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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024128372
(43)【公開日】2024-09-24
(54)【発明の名称】表示装置用マザー基板および表示装置
(51)【国際特許分類】
H10K 77/10 20230101AFI20240913BHJP
G09F 9/00 20060101ALI20240913BHJP
G09F 9/30 20060101ALI20240913BHJP
H10K 59/122 20230101ALI20240913BHJP
H10K 50/824 20230101ALI20240913BHJP
H10K 71/00 20230101ALI20240913BHJP
H10K 50/84 20230101ALI20240913BHJP
【ＦＩ】
H10K77/10
G09F9/00 338
G09F9/30 365
G09F9/30 308Z
G09F9/30 310
H10K59/122
H10K50/824
H10K71/00
H10K50/84
【審査請求】未請求
【請求項の数】11
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023037314
(22)【出願日】2023-03-10
(71)【出願人】
【識別番号】502356528
【氏名又は名称】株式会社ジャパンディスプレイ
(74)【代理人】
【識別番号】110001737
【氏名又は名称】弁理士法人スズエ国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】田畠 弘志
(72)【発明者】
【氏名】柳澤 昌
【テーマコード（参考）】
3K107
5C094
5G435
【Ｆターム（参考）】
3K107AA01
3K107BB01
3K107CC45
3K107DD11
3K107DD37
3K107DD39
3K107DD89
3K107DD90
3K107DD95
3K107DD96
3K107EE03
3K107FF15
3K107GG52
3K107GG54
5C094AA43
5C094BA03
5C094BA27
5C094CA19
5C094FA01
5C094FB01
5C094FB02
5C094FB15
5C094GB01
5G435AA17
5G435BB05
5G435KK05
(57)【要約】
【課題】アライメントマークの消失や汚損を抑制することが可能な表示装置用マザー基板および表示装置を提供すること。
【解決手段】一実施形態に係る表示装置用マザー基板は、複数の表示素子が配置された表示領域をそれぞれ含む複数のパネル部と、複数のパネル部の周囲の余白領域と、余白領域に配置されたアライメントマークと、を備えている。パネル部は、有機絶縁層と、有機絶縁層の上方に配置された下電極と、下電極に対向する上電極と、下電極と上電極の間に配置され下電極と上電極の電位差に応じて発光する有機層と、を含む。有機絶縁層は、余白領域にも配置される。アライメントマークの上方には、余白領域に配置された有機絶縁層と、当該有機絶縁層を覆う無機絶縁層とが配置される。
【選択図】 図１５Ｂ
【解決手段】一実施形態に係る表示装置用マザー基板は、複数の表示素子が配置された表示領域をそれぞれ含む複数のパネル部と、複数のパネル部の周囲の余白領域と、余白領域に配置されたアライメントマークと、を備えている。パネル部は、有機絶縁層と、有機絶縁層の上方に配置された下電極と、下電極に対向する上電極と、下電極と上電極の間に配置され下電極と上電極の電位差に応じて発光する有機層と、を含む。有機絶縁層は、余白領域にも配置される。アライメントマークの上方には、余白領域に配置された有機絶縁層と、当該有機絶縁層を覆う無機絶縁層とが配置される。
【選択図】 図１５Ｂ
【特許請求の範囲】
【請求項1】
複数の表示素子が配置された表示領域をそれぞれ含む複数のパネル部と、
前記複数のパネル部の周囲の余白領域と、
前記余白領域に配置されたアライメントマークと、
を備え、
前記パネル部は、有機絶縁層と、前記有機絶縁層の上方に配置された下電極と、前記下電極に対向する上電極と、前記下電極と前記上電極の間に配置され前記下電極と前記上電極の電位差に応じて発光する有機層と、を含み、
前記有機絶縁層は、前記余白領域にも配置され、
前記アライメントマークの上方には、前記余白領域に配置された有機絶縁層と、当該有機絶縁層を覆う無機絶縁層とが配置される、
表示装置用マザー基板。
前記複数のパネル部の周囲の余白領域と、
前記余白領域に配置されたアライメントマークと、
を備え、
前記パネル部は、有機絶縁層と、前記有機絶縁層の上方に配置された下電極と、前記下電極に対向する上電極と、前記下電極と前記上電極の間に配置され前記下電極と前記上電極の電位差に応じて発光する有機層と、を含み、
前記有機絶縁層は、前記余白領域にも配置され、
前記アライメントマークの上方には、前記余白領域に配置された有機絶縁層と、当該有機絶縁層を覆う無機絶縁層とが配置される、
表示装置用マザー基板。
【請求項2】
前記パネル部は、前記下電極と重なる画素開口を有するリブをさらに含み、
前記リブおよび前記無機絶縁層は、同じ無機絶縁材料で形成されている、
請求項１に記載の表示装置用マザー基板。
前記リブおよび前記無機絶縁層は、同じ無機絶縁材料で形成されている、
請求項１に記載の表示装置用マザー基板。
【請求項3】
前記パネル部は、前記リブの上方に配置された隔壁をさらに含み、
前記隔壁は、前記上電極に接続される、
請求項２に記載の表示装置用マザー基板。
前記隔壁は、前記上電極に接続される、
請求項２に記載の表示装置用マザー基板。
【請求項4】
前記パネル部は、前記有機絶縁層の下方に配置された回路層をさらに含み、
前記アライメントマークは、前記回路層に含まれる配線と同じ導電材料で形成されている、
請求項１に記載の表示装置用マザー基板。
前記アライメントマークは、前記回路層に含まれる配線と同じ導電材料で形成されている、
請求項１に記載の表示装置用マザー基板。
【請求項5】
前記アライメントマークは、平面視において、十字形状、格子形状または複数のＬ字を組み合わせた形状に形成されている、
請求項１に記載の表示装置用マザー基板。
請求項１に記載の表示装置用マザー基板。
【請求項6】
前記パネル部は、前記表示領域の周囲の周辺領域をさらに有し、
前記アライメントマークは、前記余白領域および前記周辺領域に配置されている、
請求項１に記載の表示装置用マザー基板。
前記アライメントマークは、前記余白領域および前記周辺領域に配置されている、
請求項１に記載の表示装置用マザー基板。
【請求項7】
複数の表示素子が配置された表示領域と、
前記表示領域の周囲の周辺領域と、
前記周辺領域に配置されたアライメントマークと、
を備え、
前記表示領域には、有機絶縁層と、前記有機絶縁層の上方に配置された下電極と、前記下電極に対向する上電極と、前記下電極と前記上電極の間に配置され前記下電極と前記上電極の電位差に応じて発光する有機層と、が設けられ、
前記有機絶縁層は、前記周辺領域にも配置され、
前記アライメントマークの上方には、前記周辺領域に配置された有機絶縁層と、当該有機絶縁層を覆う無機絶縁層とが配置される、
表示装置。
前記表示領域の周囲の周辺領域と、
前記周辺領域に配置されたアライメントマークと、
を備え、
前記表示領域には、有機絶縁層と、前記有機絶縁層の上方に配置された下電極と、前記下電極に対向する上電極と、前記下電極と前記上電極の間に配置され前記下電極と前記上電極の電位差に応じて発光する有機層と、が設けられ、
前記有機絶縁層は、前記周辺領域にも配置され、
前記アライメントマークの上方には、前記周辺領域に配置された有機絶縁層と、当該有機絶縁層を覆う無機絶縁層とが配置される、
表示装置。
【請求項8】
前記表示領域には、前記下電極と重なる画素開口を有するリブがさらに設けられ、
前記リブおよび前記無機絶縁層は、同じ無機絶縁材料で形成されている、
請求項７に記載の表示装置。
前記リブおよび前記無機絶縁層は、同じ無機絶縁材料で形成されている、
請求項７に記載の表示装置。
【請求項9】
前記表示領域には、前記リブの上方に配置された隔壁がさらに設けられ、
前記隔壁は、前記上電極に接続される、
請求項８に記載の表示装置。
前記隔壁は、前記上電極に接続される、
請求項８に記載の表示装置。
【請求項10】
前記表示領域には、前記有機絶縁層の下方に配置された回路層がさらに設けられ、
前記アライメントマークは、前記回路層に含まれる配線と同じ導電材料で形成されている、
請求項７に記載の表示装置。
前記アライメントマークは、前記回路層に含まれる配線と同じ導電材料で形成されている、
請求項７に記載の表示装置。
【請求項11】
前記アライメントマークは、平面視において、十字形状、格子形状または複数のＬ字を組み合わせた形状に形成されている、
請求項７に記載の表示装置。
請求項７に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明の実施形態は、表示装置用マザー基板および表示装置に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を適用した表示装置が実用化されている。この表示素子は、下電極と、下電極を覆う有機層と、有機層を覆う上電極とを備えている。
【0003】
表示装置の製造にあたっては、多数の表示素子が配置された表示領域を含む複数のパネル部が大型のマザー基板に形成される。この大型のマザー基板から、各パネル部が切り出されることにより、表示装置の主要な要素である表示パネルが製造される。
【0004】
このような製造工程において、マザー基板や各パネル部には、位置合わせのためのアライメントマークが形成される。各パネル部を構成する要素は、このアライメントマークに基づき正確な位置に配置される。しかしながら、アライメントマークは、各パネル部を構成する要素を形成する過程（例えば、パターニングなど）で消失したり、汚損してしまう可能性がある。アライメントマークが消失したり、汚損してしまうと、位置合わせを正確に行うことができない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【特許文献1】特開２０００－１９５６７７号公報
【特許文献2】特開２００４－２０７２１７号公報
【特許文献3】特開２００８－１３５３２５号公報
【特許文献4】特開２００９－３２６７３号公報
【特許文献5】特開２０１０－１１８１９１号公報
【特許文献6】国際公開第２０１８／１７９３０８号
【特許文献7】米国特許出願公開第２０２２／００７７２５１号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
本発明の目的は、アライメントマークの消失や汚損を抑制することが可能な表示装置用マザー基板および表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0007】
一実施形態に係る表示装置用マザー基板は、複数の表示素子が配置された表示領域をそれぞれ含む複数のパネル部と、前記複数のパネル部の周囲の余白領域と、前記余白領域に配置されたアライメントマークと、を備えている。前記パネル部は、有機絶縁層と、前記有機絶縁層の上方に配置された下電極と、前記下電極に対向する上電極と、前記下電極と前記上電極の間に配置され前記下電極と前記上電極の電位差に応じて発光する有機層と、を含む。前記有機絶縁層は、前記余白領域にも配置される。前記アライメントマークの上方には、前記余白領域に配置された有機絶縁層と、当該有機絶縁層を覆う無機絶縁層とが配置される。
【0008】
一実施形態に係る表示装置は、複数の表示素子が配置された表示領域と、前記表示領域の周囲の周辺領域と、前記周辺領域に配置されたアライメントマークと、を備えている。前記表示領域には、有機絶縁層と、前記有機絶縁層の上方に配置された下電極と、前記下電極に対向する上電極と、前記下電極と前記上電極の間に配置され前記下電極と前記上電極の電位差に応じて発光する有機層と、が設けられる。前記有機絶縁層は、前記周辺領域にも配置される。前記アライメントマークの上方には、前記周辺領域に配置された有機絶縁層と、当該有機絶縁層を覆う無機絶縁層とが配置される。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【発明を実施するための形態】
【0010】
以下、図面を参照して実施形態を説明する。
なお、開示はあくまで一例にすぎず、以下の実施形態に記載した内容により発明が限定されるものではない。当業者が容易に想到し得る変形は、当然に開示の範囲に含まれる。説明をより明確にするため、図面において、各部分のサイズ、形状等を実際の実施態様に対して変更して模式的に表す場合もある。複数の図面において、対応する要素には同じ参照数字を付して、詳細な説明を省略する場合もある。
なお、開示はあくまで一例にすぎず、以下の実施形態に記載した内容により発明が限定されるものではない。当業者が容易に想到し得る変形は、当然に開示の範囲に含まれる。説明をより明確にするため、図面において、各部分のサイズ、形状等を実際の実施態様に対して変更して模式的に表す場合もある。複数の図面において、対応する要素には同じ参照数字を付して、詳細な説明を省略する場合もある。
【0011】
図面には、必要に応じて理解を容易にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を記載する。Ｘ軸に沿った方向を第１方向と称し、Ｙ軸に沿った方向を第２方向と称し、Ｚ軸に沿った方向を第３方向と称する。第３方向Ｚは、第１方向Ｘと第２方向Ｙを含む平面に対して法線方向である。また、第３方向Ｚと平行に各種要素を見ることを平面視という。
【0012】
本実施形態に係る表示装置は、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を備える有機エレクトロルミネッセンス表示装置であり、テレビ、パーソナルコンピュータ、車載機器、タブレット端末、スマートフォン、携帯電話端末、ウェアラブル端末等の各種の電子機器に搭載され得る。
【0013】
図１は、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰの構成例を示す図である。表示装置ＤＳＰは、絶縁性の基板１０を含む表示パネルＰＮＬを備えている。表示パネルＰＮＬは、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡの周辺の周辺領域ＳＡとを有している。基板１０は、ガラスであってもよいし、可撓性を有する樹脂フィルムであってもよい。
【0014】
本実施形態においては、平面視における基板１０の形状が長方形である。但し、基板１０の平面視における形状は長方形に限られず、正方形、円形あるいは楕円形などの他の形状であってもよい。
【0015】
表示領域ＤＡは、第１方向Ｘおよび第２方向Ｙにマトリクス状に配列された複数の画素ＰＸを備えている。画素ＰＸは、複数の副画素ＳＰを含む。一例では、画素ＰＸは、青色の副画素ＳＰ１、緑色の副画素ＳＰ２および赤色の副画素ＳＰ３を含む。なお、画素ＰＸは、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３とともに、あるいは副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のいずれかに代えて、白色などの他の色の副画素ＳＰを含んでもよい。
【0016】
副画素ＳＰは、画素回路１と、画素回路１によって駆動される表示素子ＤＥとを備えている。画素回路１は、画素スイッチ２と、駆動トランジスタ３と、キャパシタ４とを備えている。画素スイッチ２および駆動トランジスタ３は、例えば薄膜トランジスタにより構成されたスイッチング素子である。
【0017】
画素スイッチ２のゲート電極は、走査線ＧＬに接続されている。画素スイッチ２のソース電極およびドレイン電極の一方は信号線ＳＬに接続され、他方は駆動トランジスタ３のゲート電極およびキャパシタ４に接続されている。駆動トランジスタ３において、ソース電極およびドレイン電極の一方は電源線ＰＬおよびキャパシタ４に接続され、他方は表示素子ＤＥに接続されている。
【0018】
なお、画素回路１の構成は図示した例に限られない。例えば、画素回路１は、より多くの薄膜トランジスタおよびキャパシタを備えてもよい。
【0019】
図２は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトの一例を示す概略的な平面図である。図２の例においては、副画素ＳＰ２，ＳＰ３がそれぞれ副画素ＳＰ１と第１方向Ｘに並んでいる。さらに、副画素ＳＰ２と副画素ＳＰ３が第２方向Ｙに並んでいる。
【0020】
副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３がこのようなレイアウトである場合、表示領域ＤＡには、副画素ＳＰ２，ＳＰ３が第２方向Ｙに交互に配置された列と、複数の副画素ＳＰ１が第２方向Ｙに繰り返し配置された列とが形成される。これらの列は、第１方向Ｘに交互に並ぶ。なお、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトは図２の例に限られない。
【0021】
表示領域ＤＡには、リブ５が配置されている。リブ５は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３においてそれぞれ画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３を有している。図２の例においては、画素開口ＡＰ１が画素開口ＡＰ２よりも大きく、画素開口ＡＰ２が画素開口ＡＰ３よりも大きい。
【0022】
副画素ＳＰ１は、画素開口ＡＰ１とそれぞれ重なる下電極ＬＥ１、上電極ＵＥ１および有機層ＯＲ１を備えている。副画素ＳＰ２は、画素開口ＡＰ２とそれぞれ重なる下電極ＬＥ２、上電極ＵＥ２および有機層ＯＲ２を備えている。副画素ＳＰ３は、画素開口ＡＰ３とそれぞれ重なる下電極ＬＥ３、上電極ＵＥ３および有機層ＯＲ３を備えている。
【0023】
下電極ＬＥ１、上電極ＵＥ１および有機層ＯＲ１のうち画素開口ＡＰ１と重なる部分は、副画素ＳＰ１の表示素子ＤＥ１を構成する。下電極ＬＥ２、上電極ＵＥ２および有機層ＯＲ２のうち画素開口ＡＰ２と重なる部分は、副画素ＳＰ２の表示素子ＤＥ２を構成する。下電極ＬＥ３、上電極ＵＥ３および有機層ＯＲ３のうち画素開口ＡＰ３と重なる部分は、副画素ＳＰ３の表示素子ＤＥ３を構成する。表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３は、後述するキャップ層をさらに含んでもよい。リブ５は、これら表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３の各々を囲っている。
【0024】
下電極ＬＥ１は、コンタクトホールＣＨ１を通じて副画素ＳＰ１の画素回路１（図１参照）に接続されている。下電極ＬＥ２は、コンタクトホールＣＨ２を通じて副画素ＳＰ２の画素回路１に接続されている。下電極ＬＥ３は、コンタクトホールＣＨ３を通じて副画素ＳＰ３の画素回路１に接続されている。
【0025】
リブ５の上には、隔壁６が配置されている。隔壁６は、全体的にリブ５と重なっており、リブ５と同様の平面形状を有している。すなわち、隔壁６は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３においてそれぞれ開口ＡＰ６１，ＡＰ６２，ＡＰ６３を有している。他の観点からいうと、リブ５および隔壁６は、表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３の間に配置されており、平面視において格子状である。
【0026】
図３は、図２中のＩＩＩ－ＩＩＩ線に沿う表示パネルＰＮＬの概略的な断面図である。上述の基板１０の上に回路層１１が配置されている。回路層１１は、図１に示した画素回路１、走査線ＧＬ、信号線ＳＬおよび電源線ＰＬなどの各種回路や配線を含む。
【0027】
回路層１１は、有機絶縁層１２により覆われている。有機絶縁層１２は、回路層１１により生じる凹凸を平坦化する平坦化膜として機能する。図３の断面には表れていないが、上述のコンタクトホールＣＨ１，ＣＨ２，ＣＨ３は有機絶縁層１２に設けられている。
【0028】
下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、有機絶縁層１２の上に配置されている。リブ５は、有機絶縁層１２および下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の上に配置されている。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の端部は、リブ５により覆われている。
【0029】
隔壁６は、リブ５の上に配置された導電性を有する下部６１と、下部６１の上に配置された上部６２とを含む。上部６２は、下部６１よりも大きい幅を有している。これにより、上部６２の両端部が下部６１の側面よりも突出している。このような隔壁６の形状は、オーバーハング状と呼ばれる。
【0030】
有機層ＯＲ１は、画素開口ＡＰ１を通じて下電極ＬＥ１を覆っている。上電極ＵＥ１は、有機層ＯＲ１を覆い、下電極ＬＥ１と対向している。有機層ＯＲ２は、画素開口ＡＰ２を通じて下電極ＬＥ２を覆っている。上電極ＵＥ２は、有機層ＯＲ２を覆い、下電極ＬＥ２と対向している。有機層ＯＲ３は、画素開口ＡＰ３を通じて下電極ＬＥ３を覆っている。上電極ＵＥ３は、有機層ＯＲ３を覆い、下電極ＬＥ３と対向している。上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３は、隔壁６の下部６１の側面に接触している。
【0031】
図３の例においては、上電極ＵＥ１の上にキャップ層ＣＰ１が配置され、上電極ＵＥ２の上にキャップ層ＣＰ２が配置され、上電極ＵＥ３の上にキャップ層ＣＰ３が配置されている。キャップ層ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３は、それぞれ有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３が発する光の取り出し効率を向上させる光学調整層としての役割を有している。
【0032】
以下の説明においては、有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１およびキャップ層ＣＰ１を含む多層体を積層膜ＦＬ１と呼び、有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２およびキャップ層ＣＰ２を含む多層体を積層膜ＦＬ２と呼び、有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３およびキャップ層ＣＰ３を含む多層体を積層膜ＦＬ３と呼ぶ。
【0033】
積層膜ＦＬ１の一部は、上部６２の上に位置している。当該一部は、積層膜ＦＬ１のうち隔壁６の下に位置する部分（表示素子ＤＥ１を構成する部分）と離間している。同様に、積層膜ＦＬ２の一部は上部６２の上に位置し、当該一部は積層膜ＦＬ２のうち隔壁６の下に位置する部分（表示素子ＤＥ２を構成する部分）と離間している。さらに、積層膜ＦＬ３の一部は上部６２の上に位置し、当該一部は積層膜ＦＬ３のうち隔壁６の下に位置する部分（表示素子ＤＥ３を構成する部分）と離間している。
【0034】
副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３には、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３がそれぞれ配置されている。封止層ＳＥ１は、積層膜ＦＬ１や副画素ＳＰ１の周囲の隔壁６を連続的に覆っている。封止層ＳＥ２は、積層膜ＦＬ２や副画素ＳＰ２の周囲の隔壁６を連続的に覆っている。封止層ＳＥ３は、積層膜ＦＬ３や副画素ＳＰ３の周囲の隔壁６を連続的に覆っている。
【0035】
図３の例においては、副画素ＳＰ１，ＳＰ２の間の隔壁６上の積層膜ＦＬ１および封止層ＳＥ１が、当該隔壁６上の積層膜ＦＬ２および封止層ＳＥ２と離間している。また、副画素ＳＰ１，ＳＰ３の間の隔壁６上の積層膜ＦＬ１および封止層ＳＥ１が、当該隔壁６上の積層膜ＦＬ３および封止層ＳＥ３と離間している。
【0036】
封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、樹脂層１３により覆われている。樹脂層１３は、封止層１４により覆われている。封止層１４は、樹脂層１５により覆われている。樹脂層１３，１５および封止層１４は、少なくとも表示領域ＤＡの全体に連続的に設けられ、その一部が周辺領域ＳＡにも及んでいる。
【0037】
偏光板、タッチパネル、保護フィルムまたはカバーガラスなどのカバー部材が樹脂層１５の上方にさらに配置されてもよい。このようなカバー部材は、例えばＯＣＡ（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｃｌｅａｒ Ａｄｈｅｓｉｖｅ）などの接着層を介して樹脂層１５に接着されてもよい。
【0038】
有機絶縁層１２は、有機絶縁材料で形成されている。リブ５および封止層１４，ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）または酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）などの無機絶縁材料で形成されている。一例では、リブ５がシリコン酸窒化物で形成され、封止層１４，ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３がシリコン窒化物で形成されている。樹脂層１３，１５は、例えばエポキシ樹脂やアクリル樹脂などの樹脂材料（有機絶縁材料）で形成されている。
【0039】
下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、例えば銀（Ａｇ）で形成された反射層と、この反射層の上面および下面をそれぞれ覆う一対の導電性酸化物層とを有している。各導電性酸化物層は、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）またはＩＧＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｇａｌｌｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）などの透明な導電性酸化物で形成することができる。
【0040】
上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３は、例えばマグネシウムと銀の合金（ＭｇＡｇ）などの金属材料で形成されている。例えば、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３はアノードに相当し、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３はカソードに相当する。
【0041】
有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３は、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロッキング層、発光層、正孔ブロッキング層、電子輸送層および電子注入層の積層構造を有している。有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３は、複数の発光層を含むいわゆるタンデム構造を有してもよい。
【0042】
キャップ層ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３は、例えば透明な複数の薄膜が重ねられた積層構造を有している。当該複数の薄膜は、無機材料によって形成された薄膜および有機材料によって形成された薄膜を含んでもよい。また、当該複数の薄膜は、互いに異なる屈折率を有している。これら薄膜の材料は、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３の材料とは異なり、また、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３の材料とも異なる。なお、キャップ層ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３の少なくとも１つが省略されてもよい。
【0043】
隔壁６の下部６１は、例えばアルミニウムによって形成されている。下部６１は、アルミニウム－ネオジム合金（ＡｌＮｄ）、アルミニウム－イットリウム合金（ＡｌＹ）およびアルミニウム－シリコン合金（ＡｌＳｉ）などのアルミニウム合金によって形成されてもよいし、アルミニウム層とアルミニウム合金層の積層構造を有してもよい。さらに、下部６１は、アルミニウム層またはアルミニウム合金層の下に、アルミニウムやアルミニウム合金とは異なる金属材料で形成されたボトム層を有してもよい。このようなボトム層を形成する金属材料としては、例えばモリブデン（Ｍｏ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、モリブデン－タングステン合金（ＭｏＷ）またはモリブデン－ニオブ合金（ＭｏＮｂ）を用いることができる。
【0044】
例えば、隔壁６の上部６２は、金属材料で形成された下層と、導電性酸化物で形成された上層との積層構造を有している。下層を形成する金属材料としては、例えばチタン、窒化チタン、モリブデン、タングステン、モリブデン－タングステン合金またはモリブデン－ニオブ合金を用いることができる。上層を形成する導電性酸化物としては、例えばＩＴＯまたはＩＺＯを用いることができる。なお、上部６２は、金属材料の単層構造を有してもよい。
【0045】
隔壁６には、共通電圧が供給されている。この共通電圧は、下部６１の側面に接触した上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３にそれぞれ供給される。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３には、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３がそれぞれ有する画素回路１を通じて画素電圧が供給される。
【0046】
有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３は、電圧の印加に応じて発光する。具体的には、下電極ＬＥ１と上電極ＵＥ１の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ１の発光層が青色の波長域の光を放つ。下電極ＬＥ２と上電極ＵＥ２の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ２の発光層が緑色の波長域の光を放つ。下電極ＬＥ３と上電極ＵＥ３の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ３の発光層が赤色の波長域の光を放つ。
【0047】
他の例として、有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３の発光層が同一色（例えば白色）の光を放ってもよい。この場合において、表示装置ＤＳＰは、発光層が放つ光を副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３に対応する色の光に変換するカラーフィルタを備えてもよい。また、表示装置ＤＳＰは、発光層が放つ光により励起して副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３に応じた色の光を生成する量子ドットを含んだ層を備えてもよい。
【0048】
表示装置ＤＳＰの製造時には、それぞれ表示パネルＰＮＬに相当する複数の領域（パネル部）が形成された大型のマザー基板が作製される。このマザー基板に適用し得る構成について以下に説明する。
【0049】
図４は、本実施形態に係るマザー基板ＭＢ（表示装置用マザー基板）の概略的な平面図である。マザー基板ＭＢは、例えば図示したように矩形状であるが、円形などの他の形状であってもよい。マザー基板ＭＢは、マトリクス状に配列された複数のパネル部ＰＰと、これらパネル部ＰＰの周囲の余白領域ＢＡとを有している。
【0050】
余白領域ＢＡには、複数の第１アライメントマークＡＭ１が形成されている。第１アライメントマークＡＭ１は、位置合わせのためのマークや、露光用のマークなどを含む。第１アライメントマークＡＭ１は、例えば、回路層１１に含まれる信号線ＳＬと同じ材料で同じ製造プロセスにより形成される。なお、第１アライメントマークＡＭ１は、回路層１１に含まれる他の配線や他の回路と同じ材料で同じ製造プロセスにより形成されてもよい。第１アライメントマークＡＭ１は、例えば図示したようにマザー基板ＭＢの四隅に設けられるが、マザー基板ＭＢに設けられる第１アライメントマークＡＭ１の個数や配置は、この例に限られない。
【0051】
各パネル部ＰＰは、上述の表示領域ＤＡおよび周辺領域ＳＡを有している。周辺領域ＳＡには、複数の第２アライメントマークＡＭ２が形成されている。第２アライメントマークＡＭ２は、位置合わせのためのマークや、露光用のマークなどを含む。第２アライメントマークＡＭ２は、例えば、回路層１１に含まれる信号線ＳＬと同じ材料で同じ製造プロセスにより形成される。なお、第２アライメントマークＡＭ２は、回路層１１に含まれる他の配線や他の回路と同じ材料で同じ製造プロセスにより形成されてもよい。第２アライメントマークＡＭ２は、例えば図示したように周辺領域ＳＡのうち、フレキシブル回路基板などが実装される実装領域（実装辺）に設けられるが、各パネル部ＰＰに設けられる第２アライメントマークＡＭ２の個数や配置は、この例に限られない。
【0052】
なお、図４においては、第１アライメントマークＡＭ１および第２アライメントマークＡＭ２が共に十字形状に形成されている場合を示したが、アライメントマークＡＭ１，ＡＭ２の形状はこの例に限られない。例えば、図５に示すように、アライメントマークＡＭ１，ＡＭ２は格子形状であってもよい。あるいは、図６に示すように、アライメントマークＡＭ１，ＡＭ２は複数のＬ字を組み合わせた形状であってもよい。なお、第１アライメントマークＡＭ１および第２アライメントマークＡＭ２は、図４に示すように、互いに同じ形状であってもよいし、互いに異なる形状であってもよい。
【0053】
続いて、マザー基板ＭＢおよび表示装置ＤＳＰの製造方法について説明する。
図７は、マザー基板ＭＢおよび表示装置ＤＳＰの製造方法の一例を示すフローチャートである。図８Ａ～図１５Ａは、それぞれ製造途中のマザー基板ＭＢにおける表示領域ＤＡの概略的な断面図である。図８Ｂ～図１５Ｂは、それぞれ製造途中のマザー基板ＭＢにおける余白領域ＢＡの概略的な断面図である。周辺領域ＳＡにも図８Ｂ～図１５Ｂと同様の製造工程を適用できる。なお、図８Ａ～図１５Ａおよび図８Ｂ～図１５Ｂにおいては基板１０を省略している。
図７は、マザー基板ＭＢおよび表示装置ＤＳＰの製造方法の一例を示すフローチャートである。図８Ａ～図１５Ａは、それぞれ製造途中のマザー基板ＭＢにおける表示領域ＤＡの概略的な断面図である。図８Ｂ～図１５Ｂは、それぞれ製造途中のマザー基板ＭＢにおける余白領域ＢＡの概略的な断面図である。周辺領域ＳＡにも図８Ｂ～図１５Ｂと同様の製造工程を適用できる。なお、図８Ａ～図１５Ａおよび図８Ｂ～図１５Ｂにおいては基板１０を省略している。
【0054】
表示装置ＤＳＰの製造においては、先ず基板１０ａの上に回路層１１、アライメントマークＡＭ１，ＡＭ２、有機絶縁層１２および下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３が形成される（工程ＰＲ１）。さらに、リブ５および隔壁６が形成される（工程ＰＲ２）。
【0055】
工程ＰＲ１において、余白領域ＢＡおよび周辺領域ＳＡには、図８Ｂに示すように、回路層１１に含まれるいずれかの配線または回路と同じ材料で同じ製造プロセスによりアライメントマークＡＭ１，ＡＭ２が形成される。工程ＰＲ２においては、図８Ａおよび図８Ｂに示すように、リブ５に加工するための無機絶縁層１００がマザー基板ＭＢの全体に形成される。つまり、無機絶縁層１００は、平面視において、アライメントマークＡＭ１，ＡＭ２と重なる位置にも配置される。さらに、下部６１に加工するための第１層１０１が無機絶縁層１００の上に形成され、上部６２に加工するための第２層１０２が第１層１０１の上に形成される。
【0056】
続いて、図９Ａに示すように、第１層１０１および第２層１０２がパターニングされる。このパターニングは、第２層１０２を上部６２の形状に加工するエッチングと、第１層１０１を下部６１の形状に加工するエッチングとを含む。これらのエッチングにより、表示領域ＤＡには、下部６１および上部６２を含む隔壁６が形成される。なお、余白領域ＢＡおよび周辺領域ＳＡも上述のエッチングに晒される。したがって、図９Ｂに示すように、余白領域ＢＡおよび周辺領域ＳＡからは、第１層１０１および第２層１０２が除去される。
【0057】
隔壁６の形成の後、図９Ａに示すように、無機絶縁層１００に画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３が形成される。これにより、表示領域ＤＡにおいてリブ５が形成される。なお、図８Ａおよび図９Ａにおいては、隔壁６が形成された後に画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３が形成される場合を示したが、他の例として、画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３が形成された後に隔壁６が形成されてもよい。
【0058】
リブ５および隔壁６の形成の後、表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３を形成するための工程が実施される。本実施形態においては、表示素子ＤＥ１が最初に形成され、表示素子ＤＥ２が次に形成され、表示素子ＤＥ３が最後に形成される場合を想定する。但し、表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３の形成順はこの例に限られない。
【0059】
表示素子ＤＥ１の形成にあたっては、まず図１０Ａおよび図１０Ｂに示すように、積層膜ＦＬ１および封止層ＳＥ１がマザー基板ＭＢの全体に形成される（工程ＰＲ３）。積層膜ＦＬ１は、図３に示したように、画素開口ＡＰ１を通じて下電極ＬＥ１に接触する有機層ＯＲ１、有機層ＯＲ１を覆う上電極ＵＥ１、および、上電極ＵＥ１を覆うキャップ層ＣＰ１を含む。有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１およびキャップ層ＣＰ１は、蒸着によって形成される。また、封止層ＳＥ１は、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によって形成される。
【0060】
積層膜ＦＬ１は、オーバーハング状の隔壁６によって複数の部分に分断される。図１０Ａに示すように、表示領域ＤＡにおける積層膜ＦＬ１は、画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３を通じて露出した下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３、リブ５および隔壁６を覆う。また、図１０Ｂに示すように、余白領域ＢＡおよび周辺領域ＳＡにおける積層膜ＦＬ１は、無機絶縁層１００を覆う。
【0061】
図１０Ａに示すように、表示領域ＤＡにおける封止層ＳＥ１は、積層膜ＦＬ１の分断された各部分および隔壁６を連続的に覆う。また、図１０Ｂに示すように、余白領域ＢＡおよび周辺領域ＳＡにおける封止層ＳＥ１は、積層膜ＦＬ１を覆う。
【0062】
工程ＰＲ３の後、積層膜ＦＬ１および封止層ＳＥ１がパターニングされる（工程ＰＲ４）。このパターニングにおいては、図１０Ａに示すように、封止層ＳＥ１の上にレジストＲ１が配置される。レジストＲ１は、副画素ＳＰ１とその周囲の隔壁６の一部を覆っている。余白領域ＢＡや周辺領域ＳＡにはレジストＲ１が配置されない。
【0063】
その後、レジストＲ１をマスクとしたエッチングにより、図１１Ａに示すように積層膜ＦＬ１および封止層ＳＥ１のうちレジストＲ１から露出した部分が除去される。これにより、副画素ＳＰ１に表示素子ＤＥ１が形成される。例えば、当該エッチングは、封止層ＳＥ１、キャップ層ＣＰ１、上電極ＵＥ１および有機層ＯＲ１に対して順に実施されるウェットエッチングやドライエッチングを含む。
【0064】
余白領域ＢＡおよび周辺領域ＳＡも当該エッチングに晒される。したがって、図１１Ｂに示すように、余白領域ＢＡおよび周辺領域ＳＡに配置された積層膜ＦＬ１および封止層ＳＥ１が除去される。上述のように、当該エッチングは、封止層ＳＥ１、キャップ層ＣＰ１、上電極ＵＥ１および有機層ＯＲ１に対して順に実施され、最後に有機層ＯＲ１に対して実施されるエッチングは無機絶縁層１００に影響しないため、無機絶縁層１００は除去されずにそのまま残る。このため、無機絶縁層１００の下方に配置される有機絶縁層１２およびアライメントマークＡＭ１，ＡＭ２もまた除去されずにそのまま残る。当該エッチングの後、レジストＲ１が除去される。
【0065】
表示素子ＤＥ２は、表示素子ＤＥ１と同様の手順で形成される。すなわち、表示素子ＤＥ２の形成にあたっては、まず図１２Ａおよび図１２Ｂに示すように、積層膜ＦＬ２および封止層ＳＥ２がマザー基板ＭＢの全体に形成される（工程ＰＲ５）。積層膜ＦＬ２は、図３に示したように、画素開口ＡＰ２を通じて下電極ＬＥ２に接触する有機層ＯＲ２、有機層ＯＲ２を覆う上電極ＵＥ２、および、上電極ＵＥ２を覆うキャップ層ＣＰ２を含む。有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２およびキャップ層ＣＰ２は、蒸着によって形成される。また、封止層ＳＥ２は、ＣＶＤによって形成される。
【0066】
図１２Ａに示すように、表示領域ＤＡにおける積層膜ＦＬ２は、オーバーハング状の隔壁６によって複数の部分に分断され、表示領域ＤＡにおける封止層ＳＥ２は、積層膜ＦＬ２の分断された各部分および隔壁６を連続的に覆う。一方、図１２Ｂに示すように、余白領域ＢＡおよび周辺領域ＳＡにおける積層膜ＦＬ２は、無機絶縁層１００を覆い、余白領域ＢＡおよび周辺領域ＳＡにおける封止層ＳＥ２は、積層膜ＦＬ２を覆う。
【0067】
工程ＰＲ５の後、積層膜ＦＬ２および封止層ＳＥ２がパターニングされる（工程ＰＲ６）。このパターニングにおいては、図１２Ａに示すように、封止層ＳＥ２の上にレジストＲ２が配置される。レジストＲ２は、副画素ＳＰ２とその周囲の隔壁６の一部を覆っている。余白領域ＢＡや周辺領域ＳＡにはレジストＲ２が配置されない。
【0068】
その後、レジストＲ２をマスクとしたエッチングにより、図１３Ａに示すように積層膜ＦＬ２および封止層ＳＥ２のうちレジストＲ２から露出した部分が除去される。これにより、副画素ＳＰ２に表示素子ＤＥ２が形成される。例えば、当該エッチングは、封止層ＳＥ２、キャップ層ＣＰ２、上電極ＵＥ２および有機層ＯＲ２に対して順に実施されるウェットエッチングやドライエッチングを含む。
【0069】
余白領域ＢＡおよび周辺領域ＳＡも当該エッチングに晒される。したがって、図１３Ｂに示すように、余白領域ＢＡおよび周辺領域ＳＡに配置された積層膜ＦＬ２および封止層ＳＥ２が除去される。上述のように、当該エッチングは、封止層ＳＥ２、キャップ層ＣＰ２、上電極ＵＥ２および有機層ＯＲ２に対して順に実施され、最後に有機層ＯＲ２に対して実施されるエッチングは無機絶縁層１００に影響しないため、無機絶縁層１００は除去されずにそのまま残る。このため、無機絶縁層１００の下方に配置される有機絶縁層１２およびアライメントマークＡＭ１，ＡＭ２も除去されずにそのまま残る。当該エッチングの後、レジストＲ２が除去される。
【0070】
表示素子ＤＥ３は、表示素子ＤＥ１，ＤＥ２と同様の手順で形成される。すなわち、表示素子ＤＥ３の形成にあたっては、先ず図１４Ａおよび図１４Ｂに示すように、積層膜ＦＬ３および封止層ＳＥ３がマザー基板ＭＢの全体に形成される（工程ＰＲ７）。積層膜ＦＬ３は、図３に示したように、画素開口ＡＰ３を通じて下電極ＬＥ３に接触する有機層ＯＲ３、有機層ＯＲ３を覆う上電極ＵＥ３、および、上電極ＵＥ３を覆うキャップ層ＣＰ３を含む。有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３およびキャップ層ＣＰ３は、蒸着によって形成される。また、封止層ＳＥ３は、ＣＶＤによって形成される。
【0071】
図１４Ａに示すように、表示領域ＤＡにおける積層膜ＦＬ３は、オーバーハング状の隔壁６によって複数の部分に分断され、表示領域ＤＡにおける封止層ＳＥ３は、積層膜ＦＬ３の分断された各部分および隔壁６を連続的に覆う。一方、図１４Ｂに示すように、余白領域ＢＡおよび周辺領域ＳＡにおける積層膜ＦＬ３は、無機絶縁層１００を覆い、余白領域ＢＡおよび周辺領域ＳＡにおける封止層ＳＥ３は、積層膜ＦＬ３を覆う。
【0072】
工程ＰＲ７の後、積層膜ＦＬ３および封止層ＳＥ３がパターニングされる（工程ＰＲ８）。このパターニングにおいては、図１４Ａに示すように、封止層ＳＥ３の上にレジストＲ３が配置される。レジストＲ３は、副画素ＳＰ３とその周囲の隔壁６の一部を覆っている。余白領域ＢＡや周辺領域ＳＡにはレジストＲ３が配置されない。
【0073】
その後、レジストＲ３をマスクとしたエッチングにより、図１５Ａに示すように積層膜ＦＬ３および封止層ＳＥ３のうちレジストＲ３から露出した部分が除去される。これにより、副画素ＳＰ３に表示素子ＤＥ３が形成される。例えば、当該エッチングは、封止層ＳＥ３、キャップ層ＣＰ３、上電極ＵＥ３および有機層ＯＲ３に対して順に実施されるウェットエッチングやドライエッチングを含む。
【0074】
余白領域ＢＡおよび周辺領域ＳＡも当該エッチングに晒される。したがって、図１５Ｂに示すように、余白領域ＢＡおよび周辺領域ＳＡに配置された積層膜ＦＬ３および封止層ＳＥ３が除去される。上述のように、当該エッチングは、封止層ＳＥ３、キャップ層ＣＰ３、上電極ＵＥ３および有機層ＯＲ３に対して順に実施され、最後に有機層ＯＲ３に対して実施されるエッチングは無機絶縁層１００に影響しないため、無機絶縁層１００は除去されずにそのまま残る。このため、無機絶縁層１００の下方に配置される有機絶縁層１２およびアライメントマークＡＭ１，ＡＭ２も除去されずにそのまま残る。当該エッチングの後、レジストＲ３が除去される。
【0075】
表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３が形成された後、各パネル部ＰＰに対し、図３に示した樹脂層１３、封止層１４および樹脂層１５が順に形成される（工程ＰＲ９）。さらに、マザー基板ＭＢから各パネル部ＰＰが切り出される（工程ＰＲ１０）。切り出されたパネル部ＰＰは、表示パネルＰＮＬに相当する。
【0076】
本実施形態に係る表示装置ＤＳＰおよびマザー基板ＭＢによれば、アライメントマークＡＭ１，ＡＭ２の消失や汚損を抑制することが可能である。この効果につき、図１６を用いて以下に説明する。
【0077】
図１６は、比較例に係るマザー基板ＭＢｃの余白領域ＢＡ（あるいは周辺領域ＳＡ）の概略的な断面図である。マザー基板ＭＢｃは、有機絶縁層１２が無機絶縁層１００によって覆われていない点で本実施形態に係るマザー基板ＭＢと相違する。
【0078】
図１６（ａ）の断面は、図１１Ｂと同様の工程に相当するものであり、余白領域ＢＡおよび周辺領域ＳＡに配置された積層膜ＦＬ１および封止層ＳＥ１を除去するために実施されるエッチング（ウェットエッチング、ドライエッチング）により、有機絶縁層１２が削られてしまっている。また、図１６（ｂ）の断面は、図１３Ｂと同様の工程に相当するものであり、余白領域ＢＡおよび周辺領域ＳＡに配置された積層膜ＦＬ２および封止層ＳＥ２を除去するために実施されるエッチング（ウェットエッチング、ドライエッチング）により、有機絶縁層１２がさらに削られ、アライメントマークＡＭ１，ＡＭ２の表面が露出してしまっている。さらに、図１６（ｃ）の断面は、図１５Ｂと同様の工程に相当するものであり、余白領域ＢＡおよび周辺領域ＳＡに配置された積層膜ＦＬ３および封止層ＳＥ３を除去するために実施されるエッチング（ウェットエッチング、ドライエッチング）により、有機絶縁層１２だけでなく、アライメントマークＡＭ１，ＡＭ２まで削られ、アライメントマークＡＭ１，ＡＭ２の形状が変形してしまっている。
【0079】
図１６に示すように、比較例に係るマザー基板ＭＢｃにおいては、表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３を形成するための工程で繰り返し実施されるエッチングにより、余白領域ＢＡおよび周辺領域ＳＡに配置された有機絶縁層１２が徐々に削られてしまう。その結果、図１６（ｂ）に示すように、アライメントマークＡＭ１，ＡＭ２の表面が、アライメントマークＡＭ１，ＡＭ２を保護する有機絶縁層１２から露出してしまう可能性がある。アライメントマークＡＭ１，ＡＭ２の表面が有機絶縁層１２から露出してしまうと、マザー基板ＭＢｃが洗浄処理や現像処理に晒された際に、アライメントマークＡＭ１，ＡＭ２が汚損してしまう。また、比較例に係るマザー基板ＭＢｃにおいては、図１６（ｃ）に示すように、アライメントマークＡＭ１，ＡＭ２が有機絶縁層１２と共に削られ、その形状が変形してしまう、あるいは、消失してしまう可能性もある。アライメントマークＡＭ１，ＡＭ２が消失したり、汚損してしまうと、位置合わせを正確に行うことができない。
【0080】
これに対し、本実施形態に係るマザー基板ＭＢにおいては、リブ５に加工するための無機絶縁層１００を表示領域ＤＡだけでなく、余白領域ＢＡおよび周辺領域ＳＡにも配置しているため、表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３を形成するための工程で繰り返し実施されるエッチングから、有機絶縁層１２を保護することができる。これによれば、有機絶縁層１２の下方に配置されるアライメントマークＡＭ１，ＡＭ２も同様に、上述のエッチングから保護することができるため、アライメントマークＡＭ１，ＡＭ２の消失や汚損を抑制することができる。
【0081】
以上説明した一実施形態によれば、アライメントマークＡＭ１，ＡＭ２の消失や汚損を抑制することが可能なマザー基板ＭＢおよび表示装置ＤＳＰを提供することが可能である。
【0082】
なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【0083】
ＭＢ…マザー基板、ＤＳＰ…表示装置、ＰＰ…パネル部、ＢＡ…余白領域、ＤＡ…表示領域、ＳＡ…周辺領域、ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３…表示素子、ＡＭ１，ＡＭ２…アライメントマーク、ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３…下電極、ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３…上電極、ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３…有機層、５…リブ、６…隔壁、１１…回路層、１２…有機絶縁層、１００…無機絶縁層。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8A】
【図8B】
【図9A】
【図9B】
【図10A】
【図10B】
【図11A】
【図11B】
【図12A】
【図12B】
【図13A】
【図13B】
【図14A】
【図14B】
【図15A】
【図15B】
【図16】