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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024128052
(43)【公開日】2024-09-20
(54)【発明の名称】表示装置
(51)【国際特許分類】
G09F 9/30 20060101AFI20240912BHJP
G06F 3/041 20060101ALI20240912BHJP
G06F 3/044 20060101ALI20240912BHJP
【ＦＩ】
G09F9/30 349Z
G09F9/30 338
G06F3/041 412
G06F3/044 120
G06F3/041 580
【審査請求】有
【請求項の数】1
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2024109686
(22)【出願日】2024-07-08
(62)【分割の表示】P 2022166374の分割
【原出願日】2017-02-28
(31)【優先権主張番号】P 2016047788
(32)【優先日】2016-03-11
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(71)【出願人】
【識別番号】000153878
【氏名又は名称】株式会社半導体エネルギー研究所
(72)【発明者】
【氏名】木村 肇
(72)【発明者】
【氏名】山崎 舜平
(57)【要約】
【課題】利便性または信頼性に優れた新規な入出力パネルを提供する。また、利便性また
は信頼性に優れた新規な入出力装置を提供する。また、新規な入出力パネル、新規な入出
力装置または新規な半導体装置を提供する。
【解決手段】画素と、検知素子と、信号線と、制御線と、走査線と、を有し、検知素子は
画素と重なる領域を備え、信号線は検知素子と電気的に接続され、信号線は画素と電気的
に接続され、制御線は検知素子と電気的に接続され、走査線は画素と電気的に接続される
構成を入出力パネルに用いる。
【選択図】図１
は信頼性に優れた新規な入出力装置を提供する。また、新規な入出力パネル、新規な入出
力装置または新規な半導体装置を提供する。
【解決手段】画素と、検知素子と、信号線と、制御線と、走査線と、を有し、検知素子は
画素と重なる領域を備え、信号線は検知素子と電気的に接続され、信号線は画素と電気的
に接続され、制御線は検知素子と電気的に接続され、走査線は画素と電気的に接続される
構成を入出力パネルに用いる。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
画素と、検知素子と、信号線と、制御線と、走査線と、を有し、
前記検知素子は、前記画素と重なる領域を備え、
前記信号線は、前記検知素子と電気的に接続され、
前記信号線は、前記画素と電気的に接続され、
前記制御線は、前記検知素子と電気的に接続され、
前記走査線は、前記画素と電気的に接続され、
前記検知素子は、第１の導電膜および第２の導電膜を備え、
前記第１の導電膜は、前記制御線と電気的に接続され、
前記第２の導電膜は、前記信号線と電気的に接続され、
前記第２の導電膜は、前記第１の導電膜との間に電界を形成するように配設され、
前記電界は、近接するものにより遮られる領域を有する表示装置。
前記検知素子は、前記画素と重なる領域を備え、
前記信号線は、前記検知素子と電気的に接続され、
前記信号線は、前記画素と電気的に接続され、
前記制御線は、前記検知素子と電気的に接続され、
前記走査線は、前記画素と電気的に接続され、
前記検知素子は、第１の導電膜および第２の導電膜を備え、
前記第１の導電膜は、前記制御線と電気的に接続され、
前記第２の導電膜は、前記信号線と電気的に接続され、
前記第２の導電膜は、前記第１の導電膜との間に電界を形成するように配設され、
前記電界は、近接するものにより遮られる領域を有する表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明の一態様は、入出力パネル、入出力装置または半導体装置に関する。
【0002】
なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の
一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発明
の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・
オブ・マター）に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明
の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、
それらの駆動方法、または、それらの製造方法、を一例として挙げることができる。
一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発明
の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・
オブ・マター）に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明
の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、
それらの駆動方法、または、それらの製造方法、を一例として挙げることができる。
【背景技術】
【0003】
液晶表示素子に元々備えられている表示用の共通電極を、一対のタッチセンサ用電極のう
ちの一方（駆動電極）として兼用し、他方の電極（センサ用検出電極）は新たに形成し、
また、表示用駆動信号としての既存のコモン駆動信号を、タッチセンサ用駆動信号として
も共用する構成が知られている（特許文献１）。
ちの一方（駆動電極）として兼用し、他方の電極（センサ用検出電極）は新たに形成し、
また、表示用駆動信号としての既存のコモン駆動信号を、タッチセンサ用駆動信号として
も共用する構成が知られている（特許文献１）。
【0004】
表示画素スタックアップにおける駆動線及び感知線のようなタッチ信号線並びに接地領域
などの回路素子を共にグループ化し、ディスプレイ上又はその近傍のタッチを感知するタ
ッチ感知回路を形成する構成が知られている（特許文献２）。
などの回路素子を共にグループ化し、ディスプレイ上又はその近傍のタッチを感知するタ
ッチ感知回路を形成する構成が知られている（特許文献２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【特許文献1】特開２００９－２４４９５８号公報
【特許文献2】特開２０１１－１９７６８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
本発明の一態様は、利便性または信頼性に優れた新規な入出力パネルを提供することを課
題の一とする。または、利便性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供することを
課題の一とする。または、新規な入出力パネル、新規な入出力装置または新規な半導体装
置を提供することを課題の一とする。
題の一とする。または、利便性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供することを
課題の一とする。または、新規な入出力パネル、新規な入出力装置または新規な半導体装
置を提供することを課題の一とする。
【0007】
なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一
態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題
は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図
面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題
は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図
面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
【課題を解決するための手段】
【0008】
（１）本発明の一態様は、画素と、検知素子と、信号線と、を有する入出力パネルである
。
。
【0009】
検知素子は、画素と重なる領域を備える。
【0010】
信号線は検知素子と電気的に接続され、信号線は画素と電気的に接続される。
【0011】
（２）また、本発明の一態様は、制御線と、走査線と、を有する上記の入出力パネルであ
る。
る。
【0012】
制御線は、検知素子と電気的に接続される。
【0013】
走査線は、画素と電気的に接続される。
【0014】
これにより、一の信号線を用いて画像信号を供給し、検知信号を供給することができる。
また、配線の数を減らすことができる。また、画素に近づくものを検知することができる
。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な入出力パネルを提供することができる。
また、配線の数を減らすことができる。また、画素に近づくものを検知することができる
。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な入出力パネルを提供することができる。
【0015】
（３）また、本発明の一態様は、上記の検知素子が、第１の導電膜および第２の導電膜を
備える入出力パネルである。
備える入出力パネルである。
【0016】
第１の導電膜は、制御線と電気的に接続される。
【0017】
第２の導電膜は信号線と電気的に接続され、第２の導電膜は第１の導電膜との間に電界を
形成するように配設される。
形成するように配設される。
【0018】
電界は、近接するものにより遮られる領域を備える。
【0019】
これにより、静電容量の変化を用いて画素に近接するものを検知することができる。また
は、第１の導電膜および第２の導電膜を相互容量型の近接センサとして用いることができ
る。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な入出力パネルを提供することができる
。
は、第１の導電膜および第２の導電膜を相互容量型の近接センサとして用いることができ
る。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な入出力パネルを提供することができる
。
【0020】
（４）また、本発明の一態様は、上記の画素が、画素回路および表示素子を備える入出力
パネルである。
パネルである。
【0021】
画素回路は、信号線および走査線と電気的に接続される。
【0022】
表示素子は画素回路と電気的に接続され、表示素子は第１の電極および第２の電極を備え
る。
る。
【0023】
第１の電極は、画素回路と電気的に接続される。
【0024】
第２の電極は、制御線と電気的に接続される。
【0025】
これにより、一の制御線を用いて、例えば電力を画素に供給し、例えば制御信号を検知素
子に供給することができる。また、配線の数を減らすことができる。その結果、利便性ま
たは信頼性に優れた新規な入出力パネルを提供することができる。
子に供給することができる。また、配線の数を減らすことができる。その結果、利便性ま
たは信頼性に優れた新規な入出力パネルを提供することができる。
【0026】
（５）また、本発明の一態様は、一群の複数の検知素子と、他の一群の複数の検知素子と
、を有する上記の入出力パネルである。
、を有する上記の入出力パネルである。
【0027】
一群の複数の検知素子は上記の検知素子を含み、一群の複数の検知素子は行方向に並んで
配設される。また、一群の複数の検知素子は制御線と電気的に接続される。
配設される。また、一群の複数の検知素子は制御線と電気的に接続される。
【0028】
他の一群の複数の検知素子は上記の検知素子を含み、他の一群の複数の検知素子は行方向
と交差する列方向に並んで配設される。また、他の一群の複数の検知素子は信号線と電気
的に接続される。
と交差する列方向に並んで配設される。また、他の一群の複数の検知素子は信号線と電気
的に接続される。
【0029】
（６）また、本発明の一態様は、一群の複数の画素と、他の一群の複数の画素と、を有す
る上記の入出力パネルである。
る上記の入出力パネルである。
【0030】
一群の複数の画素は上記の画素を含み、一群の複数の画素は行方向に並んで配設される。
また、一群の複数の画素は走査線と電気的に接続される。
また、一群の複数の画素は走査線と電気的に接続される。
【0031】
他の一群の複数の画素は上記の画素を含み、他の一群の複数の画素は行方向と交差する列
方向に並んで配設される。また、他の一群の複数の画素は信号線と電気的に接続される。
方向に並んで配設される。また、他の一群の複数の画素は信号線と電気的に接続される。
【0032】
これにより、複数の検知素子を例えば行列状に配置することができる。また、複数の表示
素子を例えば行列状に配置することができる。また、画素に近づくものの位置を知ること
ができる。また、画像を表示することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた
新規な入出力パネルを提供することができる。
素子を例えば行列状に配置することができる。また、画素に近づくものの位置を知ること
ができる。また、画像を表示することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた
新規な入出力パネルを提供することができる。
【0033】
（７）また、本発明の一態様は、上記の検知素子が複数の画素と重なる領域を備える入出
力パネルである。
力パネルである。
【0034】
複数の画素は一の走査線と電気的に接続される画素および他の走査線と電気的に接続され
る画素を含み、複数の画素は信号線と電気的に接続される画素および他の信号線と電気的
に接続される画素を含む。
る画素を含み、複数の画素は信号線と電気的に接続される画素および他の信号線と電気的
に接続される画素を含む。
【0035】
これにより、表示素子を検知素子より高い密度で配置することができる。また、検知素子
を用いて取得することができる位置情報の分解能より精細な表示をすることができる。そ
の結果、利便性または信頼性に優れた新規な入出力パネルを提供することができる。
を用いて取得することができる位置情報の分解能より精細な表示をすることができる。そ
の結果、利便性または信頼性に優れた新規な入出力パネルを提供することができる。
【0036】
（８）また、本発明の一態様は、上記のいずれか一に記載の入出力パネルと、発振回路と
、切り替え回路と、駆動回路と、検知回路と、を有する入出力装置である。
、切り替え回路と、駆動回路と、検知回路と、を有する入出力装置である。
【0037】
発振回路は制御線と電気的に接続される。
【0038】
駆動回路は切り替え回路と電気的に接続される。
【0039】
検知回路は、切り替え回路と電気的に接続される。
【0040】
切り替え回路は信号線と電気的に接続され、切り替え回路は切り替え信号に基づいて、駆
動回路を信号線と電気的に接続または検知回路を信号線と電気的に接続する機能を備える
。
動回路を信号線と電気的に接続または検知回路を信号線と電気的に接続する機能を備える
。
【0041】
これにより、一の信号線を用いて、例えば、画像信号を画素に供給し、例えば、検知信号
を検知回路に供給することができる。また、配線の数を減らすことができる。その結果、
利便性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供することができる。
を検知回路に供給することができる。また、配線の数を減らすことができる。その結果、
利便性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供することができる。
【0042】
本明細書に添付した図面では、構成要素を機能ごとに分類し、互いに独立したブロックと
してブロック図を示しているが、実際の構成要素は機能ごとに完全に切り分けることが難
しく、一つの構成要素が複数の機能に係わることもあり得る。
してブロック図を示しているが、実際の構成要素は機能ごとに完全に切り分けることが難
しく、一つの構成要素が複数の機能に係わることもあり得る。
【0043】
本明細書においてトランジスタが有するソースとドレインは、トランジスタの極性及び各
端子に与えられる電位の高低によって、その呼び方が入れ替わる。一般的に、ｎチャネル
型トランジスタでは、低い電位が与えられる端子がソースと呼ばれ、高い電位が与えられ
る端子がドレインと呼ばれる。また、ｐチャネル型トランジスタでは、低い電位が与えら
れる端子がドレインと呼ばれ、高い電位が与えられる端子がソースと呼ばれる。本明細書
では、便宜上、ソースとドレインとが固定されているものと仮定して、トランジスタの接
続関係を説明する場合があるが、実際には上記電位の関係に従ってソースとドレインの呼
び方が入れ替わる。
端子に与えられる電位の高低によって、その呼び方が入れ替わる。一般的に、ｎチャネル
型トランジスタでは、低い電位が与えられる端子がソースと呼ばれ、高い電位が与えられ
る端子がドレインと呼ばれる。また、ｐチャネル型トランジスタでは、低い電位が与えら
れる端子がドレインと呼ばれ、高い電位が与えられる端子がソースと呼ばれる。本明細書
では、便宜上、ソースとドレインとが固定されているものと仮定して、トランジスタの接
続関係を説明する場合があるが、実際には上記電位の関係に従ってソースとドレインの呼
び方が入れ替わる。
【0044】
本明細書においてトランジスタのソースとは、活性層として機能する半導体膜の一部であ
るソース領域、或いは上記半導体膜に接続されたソース電極を意味する。同様に、トラン
ジスタのドレインとは、上記半導体膜の一部であるドレイン領域、或いは上記半導体膜に
接続されたドレイン電極を意味する。また、ゲートはゲート電極を意味する。
るソース領域、或いは上記半導体膜に接続されたソース電極を意味する。同様に、トラン
ジスタのドレインとは、上記半導体膜の一部であるドレイン領域、或いは上記半導体膜に
接続されたドレイン電極を意味する。また、ゲートはゲート電極を意味する。
【0045】
本明細書においてトランジスタが直列に接続されている状態とは、例えば、第１のトラン
ジスタのソースまたはドレインの一方のみが、第２のトランジスタのソースまたはドレイ
ンの一方のみに接続されている状態を意味する。また、トランジスタが並列に接続されて
いる状態とは、第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方が第２のトランジスタ
のソースまたはドレインの一方に接続され、第１のトランジスタのソースまたはドレイン
の他方が第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方に接続されている状態を意味
する。
ジスタのソースまたはドレインの一方のみが、第２のトランジスタのソースまたはドレイ
ンの一方のみに接続されている状態を意味する。また、トランジスタが並列に接続されて
いる状態とは、第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方が第２のトランジスタ
のソースまたはドレインの一方に接続され、第１のトランジスタのソースまたはドレイン
の他方が第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方に接続されている状態を意味
する。
【0046】
本明細書において接続とは、電気的な接続を意味しており、電流、電圧または電位が、供
給可能、或いは伝送可能な状態に相当する。従って、接続している状態とは、直接接続し
ている状態を必ずしも指すわけではなく、電流、電圧または電位が、供給可能、或いは伝
送可能であるように、配線、抵抗、ダイオード、トランジスタなどの回路素子を介して間
接的に接続している状態も、その範疇に含む。
給可能、或いは伝送可能な状態に相当する。従って、接続している状態とは、直接接続し
ている状態を必ずしも指すわけではなく、電流、電圧または電位が、供給可能、或いは伝
送可能であるように、配線、抵抗、ダイオード、トランジスタなどの回路素子を介して間
接的に接続している状態も、その範疇に含む。
【0047】
本明細書において回路図上は独立している構成要素どうしが接続されている場合であって
も、実際には、例えば配線の一部が電極として機能する場合など、一の導電膜が、複数の
構成要素の機能を併せ持っている場合もある。本明細書において接続とは、このような、
一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合も、その範疇に含める。
も、実際には、例えば配線の一部が電極として機能する場合など、一の導電膜が、複数の
構成要素の機能を併せ持っている場合もある。本明細書において接続とは、このような、
一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合も、その範疇に含める。
【0048】
また、本明細書中において、トランジスタの第１の電極または第２の電極の一方がソース
電極を、他方がドレイン電極を指す。
電極を、他方がドレイン電極を指す。
【発明の効果】
【0049】
本発明の一態様によれば、利便性または信頼性に優れた新規な入出力パネルを提供できる
。または、利便性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供できる。または、新規な
入出力パネル、新規な入出力装置または新規な半導体装置を提供できる。
。または、利便性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供できる。または、新規な
入出力パネル、新規な入出力装置または新規な半導体装置を提供できる。
【0050】
なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一
態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は
、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面
、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は
、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面
、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【0051】
【図1】実施の形態に係る入出力装置の構成を説明するブロック図および回路図。
【図2】実施の形態に係る入出力装置の構成を説明するブロック図および模式図。
【図3】実施の形態に係る入出力装置の構成を説明するブロック図。
【図4】実施の形態に係る入出力装置の構成を説明するブロック図。
【図5】実施の形態に係る入出力装置に用いることができる画素の構成を説明する上面図。
【図6】実施の形態に係る入出力装置に用いることができる画素の構成を説明する断面図。
【図7】実施の形態に係る入出力装置に用いることができる画素の構成を説明する断面図。
【図8】実施の形態に係る入出力装置に用いることができる画素の構成を説明する断面図。
【図9】実施の形態に係る入出力装置に用いることができる画素の構成を説明する断面図。
【図10】実施の形態に係る入出力装置に用いることができる画素の構成を説明する上面図。
【図11】実施の形態に係る入出力装置に用いることができる画素の構成を説明する断面図。
【図12】実施の形態に係る入出力装置に用いることができる画素の構成を説明する断面図および回路図。
【図13】実施の形態に係る入出力装置に用いることができる画素の構成を説明する断面図。
【図14】実施の形態に係る入出力装置に用いることができる画素の構成を説明する断面図。
【図15】実施の形態に係る入出力装置に用いることができる画素の構成を説明する断面図。
【図16】実施の形態に係る入出力装置の駆動方法を説明する模式図。
【図17】半導体装置の上面図および断面図。
【図18】半導体膜の断面を説明する図。
【図19】エネルギーバンドを説明する図。
【図20】実施の形態に係る電子機器の構成を説明する図。
【発明を実施するための形態】
【0052】
本発明の一態様の入出力パネルは、画素と、検知素子と、信号線と、制御線と、走査線と
、を有し、検知素子は画素と重なる領域を備え、信号線は検知素子と電気的に接続され、
信号線は画素と電気的に接続され、制御線は検知素子と電気的に接続され、走査線は画素
と電気的に接続される。
、を有し、検知素子は画素と重なる領域を備え、信号線は検知素子と電気的に接続され、
信号線は画素と電気的に接続され、制御線は検知素子と電気的に接続され、走査線は画素
と電気的に接続される。
【0053】
これにより、一の信号線を用いて、例えば、画素に画像信号を供給し、例えば、検知回路
に検知信号を供給することができる。また、配線の数を減らすことができる。また、画素
に近づくものを検知することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な入
出力パネルを提供することができる。
に検知信号を供給することができる。また、配線の数を減らすことができる。また、画素
に近づくものを検知することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な入
出力パネルを提供することができる。
【0054】
実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定さ
れず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し
得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の
記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において
、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、
その繰り返しの説明は省略する。
れず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し
得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の
記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において
、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、
その繰り返しの説明は省略する。
【0055】
【0056】
【0057】
【0058】
【0059】
【0060】
図３（Ａ）は本発明の一態様の入出力装置に用いることができる、信号線Ｓ（ｊ）と切り
替え回路ＳＷＣの接続関係および切り替え回路ＳＷＣと検知回路ＤＣの接続関係を説明す
るブロック図である。図３（Ｂ）は図３（Ａ）に示す切り替え回路ＳＷＣの一部を説明す
るブロック図である。
替え回路ＳＷＣの接続関係および切り替え回路ＳＷＣと検知回路ＤＣの接続関係を説明す
るブロック図である。図３（Ｂ）は図３（Ａ）に示す切り替え回路ＳＷＣの一部を説明す
るブロック図である。
【0061】
【0062】
【0063】
【0064】
図５は本発明の一態様の入出力装置に用いることができる画素の上面図であり、図６（Ａ
）は図５に示す切断線Ｘ３－Ｘ４における断面の構造を説明する断面図である。図６（Ｂ
）は図６（Ａ）の一部を説明する断面図である。
）は図５に示す切断線Ｘ３－Ｘ４における断面の構造を説明する断面図である。図６（Ｂ
）は図６（Ａ）の一部を説明する断面図である。
【0065】
なお、本明細書において、１以上の整数を値にとる変数を符号に用いる場合がある。例え
ば、１以上の整数の値をとる変数ｐを含む（ｐ）を、最大ｐ個の構成要素のいずれかを特
定する符号の一部に用いる場合がある。また、例えば、１以上の整数の値をとる変数ｍお
よび変数ｎを含む（ｍ，ｎ）を、最大ｍ×ｎ個の構成要素のいずれかを特定する符号の一
部に用いる場合がある。
ば、１以上の整数の値をとる変数ｐを含む（ｐ）を、最大ｐ個の構成要素のいずれかを特
定する符号の一部に用いる場合がある。また、例えば、１以上の整数の値をとる変数ｍお
よび変数ｎを含む（ｍ，ｎ）を、最大ｍ×ｎ個の構成要素のいずれかを特定する符号の一
部に用いる場合がある。
【0066】
【0067】
発振回路ＯＳＣは、制御線Ｃ（ｇ）と電気的に接続される。
【0068】
駆動回路ＳＤは、切り替え回路ＳＷＣと電気的に接続される。
【0069】
検知回路ＤＣは、切り替え回路ＳＷＣと電気的に接続される。
【0070】
切り替え回路ＳＷＣは信号線Ｓ（ｊ）と電気的に接続され、切り替え回路ＳＷＣは切り替
え信号Ｓに基づいて、駆動回路ＳＤまたは検知回路ＤＣを信号線Ｓ（ｊ）と電気的に接続
する機能を備える。
え信号Ｓに基づいて、駆動回路ＳＤまたは検知回路ＤＣを信号線Ｓ（ｊ）と電気的に接続
する機能を備える。
【0071】
＜入出力パネルの構成例＞
（１）本実施の形態で説明する入出力パネル７００ＴＰは、画素７０２（ｉ，ｊ）と、検
知素子Ｄ（ｇ，ｈ）と、信号線Ｓ（ｊ）と、を有する。なお、ｇ，ｈ，ｉ，ｊは、いずれ
も独立した変数であり、いずれも１以上の整数である。
（１）本実施の形態で説明する入出力パネル７００ＴＰは、画素７０２（ｉ，ｊ）と、検
知素子Ｄ（ｇ，ｈ）と、信号線Ｓ（ｊ）と、を有する。なお、ｇ，ｈ，ｉ，ｊは、いずれ
も独立した変数であり、いずれも１以上の整数である。
【0072】
検知素子Ｄ（ｇ，ｈ）は、画素７０２（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。
【0073】
信号線Ｓ（ｊ）は検知素子Ｄ（ｇ，ｈ）と電気的に接続され、信号線Ｓ（ｊ）は画素７０
２（ｉ，ｊ）と電気的に接続される（図１（Ｂ）参照）。
２（ｉ，ｊ）と電気的に接続される（図１（Ｂ）参照）。
【0074】
（２）また、入出力パネル７００ＴＰは、制御線Ｃ（ｇ）と、走査線Ｇ（ｉ）と、を有す
る。
る。
【0075】
制御線Ｃ（ｇ）は、検知素子Ｄ（ｇ，ｈ）と電気的に接続される。
【0076】
走査線Ｇ（ｉ）は、画素７０２（ｉ，ｊ）と電気的に接続される。
【0077】
これにより、一の信号線を用いて画像信号を供給し、検知信号を供給することができる。
また、配線の数を減らすことができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な入
出力パネルを提供することができる。
また、配線の数を減らすことができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な入
出力パネルを提供することができる。
【0078】
（３）また、入出力パネル７００ＴＰが有する検知素子Ｄ（ｇ，ｈ）は、第１の導電膜お
よび第２の導電膜を備える。
よび第２の導電膜を備える。
【0079】
第１の導電膜は、制御線Ｃ（ｇ）と電気的に接続され、第２の導電膜は、信号線Ｓ（ｊ）
と電気的に接続される。例えば、制御線Ｃ（ｇ）を第１の導電膜に用いることができる。
また、例えば、信号線Ｓ（ｊ）を第２の導電膜に用いることができる（図１（Ｂ）、図５
および図６（Ａ）参照）。
と電気的に接続される。例えば、制御線Ｃ（ｇ）を第１の導電膜に用いることができる。
また、例えば、信号線Ｓ（ｊ）を第２の導電膜に用いることができる（図１（Ｂ）、図５
および図６（Ａ）参照）。
【0080】
第２の導電膜は、第１の導電膜との間に電界を形成するように配設される（図１（Ｂ）お
よび図６（Ａ）参照）。なお、当該電界は、近接するものにより遮られる領域を備える。
換言すると、近接するものにより遮られる領域を備える電界を制御線Ｃ（ｇ）との間に形
成するように、信号線Ｓ（ｊ）を配置する。
よび図６（Ａ）参照）。なお、当該電界は、近接するものにより遮られる領域を備える。
換言すると、近接するものにより遮られる領域を備える電界を制御線Ｃ（ｇ）との間に形
成するように、信号線Ｓ（ｊ）を配置する。
【0081】
これにより、画素に近接するものを静電容量の変化を用いて検知することができる。その
結果、利便性または信頼性に優れた新規な入出力パネルを提供することができる。
結果、利便性または信頼性に優れた新規な入出力パネルを提供することができる。
【0082】
例えば、信号線Ｓ（ｊ）１および信号線Ｓ（ｊ）２を信号線Ｓ（ｊ）に用いることができ
る（図６（Ａ）参照）。具体的には、信号線Ｓ（ｊ）１よりも、入出力パネル７００ＴＰ
の表示面側に近づくものの近くに配設される導電膜を、信号線Ｓ（ｊ）２に用いることが
できる。これにより、入出力パネルに近づくものを検知する感度を高めることができる。
例えば、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）と同一の工程で作製することができる導電膜を信号
線Ｓ（ｊ）２に用いることができる。
る（図６（Ａ）参照）。具体的には、信号線Ｓ（ｊ）１よりも、入出力パネル７００ＴＰ
の表示面側に近づくものの近くに配設される導電膜を、信号線Ｓ（ｊ）２に用いることが
できる。これにより、入出力パネルに近づくものを検知する感度を高めることができる。
例えば、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）と同一の工程で作製することができる導電膜を信号
線Ｓ（ｊ）２に用いることができる。
【0083】
（４）また、入出力パネル７００ＴＰが有する画素７０２（ｉ，ｊ）は、画素回路７３０
（ｉ，ｊ）および表示素子７５０（ｉ，ｊ）を備える（図１（Ｂ）参照）。
（ｉ，ｊ）および表示素子７５０（ｉ，ｊ）を備える（図１（Ｂ）参照）。
【0084】
画素回路７３０（ｉ，ｊ）は、信号線Ｓ（ｊ）および走査線Ｇ（ｉ）と電気的に接続され
る。
る。
【0085】
表示素子７５０（ｉ，ｊ）は画素回路７３０（ｉ，ｊ）と電気的に接続される。表示素子
７５０（ｉ，ｊ）は第１の電極７５１（ｉ，ｊ）および第２の電極を備える（図１（Ｂ）
、図５および図６（Ａ）参照）。また、表示素子７５０（ｉ，ｊ）は液晶材料を含む層７
５３を備えることができる。
７５０（ｉ，ｊ）は第１の電極７５１（ｉ，ｊ）および第２の電極を備える（図１（Ｂ）
、図５および図６（Ａ）参照）。また、表示素子７５０（ｉ，ｊ）は液晶材料を含む層７
５３を備えることができる。
【0086】
第１の電極７５１（ｉ，ｊ）は、画素回路７３０（ｉ，ｊ）と電気的に接続される。
【0087】
第２の電極は、制御線Ｃ（ｇ）と電気的に接続される。なお、例えば制御線Ｃ（ｇ）を第
２の電極に用いることができる。
２の電極に用いることができる。
【0088】
これにより、一の制御線を用いて、例えば、画素に電力を供給し、例えば、検知素子に制
御信号を供給することができる。また、配線の数を減らすことができる。その結果、利便
性または信頼性に優れた新規な入出力パネルを提供することができる。
御信号を供給することができる。また、配線の数を減らすことができる。その結果、利便
性または信頼性に優れた新規な入出力パネルを提供することができる。
【0089】
【0090】
一群の検知素子Ｄ（ｇ，１）乃至検知素子Ｄ（ｇ，ｑ）は検知素子Ｄ（ｇ，ｈ）を含む。
一群の検知素子Ｄ（ｇ，１）乃至検知素子Ｄ（ｇ，ｑ）は行方向（図中に矢印Ｒで示す方
向）に並んで配設され、一群の検知素子Ｄ（ｇ，１）乃至検知素子Ｄ（ｇ，ｑ）は制御線
Ｃ（ｇ）と電気的に接続される。
一群の検知素子Ｄ（ｇ，１）乃至検知素子Ｄ（ｇ，ｑ）は行方向（図中に矢印Ｒで示す方
向）に並んで配設され、一群の検知素子Ｄ（ｇ，１）乃至検知素子Ｄ（ｇ，ｑ）は制御線
Ｃ（ｇ）と電気的に接続される。
【0091】
他の一群の検知素子Ｄ（１，ｈ）乃至検知素子Ｄ（ｐ，ｈ）は検知素子Ｄ（ｇ、ｈ）を含
む。他の一群の検知素子Ｄ（１，ｈ）乃至検知素子Ｄ（ｐ，ｈ）は行方向と交差する列方
向（例えば、図中に矢印Ｃで示す方向）に並んで配設され、他の一群の検知素子Ｄ（１，
ｈ）乃至検知素子Ｄ（ｐ，ｈ）は信号線Ｓ（ｊ）と電気的に接続される。
む。他の一群の検知素子Ｄ（１，ｈ）乃至検知素子Ｄ（ｐ，ｈ）は行方向と交差する列方
向（例えば、図中に矢印Ｃで示す方向）に並んで配設され、他の一群の検知素子Ｄ（１，
ｈ）乃至検知素子Ｄ（ｐ，ｈ）は信号線Ｓ（ｊ）と電気的に接続される。
【0092】
（６）また、入出力パネル７００ＴＰは、一群の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（
ｉ，ｎ）と、他の一群の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）と、を有する。
ｉ，ｎ）と、他の一群の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）と、を有する。
【0093】
一群の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）は、画素７０２（ｉ，ｊ）を含む
。一群の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）は、行方向に並んで配設され、
一群の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）は、走査線Ｇ（ｉ）と電気的に接
続される。
。一群の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）は、行方向に並んで配設され、
一群の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）は、走査線Ｇ（ｉ）と電気的に接
続される。
【0094】
他の一群の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）は、画素７０２（ｉ，ｊ）を
含む。他の一群の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）は、行方向と交差する
列方向に並んで配設され、他の一群の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）は
、信号線Ｓ（ｊ）と電気的に接続される。
含む。他の一群の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）は、行方向と交差する
列方向に並んで配設され、他の一群の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）は
、信号線Ｓ（ｊ）と電気的に接続される。
【0095】
これにより、複数の検知素子を例えば行列状に配置することができる。また、複数の表示
素子を例えば行列状に配置することができる。また、画素に近づくものの位置を知ること
ができる。また、画像を表示することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた
新規な入出力パネルを提供することができる。
素子を例えば行列状に配置することができる。また、画素に近づくものの位置を知ること
ができる。また、画像を表示することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた
新規な入出力パネルを提供することができる。
【0096】
（７）また、入出力パネル７００ＴＰの検知素子Ｄ（ｇ，ｈ）は、画素７０２（ｉ，ｊ）
乃至画素７０２（ｉ＋ｒ，ｊ＋ｓ）と重なる領域を備える（図２（Ｂ）参照）。なお、ｒ
，ｓは、いずれも独立した変数であり、いずれも１以上の整数である。
乃至画素７０２（ｉ＋ｒ，ｊ＋ｓ）と重なる領域を備える（図２（Ｂ）参照）。なお、ｒ
，ｓは、いずれも独立した変数であり、いずれも１以上の整数である。
【0097】
画素７０２（ｉ，ｊ）乃至画素７０２（ｉ＋ｒ，ｊ＋ｓ）は、画素７０２（ｉ，ｊ）乃至
画素７０２（ｉ，ｊ＋ｓ）を含む。なお、画素７０２（ｉ，ｊ）乃至画素７０２（ｉ，ｊ
＋ｓ）は走査線Ｇ（ｉ）と電気的に接続される。
画素７０２（ｉ，ｊ＋ｓ）を含む。なお、画素７０２（ｉ，ｊ）乃至画素７０２（ｉ，ｊ
＋ｓ）は走査線Ｇ（ｉ）と電気的に接続される。
【0098】
また、画素７０２（ｉ，ｊ）乃至画素７０２（ｉ＋ｒ，ｊ＋ｓ）は、画素７０２（ｉ＋ｒ
，ｊ）乃至画素７０２（ｉ＋ｒ，ｊ＋ｓ）を含む。なお、画素７０２（ｉ＋ｒ，ｊ）乃至
画素７０２（ｉ＋ｒ，ｊ＋ｓ）は走査線Ｇ（ｉ＋ｒ）と電気的に接続される。
，ｊ）乃至画素７０２（ｉ＋ｒ，ｊ＋ｓ）を含む。なお、画素７０２（ｉ＋ｒ，ｊ）乃至
画素７０２（ｉ＋ｒ，ｊ＋ｓ）は走査線Ｇ（ｉ＋ｒ）と電気的に接続される。
【0099】
また、画素７０２（ｉ，ｊ）乃至画素７０２（ｉ＋ｒ，ｊ＋ｓ）は、画素７０２（ｉ，ｊ
）乃至画素７０２（ｉ＋ｒ，ｊ）を含む。なお、画素７０２（ｉ，ｊ）乃至画素７０２（
ｉ＋ｒ，ｊ）は、信号線Ｓ（ｊ）と電気的に接続される。
）乃至画素７０２（ｉ＋ｒ，ｊ）を含む。なお、画素７０２（ｉ，ｊ）乃至画素７０２（
ｉ＋ｒ，ｊ）は、信号線Ｓ（ｊ）と電気的に接続される。
【0100】
また、画素７０２（ｉ，ｊ）乃至画素７０２（ｉ＋ｒ，ｊ＋ｓ）は、画素７０２（ｉ，ｊ
＋ｓ）乃至画素７０２（ｉ＋ｒ，ｊ＋ｓ）を含む。なお、画素７０２（ｉ，ｊ＋ｓ）乃至
画素７０２（ｉ＋ｒ，ｊ＋ｓ）は、信号線Ｓ（ｊ＋ｓ）と電気的に接続される。
＋ｓ）乃至画素７０２（ｉ＋ｒ，ｊ＋ｓ）を含む。なお、画素７０２（ｉ，ｊ＋ｓ）乃至
画素７０２（ｉ＋ｒ，ｊ＋ｓ）は、信号線Ｓ（ｊ＋ｓ）と電気的に接続される。
【0101】
これにより、表示素子を検知素子より高い密度で配置することができる。また、検知素子
を用いて取得することができる位置情報の分解能より精細な表示をすることができる。そ
の結果、利便性または信頼性に優れた新規な入出力パネルを提供することができる。
を用いて取得することができる位置情報の分解能より精細な表示をすることができる。そ
の結果、利便性または信頼性に優れた新規な入出力パネルを提供することができる。
【0102】
【0103】
画素７０２（ｉ，ｊ）は、画素回路７３０（ｉ，ｊ）および表示素子７５０（ｉ，ｊ）を
備える（図１（Ｂ）参照）。
備える（図１（Ｂ）参照）。
【0104】
画素回路７３０（ｉ，ｊ）は、トランジスタＳＷと、容量素子Ｃ１と、を有する。
【0105】
トランジスタＳＷは、ゲート電極が走査線Ｇ（ｉ）と電気的に接続され、第１の電極が信
号線Ｓ（ｊ）と電気的に接続される。
号線Ｓ（ｊ）と電気的に接続される。
【0106】
容量素子Ｃ１は、第１の電極がトランジスタＳＷの第２の電極と電気的に接続され、第２
の電極が導電膜ＣＳＣＯＭと電気的に接続される。
の電極が導電膜ＣＳＣＯＭと電気的に接続される。
【0107】
また、入出力パネル７００ＴＰの表示素子７５０（ｉ，ｊ）は、第１の電極７５１（ｉ，
ｊ）、第２の電極および液晶材料を含む層７５３を有する（図６（Ａ）参照）。なお、制
御線Ｃ（ｇ）を第２の電極に用いることができ、第２の電極は第１の電極７５１（ｉ，ｊ
）との間に液晶材料の配向を制御する電界が形成されるように配置される。
ｊ）、第２の電極および液晶材料を含む層７５３を有する（図６（Ａ）参照）。なお、制
御線Ｃ（ｇ）を第２の電極に用いることができ、第２の電極は第１の電極７５１（ｉ，ｊ
）との間に液晶材料の配向を制御する電界が形成されるように配置される。
【0108】
【0109】
また、本発明の一態様の入出力パネル７００ＴＰは、着色膜ＣＦ、遮光膜ＢＭ、機能膜７
１０Ｐまたは機能膜７７０Ｐを有する（図６（Ａ）参照）。
１０Ｐまたは機能膜７７０Ｐを有する（図６（Ａ）参照）。
【0110】
また、着色膜ＣＦは、表示素子７５０（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。
【0111】
また、遮光膜ＢＭは、表示素子７５０（ｉ，ｊ）と重なる領域に開口部を備える。
【0112】
また、絶縁膜７７１は、液晶材料を含む層７５３および遮光膜ＢＭに挟まれる領域または
、液晶材料を含む層７５３および着色膜ＣＦに挟まれる領域を備える。
、液晶材料を含む層７５３および着色膜ＣＦに挟まれる領域を備える。
【0113】
機能膜７７０Ｐは、機能膜７１０Ｐとの間に表示素子７５０（ｉ，ｊ）を挟む領域を備え
る。
る。
【0114】
本発明の一態様の入出力パネル７００ＴＰは、基材７１０または基材７７０を有する。基
材７７０は、基材７１０と重なる領域を備え、基材７１０との間に表示素子７５０（ｉ，
ｊ）を挟む領域を備える。
材７７０は、基材７１０と重なる領域を備え、基材７１０との間に表示素子７５０（ｉ，
ｊ）を挟む領域を備える。
【0115】
本発明の一態様の入出力パネル７００ＴＰは、絶縁膜７２１、絶縁膜７１８、絶縁膜７１
６、絶縁膜７０１および絶縁膜７０６を有する。
６、絶縁膜７０１および絶縁膜７０６を有する。
【0116】
絶縁膜７２１は、液晶材料を含む層７５３およびトランジスタＳＷに挟まれる領域を備え
る。絶縁膜７１８は、絶縁膜７２１およびトランジスタＳＷに挟まれる領域を備える。絶
縁膜７１６は、絶縁膜７１８およびトランジスタＳＷの間に挟まれる領域を備える。絶縁
膜７０１は、トランジスタＳＷおよび基材７１０の間に挟まれる領域を備える。絶縁膜７
０６は、絶縁膜７１６および絶縁膜７０１の間に挟まれる領域を備える。
る。絶縁膜７１８は、絶縁膜７２１およびトランジスタＳＷに挟まれる領域を備える。絶
縁膜７１６は、絶縁膜７１８およびトランジスタＳＷの間に挟まれる領域を備える。絶縁
膜７０１は、トランジスタＳＷおよび基材７１０の間に挟まれる領域を備える。絶縁膜７
０６は、絶縁膜７１６および絶縁膜７０１の間に挟まれる領域を備える。
【0117】
【0118】
【0119】
回路３０１（ｊ）と信号線Ｓ（ｊ）は、電気的に接続される。回路３０１（ｊ）は、切り
替え信号Ｓに基づいて、駆動回路ＳＤと信号線Ｓ（ｊ）または検知回路ＤＣと信号線Ｓ（
ｊ）を電気的に接続する。
替え信号Ｓに基づいて、駆動回路ＳＤと信号線Ｓ（ｊ）または検知回路ＤＣと信号線Ｓ（
ｊ）を電気的に接続する。
【0120】
例えば、駆動回路ＳＤと信号線Ｓ（ｊ）を電気的に接続する期間に、検知回路ＤＣと信号
線Ｓ（ｊ）を電気的に切断する。または、例えば、駆動回路ＳＤと信号線Ｓ（ｊ）を電気
的に切断する期間に、検知回路ＤＣと信号線Ｓ（ｊ）を電気的に接続する。
線Ｓ（ｊ）を電気的に切断する。または、例えば、駆動回路ＳＤと信号線Ｓ（ｊ）を電気
的に切断する期間に、検知回路ＤＣと信号線Ｓ（ｊ）を電気的に接続する。
【0121】
なお、駆動回路が供給する画像信号について、切り替え回路ＳＷＣをデマルチプレクサと
して用いることができる（図４（Ｂ）参照）。例えば、駆動回路ＳＤより少ない数の出力
端子を備える駆動回路ＳＤ２を用いて、信号線Ｓ（ｊ）乃至信号線Ｓ（ｊ＋ｓ）に供給す
るための画像信号を含むシリアル信号を一の出力端子から供給し、切り替え回路ＳＷＣを
用いてそれぞれの信号線に分配することができる。これにより、駆動回路ＳＤ２の規模を
駆動回路ＳＤより小さくすることができる。
して用いることができる（図４（Ｂ）参照）。例えば、駆動回路ＳＤより少ない数の出力
端子を備える駆動回路ＳＤ２を用いて、信号線Ｓ（ｊ）乃至信号線Ｓ（ｊ＋ｓ）に供給す
るための画像信号を含むシリアル信号を一の出力端子から供給し、切り替え回路ＳＷＣを
用いてそれぞれの信号線に分配することができる。これにより、駆動回路ＳＤ２の規模を
駆動回路ＳＤより小さくすることができる。
【0122】
＜検知回路ＤＣ＞
検知回路ＤＣは、一群の回路３５１（１）乃至回路３５１（ｎ）を備える（図示せず）。
一群の回路３５１（１）乃至回路３５１（ｎ）は回路３５１（ｊ）を含む（図３（Ａ）ま
たは図３（Ｂ）参照）。
検知回路ＤＣは、一群の回路３５１（１）乃至回路３５１（ｎ）を備える（図示せず）。
一群の回路３５１（１）乃至回路３５１（ｎ）は回路３５１（ｊ）を含む（図３（Ａ）ま
たは図３（Ｂ）参照）。
【0123】
例えば、回路３０１（ｊ）を介して回路３５１（ｊ）と信号線Ｓ（ｊ）が電気的に接続さ
れる期間において、回路３５１（ｊ）は、信号線Ｓ（ｊ）の電位の変化に基づいて検知信
号を供給する機能を備える。
れる期間において、回路３５１（ｊ）は、信号線Ｓ（ｊ）の電位の変化に基づいて検知信
号を供給する機能を備える。
【0124】
なお、例えば、検知回路ＤＣに代えて検知回路ＤＣ２を用いることができる（図４（Ａ）
参照）。検知回路ＤＣ２は、一群の回路３５１（１）２乃至回路３５１（ｑ）２を備える
（図示せず）。一群の回路３５１（１）２乃至回路３５１（ｑ）２は回路３５１（ｊ）２
を含む。
参照）。検知回路ＤＣ２は、一群の回路３５１（１）２乃至回路３５１（ｑ）２を備える
（図示せず）。一群の回路３５１（１）２乃至回路３５１（ｑ）２は回路３５１（ｊ）２
を含む。
【0125】
例えば、回路３０１（ｊ）を介して回路３５１（ｊ）２と信号線Ｓ（ｊ）が電気的に接続
される期間において、回路３５１（ｊ）２は、信号線Ｓ（ｊ）乃至信号線Ｓ（ｊ＋ｓ）が
接続されたノードの電位の変化に基づいて検知信号を供給する機能を備える。一群の回路
３５１（１）２乃至回路３５１（ｑ）２を用いることにより、検知回路ＤＣ２の規模を小
さくすることができる。
される期間において、回路３５１（ｊ）２は、信号線Ｓ（ｊ）乃至信号線Ｓ（ｊ＋ｓ）が
接続されたノードの電位の変化に基づいて検知信号を供給する機能を備える。一群の回路
３５１（１）２乃至回路３５１（ｑ）２を用いることにより、検知回路ＤＣ２の規模を小
さくすることができる。
【0126】
＜駆動回路ＳＤ＞
駆動回路ＳＤは、例えば、画像情報に基づいて、画素回路に供給する画像信号を生成する
機能を備える。具体的には、極性が反転する信号を生成する機能を備える。これにより、
例えば、液晶素子を駆動することができる。
駆動回路ＳＤは、例えば、画像情報に基づいて、画素回路に供給する画像信号を生成する
機能を備える。具体的には、極性が反転する信号を生成する機能を備える。これにより、
例えば、液晶素子を駆動することができる。
【0127】
例えば、シフトレジスタ等のさまざまな順序回路等を駆動回路ＳＤに用いることができる
。
。
【0128】
例えば、集積回路を駆動回路ＳＤに用いることができる。具体的には、シリコン基板上に
形成された集積回路を駆動回路ＳＤに用いることができる。
形成された集積回路を駆動回路ＳＤに用いることができる。
【0129】
例えば、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ ｏｎ ｇｌａｓｓ）法を用いて、駆動回路ＳＤを端子に実装
することができる。具体的には、異方性導電膜を用いて、集積回路を端子に実装すること
ができる。または、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｆｉｌｍ）法を用いて、集積回路を端子に
することが実装できる。
することができる。具体的には、異方性導電膜を用いて、集積回路を端子に実装すること
ができる。または、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｆｉｌｍ）法を用いて、集積回路を端子に
することが実装できる。
【0130】
＜発振回路ＯＳＣ＞
発振回路ＯＳＣは、制御線Ｃ（ｇ）と電気的に接続され、制御信号を供給する機能を備え
る。例えば、矩形波、のこぎり波また三角波等を制御信号に用いることができる。
発振回路ＯＳＣは、制御線Ｃ（ｇ）と電気的に接続され、制御信号を供給する機能を備え
る。例えば、矩形波、のこぎり波また三角波等を制御信号に用いることができる。
【0131】
《構成要素》
以下に、入出力装置または入出力パネルを構成する個々の要素について説明する。なお、
これらの構成は明確に分離できず、一つの構成が他の構成を兼ねる場合や他の構成の一部
を含む場合がある。
以下に、入出力装置または入出力パネルを構成する個々の要素について説明する。なお、
これらの構成は明確に分離できず、一つの構成が他の構成を兼ねる場合や他の構成の一部
を含む場合がある。
【0132】
例えば、制御線Ｃ（ｇ）は、検知素子Ｄ（ｇ，ｈ）の第１の導電膜でもあり、表示素子７
５０（ｉ，ｊ）の第２の電極でもある。
５０（ｉ，ｊ）の第２の電極でもある。
【0133】
本発明の一態様の入出力装置７００は、入出力パネル７００ＴＰ、発振回路ＯＳＣ、切り
替え回路ＳＷＣ、駆動回路ＳＤまたは検知回路ＤＣを有する。
替え回路ＳＷＣ、駆動回路ＳＤまたは検知回路ＤＣを有する。
【0134】
また、本発明の一態様の入出力装置７００は、画素７０２（ｉ，ｊ）、検知素子Ｄ（ｇ、
ｈ）、信号線Ｓ（ｉ）、制御線Ｃ（ｇ）または走査線Ｇ（ｉ）を有する。
ｈ）、信号線Ｓ（ｉ）、制御線Ｃ（ｇ）または走査線Ｇ（ｉ）を有する。
【0135】
また、本発明の一態様の入出力装置７００は、第１の導電膜、第２の導電膜、画素回路７
３０（ｉ，ｊ）または表示素子７５０（ｉ，ｊ）を有する。
３０（ｉ，ｊ）または表示素子７５０（ｉ，ｊ）を有する。
【0136】
また、本発明の一態様の入出力装置７００は、トランジスタＳＷ、容量素子Ｃ１、第１の
電極７５１（ｉ，ｊ）、第２の電極または液晶材料を含む層７５３を有する。
電極７５１（ｉ，ｊ）、第２の電極または液晶材料を含む層７５３を有する。
【0137】
また、本発明の一態様の入出力装置７００は、着色膜ＣＦ、遮光膜ＢＭ、機能膜７１０Ｐ
または機能膜７７０Ｐを有する。
または機能膜７７０Ｐを有する。
【0138】
また、本発明の一態様の入出力装置７００は、絶縁膜７７１、絶縁膜７２１、絶縁膜７１
８、絶縁膜７１６、絶縁膜７０１、または絶縁膜７０６を有する。
８、絶縁膜７１６、絶縁膜７０１、または絶縁膜７０６を有する。
【0139】
また、本発明の一態様の入出力装置７００は、基材７１０または基材７７０を有する。
【0140】
《配線、導電膜》
導電性を備える材料を配線等に用いることができる。具体的には、導電性を備える材料を
、信号線Ｓ（ｉ）、制御線Ｃ（ｇ）、走査線Ｇ（ｉ）、第１の導電膜、第２の導電膜、第
１の電極７５１（ｉ，ｊ）、第２の電極、導電膜ＣＳＣＯＭ等に用いることができる。
導電性を備える材料を配線等に用いることができる。具体的には、導電性を備える材料を
、信号線Ｓ（ｉ）、制御線Ｃ（ｇ）、走査線Ｇ（ｉ）、第１の導電膜、第２の導電膜、第
１の電極７５１（ｉ，ｊ）、第２の電極、導電膜ＣＳＣＯＭ等に用いることができる。
【0141】
例えば、無機導電性材料、有機導電性材料、金属または導電性セラミックスなどを配線等
に用いることができる。
に用いることができる。
【0142】
具体的には、アルミニウム、金、白金、銀、銅、クロム、タンタル、チタン、モリブデン
、タングステン、ニッケル、鉄、コバルト、パラジウムまたはマンガンから選ばれた金属
元素などを、配線等に用いることができる。または、上述した金属元素を含む合金などを
、配線等に用いることができる。特に、銅とマンガンの合金がウエットエッチング法を用
いた微細加工に好適である。
、タングステン、ニッケル、鉄、コバルト、パラジウムまたはマンガンから選ばれた金属
元素などを、配線等に用いることができる。または、上述した金属元素を含む合金などを
、配線等に用いることができる。特に、銅とマンガンの合金がウエットエッチング法を用
いた微細加工に好適である。
【0143】
具体的には、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にチタン
膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、窒化タン
タル膜または窒化タングステン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、チタン膜と、
そのチタン膜上にアルミニウム膜を積層し、さらにその上にチタン膜を形成する三層構造
等を配線等に用いることができる。
膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、窒化タン
タル膜または窒化タングステン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、チタン膜と、
そのチタン膜上にアルミニウム膜を積層し、さらにその上にチタン膜を形成する三層構造
等を配線等に用いることができる。
【0144】
具体的には、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、
ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を、配線等に用いることができる。
ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を、配線等に用いることができる。
【0145】
具体的には、グラフェンまたはグラファイトを含む膜を配線等に用いることができる。
【0146】
例えば、酸化グラフェンを含む膜を形成し、酸化グラフェンを含む膜を還元することによ
り、グラフェンを含む膜を形成することができる。還元する方法としては、熱を加える方
法や還元剤を用いる方法等を挙げることができる。
り、グラフェンを含む膜を形成することができる。還元する方法としては、熱を加える方
法や還元剤を用いる方法等を挙げることができる。
【0147】
例えば、金属ナノワイヤーを含む膜を配線等に用いることができる。具体的には、銀を含
むナノワイヤーを用いることができる。
むナノワイヤーを用いることができる。
【0148】
具体的には、導電性高分子を配線等に用いることができる。
【0149】
《トランジスタＳＷ》
例えば、ボトムゲート型またはトップゲート型等のトランジスタをトランジスタＳＷ等に
用いることができる。
例えば、ボトムゲート型またはトップゲート型等のトランジスタをトランジスタＳＷ等に
用いることができる。
【0150】
例えば、１４族の元素を含む半導体を半導体膜に用いるトランジスタを利用することがで
きる。具体的には、シリコンを含む半導体を半導体膜に用いることができる。例えば、単
結晶シリコン、ポリシリコン、微結晶シリコンまたはアモルファスシリコンなどを半導体
膜に用いるトランジスタを利用することができる。
きる。具体的には、シリコンを含む半導体を半導体膜に用いることができる。例えば、単
結晶シリコン、ポリシリコン、微結晶シリコンまたはアモルファスシリコンなどを半導体
膜に用いるトランジスタを利用することができる。
【0151】
例えば、酸化物半導体を半導体膜に用いるトランジスタを利用することができる。具体的
には、インジウムを含む酸化物半導体またはインジウムとガリウムと亜鉛を含む酸化物半
導体を半導体膜に用いることができる。
には、インジウムを含む酸化物半導体またはインジウムとガリウムと亜鉛を含む酸化物半
導体を半導体膜に用いることができる。
【0152】
一例を挙げれば、オフ状態におけるリーク電流が、アモルファスシリコンを半導体膜に用
いたトランジスタと比較して小さいトランジスタをトランジスタＳＷ等に用いることがで
きる。具体的には、酸化物半導体を半導体膜７０８に用いたトランジスタをトランジスタ
ＳＷ等に用いることができる。
いたトランジスタと比較して小さいトランジスタをトランジスタＳＷ等に用いることがで
きる。具体的には、酸化物半導体を半導体膜７０８に用いたトランジスタをトランジスタ
ＳＷ等に用いることができる。
【0153】
これにより、アモルファスシリコンを半導体膜に用いたトランジスタを利用する画素回路
と比較して、トランジスタＳＷの画素回路が画像信号を保持することができる時間を長く
することができる。具体的には、フリッカーの発生を抑制しながら、選択信号を３０Ｈｚ
未満、好ましくは１Ｈｚ未満より好ましくは一分に一回未満の頻度で供給することができ
る。その結果、入出力装置の使用者に蓄積する疲労を低減することができる。また、駆動
に伴う消費電力を低減することができる。
と比較して、トランジスタＳＷの画素回路が画像信号を保持することができる時間を長く
することができる。具体的には、フリッカーの発生を抑制しながら、選択信号を３０Ｈｚ
未満、好ましくは１Ｈｚ未満より好ましくは一分に一回未満の頻度で供給することができ
る。その結果、入出力装置の使用者に蓄積する疲労を低減することができる。また、駆動
に伴う消費電力を低減することができる。
【0154】
例えば、半導体膜７０８、導電膜７０４、絶縁膜７０６、導電膜７１２Ａおよび導電膜７
１２Ｂを備えるトランジスタを、トランジスタＳＷ等に用いることができる（図６（Ｂ）
参照）。なお、導電膜７０４は半導体膜７０８と重なる領域を備え、導電膜７１２Ａおよ
び導電膜７１２Ｂは半導体膜７０８と電気的に接続される。また、絶縁膜７０６は、半導
体膜７０８および導電膜７０４の間に挟まれる領域を備える。
１２Ｂを備えるトランジスタを、トランジスタＳＷ等に用いることができる（図６（Ｂ）
参照）。なお、導電膜７０４は半導体膜７０８と重なる領域を備え、導電膜７１２Ａおよ
び導電膜７１２Ｂは半導体膜７０８と電気的に接続される。また、絶縁膜７０６は、半導
体膜７０８および導電膜７０４の間に挟まれる領域を備える。
【0155】
なお、導電膜７０４はゲート電極の機能を備え、絶縁膜７０６はゲート絶縁膜の機能を備
える。また、導電膜７１２Ａはソース電極の機能またはドレイン電極の機能の一方を備え
、導電膜７１２Ｂはソース電極の機能またはドレイン電極の機能の他方を備える。
える。また、導電膜７１２Ａはソース電極の機能またはドレイン電極の機能の一方を備え
、導電膜７１２Ｂはソース電極の機能またはドレイン電極の機能の他方を備える。
【0156】
例えば、タンタルおよび窒素を含む厚さ１０ｎｍの膜と、銅を含む厚さ３００ｎｍの膜と
、をこの順で積層した導電膜を導電膜７０４に用いることができる。
、をこの順で積層した導電膜を導電膜７０４に用いることができる。
【0157】
例えば、シリコンおよび窒素を含む厚さ４００ｎｍの膜と、シリコン、酸素および窒素を
含む厚さ２００ｎｍの膜と、を積層した材料を絶縁膜７０６に用いることができる。
含む厚さ２００ｎｍの膜と、を積層した材料を絶縁膜７０６に用いることができる。
【0158】
例えば、インジウム、ガリウムおよび亜鉛を含む厚さ２５ｎｍの膜を、半導体膜７０８に
用いることができる。
用いることができる。
【0159】
例えば、タングステンを含む厚さ５０ｎｍの膜と、アルミニウムを含む厚さ４００ｎｍの
膜と、チタンを含む厚さ１００ｎｍの膜と、をこの順で積層した導電膜を、導電膜７１２
Ａまたは導電膜７１２Ｂに用いることができる。
膜と、チタンを含む厚さ１００ｎｍの膜と、をこの順で積層した導電膜を、導電膜７１２
Ａまたは導電膜７１２Ｂに用いることができる。
【0160】
《表示素子７５０（ｉ，ｊ）》
例えば、光の反射または透過を制御する機能を備える表示素子を、表示素子７５０（ｉ，
ｊ）等に用いることができる。例えば、液晶素子と偏光板を組み合わせた構成またはシャ
ッター方式のＭＥＭＳ表示素子等を用いることができる。
例えば、光の反射または透過を制御する機能を備える表示素子を、表示素子７５０（ｉ，
ｊ）等に用いることができる。例えば、液晶素子と偏光板を組み合わせた構成またはシャ
ッター方式のＭＥＭＳ表示素子等を用いることができる。
【0161】
例えば、ＩＰＳ（Ｉｎ－Ｐｌａｎｅ－Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅ
ｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ Ｆｉｅｌｄ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ
）モード、ＡＳＭ（Ａｘｉａｌｌｙ Ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ ａｌｉｇｎｅｄ Ｍｉｃｒｏ
－ｃｅｌｌ）モード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ Ｂｉｒｅ
ｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃ
ｒｙｓｔａｌ）モード、ＡＦＬＣ（ＡｎｔｉＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ
Ｃｒｙｓｔａｌ）モードなどの駆動方法を用いて駆動することができる液晶素子を用い
ることができる。
ｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ Ｆｉｅｌｄ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ
）モード、ＡＳＭ（Ａｘｉａｌｌｙ Ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ ａｌｉｇｎｅｄ Ｍｉｃｒｏ
－ｃｅｌｌ）モード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ Ｂｉｒｅ
ｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃ
ｒｙｓｔａｌ）モード、ＡＦＬＣ（ＡｎｔｉＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ
Ｃｒｙｓｔａｌ）モードなどの駆動方法を用いて駆動することができる液晶素子を用い
ることができる。
【0162】
また、例えば垂直配向（ＶＡ）モード、具体的には、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ－Ｄｏｍａｉｎ
Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＰＶＡ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ Ｖｅ
ｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＥＣＢ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ Ｃｏ
ｎｔｒｏｌｌｅｄ Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＣＰＡ（Ｃｏｎｔｉｎｕｏｕ
ｓ Ｐｉｎｗｈｅｅｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＡＳＶ（Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｓｕ
ｐｅｒ－Ｖｉｅｗ）モードなどの駆動方法を用いて駆動することができる液晶素子を用い
ることができる。
Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＰＶＡ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ Ｖｅ
ｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＥＣＢ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ Ｃｏ
ｎｔｒｏｌｌｅｄ Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＣＰＡ（Ｃｏｎｔｉｎｕｏｕ
ｓ Ｐｉｎｗｈｅｅｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＡＳＶ（Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｓｕ
ｐｅｒ－Ｖｉｅｗ）モードなどの駆動方法を用いて駆動することができる液晶素子を用い
ることができる。
【0163】
表示素子７５０（ｉ，ｊ）は、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）と、第２電極と、液晶材料を
含む層７５３と、を有する。液晶材料を含む層７５３は、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）お
よび第２電極の間の電圧を用いて配向を制御することができる液晶材料を含む。例えば、
液晶材料を含む層の厚さ方向（縦方向ともいう）、縦方向と交差する方向（横方向または
斜め方向ともいう）の電界を、液晶材料の配向を制御する電界に用いることができる。
含む層７５３と、を有する。液晶材料を含む層７５３は、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）お
よび第２電極の間の電圧を用いて配向を制御することができる液晶材料を含む。例えば、
液晶材料を含む層の厚さ方向（縦方向ともいう）、縦方向と交差する方向（横方向または
斜め方向ともいう）の電界を、液晶材料の配向を制御する電界に用いることができる。
【0164】
《液晶材料を含む層７５３》
例えば、サーモトロピック液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶、強誘電性
液晶、反強誘電性液晶等を、液晶材料を含む層７５３に用いることができる。または、コ
レステリック相、スメクチック相、キュービック相、カイラルネマチック相、等方相等を
示す液晶材料を用いることができる。または、ブルー相を示す液晶材料を用いることがで
きる。
例えば、サーモトロピック液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶、強誘電性
液晶、反強誘電性液晶等を、液晶材料を含む層７５３に用いることができる。または、コ
レステリック相、スメクチック相、キュービック相、カイラルネマチック相、等方相等を
示す液晶材料を用いることができる。または、ブルー相を示す液晶材料を用いることがで
きる。
【0165】
《第１の電極７５１（ｉ，ｊ）》
例えば、配線等に用いる材料を第１の電極７５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。具体
的には、透光性を備える導電性の材料を第１の電極７５１（ｉ，ｊ）に用いることができ
る。
例えば、配線等に用いる材料を第１の電極７５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。具体
的には、透光性を備える導電性の材料を第１の電極７５１（ｉ，ｊ）に用いることができ
る。
【0166】
《着色膜ＣＦ》
所定の色の光を透過する材料を着色膜ＣＦに用いることができる。これにより、着色膜Ｃ
Ｆを例えばカラーフィルターに用いることができる。例えば、青色、緑色または赤色の光
を透過する材料を着色膜ＣＦに用いることができる。また、黄色の光または白色の光等を
透過する材料を着色膜ＣＦに用いることができる。
所定の色の光を透過する材料を着色膜ＣＦに用いることができる。これにより、着色膜Ｃ
Ｆを例えばカラーフィルターに用いることができる。例えば、青色、緑色または赤色の光
を透過する材料を着色膜ＣＦに用いることができる。また、黄色の光または白色の光等を
透過する材料を着色膜ＣＦに用いることができる。
【0167】
《遮光膜ＢＭ》
光の透過を妨げる材料を遮光膜ＢＭに用いることができる。これにより、遮光膜ＢＭを例
えばブラックマトリクスに用いることができる。
光の透過を妨げる材料を遮光膜ＢＭに用いることができる。これにより、遮光膜ＢＭを例
えばブラックマトリクスに用いることができる。
【0168】
《絶縁膜７７１》
例えば、ポリイミド、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等を絶縁膜７７１に用いることができ
る。
例えば、ポリイミド、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等を絶縁膜７７１に用いることができ
る。
【0169】
《機能膜７１０Ｐ、機能膜７７０Ｐ》
例えば、反射防止フィルム、偏光フィルム、位相差フィルム、光拡散フィルムまたは集光
フィルム等を機能膜７１０Ｐまたは機能膜７７０Ｐに用いることができる。
例えば、反射防止フィルム、偏光フィルム、位相差フィルム、光拡散フィルムまたは集光
フィルム等を機能膜７１０Ｐまたは機能膜７７０Ｐに用いることができる。
【0170】
例えば、ゴミの付着を抑制する帯電防止膜、汚れを付着しにくくする撥水性の膜、使用に
伴う傷の発生を抑制するハードコート膜などを、機能膜７７０Ｐに用いることができる。
伴う傷の発生を抑制するハードコート膜などを、機能膜７７０Ｐに用いることができる。
【0171】
《基材７１０、基材７７０》
作製工程中の熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有する材料を基材７１０または基材７７０
等に用いることができる。例えば、厚さ０．１ｍｍ以上０．７ｍｍ以下の材料を基材７１
０または基材７７０に用いることができる。具体的には、厚さ０．１ｍｍ程度まで研磨し
た材料を用いることができる。
作製工程中の熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有する材料を基材７１０または基材７７０
等に用いることができる。例えば、厚さ０．１ｍｍ以上０．７ｍｍ以下の材料を基材７１
０または基材７７０に用いることができる。具体的には、厚さ０．１ｍｍ程度まで研磨し
た材料を用いることができる。
【0172】
例えば、第６世代（１５００ｍｍ×１８５０ｍｍ）、第７世代（１８７０ｍｍ×２２００
ｍｍ）、第８世代（２２００ｍｍ×２４００ｍｍ）、第９世代（２４００ｍｍ×２８００
ｍｍ）、第１０世代（２９５０ｍｍ×３４００ｍｍ）等の面積が大きなガラス基板を基材
７１０または基材７７０等に用いることができる。これにより、大型の表示装置を作製す
ることができる。
ｍｍ）、第８世代（２２００ｍｍ×２４００ｍｍ）、第９世代（２４００ｍｍ×２８００
ｍｍ）、第１０世代（２９５０ｍｍ×３４００ｍｍ）等の面積が大きなガラス基板を基材
７１０または基材７７０等に用いることができる。これにより、大型の表示装置を作製す
ることができる。
【0173】
有機材料、無機材料または有機材料と無機材料等の複合材料等を基材７１０または基材７
７０等に用いることができる。例えば、ガラス、セラミックス、金属等の無機材料を基材
７１０または基材７７０等に用いることができる。
７０等に用いることができる。例えば、ガラス、セラミックス、金属等の無機材料を基材
７１０または基材７７０等に用いることができる。
【0174】
具体的には、無アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、カリガラス、クリスタルガラス、ア
ルミノ珪酸ガラス、強化ガラス、化学強化ガラス、石英またはサファイア等を、基材７１
０または基材７７０等に用いることができる。具体的には、無機酸化物膜、無機窒化物膜
または無機酸窒化物膜等を、基材７１０または基材７７０等に用いることができる。例え
ば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等を、
基材７１０または基材７７０等に用いることができる。ステンレス・スチールまたはアル
ミニウム等を、基材７１０または基材７７０等に用いることができる。
ルミノ珪酸ガラス、強化ガラス、化学強化ガラス、石英またはサファイア等を、基材７１
０または基材７７０等に用いることができる。具体的には、無機酸化物膜、無機窒化物膜
または無機酸窒化物膜等を、基材７１０または基材７７０等に用いることができる。例え
ば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等を、
基材７１０または基材７７０等に用いることができる。ステンレス・スチールまたはアル
ミニウム等を、基材７１０または基材７７０等に用いることができる。
【0175】
例えば、シリコンや炭化シリコンからなる単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコ
ンゲルマニウム等の化合物半導体基板、ＳＯＩ基板等を基材７１０または基材７７０等に
用いることができる。これにより、半導体素子を基材７１０または基材７７０等に形成す
ることができる。
ンゲルマニウム等の化合物半導体基板、ＳＯＩ基板等を基材７１０または基材７７０等に
用いることができる。これにより、半導体素子を基材７１０または基材７７０等に形成す
ることができる。
【0176】
例えば、樹脂、樹脂フィルムまたはプラスチック等の有機材料を基材７１０または基材７
７０等に用いることができる。具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド
、ポリイミド、ポリカーボネートまたはアクリル樹脂等の樹脂フィルムまたは樹脂板を、
基材７１０または基材７７０等に用いることができる。
７０等に用いることができる。具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド
、ポリイミド、ポリカーボネートまたはアクリル樹脂等の樹脂フィルムまたは樹脂板を、
基材７１０または基材７７０等に用いることができる。
【0177】
例えば、金属板、薄板状のガラス板または無機材料等の膜を樹脂フィルム等に貼り合わせ
た複合材料を基材７１０または基材７７０等に用いることができる。例えば、繊維状また
は粒子状の金属、ガラスもしくは無機材料等を樹脂フィルムに分散した複合材料を、基材
７１０または基材７７０等に用いることができる。例えば、繊維状または粒子状の樹脂も
しくは有機材料等を無機材料に分散した複合材料を、基材７１０または基材７７０等に用
いることができる。
た複合材料を基材７１０または基材７７０等に用いることができる。例えば、繊維状また
は粒子状の金属、ガラスもしくは無機材料等を樹脂フィルムに分散した複合材料を、基材
７１０または基材７７０等に用いることができる。例えば、繊維状または粒子状の樹脂も
しくは有機材料等を無機材料に分散した複合材料を、基材７１０または基材７７０等に用
いることができる。
【0178】
また、単層の材料または複数の層が積層された材料を、基材７１０または基材７７０等に
用いることができる。例えば、基材と基材に含まれる不純物の拡散を防ぐ絶縁膜等が積層
された材料を、基材７１０または基材７７０等に用いることができる。具体的には、ガラ
スとガラスに含まれる不純物の拡散を防ぐ酸化シリコン層、窒化シリコン層または酸化窒
化シリコン層等から選ばれた一または複数の膜が積層された材料を、基材７１０または基
材７７０等に用いることができる。または、樹脂と樹脂を透過する不純物の拡散を防ぐ酸
化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜等が積層された材料を、基材７
１０または基材７７０等に用いることができる。
用いることができる。例えば、基材と基材に含まれる不純物の拡散を防ぐ絶縁膜等が積層
された材料を、基材７１０または基材７７０等に用いることができる。具体的には、ガラ
スとガラスに含まれる不純物の拡散を防ぐ酸化シリコン層、窒化シリコン層または酸化窒
化シリコン層等から選ばれた一または複数の膜が積層された材料を、基材７１０または基
材７７０等に用いることができる。または、樹脂と樹脂を透過する不純物の拡散を防ぐ酸
化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜等が積層された材料を、基材７
１０または基材７７０等に用いることができる。
【0179】
具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネー
ト若しくはアクリル樹脂等の樹脂フィルム、樹脂板または積層材料等を基材７１０または
基材７７０等に用いることができる。
ト若しくはアクリル樹脂等の樹脂フィルム、樹脂板または積層材料等を基材７１０または
基材７７０等に用いることができる。
【0180】
具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド（ナイロン、アラミド等）、ポ
リイミド、ポリカーボネート、ポリウレタン、アクリル樹脂、エポキシ樹脂もしくはシリ
コーン等のシロキサン結合を有する樹脂を含む材料を基材７１０または基材７７０等に用
いることができる。
リイミド、ポリカーボネート、ポリウレタン、アクリル樹脂、エポキシ樹脂もしくはシリ
コーン等のシロキサン結合を有する樹脂を含む材料を基材７１０または基材７７０等に用
いることができる。
【0181】
具体的には、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥ
Ｎ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）またはアクリル等を基材７１０または基材７７
０等に用いることができる。
Ｎ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）またはアクリル等を基材７１０または基材７７
０等に用いることができる。
【0182】
また、紙または木材などを基材７１０または基材７７０等に用いることができる。
【0183】
例えば、可撓性を有する基板を基材７１０または基材７７０等に用いることができる。
【0184】
なお、トランジスタまたは容量素子等を基板に直接形成する方法を用いることができる。
また、例えば作製工程中に加わる熱に耐熱性を有する工程用の基板にトランジスタまたは
容量素子等を形成し、形成されたトランジスタまたは容量素子等を基材７１０または基材
７７０等に転置する方法を用いることができる。これにより、例えば可撓性を有する基板
にトランジスタまたは容量素子等を形成できる。
また、例えば作製工程中に加わる熱に耐熱性を有する工程用の基板にトランジスタまたは
容量素子等を形成し、形成されたトランジスタまたは容量素子等を基材７１０または基材
７７０等に転置する方法を用いることができる。これにより、例えば可撓性を有する基板
にトランジスタまたは容量素子等を形成できる。
【0185】
《絶縁膜７２１》
例えば、絶縁性の無機材料、絶縁性の有機材料または無機材料と有機材料を含む絶縁性の
複合材料を、絶縁膜７２１等に用いることができる。
例えば、絶縁性の無機材料、絶縁性の有機材料または無機材料と有機材料を含む絶縁性の
複合材料を、絶縁膜７２１等に用いることができる。
【0186】
具体的には、無機酸化物膜、無機窒化物膜または無機酸化窒化物膜等またはこれらから選
ばれた複数を積層した積層材料を、絶縁膜７２１等に用いることができる。例えば、酸化
シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等またはこれら
から選ばれた複数を積層した積層材料を含む膜を、絶縁膜７２１等に用いることができる
。
ばれた複数を積層した積層材料を、絶縁膜７２１等に用いることができる。例えば、酸化
シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等またはこれら
から選ばれた複数を積層した積層材料を含む膜を、絶縁膜７２１等に用いることができる
。
【0187】
具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネー
ト、ポリシロキサン若しくはアクリル樹脂等またはこれらから選択された複数の樹脂の積
層材料もしくは複合材料などを絶縁膜７２１等に用いることができる。また、感光性を有
する材料を用いて形成してもよい。
ト、ポリシロキサン若しくはアクリル樹脂等またはこれらから選択された複数の樹脂の積
層材料もしくは複合材料などを絶縁膜７２１等に用いることができる。また、感光性を有
する材料を用いて形成してもよい。
【0188】
これにより、例えば絶縁膜７２１と重なるさまざまな構造に由来する段差を平坦化するこ
とができる。
とができる。
【0189】
《絶縁膜７０１》
例えば、絶縁膜７２１に用いることができる材料を絶縁膜７０１に用いることができる。
具体的には、シリコンおよび酸素を含む材料を絶縁膜７０１に用いることができる。これ
により、画素回路７３０（ｉ，ｊ）等への不純物の拡散を抑制することができる。
例えば、絶縁膜７２１に用いることができる材料を絶縁膜７０１に用いることができる。
具体的には、シリコンおよび酸素を含む材料を絶縁膜７０１に用いることができる。これ
により、画素回路７３０（ｉ，ｊ）等への不純物の拡散を抑制することができる。
【0190】
＜入出力装置の構成例２．＞
本発明の一態様の入出力装置の別の構成について、図７を参照しながら説明する。
本発明の一態様の入出力装置の別の構成について、図７を参照しながら説明する。
【0191】
図７は画素７０２（ｉ，ｊ）Ｂの構成を説明する断面図である。
【0192】
なお、画素７０２（ｉ，ｊ）Ｂは、信号線Ｓ（ｊ）２に代えて信号線Ｓ（ｊ）２Ｂを有す
る点が、図６を参照しながら説明する画素７０２（ｉ，ｊ）とは異なる。ここでは、異な
る部分について詳細に説明し、同様の構成を用いることができる部分について上記の説明
を援用する。
る点が、図６を参照しながら説明する画素７０２（ｉ，ｊ）とは異なる。ここでは、異な
る部分について詳細に説明し、同様の構成を用いることができる部分について上記の説明
を援用する。
【0193】
例えば、制御線Ｃ（ｇ）と同じ工程で形成することができる膜を、信号線Ｓ（ｊ）２に用
いることができる。
いることができる。
【0194】
＜入出力装置の構成例３．＞
本発明の一態様の入出力装置の別の構成について、図８を参照しながら説明する。
本発明の一態様の入出力装置の別の構成について、図８を参照しながら説明する。
【0195】
図８は画素７０２（ｉ，ｊ）Ｃの構成を説明する断面図である。
【0196】
なお、画素７０２（ｉ，ｊ）Ｃは、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）に代えて第１の電極７５
１（ｉ，ｊ）Ｃを有する点、制御線Ｃ（ｇ）に代えて制御線Ｃ（ｇ）Ｃを有する点が、図
６を参照しながら説明する画素７０２（ｉ，ｊ）とは異なる。
１（ｉ，ｊ）Ｃを有する点、制御線Ｃ（ｇ）に代えて制御線Ｃ（ｇ）Ｃを有する点が、図
６を参照しながら説明する画素７０２（ｉ，ｊ）とは異なる。
【0197】
＜入出力装置の構成例４．＞
本発明の一態様の入出力装置の別の構成について、図９を参照しながら説明する。
本発明の一態様の入出力装置の別の構成について、図９を参照しながら説明する。
【0198】
図９は画素７０２（ｉ，ｊ）Ｄの構成を説明する断面図である。
【0199】
なお、画素７０２（ｉ，ｊ）Ｄは、信号線Ｓ（ｊ）２に代えて信号線Ｓ（ｊ）２Ｄを有す
る点、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）に代えて第１の電極７５１（ｉ，ｊ）Ｄを有する点、
制御線Ｃ（ｇ）に代えて制御線Ｃ（ｇ）Ｄを有する点が、図６を参照しながら説明する画
素７０２（ｉ，ｊ）とは異なる。
る点、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）に代えて第１の電極７５１（ｉ，ｊ）Ｄを有する点、
制御線Ｃ（ｇ）に代えて制御線Ｃ（ｇ）Ｄを有する点が、図６を参照しながら説明する画
素７０２（ｉ，ｊ）とは異なる。
【0200】
＜入出力装置の構成例５．＞
本発明の一態様の入出力装置の別の構成について、図１０を参照しながら説明する。
本発明の一態様の入出力装置の別の構成について、図１０を参照しながら説明する。
【0201】
図１０は画素７０２（ｉ，ｊ）Ｅの構成を説明する断面図である。
【0202】
なお、画素７０２（ｉ，ｊ）Ｅは、導電性を備える酸化物半導体膜を制御線Ｃ（ｇ）Ｅに
用いる点、制御線Ｃ（ｇ）Ｅの導電性を補う補助配線Ｃ（ｇ）２を備える点が、図６を参
照しながら説明する画素７０２（ｉ，ｊ）とは異なる。ここでは、異なる部分について詳
細に説明し、同様の構成を用いることができる部分について上記の説明を援用する。
用いる点、制御線Ｃ（ｇ）Ｅの導電性を補う補助配線Ｃ（ｇ）２を備える点が、図６を参
照しながら説明する画素７０２（ｉ，ｊ）とは異なる。ここでは、異なる部分について詳
細に説明し、同様の構成を用いることができる部分について上記の説明を援用する。
【0203】
例えば、トランジスタＳＷの半導体膜と同じ工程で形成することができる酸化物半導体膜
を、制御線Ｃ（ｇ）Ｅに用いることができる。具体的には、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物を含
む酸化物半導体膜を用いることができる。例えば、制御線Ｃ（ｇ）Ｅに接する絶縁膜７１
８にＣＶＤ法等を用いて形成された窒化シリコン膜を用いることができる。これにより、
制御線Ｃ（ｇ）Ｅの導電性を高めることができる。
を、制御線Ｃ（ｇ）Ｅに用いることができる。具体的には、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物を含
む酸化物半導体膜を用いることができる。例えば、制御線Ｃ（ｇ）Ｅに接する絶縁膜７１
８にＣＶＤ法等を用いて形成された窒化シリコン膜を用いることができる。これにより、
制御線Ｃ（ｇ）Ｅの導電性を高めることができる。
【0204】
例えば、導電膜７１２Ａまたは導電膜７１２Ｂ等と同一の工程で形成することができる導
電膜を、補助配線Ｃ（ｇ）２に用いることができる。特に、補助配線Ｃ（ｇ）２の画素の
開口部と重なる領域を、画素の開口部と重ならない領域より少なくなるように配置する。
電膜を、補助配線Ｃ（ｇ）２に用いることができる。特に、補助配線Ｃ（ｇ）２の画素の
開口部と重なる領域を、画素の開口部と重ならない領域より少なくなるように配置する。
【0205】
＜入出力装置の構成例６．＞
本発明の一態様の入出力装置の別の構成について、図１１を参照しながら説明する。
本発明の一態様の入出力装置の別の構成について、図１１を参照しながら説明する。
【0206】
【0207】
なお、画素７０２（ｉ，ｊ）Ｆは、第２の電極を兼ねる制御線Ｃ（ｇ）に代えて制御線Ｃ
（ｇ）Ｆを有する点、ボトムゲート型のトランジスタに代えてトップゲート型のトランジ
スタを有する点が、図６を参照しながら説明する画素７０２（ｉ，ｊ）とは異なる。ここ
では、異なる部分について詳細に説明し、同様の構成を用いることができる部分について
上記の説明を援用する。
（ｇ）Ｆを有する点、ボトムゲート型のトランジスタに代えてトップゲート型のトランジ
スタを有する点が、図６を参照しながら説明する画素７０２（ｉ，ｊ）とは異なる。ここ
では、異なる部分について詳細に説明し、同様の構成を用いることができる部分について
上記の説明を援用する。
【0208】
例えば、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）と同じ工程で形成することができる膜を、制御線Ｃ
（ｇ）Ｆに用いることができる。
（ｇ）Ｆに用いることができる。
【0209】
＜入出力装置の構成例７．＞
本発明の一態様の入出力装置の別の構成について、図１２を参照しながら説明する。
本発明の一態様の入出力装置の別の構成について、図１２を参照しながら説明する。
【0210】
【0211】
なお、画素７０２（ｉ，ｊ）Ｇは、第２の電極ＣＯＭを備える点、第２の電極を兼ねる制
御線Ｃ（ｇ）Ｆに代えて制御線Ｃ（ｇ）Ｇを備える点が、図１１を参照しながら説明する
画素７０２（ｉ，ｊ）Ｆとは異なる。ここでは、異なる部分について詳細に説明し、同様
の構成を用いることができる部分について上記の説明を援用する。
御線Ｃ（ｇ）Ｆに代えて制御線Ｃ（ｇ）Ｇを備える点が、図１１を参照しながら説明する
画素７０２（ｉ，ｊ）Ｆとは異なる。ここでは、異なる部分について詳細に説明し、同様
の構成を用いることができる部分について上記の説明を援用する。
【0212】
例えば、制御線Ｃ（ｇ）Ｇは液晶材料を含む層７５３との間に基材７７０を挟む領域を備
える。これにより、制御線Ｃ（ｇ）Ｇを、入出力パネル７００ＴＰに近づくものの近くに
配設することができる。
える。これにより、制御線Ｃ（ｇ）Ｇを、入出力パネル７００ＴＰに近づくものの近くに
配設することができる。
【0213】
＜入出力装置の構成例８．＞
本発明の一態様の入出力装置の別の構成について、図１３を参照しながら説明する。
本発明の一態様の入出力装置の別の構成について、図１３を参照しながら説明する。
【0214】
図１３は画素７０２（ｉ，ｊ）Ｈの構成を説明する断面図である。
【0215】
なお、画素７０２（ｉ，ｊ）Ｈは、基材７７０側から基材７１０側に向けてバックライト
の光ＢＬを照射する点、信号線Ｓ（ｊ）１および基材７１０の間に信号線Ｓ（ｊ）２Ｈを
有する点、絶縁膜７２１および絶縁膜７１８の間に着色膜ＣＦを有する点、導電膜７０４
との間に半導体膜を挟む領域を備える導電膜７２４を有する点が、図６を参照しながら説
明する画素７０２（ｉ，ｊ）とは異なる。これにより、基材７１０側に表示をすることが
できる。また、基材７１０側に近接するものを検知することができる。なお、導電膜７２
４は第２のゲート電極として機能することができる。ここでは、異なる部分について詳細
に説明し、同様の構成を用いることができる部分について上記の説明を援用する。
の光ＢＬを照射する点、信号線Ｓ（ｊ）１および基材７１０の間に信号線Ｓ（ｊ）２Ｈを
有する点、絶縁膜７２１および絶縁膜７１８の間に着色膜ＣＦを有する点、導電膜７０４
との間に半導体膜を挟む領域を備える導電膜７２４を有する点が、図６を参照しながら説
明する画素７０２（ｉ，ｊ）とは異なる。これにより、基材７１０側に表示をすることが
できる。また、基材７１０側に近接するものを検知することができる。なお、導電膜７２
４は第２のゲート電極として機能することができる。ここでは、異なる部分について詳細
に説明し、同様の構成を用いることができる部分について上記の説明を援用する。
【0216】
例えば、走査線Ｇ（ｉ）と同一の工程で形成することができる導電膜を、信号線Ｓ（ｊ）
２Ｈに用いることができる。
２Ｈに用いることができる。
【0217】
＜入出力装置の構成例９．＞
本発明の一態様の入出力装置の別の構成について、図１４を参照しながら説明する。
本発明の一態様の入出力装置の別の構成について、図１４を参照しながら説明する。
【0218】
図１４は画素７０２（ｉ，ｊ）Ｉの構成を説明する断面図である。
【0219】
なお、画素７０２（ｉ，ｊ）Ｉは、基材７７０側に向けて光を射出する機能を備える表示
素子７５０（ｉ，ｊ）Ｉを有する点、表示素子７５０（ｉ，ｊ）と重なる領域に開口部を
備える絶縁膜７２８を有する点、絶縁膜７２８および基材７７０の間に絶縁膜７２９を有
する点が、図６を参照しながら説明する画素７０２（ｉ，ｊ）とは異なる。ここでは、異
なる部分について詳細に説明し、同様の構成を用いることができる部分について上記の説
明を援用する。
素子７５０（ｉ，ｊ）Ｉを有する点、表示素子７５０（ｉ，ｊ）と重なる領域に開口部を
備える絶縁膜７２８を有する点、絶縁膜７２８および基材７７０の間に絶縁膜７２９を有
する点が、図６を参照しながら説明する画素７０２（ｉ，ｊ）とは異なる。ここでは、異
なる部分について詳細に説明し、同様の構成を用いることができる部分について上記の説
明を援用する。
【0220】
例えば、有機ＥＬ素子を表示素子７５０（ｉ，ｊ）Ｉに用いることができる。具体的には
、白色の光を射出する有機ＥＬ素子を表示素子７５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。
、白色の光を射出する有機ＥＬ素子を表示素子７５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。
【0221】
表示素子７５０（ｉ，ｊ）Ｉは、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）および制御線Ｃ（ｇ）の間
に、発光性の材料を含む層７５３Ｉを備える。
に、発光性の材料を含む層７５３Ｉを備える。
【0222】
例えば、発光性の有機材料または量子ドットなどを発光性の材料を含む層７５３Ｉに用い
ることができる。
ることができる。
【0223】
例えば、絶縁膜７２１に用いることができる材料を絶縁膜７２８または絶縁膜７２９に用
いることができる。
いることができる。
【0224】
絶縁膜７２９は、制御線Ｃ（ｇ）を所定の形状に区切る機能を備える。例えば、絶縁膜７
２９は、端部に逆テーパー状の形状を備える。これにより、例えば所定の形状を備える制
御線Ｃ（ｇ）を一の導電膜から分離することができる。具体的には、ストライプ状に分離
することができる。
２９は、端部に逆テーパー状の形状を備える。これにより、例えば所定の形状を備える制
御線Ｃ（ｇ）を一の導電膜から分離することができる。具体的には、ストライプ状に分離
することができる。
【0225】
＜入出力装置の構成例１０．＞
本発明の一態様の入出力装置の別の構成について、図１５を参照しながら説明する。
本発明の一態様の入出力装置の別の構成について、図１５を参照しながら説明する。
【0226】
図１５は画素７０２（ｉ，ｊ）Ｊの構成を説明する断面図である。
【0227】
なお、画素７０２（ｉ，ｊ）Ｊは、基材７１０側に向けて光を射出する表示素子７５０（
ｉ，ｊ）Ｊを有する点、信号線Ｓ（ｊ）１および基材７１０の間に挟まれる領域を備える
信号線Ｓ（ｊ）２Ｊを有する点が、図６を参照しながら説明する画素７０２（ｉ，ｊ）と
は異なる。これにより、基材７１０側に表示をすることができる。また、基材７１０側に
近接するものを検知することができる。
ｉ，ｊ）Ｊを有する点、信号線Ｓ（ｊ）１および基材７１０の間に挟まれる領域を備える
信号線Ｓ（ｊ）２Ｊを有する点が、図６を参照しながら説明する画素７０２（ｉ，ｊ）と
は異なる。これにより、基材７１０側に表示をすることができる。また、基材７１０側に
近接するものを検知することができる。
【0228】
例えば、有機ＥＬ素子を表示素子７５０（ｉ，ｊ）Ｊに用いることができる。具体的には
、赤色、緑色または青色等の光を射出する有機ＥＬ素子を表示素子７５０（ｉ，ｊ）Ｊに
用いることができる。なお、例えば、シャドーマスク法またはインクジェット法を用いて
、異なる色の光を射出する発光性の材料を含む層を同一の基材上に作製することができる
。
、赤色、緑色または青色等の光を射出する有機ＥＬ素子を表示素子７５０（ｉ，ｊ）Ｊに
用いることができる。なお、例えば、シャドーマスク法またはインクジェット法を用いて
、異なる色の光を射出する発光性の材料を含む層を同一の基材上に作製することができる
。
【0229】
表示素子７５０（ｉ，ｊ）Ｊは、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）および制御線Ｃ（ｇ）の間
に、発光性の材料を含む層７５３Ｊを備える。
に、発光性の材料を含む層７５３Ｊを備える。
【0230】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる
。
。
【0231】
【0232】
【0233】
＜入出力パネルの駆動方法例１．＞
本実施の形態において説明する入出力装置７００の駆動方法は、表示装置の１フレーム期
間において、以下の４つのステップを有する。
本実施の形態において説明する入出力装置７００の駆動方法は、表示装置の１フレーム期
間において、以下の４つのステップを有する。
【0234】
《第１のステップ》
第１のステップにおいて、切り替え信号Ｓを供給し、駆動回路ＳＤを信号線Ｓ（１）乃至
信号線Ｓ（ｎ）と電気的に接続する。
第１のステップにおいて、切り替え信号Ｓを供給し、駆動回路ＳＤを信号線Ｓ（１）乃至
信号線Ｓ（ｎ）と電気的に接続する。
【0235】
《第２のステップ》
第２のステップにおいて、走査線Ｇ（１）乃至走査線Ｇ（ｍ）を順次選択しながら、画像
信号を供給する。なお、第２のステップを実行する期間を、いわゆる、画像信号入力期間
または信号書き込み期間ということができる。
第２のステップにおいて、走査線Ｇ（１）乃至走査線Ｇ（ｍ）を順次選択しながら、画像
信号を供給する。なお、第２のステップを実行する期間を、いわゆる、画像信号入力期間
または信号書き込み期間ということができる。
【0236】
例えば、時刻０から始まる期間Ｔ（Ｖ）において、走査線Ｇ（１）乃至走査線Ｇ（ｍ）を
順番に選択する。なお、走査線Ｇ（１）乃至走査線Ｇ（ｍ）を選択する様子を、直線ＬＶ
を用いて模式的に示す（図１６（Ａ２）参照）。これにより、各行の画素が選択されて、
１行ずつ、画像信号が画素へ入力されていく。なお、期間Ｔ（Ｖ）において、所定の電位
、たとえば、共通電位を制御線Ｃ（１）乃至制御線Ｃ（ｐ）に供給する。
順番に選択する。なお、走査線Ｇ（１）乃至走査線Ｇ（ｍ）を選択する様子を、直線ＬＶ
を用いて模式的に示す（図１６（Ａ２）参照）。これにより、各行の画素が選択されて、
１行ずつ、画像信号が画素へ入力されていく。なお、期間Ｔ（Ｖ）において、所定の電位
、たとえば、共通電位を制御線Ｃ（１）乃至制御線Ｃ（ｐ）に供給する。
【0237】
《第３のステップ》
第３のステップにおいて、切り替え信号Ｓを供給し、検知回路ＤＣを信号線Ｓ（１）乃至
信号線Ｓ（ｎ）と電気的に接続する。
第３のステップにおいて、切り替え信号Ｓを供給し、検知回路ＤＣを信号線Ｓ（１）乃至
信号線Ｓ（ｎ）と電気的に接続する。
【0238】
《第４のステップ》
第４のステップにおいて、制御線Ｃ（１）乃至制御線Ｃ（ｐ）を順次選択しながら制御信
号を供給し、検知回路ＳＣを用いて信号線Ｓ（１）乃至信号線Ｓ（ｎ）の電位の変化を検
知する。制御信号を供給された検知素子は、入出力パネル７００ＴＰに近接するものによ
り遮られる領域を備える電界を、制御線Ｃ（ｇ）および信号線Ｓ（ｊ）の間に形成する。
検知回路は、信号線Ｓ（ｊ）の電位の変化に基づいて、近接するものを検知することがで
きる。
第４のステップにおいて、制御線Ｃ（１）乃至制御線Ｃ（ｐ）を順次選択しながら制御信
号を供給し、検知回路ＳＣを用いて信号線Ｓ（１）乃至信号線Ｓ（ｎ）の電位の変化を検
知する。制御信号を供給された検知素子は、入出力パネル７００ＴＰに近接するものによ
り遮られる領域を備える電界を、制御線Ｃ（ｇ）および信号線Ｓ（ｊ）の間に形成する。
検知回路は、信号線Ｓ（ｊ）の電位の変化に基づいて、近接するものを検知することがで
きる。
【0239】
なお、第２のステップを実行する期間を、いわゆる、センシング期間または信号読み取り
期間ということができる。
期間ということができる。
【0240】
これにより、走査線を順次選択する期間において、制御線の電位を一定に保つことができ
る。また、制御線を順次選択する期間において、走査線の電位を一定に保つことができる
。また、選択に伴う制御線の電位の変化に干渉されることなく、画像信号を画素に書き込
むことができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な入出力パネルの駆動方法
を提供できる。
る。また、制御線を順次選択する期間において、走査線の電位を一定に保つことができる
。また、選択に伴う制御線の電位の変化に干渉されることなく、画像信号を画素に書き込
むことができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な入出力パネルの駆動方法
を提供できる。
【0241】
＜入出力パネルの駆動方法例２．＞
本実施の形態において説明する入出力装置７００の他の駆動方法は、以下の５つのステッ
プを有する。
本実施の形態において説明する入出力装置７００の他の駆動方法は、以下の５つのステッ
プを有する。
【0242】
《第１のステップ》
第１のステップにおいて、切り替え信号Ｓを供給し、駆動回路ＳＤを信号線Ｓ（１）乃至
信号線Ｓ（ｎ）と電気的に接続する。
第１のステップにおいて、切り替え信号Ｓを供給し、駆動回路ＳＤを信号線Ｓ（１）乃至
信号線Ｓ（ｎ）と電気的に接続する。
【0243】
《第２のステップ》
第２のステップにおいて、１フレーム期間において未だ選択されていない制御線と重なる
領域を備える画素と電気的に接続される走査線を順次選択しながら、画像信号を供給する
。なお、第２のステップを実行する期間を、いわゆる、画像信号入力期間または信号書き
込み期間ということができる。
第２のステップにおいて、１フレーム期間において未だ選択されていない制御線と重なる
領域を備える画素と電気的に接続される走査線を順次選択しながら、画像信号を供給する
。なお、第２のステップを実行する期間を、いわゆる、画像信号入力期間または信号書き
込み期間ということができる。
【0244】
例えば、期間Ｔ１（ｉ）において、当該１フレーム期間において未だ選択されていない制
御線Ｃ（ｇ）と重なる領域を備える画素と電気的に接続される走査線Ｇ（ｉ）乃至走査線
Ｇ（ｉ＋ｒ）を順番に選択する。なお、走査線Ｇ（ｉ）乃至走査線Ｇ（ｉ＋ｒ）を選択す
る様子を、直線ＬＶを用いて模式的に示す（図１６（Ｂ２）参照）。これにより、画像信
号を走査線Ｇ（ｉ）乃至走査線Ｇ（ｉ＋ｒ）に電気的に接続される画素に１行ずつ入力し
ていく。なお、期間Ｔ１（ｉ）において、所定の電位、たとえば、共通電位を制御線Ｃ（
ｇ）に供給する。
御線Ｃ（ｇ）と重なる領域を備える画素と電気的に接続される走査線Ｇ（ｉ）乃至走査線
Ｇ（ｉ＋ｒ）を順番に選択する。なお、走査線Ｇ（ｉ）乃至走査線Ｇ（ｉ＋ｒ）を選択す
る様子を、直線ＬＶを用いて模式的に示す（図１６（Ｂ２）参照）。これにより、画像信
号を走査線Ｇ（ｉ）乃至走査線Ｇ（ｉ＋ｒ）に電気的に接続される画素に１行ずつ入力し
ていく。なお、期間Ｔ１（ｉ）において、所定の電位、たとえば、共通電位を制御線Ｃ（
ｇ）に供給する。
【0245】
《第３のステップ》
第３のステップにおいて、切り替え信号Ｓを供給し、検知回路ＤＣを信号線Ｓ（１）乃至
信号線Ｓ（ｎ）と電気的に接続する。
第３のステップにおいて、切り替え信号Ｓを供給し、検知回路ＤＣを信号線Ｓ（１）乃至
信号線Ｓ（ｎ）と電気的に接続する。
【0246】
《第４のステップ》
第４のステップにおいて、制御線Ｃ（ｇ）を選択しながら制御信号を供給し、検知回路Ｓ
Ｃを用いて信号線Ｓ（１）乃至信号線Ｓ（ｎ）の電位の変化を検知する。なお、制御線Ｃ
（ｇ）を選択する様子を、直線ＬＳを用いて模式的に示す。
第４のステップにおいて、制御線Ｃ（ｇ）を選択しながら制御信号を供給し、検知回路Ｓ
Ｃを用いて信号線Ｓ（１）乃至信号線Ｓ（ｎ）の電位の変化を検知する。なお、制御線Ｃ
（ｇ）を選択する様子を、直線ＬＳを用いて模式的に示す。
【0247】
《第５のステップ》
次いで、当該１フレーム期間においてすべての走査線およびすべての制御線が選択される
ように、第１のステップ乃至第４のステップを繰り返す。
次いで、当該１フレーム期間においてすべての走査線およびすべての制御線が選択される
ように、第１のステップ乃至第４のステップを繰り返す。
【0248】
例えば、選択された制御線Ｃ（ｇ）に隣接する制御線Ｃ（ｇ＋１）と重なる領域を備える
画素と電気的に接続される走査線を順番に選択しながら画像信号を供給し、次いで、制御
線Ｃ（ｇ＋１）を選択しながら制御信号を供給し、検知回路ＳＣを用いて信号線Ｓ（１）
乃至信号線Ｓ（ｎ）の電位の変化を検知する。
画素と電気的に接続される走査線を順番に選択しながら画像信号を供給し、次いで、制御
線Ｃ（ｇ＋１）を選択しながら制御信号を供給し、検知回路ＳＣを用いて信号線Ｓ（１）
乃至信号線Ｓ（ｎ）の電位の変化を検知する。
【0249】
これにより、選択に伴う制御線の電位の変化に干渉されることなく、画像信号を画素に書
き込むことができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な入出力パネルの駆動
方法を提供できる。
き込むことができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な入出力パネルの駆動
方法を提供できる。
【0250】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる
。
。
【0251】
【0252】
図１７は、本発明の一態様の入出力装置に用いることができるトランジスタＴＲの構成を
説明する図である。図１７（Ａ）は、本発明の一態様の入出力装置に用いることができる
トランジスタＴＲに用いることができるトランジスタの上面図である。図１７（Ｂ）は、
図１７（Ａ）を参照しながら説明するトランジスタのチャネル長（Ｌ）方向の断面を含む
断面図である。図１７（Ｃ）は、図１７（Ａ）を参照しながら説明するトランジスタのチ
ャネル幅（Ｗ）方向の断面を含む断面図である。なお、切断線Ｌ１－Ｌ２方向をチャネル
長方向、切断線Ｗ１－Ｗ２方向をチャネル幅方向と呼称する場合がある。
説明する図である。図１７（Ａ）は、本発明の一態様の入出力装置に用いることができる
トランジスタＴＲに用いることができるトランジスタの上面図である。図１７（Ｂ）は、
図１７（Ａ）を参照しながら説明するトランジスタのチャネル長（Ｌ）方向の断面を含む
断面図である。図１７（Ｃ）は、図１７（Ａ）を参照しながら説明するトランジスタのチ
ャネル幅（Ｗ）方向の断面を含む断面図である。なお、切断線Ｌ１－Ｌ２方向をチャネル
長方向、切断線Ｗ１－Ｗ２方向をチャネル幅方向と呼称する場合がある。
【0253】
なお、トランジスタＴＲを実施の形態１において説明する入出力装置等に用いることがで
きる。
きる。
【0254】
例えば、トランジスタＴＲをトランジスタＳＷに用いる場合は、絶縁膜１０２を第２の絶
縁膜７０１に、導電膜１０４を導電膜７０４に、絶縁膜１０６を絶縁膜７０６に、半導体
膜１０８を半導体膜７０８に、導電膜１１２ａを導電膜７１２Ａに、導電膜１１２ｂを導
電膜７１２Ｂに、絶縁膜１１４および絶縁膜１１６が積層された積層膜を絶縁膜７１６に
、絶縁膜１１８を絶縁膜７１８に、それぞれ読み替えることができる。
縁膜７０１に、導電膜１０４を導電膜７０４に、絶縁膜１０６を絶縁膜７０６に、半導体
膜１０８を半導体膜７０８に、導電膜１１２ａを導電膜７１２Ａに、導電膜１１２ｂを導
電膜７１２Ｂに、絶縁膜１１４および絶縁膜１１６が積層された積層膜を絶縁膜７１６に
、絶縁膜１１８を絶縁膜７１８に、それぞれ読み替えることができる。
【0255】
＜トランジスタの構成例１＞
本発明の一態様の入出力装置に用いることができるトランジスタは、第２の絶縁膜１０２
上の導電膜１０４と、第２の絶縁膜１０２及び導電膜１０４上の絶縁膜１０６と、絶縁膜
１０６上の半導体膜１０８と、半導体膜１０８上の導電膜１１２ｂと、半導体膜１０８上
の導電膜１１２ａと、半導体膜１０８、導電膜１１２ｂ、及び導電膜１１２ａ上の絶縁膜
１１４と、絶縁膜１１４上の絶縁膜１１６と、絶縁膜１１６上の導電膜１２４と、を有す
る（図１７（Ｂ）参照）。
本発明の一態様の入出力装置に用いることができるトランジスタは、第２の絶縁膜１０２
上の導電膜１０４と、第２の絶縁膜１０２及び導電膜１０４上の絶縁膜１０６と、絶縁膜
１０６上の半導体膜１０８と、半導体膜１０８上の導電膜１１２ｂと、半導体膜１０８上
の導電膜１１２ａと、半導体膜１０８、導電膜１１２ｂ、及び導電膜１１２ａ上の絶縁膜
１１４と、絶縁膜１１４上の絶縁膜１１６と、絶縁膜１１６上の導電膜１２４と、を有す
る（図１７（Ｂ）参照）。
【0256】
例えば、導電膜１０４が第１のゲート電極として機能し、導電膜１１２ｂがソース電極と
して機能し、導電膜１１２ａがドレイン電極として機能し、導電膜１２４が第２のゲート
電極として機能する。絶縁膜１０６が第１のゲート絶縁膜として機能し、絶縁膜１１４、
１１６が第２のゲート絶縁膜として機能する。
して機能し、導電膜１１２ａがドレイン電極として機能し、導電膜１２４が第２のゲート
電極として機能する。絶縁膜１０６が第１のゲート絶縁膜として機能し、絶縁膜１１４、
１１６が第２のゲート絶縁膜として機能する。
【0257】
例えば、酸化物半導体を半導体膜１０８に用いることができる。具体的には、インジウム
を含む酸化物半導体膜またはインジウムとガリウムと亜鉛を含む酸化物半導体膜を半導体
膜１０８に用いることができる。
を含む酸化物半導体膜またはインジウムとガリウムと亜鉛を含む酸化物半導体膜を半導体
膜１０８に用いることができる。
【0258】
また、半導体膜１０８は、Ｉｎと、Ｍ（ＭはＡｌ、Ｇａ、Ｙ、またはＳｎ）と、Ｚｎと、
を有する。
を有する。
【0259】
例えば、半導体膜１０８は、Ｉｎの原子数比がＭの原子数比より多い領域を有すると好ま
しい。ただし、本発明の一態様の半導体装置は、これに限定されず、Ｉｎの原子数比がＭ
の原子数比よりも少ない領域を有する構成、あるいはＩｎの原子数比がＭの原子数比と同
じ領域を有する構成としてもよい。
しい。ただし、本発明の一態様の半導体装置は、これに限定されず、Ｉｎの原子数比がＭ
の原子数比よりも少ない領域を有する構成、あるいはＩｎの原子数比がＭの原子数比と同
じ領域を有する構成としてもよい。
【0260】
半導体膜１０８は、Ｉｎの原子数比がＭの原子数比より多い領域を有する。これにより、
トランジスタの電界効果移動度を高くすることができる。具体的には、トランジスタの電
界効果移動度が１０ｃｍ２／Ｖｓを超えることが可能となる。さらに好ましくはトランジ
スタの電界効果移動度が３０ｃｍ２／Ｖｓを超えることが可能となる。
トランジスタの電界効果移動度を高くすることができる。具体的には、トランジスタの電
界効果移動度が１０ｃｍ２／Ｖｓを超えることが可能となる。さらに好ましくはトランジ
スタの電界効果移動度が３０ｃｍ２／Ｖｓを超えることが可能となる。
【0261】
《２つのゲート電極が奏する効果》
本発明の一態様の入出力装置に用いることができるトランジスタはゲート電極を２つ備え
ることができる。
本発明の一態様の入出力装置に用いることができるトランジスタはゲート電極を２つ備え
ることができる。
【0262】
２つのゲート電極がトランジスタの特性に奏する効果を図１７（Ｃ）を参照しながら説明
する。
する。
【0263】
図１７（Ｃ）に示すように、第２のゲート電極として機能する導電膜１２４は、開口部１
２２を介して第１のゲート電極として機能する導電膜１０４と電気的に接続される。よっ
て、導電膜１０４と導電膜１２４には、同じ電位が与えられる。
２２を介して第１のゲート電極として機能する導電膜１０４と電気的に接続される。よっ
て、導電膜１０４と導電膜１２４には、同じ電位が与えられる。
【0264】
図１７（Ｃ）に示すように、半導体膜１０８は、導電膜１０４、及び導電膜１２４と対向
するように位置し、２つのゲート電極として機能する導電膜に挟まれている。
するように位置し、２つのゲート電極として機能する導電膜に挟まれている。
【0265】
導電膜１０４及び導電膜１２４のチャネル幅方向の長さは、それぞれ半導体膜１０８のチ
ャネル幅方向の長さよりも長い。また、半導体膜１０８の全体は、絶縁膜１０６、１１４
、１１６を介して導電膜１０４と導電膜１２４とによって覆われている。
ャネル幅方向の長さよりも長い。また、半導体膜１０８の全体は、絶縁膜１０６、１１４
、１１６を介して導電膜１０４と導電膜１２４とによって覆われている。
【0266】
別言すると、導電膜１０４及び導電膜１２４は、絶縁膜１０６、１１４、１１６に設けら
れる開口部１２２において接続され、且つ半導体膜１０８の側端部よりも外側に位置する
領域を有する。
れる開口部１２２において接続され、且つ半導体膜１０８の側端部よりも外側に位置する
領域を有する。
【0267】
このような構成とすることで、トランジスタに含まれる半導体膜１０８を、導電膜１０４
及び導電膜１２４の電界によって電気的に囲むことができる。第１のゲート電極及び第２
のゲート電極の電界によって、チャネル領域が形成される酸化物半導体膜を、電気的に囲
むトランジスタのデバイス構造をＳｕｒｒｏｕｎｄｅｄ ｃｈａｎｎｅｌ（Ｓ－ｃｈａｎ
ｎｅｌ）構造と呼ぶことができる。
及び導電膜１２４の電界によって電気的に囲むことができる。第１のゲート電極及び第２
のゲート電極の電界によって、チャネル領域が形成される酸化物半導体膜を、電気的に囲
むトランジスタのデバイス構造をＳｕｒｒｏｕｎｄｅｄ ｃｈａｎｎｅｌ（Ｓ－ｃｈａｎ
ｎｅｌ）構造と呼ぶことができる。
【0268】
トランジスタは、Ｓ－ｃｈａｎｎｅｌ構造を有するため、第１のゲート電極として機能す
る導電膜１０４によってチャネルを誘起させるための電界を効果的に半導体膜１０８に印
加することができるため、トランジスタの電流駆動能力が向上し、高いオン電流特性を得
ることが可能となる。また、オン電流を高くすることが可能であるため、トランジスタを
微細化することが可能となる。また、トランジスタは、半導体膜１０８が、第１のゲート
電極として機能する導電膜１０４及び第２のゲート電極として機能する導電膜１２４によ
って囲まれた構造を有するため、機械的強度を高めることができる。
る導電膜１０４によってチャネルを誘起させるための電界を効果的に半導体膜１０８に印
加することができるため、トランジスタの電流駆動能力が向上し、高いオン電流特性を得
ることが可能となる。また、オン電流を高くすることが可能であるため、トランジスタを
微細化することが可能となる。また、トランジスタは、半導体膜１０８が、第１のゲート
電極として機能する導電膜１０４及び第２のゲート電極として機能する導電膜１２４によ
って囲まれた構造を有するため、機械的強度を高めることができる。
【0269】
なお、上記の説明においては、第１のゲート電極と、第２のゲート電極とを接続させる構
成について例示したがこれに限定されない。例えば、第２のゲート電極として機能する導
電膜をトランジスタＳＷのソース電極またはドレイン電極として機能する導電膜７１２Ｂ
と電気的に接続させる構成としてもよい。
成について例示したがこれに限定されない。例えば、第２のゲート電極として機能する導
電膜をトランジスタＳＷのソース電極またはドレイン電極として機能する導電膜７１２Ｂ
と電気的に接続させる構成としてもよい。
【0270】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる
。
。
【0271】
（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様の入出力装置に用いることができるトランジスタの構
成について、図１８および図１９を参照しながら説明する。具体的には、トランジスタの
半導体膜に用いることができる酸化物半導体膜の構成について説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様の入出力装置に用いることができるトランジスタの構
成について、図１８および図１９を参照しながら説明する。具体的には、トランジスタの
半導体膜に用いることができる酸化物半導体膜の構成について説明する。
【0272】
なお、本実施の形態で説明するトランジスタは、例えば、トランジスタＳＷに用いること
ができる。
ができる。
【0273】
図１８はトランジスタのチャネル長（Ｌ）方向の断面図である。図１８（Ａ）は３つの膜
が積層された酸化物半導体膜を有するトランジスタのチャネル長（Ｌ）方向の断面図であ
る。図１８（Ｂ）は２つの膜が積層された酸化物半導体膜を有するトランジスタのチャネ
ル長（Ｌ）方向の断面図である。
が積層された酸化物半導体膜を有するトランジスタのチャネル長（Ｌ）方向の断面図であ
る。図１８（Ｂ）は２つの膜が積層された酸化物半導体膜を有するトランジスタのチャネ
ル長（Ｌ）方向の断面図である。
【0274】
図１９は、積層膜のバンド構造を説明する模式図である。積層膜は酸化物半導体膜および
それに接する絶縁膜を有する。なお、バンド構造の理解を容易にするために、積層膜を構
成する各酸化物半導体膜及び各絶縁膜の伝導帯下端のエネルギー準位（Ｅｃ）を図示する
。
それに接する絶縁膜を有する。なお、バンド構造の理解を容易にするために、積層膜を構
成する各酸化物半導体膜及び各絶縁膜の伝導帯下端のエネルギー準位（Ｅｃ）を図示する
。
【0275】
図１９（Ａ）は、絶縁膜１０６、半導体膜１０８ａ、１０８ｂ、１０８ｃ、及び絶縁膜１
１４を有する積層構造の膜厚方向のバンド構造の一例である。
１４を有する積層構造の膜厚方向のバンド構造の一例である。
【0276】
また、図１９（Ｂ）は、絶縁膜１０６、半導体膜１０８ｂ、１０８ｃ、及び絶縁膜１１４
を有する積層構造の膜厚方向のバンド構造の一例である。
を有する積層構造の膜厚方向のバンド構造の一例である。
【0277】
＜半導体装置の構成例１＞
例えば、２つの絶縁膜の間に挟まれる、３つの膜が積層された半導体膜を、トランジスタ
に用いることができる。具体的には、絶縁膜１０６および絶縁膜１１６の間に挟まれる、
半導体膜１０８ａと、半導体膜１０８ｃと、半導体膜１０８ｂと、が積層された半導体膜
をトランジスタに用いることができる（図１８（Ａ）および図１９（Ａ）参照）。
例えば、２つの絶縁膜の間に挟まれる、３つの膜が積層された半導体膜を、トランジスタ
に用いることができる。具体的には、絶縁膜１０６および絶縁膜１１６の間に挟まれる、
半導体膜１０８ａと、半導体膜１０８ｃと、半導体膜１０８ｂと、が積層された半導体膜
をトランジスタに用いることができる（図１８（Ａ）および図１９（Ａ）参照）。
【0278】
半導体膜１０８ｃは、半導体膜１０８ａと互いに重なる領域を備え、半導体膜１０８ｂは
、半導体膜１０８ａおよび半導体膜１０８ｃの間に挟まれる領域を備える。
、半導体膜１０８ａおよび半導体膜１０８ｃの間に挟まれる領域を備える。
【0279】
絶縁膜１１６は、絶縁膜１０６と互いに重なる領域を備える。
【0280】
半導体膜１０８ａは、絶縁膜１０６と接する領域を備え、半導体膜１０８ｃは、絶縁膜１
１６と接する領域を備え、いずれの領域も互いに重なる領域を備える。
１６と接する領域を備え、いずれの領域も互いに重なる領域を備える。
【0281】
また、図１９（Ａ）は、絶縁膜１０６、及び絶縁膜１１４として酸化シリコン膜を用い、
半導体膜１０８ａとして金属元素の原子数比をＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：３：２の金属酸化
物ターゲットを用いて形成される酸化物半導体膜を用い、半導体膜１０８ｂとして金属元
素の原子数比をＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：４．１の金属酸化物ターゲットを用いて形成
される酸化物半導体膜を用い、半導体膜１０８ｃとして金属元素の原子数比をＩｎ：Ｇａ
：Ｚｎ＝１：３：２の金属酸化物ターゲットを用いて形成される酸化物半導体膜を用いる
構成のバンド図である。
半導体膜１０８ａとして金属元素の原子数比をＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：３：２の金属酸化
物ターゲットを用いて形成される酸化物半導体膜を用い、半導体膜１０８ｂとして金属元
素の原子数比をＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：４．１の金属酸化物ターゲットを用いて形成
される酸化物半導体膜を用い、半導体膜１０８ｃとして金属元素の原子数比をＩｎ：Ｇａ
：Ｚｎ＝１：３：２の金属酸化物ターゲットを用いて形成される酸化物半導体膜を用いる
構成のバンド図である。
【0282】
＜半導体装置の構成例２＞
例えば、２つの絶縁膜の間に挟まれる、２つの膜が積層された半導体膜を、トランジスタ
に用いることができる。具体的には、絶縁膜１０６および絶縁膜１１６の間に挟まれる、
半導体膜１０８ｂと、半導体膜１０８ｃと、が積層された酸化物半導体膜をトランジスタ
に用いることができる（図１８（Ｂ）および図１９（Ｂ）参照）。
例えば、２つの絶縁膜の間に挟まれる、２つの膜が積層された半導体膜を、トランジスタ
に用いることができる。具体的には、絶縁膜１０６および絶縁膜１１６の間に挟まれる、
半導体膜１０８ｂと、半導体膜１０８ｃと、が積層された酸化物半導体膜をトランジスタ
に用いることができる（図１８（Ｂ）および図１９（Ｂ）参照）。
【0283】
半導体膜１０８ｃは、半導体膜１０８ｂと互いに重なる領域を備える。
【0284】
絶縁膜１１６は、絶縁膜１０６と互いに重なる領域を備える。
【0285】
半導体膜１０８ｂは、絶縁膜１０６と接する領域を備え、半導体膜１０８ｃは、絶縁膜１
１６と接する領域を備え、いずれの領域も互いに重なる領域を備える。
１６と接する領域を備え、いずれの領域も互いに重なる領域を備える。
【0286】
また、図１９（Ｂ）は、絶縁膜１０６、及び絶縁膜１１４として酸化シリコン膜を用い、
半導体膜１０８ｂとして金属元素の原子数比をＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：４．１の金属
酸化物ターゲットを用いて形成される酸化物半導体膜を用い、半導体膜１０８ｃとして金
属元素の原子数比をＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：３：２の金属酸化物ターゲットを用いて形成
される金属酸化膜を用いる構成のバンド図である。
半導体膜１０８ｂとして金属元素の原子数比をＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：４．１の金属
酸化物ターゲットを用いて形成される酸化物半導体膜を用い、半導体膜１０８ｃとして金
属元素の原子数比をＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：３：２の金属酸化物ターゲットを用いて形成
される金属酸化膜を用いる構成のバンド図である。
【0287】
＜半導体膜のバンド構造＞
図１９（Ａ）（Ｂ）に示すように、半導体膜１０８ａ、１０８ｂ、１０８ｃにおいて、伝
導帯下端のエネルギー準位はなだらかに変化する。換言すると、連続的に変化または連続
接合するともいうことができる。このようなバンド構造を有するためには、半導体膜１０
８ａと半導体膜１０８ｂとの界面、または半導体膜１０８ｂと半導体膜１０８ｃとの界面
において、トラップ中心や再結合中心のような欠陥準位、を形成するような不純物が存在
しないとする。
図１９（Ａ）（Ｂ）に示すように、半導体膜１０８ａ、１０８ｂ、１０８ｃにおいて、伝
導帯下端のエネルギー準位はなだらかに変化する。換言すると、連続的に変化または連続
接合するともいうことができる。このようなバンド構造を有するためには、半導体膜１０
８ａと半導体膜１０８ｂとの界面、または半導体膜１０８ｂと半導体膜１０８ｃとの界面
において、トラップ中心や再結合中心のような欠陥準位、を形成するような不純物が存在
しないとする。
【0288】
半導体膜１０８ａ、１０８ｂ、１０８ｃに連続接合を形成するためには、ロードロック室
を備えたマルチチャンバー方式の成膜装置（スパッタリング装置）を用いて各膜を大気に
触れさせることなく連続して積層することが必要となる。
を備えたマルチチャンバー方式の成膜装置（スパッタリング装置）を用いて各膜を大気に
触れさせることなく連続して積層することが必要となる。
【0289】
【0290】
なお、半導体膜１０８ａ、１０８ｃを設けることにより、半導体膜１０８ｂに形成されう
るトラップ準位を半導体膜１０８ｂより遠ざけることができる。
るトラップ準位を半導体膜１０８ｂより遠ざけることができる。
【0291】
また、トラップ準位がチャネル領域として機能する半導体膜１０８ｂの伝導帯下端のエネ
ルギー準位（Ｅｃ）より真空準位から遠くなることがあり、トラップ準位に電子が蓄積し
やすくなってしまう。トラップ準位に電子が蓄積されることで、マイナスの固定電荷とな
り、トランジスタのしきい値電圧はプラス方向にシフトしてしまう。したがって、トラッ
プ準位が半導体膜１０８ｂの伝導帯下端のエネルギー準位（Ｅｃ）より真空準位に近くな
るような構成にすると好ましい。このようにすることで、トラップ準位に電子が蓄積しに
くくなり、トランジスタのオン電流を増大させることが可能であると共に、電界効果移動
度を高めることができる。
ルギー準位（Ｅｃ）より真空準位から遠くなることがあり、トラップ準位に電子が蓄積し
やすくなってしまう。トラップ準位に電子が蓄積されることで、マイナスの固定電荷とな
り、トランジスタのしきい値電圧はプラス方向にシフトしてしまう。したがって、トラッ
プ準位が半導体膜１０８ｂの伝導帯下端のエネルギー準位（Ｅｃ）より真空準位に近くな
るような構成にすると好ましい。このようにすることで、トラップ準位に電子が蓄積しに
くくなり、トランジスタのオン電流を増大させることが可能であると共に、電界効果移動
度を高めることができる。
【0292】
また、半導体膜１０８ａ、１０８ｃは、半導体膜１０８ｂよりも伝導帯下端のエネルギー
準位が真空準位に近く、代表的には、半導体膜１０８ｂの伝導帯下端のエネルギー準位と
、半導体膜１０８ａ、１０８ｃの伝導帯下端のエネルギー準位との差が、０．１５ｅＶ以
上、または０．５ｅＶ以上、かつ２ｅＶ以下、または１ｅＶ以下である。すなわち、半導
体膜１０８ａ、１０８ｃの電子親和力と、半導体膜１０８ｂの電子親和力との差が、０．
１５ｅＶ以上、または０．５ｅＶ以上、かつ２ｅＶ以下、または１ｅＶ以下である。
準位が真空準位に近く、代表的には、半導体膜１０８ｂの伝導帯下端のエネルギー準位と
、半導体膜１０８ａ、１０８ｃの伝導帯下端のエネルギー準位との差が、０．１５ｅＶ以
上、または０．５ｅＶ以上、かつ２ｅＶ以下、または１ｅＶ以下である。すなわち、半導
体膜１０８ａ、１０８ｃの電子親和力と、半導体膜１０８ｂの電子親和力との差が、０．
１５ｅＶ以上、または０．５ｅＶ以上、かつ２ｅＶ以下、または１ｅＶ以下である。
【0293】
このような構成を有することで、半導体膜１０８ｂが電流の主な経路となり、チャネル領
域として機能する。また、半導体膜１０８ａ、１０８ｃは、チャネル領域が形成される半
導体膜１０８ｂを構成する金属元素の一種以上から構成される酸化物半導体膜であるため
、半導体膜１０８ａと半導体膜１０８ｂとの界面、または半導体膜１０８ｂと半導体膜１
０８ｃとの界面において、界面散乱が起こりにくい。従って、該界面においてはキャリア
の動きが阻害されないため、トランジスタの電界効果移動度が高くなる。
域として機能する。また、半導体膜１０８ａ、１０８ｃは、チャネル領域が形成される半
導体膜１０８ｂを構成する金属元素の一種以上から構成される酸化物半導体膜であるため
、半導体膜１０８ａと半導体膜１０８ｂとの界面、または半導体膜１０８ｂと半導体膜１
０８ｃとの界面において、界面散乱が起こりにくい。従って、該界面においてはキャリア
の動きが阻害されないため、トランジスタの電界効果移動度が高くなる。
【0294】
また、半導体膜１０８ａ、１０８ｃは、チャネル領域の一部として機能することを防止す
るため、導電率が十分に低い材料を用いるものとする。または、半導体膜１０８ａ、１０
８ｃには、電子親和力（真空準位と伝導帯下端のエネルギー準位との差）が半導体膜１０
８ｂよりも小さく、伝導帯下端のエネルギー準位が半導体膜１０８ｂの伝導帯下端エネル
ギー準位と差分（バンドオフセット）を有する材料を用いるものとする。また、ドレイン
電圧の大きさに依存したしきい値電圧の差が生じることを抑制するためには、半導体膜１
０８ａ、１０８ｃの伝導帯下端のエネルギー準位が、半導体膜１０８ｂの伝導帯下端のエ
ネルギー準位よりも真空準位に近い材料を用いると好適である。例えば、半導体膜１０８
ｂの伝導帯下端のエネルギー準位と、半導体膜１０８ａ、１０８ｃの伝導帯下端のエネル
ギー準位との差が、０．２ｅＶ以上、好ましくは０．５ｅＶ以上とすることが好ましい。
るため、導電率が十分に低い材料を用いるものとする。または、半導体膜１０８ａ、１０
８ｃには、電子親和力（真空準位と伝導帯下端のエネルギー準位との差）が半導体膜１０
８ｂよりも小さく、伝導帯下端のエネルギー準位が半導体膜１０８ｂの伝導帯下端エネル
ギー準位と差分（バンドオフセット）を有する材料を用いるものとする。また、ドレイン
電圧の大きさに依存したしきい値電圧の差が生じることを抑制するためには、半導体膜１
０８ａ、１０８ｃの伝導帯下端のエネルギー準位が、半導体膜１０８ｂの伝導帯下端のエ
ネルギー準位よりも真空準位に近い材料を用いると好適である。例えば、半導体膜１０８
ｂの伝導帯下端のエネルギー準位と、半導体膜１０８ａ、１０８ｃの伝導帯下端のエネル
ギー準位との差が、０．２ｅＶ以上、好ましくは０．５ｅＶ以上とすることが好ましい。
【0295】
また、半導体膜１０８ａ、１０８ｃは、膜中にスピネル型の結晶構造が含まれないことが
好ましい。半導体膜１０８ａ、１０８ｃの膜中にスピネル型の結晶構造を含む場合、該ス
ピネル型の結晶構造と他の領域との界面において、導電膜１１２ａ、１１２ｂの構成元素
が半導体膜１０８ｂへ拡散してしまう場合がある。
好ましい。半導体膜１０８ａ、１０８ｃの膜中にスピネル型の結晶構造を含む場合、該ス
ピネル型の結晶構造と他の領域との界面において、導電膜１１２ａ、１１２ｂの構成元素
が半導体膜１０８ｂへ拡散してしまう場合がある。
【0296】
半導体膜１０８ａ、１０８ｃの膜厚は、導電膜１１２ａ、１１２ｂの構成元素が半導体膜
１０８ｂに拡散することを抑制することのできる膜厚以上であって、絶縁膜１１４から半
導体膜１０８ｂへの酸素の供給を抑制する膜厚未満とする。例えば、半導体膜１０８ａ、
１０８ｃの膜厚が１０ｎｍ以上であると、導電膜１１２ａ、１１２ｂの構成元素が半導体
膜１０８ｂへ拡散するのを抑制することができる。また、半導体膜１０８ａ、１０８ｃの
膜厚を１００ｎｍ以下とすると、絶縁膜１１４から半導体膜１０８ｂへ効果的に酸素を供
給することができる。
１０８ｂに拡散することを抑制することのできる膜厚以上であって、絶縁膜１１４から半
導体膜１０８ｂへの酸素の供給を抑制する膜厚未満とする。例えば、半導体膜１０８ａ、
１０８ｃの膜厚が１０ｎｍ以上であると、導電膜１１２ａ、１１２ｂの構成元素が半導体
膜１０８ｂへ拡散するのを抑制することができる。また、半導体膜１０８ａ、１０８ｃの
膜厚を１００ｎｍ以下とすると、絶縁膜１１４から半導体膜１０８ｂへ効果的に酸素を供
給することができる。
【0297】
半導体膜１０８ａ、１０８ｃがＩｎ－Ｍ－Ｚｎ酸化物（ＭはＡｌ、Ｇａ、Ｙ、またはＳｎ
）であるとき、ＭをＩｎより高い原子数比で有することで、半導体膜１０８ａ、１０８ｃ
のエネルギーギャップを大きく、電子親和力を小さくしうる。よって、半導体膜１０８ｂ
との電子親和力の差をＭの組成によって制御することが可能となる場合がある。また、Ｍ
は、酸素との結合力が強い金属元素であるため、これらの元素をＩｎより高い原子数比で
有することで、酸素欠損が生じにくくなる。
）であるとき、ＭをＩｎより高い原子数比で有することで、半導体膜１０８ａ、１０８ｃ
のエネルギーギャップを大きく、電子親和力を小さくしうる。よって、半導体膜１０８ｂ
との電子親和力の差をＭの組成によって制御することが可能となる場合がある。また、Ｍ
は、酸素との結合力が強い金属元素であるため、これらの元素をＩｎより高い原子数比で
有することで、酸素欠損が生じにくくなる。
【0298】
また、半導体膜１０８ａ、１０８ｃがＩｎ－Ｍ－Ｚｎ酸化物であるとき、ＺｎおよびＯを
除いてのＩｎおよびＭの原子数比率は、好ましくは、Ｉｎが５０ａｔｏｍｉｃ％未満、Ｍ
が５０ａｔｏｍｉｃ％より高く、さらに好ましくは、Ｉｎが２５ａｔｏｍｉｃ％未満、Ｍ
が７５ａｔｏｍｉｃ％より高くする。また、半導体膜１０８ａ、１０８ｃとして、酸化ガ
リウム膜を用いてもよい。
除いてのＩｎおよびＭの原子数比率は、好ましくは、Ｉｎが５０ａｔｏｍｉｃ％未満、Ｍ
が５０ａｔｏｍｉｃ％より高く、さらに好ましくは、Ｉｎが２５ａｔｏｍｉｃ％未満、Ｍ
が７５ａｔｏｍｉｃ％より高くする。また、半導体膜１０８ａ、１０８ｃとして、酸化ガ
リウム膜を用いてもよい。
【0299】
また、半導体膜１０８ａ、１０８ｂ、１０８ｃが、Ｉｎ－Ｍ－Ｚｎ酸化物の場合、半導体
膜１０８ｂと比較して、半導体膜１０８ａ、１０８ｃに含まれるＭの原子数比が大きく、
代表的には、半導体膜１０８ｂに含まれる上記原子と比較して、１．５倍以上、好ましく
は２倍以上、さらに好ましくは３倍以上高い原子数比である。
膜１０８ｂと比較して、半導体膜１０８ａ、１０８ｃに含まれるＭの原子数比が大きく、
代表的には、半導体膜１０８ｂに含まれる上記原子と比較して、１．５倍以上、好ましく
は２倍以上、さらに好ましくは３倍以上高い原子数比である。
【0300】
また、半導体膜１０８ａ、１０８ｂ、１０８ｃが、Ｉｎ－Ｍ－Ｚｎ酸化物の場合、半導体
膜１０８ｂをＩｎ：Ｍ：Ｚｎ＝ｘ１：ｙ１：ｚ１［原子数比］、半導体膜１０８ａ、１０
８ｃをＩｎ：Ｍ：Ｚｎ＝ｘ２：ｙ２：ｚ２［原子数比］とすると、ｙ２／ｘ２がｙ１／ｘ
１よりも大きく、好ましくは、ｙ２／ｘ２がｙ１／ｘ１よりも１．５倍以上である。より
好ましくは、ｙ２／ｘ２がｙ１／ｘ１よりも２倍以上大きく、さらに好ましくは、ｙ２／
ｘ２がｙ１／ｘ１よりも３倍以上または４倍以上大きい。このとき、半導体膜１０８ｂに
おいて、ｙ１がｘ１以上であると、半導体膜１０８ｂを用いるトランジスタに安定した電
気特性を付与できるため好ましい。ただし、ｙ１がｘ１の３倍以上になると、半導体膜１
０８ｂを用いるトランジスタの電界効果移動度が低下してしまうため、ｙ１はｘ１の３倍
未満であると好ましい。
膜１０８ｂをＩｎ：Ｍ：Ｚｎ＝ｘ１：ｙ１：ｚ１［原子数比］、半導体膜１０８ａ、１０
８ｃをＩｎ：Ｍ：Ｚｎ＝ｘ２：ｙ２：ｚ２［原子数比］とすると、ｙ２／ｘ２がｙ１／ｘ
１よりも大きく、好ましくは、ｙ２／ｘ２がｙ１／ｘ１よりも１．５倍以上である。より
好ましくは、ｙ２／ｘ２がｙ１／ｘ１よりも２倍以上大きく、さらに好ましくは、ｙ２／
ｘ２がｙ１／ｘ１よりも３倍以上または４倍以上大きい。このとき、半導体膜１０８ｂに
おいて、ｙ１がｘ１以上であると、半導体膜１０８ｂを用いるトランジスタに安定した電
気特性を付与できるため好ましい。ただし、ｙ１がｘ１の３倍以上になると、半導体膜１
０８ｂを用いるトランジスタの電界効果移動度が低下してしまうため、ｙ１はｘ１の３倍
未満であると好ましい。
【0301】
半導体膜１０８ｂがＩｎ－Ｍ－Ｚｎ酸化物の場合、半導体膜１０８ｂを成膜するために用
いるターゲットにおいて、金属元素の原子数比をＩｎ：Ｍ：Ｚｎ＝ｘ１：ｙ１：ｚ１とす
ると、ｘ１／ｙ１は、１／３以上６以下、さらには１以上６以下であって、ｚ１／ｙ１は
、１／３以上６以下、さらには１以上６以下であることが好ましい。
いるターゲットにおいて、金属元素の原子数比をＩｎ：Ｍ：Ｚｎ＝ｘ１：ｙ１：ｚ１とす
ると、ｘ１／ｙ１は、１／３以上６以下、さらには１以上６以下であって、ｚ１／ｙ１は
、１／３以上６以下、さらには１以上６以下であることが好ましい。
【0302】
また、半導体膜１０８ａ、１０８ｃがＩｎ－Ｍ－Ｚｎ酸化物の場合、半導体膜１０８ａ、
１０８ｃを成膜するために用いるターゲットにおいて、金属元素の原子数比をＩｎ：Ｍ：
Ｚｎ＝ｘ２：ｙ２：ｚ２とすると、ｘ２／ｙ２＜ｘ１／ｙ１であって、ｚ２／ｙ２は、１
／３以上６以下、さらには１以上６以下であることが好ましい。また、Ｉｎに対するＭの
原子数比率を大きくすることで、半導体膜１０８ａ、１０８ｃのエネルギーギャップを大
きく、電子親和力を小さくすることが可能であるため、ｙ２／ｘ２を３以上、または４以
上とすることが好ましい。ターゲットの金属元素の原子数比の代表例としては、Ｉｎ：Ｍ
：Ｚｎ＝１：３：２、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：３：４、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：３：５、Ｉｎ
：Ｍ：Ｚｎ＝１：３：６、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：４：２、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：４：４、
Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：４：５、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：５：５等がある。
１０８ｃを成膜するために用いるターゲットにおいて、金属元素の原子数比をＩｎ：Ｍ：
Ｚｎ＝ｘ２：ｙ２：ｚ２とすると、ｘ２／ｙ２＜ｘ１／ｙ１であって、ｚ２／ｙ２は、１
／３以上６以下、さらには１以上６以下であることが好ましい。また、Ｉｎに対するＭの
原子数比率を大きくすることで、半導体膜１０８ａ、１０８ｃのエネルギーギャップを大
きく、電子親和力を小さくすることが可能であるため、ｙ２／ｘ２を３以上、または４以
上とすることが好ましい。ターゲットの金属元素の原子数比の代表例としては、Ｉｎ：Ｍ
：Ｚｎ＝１：３：２、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：３：４、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：３：５、Ｉｎ
：Ｍ：Ｚｎ＝１：３：６、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：４：２、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：４：４、
Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：４：５、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：５：５等がある。
【0303】
また、半導体膜１０８ａ、１０８ｃがＩｎ－Ｍ酸化物の場合、Ｍとして２価の金属原子（
例えば、亜鉛など）を含まない構成とすることで、スピネル型の結晶構造を含有しない半
導体膜１０８ａ、１０８ｃを形成することができる。また、半導体膜１０８ａ、１０８ｃ
としては、例えば、Ｉｎ－Ｇａ酸化物膜を用いることができる。該Ｉｎ－Ｇａ酸化物とし
ては、例えば、Ｉｎ－Ｇａ金属酸化物ターゲット（Ｉｎ：Ｇａ＝７：９３）を用いて、ス
パッタリング法により形成することができる。また、半導体膜１０８ａ、１０８ｃを、Ｄ
Ｃ放電を用いたスパッタリング法で成膜するためには、Ｉｎ：Ｍ＝ｘ：ｙ［原子数比］と
したときに、ｙ／（ｘ＋ｙ）を０．９６以下、好ましくは０．９５以下、例えば０．９３
とするとよい。
例えば、亜鉛など）を含まない構成とすることで、スピネル型の結晶構造を含有しない半
導体膜１０８ａ、１０８ｃを形成することができる。また、半導体膜１０８ａ、１０８ｃ
としては、例えば、Ｉｎ－Ｇａ酸化物膜を用いることができる。該Ｉｎ－Ｇａ酸化物とし
ては、例えば、Ｉｎ－Ｇａ金属酸化物ターゲット（Ｉｎ：Ｇａ＝７：９３）を用いて、ス
パッタリング法により形成することができる。また、半導体膜１０８ａ、１０８ｃを、Ｄ
Ｃ放電を用いたスパッタリング法で成膜するためには、Ｉｎ：Ｍ＝ｘ：ｙ［原子数比］と
したときに、ｙ／（ｘ＋ｙ）を０．９６以下、好ましくは０．９５以下、例えば０．９３
とするとよい。
【0304】
なお、半導体膜１０８ａ、１０８ｂ、１０８ｃの原子数比はそれぞれ、誤差として上記の
原子数比のプラスマイナス４０％の変動を含む。
原子数比のプラスマイナス４０％の変動を含む。
【0305】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる
。
。
【0306】
【0307】
図２０（Ａ）乃至図２０（Ｇ）は、電子機器を示す図である。これらの電子機器は、筐体
５０００、表示部５００１、スピーカ５００３、ＬＥＤランプ５００４、操作キー５００
５（電源スイッチ、又は操作スイッチを含む）、接続端子５００６、センサ５００７（力
、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、
音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい
又は赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン５００８、等を有することがで
きる。
５０００、表示部５００１、スピーカ５００３、ＬＥＤランプ５００４、操作キー５００
５（電源スイッチ、又は操作スイッチを含む）、接続端子５００６、センサ５００７（力
、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、
音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい
又は赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン５００８、等を有することがで
きる。
【0308】
図２０（Ａ）はモバイルコンピュータであり、上述したものの他に、スイッチ５００９、
赤外線ポート５０１０、等を有することができる。図２０（Ｂ）は記録媒体を備えた携帯
型の画像再生装置（たとえば、ＤＶＤ再生装置）であり、上述したものの他に、第２表示
部５００２、記録媒体読込部５０１１、等を有することができる。図２０（Ｃ）はゴーグ
ル型ディスプレイであり、上述したものの他に、第２表示部５００２、支持部５０１２、
イヤホン５０１３、等を有することができる。図２０（Ｄ）は携帯型遊技機であり、上述
したものの他に、記録媒体読込部５０１１、等を有することができる。図２０（Ｅ）はテ
レビ受像機能付きデジタルカメラであり、上述したものの他に、アンテナ５０１４、シャ
ッターボタン５０１５、受像部５０１６、等を有することができる。図２０（Ｆ）は携帯
型遊技機であり、上述したものの他に、第２表示部５００２、記録媒体読込部５０１１、
等を有することができる。図２０（Ｇ）は持ち運び型テレビ受像器であり、上述したもの
の他に、信号の送受信が可能な充電器５０１７、等を有することができる。
赤外線ポート５０１０、等を有することができる。図２０（Ｂ）は記録媒体を備えた携帯
型の画像再生装置（たとえば、ＤＶＤ再生装置）であり、上述したものの他に、第２表示
部５００２、記録媒体読込部５０１１、等を有することができる。図２０（Ｃ）はゴーグ
ル型ディスプレイであり、上述したものの他に、第２表示部５００２、支持部５０１２、
イヤホン５０１３、等を有することができる。図２０（Ｄ）は携帯型遊技機であり、上述
したものの他に、記録媒体読込部５０１１、等を有することができる。図２０（Ｅ）はテ
レビ受像機能付きデジタルカメラであり、上述したものの他に、アンテナ５０１４、シャ
ッターボタン５０１５、受像部５０１６、等を有することができる。図２０（Ｆ）は携帯
型遊技機であり、上述したものの他に、第２表示部５００２、記録媒体読込部５０１１、
等を有することができる。図２０（Ｇ）は持ち運び型テレビ受像器であり、上述したもの
の他に、信号の送受信が可能な充電器５０１７、等を有することができる。
【0309】
図２０（Ａ）乃至図２０（Ｇ）に示す電子機器は、様々な機能を有することができる。例
えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチ
パネル機能、カレンダー、日付又は時刻などを表示する機能、様々なソフトウエア（プロ
グラム）によって処理を制御する機能、無線通信機能、無線通信機能を用いて様々なコン
ピュータネットワークに接続する機能、無線通信機能を用いて様々なデータの送信又は受
信を行う機能、記録媒体に記録されているプログラム又はデータを読み出して表示部に表
示する機能、等を有することができる。さらに、複数の表示部を有する電子機器において
は、一つの表示部を主として画像情報を表示し、別の一つの表示部を主として文字情報を
表示する機能、または、複数の表示部に視差を考慮した画像を表示することで立体的な画
像を表示する機能、等を有することができる。さらに、受像部を有する電子機器において
は、静止画を撮影する機能、動画を撮影する機能、撮影した画像を自動または手動で補正
する機能、撮影した画像を記録媒体（外部又はカメラに内蔵）に保存する機能、撮影した
画像を表示部に表示する機能、等を有することができる。なお、図２０（Ａ）乃至図２０
（Ｇ）に示す電子機器が有することのできる機能はこれらに限定されず、様々な機能を有
することができる。
えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチ
パネル機能、カレンダー、日付又は時刻などを表示する機能、様々なソフトウエア（プロ
グラム）によって処理を制御する機能、無線通信機能、無線通信機能を用いて様々なコン
ピュータネットワークに接続する機能、無線通信機能を用いて様々なデータの送信又は受
信を行う機能、記録媒体に記録されているプログラム又はデータを読み出して表示部に表
示する機能、等を有することができる。さらに、複数の表示部を有する電子機器において
は、一つの表示部を主として画像情報を表示し、別の一つの表示部を主として文字情報を
表示する機能、または、複数の表示部に視差を考慮した画像を表示することで立体的な画
像を表示する機能、等を有することができる。さらに、受像部を有する電子機器において
は、静止画を撮影する機能、動画を撮影する機能、撮影した画像を自動または手動で補正
する機能、撮影した画像を記録媒体（外部又はカメラに内蔵）に保存する機能、撮影した
画像を表示部に表示する機能、等を有することができる。なお、図２０（Ａ）乃至図２０
（Ｇ）に示す電子機器が有することのできる機能はこれらに限定されず、様々な機能を有
することができる。
【0310】
【0311】
ベゼル部分を兼ねる筐体７３０２に搭載された表示パネル７３０４は、非矩形状の表示領
域を有している。なお、表示パネル７３０４としては、矩形状の表示領域としてもよい。
表示パネル７３０４は、時刻を表すアイコン７３０５、その他のアイコン７３０６等を表
示することができる。
域を有している。なお、表示パネル７３０４としては、矩形状の表示領域としてもよい。
表示パネル７３０４は、時刻を表すアイコン７３０５、その他のアイコン７３０６等を表
示することができる。
【0312】
なお、図２０（Ｈ）に示すスマートウオッチは、様々な機能を有することができる。例え
ば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチパ
ネル機能、カレンダー、日付又は時刻などを表示する機能、様々なソフトウエア（プログ
ラム）によって処理を制御する機能、無線通信機能、無線通信機能を用いて様々なコンピ
ュータネットワークに接続する機能、無線通信機能を用いて様々なデータの送信又は受信
を行う機能、記録媒体に記録されているプログラム又はデータを読み出して表示部に表示
する機能、等を有することができる。
ば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチパ
ネル機能、カレンダー、日付又は時刻などを表示する機能、様々なソフトウエア（プログ
ラム）によって処理を制御する機能、無線通信機能、無線通信機能を用いて様々なコンピ
ュータネットワークに接続する機能、無線通信機能を用いて様々なデータの送信又は受信
を行う機能、記録媒体に記録されているプログラム又はデータを読み出して表示部に表示
する機能、等を有することができる。
【0313】
また、筐体７３０２の内部に、スピーカ、センサ（力、変位、位置、速度、加速度、角速
度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電
圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むも
の）、マイクロフォン等を有することができる。なお、スマートウオッチは、発光素子を
その表示パネル７３０４に用いることにより作製することができる。
度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電
圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むも
の）、マイクロフォン等を有することができる。なお、スマートウオッチは、発光素子を
その表示パネル７３０４に用いることにより作製することができる。
【0314】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる
。
。
【0315】
例えば、本明細書等において、ＸとＹとが接続されている、と明示的に記載されている場
合は、ＸとＹとが電気的に接続されている場合と、ＸとＹとが機能的に接続されている場
合と、ＸとＹとが直接接続されている場合とが、本明細書等に開示されているものとする
。したがって、所定の接続関係、例えば、図または文章に示された接続関係に限定されず
、図または文章に示された接続関係以外のものも、図または文章に記載されているものと
する。
合は、ＸとＹとが電気的に接続されている場合と、ＸとＹとが機能的に接続されている場
合と、ＸとＹとが直接接続されている場合とが、本明細書等に開示されているものとする
。したがって、所定の接続関係、例えば、図または文章に示された接続関係に限定されず
、図または文章に示された接続関係以外のものも、図または文章に記載されているものと
する。
【0316】
ここで、Ｘ、Ｙは、対象物（例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層
、など）であるとする。
、など）であるとする。
【0317】
ＸとＹとが直接的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの電気的な接続を可能
とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイ
オード、表示素子、発光素子、負荷など）が、ＸとＹとの間に接続されていない場合であ
り、ＸとＹとの電気的な接続を可能とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量
素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷など）を介さずに
、ＸとＹとが、接続されている場合である。
とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイ
オード、表示素子、発光素子、負荷など）が、ＸとＹとの間に接続されていない場合であ
り、ＸとＹとの電気的な接続を可能とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量
素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷など）を介さずに
、ＸとＹとが、接続されている場合である。
【0318】
ＸとＹとが電気的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの電気的な接続を可能
とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイ
オード、表示素子、発光素子、負荷など）が、ＸとＹとの間に１個以上接続されることが
可能である。なお、スイッチは、オンオフが制御される機能を有している。つまり、スイ
ッチは、導通状態（オン状態）、または、非導通状態（オフ状態）になり、電流を流すか
流さないかを制御する機能を有している。または、スイッチは、電流を流す経路を選択し
て切り替える機能を有している。なお、ＸとＹとが電気的に接続されている場合は、Ｘと
Ｙとが直接的に接続されている場合を含むものとする。
とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイ
オード、表示素子、発光素子、負荷など）が、ＸとＹとの間に１個以上接続されることが
可能である。なお、スイッチは、オンオフが制御される機能を有している。つまり、スイ
ッチは、導通状態（オン状態）、または、非導通状態（オフ状態）になり、電流を流すか
流さないかを制御する機能を有している。または、スイッチは、電流を流す経路を選択し
て切り替える機能を有している。なお、ＸとＹとが電気的に接続されている場合は、Ｘと
Ｙとが直接的に接続されている場合を含むものとする。
【0319】
ＸとＹとが機能的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの機能的な接続を可能
とする回路（例えば、論理回路（インバータ、ＮＡＮＤ回路、ＮＯＲ回路など）、信号変
換回路（ＤＡ変換回路、ＡＤ変換回路、ガンマ補正回路など）、電位レベル変換回路（電
源回路（昇圧回路、降圧回路など）、信号の電位レベルを変えるレベルシフタ回路など）
、電圧源、電流源、切り替え回路、増幅回路（信号振幅または電流量などを大きく出来る
回路、オペアンプ、差動増幅回路、ソースフォロワ回路、バッファ回路など）、信号生成
回路、記憶回路、制御回路など）が、ＸとＹとの間に１個以上接続されることが可能であ
る。なお、一例として、ＸとＹとの間に別の回路を挟んでいても、Ｘから出力された信号
がＹへ伝達される場合は、ＸとＹとは機能的に接続されているものとする。なお、ＸとＹ
とが機能的に接続されている場合は、ＸとＹとが直接的に接続されている場合と、ＸとＹ
とが電気的に接続されている場合とを含むものとする。
とする回路（例えば、論理回路（インバータ、ＮＡＮＤ回路、ＮＯＲ回路など）、信号変
換回路（ＤＡ変換回路、ＡＤ変換回路、ガンマ補正回路など）、電位レベル変換回路（電
源回路（昇圧回路、降圧回路など）、信号の電位レベルを変えるレベルシフタ回路など）
、電圧源、電流源、切り替え回路、増幅回路（信号振幅または電流量などを大きく出来る
回路、オペアンプ、差動増幅回路、ソースフォロワ回路、バッファ回路など）、信号生成
回路、記憶回路、制御回路など）が、ＸとＹとの間に１個以上接続されることが可能であ
る。なお、一例として、ＸとＹとの間に別の回路を挟んでいても、Ｘから出力された信号
がＹへ伝達される場合は、ＸとＹとは機能的に接続されているものとする。なお、ＸとＹ
とが機能的に接続されている場合は、ＸとＹとが直接的に接続されている場合と、ＸとＹ
とが電気的に接続されている場合とを含むものとする。
【0320】
なお、ＸとＹとが電気的に接続されている、と明示的に記載されている場合は、ＸとＹと
が電気的に接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の素子又は別の回路を挟んで
接続されている場合）と、ＸとＹとが機能的に接続されている場合（つまり、ＸとＹとの
間に別の回路を挟んで機能的に接続されている場合）と、ＸとＹとが直接接続されている
場合（つまり、ＸとＹとの間に別の素子又は別の回路を挟まずに接続されている場合）と
が、本明細書等に開示されているものとする。つまり、電気的に接続されている、と明示
的に記載されている場合は、単に、接続されている、とのみ明示的に記載されている場合
と同様な内容が、本明細書等に開示されているものとする。
が電気的に接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の素子又は別の回路を挟んで
接続されている場合）と、ＸとＹとが機能的に接続されている場合（つまり、ＸとＹとの
間に別の回路を挟んで機能的に接続されている場合）と、ＸとＹとが直接接続されている
場合（つまり、ＸとＹとの間に別の素子又は別の回路を挟まずに接続されている場合）と
が、本明細書等に開示されているものとする。つまり、電気的に接続されている、と明示
的に記載されている場合は、単に、接続されている、とのみ明示的に記載されている場合
と同様な内容が、本明細書等に開示されているものとする。
【0321】
なお、例えば、トランジスタのソース（又は第１の端子など）が、Ｚ１を介して（又は介
さず）、Ｘと電気的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）が、Ｚ
２を介して（又は介さず）、Ｙと電気的に接続されている場合や、トランジスタのソース
（又は第１の端子など）が、Ｚ１の一部と直接的に接続され、Ｚ１の別の一部がＸと直接
的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）が、Ｚ２の一部と直接的
に接続され、Ｚ２の別の一部がＹと直接的に接続されている場合では、以下のように表現
することが出来る。
さず）、Ｘと電気的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）が、Ｚ
２を介して（又は介さず）、Ｙと電気的に接続されている場合や、トランジスタのソース
（又は第１の端子など）が、Ｚ１の一部と直接的に接続され、Ｚ１の別の一部がＸと直接
的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）が、Ｚ２の一部と直接的
に接続され、Ｚ２の別の一部がＹと直接的に接続されている場合では、以下のように表現
することが出来る。
【0322】
例えば、「ＸとＹとトランジスタのソース（又は第１の端子など）とドレイン（又は第２
の端子など）とは、互いに電気的に接続されており、Ｘ、トランジスタのソース（又は第
１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙの順序で電気的に
接続されている。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース（又は第
１の端子など）は、Ｘと電気的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子な
ど）はＹと電気的に接続され、Ｘ、トランジスタのソース（又は第１の端子など）、トラ
ンジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙは、この順序で電気的に接続されている
」と表現することができる。または、「Ｘは、トランジスタのソース（又は第１の端子な
ど）とドレイン（又は第２の端子など）とを介して、Ｙと電気的に接続され、Ｘ、トラン
ジスタのソース（又は第１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など
）、Ｙは、この接続順序で設けられている」と表現することができる。これらの例と同様
な表現方法を用いて、回路構成における接続の順序について規定することにより、トラン
ジスタのソース（又は第１の端子など）と、ドレイン（又は第２の端子など）とを、区別
して、技術的範囲を決定することができる。
の端子など）とは、互いに電気的に接続されており、Ｘ、トランジスタのソース（又は第
１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙの順序で電気的に
接続されている。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース（又は第
１の端子など）は、Ｘと電気的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子な
ど）はＹと電気的に接続され、Ｘ、トランジスタのソース（又は第１の端子など）、トラ
ンジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙは、この順序で電気的に接続されている
」と表現することができる。または、「Ｘは、トランジスタのソース（又は第１の端子な
ど）とドレイン（又は第２の端子など）とを介して、Ｙと電気的に接続され、Ｘ、トラン
ジスタのソース（又は第１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など
）、Ｙは、この接続順序で設けられている」と表現することができる。これらの例と同様
な表現方法を用いて、回路構成における接続の順序について規定することにより、トラン
ジスタのソース（又は第１の端子など）と、ドレイン（又は第２の端子など）とを、区別
して、技術的範囲を決定することができる。
【0323】
または、別の表現方法として、例えば、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）
は、少なくとも第１の接続経路を介して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の接続経路は
、第２の接続経路を有しておらず、前記第２の接続経路は、トランジスタを介した、トラ
ンジスタのソース（又は第１の端子など）とトランジスタのドレイン（又は第２の端子な
ど）との間の経路であり、前記第１の接続経路は、Ｚ１を介した経路であり、トランジス
タのドレイン（又は第２の端子など）は、少なくとも第３の接続経路を介して、Ｙと電気
的に接続され、前記第３の接続経路は、前記第２の接続経路を有しておらず、前記第３の
接続経路は、Ｚ２を介した経路である。」と表現することができる。または、「トランジ
スタのソース（又は第１の端子など）は、少なくとも第１の接続経路によって、Ｚ１を介
して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の接続経路は、第２の接続経路を有しておらず、
前記第２の接続経路は、トランジスタを介した接続経路を有し、トランジスタのドレイン
（又は第２の端子など）は、少なくとも第３の接続経路によって、Ｚ２を介して、Ｙと電
気的に接続され、前記第３の接続経路は、前記第２の接続経路を有していない。」と表現
することができる。または、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、少なく
とも第１の電気的パスによって、Ｚ１を介して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の電気
的パスは、第２の電気的パスを有しておらず、前記第２の電気的パスは、トランジスタの
ソース（又は第１の端子など）からトランジスタのドレイン（又は第２の端子など）への
電気的パスであり、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）は、少なくとも第３
の電気的パスによって、Ｚ２を介して、Ｙと電気的に接続され、前記第３の電気的パスは
、第４の電気的パスを有しておらず、前記第４の電気的パスは、トランジスタのドレイン
（又は第２の端子など）からトランジスタのソース（又は第１の端子など）への電気的パ
スである。」と表現することができる。これらの例と同様な表現方法を用いて、回路構成
における接続経路について規定することにより、トランジスタのソース（又は第１の端子
など）と、ドレイン（又は第２の端子など）とを、区別して、技術的範囲を決定すること
ができる。
は、少なくとも第１の接続経路を介して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の接続経路は
、第２の接続経路を有しておらず、前記第２の接続経路は、トランジスタを介した、トラ
ンジスタのソース（又は第１の端子など）とトランジスタのドレイン（又は第２の端子な
ど）との間の経路であり、前記第１の接続経路は、Ｚ１を介した経路であり、トランジス
タのドレイン（又は第２の端子など）は、少なくとも第３の接続経路を介して、Ｙと電気
的に接続され、前記第３の接続経路は、前記第２の接続経路を有しておらず、前記第３の
接続経路は、Ｚ２を介した経路である。」と表現することができる。または、「トランジ
スタのソース（又は第１の端子など）は、少なくとも第１の接続経路によって、Ｚ１を介
して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の接続経路は、第２の接続経路を有しておらず、
前記第２の接続経路は、トランジスタを介した接続経路を有し、トランジスタのドレイン
（又は第２の端子など）は、少なくとも第３の接続経路によって、Ｚ２を介して、Ｙと電
気的に接続され、前記第３の接続経路は、前記第２の接続経路を有していない。」と表現
することができる。または、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、少なく
とも第１の電気的パスによって、Ｚ１を介して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の電気
的パスは、第２の電気的パスを有しておらず、前記第２の電気的パスは、トランジスタの
ソース（又は第１の端子など）からトランジスタのドレイン（又は第２の端子など）への
電気的パスであり、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）は、少なくとも第３
の電気的パスによって、Ｚ２を介して、Ｙと電気的に接続され、前記第３の電気的パスは
、第４の電気的パスを有しておらず、前記第４の電気的パスは、トランジスタのドレイン
（又は第２の端子など）からトランジスタのソース（又は第１の端子など）への電気的パ
スである。」と表現することができる。これらの例と同様な表現方法を用いて、回路構成
における接続経路について規定することにより、トランジスタのソース（又は第１の端子
など）と、ドレイン（又は第２の端子など）とを、区別して、技術的範囲を決定すること
ができる。
【0324】
なお、これらの表現方法は、一例であり、これらの表現方法に限定されない。ここで、Ｘ
、Ｙ、Ｚ１、Ｚ２は、対象物（例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、
層、など）であるとする。
、Ｙ、Ｚ１、Ｚ２は、対象物（例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、
層、など）であるとする。
【0325】
なお、回路図上は独立している構成要素同士が電気的に接続しているように図示されてい
る場合であっても、１つの構成要素が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合もあ
る。例えば配線の一部が電極としても機能する場合は、一の導電膜が、配線の機能、及び
電極の機能の両方の構成要素の機能を併せ持っている。したがって、本明細書における電
気的に接続とは、このような、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場
合も、その範疇に含める。
る場合であっても、１つの構成要素が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合もあ
る。例えば配線の一部が電極としても機能する場合は、一の導電膜が、配線の機能、及び
電極の機能の両方の構成要素の機能を併せ持っている。したがって、本明細書における電
気的に接続とは、このような、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場
合も、その範疇に含める。
【符号の説明】
【0326】
Ｃ１ 容量素子
ＣＦ 着色膜
ＣＯＭ 第２の電極
ＣＳＣＯＭ 導電膜
ＤＣ 検知回路
ＤＣ２ 検知回路
ＯＳＣ 発振回路
ＳＣ 検知回路
ＳＤ 駆動回路
ＳＤ２ 駆動回路
ＳＷＣ 切り替え回路
Ｔ 期間
Ｔ１ 期間
１０２ 絶縁膜
１０４ 導電膜
１０６ 絶縁膜
１０８ 半導体膜
１０８ａ 半導体膜
１０８ｂ 半導体膜
１０８ｃ 半導体膜
１１２ａ 導電膜
１１２ｂ 導電膜
１１４ 絶縁膜
１１６ 絶縁膜
１１８ 絶縁膜
１２２ 開口部
１２４ 導電膜
３０１ 回路
３５１ 回路
７００ 入出力装置
７００ＴＰ 入出力パネル
７０１ 絶縁膜
７０２ 画素
７０４ 導電膜
７０６ 絶縁膜
７０８ 半導体膜
７１０ 基材
７１０Ｐ 機能膜
７１２Ａ 導電膜
７１２Ｂ 導電膜
７１６ 絶縁膜
７１８ 絶縁膜
７２１ 絶縁膜
７２４ 導電膜
７２８ 絶縁膜
７２９ 絶縁膜
７３０ 画素回路
７５０ 表示素子
７５１ 電極
７５３ 液晶材料を含む層
７５３Ｉ 発光性の材料を含む層
７５３Ｊ 発光性の材料を含む層
７７０ 基材
７７０Ｐ 機能膜
７７１ 絶縁膜
５０００ 筐体
５００１ 表示部
５００２ 表示部
５００３ スピーカ
５００４ ＬＥＤランプ
５００５ 操作キー
５００６ 接続端子
５００７ センサ
５００８ マイクロフォン
５００９ スイッチ
５０１０ 赤外線ポート
５０１１ 記録媒体読込部
５０１２ 支持部
５０１３ イヤホン
５０１４ アンテナ
５０１５ シャッターボタン
５０１６ 受像部
５０１７ 充電器
７３０２ 筐体
７３０４ 表示パネル
７３０５ アイコン
７３０６ アイコン
７３１１ 操作ボタン
７３１２ 操作ボタン
７３１３ 接続端子
７３２１ バンド
７３２２ 留め金
ＣＦ 着色膜
ＣＯＭ 第２の電極
ＣＳＣＯＭ 導電膜
ＤＣ 検知回路
ＤＣ２ 検知回路
ＯＳＣ 発振回路
ＳＣ 検知回路
ＳＤ 駆動回路
ＳＤ２ 駆動回路
ＳＷＣ 切り替え回路
Ｔ 期間
Ｔ１ 期間
１０２ 絶縁膜
１０４ 導電膜
１０６ 絶縁膜
１０８ 半導体膜
１０８ａ 半導体膜
１０８ｂ 半導体膜
１０８ｃ 半導体膜
１１２ａ 導電膜
１１２ｂ 導電膜
１１４ 絶縁膜
１１６ 絶縁膜
１１８ 絶縁膜
１２２ 開口部
１２４ 導電膜
３０１ 回路
３５１ 回路
７００ 入出力装置
７００ＴＰ 入出力パネル
７０１ 絶縁膜
７０２ 画素
７０４ 導電膜
７０６ 絶縁膜
７０８ 半導体膜
７１０ 基材
７１０Ｐ 機能膜
７１２Ａ 導電膜
７１２Ｂ 導電膜
７１６ 絶縁膜
７１８ 絶縁膜
７２１ 絶縁膜
７２４ 導電膜
７２８ 絶縁膜
７２９ 絶縁膜
７３０ 画素回路
７５０ 表示素子
７５１ 電極
７５３ 液晶材料を含む層
７５３Ｉ 発光性の材料を含む層
７５３Ｊ 発光性の材料を含む層
７７０ 基材
７７０Ｐ 機能膜
７７１ 絶縁膜
５０００ 筐体
５００１ 表示部
５００２ 表示部
５００３ スピーカ
５００４ ＬＥＤランプ
５００５ 操作キー
５００６ 接続端子
５００７ センサ
５００８ マイクロフォン
５００９ スイッチ
５０１０ 赤外線ポート
５０１１ 記録媒体読込部
５０１２ 支持部
５０１３ イヤホン
５０１４ アンテナ
５０１５ シャッターボタン
５０１６ 受像部
５０１７ 充電器
７３０２ 筐体
７３０４ 表示パネル
７３０５ アイコン
７３０６ アイコン
７３１１ 操作ボタン
７３１２ 操作ボタン
７３１３ 接続端子
７３２１ バンド
７３２２ 留め金
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】