特開 2024-128610 表示装置および電子機器

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024128610

(43)【公開日】2024-09-24

(54)【発明の名称】表示装置および電子機器

(51)【国際特許分類】

   G09F 9/30 20060101AFI20240913BHJP

   H01L 33/00 20100101ALI20240913BHJP

   H01L 33/62 20100101ALI20240913BHJP

   G02B 27/02 20060101ALI20240913BHJP

   G09F 9/33 20060101ALI20240913BHJP

【ＦＩ】

G09F9/30 348A

H01L33/00 L

H01L33/62

G02B27/02 Z

G09F9/33

G09F9/30 349C

【審査請求】未請求

【請求項の数】9

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023037671

(22)【出願日】2023-03-10

(71)【出願人】

【識別番号】000002369

【氏名又は名称】セイコーエプソン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100090387

【弁理士】

【氏名又は名称】布施 行夫

(74)【代理人】

【識別番号】100090398

【弁理士】

【氏名又は名称】大渕 美千栄

(74)【代理人】

【識別番号】100148323

【弁理士】

【氏名又は名称】川▲崎▼ 通

(74)【代理人】

【識別番号】100168860

【弁理士】

【氏名又は名称】松本 充史

(72)【発明者】

【氏名】宮田 崇

(72)【発明者】

【氏名】北野 洋司

【テーマコード（参考）】

2H199

5C094

5F142

【Ｆターム（参考）】

2H199CA12

2H199CA25

2H199CA30

2H199CA47

2H199CA49

2H199CA66

5C094AA32

5C094BA03

5C094BA25

5C094CA19

5C094DB01

5C094EC03

5C094ED15

5C094FA01

5C094FA02

5C094FB01

5C094FB02

5C094FB12

5C094FB15

5F142AA31

5F142CB23

5F142CD02

5F142CD15

5F142CD16

5F142CD25

5F142CD44

5F142DB24

5F142DB38

5F142GA02

(57)【要約】

【課題】駆動回路と第１発光素子との電気的な接続、および駆動回路と第２発光素子との電気的な接続に不良が生じる可能性を小さくすることができる表示装置を提供する。
【解決手段】第１基板に設けられ、第１発光素子および第２発光素子を駆動させる駆動回路と、弾性を有し、前記第１基板と前記第１発光素子との間に設けられた第１絶縁部と、弾性を有し、前記第１基板と前記第２発光素子との間に設けられた第２絶縁部と、前記第１絶縁部と前記第１発光素子との間に設けられ、前記駆動回路と電気的に接続され、前記第１絶縁部によって前記第１発光素子に押し当てられる第１導電層と、前記第２絶縁部と前記第２発光素子との間に設けられ、前記駆動回路と電気的に接続され、前記第２絶縁部によって前記第２発光素子に押し当てられる第２導電層と、前記第１基板と第２基板とを接続する接続部と、を有する、表示装置。
【選択図】図４

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１基板と、
前記第１基板に対向配置された第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に設けられた第１発光素子および第２発光素子と、
前記第１基板に設けられ、前記第１発光素子および前記第２発光素子を駆動させる駆動回路と、
弾性を有し、前記第１基板と前記第１発光素子との間に設けられた第１絶縁部と、
弾性を有し、前記第１基板と前記第２発光素子との間に設けられた第２絶縁部と、
前記第１絶縁部と前記第１発光素子との間に設けられ、前記駆動回路と電気的に接続され、前記第１絶縁部によって前記第１発光素子に押し当てられる第１導電層と、
前記第２絶縁部と前記第２発光素子との間に設けられ、前記駆動回路と電気的に接続され、前記第２絶縁部によって前記第２発光素子に押し当てられる第２導電層と、
前記第１基板と前記第２基板とを接続する接続部と、
を有する、表示装置。

【請求項2】

請求項１において、
前記接続部には、一定の電位が印加される、表示装置。

【請求項3】

請求項２において、
前記接続部は、前記第１発光素子および前記第２発光素子を囲む、表示装置。

【請求項4】

請求項１において、
前記第１絶縁部と前記第２絶縁部とは、連続している、表示装置。

【請求項5】

請求項１において、
前記第１絶縁部および前記第２絶縁部は、遮光性を有する、表示装置。

【請求項6】

請求項１において、
前記第１発光素子と前記駆動回路との間に設けられた遮光性を有する第１金属層と、
前記第２発光素子と前記駆動回路との間に設けられた遮光性を有する第２金属層と、
を有する、表示装置。

【請求項7】

請求項６において、
前記第１金属層および前記第２金属層には、一定の電位が印加される、表示装置。

【請求項8】

請求項１において、
前記第１基板と前記第２基板との間に設けられ、前記第１基板および前記第２基板に接するスペーサー部材を有し、
前記スペーサー部材は、前記第１発光素子および前記第２発光素子を囲み、
前記接続部は、接着層を介して、前記第１基板に接合されている、表示装置。

【請求項9】

請求項１ないし８のいずれか１項に記載の表示装置を有する、電子機器。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、表示装置および電子機器に関する。

【背景技術】

【0002】

ＬＥＤ（Light Emitting Diode）などの発光素子は、表示装置の光源に適用される。

【0003】

例えば特許文献１には、複数のマイクロＬＥＤピクセルを含むマイクロＬＥＤパネルと、複数のＣＭＯＳセルを含むＣＭＯＳバックプレーンと、ＣＭＯＳセルとマイクロＬＥＤピクセルとを電気的に接続させるバンプと、を含むマイクロＬＥＤディスプレイ装置が記載されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２０１８－１８５５１５号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

上記のようなマイクロＬＥＤディスプレイ装置において、複数のマイクロＬＥＤピクセルの高さがばらつくと、ＣＭＯＳセルとマイクロＬＥＤピクセルとの電気的な接続に不良が生じる。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明に係る表示装置の一態様は、
第１基板と、
前記第１基板に対向配置された第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に設けられた第１発光素子および第２発光素子と、
前記第１基板に設けられ、前記第１発光素子および前記第２発光素子を駆動させる駆動回路と、
弾性を有し、前記第１基板と前記第１発光素子との間に設けられた第１絶縁部と、
弾性を有し、前記第１基板と前記第２発光素子との間に設けられた第２絶縁部と、
前記第１絶縁部と前記第１発光素子との間に設けられ、前記駆動回路と電気的に接続され、前記第１絶縁部によって前記第１発光素子に押し当てられる第１導電層と、
前記第２絶縁部と前記第２発光素子との間に設けられ、前記駆動回路と電気的に接続され、前記第２絶縁部によって前記第２発光素子に押し当てられる第２導電層と、
前記第１基板と前記第２基板とを接続する接続部と、
を有する。

【0007】

本発明に係る電子機器の一態様は、
前記表示装置の一態様を有する。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】本実施形態に係る表示装置を模式的に示す平面図。

【図2】本実施形態に係る表示装置の回路基板を模式的に示す平面図。

【図3】本実施形態に係る表示装置の発光素子を駆動させるための等価回路図。

【図4】本実施形態に係る表示装置を模式的に示す断面図。

【図5】本実施形態に係る表示装置を模式的に示す断面図。

【図6】本実施形態に係る表示装置の製造工程を模式的に示す断面図。

【図7】本実施形態の第１変形例に係る表示装置を模式的に示す平面図。

【図8】本実施形態の第１変形例に係る表示装置を模式的に示す断面図。

【図9】本実施形態の第２変形例に係る表示装置を模式的に示す平面図。

【図10】本実施形態の第３変形例に係る表示装置の絶縁部および導電層を模式的に示す斜視図。

【図11】本実施形態に係るヘッドマウントディスプレイを模式的に示す斜視図。

【図12】本実施形態に係るヘッドマウントディスプレイの像形成装置および導光装置を模式的に示す図。

【発明を実施するための形態】

【0009】

以下、本発明の好適な実施形態について、図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に説明する実施形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではない。また、以下で説明される構成の全てが本発明の必須構成要件であるとは限らない。

【0010】

１． 表示装置
１．１． 全体の構成
まず、本実施形態に係る表示装置について、図面を参照しながら説明する。図１は、本実施形態に係る表示装置１００を模式的に示す平面図である。なお、図１では、互いに直交する３軸として、Ｘ軸、Ｙ軸、およびＺ軸を図示している。

【0011】

表示装置１００は、画像を表示する装置である。なお、画像には、文字情報のみのものも含まれる。表示装置１００は、例えば、ヘッドマウントディスプレイなどに好適に用いられるマイクロディスプレイである。

【0012】

表示装置１００は、図１に示すように、画像を表示する表示領域１０２と、Ｚ軸方向からみて表示領域１０２を囲む周辺領域１０４と、を有する。表示領域１０２の平面形状は、例えば、四角形である。

【0013】

表示装置１００は、複数の発光素子７０を有する。発光素子７０は、表示領域１０２に設けられている。図示の例では、複数の発光素子７０の発光層７３は、Ｘ軸方向およびＹ軸方向にマトリックス状に配列されている。発光素子７０は、画素を構成している。画素は、画像の表示における最小単位である。なお、便宜上、図１では、発光素子７０として、発光素子７０の発光層７３を図示している。このことは、後述する図２，７，９において、同様である。

【0014】

表示装置１００は、回路基板２と、素子基板４と、を有している。回路基板２および素子基板４は、Ｚ軸方向に積層されている。Ｚ軸方向からみて、回路基板２および素子基板４は、互いに重なっている。

【0015】

回路基板２は、例えば、データ線駆動回路１１０と、走査線駆動回路１１２と、制御回路１１４と、外部端子１１６と、を有している。データ線駆動回路１１０、走査線駆動回路１１２、制御回路１１４、および外部端子１１６は、周辺領域１０４に設けられている。データ線駆動回路１１０および走査線駆動回路１１２は、発光素子７０の駆動を制御する。制御回路１１４は、画像の表示を制御する。制御回路１１４には、図示しない上位回路から画像データが供給される。制御回路１１４は、当該画像データに基づく各種信号を、データ線駆動回路１１０および走査線駆動回路１１２に供給する。外部端子１１６は、複数設けられている。図示しないが、外部端子１１６には、上位回路と電気的に接続されたＦＰＣ（Flexible printed circuits）基板などが接続されている。回路基板２には、図示しない電源回路が電気的に接続されている。

【0016】

図２は、回路基板２を模式的に示す平面図である。図３は、発光素子７０を駆動させるための等価回路図である。

【0017】

回路基板２は、図２および図３に示すように、発光素子７０を駆動させる駆動回路１１を有している。駆動回路１１は、例えば、走査線１２と、データ線１３と、第１給電線１４と、第２給電線１５と、画素回路１６と、を有している。

【0018】

走査線１２は、走査線駆動回路１１２に接続されている。走査線１２は、例えば、Ｘ軸方向に延びている。走査線１２は、複数設けられている。複数の走査線１２は、例えば、Ｙ軸方向に並んでいる。

【0019】

データ線１３は、データ線駆動回路１１０に接続されている。データ線１３は、例えば、Ｙ軸方向に延びている。データ線１３は、複数設けられている。複数のデータ線１３は、例えば、Ｘ軸方向に並んでいる。

【0020】

第１給電線１４は、図３に示すように、画素回路１６を介して、発光素子７０の第２電極７７と電気的に接続されている。第１給電線１４には、図示しない電源回路から高位側の電源電位Ｖｅｌが供給される。

【0021】

第２給電線１５は、画素回路１６を介して、発光素子７０の第１電極７６と電気的に接続されている。第２給電線１５には、図示しない電源回路から低位側の電源電位Ｖｃｔが供給される。なお、便宜上、図２では、給電線１４，１５の図示を省略している。

【0022】

画素回路１６は、複数の発光素子７０に対応して、複数設けられている。画素回路１６は、例えば、スイッチング用トランジスター１７と、駆動用トランジスター１８と、保持容量１９と、を有している。スイッチング用トランジスター１７のゲートは、走査線１２に電気的に接続されている。スイッチング用トランジスター１７のソースおよびドレインのうちの一方は、データ線１３に電気的に接続され、他方は、駆動用トランジスター１８のゲートに電気的に接続されている。駆動用トランジスター１８のソースおよびドレインのうちの一方は、第１給電線１４に電気的に接続され、他方は、第２電極７７に電気的に接続されている。保持容量１９の一方の電極は、駆動用トランジスター１８のゲートに電気的に接続され、他方の電極は、第１給電線１４に電気的に接続されている。

【0023】

画素回路１６では、走査線駆動回路１１２が走査信号をアクティブにすることで走査線１２が選択されると、選択される発光素子７０に設けられるスイッチング用トランジスター１７がオンする。そうすると、データ線１３からデータ信号が、選択される走査線１２に対応する駆動用トランジスター１８に供給される。駆動用トランジスター１８は、供給されるデータ信号の電位、すなわちゲートおよびソース間の電位差に応じた電流を発光素子７０に供給する。そして、発光素子７０は、駆動用トランジスター１８から供給される電流の大きさに応じた輝度で発光する。走査線駆動回路１１２が走査線１２の選択を解除してスイッチング用トランジスター１７がオフした場合、駆動用トランジスター１８のゲートの電位は、保持容量１９により保持される。そのため、発光素子７０は、スイッチング用トランジスター１７がオフした後も、発光素子７０の発光を維持できる。

【0024】

１．２． 回路基板
図４は、表示装置１００を模式的に示す図１のＩＶ－ＩＶ線断面図である。図５は、図４の一部の拡大図である、回路基板２は、図４および図５に示すように、例えば、第１基板１０と、絶縁層２０，２２，２４と、配線層３０，３２と、金属層３４と、ビア４０，４２，４４と、絶縁部５０，５２と、導電層５４，５６と、を有している。

【0025】

第１基板１０は、シリコン基板上に、上述した駆動回路１１が設けられた基板である。なお、シリコン基板の代わりに、例えば、ガラス基板、樹脂基板、セラミックス基板が用いられてもよい。駆動回路１１が有するトランジスター１７，１８は、例えば、ＭＯＳ（Metal-Oxide-Semiconductor）型トランジスター、薄膜トランジスター、電界効果トランジスターである。駆動回路１１が有する各要素および各種配線の材料としては、例えば、ポリシリコン、金属、金属シリサイドおよび金属化合物などの導電材料が挙げられる。

【0026】

絶縁層２０は、第１基板１０上に設けられている。配線層３０は、絶縁層２０上に設けられている。ビア４０は、絶縁層２０に形成されたコンタクトホールに設けられている。ビア４０は、駆動回路１１と配線層３０とを接続している。

【0027】

絶縁層２２は、絶縁層２０上に設けられている。配線層３２は、絶縁層２２上に設けられている。ビア４２は、絶縁層２２に形成されたコンタクトホールに設けられている。ビア４２は、配線層３０と配線層３２とを接続している。

【0028】

絶縁層２４は、絶縁層２２上に設けられている。ビア４４は、絶縁層２２に形成されたコンタクトホールに設けられている。ビア４４は、配線層３２と導電層５４とを接続している。絶縁層２０，２２，２４は、例えば、酸化シリコン層、窒化シリコン層である。配線層３０，３２の材質は、例えば、銅、アルミニウムである。ビア４０，４２，４４の材質は、例えば、タングステン、チタン、窒化チタンである。

【0029】

金属層３４は、絶縁層２２上に設けられている。金属層３４には、開口部３６が形成されている。開口部３６は、金属層３４を貫通している。配線層３２は、開口部３６に設けられている。金属層３４は、配線層３２と離隔している。金属層３４は、配線層３２と電気的に絶縁されている。

【0030】

金属層３４は、駆動回路１１と発光素子７０との間に設けられている。金属層３４は、駆動回路１１と、発光素子７０の発光層７３と、の間に設けられている。金属層３４は、発光素子７０で発生された光に対して、遮光性を有している。金属層３４には、一定の電位が印加されている。金属層３４は、グランド電位を有していてもよい。金属層３４の材質は、例えば、銅、アルミニウムである。

【0031】

金属層３４は、複数の発光素子７０に対応して、複数設けられている。複数の金属層３４のうちの第１金属層３４ａは、複数の発光素子７０のうちの第１発光素子７０ａと、駆動回路１１と、の間に設けられている。図１に示すように、複数の金属層３４のうちの第２金属層３４ｂは、複数の発光素子７０のうちの第２発光素子７０ｂと、駆動回路１１と、の間に設けられている。第１発光素子７０ａおよび第２発光素子７０ｂは、例えば、Ｙ軸方向において隣り合う発光素子７０である。図示の例では、第１金属層３４ａと第２金属層３４ｂは、連続している。Ｘ軸方向に隣り合う金属層３４は、互いに離隔している。なお、図１では、金属層３４の外縁を図示している。

【0032】

絶縁部５０は、図４および図５に示すように、絶縁層２４上に設けられている。絶縁部５０は、第１基板１０と発光素子７０との間に設けられている。絶縁部５０は、第１基板１０と、発光素子７０の第２電極７７と、の間に設けられている。絶縁部５０の上面は、例えば、凸状である。絶縁部５０の厚さは、例えば、１μｍである。絶縁部５０のＸ軸方向の大きさは、例えば、３μｍである。

【0033】

絶縁部５０は、弾性を有している。絶縁部５０は、導電層５４を発光素子７０の第２電極７７に押し当てる。絶縁部５０は、導電層５４を第２電極７７に向けて付勢する。絶縁
部５０は、例えば、発光素子７０で発生した光に対して遮光性を有するブラックマトリックスである。絶縁部５０の材質は、例えば、ポリイミド、変性ポリイミド、アクリル樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂などの樹脂に、炭素が添加されたものである。炭素の添加により、絶縁部５０は、遮光性を有することができる。絶縁部５０の材質は、感光性樹脂であってもよい。

【0034】

絶縁部５０は、複数の発光素子７０に対応して、複数設けられている。複数の絶縁部５０のうちの第１絶縁部５０ａは、第１基板１０と第１発光素子７０ａとの間に設けられている。図１に示すように、複数の絶縁部５０のうちの第２絶縁部５０ｂは、第１基板１０と第２発光素子７０ｂとの間に設けられている。図示の例では、第１絶縁部５０ａと第２絶縁部５０ｂは、連続している。Ｘ軸方向に隣り合う絶縁部５０は、互いに離隔している。なお、図示はしないが、複数の絶縁部５０は、互いに離隔していてもよい。

【0035】

絶縁部５２は、図４に示すように、絶縁層２４上に設けられている。絶縁部５２は、第１基板１０と、発光素子７０の第１電極７６と、の間に設けられている。絶縁部５２の上面は、例えば、凸状である。絶縁部５２は、弾性を有している。絶縁部５２は、導電層５６を第１電極７６に押し当てる。絶縁部５２は、導電層５６を第１電極７６に向けて付勢する。絶縁部５２の材質は、絶縁部５０の材質と同じである。

【0036】

導電層５４は、絶縁層２４、ビア４４、および絶縁部５０上に設けられている。導電層５４は、絶縁部５０と発光素子７０との間に設けられている。導電層５４は、絶縁部５０と、発光素子７０の第２電極７７と、の間に設けられている。導電層５４は、第２電極７７と接している。導電層５４は、絶縁部５０によって第２電極７７に押し当てられている。導電層５４は、第２電極７７とビア４４とを接続している。導電層５４の平面形状は、例えば、長方形である。導電層５４のＸ軸方向の大きさは、例えば、５μｍである。導電層５４のＹ軸方向の大きさは、例えば、２μｍである。

【0037】

導電層５４は、ビア４０，４２，４４、および配線層３０，３２を介して、駆動回路１１と電気的に接続されている。導電層５４の材質は、例えば、Ａｕ、Ａｇ、ＴｉＷ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｗ、ＮｉＣｒ、鉛フリーはんだである。導電層５４は、絶縁部５０側から、ＴｉＷ層、Ａｕ層の順序で積層されたものなどを用いる。ＴｉＷ層の厚さは、例えば、５０ｎｍである。Ａｕ層の厚さは、例えば、１００ｎｍである。導電層５４および絶縁部５０は、樹脂コアバンプを構成している。

【0038】

導電層５４は、複数の発光素子７０に対応して、複数設けられている。複数の導電層５４は、互いに離隔している。複数の導電層５４のうちの第１導電層５４ａは、第１絶縁部５０ａと、第１発光素子７０ａの第２電極７７と、の間に設けられている。第１導電層５４ａは、第１絶縁部５０ａによって、第１発光素子７０ａの第２電極７７に押し当てられている。図１に示すように、複数の導電層５４のうちの第２導電層５４ｂは、第２絶縁部５０ｂと、第２発光素子７０ｂの第２電極７７と、の間に設けられている。第２導電層５４ｂは、第２絶縁部５０ｂによって、第２発光素子７０ｂの第２電極７７に押し当てられている。

【0039】

導電層５６は、図４に示すように、絶縁層２４上および絶縁部５２上に設けられている。導電層５６は、絶縁部５２と、発光素子７０の第１電極７６と、の間に設けられている。導電層５６は、第１電極７６と接している。導電層５６は、絶縁部５２によって第１電極７６に押し当てられている。導電層５６は、図示せぬ配線を介して、駆動回路１１と電気的に接続されている導電層５６の材質は、導電層５４の材質と同じである。導電層５６および絶縁部５２は、樹脂コアバンプを構成している。

【0040】

１．３． 素子基板
素子基板４は、接着層６を介して、回路基板２に接合されている。素子基板４は、図４および図５に示すように、例えば、第２基板６０と、発光素子７０と、被覆層８０と、接続部９０と、を有している。

【0041】

第２基板６０は、第１基板１０と対向配置されている。図示の例では、第２基板６０の下面は、第１基板１０の上面と平行である。第２基板６０は、発光素子７０で発生した光を透過させる。第２基板６０は、例えば、シリコン基板、ＧａＮ基板、サファイア基板、ＳｉＣ基板などである。

【0042】

発光素子７０は、第２基板６０の下に設けられている。発光素子７０は、第１基板１０と第２基板６０との間に設けられている。発光素子７０は、複数設けられている。発光素子７０は、例えば、ＬＥＤである。

【0043】

発光素子７０は、例えば、バッファー層７１と、第１半導体層７２と、発光層７３と、第２半導体層７４と、第１電極７６と、第２電極７７と、を有している。

【0044】

バッファー層７１は、第２基板６０の下に設けられている。バッファー層７１は、第２基板６０と第１半導体層７２との間に設けられている。バッファー層７１は、例えば、複数の発光素子７０において、共通の層である。隣り合う発光素子７０において、バッファー層７１は、互いに連続している。バッファー層７１は、第１導電型を有している。バッファー層７１は、例えば、Ｓｉがドープされたｎ型のＧａＮ層である。

【0045】

第１半導体層７２は、バッファー層７１の下に設けられている。第１半導体層７２は、バッファー層７１と発光層７３の間に設けられている。第１半導体層７２は、バッファー層７１と一体に設けられていてもよい。第１半導体層７２は、第１導電型を有している。第１半導体層７２は、例えば、Ｓｉがドープされたｎ型のＧａＮ層である。第１半導体層７２、発光層７３、および第２半導体層７４は、例えば、ＩＩＩ族窒化物半導体であり、ウルツ鉱型結晶構造を有している。

【0046】

第１半導体層７２、発光層７３、および第２半導体層７４は、複数の発光素子７０において、個別に設けられている。隣り合う発光素子７０において、第１半導体層７２は、互いに離隔し、発光層７３は、互いに離隔し、第２半導体層７４は、互いに離隔している。第１半導体層７２、発光層７３、および第２半導体層７４は、バッファー層７１から下方に突出した柱状部７５を構成している。柱状部７５のＸ軸方向の大きさは、例えば、３μｍである。柱状部７５のＹ軸方向の大きさは、例えば、３μｍである。

【0047】

発光層７３は、第１半導体層７２の下に設けられている。発光層７３は、第１半導体層７２と第２半導体層７４との間に設けられている。発光層７３は、不純物が意図的にドープされていないｉ型の導電型を有している。発光層７３は、電流が注入されることで光を発生させる。発光層７３は、例えば、ウェル層と、バリア層と、を有している。ウェル層およびバリア層は、ｉ型の半導体層である。ウェル層は、例えば、ＩｎＧａＮ層である。バリア層は、例えば、ＧａＮ層である。発光層７３は、ウェル層とバリア層とから構成されたＭＱＷ（Multiple Quantum Well）構造を有している。

【0048】

なお、発光層７３を構成するウェル層およびバリア層の数は、特に限定されない。例えば、ウェル層は、１層だけ設けられていてもよく、この場合、発光層７３は、ＳＱＷ（Single Quantum Well）構造を有している。

【0049】

第２半導体層７４は、発光層７３の下に設けられている。第２半導体層７４は、発光層
７３と第２電極７７との間に設けられている。第２半導体層７４は、第１導電型と異なる第２導電型を有している。第２半導体層７４は、例えば、Ｍｇがドープされたｐ型のＧａＮ層である。

【0050】

発光素子７０は、ｐ型の第２半導体層７４、ｉ型の発光層７３、およびｎ型の第１半導体層７２により、ｐｉｎダイオードが構成される。発光素子７０では、第１電極７６と第２電極７７との間に、ｐｉｎダイオードの順バイアス電圧を印加すると、発光層７３に電流が注入されて発光層７３において電子と正孔との再結合が起こる。この再結合により、発光層７３は、光を発生させる。複数の発光素子７０は、同じ色の色光を発生させてもよいし、異なる色の色光を発生させてもよい。複数の発光素子７０は、赤色光、緑色光、および青色光を発生させてもよい。これにより、表示装置１００は、フルカラー表示が可能となる。

【0051】

第１電極７６は、バッファー層７１の下に設けられている。第１電極７６は、バッファー層７１と導電層５６との間に設けられている。バッファー層７１は、第１電極７６とオーミックコンタクトしていてもよい。第１電極７６は、例えば、導電層５６と接合されている。第１電極７６は、バッファー層７１を介して、第１半導体層７２と電気的に接続されている。第１電極７６は、導電層５６および図示せぬ配線を介して、駆動回路１１と電気的に接続されている。第１電極７６は、例えば、複数の発光素子７０において、共通の電極である。

【0052】

第１電極７６としては、例えば、バッファー層７１側から、Ｃｒ層、Ｎｉ層、Ａｕ層の順序で積層されたものなどを用いる。第１電極７６は、グランド電位を有していてもよい。第１電極７６は、発光層７３に電流を注入するための一方の電極である。

【0053】

第２電極７７は、第２半導体層７４の下に設けられている。第２電極７７は、第２半導体層７４と導電層５４との間に設けられている。第２半導体層７４は、第２電極７７とオーミックコンタクトしていてもよい。第２電極７７は、例えば、導電層５４と接合されている。第２電極７７は、導電層５４、ビア４０，４２，４４、および配線層３０，３２を介して、駆動回路１１と電気的に接続されている。第２電極７７は、例えば、複数の発光素子７０において、個別に設けられている。隣り合う発光素子７０において、第２電極７７は、互いに離隔している。第２電極７７は、発光素子７０で発生した光を、第２基板６０に向けて反射させる。これにより、表示装置１００は、第２基板６０側から光を出射できる。

【0054】

第２電極７７としては、例えば、第２半導体層７４側から、Ｎｉ層、Ａｕ層の順序で積層されたものなどを用いる。第２電極７７は、発光層７３に電流を注入するための他方の電極である。

【0055】

被覆層８０は、バッファー層７１の下面、柱状部７５の側面、第２電極７７の側面、および第２電極７７の下面に設けられている。被覆層８０は、発光素子７０を被覆している。被覆層８０は、発光素子７０を保護している。被覆層８０は、例えば、酸化シリコン層、窒化シリコン層である。

【0056】

接続部９０は、第１基板１０と第２基板６０との間に設けられている。接続部９０は、第１基板１０と第２基板６０とを接続している。接続部９０は、接着層６を介して、第１基板１０に接合されている。接続部９０は、図１に示すように、Ｚ軸方向からみて、複数の発光素子７０を囲んでいる。接続部９０の平面形状は、複数の発光素子７０を囲む枠状である。接続部９０の材質は、例えば、Ａｌなどの金属である。接続部９０には、例えば、一定の電位が印加されている。接続部９０は、グランド電位を有していてもよい。

【0057】

なお、上記では、ＩｎＧａＮ系の発光層７３について説明したが、発光層７３としては、出射される光の波長に応じて、電流が注入されることで発光可能な様々な材料系を用いることができる。例えば、ＡｌＧａＮ系、ＡｌＧａＡｓ系、ＩｎＧａＡｓ系、ＩｎＧａＡｓＰ系、ＩｎＰ系、ＧａＰ系、ＡｌＧａＰ系などの半導体材料を用いることができる。

【0058】

また、上記では、第１導電型をｎ型とし、第２導電型をｐ型として説明したが、第１導電型がｐ型であり、第２導電型がｎ型であってもよい。

【0059】

また、図示はしないが、発光素子７０の柱状部７５は、複数のナノ構造体を有していてもよい。

【0060】

１．４． 作用効果
表示装置１００では、第１基板１０と、第１基板１０に対向配置された第２基板６０と、第１基板１０と第２基板６０との間に設けられた第１発光素子７０ａおよび第２発光素子７０ｂと、第１基板１０に設けられ、第１発光素子７０ａおよび第２発光素子７０ｂを駆動させる駆動回路１１と、を有する。さらに、表示装置１００は、弾性を有し、第１基板１０と第１発光素子７０ａとの間に設けられた第１絶縁部５０ａと、弾性を有し、第１基板１０と第２発光素子７０ｂとの間に設けられた第２絶縁部５０ｂと、を有する。さらに、表示装置１００は、第１絶縁部５０ａと第１発光素子７０ａとの間に設けられ、駆動回路１１と電気的に接続され、第１絶縁部５０ａによって第１発光素子７０ａに押し当てられる第１導電層５４ａと、第２絶縁部５０ｂと第２発光素子７０ｂとの間に設けられ、駆動回路１１と電気的に接続され、第２絶縁部５０ｂによって第２発光素子７０ｂに押し当てられる第２導電層５４ｂと、を有する。さらに、表示装置１００は、第１基板１０と第２基板６０とを接続する接続部９０を有する。

【0061】

そのため、表示装置１００では、発光素子７０ａ，７０ｂの高さがばらついたとしても、絶縁部５０ａ，５０ｂが変形することにより、第１導電層５４ａと第１発光素子７０ａの接触、および第２導電層５４ｂと第２発光素子７０ｂとの接触を維持することができる。したがって、駆動回路１１と発光素子７０ａ，７０ｂとの電気的な接続に不良が生じる可能性を小さくすることができる。よって、駆動回路１１と発光素子７０ａ，７０ｂとの電気的接続の信頼性を向上できる。

【0062】

例えば、発光素子７０ａ，７０ｂの熱によって第２基板６０に反りが生じ、発光素子７０ａ，７０ｂの高さがばらつく場合がある。具体的には、Ｚ軸方向における発光素子７０ａ，７０ｂの第２電極７７の位置がばらつく場合がある。このよう場合であっても、表示装置１００では、絶縁部５０ａ，５０ｂが変形することにより、駆動回路１１と発光素子７０ａ，７０ｂとの電気的な接続に不良が生じる可能性を小さくすることができる。

【0063】

表示装置１００では、接続部９０には、一定の電位が印加される。そのため、表示装置１００では、発光素子７０ａ，７０ｂに入射する電磁波ノイズを低減できる。

【0064】

表示装置１００では、接続部９０は、第１発光素子７０ａおよび第２発光素子７０ｂを囲む。そのため、表示装置１００では、発光素子７０ａ，７０ｂに入射する電磁波ノイズを、より低減できる。

【0065】

表示装置１００では、第１絶縁部５０ａと第２絶縁部５０ｂとは、連続している。そのため、表示装置１００では、第１絶縁部５０ａと第２絶縁部５０ｂとが分離している場合に比べて、コンパクト化を図ることができる。具体的には、表示装置１００のＹ軸方向の大きさを小さくできる。さらに、第１絶縁部５０ａと第２絶縁部５０ｂが連続してなる絶
縁部は、Ｚ軸方向からみて、例えば、データ線１３に沿って、データ線１３と重なっている。そのため、例えば第１絶縁部５０ａと第２絶縁部５０ｂが分離している場合に比べて、データ線１３に加えられる応力の均一性を高めることができる。

【0066】

表示装置１００では、第１絶縁部５０ａおよび第２絶縁部５０ｂは、遮光性を有する。そのため、表示装置１００では、発光素子７０ａ，７０ｂで発生した光が駆動回路１１に入射することを抑制できる。これにより、駆動回路１１の誤作動を抑制できる。

【0067】

表示装置１００では、第１発光素子７０ａと駆動回路１１との間に設けられた遮光性を有する第１金属層３４ａと、第２発光素子７０ｂと駆動回路１１との間に設けられた遮光性を有する第２金属層３４ｂと、を有する。そのため、表示装置１００では、発光素子７０ａ，７０ｂで発生した光が駆動回路１１に入射することを抑制できる。これにより、駆動回路１１の誤作動を抑制できる。

【0068】

表示装置１００では、第１金属層３４ａおよび第２金属層３４ｂには、一定の電位が印加される。そのため、表示装置１００では、駆動回路１１に入射する電磁波ノイズを低減できる。

【0069】

２． 表示装置の製造方法
次に、本実施形態に係る表示装置１００の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図６は、本実施形態に係る表示装置１００の製造工程を模式的に示す断面図である。

【0070】

図６に示すように、第２基板６０上に、バッファー層７１をエピタキシャル成長させる。エピタキシャル成長させる方法としては、例えば、ＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition）法、ＭＢＥ（Molecular Beam Epitaxy）法などが挙げられる。

【0071】

次に、バッファー層７１上に、図示しないマスク層を形成する。マスク層は、例えば、電子ビーム蒸着法やスパッタ法などによって形成される。

【0072】

次に、マスク層をマスクとして、バッファー層７１上に、第１半導体層７２、発光層７３、および第２半導体層７４を、この順でエピタキシャル成長させる。エピタキシャル成長させる方法としては、例えば、ＭＯＣＶＤ法、ＭＢＥ法などが挙げられる。次に、例えば、図示せぬマスク層を除去する。なお、マスク層は、除去せずに残したままであってもよい。本工程により、柱状部７５が形成される。

【0073】

なお、柱状部７５は、マスク層を用いずにバッファー層７１に続いて第１半導体層７２、発光層７３、および第２半導体層７４をエピタキシャル成長させ、成長された半導体層７２，７４および発光層７３をパターニングすることによって形成されてもよい。パターニングは、例えば、フォトリソグラフィーおよびエッチングによって行われる。

【0074】

次に、第２半導体層７４上に、第２電極７７を形成する。第２電極７７は、例えば、スパッタ法、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法、真空蒸着法によって形成される。

【0075】

次に、バッファー層７１上および第２電極７７上に、被覆層８０を形成する。被覆層８０は、例えば、ＣＶＤ法によって形成される。次に、被覆層８０を所定の形状にパターニングする。パターニングは、例えば、フォトリソグラフィーおよびエッチングによって行われる。

【0076】

次に、バッファー層７１上に、第１電極７６を形成する。第１電極７６は、例えば、ス
パッタ法、ＣＶＤ法、真空蒸着法によって形成される。なお、第１電極７６を形成する工程と、第２電極７７を形成する工程と、の順番は、特に限定されない。

【0077】

以上の工程により、複数の発光素子７０が形成される。

【0078】

次に、第２基板６０上に、接続部９０を形成する。接続部９０は、例えば、めっき法、スパッタ法によって形成される。なお、発光素子７０を形成する前に、接続部９０を形成してもよい。

【0079】

以上の工程により、素子基板４が形成される。

【0080】

図４に示すように、素子基板４を回路基板２にジャンクションダウン実装する。接続部９０は、接着層６によって、第１基板１０に接合される。第１電極７６は、導電層５６に接合される。第２電極７７は、導電層５４に接合される。なお、回路基板２は、半導体製造プロセスを用いて製造される。

【0081】

以上の工程により、表示装置１００を製造できる。

【0082】

３． 表示装置の変形例
３．１． 第１変形例
次に、本実施形態の第１変形例に係る表示装置について、図面を参照しながら説明する。図７は、本実施形態の第１変形例に係る表示装置２００を模式的に示す平面図である。図８は、本実施形態の第１変形例に係る表示装置２００を模式的に示す図７のＶＩＩＩ－ＶＩＩＩ線断面図である。

【0083】

以下、本実施形態の第１変形例に係る表示装置２００において、上述した本実施形態に係る表示装置１００の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。このことは、後述する本実施形態の第２，第３変形例に係る表示装置おいて、同様である。

【0084】

表示装置２００は、図７および図８に示すように、スペーサー部材９２を有する点において、上述した表示装置１００と異なる。

【0085】

スペーサー部材９２は、図８に示すように、第１基板１０と第２基板６０との間に設けられている。スペーサー部材９２は、第１基板１０および第２基板６０に接している。スペーサー部材９２は、図７に示すように、Ｚ軸方向からみて、複数の発光素子７０を囲んでいる。スペーサー部材９２の平面形状は、複数の発光素子７０を囲む枠状である。スペーサー部材９２は、接続部９０の内側に設けられている。

【0086】

スペーサー部材９２の材質は、例えば、Ａｌなどの金属である。スペーサー部材９２には、例えば、一定の電位が印加されている。これにより、発光素子７０ａ，７０ｂに入射する電磁波ノイズを低減できる。スペーサー部材９２は、グランド電位を有していてもよい。なお、図示はしないが、スペーサー部材９２は、接続部９０の外側に設けられていてもよい。

【0087】

表示装置２００では、第１基板１０と第２基板６０との間に設けられ、第１基板１０および第２基板６０に接するスペーサー部材９２を有し、スペーサー部材９２は、第１発光素子７０ａおよび第２発光素子７０ｂを囲み、接続部９０は、接着層６を介して、第１基板１０に接合されている。そのため、表示装置２００では、スペーサー部材９２によって、第１基板１０と第２基板６０との平行度を高めることができる。スペーサー部材９２は
、接着層によって基板１０，６０に接合されていてないため、第１基板１０と第２基板６０との平行度を高め易い。

【0088】

３．２． 第２変形例
次に、本実施形態の第２変形例に係る表示装置について、図面を参照しながら説明する。図９は、本実施形態の第２変形例に係る表示装置３００を模式的に示す平面図である。

【0089】

上述した表示装置１００では、図１に示すように、Ｘ軸方向において隣り合う金属層３４は、互いに離隔していた。

【0090】

これに対し、表示装置３００は、図９に示すように、Ｘ軸方向において隣り合う金属層３４は、互いに連続している。複数の金属層３４は、共通の金属層３４を構成している。そのため、表示装置３００では、駆動回路１１に入射する光を、より低減できる。

【0091】

３．３． 第３変形例
次に、本実施形態の第３変形例に係る表示装置について、図面を参照しながら説明する。図１０は、本実施形態の第３変形例に係る表示装置４００の絶縁部５０および導電層５４を模式的に示す斜視図である。

【0092】

上述した表示装置１００では、図１に示すように、導電層５４の平面形状は、長方形であった。

【0093】

これに対し、表示装置４００では、図１０に示すように、導電層５４には、切り欠き５５が形成されている。

【0094】

切り欠き５５は、Ｚ軸方向からみて、絶縁部５０の外縁と重なる位置に形成されている。図示の例では、切り欠き５５は、１つの導電層５４において、４つ形成されている。切り欠き５５によって、導電層５４の第１部分４５４と第２部分４５６と、の間で生じる応力を、緩和できる。第１部分４５４は、絶縁部５０上に設けられ、絶縁部５０とともに弾性変形する部分である。第２部分４５６は、絶縁層２４上に設けられた部分である。第２部分４５６は、２つ設けられている。Ｚ軸方向からみて、第１部分４５４は、２つの第２部分４５６に挟まれている。切り欠き５５によって、導電層５４にクラックが発生することを抑制できる。

【0095】

切り欠き５５は、Ｚ軸方向からみて、金属層３４と重なっている。そのため、切り欠き５５を通過した光が駆動回路１１に入射する可能性を小さくすることができる。これにより、駆動回路１１の誤作動を抑制できる。

【0096】

４． 電子機器
４．１． 全体の構成
次に、本実施形態に係る電子機器としてのヘッドマウントディスプレイについて、図面を参照しながら説明する。図１１は、本実施形態に係るヘッドマウントディスプレイ９００を模式的に示す斜視図である。

【0097】

ヘッドマウントディスプレイ９００は、図１１に示すように、眼鏡のような外見を有する頭部装着型のディスプレイである。ヘッドマウントディスプレイ９００は、観察者の頭部に装着される。観察者とは、ヘッドマウントディスプレイ９００を使用する使用者のことである。ヘッドマウントディスプレイ９００は、観察者に対して虚像による映像光を視認させることができるとともに、外界像をシースルーで視認させることができる。

【0098】

ヘッドマウントディスプレイ９００は、例えば、第１表示部９１０ａと、第２表示部９１０ｂと、フレーム９２０と、第１テンプル９３０ａと、第２テンプル９３０ｂと、を有している。

【0099】

第１表示部９１０ａおよび第２表示部９１０ｂは、画像を表示する。具体的には、第１表示部９１０ａは、観察者の右眼用の虚像を表示する。第２表示部９１０ｂは、観察者の左眼用の虚像を表示する。表示部９１０ａ，９１０ｂは、例えば、像形成装置９１１と、導光装置９１５と、を有している。

【0100】

像形成装置９１１は、画像光を形成する。像形成装置９１１は、例えば、光源や投射装置などの光学系と、外部部材９１２と、を有している。外部部材９１２は、光源および投射装置を収容している。

【0101】

導光装置９１５は、観察者の眼前を覆う。導光装置９１５は、像形成装置９１１で形成された映像光を導光させるとともに、外界光と映像光とを重複して観察者に視認させる。なお、像形成装置９１１および導光装置９１５の詳細については、後述する。

【0102】

フレーム９２０は、第１表示部９１０ａおよび第２表示部９１０ｂを支持している。フレーム９２０は、例えば、表示部９１０ａ，９１０ｂを囲んでいる。図示の例では、第１表示部９１０ａの像形成装置９１１は、フレーム９２０の一方の端部に取り付けられている。第２表示部９１０ｂの像形成装置９１１は、フレーム９２０の他方の端部に取り付けられている。

【0103】

第１テンプル９３０ａおよび第２テンプル９３０ｂは、フレーム９２０から延在している。図示の例では、第１テンプル９３０ａは、フレーム９２０の一方の端部から延在している。第２テンプル９３０ｂは、フレーム９２０の他方の端部から延在している。

【0104】

第１テンプル９３０ａおよび第２テンプル９３０ｂは、ヘッドマウントディスプレイ９００が観察者に装着された場合に、観察者の耳に懸架される。テンプル９３０ａ，９３０ｂ間に、観察者の頭部が位置する。

【0105】

４．２． 像形成装置および導光装置
図１２は、ヘッドマウントディスプレイ９００の第１表示部９１０ａの像形成装置９１１および導光装置９１５を模式的に示す図である。なお、第１表示部９１０ａと第２表示部９１０ｂとは、基本的に同じ構成を有している。したがって、以下の第１表示部９１０ａの説明は、第２表示部９１０ｂに適用できる。

【0106】

像形成装置９１１は、図１２に示すように、例えば、光源としての表示装置１００と、結像用の投射装置９１４と、を有している。

【0107】

投射装置９１４は、表示装置１００から出射された映像光を、導光装置９１５に向けて投射する。投射装置９１４は、例えば、投射レンズである。投射装置９１４を構成するレンズとして、軸対称面をレンズ面とするものを用いてもよい。

【0108】

導光装置９１５は、例えば、投射装置９１４の鏡筒にねじ止めされることにより、投射装置９１４に対して精度よく位置決めされている。導光装置９１５は、例えば、映像光を導光する映像光導光部材９１６と、透視用の透視部材９１８と、を有している。

【0109】

映像光導光部材９１６には、投射装置９１４から出射された映像光が入射する。映像光導光部材９１６は、映像光を、観察者の眼に向けて導光するプリズムである。映像光導光
部材９１６に入射した映像光は、映像光導光部材９１６の内面において反射を繰り返した後、反射層９１７で反射されて映像光導光部材９１６から出射される。映像光導光部材９１６から出射された映像光は、観察者の眼に至る。反射層９１７は、例えば、金属や、誘電体多層膜で構成されている。反射層９１７は、ハーフミラーであってもよい。

【0110】

透視部材９１８は、映像光導光部材９１６に隣接している。透視部材９１８は、映像光導光部材９１６に固定されている。透視部材９１８の外表面は、例えば、映像光導光部材９１６の外表面と連続している。透視部材９１８は、観察者に、外界光を透視させる。映像光導光部材９１６についても、映像光を導光する機能の他に、観察者に外界光を透視させる機能を有している。なお、ヘッドマウントディスプレイ９００は、観察者に、外界光を透視させない構成であってもよい。

【0111】

本実施形態に係る電子機器は、上述した表示装置を有すれば、ヘッドマウントディスプレイに限定されない。本実施形態に係る電子機器は、ＥＶＦ（Electronic View Finder）、プロジェクター、スマートウォッチなどのウェアラブルディスプレイ、車載用のヘッドアップディスプレイであってもよい。

【0112】

上述した実施形態および変形例は一例であって、これらに限定されるわけではない。例えば、各実施形態および各変形例を適宜組み合わせることも可能である。

【0113】

本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成、例えば、機能、方法および結果が同一の構成、あるいは目的および効果が同一の構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成または同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。

【0114】

上述した実施形態および変形例から以下の内容が導き出される。

【0115】

表示装置の一態様は、
第１基板と、
前記第１基板に対向配置された第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に設けられた第１発光素子および第２発光素子と、
前記第１基板に設けられ、前記第１発光素子および前記第２発光素子を駆動させる駆動回路と、
弾性を有し、前記第１基板と前記第１発光素子との間に設けられた第１絶縁部と、
弾性を有し、前記第１基板と前記第２発光素子との間に設けられた第２絶縁部と、
前記第１絶縁部と前記第１発光素子との間に設けられ、前記駆動回路と電気的に接続され、前記第１絶縁部によって前記第１発光素子に押し当てられる第１導電層と、
前記第２絶縁部と前記第２発光素子との間に設けられ、前記駆動回路と電気的に接続され、前記第２絶縁部によって前記第２発光素子に押し当てられる第２導電層と、
前記第１基板と前記第２基板とを接続する接続部と、
を有する。

【0116】

この表示装置によれば、駆動回路と第１発光素子との電気的な接続、および駆動回路と第２発光素子との電気的な接続に不良が生じる可能性を小さくすることができる。

【0117】

前記表示装置の一態様において、
前記接続部には、一定の電位が印加されてもよい。

【0118】

この表示装置によれば、第１発光素子および第２発光素子に入射する電磁波ノイズを低減できる。

【0119】

前記表示装置の一態様において、
前記接続部は、前記第１発光素子および前記第２発光素子を囲んでもよい。

【0120】

この表示装置によれば、第１発光素子および第２発光素子に入射する電磁波ノイズを、より低減できる。

【0121】

前記表示装置の一態様において、
前記第１絶縁部と前記第２絶縁部とは、連続していてもよい。

【0122】

この表示装置によれば、コンパクト化を図ることができる。

【0123】

前記表示装置の一態様において、
前記第１絶縁部および前記第２絶縁部は、遮光性を有してもよい。

【0124】

この表示装置によれば、第１発光素子および第２発光素子で発生した光が駆動回路に入射することを抑制できる。

【0125】

前記表示装置の一態様において、
前記第１発光素子と前記駆動回路との間に設けられた遮光性を有する第１金属層と、
前記第２発光素子と前記駆動回路との間に設けられた遮光性を有する第２金属層と、
を有してもよい。

【0126】

この表示装置によれば、第１発光素子および第２発光素子で発生した光が駆動回路に入射することを抑制できる。

【0127】

前記表示装置の一態様において、
前記第１金属層および前記第２金属層には、一定の電位が印加されてもよい。

【0128】

この表示装置によれば、駆動回路に入射する電磁波ノイズを低減できる。

【0129】

前記表示装置の一態様において、
前記第１基板と前記第２基板との間に設けられ、前記第１基板および前記第２基板に接するスペーサー部材を有し、
前記スペーサー部材は、前記第１発光素子および前記第２発光素子を囲み、
前記接続部は、接着層を介して、前記第１基板に接合されていてもよい。

【0130】

この表示装置によれば、スペーサー部材によって、第１基板と第２基板との平行度を高めることができる。

【0131】

電子機器の一態様は、
前記表示装置の一態様を有する。

【符号の説明】

【0132】

２…回路基板、４…素子基板、６…接着層、１０…第１基板、１１…駆動回路、１２…走査線、１３…データ線、１４…第１給電線、１５…第２給電線、１６…画素回路、１７…スイッチング用トランジスター、１８…駆動用トランジスター、１９…保持容量、２０，２２，２４…絶縁層、３０，３２…配線層、３４…金属層、３４ａ…第１金属層、３４ｂ
…第２金属層、３６…開口部、４０，４２，４４…ビア、５０…絶縁部、５０ａ…第１絶縁部、５０ｂ…第２絶縁部、５２…絶縁部、５４…導電層、５４ａ…第１導電層、５４ｂ…第２導電層、５５…切り欠き、５６…導電層、６０…第２基板、７０…発光素子、７０ａ…第１発光素子、７０ｂ…第２発光素子、７１…バッファー層、７２…第１半導体層、７３…発光層、７４…第２半導体層、７５…柱状部、７６…第１電極、７７…第２電極、８０…被覆層、９０…接続部、９２…スペーサー部材、１００…表示装置、１０２…表示領域、１０４…周辺領域、１１０…データ線駆動回路、１１２…走査線駆動回路、１１４…制御回路、１１６…外部端子、２００，３００，４００…表示装置、４５４…第１部分、４５６…第２部分、９００…ヘッドマウントディスプレイ、９１０ａ…第１表示部、９１０ｂ…第２表示部、９１１…像形成装置、９１２…外部部材、９１４…投射装置、９１５…導光装置、９１６…映像光導光部材、９１７…反射層、９１８…透視部材、９２０…フレーム、９３０ａ…第１テンプル、９３０ｂ…第２テンプル

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】