図るべく、図１～図１６においては、一部の構成要素が適宜省略されている。
【0010】
フィルタ１０は、誘電体基板１４を備える。誘電体基板１４は直方体状に形成されているが、これに限定されない。図示は省略するが、誘電体基板１４には、積層された複数のセラミックスシートが備えられている。これにより、誘電体基板１４は、複数のセラミックスシートにより形成される複数の層を有する。セラミックスシートは、例えばシート状の誘電体セラミックスである。
【0011】
誘電体基板１４は、第１主面１４ａと、第２主面１４ｂと、４つの側面１４ｃ～１４ｆとを有する。第１主面１４ａと第２主面１４ｂとの各々は、図１に示すＸ方向とＹ方向とに延在する。第１主面１４ａから第２主面１４ｂに向かう方向が、図１に示すＺ方向に合致する。
【0012】
なお、便宜を図るべく、以下の説明において、Ｘ方向の反対方向は－Ｘ方向とも称される。同様の理由により、Ｙ方向の反対方向は、以下の説明において－Ｙ方向とも称される。同様の理由により、Ｚ方向の反対方向は、以下の説明において－Ｚ方向とも称される。
【0013】
４つの側面１４ｃ～１４ｆは、第１主面１４ａと第２主面１４ｂとの間に位置する。側面１４ｃから側面１４ｄに向かう方向が、Ｘ方向に合致する。側面１４ｅから側面１４ｆに向かう方向が、Ｙ方向に合致する。
【0014】
誘電体基板１４は、第１遮蔽導体１２Ａと、第２遮蔽導体１２Ｂと、第３遮蔽導体１２Ｃと、第４遮蔽導体１２Ｄと、第５遮蔽導体１２Ｅと、２つの入出力端子２２（２２Ａ、２２Ｂ）とを備える。第３遮蔽導体１２Ｃの説明は後述する。なお、個々の遮蔽導体（１２Ａ～１２Ｅ）を区別せずに説明する際には、符号１２を用い、個々の遮蔽導体を区別して説明する際には、符号１２Ａ～１２Ｅを用いる。
【0015】
第１遮蔽導体１２Ａと第２遮蔽導体１２Ｂとは、第１主面１４ａと第２主面１４ｂとの間に位置する。第２遮蔽導体１２Ｂは、第１遮蔽導体１２Ａに対してＺ方向に位置する。第１遮蔽導体１２Ａと第２遮蔽導体１２Ｂとの間には、後述する共振器１１、結合容量電極１７等が配される。
【0016】
第１遮蔽導体１２Ａと第２遮蔽導体１２Ｂとは、複数の電極１２ｅ～１２ｈを介して、互いに接続されている。複数の電極１２ｅ～１２ｈは、Ｚ方向に延在する。なお、第１遮蔽導体１２Ａと、第２遮蔽導体１２Ｂと、複数の電極１２ｅ～１２ｈとは、同じ導体材料を用いて形成され得る。
【0017】
第４遮蔽導体１２Ｄは、Ｘ方向とＺ方向とに沿って、側面１４ｅに形成されている。第５遮蔽導体１２Ｅは、Ｘ方向とＺ方向とに沿って、側面１４ｆに形成されている。
【0018】
第４遮蔽導体１２Ｄと第５遮蔽導体１２Ｅとの各々は、第１遮蔽導体１２Ａと第２遮蔽導体１２Ｂとに接続されている。
【0019】
２つの入出力端子２２のうちの一方である第１入出力端子２２Ａは、側面１４ｃに形成されている。２つの入出力端子２２のうちの他方である第２入出力端子２２Ｂは、側面１４ｄに形成されている。第１入出力端子２２Ａの中心のＹ方向における位置は、図２等に示す中心ＣのＹ方向における位置と合致し得るが、これに限定されない。同様に、第２入出力端子２２Ｂの中心のＹ方向における位置は、中心ＣのＹ方向における位置と合致し得るが、これに限定されない。なお、中心Ｃは、平面視における誘電体基板１４の中心である。
【0020】
誘電体基板１４は、複数の共振器１１（１１Ａ～１１Ｅ）を備える。複数の共振器１１の各々は構造体１６を含む。換言すれば、誘電体基板１４には、複数の構造体１６（１６Ａ～１６Ｅ）が備えられている。
【0021】
複数の構造体１６の各々は、ビア電極部２０とキャパシタ電極１８とを備える。換言すれば、誘電体基板１４には、複数のビア電極部２０（Ａ～Ｅ）と、複数のキャパシタ電極１８（Ａ～Ｅ）とが備えられている。
【0022】
ビア電極部２０Ｂは、ビア電極部２０Ａに対してＹ方向に位置する。ビア電極部２０Ｃは、ビア電極部２０Ａとビア電極部２０Ｂとに対してＸ方向に位置する。ビア電極部２０Ｄとビア電極部２０Ｅとは、ビア電極部２０Ｃに対してＸ方向に位置する。ビア電極部２０Ｅは、ビア電極部２０Ｄに対してＹ方向に位置する。
【0023】
好ましくは、ビア電極部２０Ｃの中心は、平面視において誘電体基板１４の中心Ｃと合致する。また、好ましくは、ビア電極部２０Ａの中心ＣＡのＸ方向における位置から中心ＣのＸ方向における位置までの距離と、ビア電極部２０Ｅの中心ＣＥのＸ方向における位置から中心ＣのＸ方向における位置までの距離とは、等しい。さらに、好ましくは、ビア電極部２０Ｂの中心ＣＢのＸ方向における位置から中心ＣのＸ方向における位置までの距離と、ビア電極部２０Ｄの中心ＣＤのＸ方向における位置から中心ＣのＸ方向における位置までの距離とは、等しい。
【0024】
中心ＣのＹ方向における位置は、ビア電極部２０Ａの中心ＣＡのＹ方向における位置と、ビア電極部２０Ｅの中心ＣＥのＹ方向における位置との間である（図２も参照）。好ましくは、中心ＣＡのＹ方向における位置から中心ＣのＹ方向における位置までの距離と、中心ＣＥのＹ方向における位置から中心ＣのＹ方向における位置までの距離とは、等しい。
【0025】
このようにすれば、ビア電極部２０Ａの中心ＣＡは、ビア電極部２０Ｃの中心（Ｃ）に対してＸ方向にずれているのみならず、中心Ｃに対してＹ方向にもずれる。これにより、ビア電極部２０ＡのＸ方向における位置と、ビア電極部２０ＣのＸ方向における位置とを離すことなしに、ビア電極部２０Ａからビア電極部２０Ｃまでの距離を大きくすることができる。同様に、ビア電極部２０Ｅの中心ＣＥは、中心Ｃに対してＸ方向にずれているのみならず、中心Ｃに対してＹ方向にもずれる。これにより、ビア電極部２０ＥのＸ方向における位置と、ビア電極部２０ＣのＸ方向における位置とを離すことなしに、ビア電極部２０Ｅからビア電極部２０Ｃまでの距離を大きくすることができる。このように、ビア電極部２０Ａとビア電極部２０Ｅとの各々をビア電極部２０Ｃに対してＸ方向に大きく離す必要がないので、誘電体基板１４のＸ方向における寸法を抑制することができる。
【0026】
ビア電極部２０Ｃの中心ＣのＹ方向における位置は、ビア電極部２０Ｂの中心ＣＢのＹ方向における位置と、ビア電極部２０Ｄの中心ＣＤのＹ方向における位置との間である（図２も参照）。好ましくは、中心ＣＢのＹ方向における位置から中心ＣのＹ方向における位置までの距離と、中心ＣＤのＹ方向における位置から中心ＣのＹ方向における位置までの距離とは、等しい。
【0027】
このようにすれば、ビア電極部２０Ｂの中心ＣＢは、ビア電極部２０Ｃの中心（Ｃ）に対してＸ方向にずれているのみならず、中心Ｃに対してＹ方向にもずれる。これにより、ビア電極部２０ＢのＸ方向における位置と、ビア電極部２０ＣのＸ方向における位置とを離すことなしに、ビア電極部２０Ｂからビア電極部２０Ｃまでの距離を大きくすることができる。同様に、ビア電極部２０Ｄの中心ＣＤは、中心Ｃに対してＸ方向にずれているのみならず、中心Ｃに対してＹ方向にもずれる。これにより、ビア電極部２０ＤのＸ方向における位置と、ビア電極部２０ＣのＸ方向における位置とを離すことなしに、ビア電極部２０Ｄからビア電極部２０Ｃまでの距離を大きくすることができる。このように、ビア電極部２０Ｂとビア電極部２０Ｄとの各々をビア電極部２０Ｃに対してＸ方向に大きく離す必要がないので、誘電体基板１４のＸ方向における寸法を抑制することができる。
【0028】
ビア電極部２０Ａの中心ＣＡのＹ方向における位置と、ビア電極部２０Ｄの中心ＣＤのＹ方向における位置とは、例えば等しいが、これに限定されない。同様に、ビア電極部２０Ｂの中心ＣＢのＹ方向における位置と、ビア電極部２０Ｅの中心ＣＥのＹ方向における位置とは、例えば等しいが、これに限定されない。
【0029】
また、中心ＣＡのＸ方向における位置から第１入出力端子２２ＡのＸ方向における位置までの距離は、中心ＣＢのＸ方向における位置から第１入出力端子２２ＡのＸ方向における位置までの距離より小さいが、これに限定されない。中心ＣＡのＹ方向における位置から第１入出力端子２２ＡのＹ方向における位置までの距離と、中心ＣＢのＹ方向における位置から第１入出力端子２２ＡのＹ方向における位置までの距離とは、例えば等しいが、これに限定されない。
【0030】
さらに、中心ＣＤのＸ方向における位置から第２入出力端子２２ＢのＸ方向における位置までの距離は、中心ＣＥのＸ方向における位置から第２入出力端子２２ＢのＸ方向における位置までの距離より大きいが、これに限定されない。中心ＣＤのＹ方向における位置から第２入出力端子２２ＢのＹ方向における位置までの距離と、中心ＣＥのＹ方向における位置から第２入出力端子２２ＢのＹ方向における位置までの距離とは、例えば等しいが、これに限定されない。
【0031】
複数のビア電極部２０の各々は、複数のビア電極２４からなる。複数のビア電極２４の各々は、誘電体基板１４内に形成されたビアホールに埋め込まれている。図示は省略するが、ビアホールはＺ方向に沿って形成されている。
【0032】
同一のビア電極部２０を構成する複数のビア電極２４は、平面視において仮想円２６に沿って配列されている（図２も参照）。これにより、複数のビア電極部２０の各々は、円柱状に形成された単一の電極のように振る舞い得る。複数のビア電極２４の各々は比較的に小径である。そのため、仮想円２６と同径の円柱状ビア電極を形成する場合と比較して、上述したビアホールに埋め込む材料の量を抑制することが可能である。また、フィルタ１０の製造プロセスの簡略化を図ることが可能である。
【0033】
上述した複数のビア電極２４の各々は、Ｚ方向の一端（上端部）と、－Ｚ方向の他端（下端部）とを有する。上端部は、第２遮蔽導体１２Ｂと接続され得る。下端部は、上述したキャパシタ電極１８と接続される。
【0034】
キャパシタ電極１８は、誘電体基板１４内に形成されるストリップ線路である。上述したように、誘電体基板１４内には複数のキャパシタ電極１８（１８Ａ～１８Ｅ）が備えられる。複数のキャパシタ電極１８は、互いに同じ層に形成されている。換言すれば、複数のキャパシタ電極１８は、同一のセラミックスシート上に形成されている。キャパシタ電極１８と第１遮蔽導体１２Ａとの間には、一以上のセラミックスシートが存在する。また、キャパシタ電極１８と第２遮蔽導体１２Ｂとの間にも、一以上のセラミックスシートが存在する。
【0035】
なお、キャパシタ電極１８が形成されている層には、電極パターン１８ｆと電極パターン１８ｇとがさらに形成されている。電極パターン１８ｇは電極パターン１８ｆに対してＹ方向に位置する。電極パターン１８ｆは第４遮蔽導体１２Ｄに接続されている。電極パターン１８ｆは第５遮蔽導体１２Ｅに接続されている。電極パターン１８ｆと電極パターン１８ｇとの間に複数のキャパシタ電極１８が位置している。
【0036】
複数のキャパシタ電極１８は、互いに異なるビア電極部２０の下端部と接続される。キャパシタ電極１８Ａがビア電極部２０Ａの下端部と接続される。キャパシタ電極１８Ｂがビア電極部２０Ｂの下端部と接続される。キャパシタ電極１８Ｃがビア電極部２０Ｃの下端部と接続される。キャパシタ電極１８Ｄがビア電極部２０Ｄの下端部と接続される。キャパシタ電極１８Ｅがビア電極部２０Ｅの下端部と接続される。
【0037】
好ましくは、複数のキャパシタ電極１８は、中心Ｃを対称の中心として点対称に形成される。より具体的には、キャパシタ電極１８Ａとキャパシタ電極１８Ｅとは、中心Ｃを対称の中心として点対称に形成されていることが好ましい。また、キャパシタ電極１８Ｂとキャパシタ電極１８Ｄとは、中心Ｃを対称の中心として点対称に形成されていることが好ましい。さらに、キャパシタ電極１８Ｃの中心が、中心Ｃと合致する。キャパシタ電極１８Ｃの形状は、中心Ｃを対称の中心として点対称であることが好ましい。複数のキャパシタ電極１８が点対称に形成されることで、良好な周波数特定を得ることができる。上述したように、中心Ｃは、平面視における誘電体基板１４の中心である。
【0038】
【0039】
複数の結合容量電極１７の各々は、誘電体基板１４内に形成される電極（平板電極）である。複数の結合容量電極１７は、互いに同じ層に形成されている。換言すれば、複数の結合容量電極１７は、同一のセラミックスシート上に形成されている。
【0040】
複数の結合容量電極１７は、キャパシタ電極１８が形成されている層とは異なる層に形成されている。より具体的には、複数の結合容量電極１７が形成されている層は、第１遮蔽導体１２Ａが形成されている層と、複数のキャパシタ電極１８が形成されている層との間に位置する（図３も参照）。結合容量電極１７とキャパシタ電極１８との間には、一以上のセラミックスシートが存在する。複数の結合容量電極１７は、複数の共振器１１のいずれにも接続されておらず、第１遮蔽導体１２Ａに対面している。
【0041】
結合容量電極１７ＡＢは、部分パターン１７ＡＢ１と、部分パターン１７ＡＢ２とを含む。部分パターン１７ＡＢ１と部分パターン１７ＡＢ２とは互いに接続されている。部分パターン１７ＡＢ１の少なくとも一部と、キャパシタ電極１８Ａの少なくとも一部とが、平面視において互いに重なる。部分パターン１７ＡＢ２の少なくとも一部と、キャパシタ電極１８Ｂの少なくとも一部とが、平面視において互いに重なる。
【0042】
キャパシタ電極１８Ａと結合容量電極１７ＡＢとが容量結合するとともに、キャパシタ電極１８Ｂと結合容量電極１７ＡＢとが容量結合する。これにより、容量結合構造２１（２１ＡＢ）が形成される。
【0043】
図６に示すように、結合容量電極１７ＡＣは、部分パターン１７ＡＣ１と、部分パターン１７ＡＣ２とを含む。部分パターン１７ＡＣ１と部分パターン１７ＡＣ２とは互いに接続されている。部分パターン１７ＡＣ１の少なくとも一部と、キャパシタ電極１８Ａの少なくとも一部とが、平面視において互いに重なる。部分パターン１７ＡＣ２の少なくとも一部と、キャパシタ電極１８Ｃの少なくとも一部とが、平面視において互いに重なる。
【0044】
キャパシタ電極１８Ａと結合容量電極１７ＡＣとが容量結合するとともに、キャパシタ電極１８Ｃと結合容量電極１７ＡＣとが容量結合する。これにより、容量結合構造２１（２１ＡＣ）が形成される。
【0045】
図６に示すように、結合容量電極１７ＢＣは、部分パターン１７ＢＣ１と、部分パターン１７ＢＣ２とを含む。部分パターン１７ＢＣ１と部分パターン１７ＢＣ２とは互いに接続されている。部分パターン１７ＢＣ１の少なくとも一部と、キャパシタ電極１８Ｂの少なくとも一部とが、平面視において互いに重なる。部分パターン１７ＢＣ２の少なくとも一部と、キャパシタ電極１８Ｃの少なくとも一部とが、平面視において互いに重なる。
【0046】
キャパシタ電極１８Ｂと結合容量電極１７ＢＣとが容量結合するとともに、キャパシタ電極１８Ｃと結合容量電極１７ＢＣとが容量結合する。これにより、容量結合構造２１（２１ＢＣ）が形成される。
【0047】
図６に示すように、結合容量電極１７ＤＣは、部分パターン１７ＤＣ１と、部分パターン１７ＤＣ２とを含む。部分パターン１７ＤＣ１と部分パターン１７ＤＣ２とは互いに接続されている。部分パターン１７ＤＣ１の少なくとも一部と、キャパシタ電極１８Ｄの少なくとも一部とが、平面視において互いに重なる。部分パターン１７ＤＣ２の少なくとも一部と、キャパシタ電極１８Ｃの少なくとも一部とが、平面視において互いに重なる。
【0048】
キャパシタ電極１８Ｄと結合容量電極１７ＤＣとが容量結合するとともに、キャパシタ電極１８Ｃと結合容量電極１７ＤＣとが容量結合する。これにより、容量結合構造２１（２１ＤＣ）が形成される。
【0049】
図６に示すように、結合容量電極１７ＥＣは、部分パターン１７ＥＣ１と、部分パターン１７ＥＣ２とを含む。部分パターン１７ＥＣ１と部分パターン１７ＥＣ２とは互いに接続されている。部分パターン１７ＥＣ１の少なくとも一部と、キャパシタ電極１８Ｅの少なくとも一部とが、平面視において互いに重なる。部分パターン１７ＥＣ２の少なくとも一部と、キャパシタ電極１８Ｃの少なくとも一部とが、平面視において互いに重なる。
【0050】
キャパシタ電極１８Ｅと結合容量電極１７ＥＣとが容量結合するとともに、キャパシタ電極１８Ｃと結合容量電極１７ＥＣとが容量結合する。これにより、容量結合構造２１（２１ＥＣ）が形成される。
【0051】
図６に示すように、結合容量電極１７ＥＤは、部分パターン１７ＥＤ１と、部分パターン１７ＥＤ２とを含む。部分パターン１７ＥＤ１と部分パターン１７ＥＤ２とは互いに接続されている。部分パターン１７ＥＤ１の少なくとも一部と、キャパシタ電極１８Ｅの少なくとも一部とが、平面視において互いに重なる。部分パターン１７ＥＤ２の少なくとも一部と、キャパシタ電極１８Ｄの少なくとも一部とが、平面視において互いに重なる。
【0052】
キャパシタ電極１８Ｅと結合容量電極１７ＥＤとが容量結合するとともに、キャパシタ電極１８Ｄと結合容量電極１７ＥＤとが容量結合する。これにより、容量結合構造２１（２１ＥＤ）が形成される。
【0053】
このように、本実施形態によれば、キャパシタ電極１８が形成されている層と、第１遮蔽導体１２Ａが形成されている層との間に、結合容量電極１７が位置する。そのため、本実施形態によれば、結合容量電極１７とキャパシタ電極１８との間のＺ方向における距離を、充分に小さく設定することが可能である。したがって、本実施形態によれば、良好なＱ値を得ることができる。
【0054】
なお、複数の結合容量電極１７は、中心Ｃを対称の中心として点対称に形成されることが好ましい。より具体的には、結合容量電極１７ＡＢと結合容量電極１７ＥＤとは、中心Ｃを対称の中心として点対称に形成されていることが好ましい。また、結合容量電極１７ＡＣと結合容量電極１７ＥＣとは、中心Ｃを対称の中心として点対称に形成されていることが好ましい。さらに、結合容量電極１７ＢＣと結合容量電極１７ＤＣとは、中心Ｃを対称の中心として点対称に形成されていることが好ましい。これらの結合容量電極１７が点対称に形成されることで、より良好な周波数特定を得ることができる。上述したように、中心Ｃは、平面視における誘電体基板１４の中心である。
【0055】
上述したように、誘電体基板１４には、第３遮蔽導体１２Ｃが備えられている。第３遮蔽導体１２Ｃが形成されている層は、キャパシタ電極１８が形成されている層に対してＺ方向に位置している（図７、図８も参照）。換言すれば、キャパシタ電極１８が形成されている層は、第３遮蔽導体１２Ｃが形成されている層と、結合容量電極１７が形成されている層との間に位置している。第３遮蔽導体１２Ｃは、いずれのビア電極部２０にも接続されない。
【0056】
第３遮蔽導体１２Ｃは、第４遮蔽導体１２Ｄと、第５遮蔽導体１２Ｅとを介して、第１遮蔽導体１２Ａに電気的に接続されている。第３遮蔽導体１２Ｃの電位と、第１遮蔽導体１２Ａとの電位とは等しい。
【0057】
図８に示すように、複数のキャパシタ電極１８のうちの少なくとも一部（重なり部２３）は、第３遮蔽導体１２Ｃと対面している。より具体的には、キャパシタ電極１８Ａの少なくとも一部は、第３遮蔽導体１２Ｃと対面している。キャパシタ電極１８Ｂの少なくとも一部は、第３遮蔽導体１２Ｃと対面している。キャパシタ電極１８Ｄの少なくとも一部は、第３遮蔽導体１２Ｃと対面している。キャパシタ電極１８Ｅの少なくとも一部は、第３遮蔽導体１２Ｃと対面している。キャパシタ電極１８Ｃは第３遮蔽導体１２Ｃと対面していないが、対面してもよい。
【0058】
本実施形態では、キャパシタ電極１８と第１遮蔽導体１２Ａとの間に結合容量電極１７が位置する。そのため、結合容量電極１７により隔てられることなくキャパシタ電極１８と第１遮蔽導体１２Ａとが、向かい合う部分の面積は小さくなる。しかしながら、本実施形態では、平面視においてキャパシタ電極１８の一部と重なり合う第３遮蔽導体１２Ｃが備えられている。第３遮蔽導体１２Ｃは、第４遮蔽導体１２Ｄ及び第５遮蔽導体１２Ｅを介して第１遮蔽導体１２Ａに電気的に接続されている。このため、本実施形態によれば、キャパシタ電極１８と遮蔽導体１２との間の静電容量を充分に確保することができる。
【0059】
【0060】
複数の結合容量パターン７２の各々は導体パターンである。複数の結合容量パターン７２は、互いに同じ層に形成されている。換言すれば、複数の結合容量パターン７２は、同一のセラミックスシート上に形成されている。複数の結合容量パターン７２が形成されている層は、第３遮蔽導体１２Ｃが形成されている層に対してＺ方向に位置している（図３も参照）。結合容量パターン７２と第３遮蔽導体１２Ｃとの間には、一以上のセラミックスシートが存在する。
【0061】
複数の結合容量パターン７２は、互いに異なるビア電極部２０と接続される。結合容量パターン７２Ａがビア電極部２０Ａと接続される。結合容量パターン７２Ｂがビア電極部２０Ｂと接続される。結合容量パターン７２Ｃがビア電極部２０Ｃと接続される。結合容量パターン７２Ｄがビア電極部２０Ｄと接続される。結合容量パターン７２Ｅがビア電極部２０Ｅと接続される。
【0062】
互いに隣り合う結合容量パターン７２は、容量結合する。互いに隣り合う結合容量パターン７２は、容量結合構造７１を形成する。換言すれば、複数の結合容量パターン７２によって、複数の容量結合構造７１（７１ＡＢ、７１ＡＣ、７１ＢＣ、７１ＤＣ、７１ＥＣ、７１ＥＤ）が形成される。より具体的には、結合容量パターン７２Ａと結合容量パターン７２Ｂとが、容量結合構造７１ＡＢを形成する。結合容量パターン７２Ａと結合容量パターン７２Ｃとが、容量結合構造７１ＡＣを形成する。結合容量パターン７２Ｂと結合容量パターン７２Ｃとが、容量結合構造７１ＢＣを形成する。結合容量パターン７２Ｄと結合容量パターン７２Ｃとが、容量結合構造７１ＤＣを形成する。結合容量パターン７２Ｅと結合容量パターン７２Ｃとが、容量結合構造７１ＥＣを形成する。結合容量パターン７２Ｅと結合容量パターン７２Ｄとが、容量結合構造７１ＥＤを形成する。
【0063】
これらの結合容量パターン７２は、中心Ｃを対称の中心として点対称に形成されることが好ましい。より具体的には、結合容量パターン７２Ａと結合容量パターン７２Ｅとは、中心Ｃを対称の中心として点対称に形成されていることが好ましい。また、結合容量パターン７２Ｂと結合容量パターン７２Ｄとは、中心Ｃを対称の中心として点対称に形成されていることが好ましい。さらに、結合容量パターン７２Ｃの中心が、中心Ｃと合致する。結合容量パターン７２Ｃの形状は、中心Ｃを対称の中心として点対称であることが好ましい。複数の結合容量パターン７２が点対称に配されることで、良好な周波数特定を得ることができる。上述したように、中心Ｃは、平面視における誘電体基板１４の中心である。
【0064】
また、以下の説明において、結合容量パターン７２とキャパシタ電極１８との間のＺ方向における距離は、第１距離Ｄ１とも称される（図３も参照）。第１遮蔽導体１２Ａとキャパシタ電極１８と間のＺ方向における距離は、第２距離Ｄ２とも称される。好ましくは、第１距離Ｄ１は、第２距離Ｄ２の２倍以下である。より好ましくは、第１距離Ｄ１は第２距離Ｄ２以下である。結合容量パターン７２とキャパシタ電極１８との間の距離を比較的小さく設定することで、良好なＱ値を得ることが可能である。
【0065】
【0066】
複数の結合容量パターン７４の各々は導体パターンである。複数の結合容量パターン７４は、互いに同じ層に形成されている。換言すれば、複数の結合容量パターン７４は、同一のセラミックスシート上に形成されている。結合容量パターン７４が形成されている層は、結合容量パターン７２が形成されている層に対してＺ方向に位置している（図３も参照）。結合容量パターン７４と、結合容量パターン７２との間には、一以上のセラミックスシートが存在する。
【0067】
結合容量パターン７４Ｂと結合容量パターン７４Ｄとは、いずれのビア電極部２０にも接続されない。これに対し、結合容量パターン７４Ａは、ビア電極部２０Ａと接続される。また、結合容量パターン７４Ｅは、ビア電極部２０Ｅと接続される。
【0068】
隣り合う結合容量パターン７４は、容量結合して、容量結合構造７３を形成する。換言すれば、複数の結合容量パターン７４によって、複数の容量結合構造７３（７３ＡＢ、７３ＢＥ、７３ＤＡ、７３ＥＤ）が形成される。より具体的には、結合容量パターン７４Ａと結合容量パターン７４Ｂとが、容量結合構造７３ＡＢを形成する。結合容量パターン７４Ｂと結合容量パターン７４Ｅとが、容量結合構造７３ＢＥを形成する。結合容量パターン７４Ｄと結合容量パターン７４Ａとが、容量結合構造７３ＤＡを形成する。結合容量パターン７４Ｅと結合容量パターン７４Ｄとが、容量結合構造７３ＥＤを形成する。
【0069】
また、好ましくは、複数の結合容量パターン７４は、中心Ｃを対称の中心として点対称に形成される。より具体的には、結合容量パターン７４Ａと結合容量パターン７４Ｅとは、中心Ｃを対称の中心として点対称に形成されていることが好ましい。また、結合容量パターン７４Ｂと結合容量パターン７４Ｄとは、中心Ｃを対称の中心として点対称に形成されていることが好ましい。複数の結合容量パターン７４が点対称に配されることで、良好な周波数特定を得ることができる。上述したように、中心Ｃは、平面視における誘電体基板１４の中心である。
【0070】
【0071】
２つの入出力パターン８０の各々は導体パターンである。２つの入出力パターン８０は、互いに同じ層に形成されている。換言すれば、２つの入出力パターン８０は、同一のセラミックスシート上に形成されている。
【0072】
入出力パターン８０Ａは、上述した第１入出力端子２２Ａと、ビア電極部２０Ａとを接続する。これに対し、入出力パターン８０Ｂは、上述した第２入出力端子２２Ｂと、ビア電極部２０Ｅとを接続する。
【0073】
２つの入出力パターン８０が形成されている層は、結合容量パターン７４が形成されている層に対してＺ方向に位置している。入出力パターン８０と結合容量パターン７４との間には、一以上のセラミックスシートが存在する。２つの入出力パターン８０のＺ方向における位置を適宜設定することにより、外部Ｑを適宜調整することが可能である。
【0074】
【0075】
結合容量パターン７６は、誘電体基板１４内に形成される導電パターンである。結合容量パターン７６が形成されている層は、２つの入出力パターン８０が形成されている層に対してＺ方向に位置している。結合容量パターン７６は、ビア電極部２０Ｂとビア電極部２０Ｄとに接続されている。
【0076】
好ましくは、結合容量パターン７６は、中心Ｃを対称の中心として点対称に形成される。結合容量パターン７６が点対称に形成されることで、良好な周波数特定を得ることができる。上述したように、中心Ｃは、平面視における誘電体基板１４の中心である。
【0077】
（第２の実施形態）
第２の実施形態では、第１の実施形態と重複する説明は適宜割愛する。また、第１の実施形態において説明した構成と同一の構成については同一の符号を付す。
第２の実施形態では、第１の実施形態と重複する説明は適宜割愛する。また、第１の実施形態において説明した構成と同一の構成については同一の符号を付す。
【0078】
図１７は、第２の実施形態に係るフィルタ１０を示す斜視図である。図１８は、第２の実施形態に係るフィルタ１０を示す平面図である。図１９は、第２の実施形態に係るフィルタ１０の一部を示す断面図である。図１８のＸＩＸ－ＸＩＸ線断面の一部が、図１９には示されている。図２０は、第２の実施形態に係るフィルタ１０を示す斜視図である。図２１は、第２の実施形態に係るフィルタ１０を示す斜視図である。図２２は、第２の実施形態に係るフィルタ１０を示す平面図である。図２３は、第２の実施形態に係るフィルタ１０を示す斜視図である。図２４は、第２の実施形態に係るフィルタ１０を示す平面図である。図２５は、第２の実施形態に係るフィルタ１０を示す斜視図である。図２６は、第２の実施形態に係るフィルタ１０を示す平面図である。図２７は、第２の実施形態に係るフィルタ１０を示す斜視図である。図２８は、第２の実施形態に係るフィルタ１０を示す平面図である。図２９は、第２の実施形態に係るフィルタ１０を示す斜視図である。図３０は、第２の実施形態に係るフィルタ１０を示す平面図である。簡略化を図るべく、図１７～図３０においては、一部の構成要素が適宜省略されている。
【0079】
図１７～図２１に示すように、フィルタ１０は誘電体基板１４を備える。誘電体基板１４には、第１遮蔽導体１２Ａと、第２遮蔽導体１２Ｂと、第４遮蔽導体１２Ｄと、第５遮蔽導体１２Ｅと、第１入出力端子２２Ａと、第２入出力端子２２Ｂとが備えられる。また、誘電体基板１４には、複数の電極１２ｅ～電極１２ｆと、複数の共振器１１（１１Ａ～１１Ｅ）と、複数の結合容量電極１７（１７ＡＢ、１７ＥＤ）と、複数の結合容量パターン７２（７２Ａ、７２Ｂ、７２Ｄ、７２Ｅ）とが備えられる。
【0080】
本実施形態では省略したが、誘電体基板１４には第３遮蔽導体１２Ｃ（第１の実施形態参照）がさらに備えられてもよい。
【0081】
複数の共振器１１の各々は、ビア電極部２０とキャパシタ電極１８とを備える。換言すれば、誘電体基板１４には、複数のビア電極部２０（２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ２、２０Ｄ、２０Ｅ）と、複数のキャパシタ電極１８（１８Ａ、１８Ｂ、１８Ｄ、１８Ｅ）と、キャパシタ電極１９Ｃとが備えられている。
【0082】
複数のキャパシタ電極１８は、互いに同じ層（セラミックスシート）に形成されている。複数の結合容量電極１７が形成されている層は、キャパシタ電極１８が形成されている層と、第１遮蔽導体１２Ａが形成されている層との間に位置している。なお、キャパシタ電極１８が形成されている層には、電極パターン１８ｆと電極パターン１８ｇとがさらに形成されている。電極パターン１８ｆは第４遮蔽導体１２Ｄに接続されている。電極パターン１８ｇは第５遮蔽導体１２Ｅに接続されている。
【0083】
図２２に示すように、結合容量電極１７ＡＢは、部分パターン１７ＡＢ１と、部分パターン１７ＡＢ２とを含む。部分パターン１７ＡＢ１と部分パターン１７ＡＢ２とは互いに接続されている。部分パターン１７ＡＢ１の少なくとも一部と、キャパシタ電極１８Ａの少なくとも一部とが、平面視において互いに重なる。部分パターン１７ＡＢ２の少なくとも一部と、キャパシタ電極１８Ｂの少なくとも一部とが、平面視において互いに重なる。
【0084】
結合容量電極１７ＥＤは、部分パターン１７ＥＤ１と、部分パターン１７ＥＤ２とを含む。部分パターン１７ＥＤ１と部分パターン１７ＥＤ２とは互いに接続されている。部分パターン１７ＥＤ１の少なくとも一部と、キャパシタ電極１８Ｅの少なくとも一部とが、平面視において互いに重なる。部分パターン１７ＥＤ２の少なくとも一部と、キャパシタ電極１８Ｄの少なくとも一部とが、平面視において互いに重なる。
【0085】
キャパシタ電極１９Ｃは、キャパシタ電極１８が形成されている層とは異なる層に形成されている。より具体的には、キャパシタ電極１９Ｃが形成されている層は、キャパシタ電極１８が形成されている層に対してＺ方向に位置している（図１９、図２３も参照）。
【0086】
【0087】
キャパシタ電極１９Ｃは、ビア電極部２０Ｃ２に接続される。なお、ビア電極部２０Ｃ２の下端部には、後述する複数の結合容量パターン６０が接続される。ビア電極部２０Ｃ２のより詳しい説明は後述する。
【0088】
好ましくは、キャパシタ電極１９Ｃは、中心Ｃを対称の中心として点対称に形成される。中心Ｃは、平面視における誘電体基板１４の中心である。キャパシタ電極１９Ｃが点対称に形成されることで、良好な周波数特定を得ることができる。
【0089】
複数の結合容量パターン６０（６０ＡＤ、６０ＥＢ）の各々は、誘電体基板１４内に形成される導体パターンである。複数の結合容量パターン６０が形成されている層は、キャパシタ電極１８が形成されている層と、キャパシタ電極１９Ｃが形成されている層との間に位置している（図１９も参照）。なお、結合容量パターン６０ＥＢは、結合容量パターン６０ＡＤに対してＹ方向に位置している（図２１、図２２も参照）。
【0090】
複数の結合容量パターン６０のうちの一方である結合容量パターン６０ＡＤは、部分パターン６０ＡＤ１と部分パターン６０ＡＤ２とを含む。部分パターン６０ＡＤ１と部分パターン６０ＡＤ２とは互いに接続されている。
【0091】
部分パターン６０ＡＤ１の少なくとも一部と、キャパシタ電極１８Ａの少なくとも一部とが、互いに対面する。これにより、キャパシタ電極１８Ａと結合容量パターン６０ＡＤとが容量結合する。また、部分パターン６０ＡＤ２の少なくとも一部と、キャパシタ電極１８Ｄの少なくとも一部とが、互いに対面する。これにより、キャパシタ電極１８Ｄと結合容量パターン６０ＡＤとが容量結合する。
【0092】
複数の結合容量パターン６０のうちの他方である結合容量パターン６０ＥＢは、部分パターン６０ＥＢ１と部分パターン６０ＥＢ２とを含む。部分パターン６０ＥＢ１と部分パターン６０ＥＢ２とは互いに接続されている。
【0093】
部分パターン６０ＥＢ１の少なくとも一部と、キャパシタ電極１８Ｅの少なくとも一部とが、互いに対面する。これにより、キャパシタ電極１８Ｅと結合容量パターン６０ＥＢとが容量結合する。また、部分パターン６０ＥＢ２の少なくとも一部と、キャパシタ電極１８Ｂの少なくとも一部とが、互いに対面する。これにより、キャパシタ電極１８Ｂと結合容量パターン６０ＥＢとが容量結合する。
【0094】
なお、好ましくは、複数の結合容量パターン６０は、中心Ｃを対称の中心として点対称に形成される。より具体的には、結合容量パターン６０ＡＤと結合容量パターン６０ＥＢとは、中心Ｃを対称の中心として点対称に形成されていることが好ましい。複数の結合容量パターン６０が点対称に形成されることで、良好な周波数特定を得ることができる。なお、上述したように、中心Ｃは、平面視における誘電体基板１４の中心である。
【0095】
ビア電極部２０Ｃ２は、Ｚ方向に沿って形成された不図示のビアホールに形成されている。ビア電極部２０Ｃ２は、第１部分電極部２０Ｃａと第２部分電極部２０Ｃｂとを有する。
【0096】
第２部分電極部２０Ｃｂは、第１部分電極部２０Ｃａに対してＹ方向に位置する。これにより、第１部分電極部２０Ｃａから第４遮蔽導体１２Ｄまでの距離が短くなるとともに、第２部分電極部２０Ｃｂから第５遮蔽導体１２Ｅまでの距離が短くなる。その結果、第１部分電極部２０Ｃａと第４遮蔽導体１２Ｄとの結合容量を増加させるとともに、第２部分電極部２０Ｃｂと第５遮蔽導体１２Ｅとの結合容量を増加させることができる。
【0097】
第１部分電極部２０Ｃａの－Ｚ方向の端部（下端部）は、上述した結合容量パターン６０ＡＤと接続されている（図２１、図２２も参照）。第２部分電極部２０Ｃｂの－Ｚ方向の端部（下端部）は、上述した結合容量パターン６０ＥＢと接続されている。なお、第１部分電極部２０ＣａのＺ方向の端部（上端部）と、第２部分電極部２０ＣｂのＺ方向の端部（上端部）とは、第２遮蔽導体１２Ｂと接続され得る（図１９も参照）。
【0098】
第１部分電極部２０Ｃａと第２部分電極部２０Ｃｂとの各々は、複数のビア電極２４からなる。図２４に示すように、第１部分電極部２０Ｃａを構成する複数のビア電極２４は、仮想円弧２７ａに沿って配列されている。これに対し、第２部分電極部２０Ｃｂを構成する複数のビア電極２４は、仮想円弧２７ｂに沿って配列されている。仮想円弧２７ａの曲率と、仮想円弧２７ｂの曲率とは、例えば第１の実施形態で説明した仮想円２６の曲率と等しいが、これに限定されない。第１部分電極部２０Ｃａと第２部分電極部２０Ｃｂとは、平面視における誘電体基板１４の中心Ｃを対称の中心として点対称に形成されるが、これに限定されない。他のビア電極部２０Ａ、ビア電極部２０Ｂ等と同様に、仮想円２６に沿って配列される複数のビア電極２４によって、ビア電極部２０Ｃ２が形成されてもよい。
【0099】
図２５～図３０に示すように、誘電体基板１４は、複数の結合容量パターン７４（７４Ａ、７４Ｂ、７４Ｄ、７４Ｅ）と、２つの入出力パターン８０（８０Ａ、８０Ｂ）と、結合容量パターン７６とをさらに備える。結合容量パターン７４が形成されている層は、結合容量パターン６０が形成されている層に対してＺ方向に位置している（図１９も参照）。入出力パターン８０が形成されている層は、結合容量パターン７４が形成されている層に対してＺ方向に位置している。結合容量パターン７６が形成されている層は、入出力パターン８０が形成されている層に対してＺ方向に位置している。
【0100】
本実施形態によれば、第１の実施形態と同様に、キャパシタ電極１８が形成されている層と、第１遮蔽導体１２Ａが形成されている層との間に、結合容量電極１７が位置する。そのため、本実施形態によれば、結合容量電極１７とキャパシタ電極１８との間のＺ方向における距離を、充分に小さく設定することが可能である。したがって、本実施形態によれば、良好なＱ値を得ることができる。
【0101】
また、結合容量パターン７２が形成されている層と、キャパシタ電極１８が形成されている層との距離を短く設定することで、良好なＱ値を得ることができる。その点、本実施形態によれば、結合容量電極１７が形成されている層は、キャパシタ電極１８が形成されている層と、第１遮蔽導体１２Ａが形成されている層との間に位置している。したがって、結合容量パターン７２が形成されている層と、キャパシタ電極１８Ａが形成されている層との距離を短く設定することを、結合容量電極１７は阻害しない。
【0102】
さらに、キャパシタ電極１９Ｃが形成されている層と、キャパシタ電極１８が形成されている層との距離を短く設定することで、良好なＱ値を得ることができる。その点、本実施形態によれば、結合容量パターン７２が形成されている層に、キャパシタ電極１９Ｃがさらに形成されている。上述したように、結合容量パターン７２が形成されている層と、キャパシタ電極１８が形成されている層との距離を短く設定することを、結合容量電極１７は阻害しない。したがって、本実施形態によれば、より良好なＱ値を得ることが可能である。
【0103】
上記実施形態に関し、さらに以下の付記を開示する。
【0104】
（付記１）
本開示に係るフィルタ（１０）は、第１主面（１４ａ）と、前記第１主面の反対側に位置する第２主面（１４ｂ）とを有する誘電体基板（１４）と、前記誘電体基板のうちの前記第１主面側に形成された第１遮蔽導体（１２Ａ）と、前記誘電体基板のうちの前記第２主面側に形成された第２遮蔽導体（１２Ｂ）と、前記第１遮蔽導体と前記第２遮蔽導体との間に形成されたビア電極部（２０）と、前記ビア電極部に接続されたキャパシタ電極（１８、１９Ｃ）とをそれぞれ備える複数の共振器（１１）と、前記キャパシタ電極が形成されている層とは異なる層に形成されているとともに、複数の前記共振器のいずれにも接続されておらず、且つ、前記第１遮蔽導体に対面している結合容量電極（１７）と、を備え、複数の前記共振器のうちの第１共振器（１１Ａ）は、複数の前記ビア電極部のうちの第１ビア電極部（２０Ａ）と、前記第１ビア電極部の端部に接続された前記キャパシタ電極である第１キャパシタ電極（１８Ａ）とを備え、複数の前記共振器のうちの第２共振器（１１Ｂ）は、複数の前記ビア電極部のうちの第２ビア電極部（２０Ｂ）と、前記第２ビア電極部の端部に接続されるとともに、前記第１キャパシタ電極と同じ層に形成されている前記キャパシタ電極である第２キャパシタ電極（１８Ｂ）とを備え、前記結合容量電極の一部（１７ＡＢ１）は、前記第１遮蔽導体と前記第１キャパシタ電極との間に位置し、前記結合容量電極の他の一部（１７ＡＢ２）は、前記第１遮蔽導体と前記第２キャパシタ電極との間に位置する。これにより、良好なＱ値を得ることができる。
本開示に係るフィルタ（１０）は、第１主面（１４ａ）と、前記第１主面の反対側に位置する第２主面（１４ｂ）とを有する誘電体基板（１４）と、前記誘電体基板のうちの前記第１主面側に形成された第１遮蔽導体（１２Ａ）と、前記誘電体基板のうちの前記第２主面側に形成された第２遮蔽導体（１２Ｂ）と、前記第１遮蔽導体と前記第２遮蔽導体との間に形成されたビア電極部（２０）と、前記ビア電極部に接続されたキャパシタ電極（１８、１９Ｃ）とをそれぞれ備える複数の共振器（１１）と、前記キャパシタ電極が形成されている層とは異なる層に形成されているとともに、複数の前記共振器のいずれにも接続されておらず、且つ、前記第１遮蔽導体に対面している結合容量電極（１７）と、を備え、複数の前記共振器のうちの第１共振器（１１Ａ）は、複数の前記ビア電極部のうちの第１ビア電極部（２０Ａ）と、前記第１ビア電極部の端部に接続された前記キャパシタ電極である第１キャパシタ電極（１８Ａ）とを備え、複数の前記共振器のうちの第２共振器（１１Ｂ）は、複数の前記ビア電極部のうちの第２ビア電極部（２０Ｂ）と、前記第２ビア電極部の端部に接続されるとともに、前記第１キャパシタ電極と同じ層に形成されている前記キャパシタ電極である第２キャパシタ電極（１８Ｂ）とを備え、前記結合容量電極の一部（１７ＡＢ１）は、前記第１遮蔽導体と前記第１キャパシタ電極との間に位置し、前記結合容量電極の他の一部（１７ＡＢ２）は、前記第１遮蔽導体と前記第２キャパシタ電極との間に位置する。これにより、良好なＱ値を得ることができる。
【0105】
（付記２）
付記１に記載のフィルタにおいて、複数の前記共振器のうちの第３共振器（１１Ｃ）は、複数の前記ビア電極部のうちの第３ビア電極部（２０Ｃ）と、前記第３ビア電極部の端部に接続された前記キャパシタ電極である第３キャパシタ電極（１８Ｃ）とを備え、複数の前記結合容量電極のうちの第１結合容量電極（１７）の一部は、前記第１遮蔽導体と前記第１キャパシタ電極との間に位置し、前記第１結合容量電極の他の一部は、前記第１遮蔽導体と前記第２キャパシタ電極との間に位置し、複数の前記結合容量電極のうちの第２結合容量電極（１７）の一部（１７ＢＣ１）は、前記第１遮蔽導体と前記第２キャパシタ電極との間に位置し、前記第２結合容量電極の他の一部（１７ＢＣ２）は、前記第１遮蔽導体と前記第３キャパシタ電極との間に位置してもよい。これにより、良好なＱ値を得ることができる。
付記１に記載のフィルタにおいて、複数の前記共振器のうちの第３共振器（１１Ｃ）は、複数の前記ビア電極部のうちの第３ビア電極部（２０Ｃ）と、前記第３ビア電極部の端部に接続された前記キャパシタ電極である第３キャパシタ電極（１８Ｃ）とを備え、複数の前記結合容量電極のうちの第１結合容量電極（１７）の一部は、前記第１遮蔽導体と前記第１キャパシタ電極との間に位置し、前記第１結合容量電極の他の一部は、前記第１遮蔽導体と前記第２キャパシタ電極との間に位置し、複数の前記結合容量電極のうちの第２結合容量電極（１７）の一部（１７ＢＣ１）は、前記第１遮蔽導体と前記第２キャパシタ電極との間に位置し、前記第２結合容量電極の他の一部（１７ＢＣ２）は、前記第１遮蔽導体と前記第３キャパシタ電極との間に位置してもよい。これにより、良好なＱ値を得ることができる。
【0106】
（付記３）
付記１に記載のフィルタは、前記第１ビア電極部に接続された第１結合容量パターン（７２Ａ）と、前記第２ビア電極部に接続されているとともに、前記第１結合容量パターンと同じ層に形成され、前記第１結合容量パターンと容量結合する第２結合容量パターン（７２Ｂ）と、をさらに備えてもよい。これにより、良好なＱ値を得ることができる。
付記１に記載のフィルタは、前記第１ビア電極部に接続された第１結合容量パターン（７２Ａ）と、前記第２ビア電極部に接続されているとともに、前記第１結合容量パターンと同じ層に形成され、前記第１結合容量パターンと容量結合する第２結合容量パターン（７２Ｂ）と、をさらに備えてもよい。これにより、良好なＱ値を得ることができる。
【0107】
（付記４）
付記３に記載のフィルタにおいて、前記第１結合容量パターンと前記第１キャパシタ電極との間の距離である第１距離（Ｄ１）は、前記第１遮蔽導体と前記第１キャパシタ電極との間の距離である第２距離（Ｄ２）の２倍以下でもよい。第１距離を短く設定することで、より良好なＱ値を得ることができる。結合容量電極は、第１距離を短く設定することを阻害しない。
付記３に記載のフィルタにおいて、前記第１結合容量パターンと前記第１キャパシタ電極との間の距離である第１距離（Ｄ１）は、前記第１遮蔽導体と前記第１キャパシタ電極との間の距離である第２距離（Ｄ２）の２倍以下でもよい。第１距離を短く設定することで、より良好なＱ値を得ることができる。結合容量電極は、第１距離を短く設定することを阻害しない。
【0108】
（付記５）
付記４に記載のフィルタにおいて、前記第１距離は、前記第２距離以下でもよい。これにより、良好なＱ値を得ることができる。
付記４に記載のフィルタにおいて、前記第１距離は、前記第２距離以下でもよい。これにより、良好なＱ値を得ることができる。
【0109】
（付記６）
付記１～５のいずれか１つに記載のフィルタにおいて、前記第１遮蔽導体と前記第２遮蔽導体との間に形成された第３遮蔽導体（１２Ｃ）をさらに備え、前記キャパシタ電極が形成されている層は、前記第３遮蔽導体が形成されている層と、前記結合容量電極が形成されている層との間に位置しており、前記キャパシタ電極の一部は、前記第３遮蔽導体の一部と対面してもよい。これにより、第３遮蔽導体とキャパシタ電極との重なり部の面積に応じた結合容量を得ることができる。
付記１～５のいずれか１つに記載のフィルタにおいて、前記第１遮蔽導体と前記第２遮蔽導体との間に形成された第３遮蔽導体（１２Ｃ）をさらに備え、前記キャパシタ電極が形成されている層は、前記第３遮蔽導体が形成されている層と、前記結合容量電極が形成されている層との間に位置しており、前記キャパシタ電極の一部は、前記第３遮蔽導体の一部と対面してもよい。これにより、第３遮蔽導体とキャパシタ電極との重なり部の面積に応じた結合容量を得ることができる。
【0110】
（付記７）
付記１に記載のフィルタにおいて、複数の前記共振器のうちの第３共振器（１１Ｃ）は、複数の前記ビア電極部のうちの第３ビア電極部（２０Ｃ２）と、前記第３ビア電極部に接続されるとともに、前記第２キャパシタ電極とは異なる層に形成されている前記キャパシタ電極である第３キャパシタ電極（１９Ｃ）とを備え、前記第３ビア電極部に接続されるとともに前記第２キャパシタ電極と容量結合する第３結合容量パターン（６０ＥＢ）をさらに備えてもよい。これにより、良好なＱ値を得ることができる。
付記１に記載のフィルタにおいて、複数の前記共振器のうちの第３共振器（１１Ｃ）は、複数の前記ビア電極部のうちの第３ビア電極部（２０Ｃ２）と、前記第３ビア電極部に接続されるとともに、前記第２キャパシタ電極とは異なる層に形成されている前記キャパシタ電極である第３キャパシタ電極（１９Ｃ）とを備え、前記第３ビア電極部に接続されるとともに前記第２キャパシタ電極と容量結合する第３結合容量パターン（６０ＥＢ）をさらに備えてもよい。これにより、良好なＱ値を得ることができる。
【0111】
（付記８）
付記７に記載のフィルタは、前記第２ビア電極部に接続されているとともに、前記第３キャパシタ電極と同じ層に形成され、前記第３キャパシタ電極と容量結合する第２結合容量パターン（７２Ｂ）と、前記第１ビア電極部に接続されているとともに、前記第２結合容量パターンと同じ層に形成され、前記第２結合容量パターンと容量結合する第１結合容量パターン（７２Ａ）とをさらに備えてもよい。これにより、良好なＱ値を得ることができる。
付記７に記載のフィルタは、前記第２ビア電極部に接続されているとともに、前記第３キャパシタ電極と同じ層に形成され、前記第３キャパシタ電極と容量結合する第２結合容量パターン（７２Ｂ）と、前記第１ビア電極部に接続されているとともに、前記第２結合容量パターンと同じ層に形成され、前記第２結合容量パターンと容量結合する第１結合容量パターン（７２Ａ）とをさらに備えてもよい。これにより、良好なＱ値を得ることができる。
【0112】
なお、本発明は、上述した開示に限らず、本開示の要旨を逸脱することなく、種々の構成を採り得る。
【符号の説明】
【0113】
１０…フィルタ
１１…共振器（第１共振器、第２共振器、第３共振器）
１４…誘電体基板
１７…結合容量電極（第１結合容量電極、第２結合容量電極）
１８…キャパシタ電極（第１キャパシタ電極、第２キャパシタ電極、第３キャパシタ電極）
１９Ｃ…第３キャパシタ電極
２０…ビア電極部（第１ビア電極部、第２ビア電極部、第３ビア電極部）
１２Ａ…第１遮蔽導体 １２Ｂ…第２遮蔽導体
１２Ｃ…第３遮蔽導体 １４ａ…第１主面
１４ｂ…第２主面
６０…第３結合容量パターン
７２…第１結合容量パターン、第２結合容量パターン
Ｄ１…第１距離 Ｄ２…第２距離
１１…共振器（第１共振器、第２共振器、第３共振器）
１４…誘電体基板
１７…結合容量電極（第１結合容量電極、第２結合容量電極）
１８…キャパシタ電極（第１キャパシタ電極、第２キャパシタ電極、第３キャパシタ電極）
１９Ｃ…第３キャパシタ電極
２０…ビア電極部（第１ビア電極部、第２ビア電極部、第３ビア電極部）
１２Ａ…第１遮蔽導体 １２Ｂ…第２遮蔽導体
１２Ｃ…第３遮蔽導体 １４ａ…第１主面
１４ｂ…第２主面
６０…第３結合容量パターン
７２…第１結合容量パターン、第２結合容量パターン
Ｄ１…第１距離 Ｄ２…第２距離
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】