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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024128542
(43)【公開日】2024-09-24
(54)【発明の名称】電気光学装置、および電子機器
(51)【国際特許分類】
G02F 1/1345 20060101AFI20240913BHJP
G02F 1/1368 20060101ALI20240913BHJP
【ＦＩ】
G02F1/1345
G02F1/1368
【審査請求】未請求
【請求項の数】11
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023037551
(22)【出願日】2023-03-10
(71)【出願人】
【識別番号】000002369
【氏名又は名称】セイコーエプソン株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110003177
【氏名又は名称】弁理士法人旺知国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】江上 孝史
【テーマコード（参考）】
2H092
2H192
【Ｆターム（参考）】
2H092GA31
2H092HA04
2H092HA11
2H092HA28
2H092JA25
2H092KA04
2H092KB25
2H092MA07
2H092MA17
2H092MA55
2H092NA30
2H092QA06
2H092QA07
2H092RA05
2H192AA24
2H192CB02
2H192CB34
2H192CB53
2H192FA02
2H192GA21
2H192HA14
2H192HA88
2H192HB12
2H192JA06
2H192JA13
2H192JA17
2H192JA33
2H192JB02
(57)【要約】
【課題】品質信頼性の低下が抑制された電気光学装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置は、第１基板と、前記第１基板に対向する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に配置され、電界に応じて光学的特性が変化する電気光学層とを備え、前記第１基板は、複数の画素電極と、第１凹部を有する第１絶縁層と、前記第１絶縁層と前記複数の画素電極との間に配置される第２絶縁層と、前記第１絶縁層と前記第２絶縁層との間で、前記第１凹部の内部に配置され、前記第２絶縁層の膜厚を測定するために用いられる導電パターンと、を備え、前記導電パターンには、前記第１絶縁層の材料を含む絶縁部が設けられている。
【選択図】図２
【解決手段】電気光学装置は、第１基板と、前記第１基板に対向する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に配置され、電界に応じて光学的特性が変化する電気光学層とを備え、前記第１基板は、複数の画素電極と、第１凹部を有する第１絶縁層と、前記第１絶縁層と前記複数の画素電極との間に配置される第２絶縁層と、前記第１絶縁層と前記第２絶縁層との間で、前記第１凹部の内部に配置され、前記第２絶縁層の膜厚を測定するために用いられる導電パターンと、を備え、前記導電パターンには、前記第１絶縁層の材料を含む絶縁部が設けられている。
【選択図】図２
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１基板と、前記第１基板に対向する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に配置され、電界に応じて光学的特性が変化する電気光学層とを備え、
前記第１基板は、
複数の画素電極と、
第１凹部を有する第１絶縁層と、
前記第１絶縁層と前記複数の画素電極との間に配置される第２絶縁層と、
前記第１絶縁層と前記第２絶縁層との間で、前記第１凹部の内部に配置され、前記第２絶縁層の膜厚を測定するために用いられる導電パターンと、を備え、
前記導電パターンには、前記第１絶縁層の材料を含む絶縁部が設けられている、
ことを特徴とする電気光学装置。
前記第１基板は、
複数の画素電極と、
第１凹部を有する第１絶縁層と、
前記第１絶縁層と前記複数の画素電極との間に配置される第２絶縁層と、
前記第１絶縁層と前記第２絶縁層との間で、前記第１凹部の内部に配置され、前記第２絶縁層の膜厚を測定するために用いられる導電パターンと、を備え、
前記導電パターンには、前記第１絶縁層の材料を含む絶縁部が設けられている、
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項2】
前記絶縁部が有する先端面は、前記第１凹部が有する底面よりも前記第２絶縁層に近い、
請求項１に記載の電気光学装置。
請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項3】
前記絶縁部は、前記導電パターンを複数の導電部に分割する、
請求項１に記載の電気光学装置。
請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項4】
前記複数の導電部は、４つの導電部であり、
前記絶縁部は、前記導電パターンを前記４つの導電部に分割する、
請求項３に記載の電気光学装置。
前記絶縁部は、前記導電パターンを前記４つの導電部に分割する、
請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項5】
前記複数の導電部の各平面積は、前記絶縁部の平面積よりも大きい、
請求項３に記載の電気光学装置。
請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項6】
前記絶縁部は、直線状に延在する第１絶縁部を含み、
前記複数の導電部の各平面形状は、四角形状であり、
前記第１絶縁部の幅は、前記複数の導電部の各幅の１／１０以下である、
請求項３に記載の電気光学装置。
前記複数の導電部の各平面形状は、四角形状であり、
前記第１絶縁部の幅は、前記複数の導電部の各幅の１／１０以下である、
請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項7】
前記複数の導電部のそれぞれは、前記第２絶縁層と接触し、前記第２絶縁層の膜厚を測定するための反射面を含む、
請求項３に記載の電気光学装置。
請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項8】
前記複数の画素電極が設けられる表示領域と、平面視で前記表示領域の外側に配置される周辺領域とが設けられており、
前記導電パターンは、前記周辺領域に設けられる、
請求項１に記載の電気光学装置。
前記導電パターンは、前記周辺領域に設けられる、
請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項9】
前記第１絶縁層は、前記表示領域に設けられる第２凹部を有し、
前記第１基板は、前記第２凹部の内部に画素ごとに設けられた導電性を有する導電膜を、さらに有する、
請求項８に記載の電気光学装置。
前記第１基板は、前記第２凹部の内部に画素ごとに設けられた導電性を有する導電膜を、さらに有する、
請求項８に記載の電気光学装置。
【請求項10】
前記絶縁部は、平面視で前記導電パターンの中心に重なる、
請求項１に記載の電気光学装置。
請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項11】
請求項１に記載の電気光学装置と、
前記電気光学装置の動作を制御する制御部と、を有することを特徴とする電子機器。
前記電気光学装置の動作を制御する制御部と、を有することを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、電気光学装置、および電子機器に関する。
【背景技術】
【0002】
プロジェクター等の電子機器には、例えば、画素ごとに光学的特性を変更可能な液晶表示装置等の電気光学装置が用いられる。当該電気光学装置の例として、特許文献１に記載の電気光学装置が知られている。
【0003】
特許文献１の電気光学装置は、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）基板と対向基板とこれら基板の間に配置される液晶層とを備える。ＴＦＴ基板は、複数の層間絶縁膜と画素電極と配向膜と含む。複数の層間絶縁膜には、ＴＦＴおよび各種配線が配置される。各層間絶縁膜の表面は、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）等の研磨によって平坦化される。
【0004】
また、ＴＦＴ基板には、層間絶縁膜の膜厚測定のためのモニターパターンが設けられる。モニターパターンには、反射率が高いアルミニウム層が用いられる。当該文献では、ある層間絶縁膜上にモニターパターンを形成した後、モニターパターン上に他の層間絶縁膜が形成される。その後、モニターパターンからの反射光を利用して当該他の層間絶縁膜の膜厚を測定しながら、当該他の層間絶縁膜の表面に対してＣＭＰによる研磨が行われる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【特許文献1】特開２００４－２８１５４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
近年、層間絶縁膜に凹部を形成し、当該凹部の内部に導電膜を形成するダマシン法が知られている。当該ダマシン法では、例えば、層間絶縁膜上に導電基材を成膜し、当該導電基材にＣＭＰ等の平坦化処理を施す。これにより、当該導電基材から、凹部の内部に配置された導電膜が形成される。
【0007】
当該方法を用いて、特許文献１に記載の層間絶縁膜に凹部を形成し、当該凹部の内部にモニターパターンを形成することが考えられる。この場合、平坦化処理の過程で、モニターパターンの中央が薄くなってしまうディッシングと呼ばれる現象が生じるおそれがある。特に、モニターパターンの平面積が大きくなるほど、当該ディッシングが生じ易くなってしまう。このため、平坦化の過程で、モニターパターンの一部が消失してしまい、よって、膜厚測定の精度が低下してしまう。この結果、電気光学装置の品質信頼性が低下するおそれがある。
【課題を解決するための手段】
【0008】
本発明の電気光学装置の一態様は、第１基板と、前記第１基板に対向する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に配置され、電界に応じて光学的特性が変化する電気光学層とを備え、前記第１基板は、複数の画素電極と、第１凹部を有する第１絶縁層と、前記第１絶縁層と前記複数の画素電極との間に配置される第２絶縁層と、前記第１絶縁層と前記第２絶縁層との間で、前記第１凹部の内部に配置され、前記第２絶縁層の膜厚を測定するために用いられる導電パターンと、を備え、前記導電パターンには、前記第１絶縁層の材料を含む絶縁部が設けられている。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【図1】実施形態に係る電気光学装置の平面図である。
【図10】絶縁部が設けられていない場合における平坦化処理を説明するための図である。
【図11】絶縁部が設けられている場合における平坦化処理を説明するための図である。
【図14】第１変形例の導電パターンを示す平面図である。
【図15】第２変形例の導電パターンを示す平面図である。
【図16】電子機器の一例であるパーソナルコンピューターを示す斜視図である。
【図17】電子機器の一例であるスマートフォンを示す平面図である。
【図18】電子機器の一例であるプロジェクターを示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【0010】
以下、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態を説明する。なお、図面において各部の寸法または縮尺は実際と適宜に異なり、理解を容易にするために模式的に示す部分もある。また、本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの形態に限られない。
【0011】
１．電気光学装置
Ａ．実施形態
Ａ－１．電気光学装置１００の概要
図１は、実施形態に係る電気光学装置１００の平面図である。図２は、図１に示す電気光学装置１００のＡ－Ａ線の断面図である。以下では、説明の便宜上、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を適宜用いて説明する。また、Ｘ軸に沿う一方向をＸ１方向と表記し、Ｘ１方向とは反対の方向をＸ２方向と表記する。同様に、Ｙ軸に沿う一方向をＹ１方向と表記し、Ｙ１方向とは反対の方向をＹ２方向と表記する。Ｚ軸に沿う一方向をＺ１方向と表記し、Ｚ１方向とは反対の方向をＺ２方向と表記する。
Ａ．実施形態
Ａ－１．電気光学装置１００の概要
図１は、実施形態に係る電気光学装置１００の平面図である。図２は、図１に示す電気光学装置１００のＡ－Ａ線の断面図である。以下では、説明の便宜上、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を適宜用いて説明する。また、Ｘ軸に沿う一方向をＸ１方向と表記し、Ｘ１方向とは反対の方向をＸ２方向と表記する。同様に、Ｙ軸に沿う一方向をＹ１方向と表記し、Ｙ１方向とは反対の方向をＹ２方向と表記する。Ｚ軸に沿う一方向をＺ１方向と表記し、Ｚ１方向とは反対の方向をＺ２方向と表記する。
【0012】
また、また、要素αと要素βとの「電気的な接続」は、要素αと要素βとが直接的に接合されることで導通する構成のほか、要素αと要素βとが他の導電体を介して間接的に導通する構成も含まれる。
【0013】
【0014】
図１に示す電気光学装置１００の平面形状は四角形であるが、四角形以外の多角形または円形であってもよい。また、電気光学装置１００には、表示領域Ａ１０と周辺領域Ａ２０とが設けられる。表示領域Ａ１０は、画像を表示する領域である。周辺領域Ａ２０は、平面視で表示領域Ａ１０の外側に設けられる。表示領域Ａ１０には、行列状に配列される複数の画素Ｐが設けられる。画素Ｐは、表示する画像の最小単位であって、個別の駆動制御される最小単位である。
【0015】
図２に示すように、電気光学装置１００は、第１基板２と、第２基板３と、枠状のシール部材４と、液晶層５とを有する。第１基板２、液晶層５および第２基板３は、この順にＺ１方向に並ぶ。なお、第１基板２、液晶層５および第２基板３の重なる方向であるＺ１方向またはＺ２方向から見ることを「平面視」とする。
【0016】
電気光学装置１００は透過型であり、第１基板２および第２基板３は、透光性を有する。図２に示すように、光ＬＬが第２基板３に入射した後、第１基板２から出射される間に変調することにより、画像が表示される。なお、第１基板２に入射した光が第２基板３から出射される間に変調することにより、画像が表示されてもよい。また、「透光性」とは、可視光に対する透過性を意味し、好ましくは可視光の透過率が５０％以上であることをいう。
【0017】
第１基板２は、基板２１と、積層体２０と、複数の画素電極２４と、配向膜２９とを有する。基板２１、積層体２０、複数の画素電極２４および配向膜２９は、この順にＺ１方向に積層される。
【0018】
基板２１は、透光性および絶縁性を有する平板であり、例えばガラス基板または石英基板で構成される。積層体２０は、透光性を有する複数の絶縁層を含む。積層体２０には、トランジスターおよび各種配線等が設けられる。また、積層体２０には、導電パターン７が設けられる。導電パターン７は、積層体２０が有する特定の絶縁層の膜厚を測定するための膜厚測定用のパターンである。図１に示すように、導電パターン７は、例えば、第１基板２の角部に設けられる。なお、導電パターン７の平面的な配置はこれに限定されず、任意である。
【0019】
複数の画素電極２４は、積層体２０上に配置される。複数の画素電極２４は、複数の画素Ｐに対して１対１で配置される。したがって、表示領域Ａ１０には、複数の画素電極２４が設けられる。複数の画素電極２４は、液晶層５に電界を印加するために用いられる。複数の画素電極２４は、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）およびＦＴＯ（Fluorine-doped tin oxide）等の透明導電材料を含む。なお、図示省略するが、複数の画素電極２４の外側には、ノイズ対策等のための複数のダミー画素電極、およびイオントラップ用の電極が設けられてもよい。また、配向膜２９は、透光性および絶縁性を有する。配向膜２９は、液晶層５に接触しており、液晶層５が有する液晶分子５０を配向させる。配向膜２９は、複数の画素電極２４を覆うように配置される。配向膜２９の材料は、例えばポリイミドおよび酸化ケイ素等である。
【0020】
図１に示すように、第１基板２には、駆動回路１０と複数の外部端子１３とが配置される。これらは、周辺領域Ａ２０に配置される。駆動回路１０は、走査線駆動回路１１およびデータ線駆動回路１２を含む。また、複数の外部端子１３の一部は、図示しないが、駆動回路１０から引き回される配線に接続される。なお、第２基板３の平面積は、第１基板２の平面積よりも小さく、複数の外部端子１３は、第１基板２に覆われておらず露出している。
【0021】
図２に示す第２基板３は、第１基板２に対向して配置される。第２基板３は、基板３１と、積層体３０と、対向電極３２と、配向膜３９と、見切り３８とを有する。基板３１、積層体３０、対向電極３２および配向膜３９は、この順にＺ２方向に積層される。
【0022】
基板３１は、透光性および絶縁性を有する平板であり、例えばガラス基板または石英基板で構成される。積層体３０は、複数の絶縁膜を含む。当該複数の絶縁膜のそれぞれは、透光性および絶縁性を有し、例えば酸化ケイ素等のケイ素を含む無機材料で形成される。積層体３０は、例えば、マイクロレンズを含む。積層体３０には、見切り３８が設けられる。見切り３８は、平面視で複数の画素電極２４を囲む遮光性の見切りである。なお、「遮光性」とは、可視光に対する遮光性を意味し、好ましくは可視光の透過率が５０％未満であることをいい、より好ましくは１０％以下であることをいう。
【0023】
対向電極３２は、複数の画素電極２４に対して液晶層５を介して対向する。対向電極３２は、複数の画素Ｐで共通に設けられる共通電極である。対向電極３２は、液晶層５に電界を印加するために用いられる。対向電極３２は、透光性および導電性を有する。対向電極３２は、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯおよびＦＴＯ等の透明導電材料を含む。対向電極３２には、定電位Ｖｃｏｍが印加させる。配向膜３９は、透光性および絶縁性を有する。配向膜３９は、液晶分子５０を配向させる。配向膜３９の材料は、例えばポリイミドおよび酸化ケイ素等である。
【0024】
また、第２基板３と第１基板２との間には、図１に示す複数の基板間導通材６が設けられる。複数の基板間導通材６は、第１基板２との第２基板３とを電気的に接続するための導通材である。基板間導通材６は、第１基板２に配置される図示省略された引き回し配線を介して、複数の外部端子１３のいずれかの外部端子１３に接続される。また、例えば、基板間導通材６よりも内側に前述の導電パターン７が配置される。ただし、基板間導通材６と導電パターン７との配置関係はこれに限定されない
【0025】
シール部材４は、第１基板２と第２基板３との間に配置される。シール部材４は、例えばエポキシ樹脂等のＵＶ硬化性材料を含む。ＵＶは、ultravioletの略称であり、特に、波長１００ｎｍ以上４００ｎｍ以下の光をいう。また、シール部材４は、ガラス等の無機材料で構成されるギャップ材を含んでもよい。
【0026】
液晶層５は、第１基板２、第２基板３およびシール部材４によって囲まれる領域内に配置される。液晶層５は、電界に応じて光学的特性が変化する電気光学層である。液晶層５は、液晶分子５０を含む。液晶分子５０は、正または負の誘電異方性を有する。液晶分子５０の配向は、液晶層５に印加される電圧に応じて変化する。
【0027】
かかる電気光学装置１００は、例えば、後述するパーソナルコンピューターおよびスマートフォン等のカラー表示を行う表示装置に適用される。当該表示装置に適用される場合、電気光学装置１００に対してカラーフィルターが適宜用いられる。また、電気光学装置１００は、例えば、後述する投射型のプロジェクターに適用される。この場合、電気光学装置１００は、ライトバルブとして機能する。この場合、電気光学装置１００に対してカラーフィルターが省略される。
【0028】
Ａ－２．第１基板２の電気的な構成
図３は、図２の第１基板２の電気的な構成を示す等価回路図である。図３に示すように、第１基板２には、複数のトランジスター２３とｎ本の走査線２４１とｍ本のデータ線２４２とｎ本の定電位線２４３とが設けられる。これらは図２の積層体２０に設けられる。なお、ｎおよびｍはそれぞれ２以上の整数である。ｎ本の走査線２４１とｍ本のデータ線２４２との各交差に対応してトランジスター２３が配置される。各トランジスター２３は、例えばスイッチング素子として機能するＴＦＴである。各トランジスター２３は、ゲート、ソースおよびドレインを含む。
図３は、図２の第１基板２の電気的な構成を示す等価回路図である。図３に示すように、第１基板２には、複数のトランジスター２３とｎ本の走査線２４１とｍ本のデータ線２４２とｎ本の定電位線２４３とが設けられる。これらは図２の積層体２０に設けられる。なお、ｎおよびｍはそれぞれ２以上の整数である。ｎ本の走査線２４１とｍ本のデータ線２４２との各交差に対応してトランジスター２３が配置される。各トランジスター２３は、例えばスイッチング素子として機能するＴＦＴである。各トランジスター２３は、ゲート、ソースおよびドレインを含む。
【0029】
ｎ本の走査線２４１のそれぞれはＸ１方向に延在し、ｎ本の走査線２４１はＹ１方向に等間隔で並ぶ。ｎ本の走査線２４１のそれぞれは、対応する複数のトランジスター２３のゲートに電気的に接続される。ｎ本の走査線２４１は、図１に示す走査線駆動回路１１に電気的に接続される。１～ｎ本の走査線２４１には、走査線駆動回路１１から走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、およびＧｎが線順次で供給される。
【0030】
図３に示すｍ本のデータ線２４２のそれぞれはＹ１方向に延在し、ｍ本のデータ線２４２はＸ１方向に等間隔で並ぶ。ｍ本のデータ線２４２のそれぞれは、対応する複数のトランジスター２３のソースに電気的に接続される。ｍ本のデータ線２４２は、図１に示すデータ線駆動回路１２に電気的に接続される。１～ｍ本のデータ線２４２には、データ線駆動回路１２から画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、およびＳｍが並行に供給される。
【0031】
図３に示すｎ本の走査線２４１とｍ本のデータ線２４２とは、互いに電気的に絶縁されており、平面視で格子状に配置される。隣り合う２つの走査線２４１と隣り合う２つのデータ線２４２とで囲まれる領域が画素Ｐに対応する。画素Ｐごとにトランジスター２３、画素電極２４および容量素子２５が設けられる。画素電極２４は、トランジスター２３に対応して設けられる。１つの画素電極２４に対して１つのトランジスター２３が配置される。各画素電極２４は、対応するトランジスター２３のドレインに電気的に接続される。
【0032】
ｎ本の定電位線２４３のそれぞれはＹ１方向に延在し、ｎ本の定電位線２４３はＸ１方向に等間隔で並ぶ。各定電位線２４３には、定電位Ｖｃｏｍが印加される。各定電位線２４３は、対応する容量素子２５が有する２つの電極のうちの一方に電気的に接続される容量線である。各容量素子２５は、画素電極２４の電位を保持するための保持容量である。容量素子２５は、トランジスター２３に対して１対１で設けられる。また、各容量素子２５が有する２つの電極のうちの他方は、画素電極２４とトランジスター２３のドレインとに電気的に接続される。
【0033】
走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、およびＧｎが順次アクティブとなり、ｎ本の走査線２４１が順次選択されると、選択される走査線２４１に接続されるトランジスター２３がオン状態となる。すると、ｍ本のデータ線２４２を介して表示すべき階調に応じた大きさの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、およびＳｍに応じた電位が、選択される走査線２４１に対応する画素Ｐの画素電極２４に印加される。これにより、画素電極２４と対向電極３２との間に形成される液晶容量に、表示すべき階調に応じた電圧が印加され、印加される電圧に応じて液晶分子５０の配向が変化する。また、容量素子２５によって、印加される電圧が保持される。このような液晶分子５０の配向の変化によって光ＬＬが変調され階調表示が可能となる。
【0034】
【0035】
図４に示すように、導電パターン７は、積層体２０に設けられる。積層体２０は、第１絶縁層２２３と第２絶縁層２２４とを含む。第１絶縁層２２３のＺ２方向に前述の基板２１が配置される。第２絶縁層２２４のＺ１方向に前述の複数の画素電極２４が配置される。したがって、第２絶縁層２２４は、第１絶縁層２２３と複数の画素電極２４との間に配置される。
【0036】
第１絶縁層２２３は、透光性および絶縁性を有する。第１絶縁層２２３の各料は、例えば、酸化ケイ素、または酸窒化ケイ素等のケイ素を含む無機材料が挙げられる。
【0037】
第１絶縁層２２３は、第１凹部２２０と第２凹部２２３１とを含む。第１凹部２２０は、複数の凹部２２０１の集合体である。複数の凹部２２０１および第２凹部２２３１のそれぞれは、第１絶縁層２２３に形成された窪みである。各凹部２２０１は、底面２２０ａを有する。
【0038】
第１凹部２２０は、周辺領域Ａ２０に設けられる。第２凹部２２３１は、表示領域Ａ１０に設けられる。図４では、第２凹部２２３１が１つ図示されるが、第２凹部２２３１は、画素Ｐごとに設けられる。
【0039】
導電パターン７は、第１絶縁層２２３と第２絶縁層２２４との間に設けられる。導電パターン７は、第１凹部２２０の内部に配置される。よって、導電パターン７は、周辺領域Ａ２０に設けられる。また、導電パターン７は、第１凹部２２０を埋める。導電パターン７は、第２絶縁層２２４の膜厚Ｄを測定するために用いられる膜厚測定用パターンである。また、導電パターン７は、導電性、および可視光に対する反射性を有する。特に、導電パターン７の可視光に対する反射率は、３０％程度でもよいが、測定値の信頼性の確保から高い方が好ましい。例えば、当該反射率は、８０％以上であることが好ましく、９０％以上であることがより好ましい。
【0040】
導電パターン７は、複数の導電部７１と絶縁部７２とを含む。複数の導電部７１は、複数の凹部２２０１に１対１で対応する。各導電部７１は、対応する凹部２２０１の内部に配置される。各導電部７１は、導電性、および可視光に対する反射性を有する。各導電部７１は、第２絶縁層２２４の膜厚測定のための基準面、すなわち反射面を含む。各導電部７１の第２絶縁層２２４との接触面、すなわち各導電部７１と第２絶縁層２２４との界面が当該基準面である。
【0041】
各導電部７１の材料としては、例えば、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）およびアルミニウム（Ａｌ）等の金属、金属窒化物ならびに金属シリサイド等が挙げられる。これらの中でも、各導電部７１はタングステンを含むことが好ましい。タングステンは、各種金属の中でも、耐熱性に優れる。このため、製造時に変質し難い。
【0042】
また、各導電部７１は、単層でも複数層であってもよい。各導電部７１が複数層である場合、例えば、導電部７１は、バリア層と導電層とを含む。バリア層は、凹部２２０１に接触する。バリア層は、導電層の成分の拡散防止のために設けられる。導電層は、バリア層の内側に配置され、凹部２２０１を埋める。バリア層は、タングステンナイトライド（ＷＮ）またはチタンナイトライド（ＴｉＮ）含むことが好ましい。導電層は、タングステンを含むことが好ましい。
【0043】
絶縁部７２は、絶縁性を有する。絶縁部７２は、第１凹部２２０が有する底面２２０ａに対してＺ１方向に突出している。このため、絶縁部７２が有する先端面７２０は、各底面２２０ａよりも第２絶縁層２２４に近い。先端面７２０は、第２絶縁層２２４に接触する。先端面７２０は、絶縁部７２の上面でもある。
【0044】
絶縁部７２は、第１絶縁層２２３の材料を含む。絶縁部７２の材料としては、例えば、酸化ケイ素、または酸窒化ケイ素等のケイ素を含む無機材料が挙げられる。なお、本実施形態では、絶縁部７２は、第１絶縁層２２３と一体で形成されており、第１絶縁層２２３の一部で構成されるとも捉えられる。絶縁部７２は、第１絶縁層２２３と別体でもよい。
【0045】
導電膜６１は、第１絶縁層２２３と第２絶縁層２２４との間に設けられる。導電膜６１は、第２凹部２２３１の内部に配置される。よって、導電膜６１は、表示領域Ａ１０に設けられており、画素Ｐごとに設けられる。また、導電膜６１は、第２凹部２２３１を埋める。導電膜６１は、例えば、対応する画素電極２４に電気的に接続される中継電極である。
【0046】
導電膜６１の材料は、特に限定されないが、例えば、タングステン、チタン、クロム、鉄およびアルミニウム等の金属、金属窒化物ならびに金属シリサイド等が挙げられる。これらの中でも、導電膜６１は、タングステンを含むことが好ましい。タングステンは、各種金属の中でも、耐熱性に優れる。このため、製造時に変質し難い。また、導電膜６１は、各導電部７１と同様に、単層でも複数層であってもよい。導電膜６１が複数層である場合、各導電部７１と同様に、バリア層および導電層を含んでもよい。
【0047】
また、前述の導電パターン７の平面積は、導電膜６１の平面積よりも大きい。導電パターン７の平面積の方が大きいことで、導電パターン７を用いた第２絶縁層２２４の膜厚測定の精度が向上する。
【0048】
第１絶縁層２２３上には、第２絶縁層２２４が配置される。第２絶縁層２２４は、導電パターン７および導電膜６１を覆う。第２絶縁層２２４は、透光性および絶縁性を有する。第２絶縁層２２４の材料は、例えば、酸化ケイ素、または酸窒化ケイ素等のケイ素を含む無機材料が挙げられる。
【0049】
【0050】
図５に示す例では、複数の導電部７１として４つの導電部７１が設けられる。各導電部７１の平面形状は、四角形である。４つの導電部７１は、互いに離間し、平面視で行列状に配置される。また、図示の例では、各導電部７１は、Ｘ１方向での長さとＹ１方向の長さとが等しいが、これら長さは互いに異なっていてもよい。また、図示の例では、Ｘ１方向の長さを幅Ｄ１とする。ただし、導電部７１の平面視形状が四角形の場合、Ｘ１方向での長さおよびＹ１方向の長さのうちの短い方を幅Ｄ１とする。
【0051】
図５に示す例では、絶縁部７２の平面形状は、十字形である。絶縁部７２は、導電パターン７を複数の導電部７１に分割している。絶縁部７２は、導電パターン７の平面視における中心Ｏ１と重なる。絶縁部７２は、Ｘ１方向に延在する第１絶縁部７２１と、Ｙ１方向に延在する第２絶縁部７２２とを含む。また、図示の例では、絶縁部７２の幅、具体的には第１絶縁部７２１の幅Ｄ２１および第２絶縁部７２２の幅Ｄ２２のそれぞれは、一定であるが、一定で無くてもよい。また、第１絶縁部７２１および第２絶縁部７２２のそれぞれは、直線状であるが、湾曲した部分を含んでもよい。また、幅Ｄ２１と幅Ｄ２２とは。互いに等しいが、異なっていてもよい。
【0052】
導電パターン７は、前述のように、絶縁部７２を含む。このため、絶縁部７２が設けられていない場合に比べ、導電パターン７の製造時に導電パターン７が消失するおそれが抑制される。よって、導電パターン７を用いた膜厚測定を精度よく行うことができる。このため、電気光学装置１００の品質信頼性の向上させることができる。
【0053】
Ａ－４．第１基板２の製造方法
図６は、図６の第１基板２の一部の製造方法の流れを示す図である。以下では、第１基板２のうち第１絶縁層２２３、第２絶縁層２２４および導電パターン７の製造方法について説明する。
図６は、図６の第１基板２の一部の製造方法の流れを示す図である。以下では、第１基板２のうち第１絶縁層２２３、第２絶縁層２２４および導電パターン７の製造方法について説明する。
【0054】
図６に示すように、第１基板２の製造方法は、第１絶縁層形成工程Ｓ１１と、第１凹部形成工程Ｓ１２と、導電基材形成工程Ｓ１３と、導電パターン形成工程Ｓ１４と、第２絶縁層形成工程Ｓ１５とを含む。
【0055】
第１絶縁層形成工程Ｓ１１では、第１絶縁層２２３が形成される。第１絶縁層２２３は、例えばＣＶＤ（chemical vapor deposition）法等の蒸着法によりケイ素を含む絶縁材料を堆積することにより形成される。
【0056】
図７は、図６の第１凹部形成工程Ｓ１２を説明するための断面図である。図７に示すように、第１凹部形成工程Ｓ１２では、複数の凹部２２０１を含む第１凹部２２０が形成される。複数の凹部２２０１は、例えば、マスクを用いたエッチングにより第１絶縁層２２３の一部を除去することにより形成れる。本工程において、複数の凹部２２０１とともに、絶縁部７２が形成される。本実施形態の例では、絶縁部７２は、エッチングにより除去されなった部分であり、第１絶縁層２２３の一部で構成される。また、本工程において、第２凹部２２３１が、第１凹部２２０とともに形成される。
【0057】
図８は、図６の導電基材形成工程Ｓ１３を説明するための断面図である。図８に示すように、導電基材形成工程Ｓ１３では、第１絶縁層２２３上に導電基材７ｘが形成される。導電基材７ｘは、例えば、タングステン等の金属、金属窒化物ならびに金属シリサイド等の金属材料を含む。導電基材７ｘは、スパッタリング法または蒸着法により当該金属材料を第１絶縁層２２３上に堆積することにより形成される。導電基材７ｘは、第１凹部２２０および第２凹部２２３１を埋めるように形成される。
【0058】
図９は、図６の導電パターン形成工程Ｓ１４を説明するための断面図である。図９に示すように、導電パターン形成工程Ｓ１４では、導電パターン７が形成される。例えば、導電基材７ｘに対してＣＭＰ（chemical mechanical polishing）等の研磨による平坦化処理を施すことにより、導電基材７ｘの一部が除去される。この結果、複数の導電部７１が形成される。よって、複数の導電部７１および絶縁部７２を含む導電パターン７が得られる。
【0059】
前述のように第１絶縁層２２３に複数の凹部２２０１を形成し、当該複数の凹部２２０１を埋めるように複数の導電部７１が形成されることにより、導電パターン７が形成される。つまり、導電パターン７は、ダマシン法によって形成される。
【0060】
第２絶縁層形成工程Ｓ１５では、第２絶縁層２２４が形成される。本工程では、まず、例えばＣＶＤ法等の蒸着法によりケイ素を含む絶縁材料を堆積することにより第２絶縁層２２４が形成される。その後、導電パターン７を用いて第２絶縁層２２４の膜厚Ｄを測定しながら第２絶縁層２２４に対してＣＭＰ等による研磨が行われる。これにより、所望の膜厚Ｄを有する第２絶縁層２２４が得られる。
【0061】
導電パターン７を用いた膜厚測定では、例えば、エリプソ式膜厚測定法のような光線を用いた光学式方法が用いられる。例えば、導電パターン７に可視光線を照射し、導電パターン７に対する入射光と反射光の偏光状態の変化を測定することにより、第２絶縁層２２４の膜厚を測定する。導電パターン７への可視光線の確実な入射のために、導電パターン７の平面積は導電膜６１の平面積よりも広いことが好ましい。
【0062】
エリプソ式膜厚測定法を用いることで、膜厚をｎｍ単位で測定可能である。本願の膜厚測定では、エリプソ式膜厚測定法が好適に用いられる。第２絶縁層２２４の外部の空気中と第２絶縁層２２４との界面で反射した光と、第２絶縁層２２４を透過して導電パターン７で反射した光との偏光状態を測定し、対象となる第２絶縁層２２４の膜厚が測定される。また、導電パターン７の可視光に対する反射率は、第２絶縁層２２４の可視光に対する反射率よりも高い。このため、光学式方法により第２絶縁層２２４の膜厚Ｄを高精度に計測することができる。
【0063】
Ａ－５．導電パターン７の作用
図１０は、絶縁部７２が設けられていない場合における平坦化処理を説明するための図である。図１０には、絶縁部７２が設けられていない比較例としての導電パターン７αが図示される。
図１０は、絶縁部７２が設けられていない場合における平坦化処理を説明するための図である。図１０には、絶縁部７２が設けられていない比較例としての導電パターン７αが図示される。
【0064】
前述の平坦化処理における研磨条件では、導電基材７ｘの研磨速度が第２絶縁層２２４の研磨速度または研磨量よりも大きくなるよう設定される。このため、図１０に示すように、絶縁部７２が設けられていない場合、導電パターン７αがその周囲の第２絶縁層２２４の表面以下に過剰に削り取られる傾向がある。したがって、前述の平坦化処理の過程で、導電パターン７αの中央が薄くなってしまうディッシングと呼ばれる現象が生じてしまう。特に、導電パターン７αの平面積が大きくなるほど、当該ディッシングが生じ易くなってしまう。この結果、図１０に示すように、導電パターン７αの一部が消失するおそれがある。
【0065】
ディッシングによる導電パターン７αの消失を避けるためには、導電パターン７αの平面積を導電膜６１の平面積と同程度に小さくする必要がある。しかし、導電パターン７αの平面積を小さくすると、導電パターン７αを用いた膜厚測定において、非常に高い光線の照射精度が必要になる。このため、導電パターン７αの平面積の単なる縮小は望ましくない。
【0066】
図１１は、絶縁部７２が設けられている場合における平坦化処理を説明するための図である。図１１に示すように、本実施形態の導電パターン７は、第１絶縁層２２３の材料を含む絶縁部７２を有する。このため、導電パターン７全体の平面積を縮小せずに、ディッシングにより各導電部７１が過剰に削り取られることが抑制される。さらには、ディッシングによる導電パターン７の一部の消失を防ぐことができる。このため、導電パターン７が絶縁部７２を有することで、有さない場合に比べ、第２絶縁層２２４の膜厚測定の精度の低下を抑制することができる。よって、第１基板２の歩留まりが向上し、電気光学装置１００の品質信頼性を向上させることができる。
【0067】
また、前述のように、絶縁部７２は、第１凹部２２０の各底面２２０ａに対して第２絶縁層２２４に向かって突出している。したがって、絶縁部７２が有する先端面７２０は、複数の凹部２２０１の各底面２２０ａよりも第２絶縁層２２４に近い。そして、絶縁部７２の研磨速度は各導電部７１の研磨速度よりも遅い。このため、絶縁部７２が突出していることで、絶縁部７２の存在によって、各導電部７１が過剰に削り取られることが抑制される。よって、導電パターン７のディッシングによる消失を抑制することができる。
【0068】
さらに、本実施形態では、絶縁部７２は、導電パターン７を複数の導電部７１に分割している。このため、複数の導電部７１に分割されていない場合に比べ、導電パターン７のディッシングによる消失を抑制することができる。特に、導電パターン７の平面積が大きいほど、導電パターン７を複数の導電部７１に分割することは有効である。
【0069】
本実施形態では、図５に示すように、絶縁部７２は、導電パターン７を４つの導電部７１に分割している。このため、導電パターン７を均等に分割し易く、全ての導電部７１がディッシングによる消失を抑制することができる。さらに、絶縁部７２の平面積が過度に大きくならず、よって、導電パターン７の膜厚測定の精度の低下に影響を及ぼし難い。つまり、膜厚測定用の導電パターン７としての機能が損なわれ難い。なお、導電パターン７の分割数は、４に限定されず、２、３、または５以上でもよい。
【0070】
複数の導電部７１の各平面積は、絶縁部７２の平面積よりも大きい。このため、このため、各導電部７１の平面積が絶縁部７２の平面積よりも小さい場合に比べ、膜厚測定用の導電パターン７としての機能が損なわれ難い。なお、複数の導電部７１のうちのいずれかの平面積は、絶縁部７２の平面積よりも大きくてもよい。
【0071】
図５に示す絶縁部７２の有する幅Ｄ２１およびＤ２２のそれぞれが、複数の導電部７１の各幅Ｄ１の１／１０以下であることが好ましい。幅Ｄ２１およびＤ２２のそれぞれが各幅Ｄ１の１／１０以下であることで、範囲外である場合に比べ、膜厚測定用の導電パターン７としての機能が損なわれ難い。なお、幅Ｄ２１およびＤ２２のそれぞれが各幅Ｄ１の１／１０を超えてもよい。
【0072】
導電パターン７の平面積は、特に限定されないが、例えば、４００μｍ２以上１００００μｍ２以下である。かかる範囲であることで、範囲外である場合に比べ、膜厚測定用の導電パターン７としての機能が損なわれ難く、かつ、第１基板２の平面積が過度に大きくなることが抑制される。
【0073】
各導電部７１の平面積は、特に限定されないが、例えば、１００μｍ２以上２５００μｍ２以下である。かかる範囲であることで、範囲外である場合に比べ、各導電部７１がディッシングにより過度に削り取られ難く、かつ、膜厚測定用の導電パターン７としての機能が損なわれ難い。
【0074】
各絶縁部７２の平面積は、特に限定されないが、例えば、４０μｍ２以上１０００μｍ２以下である。かかる範囲であることで、範囲外である場合に比べ、各導電部７１のディッシングによる消失を効果的に抑制しつつ、かつ、膜厚測定において絶縁部７２が弊害になることが抑制される。
【0075】
各幅Ｄ１は、特に限定されないが、例えば、１０μｍ以上５０μｍ以下である。かかる範囲であることで、範囲外である場合に比べ、各導電部７１にディッシングが生じ難く、かつ、膜厚測定用の導電パターン７としての機能が損なわれ難い。
【0076】
幅Ｄ２１およびＤ２２のそれぞれは、特に限定されないが、例えば、１μｍ以上１０μｍ以下である。かかる範囲であることで、範囲外である場合に比べ、各導電部７１のディッシングによる消失を効果的に抑制しつつ、かつ、膜厚測定において絶縁部７２が弊害になることが抑制される。
【0077】
また、前述のように、絶縁部７２は、平面視で導電パターン７の中心Ｏ１を通る。よって、絶縁部７２は、平面視で導電パターン７の中心Ｏ１に重なる。このため、絶縁部７２が平面視で中心Ｏ１と重ならない場合に比べ、各導電部７１がディッシングにより過度に削り取られ難い。
【0078】
また、導電パターン７は、周辺領域Ａ２０に設けられる。このため、導電パターン７によって表示領域Ａ１０における光ＬＬの透過が遮られるおそれを回避することができる。よって、導電パターン７が存在していても、表示領域Ａ１０における表示品位が損なわれるおそれがない。なお、導電パターン７は、画像の表示を損なわない限り、表示領域Ａ１０に設けられてもよい。
【0079】
また、前述のように、第１絶縁層２２３は、表示領域Ａ１０に設けられる第２凹部２２３１を有する。そして、第１基板２は、第２凹部２２３１の内部に画素Ｐごとに設けられた導電性を有する導電膜６１を有する。また、導電パターン７は、導電膜６１と同様に、導電性を有する。かかる導電膜６１と導電パターン７とが、同一の第１絶縁層２２３に設けられている。このため、導電膜６１と導電パターン７とを同一工程で形成することができる。よって、別途、膜厚測定用の導電パターン７を形成する工程を設ける必要がない。それゆえ、導電膜６１と導電パターン７とが別層に設けられる場合に比べ、製造の手間を省くことができる。
【0080】
【0081】
基板２１は、凹部２１０を有する。凹部２１０は、第１基板２に形成された窪みである。凹部２１０の内部には、下部導電膜６４が配置される。下部導電膜６４の材料としては、例えば、タングステン、チタン、クロム、鉄およびアルミニウム等の金属、金属窒化物ならびに金属シリサイド等が挙げられる。
【0082】
積層体２０は、複数の絶縁層２２１、２２２、２２５、２２６および２２７を有する。なお、積層体２０は、前述のように、第１絶縁層２２３および第２絶縁層２２４を含む。絶縁層２２１、２２２、第１絶縁層２２３、第２絶縁層２２４、絶縁層２２５、絶縁層２２６，絶縁層２２７は、この順に基板２１から積層される。積層体２０が有する各絶縁層は、透光性および絶縁性を有し、例えば、酸化ケイ素および酸窒化ケイ素等のケイ素を含む無機材料を含む。また、積層体２０には、図３に示すトランジスター２３、走査線２４１、およびデータ線２４２が配置される。さらに、図１２に示すように、積層体２０には、画素中継電極２４４、中継電極２４５、２４６、２４７、および２４８が配置される。なお、積層体２０には、図３に示す定電位線２４３および容量素子２５が配置されるが、図１２ではこれらの図示を省略する。
【0083】
絶縁層２２１上には、トランジスター２３が配置される。トランジスター２３は、半導体層２３１と、ゲート電極２３２と、ゲート絶縁層２３３とを有する。半導体層２３１は絶縁層２２１上に配置され、ゲート電極２３２は絶縁層２２２上に配置される。ゲート絶縁層２３３は、ゲート電極２３２と半導体層２３１が有するチャネル領域２３１ｃとの間に介在する。絶縁層２２２のうちゲート電極２３２に対応する領域がゲート絶縁層２３３に相当する。
【0084】
半導体層２３１は、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有する。具体的には、半導体層２３１は、ドレイン領域２３１ａ、ソース領域２３１ｂ、チャネル領域２３１ｃ、低濃度ドレイン領域２３１ｄおよび低濃度ソース領域２３１ｅを有する。チャネル領域２３１ｃは、ドレイン領域２３１ａとソース領域２３１ｂとの間に位置する。低濃度ドレイン領域２３１ｄは、チャネル領域２３１ｃとドレイン領域２３１ａとの間に位置する。低濃度ソース領域２３１ｅは、チャネル領域２３１ｃとソース領域２３１ｂとの間に位置する。半導体層２３１は、例えば、ポリシリコンで形成される。チャネル領域２３１ｃを除く領域には、導電性を高める不純物がドープされる。低濃度ドレイン領域２３１ｄ中の不純物濃度は、ドレイン領域２３１ａ中の不純物濃度よりも低い。低濃度ソース領域２３１ｅ中の不純物濃度は、ソース領域２３１ｂ中の不純物濃度よりも低い。なお、例えば、低濃度ソース領域２３１ｅは、省略してもよい。
【0085】
ゲート電極２３２は、例えば、ポリシリコンに導電性を高める不純物がドープされることにより形成される。なお、ゲート電極２３２は、金属、金属酸化物および金属化合物の導電性を有する材料を用いて形成されてもよい。また、ゲート絶縁層２３３は、例えば、熱酸化またはＣＶＤ法等で成膜される酸化ケイ素膜で構成される。
【0086】
また、絶縁層２２１には、下部接続部６３１が設けられる。下部接続部６３１は、下部導電膜６４と、半導体層２３１のドレイン領域２３１ａとに接続される。
【0087】
第１絶縁層２２３には、導電膜６１および中継電極２４６が配置される。第１絶縁層２２３には、第２凹部２２３１と第３凹部２２３２とが設けられる。第２凹部２２３１には、前述のように、導電膜６１が配置される。第３凹部２２３２は、第１絶縁層２２３に形成された窪みである。第３凹部２２３２には、中継電極２４６が配置される。中継電極２４６は、導電膜６１および前述の導電パターン７と同一工程で形成される。また、中継電極２４６は、第１絶縁層２２３を貫通する導電性を有するコンタクト２７１を介してソース領域２３１ｂに電気的に接続される。
【0088】
また、第１絶縁層２２３には、上部接続部６３２が設けられる。上部接続部６３２は、半導体層２３１のドレイン領域２３１ａと導電膜６１とに接続される。さらに、図示省略するが、上部接続部６３２は、下部接続部６３１に直接的に接続される。また、図示省略するが、下部導電膜６４、下部接続部６３１、上部接続部６３２および導電膜６１は、半導体層２３１のドレイン領域２３１ａを囲むように配置される。
【0089】
第２絶縁層２２４上には、中継電極２４５、２４７および走査線２４１が配置される。走査線２４１は、第１絶縁層２２３および第２絶縁層２２４を貫通する導電性を有するコンタクト２７２を介してゲート電極２３２に電気的に接続される。中継電極２４５は、第２絶縁層２２４を貫通する導電性を有するコンタクト２７３を介して導電膜６１に電気的に接続される。中継電極２４７は、第２絶縁層２２４を貫通する導電性を有するコンタクト２７４を介して中継電極２４６に電気的に接続される。
【0090】
絶縁層２２５上には、画素中継電極２４４および中継電極２４８が配置される。画素中継電極２４４は、絶縁層２２５を貫通する導電性を有するコンタクト２７５を介して導電膜６１に電気的に接続される。図示省略するが、画素中継電極２４４は、画素電極２４に電気的に接続される。中継電極２４８は、絶縁層２２５を貫通する導電性を有するコンタクト２７６を介して中継電極２４７に電気的に接続される。
【0091】
絶縁層２２６上には、データ線２４２が配置される。データ線２４２は、絶縁層２２６を貫通する導電性を有するコンタクト２７７を介して中継電極２４８に電気的に接続される。
【0092】
なお、前述の走査線２４１、データ線２４２、画素中継電極２４４、中継電極２４５、２４６、２４７、および２４８の各材料としては、例えば、タングステン、およびアルミニウム等の金属、金属窒化物ならびに金属シリサイド等が挙げられる。また、コンタクト２７１～２７７は、コンタクトプラグでもよいし、トレンチ電極でもよい。コンタクト２７１～２７７の各材料としては、タングステン、およびアルミニウム等の金属、金属窒化物ならびに金属シリサイド等が挙げられる。
【0093】
また、前述のように導電パターン７は、第１絶縁層２２３に設けられるが、積層体２０が有する他の絶縁層に設けられてもよい。この場合、導電パターン７と同一層に設けられる電極または配線は、ダマシン法により形成される。また、この場合、導電パターン７が設けられる絶縁層が「第１絶縁層」に相当し、当該絶縁層上に配置される他の絶縁層が「第２絶縁層」に相当する。
【0094】
Ａ－６．導電パターン７を含む膜厚測定領域７０
図１３は、図４の導電パターン７を含む膜厚測定領域７０を示す断面図である。図１３に示すように、周辺領域Ａ２０には、膜厚測定領域７０が設けられる。膜厚測定領域７０は、導電パターン７と、他の導電パターン８０と、膜厚測定パターン８１と、膜厚測定パターン８２とを含む。
図１３は、図４の導電パターン７を含む膜厚測定領域７０を示す断面図である。図１３に示すように、周辺領域Ａ２０には、膜厚測定領域７０が設けられる。膜厚測定領域７０は、導電パターン７と、他の導電パターン８０と、膜厚測定パターン８１と、膜厚測定パターン８２とを含む。
【0095】
他の導電パターン８０は、基板２１に形成された他の第１凹部２１１の内部に配置される。導電パターン８０は、前述の下部導電膜６４と同層に設けられ、これと同一工程で形成される。第１凹部２１１は、複数の凹部２１１０を含む。導電パターン８０は、導電パターン７と同様に、複数の導電部８０１と絶縁部８０２とを含む。複数の導電部８０１は、複数の凹部２１１０の内部に１対１で配置される。このため、各導電部８０１がディッシングにより過剰に削り取られることが抑制される。
【0096】
膜厚測定パターン８１は、第２絶縁層２２４上に配置される。膜厚測定パターン８１は、前述の走査線２４１、中継電極２４５および２４７と同層に設けられ、これらと同一工程で形成される。なお、膜厚測定パターン８１は、第２絶縁層２２４の平坦な上面に配置される。かかる膜厚測定パターン８１は、例えば、第２絶縁層２２４上に形成された金属膜をエッチングによりパターニングすることにより形成される。このため、膜厚測定パターン８１は、導電パターン７のように絶縁部７２を有していなくてよい。ディッシングの問題が生じないためである。なお、第２絶縁層２２４に凹部が形成されており、当該凹部の内部に膜厚測定パターン８１が設けられる場合、膜厚測定パターン８１は、導電パターン７のように絶縁部７２を有することが好ましい。
【0097】
膜厚測定パターン８２は、絶縁層２２５上に配置される。膜厚測定パターン８２は、前述の画素中継電極２４４および中継電極２４８と同層に設けられ、これらと同一工程で形成される。なお、膜厚測定パターン８２は、絶縁層２２５の平坦な上面に配置される。かかる膜厚測定パターン８２は、例えば、絶縁層２２５上に形成された金属膜をエッチングによりパターニングすることにより形成される。このため、膜厚測定パターン８２は、導電パターン７のように絶縁部７２を有していなくてよい。ディッシングの問題が生じないためである。なお、絶縁層２２５に凹部が形成されており、当該凹部の内部に膜厚測定パターン８２が設けられる場合、膜厚測定パターン８２は、導電パターン７のように絶縁部７２を有することが好ましい。
【0098】
導電パターン７を含む膜厚測定領域７０が設けられることで、所定の絶縁層の膜厚を任意の厚さにすることができる。よって、所望の厚さの積層体２０を精度よく形成することができる。
【0099】
なお、図１３に示す膜厚測定領域７０は一例であり、例えば、他の導電パターン８０は省略されてもよい。また、導電パターン８０が設けられている場合、導電パターン７が省略されてもよい。
【0100】
Ｂ．変形例
以上に例示した実施形態は多様に変形され得る。前述の実施形態に適用され得る具体的な変形の態様を以下に例示する。
以上に例示した実施形態は多様に変形され得る。前述の実施形態に適用され得る具体的な変形の態様を以下に例示する。
【0101】
Ｂ－１．第１変形例
図１４は、第１変形例の導電パターン７Ａを示す平面図である。図１４に示すように、複数の導電部７１は、互いに接続されてもよい。導電パターン７Ａは、複数の接続部７３を有する。図１４では、複数の接続部７３として４つの接続部７３が設けられる。各接続部７３は、２つの導電部７１を接続する。各接続部７３の幅Ｄ３は、各導電部７１の幅Ｄ１よりも小さい。なお、複数の接続部７３を有することで、導電パターン７Ａは、複数の絶縁部７２を含む。
図１４は、第１変形例の導電パターン７Ａを示す平面図である。図１４に示すように、複数の導電部７１は、互いに接続されてもよい。導電パターン７Ａは、複数の接続部７３を有する。図１４では、複数の接続部７３として４つの接続部７３が設けられる。各接続部７３は、２つの導電部７１を接続する。各接続部７３の幅Ｄ３は、各導電部７１の幅Ｄ１よりも小さい。なお、複数の接続部７３を有することで、導電パターン７Ａは、複数の絶縁部７２を含む。
【0102】
かかる第１変形例によっても、ディッシングにより各導電部７１が過度に削られることが抑制されるので、導電パターン７Ａを用いた膜厚測定を精度よく行うことができる。また、導電パターン７Ａでは、実施形態の導電パターン７と同様に、平面視で導電パターン７Ａの中心Ｏ１に重なる１つの絶縁部７２を有する。このため、各導電部７１がディッシングにより過度に削り取られ難い。
【0103】
Ｂ－２．第２変形例
図１５は、第２変形例の導電パターン７Ｂを示す平面図である。図１５に示す導電パターン７Ｂでは、絶縁部７２Ｂの平面形状が四角形である。絶縁部７２Ｂの外縁は、導電パターン７Ｂの外縁と相似である。また、導電パターン７Ｂは、平面形状が四角枠状の導電部７１Ｂを有する。
図１５は、第２変形例の導電パターン７Ｂを示す平面図である。図１５に示す導電パターン７Ｂでは、絶縁部７２Ｂの平面形状が四角形である。絶縁部７２Ｂの外縁は、導電パターン７Ｂの外縁と相似である。また、導電パターン７Ｂは、平面形状が四角枠状の導電部７１Ｂを有する。
【0104】
かかる第２変形例によっても、ディッシングにより導電部７１Ｂが過度に削られることが抑制されるので、導電パターン７Ｂを用いた膜厚測定を精度よく行うことができる。また、導電パターン７Ｂでは、実施形態の導電パターン７と同様に、絶縁部７２Ｂが平面視で導電パターン７Ｂの中心Ｏ１に重なる。このため、各導電部７１Ｂがディッシングにより過度に削り取られ難い。
【0105】
「電気光学装置」の駆動方式は、縦電界方式に限定されず、横電界方式でもよい。なお、横電界方式としては、例えばＩＰＳ（In Plane Switching）モードが挙げられる。また、縦電界方式としては、ＴＮ（Twisted Nematic）モード、ＶＡ（Virtical Alignment）、ＰＶＡモードおよびＯＣＢ（Optically Compensated Bend）モードが挙げられる。
【0106】
前述の各実施形態では、アクティブマトリクス方式の電気光学装置１００が例示されるが、これに限定されず、電気光学装置１００の駆動方式は、例えば、パッシブマトリクス方式等でもよい。
【0107】
また、前述した説明では、「電気光学装置」のの一例として液晶表示装置について説明したが、「電気光学装置」のはこれに限定されない。例えば、「電気光学装置」のは、イメージセンサー等にも適用することができる。
【0108】
２．電子機器
電気光学装置１００は、各種電子機器に用いることができる。
電気光学装置１００は、各種電子機器に用いることができる。
【0109】
図１６は、電子機器の一例であるパーソナルコンピューター２０００を示す斜視図である。パーソナルコンピューター２０００は、各種の画像を表示する電気光学装置１００と、電源スイッチ２００１およびキーボード２００２が設置される本体部２０１０と、制御部２００３と、を有する。制御部２００３は、例えばプロセッサーおよびメモリーを含み、電気光学装置１００の動作を制御する。
【0110】
図１７は、電子機器の一例であるスマートフォン３０００を示す平面図である。スマートフォン３０００は、操作ボタン３００１と、各種の画像を表示する電気光学装置１００と、制御部３００２と、を有する。操作ボタン３００１の操作に応じて電気光学装置１００に表示される画面内容が変更される。制御部３００２は、例えばプロセッサーおよびメモリーを含み、電気光学装置１００の動作を制御する。
【0111】
図１８は、電子機器の一例であるプロジェクターを示す模式図である。投射型表示装置４０００は、例えば、３板式のプロジェクターである。電気光学装置１ｒは、赤色の表示色に対応する電気光学装置１００であり、電気光学装置１ｇは、緑の表示色に対応する電気光学装置１００であり、電気光学装置１ｂは、青色の表示色に対応する電気光学装置１００である。すなわち、投射型表示装置４０００は、赤、緑および青の表示色に各々対応する３個の電気光学装置１ｒ、１ｇ、１ｂを有する。制御部４００５は、例えばプロセッサーおよびメモリーを含み、電気光学装置１００の動作を制御する。
【0112】
照明光学系４００１は、光源である照明装置４００２からの出射光のうち赤色成分ｒを電気光学装置１ｒに供給し、緑色成分ｇを電気光学装置１ｇに供給し、青色成分ｂを電気光学装置１ｂに供給する。各電気光学装置１ｒ、１ｇ、１ｂは、照明光学系４００１から供給される各単色光を表示画像に応じて変調するライトバルブ等の光変調器として機能する。投射光学系４００３は、各電気光学装置１ｒ、１ｇ、１ｂからの出射光を合成して投射面４００４に投射する。
【0113】
以上の電子機器は、前述の電気光学装置１００と、制御部２００３、３００２または４００５と、を備える。前述の電気光学装置１００は品質信頼性に優れる。よって、電気光学装置１００を備えることで、パーソナルコンピューター２０００、スマートフォン３０００または投射型表示装置４０００の表示品位の低下を抑制することができる。
【0114】
なお、本発明の電気光学装置が適用される電子機器としては、例示した機器に限定されず、例えば、ＰＤＡ（Personal Digital Assistants）、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、車載用の表示器、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、およびＰＯＳ（Point of sale）端末等が挙げられる。さらに、本発明が適用される電子機器としては、プリンター、スキャナー、複写機、ビデオプレーヤー、またはタッチパネルを備えた機器等が挙げられる。
【0115】
以上、好適な実施形態に基づいて本発明を説明したが、本発明は前述の実施形態に限定されない。また、本発明の各部の構成は、前述の実施形態の同様の機能を発揮する任意の構成に置換でき、また、任意の構成を付加できる。
【符号の説明】
【0116】
１ｂ…電気光学装置、１ｇ…電気光学装置、１ｒ…電気光学装置、２…第１基板、３…第２基板、４…シール部材、５…液晶層、６…基板間導通材、７…導電パターン、７Ａ…導電パターン、７Ｂ…導電パターン、７ｘ…導電基材、７α…導電パターン、１０…駆動回路、１１…走査線駆動回路、１２…データ線駆動回路、１３…外部端子、２０…積層体、２１…基板、２３…トランジスター、２４…画素電極、２５…容量素子、２９…配向膜、３０…積層体、３１…基板、３２…対向電極、３８…見切り、３９…配向膜、５０…液晶分子、６１…導電膜、６４…下部導電膜、７０…膜厚測定領域、７１…導電部、７１Ｂ…導電部、７２…絶縁部、７２Ｂ…絶縁部、７３…接続部、８０…導電パターン、８１…膜厚測定パターン、８２…膜厚測定パターン、１００…電気光学装置、２１０…凹部、２１１…第１凹部、２２０…第１凹部、２２０ａ…底面、２２１…絶縁層、２２２…絶縁層、２２３…第１絶縁層、２２４…第２絶縁層、２２５…絶縁層、２２６…絶縁層、２２７…絶縁層、２３１…半導体層、２３１ａ…ドレイン領域、２３１ｂ…ソース領域、２３１ｃ…チャネル領域、２３１ｄ…低濃度ドレイン領域、２３１ｅ…低濃度ソース領域、２３２…ゲート電極、２３３…ゲート絶縁層、２４１…走査線、２４２…データ線、２４３…定電位線、２４４…画素中継電極、２４５…中継電極、２４６…中継電極、２４７…中継電極、２４８…中継電極、２７１…コンタクト、２７２…コンタクト、２７３…コンタクト、２７４…コンタクト、２７５…コンタクト、２７６…コンタクト、２７７…コンタクト、６３１…下部接続部、６３２…上部接続部、７２０…先端面、７２１…第１絶縁部、７２２…第２絶縁部、８０１…導電部、８０２…絶縁部、２０００…パーソナルコンピューター、２００１…電源スイッチ、２００２…キーボード、２００３…制御部、２０１０…本体部、２２０１…凹部、２２３１…第２凹部、２２３２…第３凹部、３０００…スマートフォン、３００１…操作ボタン、３００２…制御部、４０００…投射型表示装置、４００１…照明光学系、４００２…照明装置、４００３…投射光学系、４００４…投射面、４００５…制御部、Ａ１０…表示領域、Ａ２０…周辺領域、Ｄ…膜厚、Ｄ１…幅、Ｄ２１…幅、Ｄ２２…幅、Ｄ３…幅、ＬＬ…光、Ｏ１…中心、Ｐ…画素、Ｓ１１…第１絶縁層形成工程、Ｓ１２…第１凹部形成工程、Ｓ１３…導電基材形成工程、Ｓ１４…導電パターン形成工程、Ｓ１５…第２絶縁層形成工程。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】