(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024127644
(43)【公開日】2024-09-20
(54)【発明の名称】基板処理装置および基板処理方法
(51)【国際特許分類】
H01L 21/027 20060101AFI20240912BHJP
B05C 5/02 20060101ALI20240912BHJP
B05C 11/10 20060101ALI20240912BHJP
B05D 1/26 20060101ALI20240912BHJP
B05D 3/00 20060101ALI20240912BHJP
【ＦＩ】
H01L21/30 564Z
B05C5/02
B05C11/10
B05D1/26 Z
B05D3/00 D
B05D3/00 B
【審査請求】未請求
【請求項の数】11
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023036965
(22)【出願日】2023-03-09
(71)【出願人】
【識別番号】000207551
【氏名又は名称】株式会社ＳＣＲＥＥＮホールディングス
(74)【代理人】
【識別番号】100108523
【弁理士】
【氏名又は名称】中川 雅博
(74)【代理人】
【識別番号】100125704
【弁理士】
【氏名又は名称】坂根 剛
(74)【代理人】
【識別番号】100187931
【弁理士】
【氏名又は名称】澤村 英幸
(72)【発明者】
【氏名】鈴木 優史
(72)【発明者】
【氏名】後藤 茂宏
【テーマコード（参考）】
4D075
4F041
4F042
5F146
【Ｆターム（参考）】
4D075AC02
4D075AC84
4D075AC88
4D075AC91
4D075AC93
4D075AC94
4D075AC95
4D075AC96
4D075CA47
4D075CA48
4D075CB02
4D075DA06
4D075DA08
4D075DB14
4D075DC21
4D075DC22
4D075DC24
4D075EA45
4F041AA05
4F041AA06
4F041AB01
4F041BA05
4F041BA10
4F041BA21
4F041BA32
4F041BA38
4F041BA52
4F041CA03
4F041CA18
4F042AA06
4F042AA07
4F042AB00
4F042BA04
4F042BA07
4F042BA08
4F042BA11
4F042CA01
4F042CA09
4F042CB03
4F042CB10
4F042DF09
5F146JA02
5F146JA03
5F146JA27
(57)【要約】
【課題】処理液の無駄な消費を抑制しつつ基板上に形成される処理液の膜の厚さを均一化することが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、スリット状の吐出口１４が形成されたノズルブロック１５１および制御部１１０を備える。制御部１１０が、Ｘ方向駆動部１４１およびＺ方向駆動部１４２を制御することにより、ノズルブロック１５１と基板Ｗとの間の隙間に処理液が満たされた状態でノズルブロック１５１が基板Ｗ上を移動する。このとき、基板Ｗ上に処理液が塗布される。その後、ノズルブロック１５１が基板Ｗから離間することにより、ノズルブロック１５１と基板Ｗとをつなぐ液柱が形成される。液柱が吐出口の内部に存在する処理液に接する液接触状態から吐出口の内部に存在する処理液に接しない液非接触状態に移行するように、ノズルブロック１５１が移動する。
【選択図】図１
【解決手段】基板処理装置１は、スリット状の吐出口１４が形成されたノズルブロック１５１および制御部１１０を備える。制御部１１０が、Ｘ方向駆動部１４１およびＺ方向駆動部１４２を制御することにより、ノズルブロック１５１と基板Ｗとの間の隙間に処理液が満たされた状態でノズルブロック１５１が基板Ｗ上を移動する。このとき、基板Ｗ上に処理液が塗布される。その後、ノズルブロック１５１が基板Ｗから離間することにより、ノズルブロック１５１と基板Ｗとをつなぐ液柱が形成される。液柱が吐出口の内部に存在する処理液に接する液接触状態から吐出口の内部に存在する処理液に接しない液非接触状態に移行するように、ノズルブロック１５１が移動する。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
少なくとも一部が円形状の外周部を有する基板の上面に処理液の膜を形成する基板処理装置であって、
前記基板を保持する基板保持部と、
一方向に延びるスリット状の吐出口が形成されたノズル先端部を有するノズルと、
前記基板および前記ノズルのうち少なくとも一方を他方に対して前記吐出口の長手方向に交差する短手方向に相対的に移動させる移動部と、
前記移動部を制御する制御部とを備え、
前記制御部は、
前記ノズル先端部と前記基板との間に所定間隔以下の隙間が形成されかつ前記隙間に処理液が満たされる状態で、前記吐出口から前記基板の前記上面上に処理液を供給させつつ、前記基板および前記ノズルが前記短手方向に相対的に移動する第１の移動動作と、
前記第１の移動動作の後、前記基板の前記上面上に存在する処理液と前記ノズル先端部の外表面に付着する処理液とをつなぐ液柱が、前記吐出口の内部に存在する処理液に接する液接触状態から前記吐出口の内部に存在する処理液に接しない液非接触状態に移行するように、前記基板および前記ノズルがさらに前記短手方向に相対的に移動する第２の移動動作とを、前記移動部に行わせる、基板処理装置。
前記基板を保持する基板保持部と、
一方向に延びるスリット状の吐出口が形成されたノズル先端部を有するノズルと、
前記基板および前記ノズルのうち少なくとも一方を他方に対して前記吐出口の長手方向に交差する短手方向に相対的に移動させる移動部と、
前記移動部を制御する制御部とを備え、
前記制御部は、
前記ノズル先端部と前記基板との間に所定間隔以下の隙間が形成されかつ前記隙間に処理液が満たされる状態で、前記吐出口から前記基板の前記上面上に処理液を供給させつつ、前記基板および前記ノズルが前記短手方向に相対的に移動する第１の移動動作と、
前記第１の移動動作の後、前記基板の前記上面上に存在する処理液と前記ノズル先端部の外表面に付着する処理液とをつなぐ液柱が、前記吐出口の内部に存在する処理液に接する液接触状態から前記吐出口の内部に存在する処理液に接しない液非接触状態に移行するように、前記基板および前記ノズルがさらに前記短手方向に相対的に移動する第２の移動動作とを、前記移動部に行わせる、基板処理装置。
【請求項2】
前記第１の移動動作において前記基板の前記上面上に処理液が供給されることは、前記隙間で毛細管現象を発生させることにより前記ノズル内の処理液を前記吐出口から前記基板の前記上面上に引き出させることを含む、請求項１記載の基板処理装置。
【請求項3】
前記ノズルの前記吐出口は、
前記第１の移動動作により、平面視で前記基板の少なくとも一部の領域を通過して、前記基板の周縁部の予め定められた部分に重なる第１の位置に移動し、
前記第２の移動動作により、平面視で前記第１の位置から前記基板に重ならない第２の位置に移動する、請求項１または２記載の基板処理装置。
前記第１の移動動作により、平面視で前記基板の少なくとも一部の領域を通過して、前記基板の周縁部の予め定められた部分に重なる第１の位置に移動し、
前記第２の移動動作により、平面視で前記第１の位置から前記基板に重ならない第２の位置に移動する、請求項１または２記載の基板処理装置。
【請求項4】
前記基板保持部に保持された前記基板および前記ノズルのうち少なくとも一方を他方に対して上下方向に移動させることにより上下方向における前記ノズル先端部と前記基板との間の間隔を変更する昇降部をさらに備え、
前記制御部は、
前記昇降部を制御することにより、前記第１の移動動作中前記ノズル先端部と前記基板との間の間隔を、前記所定間隔以下の間隔に維持し、前記第１の移動動作終了後前記第２の移動動作開始前に、前記ノズル先端部と前記基板との間の間隔を前記所定間隔よりも大きい間隔に変更し、前記第２の移動動作中前記ノズル先端部と前記基板との間の間隔を、前記所定間隔よりも大きく維持する、請求項１または２記載の基板処理装置。
前記制御部は、
前記昇降部を制御することにより、前記第１の移動動作中前記ノズル先端部と前記基板との間の間隔を、前記所定間隔以下の間隔に維持し、前記第１の移動動作終了後前記第２の移動動作開始前に、前記ノズル先端部と前記基板との間の間隔を前記所定間隔よりも大きい間隔に変更し、前記第２の移動動作中前記ノズル先端部と前記基板との間の間隔を、前記所定間隔よりも大きく維持する、請求項１または２記載の基板処理装置。
【請求項5】
前記ノズル内の処理液の圧力を調整する圧力調整部をさらに備え、
前記制御部は、
前記圧力調整部を制御することにより、前記第１の移動動作中前記ノズル内の処理液の圧力を予め定められた第１の負の圧力に調整し、前記第１の移動動作終了後前記第２の移動動作開始前に、前記ノズル内の処理液の圧力を前記第１の負の圧力よりも高い第２の負の圧力に調整する、請求項４記載の基板処理装置。
前記制御部は、
前記圧力調整部を制御することにより、前記第１の移動動作中前記ノズル内の処理液の圧力を予め定められた第１の負の圧力に調整し、前記第１の移動動作終了後前記第２の移動動作開始前に、前記ノズル内の処理液の圧力を前記第１の負の圧力よりも高い第２の負の圧力に調整する、請求項４記載の基板処理装置。
【請求項6】
前記制御部は、前記移動部および前記昇降部を制御することにより、前記第２の移動動作後、前記吐出口の長手方向に沿って見た側面視で前記ノズル先端部を前記基板の外方に向かって斜め下方に相対的に移動させる、請求項４記載の基板処理装置。
【請求項7】
前記第１の移動動作時の前記ノズル先端部と前記基板との間の相対的な移動速度を第１の速度とし、前記第２の移動動作時の前記ノズル先端部と前記基板との間の相対的な移動速度を第２の速度とし、前記第２の移動動作後、前記ノズル先端部が前記基板の外方に向かって斜め下方に相対的に移動する際の前記ノズル先端部と前記基板との間の前記短手方向における相対的な移動速度を第３の速度とした場合に、前記第３の速度は、前記第１の速度および前記第２の速度よりも高い、請求項６記載の基板処理装置。
【請求項8】
少なくとも一部が円形状の外周部を有する基板の上面に処理液の膜を形成する基板処理装置であって、
前記基板を保持する基板保持部と、
一方向に延びるスリット状の吐出口が形成されたノズル先端部を有するノズルと、
前記基板および前記ノズルのうち少なくとも一方を他方に対して前記吐出口の長手方向に交差する短手方向に相対的に移動させる移動部と、
前記基板保持部に保持された前記基板および前記ノズルのうち少なくとも一方を他方に対して上下方向に移動させることにより上下方向における前記ノズル先端部と前記基板との間の間隔を変更する昇降部と、
前記ノズル内の処理液の圧力を調整する圧力調整部と、
前記移動部、前記昇降部および前記圧力調整部を制御する制御部とを備え、
前記制御部は、
前記移動部、前記昇降部および前記圧力調整部を制御することにより、前記ノズル内の処理液の圧力が予め定められた第１の負の圧力で維持されかつ前記ノズル先端部と前記基板との間に所定間隔以下の隙間が形成されかつ前記隙間に処理液が満たされる状態で、前記ノズル内の処理液が前記隙間に発生する毛細管現象により前記吐出口から前記基板の前記上面上に引き出されるように、前記基板および前記ノズルを前記短手方向に相対的に移動させ、
その後、前記昇降部および前記圧力調整部を制御することにより、平面視で前記吐出口が前記基板の一部に重なる状態で、前記ノズル内の処理液の圧力を前記第１の負の圧力よりも低い第２の負の圧力に調整しつつ前記ノズル先端部と前記基板との間の間隔を前記所定間隔よりも大きい間隔に変更させる、基板処理装置。
前記基板を保持する基板保持部と、
一方向に延びるスリット状の吐出口が形成されたノズル先端部を有するノズルと、
前記基板および前記ノズルのうち少なくとも一方を他方に対して前記吐出口の長手方向に交差する短手方向に相対的に移動させる移動部と、
前記基板保持部に保持された前記基板および前記ノズルのうち少なくとも一方を他方に対して上下方向に移動させることにより上下方向における前記ノズル先端部と前記基板との間の間隔を変更する昇降部と、
前記ノズル内の処理液の圧力を調整する圧力調整部と、
前記移動部、前記昇降部および前記圧力調整部を制御する制御部とを備え、
前記制御部は、
前記移動部、前記昇降部および前記圧力調整部を制御することにより、前記ノズル内の処理液の圧力が予め定められた第１の負の圧力で維持されかつ前記ノズル先端部と前記基板との間に所定間隔以下の隙間が形成されかつ前記隙間に処理液が満たされる状態で、前記ノズル内の処理液が前記隙間に発生する毛細管現象により前記吐出口から前記基板の前記上面上に引き出されるように、前記基板および前記ノズルを前記短手方向に相対的に移動させ、
その後、前記昇降部および前記圧力調整部を制御することにより、平面視で前記吐出口が前記基板の一部に重なる状態で、前記ノズル内の処理液の圧力を前記第１の負の圧力よりも低い第２の負の圧力に調整しつつ前記ノズル先端部と前記基板との間の間隔を前記所定間隔よりも大きい間隔に変更させる、基板処理装置。
【請求項9】
少なくとも一部が円形状の外周部を有する基板の上面に処理液の膜を形成する基板処理方法であって、
基板保持部により前記基板を保持するステップと、
一方向に延びるスリット状の吐出口が形成されたノズル先端部を有するノズルを用意するステップと、
前記ノズル先端部と前記基板との間に所定間隔以下の隙間が形成されかつ前記隙間に処理液が満たされる状態で、前記吐出口から前記基板の前記上面上に処理液を供給させつつ、前記基板および前記ノズルを前記短手方向に相対的に移動させる第１の移動ステップと、
前記第１の移動ステップが行われた後、前記基板の前記上面上に存在する処理液と前記ノズル先端部の外表面に付着する処理液とをつなぐ液柱が、前記吐出口の内部に存在する処理液に接する液接触状態から前記吐出口の内部に存在する処理液に接しない液非接触状態に移行するように、前記基板および前記ノズルをさらに前記短手方向に相対的に移動させる第２の移動ステップとを含む、基板処理方法。
基板保持部により前記基板を保持するステップと、
一方向に延びるスリット状の吐出口が形成されたノズル先端部を有するノズルを用意するステップと、
前記ノズル先端部と前記基板との間に所定間隔以下の隙間が形成されかつ前記隙間に処理液が満たされる状態で、前記吐出口から前記基板の前記上面上に処理液を供給させつつ、前記基板および前記ノズルを前記短手方向に相対的に移動させる第１の移動ステップと、
前記第１の移動ステップが行われた後、前記基板の前記上面上に存在する処理液と前記ノズル先端部の外表面に付着する処理液とをつなぐ液柱が、前記吐出口の内部に存在する処理液に接する液接触状態から前記吐出口の内部に存在する処理液に接しない液非接触状態に移行するように、前記基板および前記ノズルをさらに前記短手方向に相対的に移動させる第２の移動ステップとを含む、基板処理方法。
【請求項10】
前記第１の動作ステップにおいて前記基板の前記上面上に処理液が供給されることは、前記隙間で毛細管現象を発生させることにより前記ノズル内の処理液を前記吐出口から前記基板の前記上面上に引き出させることを含む、請求項９記載の基板処理方法。
【請求項11】
少なくとも一部が円形状の外周部を有する基板の上面に処理液の膜を形成する基板処理方法であって、
基板保持部により前記基板を保持するステップと、
一方向に延びるスリット状の吐出口が形成されたノズル先端部を有するノズルを用意するステップと、
前記ノズル内の処理液の圧力を予め定められた第１の負の圧力に調整する第１の圧力調整ステップと、
第１の圧力調整ステップが行われている間、前記基板保持部に保持された前記基板および前記ノズルのうち少なくとも一方を他方に対して上下方向に移動させることにより前記ノズル先端部と前記基板との間に所定間隔以下の隙間を形成する第１の隙間形成ステップと、
前記第１の圧力調整ステップおよび前記第１の隙間形成ステップが行われている間に、前記ノズル先端部と前記基板との間に形成された前記隙間に処理液が満たされる状態で、前記ノズル内の処理液が前記隙間に発生する毛細管現象により前記吐出口から前記基板の前記上面上に引き出されるように、前記基板および前記ノズルのうち少なくとも一方を他方に対して前記吐出口の長手方向に交差する短手方向に相対的に移動させる移動ステップと、
前記移動ステップの後、平面視で前記吐出口が前記基板の一部に重なる状態で、前記ノズル内の処理液の圧力を前記第１の負の圧力よりも低い第２の負の圧力に調整する第２の圧力調整ステップと、
第２の圧力調整ステップが行われている間、前記ノズル先端部と前記基板との間の間隔を前記所定間隔よりも大きい間隔に変更させる第２の隙間形成ステップとを含む、基板処理方法。
基板保持部により前記基板を保持するステップと、
一方向に延びるスリット状の吐出口が形成されたノズル先端部を有するノズルを用意するステップと、
前記ノズル内の処理液の圧力を予め定められた第１の負の圧力に調整する第１の圧力調整ステップと、
第１の圧力調整ステップが行われている間、前記基板保持部に保持された前記基板および前記ノズルのうち少なくとも一方を他方に対して上下方向に移動させることにより前記ノズル先端部と前記基板との間に所定間隔以下の隙間を形成する第１の隙間形成ステップと、
前記第１の圧力調整ステップおよび前記第１の隙間形成ステップが行われている間に、前記ノズル先端部と前記基板との間に形成された前記隙間に処理液が満たされる状態で、前記ノズル内の処理液が前記隙間に発生する毛細管現象により前記吐出口から前記基板の前記上面上に引き出されるように、前記基板および前記ノズルのうち少なくとも一方を他方に対して前記吐出口の長手方向に交差する短手方向に相対的に移動させる移動ステップと、
前記移動ステップの後、平面視で前記吐出口が前記基板の一部に重なる状態で、前記ノズル内の処理液の圧力を前記第１の負の圧力よりも低い第２の負の圧力に調整する第２の圧力調整ステップと、
第２の圧力調整ステップが行われている間、前記ノズル先端部と前記基板との間の間隔を前記所定間隔よりも大きい間隔に変更させる第２の隙間形成ステップとを含む、基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、基板の上面に処理液の膜を形成する基板処理装置および基板処理方法に関する。
【背景技術】
【0002】
半導体基板、液晶表示装置もしくは有機ＥＬ（Electro Luminescence）表示装置等のＦＰＤ（Flat Panel Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板または太陽電池用基板等の基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられる。
【0003】
基板処理装置の一例として、特許文献１には、基板にレジスト膜を形成する回転式基板処理装置が記載されている。その基板処理装置においては、水平姿勢で保持されて回転する基板の中心部にレジスト液が供給される。供給されたレジスト液が基板の周縁部に向かって広がることにより、基板の上面全体にレジスト液の膜が形成される。レジスト液の膜が形成された基板に、乾燥処理等の所定の処理が施される。それにより、基板の上面にレジスト膜が形成される。
【0004】
上記のように、回転する基板の上面に処理液（レジスト液）を供給することにより基板の上面に処理液の膜を形成する方法は、スピン塗布法と呼ばれる。スピン塗布法では、回転する基板の上面全体に遠心力を用いて処理液を塗り広げるため、基板上に供給される処理液の一部が基板の外方に飛散する。したがって、スピン塗布法では、処理液の利用効率に限界がある。
【0005】
基板上への処理液の膜の形成方法としては、上記のスピン塗布法の他、スリット状の吐出口を有するノズル（処理液供給部）を用いたキャピラリ塗布法と呼ばれる方法がある。キャピラリ塗布法は、ノズルと基板との間に隙間を形成し、その隙間に処理液が満たされることで発生する毛細管現象を利用してスリット状の吐出口から基板上に処理液を引き出す方法である（例えば、特許文献２参照）。
【0006】
キャピラリ塗布法によれば、毛細管現象が発生する状態で吐出口から基板上に処理液が引き出される。そのため、キャピラリ塗布法は、スピン塗布法に比べて処理液の利用効率が高い。
【0007】
また、上記の例の他、基板上にのみ処理液を塗布する方法として、例えばスリット状の吐出口を基板の幅に合わせて調整する方法がある（例えば、特許文献３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0008】
【特許文献1】特開２０１９－０４６８５０号公報
【特許文献2】特開２０１７－１４８７６９号公報
【特許文献3】特開２０１７－１６４７００号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0009】
しかしながら、特許文献１および特許文献２に記載されているキャピラリ塗布法等は、基板の各部に対してノズルから引き出される処理液が直接塗布されるので、ノズルと基板との位置関係が大きく変化する場合に膜の厚さを制御することが難しい。例えば、基板への処理液の塗布が終了して基板からノズルを引き離す際に、基板上に形成された処理液の膜のうちノズルが引き離される部分の厚さは他の部分の厚さに比べて大きくなる傾向がある。
【0010】
そのため、キャピラリ塗布法等によって基板上に形成される塗布膜の厚さのばらつきは、スピン塗布法によって基板上に形成される塗布膜の厚さのばらつきに比べて大きい。
【0011】
本発明の目的は、処理液の無駄な消費を抑制しつつ基板上に形成される処理液の膜の厚さを均一化することが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0012】
本発明の一局面に従う基板処理装置は、少なくとも一部が円形状の外周部を有する基板の上面に処理液の膜を形成する基板処理装置であって、前記基板を保持する基板保持部と、一方向に延びるスリット状の吐出口が形成されたノズル先端部を有するノズルと、前記基板および前記ノズルのうち少なくとも一方を他方に対して前記吐出口の長手方向に交差する短手方向に相対的に移動させる移動部と、前記移動部を制御する制御部とを備え、前記制御部は、前記ノズル先端部と前記基板との間に所定間隔以下の隙間が形成されかつ前記隙間に処理液が満たされる状態で、前記吐出口から前記基板の前記上面上に処理液を供給させつつ、前記基板および前記ノズルが前記短手方向に相対的に移動する第１の移動動作と、前記第１の移動動作の後、前記基板の前記上面上に存在する処理液と前記ノズル先端部の外表面に付着する処理液とをつなぐ液柱が、前記吐出口の内部に存在する処理液に接する液接触状態から前記吐出口の内部に存在する処理液に接しない液非接触状態に移行するように、前記基板および前記ノズルがさらに前記短手方向に相対的に移動する第２の移動動作とを、前記移動部に行わせる。
【0013】
本発明の他の局面に従う基板処理装置は、少なくとも一部が円形状の外周部を有する基板の上面に処理液の膜を形成する基板処理装置であって、前記基板を保持する基板保持部と、一方向に延びるスリット状の吐出口が形成されたノズル先端部を有するノズルと、前記基板および前記ノズルのうち少なくとも一方を他方に対して前記吐出口の長手方向に交差する短手方向に相対的に移動させる移動部と、前記基板保持部に保持された前記基板および前記ノズルのうち少なくとも一方を他方に対して上下方向に移動させることにより上下方向における前記ノズル先端部と前記基板との間の間隔を変更する昇降部と、前記ノズル内の処理液の圧力を調整する圧力調整部と、前記移動部、前記昇降部および前記圧力調整部を制御する制御部とを備え、前記制御部は、前記移動部、前記昇降部および前記圧力調整部を制御することにより、前記ノズル内の処理液の圧力が予め定められた第１の負の圧力で維持されかつ前記ノズル先端部と前記基板との間に所定間隔以下の隙間が形成されかつ前記隙間に処理液が満たされる状態で、前記ノズル内の処理液が前記隙間に発生する毛細管現象により前記吐出口から前記基板の前記上面上に引き出されるように、前記基板および前記ノズルを前記短手方向に相対的に移動させ、その後、前記昇降部および前記圧力調整部を制御することにより、平面視で前記吐出口が前記基板の一部に重なる状態で、前記ノズル内の処理液の圧力を前記第１の負の圧力よりも低い第２の負の圧力に調整しつつ前記ノズル先端部と前記基板との間の間隔を前記所定間隔よりも大きい間隔に変更させる。
【0014】
本発明のさらに他の局面に従う基板処理方法は、少なくとも一部が円形状の外周部を有する基板の上面に処理液の膜を形成する基板処理方法であって、基板保持部により前記基板を保持するステップと、一方向に延びるスリット状の吐出口が形成されたノズル先端部を有するノズルを用意するステップと、前記ノズル先端部と前記基板との間に所定間隔以下の隙間が形成されかつ前記隙間に処理液が満たされる状態で、前記吐出口から前記基板の前記上面上に処理液を供給させつつ、前記基板および前記ノズルを前記短手方向に相対的に移動させる第１の移動ステップと、前記第１の移動ステップが行われた後、前記基板の前記上面上に存在する処理液と前記ノズル先端部の外表面に付着する処理液とをつなぐ液柱が、前記吐出口の内部に存在する処理液に接する液接触状態から前記吐出口の内部に存在する処理液に接しない液非接触状態に移行するように、前記基板および前記ノズルをさらに前記短手方向に相対的に移動させる第２の移動ステップとを含む。
【0015】
本発明のさらに他の局面に従う基板処理方法は、少なくとも一部が円形状の外周部を有する基板の上面に処理液の膜を形成する基板処理方法であって、基板保持部により前記基板を保持するステップと、一方向に延びるスリット状の吐出口が形成されたノズル先端部を有するノズルを用意するステップと、前記ノズル内の処理液の圧力を予め定められた第１の負の圧力に調整する第１の圧力調整ステップと、第１の圧力調整ステップが行われている間、前記基板保持部に保持された前記基板および前記ノズルのうち少なくとも一方を他方に対して上下方向に移動させることにより前記ノズル先端部と前記基板との間に所定間隔以下の隙間を形成する第１の隙間形成ステップと、前記第１の圧力調整ステップおよび前記第１の隙間形成ステップが行われている間に、前記ノズル先端部と前記基板との間に形成された前記隙間に処理液が満たされる状態で、前記ノズル内の処理液が前記隙間に発生する毛細管現象により前記吐出口から前記基板の前記上面上に引き出されるように、前記基板および前記ノズルのうち少なくとも一方を他方に対して前記吐出口の長手方向に交差する短手方向に相対的に移動させる移動ステップと、前記移動ステップの後、平面視で前記吐出口が前記基板の一部に重なる状態で、前記ノズル内の処理液の圧力を前記第１の負の圧力よりも低い第２の負の圧力に調整する第２の圧力調整ステップと、第２の圧力調整ステップが行われている間、前記ノズル先端部と前記基板との間の間隔を前記所定間隔よりも大きい間隔に変更させる第２の隙間形成ステップとを含む。
【発明の効果】
【0016】
本発明によれば、処理液の無駄な消費を抑制しつつ基板上に形成される処理液の膜の厚さを均一化することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【0017】
【発明を実施するための形態】
【0018】
以下、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置および基板処理方法について図面を参照しつつ説明する。以下の説明において、基板とは、液晶表示装置または有機ＥＬ（Electro Luminescence）表示装置等に用いられるＦＰＤ（Flat Panel Display）用基板、半導体基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板または太陽電池用基板等をいう。また、以下に説明する基板は、平面視でノッチの形成部分を除いて円形状を有する。
【0019】
１．基板処理装置の構成
＜１＞概要
図１は、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の模式的な外観斜視図である。図１に示すように、基板処理装置１は、塗布装置１００、制御部１１０および処理液供給系１６０を含み、図示しない筐体内に収容されている。図１には、位置関係を明確にするために互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を示す矢印を付している。Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は上下方向（鉛直方向）に相当する。
＜１＞概要
図１は、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の模式的な外観斜視図である。図１に示すように、基板処理装置１は、塗布装置１００、制御部１１０および処理液供給系１６０を含み、図示しない筐体内に収容されている。図１には、位置関係を明確にするために互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を示す矢印を付している。Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は上下方向（鉛直方向）に相当する。
【0020】
塗布装置１００は、基板Ｗ上に処理液の膜を形成する塗布処理が可能に構成され、２つのステージ支持体１２０、ステージ装置１３０、２つのノズル支持体１４０およびノズル装置１５０を含む。本実施の形態において、塗布装置１００で用いられる処理液はレジスト膜用の塗布液（レジスト液）または反射防止膜用の塗布液（反射防止液）である。なお、本例の塗布装置１００において塗布処理の対象となる基板Ｗは、概ね３００ｍｍの直径を有する。
【0021】
制御部１１０は、塗布装置１００の各部の動作を制御する。処理液供給系１６０は、塗布装置１００に処理液を供給する。制御部１１０および処理液供給系１６０の詳細は後述する。
【0022】
＜２＞塗布装置１００
塗布装置１００の２つのステージ支持体１２０の各々は、一方向に延びる略直方体形状を有し、Ｘ方向に沿って延びるように、図示しない筐体の底面上に設けられている。２つのステージ支持体１２０は、Ｙ方向に並ぶように配置されている。各ステージ支持体１２０の上面には、当該ステージ支持体１２０の長手方向に沿って延びるガイドレール１２１が設けられている。以下の説明では、ステージ支持体１２０の一端部ｔａから他端部ｔｂに向く方向を塗布装置１００の前方と呼び、ステージ支持体１２０の他端部ｔｂから一端部ｔａに向く方向を塗布装置１００の後方と呼ぶ。
塗布装置１００の２つのステージ支持体１２０の各々は、一方向に延びる略直方体形状を有し、Ｘ方向に沿って延びるように、図示しない筐体の底面上に設けられている。２つのステージ支持体１２０は、Ｙ方向に並ぶように配置されている。各ステージ支持体１２０の上面には、当該ステージ支持体１２０の長手方向に沿って延びるガイドレール１２１が設けられている。以下の説明では、ステージ支持体１２０の一端部ｔａから他端部ｔｂに向く方向を塗布装置１００の前方と呼び、ステージ支持体１２０の他端部ｔｂから一端部ｔａに向く方向を塗布装置１００の後方と呼ぶ。
【0023】
ステージ装置１３０は、Ｙ方向において２つのステージ支持体１２０の間に位置し、２つのステージ支持体１２０により支持されている。ステージ装置１３０は、プレート部材１３１、プレート調整部１３２、複数（本例では、３本）の支持ピン１３３、ピン昇降駆動部１３４および吸引駆動部１３５を含む。
【0024】
プレート部材１３１は、例えば矩形の平板形状を有する石材により形成され、ステージ装置１３０の上面部分を構成する。プレート部材１３１の一部には、処理対象となる基板Ｗが載置される。基板Ｗが載置されるプレート部材１３１の部分（以下、基板載置部分と呼ぶ。）には、当該プレート部材１３１をＺ方向に貫通するように、図示しない複数の吸気孔および複数のピン挿入孔が形成されている。
【0025】
プレート調整部１３２、複数の支持ピン１３３、ピン昇降駆動部１３４および吸引駆動部１３５は、プレート部材１３１の下方に設けられている。プレート調整部１３２は、ヒータ等を含み、プレート部材１３１の基板載置部分の温度を調整する。
【0026】
複数の支持ピン１３３は、Ｚ方向に延びるようにかつ平面視で基板載置部分の複数のピン挿入孔にそれぞれ重なるようにピン昇降駆動部１３４により支持されている。ピン昇降駆動部１３４は、制御部１１０の制御に基づいて、複数の支持ピン１３３をＺ方向に移動させる。それにより、複数の支持ピン１３３の上端部は、複数のピン挿入孔を通してプレート部材１３１よりも上方のピン上昇位置と、プレート部材１３１よりも下方のピン下降位置との間を移動する。
【0027】
基板Ｗの搬入時には、複数の支持ピン１３３の上端部がピン上昇位置にある状態で、図示しない搬送装置により保持された未処理の基板Ｗが複数の支持ピン１３３上に渡される。また、基板Ｗの搬出時には、複数の支持ピン１３３の上端部がピン上昇位置にある状態で、複数の支持ピン１３３上に支持された処理済の基板Ｗが図示しない搬送装置により受け取られる。さらに、塗布装置１００における基板Ｗの塗布処理時には、複数の支持ピン１３３の上端部がピン下降位置にある状態で、プレート部材１３１の基板載置部分に載置された基板Ｗに処理液が供給される。
【0028】
プレート部材１３１に形成された複数の吸気孔は、吸引駆動部１３５および図示しない吸気系を通して工場の排気設備等に接続されている。吸引駆動部１３５は、制御部１１０の制御に基づいて、複数の吸気孔と吸気系との間に形成される吸気経路を連通状態と遮断状態との間で切り替える。このような構成により、プレート部材１３１の基板載置部分に基板Ｗが載置された状態で、吸引駆動部１３５は、吸気経路を連通状態とすることにより当該基板Ｗを基板載置部分に吸着保持させることができる。また、基板載置部分に基板Ｗが吸着保持された状態で、吸引駆動部１３５は、吸気経路を遮断状態とすることにより当該基板Ｗをプレート部材１３１から解放させることができる。
【0029】
２つのステージ支持体１２０の上面には、２つのノズル支持体１４０がそれぞれ設けられている。２つのノズル支持体１４０は、Ｙ方向に並ぶように配置されている。２つのノズル支持体１４０の各々は、当該ノズル支持体１４０が設けられたステージ支持体１２０のガイドレール１２１に沿ってＸ方向（塗布装置１００の前後方向）に移動可能となっている。
【0030】
ノズル装置１５０は、Ｙ方向において２つのノズル支持体１４０の間に位置し、２つのノズル支持体１４０により支持されている。２つノズル支持体１４０のうち少なくとも一方には、Ｘ方向駆動部１４１およびＺ方向駆動部１４２が内蔵されている。
【0031】
ノズル装置１５０は、ノズルブロック１５１を含む。ノズルブロック１５１は、一方向に延びる略直方体形状を有する。ノズルブロック１５１の両端部は、２つのノズル支持体１４０にそれぞれ支持されている。図１では、吹き出し内に、ノズルブロック１５１の下半部の縦断面図（ノズルブロック１５１の下半部をＹ方向に直交する鉛直面で切断した断面図）が示される。その縦断面図に示されるように、ノズルブロック１５１は、塗布装置１００の前方を向く前面１１および塗布装置１００の後方を向く後面１２を有する。
【0032】
また、ノズルブロック１５１は、基板対向面１３ａ、前傾斜面１３ｂおよび後傾斜面１３ｃを有する。前傾斜面１３ｂは、ノズルブロック１５１をＹ方向に見た側面視で、前面１１の下端部から後方かつ下方に向かって延びる。一方、後傾斜面１３ｃは、ノズルブロック１５１をＹ方向に見た側面視で、後面１２の下端部から前方かつ下方に向かって延びる。基板対向面１３ａは、水平面に対して平行となるように、前傾斜面１３ｂの下端部と後傾斜面１３ｃの下端部とをつないでいる。基板対向面１３ａには、スリット状の吐出口１４が形成されている。吐出口１４はＹ方向に延びている。
【0033】
ノズルブロック１５１の内部には、液流路１５および貯留部１６が形成されている。貯留部１６は、一定量の処理液を貯留可能に形成されている。貯留部１６から吐出口１４にかけて液流路１５が形成されている。それにより、貯留部１６の内部空間は、液流路１５および吐出口１４を通してノズルブロック１５１の下方の空間（ノズルブロック１５１の外部空間）に連通する。ノズルブロック１５１には、処理液供給系１６０の一部を構成する配管ＰＩが接続されている。処理液供給系１６０の配管ＰＩからノズルブロック１５１の貯留部１６内に、処理液が供給される。
【0034】
Ｘ方向駆動部１４１は、例えばモータ等のアクチュエータを含み、制御部１１０の制御に基づいて、ノズル支持体１４０をステージ支持体１２０のガイドレール１２１上でＸ方向に移動させる。Ｚ方向駆動部１４２は、例えばモータ等のアクチュエータを含み、制御部１１０の制御に基づいて、ノズル支持体１４０によって支持されるノズル装置１５０をＺ方向に移動させる。
【0035】
基板Ｗの塗布処理時には、プレート部材１３１上に基板Ｗが吸着保持された状態で、ノズルブロック１５１が基板Ｗの上面に近づけられ、ノズル装置１５０が基板Ｗの上方の空間をＸ方向に移動する。このとき、ノズル装置１５０のＺ方向の位置（高さ位置）は、毛細管現象により、ノズルブロック１５１内の処理液が吐出口１４からノズルブロック１５１と基板Ｗとの間の隙間に引き出される（吐出される）ように調整される。このように、ノズルの吐出口から毛細管現象を利用して基板Ｗ上に塗布液を供給する方法は、キャピラリ塗布法と呼ばれる。
【0036】
＜３＞処理液供給系１６０
処理液供給系１６０の詳細を説明する。図２は、処理液供給系１６０の基本構成を説明するための図である。図２では、処理液供給系１６０の基本構成とともに、図１のノズルブロック１５１およびプレート部材１３１が模式的に示される。
処理液供給系１６０の詳細を説明する。図２は、処理液供給系１６０の基本構成を説明するための図である。図２では、処理液供給系１６０の基本構成とともに、図１のノズルブロック１５１およびプレート部材１３１が模式的に示される。
【0037】
図２に示すように、処理液供給系１６０は、バルブ１６１、処理液タンク１６２、圧力調整部１６３および配管ＰＩを含む。処理液タンク１６２には、基板Ｗの塗布処理に用いられる処理液が貯留される。配管ＰＩは、処理液タンク１６２の底部とノズル装置１５０とを接続する。バルブ１６１は、配管ＰＩに設けられている。バルブ１６１が開かれることにより、処理液タンク１６２の内部空間と図１のノズルブロック１５１の貯留部１６の内部空間とが連通する。それにより、処理液供給系１６０からノズル装置１５０への処理液の供給が可能になる。バルブ１６１が閉じられることにより、配管ＰＩにおける処理液の流通経路が遮断され、処理液供給系１６０からノズル装置１５０への処理液の供給が不可能になる。
【0038】
圧力調整部１６３は、例えば電空レギュレータであり、処理液タンク１６２内の圧力を変化させる。なお、圧力調整部１６３は、処理液タンク１６２の内部空間の圧力を調整することができるのであれば、電空レギュレータに代えて各種ポンプまたはアスピレータ等の他の圧力調整手段で構成されてもよい。
【0039】
キャピラリ塗布法による基板Ｗの塗布処理時には、上記のように、ノズル装置１５０のノズルブロック１５１がプレート部材１３１に載置された基板Ｗに近づけられる。また、バルブ１６１が開かれ、ノズルブロック１５１と基板Ｗとの間の隙間に処理液が満たされる。それにより、ノズルブロック１５１と基板Ｗとの間の隙間で毛細管現象が発生し、図２に白抜きの矢印で示すように、ノズルブロック１５１内の処理液に、当該処理液を吐出口１４から基板Ｗの上面上に引き出す力が作用する。
【0040】
一方、ノズルブロック１５１内部に存在する処理液には、処理液タンク１６２に貯留される処理液の液面の高さ位置ｈ０１と吐出口１４の高さ位置ｈ０２との関係に応じた力が発生する。例えば、処理液の液面の高さ位置ｈ０１が吐出口１４の高さ位置ｈ０２よりも低いと、ノズルブロック１５１内の処理液に、液流路１５から貯留部１６に流入しようとする力が発生する。一方、処理液の液面の高さ位置ｈ０１が吐出口１４の高さ位置ｈ０２よりも高いと、ノズルブロック１５１内の処理液に、当該処理液を吐出口１４からノズルブロック１５１の外部に流出しようとする力が発生する。上記の流入しようとする力および流出しようとする力は、２つの高さ位置ｈ０１，ｈ０２の差分が大きいほど大きくなる。したがって、高さ位置ｈ０１，ｈ０２の差分が０である場合、ノズルブロック１５１内部に存在する処理液には、２つの高さ位置ｈ０１，ｈ０２の関係に応じた力は発生しない。この場合、ノズルブロック１５１内部の処理液には、ノズルブロック１５１と基板Ｗとの間の隙間に発生する毛細管現象に起因する力のみが作用する。
【0041】
ここで、毛細管現象に起因する力を除いてノズルブロック１５１内の処理液に発生する力は、すなわちノズルブロック１５１内に存在する処理液の圧力（ノズルブロック１５１の内部圧力）に起因する力である。
【0042】
そこで、キャピラリ塗布法による基板Ｗの塗布処理時には、上記の毛細管現象に起因して処理液に作用する力と、ノズルブロック１５１の内部圧力とのバランスが適宜調整される。処理液供給系１６０の圧力調整部１６３は、ノズルブロック１５１の内部圧力を調整するために動作する。圧力調整部１６３が処理液タンク１６２内の圧力を変化させることにより、ノズルブロック１５１の内部圧力が変化する。これにより、基板Ｗの塗布処理中にノズルブロック１５１から基板Ｗ上に引き出される処理液の量（処理液の吐出量）が調整される。
【0043】
本実施の形態においては、基板Ｗの塗布処理中、基板Ｗへの処理液の吐出を許容しつつ、ノズルブロック１５１の内部圧力が適度に負圧になるように処理液タンク１６２内の圧力が調整される。この場合、ノズルブロック１５１内の処理液に、液流路１５から貯留部１６に流入しようとする力が適度に発生する。したがって、処理液の吐出量は、ノズルブロック１５１内の処理液に毛細管現象に起因する力のみが作用する場合に比べて少なくなる。
【0044】
＜４＞基板処理装置１の制御系
図３は、図１の基板処理装置１の制御系の構成を示すブロック図である。上記のように、基板処理装置１は、制御部１１０を備える。制御部１１０は、ＣＰＵ（中央演算処理装置）、ＲＡＭ（ランダムアクセスメモリ）、ＲＯＭ（リードオンリメモリ）および記憶装置を含む。ＲＡＭは、ＣＰＵの作業領域として用いられる。ＲＯＭは、システムプログラムを記憶する。記憶装置は、基板Ｗの塗布処理を行うための塗布処理プログラムを記憶する。
図３は、図１の基板処理装置１の制御系の構成を示すブロック図である。上記のように、基板処理装置１は、制御部１１０を備える。制御部１１０は、ＣＰＵ（中央演算処理装置）、ＲＡＭ（ランダムアクセスメモリ）、ＲＯＭ（リードオンリメモリ）および記憶装置を含む。ＲＡＭは、ＣＰＵの作業領域として用いられる。ＲＯＭは、システムプログラムを記憶する。記憶装置は、基板Ｗの塗布処理を行うための塗布処理プログラムを記憶する。
【0045】
図３に示すように、制御部１１０は、基板処理装置１の各部の動作を制御するための機能部として、ノズル移動制御部１１１、吐出制御部１１２、プレート制御部１１３および条件設定部１１４を含む。ＣＰＵが記憶装置に記憶された塗布処理プログラムをＲＡＭ上で実行することにより制御部１１０の機能部が実現される。制御部１１０の機能部の一部または全部が電子回路等のハードウェアにより実現されてもよい。
【0046】
条件設定部１１４には、予め定められた１または複数の処理条件が記憶されている（処理条件の設定）。本実施の形態においては、１または複数の処理条件は、「ノズルブロック１５１の移動速度」および「ノズルブロック１５１の移動方向」を含む。また、１または複数の処理条件は、「ノズルブロック１５１と基板Ｗとの間の隙間の間隔」、「隙間の間隔の調整速度」および「ノズルブロック１５１の内部圧力」をさらに含む。
【0047】
以下の説明では、ノズルブロック１５１が塗布装置１００の後方から前方に向かって移動することを前進と呼び、ノズルブロック１５１が塗布装置１００の前方から後方に向かって移動することを後進と呼ぶ。
【0048】
「ノズルブロック１５１の移動速度」は塗布処理時にノズルブロック１５１が基板Ｗに対して塗布装置１００の前後方向に移動するときの移動速度であり、「ノズルブロック１５１の移動方向」は当該塗布処理中のノズルブロック１５１の進行方向（前進方向または後進方向）である。「隙間の間隔の調整速度」は、ノズルブロック１５１と基板Ｗとの間の隙間の間隔を変化させる際の隙間の間隔の単位時間当たりの変化量であり、本実施の形態では、基板Ｗに対するノズルブロック１５１の上下方向の移動速度である。
【0049】
基板処理装置１は、操作部１９０をさらに備える。操作部１９０は、例えばキーボードおよびポインティングデバイスを含み、使用者により操作可能に構成される。使用者は、操作部１９０を操作することにより塗布処理のための１または複数の処理条件を入力することができる。処理条件が入力された場合、条件設定部１１４は、入力された処理条件で予め記憶されている処理条件を更新する（処理条件の再設定）。
【0050】
ノズル移動制御部１１１は、基板Ｗの塗布処理時に、条件設定部１１４により設定された各種処理条件に基づいてＸ方向駆動部１４１およびＺ方向駆動部１４２を制御する。例えば、ノズル移動制御部１１１は、Ｚ方向駆動部１４２を制御することにより、ノズルブロック１５１と基板Ｗとの間に、設定された間隔の隙間を設定された調整速度で形成する。また、ノズル移動制御部１１１は、Ｘ方向駆動部１４１を制御することにより、ノズルブロック１５１を、設定された移動方向に設定された移動速度で移動させる。
【0051】
吐出制御部１１２は、基板Ｗの塗布処理時に、条件設定部１１４により設定された各種処理条件に基づいて処理液供給系１６０のバルブ１６１および圧力調整部１６３を制御する。例えば、吐出制御部１１２は、バルブ１６１を開状態にする。また、吐出制御部１１２は、圧力調整部１６３を制御することにより、ノズルブロック１５１の内部圧力が設定された値となるように、処理液タンク１６２内の圧力を調整する。
【0052】
プレート制御部１１３は、ピン昇降駆動部１３４および吸引駆動部１３５を制御する。それにより、ピン昇降駆動部１３４は、例えば塗布装置１００における基板Ｗの搬入および搬出時に複数の支持ピン１３３を上下動させる。吸引駆動部１３５は、基板Ｗをプレート部材１３１上に吸着保持する。また、プレート制御部１１３は、プレート調整部１３２を制御する。それにより、プレート部材１３１の基板載置部分の温度が調整される。
【0053】
２．基板Ｗの塗布処理の具体例
以下の説明では、プレート部材１３１上に載置された基板Ｗのうち塗布装置１００の後方を向く一端部を当該基板Ｗの後端部と呼ぶ。さらに、プレート部材１３１上に載置された基板Ｗのうち塗布装置１００の前方を向く他端部を当該基板Ｗの前端部と呼ぶ。また、塗布装置１００の後方を単に後方と呼び、塗布装置１００の前方を単に前方と呼ぶ。さらに、Ｚ方向を上下方向と呼ぶ。
以下の説明では、プレート部材１３１上に載置された基板Ｗのうち塗布装置１００の後方を向く一端部を当該基板Ｗの後端部と呼ぶ。さらに、プレート部材１３１上に載置された基板Ｗのうち塗布装置１００の前方を向く他端部を当該基板Ｗの前端部と呼ぶ。また、塗布装置１００の後方を単に後方と呼び、塗布装置１００の前方を単に前方と呼ぶ。さらに、Ｚ方向を上下方向と呼ぶ。
【0054】
図４～図１１は、図１の塗布装置１００による基板Ｗの塗布処理の具体例を説明するための図である。図４～図１１においては、塗布処理が開始されてから終了するまでの塗布装置１００の動作が時系列で示される。図４～図１１の各図の上段には、当該図面で示される時点に対応して設定されている処理条件が示される。また、各図の中段および下段には、塗布装置１００の動作を示す側面図および平面図がそれぞれ示される。各図の下段の平面図には、基板Ｗとノズルブロック１５１との位置関係の理解を容易にするために、平面視で基板Ｗの後端部ｗｐ１、中心部ｗｐ２および前端部ｗｐ３を通って前後方向に延びる仮想線ＶＬが示される。
【0055】
まず、図４の下段に示すように、前後方向において吐出口１４が基板Ｗの近傍でかつ基板Ｗよりも後方の初期位置ｐ１０に位置するように、ノズルブロック１５１が配置される。この状態で、処理条件に従って、上下方向におけるノズルブロック１５１の基板対向面１３ａと基板Ｗの上面との間の隙間の間隔が第１の間隔ＧＤ１に調整される。第１の間隔ＧＤ１は、上記の毛細管現象を発生させることが可能に定められ、５μｍ以上５００μｍ以下であり、本例では７０μｍ程度である。さらに、ノズルブロック１５１の内部圧力が、第１の負の圧力（第１の大きさの負のゲージ圧）となるように調整される。第１の負の圧力は、５００Ｐａ以上０Ｐａ以下であり、本例では１００Ｐａ程度である。
【0056】
次に、ノズルブロック１５１が初期位置から予め定められた第１の移動速度で前進する。第１の移動速度は、１０００μｍ／ｓｅｃ以上１００００μｍ／ｓｅｃ以下であり、本例では２５００μｍ／ｓｅｃ程度である。
【0057】
平面視でノズルブロック１５１の吐出口１４と基板Ｗの後端部近傍部分とが重なるタイミングで、図示しないポンプにより所定量の処理液が吐出口１４から吐出される。それにより、図５の中段に示すように、ノズルブロック１５１と基板Ｗとの間の隙間が処理液で満たされ、毛細管現象が発生し、ノズルブロック１５１内の処理液が基板Ｗ上に引き出される。第１の移動速度でノズルブロック１５１が前進することにより、基板Ｗの上面のうち平面視でノズルブロック１５１が通過する部分に連続的に処理液の膜が形成される。
【0058】
ここで、基板Ｗのうち、当該基板Ｗの前端部ｗｐ３に近接しかつ当該基板Ｗの周縁部に位置する予め定められた部分を周縁停止部ｗｐ４と呼ぶ。図５の下段に示すように、周縁停止部ｗｐ４は、仮想線ＶＬ上に位置する。前後方向における周縁停止部ｗｐ４と前端部ｗｐ３との間の距離Ｄ１は、前端部ｗｐ３よりも前方の距離を負の値で表し、前端部ｗｐ３よりも後方の距離を正の値で表した場合に、－１ｍｍ以上５ｍｍ以下であり、本例では１ｍｍ程度である。
【0059】
上記のノズルブロック１５１の前進動作は、平面視で吐出口１４が周縁停止部ｗｐ４に重なる位置（以下、第１の位置と呼ぶ。）ｐ１１まで継続される。ノズルブロック１５１が第１の位置ｐ１１に到達すると、図６の上段に示すように、ノズルブロック１５１の前方への移動速度が第１の移動速度から０となる。それにより、ノズルブロック１５１が一時的に停止する。この時点で、基板Ｗの上面全体に処理液の膜が形成される。
【0060】
次に、図７の上段および中段に示すように、ノズルブロック１５１が予め設定された第１の調整速度で上昇する。それにより、上下方向におけるノズルブロック１５１の基板対向面１３ａと基板Ｗの上面との間の隙間の間隔が第１の間隔ＧＤ１から第２の間隔ＧＤ２に調整される。第１の調整速度は、１０μｍ／ｓｅｃ以上１０００μｍ／ｓｅｃ以下であり、本例では５０μｍ／ｓｅｃ程度である。第２の間隔ＧＤ２は、第１の間隔ＧＤ１よりも大きく１０μｍ以上２０００μｍ以下であり、本例では３００μｍ程度である。
【0061】
上記のように隙間の間隔を調整する動作は、ノズルブロック１５１と基板Ｗとの間に、ノズルブロック１５１の基板対向面１３ａに付着する処理液と基板Ｗ上の処理液とをつなぐ液柱ＬＣを形成するために行われる。そのため、上記の第１の調整速度および第２の間隔ＧＤ２は、ノズルブロック１５１と基板Ｗとの間で処理液のつながりが完全に遮断されないように、ノズルブロック１５１の下端部の外表面の物性、および処理液の物性等の関係を考慮して定められる。第１の調整速度および第２の間隔ＧＤ２は、実験またはシミュレーションにより定められてもよい。
【0062】
さらに、ノズルブロック１５１の内部圧力が、第１の負の圧力から第１の負の圧力よりも低い第２の負の圧力（第１の大きさよりも大きい第２の大きさの負のゲージ圧）となるように調整される。第２の負の圧力は、５００Ｐａ以上０Ｐａ以下であり、本例では１００Ｐａ程度である。このようにノズルブロック１５１の内部圧力を調整する動作は、ノズルブロック１５１と基板Ｗとの間に形成される液柱ＬＣの一部をノズルブロック１５１内に吸引し、液柱ＬＣの横断面を小さくするために行われる。液柱ＬＣの横断面は、液柱ＬＣを当該液柱ＬＣが延びる方向に直交する面（本例では水平面）で切断した断面である。
【0063】
なお、ノズルブロック１５１の内部圧力が、第２の負の圧力とされる場合には、基板Ｗ上の周縁停止部ｗｐ４およびその周辺部に塗布された余剰の処理液の一部も、液柱ＬＣを通して吐出口１４からノズルブロック１５１内に吸引される。また、ノズルブロック１５１の後傾斜面１３ｃに付着する余剰の処理液の一部も、吐出口１４からノズルブロック１５１内に吸引される。
【0064】
ただし、第２の負の圧力は、第１の調整速度および第２の間隔ＧＤ２と同様に、ノズルブロック１５１と基板Ｗとの間で処理液のつながりが完全に遮断されないように、ノズルブロック１５１の下端部の外表面の物性、および処理液の物性等の関係を考慮して定められる。第２の負の圧力は、実験またはシミュレーションにより定められてもよい。
【0065】
次に、図８の上段に示すように、ノズルブロック１５１の内部圧力が、第２の負の圧力から第１の負の圧力に戻される。また、図８の中段および下段に示すように、ノズルブロック１５１が第１の位置ｐ１１から基板Ｗよりも前方の第２の位置ｐ１２に向かって第１の移動速度で前進する。前後方向における基板Ｗの前端部ｗｐ３と第２の位置ｐ１２との間の距離Ｄ２は、前端部ｗｐ３よりも前方の距離を正の値で表した場合に０ｍｍ以上５ｍｍ以下であり、本例では０ｍｍ程度である。
【0066】
ノズルブロック１５１が第１の位置ｐ１１から第２の位置ｐ１２まで前進する間、液柱ＬＣの断面は、ノズルブロック１５１と基板Ｗとの間の前後方向の距離が大きくなるにつれて小さくなる。また、ノズルブロック１５１の基板対向面１３ａに付着する液柱ＬＣの上端部の処理液は、当該基板対向面１３ａ上で後方に移動する。
【0067】
その結果、ノズルブロック１５１が第２の位置ｐ１２に到達する際には、図９の中段に示すように、液柱ＬＣの上端部の処理液はノズルブロック１５１の基板対向面１３ａ上で吐出口１４から後方に離間した位置まで移動する。また、この場合、基板Ｗ上に塗布された処理液と液柱ＬＣとの接続部分が基板Ｗの周縁停止部ｗｐ４から基板Ｗの前端部ｗｐ３に近づく。
【0068】
このようにして、本例では、ノズルブロック１５１が第１の位置ｐ１１から第２の位置ｐ１２まで前進する間に、液柱ＬＣが吐出口１４内の処理液に接する液接触状態から吐出口１４内部の処理液に接しない液非接触状態に移行する。
【0069】
次に、図１０および図１１の上段および中段に示すように、ノズルブロック１５１が予め設定された第２の調整速度で下降する。それにより、上下方向におけるノズルブロック１５１の基板対向面１３ａと基板Ｗの上面との間の隙間の間隔が第２の間隔ＧＤ２から第３の間隔ＧＤ３（図１１）に調整される。
【0070】
第２の調整速度の大きさは、第１の調整速度と同じ大きさであってもよいし、第１の調整速度の大きさよりも大きくてもよい。第２の調整速度は、５μｍ／ｓｅｃ以上５００μｍ／ｓｅｃ以下であり、本例では５０μｍ／ｓｅｃ程度である。第３の間隔ＧＤ３は、第１の間隔ＧＤ１および第２の間隔ＧＤ２よりも小さく、基板Ｗの上面よりも下方の距離を負の値で表し、基板Ｗの上面よりも上方の距離を正の値で表した場合に、－１０００μｍ以上７０μｍ以下であり、本例では７０μｍ程度である。
【0071】
また、上下方向におけるノズルブロック１５１と基板Ｗとの間の隙間の間隔が調整される間に、ノズルブロック１５１が第２の位置ｐ１２よりも前方の第３の位置ｐ１３に向かって第２の移動速度で前進する。第２の移動速度は、第１の移動速度よりも高く、１０００μｍ／ｓｅｃ以上１００００μｍ／ｓｅｃ以下であり、本例では２５００μｍ／ｓｅｃ程度である。
【0072】
ここで、ノズルブロック１５１が第２の位置ｐ１２にある状態で、液柱ＬＣは、ノズルブロック１５１が第１の位置ｐ１１にある状態（図７）に比べて小さい断面を有し、ある程度分断されやすい状態にある。本例では、ノズルブロック１５１は、第２の位置ｐ１２に到達した後、斜め下方に高速で前進する。それにより、液柱ＬＣは、図１１の中段および下段に示すように、ノズルブロック１５１が第２の位置ｐ１２から第３の位置ｐ１３まで前進する間に分断される。それにより、基板Ｗの塗布処理が完了する。
【0073】
３．効果
上記の塗布処理においては、最初に、ノズルブロック１５１と基板Ｗの上面との間に第１の間隔ＧＤ１が形成されつつ、ノズルブロック１５１の内部圧力が第１の負の圧力に調整される。この状態で、ノズルブロック１５１が初期位置ｐ１０から第１の位置ｐ１１まで前進する（図４～図６参照）。このとき、ノズルブロック１５１と基板Ｗとの間の隙間で処理液に作用する毛細管現象により、吐出口１４から引き出された処理液が基板の上面に塗布される。この場合、ノズルブロック１５１内の処理液は毛細管現象が作用しない状態で吐出口から吐出されない。したがって、処理液の無駄な消費が抑制される。
上記の塗布処理においては、最初に、ノズルブロック１５１と基板Ｗの上面との間に第１の間隔ＧＤ１が形成されつつ、ノズルブロック１５１の内部圧力が第１の負の圧力に調整される。この状態で、ノズルブロック１５１が初期位置ｐ１０から第１の位置ｐ１１まで前進する（図４～図６参照）。このとき、ノズルブロック１５１と基板Ｗとの間の隙間で処理液に作用する毛細管現象により、吐出口１４から引き出された処理液が基板の上面に塗布される。この場合、ノズルブロック１５１内の処理液は毛細管現象が作用しない状態で吐出口から吐出されない。したがって、処理液の無駄な消費が抑制される。
【0074】
ノズルブロック１５１が第１の位置ｐ１１にある状態で、ノズルブロック１５１と基板Ｗとの間の間隔が、第１の間隔ＧＤ１よりも大きい第２の間隔ＧＤ２に調整される。それにより、ノズルブロック１５１の下端部の外表面上に付着する処理液と基板Ｗ上に塗布された処理液との間に、液柱ＬＣが形成される。
【0075】
また、ノズルブロック１５１の内部圧力が第１の負の圧力よりも低い第２の負の圧力に調整される。それにより、基板Ｗの周縁停止部ｗｐ４およびその近傍に塗布された処理液のうち余剰の部分が、液柱ＬＣを通して吐出口１４からノズルブロック１５１内に吸引される。また、ノズルブロック１５１の下端部の外表面上に付着する処理液のうち余剰の部分が、吐出口１４からノズルブロック１５１内に吸引される。さらに、液柱ＬＣの一部が吐出口１４からノズルブロック１５１内に吸引され、液柱ＬＣの断面が小さくなる（図６および図７参照）。
【0076】
液柱ＬＣが液接触状態にある状態で分断されると、ノズルブロック１５１と基板Ｗとの間の隙間、ノズルブロック１５１の下端部の外表面の物性、および処理液の物性等の関係によっては、ノズルブロック１５１内の処理液が吐出口１４から基板Ｗ上に過剰に引き出される可能性がある。
【0077】
これに対して、上記の塗布処理の具体例では、ノズルブロック１５１が第１の位置ｐ１１から第２の位置ｐ１２まで前進する間に、液柱ＬＣが分断されることなく液接触状態から液非接触状態に移行する（図８および図９参照）。そのため、ノズルブロック１５１が第２の位置ｐ１２に到達した後に液柱ＬＣが分断されても、その分断時にノズルブロック１５１内の処理液が吐出口１４から基板処理装置１上に過剰に引き出されることがない。さらに、上記のように、ノズルブロック１５１が第１の位置ｐ１１から第２の位置ｐ１２への前進を開始する前に、液柱ＬＣの断面はある程度小さくされている。そのため、液柱ＬＣが分断される際に当該液柱ＬＣの一部が基板Ｗ上に流れる場合でも、その流動量が低減される。したがって、基板Ｗの上面上で処理液の膜の厚さが局所的に大きくなることが低減される。
【0078】
さらに、ノズルブロック１５１は、第２の位置ｐ１２から斜め下方に向かうように前進する。この場合、基板Ｗ上の処理液と液柱ＬＣとの接続部分を基板Ｗの周縁停止部ｗｐ４から前端部ｗｐ３に近づけることができる。したがって、液柱ＬＣが分断される際に当該液柱ＬＣの一部が基板Ｗ上に流れる場合でも、当該分断に起因して局所的に処理液の膜の厚さが大きくなる部分が前端部ｗｐ３に極めて近い領域に制限される（図１０および図１１参照）。すなわち、基板Ｗの外周端部近傍に、液柱ＬＣの分断に起因する厚さの変化部分が発生する場合でも、その厚さの変化部分を基板Ｗ上の処理対象領域（例えばチップの形成領域等）から外すことができる。
【0079】
また、ノズルブロック１５１が第２の位置ｐ１２から斜め下方に前進する際には、その移動速度が高くなる。それにより、液柱ＬＣが所望のタイミングで分断される。したがって、意図しないタイミングで液柱ＬＣが分断されることに起因して、基板Ｗ上に形成される処理液の膜の厚さにばらつきが発生することが防止される。
【0080】
これらの結果、処理液の無駄な消費を抑制しつつ基板Ｗ上に塗布される処理液の膜の厚さを均一化することが可能になる。
【0081】
４．他の実施の形態
（ａ）上記実施の形態に係る基板Ｗの塗布処理においては、ノズルブロック１５１の前進時に、ノズルブロック１５１と基板Ｗとの間に形成される液柱ＬＣが液接触状態から液非接触状態に移行すればよい。これにより、処理液の無駄な消費を抑制しつつ基板Ｗ上に塗布される処理液の膜の厚さを均一化することができる。
（ａ）上記実施の形態に係る基板Ｗの塗布処理においては、ノズルブロック１５１の前進時に、ノズルブロック１５１と基板Ｗとの間に形成される液柱ＬＣが液接触状態から液非接触状態に移行すればよい。これにより、処理液の無駄な消費を抑制しつつ基板Ｗ上に塗布される処理液の膜の厚さを均一化することができる。
【0082】
この観点を考慮すると、ノズルブロック１５１の前進中に液柱ＬＣが液接触状態から液非接触状態に移行する場合には、ノズルブロック１５１と基板Ｗとの間隔は第１の位置ｐ１１で第１の間隔ＧＤ１から第２の間隔ＧＤ２に変更されなくてもよい。あるいは、ノズルブロック１５１の前進中に液柱ＬＣが液接触状態から液非接触状態に移行する場合には、ノズルブロック１５１の内部圧力は第１の位置ｐ１１で第１の負の圧力から第２の負の圧力に変更されなくてもよい。
【0083】
（ｂ）上記実施の形態に係る基板Ｗの塗布処理においては、ノズルブロック１５１の前進時に、ノズルブロック１５１と基板Ｗとの間に形成される液柱ＬＣの断面ができる限り小さくされればよい。これにより、処理液の無駄な消費を抑制しつつ基板Ｗ上に塗布される処理液の膜の厚さを均一化することができる。
【0084】
この観点を考慮すると、第１の位置ｐ１１でノズルブロック１５１と基板Ｗとの間隔が第２の間隔ＧＤ２に調整されかつノズルブロック１５１の内部圧力が第１の負の圧力から第２の負の圧力に変更されることにより液柱ＬＣの断面が十分小さくされる場合には、液柱ＬＣを液接触状態から液非接触状態に移行させなくてもよい。
【0085】
（ｃ）上記実施の形態に係る基板Ｗの塗布処理では、第１の位置ｐ１１でノズルブロック１５１と基板Ｗとの間の隙間の間隔が第２の間隔ＧＤ２に調整される際にノズルブロック１５１の内部圧力が第２の負の圧力で維持される。その後、ノズルブロック１５１が前進する際に、ノズルブロック１５１の内部圧力が第２の負の圧力から第１の負の圧力に戻される。しかしながら、本発明はこれに限定されない。
【0086】
ノズルブロック１５１の内部圧力は、ノズルブロック１５１が第１の位置ｐ１１から第２の位置ｐ１２まで前進する間第２の負の圧力で維持されてもよい。あるいは、ノズルブロック１５１の内部圧力は、ノズルブロック１５１が第１の位置ｐ１１から第３の位置ｐ１３まで前進する間、第２の負の圧力で維持されてもよい。
【0087】
（ｄ）上記実施の形態に係る基板Ｗの塗布処理において、ノズルブロック１５１は、第１の位置ｐ１１で当該ノズルブロック１５１と基板Ｗとの間の隙間の間隔が第２の間隔ＧＤ２に調整された状態で、所定時間保持されてもよい。すなわち、ノズルブロック１５１は、第１の位置ｐ１１で当該ノズルブロック１５１と基板Ｗとの間の隙間の間隔が第２の間隔ＧＤ２に調整された状態で、所定時間動作を停止してもよい。この場合、所定時間は、例えば１０ｓｅｃ以下である。これにより、ノズルブロック１５１と基板Ｗとの間に形成される液柱ＬＣの断面を十分に小さくすることができる。
【0088】
（ｅ）上記実施の形態に係る基板Ｗの塗布処理では、ノズルブロック１５１は初期位置ｐ１０から第１の位置ｐ１１まで第１の移動速度で前進し、第１の位置ｐ１１から第２の位置ｐ１２まで第１の移動速度で前進する。しかしながら、本発明はこれに限定されない。ノズルブロック１５１は、第１の移動速度とは異なりかつ第２の移動速度よりも低い移動速度で、第１の位置ｐ１１から第２の位置ｐ１２まで前進してもよい。
【0089】
（ｆ）上記実施の形態に係る塗布装置１００においては、基板Ｗの上面全体に処理液が塗布されるが、本発明はこれに限定されない。基板Ｗの上面のうち一部の領域にのみ処理液の膜が形成されてもよい。
【0090】
（ｇ）上記実施の形態に係る塗布装置１００は、固定されたプレート部材１３１上の基板Ｗに対してノズル装置１５０が前後方向に移動することにより基板Ｗ上に処理液の膜が形成されるが、本発明はこれに限定されない。
【0091】
塗布装置１００は、プレート部材１３１が前後方向に移動可能に構成されてもよい。この場合、固定されたノズル装置１５０に対してプレート部材１３１が前後方向に移動することにより、プレート部材１３１に載置された基板Ｗ上に処理液の膜が形成されてもよい。あるいは、ノズル装置１５０が前進（または後進）するとともにプレート部材１３１が後進（または前進）することにより、プレート部材１３１に載置された基板Ｗ上に処理液の膜が形成されてもよい。
【0092】
（ｈ）上記実施の形態においては、ノズルブロック１５１が第１の位置ｐ１１に到達して上昇する際に、ノズルブロック１５１の内部圧力が第１の負の圧力から第１の負の圧力よりも低い第２の負の圧力に調整されるとしているが、本発明はこれに限定されない。第２の負の圧力は、第１の負の圧力よりも高くてもよい。
【0093】
この場合、ノズルブロック１５１と基板Ｗとの間の隙間で発生する毛細管現象が解消されることに起因してノズルブロック１５１の外部の雰囲気が吐出口１４からノズルブロック１５１の内部に引き込まれることが防止される。それにより、ノズルブロック１５１内の処理液中に気泡が混在することが防止される。
【0094】
（ｉ）上記実施の形態に係る基板処理装置１において、ノズルブロック１５１から基板Ｗには、ノズルブロック１５１と基板Ｗとの間の隙間で発生する毛細管現象を利用して基板Ｗ上に処理液が供給されるが、本発明はこれに限定されない。
【0095】
例えば、基板処理装置１は、毛細管現象の発生を利用することなく、ノズルブロック１５１の吐出口１４から基板Ｗ上に処理液を供給するように構成されてもよい。この場合、ノズルブロック１５１から基板Ｗへの処理液の供給時に、ノズルブロック１５１と基板Ｗとの間の距離を毛細管現象が発生しない程度に大きくすることができる。
【0096】
なお、上記のように、毛細管現象を利用しない場合、ノズルブロック１５１から基板Ｗへの処理液の供給は、ノズルブロック１５１内の処理液の圧力を調整する（高くする）ことにより行われる。また、この場合、基板Ｗに対するノズルブロック１５１の移動中、スリット状の吐出口１４の開口領域を基板Ｗの幅に合わせて調整することが好ましい。このように、スリット状の吐出口１４のうち、基板Ｗに対向しない部分を適宜閉塞する。それにより、基板Ｗが存在しない領域に処理液が吐出されることが防止され、処理液の無駄な消費が防止される。
【0097】
５．請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
【0098】
上記実施の形態においては、基板処理装置１が基板処理装置の例であり、ステージ装置１３０が基板保持部の例であり、吐出口１４が吐出口の例であり、ノズルブロック１５１がノズルの例であり、ノズルブロック１５１の下端部がノズル先端部の例であり、Ｙ方向が吐出口の長手方向の例であり、Ｘ方向および塗布装置１００の前後方向が吐出口の短手方向の例である。
【0099】
また、２つのノズル支持体１４０およびＸ方向駆動部１４１が移動部の例であり、制御部１１０が制御部の例であり、第１の間隔ＧＤ１が所定間隔の例であり、第２の間隔ＧＤ２が所定間隔よりも大きい間隔の例であり、ノズルブロック１５１が初期位置ｐ１０から第１の位置ｐ１１まで移動する動作が第１の移動動作の例である。
【0100】
また、液柱ＬＣが液柱の例であり、ノズルブロック１５１が第１の位置ｐ１１から第２の位置ｐ１２まで移動する動作が第２の移動動作の例であり、基板Ｗの周縁停止部ｗｐ４が基板の周縁部の予め定められた部分の例であり、第１の位置ｐ１１が第１の位置の例であり、第２の位置ｐ１２が第２の位置の例であり、２つのノズル支持体１４０およびＺ方向駆動部１４２が昇降部の例であり、処理液供給系１６０の圧力調整部１６３が圧力調整部の例である。
【0101】
また、第１の負の圧力が第１の負の圧力の例であり、第１の移動速度が第１の速度および第２の速度の例であり、第２の移動速度が第３の速度の例である。さらに、他の実施の形態の項目（ｈ）を除く部分に記載された第２の負の圧力が請求項８および１１に記載の第２の負の圧力の例であり、他の実施の形態の項目（ｈ）に記載された第２の負の圧力が請求項５に記載の第２の負の圧力の例である。
【0102】
６．実施の形態の総括
（第１項）第１項に係る基板処理装置は、
少なくとも一部が円形状の外周部を有する基板の上面に処理液の膜を形成する基板処理装置であって、
前記基板を保持する基板保持部と、
一方向に延びるスリット状の吐出口が形成されたノズル先端部を有するノズルと、
前記基板および前記ノズルのうち少なくとも一方を他方に対して前記吐出口の長手方向に交差する短手方向に相対的に移動させる移動部と、
前記移動部を制御する制御部とを備え、
前記制御部は、
前記ノズル先端部と前記基板との間に所定間隔以下の隙間が形成されかつ前記隙間に処理液が満たされる状態で、前記吐出口から前記基板の前記上面上に処理液を供給させつつ、前記基板および前記ノズルが前記短手方向に相対的に移動する第１の移動動作と、
前記第１の移動動作の後、前記基板の前記上面上に存在する処理液と前記ノズル先端部の外表面に付着する処理液とをつなぐ液柱が、前記吐出口の内部に存在する処理液に接する液接触状態から前記吐出口の内部に存在する処理液に接しない液非接触状態に移行するように、前記基板および前記ノズルがさらに前記短手方向に相対的に移動する第２の移動動作とを、前記移動部に行わせる。
（第１項）第１項に係る基板処理装置は、
少なくとも一部が円形状の外周部を有する基板の上面に処理液の膜を形成する基板処理装置であって、
前記基板を保持する基板保持部と、
一方向に延びるスリット状の吐出口が形成されたノズル先端部を有するノズルと、
前記基板および前記ノズルのうち少なくとも一方を他方に対して前記吐出口の長手方向に交差する短手方向に相対的に移動させる移動部と、
前記移動部を制御する制御部とを備え、
前記制御部は、
前記ノズル先端部と前記基板との間に所定間隔以下の隙間が形成されかつ前記隙間に処理液が満たされる状態で、前記吐出口から前記基板の前記上面上に処理液を供給させつつ、前記基板および前記ノズルが前記短手方向に相対的に移動する第１の移動動作と、
前記第１の移動動作の後、前記基板の前記上面上に存在する処理液と前記ノズル先端部の外表面に付着する処理液とをつなぐ液柱が、前記吐出口の内部に存在する処理液に接する液接触状態から前記吐出口の内部に存在する処理液に接しない液非接触状態に移行するように、前記基板および前記ノズルがさらに前記短手方向に相対的に移動する第２の移動動作とを、前記移動部に行わせる。
【0103】
その基板処理装置においては、第１の移動動作時に、スリット状の吐出口を有するノズルを用いて基板上の上面上に処理液が塗布される。したがって、処理液の無駄な消費が抑制される。
【0104】
第１の移動動作終了時点で、ノズル先端部と基板との間の隙間には処理液が満たされている。ノズル先端部と基板との間の距離が広がると、ノズル先端部の外表面上に付着する処理液と基板上に塗布された処理液との間に、液柱が形成される。液柱が液接触状態にある状態で分断されると、ノズル先端部と基板との間の隙間、ノズル先端部の外表面の物性、および処理液の表面張力等の関係によっては、ノズル内の処理液が吐出部から基板上に過剰に引き出される可能性がある。
【0105】
これに対して、上記の構成によれば、第２の移動動作時に、液柱が分断されることなく液接触状態から液非接触状態に移行する。そのため、第２の移動動作後に液柱が分断されても、その分断時にノズル内の処理液が吐出部から基板上に過剰に引き出されることがない。したがって、基板の上面上で処理液の膜の厚さが局所的に大きくなることが低減される。
【0106】
その結果、処理液の無駄な消費を抑制しつつ基板上に塗布される処理液の膜の厚さを均一化することが可能になる。
【0107】
（第２項）第１項に記載の基板処理装置において、
前記第１の移動動作において前記基板の前記上面上に処理液が供給されることは、前記隙間で毛細管現象を発生させることにより前記ノズル内の処理液を前記吐出口から前記基板の前記上面上に引き出させることを含んでもよい。
前記第１の移動動作において前記基板の前記上面上に処理液が供給されることは、前記隙間で毛細管現象を発生させることにより前記ノズル内の処理液を前記吐出口から前記基板の前記上面上に引き出させることを含んでもよい。
【0108】
この場合、第１の移動動作時に、ノズル先端部と基板との間の隙間で処理液に作用する毛細管現象により、スリット状の吐出口から引き出された処理液が基板の上面に塗布される。したがって、毛細管現象が作用しない状態でノズル内の処理液が吐出口から吐出されないように、ノズルを構成することができる。
【0109】
（第３項）第１項または第２項に記載の基板処理装置において、
前記ノズルの前記吐出口は、
前記第１の移動動作により、平面視で前記基板の少なくとも一部の領域を通過して、前記基板の周縁部の予め定められた部分に重なる第１の位置に移動し、
前記第２の移動動作により、平面視で前記第１の位置から前記基板に重ならない第２の位置に移動してもよい。
前記ノズルの前記吐出口は、
前記第１の移動動作により、平面視で前記基板の少なくとも一部の領域を通過して、前記基板の周縁部の予め定められた部分に重なる第１の位置に移動し、
前記第２の移動動作により、平面視で前記第１の位置から前記基板に重ならない第２の位置に移動してもよい。
【0110】
この場合、基板の周縁部に塗布される処理液の膜の厚さが局所的に大きくなることが低減される。
【0111】
（第４項）第１項～第３項のいずれか一項に記載の基板処理装置において、
前記基板処理装置は、
前記基板保持部に保持された前記基板および前記ノズルのうち少なくとも一方を他方に対して上下方向に移動させることにより上下方向における前記ノズル先端部と前記基板との間の間隔を変更する昇降部をさらに備え、
前記制御部は、
前記昇降部を制御することにより、前記第１の移動動作中前記ノズル先端部と前記基板との間の間隔を、前記所定間隔以下の間隔に維持し、前記第１の移動動作終了後前記第２の移動動作開始前に、前記ノズル先端部と前記基板との間の間隔を前記所定間隔よりも大きい間隔に変更し、前記第２の移動動作中前記ノズル先端部と前記基板との間の間隔を、前記所定間隔よりも大きく維持してもよい。
前記基板処理装置は、
前記基板保持部に保持された前記基板および前記ノズルのうち少なくとも一方を他方に対して上下方向に移動させることにより上下方向における前記ノズル先端部と前記基板との間の間隔を変更する昇降部をさらに備え、
前記制御部は、
前記昇降部を制御することにより、前記第１の移動動作中前記ノズル先端部と前記基板との間の間隔を、前記所定間隔以下の間隔に維持し、前記第１の移動動作終了後前記第２の移動動作開始前に、前記ノズル先端部と前記基板との間の間隔を前記所定間隔よりも大きい間隔に変更し、前記第２の移動動作中前記ノズル先端部と前記基板との間の間隔を、前記所定間隔よりも大きく維持してもよい。
【0112】
この場合、第１の移動動作終了後第２の移動動作開始前にノズル先端部と基板との間の間隔が大きくなる。それにより、ノズル先端部の外表面上に付着する処理液と基板上に塗布された処理液との間に液柱が形成される。
【0113】
液柱は、ノズル先端部と基板との間の間隔が大きくなるにつれて引き伸ばされる。それにより、ノズル先端部と基板とをつなぐ液柱の断面が小さくなる。そのため、ノズル先端部と基板との間で液柱が分断される際に当該液柱の一部が基板上に流れる場合でも、その流動量が低減される。したがって、基板の上面上で処理液の膜の厚さが局所的に大きくなることが低減される。
【0114】
ここで、第１の移動動作終了後第２の移動動作開始前に、ノズル内の処理液の圧力が低くなるように調整されてもよい。この場合、基板の周縁部の予め定められた部分およびその近傍に塗布された処理液のうち余剰の部分が、液柱を通して吐出口からノズル内に吸引され、ノズル先端部と基板とをつなぐ液柱の断面がより小さくなる。そのため、ノズル先端部と基板との間で液柱が分断される際に当該液柱の一部が基板上に流れる場合でも、その流動量が低減される。したがって、基板の上面上で処理液の膜の厚さが局所的に大きくなることが低減される。
【0115】
（第５項）第４項に記載の基板処理装置において、
前記基板処理装置は、
前記ノズル内の処理液の圧力を調整する圧力調整部をさらに備え、
前記制御部は、
前記圧力調整部を制御することにより、前記第１の移動動作中前記ノズル内の処理液の圧力を予め定められた第１の負の圧力に調整し、前記第１の移動動作終了後前記第２の移動動作開始前に、前記ノズル内の処理液の圧力を前記第１の負の圧力よりも高い第２の負の圧力に調整してもよい。
前記基板処理装置は、
前記ノズル内の処理液の圧力を調整する圧力調整部をさらに備え、
前記制御部は、
前記圧力調整部を制御することにより、前記第１の移動動作中前記ノズル内の処理液の圧力を予め定められた第１の負の圧力に調整し、前記第１の移動動作終了後前記第２の移動動作開始前に、前記ノズル内の処理液の圧力を前記第１の負の圧力よりも高い第２の負の圧力に調整してもよい。
【0116】
この場合、第１の移動動作中ノズル内の処理液の圧力は第１の負の圧力に調整される。それにより、毛細管現象が発生しない状態で吐出口から処理液が漏れ出ること、および吐出口から過剰な量の処理液が漏れ出ることが防止される。
【0117】
また、上記の構成によれば、第１の移動動作終了後第２の移動動作開始前に、ノズル先端部と基板との間に液柱が形成されとともに、ノズル内の処理液の圧力は第２の負の圧力に調整される。それにより、ノズル先端部と基板との間で発生する毛細管現象が解消されることに起因してノズルの外部の雰囲気が吐出口からノズルの内部に引き込まれることが防止される。それにより、ノズル内の処理液中に気泡が混在することが防止される。
【0118】
（第６項）第４項または第５項に記載の基板処理装置において、
前記制御部は、前記移動部および前記昇降部を制御することにより、前記第２の移動動作後、前記吐出口の長手方向に沿って見た側面視で前記ノズル先端部を前記基板の外方に向かって斜め下方に相対的に移動させてもよい。
前記制御部は、前記移動部および前記昇降部を制御することにより、前記第２の移動動作後、前記吐出口の長手方向に沿って見た側面視で前記ノズル先端部を前記基板の外方に向かって斜め下方に相対的に移動させてもよい。
【0119】
この場合、基板上の処理液と液柱との接続部分を基板の周縁部の予め定められた部分から基板の外周端部により近い部分に近づけることができる。したがって、ノズル先端部と基板との間で液柱が分断される際に当該液柱の一部が基板上に流れる場合でも、当該分断に起因して局所的に処理液の膜の厚さが大きくなる部分が基板の外周端部に極めて近い位置に制限される。
【0120】
（第７項）第６項に記載の基板処理装置において、
前記第１の移動動作時の前記ノズル先端部と前記基板との間の相対的な移動速度を第１の速度とし、前記第２の移動動作時の前記ノズル先端部と前記基板との間の相対的な移動速度を第２の速度とし、前記第２の移動動作後、前記ノズル先端部が前記基板の外方に向かって斜め下方に相対的に移動する際の前記ノズル先端部と前記基板との間の前記短手方向における相対的な移動速度を第３の速度とした場合に、前記第３の速度は、前記第１の速度および前記第２の速度よりも高くてもよい。
前記第１の移動動作時の前記ノズル先端部と前記基板との間の相対的な移動速度を第１の速度とし、前記第２の移動動作時の前記ノズル先端部と前記基板との間の相対的な移動速度を第２の速度とし、前記第２の移動動作後、前記ノズル先端部が前記基板の外方に向かって斜め下方に相対的に移動する際の前記ノズル先端部と前記基板との間の前記短手方向における相対的な移動速度を第３の速度とした場合に、前記第３の速度は、前記第１の速度および前記第２の速度よりも高くてもよい。
【0121】
平面視で吐出口が第２の位置にある状態で、ノズル先端部と基板との間の液柱は、第２の移動動作の開始時点に比べて小さい断面を有し、ある程度分断されやすい状態にあると考えられる。したがって、ノズル先端部が基板の外方に向かって斜め下方に相対的に移動する際の第３の速度が、第１の速度および第２の速度よりも大きいことにより、液柱が小さくなった所望のタイミングで液柱を円滑に分断することができる。その結果、意図しないタイミングで液柱が分断されることに起因して、基板上に形成される処理液の膜の厚さにばらつきが発生することが防止される。
【0122】
（第８項）第８項に係る基板処理装置は、
少なくとも一部が円形状の外周部を有する基板の上面に処理液の膜を形成する基板処理装置であって、
前記基板を保持する基板保持部と、
一方向に延びるスリット状の吐出口が形成されたノズル先端部を有するノズルと、
前記基板および前記ノズルのうち少なくとも一方を他方に対して前記吐出口の長手方向に交差する短手方向に相対的に移動させる移動部と、
前記基板保持部に保持された前記基板および前記ノズルのうち少なくとも一方を他方に対して上下方向に移動させることにより上下方向における前記ノズル先端部と前記基板との間の間隔を変更する昇降部と、
前記ノズル内の処理液の圧力を調整する圧力調整部と、
前記移動部、前記昇降部および前記圧力調整部を制御する制御部とを備え、
前記制御部は、
前記移動部、前記昇降部および前記圧力調整部を制御することにより、前記ノズル内の処理液の圧力が予め定められた第１の負の圧力で維持されかつ前記ノズル先端部と前記基板との間に所定間隔以下の隙間が形成されかつ前記隙間に処理液が満たされる状態で、前記ノズル内の処理液が前記隙間に発生する毛細管現象により前記吐出口から前記基板の前記上面上に引き出されるように、前記基板および前記ノズルを前記短手方向に相対的に移動させ、
その後、前記昇降部および前記圧力調整部を制御することにより、平面視で前記吐出口が前記基板の一部に重なる状態で、前記ノズル内の処理液の圧力を前記第１の負の圧力よりも低い第２の負の圧力に調整しつつ前記ノズル先端部と前記基板との間の間隔を前記所定間隔よりも大きい間隔に変更させる。
少なくとも一部が円形状の外周部を有する基板の上面に処理液の膜を形成する基板処理装置であって、
前記基板を保持する基板保持部と、
一方向に延びるスリット状の吐出口が形成されたノズル先端部を有するノズルと、
前記基板および前記ノズルのうち少なくとも一方を他方に対して前記吐出口の長手方向に交差する短手方向に相対的に移動させる移動部と、
前記基板保持部に保持された前記基板および前記ノズルのうち少なくとも一方を他方に対して上下方向に移動させることにより上下方向における前記ノズル先端部と前記基板との間の間隔を変更する昇降部と、
前記ノズル内の処理液の圧力を調整する圧力調整部と、
前記移動部、前記昇降部および前記圧力調整部を制御する制御部とを備え、
前記制御部は、
前記移動部、前記昇降部および前記圧力調整部を制御することにより、前記ノズル内の処理液の圧力が予め定められた第１の負の圧力で維持されかつ前記ノズル先端部と前記基板との間に所定間隔以下の隙間が形成されかつ前記隙間に処理液が満たされる状態で、前記ノズル内の処理液が前記隙間に発生する毛細管現象により前記吐出口から前記基板の前記上面上に引き出されるように、前記基板および前記ノズルを前記短手方向に相対的に移動させ、
その後、前記昇降部および前記圧力調整部を制御することにより、平面視で前記吐出口が前記基板の一部に重なる状態で、前記ノズル内の処理液の圧力を前記第１の負の圧力よりも低い第２の負の圧力に調整しつつ前記ノズル先端部と前記基板との間の間隔を前記所定間隔よりも大きい間隔に変更させる。
【0123】
その基板処理装置においては、ノズルと基板の上面との間に所定間隔以下の隙間が形成された状態で基板およびノズルが短手方向に相対的に移動する。このとき、当該隙間で処理液に作用する毛細管現象により、スリット状の吐出口から引き出された処理液が基板の上面に塗布される。上記の移動中、ノズル内の処理液の圧力は第１の負の圧力に調整される。それにより、毛細管現象が発生しない状態で吐出口から処理液が漏れ出ること、および吐出口から過剰な量の処理液が漏れ出ることが防止される。
【0124】
また、上記の構成によれば、基板およびノズルが短手方向に相対的に移動した後、平面視で吐出口が基板の一部に重なる状態で、ノズル内の処理液の圧力が第２の負の圧力に調整される。また、ノズル先端部と基板との間の間隔が所定間隔よりも大きくなる。それにより、基板の一部およびその近傍に塗布された処理液のうち余剰の部分が、液柱を通して吐出口からノズル内に吸引され、基板とノズル先端部とをつなぐ液柱の断面が小さくなる。そのため、ノズル先端部と基板との間で液柱が分断される際に当該液柱の一部が基板上に流れる場合でも、その流動量が低減される。したがって、基板の上面上で、処理液の膜の厚さが局所的に大きくなることが低減される。
【0125】
これらの結果、処理液の無駄な消費を抑制しつつ基板上に塗布される処理液の膜の厚さを均一化することが可能になる。
【0126】
（第９項）第９項に係る基板処理方法は、
少なくとも一部が円形状の外周部を有する基板の上面に処理液の膜を形成する基板処理方法であって、
基板保持部により前記基板を保持するステップと、
一方向に延びるスリット状の吐出口が形成されたノズル先端部を有するノズルを用意するステップと、
前記ノズル先端部と前記基板との間に所定間隔以下の隙間が形成されかつ前記隙間に処理液が満たされる状態で、前記吐出口から前記基板の前記上面上に処理液を供給させつつ、前記基板および前記ノズルを前記短手方向に相対的に移動させる第１の移動ステップと、
前記第１の移動ステップが行われた後、前記基板の前記上面上に存在する処理液と前記ノズル先端部の外表面に付着する処理液とをつなぐ液柱が、前記吐出口の内部に存在する処理液に接する液接触状態から前記吐出口の内部に存在する処理液に接しない液非接触状態に移行するように、前記基板および前記ノズルをさらに前記短手方向に相対的に移動させる第２の移動ステップとを含む、基板処理方法。
少なくとも一部が円形状の外周部を有する基板の上面に処理液の膜を形成する基板処理方法であって、
基板保持部により前記基板を保持するステップと、
一方向に延びるスリット状の吐出口が形成されたノズル先端部を有するノズルを用意するステップと、
前記ノズル先端部と前記基板との間に所定間隔以下の隙間が形成されかつ前記隙間に処理液が満たされる状態で、前記吐出口から前記基板の前記上面上に処理液を供給させつつ、前記基板および前記ノズルを前記短手方向に相対的に移動させる第１の移動ステップと、
前記第１の移動ステップが行われた後、前記基板の前記上面上に存在する処理液と前記ノズル先端部の外表面に付着する処理液とをつなぐ液柱が、前記吐出口の内部に存在する処理液に接する液接触状態から前記吐出口の内部に存在する処理液に接しない液非接触状態に移行するように、前記基板および前記ノズルをさらに前記短手方向に相対的に移動させる第２の移動ステップとを含む、基板処理方法。
【0127】
その基板処理方法においては、第１の移動動作時に、スリット状の吐出口を有するノズルを用いて基板上の上面上に処理液が塗布される。したがって、処理液の無駄な消費が抑制される。
【0128】
第１の移動ステップ終了時点で、ノズル先端部と基板との間の隙間には処理液が満たされている。ノズル先端部と基板との間の距離が広がると、ノズル先端部の外表面上に付着する処理液と基板上に塗布された処理液との間に、液柱が形成される。液柱が液接触状態にある状態で分断されると、ノズル先端部と基板との間の隙間、ノズル先端部の外表面の物性、および処理液の表面張力等の関係によっては、ノズル内の処理液が吐出部から基板上に過剰に引き出される可能性がある。
【0129】
これに対して、上記の方法によれば、第２の移動ステップ時に、液柱が分断されることなく液接触状態から液非接触状態に移行する。そのため、第２の移動動作後に液柱が分断されても、その分断時にノズル内の処理液が吐出部から基板上に過剰に引き出されることがない。したがって、基板の上面上で処理液の膜の厚さが局所的に大きくなることが低減される。
【0130】
その結果、処理液の無駄な消費を抑制しつつ基板上に塗布される処理液の膜の厚さを均一化することが可能になる。
【0131】
（第１０項）第９項に記載の基板処理方法において、
前記第１の動作ステップにおいて前記基板の前記上面上に処理液が供給されることは、前記隙間で毛細管現象を発生させることにより前記ノズル内の処理液を前記吐出口から前記基板の前記上面上に引き出させることを含んでもよい。
前記第１の動作ステップにおいて前記基板の前記上面上に処理液が供給されることは、前記隙間で毛細管現象を発生させることにより前記ノズル内の処理液を前記吐出口から前記基板の前記上面上に引き出させることを含んでもよい。
【0132】
この場合、第１の移動ステップにおいて、ノズル先端部と基板との間の隙間で処理液に作用する毛細管現象により、スリット状の吐出口から引き出された処理液が基板の上面に塗布される。したがって、毛細管現象が作用しない状態でノズル内の処理液が吐出口から吐出されないように、ノズルを構成することができる。
【0133】
（第１１項）第１１項に係る基板処理方法は、
少なくとも一部が円形状の外周部を有する基板の上面に処理液の膜を形成する基板処理方法であって、
基板保持部により前記基板を保持するステップと、
一方向に延びるスリット状の吐出口が形成されたノズル先端部を有するノズルを用意するステップと、
前記ノズル内の処理液の圧力を予め定められた第１の負の圧力に調整する第１の圧力調整ステップと、
第１の圧力調整ステップが行われている間、前記基板保持部に保持された前記基板および前記ノズルのうち少なくとも一方を他方に対して上下方向に移動させることにより前記ノズル先端部と前記基板との間に所定間隔以下の隙間を形成する第１の隙間形成ステップと、
前記第１の圧力調整ステップおよび前記第１の隙間形成ステップが行われている間に、前記ノズル先端部と前記基板との間に形成された前記隙間に処理液が満たされる状態で、前記ノズル内の処理液が前記隙間に発生する毛細管現象により前記吐出口から前記基板の前記上面上に引き出されるように、前記基板および前記ノズルのうち少なくとも一方を他方に対して前記吐出口の長手方向に交差する短手方向に相対的に移動させる移動ステップと、
前記移動ステップの後、平面視で前記吐出口が前記基板の一部に重なる状態で、前記ノズル内の処理液の圧力を前記第１の負の圧力よりも低い第２の負の圧力に調整する第２の圧力調整ステップと、
第２の圧力調整ステップが行われている間、前記ノズル先端部と前記基板との間の間隔を前記所定間隔よりも大きい間隔に変更させる第２の隙間形成ステップとを含む、基板処理方法。
少なくとも一部が円形状の外周部を有する基板の上面に処理液の膜を形成する基板処理方法であって、
基板保持部により前記基板を保持するステップと、
一方向に延びるスリット状の吐出口が形成されたノズル先端部を有するノズルを用意するステップと、
前記ノズル内の処理液の圧力を予め定められた第１の負の圧力に調整する第１の圧力調整ステップと、
第１の圧力調整ステップが行われている間、前記基板保持部に保持された前記基板および前記ノズルのうち少なくとも一方を他方に対して上下方向に移動させることにより前記ノズル先端部と前記基板との間に所定間隔以下の隙間を形成する第１の隙間形成ステップと、
前記第１の圧力調整ステップおよび前記第１の隙間形成ステップが行われている間に、前記ノズル先端部と前記基板との間に形成された前記隙間に処理液が満たされる状態で、前記ノズル内の処理液が前記隙間に発生する毛細管現象により前記吐出口から前記基板の前記上面上に引き出されるように、前記基板および前記ノズルのうち少なくとも一方を他方に対して前記吐出口の長手方向に交差する短手方向に相対的に移動させる移動ステップと、
前記移動ステップの後、平面視で前記吐出口が前記基板の一部に重なる状態で、前記ノズル内の処理液の圧力を前記第１の負の圧力よりも低い第２の負の圧力に調整する第２の圧力調整ステップと、
第２の圧力調整ステップが行われている間、前記ノズル先端部と前記基板との間の間隔を前記所定間隔よりも大きい間隔に変更させる第２の隙間形成ステップとを含む、基板処理方法。
【0134】
その基板処理方法においては、ノズルと基板の上面との間に所定間隔以下の隙間が形成された状態で基板およびノズルが短手方向に相対的に移動する。このとき、当該隙間で処理液に作用する毛細管現象により、スリット状の吐出口から引き出された処理液が基板の上面に塗布される。上記の移動中、ノズル内の処理液の圧力は第１の負の圧力に調整される。それにより、毛細管現象が発生しない状態で吐出口から処理液が漏れ出ること、および吐出口から過剰な量の処理液が漏れ出ることが防止される。
【0135】
また、上記の構成によれば、基板およびノズルが短手方向に相対的に移動した後、平面視で吐出口が基板の一部に重なる状態で、ノズル内の処理液の圧力が第２の負の圧力に調整される。また、ノズル先端部と基板との間の間隔が所定間隔よりも大きくなる。それにより、基板の一部およびその近傍に塗布された処理液のうち余剰の部分が、液柱を通して吐出口からノズル内に吸引され、基板とノズル先端部とをつなぐ液柱の断面が小さくなる。そのため、ノズル先端部と基板との間で液柱が分断される際に当該液柱の一部が基板上に流れる場合でも、その流動量が低減される。したがって、基板の上面上で、処理液の膜の厚さが局所的に大きくなることが低減される。
【0136】
これらの結果、処理液の無駄な消費を抑制しつつ基板上に塗布される処理液の膜の厚さを均一化することが可能になる。
【0137】
上記の実施形態に係る基板処理装置および基板処理方法によれば、処理液の無駄な消費が抑制されるので、多量な処理液を生成する必要がない。したがって、処理液に起因する地球環境の汚染の低減に寄与することができる。
【符号の説明】
【0138】
１…基板処理装置，１１…前面，１２…後面，１３ａ…基板対向面，１３ｂ…前傾斜面，１３ｃ…後傾斜面，１４…吐出口，１５…液流路，１６…貯留部，１００…塗布装置，１１０…制御部，１１１…ノズル移動制御部，１１２…吐出制御部，１１３…プレート制御部，１１４…条件設定部，１２０…ステージ支持体，１２１…ガイドレール，１３０…ステージ装置，１３１…プレート部材，１３２…プレート調整部，１３３…支持ピン，１３４…ピン昇降駆動部，１３５…吸引駆動部，１４０…ノズル支持体，１４１…Ｘ方向駆動部，１４２…Ｚ方向駆動部，１５０…ノズル装置，１５１…ノズルブロック，１６０…処理液供給系，１６１…バルブ，１６２…処理液タンク，１６３…圧力調整部，１９０…操作部，ＬＣ…液柱，ＰＩ…配管，ＶＬ…仮想線，Ｗ…基板，ｈ０１，ｈ０２…高さ位置，ｐ１０…初期位置，ｐ１１…第１の位置，ｐ１２…第２の位置，ｐ１３…第３の位置，ｔａ…一端部，ｔｂ…他端部，ｗｐ１…後端部，ｗｐ２…中心部，ｗｐ３…前端部，ｗｐ４…周縁停止部
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】