特開 2024-128971 リードフレーム及びその製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024128971

(43)【公開日】2024-09-24

(54)【発明の名称】リードフレーム及びその製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 23/50 20060101AFI20240913BHJP

【ＦＩ】

H01L23/50 Y

【審査請求】未請求

【請求項の数】24

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2024036164

(22)【出願日】2024-03-08

(31)【優先権主張番号】P 2023037842

(32)【優先日】2023-03-10

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

(31)【優先権主張番号】P 2023099574

(32)【優先日】2023-06-16

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

(31)【優先権主張番号】P 2023099609

(32)【優先日】2023-06-16

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

(71)【出願人】

【識別番号】000002897

【氏名又は名称】大日本印刷株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100120031

【弁理士】

【氏名又は名称】宮嶋 学

(74)【代理人】

【識別番号】100127465

【弁理士】

【氏名又は名称】堀田 幸裕

(74)【代理人】

【識別番号】100141830

【弁理士】

【氏名又は名称】村田 卓久

(72)【発明者】

【氏名】今井 啓吾

(72)【発明者】

【氏名】永田 昌博

(72)【発明者】

【氏名】中澤 進

(72)【発明者】

【氏名】山本 恭司

(72)【発明者】

【氏名】高橋 直大

【テーマコード（参考）】

5F067

【Ｆターム（参考）】

5F067AA04

5F067AB04

5F067BC12

5F067BD05

5F067BE02

5F067CC02

5F067CC05

5F067CC07

5F067DA17

5F067DA18

5F067DE01

5F067DF01

5F067EA02

5F067EA04

(57)【要約】

【課題】半導体装置と配線基板とのはんだ実装性を向上させることが可能な、リードフレーム及びその製造方法を提供する。
【解決手段】リードフレーム１０は、ダイパッド１１と、ダイパッド１１の周囲に配置されたリード部１２と、ダイパッド１１とリード部１２の周囲であって、リードフレーム１０の裏面側に配置された裏面側樹脂１８と、を備える。リード部１２は、インナーリード５１と、外部端子面１７を有する端子部５３とを有し、インナーリード５１は、裏面側から薄肉化され、インナーリード５１の裏面５１ｂは、裏面側樹脂１８に密着する。リード部１２のうち端子部５３よりも外側の領域に、裏面側樹脂１８が充填されていない凹部１９が形成され、凹部１９の深さｄ１は、裏面側樹脂１８の厚みＴ２よりも深い。
【選択図】図３

【特許請求の範囲】

【請求項1】

リードフレームにおいて、
ダイパッドと、
前記ダイパッドの周囲に配置されたリード部と、
前記ダイパッドと前記リード部の周囲であって、前記リードフレームの裏面側に配置された裏面側樹脂と、を備え、
前記リード部は、インナーリードと、外部端子面を有する端子部とを有し、
前記インナーリードは、裏面側から薄肉化され、前記インナーリードの裏面は、前記裏面側樹脂に密着し、
前記リード部のうち前記端子部よりも外側の領域に、前記裏面側樹脂が充填されていない凹部が形成され、
前記凹部の深さは、前記裏面側樹脂の厚みよりも深い、リードフレーム。

【請求項2】

前記凹部の深さは、前記リードフレームの厚みの５０％以上８３％以下である、請求項１に記載のリードフレーム。

【請求項3】

前記裏面側樹脂の厚みは、前記リードフレームの厚みの２０％以上６０％以下である、請求項１に記載のリードフレーム。

【請求項4】

リードフレームにおいて、
ダイパッドと、
前記ダイパッドの周囲に配置されたリード部と、
前記ダイパッドと前記リード部の周囲であって、前記リードフレームの裏面側に配置された裏面側樹脂と、を備え、
前記リード部は、インナーリードと、外部端子面を有する端子部とを有し、
前記インナーリードは、裏面側から薄肉化され、前記インナーリードの裏面は、前記裏面側樹脂に密着し、
前記リード部のうち前記端子部よりも外側の領域に、前記裏面側樹脂が充填されていない凹部が形成され、
前記外部端子面のうち前記凹部に面する部分は、幅方向両端よりも幅方向中央の方が前記ダイパッドから遠い位置にある、リードフレーム。

【請求項5】

前記外部端子面は、外側に位置する端子外辺と、前記端子外辺の両端にそれぞれ位置する端子角部とを有し、前記端子外辺は、直線状である、請求項４に記載のリードフレーム。

【請求項6】

前記外部端子面は、外側に位置する端子外辺と、前記端子外辺の両端にそれぞれ位置する端子角部とを有し、前記端子角部は、直線状である、請求項４に記載のリードフレーム。

【請求項7】

前記外部端子面は、外側に位置する端子外辺と、前記端子外辺の両端にそれぞれ位置する端子角部とを有し、前記端子角部は、平面視で凸状に湾曲している、請求項４に記載のリードフレーム。

【請求項8】

前記外部端子面は、外側に位置する端子外辺を有し、前記端子外辺は、平面視で外側に向かって突出する凸形状を有する、請求項４に記載のリードフレーム。

【請求項9】

リードフレームにおいて、
ダイパッドと、
前記ダイパッドの周囲に配置されたリード部と、
前記ダイパッドと前記リード部の周囲であって、前記リードフレームの裏面側に配置された裏面側樹脂と、を備え、
前記リード部は、インナーリードと、外部端子面を有する端子部とを有し、
前記インナーリードは、裏面側から薄肉化され、前記インナーリードの裏面は、前記裏面側樹脂に密着し、
前記リード部のうち前記端子部よりも外側の領域に、前記裏面側樹脂が充填されていない凹部が形成され、
前記外部端子面は、外側に位置する端子外辺を有し、前記端子外辺は、直線状である、リードフレーム。

【請求項10】

前記凹部は、前記リード部の幅方向両側にそれぞれ側壁を有し、前記側壁のうち、パッケージ領域内に位置する部分の最大高さは、前記リードフレームの厚みの３０％以上６０％以下である、請求項１乃至９のいずれか一項に記載のリードフレーム。

【請求項11】

前記リードフレームの裏面の粗さは、前記リードフレームの表面の粗さよりも粗い、請求項１乃至９のいずれか一項に記載のリードフレーム。

【請求項12】

前記リード部の長手方向に平行な断面において、前記外部端子面と前記凹部とによって形成される角部が丸みを帯びている、請求項１乃至９のいずれか一項に記載のリードフレーム。

【請求項13】

リードフレームの製造方法において、
金属基板を準備する工程と、
前記金属基板の裏面側から前記金属基板を厚み方向の途中までエッチングすることにより、裏面側凹部を形成する工程と、
前記金属基板の裏面側に裏面側樹脂を形成し、前記裏面側樹脂によって前記裏面側凹部を覆う工程と、
前記金属基板の表面側から前記金属基板を厚み方向の途中までエッチングすることにより、ダイパッドと、前記ダイパッドの周囲に配置されたリード部とを形成する工程と、を備え、
前記リード部は、インナーリードと、外部端子面を有する端子部とを有し、
前記インナーリードは、裏面側から薄肉化され、前記インナーリードの裏面は、前記裏面側樹脂に密着し、
前記リード部のうち前記端子部よりも外側の領域に、前記裏面側樹脂が充填されていない凹部が形成され、
前記凹部の深さは、前記裏面側樹脂の厚みよりも深い、リードフレームの製造方法。

【請求項14】

リードフレームにおいて、
ダイパッドと、
前記ダイパッドの周囲に配置されたリード部と、
前記ダイパッドと前記リード部の周囲であって、前記リードフレームの表面側に配置された表面側樹脂と、を備え、
前記リード部は、インナーリードと、外部端子面を有する端子部とを有し、
前記インナーリードは、裏面側から薄肉化され、
前記リード部の裏面側であって前記端子部よりも外側の領域に、凹部が形成されている、リードフレーム。

【請求項15】

前記凹部よりも表面側に前記表面側樹脂が位置する、請求項１４に記載のリードフレーム。

【請求項16】

前記表面側樹脂の厚みは、前記リードフレームの厚みの２０％以上６０％以下である、請求項１４に記載のリードフレーム。

【請求項17】

リードフレームにおいて、
ダイパッドと、
前記ダイパッドの周囲に配置されたリード部と、
前記ダイパッドと前記リード部の周囲であって、前記リードフレームの表面側に配置された表面側樹脂と、を備え、
前記リード部は、インナーリードと、外部端子面を有する端子部とを有し、
前記インナーリードは、裏面側から薄肉化され、
前記リード部の裏面側であって前記端子部よりも外側の領域に、凹部が形成され、
前記外部端子面のうち前記凹部に面する部分は、幅方向両端よりも幅方向中央の方が前記ダイパッドから遠い位置にある、リードフレーム。

【請求項18】

前記外部端子面は、外側に位置する端子外辺と、前記端子外辺の両端にそれぞれ位置する端子角部とを有し、前記端子外辺は、直線状である、請求項１７に記載のリードフレーム。

【請求項19】

前記外部端子面は、外側に位置する端子外辺と、前記端子外辺の両端にそれぞれ位置する端子角部とを有し、前記端子角部は、直線状である、請求項１７に記載のリードフレーム。

【請求項20】

前記外部端子面は、外側に位置する端子外辺と、前記端子外辺の両端にそれぞれ位置する端子角部とを有し、前記端子角部は、平面視で凸状に湾曲している、請求項１７に記載のリードフレーム。

【請求項21】

前記外部端子面は、外側に位置する端子外辺を有し、前記端子外辺は、平面視で外側に向かって突出する凸形状を有する、請求項１７に記載のリードフレーム。

【請求項22】

リードフレームにおいて、
ダイパッドと、
前記ダイパッドの周囲に配置されたリード部と、
前記ダイパッドと前記リード部の周囲であって、前記リードフレームの表面側に配置された表面側樹脂と、を備え、
前記リード部は、インナーリードと、外部端子面を有する端子部とを有し、
前記インナーリードは、裏面側から薄肉化され、
前記リード部の裏面側であって前記端子部よりも外側の領域に、凹部が形成され、
前記外部端子面は、外側に位置する端子外辺を有し、前記端子外辺は、直線状である、リードフレーム。

【請求項23】

前記リードフレームの表面の粗さは、前記リードフレームの裏面の粗さよりも粗い、請求項１４乃至２２のいずれか一項に記載のリードフレーム。

【請求項24】

リードフレームの製造方法において、
金属基板を準備する工程と、
前記金属基板の表面側から前記金属基板を厚み方向の途中までエッチングすることにより、表面側凹部を形成する工程と、
前記金属基板の表面側に表面側樹脂を形成し、前記表面側樹脂によって前記表面側凹部を覆う工程と、
前記金属基板の裏面側から前記金属基板を厚み方向の途中までエッチングすることにより、ダイパッドと、前記ダイパッドの周囲に配置されたリード部とを形成する工程と、を備え、
前記リード部は、インナーリードと、外部端子面を有する端子部とを有し、
前記インナーリードは、裏面側から薄肉化され、
前記リード部の裏面側であって前記端子部よりも外側の領域に、凹部が形成されている、リードフレームの製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、リードフレーム及びその製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

近年、基板に実装される半導体装置の小型化及び薄型化が要求されてきている。このような要求に対応すべく、従来、リードフレームを用い、その搭載面に搭載した半導体素子を封止樹脂によって封止するとともに、裏面側にリードの一部分を露出させて構成された、いわゆるＱＦＮ（Quad Flat Non-lead）タイプの半導体装置が種々提案されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開平９－３０７０４３号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

近年、金属と樹脂とを一体化したリードフレームが知られている。例えば特許文献１には、インナーリードと外部回路を接続する外部端子部を備え、一部が素材の厚さよりも薄肉に形成されたリードフレームと、全体を固定する絶縁性樹脂とからなる樹脂封止型半導体装置が開示されている。

【0005】

本開示は、半導体装置と配線基板とのはんだ実装性を向上させることが可能な、リードフレーム及びその製造方法を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本開示の実施の形態は、以下の［１］～［２４］に関する。

【0007】

［１］リードフレームにおいて、ダイパッドと、前記ダイパッドの周囲に配置されたリード部と、前記ダイパッドと前記リード部の周囲であって、前記リードフレームの裏面側に配置された裏面側樹脂と、を備え、前記リード部は、インナーリードと、外部端子面を有する端子部とを有し、前記インナーリードは、裏面側から薄肉化され、前記インナーリードの裏面は、前記裏面側樹脂に密着し、前記リード部のうち前記端子部よりも外側の領域に、前記裏面側樹脂が充填されていない凹部が形成され、前記凹部の深さは、前記裏面側樹脂の厚みよりも深い、リードフレーム。

【0008】

［２］前記凹部の深さは、前記リードフレームの厚みの５０％以上８３％以下である、［１］に記載のリードフレーム。

【0009】

［３］前記裏面側樹脂の厚みは、前記リードフレームの厚みの２０％以上６０％以下である、［１］又は［２］に記載のリードフレーム。

【0010】

［４］リードフレームにおいて、ダイパッドと、前記ダイパッドの周囲に配置されたリード部と、前記ダイパッドと前記リード部の周囲であって、前記リードフレームの裏面側に配置された裏面側樹脂と、を備え、前記リード部は、インナーリードと、外部端子面を有する端子部とを有し、前記インナーリードは、裏面側から薄肉化され、前記インナーリードの裏面は、前記裏面側樹脂に密着し、前記リード部のうち前記端子部よりも外側の領域に、前記裏面側樹脂が充填されていない凹部が形成され、前記外部端子面のうち前記凹部に面する部分は、幅方向両端よりも幅方向中央の方が前記ダイパッドから遠い位置にある、リードフレーム。

【0011】

［５］前記外部端子面は、外側に位置する端子外辺と、前記端子外辺の両端にそれぞれ位置する端子角部とを有し、前記端子外辺は、直線状である、［４］に記載のリードフレーム。

【0012】

［６］前記外部端子面は、外側に位置する端子外辺と、前記端子外辺の両端にそれぞれ位置する端子角部とを有し、前記端子角部は、直線状である、［４］又は［５］に記載のリードフレーム。

【0013】

［７］前記外部端子面は、外側に位置する端子外辺と、前記端子外辺の両端にそれぞれ位置する端子角部とを有し、前記端子角部は、平面視で凸状に湾曲している、［４］又は［５］に記載のリードフレーム。

【0014】

［８］前記外部端子面は、外側に位置する端子外辺を有し、前記端子外辺は、平面視で外側に向かって突出する凸形状を有する、［４］に記載のリードフレーム。

【0015】

［９］リードフレームにおいて、ダイパッドと、前記ダイパッドの周囲に配置されたリード部と、前記ダイパッドと前記リード部の周囲であって、前記リードフレームの裏面側に配置された裏面側樹脂と、を備え、前記リード部は、インナーリードと、外部端子面を有する端子部とを有し、前記インナーリードは、裏面側から薄肉化され、前記インナーリードの裏面は、前記裏面側樹脂に密着し、前記リード部のうち前記端子部よりも外側の領域に、前記裏面側樹脂が充填されていない凹部が形成され、前記外部端子面は、外側に位置する端子外辺を有し、前記端子外辺は、直線状である、リードフレーム。

【0016】

［１０］前記凹部は、前記リード部の幅方向両側にそれぞれ側壁を有し、前記側壁のうち、パッケージ領域内に位置する部分の最大高さは、前記リードフレームの厚みの３０％以上６０％以下である、［１］乃至［９］のいずれか１つに記載のリードフレーム。

【0017】

［１１］前記リードフレームの裏面の粗さは、前記リードフレームの表面の粗さよりも粗い、［１］乃至［１０］のいずれか１つに記載のリードフレーム。

【0018】

［１２］前記リード部の長手方向に平行な断面において、前記外部端子面と前記凹部とによって形成される角部が丸みを帯びている、［１］乃至［１１］のいずれか１つに記載のリードフレーム。

【0019】

［１３］リードフレームの製造方法において、金属基板を準備する工程と、前記金属基板の裏面側から前記金属基板を厚み方向の途中までエッチングすることにより、裏面側凹部を形成する工程と、前記金属基板の裏面側に裏面側樹脂を形成し、前記裏面側樹脂によって前記裏面側凹部を覆う工程と、前記金属基板の表面側から前記金属基板を厚み方向の途中までエッチングすることにより、ダイパッドと、前記ダイパッドの周囲に配置されたリード部とを形成する工程と、を備え、前記リード部は、インナーリードと、外部端子面を有する端子部とを有し、前記インナーリードは、裏面側から薄肉化され、前記インナーリードの裏面は、前記裏面側樹脂に密着し、前記リード部のうち前記端子部よりも外側の領域に、前記裏面側樹脂が充填されていない凹部が形成され、前記凹部の深さは、前記裏面側樹脂の厚みよりも深い、リードフレームの製造方法。

【0020】

［１４］リードフレームにおいて、ダイパッドと、前記ダイパッドの周囲に配置されたリード部と、前記ダイパッドと前記リード部の周囲であって、前記リードフレームの表面側に配置された表面側樹脂と、を備え、前記リード部は、インナーリードと、外部端子面を有する端子部とを有し、前記インナーリードは、裏面側から薄肉化され、前記リード部の裏面側であって前記端子部よりも外側の領域に、凹部が形成されている、リードフレーム。

【0021】

［１５］前記凹部よりも表面側に前記表面側樹脂が位置する、［１４］に記載のリードフレーム。

【0022】

［１６］前記表面側樹脂の厚みは、前記リードフレームの厚みの２０％以上６０％以下である、［１４］又は［１５］に記載のリードフレーム。

【0023】

［１７］リードフレームにおいて、ダイパッドと、前記ダイパッドの周囲に配置されたリード部と、前記ダイパッドと前記リード部の周囲であって、前記リードフレームの表面側に配置された表面側樹脂と、を備え、前記リード部は、インナーリードと、外部端子面を有する端子部とを有し、前記インナーリードは、裏面側から薄肉化され、前記リード部の裏面側であって前記端子部よりも外側の領域に、凹部が形成され、前記外部端子面のうち前記凹部に面する部分は、幅方向両端よりも幅方向中央の方が前記ダイパッドから遠い位置にある、リードフレーム。

【0024】

［１８］前記外部端子面は、外側に位置する端子外辺と、前記端子外辺の両端にそれぞれ位置する端子角部とを有し、前記端子外辺は、直線状である、［１７］に記載のリードフレーム。

【0025】

［１９］前記外部端子面は、外側に位置する端子外辺と、前記端子外辺の両端にそれぞれ位置する端子角部とを有し、前記端子角部は、直線状である、［１７］又は［１８］に記載のリードフレーム。

【0026】

［２０］前記外部端子面は、外側に位置する端子外辺と、前記端子外辺の両端にそれぞれ位置する端子角部とを有し、前記端子角部は、平面視で凸状に湾曲している、［１７］又は［１８］に記載のリードフレーム。

【0027】

［２１］前記外部端子面は、外側に位置する端子外辺を有し、前記端子外辺は、平面視で外側に向かって突出する凸形状を有する、［１７］に記載のリードフレーム。

【0028】

［２２］リードフレームにおいて、ダイパッドと、前記ダイパッドの周囲に配置されたリード部と、前記ダイパッドと前記リード部の周囲であって、前記リードフレームの表面側に配置された表面側樹脂と、を備え、前記リード部は、インナーリードと、外部端子面を有する端子部とを有し、前記インナーリードは、裏面側から薄肉化され、前記リード部の裏面側であって前記端子部よりも外側の領域に、凹部が形成され、前記外部端子面は、外側に位置する端子外辺を有し、前記端子外辺は、直線状である、リードフレーム。

【0029】

［２３］前記リードフレームの表面の粗さは、前記リードフレームの裏面の粗さよりも粗い、［１４］乃至［２２］のいずれか１つに記載のリードフレーム。

【0030】

［２４］リードフレームの製造方法において、金属基板を準備する工程と、前記金属基板の表面側から前記金属基板を厚み方向の途中までエッチングすることにより、表面側凹部を形成する工程と、前記金属基板の表面側に表面側樹脂を形成し、前記表面側樹脂によって前記表面側凹部を覆う工程と、前記金属基板の裏面側から前記金属基板を厚み方向の途中までエッチングすることにより、ダイパッドと、前記ダイパッドの周囲に配置されたリード部とを形成する工程と、を備え、前記リード部は、インナーリードと、外部端子面を有する端子部とを有し、前記インナーリードは、裏面側から薄肉化され、前記リード部の裏面側であって前記端子部よりも外側の領域に、凹部が形成されている、リードフレームの製造方法。

【発明の効果】

【0031】

本開示によれば、半導体装置と配線基板とのはんだ実装性を向上できる。

【図面の簡単な説明】

【0032】

【図1】図１は、第１の実施の形態によるリードフレームを示す平面図。

【図2】図２は、第１の実施の形態によるリードフレームを示す裏面図。

【図3】図３Ａ、Ｂは、第１の実施の形態によるリードフレームを示す断面図（それぞれ図１のIIIA－IIIA線、IIIB－IIIB線断面図）。

【図4】図４は、外部端子面及び凹部を示す裏面側から見た斜視図。

【図5】図５Ａ－Ｃは、それぞれ外部端子面の変形例を示す裏面図。

【図6】図６Ａは、凹部を示す断面図であって、切断面の後方に見える部分も含む図（図４のVI－VI線断面図）、図６Ｂは、凹部の変形例を示す断面図であって、切断面の後方に見える部分も含む図。

【図7】図７は、凹部を示す断面図（図４のVII－VII線断面図）。

【図8】図８は、端子部の変形例を示す部分拡大断面図。

【図9】図９は、第１の実施の形態による半導体装置を示す平面図。

【図10】図１０は、第１の実施の形態による半導体装置を示す断面図（図９のＸ－Ｘ線断面図）。

【図11】図１１Ａ－Ｊは、第１の実施の形態によるリードフレームの製造方法を示す断面図。

【図12】図１２Ａ－Ｆは、第１の実施の形態による半導体装置の製造方法を示す断面図。

【図13】図１３は、第１の実施の形態による半導体装置が配線基板に実装された状態を示す断面図。

【図14】図１４は、第２の実施の形態によるリードフレームを示す平面図。

【図15】図１５は、第２の実施の形態によるリードフレームを示す裏面図。

【図16】図１６Ａ、Ｂは、第２の実施の形態によるリードフレームを示す断面図（それぞれ図１４のXVIA－XVIA線、XVIB－XVIB線断面図）。

【図17】図１７は、外部端子面及び凹部を示す裏面側から見た斜視図。

【図18】図１８Ａ－Ｃは、それぞれ外部端子面の変形例を示す裏面図。

【図19】図１９は、凹部を示す断面図であって、切断面の後方に見える部分も含む図（図１７のXIX－XIX線断面図）。

【図20】図２０は、凹部を示す断面図（図１７のXX－XX線断面図）。

【図21】図２１は、第２の実施の形態による半導体装置を示す平面図。

【図22】図２２は、第２の実施の形態による半導体装置を示す断面図（図２１のXXII－XXII線断面図）。

【図23】図２３Ａ－Ｊは、第２の実施の形態によるリードフレームの製造方法を示す断面図。

【図24】図２４Ａ－Ｆは、第２の実施の形態による半導体装置の製造方法を示す断面図。

【図25】図２５は、第２の実施の形態による半導体装置が配線基板に実装された状態を示す断面図。

【図26】図２６は、第３の実施の形態によるリードフレームを示す断面図。

【図27】図２７は、第３の実施の形態による半導体装置を示す断面図。

【発明を実施するための形態】

【0033】

（第１の実施の形態）
第１の実施の形態について、図１乃至図１３を参照して説明する。なお、以下の各図において、同一部分には同一の符号を付しており、一部詳細な説明を省略する場合がある。

【0034】

本明細書中、Ｘ方向、Ｙ方向とは、リードフレーム１０の各辺に平行な二方向である。Ｘ方向とＹ方向とは互いに直交している。Ｚ方向は、Ｘ方向及びＹ方向の両方に対して垂直な方向である。「内」、「内側」とは、各パッケージ領域１０ａの中心方向を向く側をいう。「外」、「外側」とは、各パッケージ領域１０ａの中心から離れる側をいう。「表面」とは、半導体素子２１が搭載される側（Ｚ方向プラス側）の面をいう。「裏面」とは、「表面」の反対側（Ｚ方向マイナス側）の面であって外部の図示しない配線基板に接続される側の面をいう。

【0035】

また、本明細書中、ハーフエッチングとは、被エッチング材料をその厚み方向に途中までエッチングすることをいう。ハーフエッチング後の被エッチング材料の厚みは、ハーフエッチング前の被エッチング材料の厚みの例えば３０％以上７５％以下、好ましくは４０％以上６０％以下となる。

【0036】

（リードフレームの構成）
まず、図１乃至図３により、本実施の形態によるリードフレームの概略について説明する。図１乃至図３は、本実施の形態によるリードフレームを示す図である。

【0037】

図１及び図２に示すように、リードフレーム１０は、複数のパッケージ領域（単位リードフレーム）１０ａを含む。パッケージ領域１０ａは、複数列及び複数段に（マトリックス状に）配置されている。これに限らずパッケージ領域１０ａは１つ以上存在していれば良い。なお、パッケージ領域１０ａは、それぞれ半導体装置２０（後述）に対応する領域であり、図１及び図２において仮想線の内側に位置する領域である。図１及び図２の仮想線は半導体装置２０の外周縁に対応している。

【0038】

次に、図１乃至図３を参照してリードフレーム１０の構成についてさらに説明する。

【0039】

図１乃至図３に示すように、リードフレーム１０は、ダイパッド１１と、複数の細長いリード部１２と、裏面側樹脂１８と、を備えている。リード部１２は、それぞれダイパッド１１の周囲に配置される。各リード部１２は、半導体素子２１と配線基板８０（後述）とを電気的に接続する。裏面側樹脂１８は、ダイパッド１１とリード部１２の周囲であって、リードフレーム１０の裏面側に配置される。隣接するパッケージ領域１０ａ同士の間には、支持リード（支持部材）１３が配置されている。支持リード１３は、ダイパッド１１とリード部１２とを支持する。複数の支持リード１３は、Ｘ方向及びＹ方向に沿ってそれぞれ延びている。

【0040】

ダイパッド１１は、平面略正方形形状を有する。ダイパッド１１は、ハーフエッチングされておらず、加工前の金属基板（後述する金属基板３１）と同一の厚みを有している。ダイパッド１１の平面形状は、正方形に限らず、長方形等の多角形としても良い。ダイパッド１１の表面側が部分的にハーフエッチングされて薄肉化されていてもよい。

【0041】

ダイパッド１１の四隅にはそれぞれ吊りリード１４が連結されている。ダイパッド１１は、４本の吊りリード１４を介して支持リード１３に連結支持されている。各支持リード１３は、パッケージ領域１０ａの周囲であってパッケージ領域１０ａよりも外側に配置されている。各支持リード１３は、細長い棒形状を有している。支持リード１３には、複数のリード部１２が支持リード１３の長手方向に沿って間隔を空けて連結されている。支持リード１３は、裏面側から薄肉化されている。支持リード１３の裏面の一部は裏面側樹脂１８に接触している。

【0042】

４つのパッケージ領域１０ａに囲まれた部分には支持リード連結部１４ａが位置する。４つのパッケージ領域１０ａからそれぞれ延びる４本の吊りリード１４が、支持リード連結部１４ａにおいて互いに連結されている。各支持リード連結部１４ａには、それぞれ４本の支持リード１３が連結されている。

【0043】

各パッケージ領域１０ａ周囲には、周囲領域１０ｂが位置する。周囲領域１０ｂとは、各パッケージ領域１０ａよりも外側に位置する領域であって、各パッケージ領域１０ａに隣接して形成された領域をいう。周囲領域１０ｂは、互いに隣接する２つのパッケージ領域１０ａ同士の間に位置する。すなわち、隣接する２つのパッケージ領域１０ａは、周囲領域１０ｂを介して互いに連結されている。支持リード１３は、周囲領域１０ｂ内に位置する。

【0044】

図３Ａ、Ｂに示すように、ダイパッド１１は、ダイパッド表面１１ａと、ダイパッド裏面１１ｂとを有する。ダイパッド表面１１ａは、表面側に位置する。ダイパッド裏面１１ｂは、裏面側に位置する。ダイパッド表面１１ａには、後述する半導体素子２１が搭載される。ダイパッド裏面１１ｂは、リードフレーム１０から外方に露出する。また、ダイパッド１１のうちリード部１２を向く側には、第１ダイパッド側面１１ｃと、第２ダイパッド側面１１ｄとが形成されている。第１ダイパッド側面１１ｃは、ダイパッド表面１１ａ側に位置しており、リードフレーム１０から外方に露出している。第２ダイパッド側面１１ｄは、ダイパッド裏面１１ｂ側に位置しており、裏面側樹脂１８に密着している。

【0045】

各リード部１２は、それぞれ後述するようにボンディングワイヤ２２を介して半導体素子２１に接続される。各リード部１２は、ダイパッド１１との間に空間を介して配置されている。一のパッケージ領域１０ａのリード部１２と、当該パッケージ領域１０ａに隣接するパッケージ領域１０ａのリード部１２とは、リード連結部１６によって互いに連結されている。リード連結部１６は、各パッケージ領域１０ａの外側に位置している。各リード連結部１６は、支持リード１３の一部を構成しても良い。裏面側から見たとき（図２）、互いに隣接するリード連結部１６同士の間には、裏面側樹脂１８が配置されている。リード連結部１６同士は裏面側樹脂１８を介して互いに分離している。

【0046】

各リード部１２は、ダイパッド１１の周囲において支持リード１３の長手方向に沿って互いに間隔を空けて配置されている。リード部１２の裏面には、それぞれ外部の配線基板８０（図１３）に電気的に接続される外部端子面１７が形成されている。各外部端子面１７は、半導体装置２０（後述）の製造後に、それぞれ半導体装置２０から外方に露出する。

【0047】

図３Ａに示すように、リード部１２は、インナーリード５１と、端子部５３とを有する。インナーリード５１は、内側（ダイパッド１１側）に位置する。端子部５３は、外側（支持リード１３側）に位置する。インナーリード５１は、端子部５３からダイパッド１１側に延び、その表面側の先端部には内部端子１５が形成されている。内部端子１５は、後述するようにボンディングワイヤ２２を介して半導体素子２１に電気的に接続される領域である。

【0048】

内部端子１５上には、ボンディングワイヤ２２と密着性を向上させるめっき層２５が設けられている。めっき層２５は、例えば銀めっきからなっていても良い。めっき層２５は、ダイパッド表面１１ａ及びインナーリード表面５１ａに形成されても良い。めっき層２５は、ダイパッド表面１１ａの一部又はインナーリード表面５１ａの一部に形成されても良い。また、めっき層２５は、インナーリード表面５１ａのみ又はインナーリード表面５１ａの一部のみに形成されても良い。

【0049】

インナーリード５１は、裏面側からハーフエッチングにより薄肉化されている。インナーリード５１は、インナーリード表面５１ａと、インナーリード裏面５１ｂとを有する。インナーリード表面５１ａの一部には、内部端子１５が形成される。インナーリード裏面５１ｂは、裏面側樹脂１８に密着している。また、インナーリード５１のうちダイパッド１１を向く側には、インナーリード先端面５１ｃが形成される。インナーリード先端面５１ｃには、裏面側樹脂１８が密着していない。

【0050】

端子部５３は、支持リード１３側に延びており、その基端部は支持リード１３に連結されている。端子部５３の表面には、外部端子表面５３ａが形成されている。端子部５３の裏面には、上述した外部端子面１７が形成されている。端子部５３のうち外部端子面１７が形成された部分は、ハーフエッチングされることなく、ダイパッド１１と同一の厚みを有している。

【0051】

本実施の形態において、リード部１２のうち端子部５３よりも外側（インナーリード５１の反対側）の領域及び周囲領域１０ｂに、凹部１９が形成されている。凹部１９は、パッケージ間凹部と称しても良い。凹部１９には、裏面側樹脂１８が充填されておらず、金属面が露出している。凹部１９は、リードフレーム１０の裏面側であって、一のパッケージ領域１０ａのリード部１２と、当該リード部１２に連結されたリード連結部１６と、隣接するパッケージ領域１０ａのリード部１２とに跨がって連続的に形成される。

【0052】

凹部１９は、リード部１２の裏面のうち、外部端子面１７よりも外側に形成されている。またパッケージ領域１０ａの外周に対応する線が、凹部１９を横切っている。凹部１９は平面視で細長い形状を有し、リード部１２の長手方向に沿って延びている（図２）。凹部１９は、ハーフエッチングにより裏面側から薄肉化されることにより形成されている。凹部１９は、リード部１２及びリード連結部１６の裏面側から厚み方向（Ｚ方向）の途中まで凹む非貫通凹部である。凹部１９の表面側は薄肉化されておらず、ダイパッド表面１１ａ及びインナーリード表面５１ａと同一平面上に位置している。また、凹部１９は、リード部１２及びリード連結部１６の幅方向全域にわたって形成されていても良い。この場合、凹部１９は、リード部１２の裏面のうち外部端子面１７よりも外側の部分と、リード連結部１６の裏面全体とに形成されても良い。

【0053】

図１及び図２に示すように、裏面側樹脂１８は、一のパッケージ領域１０ａと、当該パッケージ領域１０ａ周囲の周囲領域１０ｂと、隣接するパッケージ領域１０ａとに跨がるように連続的に形成されている。

【0054】

各パッケージ領域１０ａにおいて、裏面側樹脂１８は、ダイパッド１１及びリード部１２の周囲に配置されている。すなわち、図１に示すように、表面側から見て、裏面側樹脂１８は、ダイパッド１１の一辺と、当該辺に対向する複数のリード部１２と、２本の吊りリード１４と、パッケージ領域１０ａの外周縁とによって取り囲まれる領域に位置する。図２に示すように、裏面側から見て、裏面側樹脂１８は、ダイパッド１１の各辺と、複数のリード部１２と、パッケージ領域１０ａの外周縁とによって取り囲まれる領域に位置する。なお、図１及び図２において、裏面側樹脂１８を網掛けで示している（後述する図４、図９についても同様）。

【0055】

図３Ａ、Ｂに示すように、裏面側樹脂１８は、リードフレーム１０の裏面側に配置されている。

【0056】

図３Ａに示すように、裏面側樹脂１８は、断面視で、端子部５３と、インナーリード裏面５１ｂと、第２ダイパッド側面１１ｄとによって取り囲まれた領域に配置されている。裏面側樹脂１８は、表面側に位置する樹脂表面１８ａと、裏面側に位置する樹脂裏面１８ｂとを有する。このうち樹脂表面１８ａは、第１ダイパッド側面１１ｃとインナーリード先端面５１ｃとの間の空間から外方に露出する。樹脂裏面１８ｂは、リードフレーム１０の裏面側から外方に露出する。樹脂裏面１８ｂ、ダイパッド裏面１１ｂ及び外部端子面１７は、互いに同一平面上に位置している。

【0057】

図３Ｂに示すように、リード部１２が存在しない箇所の断面において、裏面側樹脂１８は、一のパッケージ領域１０ａのダイパッド１１から、隣接する他のパッケージ領域１０ａまで連続的に延びる。

【0058】

裏面側樹脂１８としては、シリコーン樹脂やエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂、あるいはＰＰＳ樹脂等の熱可塑性樹脂を用いることができる。なお、裏面側樹脂１８と後述する封止樹脂２３との密着性を高めるため、裏面側樹脂１８として、封止樹脂２３と同一の材料を用いることが好ましい。

【0059】

図３Ａに示すように、凹部１９の深さｄ１は、裏面側樹脂１８の厚みＴ２よりも深い。凹部１９の深さｄ１とは、凹部１９のうち、パッケージ領域１０ａ内（半導体装置２０に含まれる領域）で最も深い部分と、ダイパッド裏面１１ｂ及び外部端子面１７が位置する平面との距離をいう。凹部１９のうち最も深い部分は、ソーイングライン上に存在しても良い。裏面側樹脂１８の厚みＴ２は、裏面側樹脂１８のうち、パッケージ領域１０ａ内（半導体装置２０に含まれる領域）で最も厚い部分と、ダイパッド裏面１１ｂ及び外部端子面１７が位置する平面との距離をいう。裏面側樹脂１８のうち最も厚い部分は、インナーリード裏面５１ｂに接触する部分に存在しても良い。あるいは、裏面側樹脂１８のうち最も厚い部分は、リード部１２同士の間に存在しても良い。

【0060】

凹部１９の深さｄ１は、裏面側樹脂１８の厚みＴ２の１０１％以上としても良く、１１０％以上としても良い。凹部１９の深さｄ１は、裏面側樹脂１８の厚みＴ２の１５０％以下としても良く、１２５％以下としても良い。凹部１９の深さｄ１は、リードフレーム１０の厚みＴ１の５０％以上としても良く、６０％以上としても良い。凹部１９の深さｄ１は、リードフレーム１０の厚みＴ１の８３％以下としても良く、７０％以下としても良い。裏面側樹脂１８の厚みＴ２は、リードフレーム１０の厚みＴ１の２０％以上としても良く、３０％以上としても良い。裏面側樹脂１８の厚みＴ２は、リードフレーム１０の厚みＴ１の６０％以下としても良く、５０％以下としても良い。

【0061】

凹部１９の深さｄ１は、１００μｍ以上としても良く、１２０μｍ以上としても良い。凹部１９の深さｄ１は、１７０μｍ以下としても良く、１５０μｍ以下としても良い。裏面側樹脂１８の厚みＴ２は、４０μｍ以上としても良く、６０μｍ以上としても良い。裏面側樹脂１８の厚みＴ２は、１２０μｍ以下としても良く、１００μｍ以下としても良い。

【0062】

次に、図４乃至図８を参照して、外部端子面１７及び凹部１９の構成について更に説明する。

【0063】

図４に示すように、外部端子面１７は、端子内辺１７ａと、端子側辺１７ｂと、端子外辺１７ｃと、端子角部１７ｄとを有する。端子内辺１７ａは、内側（ダイパッド１１側）を向く辺である。端子内辺１７ａは、凸状に湾曲した曲線からなっても良く、直線状であっても良い。端子内辺１７ａは、裏面側樹脂１８に接する。端子側辺１７ｂは、リード部１２の長手方向に沿って延びる辺である。端子側辺１７ｂは、端子内辺１７ａに接続されている。端子側辺１７ｂは、直線状であっても良い。端子側辺１７ｂは、裏面側樹脂１８に接する。端子外辺１７ｃは、外側（ダイパッド１１の反対側）に位置する辺である。端子外辺１７ｃは、リード部１２の幅方向に沿って延びる。端子外辺１７ｃは、直線状であっても良い。端子外辺１７ｃは、凹部１９に面しており、裏面側樹脂１８に接していない。

【0064】

外部端子面１７は、外側（ダイパッド１１の反対側）の角が切り欠かれた形状である。この切り欠かれた部分に、端子角部１７ｄが存在する。端子角部１７ｄは、それぞれ端子外辺１７ｃの両端に位置する。端子角部１７ｄは、リード部１２の長手方向及び幅方向のいずれの方向に対しても傾斜して延びる。端子角部１７ｄは、端子外辺１７ｃと各端子側辺１７ｂとを接続する。端子角部１７ｄは、直線状であっても良い。端子角部１７ｄは、凹部１９に面しており、裏面側樹脂１８に接していない。端子角部１７ｄは、端子外辺１７ｃよりも内側（ダイパッド１１側）に位置する。

【0065】

このように、外部端子面１７のうち凹部１９に面する部分（端子外辺１７ｃ及び端子角部１７ｄ）は、幅方向両端よりも幅方向中央の方が外側（ダイパッド１１から遠い側）に位置する。これにより、端子外辺１７ｃの両端が凹部１９側に突出する場合と比較して、端子外辺１７ｃの両端が他の場所よりも薄肉化せず、端子外辺１７ｃの両端の変形を抑えられる。このため、端子外辺１７ｃの両端に金属片（バリ）が発生することを抑制できる。また、半導体装置２０と配線基板８０との実装性が低下することを抑制できる。リード部１２の長手方向に沿う端子角部１７ｄの長さＬ１は、０．０１０ｍｍ以上０．０２５ｍｍ以下としても良い。リード部１２の幅方向に沿う端子角部１７ｄの長さＬ２は、０．０１０ｍｍ以上０．０５０ｍｍ以下としても良い。

【0066】

図５Ａ－Ｃは、外部端子面１７の変形例を示す裏面図である。図５Ａ－Ｃにおいて、外部端子面１７のうち凹部１９に面する部分（端子外辺１７ｃ及び端子角部１７ｄ）は、幅方向両端よりも幅方向中央の方が外側（ダイパッド１１から遠い側）に位置する。これにより、端子外辺１７ｃの両端が他の場所よりも薄肉化せず、端子外辺１７ｃの両端の変形を抑えられる。このため、端子外辺の両端に金属片（バリ）が発生することを抑制できる。

【0067】

具体的には、図５Ａに示すように、外部端子面１７の端子角部１７ｄは、平面視で凸状に湾曲していても良い。

【0068】

図５Ｂに示すように、端子外辺１７ｃは、平面視で外側（ダイパッド１１の反対側）に向かって突出する凸形状を有しても良い。例えば、端子外辺１７ｃは、凹部１９に向けて突出するＶ字形状を有していても良い。端子外辺１７ｃのうち、最も外側（ダイパッド１１の反対側）に位置する部分に頂点１７ｅが形成されている。頂点１７ｅは、一対の端子側辺１７ｂの中間の位置に存在しても良く、いずれか一方の端子側辺１７ｂに近い位置に存在しても良い。このように、外部端子面１７のうち凹部１９に面する部分（端子外辺１７ｃ）は、幅方向両端よりも幅方向中央の方が外側に位置する。これにより、凹部１９の表面積を増やし、後述する半導体装置２０の凹部１９ａへ充填する半田フィレット８２の量を増加させることができる。

【0069】

図５Ｃに示すように、端子外辺１７ｃは、平面視で外側（ダイパッド１１の反対側）に向かって突出する凸形状を有しても良い。具体的には、端子外辺１７ｃのうち、一対の端子側辺１７ｂとの境界となる位置と、一対の端子側辺１７ｂ同士の間の位置とがそれぞれ凹部１９に向けて突出するＭ字形状であっても良い。これにより、凹部１９の表面積を増やし、後述する半導体装置２０の凹部１９ａへ充填する半田フィレット８２の量を増加させることができる。

【0070】

外部端子面１７が図５Ｂ、Ｃに示す形状を持つ場合、外部端子面１７の位置を内側（ダイパッド１１側）にすることなく、外部端子面１７のうち凹部１９に面する部分（端子外辺１７ｃ）を幅方向両端よりも幅方向中央を外側に位置させつつ、平面視での凹部１９の面積を増やせる。これにより、凹部１９への半田充填量を増やすことができる。図５Ｂ、Ｃにおいて、頂点１７ｅの先端が鋭角でなく、鈍角でもよい。頂点１７ｅが丸くなっていてもよい。頂点１７ｅが丸くなっている場合、半田を充填しやすい。頂点１７ｅが角ばっている場合、端子外辺１７ｃと半田との密着性を向上できる。

【0071】

さらに、外部端子面１７が図５Ｃに示す形状を持つ場合、凹部１９の側面（半田との密着面）の面積が増えるので、凹部１９と半田との密着性をより向上できる。

【0072】

図４、図６Ａ、Ｂ及び図７に示すように、凹部１９は、頂部１９ｂと、側壁１９ｃとを有する。頂部１９ｂは、凹部１９のうち表面側に位置する部分である。側壁１９ｃは、リード部１２の幅方向両側に位置する。側壁１９ｃは、頂部１９ｂから裏面側に向けて延びている。

【0073】

図６Ａ、Ｂに示すように、リード部１２の長手方向に平行な断面において、側壁１９ｃは、側壁上縁１９ｄと、側壁下縁１９ｅとを有する。側壁下縁１９ｅの端部１９ｆは、それぞれ点状であっても良く（図６Ａ）、直線状であっても良い（図６Ｂ）。側壁１９ｃのうち、パッケージ領域１０ａ内に位置する部分（半導体装置２０に含まれる領域）の最大高さＨ１は、リードフレーム１０の厚みＴ１の３０％以上としても良く、４０％以上としても良い。上記最大高さＨ１は、リードフレーム１０の厚みＴ１の６０％以下としても良く、５０％以下としても良い。最大高さＨ１とは、パッケージ領域１０ａ内（半導体装置２０に含まれる領域）で、側壁上縁１９ｄと側壁下縁１９ｅとの間の距離をリードフレーム１０の厚み方向に測定したとき、最も長くなる箇所の距離をいう。

【0074】

図７に示すように、リード部１２の幅方向に平行な断面において、側壁１９ｃは、表面側に凸となる曲線形状を有する。リード部１２の幅方向両側には、それぞれリード部側面１２ａが形成される。側壁１９ｃの下端及びリード部側面１２ａの下端は、それぞれ裏面側樹脂１８に連結されている。

【0075】

以上説明したリードフレーム１０は、全体として銅、銅合金、４２合金（Ｎｉ４２％のＦｅ合金）等の金属から構成されている。また、リードフレーム１０の厚みは、８０μｍ以上としても良く、１００μｍ以上としても良く、１５０μｍ以上としても良い。リードフレーム１０の厚みは、２５０μｍ以下としても良く、２００μｍ以下としても良い。

【0076】

後述するように、裏面側樹脂１８は裏面側から研磨される（図１１Ｆ）。裏面側樹脂１８の研磨を終了したとき、金属基板３１の裏面もわずかに研磨される。このため、リードフレーム１０の裏面の粗さは、リードフレーム１０の表面の粗さよりも粗くても良い。例えば、リードフレーム１０の裏面の平均粗さＲａは、例えば０．１μｍ超０．３５μｍ以下であっても良い。リードフレーム１０の裏面の平均粗さＲａが０．１μｍ超となることにより、リードフレーム１０の裏面と半田めっきとの密着性を向上できる。リードフレーム１０の裏面の平均粗さＲａが０．３５μｍ以下となることにより、リードフレーム１０の裏面に金属片（バリ）が発生することを抑制できる。リードフレーム１０の表面の平均粗さＲａは、例えば０．０１μｍ以上０．１５μｍ以下であっても良い。平均粗さＲａとは、ＪＩＳ Ｂ０６０１で規定される算術平均粗さである。

【0077】

図８は、本実施の形態によるリードフレーム１０の変形例を示す部分拡大断面図であって、図３ＡのVIII部に対応する図である。図８に示すように、リード部１２の長手方向に平行な断面において、外部端子面１７と凹部１９とによって形成される角部に位置する端子外辺１７ｃが丸みを帯びていても良い。端子外辺１７ｃの断面の曲率半径Ｒは、５μｍ以上であっても良く、１０μｍ以上であっても良い。端子外辺１７ｃの断面の曲率半径Ｒは、２５μｍ以下であっても良く、１５μｍ以下であっても良い。端子外辺１７ｃの断面が丸みを帯びていることにより、端子外辺１７ｃが薄くなることを抑制し、端子外辺１７ｃに金属片（バリ）が発生することを抑制できる。

【0078】

（半導体装置の構成）
次に、図９及び図１０により、本実施の形態による半導体装置について説明する。図９及び図１０は、本実施の形態による半導体装置（ＱＦＮタイプ）を示す図である。

【0079】

図９及び図１０に示すように、半導体装置（半導体パッケージ）２０は、ダイパッド１１と、複数のリード部１２と、裏面側樹脂１８と、半導体素子２１と、複数のボンディングワイヤ（接続部材）２２と、封止樹脂２３とを備える。複数のリード部１２は、ダイパッド１１の周囲に配置されている。半導体素子２１は、ダイパッド１１上に搭載されている。ボンディングワイヤ２２は、リード部１２と半導体素子２１とをそれぞれ電気的に接続する。裏面側樹脂１８は、ダイパッド１１とリード部１２の周囲であって、半導体装置２０の裏面側に配置されている。封止樹脂２３は、ダイパッド１１、リード部１２、半導体素子２１及びボンディングワイヤ２２を樹脂封止している。

【0080】

このうちダイパッド１１、リード部１２及び裏面側樹脂１８は、上述したリードフレーム１０から作製されたものである。各リード部１２の裏面のうち、半導体装置２０の外周に対応する位置に、それぞれ凹部１９ａが形成されている。凹部１９ａは、上述した凹部１９の一部からなる。各凹部１９ａは、リード部１２のうち外部端子面１７よりも外側に形成されている。凹部１９ａは、リード部１２の裏面側に開口するとともに、リード部１２の側面にも開口している。凹部１９ａは、半導体装置２０の外周側から見た場合、四角形形状を有している。封止樹脂２３及び裏面側樹脂１８は、凹部１９ａ内には充填されていない。

【0081】

このほか、ダイパッド１１、リード部１２及び裏面側樹脂１８の構成は、半導体装置２０に含まれない領域を除き、上述した図１乃至図８に示すものと同様であるため、ここでは詳細な説明を省略する。

【0082】

半導体素子２１としては、従来一般に用いられている各種半導体素子を使用可能である。半導体素子２１としては、特に限定されないが、例えば集積回路、大規模集積回路、トランジスタ、サイリスタ、ダイオード等を用いても良い。半導体素子２１は、各々ボンディングワイヤ２２が取り付けられる複数の電極２１ａを有している。半導体素子２１は、例えばダイボンディングペースト等の接着剤２４により、ダイパッド１１の表面に固定されている。

【0083】

各ボンディングワイヤ２２は、例えば金、銅等の導電性の良い材料からなっている。各ボンディングワイヤ２２は、それぞれその一端が半導体素子２１の電極２１ａに接続される。ボンディングワイヤ２２の他端は、各リード部１２の内部端子１５上に位置するめっき層２５にそれぞれ接続されている。

【0084】

封止樹脂２３としては、シリコーン樹脂やエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂、あるいはＰＰＳ樹脂等の熱可塑性樹脂を用いることができる。封止樹脂２３全体の厚みは、３００μｍ以上１５００μｍ以下程度とすることができる。また、封止樹脂２３の一辺（半導体装置２０の一辺）は、例えば１ｍｍ以上１６ｍｍ以下することができる。ダイパッド１１とリード部１２との間の空間において、封止樹脂２３は、裏面側樹脂１８の樹脂表面１８ａに密着している。なお、図９において、封止樹脂２３の表示を省略している。

【0085】

（リードフレームの製造方法）
次に、図１乃至図８に示すリードフレーム１０の製造方法について、図１１Ａ－Ｊを用いて説明する。

【0086】

まず図１１Ａに示すように、平板状の金属基板３１を準備する。金属基板３１としては、銅、銅合金、４２合金（Ｎｉ４２％のＦｅ合金）等の金属からなる基板を使用できる。なお金属基板３１は、その両面に対して脱脂等を行い、洗浄処理を施したものを使用することが好ましい。

【0087】

次に、金属基板３１の表裏全体にそれぞれ感光性レジストを塗布し、乾燥する。続いて、金属基板３１上の感光性レジストに対してフォトマスクを介して露光し、現像する。これにより、金属基板３１の表面側にエッチング用レジスト層３２を形成する。同様に、金属基板３１の裏面側に所望の開口部３３ｂ及び網点部（ハーフトーン部）３３ｃを有するエッチング用レジスト層３３を形成する。（図１１Ｂ）。開口部３３ｂは凹部１９に対応する位置に設けられ、網点部３３ｃは裏面側樹脂１８に対応する位置に設けられる。

【0088】

次に、ハーフエッチングにより、金属基板３１の裏面側から金属基板３１を厚み方向の途中まで薄肉化する（図１１Ｃ）。この場合、裏面側のエッチング用レジスト層３３を耐腐蝕膜として、金属基板３１の裏面側に腐蝕液でエッチングを施す。これにより、金属基板３１の裏面側に非貫通凹部である裏面側凹部３６及び凹部１９を形成する。裏面側凹部３６は、裏面側樹脂１８に対応する形状を有する。裏面側凹部３６は網点部３３ｃが存在する位置に形成される。凹部１９は、開口部３３ｂに対応する位置に形成される。このため、凹部１９の深さは、裏面側凹部３６の深さよりも深くなる。なお、エッチングにより、網点部３３ｃは除去される。腐蝕液は、使用する金属基板３１の材質に応じて適宜選択できる。例えば、金属基板３１として銅を用いる場合、腐蝕液としては、塩化第二鉄水溶液を使用しても良い。この塩化第二鉄水溶液を金属基板３１の一方の面又は両面からスプレーエッチングしても良い。

【0089】

次に、表面側のエッチング用レジスト層３２及び裏面側のエッチング用レジスト層３３を剥離除去する（図１１Ｄ）。次いで金属基板３１を水洗及び乾燥させる。

【0090】

続いて、外部端子面１７及び凹部１９に対応する領域を部分開口マスク３９によって覆う。部分開口マスク３９は、例えばメタルマスクやスクリーン印刷マスクによって形成されても良い。次に、金属基板３１の裏面側に裏面側樹脂１８を形成する（図１１Ｅ）。裏面側樹脂１８は、金属基板３１の裏面のうち、部分開口マスク３９に覆われていない領域を覆う。この際、金属基板３１の裏面側に、例えば熱硬化性樹脂又は熱可塑性樹脂を用いてインクジェット法やスクリーン印刷法により、裏面側樹脂１８を形成しても良い。これにより、裏面側樹脂１８が裏面側凹部３６内に充填される。なお、裏面側樹脂１８は凹部１９内には充填されない。

【0091】

次に、部分開口マスク３９を除去する。次いで、裏面側樹脂１８を所定の厚みだけ研磨して、金属基板３１の裏面を露出させる（図１１Ｆ）。具体的には、裏面側樹脂１８を裏面側から研磨してゆき、金属基板３１の裏面が出現した際、裏面側樹脂１８の研磨を終了する。このとき、ダイパッド１１のダイパッド裏面１１ｂを構成する金属面が裏面側に露出する。なお、裏面側樹脂１８を研磨する方法としては、例えば、半導体素子２１を所定の厚さに仕上げるための裏面研削（バックグラインドともいう）と同様の方法を用いても良い。

【0092】

次に、金属基板３１の表裏全体にそれぞれ感光性レジストを塗布し、乾燥する。続いて、金属基板３１上の感光性レジストに対してフォトマスクを介して露光し、現像する。これにより、エッチング用レジスト層３４、３５を形成する（図１１Ｇ）。表面側のエッチング用レジスト層３４は、開口部３４ｂを有する。裏面側のエッチング用レジスト層３５は、開口部を有していない。なお、エッチング用レジスト層３４、３５としては、例えばドライフィルムレジストを用いても良い。

【0093】

続いて、ハーフエッチングにより、金属基板３１の表裏からそれぞれ金属基板３１を厚み方向の途中まで薄肉化する（図１１Ｈ）。この場合、表面側のエッチング用レジスト層３４を耐腐蝕膜として、金属基板３１の表面側に腐蝕液でエッチングを施す。これにより、ダイパッド１１及びリード部１２の外形が形成される。金属基板３１の表面側がハーフエッチングされることにより、ダイパッド１１とリード部１２との間に隙間が形成され、裏面側樹脂１８が表面側に露出する。また、裏面側のエッチング用レジスト層３５は開口部を有していないため、金属基板３１はエッチングされない。なお、腐蝕液としては、金属基板３１の裏面側をエッチングする際に用いたものと同様のものを用いても良い（図１１Ｃ）。

【0094】

次に、エッチング用レジスト層３４、３５を剥離除去し、次いで金属基板３１を水洗及び乾燥させる（図１１Ｉ）。

【0095】

その後、ダイパッド１１及びリード部１２の一部を図示しないレジスト層で覆うとともに、ダイパッド１１及びリード部１２に電解めっきを施す。これによりダイパッド１１のダイパッド表面１１ａ及びリード部１２のインナーリード表面５１ａ上に金属（例えば銀）を析出させて、めっき層２５を形成する。このようにして図１乃至図８に示すリードフレーム１０が得られる（図１１Ｊ）。

【0096】

なお、凹部１９は２段階のエッチングによって形成されても良い。この場合、例えば、まず金属基板３１の裏面に裏面側凹部３６とともに、凹部１９に対応する裏面側凹部を形成する。その後、凹部１９に対応する裏面側凹部のみを再度裏面側からエッチングすることにより、裏面側凹部３６よりも深さが深い凹部１９を形成しても良い。

【0097】

（半導体装置の製造方法）
次に、図９及び図１０に示す半導体装置２０の製造方法について、図１２Ａ－Ｆを用いて説明する。

【0098】

まず、例えば図１１Ａ－Ｊに示す方法により、リードフレーム１０を作製する（図１２Ａ）。

【0099】

次に、リードフレーム１０のダイパッド１１上に、半導体素子２１を搭載する。この場合、例えばダイボンディングペースト等の接着剤２４を用いて、半導体素子２１をダイパッド１１上に載置して固定する（ダイアタッチ工程）（図１２Ｂ）。

【0100】

次に、半導体素子２１の各電極２１ａと、各リード部１２に形成された内部端子１５上のめっき層２５とを、それぞれボンディングワイヤ（接続部材）２２によって互いに電気的に接続する（ワイヤボンディング工程）（図１２Ｃ）。

【0101】

次に、リードフレーム１０に対して、例えば熱硬化性樹脂又は熱可塑性樹脂を射出成形又はトランスファ成形することにより、封止樹脂２３を形成する（図１２Ｄ）。このようにして、リードフレーム１０、リード部１２、半導体素子２１及びボンディングワイヤ２２を封止する。なお、封止樹脂２３は、凹部１９内には充填されない。

【0102】

次に、各半導体素子２１間の周囲領域１０ｂに位置する封止樹脂２３及びリード連結部１６をダイシングすることにより、リードフレーム１０を各半導体装置２０に分離する（図１２Ｅ）。このとき、例えばダイヤモンド砥石からなるブレード３８を回転させながら、周囲領域１０ｂに位置する封止樹脂２３及びリード連結部１６（支持リード１３）を切断しても良い。これにより、周囲領域１０ｂに位置するリード連結部１６が除去される。また各リード部１２のうち外部端子面１７よりも外側の領域に、凹部１９の一部からなる凹部１９ａが形成される。凹部１９ａは、リード部１２の裏面側及び側面側に開口する。

【0103】

このようにして、図９及び図１０に示す半導体装置２０が得られる（図１２Ｆ）。

【0104】

その後、半導体装置２０は配線基板８０に接続される（図１３）。このとき、ダイパッド１１のダイパッド裏面１１ｂは、半田部８１によって配線基板８０に接続される。また、リード部１２の外部端子面１７及び凹部１９ａに設けられた半田めっきが、半田フィレット８２を形成する。本実施の形態によれば、凹部１９（１９ａ）の深さｄ１は、裏面側樹脂１８の厚みＴ２よりも深い。このため、凹部１９ａの容積を大きくでき、半田フィレット８２を凹部１９ａ内に充填しやすい。また半田フィレット８２の外面を滑らかな凹状の傾斜面としやすい。これにより、リード部１２と配線基板８０とを安定して接続でき、半導体装置２０の接続信頼性を向上できる。また、半田フィレット８２が凹部１９ａの内部に充填されるので、外観検査時にリード部１２と配線基板８０とが接続されたことを外側から容易に確認できる。

【0105】

この場合、凹部１９の深さｄ１は、リードフレーム１０の厚みＴ１の５０％以上８３％以下としても良い。このように凹部１９の深さｄ１を深くすることにより、周囲領域１０ｂに存在する金属の量を減らすことができる。これにより、リードフレーム１０を個片化する工程において（図１２Ｅ）、周囲領域１０ｂの周辺に金属片（バリ）が発生することを抑制できる。

【0106】

また、裏面側樹脂１８の厚みＴ２は、リードフレーム１０の厚みＴ１の２０％以上６０％以下としても良い。このように裏面側樹脂１８の厚みＴ２を浅くすることにより、リード部１２の体積を大きくできる。これにより、リード部１２の熱容量と電気抵抗を低減できる。

【0107】

本実施の形態によれば、外部端子面１７のうち凹部１９に面する部分は、幅方向両端よりも幅方向中央の方がダイパッド１１から遠い位置にある。外部端子面１７の端子角部１７ｄは、直線状であっても良く、平面視で凸状に湾曲していても良い。これにより、外部端子面１７の端子角部１７ｄに肉厚が薄い箇所が存在しないため、端子角部１７ｄが変形することにより金属片（バリ）が発生することを抑制できる。

【0108】

また、本実施の形態によれば、外部端子面１７の端子外辺１７ｃが直線状である。これにより、外部端子面１７の形状をエッチングにより作製する際に、外部端子面１７の寸法のばらつきを抑制できる。また、外部端子面１７の端子外辺１７ｃが内側（ダイパッド１１側）に向けて湾曲する場合と比較して、外部端子面１７の面積を増加できる。これにより外部端子面１７と配線基板８０との電気抵抗を低下できる。

【0109】

また、本実施の形態によれば、凹部１９は、リード部１２の幅方向両側にそれぞれ側壁１９ｃを有し、側壁１９ｃのうち、パッケージ領域１０ａ内に位置する部分の最大高さＨ１は、リードフレーム１０の厚みＴ１の３０％以上６０％以下である。このように、凹部１９の内側に存在する側壁１９ｃの面積を広くすることにより、半田フィレット８２と凹部１９ａとを強固に密着できる。これにより、リード部１２と配線基板８０とを安定して接続でき、半導体装置２０の接続信頼性を向上できる。

【0110】

（第２の実施の形態）
第２の実施の形態について、図１４乃至図２５を参照して説明する。図１４乃至図２５において、図１乃至図１３に示す第１の実施の形態と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。なお、以下の各図において、同一部分には同一の符号を付しており、一部詳細な説明を省略する場合がある。

【0111】

（リードフレームの構成）
まず、図１４乃至図１６により、本実施の形態によるリードフレームの概略について説明する。図１４乃至図１６は、本実施の形態によるリードフレームを示す図である。

【0112】

図１４乃至図１６に示すように、リードフレーム１０は、ダイパッド１１と、複数の細長いリード部１２と、表面側樹脂１８Ａと、を備えている。リード部１２は、それぞれダイパッド１１の周囲に配置される。各リード部１２は、半導体素子２１と配線基板８０（後述）とを電気的に接続する。表面側樹脂１８Ａは、ダイパッド１１とリード部１２の周囲であって、リードフレーム１０の表面側に配置される。隣接するパッケージ領域１０ａ同士の間には、支持リード（支持部材）１３が配置されている。支持リード１３は、ダイパッド１１とリード部１２とを支持する。複数の支持リード１３は、Ｘ方向及びＹ方向に沿ってそれぞれ延びている。

【0113】

図１６Ａ、Ｂに示すように、ダイパッド１１は、ダイパッド表面１１ａと、ダイパッド裏面１１ｂとを有する。ダイパッド１１のうちリード部１２を向く側には、第１ダイパッド側面１１ｃと、第２ダイパッド側面１１ｄとが形成されている。第１ダイパッド側面１１ｃは、ダイパッド表面１１ａ側に位置しており、表面側樹脂１８Ａに密着している。第２ダイパッド側面１１ｄは、ダイパッド裏面１１ｂ側に位置しており、リードフレーム１０から外方に露出している。

【0114】

図１６Ａに示すように、リード部１２は、インナーリード５１と、端子部５３と、接続部５２とを有する。インナーリード５１は、内側（ダイパッド１１側）に位置する。端子部５３は、インナーリード５１よりも外側（支持リード１３側）に位置する。接続部５２は、端子部５３よりも外側（支持リード１３側）に位置する。インナーリード５１は、端子部５３からダイパッド１１側に延び、その表面側の先端部には内部端子１５が形成されている。内部端子１５は、後述するようにボンディングワイヤ２２を介して半導体素子２１に電気的に接続される領域である。

【0115】

インナーリード５１は、裏面側からハーフエッチングにより薄肉化されている。インナーリード５１は、インナーリード表面５１ａと、インナーリード裏面５１ｂとを有する。インナーリード表面５１ａの一部には、内部端子１５が形成される。インナーリード裏面５１ｂは、リードフレーム１０から外方に露出している。また、インナーリード５１のうちダイパッド１１を向く側には、インナーリード先端面５１ｃが形成される。インナーリード先端面５１ｃは、表面側樹脂１８Ａに密着している。

【0116】

端子部５３は、インナーリード５１と接続部５２との間に位置している。端子部５３の表面には、外部端子表面５３ａが形成されている。端子部５３の裏面には、上述した外部端子面１７が形成されている。端子部５３のうち外部端子面１７が形成された部分は、ハーフエッチングされることなく、ダイパッド１１と同一の厚みを有している。

【0117】

接続部５２は、凹部１９よりも表面側の位置に存在する金属の部分である。接続部５２は、リード部１２を支持リード１３に接続する部分である。接続部５２を構成する金属は、後述するリードフレーム１０を構成する金属と同一である。接続部５２は、支持リード１３側に延びており、その基端部はリード連結部１６に連結されている。接続部５２は、端子部５３とリード連結部１６との間に位置する。接続部５２は、裏面側から薄肉化されている。接続部５２の裏面には、上述した凹部１９が形成されている。接続部５２は、各パッケージ領域１０ａ内に位置している。

【0118】

本実施の形態において、リード部１２のうち端子部５３よりも外側（インナーリード５１の反対側）の領域及び周囲領域１０ｂに、凹部１９が形成されている。凹部１９は、パッケージ間凹部と称しても良い。凹部１９には、表面側樹脂１８Ａ等の樹脂が充填されておらず、金属面がリードフレーム１０から外方に露出している。凹部１９は、リードフレーム１０の裏面側であって、一のパッケージ領域１０ａのリード部１２と、当該リード部１２に連結されたリード連結部１６と、隣接するパッケージ領域１０ａのリード部１２とに跨がって連続的に形成される。

【0119】

凹部１９は、リード部１２の裏面のうち、外部端子面１７よりも外側に形成されている。またパッケージ領域１０ａの外周に対応する線が、凹部１９を横切っている。凹部１９は平面視で細長い形状を有し、リード部１２の長手方向に沿って延びている（図１５）。凹部１９は、ハーフエッチングにより裏面側から薄肉化されることにより形成されている。凹部１９は、リード部１２及びリード連結部１６の裏面側から厚み方向（Ｚ方向）の途中まで凹む非貫通凹部である。また、凹部１９は、リード部１２及びリード連結部１６の幅方向全域にわたって形成されていても良い。この場合、凹部１９は、リード部１２の裏面のうち外部端子面１７よりも外側の部分と、リード連結部１６の裏面全体とに形成されても良い。

【0120】

リード連結部１６は、凹部１９よりも表面側の位置に存在する。リード連結部１６は、上述したように、一のパッケージ領域１０ａのリード部１２と、当該パッケージ領域１０ａに隣接するパッケージ領域１０ａのリード部１２とを連結する。リード連結部１６は、リード部１２と一体化されている。リード連結部１６は、金属からなる。リード連結部１６を構成する金属は、後述するリードフレーム１０を構成する金属と同一である。リード連結部１６の表面側は薄肉化されておらず、ダイパッド表面１１ａ及びインナーリード表面５１ａと同一平面上に位置している。

【0121】

リード連結部１６の厚みＴ３は、１４μｍ以上としても良く、３０μｍ以上としても良い。リード連結部１６の厚みＴ３は、１２５μｍ以下としても良く、１００μｍ以下としても良い。リード連結部１６の厚みＴ３は、リード連結部１６のうち最も薄い部分の裏面と、ダイパッド表面１１ａ及びインナーリード表面５１ａが位置する平面との距離をいう。リード連結部１６のうち最も薄い部分は、リード連結部１６の長手方向中間位置に存在しても良い。

【0122】

リード連結部１６の厚みＴ３は、表面側樹脂１８Ａの厚みＴ５より薄くても良い。リード連結部１６の厚みＴ３は、表面側樹脂１８Ａの厚みＴ５の５０％以上としても良く、７０％以上としても良い。リード連結部１６の厚みＴ３は、表面側樹脂１８Ａの厚みＴ５の９９％以下としても良く、９０％以下としても良い。リード連結部１６の厚みＴ３は、リードフレーム１０の厚みＴ１の１７％以上としても良く、３０％以上としても良い。リード連結部１６の厚みＴ３は、リードフレーム１０の厚みＴ１の５０％以下としても良く、４０％以下としても良い。

【0123】

表面側樹脂１８Ａは、各パッケージ領域１０ａにおいて、ダイパッド１１及びリード部１２の周囲に配置されている。すなわち、図１４に示すように、表面側から見て、表面側樹脂１８Ａは、ダイパッド１１の一辺と、当該辺に対向する複数のリード部１２と、２本の吊りリード１４と、パッケージ領域１０ａの外周縁とによって取り囲まれる領域に位置する。図１５に示すように、裏面側から見て、表面側樹脂１８Ａは、ダイパッド１１の一辺と、当該辺に対向する複数のリード部１２と、２本の吊りリード１４と、パッケージ領域１０ａの外周縁とによって取り囲まれる領域に位置する。なお、図１４及び図１５において、表面側樹脂１８Ａを網掛けで示している（後述する図１７、図２１についても同様）。

【0124】

図１６Ａ、Ｂに示すように、表面側樹脂１８Ａは、リードフレーム１０の表面側に配置されている。

【0125】

図１６Ａに示すように、表面側樹脂１８Ａは、断面視で、第１ダイパッド側面１１ｃと、インナーリード先端面５１ｃとの間に配置されている。表面側樹脂１８Ａは、表面側に位置する樹脂表面１８ａと、裏面側に位置する樹脂裏面１８ｂとを有する。樹脂表面１８ａは、ダイパッド表面１１ａとインナーリード表面５１ａとの間から外方に露出する。樹脂表面１８ａ、ダイパッド表面１１ａ及びインナーリード表面５１ａは、互いに同一平面上に位置している。樹脂裏面１８ｂは、リードフレーム１０の裏面側から外方に露出する。樹脂裏面１８ｂは、インナーリード裏面５１ｂよりも裏面側に位置していても良い。すなわち樹脂裏面１８ｂは、インナーリード裏面５１ｂと、ダイパッド裏面１１ｂ及び外部端子面１７が位置する平面との間に位置する。この場合、表面側樹脂１８Ａが、インナーリード５１と表面側樹脂１８Ａとの接触面よりも裏面側に突出するため、インナーリード５１と表面側樹脂１８Ａとの界面からの水分侵入を抑制できる。

【0126】

図１６Ａに示すように、断面視で、第１ダイパッド側面１１ｃ（ダイパッド１１の表面側樹脂１８Ａと密着している側面）の方が、インナーリード先端面５１ｃ（インナーリード５１の表面側樹脂１８Ａと密着している先端面）よりも長い。第１ダイパッド側面１１ｃの下端の突起が、インナーリード先端面５１ｃの下側の突起よりも、裏面側にある。これにより、インナーリード５１の厚みを薄くした場合であっても、表面側樹脂１８Ａを裏面側に脱落しにくくできる。

【0127】

図１６Ｂに示すように、リード部１２が存在しない箇所の断面において、表面側樹脂１８Ａは、第１ダイパッド側面１１ｃから支持リード１３まで延びる。樹脂表面１８ａと、支持リード１３の表面とは、互いに同一平面上に位置している。樹脂裏面１８ｂは、支持リード１３の裏面よりも裏面側に位置しても良い。これにより、支持リード１３を薄くした場合であっても表面側樹脂１８Ａにより支持リード１３の周辺の強度を確保できる。そのため、支持リード１３を薄くでき、半導体装置２０を個片化する際のソーイングの負担を減らすことができる。あるいは、樹脂裏面１８ｂは、支持リード１３の裏面と同一表面上に位置しても良い。

【0128】

表面側樹脂１８Ａとしては、シリコーン樹脂やエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂、あるいはＰＰＳ樹脂等の熱可塑性樹脂を用いることができる。なお、表面側樹脂１８Ａと後述する封止樹脂２３との密着性を高めるため、表面側樹脂１８Ａとして、封止樹脂２３と同一の材料を用いることが好ましい。

【0129】

図１６Ａにおいて、凹部１９の深さｄ１は、リードフレーム１０の厚みＴ１の５０％以上としても良く、６０％以上としても良い。凹部１９の深さｄ１は、リードフレーム１０の厚みＴ１の８３％以下としても良く、７０％以下としても良い。凹部１９の深さｄ１は、１００μｍ以上としても良く、１２０μｍ以上としても良い。凹部１９の深さｄ１は、１７０μｍ以下としても良く、１５０μｍ以下としても良い。凹部１９の深さｄ１とは、凹部１９のうち、パッケージ領域１０ａ内（半導体装置２０に含まれる領域）で最も深い部分と、ダイパッド裏面１１ｂ及び外部端子面１７が位置する平面との距離をいう。凹部１９のうち最も深い部分は、ソーイングライン上に存在しても良い。凹部１９のうち最も深い部分は、インナーリード裏面５１ｂよりも深くてよい。すなわち、凹部１９は、インナーリード裏面５１ｂよりも裏面側から深くエッチングされていてもよい。この場合、半導体装置２０と配線基板８０とのはんだ実装性を向上できる。

【0130】

表面側樹脂１８Ａの厚みＴ５は、表面側樹脂１８Ａのうち、パッケージ領域１０ａ内（半導体装置２０に含まれる領域）で最も厚い部分の裏面と、ダイパッド表面１１ａ及びインナーリード表面５１ａが位置する平面との距離をいう。表面側樹脂１８Ａのうち最も厚い部分は、第１ダイパッド側面１１ｃと、インナーリード先端面５１ｃとの間に存在しても良い。あるいは、表面側樹脂１８Ａのうち最も厚い部分は、リード部１２同士の間に存在しても良い。

【0131】

表面側樹脂１８Ａの厚みＴ５は、リードフレーム１０の厚みＴ１の２０％以上としても良く、３０％以上としても良い。表面側樹脂１８Ａの厚みＴ５は、リードフレーム１０の厚みＴ１の８０％以下としても良く、６０％以下としても良く、５０％以下としても良い。表面側樹脂１８Ａの厚みＴ５は、４０μｍ以上としても良く、６０μｍ以上としても良い。表面側樹脂１８Ａの厚みＴ５は、１２０μｍ以下としても良く、１００μｍ以下としても良い。

【0132】

次に、図１７乃至図２０を参照して、外部端子面１７及び凹部１９の構成について更に説明する。

【0133】

図１７に示すように、外部端子面１７は、表面側樹脂１８Ａの樹脂裏面１８ｂよりも裏面側に位置する。外部端子面１７は、端子内辺１７ａと、端子側辺１７ｂと、端子外辺１７ｃと、端子角部１７ｄとを有する。端子内辺１７ａは、内側（ダイパッド１１側）を向く辺である。端子内辺１７ａは、凸状に湾曲した曲線からなっても良く、直線状であっても良い。端子側辺１７ｂは、リード部１２の長手方向に沿って延びる辺である。端子側辺１７ｂは、端子内辺１７ａに接続されている。端子側辺１７ｂは、直線状であっても良い。端子外辺１７ｃは、外側（ダイパッド１１の反対側）に位置する辺である。端子外辺１７ｃは、リード部１２の幅方向に沿って延びる。端子外辺１７ｃは、直線状であっても良い。端子外辺１７ｃは、凹部１９に面している。

【0134】

外部端子面１７は、外側（ダイパッド１１の反対側）の角が切り欠かれた形状である。この切り欠かれた部分に、端子角部１７ｄが存在する。端子角部１７ｄは、それぞれ端子外辺１７ｃの両端に位置する。端子角部１７ｄは、リード部１２の長手方向及び幅方向のいずれの方向に対しても傾斜して延びる。端子角部１７ｄは、端子外辺１７ｃと各端子側辺１７ｂとを接続する。端子角部１７ｄは、直線状であっても良い。端子角部１７ｄは、凹部１９に面している。端子角部１７ｄは、端子外辺１７ｃよりも内側（ダイパッド１１側）に位置する。

【0135】

このように、外部端子面１７のうち凹部１９に面する部分（端子外辺１７ｃ及び端子角部１７ｄ）は、幅方向両端よりも幅方向中央の方が外側（ダイパッド１１から遠い側）に位置する。これにより、端子外辺１７ｃの両端が凹部１９側に突出する場合と比較して、端子外辺１７ｃの両端が他の場所よりも薄肉化せず、端子外辺１７ｃの両端の変形を抑えられる。このため、端子外辺１７ｃの両端に金属片（バリ）が発生することを抑制できる。また、半導体装置２０と配線基板８０との実装性が低下することを抑制できる。リード部１２の長手方向に沿う端子角部１７ｄの長さＬ１は、０．０１０ｍｍ以上０．０２５ｍｍ以下としても良い。リード部１２の幅方向に沿う端子角部１７ｄの長さＬ２は、０．０１０ｍｍ以上０．０５０ｍｍ以下としても良い。

【0136】

図１８Ａ－Ｃは、外部端子面１７の変形例を示す裏面図である。図１８Ａ－Ｃにおいて、外部端子面１７のうち凹部１９に面する部分（端子外辺１７ｃ及び端子角部１７ｄ）は、幅方向両端よりも幅方向中央の方が外側（ダイパッド１１から遠い側）に位置する。これにより、端子外辺１７ｃの両端が他の場所よりも薄肉化せず、端子外辺１７ｃの両端の変形を抑えられる。このため、端子外辺の両端に金属片（バリ）が発生することを抑制できる。

【0137】

具体的には、図１８Ａに示すように、外部端子面１７の端子角部１７ｄは、平面視で凸状に湾曲していても良い。

【0138】

図１８Ｂに示すように、端子外辺１７ｃは、平面視で外側（ダイパッド１１の反対側）に向かって突出する凸形状を有しても良い。例えば、端子外辺１７ｃは、凹部１９に向けて突出するＶ字形状を有していても良い。端子外辺１７ｃのうち、最も外側（ダイパッド１１の反対側）に位置する部分に頂点１７ｅが形成されている。頂点１７ｅは、一対の端子側辺１７ｂの中間の位置に存在しても良く、いずれか一方の端子側辺１７ｂに近い位置に存在しても良い。このように、外部端子面１７のうち凹部１９に面する部分（端子外辺１７ｃ）は、幅方向両端よりも幅方向中央の方が外側に位置する。これにより、凹部１９の表面積を増やし、後述する半導体装置２０の凹部１９ａへ充填する半田フィレット８２の量を増加させることができる。

【0139】

図１８Ｃに示すように、端子外辺１７ｃは、平面視で外側（ダイパッド１１の反対側）に向かって突出する凸形状を有しても良い。具体的には、端子外辺１７ｃのうち、一対の端子側辺１７ｂとの境界となる位置と、一対の端子側辺１７ｂ同士の間の位置とがそれぞれ凹部１９に向けて突出するＭ字形状であっても良い。これにより、凹部１９の表面積を増やし、後述する半導体装置２０の凹部１９ａへ充填する半田フィレット８２の量を増加させることができる。

【0140】

外部端子面１７が図１８Ｂ、Ｃに示す形状を持つ場合、外部端子面１７の位置を内側（ダイパッド１１側）にすることなく、外部端子面１７のうち凹部１９に面する部分（端子外辺１７ｃ）を幅方向両端よりも幅方向中央を外側に位置させつつ、平面視での凹部１９の面積を増やせる。これにより、凹部１９への半田充填量を増やすことができる。図１８Ｂ、Ｃにおいて、頂点１７ｅの先端が鋭角でなく、鈍角でもよい。頂点１７ｅが丸くなっていてもよい。頂点１７ｅが丸くなっている場合、半田を充填しやすい。頂点１７ｅが角ばっている場合、端子外辺１７ｃと半田との密着性を向上できる。

【0141】

さらに、外部端子面１７が図１８Ｃに示す形状を持つ場合、凹部１９の側面（半田との密着面）の面積が増えるので、凹部１９と半田との密着性をより向上できる。

【0142】

図１７、図１９及び図２０に示すように、凹部１９は、頂部１９ｂを有する。頂部１９ｂは、凹部１９のうち表面側に位置する部分である。頂部１９ｂは、リード連結部１６の裏面に存在しても良い。図２０に示すように、リード部１２の幅方向に平行な断面において、リード部１２の幅方向両側には、それぞれリード部側面１２ａが形成される。リード部側面１２ａは、それぞれ表面側樹脂１８Ａに密着している。

【0143】

図２０において、凹部（端子切り欠き）１９内に表面側樹脂１８Ａが露出している、あるいは、表面側樹脂１８Ａが、凹部（端子切り欠き）１９の側面の一部を構成している。これにより、半田が入る空間を広くするために接続部５２を薄くした場合であっても、半田がリード部１２の幅方向に濡れ広がり過ぎるのを防ぎ、配線基板８０との半田実装性を確保できる。

【0144】

リードフレーム１０の材料及び厚みは第１の実施の形態の場合と同様にしても良い。

【0145】

後述するように、表面側樹脂１８Ａは表面側から研磨される（図２３Ｆ）。表面側樹脂１８Ａの研磨を終了したとき、金属基板３１の表面もわずかに研磨される。このため、リードフレーム１０の表面の粗さは、リードフレーム１０の裏面の粗さよりも粗くても良い。例えば、リードフレーム１０の表面の平均粗さＲａは、例えば０．１μｍ超０．３５μｍ以下であっても良い。リードフレーム１０の表面の平均粗さＲａが０．１μｍ超となることにより、リードフレーム１０の表面と後述する封止樹脂２３との密着性を向上できる。リードフレーム１０の表面の平均粗さＲａが０．３５μｍ以下となることにより、リードフレーム１０の表面に金属片（バリ）が発生することを抑制できる。リードフレーム１０の表面の平均粗さＲａは、例えば０．０１μｍ以上０．１５μｍ以下であっても良い。平均粗さＲａとは、ＪＩＳ Ｂ０６０１で規定される算術平均粗さである。

【0146】

（半導体装置の構成）
次に、図２１及び図２２により、本実施の形態による半導体装置について説明する。図２１及び図２２は、本実施の形態による半導体装置（ＱＦＮタイプ）を示す図である。

【0147】

図２１及び図２２に示すように、半導体装置（半導体パッケージ）２０は、ダイパッド１１と、複数のリード部１２と、表面側樹脂１８Ａと、半導体素子２１と、複数のボンディングワイヤ（接続部材）２２と、封止樹脂２３とを備える。表面側樹脂１８Ａは、ダイパッド１１とリード部１２の周囲であって、半導体装置２０の表面側に配置されている。

【0148】

ダイパッド１１、リード部１２及び表面側樹脂１８Ａは、上述したリードフレーム１０から作製されたものである。各リード部１２の裏面のうち、半導体装置２０の外周に対応する位置に、それぞれ凹部１９ａが形成されている。凹部１９ａよりも表面側の位置に、金属の部分である接続部５２が存在する。封止樹脂２３及び表面側樹脂１８Ａは、凹部１９ａ内には充填されていない。ダイパッド１１とリード部１２との間の空間において、封止樹脂２３は、表面側樹脂１８Ａの樹脂表面１８ａに密着している。

【0149】

このほか、ダイパッド１１、リード部１２及び表面側樹脂１８Ａの構成は、半導体装置２０に含まれない領域を除き、上述した図１４乃至図２０に示すものと同様であるため、ここでは詳細な説明を省略する。また、半導体素子２１、ボンディングワイヤ２２、及び封止樹脂２３の構成は、第１の実施の形態のものと同様であるため、ここでは詳細な説明を省略する。

【0150】

（リードフレームの製造方法）
次に、図１４乃至図２０に示すリードフレーム１０の製造方法について、図２３Ａ－Ｊを用いて説明する。

【0151】

まず図２３Ａに示すように、第１の実施の形態の場合と同様にして、平板状の金属基板３１を準備する。

【0152】

次に、金属基板３１の表裏全体にそれぞれ感光性レジストを塗布し、乾燥する。続いて、金属基板３１上の感光性レジストに対してフォトマスクを介して露光し、現像する。これにより、金属基板３１の表面側に所望の開口部３２ｂを有するエッチング用レジスト層３２を形成する。開口部３２ｂは表面側樹脂１８Ａに対応する位置に設けられる。同様に、金属基板３１の裏面側にエッチング用レジスト層３３を形成する。（図２３Ｂ）。エッチング用レジスト層３３は、開口部を有していなくても良い。

【0153】

次に、ハーフエッチングにより、金属基板３１の表面側から金属基板３１を厚み方向の途中まで薄肉化する（図２３Ｃ）。この場合、表面側のエッチング用レジスト層３２を耐腐蝕膜として、金属基板３１の表面側に腐蝕液でエッチングを施す。これにより、金属基板３１の表面側に非貫通凹部である表面側凹部３６Ａを形成する。表面側凹部３６Ａは、表面側樹脂１８Ａに対応する形状を有する。表面側凹部３６Ａは開口部３２ｂが存在する位置に形成される。腐蝕液は、使用する金属基板３１の材質に応じて適宜選択できる。例えば、金属基板３１として銅を用いる場合、腐蝕液としては、塩化第二鉄水溶液を使用しても良い。この塩化第二鉄水溶液を金属基板３１の一方の面又は両面からスプレーエッチングしても良い。

【0154】

次に、金属基板３１から表面側のエッチング用レジスト層３２及び裏面側のエッチング用レジスト層３３を剥離除去する（図２３Ｄ）。次いで金属基板３１を水洗及び乾燥させる。

【0155】

続いて、金属基板３１の表面側に表面側樹脂１８Ａを形成する（図２３Ｅ）。この際、金属基板３１の表面側に、例えば熱硬化性樹脂又は熱可塑性樹脂を用いてインクジェット法やスクリーン印刷法により、表面側樹脂１８Ａを形成しても良い。このとき、表面側樹脂１８Ａが表面側凹部３６Ａ内に充填される。表面側樹脂１８Ａは、金属基板３１の表面の全域を覆っても良い。

【0156】

次いで、表面側樹脂１８Ａを所定の厚みだけ研磨して、金属基板３１の表面を露出させる（図２３Ｆ）。具体的には、表面側樹脂１８Ａを表面側から研磨してゆき、金属基板３１の表面が出現した際、表面側樹脂１８Ａの研磨を終了する。このとき、ダイパッド１１のダイパッド表面１１ａ及びインナーリード表面５１ａを構成する金属面が表面側に露出する。なお、表面側樹脂１８Ａを研磨する方法としてとは、例えば、半導体素子２１を所定の厚さに仕上げるための裏面研削（バックグラインドともいう）と同様の方法を用いても良い。

【0157】

次に、金属基板３１の表裏全体にそれぞれ感光性レジストを塗布し、乾燥する。続いて、金属基板３１上の感光性レジストに対してフォトマスクを介して露光し、現像する。これにより、エッチング用レジスト層３４、３５を形成する（図２３Ｇ）。裏面側のエッチング用レジスト層３５は、開口部３５ｂを有する。表面側のエッチング用レジスト層３４は、開口部を有していなくても良い。なお、エッチング用レジスト層３４、３５としては、例えばドライフィルムレジストを用いても良い。

【0158】

続いて、ハーフエッチングにより、金属基板３１の表裏からそれぞれ金属基板３１を厚み方向の途中まで薄肉化する（図２３Ｈ）。この場合、裏面側のエッチング用レジスト層３５を耐腐蝕膜として、金属基板３１の裏面側に腐蝕液でエッチングを施す。これにより、ダイパッド１１及びリード部１２の外形が形成される。金属基板３１の裏面側がハーフエッチングされることにより、ダイパッド１１とリード部１２とが互いに分離され、表面側樹脂１８Ａが裏面側に露出する。また、金属基板３１の裏面には凹部１９が形成される。このとき、凹部１９よりも表面側の位置に、金属基板３１の一部からなる接続部５２及びリード連結部１６が形成される。表面側のエッチング用レジスト層３４は開口部を有していないため、金属基板３１の表面側はエッチングされない。なお、腐蝕液としては、金属基板３１の表面側をエッチングする際に用いたものと同様のものを用いても良い（図２３Ｃ）。

【0159】

次に、エッチング用レジスト層３４、３５を剥離除去し、次いで金属基板３１を水洗及び乾燥させる（図２３Ｉ）。

【0160】

その後、第１の実施の形態の場合と同様に、ダイパッド１１のダイパッド表面１１ａ及びリード部１２のインナーリード表面５１ａ上にめっき層２５を形成する。このようにして図１４乃至図２０に示すリードフレーム１０が得られる（図２３Ｊ）。

【0161】

（半導体装置の製造方法）
次に、図２１及び図２２に示す半導体装置２０の製造方法について、図２４Ａ－Ｆを用いて説明する。

【0162】

まず、例えば図２３Ａ－Ｊに示す方法により、リードフレーム１０を作製する（図２４Ａ）。

【0163】

次に、第１の実施の形態の場合と同様に、リードフレーム１０のダイパッド１１上に、半導体素子２１を搭載する（図２４Ｂ）。

【0164】

次に、第１の実施の形態の場合と同様に、半導体素子２１の各電極２１ａと、各リード部１２に形成された内部端子１５上のめっき層２５とを、それぞれボンディングワイヤ（接続部材）２２によって互いに電気的に接続する（図２４Ｃ）。

【0165】

次に、第１の実施の形態の場合と同様に、リードフレーム１０に対して、例えば熱硬化性樹脂又は熱可塑性樹脂を射出成形又はトランスファ成形することにより、封止樹脂２３を形成する（図２４Ｄ）。

【0166】

次に、第１の実施の形態の場合と同様に、各半導体素子２１間の周囲領域１０ｂに位置する封止樹脂２３及びリード連結部１６をダイシングすることにより、リードフレーム１０を各半導体装置２０に分離する（図２４Ｅ）。

【0167】

このようにして、図２１及び図２２に示す半導体装置２０が得られる（図２４Ｆ）。

【0168】

その後、半導体装置２０は配線基板８０に接続される（図２５）。このとき、ダイパッド１１のダイパッド裏面１１ｂは、半田部８１によって配線基板８０に接続される。また、リード部１２の外部端子面１７及び凹部１９ａに設けられた半田めっきが、半田フィレット８２を形成する。これにより、リード部１２と配線基板８０とを安定して接続でき、半導体装置２０の接続信頼性を向上できる。また、半田フィレット８２が凹部１９ａの内部に充填されるので、外観検査時にリード部１２と配線基板８０とが接続されたことを外側から容易に確認できる。

【0169】

また、本実施の形態による半導体装置２０において、ダイパッド１１のダイパッド裏面１１ｂと、リード部１２の外部端子面１７とが、それぞれ裏面側に突出する（スタンドオフ形状）。これにより、半導体装置２０を配線基板８０に実装しやすい。

【0170】

ところで、このようにして作製された半導体装置２０を長期間使用している間、空気中の水分等が、半導体装置２０の側面から半導体装置２０内部に侵入することが考えられる。本実施の形態によれば、凹部１９ａよりも表面側の位置に、金属の接続部５２が存在する。これにより、空気中の水分等が、半導体装置２０の側面から半導体装置２０の内部に侵入することを抑えられる。この結果、長期間の使用後における半導体装置２０の信頼性を向上させることができる。

【0171】

また、本実施の形態によれば、表面側樹脂１８Ａの厚みＴ５は、リードフレーム１０の厚みＴ１の２０％以上８０％以下としても良く、２０％以上６０％以下としても良い。厚みＴ５を厚みＴ１の２０％以上６０％以下とした場合、表面側樹脂１８Ａの厚みＴ５を浅くすることにより、凹部１９を深く形成することが容易となる。これにより、半導体装置２０を配線基板８０に実装しやすくなる。また、厚みＴ５を厚みＴ１の５０％以上８０％以下とした場合、表面側樹脂１８Ａの厚みＴ５を厚くすることにより、リードフレーム１０の強度を向上させることができる。また、この場合、凹部１９を深くしても、リードフレーム１０の強度を維持することができる。

【0172】

本実施の形態によれば、外部端子面１７のうち凹部１９に面する部分は、幅方向両端よりも幅方向中央の方がダイパッド１１から遠い位置にある。外部端子面１７の端子角部１７ｄは、直線状であっても良く、平面視で凸状に湾曲していても良い。これにより、外部端子面１７の端子角部１７ｄに肉厚が薄い箇所が存在しないため、端子角部１７ｄが変形することにより金属片（バリ）が発生することを抑制できる。

【0173】

また、本実施の形態によれば、外部端子面１７の端子外辺１７ｃが直線状である。これにより、外部端子面１７の形状をエッチングにより作製する際に、外部端子面１７の寸法のばらつきを抑制できる。また、外部端子面１７の端子外辺１７ｃが内側（ダイパッド１１側）に向けて湾曲する場合と比較して、外部端子面１７の面積を増加できる。これにより外部端子面１７と配線基板８０との電気抵抗を低下できる。

【0174】

（第３の実施の形態）
次に、図２６及び図２７を参照して第３の実施の形態について説明する。図２６及び図２７は第３の実施の形態を示す図である。図２６及び図２７に示す第３の実施の形態は、主として、接続部５２及びリード連結部１６よりも表面側に表面側樹脂１８Ａが存在する点が異なるものであり、他の構成は上述した第２の実施の形態と略同一である。図２６及び図２７において、図１４乃至図２５に示す第２の実施の形態と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。

【0175】

（リードフレームの構成）
図２６は本実施の形態によるリードフレーム１０Ａを示す断面図である。

【0176】

図２６に示すリードフレーム１０Ａにおいて、リード部１２のうち端子部５３よりも外側（インナーリード５１の反対側）の領域及び周囲領域１０ｂに、凹部１９が形成されている。凹部１９には、表面側樹脂１８Ａ等の樹脂が充填されておらず、金属面がリードフレーム１０Ａから外方に露出している。凹部１９は、リード部１２の裏面のうち、外部端子面１７よりも外側に形成されている。凹部１９は、接続部５２及びリード連結部１６の裏面側から厚み方向（Ｚ方向）の途中まで凹む非貫通凹部である。

【0177】

接続部５２及びリード連結部１６は、凹部１９よりも表面側に位置する金属の部分である。接続部５２及びリード連結部１６は、裏面側から薄肉化されている。接続部５２及びリード連結部１６の裏面には、凹部１９が形成されている。接続部５２及びリード連結部１６は、凹部１９よりも表面側の位置に存在する。リード連結部１６は、リード部１２と一体化されている。

【0178】

リード連結部１６の厚みＴ３は、１４μｍ以上としても良く、３０μｍ以上としても良い。リード連結部１６の厚みＴ３は、１２５μｍ以下としても良く、１００μｍ以下としても良い。リード連結部１６の厚みＴ３は、リード連結部１６のうち最も薄い部分を厚み方向（Ｚ方向）に測定した長さをいう。リード連結部１６のうち最も薄い部分は、リード連結部１６の長手方向中間位置に存在しても良い。リード連結部１６の厚みＴ３は、リードフレーム１０Ａの厚みＴ１の１７％以上としても良く、３０％以上としても良い。リード連結部１６の厚みＴ３は、リードフレーム１０Ａの厚みＴ１の５０％以下としても良く、４０％以下としても良い。

【0179】

図１４及び図１５に示すように、接続部５２及びリード連結部１６の表面側には外周凹部５７が形成されている。外周凹部５７には、表面側樹脂１８Ａが充填されている。外周凹部５７は、リード部１２の表面のうち、外部端子表面５３ａよりも外側に形成されている。外周凹部５７は、接続部５２及びリード連結部１６の表面側から厚み方向（Ｚ方向）の途中まで凹む非貫通凹部である。すなわち、接続部５２及びリード連結部１６は、表面側及び裏面側の両方から薄肉化されている。

【0180】

表面側樹脂１８Ａは、接続部５２及びリード連結部１６よりも表面側の位置に存在する。表面側樹脂１８Ａは、凹部１９よりも表面側の位置に存在する。表面側樹脂１８Ａは、パッケージ領域１０ａと、当該パッケージ領域１０ａ周囲の周囲領域１０ｂと、隣接するパッケージ領域１０ａとに跨がるように連続的に形成されている。表面側樹脂１８Ａの表面は、ダイパッド表面１１ａ及びインナーリード表面５１ａと同一平面上に位置する。接続部５２及びリード連結部１６の表面側に位置する表面側樹脂１８Ａは、第１ダイパッド側面１１ｃとインナーリード先端面５１ｃとの間に位置する表面側樹脂１８Ａと一体化されている。

【0181】

接続部５２及びリード連結部１６の表面側に位置する表面側樹脂１８Ａの厚みＴ４は、２０μｍ以上としても良く、３０μｍ以上としても良い。接続部５２及びリード連結部１６の表面側に位置する表面側樹脂１８Ａの厚みＴ４は、７５μｍ以下としても良く、５０μｍ以下としても良い。上記厚みＴ４は、接続部５２及びリード連結部１６の表面側に位置する表面側樹脂１８Ａのうち、最も厚い部分を厚み方向（Ｚ方向）に測定した距離をいう。上記厚みＴ４は、リードフレーム１０Ａの厚みＴ１の１０％以上としても良く、１５％以上としても良い。上記厚みＴ４は、リードフレーム１０Ａの厚みＴ１の３５％以下としても良く、２５％以下としても良い。

【0182】

（半導体装置の構成）
図２７は本実施の形態による半導体装置２０Ａを示す断面図である。

【0183】

図２７に示すように、半導体装置２０Ａは、ダイパッド１１と、複数のリード部１２と、表面側樹脂１８Ａと、半導体素子２１と、複数のボンディングワイヤ（接続部材）２２と、封止樹脂２３とを備える。各リード部１２の裏面のうち、半導体装置２０Ａの外周に対応する位置に、それぞれ凹部１９ａが形成されている。凹部１９ａは、上述した凹部１９の一部からなる。各凹部１９ａは、リード部１２のうち外部端子面１７よりも外側に形成されている。

【0184】

凹部１９ａの表面側には、金属の接続部５２が位置する。接続部５２の表面側には外周凹部５７が形成されている。外周凹部５７には、表面側樹脂１８Ａが充填されている。表面側樹脂１８Ａは、リード部１２の表面のうち、外部端子表面５３ａよりも外側に形成されている。このほか、本実施の形態による半導体装置２０Ａは、上述した第２の実施の形態による半導体装置２０と略同一である。

【0185】

（リードフレームの製造方法）
本実施の形態によるリードフレーム１０Ａを製造する場合、金属基板３１の表面側から金属基板３１をハーフエッチングする工程で（図２３Ｃ）、表面側凹部３６Ａとともに外周凹部５７を形成する。その後、金属基板３１の表面側に表面側樹脂１８Ａを形成する工程で（図２３Ｅ）、表面側凹部３６Ａ内とともに外周凹部５７内に表面側樹脂１８Ａを充填する。このほか、本実施の形態によるリードフレーム１０Ａの製造方法は、図２３Ａ－Ｆに示すリードフレーム１０の製造方法と略同様としても良い。

【0186】

（半導体装置の製造方法）
本実施の形態による半導体装置の製造方法は、図２４Ａ－Ｆに示す半導体装置２０の製造方法と略同様としても良い。

【0187】

本実施の形態によれば、接続部５２及びリード連結部１６よりも表面側の位置に表面側樹脂１８Ａが存在する。これにより、リード部１２と封止樹脂２３との界面から、半導体素子２１側に水分が侵入することを抑えられる。この結果、長期間の使用後における半導体装置の信頼性を向上させることができる。

【0188】

また本実施の形態によれば、リードフレーム１０Ａを個片化する工程において（図２４Ｅ）、周囲領域１０ｂの周辺に金属片（バリ）が発生した場合でも、この金属片が表面側樹脂１８Ａに埋没する。この結果、半導体装置２０Ａの周辺に金属片が突出することを抑制できる。

【0189】

上記各実施の形態及び変形例に開示されている複数の構成要素を必要に応じて適宜組合せることも可能である。あるいは、上記各実施の形態及び変形例に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。

【符号の説明】

【0190】

１０ リードフレーム
１０ａ パッケージ領域
１０ｂ 周囲領域
１１ ダイパッド
１２ リード部
１５ 内部端子
１６ リード連結部
１７ 外部端子面
１８ 裏面側樹脂
１８Ａ 表面側樹脂
１９ 凹部
２５ めっき層
５１ インナーリード
５２ 接続部
５３ 端子部

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】

【図22】

【図23】

【図24】

【図25】

【図26】

【図27】