特開 2024-127739 回路基板およびその製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024127739

(43)【公開日】2024-09-20

(54)【発明の名称】回路基板およびその製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 23/12 20060101AFI20240912BHJP

   H05K 3/32 20060101ALI20240912BHJP

【ＦＩ】

H01L23/12 W

H05K3/32 Z

【審査請求】未請求

【請求項の数】14

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023215502

(22)【出願日】2023-12-21

(31)【優先権主張番号】10-2023-0030514

(32)【優先日】2023-03-08

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(71)【出願人】

【識別番号】594023722

【氏名又は名称】サムソン エレクトロ－メカニックス カンパニーリミテッド．

(74)【代理人】

【識別番号】110000051

【氏名又は名称】弁理士法人共生国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】李 啓 ファン

【テーマコード（参考）】

5E319

【Ｆターム（参考）】

5E319AA01

5E319AC11

5E319BB20

5E319CC12

5E319GG20

(57)【要約】

【課題】ワイヤボンディング時にワイヤ間の短絡を防止し製造費用を節減し、ボンディング信頼性を向上させることができる回路基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による回路基板は、絶縁層と、前記絶縁層の上に位置し複数の開口部を有するソルダレジスト層と、前記絶縁層の上の前記複数の開口部内にそれぞれ位置する複数の接続パッドと、前記複数の接続パッドの上に位置し、前記ソルダレジスト層の上部面よりさらに突出し少なくとも２つが互いに異なる厚さを有する複数の導電層と、を含み、前記導電層は前記接続パッドの上に位置する下部導電層、および前記下部導電層の上部面の上にのみ位置する上部導電層を含む。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

絶縁層と、
前記絶縁層の上に位置し複数の開口部を有するソルダレジスト層と、
前記絶縁層の上の前記複数の開口部内にそれぞれ位置する複数の接続パッドと、
前記複数の接続パッドの上に位置し、前記ソルダレジスト層の上部面よりも突出し少なくとも２つが互いに異なる厚さを有する複数の導電層と、を含み、
前記導電層は前記接続パッドの上に位置する下部導電層、および前記下部導電層の上部面の上にのみ位置する上部導電層を含むことを特徴とする回路基板。

【請求項2】

前記導電層は前記開口部を満たすことを特徴とする請求項１に記載の回路基板。

【請求項3】

前記下部導電層の側面の一部は前記ソルダレジスト層と接触し、
前記上部導電層の側面は前記ソルダレジスト層と分離されていることを特徴とする請求項１に記載の回路基板。

【請求項4】

前記上部導電層は、前記下部導電層の側面を覆わないことを特徴とする請求項１に記載の回路基板。

【請求項5】

前記接続パッドの上部面を基準とする少なくとも２つの前記下部導電層の厚さは互いに異なることを特徴とする請求項１に記載の回路基板。

【請求項6】

前記上部導電層の上部面は扁平であり、前記絶縁層の一面と平行であることを特徴とする請求項１に記載の回路基板。

【請求項7】

前記絶縁層の一面に垂直な方向に沿って前記上部導電層は前記ソルダレジスト層の上部面よりも高い位置に位置することを特徴とする請求項６に記載の回路基板。

【請求項8】

前記上部導電層の幅は、前記接続パッドの最大幅よりも広いことを特徴とする請求項１に記載の回路基板。

【請求項9】

前記下部導電層と前記上部導電層の境界面で、前記下部導電層の幅は前記接続パッドの最大幅よりも広いことを特徴とする請求項８に記載の回路基板。

【請求項10】

絶縁層の上に複数の接続パッドを形成し、
前記絶縁層の上に前記複数の接続パッドと重畳する複数の開口部を有するソルダレジスト層を形成し、
前記複数の接続パッドの上に、前記ソルダレジスト層の上部面よりも突出し少なくとも２つが互いに異なる厚さを有する複数の導電層を形成すること、
を含むことを特徴とする回路基板の製造方法。

【請求項11】

前記複数の導電層を形成することは、
前記複数の開口部のうちの一部開口部を遮断する感光フィルムを形成する第１工程を行い、
メッキ工程を用いて前記複数の開口部のうちの前記感光フィルムによって遮断されていない残り開口部にのみ導電層を形成する第２工程を行い、
前記感光フィルムを除去する第３工程を行い、
前記第１工程、前記第２工程、および前記第３工程を繰り返して前記複数の開口部を少なくとも２つが互いに異なる厚さを有する複数の導電層で満たし、
前記ソルダレジスト層の厚さを薄くすること、
を含むことを特徴とする請求項１０に記載の回路基板の製造方法。

【請求項12】

前記ソルダレジスト層の厚さを薄くすることは、
前記複数の導電層が前記ソルダレジスト層の上部面よりも突出することを含むことを特徴とする請求項１１に記載の回路基板の製造方法。

【請求項13】

前記導電層は前記接続パッドの上に形成する下部導電層、および前記下部導電層の上部面の上に形成する上部導電層を含み、
前記複数の導電層が前記ソルダレジスト層の上部面よりも突出することは、
前記下部導電層の側面の一部が前記ソルダレジスト層と接触し、前記上部導電層の側面が前記ソルダレジスト層と分離されることを含むことを特徴とする請求項１２に記載の回路基板の製造方法。

【請求項14】

前記導電層は前記第２工程で前記開口部を満たし、
前記導電層の幅は前記開口部の幅と同一であることを特徴とする請求項１１に記載の回路基板の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、回路基板およびその製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

最近、電子産業が発達するにつれて電子機器が次第に高性能化されることにより、半導体パッケージは小型化および薄形化されると同時に高密度化されている。半導体パッケージの高密度化のために実装される集積回路（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ、ＩＣ）の個数が増えるにつれて入出力（Ｉｎｐｕｔ／Ｏｕｔｐｕｔ）接続端子の個数も増加した。したがって、ボンディングパッド（ｂｏｎｄｉｎｇ ｐａｄ）のピッチ（ｐｉｔｃｈ）が減少した微細回路を実現しなければならず、そのための高密度半導体パッケージの製造方法が必要となった。

【0003】

高密度半導体パッケージの製造方法で、集積回路の実装方法としてワイヤボンディング（ｗｉｒｅ ｂｏｎｄｉｎｇ）方式とフリップボンディング（ｆｌｉｐ ｂｏｎｄｉｎｇ）方式が使用されている。入出力接続端子の個数が増加するようになるのにつれて、集積回路の実装時、製造費用を考慮してフリップボンディング方式が好まれている。しかし、ワイヤボンディングチップを実装する場合にも回路基板に微細回路パターンで実現されたボンドフィンガー（ｂｏｎｄ ｆｉｎｇｅｒ）は必要である。

【0004】

ワイヤボンディング環境を備えることができるように、埋め込み配線基板（Ｅｍｂｅｄｄｅｄ Ｔｒａｃｅ Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ、ＥＴＳ）方法で形成されたボンドフィンガーのニッケルメッキ層の厚さを確保しなければならないが、この場合、増加されたニッケルメッキ層の厚さによってボンドフィンガー間の間隔を維持しにくい。また、厚くなったニッケルメッキ層によってボンドフィンガーのエッジがラウンドされるので、ワイヤボンディング時、接着面積が減少してボンディング信頼性が低下することがある。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【特許文献1】韓国公開特許第１０－２０１６－０１４０１８４号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

本発明は、上記従来技術の問題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、ワイヤボンディング時にワイヤ間の短絡を防止し製造費用を節減し、ボンディング信頼性を向上させることができる回路基板およびその製造方法を提供することにある。

【0007】

しかし、本発明が解決しようとする課題は上述の課題に限定されず、本発明に含まれている技術的な思想の範囲で多様に拡張できる。

【課題を解決するための手段】

【0008】

上記目的を達成するためになされた本発明の一態様による回路基板は、絶縁層と、前記絶縁層の上に位置し複数の開口部を有するソルダレジスト層と、前記絶縁層の上の前記複数の開口部内にそれぞれ位置する複数の接続パッドと、前記複数の接続パッドの上に位置し、前記ソルダレジスト層の上部面よりも突出し少なくとも２つが互いに異なる厚さを有する複数の導電層と、を含み、前記導電層は前記接続パッドの上に位置する下部導電層、および前記下部導電層の上部面の上にのみ位置する上部導電層を含む。

【0009】

前記導電層は前記開口部を満たすことができる。
前記下部導電層の側面の一部は前記ソルダレジスト層と接触し、前記上部導電層の側面は前記ソルダレジスト層と分離され得る。
前記上部導電層は、前記下部導電層の側面を覆わなくてもよい。
前記接続パッドの上部面を基準とする少なくとも２つの前記下部導電層の厚さは互いに異なってもよい。
前記上部導電層の上部面は扁平であり、前記絶縁層の一面と平行であってもよい。
前記絶縁層の一面に垂直な方向に沿って前記上部導電層は前記ソルダレジスト層の上部面よりも高い位置に配置することができる。
前記上部導電層の幅は、前記接続パッドの最大幅よりも広くてもよい。
前記下部導電層と前記上部導電層の境界面で、前記下部導電層の幅は前記接続パッドの最大幅よりも広くてもよい。

【0010】

また、上記目的を達成するためになされた本発明の一態様による回路基板の製造方法は、絶縁層の上に複数の接続パッドを形成し、前記絶縁層の上に前記複数の接続パッドと重畳する複数の開口部を有するソルダレジスト層を形成し、前記複数の接続パッドの上に、前記ソルダレジスト層の上部面よりも突出し少なくとも２つが互いに異なる厚さを有する複数の導電層を形成することを含む。

【0011】

複数の導電層を形成することは、前記複数の開口部のうちの一部開口部を遮断する感光フィルムを形成する第１工程を行い、メッキ工程を用いて前記複数の開口部のうちの前記感光フィルムによって遮断されていない残り開口部にのみ導電層を形成する第２工程を行い、前記感光フィルムを除去する第３工程を行い、前記第１工程、前記第２工程、および前記第３工程を繰り返して前記複数の開口部を少なくとも２つが互いに異なる厚さを有する複数の導電層で満たし、前記ソルダレジスト層の厚さを薄くすることを含むことができる。
前記ソルダレジスト層の厚さを薄くすることは、前記複数の導電層が前記ソルダレジスト層の上部面よりも突出することを含むことができる。
前記導電層は前記接続パッドの上に形成する下部導電層、および前記下部導電層の上部面の上に形成する上部導電層を含み、前記複数の導電層が前記ソルダレジスト層の上部面よりも突出させることは、前記下部導電層の側面の一部が前記ソルダレジスト層と接触し、前記上部導電層の側面が前記ソルダレジスト層と分離されることを含むことができる。
前記導電層は前記第２工程で前記開口部を満たし、前記導電層の幅は前記開口部の幅と同一であってもよい。

【発明の効果】

【0012】

本発明によれば、ボンドフィンガーを成す複数の接続パッドに電気的に連結された複数の導電層をソルダレジスト層の上部面よりもさらに突出するように形成することによって、キャピラリツール（ｃａｐｉｌｌａｒｙ ｔｏｏｌ）のようなワイヤボンディング補助道具を使用しなくてもワイヤボンディングが可能である。
また、複数の接続パッドに電気的に連結された複数の導電層の厚さを互いに異なるようにすることにより、ワイヤボンディング時に隣接するワイヤ間の短絡（ｓｈｏｒｔ）を防止することができるので、微細回路のボンドフィンガーを形成することができ、組み立てマージンを確保することができる。

【0013】

また、導電層の上部導電層は下部導電層の上部面の上にのみ位置し、下部導電層の側面を覆わないので、単価の高い金（Ａｕ）を含む上部導電層の量を最少化することができて、製造費用を節減することができる。
また、接続パッドの側面は傾斜して形成されるが、接続パッドの上に位置する上部導電層の上部面は扁平（ｆｌａｔ）なので、ワイヤが上部導電層の上部面にボンディングされる場合、ワイヤと上部導電層の上部面との間の接着面積が増加する。したがって、ワイヤと導電層間の接着不良が最少化されてボンディング信頼性を向上させることができる。

【0014】

しかし、本発明の効果は上述の効果に限定されるものではなく、本発明の思想および領域から逸脱しない範囲で多様に拡張できるのが自明である。

【図面の簡単な説明】

【0015】

【図1】一実施形態による回路基板の断面図である。

【図2】図１の回路基板にワイヤをボンディングした状態の断面図である。

【図3】一実施形態による回路基板の製造方法を順に示した断面図である。

【図4】一実施形態による回路基板の製造方法を順に示した断面図である。

【図5】一実施形態による回路基板の製造方法を順に示した断面図である。

【図6】一実施形態による回路基板の製造方法を順に示した断面図である。

【図7】一実施形態による回路基板の製造方法を順に示した断面図である。

【図8】一実施形態による回路基板の製造方法を順に示した断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0016】

以下、図面を参照して本発明の様々な実施形態について本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施することができるように詳しく説明する。本発明は様々な異なる形態で実現することができ、ここで説明する実施形態に限定されない。

【0017】

本発明を明確に説明するために説明上不必要な部分は省略し、明細書全体にわたって同一または類似の構成要素については同一の参照符号を付ける。

【0018】

また、図面は本明細書に開示された実施形態を容易に理解することができるようにするためのものに過ぎず、図面によって本明細書に開示された技術的思想は限定されず、本発明の思想および技術範囲に含まれる全ての変更、均等物乃至代替物を含むと理解されなければならない。

【0019】

また、図面に示された各構成の大きさおよび厚さは説明の便宜のために任意に示したものであり、本発明は必ずしも図示されたものに限定されない。図面において様々な層および領域を明確に表現するために厚さを拡大して示した。そして図面において、説明の便宜のために、一部の層および領域の厚さを誇張して示した。

【0020】

また、層、膜、領域、板などの部分が他の部分“の上に”または“上に”あるという時、これは他の部分“の直上に”ある場合だけでなく、その中間に他の部分がある場合も含む。逆に、ある部分が他の部分“の直上に”あるという時には中間に他の部分がないことを意味する。また、基準となる部分“の上に”または“上に”あるというのは基準となる部分の上または下に位置することであり、必ずしも重力の反対方向に向かって“の上に”または“上に”位置することを意味するものではない。

【0021】

また、明細書全体で、ある部分がある構成要素を“含む”という時、これは特に反対になる記載がない限り他の構成要素を除くのではなく他の構成要素をさらに含むことができることを意味する。

【0022】

また、明細書全体で、“平面上”という時、これは対象部分を上から見た時を意味し、“断面上”という時、これは対象部分を垂直に切断した断面を横から見た時を意味する。

【0023】

また、明細書全体で、“連結される”という時、これは二つ以上の構成要素が直接的に連結されることのみを意味するのではなく、二つ以上の構成要素が他の構成要素を通じて間接的に連結されること、物理的に連結されることだけでなく電気的に連結されること、または位置や機能によって異なる名称で称されたが一体であることを意味する。

【0024】

以下、図面を参照して多様な実施形態と変形例を詳細に説明する。

【0025】

図１は、一実施形態による回路基板の断面図である。

【0026】

図１に示すように、一実施形態による回路基板は、絶縁層１００、ソルダレジスト層２００、複数の接続パッド３００、および複数の導電層４００を含む。ここで、接続パッド３００と導電層４００は共にボンドフィンガー（ｂｏｎｄ ｆｉｎｇｅｒ）を成す。

【0027】

絶縁層１００は所定の厚さを有するので、互いに離隔して互いに対向する一面１００ａと他面１００ｂを有する。絶縁層１００は、エポキシ樹脂、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）などのような熱硬化性樹脂、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）などのような熱可塑性樹脂、またはこれらと共にガラス繊維または無機フィラーのような補強材を含む樹脂などを含む。例えば、絶縁層１００は、プレプレグ（Ｐｒｅｐｒｅｇ）、ＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ Ｂｕｉｌｄｕｐ Ｆｉｌｍ（登録商標））、ＰＩＤ（Ｐｈｏｔｏ Ｉｍａｇｅ－ａｂｌｅ Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ）などを含む。

【0028】

ソルダレジスト層２００は、第１ソルダレジスト層２１０、および第２ソルダレジスト層２２０を含む。

【0029】

第１ソルダレジスト層２１０は、絶縁層１００の一面１００ａを覆う。第１ソルダレジスト層２１０は複数の接続パッド３００と重複する複数の開口部ＯＨｕを有する。複数の開口部ＯＨｕは、互いに離隔して配置される。

【0030】

第２ソルダレジスト層２２０は、絶縁層１００の他面１００ｂを覆う。第２ソルダレジスト層２２０は、絶縁層１００の他面１００ｂの上に位置する複数のサブ接続パッド３０と重畳する複数の開口部ＯＨｄを有する。複数の開口部ＯＨｄは互いに離隔して配置される。

【0031】

ソルダレジスト層２００は、ソルダレジスト（Ｓｏｌｄｅｒ ｒｅｓｉｓｔ）などの絶縁物質を含む。

【0032】

複数の接続パッド３００は、絶縁層１００の一面１００ａの上に位置し、複数の開口部ＯＨｕ内にそれぞれ配置される。複数の接続パッド３００は、第１接続パッド３１０、第２接続パッド３２０、および第３接続パッド３３０を含む。本実施形態では説明の便宜のために３つの接続パッドを例に挙げて説明するが、必ずしもこれに限定されるものではない。

【0033】

第１接続パッド３１０、第２接続パッド３２０、および第３接続パッド３３０の高さは互いに同一であってもよい。この時、それぞれの接続パッド３１０、３２０、３３０の側面ｓｗは傾斜して形成される。

【0034】

接続パッド３００は、絶縁層１００の一面１００ａの上に多様なパターンで配置される。接続パッド３００は、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、スズ（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、またはこれらの合金などの導電性物質を含む。

【0035】

複数の導電層４００は、第１ソルダレジスト層２１０の複数の開口部ＯＨｕを満たしながら複数の接続パッド３００の上に配置される。このような複数の導電層４００のうちの少なくとも２つは互いに異なる厚さを有する。

【0036】

例えば、第１接続パッド３１０の上に位置する第１導電層４１０の厚さである第１厚さＴ１は、第２接続パッド３２０の上に位置する第２導電層４２０の厚さである第２厚さＴ２よりも薄く、第３接続パッド３３０の上に位置する第３導電層４３０の厚さである第３厚さＴ３よりも薄くてもよい。そして、第２厚さＴ２は第３厚さＴ３よりも薄くてもよい。ここで、第１厚さＴ１、第２厚さＴ２、および第３厚さＴ３は、それぞれ第１接続パッド３１０、第２接続パッド３２０、および第３接続パッド３３０の上部面を基準にして設定した厚さである。

【0037】

このように、複数の導電層４００の厚さを互いに異なるようにすることにより、ワイヤボンディング時に隣接するワイヤ間の短絡（ｓｈｏｒｔ）を防止することができるので、組み立てマージンを確保することができる。

【0038】

本実施形態では複数の導電層４００を成す第１導電層４１０、第２導電層４２０、および第３導電層４３０の厚さが全て異なるが、必ずしもこれに限定されるものではなく、このうちの一部の導電層の厚さのみが互いに異なる実施形態も可能である。

【0039】

それぞれの導電層４１０、４２０、４３０は、接続パッド３１０、３２０、３３０の上に位置する下部導電層４１１、４２１、４３１、および下部導電層４１１、４２１、４３１の上部面４１１ｕ、４２１ｕ、４３１ｕの上に位置する上部導電層４１２、４２２、４３２を含む。本実施形態で、下部導電層４１１、４２１、４３１はニッケル（Ｎｉ）を含み、上部導電層４１２、４２２、４３２は金（Ａｕ）を含むが、必ずしもこれに限定されるものではなく、多様な導電性物質からなり得る。

【0040】

この時、上部導電層４１２、４２２、４３２は、下部導電層４１１、４２１、４３１の上部面４１１ｕ、４２１ｕ、４３１ｕの上にのみ配置され、下部導電層４１１、４２１、４３１の側面を覆わなくてもよい。

【0041】

例えば、第１導電層４１０の第１上部導電層４１２は、第１導電層４１０の第１下部導電層４１１の上部面４１１ｕの上にのみ位置し、第１下部導電層４１１の側面を覆わなくてもよい。第２導電層４２０の第２上部導電層４２２は、第２導電層４２０の第２下部導電層４２１の上部面４２１ｕの上にのみ位置し、第２下部導電層４２１の側面を覆わなくてもよい。第３導電層４３０の第３上部導電層４３２は、第３導電層４３０の第３下部導電層４３１の上部面４３１ｕの上にのみ位置し、第３下部導電層４３１の側面を覆わなくてもよい。

【0042】

したがって、単価の高い金（Ａｕ）を含む上部導電層４１２、４２２、４３２の量を最少化することができるので、製造費用を節減することができる。

【0043】

複数の導電層４００は、第１ソルダレジスト層２１０の上部面２１０ａよりも突出している。即ち、下部導電層４１１、４２１、４３１の側面の一部は第１ソルダレジスト層２１０と接触する。そして、上部導電層４１２、４２２、４３２の側面は第１ソルダレジスト層２１０と接触することなく分離される。また、絶縁層１００の一面１００ａに垂直な方向Ｚに沿って、上部導電層４１２、４２２、４３２の上部面４１２ｕ、４２２ｕ、４３２ｕは、第１ソルダレジスト層２１０の上部面２１０ａよりも高い位置に配置される。

【0044】

このように、ボンドフィンガーを成す複数の接続パッド３００に電気的に連結された複数の導電層４００を第１ソルダレジスト層２１０の上部面２１０ａよりも突出するように形成することによって、キャピラリツール（ｃａｐｉｌｌａｒｙ ｔｏｏｌ）のようなワイヤボンディング補助道具を使用しなくてもワイヤボンディングを容易に行うことができる。

【0045】

この時、絶縁層１００の一面１００ａを基準にした、第１上部導電層４１２の上部面４１２ｕの高さｈ１は、第２上部導電層４２２の上部面４２２ｕの高さｈ２よりも低く、第２上部導電層４２２の上部面４２２ｕの高さｈ２は、第３上部導電層４２３の上部面４２３ｕの高さｈ３よりも低い。

【0046】

また、上部導電層４１２、４２２、４３２の上部面４１２ｕ、４２２ｕ、４３２ｕは扁平であり、絶縁層１００の一面１００ａと平行である。

【0047】

図２は、図１の回路基板にワイヤをボンディングした状態の断面図である。

【0048】

図２に示すように、接続パッド３１０、３２０、３３０の側面ｓｗは傾斜して形成されるが、接続パッド３１０、３２０、３３０の上に位置する上部導電層４１２、４２２、４３２の上部面４１２ｕ、４２２ｕ、４３２ｕは扁平なので、ワイヤＷＩが上部導電層４１２、４２２、４３２の上部面４１２ｕ、４２２ｕ、４３２ｕにボンディングされる場合、ワイヤＷＩと上部導電層４１２、４２２、４３２の上部面４１２ｕ、４２２ｕ、４３２ｕとの間の接着面積が増加する。したがって、ワイヤＷＩと導電層４００との間の接着不良が最少化されてボンディング信頼性を向上させることができる。

【0049】

本実施形態で導電層４００は、ＥＮＩＧ（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｅｓｓ Ｎｉｃｋｅｌ Ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ Ｇｏｌｄ）などの無電解メッキ工程で形成される。即ち、金属塩溶液から金属イオンを被メッキ体表面に還元させて金属被膜を形成させる方法でニッケルを含む下部導電層４１１、４２１、４３１および金を含む上部導電層４１２、４２２、４３２を形成する。

【0050】

上部導電層４１２、４２２、４３２の幅ｕｗ１、ｕｗ２、ｕｗ３（図１参照）は、接続パッド３１０、３２０、３３０の最大幅ｃｐ１、ｃｐ２、ｃｐ３（図１参照）よりも広い。そして、下部導電層４１１、４２１、４３１と上部導電層４１２、４２２、４３２の境界面で、下部導電層４１１、４２１、４３１の幅ｄｗ１、ｄｗ２、ｄｗ３（図１参照）は接続パッド３１０、３２０、３３０の最大幅ｃｐ１、ｃｐ２、ｃｐ３よりも広い。そして、下部導電層４１１、４２１、４３１と上部導電層４１２、４２２、４３２の境界面で、下部導電層４１１、４２１、４３１の幅ｄｗ１、ｄｗ２、ｄｗ３は、上部導電層４１２、４２２、４３２の幅ｕｗ１、ｕｗ２、ｕｗ３と同一であってもよい。

【0051】

一方、第２ソルダレジスト層２２０の複数の開口部ＯＨｄ内には、サブ接続パッドと電気的に連結されるサブ導電層４０、５０が配置される。サブ導電層４０、５０は、下部導電層４１１、４２１、４３１と同一の物質からなるサブ下部導電層４０、および上部導電層４１２、４２２、４３２と同一の物質からなるサブ上部導電層５０を含む。このようなサブ導電層４０、５０は別途のソルダボール（図示せず）を用いて他の回路基板、電子部品などと電気的に連結される。

【0052】

以下、図１と共に図３～図８を参照して、一実施形態による回路基板の製造方法について詳しく説明する。

【0053】

図３～図８は、一実施形態による回路基板の製造方法を順に示した断面図である。

【0054】

図３に示すように、絶縁層１００の上に互いに離隔した複数の接続パッド３００を形成する。複数の接続パッド３００は、第１接続パッド３１０、第２接続パッド３２０、および第３接続パッド３３０を含む。本実施形態では説明の便宜のために３つの接続パッドを例に挙げて説明するが、必ずしもこれに限定されるものではない。

【0055】

図４に示すように、絶縁層１００の上にソルダレジスト層２００を形成する。そして、ソルダレジスト層２００をパターニングしてソルダレジスト層２００に複数の接続パッド３１０、３２０、３３０と重畳する複数の開口部ＯＨ１、ＯＨ２、ＯＨ３を形成する。この時、複数の開口部ＯＨ１、ＯＨ２、ＯＨ３の幅ｗ１、ｗ２、ｗ３は、複数の接続パッド３１０、３２０、３３０の最大幅ｃｐ１、ｃｐ２、ｃｐ３よりも大きい。

【0056】

図５～図８に示すように、複数の接続パッド３１０、３２０、３３０の上に、第１ソルダレジスト層２１０の上部面２１０ａよりも突出し、少なくとも２つが互いに異なる厚さを有する複数の導電層４１０、４２０、４３０を形成する。

【0057】

これについて、以下で３つの導電層を形成する実施形態を用いてより詳しく説明する。

【0058】

図５に示すように、複数の開口部ＯＨ１、ＯＨ２、ＯＨ３のうちの第２開口部ＯＨ２および第３開口部ＯＨ３を遮断する第１感光フィルムＤＦ１を形成する第１工程を行う。第１感光フィルムＤＦ１は、第１ソルダレジスト層２１０の上に形成される。そして、メッキ工程を用いて複数の開口部ＯＨ１、ＯＨ２、ＯＨ３のうちの第１感光フィルムＤＦ１によって遮断されていない第１開口部ＯＨ１にのみ第１導電層４１０を形成する第２工程を行う。

【0059】

図６に示すように、第１感光フィルムＤＦ１を除去する第３工程を行う。そして、複数の開口部ＯＨ１、ＯＨ２、ＯＨ３のうちの第１開口部ＯＨ１および第３開口部ＯＨ３を遮断する第２感光フィルムＤＦ２を形成する第１工程を再び行う。第２感光フィルムＤＦ２は第１ソルダレジスト層２１０の上に形成される。そして、メッキ工程を用いて複数の開口部ＯＨ１、ＯＨ２、ＯＨ３のうちの第２感光フィルムＤＦ２によって遮断されていない第２開口部ＯＨ２にのみ第２導電層４２０を形成する第２工程を再び行う。この時、第２導電層４２０の厚さである第２厚さＴ２は第１導電層４１０の厚さである第１厚さＴ１よりも厚い。

【0060】

図７に示すように、第２感光フィルムＤＦ２を除去する第３工程を再び行う。そして、複数の開口部ＯＨ１、ＯＨ２、ＯＨ３のうちの第１開口部ＯＨ１および第２開口部ＯＨ２を遮断する第３感光フィルムＤＦ３を形成する第１工程を再び行う。第３感光フィルムＤＦ３は第１ソルダレジスト層２１０の上に形成される。そして、メッキ工程を用いて複数の開口部ＯＨ１、ＯＨ２、ＯＨ３のうちの第３感光フィルムＤＦ３によって遮断されていない第３開口部ＯＨ３にのみ第３導電層４３０を形成する第２工程を再び行う。この時、第３導電層４３０の厚さである第３厚さＴ３は第２導電層４２０の厚さである第２厚さＴ２よりも厚い。

【0061】

このように、第１工程、第２工程、および第３工程を繰り返して複数の開口部ＯＨ１、ＯＨ２、ＯＨ３を互いに異なる厚さを有する複数の導電層４１０、４２０、４３０で満たす。

【0062】

この時、下部導電層４１１、４２１、４３１と上部導電層４１２、４２２、４３２を含む導電層４１０、４２０、４３０は開口部ＯＨ１、ＯＨ２、ＯＨ３を満たすので、下部導電層４１１、４２１、４３１の幅ｄｗ１、ｄｗ２、ｄｗ３（図１参照）または上部導電層４１２、４２２、４３２の幅ｕｗ１、ｕｗ２、ｕｗ３（図１参照）は開口部ＯＨ１、ＯＨ２、ＯＨ３の幅ｗ１、ｗ２、ｗ３と同一である。

【0063】

図８に示すように、第１ソルダレジスト層２１０の厚さＤを薄くする。

【0064】

ソルダレジスト層の薄形化（ｔｈｉｎｎｉｎｇ）は、化学的工程で行う。化学的工程では次の順序によってソルダレジスト層の薄形化を行う。

【0065】

まず、ソルダレジストを化学的エッチング溶液（例：ＲＴ－３００（ｃｈｅｍｉｃａｌ））に浸漬し、ソルダレジストの一部を薬品処理して解離させる。化学的エッチング溶液は、ソルダレジストのバインダーポリマー（Ｂｉｎｄｅｒ ｐｏｌｙｍｅｒ）間結合を誘導してカルボキシ基を置換することによって反応性を除去する。したがって、光硬化性モノマー（Ｐｈｏｔｏ－ｃｒｏｓｓｌｉｎｋｉｎｇ ｍｏｎｏｍｅｒ）と光重合開始剤（Ｐｈｏｔｏｐｏｌｙｍｅｒｉｚａｔｉｏｎ ｉｎｉｔｉａｔｏｒ）がバインダーポリマーのカルボキシ基と結合しないようにする。

【0066】

その次に、薬品処理されて解離したソルダレジストは、エッチングスプレー（例：Ｒ溶液（Ｓｐｒａｙ））で溶解させることによって除去される。光硬化性モノマーと光重合開始剤が作用しなければ光硬化が不能になり、ミセル（Ｍｉｃｅｌｌｅ）状態であるバインダーポリマーは、エッチングスプレーで溶解が可能である。最後に、最終水洗を経ると、ソルダレジスト層の一部のみが残るようになる。

【0067】

一方、他の例として、ソルダレジスト層の薄形化は、レーザを用いた物理的工程でも可能である。

【0068】

このように、第１ソルダレジスト層２１０の厚さを薄くすることによって、互いに異なる厚さを有する複数の導電層４１０、４２０、４３０が、第１ソルダレジスト層２１０の上部面２１０ａよりも突出する。即ち、下部導電層４１１、４２１、４３１の側面の一部は第１ソルダレジスト層２１０と接触し、上部導電層４１２、４２２、４３２の側面は第１ソルダレジスト層２１０と接触せず分離される。

【0069】

このように、接続パッド３００と重畳する開口部を有する第１ソルダレジスト層２１０が接続パッド３００の上に形成される導電層４００を支えるダムの役割を果たすので、メッキ工程で形成される導電層４００のオーバーハング（ｏｖｅｒｈａｎｇ）を防止することができる。したがって、ボンドフィンガーとして使用される接続パッド３００間の間隔が近くても導電層４００のオーバーハングによる導電層４００間の短絡を最少化することができる。

【0070】

以上を通じて本発明の好ましい一実施形態について説明したが、本発明はこれに限定されるのではなく、発明の詳細な説明、および図面の範囲内で様々に変形して実施することが可能であり、これも本発明の範囲に属するのは当然である。

【符号の説明】

【0071】

１００：絶縁層
２００：ソルダレジスト層
２１０：第１ソルダレジスト層
２２０：第２ソルダレジスト層
３００：複数の接続パッド
４００：複数の導電層
４１１、４２１、４３１：下部導電層
４１２、４２２、４３２：上部導電層

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】