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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024127718
(43)【公開日】2024-09-20
(54)【発明の名称】電子部品
(51)【国際特許分類】
H01G 4/30 20060101AFI20240912BHJP
H01G 2/06 20060101ALI20240912BHJP
H01G 4/228 20060101ALI20240912BHJP
H01F 27/29 20060101ALI20240912BHJP
H10N 30/88 20230101ALI20240912BHJP
H10N 30/87 20230101ALI20240912BHJP
H10N 30/853 20230101ALI20240912BHJP
H10N 30/50 20230101ALI20240912BHJP
【ＦＩ】
H01G4/30 201H
H01G2/06 500
H01G4/30 513
H01G2/06 B
H01G4/228 A
H01G4/228 B
H01G4/228 W
H01F27/29 125
H10N30/88
H10N30/87
H10N30/853
H10N30/50
【審査請求】未請求
【請求項の数】13
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023176749
(22)【出願日】2023-10-12
(31)【優先権主張番号】10-2023-0029934
(32)【優先日】2023-03-07
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(71)【出願人】
【識別番号】594023722
【氏名又は名称】サムソン エレクトロ－メカニックス カンパニーリミテッド．
(74)【代理人】
【識別番号】100108453
【弁理士】
【氏名又は名称】村山 靖彦
(74)【代理人】
【識別番号】100110364
【弁理士】
【氏名又は名称】実広 信哉
(72)【発明者】
【氏名】金 相▲ヨプ▼
(72)【発明者】
【氏名】田 起熏
(72)【発明者】
【氏名】趙 範俊
【テーマコード（参考）】
5E001
5E070
5E082
【Ｆターム（参考）】
5E001AB03
5E001AC04
5E001AC10
5E001AD04
5E001AE01
5E001AE02
5E001AE03
5E001AE04
5E001AF01
5E001AF02
5E001AF03
5E001AF06
5E001AJ03
5E070AA01
5E070AB01
5E070DB02
5E070EA02
5E082AA01
5E082AB03
5E082EE04
5E082EE05
5E082EE23
5E082EE35
5E082FF05
5E082FG03
5E082FG26
5E082GG03
5E082GG05
5E082GG08
5E082GG10
5E082PP09
(57)【要約】 （修正有）
【課題】基板実装時に積層セラミックキャパシタのたわみクラックの発生を防ぎ、堅固に支持する金属フレームを含む電子部品を提供する。
【解決手段】電子部品１００は、積層セラミックキャパシタ１０並びに第１金属フレーム１８及び第２金属フレーム１９を含む。第１金属フレーム１８は、第１接続部１８１、第１支持部１８３、第１連結部１８５及び第１基底部１８７を含む。第１接続部１８１は、第１外部電極１３の、内部電極と連結する第１全面部に接合され、セラミック本体１２の厚さ方向Ｔに延在し、第１導電性接合層１５１により第１外部電極１３に接合される。第１支持部１８３は、第１接続部１８１の下端でセラミック本体１２の長さ方向に沿って延在して第１外部電極１３を支持する。第１支持部１８３と第１外部電極１３とが接する部分には、別途の接合部材が備えられない。つまり、第１支持部１８３と第１外部電極１３とは互いに直接接触する。
【選択図】図３
【解決手段】電子部品１００は、積層セラミックキャパシタ１０並びに第１金属フレーム１８及び第２金属フレーム１９を含む。第１金属フレーム１８は、第１接続部１８１、第１支持部１８３、第１連結部１８５及び第１基底部１８７を含む。第１接続部１８１は、第１外部電極１３の、内部電極と連結する第１全面部に接合され、セラミック本体１２の厚さ方向Ｔに延在し、第１導電性接合層１５１により第１外部電極１３に接合される。第１支持部１８３は、第１接続部１８１の下端でセラミック本体１２の長さ方向に沿って延在して第１外部電極１３を支持する。第１支持部１８３と第１外部電極１３とが接する部分には、別途の接合部材が備えられない。つまり、第１支持部１８３と第１外部電極１３とは互いに直接接触する。
【選択図】図３
【特許請求の範囲】
【請求項1】
予め設定されたサイズの長さ、幅、および厚さを有するセラミック本体と、
前記セラミック本体の長さ方向に沿って互いに離隔した両端部面にそれぞれ備えられる第１および第２外部電極と、
前記第１外部電極に接合される第１接続部、前記第１接続部から前記セラミック本体の長さ方向に沿って延在して前記第１外部電極を支持する第１支持部、前記第１支持部に平行な第１基底部、および前記第１支持部と前記第１基底部を連結する第１連結部を含む第１金属フレームと、
前記第２外部電極に接合される第２接続部、前記第２接続部から前記セラミック本体の長さ方向に沿って延在して前記第２外部電極を支持する第２支持部、前記第２支持部に平行な第２基底部、および前記第２支持部と前記第２基底部を連結する第２連結部を含む第２金属フレームと、
を含み、
前記第１連結部は、前記セラミック本体の長さ方向に沿った前記第１支持部の一端部から離隔した地点に連結され、
前記第２連結部は、前記セラミック本体の長さ方向に沿った前記第２支持部の一端部から離隔した地点に連結される電子部品。
前記セラミック本体の長さ方向に沿って互いに離隔した両端部面にそれぞれ備えられる第１および第２外部電極と、
前記第１外部電極に接合される第１接続部、前記第１接続部から前記セラミック本体の長さ方向に沿って延在して前記第１外部電極を支持する第１支持部、前記第１支持部に平行な第１基底部、および前記第１支持部と前記第１基底部を連結する第１連結部を含む第１金属フレームと、
前記第２外部電極に接合される第２接続部、前記第２接続部から前記セラミック本体の長さ方向に沿って延在して前記第２外部電極を支持する第２支持部、前記第２支持部に平行な第２基底部、および前記第２支持部と前記第２基底部を連結する第２連結部を含む第２金属フレームと、
を含み、
前記第１連結部は、前記セラミック本体の長さ方向に沿った前記第１支持部の一端部から離隔した地点に連結され、
前記第２連結部は、前記セラミック本体の長さ方向に沿った前記第２支持部の一端部から離隔した地点に連結される電子部品。
【請求項2】
前記第１連結部は、前記セラミック本体の長さ方向に沿った前記第１基底部の一端部に連結され、
前記第２連結部は、前記セラミック本体の長さ方向に沿った前記第２基底部の一端部に連結される、請求項１に記載の電子部品。
前記第２連結部は、前記セラミック本体の長さ方向に沿った前記第２基底部の一端部に連結される、請求項１に記載の電子部品。
【請求項3】
前記第１基底部は、一端部から前記セラミック本体の長さ方向に沿って前記第１接続部側に延在し、
前記第２基底部は、一端部から前記セラミック本体の長さ方向に沿って前記第２接続部側に延在する、請求項２に記載の電子部品。
前記第２基底部は、一端部から前記セラミック本体の長さ方向に沿って前記第２接続部側に延在する、請求項２に記載の電子部品。
【請求項4】
前記第１金属フレームの第１連結部と前記第２金属フレームの第２連結部とは、前記セラミック本体の長さ方向に沿って第１距離（Ａ）だけ互いに離隔される、請求項１に記載の電子部品。
【請求項5】
前記第１金属フレームの第１支持部と前記第２金属フレームの第２支持部とは、前記セラミック本体の長さ方向に沿って第２距離（Ｂ）だけ互いに離隔される、請求項４に記載の電子部品。
【請求項6】
前記第１距離（Ａ）は、前記第２距離（Ｂ）と同じかまたは第２距離（Ｂ）より大きい、請求項５に記載の電子部品。
【請求項7】
前記第１外部電極は、前記第１金属フレームの第１支持部に接触する第１バンド部を含み、
前記第２外部電極は、前記第２金属フレームの第２支持部に接触する第２バンド部を含む、請求項４に記載の電子部品。
前記第２外部電極は、前記第２金属フレームの第２支持部に接触する第２バンド部を含む、請求項４に記載の電子部品。
【請求項8】
前記第２距離（Ｂ）は、前記セラミック本体の長さの１０％以上であり、前記第１バンド部と前記第２バンド部との間の距離（Ｇ）より小さい、請求項７に記載の電子部品。
【請求項9】
前記第１支持部の長さ（Ｆ）は、前記セラミック本体の長さ方向に沿った前記第１支持部の両端部間の距離であり、
第３距離（Ｃ）は、前記セラミック本体の長さ方向に沿った前記第１支持部の両端部のうち、前記第１接続部の反対側端部から前記第１連結部が前記第１支持部に連結される地点までの距離であり、
第４距離（Ｅ）は、前記セラミック本体の長さ方向に沿った前記第１接続部の外周面のうち、前記セラミック本体からより遠い外周面またはその仮想の延長面から前記第１連結部が前記第１支持部に連結される地点までの距離であり、
前記第４距離（Ｅ）は、前記セラミック本体の長さの１０％以上であり、前記第１支持部の長さ（Ｆ）より小さい、請求項１に記載の電子部品。
第３距離（Ｃ）は、前記セラミック本体の長さ方向に沿った前記第１支持部の両端部のうち、前記第１接続部の反対側端部から前記第１連結部が前記第１支持部に連結される地点までの距離であり、
第４距離（Ｅ）は、前記セラミック本体の長さ方向に沿った前記第１接続部の外周面のうち、前記セラミック本体からより遠い外周面またはその仮想の延長面から前記第１連結部が前記第１支持部に連結される地点までの距離であり、
前記第４距離（Ｅ）は、前記セラミック本体の長さの１０％以上であり、前記第１支持部の長さ（Ｆ）より小さい、請求項１に記載の電子部品。
【請求項10】
前記第３距離（Ｃ）は、前記第４距離（Ｅ）より小さい、請求項９に記載の電子部品。
【請求項11】
前記第２支持部の長さ（Ｆ’）は、前記セラミック本体の長さ方向に沿った前記第２支持部の両端部間の距離であり、
第３距離（Ｃ’）は、前記セラミック本体の長さ方向に沿った前記第２支持部の両端部のうち、前記第２接続部の反対側端部から前記第２連結部が前記第２支持部に連結される地点までの距離であり、
第４距離（Ｅ’）は、前記セラミック本体の長さ方向に沿った前記第２接続部の外周面のうち、前記セラミック本体からより遠い外周面またはその仮想の延長面から前記第２連結部が前記第２支持部に連結される地点までの距離であり、
前記第４距離（Ｅ’）は、前記セラミック本体の長さの１０％以上であり、前記第２支持部の長さ（Ｆ’）より小さい、請求項１に記載の電子部品。
第３距離（Ｃ’）は、前記セラミック本体の長さ方向に沿った前記第２支持部の両端部のうち、前記第２接続部の反対側端部から前記第２連結部が前記第２支持部に連結される地点までの距離であり、
第４距離（Ｅ’）は、前記セラミック本体の長さ方向に沿った前記第２接続部の外周面のうち、前記セラミック本体からより遠い外周面またはその仮想の延長面から前記第２連結部が前記第２支持部に連結される地点までの距離であり、
前記第４距離（Ｅ’）は、前記セラミック本体の長さの１０％以上であり、前記第２支持部の長さ（Ｆ’）より小さい、請求項１に記載の電子部品。
【請求項12】
前記第３距離（Ｃ’）は、前記第４距離（Ｅ’）より小さい、請求項１０に記載の電子部品。
【請求項13】
前記第１接続部は、第１導電性接合層により前記第１外部電極に接合され、
前記第２接続部は、第２導電性接合層により前記第２外部電極に接合される、請求項１に記載の電子部品。
前記第２接続部は、第２導電性接合層により前記第２外部電極に接合される、請求項１に記載の電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、電子部品に関する。
【背景技術】
【0002】
セラミック材料を使用する電子部品としてキャパシタ、インダクタ、圧電素子、バリスタまたはサーミスタなどがある。このようなセラミック電子部品のうち積層セラミックキャパシタ（Ｍｕｌｔｉｌａｙｅｒ Ｃｅｒａｍｉｃ Ｃａｐａｃｉｔｏｒ、ＭＬＣＣ）は、小型でありながら、高容量が保障され、実装が容易であるという長所により多様な電子装置に使用することができる。
【0003】
例えば、積層セラミックキャパシタは、液晶表示装置（ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ ｄｉｓｐｌａｙ、ＬＣＤ）、プラズマ表示装置パネル（ｐｌａｓｍａ ｄｉｓｐｌａｙ ｐａｎｅｌ、ＰＤＰ）、有機発光ダイオード（ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ－ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ、ＯＬＥＤ）などの映像機器、コンピュータ、個人携帯用端末およびスマートフォンのような多くの電子製品の基板に装着されて電気を充電させたり放電させたりする役割を果たすチップ形態のコンデンサに使用することができる。
【0004】
最近は、環境にやさしい自動車および電気自動車が急速に拡大し、自動車内部の電力駆動システムに対する重要度が増加しており、そのため、電力駆動システムに必要な積層セラミックキャパシタの需要も増加している。
【0005】
積層セラミックキャパシタが自動車用部品として使用されるためには、高い水準の熱信頼性、電気的信頼性および機械的信頼性が要求される。特に、自動車内部の部品実装密度が増加することに伴い、限定された空間に設置が容易であると共に、高容量の実現が可能であり、振動および変形に対する耐久性に優れた積層型キャパシタが要求されている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
実施形態の一側面の目的は、基板実装時に積層セラミックキャパシタのたわみクラックの発生の可能性を低くした電子部品を提供することにある。
実施形態の他の側面の目的は、積層セラミックキャパシタを堅固に支持することができる金属フレームを含む電子部品を提供することにある。
しかし、本発明の実施形態が解決しようとする課題は、前述した課題に限定されず、本発明に含まれている技術的な思想の範囲で多様に拡張され得る。
実施形態の他の側面の目的は、積層セラミックキャパシタを堅固に支持することができる金属フレームを含む電子部品を提供することにある。
しかし、本発明の実施形態が解決しようとする課題は、前述した課題に限定されず、本発明に含まれている技術的な思想の範囲で多様に拡張され得る。
【課題を解決するための手段】
【0007】
一実施形態による電子部品は、予め設定されたサイズの長さ、幅、および厚さを有するセラミック本体と、前記セラミック本体の長さ方向に沿って互いに離隔した両端部面にそれぞれ備えられる第１および第２外部電極と、前記第１外部電極に接合される第１接続部、前記第１接続部から前記セラミック本体の長さ方向に沿って延在して前記第１外部電極を支持する第１支持部、前記第１支持部に平行な第１基底部、および前記第１支持部と前記第１基底部を連結する第１連結部を含む第１金属フレームと、前記第２外部電極に接合される第２接続部、前記第２接続部から前記セラミック本体の長さ方向に沿って延在して前記第２外部電極を支持する第２支持部、前記第２支持部に平行な第２基底部、および前記第２支持部と前記第２基底部を連結する第２連結部を含む第２金属フレームと、を含み、前記第１連結部は、前記セラミック本体の長さ方向に沿った前記第１支持部の一端部から離隔した地点に連結され、前記第２連結部は、前記セラミック本体の長さ方向に沿った前記第２支持部の一端部から離隔した地点に連結され得る。
【0008】
また、前記第１連結部は、前記セラミック本体の長さ方向に沿った前記第１基底部の一端部に連結され、前記第２連結部は、前記セラミック本体の長さ方向に沿った前記第２基底部の一端部に連結され得る。
【0009】
また、前記第１基底部は、一端部から前記セラミック本体の長さ方向に沿って前記第１接続部側に延在し、前記第２基底部は、一端部から前記セラミック本体の長さ方向に沿って前記第２接続部側に延在することができる。
【0010】
また、前記第１金属フレームの第１連結部と前記第２金属フレームの第２連結部とは、前記セラミック本体の長さ方向に沿って第１距離Ａだけ互いに離隔され得る。
【0011】
前記第１金属フレームの第１支持部と前記第２金属フレームの第２支持部とは、前記セラミック本体の長さ方向に沿って第２距離Ｂだけ互いに離隔され得る。
【0012】
前記第１距離Ａは、前記第２距離Ｂと同じかまたは第２距離Ｂより大きくてもよい。
【0013】
また、前記第１外部電極は、前記第１金属フレームの第１支持部に接触する第１バンド部を含み、前記第２外部電極は、前記第２金属フレームの第２支持部に接触する第２バンド部を含むことができる。
【0014】
また、前記第２距離Ｂは、前記セラミック本体の長さの１０％以上であり、前記第１バンド部と前記第２バンド部との間の距離Ｇより小さくてもよい。
【0015】
また、前記第１支持部の長さＦは、前記セラミック本体の長さ方向に沿った前記第１支持部の両端部間の距離であり、第３距離Ｃは、前記セラミック本体の長さ方向に沿った前記第１支持部の両端部のうち、前記第１接続部の反対側端部から前記第１連結部が前記第１支持部に連結される地点までの距離であり、第４距離Ｅは、前記セラミック本体の長さ方向に沿った前記第１接続部の外周面のうち、前記セラミック本体からより遠い外周面またはその仮想の延長面から前記第１連結部が前記第１支持部に連結される地点までの距離であり、第４距離Ｅは、前記セラミック本体の長さの１０％以上であり、前記第１支持部の長さＦより小さくてもよい。
【0016】
また、前記第３距離Ｃは、前記第４距離Ｅより小さくてもよい。
【0017】
また、前記第２支持部の長さＦ’は、前記セラミック本体の長さ方向に沿った前記第２支持部の両端部間の距離であり、第３距離Ｃ’は、前記セラミック本体の長さ方向に沿った前記第２支持部の両端部のうち、前記第２接続部の反対側端部から前記第２連結部が前記第２支持部に連結される地点までの距離であり、第４距離Ｅ’は、前記セラミック本体の長さ方向に沿った前記第２接続部の外周面のうち、前記セラミック本体からより遠い外周面またはその仮想の延長面から前記第２連結部が前記第２支持部に連結される地点までの距離であり、第４距離Ｅ’は、前記セラミック本体の長さの１０％以上であり、前記第２支持部の長さＦ’より小さくてもよい。
【0018】
また、前記第３距離Ｃ’は、前記第４距離Ｅ’より小さくてもよい。
【0019】
また、前記第１接続部は、第１導電性接合層により前記第１外部電極に接合され、前記第２接続部は、第２導電性接合層により前記第２外部電極に接合され得る。
【発明の効果】
【0020】
実施形態における電子部品によれば、積層セラミックキャパシタの外部電極に金属フレームを接合して外部からのストレスを低減することによって、たわみクラックの発生の可能性を低くすることができる。
【0021】
また、実施形態における電子部品によれば、積層セラミックキャパシタを金属フレームが堅固に支持することによって不良の発生を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【0022】
【図1】一実施形態に適用される積層セラミックキャパシタを概略的に示した斜視図である。
【図3】一実施形態における電子部品を概略的に示した斜視図である。
【図6】他の実施形態における電子部品を概略的に示した断面図である。
【図7】また他の実施形態における電子部品を概略的に示した断面図である。
【図8】金属フレームの連結部の位置におけるたわみ強度ピーク（ｐｅａｋ）の発生を比較して示すグラフである。
【図9】金属フレームの連結部の位置における等価直列抵抗（ＥＳＲ）測定値を比較して示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【0023】
以下、添付した図面を参照して本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施することができるように本発明の実施形態を詳しく説明する。図面において、本発明を明確に説明するために、説明上不要な部分は省略し、明細書全体にわたって同一または類似の構成要素については同一の参照符号を付した。また、添付図面において一部の構成要素は誇張され、省略され、または概略的に図示されており、各構成要素の大きさは実際の大きさを全面的に反映するものではない。
【0024】
添付した図面は、本明細書に開示された実施形態を容易に理解できるようにするためのものに過ぎず、添付した図面により本明細書に開示された技術的な思想が制限されず、本発明の思想および技術範囲に含まれる全ての変更、均等物乃至代替物を含むものと理解されなければならない。
【0025】
第１、第２などのように序数を含む用語は、多様な構成要素を説明することに使用され得るが、前記構成要素は前記用語により限定されない。前記用語は一つの構成要素を他の構成要素から区別する目的のみで使用される。
【0026】
また、層、膜、領域、板などの部分が他の部分の「上」にあるという時、これは他の部分の「直上」にある場合だけでなく、その中間にまた他の部分がある場合も含む。反対に、ある部分が他の部分の「直上」にあるという時には、中間にまた他の部分がないことを意味する。また、基準となる部分の「上」にあるということは、基準となる部分の上または下に位置することであり、必ずしも重力反対方向に向かって「上」に位置することを意味するのではない。
【0027】
明細書全体において、「含む」または「有する」などの用語は、明細書上に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品またはこれらを組み合わせたものが存在することを指定しようとするものであり、一つまたはそれ以上の他の特徴や数字、段階、動作、構成要素、部品またはこれらを組み合わせたものの存在または付加可能性を予め排除しないものと理解されなければならない。したがって、ある部分がある構成要素を「含む」という時、これは特に反対になる記載がない限り、他の構成要素を除くのではなく、他の構成要素をさらに含むことができることを意味する。
【0028】
また、明細書全体において、「平面上」という時、これは対象部分を上方から見た時を意味し、「断面上」という時、これは対象部分を垂直に切断した断面を側方から見た時を意味する。
【0029】
また、明細書全体において、「連結される」という時、これは二つ以上の構成要素が直接的に連結されることだけを意味するのではなく、二つ以上の構成要素が他の構成要素を通じて間接的に連結されること、物理的に連結されることだけでなく、電気的に連結されること、または位置や機能により相異なる名称で称されたが一体であることを意味し得る。
【0030】
【0031】
【0032】
セラミック本体１２は、複数の誘電体層１２４を厚さ方向Ｔに積層した後に焼成して形成され得る。ここで、セラミック本体１２の互いに隣接する複数の誘電体層１２４のそれぞれは、互いに境界が不明確な状態で一体化され得る。例えばセラミック本体１２の互いに隣接するそれぞれの誘電体層１２４の間の境界は、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ：Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を利用せずには確認し難い程度に一体化され得る。
【0033】
セラミック本体１２は、互いに交差する方向に沿って予め設定されたサイズの長さ、幅、および厚さを有するほぼ六面体形状からなることができるが、本発明はこれに限定されるのではない。例えばセラミック本体１２は、ほぼ直六面体形状であるが、角部や頂点に該当する部分が丸い形状であり得る。
【0034】
本実施形態では、説明の便宜のために、セラミック本体１２の誘電体層１２４が積層された厚さ方向Ｔの互いに向き合う面を上面１２１および下面１２２と定義し、上面１２１と下面１２２とを連結するセラミック本体１２の長さ方向Ｌの互いに向き合う面を第１および第２端部面１２８、１２９と定義し、第１および第２端部面１２８、１２９と垂直に交差する幅方向Ｗの互いに向き合う面を第１および第２側面１２６、１２７と定義する。
【0035】
一方、セラミック本体１２内でセラミック本体１２の厚さ方向Ｔに沿って複数の第１および第２内部電極２１、２２の外側かつ両側に第１および第２カバー層１２３、１２５がそれぞれ配置され得る。
【0036】
つまり、セラミック本体１２内で最上部にある内部電極の上部に所定厚さの第１カバー層１２３が備えられ、最下部にある内部電極の下部に第２カバー層１２５が備えられ得る。第１カバー層１２３および第２カバー層１２５は、誘電体層１２４と同一の組成を有することができ、内部電極を含まない誘電体層をセラミック本体１２の最上部の内部電極の上部と、最下部の内部電極の下部とにそれぞれ１個以上積層して形成され得る。
【0037】
第１および第２カバー層１２３、１２５は、物理的または化学的ストレスによる第１および第２内部電極２１、２２の損傷を防止する役割をもつ。
【0038】
誘電体層１２４は、高誘電率のセラミック材料を含むことができる。例えば、セラミック材料は、ＢａＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３、またはＣａＺｒＯ３などの成分を含む誘電体セラミックを含むことができる。また、これら成分にＭｎ化合物、Ｆｅ化合物、Ｃｒ化合物、Ｃｏ化合物、Ｎｉ化合物などの補助成分をさらに含むことができる。例えば、誘電体層は、ＢａＴｉＯ３にＣａ（カルシウム）、Ｚｒ（ジルコニウム）などが一部固溶された（Ｂａ１－ｘＣａｘ）ＴｉＯ３、Ｂａ（Ｔｉ１－ｙＣａｙ）Ｏ３、（Ｂａ１－ｘＣａｘ）（Ｔｉ１－ｙＺｒｙ）Ｏ３またはＢａ（Ｔｉ１－ｙＺｒｙ）Ｏ３などがあるが、本発明はこれに限定されるのではない。
【0039】
また誘電体層１２４にはセラミック添加剤、有機溶剤、可塑剤、結合剤および分散剤のうちの一つ以上がさらに含まれ得る。セラミック添加剤は、例えば、遷移金属酸化物または炭化物、希土類元素、マグネシウム（Ｍｇ）またはアルミニウム（Ａｌ）などであり得る。
【0040】
一例として、誘電体層１２４の平均厚さは、０．５μｍ乃至１０μｍであり得るが、本発明はこれに限定されるのではない。
【0041】
第１および第２外部電極１３、１４は、導電性金属を含む導電性ペーストにより形成され得る。第１および第２外部電極１３、１４は、例えばセラミック本体を導電性ペーストにディッピング（ｄｉｐｐｉｎｇ）する方式で形成され得る。導電性金属は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）またはこれらの合金を含むことができるが、本発明はこれに限定されるのではない。
【0042】
第１および第２外部電極１３、１４は、セラミック本体１２の長さ方向Ｌの両端部に配置され、第１および第２全面部１３１、１４１と第１バンド部１３３、１４３および第２バンド部１３５、１４５をそれぞれ含む。
【0043】
第１全面部１３１は、セラミック本体１２の長さ方向Ｌの第１端部面１２８を覆い、第１および第２内部電極２１、２２の露出した端部と接続されて電気的に連結される部分である。
【0044】
第２全面部１４１は、セラミック本体１２の長さ方向Ｌの第２端部面１２９を覆い、第１および第２内部電極２１、２２の露出した端部とそれぞれ接続されて電気的に連結される部分である。
【0045】
第１バンド部１３３、１４３は、第１および第２全面部１３１、１４１からセラミック本体１２の長さ方向Ｌに沿って延在し、セラミック本体１２の上面１２１のうちセラミック本体１２の両端部側一部と第１および２側面１２６、１２７のうちセラミック本体１２の両端部側一部とを覆うことができる。
【0046】
第２バンド部１３５、１４５は、第１および第２全面部１３１、１４１からセラミック本体１２の長さ方向Ｌに沿って延在し、セラミック本体１２の下面１２２のうちセラミック本体１２の両端部側一部とセラミック本体１２の第１および第２側面１２６、１２７のうちセラミック本体１２の両端部側一部とを覆うことができる。
【0047】
第１および第２外部電極１３、１４は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）またはこれらの合金を含むことができる。一方、第１および第２外部電極１３、１４は、複数の層を含むことができる。例えば、第１および第２外部電極１３、１４は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル／銅（Ｎｉ／Ｃｕ）、パラジウム／ニッケル（Ｐｄ／Ｎｉ）、パラジウム／ニッケル／銅（Ｐｄ／Ｎｉ／Ｃｕ）、銅／ニッケル／銅（Ｃｕ／Ｎｉ／Ｃｕ）形態の組み合わせからなることができる。
【0048】
場合によっては、第１および第２外部電極１３、１４の最外側層をスズ（Ｓｎ）メッキ層から構成することもできる。スズメッキ層は、相対的に低い溶融点を有するため、第１および第２外部電極１３、１４の基板実装の容易性を向上させることができる。
【0049】
一般的に、スズメッキ層は、スズ（Ｓｎ）－銅（Ｃｕ）－銀（Ａｇ）合金ペーストを含むはんだ（ｓｏｌｄｅｒ）を通じて基板上の電極パッドに結合され得る。つまり、スズメッキ層は、熱処理（ｒｅｆｌｏｗ）工程時に、はんだと互いに溶融して結合され得る。
【0050】
複数の第１および第２内部電極２１、２２は、誘電体層１２４を介して交互に積層される。第１および第２内部電極２１、２２は、誘電体層１２４を形成するセラミックシート上に形成されて積層された後、焼成により一つの誘電体層１２４を間においてセラミック本体１２内部に厚さ方向Ｔに交互に配置され得る。このような第１および第２内部電極２１、２２は、互いに異なる極性を有する電極であって、誘電体層１２４の積層方向に沿って互いに対向するように配置され、中間に配置された誘電体層１２４により互いに電気的に絶縁され得る。
【0051】
第１および第２内部電極２１、２２は、誘電体層１２４を間において互いに長さ方向にずらして配置され、その一端がセラミック本体１２の長さ方向Ｌの第１および第２端部面１２８、１２９を通じてそれぞれ露出する。このようにセラミック本体１２の長さ方向の第１および第２端部面１２８、１２９を通じて交互に露出した第１および第２内部電極２１、２２の端部は、セラミック本体１２の長さ方向Ｌの第１および第２端部面１２８、１２９で、第１および第２外部電極１３、１４の第１および第２全面部１３１、１４１とそれぞれ接続されて電気的に連結され得る。また、第１および第２内部電極２１、２２は、導電性金属から形成され、例えばニッケル（Ｎｉ）またはニッケル（Ｎｉ）合金などを含むことができるが、本発明はこれに限定されるのではない。
【0052】
前記のような構成により、第１および第２外部電極１３、１４に所定の電圧を印加すると互いに対向する第１および第２内部電極２１、２２の間に電荷が蓄積される。このとき、積層セラミックキャパシタ１０の静電容量は、誘電体層１２４の積層方向に沿って互いに重なる第１および第２内部電極２１、２２の重なった（ｏｖｅｒｌａｐ）面積に比例する。
【0053】
【0054】
【0055】
積層セラミックキャパシタ１０は、前述したため、それに関する説明は省略する。
【0056】
第１金属フレーム１８は、第１接続部１８１、第１支持部１８３、第１連結部１８５および第１基底部１８７を含む。
【0057】
第１接続部１８１は、第１外部電極１３の第１全面部１３１に接合され、セラミック本体１２の厚さ方向Ｔに延在する。一例として第１接続部１８１は、厚さが均一な板状部材であり得る。
【0058】
第１接続部１８１は、第１導電性接合層１５１により第１外部電極１３に接合される。第１導電性接合層１５１は、高温はんだ（ｓｏｌｄｅｒ）または導電性接合部材などからなることができるが、本発明はこれに限定されるのではない。
【0059】
第１支持部１８３は、第１接続部１８１の下端でセラミック本体１２の長さ方向Ｌに沿って延在して第１外部電極１３を支持する。第１支持部１８３と第１外部電極１３とが接する部分には、別途の接合部材が備えられない。つまり、第１支持部１８３と第１外部電極１３とは互いに直接接触することができる。
【0060】
積層セラミックキャパシタを基板に実装した後、基板がたわむと、外部電極の周縁とセラミック本体とが接する部位付近でたわみクラック（ｆｌｅｘ ｃｒａｃｋ）が発生することがある。しかし、本実施形態でのように第１支持部１８３が第１外部電極１３を支持する構造になると、たわみクラックが発生する可能性がある部位を保護することができる。したがって、本実施形態によれば、たわみクラックの発生の可能性を低くすることができる。
【0061】
一方、電子部品が温度サイクル（ｃｙｃｌｅ）評価で高温と低温環境に反復的に晒されると、金属フレームと積層セラミックキャパシタの外部電極とを接合する導電性接合層の接合力が弱くなって、金属フレームが積層セラミックキャパシタの外部電極から分離されることもある。しかし、本実施形態でのように第１支持部１８３が第１外部電極１３を支持する構造では、導電性接合層１５１の接合力が弱くなっても金属フレーム１８が外部電極１３から分離される可能性を低くすることができる。後述する第２支持部１９３も第１支持部１８３と同じ方式で第２外部電極１４を支持するため、同一の効果を有する。
【0062】
第１連結部１８５は、第１支持部１８３からセラミック本体１２の厚さ方向Ｔに沿って延在して、第１支持部１８３と第１基底部１８７とを連結する。第１連結部１８５は、セラミック本体１２の長さ方向Ｌに沿った第１基底部１８７の一端部に連結され、第１基底部１８７は、一端部からセラミック本体１２の長さ方向Ｌに沿ってセラミック本体１２の端部面１２８方向に延在する。
【0063】
第１基底部１８７は、第１支持部１８３に対して平行になり得る。つまり、第１基底部１８７は、セラミック本体１２の長さ方向Ｌに沿って延在することができる。
【0064】
第２金属フレーム１９は、第２接続部１９１、第２支持部１９３、第２連結部１９５および第２基底部１９７を含む。
【0065】
第２接続部１９１は、第２外部電極１４の第２全面部１４１に接合され、セラミック本体１２の厚さ方向Ｔに延在する。一例として第２接続部１９１は、厚さが均一な板状部材であり得る。
【0066】
第２接続部１９１は、第２導電性接合層１５３により第２外部電極１４に接合される。第２導電性接合層１５３は、高温はんだ（ｓｏｌｄｅｒ）または導電性接合部材などからなることができるが、本発明はこれに限定されるのではない。
【0067】
第２支持部１９３は、第２接続部１９１の下端でセラミック本体１２の長さ方向Ｌに沿って延在して第２外部電極１４を支持する。第２支持部１９３と第２外部電極１４とが接する部分には、別途の接合部材が備えられない。つまり、第２支持部１９３と第２外部電極１４とは互いに直接接触することができる。
【0068】
第２連結部１９５は、第２支持部１９３からセラミック本体１２の厚さ方向Ｔに沿って延在して第２支持部１９３と第２基底部１９７とを連結する。第２連結部１９５は、第２基底部１９７の一端部に連結され、第２基底部１９７は、一端部からセラミック本体１２の長さ方向Ｌに沿ってセラミック本体１２の端部面１２９方向に延在する。
【0069】
第２基底部１９７は、第２支持部１９３に対して平行になり得る。つまり、第２基底部１９７は、セラミック本体１２の長さ方向Ｌに沿って延在することができる。
【0070】
第１金属フレーム１８の第１連結部１８５と第２金属フレーム１９の第２連結部１９５とは、セラミック本体１２の長さ方向Ｌに沿って第１距離Ａだけ互いに離隔することができる。
【0071】
第１金属フレーム１８の第１支持部１８３と第２金属フレーム１９の第２支持部１９３とは、セラミック本体１２の長さ方向Ｌに沿って第２距離Ｂだけ互いに離隔することができる。ここで、第２距離Ｂは、セラミック本体１２の長さＬ０の１０％以上であり得る。第２距離Ｂがセラミック本体１２の長さＬの１０％未満であればアーク（ａｒｃ）放電の電流値が高くなるため、焼損され得る。
【0072】
第２距離Ｂは、第１外部電極１３の第１バンド部１３５と第２外部電極１４の第２バンド部１４５との間の距離Ｇより小さくてもよい。第２距離Ｂが距離Ｇより大きければ金属フレームが外部電極を十分に保護し難いこともある。
【0073】
ここで、第１距離Ａは、第２距離Ｂと同じかまたは第２距離Ｂより大きくてもよい。
【0074】
一方、第１距離Ａと、第１金属フレーム１８の第１支持部１８３および第１基底部１８７の間隔Ｄとの比（Ａ／Ｄ）により電子部品１００の特性が変化することができる。ここで間隔Ｄは、セラミック本体１２の厚さ方向Ｔに沿った第１基底部１８７の両面のうち、第１支持部１８３からより遠い側の面と、セラミック本体１２の厚さ方向Ｔに沿った第１支持部１８３の両面のうち、第１基底部１８７からより遠い側の面との間の距離を意味する。
【0075】
Ａ／Ｄが小さいほど、つまり、第１距離Ａが間隔Ｄに比べて小さいほど、たわみ強度特性が向上する。第１距離Ａが相対的に小さければ第１基底部１８７と第１連結部１８５とを通じて、また第２基底部１９７と第２連結部１９５とを通じて伝達される外力を金属フレーム１８、１９がより良好に耐えることができるため、電子部品１００のたわみ強度特性がより良好になることができる。
【0076】
ただし、第１距離Ａが小さいほどアーク放電の電流値は大きくなるため、焼損確率が高くなり、間隔Ｄが大きくなれば電流が通過する経路が長くなるため、等価直列抵抗（ＥＳＲ、Ｅｑｕｉｖａｌｅｎｔ Ｓｅｒｉｅｓ Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）が大きくなり、チップの厚さが増加する。
【0077】
一方、Ａ／Ｄの大きいほど、つまり、第１距離Ａが間隔Ｄに比べて大きいほど、たわみ強度特性は低下する反面、ＥＳＲは小さくなり、チップの厚さは減少する。
【0078】
第１金属フレーム１８の第１連結部１８５は、第１支持部１８３の一端部から離隔した地点に連結される。
【0079】
第１連結部１８５が第１支持部１８３に連結される地点は、セラミック本体１２の長さ方向Ｌに沿った第１支持部１８３の両端部のうち、第１接続部１８１の反対側端部から第３距離Ｃだけ離隔した地点である。言い換えると、当該地点は、第１接続部１８１からセラミック本体１２の長さ方向Ｌに沿って第４距離Ｅだけ離隔した地点である。
【0080】
第１連結部１８５の厚さを無視すれば第１支持部１８３の長さＦは、第３距離Ｃと第４距離Ｅとの合計であり得る。つまり、Ｅ＋Ｃ＝Ｆであり得る。ここで、第３距離Ｃは、セラミック本体１２の長さ方向Ｌに沿った第１支持部１８３の両端部のうち、第１接続部１８１の反対側端部から第１連結部１８５が第１支持部１８３に連結される地点までの距離を意味し、第４距離Ｅは、セラミック本体１２の長さ方向Ｌに沿った第１接続部１８１の外周面のうち、セラミック本体１２からより遠い外周面またはその仮想の延長面から第１連結部１８５が第１支持部１８３に連結される地点までの距離を意味し、第１支持部１８３の長さＦは、セラミック本体１２の長さ方向Ｌに沿った第１支持部１８３の両端部間の距離を意味する。
【0081】
第４距離Ｅは、セラミック本体１２の長さＬの１０％以上であり、第１支持部１８３の長さＦより小さくてもよい。第４距離Ｅがセラミック本体１２の長さＬ０の１０％以上であってこそ電子部品１００を基板に付着できる接触面が確保され得る。
【0082】
第３距離Ｃが第４距離Ｅより大きくなれば第１距離Ａも大きくなるため、たわみ強度特性が低下するが、アーク放電の電流値は減少する。その反面、第３距離Ｃが第４距離Ｅより小さくなれば第１距離Ａも小さくなるため、たわみ強度特性が向上するが、アーク放電の電流値が増加して焼損確率が高くなる。
【0083】
一方、第２金属フレーム１９の第２連結部１９５は、第２支持部１９３の一端部から所定距離だけ離隔した部分に連結される。
【0084】
第２連結部１９５が第２支持部１９３に連結される地点は、セラミック本体１２の長さ方向Ｌに沿った第２支持部１９３の両端部のうち、第２接続部１９１の反対側端部から第３距離Ｃ’だけ離隔した地点である。言い換えると、当該地点は第２接続部１９１からセラミック本体１２の長さ方向Ｌに沿って第４距離Ｅ’だけ離隔した地点である。
【0085】
第２連結部１９５の厚さを無視すれば第２支持部１８３の長さＦ’は、第３距離Ｃ’と第４距離Ｅ’との合計であり得る。つまり、Ｅ’＋Ｃ’＝Ｆ’であり得る。ここで、第３距離Ｃ’は、セラミック本体１２の長さ方向Ｌに沿った第２支持部１９３の両端部のうち、第２接続部１９１の反対側端部から第２連結部１９５が第２支持部１９３に連結される地点までの距離を意味し、第４距離Ｅ’は、セラミック本体１２の長さ方向Ｌに沿った第２接続部１９１の外周面のうち、セラミック本体１２からより遠い外周面またはその仮想の延長面から第２連結部１９５が第２支持部１９３に連結される地点までの距離を意味し、第２支持部１９３の長さＦ’は、セラミック本体１２の長さ方向Ｌに沿った第２支持部１９３の両端部間の距離を意味する。
【0086】
第４距離Ｅ’は、セラミック本体１２の長さＬの１０％以上であり、第２支持部１９３の長さＦ’より小さくてもよい。第４距離Ｅ’がセラミック本体１２の長さＬの１０％以上であってこそ電子部品１００を基板に付着できる接触面が確保され得る。
【0087】
第３距離Ｃ’が第４距離Ｅ’より大きくなれば第１距離Ａも大きくなるため、たわみ強度特性が低下するが、アーク放電の電流値は減少する。その反面、第３距離Ｃが第４距離Ｅより小さくなれば第１距離Ａも小さくなるため、たわみ強度特性が向上するが、アーク放電の電流値が増加して焼損確率が高くなる。
【0088】
【0089】
図５を参照すれば、電子部品１００は、回路基板２００の上面に備えられた第１および第２電極パッド２１１、２１３に導電性接合部材２１５を通じて連結される。つまり、電子部品１００は、回路基板２００上で第１および第２電極パッド２１１、２１３を通じて実装され得る。
【0090】
第１および第２電極パッド２１１、２１３は、回路基板２００の上面で互いに離隔して配置され得る。電子部品１００の第１および第２金属フレーム１８、１９の第１および第２基底部１８７、１９７は、第１および第２電極パッド２１１、２１３と接触するように配置された状態で導電性接合部材２１５を利用して回路基板２００に固定され得る。そのために、電子部品１００は、回路基板２００の第１および第２電極パッド２１１、２１３に電気的に接続され得る。導電性接合部材２１５は、一例としてはんだ（ｓｏｌｄｅｒ）を含むことができる。
【0091】
本実施形態で電子部品１００の第１および第２金属フレーム１８、１９のそれぞれは、導電性接合部材２１５により第１および第２電極パッド２１１、２１３に固定されることによって回路基板２００に実装される。
【0092】
図６は、他の実施形態による電子部品を概略的に示した断面図である。
【0093】
図６を参照すれば、電子部品２００は、積層セラミックキャパシタ１０並びに第１および第２金属フレーム１１８、１１９を含む。
【0094】
積層セラミックキャパシタ１０は、前述したため、それに関する説明は省略する。
【0095】
第１金属フレーム１１８は、第１接続部１１８１、第１支持部１１８３、第１連結部１１８５および第１基底部１１８７を含む。
【0096】
第１接続部１１８１は、第１外部電極１３の第１全面部１３１に接合され、セラミック本体１２の厚さ方向Ｔに延在する。一例として第１接続部１１８１は、厚さが均一な板状部材であり得る。
【0097】
第１接続部１１８１は、第１導電性接合層１５１により第１外部電極１３に接合される。第１導電性接合層１５１は、高温はんだ（ｓｏｌｄｅｒ）または導電性接合部材などからなることができるが、本発明はこれに限定されるのではない。
【0098】
第１支持部１１８３は、第１接続部１１８１の下端でセラミック本体１２の長さ方向Ｌに沿って延在して第１外部電極１３を支持する。
【0099】
第１支持部１１８３と第１外部電極１３とが接する部分には別途の接合部材が備えられない。つまり、第１支持部１１８３と第１外部電極１３とは互いに直接接触することができる。
【0100】
積層セラミックキャパシタを基板に実装した後、基板がたわむと外部電極の周縁とセラミック本体とが接する部位付近でたわみクラック（ｆｌｅｘ ｃｒａｃｋ）が発生することがある。しかし、本実施形態でのように第１支持部１１８３が第１外部電極１３を支持する構造になると、たわみクラックが発生する可能性がある部位を保護することができる。したがって、本実施形態によれば、たわみクラックの発生の可能性を低くすることができる。
【0101】
一方、電子部品が温度サイクル（ｃｙｃｌｅ）評価で高温と低温環境に反復的に晒されると金属フレームと積層セラミックキャパシタの外部電極とを接合する導電性接合層の接合力が弱くなって、金属フレームが積層セラミックキャパシタの外部電極から分離されることもある。しかし、本実施形態でのように第１支持部１１８３が第１外部電極１３を支持する構造では、導電性接合層１５１の接合力が弱くなっても金属フレーム１８が外部電極１３から分離される可能性を低くすることができる。後述する第２支持部１１９３も第１支持部１１８３と同じ方式で第２外部電極１４を支持するため、同一の効果を有する。
【0102】
第１連結部１１８５は、第１接続部１１８１からセラミック本体１２の厚さ方向Ｔに沿って延在して第１基底部１１８７の一端部に連結される。第１接続部１１８１と第１連結部１１８５とは、同一の板状部材の互いに異なる領域であり得る。第１基底部１１８７は、第１連結部１１８５が連結される地点でセラミック本体１２の長さ方向Ｌに沿ってセラミック本体１２の端部面１２８の反対方向に延在する。
【0103】
第２金属フレーム１１９は、第２接続部１１９１、第２支持部１１９３、第２連結部１１９５および第２基底部１１９７を含む。
【0104】
第２接続部１１９１は、第２外部電極１４の第２全面部１４１に接合され、セラミック本体１２の厚さ方向Ｔに延在する。一例として第２接続部１１９１は、厚さが均一な板状部材であり得る。
【0105】
第２接続部１１９１は、第２導電性接合層１５３により第２外部電極１４に接合される。第２導電性接合層１５３は、高温はんだ（ｓｏｌｄｅｒ）または導電性接合部材などからなることができるが、本発明はこれに限定されるのではない。
【0106】
第２支持部１１９３は、第２接続部１１９１からセラミック本体１２の長さ方向Ｌに沿って延在して第２外部電極１４を支持する。
【0107】
第２支持部１１９３と第２外部電極１４とが接する部分には別途の接合部材が備えられない。つまり、第２支持部１１９３と第２電極１４とは互いに直接接触することができる。
【0108】
第２連結部１１９５は、第２接続部１１９１からセラミック本体１２の厚さ方向Ｔに沿って延在して第２基底部１１９７の一端部に連結される。第２接続部１１９１と第２連結部１１９５とは、同一の板状部材の互いに異なる領域であり得る。第２基底部１１９７は、第２連結部１１９５が連結される地点でセラミック本体１２の長さ方向Ｌに沿ってセラミック本体１２の端部面１２９の反対方向に延在する。
【0109】
第１金属フレーム１１８の第１連結部１１８５と第２金属フレーム１１９の第２連結部１１９５とは、セラミック本体１２の長さ方向Ｌに沿って第１距離Ａだけ互いに離隔することができる。
【0110】
第１金属フレーム１１８の第１支持部１１８３と第２金属フレーム１１９の第２支持部１１９３とは、セラミック本体１２の長さ方向Ｌに沿って第２距離Ｂだけ互いに離隔することができる。ここで、第２距離Ｂは、セラミック本体１２の長さＬ０の１０％以上であり得る。第２距離Ｂがセラミック本体１２の長さＬの１０％未満であればアーク（ａｒｃ）放電の電流値が高くなるため、焼損され得る。
【0111】
第２距離Ｂは、第１外部電極１３の第１バンド部１３５と第２外部電極１４の第２バンド部１４５との間の距離Ｇより小さくてもよい。第２距離Ｂが距離Ｇより大きければ金属フレームが外部電極を十分に保護し難いこともある。
【0112】
ここで、第１距離Ａは、第２距離Ｂより大きくてもよい。
【0113】
一方、第１距離Ａと、第１金属フレーム１１８の第１支持部１１８３および第１基底部１１８７の間隔Ｄとの比（Ａ／Ｄ）により電子部品の特性が変化することができる。ここで間隔Ｄは、セラミック本体１２の厚さ方向Ｔに沿った第１基底部１１８７の両面のうち、第１支持部１１８３からより遠い側の面と、セラミック本体１２の厚さ方向Ｔに沿った第１支持部１１８３の両面のうち、第１基底部１１８７からより遠い側の面との間の距離を意味する。
【0114】
Ａ／Ｄが小さいほど、つまり、第１距離Ａが間隔Ｄに比べて小さいほどたわみ強度特性が向上する。第１距離Ａが相対的に小さければ第１基底部１１８７と第１連結部１１８５とを通じて、また第２基底部１１９７と第２連結部１１９５とを通じて伝達される外力を金属フレーム１８、１９がより良好に耐えることができるため、電子部品２００のたわみ強度特性がより良好になることができる。ただし、間隔Ｄが大きくなれば電流が通過する経路が長くなるため、等価直列抵抗（ＥＳＲ、Ｅｑｕｉｖａｌｅｎｔ Ｓｅｒｉｅｓ Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）が大きくなり、チップの厚さが増加する。
【0115】
一方、Ａ／Ｄの大きいほど、つまり、第１距離Ａが間隔Ｄに比べて大きいほど、たわみ強度特性は低下する反面、ＥＳＲは小さくなり、チップの厚さは減少する。
【0116】
図７は、また他の実施形態による電子部品を概略的に示した断面図である。
【0117】
図７を参照すれば、電子部品３００は、積層セラミックキャパシタ１０並びに第１および第２金属フレーム２１８、２１９を含む。
【0118】
積層セラミックキャパシタ１０は、前述したため、それに関する説明は省略する。
【0119】
第１金属フレーム２１８は、第１接続部２１８１、第１支持部２１８３、第１連結部２１８５および第１基底部２１８７を含む。
【0120】
第１接続部２１８１は、第１外部電極１３の第１全面部１３１に接合され、セラミック本体１２の厚さ方向Ｔに延在する。一例として第１接続部２１８１は、厚さが均一な板状部材であり得る。
【0121】
第１接続部２１８１は、第１導電性接合層１５１により第１外部電極１３に接合される。第１導電性接合層１５１は、高温はんだ（ｓｏｌｄｅｒ）または導電性接合部材などからなることができるが、本発明はこれに限定されるのではない。
【0122】
第１支持部２１８３は、第１接続部２１８１の下端でセラミック本体１２の長さ方向Ｌに沿って延在して第１外部電極１３を支持する。
【0123】
第１支持部２１８３と第１外部電極１３とが接する部分には、別途の接合部材が備えられない。つまり、第１支持部２１８３と第１外部電極１３とは互いに直接接触することができる。
【0124】
積層セラミックキャパシタを基板に実装した後、基板がたわむと外部電極の周縁とセラミック本体とが接する部位付近でたわみクラック（ｆｌｅｘ ｃｒａｃｋ）が発生することがある。しかし、本実施形態でのように第１支持部２１８３が第１外部電極１３を支持する構造になると、たわみクラックが発生する可能性がある部位を保護することができる。したがって、本実施形態によればたわみクラックの発生の可能性を低くすることができる。
【0125】
一方、電子部品が温度サイクル（ｃｙｃｌｅ）評価で高温と低温環境に反復的に晒されると金属フレームと積層セラミックキャパシタの外部電極とを接合する導電性接合層の接合力が弱くなって、金属フレームが積層セラミックキャパシタの外部電極から分離されることもできる。しかし、本実施形態でのように第１支持部２１８３が第１外部電極１３を支持する構造では、導電性接合層１５１の接合力が弱くなっても金属フレーム１８が外部電極１３から分離される可能性を低くすることができる。後述する第２支持部２１９３も第１支持部２１８３と同じ方式で第２外部電極１４を支持するため、同一の効果を有する。
【0126】
第１連結部２１８５は、セラミック本体１２の厚さ方向Ｔに沿って第１支持部２１８３から延在して第１基底部２１８７に連結される。セラミック本体１２の長さ方向Ｌに沿った第１支持部２１８の両端部のうち、セラミック本体１２の端部面１２８の反対側端部と、セラミック本体１２の長さ方向Ｌに沿った第１基底部２１８７の両端部のうち、セラミック本体１２の端部面１２８の反対側端部とが第１連結部２１８５により互いに連結される。第１基底部２１８７は、セラミック本体１２の長さ方向Ｌに沿ってセラミック本体１２の端部面１２８方向に延在する。
【0127】
第１基底部２１８７は、第１支持部２１８３に対して平行になり得る。つまり、第１基底部２１８７は、セラミック本体１２の長さ方向Ｌに沿って延在することができる。
【0128】
第２金属フレーム２１１９は、第２接続部２１９１、第２支持部２１９３、第２連結部２１９５および第２基底部２１９７を含む。
【0129】
第２接続部２１９１は、第２外部電極１４の第２全面部１４１に接合され、セラミック本体１２の厚さ方向Ｔに延在する。一例として第２接続部２１９１は、厚さが均一な板状部材であり得る。
【0130】
第２接続部２１９１は、第２導電性接合層１５３により第２外部電極１４に接合される。第２導電性接合層１５３は、高温はんだ（ｓｏｌｄｅｒ）または導電性接合部材などからなることができるが、本発明はこれに限定されるのではない。
【0131】
第２支持部２１９３は、第２接続部２１９１の下端でセラミック本体１２の長さ方向Ｌに沿って延在して第２外部電極１４を支持する。
【0132】
第２支持部２１９３と第２外部電極１４とが接する部分には別途の接合部材が備えられない。つまり、第２支持部２１９３と第２外部電極１４とは互いに直接接触することができる。
【0133】
第２連結部２１９５は、セラミック本体１２の厚さ方向Ｔに沿って第２支持部２１９３から延在して第２基底部２１９７に連結される。セラミック本体１２の長さ方向Ｌに沿った第２支持部２１９３の両端部のうち、セラミック本体１２の端部面１２９の反対側端部と、セラミック本体１２の長さ方向Ｌに沿った第２基底部２１９７の両端部のうち、セラミック本体１２の端部面１２９の反対側端部とが第２連結部２１９５により互いに連結される。第２基底部２１９７は、セラミック本体１２の長さ方向Ｌに沿ってセラミック本体１２の端部面１２９方向に延在する。
【0134】
第２基底部２１９７は、第２支持部２１９３に対して平行になり得る。つまり、第２基底部２１９７は、セラミック本体１２の長さ方向Ｌに沿って延在することができる。
【0135】
第１金属フレーム２１８の第１連結部２１８５と第２金属フレーム２１１９の第２連結部２１９５とは、セラミック本体１２の長さ方向Ｌに沿って第１距離Ａだけ互いに離隔することができる。
【0136】
第１金属フレーム２１８の第１支持部２１８３と第２金属フレーム２１１９の第２支持部２１９３とは、セラミック本体１２の長さ方向Ｌに沿って第２距離Ｂだけ互いに離隔することができる。ここで、第２距離Ｂは、セラミック本体１２の長さＬ０の１０％以上であり得る。第２距離Ｂがセラミック本体１２の長さＬの１０％未満であればアーク（ａｒｃ）放電の電流値が高くなるため、焼損され得る。
【0137】
第２距離Ｂは、第１外部電極１３の第１バンド部１３５と第２外部電極１４の第２バンド部１４５との間の距離Ｇより小さくてもよい。第２距離Ｂが距離Ｇより大きければ金属フレームが外部電極を十分に保護し難いこともある。
【0138】
ここで、第１距離Ａは、第２距離Ｂと同じであってもよい。
【0139】
一方、第１距離Ａと、第１金属フレーム２１８の第１支持部２１８３および第１基底部１１８７の間隔Ｄとの比（Ａ／Ｄ）により電子部品の特性が変化することができる。ここで間隔Ｄは、セラミック本体１２の厚さ方向Ｔに沿った第１基底部２１８７の両面のうち、第１支持部２１８３からより遠い側の面と、セラミック本体１２の厚さ方向Ｔに沿った第１支持部２１８３の両面のうち、第１基底部２１８７からより遠い側の面との間の距離を意味する。
【0140】
Ａ／Ｄが小さいほど、つまり、第１距離Ａが間隔Ｄに比べて小さいほど、たわみ強度特性が向上する。第１距離Ａが相対的に小さければ第１基底部２１８７と第１連結部２１８５とを通じて、また第２基底部２１９７と第２連結部２１９５とを通じて伝達される外力を金属フレーム１８、１９がより良好に耐えることができるため、電子部品３００のたわみ強度特性がより良好になることができる。
【0141】
ただし、第１距離Ａが小さいほどアーク放電の電流値は大きくなるため、焼損確率が高くなり、間隔Ｄが大きくなれば電流が通過する経路が長くなるため、等価直列抵抗（ＥＳＲ、Ｅｑｕｉｖａｌｅｎｔ Ｓｅｒｉｅｓ Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）が大きくなり、チップの厚さが増加する。
【0142】
一方、Ａ／Ｄの大きいほど、つまり、第１距離Ａが間隔Ｄに比べて大きいほど、たわみ強度特性は低下する反面、ＥＳＲは小さくなり、チップの厚さは減少する。
【0143】
表１は、実施形態による電子部品の金属フレームの連結部の位置におけるたわみ強度を示す表であり、図８は、電子部品の金属フレームの連結部の位置におけるたわみ強度ピーク（ｐｅａｋ）の発生を比較して示すグラフである。
【0144】
長さ×幅が３．２ｍｍ×２．５ｍｍである積層セラミックキャパシタに金属フレームが接合された電子部品を条件別に各６０個ずつ（水平方向の実装３０個、垂直方向の実装３０個）、標準たわみ強度評価用基板に実装してたわみ強度を測定した。
【0145】
本技術分野において通常要求される積層セラミックキャパシタのたわみ強度保証ピーク（ｐｅａｋ）値は、約６ｍｍに該当し、積層セラミックキャパシタに金属フレームが接合された電子部品のたわみ強度保証ピーク値も、約６ｍｍ以上を満たさなければならない。
（Ｅ＋Ｃ＝Ｆ＝１００％）
【表1】
【0146】
【0147】
【0148】
第３距離Ｃに対する第４距離Ｅの比率が増加することは、第１距離Ａが小さくなることを意味する。第１距離Ａが相対的に小さくなれば金属フレームの基底部と連結部とを通じて伝達される外力を金属フレームがより良好に耐えることができるため、電子部品のたわみ強度特性がより良好になることができる。つまり、金属フレームの連結部が積層セラミックキャパシタの長さ方向に沿った中心に近く配置されるほど電子部品のたわみ強度特性が良好になることができる。
【0149】
表２は、実施形態による電子部品の金属フレームの連結部の位置における等価直列抵抗（ＥＳＲ）測定値を示す表であり、図９は、電子部品の金属フレームの連結部の位置におけるＥＳＲ水準を比較して示すグラフである。
【0150】
ここで、各電子部品のＥＳＲ測定値は、本技術分野の通常の方法でＬＣＲメーターを利用して測定した結果を示す。
【表2】
【0151】
【0152】
第３距離Ｃに対する第４距離Ｅの比率が増加することは、第１距離Ａが小さくなることを意味する。第１距離Ａが相対的に小さくなれば電流が通過する経路が長くなるため、ＥＳＲ測定値が高くなり得る。反対に、第１距離Ａが相対的に大きくなれば電流が通過する経路が短くなるため、ＥＳＲ測定値が低くなり得る。
【0153】
言い換えると、電子部品の金属フレームの連結部が積層セラミックキャパシタの長さ方向に沿った中心部から遠いほど、つまり、外部電極に近いほど電流が通過する経路が短くなるため、ＥＳＲ測定値が低くなり得、金属フレームの連結部が積層セラミックキャパシタの長さ方向に沿った中心部に近いほど電流が通過する経路が長くなるため、ＥＳＲ測定値が高くなり得る。
【0154】
前述のように、実施形態による電子部品は、積層セラミックキャパシタの外部電極に金属フレームを接合した構造を有する。
【0155】
この構造によれば、金属フレームの第３距離Ｃ（図４参照）に対する第４距離Ｅ（図４参照）の比率が大きくなるほどたわみ強度が増加する。金属フレームの第３距離Ｃ（図４参照）に対する第４距離Ｅ（図４参照）の比率が大きくなるほどＥＳＲ測定値は高くなる。
【0156】
つまり、金属フレームの連結部が、積層セラミックキャパシタの長さ方向に沿った中心部に近く配置されるほど、電子部品のたわみ強度特性が改善される反面、金属フレームの連結部が、積層セラミックキャパシタの長さ方向に沿った中心部に近く配置されるほど、電流が通過する経路が長くなるため、ＥＳＲ測定値は高くなり得る。このように、たわみ強度特性とＥＳＲ測定値との間には、相反（ｔｒａｄｅ－ｏｆｆ）関係が成立するため、電子部品の要求される特性に合うように金属フレームの連結部の位置を調整することができる。
【0157】
以上を通じて本発明の好ましい実施例について説明したが、本発明はこれに限定されるのではなく、特許請求の範囲と発明の説明および添付した図面の範囲内で多様に変形して実施することが可能であり、これも本発明の範囲に属することは当然である。
【符号の説明】
【0158】
１０：積層セラミックキャパシタ
１２：セラミック本体
１３：第１外部電極
１４：第２外部電極
１２１：上面
１２２：下面
２１、２２：内部電極
１２３：第１カバー層
１２４：誘電体層
１２５：第２カバー層
１２６：第１側面
１２７：第２側面
１００、１１００、２１００：電子部品
１８、１１８、２１８：第１金属フレーム
１９、１１９、２１９：第２金属フレーム
１８１、１９１、１１８１、１１９１、２１８１、２１９１：接続部
１８３、１９３、１１８３、１１９３、２１８３、２１９３：支持部
１８５、１９５、１１８５、１１９５、２１８５、２１９５：連結部
１８７、１９７、１１８７、１１９７、２１８７、２１９７：基底部
１５１、１５３：導電性接合層
１３１：第１全面部
１４１：第２全面部
１３３、１４３：第１バンド部
１３５、１４５：第２バンド部
１２８：第１端部面
１２９：第２端部面
２００：回路基板
２１１、２１３：第１および第２電極パッド
２１５：導電性接合部材
１２：セラミック本体
１３：第１外部電極
１４：第２外部電極
１２１：上面
１２２：下面
２１、２２：内部電極
１２３：第１カバー層
１２４：誘電体層
１２５：第２カバー層
１２６：第１側面
１２７：第２側面
１００、１１００、２１００：電子部品
１８、１１８、２１８：第１金属フレーム
１９、１１９、２１９：第２金属フレーム
１８１、１９１、１１８１、１１９１、２１８１、２１９１：接続部
１８３、１９３、１１８３、１１９３、２１８３、２１９３：支持部
１８５、１９５、１１８５、１１９５、２１８５、２１９５：連結部
１８７、１９７、１１８７、１１９７、２１８７、２１９７：基底部
１５１、１５３：導電性接合層
１３１：第１全面部
１４１：第２全面部
１３３、１４３：第１バンド部
１３５、１４５：第２バンド部
１２８：第１端部面
１２９：第２端部面
２００：回路基板
２１１、２１３：第１および第２電極パッド
２１５：導電性接合部材
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
