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特開2024-129045樹脂組成物、化合物（Ｚ）、基材（ｉ）、光学フィルターおよびその用途
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024129045
(43)【公開日】2024-09-26
(54)【発明の名称】樹脂組成物、化合物（Ｚ）、基材（ｉ）、光学フィルターおよびその用途
(51)【国際特許分類】
C08L 101/00 20060101AFI20240918BHJP
C08K 5/00 20060101ALI20240918BHJP
C07D 311/58 20060101ALI20240918BHJP
C07D 311/60 20060101ALI20240918BHJP
C07D 311/92 20060101ALI20240918BHJP
C07D 311/76 20060101ALI20240918BHJP
G02B 5/22 20060101ALI20240918BHJP
G02B 5/28 20060101ALI20240918BHJP
G01J 1/04 20060101ALI20240918BHJP
【ＦＩ】
C08L101/00
C08K5/00
C07D311/58 CSP
C07D311/60
C07D311/92 101
C07D311/76
G02B5/22
G02B5/28
G01J1/04 B
【審査請求】有
【請求項の数】14
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2024099258
(22)【出願日】2024-06-20
(62)【分割の表示】P 2021018596の分割
【原出願日】2021-02-08
(31)【優先権主張番号】P 2020028548
(32)【優先日】2020-02-21
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(31)【優先権主張番号】P 2020030349
(32)【優先日】2020-02-26
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(71)【出願人】
【識別番号】000004178
【氏名又は名称】ＪＳＲ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110001070
【氏名又は名称】弁理士法人エスエス国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】川部 泰典
(72)【発明者】
【氏名】長屋 勝也
(72)【発明者】
【氏名】内田 洋介
(72)【発明者】
【氏名】大崎 仁視
(72)【発明者】
【氏名】畠中 創
(72)【発明者】
【氏名】下河 広幸
(72)【発明者】
【氏名】面手 真人
(72)【発明者】
【氏名】大橋 幸恵
(57)【要約】 （修正有）
【課題】波長７００～７５０ｎｍ付近、または、波長７２０～９００ｎｍ付近に吸収極大を有し、可視光域の吸光度に対する赤外線域の吸光度の比が大きく、耐光性（耐久性）に優れる樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】樹脂と式(I)で表される化合物とを含有する樹脂組成物。
Ｃｎ+Ａｎ-(I)［式(I)中、Ｃｎ+は式(II)で表される一価のカチオン、Ａｎ-は一価のアニオン。］
［Ａは置換基を有してもよいベンゾピリリウムカチオン塩の構造、Ｂは置換基を有してもよいベンゾピランの構造を表す。］
【選択図】なし
【解決手段】樹脂と式(I)で表される化合物とを含有する樹脂組成物。
Ｃｎ+Ａｎ-(I)［式(I)中、Ｃｎ+は式(II)で表される一価のカチオン、Ａｎ-は一価のアニオン。］
［Ａは置換基を有してもよいベンゾピリリウムカチオン塩の構造、Ｂは置換基を有してもよいベンゾピランの構造を表す。］
【選択図】なし
【特許請求の範囲】
【請求項1】
樹脂と、下記式（Ｉ）で表される化合物（Ｚ）とを含有する樹脂組成物。
Ｃｎ+Ａｎ- （Ｉ）
［式（Ｉ）中、Ｃｎ+は下記式（ＩＩ）で表される一価のカチオンであり、Ａｎ-は一価のアニオンである。］
［式（ＩＩ）中、
ユニットＡは、下記式（Ａ－Ｉ）であり、
ユニットＢは、下記式（Ｂ－Ｉ）であり、
ＹA～ＹEはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、カルボキシ基、ニトロ基、－ＮＲgＲh基、アミド基、イミド基、シアノ基、シリル基、－Ｑ1、－Ｎ＝Ｎ－Ｑ1、－Ｓ－Ｑ2、－ＳＳＱ2、または、－ＳＯ2Ｑ3であり、
ＹAとＹC、ＹBとＹD、ＹCとＹEは互いに結合して、炭素数６～１４の芳香族炭化水素基、窒素原子、酸素原子もしくは硫黄原子を少なくとも一つ含んでもよい４～７員の脂環基、または、窒素原子、酸素原子もしくは硫黄原子を少なくとも一つ含む、炭素数３～１４の複素芳香族基を形成していてもよく、これらの芳香族炭化水素基、脂環基および複素芳香族基は、水酸基、炭素数１～９の脂肪族炭化水素基またはハロゲン原子を有してもよく、また該脂環基は、＝Ｏを有していてもよく、
ＲgおよびＲhはそれぞれ独立に、水素原子、－Ｃ（Ｏ）Ｒi基または下記Ｌa～Ｌhのいずれかであり、Ｑ1は独立に、下記Ｌa～Ｌhのいずれかであり、Ｑ2は独立に、水素原子または下記Ｌa～Ｌhのいずれかであり、Ｑ3は、水酸基または下記Ｌa～Ｌhのいずれかであり、Ｒiは下記Ｌa～Ｌhのいずれかである。］
［式（Ａ－Ｉ）中の－＊は、前記式（ＩＩ）のＹAが結合する炭素と単結合することを示し、
式（Ｂ－Ｉ）中の＝＊＊は、前記式（ＩＩ）のＹEが結合する炭素と二重結合することを示し、
式（Ａ－Ｉ）および（Ｂ－Ｉ）中、
Ｘは独立に、酸素原子、硫黄原子、セレン原子、テルル原子または－ＮＲ8－であり、
Ｒ1～Ｒ3およびＲ5～Ｒ6はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、スルホ基、水酸基、シアノ基、ニトロ基、カルボキシ基、リン酸基、－ＮＲgＲh基、－ＳＲi基、－ＳＯ2Ｒi基、－ＯＳＯ2Ｒi基、－Ｃ（Ｏ）Ｒi基または下記Ｌa～Ｌhのいずれかであり、
Ｒ4はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、スルホ基、水酸基、シアノ基、ニトロ基、カルボキシ基、リン酸基、－ＳＲi基、－ＳＯ2Ｒi基、－ＯＳＯ2Ｒi基、－Ｃ（Ｏ）Ｒi基または下記Ｌa～Ｌhのいずれかであり、
隣接するＲ1～Ｒ6は互いに結合して、炭素数６～１４の芳香族炭化水素基、窒素原子、酸素原子もしくは硫黄原子を少なくとも一つ含んでもよい４～７員の脂環基、または、窒素原子、酸素原子もしくは硫黄原子を少なくとも一つ含む、炭素数３～１４の複素芳香族基を形成していてもよく、これらの芳香族炭化水素基、脂環基および複素芳香族基は、水酸基、炭素数１～９の脂肪族炭化水素基またはハロゲン原子を有してもよく、また該脂環基は、＝Ｏを有していてもよく、
Ｒ8は独立に、水素原子、ハロゲン原子、－Ｃ（Ｏ）Ｒi基、下記Ｌa～Ｌhのいずれかであり、
ＲgおよびＲhはそれぞれ独立に、水素原子、－Ｃ（Ｏ）Ｒi基または下記Ｌa～Ｌhのいずれかであり、
Ｒiは独立に、下記Ｌa～Ｌhのいずれかであり、
（Ｌa）：炭素数１～１５の脂肪族炭化水素基
（Ｌb）：炭素数１～１５のハロゲン置換アルキル基
（Ｌc）：置換基Ｋを有してもよい炭素数３～１４の脂環式炭化水素基
（Ｌd）：置換基Ｋを有してもよい炭素数６～１４の芳香族炭化水素基
（Ｌe）：置換基Ｋを有してもよい炭素数３～１４の複素環基
（Ｌf）：－ＯＲ（Ｒは置換基Ｌを有してもよい炭素数１～１２の炭化水素基）
（Ｌg）：置換基Ｌを有してもよい炭素数１～９のアシル基
（Ｌh）：置換基Ｌを有してもよい炭素数１～９のアルコキシカルボニル基
前記置換基Ｋは、前記Ｌa～Ｌbより選ばれる少なくとも一種であり、前記置換基Ｌは、前記Ｌa～Ｌfより選ばれる少なくとも一種である。］
Ｃｎ+Ａｎ- （Ｉ）
［式（Ｉ）中、Ｃｎ+は下記式（ＩＩ）で表される一価のカチオンであり、Ａｎ-は一価のアニオンである。］
【化1】
ユニットＡは、下記式（Ａ－Ｉ）であり、
ユニットＢは、下記式（Ｂ－Ｉ）であり、
ＹA～ＹEはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、カルボキシ基、ニトロ基、－ＮＲgＲh基、アミド基、イミド基、シアノ基、シリル基、－Ｑ1、－Ｎ＝Ｎ－Ｑ1、－Ｓ－Ｑ2、－ＳＳＱ2、または、－ＳＯ2Ｑ3であり、
ＹAとＹC、ＹBとＹD、ＹCとＹEは互いに結合して、炭素数６～１４の芳香族炭化水素基、窒素原子、酸素原子もしくは硫黄原子を少なくとも一つ含んでもよい４～７員の脂環基、または、窒素原子、酸素原子もしくは硫黄原子を少なくとも一つ含む、炭素数３～１４の複素芳香族基を形成していてもよく、これらの芳香族炭化水素基、脂環基および複素芳香族基は、水酸基、炭素数１～９の脂肪族炭化水素基またはハロゲン原子を有してもよく、また該脂環基は、＝Ｏを有していてもよく、
ＲgおよびＲhはそれぞれ独立に、水素原子、－Ｃ（Ｏ）Ｒi基または下記Ｌa～Ｌhのいずれかであり、Ｑ1は独立に、下記Ｌa～Ｌhのいずれかであり、Ｑ2は独立に、水素原子または下記Ｌa～Ｌhのいずれかであり、Ｑ3は、水酸基または下記Ｌa～Ｌhのいずれかであり、Ｒiは下記Ｌa～Ｌhのいずれかである。］
【化2】
式（Ｂ－Ｉ）中の＝＊＊は、前記式（ＩＩ）のＹEが結合する炭素と二重結合することを示し、
式（Ａ－Ｉ）および（Ｂ－Ｉ）中、
Ｘは独立に、酸素原子、硫黄原子、セレン原子、テルル原子または－ＮＲ8－であり、
Ｒ1～Ｒ3およびＲ5～Ｒ6はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、スルホ基、水酸基、シアノ基、ニトロ基、カルボキシ基、リン酸基、－ＮＲgＲh基、－ＳＲi基、－ＳＯ2Ｒi基、－ＯＳＯ2Ｒi基、－Ｃ（Ｏ）Ｒi基または下記Ｌa～Ｌhのいずれかであり、
Ｒ4はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、スルホ基、水酸基、シアノ基、ニトロ基、カルボキシ基、リン酸基、－ＳＲi基、－ＳＯ2Ｒi基、－ＯＳＯ2Ｒi基、－Ｃ（Ｏ）Ｒi基または下記Ｌa～Ｌhのいずれかであり、
隣接するＲ1～Ｒ6は互いに結合して、炭素数６～１４の芳香族炭化水素基、窒素原子、酸素原子もしくは硫黄原子を少なくとも一つ含んでもよい４～７員の脂環基、または、窒素原子、酸素原子もしくは硫黄原子を少なくとも一つ含む、炭素数３～１４の複素芳香族基を形成していてもよく、これらの芳香族炭化水素基、脂環基および複素芳香族基は、水酸基、炭素数１～９の脂肪族炭化水素基またはハロゲン原子を有してもよく、また該脂環基は、＝Ｏを有していてもよく、
Ｒ8は独立に、水素原子、ハロゲン原子、－Ｃ（Ｏ）Ｒi基、下記Ｌa～Ｌhのいずれかであり、
ＲgおよびＲhはそれぞれ独立に、水素原子、－Ｃ（Ｏ）Ｒi基または下記Ｌa～Ｌhのいずれかであり、
Ｒiは独立に、下記Ｌa～Ｌhのいずれかであり、
（Ｌa）：炭素数１～１５の脂肪族炭化水素基
（Ｌb）：炭素数１～１５のハロゲン置換アルキル基
（Ｌc）：置換基Ｋを有してもよい炭素数３～１４の脂環式炭化水素基
（Ｌd）：置換基Ｋを有してもよい炭素数６～１４の芳香族炭化水素基
（Ｌe）：置換基Ｋを有してもよい炭素数３～１４の複素環基
（Ｌf）：－ＯＲ（Ｒは置換基Ｌを有してもよい炭素数１～１２の炭化水素基）
（Ｌg）：置換基Ｌを有してもよい炭素数１～９のアシル基
（Ｌh）：置換基Ｌを有してもよい炭素数１～９のアルコキシカルボニル基
前記置換基Ｋは、前記Ｌa～Ｌbより選ばれる少なくとも一種であり、前記置換基Ｌは、前記Ｌa～Ｌfより選ばれる少なくとも一種である。］
【請求項2】
前記化合物（Ｚ）が下記要件（Ａ）を満たす、請求項１に記載の樹脂組成物。
要件（Ａ）：前記化合物（Ｚ）をジクロロメタンに溶解させた溶液を用いて測定される透過スペクトル（但し、該透過スペクトルは、吸収極大波長における透過率が１０％となるスペクトルである。）において、波長４３０～５８０ｎｍにおける透過率の平均値が９３％以上である
要件（Ａ）：前記化合物（Ｚ）をジクロロメタンに溶解させた溶液を用いて測定される透過スペクトル（但し、該透過スペクトルは、吸収極大波長における透過率が１０％となるスペクトルである。）において、波長４３０～５８０ｎｍにおける透過率の平均値が９３％以上である
【請求項3】
前記Ｒ1～Ｒ6の少なくとも１つが前記Ｌa、ＬcまたはＬdである、請求項１または２に記載の樹脂組成物。
【請求項4】
前記化合物（Ｚ）が下記要件（Ｂ－１）を満たす、請求項１～３のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
要件（Ｂ－１）：前記化合物（Ｚ）をジクロロメタンに溶解させた溶液を用いて測定される吸収スペクトルにおいて、波長７２０～９００ｎｍの範囲に極大値を有する
要件（Ｂ－１）：前記化合物（Ｚ）をジクロロメタンに溶解させた溶液を用いて測定される吸収スペクトルにおいて、波長７２０～９００ｎｍの範囲に極大値を有する
【請求項5】
前記化合物（Ｚ）が下記要件（Ｂ－２）を満たす、請求項１～３のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
要件（Ｂ－２）：前記化合物（Ｚ）をジクロロメタンに溶解させた溶液を用いて測定される吸収スペクトルにおいて、波長７００～７５０ｎｍの範囲に極大値を有する
要件（Ｂ－２）：前記化合物（Ｚ）をジクロロメタンに溶解させた溶液を用いて測定される吸収スペクトルにおいて、波長７００～７５０ｎｍの範囲に極大値を有する
【請求項6】
前記樹脂が、環状（ポリ）オレフィン系樹脂、芳香族ポリエーテル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリアリレート系樹脂、ポリサルホン系樹脂、ポリエーテルサルホン系樹脂、ポリパラフェニレン系樹脂、ポリアミドイミド系樹脂、ポリエチレンナフタレート系樹脂、フッ素化芳香族ポリマー系樹脂、（変性）アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、アリルエステル系硬化型樹脂、シルセスキオキサン系紫外線硬化型樹脂、アクリル系紫外線硬化型樹脂およびビニル系紫外線硬化型樹脂からなる群より選ばれる少なくとも１種の樹脂である、請求項１～５のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
【請求項7】
請求項１～６のいずれか１項に記載の樹脂組成物から形成された化合物（Ｚ）を含有する基材（ｉ）。
【請求項8】
前記基材（ｉ）が、
前記化合物（Ｚ）を含有する樹脂層からなる基材、
２層以上の樹脂層を含む基材であって、該２層以上の樹脂層のうち少なくとも１つが前記化合物（Ｚ）を含有する樹脂層である基材、または、
ガラス支持体と前記化合物（Ｚ）を含有する樹脂層とを含む基材である、
請求項７に記載の基材（ｉ）。
前記化合物（Ｚ）を含有する樹脂層からなる基材、
２層以上の樹脂層を含む基材であって、該２層以上の樹脂層のうち少なくとも１つが前記化合物（Ｚ）を含有する樹脂層である基材、または、
ガラス支持体と前記化合物（Ｚ）を含有する樹脂層とを含む基材である、
請求項７に記載の基材（ｉ）。
【請求項9】
請求項７または８に記載の基材（ｉ）と、誘電体多層膜とを有する、光学フィルター。
【請求項10】
固体撮像装置用である、請求項９に記載の光学フィルター。
【請求項11】
光学センサー装置用である、請求項９に記載の光学フィルター。
【請求項12】
請求項９に記載の光学フィルターを具備する固体撮像装置。
【請求項13】
請求項９に記載の光学フィルターを具備する光学センサー装置。
【請求項14】
下記式（ＩＩＩ）で表される化合物（Ｚ）。
Ｃｎ+Ａｎ- （ＩＩＩ）
［式（ＩＩＩ）中、Ｃｎ+は下記式（ＩＶ）で表される一価のカチオンであり、Ａｎ-は一価のアニオンである。］
［式（ＩＶ）中、
ユニットＡは、下記式（Ａ－Ｉ）であり、
ユニットＢは、下記式（Ｂ－Ｉ）であり、
ＹA～ＹEはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、カルボキシ基、ニトロ基、－ＮＲgＲh基、アミド基、イミド基、シアノ基、シリル基、－Ｑ1、－Ｎ＝Ｎ－Ｑ1、－Ｓ－Ｑ2、－ＳＳＱ2、または、－ＳＯ2Ｑ3であり、
ＹAとＹC、ＹBとＹD、ＹCとＹEは互いに結合して、炭素数６～１４の芳香族炭化水素基、窒素原子、酸素原子もしくは硫黄原子を少なくとも一つ含んでもよい４～７員の脂環基、または、窒素原子、酸素原子もしくは硫黄原子を少なくとも一つ含む、炭素数３～１４の複素芳香族基を形成していてもよく、これらの芳香族炭化水素基、脂環基および複素芳香族基は、水酸基、炭素数１～９の脂肪族炭化水素基またはハロゲン原子を有してもよく、また該脂環基は、＝Ｏを有していてもよく、
ＲgおよびＲhはそれぞれ独立に、水素原子、－Ｃ（Ｏ）Ｒi基または下記Ｌa～Ｌhのいずれかであり、Ｑ1は独立に、下記Ｌa～Ｌhのいずれかであり、Ｑ2は独立に、水素原子または下記Ｌa～Ｌhのいずれかであり、Ｑ3は、水酸基または下記Ｌa～Ｌhのいずれかであり、Ｒiは下記Ｌa～Ｌhのいずれかである。］
［式（Ａ－Ｉ）中の－＊は、前記式（ＩＶ）のＹAが結合する炭素と単結合することを示し、
式（Ｂ－Ｉ）中の＝＊＊は、前記式（ＩＶ）のＹEが結合する炭素と二重結合することを示し、
式（Ａ－Ｉ）および（Ｂ－Ｉ）中、
Ｘは独立に、酸素原子、硫黄原子、セレン原子、テルル原子または－ＮＲ8－であり、
Ｒ1～Ｒ3およびＲ5～Ｒ6はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、スルホ基、水酸基、シアノ基、ニトロ基、カルボキシ基、リン酸基、－ＮＲgＲh基、－ＳＲi基、－ＳＯ2Ｒi基、－ＯＳＯ2Ｒi基、－Ｃ（Ｏ）Ｒi基または下記Ｌa～Ｌhのいずれかであり、
Ｒ4はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、スルホ基、水酸基、シアノ基、ニトロ基、カルボキシ基、リン酸基、－ＳＲi基、－ＳＯ2Ｒi基、－ＯＳＯ2Ｒi基、－Ｃ（Ｏ）Ｒi基または下記Ｌa～Ｌhのいずれかであり、
隣接するＲ1～Ｒ6は互いに結合して、炭素数６～１４の芳香族炭化水素基、窒素原子、酸素原子もしくは硫黄原子を少なくとも一つ含んでもよい４～７員の脂環基、または、窒素原子、酸素原子もしくは硫黄原子を少なくとも一つ含む、炭素数３～１４の複素芳香族基を形成していてもよく、これらの芳香族炭化水素基、脂環基および複素芳香族基は、水酸基、炭素数１～９の脂肪族炭化水素基またはハロゲン原子を有してもよく、また該脂環基は、＝Ｏを有していてもよく、
Ｒ8は独立に、水素原子、ハロゲン原子、－Ｃ（Ｏ）Ｒi基、下記Ｌa～Ｌhのいずれかであり、
ＲgおよびＲhはそれぞれ独立に、水素原子、－Ｃ（Ｏ）Ｒi基または下記Ｌa～Ｌhのいずれかであり、
Ｒiは独立に、下記Ｌa～Ｌhのいずれかであり、
（Ｌa）：炭素数１～１５の脂肪族炭化水素基
（Ｌb）：炭素数１～１５のハロゲン置換アルキル基
（Ｌc）：置換基Ｋを有してもよい炭素数３～１４の脂環式炭化水素基
（Ｌd）：置換基Ｋを有してもよい炭素数６～１４の芳香族炭化水素基
（Ｌe）：置換基Ｋを有してもよい炭素数３～１４の複素環基
（Ｌf）：－ＯＲ（Ｒは置換基Ｌを有してもよい炭素数１～１２の炭化水素基）
（Ｌg）：置換基Ｌを有してもよい炭素数１～９のアシル基
（Ｌh）：置換基Ｌを有してもよい炭素数１～９のアルコキシカルボニル基
前記置換基Ｋは、前記Ｌa～Ｌbより選ばれる少なくとも一種であり、前記置換基Ｌは、前記Ｌa～Ｌfより選ばれる少なくとも一種である。］
Ｃｎ+Ａｎ- （ＩＩＩ）
［式（ＩＩＩ）中、Ｃｎ+は下記式（ＩＶ）で表される一価のカチオンであり、Ａｎ-は一価のアニオンである。］
【化3】
ユニットＡは、下記式（Ａ－Ｉ）であり、
ユニットＢは、下記式（Ｂ－Ｉ）であり、
ＹA～ＹEはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、カルボキシ基、ニトロ基、－ＮＲgＲh基、アミド基、イミド基、シアノ基、シリル基、－Ｑ1、－Ｎ＝Ｎ－Ｑ1、－Ｓ－Ｑ2、－ＳＳＱ2、または、－ＳＯ2Ｑ3であり、
ＹAとＹC、ＹBとＹD、ＹCとＹEは互いに結合して、炭素数６～１４の芳香族炭化水素基、窒素原子、酸素原子もしくは硫黄原子を少なくとも一つ含んでもよい４～７員の脂環基、または、窒素原子、酸素原子もしくは硫黄原子を少なくとも一つ含む、炭素数３～１４の複素芳香族基を形成していてもよく、これらの芳香族炭化水素基、脂環基および複素芳香族基は、水酸基、炭素数１～９の脂肪族炭化水素基またはハロゲン原子を有してもよく、また該脂環基は、＝Ｏを有していてもよく、
ＲgおよびＲhはそれぞれ独立に、水素原子、－Ｃ（Ｏ）Ｒi基または下記Ｌa～Ｌhのいずれかであり、Ｑ1は独立に、下記Ｌa～Ｌhのいずれかであり、Ｑ2は独立に、水素原子または下記Ｌa～Ｌhのいずれかであり、Ｑ3は、水酸基または下記Ｌa～Ｌhのいずれかであり、Ｒiは下記Ｌa～Ｌhのいずれかである。］
【化4】
式（Ｂ－Ｉ）中の＝＊＊は、前記式（ＩＶ）のＹEが結合する炭素と二重結合することを示し、
式（Ａ－Ｉ）および（Ｂ－Ｉ）中、
Ｘは独立に、酸素原子、硫黄原子、セレン原子、テルル原子または－ＮＲ8－であり、
Ｒ1～Ｒ3およびＲ5～Ｒ6はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、スルホ基、水酸基、シアノ基、ニトロ基、カルボキシ基、リン酸基、－ＮＲgＲh基、－ＳＲi基、－ＳＯ2Ｒi基、－ＯＳＯ2Ｒi基、－Ｃ（Ｏ）Ｒi基または下記Ｌa～Ｌhのいずれかであり、
Ｒ4はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、スルホ基、水酸基、シアノ基、ニトロ基、カルボキシ基、リン酸基、－ＳＲi基、－ＳＯ2Ｒi基、－ＯＳＯ2Ｒi基、－Ｃ（Ｏ）Ｒi基または下記Ｌa～Ｌhのいずれかであり、
隣接するＲ1～Ｒ6は互いに結合して、炭素数６～１４の芳香族炭化水素基、窒素原子、酸素原子もしくは硫黄原子を少なくとも一つ含んでもよい４～７員の脂環基、または、窒素原子、酸素原子もしくは硫黄原子を少なくとも一つ含む、炭素数３～１４の複素芳香族基を形成していてもよく、これらの芳香族炭化水素基、脂環基および複素芳香族基は、水酸基、炭素数１～９の脂肪族炭化水素基またはハロゲン原子を有してもよく、また該脂環基は、＝Ｏを有していてもよく、
Ｒ8は独立に、水素原子、ハロゲン原子、－Ｃ（Ｏ）Ｒi基、下記Ｌa～Ｌhのいずれかであり、
ＲgおよびＲhはそれぞれ独立に、水素原子、－Ｃ（Ｏ）Ｒi基または下記Ｌa～Ｌhのいずれかであり、
Ｒiは独立に、下記Ｌa～Ｌhのいずれかであり、
（Ｌa）：炭素数１～１５の脂肪族炭化水素基
（Ｌb）：炭素数１～１５のハロゲン置換アルキル基
（Ｌc）：置換基Ｋを有してもよい炭素数３～１４の脂環式炭化水素基
（Ｌd）：置換基Ｋを有してもよい炭素数６～１４の芳香族炭化水素基
（Ｌe）：置換基Ｋを有してもよい炭素数３～１４の複素環基
（Ｌf）：－ＯＲ（Ｒは置換基Ｌを有してもよい炭素数１～１２の炭化水素基）
（Ｌg）：置換基Ｌを有してもよい炭素数１～９のアシル基
（Ｌh）：置換基Ｌを有してもよい炭素数１～９のアルコキシカルボニル基
前記置換基Ｋは、前記Ｌa～Ｌbより選ばれる少なくとも一種であり、前記置換基Ｌは、前記Ｌa～Ｌfより選ばれる少なくとも一種である。］
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、樹脂組成物、化合物（Ｚ）、基材（ｉ）、光学フィルター、ならびに、該光学フィルターを用いた固体撮像装置および光学センサー装置に関する。
【背景技術】
【0002】
ビデオカメラ、デジタルスチルカメラ、カメラ機能付き携帯電話などの固体撮像装置には、カラー画像の固体撮像素子であるＣＣＤやＣＭＯＳイメージセンサーが使用されている。これら固体撮像素子では、その受光部において人間の目では感知できない近赤外線に感度を有するシリコンフォトダイオード等が使用されている。また、光学センサー装置でも、シリコンフォトダイオード等が使用されている。例えば、固体撮像素子では、人間の目で見て自然な色合いにさせる視感度補正を行うことが必要であり、特定の波長領域の光線を選択的に透過もしくはカットする光学フィルター（例えば、近赤外線カットフィルター）を用いることが多い。
【0003】
このような近赤外線カットフィルターとしては、従来から、各種方法で製造されたものが使用されている。例えば、基材として樹脂を用い、樹脂中に近赤外線吸収色素を含有させた近赤外線カットフィルターが知られている（例えば特許文献１参照）。しかしながら、特許文献１に記載された近赤外線カットフィルターは、近赤外線吸収特性が必ずしも充分ではない場合があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開２００８－３０３１３０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
前記近赤外線吸収色素としては、従来、ポリメチン系、スクアリリウム系、ポルフィリン系、ジチオール金属錯体系、フタロシアニン系、ジイモニウム系などの色素が使用されているが、中でもポリメチン系、スクアリリウム系等の色素は、熱に対して十分な耐性を有することから多用されている。
【0006】
しかしながら、従来用いられてきたこれらの色素は、
吸収極大波長が長波長域にあるため、波長７００～７５０ｎｍ付近、または、波長７２０～９００ｎｍ付近に吸収極大を有する化合物が求められていた点、
可視光域の吸光度に対する赤外線域の吸光度の比が小さい点、
耐光性（耐久性）が十分ではない点、
の少なくともいずれかの点で、改良の余地があった。
吸収極大波長が長波長域にあるため、波長７００～７５０ｎｍ付近、または、波長７２０～９００ｎｍ付近に吸収極大を有する化合物が求められていた点、
可視光域の吸光度に対する赤外線域の吸光度の比が小さい点、
耐光性（耐久性）が十分ではない点、
の少なくともいずれかの点で、改良の余地があった。
【0007】
また、従来の近赤外線カットフィルターは、該フィルター由来の反射光がフレアやゴーストなどとして、カメラ画像などの画像に悪影響を与えることがあり、特に、近赤外線カットフィルターの反射帯域と、センサーが光電変換可能な波長帯域とが重なった場合、前記悪影響がより顕著になる場合がある。
【0008】
本発明は以上のことに鑑みてなされたものであり、波長７００～７５０ｎｍ付近、または、波長７２０～９００ｎｍ付近に吸収極大を有し、可視光域の吸光度に対する赤外線域の吸光度の比が大きく、耐光性（耐久性）に優れる樹脂組成物を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0009】
本発明者らは、前記課題を解決するために鋭意検討した結果、下記構成例によれば、前記課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。本発明の構成例を以下に示す。
なお、本発明において、数値範囲を表す「Ａ～Ｂ」等の記載は、「Ａ以上、Ｂ以下」と同義であり、ＡおよびＢをその数値範囲内に含む。また、本発明において、波長Ａ～Ｂｎｍとは、波長Ａｎｍ以上、波長Ｂｎｍ以下の波長領域における波長分解能１ｎｍにおける特性を表す。
なお、本発明において、数値範囲を表す「Ａ～Ｂ」等の記載は、「Ａ以上、Ｂ以下」と同義であり、ＡおよびＢをその数値範囲内に含む。また、本発明において、波長Ａ～Ｂｎｍとは、波長Ａｎｍ以上、波長Ｂｎｍ以下の波長領域における波長分解能１ｎｍにおける特性を表す。
【0010】
［１］ 樹脂と、下記式（Ｉ）で表される化合物（Ｚ）とを含有する樹脂組成物。
Ｃｎ+Ａｎ- （Ｉ）
［式（Ｉ）中、Ｃｎ+は下記式（ＩＩ）で表される一価のカチオンであり、Ａｎ-は一価のアニオンである。］
Ｃｎ+Ａｎ- （Ｉ）
［式（Ｉ）中、Ｃｎ+は下記式（ＩＩ）で表される一価のカチオンであり、Ａｎ-は一価のアニオンである。］
【0011】
【化1】
ユニットＡは、下記式（Ａ－Ｉ）～（Ａ－ＩＩＩ）のいずれかであり、
ユニットＢは、下記式（Ｂ－Ｉ）～（Ｂ－ＩＩＩ）のいずれかであり、
ＹA～ＹEはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、カルボキシ基、ニトロ基、－ＮＲgＲh基、アミド基、イミド基、シアノ基、シリル基、－Ｑ1、－Ｎ＝Ｎ－Ｑ1、－Ｓ－Ｑ2、－ＳＳＱ2、または、－ＳＯ2Ｑ3であり、
ＹAとＹC、ＹBとＹD、ＹCとＹEは互いに結合して、炭素数６～１４の芳香族炭化水素基、窒素原子、酸素原子もしくは硫黄原子を少なくとも一つ含んでもよい４～７員の脂環基、または、窒素原子、酸素原子もしくは硫黄原子を少なくとも一つ含む、炭素数３～１４の複素芳香族基を形成していてもよく、これらの芳香族炭化水素基、脂環基および複素芳香族基は、水酸基、炭素数１～９の脂肪族炭化水素基またはハロゲン原子を有してもよく、また該脂環基は、＝Ｏを有していてもよく、
ＹAと下記式（Ａ－ＩＩＩ）におけるＲ1またはＲ5、ＹEと下記式（Ｂ－ＩＩＩ）におけるＲ5またはＲ1は、互いに結合して、窒素原子、酸素原子もしくは硫黄原子を少なくとも一つ含んでもよい４～７員の脂環基を形成してもよく、
ＲgおよびＲhはそれぞれ独立に、水素原子、－Ｃ（Ｏ）Ｒi基または下記Ｌa～Ｌhのいずれかであり、Ｑ1は独立に、下記Ｌa～Ｌhのいずれかであり、Ｑ2は独立に、水素原子または下記Ｌa～Ｌhのいずれかであり、Ｑ3は、水酸基または下記Ｌa～Ｌhのいずれかであり、Ｒiは下記Ｌa～Ｌhのいずれかである。］
【0012】
【化2】
式（Ｂ－Ｉ）～（Ｂ－ＩＩＩ）中の＝＊＊は、前記式（ＩＩ）のＹEが結合する炭素と二重結合することを示し、
式（Ａ－Ｉ）～（Ｂ－ＩＩＩ）中、
Ｘは独立に、酸素原子、硫黄原子、セレン原子、テルル原子または－ＮＲ8－であり、
Ｒ1～Ｒ6はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、スルホ基、水酸基、シアノ基、ニトロ基、カルボキシ基、リン酸基、－ＮＲgＲh基、－ＳＲi基、－ＳＯ2Ｒi基、－ＯＳＯ2Ｒi基、－Ｃ（Ｏ）Ｒi基または下記Ｌa～Ｌhのいずれかであり、
隣接するＲ1～Ｒ6は互いに結合して、炭素数６～１４の芳香族炭化水素基、窒素原子、酸素原子もしくは硫黄原子を少なくとも一つ含んでもよい４～７員の脂環基、または、窒素原子、酸素原子もしくは硫黄原子を少なくとも一つ含む、炭素数３～１４の複素芳香族基を形成していてもよく、これらの芳香族炭化水素基、脂環基および複素芳香族基は、水酸基、炭素数１～９の脂肪族炭化水素基またはハロゲン原子を有してもよく、また該脂環基は、＝Ｏを有していてもよく、
Ｒ8は独立に、水素原子、ハロゲン原子、－Ｃ（Ｏ）Ｒi基、下記Ｌa～Ｌhのいずれかであり、
ＲgおよびＲhはそれぞれ独立に、水素原子、－Ｃ（Ｏ）Ｒi基または下記Ｌa～Ｌhのいずれかであり、
Ｒiは独立に、下記Ｌa～Ｌhのいずれかであり、
（Ｌa）：炭素数１～１５の脂肪族炭化水素基
（Ｌb）：炭素数１～１５のハロゲン置換アルキル基
（Ｌc）：置換基Ｋを有してもよい炭素数３～１４の脂環式炭化水素基
（Ｌd）：置換基Ｋを有してもよい炭素数６～１４の芳香族炭化水素基
（Ｌe）：置換基Ｋを有してもよい炭素数３～１４の複素環基
（Ｌf）：－ＯＲ（Ｒは置換基Ｌを有してもよい炭素数１～１２の炭化水素基）
（Ｌg）：置換基Ｌを有してもよい炭素数１～９のアシル基
（Ｌh）：置換基Ｌを有してもよい炭素数１～９のアルコキシカルボニル基
前記置換基Ｋは、前記Ｌa～Ｌbより選ばれる少なくとも一種であり、前記置換基Ｌは、前記Ｌa～Ｌfより選ばれる少なくとも一種である。］
【0013】
［２］ 前記化合物（Ｚ）が下記要件（Ａ）を満たす、［１］に記載の樹脂組成物。
要件（Ａ）：前記化合物（Ｚ）をジクロロメタンに溶解させた溶液を用いて測定される透過スペクトル（但し、該透過スペクトルは、吸収極大波長における透過率が１０％となるスペクトルである。）において、波長４３０～５８０ｎｍにおける透過率の平均値が９３％以上である
要件（Ａ）：前記化合物（Ｚ）をジクロロメタンに溶解させた溶液を用いて測定される透過スペクトル（但し、該透過スペクトルは、吸収極大波長における透過率が１０％となるスペクトルである。）において、波長４３０～５８０ｎｍにおける透過率の平均値が９３％以上である
【0014】
［３］ 前記Ｒ1～Ｒ6の少なくとも１つが前記Ｌa、ＬcまたはＬdである、［１］または［２］に記載の樹脂組成物。
【0015】
［４］ 前記化合物（Ｚ）が下記要件（Ｂ－１）を満たす、［１］～［３］のいずれかに記載の樹脂組成物。
要件（Ｂ－１）：前記化合物（Ｚ）をジクロロメタンに溶解させた溶液を用いて測定される吸収スペクトルにおいて、波長７２０～９００ｎｍの範囲に極大値を有する
要件（Ｂ－１）：前記化合物（Ｚ）をジクロロメタンに溶解させた溶液を用いて測定される吸収スペクトルにおいて、波長７２０～９００ｎｍの範囲に極大値を有する
【0016】
［５］ 前記化合物（Ｚ）が下記要件（Ｂ－２）を満たす、［１］～［３］のいずれかに記載の樹脂組成物。
要件（Ｂ－２）：前記化合物（Ｚ）をジクロロメタンに溶解させた溶液を用いて測定される吸収スペクトルにおいて、波長７００～７５０ｎｍの範囲に極大値を有する
要件（Ｂ－２）：前記化合物（Ｚ）をジクロロメタンに溶解させた溶液を用いて測定される吸収スペクトルにおいて、波長７００～７５０ｎｍの範囲に極大値を有する
【0017】
［６］ 前記樹脂が、環状（ポリ）オレフィン系樹脂、芳香族ポリエーテル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリアリレート系樹脂、ポリサルホン系樹脂、ポリエーテルサルホン系樹脂、ポリパラフェニレン系樹脂、ポリアミドイミド系樹脂、ポリエチレンナフタレート系樹脂、フッ素化芳香族ポリマー系樹脂、（変性）アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、アリルエステル系硬化型樹脂、シルセスキオキサン系紫外線硬化型樹脂、アクリル系紫外線硬化型樹脂およびビニル系紫外線硬化型樹脂からなる群より選ばれる少なくとも１種の樹脂である、［１］～［５］のいずれかに記載の樹脂組成物。
【0018】
［７］ ［１］～［６］のいずれかに記載の樹脂組成物から形成された化合物（Ｚ）を含有する基材（ｉ）。
【0019】
［８］ 前記基材（ｉ）が、
前記化合物（Ｚ）を含有する樹脂層からなる基材、
２層以上の樹脂層を含む基材であって、該２層以上の樹脂層のうち少なくとも１つが前記化合物（Ｚ）を含有する樹脂層である基材、または、
ガラス支持体と前記化合物（Ｚ）を含有する樹脂層とを含む基材である、
［７］に記載の基材（ｉ）。
前記化合物（Ｚ）を含有する樹脂層からなる基材、
２層以上の樹脂層を含む基材であって、該２層以上の樹脂層のうち少なくとも１つが前記化合物（Ｚ）を含有する樹脂層である基材、または、
ガラス支持体と前記化合物（Ｚ）を含有する樹脂層とを含む基材である、
［７］に記載の基材（ｉ）。
【0020】
［９］ ［７］または［８］に記載の基材（ｉ）と、誘電体多層膜とを有する、光学フィルター。
［１０］ 固体撮像装置用である、［９］に記載の光学フィルター。
［１１］ 光学センサー装置用である、［９］に記載の光学フィルター。
［１０］ 固体撮像装置用である、［９］に記載の光学フィルター。
［１１］ 光学センサー装置用である、［９］に記載の光学フィルター。
【0021】
［１２］ ［９］に記載の光学フィルターを具備する固体撮像装置。
［１３］ ［９］に記載の光学フィルターを具備する光学センサー装置。
［１３］ ［９］に記載の光学フィルターを具備する光学センサー装置。
【0022】
［１４］ 下記式（ＩＩＩ）で表される化合物（Ｚ）。
Ｃｎ+Ａｎ- （ＩＩＩ）
［式（ＩＩＩ）中、Ｃｎ+は下記式（ＩＶ）で表される一価のカチオンであり、Ａｎ-は一価のアニオンである。］
Ｃｎ+Ａｎ- （ＩＩＩ）
［式（ＩＩＩ）中、Ｃｎ+は下記式（ＩＶ）で表される一価のカチオンであり、Ａｎ-は一価のアニオンである。］
【0023】
【化3】
ユニットＡは、下記式（Ａ－Ｉ）～（Ａ－ＩＩＩ）のいずれかであり、
ユニットＢは、下記式（Ｂ－Ｉ）～（Ｂ－ＩＩＩ）のいずれかであり、
ＹA～ＹEはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、カルボキシ基、ニトロ基、－ＮＲgＲh基、アミド基、イミド基、シアノ基、シリル基、－Ｑ1、－Ｎ＝Ｎ－Ｑ1、－Ｓ－Ｑ2、－ＳＳＱ2、または、－ＳＯ2Ｑ3であり、
ＹAとＹC、ＹBとＹD、ＹCとＹEは互いに結合して、炭素数６～１４の芳香族炭化水素基、窒素原子、酸素原子もしくは硫黄原子を少なくとも一つ含んでもよい４～７員の脂環基、または、窒素原子、酸素原子もしくは硫黄原子を少なくとも一つ含む、炭素数３～１４の複素芳香族基を形成していてもよく、これらの芳香族炭化水素基、脂環基および複素芳香族基は、水酸基、炭素数１～９の脂肪族炭化水素基またはハロゲン原子を有してもよく、また該脂環基は、＝Ｏを有していてもよく、
ＹAと下記式（Ａ－ＩＩＩ）におけるＲ1またはＲ5、ＹEと下記式（Ｂ－ＩＩＩ）におけるＲ5またはＲ1は、互いに結合して、窒素原子、酸素原子もしくは硫黄原子を少なくとも一つ含んでもよい４～７員の脂環基を形成してもよく、
ＲgおよびＲhはそれぞれ独立に、水素原子、－Ｃ（Ｏ）Ｒi基または下記Ｌa～Ｌhのいずれかであり、Ｑ1は独立に、下記Ｌa～Ｌhのいずれかであり、Ｑ2は独立に、水素原子または下記Ｌa～Ｌhのいずれかであり、Ｑ3は、水酸基または下記Ｌa～Ｌhのいずれかであり、Ｒiは下記Ｌa～Ｌhのいずれかである。］
【0024】
【化4】
式（Ｂ－Ｉ）～（Ｂ－ＩＩＩ）中の＝＊＊は、前記式（ＩＩ）のＹEが結合する炭素と二重結合することを示し、
式（Ａ－Ｉ）～（Ｂ－ＩＩＩ）中、
Ｘは独立に、酸素原子、硫黄原子、セレン原子、テルル原子または－ＮＲ8－であり、
Ｒ1～Ｒ6はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、スルホ基、水酸基、シアノ基、ニトロ基、カルボキシ基、リン酸基、－ＮＲgＲh基、－ＳＲi基、－ＳＯ2Ｒi基、－ＯＳＯ2Ｒi基、－Ｃ（Ｏ）Ｒi基または下記Ｌa～Ｌhのいずれかであり、
隣接するＲ1～Ｒ6は互いに結合して、炭素数６～１４の芳香族炭化水素基、窒素原子、酸素原子もしくは硫黄原子を少なくとも一つ含んでもよい４～７員の脂環基、または、窒素原子、酸素原子もしくは硫黄原子を少なくとも一つ含む、炭素数３～１４の複素芳香族基を形成していてもよく、これらの芳香族炭化水素基、脂環基および複素芳香族基は、水酸基、炭素数１～９の脂肪族炭化水素基またはハロゲン原子を有してもよく、また該脂環基は、＝Ｏを有していてもよく、
Ｒ8は独立に、水素原子、ハロゲン原子、－Ｃ（Ｏ）Ｒi基、下記Ｌa～Ｌhのいずれかであり、
ＲgおよびＲhはそれぞれ独立に、水素原子、－Ｃ（Ｏ）Ｒi基または下記Ｌa～Ｌhのいずれかであり、
Ｒiは独立に、下記Ｌa～Ｌhのいずれかであり、
（Ｌa）：炭素数１～１５の脂肪族炭化水素基
（Ｌb）：炭素数１～１５のハロゲン置換アルキル基
（Ｌc）：置換基Ｋを有してもよい炭素数３～１４の脂環式炭化水素基
（Ｌd）：置換基Ｋを有してもよい炭素数６～１４の芳香族炭化水素基
（Ｌe）：置換基Ｋを有してもよい炭素数３～１４の複素環基
（Ｌf）：－ＯＲ（Ｒは置換基Ｌを有してもよい炭素数１～１２の炭化水素基）
（Ｌg）：置換基Ｌを有してもよい炭素数１～９のアシル基
（Ｌh）：置換基Ｌを有してもよい炭素数１～９のアルコキシカルボニル基
前記置換基Ｋは、前記Ｌa～Ｌbより選ばれる少なくとも一種であり、前記置換基Ｌは、前記Ｌa～Ｌfより選ばれる少なくとも一種である。］
【発明の効果】
【0025】
本発明によれば、波長７００～７５０ｎｍ付近、または、波長７２０～９００ｎｍ付近に吸収極大を有し、可視光域の吸光度に対する赤外線域の吸光度の比が大きく、熱や光に対して十分な耐性を有する樹脂組成物を提供することができる。さらに、本発明によれば、これらの特性を有する、特に、赤外域の光を十分に遮蔽しつつ、可視光域の光を高い割合で透過可能な光学フィルターを提供することができる。このため、本発明によれば、近赤外線カットフィルター（ＮＩＲ－ＣＦ）のみならず、可視光－近赤外線選択透過フィルター（ＤＢＰＦ）や近赤外線透過フィルター（ＩＲＰＦ）などの光学フィルターをも容易に作製することができる。
なお、本発明において、熱や光に対して十分な耐性を有するとは、熱をかけたり、光を照射した前後において、光学特性が大きく変化しないことをいう。
なお、本発明において、熱や光に対して十分な耐性を有するとは、熱をかけたり、光を照射した前後において、光学特性が大きく変化しないことをいう。
【0026】
前述の通り、本発明によれば、前記特性を有する光学フィルターを提供することができるため、波長７００～７５０ｎｍ付近、または、波長７２０～９００ｎｍ付近の光の反射光を抑制することができ、フレアやゴーストの少ない良好な画像を与えることができる光学フィルターを容易に得ることができる。また、前記光学フィルターが誘電体多層膜を有するフィルターである場合の、該誘電体多層膜による入射角依存性を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【0027】
【図1】実施例２０で得られた基材の分光透過率スペクトルである。
【図2】実施例２８で得られた基材の分光透過率スペクトルである。
【図3】実施例２０で得られた光学フィルターの分光透過率スペクトルである。
【図4】実施例２８で得られた光学フィルターの分光透過率スペクトルである。
【図5】実施例３６で得られた基材の分光透過率スペクトルである。
【図6】実施例３６で得られた光学フィルターの分光透過率スペクトルである。
【発明を実施するための形態】
【0028】
≪樹脂組成物≫
本発明に係る樹脂組成物（以下「本組成物」ともいう。）は、樹脂と前記化合物（Ｚ）とを含んでいれば特に制限されない。
このような樹脂組成物の形態としては、例えば、化合物（Ｚ）を含む樹脂製フィルム（樹脂層、樹脂製基板）；支持体（例：樹脂製支持体、ガラス支持体）上に形成された化合物（Ｚ）を含む樹脂膜（樹脂層）；樹脂、化合物（Ｚ）および溶剤を含む液状組成物が挙げられる。
本組成物は、２種以上の樹脂を含んでいてもよく、２種以上の化合物（Ｚ）を含んでいてもよい。
本発明に係る樹脂組成物（以下「本組成物」ともいう。）は、樹脂と前記化合物（Ｚ）とを含んでいれば特に制限されない。
このような樹脂組成物の形態としては、例えば、化合物（Ｚ）を含む樹脂製フィルム（樹脂層、樹脂製基板）；支持体（例：樹脂製支持体、ガラス支持体）上に形成された化合物（Ｚ）を含む樹脂膜（樹脂層）；樹脂、化合物（Ｚ）および溶剤を含む液状組成物が挙げられる。
本組成物は、２種以上の樹脂を含んでいてもよく、２種以上の化合物（Ｚ）を含んでいてもよい。
【0029】
＜化合物（Ｚ）＞
化合物（Ｚ）は、下記式（Ｉ）で表される化合物である。
該化合物（Ｚ）は、波長７００～７５０ｎｍ付近、または、波長７２０～９００ｎｍ付近における吸収極大での高い近赤外線カット性能と高い可視光透過性能とを有し、光学特性に優れ、熱や光に対して十分な耐性を有する。
Ｃｎ+Ａｎ- （Ｉ）
［式（Ｉ）中、Ｃｎ+は下記式（ＩＩ）で表される一価のカチオンであり、Ａｎ-は一価のアニオンである。］
化合物（Ｚ）は、下記式（Ｉ）で表される化合物である。
該化合物（Ｚ）は、波長７００～７５０ｎｍ付近、または、波長７２０～９００ｎｍ付近における吸収極大での高い近赤外線カット性能と高い可視光透過性能とを有し、光学特性に優れ、熱や光に対して十分な耐性を有する。
Ｃｎ+Ａｎ- （Ｉ）
［式（Ｉ）中、Ｃｎ+は下記式（ＩＩ）で表される一価のカチオンであり、Ａｎ-は一価のアニオンである。］
【0030】
【化5】
ユニットＡは、下記式（Ａ－Ｉ）～（Ａ－ＩＩＩ）のいずれかであり、
ユニットＢは、下記式（Ｂ－Ｉ）～（Ｂ－ＩＩＩ）のいずれかであり、
ＹA～ＹEはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、カルボキシ基、ニトロ基、－ＮＲgＲh基、アミド基、イミド基、シアノ基、シリル基、－Ｑ1、－Ｎ＝Ｎ－Ｑ1、－Ｓ－Ｑ2、－ＳＳＱ2、または、－ＳＯ2Ｑ3であり、
ＹAとＹC、ＹBとＹD、ＹCとＹEは互いに結合して、炭素数６～１４の芳香族炭化水素基、窒素原子、酸素原子もしくは硫黄原子を少なくとも一つ含んでもよい４～７員の脂環基、または、窒素原子、酸素原子もしくは硫黄原子を少なくとも一つ含む、炭素数３～１４の複素芳香族基を形成していてもよく、これらの芳香族炭化水素基、脂環基および複素芳香族基は、水酸基、炭素数１～９の脂肪族炭化水素基またはハロゲン原子を有してもよく、また該脂環基は、＝Ｏを有していてもよく、
ＹAと下記式（Ａ－ＩＩＩ）におけるＲ1またはＲ5、ＹEと下記式（Ｂ－ＩＩＩ）におけるＲ5またはＲ1は、互いに結合して、窒素原子、酸素原子もしくは硫黄原子を少なくとも一つ含んでもよい４～７員の脂環基を形成してもよく、
ＲgおよびＲhはそれぞれ独立に、水素原子、－Ｃ（Ｏ）Ｒi基または下記Ｌa～Ｌhのいずれかであり、Ｑ1は独立に、下記Ｌa～Ｌhのいずれかであり、Ｑ2は独立に、水素原子または下記Ｌa～Ｌhのいずれかであり、Ｑ3は、水酸基または下記Ｌa～Ｌhのいずれかであり、Ｒiは下記Ｌa～Ｌhのいずれかである。］
【0031】
【化6】
式（Ｂ－Ｉ）～（Ｂ－ＩＩＩ）中の＝＊＊は、前記式（ＩＩ）のＹEが結合する炭素と二重結合することを示し、
式（Ａ－Ｉ）～（Ｂ－ＩＩＩ）中、
Ｘは独立に、酸素原子、硫黄原子、セレン原子、テルル原子または－ＮＲ8－であり、
Ｒ1～Ｒ6はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、スルホ基、水酸基、シアノ基、ニトロ基、カルボキシ基、リン酸基、－ＮＲgＲh基、－ＳＲi基、－ＳＯ2Ｒi基、－ＯＳＯ2Ｒi基、－Ｃ（Ｏ）Ｒi基または下記Ｌa～Ｌhのいずれかであり、
隣接するＲ1～Ｒ6は互いに結合して、炭素数６～１４の芳香族炭化水素基、窒素原子、酸素原子もしくは硫黄原子を少なくとも一つ含んでもよい４～７員の脂環基、または、窒素原子、酸素原子もしくは硫黄原子を少なくとも一つ含む、炭素数３～１４の複素芳香族基を形成していてもよく、これらの芳香族炭化水素基、脂環基および複素芳香族基は、水酸基、炭素数１～９の脂肪族炭化水素基またはハロゲン原子を有してもよく、また該脂環基は、＝Ｏを有していてもよく、
Ｒ8は独立に、水素原子、ハロゲン原子、－Ｃ（Ｏ）Ｒi基、下記Ｌa～Ｌhのいずれかであり、
ＲgおよびＲhはそれぞれ独立に、水素原子、－Ｃ（Ｏ）Ｒi基または下記Ｌa～Ｌhのいずれかであり、
Ｒiは独立に、下記Ｌa～Ｌhのいずれかであり、
（Ｌa）：炭素数１～１５の脂肪族炭化水素基
（Ｌb）：炭素数１～１５のハロゲン置換アルキル基
（Ｌc）：置換基Ｋを有してもよい炭素数３～１４の脂環式炭化水素基
（Ｌd）：置換基Ｋを有してもよい炭素数６～１４の芳香族炭化水素基
（Ｌe）：置換基Ｋを有してもよい炭素数３～１４の複素環基
（Ｌf）：－ＯＲ（Ｒは置換基Ｌを有してもよい炭素数１～１２の炭化水素基）
（Ｌg）：置換基Ｌを有してもよい炭素数１～９のアシル基
（Ｌh）：置換基Ｌを有してもよい炭素数１～９のアルコキシカルボニル基
前記置換基Ｋは、前記Ｌa～Ｌbより選ばれる少なくとも一種であり、前記置換基Ｌは、前記Ｌa～Ｌfより選ばれる少なくとも一種である。］
【0032】
また、本発明に係る化合物（Ｚ）は、下記式（ＩＩＩ）で表される化合物である。
Ｃｎ+Ａｎ- （ＩＩＩ）
［式（ＩＩＩ）中、Ｃｎ+は下記式（ＩＶ）で表される一価のカチオンであり、Ａｎ-は一価のアニオンである。］
Ｃｎ+Ａｎ- （ＩＩＩ）
［式（ＩＩＩ）中、Ｃｎ+は下記式（ＩＶ）で表される一価のカチオンであり、Ａｎ-は一価のアニオンである。］
【0033】
【化7】
ユニットＡは、下記式（Ａ－Ｉ）～（Ａ－ＩＩＩ）のいずれかであり、
ユニットＢは、下記式（Ｂ－Ｉ）～（Ｂ－ＩＩＩ）のいずれかであり、
ＹA～ＹEはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、カルボキシ基、ニトロ基、－ＮＲgＲh基、アミド基、イミド基、シアノ基、シリル基、－Ｑ1、－Ｎ＝Ｎ－Ｑ1、－Ｓ－Ｑ2、－ＳＳＱ2、または、－ＳＯ2Ｑ3であり、
ＹAとＹC、ＹBとＹD、ＹCとＹEは互いに結合して、炭素数６～１４の芳香族炭化水素基、窒素原子、酸素原子もしくは硫黄原子を少なくとも一つ含んでもよい４～７員の脂環基、または、窒素原子、酸素原子もしくは硫黄原子を少なくとも一つ含む、炭素数３～１４の複素芳香族基を形成していてもよく、これらの芳香族炭化水素基、脂環基および複素芳香族基は、水酸基、炭素数１～９の脂肪族炭化水素基またはハロゲン原子を有してもよく、また該脂環基は、＝Ｏを有していてもよく、
ＹAと下記式（Ａ－ＩＩＩ）におけるＲ1またはＲ5、ＹEと下記式（Ｂ－ＩＩＩ）におけるＲ5またはＲ1は、互いに結合して、窒素原子、酸素原子もしくは硫黄原子を少なくとも一つ含んでもよい４～７員の脂環基を形成してもよく、
ＲgおよびＲhはそれぞれ独立に、水素原子、－Ｃ（Ｏ）Ｒi基または下記Ｌa～Ｌhのいずれかであり、Ｑ1は独立に、下記Ｌa～Ｌhのいずれかであり、Ｑ2は独立に、水素原子または下記Ｌa～Ｌhのいずれかであり、Ｑ3は、水酸基または下記Ｌa～Ｌhのいずれかであり、Ｒiは下記Ｌa～Ｌhのいずれかである。］
【0034】
【化8】
式（Ｂ－Ｉ）～（Ｂ－ＩＩＩ）中の＝＊＊は、前記式（ＩＩ）のＹEが結合する炭素と二重結合することを示し、
式（Ａ－Ｉ）～（Ｂ－ＩＩＩ）中、
Ｘは独立に、酸素原子、硫黄原子、セレン原子、テルル原子または－ＮＲ8－であり、
Ｒ1～Ｒ6はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、スルホ基、水酸基、シアノ基、ニトロ基、カルボキシ基、リン酸基、－ＮＲgＲh基、－ＳＲi基、－ＳＯ2Ｒi基、－ＯＳＯ2Ｒi基、－Ｃ（Ｏ）Ｒi基または下記Ｌa～Ｌhのいずれかであり、
隣接するＲ1～Ｒ6は互いに結合して、炭素数６～１４の芳香族炭化水素基、窒素原子、酸素原子もしくは硫黄原子を少なくとも一つ含んでもよい４～７員の脂環基、または、窒素原子、酸素原子もしくは硫黄原子を少なくとも一つ含む、炭素数３～１４の複素芳香族基を形成していてもよく、これらの芳香族炭化水素基、脂環基および複素芳香族基は、水酸基、炭素数１～９の脂肪族炭化水素基またはハロゲン原子を有してもよく、また該脂環基は、＝Ｏを有していてもよく、
Ｒ8は独立に、水素原子、ハロゲン原子、－Ｃ（Ｏ）Ｒi基、下記Ｌa～Ｌhのいずれかであり、
ＲgおよびＲhはそれぞれ独立に、水素原子、－Ｃ（Ｏ）Ｒi基または下記Ｌa～Ｌhのいずれかであり、
Ｒiは独立に、下記Ｌa～Ｌhのいずれかであり、
（Ｌa）：炭素数１～１５の脂肪族炭化水素基
（Ｌb）：炭素数１～１５のハロゲン置換アルキル基
（Ｌc）：置換基Ｋを有してもよい炭素数３～１４の脂環式炭化水素基
（Ｌd）：置換基Ｋを有してもよい炭素数６～１４の芳香族炭化水素基
（Ｌe）：置換基Ｋを有してもよい炭素数３～１４の複素環基
（Ｌf）：－ＯＲ（Ｒは置換基Ｌを有してもよい炭素数１～１２の炭化水素基）
（Ｌg）：置換基Ｌを有してもよい炭素数１～９のアシル基
（Ｌh）：置換基Ｌを有してもよい炭素数１～９のアルコキシカルボニル基
前記置換基Ｋは、前記Ｌa～Ｌbより選ばれる少なくとも一種であり、前記置換基Ｌは、前記Ｌa～Ｌfより選ばれる少なくとも一種である。］
【0035】
なお、前記－ＮＲ8－は下記式（ａ）で表される基であり、前記－ＮＲgＲh基は下記式（ｂ）で表される基であり、前記－ＳＲi基は下記式（ｃ）で表される基であり、前記－ＳＯ2Ｒi基は下記式（ｄ）で表される基であり、前記－ＯＳＯ2Ｒi基は下記式（ｅ）で表される基であり、前記－Ｃ（Ｏ）Ｒi基は下記式（ｆ）で表される基である。
また、前記－ＳＳＱ2は－Ｓ－Ｓ－Ｑ2で表される基であり、前記－ＳＯ2Ｑ3は下記式（ｄ）で表される基において、ＲiをＱ3に置き換えた基である。
また、前記－ＳＳＱ2は－Ｓ－Ｓ－Ｑ2で表される基であり、前記－ＳＯ2Ｑ3は下記式（ｄ）で表される基において、ＲiをＱ3に置き換えた基である。
【0036】
【化9】
【0037】
なお、前記ユニットＡが前記式（Ａ－Ｉ）であり、前記ユニットＢが前記式（Ｂ－Ｉ）である場合、Ｃｎ+は下記式（ＩＩ－１）で表される。つまり、前記式（Ａ－Ｉ）～（Ａ－ＩＩＩ）における「＊－」の単結合（－）は、前記式（ＩＩ）や（ＩＶ）中のＹAが結合している炭素原子とユニットＡとの間の単結合に相当し、前記式（Ｂ－Ｉ）～（Ｂ－ＩＩＩ）における「＊＊＝」の二重結合（＝）は、前記式（ＩＩ）や（ＩＶ）中のＹEが結合している炭素原子とユニットＢとの間の二重結合に相当する。
【0038】
【化10】
【0039】
前記ＹBおよびＹDはそれぞれ独立に、より好ましくは、水素原子、塩素原子、フッ素原子、メチル基、エチル基、ＹBおよびＹD同士が互いに結合して形成された４～６員の脂環式炭化水素基（該脂環式炭化水素基は、水素原子、炭素数１～９の脂肪族炭化水素基、水酸基、ハロゲン原子、＝Ｏから選ばれる置換基Ｒ9を有していてもよい。）である。
【0040】
なお、ＹBおよびＹDが互いに結合して形成された４～６員の脂環式炭化水素基である場合、式（ＩＩ）や（ＩＶ）は、それぞれ、好ましくは、下記式（Ｃ－Ｉ）～（Ｃ－ＩＩＩ）で表すことができる。
【0041】
【化11】
【0042】
【化12】
【0043】
【化13】
【0044】
置換基Ｒ9としては、水素原子、水酸基、＝Ｏ、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、シクロヘキシル基が好ましく、水素原子、水酸基、＝Ｏ、メチル基、エチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基がより好ましい。
【0045】
前記ＹA、ＹCおよびＹEはそれぞれ独立に、より好ましくは、水素原子、塩素原子、臭素原子、フッ素原子、水酸基、フェニルアミノ基（ＮＨＰｈ）、ジフェニルアミノ基、メチルフェニルアミノ基、ジメチルアミノ基、メチル基、メトキシ基、フェニル基、フェノキシ基、４－メチルフェノキシ基、メチルチオ基、フェニルチオ基、－Ｓ－（４－ｔｏｌｙｌ）基である。
【0046】
前記Ｌaは、好ましくは、メチル基（Ｍｅ）、エチル基（Ｅｔ）、ｎ－プロピル基、イソプロピル基（ｉ－Ｐｒ）、ｎ－ブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基（ｔｅｒｔ－Ｂｕ）、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ドデシル基であり、より好ましくは、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基である。
【0047】
前記Ｌaは、ビニル基、１－プロペニル基、２－プロペニル基、ブテニル基、１，３－ブタジエニル基、２－メチル－１－プロペニル基、２－ペンテニル基、ヘキセニル基等のアルケニル基；エチニル基、プロピニル基、ブチニル基、２－メチル－１－プロピニル基、ヘキシニル基等のアルキニル基であってもよい。
【0048】
前記Ｌbにおける炭素数１～１５のハロゲン置換アルキル基としては、例えば、炭素数１～１５のアルキル基の少なくとも１つの水素原子がハロゲン原子で置換された基が挙げられ、好ましくは、トリクロロメチル基、トリフルオロメチル基、１，１－ジクロロエチル基、ペンタクロロエチル基、ペンタフルオロエチル基、ヘプタクロロプロピル基、ヘプタフルオロプロピル基である。
【0049】
前記Ｌcにおける置換基Ｋを有してもよい炭素数３～１４の脂環式炭化水素基としては、好ましくは、シクロプロピル基、シクロプロピルメチル基、メチルシクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、メチルシクロヘキシル基、シクロヘプチル基およびシクロオクチル基等のシクロアルキル基；ノルボルナン基およびアダマンチル基等の多環脂環式基が挙げられる。
【0050】
前記Ｌdにおける置換基Ｋを有してもよい炭素数６～１４の芳香族炭化水素基としては、好ましくは、フェニル基、トリル基、キシリル基、メシチル基（トリメチルフェニル基）、クメニル基、ビス（トリフルオロメチル）フェニル基、１－ナフチル基、２－ナフチル基、アントラセニル基、フェナントリル基、ベンジル基（ＣＨ2Ｐｈ）である。
【0051】
前記Ｌeにおける置換基Ｋを有してもよい炭素数３～１４の複素環基としては、好ましくは、フラン、チオフェン、ピロール、インドール、インドリン、インドレニン、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン、モルホリン、ピリジンである。
【0052】
前記Ｌfにおける－ＯＲとしては、好ましくは、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、メトキシメチル基、メトキシエチル基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、フェノキシ基（ＯＰｈ）、４－メチルフェノキシ基、シクロヘキシルオキシ基である。
【0053】
前記Ｌgにおける置換基Ｌを有してもよい炭素数１～９のアシル基としては、好ましくは、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ベンゾイル基、４－プロピルベンゾイル基、トリフルオロメチルカルボニル基である。
【0054】
前記Ｌhにおける置換基Ｌを有してもよい炭素数１～９のアルコキシカルボニル基としては、好ましくは、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、２－トリフルオロメチルエトキシカルボニル基、２－フェニルエトキシカルボニル基である。
【0055】
前記Ｘは、好ましくは、酸素原子、硫黄原子、－ＮＲ8－であり、特に好ましくは、酸素原子である。
【0056】
式（ＩＩ）や（ＩＶ）において、左右のユニットＡおよびＢは同一であっても異なってもよいが、同一であることが合成上容易であるため好ましい。
なお、ここで、ユニットＡおよびＢが同一である組み合わせは、式（Ａ－Ｉ）と式（Ｂ－Ｉ）、式（Ａ－ＩＩ）と式（Ｂ－ＩＩ）、式（Ａ－ＩＩＩ）と式（Ｂ－ＩＩＩ）である。
なお、ここで、ユニットＡおよびＢが同一である組み合わせは、式（Ａ－Ｉ）と式（Ｂ－Ｉ）、式（Ａ－ＩＩ）と式（Ｂ－ＩＩ）、式（Ａ－ＩＩＩ）と式（Ｂ－ＩＩＩ）である。
【0057】
前記Ｒ1～Ｒ6はそれぞれ独立に、好ましくは、水素原子、塩素原子、フッ素原子、臭素原子、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、１，１－ジメチルブチル基、シクロプロピル基、シクロプロピルメチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基、フェニル基、２，４，６－トリメチルフェニル基、３，５－ビス（トリフルオロメチル）フェニル基、水酸基、アミノ基、ジメチルアミノ基（ＮＭｅ2）、ジエチルアミノ基（ＮＥｔ2）、ジブチルアミノ基（Ｎ（ｎ－Ｂｕ）2）、シアノ基、ニトロ基、アセチルアミノ基、プロピオニルアミノ基、Ｎ－メチルアセチルアミノ基、トリフルオロメタノイルアミノ基、ペンタフルオロエタノイルアミノ基、ｔｅｒｔ－ブタノイルアミノ基、シクロヘキシノイルアミノ基、ｎ－ブチルスルホニル基、ベンジル基、ジフェニルメチル基、トリフルオロメチル基、ジフルオロメチル基、メトキシ基であり、より好ましくは水素原子、塩素原子、フッ素原子、臭素原子、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、シクロヘキシル基、フェニル基、アミノ基、ベンジル基、ジフェニルメチル基、トリフルオロメチル基、ジフルオロメチル基、メトキシ基である。
【0058】
前記Ｒ1～Ｒ6の少なくとも１つは、波長７００～７５０ｎｍ付近、または、波長７２０～９００ｎｍ付近における吸収極大での高い近赤外線カット性能と高い可視光透過性能とを有し、光学特性に優れ、熱や光に対して十分な耐性を有する化合物を容易に得ることができる等の点から、前記Ｌa、ＬcまたはＬdであることが好ましい。なお、前記ユニットＡが前記式（Ａ－ＩＩＩ）であり、前記ユニットＢが前記式（Ｂ－ＩＩＩ）である場合、「Ｒ1～Ｒ6の少なくとも１つがＬa、ＬcまたはＬdである」とは、「Ｒ1、Ｒ2、Ｒ4、Ｒ5の少なくとも１つがＬa、ＬcまたはＬdである」ことを意味する。
【0059】
前記Ｒ8としては、好ましくは、水素原子、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、ベンジル基、ｎ－ペンチル基、ｎ－ヘキシル基、ｔｅｒｔ－ブチル基であり、より好ましくは水素原子、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、ベンジル基である。
【0060】
前記Ａｎ-としては、一価のアニオンであれば特に制限されないが、好ましくは、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、ＰＦ4
-、過塩素酸アニオン、トリストリフルオロメタンスルホニルメチドアニオン、テトラフルオロボレートアニオン、ヘキサフルオロリン酸アニオン、ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドアニオン、トリフルオロメタンスルホン酸アニオン、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートアニオン、テトラキス（３，５－ビス（トリフルオロメチル）フェニル）ボレートアニオンなどが挙げられ、より好ましくは、ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドアニオン、トリフルオロメタンスルホン酸アニオン、トリストリフルオロメタンスルホニルメチドアニオン、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートアニオン、テトラキス（３，５－ビス（トリフルオロメチル）フェニル）ボレートアニオンであり、耐熱性により優れる化合物（Ｚ）を容易に得ることができる等の点から、さらに好ましくは、ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドアニオン、トリストリフルオロメタンスルホニルメチドアニオン、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートアニオン、テトラキス（３，５－ビス（トリフルオロメチル）フェニル）ボレートアニオンであり、特に好ましくはテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートアニオンである。
【0061】
式（Ｉ）や（ＩＩＩ）で表される化合物の具体例としては、例えば、下記表１～４に記載の化合物（ｚ－１）～（ｚ－１７３）が挙げられる。
これらの化合物（Ｚ）は、具体的には、例えば、下記実施例に記載の方法で合成することができる。
これらの化合物（Ｚ）は、具体的には、例えば、下記実施例に記載の方法で合成することができる。
【0062】
【表1】
【0063】
【表2】
【0064】
【表3】
【0065】
【表4】
【0066】
なお、表４のＲ3およびＲ4の欄における「Ｃ－１、Ｃ－２」は、前記式（Ａ－Ｉ）および前記式（Ｂ－Ｉ）におけるＲ3とＲ4とが互いに結合し、炭素数６の芳香族炭化水素基を形成していることを意味し、具体的には、ユニットＡおよびＢに相当する部分が、下記式Ｃ－１およびＣ－２で表される構造であることを意味する。
また、表４のＹA，ＹE、Ｒ1およびＲ5の欄における「Ｄ－１」は、ＹAと前記式（Ａ－ＩＩＩ）におけるＲ1、ＹEと前記式（Ｂ－ＩＩＩ）におけるＲ5が互いに結合して、６員の脂環基を形成していることを意味し、具体的には、化合物（ｚ－１６３）のカチオンが、下記式Ｄ－１で表されることを意味する。
また、表４のＹA，ＹE、Ｒ1およびＲ5の欄における「Ｄ－１」は、ＹAと前記式（Ａ－ＩＩＩ）におけるＲ1、ＹEと前記式（Ｂ－ＩＩＩ）におけるＲ5が互いに結合して、６員の脂環基を形成していることを意味し、具体的には、化合物（ｚ－１６３）のカチオンが、下記式Ｄ－１で表されることを意味する。
【0067】
【化14】
【0068】
【化15】
【0069】
化合物（Ｚ）は、有機溶剤可溶の化合物であることが好ましく、特にジクロロメタン可溶の化合物であることが好ましい。
ここで、有機溶剤可溶とは、２５℃の有機溶剤１００ｇに対し、化合物（Ｚ）が０．１ｇ以上溶解する場合のことをいう。
ここで、有機溶剤可溶とは、２５℃の有機溶剤１００ｇに対し、化合物（Ｚ）が０．１ｇ以上溶解する場合のことをいう。
【0070】
化合物（Ｚ）は、下記要件（Ａ）を満たす化合物であることが好ましい。
要件（Ａ）：化合物（Ｚ）をジクロロメタンに溶解させた溶液を用いて測定される透過スペクトル（但し、該透過スペクトルは、吸収極大波長における透過率が１０％となるスペクトルである。以下この透過スペクトルを「化合物（Ｚ）の透過スペクトル」ともいう。）において、波長４３０～５８０ｎｍにおける透過率の平均値が、好ましくは９３％以上、より好ましくは９５％以上である。該透過率の平均値は高い方が好ましいため、その上限は特に制限されず、１００％であってもよい。
化合物（Ｚ）がこの要件（Ａ）を満たすと、カットしたい近赤外線領域の波長の光を十分にカットしながらも可視光透過率の低下をより抑制できる。
要件（Ａ）：化合物（Ｚ）をジクロロメタンに溶解させた溶液を用いて測定される透過スペクトル（但し、該透過スペクトルは、吸収極大波長における透過率が１０％となるスペクトルである。以下この透過スペクトルを「化合物（Ｚ）の透過スペクトル」ともいう。）において、波長４３０～５８０ｎｍにおける透過率の平均値が、好ましくは９３％以上、より好ましくは９５％以上である。該透過率の平均値は高い方が好ましいため、その上限は特に制限されず、１００％であってもよい。
化合物（Ｚ）がこの要件（Ａ）を満たすと、カットしたい近赤外線領域の波長の光を十分にカットしながらも可視光透過率の低下をより抑制できる。
【0071】
なお、本発明において、波長Ａ～Ｂｎｍの平均透過率は、Ａｎｍ以上Ｂｎｍ以下の、１ｎｍ刻みの各波長における透過率を測定し、その透過率の合計を、測定した透過率の数（波長範囲、Ｂ－Ａ＋１）で除すことで算出した値である。
【0072】
化合物（Ｚ）は、下記要件（Ｂ－１）または（Ｂ－２）を満たす化合物であることが好ましい。
要件（Ｂ－１）：化合物（Ｚ）をジクロロメタンに溶解させた溶液を用いて測定される吸収スペクトルにおいて、好ましくは波長７２０～９００ｎｍの範囲、より好ましくは波長７４０～８８０ｎｍの範囲、特に好ましくは波長７４０～８６０ｎｍの範囲に極大値を有する。
化合物（Ｚ）の吸収極大波長が前記範囲にあると、波長７２０～９００ｎｍ付近の光の反射光を抑制することができ、フレアやゴーストの少ない良好な画像を与えることができる光学フィルターを容易に得ることができる。
前記要件（Ｂ－１）を満たす化合物（Ｚ）の好適例としては、前記ユニットＡが、前記式（Ａ－Ｉ）～（Ａ－ＩＩ）のいずれかであり、前記ユニットＢが、前記式（Ｂ－Ｉ）～（Ｂ－ＩＩ）のいずれかである化合物が挙げられる。
要件（Ｂ－１）：化合物（Ｚ）をジクロロメタンに溶解させた溶液を用いて測定される吸収スペクトルにおいて、好ましくは波長７２０～９００ｎｍの範囲、より好ましくは波長７４０～８８０ｎｍの範囲、特に好ましくは波長７４０～８６０ｎｍの範囲に極大値を有する。
化合物（Ｚ）の吸収極大波長が前記範囲にあると、波長７２０～９００ｎｍ付近の光の反射光を抑制することができ、フレアやゴーストの少ない良好な画像を与えることができる光学フィルターを容易に得ることができる。
前記要件（Ｂ－１）を満たす化合物（Ｚ）の好適例としては、前記ユニットＡが、前記式（Ａ－Ｉ）～（Ａ－ＩＩ）のいずれかであり、前記ユニットＢが、前記式（Ｂ－Ｉ）～（Ｂ－ＩＩ）のいずれかである化合物が挙げられる。
【0073】
要件（Ｂ－２）：化合物（Ｚ）をジクロロメタンに溶解させた溶液を用いて測定される吸収スペクトルにおいて、好ましくは波長７００～７５０ｎｍの範囲、より好ましくは波長７０５～７４８ｎｍの範囲、特に好ましくは波長７１０～７４５ｎｍの範囲に極大値を有する。
化合物（Ｚ）の吸収極大波長が前記範囲にあると、波長７００～７５０ｎｍ付近の光の反射光を抑制することができ、フレアやゴーストの少ない良好な画像を与えることができる光学フィルターを容易に得ることができる。
前記要件（Ｂ－２）を満たす化合物（Ｚ）の好適例としては、前記ユニットＡが、前記式（Ａ－ＩＩＩ）であり、前記ユニットＢが、前記式（Ｂ－ＩＩＩ）である化合物が挙げられる。
化合物（Ｚ）の吸収極大波長が前記範囲にあると、波長７００～７５０ｎｍ付近の光の反射光を抑制することができ、フレアやゴーストの少ない良好な画像を与えることができる光学フィルターを容易に得ることができる。
前記要件（Ｂ－２）を満たす化合物（Ｚ）の好適例としては、前記ユニットＡが、前記式（Ａ－ＩＩＩ）であり、前記ユニットＢが、前記式（Ｂ－ＩＩＩ）である化合物が挙げられる。
【0074】
化合物（Ｚ）は、下記要件（Ｃ）を満たす化合物であることが好ましい。
要件（Ｃ）：樹脂と化合物（Ｚ）とからなる樹脂板の、波長７００～１０００ｎｍの範囲の極大吸収波長λａにおける吸光度Ａｉに対する、該樹脂板を３０日間蛍光灯照射した後の前記λａおける吸光度Ａｆの保持率Ｄ（＝Ａｆ×１００／Ａｉ）が、好ましくは９５％以上、より好ましくは９７％以上である。該保持率Ｄは高い方が好ましいため、その上限は特に制限されず、１００％であってもよい。
なお、前記樹脂板の厚みは、９０～１１０μｍの範囲内であり、樹脂に対する化合物（Ｚ）の含有量は、該樹脂板の極大吸収波長λａにおける吸光度Ａｉが０．５～１．５の範囲内に入るような量であり、樹脂は、ＪＳＲ（株）製アートンを使用するものとし、樹脂板中の樹脂１００質量部に対して、Ｉｒｇａｎｏｘ １０１０（ＢＡＳＦジャパン（株）製）を０．３質量部含むものとする。
要件（Ｃ）：樹脂と化合物（Ｚ）とからなる樹脂板の、波長７００～１０００ｎｍの範囲の極大吸収波長λａにおける吸光度Ａｉに対する、該樹脂板を３０日間蛍光灯照射した後の前記λａおける吸光度Ａｆの保持率Ｄ（＝Ａｆ×１００／Ａｉ）が、好ましくは９５％以上、より好ましくは９７％以上である。該保持率Ｄは高い方が好ましいため、その上限は特に制限されず、１００％であってもよい。
なお、前記樹脂板の厚みは、９０～１１０μｍの範囲内であり、樹脂に対する化合物（Ｚ）の含有量は、該樹脂板の極大吸収波長λａにおける吸光度Ａｉが０．５～１．５の範囲内に入るような量であり、樹脂は、ＪＳＲ（株）製アートンを使用するものとし、樹脂板中の樹脂１００質量部に対して、Ｉｒｇａｎｏｘ １０１０（ＢＡＳＦジャパン（株）製）を０．３質量部含むものとする。
【0075】
保持率Ｄが前記範囲にある化合物（Ｚ）は、耐光性（耐久性）に優れるといえ、このような化合物（Ｚ）を用いることで、長期にわたり所望の光学特性を示す光学フィルターを容易に得ることができる。
前記保持率Ｄは、具体的には、下記実施例に記載の方法で測定することができる。
前記保持率Ｄは、具体的には、下記実施例に記載の方法で測定することができる。
【0076】
化合物（Ｚ）は、下記要件（Ｄ）を満たすことがより好ましい。
要件（Ｄ）：化合物（Ｚ）をジクロロメタンに溶解させた溶液を用いて測定される分光吸収スペクトルにおいて、極大吸収波長のうち、最も長い波長における吸光度をεａ、波長４３０～５８０ｎｍにおける吸光度の最大値をεｂｍａｘとした時、εａ／εｂｍａｘが、好ましくは２０以上、より好ましくは２５以上、さらに好ましくは２７以上である。εａ／εｂｍａｘは、大きい方が好ましいためその上限は特に制限されないが、例えば、１００００以下である。
化合物（Ｚ）がこの要件（Ｄ）を満たすと、可視光域の吸光度に対する赤外線域の吸光度の比が大きいといえ、光学特性に優れるといえ、誘電体多層膜を有する光学フィルターにおいて、該多層膜による入射角依存性を抑制することができる。
要件（Ｄ）：化合物（Ｚ）をジクロロメタンに溶解させた溶液を用いて測定される分光吸収スペクトルにおいて、極大吸収波長のうち、最も長い波長における吸光度をεａ、波長４３０～５８０ｎｍにおける吸光度の最大値をεｂｍａｘとした時、εａ／εｂｍａｘが、好ましくは２０以上、より好ましくは２５以上、さらに好ましくは２７以上である。εａ／εｂｍａｘは、大きい方が好ましいためその上限は特に制限されないが、例えば、１００００以下である。
化合物（Ｚ）がこの要件（Ｄ）を満たすと、可視光域の吸光度に対する赤外線域の吸光度の比が大きいといえ、光学特性に優れるといえ、誘電体多層膜を有する光学フィルターにおいて、該多層膜による入射角依存性を抑制することができる。
【0077】
本組成物中の化合物（Ｚ）の含有量は、樹脂１００質量部に対して、好ましくは０．０２～２．０質量部、より好ましくは０．０２～１．５質量部、特に好ましくは０．０３～１．５質量部である。
化合物（Ｚ）の含有量が前記範囲にあると、波長７００～７５０ｎｍ付近、または、波長７２０～９００ｎｍ付近の範囲の近赤外線を効率よくカットできるほか、可視光透過性により優れる組成物を容易に得ることができる。
化合物（Ｚ）の含有量が前記範囲にあると、波長７００～７５０ｎｍ付近、または、波長７２０～９００ｎｍ付近の範囲の近赤外線を効率よくカットできるほか、可視光透過性により優れる組成物を容易に得ることができる。
【0078】
＜樹脂＞
本組成物に用いる樹脂としては特に制限されず、従来公知の樹脂を用いることができる。
本組成物に用いられる樹脂は、１種単独でもよく、２種以上でもよい。
本組成物に用いる樹脂としては特に制限されず、従来公知の樹脂を用いることができる。
本組成物に用いられる樹脂は、１種単独でもよく、２種以上でもよい。
【0079】
前記樹脂としては、本発明の効果を損なわない限り特に制限されないが、例えば、熱安定性およびフィルム（板）形状への成形性等に優れ、かつ、１００℃以上程度の蒸着温度で行う高温蒸着で誘電体多層膜を形成し得るフィルムを容易に得ることができる等の点から、ガラス転移温度（Ｔｇ）が、好ましくは１１０～３８０℃、より好ましくは１１０～３７０℃、特に好ましくは１２０～３６０℃である樹脂が挙げられる。また、前記樹脂のＴｇが１４０℃以上であると、誘電体多層膜をより高温で蒸着形成し得るフィルムが得られるため、特に好ましい。
【0080】
前記樹脂としては、当該樹脂からなる厚さ０．１ｍｍの樹脂板の全光線透過率（ＪＩＳ Ｋ ７３７５：２００８）が、好ましくは７５～９５％、さらに好ましくは７８～９５％、特に好ましくは８０～９５％となる樹脂を用いることができる。
全光線透過率が前記範囲にある樹脂を用いると、透明性に優れる樹脂組成物や光学フィルターを容易に得ることができる。
全光線透過率が前記範囲にある樹脂を用いると、透明性に優れる樹脂組成物や光学フィルターを容易に得ることができる。
【0081】
前記樹脂のゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により測定される、ポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）は、通常１５，０００～３５０，０００、好ましくは３０，０００～２５０，０００であり、数平均分子量（Ｍｎ）は、通常１０，０００～１５０，０００、好ましくは２０，０００～１００，０００である。
【0082】
前記樹脂としては、例えば、環状（ポリ）オレフィン系樹脂、芳香族ポリエーテル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリアミド（アラミド）系樹脂、ポリアリレート系樹脂、ポリサルホン系樹脂、ポリエーテルサルホン系樹脂、ポリパラフェニレン系樹脂、ポリアミドイミド系樹脂、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）系樹脂、フッ素化芳香族ポリマー系樹脂、（変性）アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、アリルエステル系硬化型樹脂、シルセスキオキサン系紫外線硬化型樹脂、アクリル系紫外線硬化型樹脂、ビニル系紫外線硬化型樹脂が挙げられる。
これらの樹脂の具体例としては、国際公開第２０１９／１６８０９０号に記載の樹脂等が挙げられる。
これらの樹脂の具体例としては、国際公開第２０１９／１６８０９０号に記載の樹脂等が挙げられる。
【0083】
＜その他成分＞
本組成物は、本発明の効果を損なわない範囲において、さらに、化合物（Ｚ）以外の化合物（Ｘ）［紫外線吸収剤以外の吸収剤］、酸化防止剤、紫外線吸収剤、蛍光消光剤および金属錯体系化合物等のその他成分を含有してもよい。
これらその他成分はそれぞれ、１種単独で用いてもよく、２種以上を用いてもよい。
本組成物は、本発明の効果を損なわない範囲において、さらに、化合物（Ｚ）以外の化合物（Ｘ）［紫外線吸収剤以外の吸収剤］、酸化防止剤、紫外線吸収剤、蛍光消光剤および金属錯体系化合物等のその他成分を含有してもよい。
これらその他成分はそれぞれ、１種単独で用いてもよく、２種以上を用いてもよい。
【0084】
これらその他成分は、本組成物を調製する際に、樹脂などとともに混合してもよいし、樹脂を合成する際に添加してもよい。また、添加量は、所望の特性等に応じて適宜選択すればよいが、樹脂１００質量部に対して、通常０．０１～５．０質量部、好ましくは０．０５～２．０質量部である。
【0085】
［化合物（Ｘ）］
本組成物は、化合物（Ｚ）以外の化合物（Ｘ）［紫外線吸収剤以外の吸収剤］を１種または２種以上含んでいてもよい。
該化合物（Ｘ）としては、例えば、スクアリリウム系化合物、フタロシアニン系化合物、ポリメチン系化合物、ナフタロシアニン系化合物、クロコニウム系化合物、オクタフィリン系化合物、ジイモニウム系化合物、ペリレン系化合物、金属ジチオラート系化合物が挙げられる。
本組成物は、化合物（Ｚ）以外の化合物（Ｘ）［紫外線吸収剤以外の吸収剤］を１種または２種以上含んでいてもよい。
該化合物（Ｘ）としては、例えば、スクアリリウム系化合物、フタロシアニン系化合物、ポリメチン系化合物、ナフタロシアニン系化合物、クロコニウム系化合物、オクタフィリン系化合物、ジイモニウム系化合物、ペリレン系化合物、金属ジチオラート系化合物が挙げられる。
【0086】
前記化合物（Ｘ）としては、スクアリリウム系化合物を含むことが好ましく、スクアリリウム系化合物とその他の化合物（Ｘ'）とをそれぞれ１種以上含むことがさらに好ましく、該その他の化合物（Ｘ'）としては、フタロシアニン系化合物およびポリメチン系化合物が特に好ましい。
【0087】
前記スクアリリウム系化合物は、吸収ピークがシャープであり、優れた可視光透過性および高いモル吸光係数を有するが、光線吸収時に散乱光の原因となる蛍光が発生する場合がある。この場合、スクアリリウム系化合物と前記化合物（Ｘ'）とを組み合わせて使用することにより、散乱光を抑制することができる。このように散乱光が抑制されると、本組成物から得られた光学フィルターを撮像装置などに使用した場合、得られるカメラ画質がより良好となる。
【0088】
前記化合物（Ｘ）の吸収極大波長は、好ましくは６５０～１１００ｎｍ、より好ましくは６５０～９５０ｎｍ、さらに好ましくは６８０～８５０ｎｍ、特に好ましくは６９０～７４０ｎｍである。
前記範囲に吸収極大波長を有する化合物（Ｘ）を用いることで、視感度補正により優れる光学フィルターを容易に得ることができる。
前記範囲に吸収極大波長を有する化合物（Ｘ）を用いることで、視感度補正により優れる光学フィルターを容易に得ることができる。
【0089】
［紫外線吸収剤］
前記紫外線吸収剤としては、例えば、アゾメチン系化合物、インドール系化合物、ベンゾトリアゾール系化合物、シアノアクリレート系化合物、トリアジン系化合物、アントラセン系化合物、特開２０１９－０１４７０７号公報等に記載の化合物が挙げられる。
前記紫外線吸収剤としては、例えば、アゾメチン系化合物、インドール系化合物、ベンゾトリアゾール系化合物、シアノアクリレート系化合物、トリアジン系化合物、アントラセン系化合物、特開２０１９－０１４７０７号公報等に記載の化合物が挙げられる。
【0090】
特にアゾメチン系化合物、インドール系化合物、ベンゾトリアゾール系化合物、シアノアクリレート系化合物が好ましい。これら化合物を含有することで、近紫外波長領域においても入射角度依存性が少ない光学フィルターを容易に得ることができ、該光学フィルターを撮像装置などに使用した場合、得られるカメラ画質がより良好となる。
【0091】
［酸化防止剤］
前記酸化防止剤としては、例えば、２，６－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－４－メチルフェノール、２，２'－ジオキシ－３，３'－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－５，５'－ジメチルジフェニルメタン、テトラキス［メチレン－３－（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオネート］メタンが挙げられる。
前記酸化防止剤としては、例えば、２，６－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－４－メチルフェノール、２，２'－ジオキシ－３，３'－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－５，５'－ジメチルジフェニルメタン、テトラキス［メチレン－３－（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオネート］メタンが挙げられる。
【0092】
＜添加剤＞
本組成物は、本発明の効果を損なわない範囲において、さらに、有機溶剤、離型剤、界面活性剤、帯電防止剤、密着助剤、光拡散材等の添加剤を含有していてもよい。
これら添加剤はそれぞれ、１種単独で用いてもよく、２種以上を用いてもよい。
本組成物は、本発明の効果を損なわない範囲において、さらに、有機溶剤、離型剤、界面活性剤、帯電防止剤、密着助剤、光拡散材等の添加剤を含有していてもよい。
これら添加剤はそれぞれ、１種単独で用いてもよく、２種以上を用いてもよい。
【0093】
特に、本組成物を液状組成物とする場合、有機溶剤を用いることが好ましい。該有機溶剤の例としては、樹脂を溶解できる溶剤であることが好ましく、具体的には、エステル類、ケトン類、芳香族炭化水素類、ハロゲン含有化合物類が挙げられる。
また、後述するキャスト成形により樹脂層を製造する場合には、レベリング剤や消泡剤を用いることで該樹脂層の製造を容易にすることができる。
また、後述するキャスト成形により樹脂層を製造する場合には、レベリング剤や消泡剤を用いることで該樹脂層の製造を容易にすることができる。
【0094】
≪基材（ｉ）≫
本発明に係る基材（ｉ）は、本組成物から形成された前記化合物（Ｚ）を含有する基材である。
該基材（ｉ）は、単層であっても多層であってもよく、本組成物から形成された前記化合物（Ｚ）を含有する樹脂層（以下「本樹脂層」ともいう。）を有すればよい。前記基材（ｉ）は、２層以上の本樹脂層を有していてもよく、この場合、２層以上の本樹脂層は、同一であっても、異なっていてもよい。
本発明に係る基材（ｉ）は、本組成物から形成された前記化合物（Ｚ）を含有する基材である。
該基材（ｉ）は、単層であっても多層であってもよく、本組成物から形成された前記化合物（Ｚ）を含有する樹脂層（以下「本樹脂層」ともいう。）を有すればよい。前記基材（ｉ）は、２層以上の本樹脂層を有していてもよく、この場合、２層以上の本樹脂層は、同一であっても、異なっていてもよい。
【0095】
基材（ｉ）が単層の場合は、該基材（ｉ）は本樹脂層からなり、つまり、本樹脂層（樹脂製基板）が基材（ｉ）である。
基材（ｉ）が多層の場合は、該基材（ｉ）としては、２層以上の樹脂層を含む基材であって、該２層以上の樹脂層のうち少なくとも１つが本樹脂層である基材や、本樹脂層とガラス支持体とを含む基材が挙げられ、好適例としては、ガラス支持体やベースとなる樹脂製支持体などの支持体上に本樹脂層が積層された積層体を含む基材（Ａ）、本樹脂層上に、硬化性樹脂等からなるオーバーコート層などの樹脂層が積層された積層体を含む基材（Ｂ）が挙げられる。
製造コストや光学特性調整の容易性、さらに、本樹脂層の傷消し効果を達成できることや、基材（ｉ）の耐傷つき性向上等の点から、前記基材（ｉ）としては、基材（Ｂ）が特に好ましい。
基材（ｉ）が多層の場合は、該基材（ｉ）としては、２層以上の樹脂層を含む基材であって、該２層以上の樹脂層のうち少なくとも１つが本樹脂層である基材や、本樹脂層とガラス支持体とを含む基材が挙げられ、好適例としては、ガラス支持体やベースとなる樹脂製支持体などの支持体上に本樹脂層が積層された積層体を含む基材（Ａ）、本樹脂層上に、硬化性樹脂等からなるオーバーコート層などの樹脂層が積層された積層体を含む基材（Ｂ）が挙げられる。
製造コストや光学特性調整の容易性、さらに、本樹脂層の傷消し効果を達成できることや、基材（ｉ）の耐傷つき性向上等の点から、前記基材（ｉ）としては、基材（Ｂ）が特に好ましい。
【0096】
なお、前記樹脂製支持体や基材（Ｂ）におけるオーバーコート層などの樹脂層は、化合物（Ｚ）を含まない樹脂層のことをいう。該化合物（Ｚ）を含まない樹脂層は、樹脂を含めば特に制限されず、該樹脂としては、前記本組成物の欄に記載の樹脂と同様の樹脂等が挙げられる。また、該化合物（Ｚ）を含まない樹脂層は、下記その他の機能膜であってもよい。
【0097】
前記ガラス支持体としては透明ガラス支持体や吸収ガラス支持体が好ましい。これらの中でも、吸収ガラス支持体を用いると近赤外線領域の波長の光を十分にカットすることができるため、好ましい。
【0098】
基材（ｉ）の厚みは、所望の用途に応じて適宜選択することができ、特に制限されないが、好ましくは１０～２５０μｍ、さらに好ましくは１５～２３０μｍ、特に好ましくは２０～１５０μｍである。
基材（ｉ）の厚みが前記範囲にあると、該基材（ｉ）を用いた光学フィルターを薄型化および軽量化することができ、固体撮像装置等の様々な用途に好適に用いることができる。特に、前記単層の基材（ｉ）をカメラモジュール等のレンズユニットに用いた場合には、レンズユニットの低背化、軽量化を実現することができるため好ましい。
基材（ｉ）の厚みが前記範囲にあると、該基材（ｉ）を用いた光学フィルターを薄型化および軽量化することができ、固体撮像装置等の様々な用途に好適に用いることができる。特に、前記単層の基材（ｉ）をカメラモジュール等のレンズユニットに用いた場合には、レンズユニットの低背化、軽量化を実現することができるため好ましい。
【0099】
［基材（ｉ）の製造方法］
前記本樹脂層、前記樹脂製支持体および前記オーバーコート層などの樹脂層は、例えば、溶融成形またはキャスト成形により形成することができ、さらに、必要により、成形後に、反射防止剤、ハードコート剤および／または帯電防止剤等のコーティング剤をコーティングしてもよい。
前記本樹脂層、前記樹脂製支持体および前記オーバーコート層などの樹脂層は、例えば、溶融成形またはキャスト成形により形成することができ、さらに、必要により、成形後に、反射防止剤、ハードコート剤および／または帯電防止剤等のコーティング剤をコーティングしてもよい。
【0100】
前記基材（ｉ）が、基材（Ａ）である場合、例えば、前記支持体に、本組成物を溶融成形またはキャスト成形することで、好ましくはスピンコート、スリットコート、インクジェットなどの方法にて塗工した後に溶媒を乾燥除去し、必要に応じてさらに光照射や加熱を行うことで、支持体上に本樹脂層が形成された基材を製造することができる。
【0101】
・溶融成形
前記溶融成形としては、具体的には、本組成物を溶融混練りして得られたペレットを溶融成形する方法；本組成物を溶融成形する方法；溶剤を含む液状の本組成物から溶剤を除去して得られたペレットを溶融成形する方法などが挙げられる。溶融成形方法としては、射出成形、溶融押出成形またはブロー成形などを挙げることができる。
前記溶融成形としては、具体的には、本組成物を溶融混練りして得られたペレットを溶融成形する方法；本組成物を溶融成形する方法；溶剤を含む液状の本組成物から溶剤を除去して得られたペレットを溶融成形する方法などが挙げられる。溶融成形方法としては、射出成形、溶融押出成形またはブロー成形などを挙げることができる。
【0102】
・キャスト成形
前記キャスト成形としては、溶剤を含む液状の本組成物を適当な支持体の上にキャスティングして溶剤を除去する方法；前記樹脂として光硬化性樹脂および／または熱硬化性樹脂を含む、硬化性の本組成物を適当な支持体の上にキャスティングして溶媒を除去した後、紫外線照射や加熱などの適切な手法により硬化させる方法などが挙げられる。
前記基材（ｉ）が、前記単層の基材（ｉ）である場合には、該基材（ｉ）は、キャスト成形後、支持体から塗膜を剥離することにより得ることができ、また、前記基材（ｉ）が、前記基材（Ａ）である場合には、該基材（ｉ）は、キャスト成形後、塗膜を剥離しないことで得ることができる。
前記キャスト成形としては、溶剤を含む液状の本組成物を適当な支持体の上にキャスティングして溶剤を除去する方法；前記樹脂として光硬化性樹脂および／または熱硬化性樹脂を含む、硬化性の本組成物を適当な支持体の上にキャスティングして溶媒を除去した後、紫外線照射や加熱などの適切な手法により硬化させる方法などが挙げられる。
前記基材（ｉ）が、前記単層の基材（ｉ）である場合には、該基材（ｉ）は、キャスト成形後、支持体から塗膜を剥離することにより得ることができ、また、前記基材（ｉ）が、前記基材（Ａ）である場合には、該基材（ｉ）は、キャスト成形後、塗膜を剥離しないことで得ることができる。
【0103】
前記適当な支持体としては、例えば、ガラス板、スチールベルト、スチールドラムおよび樹脂（例えば、ポリエステルフィルム、環状オレフィン系樹脂フィルム）製支持体が挙げられる。
【0104】
さらに、ガラス板、石英またはプラスチック製等の光学部品に、前記液状の本組成物をコーティングして溶剤を乾燥させる方法、または、前記硬化性の本組成物をコーティングして硬化および乾燥させる方法などにより、光学部品上に本樹脂層を形成することもできる。
【0105】
前記樹脂製支持体およびオーバーコート層などの樹脂層を溶融成形またはキャスト成形により形成する場合には、前記溶融成形やキャスト成形の欄における本組成物の代わりに、樹脂を含む所望の組成物（但し、化合物（Ｚ）を含まない）を用いればよい。
【0106】
前記本樹脂層、前記樹脂製支持体および前記オーバーコート層などの樹脂層中の残留溶剤量は可能な限り少ない方がよい。具体的には、該残留溶剤量は、本樹脂層の重さに対して、好ましくは３質量％以下、より好ましくは１質量％以下、さらに好ましくは０．５質量％以下である。
残留溶剤量が前記範囲にあると、変形や特性が変化しにくい、所望の機能を容易に発揮できる樹脂層が得られる。
基材（ｉ）を光学フィルターに用いる場合は、前記本樹脂層、前記樹脂製支持体および前記オーバーコート層などの樹脂層中の溶剤含有量を１００質量ｐｐｍ以下に抑えることが好ましい。
残留溶剤量が前記範囲にあると、変形や特性が変化しにくい、所望の機能を容易に発揮できる樹脂層が得られる。
基材（ｉ）を光学フィルターに用いる場合は、前記本樹脂層、前記樹脂製支持体および前記オーバーコート層などの樹脂層中の溶剤含有量を１００質量ｐｐｍ以下に抑えることが好ましい。
【0107】
≪光学フィルター≫
本発明に係る光学フィルター（以下「本フィルター」ともいう。）は、前記基材（ｉ）と、誘電体多層膜とを有する。
本発明の効果がより発揮される等の点から、このような本フィルターとしては、具体的には、近赤外線カットフィルター（ＮＩＲ－ＣＦ）、可視光－近赤外線選択透過フィルター（ＤＢＰＦ）、近赤外線透過フィルター（ＩＲＰＦ）が挙げられる。また、本フィルターは、科学捜査等に用いられる代替光源（ＡＬＳ：Alternative Light Sources）用のフィルターとしても用いることができる。これらのフィルターは、前記基材（ｉ）を有する以外は、従来公知の構成とすればよい。
本発明に係る光学フィルター（以下「本フィルター」ともいう。）は、前記基材（ｉ）と、誘電体多層膜とを有する。
本発明の効果がより発揮される等の点から、このような本フィルターとしては、具体的には、近赤外線カットフィルター（ＮＩＲ－ＣＦ）、可視光－近赤外線選択透過フィルター（ＤＢＰＦ）、近赤外線透過フィルター（ＩＲＰＦ）が挙げられる。また、本フィルターは、科学捜査等に用いられる代替光源（ＡＬＳ：Alternative Light Sources）用のフィルターとしても用いることができる。これらのフィルターは、前記基材（ｉ）を有する以外は、従来公知の構成とすればよい。
【0108】
本フィルターが、ＮＩＲ－ＣＦやＤＢＰＦである場合、下記特性（ａ）を満たすフィルターであることが好ましい。
特性（ａ）：波長４３０～５８０ｎｍの領域において、光学フィルターの垂直方向から測定した場合の透過率の平均値が、好ましくは７５％以上、より好ましくは８０％以上である。該透過率の平均値は高い方が好ましいため、その上限は特に制限されず、１００％であってもよい。
本フィルターがこの特性（ａ）を満たすと、カットしたい近赤外線領域の波長の光を十分にカットしながらも可視光透過率の低下をより抑制できるため、ＮＩＲ－ＣＦやＤＢＰＦとしてより好適に用いることができる。
特性（ａ）：波長４３０～５８０ｎｍの領域において、光学フィルターの垂直方向から測定した場合の透過率の平均値が、好ましくは７５％以上、より好ましくは８０％以上である。該透過率の平均値は高い方が好ましいため、その上限は特に制限されず、１００％であってもよい。
本フィルターがこの特性（ａ）を満たすと、カットしたい近赤外線領域の波長の光を十分にカットしながらも可視光透過率の低下をより抑制できるため、ＮＩＲ－ＣＦやＤＢＰＦとしてより好適に用いることができる。
【0109】
前記基材（ｉ）が、前記要件（Ｂ－１）を満たす化合物を含む場合であって、本フィルターが、ＮＩＲ－ＣＦやＤＢＰＦである場合、下記特性（ｂ－１）を満たすフィルターであることが好ましい。
特性（ｂ－１）：波長７００～８００ｎｍの領域において、光学フィルターの少なくとも一方の面の垂直方向から５°の角度から入射する無偏光光線の平均反射率が、好ましくは２５％以下、より好ましくは１５％以下である。該平均反射率は低い方が好ましいため、その下限は特に制限されず、０％であってもよい。
この特性（ｂ－１）を満たす本フィルターを用いることで、波長７００～８００ｎｍの波長域の反射光強度の低減が可能であるため、該反射光に起因する画像不良を解消できる。
特性（ｂ－１）：波長７００～８００ｎｍの領域において、光学フィルターの少なくとも一方の面の垂直方向から５°の角度から入射する無偏光光線の平均反射率が、好ましくは２５％以下、より好ましくは１５％以下である。該平均反射率は低い方が好ましいため、その下限は特に制限されず、０％であってもよい。
この特性（ｂ－１）を満たす本フィルターを用いることで、波長７００～８００ｎｍの波長域の反射光強度の低減が可能であるため、該反射光に起因する画像不良を解消できる。
【0110】
前記基材（ｉ）が、前記要件（Ｂ－２）を満たす化合物を含む場合であって、本フィルターが、ＮＩＲ－ＣＦやＤＢＰＦである場合、下記特性（ｂ－２）を満たすフィルターであることが好ましい。
特性（ｂ－２）：波長６５０～８００ｎｍの領域において、光学フィルターの少なくとも一方の面の垂直方向から５°の角度から入射する無偏光光線の平均反射率が、好ましくは２５％以下、より好ましくは１５％以下である。該平均反射率は低い方が好ましいため、その下限は特に制限されず、０％であってもよい。
この特性（ｂ－２）を満たす本フィルターを用いることで、波長６５０～８００ｎｍの波長域の反射光強度の低減が可能であるため、該反射光に起因する画像不良を解消できる。
特性（ｂ－２）：波長６５０～８００ｎｍの領域において、光学フィルターの少なくとも一方の面の垂直方向から５°の角度から入射する無偏光光線の平均反射率が、好ましくは２５％以下、より好ましくは１５％以下である。該平均反射率は低い方が好ましいため、その下限は特に制限されず、０％であってもよい。
この特性（ｂ－２）を満たす本フィルターを用いることで、波長６５０～８００ｎｍの波長域の反射光強度の低減が可能であるため、該反射光に起因する画像不良を解消できる。
【0111】
なお、本発明において、波長Ａ～Ｂｎｍの平均反射率は、Ａｎｍ以上Ｂｎｍ以下の、１ｎｍ刻みの各波長における反射率を測定し、その反射率の合計を、測定した反射率の数（波長範囲、Ｂ－Ａ＋１）で除すことで算出した値である。
垂直方向から入射する無偏光光線の反射率を測定することは、限りなく困難であるため、本発明では、垂直方向から５°の角度から入射する無偏光光線の反射特性を測定した。
垂直方向から入射する無偏光光線の反射率を測定することは、限りなく困難であるため、本発明では、垂直方向から５°の角度から入射する無偏光光線の反射特性を測定した。
【0112】
「無偏光光線」とは、偏光方向の偏りを持たない光線のことであり、電場が全ての方向に概ね均一に分布している波の集合体のことをいう。「無偏光光線の平均透過率」は「Ｓ偏光光線の平均透過率」と「Ｐ偏光光線の平均透過率」の平均値を用いてもよい。「無偏光光線の平均反射率」は、「Ｓ偏光光線の平均反射率」と「Ｐ偏光光線の平均反射率」の平均値を用いてもよい。
【0113】
本フィルターが前記特性（ａ）および（ｂ－１）または（ｂ－２）を満たすことで、可視光の透過性を良好に維持しながら、近赤外光、特に、波長６５０～８００ｎｍの波長域の反射光強度の低減が可能であるため、近年、高性能化が進むデジタルスチルカメラ等の撮像装置等において、可視光領域の感度低下を最小限に抑えつつ、該反射光に起因する画像不良を解消できる。
【0114】
本フィルターの厚みは、所望の用途に応じて適宜選択すればよいが、近年の固体撮像装置等の薄型化、軽量化等の流れによれば、該本フィルターの厚みも薄いことが好ましい。
本フィルターは、前記基材（ｉ）を含むため、薄型化が可能である。
本フィルターは、前記基材（ｉ）を含むため、薄型化が可能である。
【0115】
本フィルターの厚みは、好ましくは３００μｍ以下、より好ましくは２５０μｍ以下、さらに好ましくは２００μｍ以下、特に好ましくは１５０μｍ以下であり、下限は特に制限されないが、例えば、２０μｍであることが望ましい。
【0116】
＜ＮＩＲ－ＣＦ＞
前記ＮＩＲ－ＣＦは、波長８５０～１２００ｎｍの領域におけるカット性能に優れ、可視波長域での透過性に優れる光学フィルターであることが好ましい。
このＮＩＲ－ＣＦで用いる前記誘電体多層膜は、近赤外線反射膜であることが好ましい。
前記ＮＩＲ－ＣＦは、波長８５０～１２００ｎｍの領域におけるカット性能に優れ、可視波長域での透過性に優れる光学フィルターであることが好ましい。
このＮＩＲ－ＣＦで用いる前記誘電体多層膜は、近赤外線反射膜であることが好ましい。
【0117】
ＮＩＲ－ＣＦを固体撮像素子などに使用する場合、近赤外波長域の透過率は低い方が好ましい。特に、波長８００～１２００ｎｍの領域は固体撮像素子の受光感度が比較的高いことが知られており、この波長域の透過率を低減させることにより、カメラ画像と人間の目との視感度補正を効果的に行うことができ、優れた色再現性を達成することができる。また、さらに、波長８５０～１２００ｎｍの領域の透過率を低減させることで、セキュリティ認証機能に用いる近赤外光がイメージセンサー等に到達するのを効果的に防ぐことが可能になる。
【0118】
ＮＩＲ－ＣＦは、波長８５０～１２００ｎｍの領域において、該フィルターの垂直方向から測定した場合の平均透過率が、好ましくは５％以下、より好ましくは４％以下、さらに好ましくは３％以下、特に好ましくは２％以下である。
波長８５０～１２００ｎｍの平均透過率がこの範囲にあると、近赤外線を十分にカットすることができ、優れた色再現性を達成できるため好ましい。
波長８５０～１２００ｎｍの平均透過率がこの範囲にあると、近赤外線を十分にカットすることができ、優れた色再現性を達成できるため好ましい。
【0119】
ＮＩＲ－ＣＦを固体撮像素子などに使用する場合、可視光透過率が高い方が好ましい。具体的には、波長４３０～５８０ｎｍの領域において、該フィルターの垂直方向から測定した場合の平均透過率が、好ましくは７５％以上、より好ましくは８０％以上、さらに好ましくは８３％以上、特に好ましくは８５％以上である。
波長４３０～５８０ｎｍの平均透過率がこの範囲にあると、優れた撮像感度を達成することができる。
波長４３０～５８０ｎｍの平均透過率がこの範囲にあると、優れた撮像感度を達成することができる。
【0120】
＜ＤＢＰＦ＞
前記ＤＢＰＦは、可視光と、近赤外線のうち透過させたい波長の光とを透過し、近赤外線のうちカットしたい波長の光をカットする光学フィルターであれば特に制限されない。
このＤＢＰＦで用いる前記誘電体多層膜は、可視光と、近赤外線のうち透過させたい波長の光とを透過し、近赤外線のうちカットしたい波長の光をカットする膜であることが好ましい。
前記ＤＢＰＦは、可視光と、近赤外線のうち透過させたい波長の光とを透過し、近赤外線のうちカットしたい波長の光をカットする光学フィルターであれば特に制限されない。
このＤＢＰＦで用いる前記誘電体多層膜は、可視光と、近赤外線のうち透過させたい波長の光とを透過し、近赤外線のうちカットしたい波長の光をカットする膜であることが好ましい。
【0121】
ＤＢＰＦもＮＩＲ－ＣＦと同様に、固体撮像素子などに使用する場合、可視光透過率が高い方が好ましく、前記と同様の理由から、波長４３０～５８０ｎｍの平均透過率が、ＮＩＲ－ＣＦの該平均透過率と同様の範囲にあることが好ましい。
【0122】
＜ＩＲＰＦ＞
前記ＩＲＰＦは、可視光をカットし、近赤外線のうち透過させたい波長の光を透過する光学フィルターであれば特に制限されない。
このＩＲＰＦで用いる前記誘電体多層膜は、カットしたい波長の光（可視光および／または近赤外線のうちの一部）をカットする膜であることが好ましい。
また、ＩＲＰＦは、可視光吸収剤を用いて可視光をカットしてもよい。
前記ＩＲＰＦは、可視光をカットし、近赤外線のうち透過させたい波長の光を透過する光学フィルターであれば特に制限されない。
このＩＲＰＦで用いる前記誘電体多層膜は、カットしたい波長の光（可視光および／または近赤外線のうちの一部）をカットする膜であることが好ましい。
また、ＩＲＰＦは、可視光吸収剤を用いて可視光をカットしてもよい。
【0123】
ＩＲＰＦは、赤外線監視カメラ、車載赤外線カメラ、赤外線通信、各種センシングシステム、赤外線警報機、暗視装置等の光学系に好適に使用でき、これらの用途に使用する場合、透過させたい近赤外線以外の波長の光の透過率は低い方が好ましい。
特に、波長３８０～７００ｎｍの領域において、本フィルターの垂直方向から測定した場合の透過率の平均値が、好ましくは１０％以下、より好ましくは５％以下である。
特に、波長３８０～７００ｎｍの領域において、本フィルターの垂直方向から測定した場合の透過率の平均値が、好ましくは１０％以下、より好ましくは５％以下である。
【0124】
また、ＩＲＰＦは、透過させたい近赤外線の透過率は高い方が好ましく、具体的には、波長７５０ｎｍ以上の領域に、光線透過帯Ｙａを有し、前記光線透過帯Ｙａにおいて、本フィルターの垂直方向から測定した場合の最大透過率（ＴIR）は、好ましくは４５％以上、より好ましくは５０％以上である。
【0125】
＜誘電体多層膜＞
本フィルターは、前記基材（ｉ）と誘電体多層膜とを有する。該誘電体多層膜としては、高屈折率材料層と低屈折率材料層とを交互に積層した積層体等が挙げられる。
該誘電体多層膜は、前記基材（ｉ）の片面に設けてもよいし、両面に設けてもよい。片面に設ける場合、製造コストや製造容易性に優れ、両面に設ける場合、高い強度を有し、反りやねじれが生じにくい光学フィルターを得ることができる。本フィルターを固体撮像素子などに使用する場合、該フィルターの反りやねじれが小さい方が好ましいことから、誘電体多層膜を基材（ｉ）の両面に設けることが好ましい。
本フィルターは、前記基材（ｉ）と誘電体多層膜とを有する。該誘電体多層膜としては、高屈折率材料層と低屈折率材料層とを交互に積層した積層体等が挙げられる。
該誘電体多層膜は、前記基材（ｉ）の片面に設けてもよいし、両面に設けてもよい。片面に設ける場合、製造コストや製造容易性に優れ、両面に設ける場合、高い強度を有し、反りやねじれが生じにくい光学フィルターを得ることができる。本フィルターを固体撮像素子などに使用する場合、該フィルターの反りやねじれが小さい方が好ましいことから、誘電体多層膜を基材（ｉ）の両面に設けることが好ましい。
【0126】
前記高屈折率材料層を構成する材料としては、屈折率が１．７以上の材料が挙げられ、屈折率が通常は１．７～２．５の材料が選択される。このような材料としては、例えば、チタニア、酸化ジルコニウム、五酸化タンタル、五酸化ニオブ、酸化ランタン、酸化イットリウム、酸化亜鉛、硫化亜鉛または酸化インジウム等を主成分とし、チタニア、酸化錫および／または酸化セリウム等を少量（例えば、主成分に対して０～１０質量％）含有させたものが挙げられる。
【0127】
前記低屈折率材料層を構成する材料としては、屈折率が１．６以下の材料を用いることができ、屈折率が通常は１．２～１．６の材料が選択される。このような材料としては、例えば、シリカ、アルミナ、フッ化ランタン、フッ化マグネシウムおよび六フッ化アルミニウムナトリウムが挙げられる。
【0128】
前記高屈折率材料層と低屈折率材料層とを積層する方法については、これらの材料層を積層した誘電体多層膜が形成される限り特に制限はない。例えば、基材（ｉ）上に、直接、ＣＶＤ法、スパッタ法、真空蒸着法、イオンアシスト蒸着法またはイオンプレーティング法等により、高屈折率材料層と低屈折率材料層とを交互に積層した誘電体多層膜を形成することができる。
【0129】
前記高屈折率材料層および低屈折率材料層の各層の厚さは、通常、遮断しようとする光線（例：近赤外線）の波長をλ（ｎｍ）とすると、０．１λ～０．５λの厚さが好ましい。λ（ｎｍ）の値としては、ＮＩＲ－ＣＦの場合、例えば７００～１４００ｎｍ、好ましくは７５０～１３００ｎｍである。高屈折率材料層および低屈折率材料層の各層の厚さがこの範囲にあると、屈折率（ｎ）と膜厚（ｄ）との積（ｎ×ｄ）である光学的膜厚が、λ／４とほぼ同じ値となって、反射・屈折の光学的特性の関係から、特定波長の遮断・透過を容易にコントロールできる傾向にある。
【0130】
誘電体多層膜における高屈折率材料層と低屈折率材料層との合計の積層数は、例えばＮＩＲ－ＣＦの場合、光学フィルター全体として１６～７０層であることが好ましく、２０～６０層であることがより好ましい。各層の厚み、光学フィルター全体としての誘電体多層膜の厚みや合計の積層数が前記範囲にあると、十分な製造マージンを確保できる上に、光学フィルターの反りや誘電体多層膜のクラックを低減することができる。
【0131】
本フィルターでは、化合物（Ｚ）の吸収特性等に合わせて、高屈折率材料層および低屈折率材料層を構成する材料種、高屈折率材料層および低屈折率材料層の各層の厚さ、積層の順番、積層数を適切に選択することで、透過したい波長域（例：可視域）に十分な透過率を確保した上で、カットしたい波長域（例：近赤外域）に十分な光線カット特性を有し、かつ、斜め方向から光線（例：近赤外線）が入射した際の反射率を低減することができる。
【0132】
ここで、誘電体多層膜の条件を最適化するには、例えば、光学薄膜設計ソフト（例えば、Ｅｓｓｅｎｔｉａｌ Ｍａｃｌｅｏｄ、Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｃｅｎｔｅｒ社製）を用い、透過したい波長域（例：可視域）の反射防止効果と、カットしたい波長域（例：近赤外域）の光線カット効果を両立できるようにパラメーターを設定すればよい。前記ソフトの場合、例えば、ＮＩＲ－ＣＦの誘電体多層膜を形成する場合には、波長４００～７００ｎｍの目標透過率を１００％、Ｔａｒｇｅｔ Ｔｏｌｅｒａｎｃｅの値を１とした上で、波長７０５～９５０ｎｍの目標透過率を０％、Ｔａｒｇｅｔ Ｔｏｌｅｒａｎｃｅの値を０．５にするなどのパラメーター設定方法が挙げられる。
これらのパラメーターは基材（ｉ）の各種特性などに合わせて波長範囲をさらに細かく区切ってＴａｒｇｅｔ Ｔｏｌｅｒａｎｃｅの値を変えることもできる。
これらのパラメーターは基材（ｉ）の各種特性などに合わせて波長範囲をさらに細かく区切ってＴａｒｇｅｔ Ｔｏｌｅｒａｎｃｅの値を変えることもできる。
【0133】
＜その他の機能膜＞
本フィルターは、本発明の効果を損なわない範囲において、基材（ｉ）と誘電体多層膜との間、基材（ｉ）の誘電体多層膜が設けられた面と反対側の面、または、誘電体多層膜の基材（ｉ）が設けられた面と反対側の面に、基材（ｉ）や誘電体多層膜の表面硬度の向上、耐薬品性の向上、帯電防止および傷消しなどの目的で、反射防止膜、ハードコート膜や帯電防止膜などの機能膜を適宜設けることができる。
本フィルターは、本発明の効果を損なわない範囲において、基材（ｉ）と誘電体多層膜との間、基材（ｉ）の誘電体多層膜が設けられた面と反対側の面、または、誘電体多層膜の基材（ｉ）が設けられた面と反対側の面に、基材（ｉ）や誘電体多層膜の表面硬度の向上、耐薬品性の向上、帯電防止および傷消しなどの目的で、反射防止膜、ハードコート膜や帯電防止膜などの機能膜を適宜設けることができる。
【0134】
本フィルターは、前記機能膜を１層含んでもよく、２層以上含んでもよい。本フィルターが、前記機能膜を２層以上含む場合には、同様の膜を２層以上含んでもよいし、異なる膜を２層以上含んでもよい。
【0135】
前記機能膜を積層する方法としては特に制限されないが、反射防止剤、ハードコート剤および／または帯電防止剤等のコーティング剤などを基材（ｉ）または誘電体多層膜に、前記と同様に溶融成形またはキャスト成形する方法等を挙げることができる。
【0136】
また、コーティング剤などを含む硬化性組成物をバーコーター等で基材（ｉ）または誘電体多層膜上に塗布した後、紫外線照射等により硬化することによっても製造することができる。
【0137】
前記コーティング剤としては、紫外線（ＵＶ）／電子線（ＥＢ）硬化型樹脂や熱硬化型樹脂などが挙げられ、具体的には、ビニル化合物類や、ウレタン系、ウレタンアクリレート系、アクリレート系、エポキシ系およびエポキシアクリレート系樹脂などが挙げられる。コーティング剤は、１種単独で用いてもよいし、２種以上を用いてもよい。
これらのコーティング剤を含む前記硬化性組成物としては、ビニル系、ウレタン系、ウレタンアクリレート系、アクリレート系、エポキシ系およびエポキシアクリレート系硬化性組成物などが挙げられる。
これらのコーティング剤を含む前記硬化性組成物としては、ビニル系、ウレタン系、ウレタンアクリレート系、アクリレート系、エポキシ系およびエポキシアクリレート系硬化性組成物などが挙げられる。
【0138】
前記硬化性組成物は、重合開始剤を含んでいてもよい。前記重合開始剤としては、公知の光重合開始剤または熱重合開始剤を用いることができ、光重合開始剤と熱重合開始剤を併用してもよい。重合開始剤は、１種単独で用いてもよいし、２種以上を用いてもよい。
【0139】
前記硬化性組成物中、重合開始剤の配合割合は、硬化性組成物の全量を１００質量％とした場合、好ましくは０．１～１０質量％、より好ましくは０．５～１０質量％、さらに好ましくは１～５質量％である。重合開始剤の配合割合が前記範囲にあると、硬化特性および取り扱い性等に優れる硬化性組成物を容易に得ることができ、所望の硬度を有する反射防止膜、ハードコート膜や帯電防止膜などの機能膜を容易に得ることができる。
【0140】
さらに、前記硬化性組成物には溶剤として有機溶剤を加えてもよく、有機溶剤としては、公知の溶剤を使用することができる。有機溶剤の具体例としては、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、オクタノール等のアルコール類；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類；酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸エチル、γ－ブチロラクトン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート等のエステル類；エチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル等のエーテル類；ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類；ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチルピロリドン等のアミド類が挙げられる。
これら溶剤は、１種単独で用いてもよいし、２種以上を用いてもよい。
これら溶剤は、１種単独で用いてもよいし、２種以上を用いてもよい。
【0141】
前記機能膜の厚さは、好ましくは０．１～２０μｍ、より好ましくは０．５～１０μｍ、特に好ましくは０．７～５μｍである。
【0142】
また、基材（ｉ）と機能膜および／または誘電体多層膜との密着性や、機能膜と誘電体多層膜との密着性を上げる目的で、基材（ｉ）、機能膜または誘電体多層膜の表面にコロナ処理やプラズマ処理等の表面処理をしてもよい。
【0143】
［光学フィルターの用途］
本フィルターは、例えば、カットしたい領域の波長の光のカット能と、透過したい波長の光の透過能に優れる。従って、カメラモジュールのＣＣＤやＣＭＯＳイメージセンサー等の固体撮像素子の視感度補正用として有用である。特に、デジタルスチルカメラ、スマートフォン用カメラ、携帯電話用カメラ、デジタルビデオカメラ、ウェアラブルデバイス用カメラ、ＰＣカメラ、監視カメラ、自動車用カメラ、赤外線カメラ、テレビ、カーナビゲーション、携帯情報端末、ビデオゲーム機、携帯ゲーム機、指紋認証システム、デジタルミュージックプレーヤー、各種センシングシステム、赤外線通信等に有用である。さらに、自動車や建物等のガラス板等に装着される熱線カットフィルターなどとしても有用である。
本フィルターは、例えば、カットしたい領域の波長の光のカット能と、透過したい波長の光の透過能に優れる。従って、カメラモジュールのＣＣＤやＣＭＯＳイメージセンサー等の固体撮像素子の視感度補正用として有用である。特に、デジタルスチルカメラ、スマートフォン用カメラ、携帯電話用カメラ、デジタルビデオカメラ、ウェアラブルデバイス用カメラ、ＰＣカメラ、監視カメラ、自動車用カメラ、赤外線カメラ、テレビ、カーナビゲーション、携帯情報端末、ビデオゲーム機、携帯ゲーム機、指紋認証システム、デジタルミュージックプレーヤー、各種センシングシステム、赤外線通信等に有用である。さらに、自動車や建物等のガラス板等に装着される熱線カットフィルターなどとしても有用である。
【0144】
≪固体撮像装置≫
本発明に係る固体撮像装置は、本フィルターを具備する。ここで、固体撮像装置とは、ＣＣＤやＣＭＯＳイメージセンサー等の固体撮像素子を備えた装置であり、具体的にはデジタルスチルカメラ、スマートフォン用カメラ、携帯電話用カメラ、ウェアラブルデバイス用カメラ、デジタルビデオカメラ等の用途に用いることができる。
本発明に係る固体撮像装置は、本フィルターを具備する。ここで、固体撮像装置とは、ＣＣＤやＣＭＯＳイメージセンサー等の固体撮像素子を備えた装置であり、具体的にはデジタルスチルカメラ、スマートフォン用カメラ、携帯電話用カメラ、ウェアラブルデバイス用カメラ、デジタルビデオカメラ等の用途に用いることができる。
【0145】
≪光学センサー装置≫
本発明に係る光学センサー装置は、本フィルターを具備すれば特に制限されず、従来公知の構成とすればよい。
例えば、受光素子と本フィルターとを有する装置が挙げられ、具体的には、受光素子（半導体基板）、保護膜、本フィルターおよび他のフィルター等を有する装置が挙げられる。
本発明に係る光学センサー装置は、本フィルターを具備すれば特に制限されず、従来公知の構成とすればよい。
例えば、受光素子と本フィルターとを有する装置が挙げられ、具体的には、受光素子（半導体基板）、保護膜、本フィルターおよび他のフィルター等を有する装置が挙げられる。
【実施例0146】
以下、実施例に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に何ら限定されるものではない。
【0147】
［合成例］
下記実施例で用いた化合物（Ｚ）および（Ｘ）は、一般的に知られている合成法に基づいて合成した。
化合物（Ｚ）は、例えば、特開２００９－１０８２６７号公報、特開平５－５９２９１号公報、特開２０１４－９５００７号公報、特開２０１１－５２２１８号公報、国際公開第２００７／１１４３９８号、特開２００３－２４６９４０号公報、Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ｏｆ Ｈｅｔｅｒｏｃｙｃｌｉｃ Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ： Ｔｈｅ Ｃｙａｎｉｎｅ Ｄｙｅｓ ａｎｄ Ｒｅｌａｔｅｄ Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ， Ｖｏｌｕｍｅ １８（Ｗｉｌｅｙ, １９６４年）、Ｎｅａｒ－Ｉｎｆｒａｒｅｄ Ｄｙｅｓ ｆｏｒ Ｈｉｇｈ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ（Ｓｐｒｉｎｇｅｒ, １９９７年）に記載されている方法を参考に合成できる。
化合物（Ｘ）は、例えば、特許第３３６６６９７号公報、特許第２８４６０９１号公報、特許第２８６４４７５号公報、特許第３７０３８６９号公報、特開昭６０－２２８４４８号公報、特開平１－１４６８４６号公報、特開平１－２２８９６０号公報、特許第４０８１１４９号公報、特開昭６３－１２４０５４号公報、「フタロシアニン －化学と機能－」（アイピーシー、１９９７年）、特開２００７－１６９３１５号公報、特開２００９－１０８２６７号公報、特開２０１０－２４１８７３号公報、特許第３６９９４６４号公報、特許第４７４０６３１号公報に記載されている方法を参考に合成できる。
下記実施例で用いた化合物（Ｚ）および（Ｘ）は、一般的に知られている合成法に基づいて合成した。
化合物（Ｚ）は、例えば、特開２００９－１０８２６７号公報、特開平５－５９２９１号公報、特開２０１４－９５００７号公報、特開２０１１－５２２１８号公報、国際公開第２００７／１１４３９８号、特開２００３－２４６９４０号公報、Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ｏｆ Ｈｅｔｅｒｏｃｙｃｌｉｃ Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ： Ｔｈｅ Ｃｙａｎｉｎｅ Ｄｙｅｓ ａｎｄ Ｒｅｌａｔｅｄ Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ， Ｖｏｌｕｍｅ １８（Ｗｉｌｅｙ, １９６４年）、Ｎｅａｒ－Ｉｎｆｒａｒｅｄ Ｄｙｅｓ ｆｏｒ Ｈｉｇｈ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ（Ｓｐｒｉｎｇｅｒ, １９９７年）に記載されている方法を参考に合成できる。
化合物（Ｘ）は、例えば、特許第３３６６６９７号公報、特許第２８４６０９１号公報、特許第２８６４４７５号公報、特許第３７０３８６９号公報、特開昭６０－２２８４４８号公報、特開平１－１４６８４６号公報、特開平１－２２８９６０号公報、特許第４０８１１４９号公報、特開昭６３－１２４０５４号公報、「フタロシアニン －化学と機能－」（アイピーシー、１９９７年）、特開２００７－１６９３１５号公報、特開２００９－１０８２６７号公報、特開２０１０－２４１８７３号公報、特許第３６９９４６４号公報、特許第４７４０６３１号公報に記載されている方法を参考に合成できる。
【0148】
［中間体合成例１］
【化16】
【0149】
撹拌子を入れた２００ｍＬのナス型フラスコに、Bioorganic and Medicinal Chemistry, 2013, vol. 21, # 11, p. 2826-2831に記載の方法で合成した化合物ａ－１ ８．３３ｇに、ピバル酸エチル２１．８ｇを加え、５分後に、水素化ナトリウム（６０％、dispersion in Paraffin Liquid）４．０ｇを加え、８０℃にて３時間攪拌した。その後、室温まで冷却し、１Ｎ塩酸水溶液１００ｍＬを加え中和した後、分液ロートに移液し、酢酸エチル１５０ｍＬで有機相を抽出した。次いで、抽出した有機相に、硫酸マグネシウム１５ｇを加えて１５分間攪拌した後、フィルターろ過にて硫酸マグネシウムを除去し、ろ液を３００ｍＬナス型フラスコに入れ、エバポレーターを用いて溶媒を留去することで、化合物ａ－２を得た。
【0150】
化合物ａ－２の入ったナス型フラスコに攪拌子を入れ、濃塩酸２０ｍＬを追加し、４０℃で攪拌した。１時間攪拌の後、反応溶液を氷冷し、１Ｎ水酸化ナトリウム水溶液２００ｍＬを加えて中和した。次いで、分液ロートに移液し、酢酸エチル１５０ｍＬを加えて有機相を抽出した後、硫酸マグネシウム１５ｇを加え、１５分間攪拌した。次いで、フィルターろ過にて硫酸マグネシウムを除去後、ろ液を３００ｍＬナス型フラスコに入れ、エバポレーターを用いて溶媒を留去した。その後、フラスコに残留した化合物をシリカゲルクロマトグラフィーにて単離精製することにより、目的の化合物ａ－３を５．０ｇ得た。なお、化合物の同定は、ＬＣ－ＭＳおよび1Ｈ－ＮＭＲ分析により行った。
【0151】
［中間体合成例２］
【化17】
【0152】
撹拌子を入れた２００ｍＬのナス型フラスコに、化合物ａ－３ ３ｇ、ジエチルエーテル３０ｍＬを入れ、攪拌しながら氷冷した。氷冷５分後に、１ｍｏｌ／Ｌのメチルマグネシウムヨージドジエチルエーテル溶液１３．５ｍＬを１０分かけて加え、その後３５℃に加熱し、２時間攪拌した。次いで、反応溶液を氷冷し、２０％過塩素酸水溶液を３０ｍＬ加え、析出した固体をろ別し、水２０ｍＬで洗浄し、５０℃で減圧乾燥することで、化合物ａ－４を２．５ｇ得た。なお、化合物の同定は1Ｈ－ＮＭＲ分析により行った。
【0153】
［化合物（ｚ－１）の合成例］
【化18】
【0154】
撹拌子を入れた１００ｍＬのナス型フラスコに、化合物ａ－４ １．５ｇ、N-[2-chloro-3-(phenylamino)-2-propenylidene]-benzenamine monohydrochloride ０．６ｇ、アセトニトリル２５ｍＬ、無水酢酸７．５ｍＬ、および、ピリジン０．６ｍＬを加え、５時間加熱還流した。次いで、室温まで冷却し、エバポレーターにて溶媒を留去した後、酢酸５ｍＬを加え、２日間５℃で冷却静置した。その後、析出した固体を減圧ろ過し、酢酸５ｍＬ、ヘキサン１０ｍＬで洗浄することにより、化合物ａ－５を０．１７ｇ得た。
【0155】
撹拌子を入れた１００ｍＬのナス型フラスコに、化合物ａ－５ ０．１ｇ、リチウムテトラキスペンタフルオロフェニルボレート０．２ｇ、ジクロロメタン２０ｍＬ、および、水１０ｍＬを加え、室温にて１時間攪拌した。次いで、分液ロートに移液し、水相を除去した後、有機相を水２０ｍＬで２回洗浄し、硫酸ナトリウム１ｇを加えて１５分間攪拌した。その後、フィルターろ過にて硫酸ナトリウムを除去し、ろ液を３００ｍＬナス型フラスコに入れ、エバポレーターを用いて溶媒を留去し、５０℃で減圧乾燥することにより、化合物（ｚ－１）を０．０５ｇ得た。なお、化合物の同定はＬＣ－ＭＳおよび1Ｈ－ＮＭＲ分析により行った。
【0156】
［中間体合成例３］
【化19】
【0157】
撹拌子を入れた３００ｍＬのナス型フラスコに、フラボン（化合物ａ－６）５ｇおよびＴＨＦ５０ｍＬを加え、氷冷した。氷冷５分後に、１ｍｏｌ／Ｌのメチルマグネシウムヨージドジエチルエーテル溶液２４．７ｍＬを１０分間かけて加え、その後３５℃に加熱し、２時間攪拌した。次いで、反応溶液を氷冷し、２０％過塩素酸水溶液を５０ｍＬ加え、析出した固体をろ別し、水５０ｍＬで洗浄し、５０℃で減圧乾燥することで化合物ａ－７を４．５ｇ得た。なお、化合物の同定は1Ｈ－ＮＭＲ分析により行った。
【0158】
［化合物（ｚ－１６）の合成例］
【化20】
【0159】
撹拌子を入れた１００ｍＬのナス型フラスコに、化合物ａ－７ ０．７ｇ、マロンアルデヒドジアニリド塩酸塩 ０．２６ｇ、アセトニトリル１０ｍＬ、無水酢酸５ｍＬ、および、ピリジン０．２ｍＬを加え、２時間加熱還流した。その後、室温まで冷却し、析出した固体を減圧ろ過にて回収し、ジエチルエーテル１０ｍＬで洗浄することにより、化合物ａ－８を０．６ｇ得た。
【0160】
撹拌子を入れた１００ｍＬのナス型フラスコに、化合物ａ－８ ０．１ｇ、リチウムテトラキスペンタフルオロフェニルボレート０．２ｇ、ジクロロメタン２０ｍＬ、および、水１０ｍＬを加え、室温にて３時間攪拌した。次いで、分液ロートに移液し、水相を除去した後、有機相を水２０ｍＬで２回洗浄し、エバポレーターを用いて有機相から溶媒を留去した。その後、残留物をアセトン０．５ｍＬに溶解させ、メタノールを１０ｍＬ加えて氷冷し、析出した固体を吸引ろ過にて回収し、５０℃で減圧乾燥することで、化合物（ｚ－１６）を０．０７ｇ得た。なお、化合物の同定はＬＣ－ＭＳおよび1Ｈ－ＮＭＲ分析により行った。
【0161】
［中間体合成例４］
【化21】
【0162】
撹拌子を入れた２００ｍＬのナス型フラスコに、化合物ａ－９ ４ｇ、ピバル酸エチル２１．８ｇを加え攪拌し、５分後に、水素化ナトリウム（６０％、dispersion in Paraffin Liquid）３．２ｇを加えた後、８０℃にて３時間攪拌した。その後、室温まで冷却し、１Ｎ塩酸水溶液３０ｍＬを加え中和した後、酢酸エチル１５０ｍＬで有機相を抽出した。次いで、有機相に、硫酸マグネシウム１５ｇを加えて１５分間攪拌した後、フィルターろ過にて硫酸マグネシウムを除去し、ろ液を３００ｍＬナス型フラスコに入れ、エバポレーターを用いて溶媒を留去することで、化合物ａ－１０を得た。
【0163】
化合物ａ－１０の入ったナス型フラスコに攪拌子を入れ、濃塩酸２０ｍＬを追加し、４０℃で攪拌した。１時間攪拌の後、反応溶液を氷冷し、１Ｎ水酸化ナトリウム水溶液２４０ｍＬを加え中和した。次いで、分液ロートに移液し、酢酸エチル２００ｍＬを加えて有機相を抽出した後、硫酸マグネシウム１５ｇを加えて１５分間攪拌した。その後、フィルターろ過にて硫酸マグネシウムを除去し、ろ液を３００ｍＬナス型フラスコに入れ、エバポレーターを用いて溶媒を留去した。その後、フラスコに残留した化合物をシリカゲルクロマトグラフィーにて単離精製することにより、目的の化合物ａ－１１を２．０ｇ得た。なお、化合物の同定はＬＣ－ＭＳおよび1Ｈ－ＮＭＲ分析により行った。
【0164】
［中間体合成例５］
【化22】
【0165】
撹拌子を入れた２００ｍＬのナス型フラスコに、化合物ａ－１１ ２．７ｇ、ジエチルエーテル５０ｍＬを加え、氷冷した。氷冷５分後に１ｍｏｌ／Ｌのメチルマグネシウムヨージドジエチルエーテル溶液２４．７ｍＬを１０分かけて加え、その後、３５℃に加熱し、２時間攪拌した。次いで、反応溶液を氷冷し、２０％過塩素酸水溶液を５０ｍＬ加え、析出した固体をろ別し、水５０ｍＬで洗浄し、５０℃で減圧乾燥することで、化合物ａ－１２を０．７ｇ得た。なお、化合物の同定は1Ｈ－ＮＭＲ分析により行った。
【0166】
［化合物（ｚ－５９）の合成例］
【化23】
【0167】
撹拌子を入れた１００ｍＬのナス型フラスコに、化合物ａ－１２ ０．５ｇ、マロンアルデヒドジアニリド塩酸塩 ０．２２ｇ、アセトニトリル７．５ｍＬ、無水酢酸２．５ｍＬ、および、ピリジン０．２ｍＬを加え、２時間加熱還流した。その後、室温まで冷却し、析出した固体を減圧ろ過にて回収し、酢酸１０ｍＬ、アセトニトリル１０ｍＬで洗浄し、５０℃で減圧乾燥することにより、化合物ａ－１３を０．３５ｇ得た。
【0168】
撹拌子を入れた１００ｍＬのナス型フラスコに、化合物ａ－１３ ０．３ｇ、リチウムテトラキスペンタフルオロフェニルボレート０．８ｇ、ジクロロメタン５０ｍＬ、および、水２０ｍＬを加え、室温にて３時間攪拌した。次いで、分液ロートに移液し、水相を除去した後、有機相を水２０ｍＬで２回洗浄し、エバポレーターを用いて有機相から溶媒を留去した。その後、残留物をアセトン２０ｍＬに溶解させ、水を１００ｍＬ加え、エバポレーターで溶媒を１３ｇ分留去した後、氷冷した。その後、析出した固体を吸引ろ過にて回収し、メタノール５０ｍＬで洗浄した後、固体を５０℃で減圧乾燥することにより、化合物（ｚ－５９）を０．５ｇ得た。なお、化合物の同定はＬＣ－ＭＳおよび1Ｈ－ＮＭＲ分析により行った。
【0169】
［中間体合成例６］
【化24】
【0170】
撹拌子を入れた２００ｍＬのナス型フラスコに、化合物ａ－１４ ４.５ｇ、イソ酪酸エチル２１．８ｇを加え攪拌し、５分後に水素化ナトリウム（６０％、dispersion in Paraffin Liquid）３．２ｇを加えた後、８０℃にて３時間攪拌した。その後、室温まで冷却し、１Ｎ塩酸水溶液３０ｍＬを加え中和した後、酢酸エチル１５０ｍＬで有機相を抽出した。次いで、有機相に硫酸マグネシウム１５ｇを加えて１５分間攪拌した後、フィルターろ過にて硫酸マグネシウムを除去し、ろ液を３００ｍＬナス型フラスコに入れ、エバポレーターを用いて溶媒を留去することで、化合物ａ－１５を得た。
【0171】
化合物ａ－１５の入ったナス型フラスコに攪拌子を入れ、濃塩酸２０ｍＬを追加し、４０℃で攪拌した。１時間攪拌の後、反応溶液を氷冷し、１Ｎ水酸化ナトリウム水溶液２４０ｍＬを加え中和した。その後、分液ロートに移液し、酢酸エチル２００ｍＬを加えて有機相を抽出した後、硫酸マグネシウム１５ｇを加えて１５分間攪拌した。次いで、フィルターろ過にて硫酸マグネシウムを除去し、ろ液を３００ｍＬナス型フラスコに入れ、エバポレーターを用いて溶媒を留去した。その後、フラスコに残留した化合物をシリカゲルクロマトグラフィーにて単離精製することにより、目的の化合物ａ－１６を０．４ｇ得た。なお、化合物の同定はＬＣ－ＭＳおよび1Ｈ－ＮＭＲ分析により行った。
【0172】
［中間体合成例７］
【化25】
【0173】
撹拌子を入れた１００ｍＬのナス型フラスコに、化合物ａ－１６ ０．４ｇ、ジエチルエーテル１０ｍＬを加え、氷冷した。氷冷５分後に、１ｍｏｌ／Ｌのメチルマグネシウムヨージドジエチルエーテル溶液５．０ｍＬを１０分かけて加え、その後、３５℃に加熱し、２時間攪拌した。次いで、反応溶液を氷冷し、２０％過塩素酸水溶液を１０ｍＬ加えた後、ジクロロメタン２０ｍＬを加え、分液ロートに移液し、有機相を回収した。エバポレーターを用いて有機相から溶媒を留去し、固形分残渣を攪拌し、ジエチルエーテル２０ｍＬを加えて２０分間攪拌した。次いで、固形分を吸引ろ過にてろ取し、５０℃で減圧乾燥させることで化合物ａ－１７を０．５ｇ得た。なお、化合物の同定は1Ｈ－ＮＭＲ分析により行った。
【0174】
［化合物（ｚ－６２）の合成例］
【化26】
【0175】
撹拌子を入れた１００ｍＬのナス型フラスコに、化合物ａ－１７ ０．４ｇ、マロンアルデヒドジアニリド塩酸塩 ０．１６ｇ、アセトニトリル７．５ｍＬ、無水酢酸２．５ｍＬ、および、ピリジン０．２ｍＬを加え、２時間加熱還流した。その後、室温まで冷却し、析出した固体を減圧ろ過にて回収し、ジエチルエーテル１０ｍＬで洗浄し、５０℃で減圧乾燥することにより化合物ａ－１８を０．３５ｇ得た。
【0176】
撹拌子を入れた１００ｍＬのナス型フラスコに、化合物ａ－１８ ０．３ｇ、リチウムテトラキスペンタフルオロフェニルボレート０．８ｇ、ジクロロメタン５０ｍＬ、および、水２０ｍＬを加え、室温にて３時間攪拌した。その後、分液ロートに移液し、水相を除去した後、有機相を水２０ｍＬで２回洗浄し、エバポレーターを用いて有機相から溶媒を留去し、固体を５０℃で減圧乾燥することにより、化合物（ｚ－６２）を０．４ｇ得た。なお、化合物の同定はＬＣ－ＭＳおよび1Ｈ－ＮＭＲ分析により行った。
【0177】
［中間体合成例８］
【化27】
【0178】
撹拌子を入れた２００ｍＬのナス型フラスコに、化合物ａ－１９ １５ｇ、４，４－ジメチル－３－オキソ吉草酸メチル２８．７ｇを加え、１８０℃にて２４時間攪拌した。その後、室温まで冷却し、ヘキサン２５０ｍＬ、１Ｎ塩酸水溶液２００ｍＬを加え、分液ロートに移液し、水相を除去した。次いで、エバポレーターを用いて有機相から溶媒を留去した後、フラスコに残留した化合物をシリカゲルクロマトグラフィーにて単離精製することにより、目的の化合物ａ－２０を７ｇ得た。なお、化合物の同定はＬＣ－ＭＳおよび1Ｈ－ＮＭＲ分析により行った。
【0179】
［中間体合成例９］
【化28】
【0180】
撹拌子を入れた１００ｍＬのナス型フラスコに、化合物ａ－２０ ３．５ｇ、ジエチルエーテル２０ｍＬを加え、氷冷した。氷冷５分後に１ｍｏｌ／Ｌメチルマグネシウムヨージドジエチルエーテル溶液１４．０ｍＬを１０分かけて加え、その後３５℃に加熱し、２時間攪拌した。次いで、室温まで自然降温させた後、得られた反応溶液を、水１００ｍＬおよび攪拌子の入ったビーカーに５分かけて加えた。その後、４０％フッ化ホウ素酸水溶液２０ｇを１０分かけて加え、３０分間攪拌した後、分液ロートに移液した。次いで、ジクロロメタン３０ｍＬを加え、分液することで水相を除去し、エバポレーターを用いて有機相から溶媒を留去した。その後、残渣をジクロロメタン３０ｍＬに溶解させ、ジイソプロピルエーテル５０ｍＬを加え、エバポレーターにて溶媒を４０ｇ除去した後、氷冷し、析出した固形分を吸引ろ過にてろ取し、５０℃で減圧乾燥させることで、化合物ａ－２１を２．３ｇ得た。なお、化合物の同定は1Ｈ－ＮＭＲ分析により行った。
【0181】
［化合物（ｚ－１５１）の合成例］
【化29】
【0182】
撹拌子を入れた１００ｍＬのナス型フラスコに、化合物ａ－２１ ０．５ｇ、マロンアルデヒドジアニリド塩酸塩 ０．１８ｇ、および、ピリジン１５ｍＬを加え、２時間加熱還流した。その後、室温まで冷却後、エバポレーターにて溶媒留去し、カラムクロマトグラフィーで分離することで、化合物ａ－２２を０．２ｇ得た。
【0183】
撹拌子を入れた１００ｍＬのナス型フラスコに、化合物ａ－２２ ０．２ｇ、リチウムテトラキスペンタフルオロフェニルボレート０．８ｇ、ジクロロメタン５０ｍＬ、および、水２０ｍＬを加え、室温にて３時間攪拌した。その後、分液ロートに移液し、水相を除去した後、有機相を水２０ｍＬで２回洗浄し、エバポレーターを用いて有機相から溶媒を留去し、カラムクロマトグラフィーで分離することにより、化合物（ｚ－１５１）を０．２ｇ得た。なお、化合物の同定はＬＣ－ＭＳおよび1Ｈ－ＮＭＲ分析により行った。
【0184】
［中間体合成例１０］
【化30】
【0185】
撹拌子を入れた２００ｍＬのナス型フラスコに、化合物ａ－２３ １．９ｇ、ピバル酸エチル２．０ｇを加え攪拌し、５分後に、水素化ナトリウム（６０％、dispersion in Paraffin Liquid）０．３ｇを加えた後、８０℃にて３時間攪拌した。その後、室温まで冷却し、１Ｎ塩酸水溶液３０ｍＬを加え中和した後、酢酸エチル１５０ｍＬで有機相を抽出した。次いで、有機相に、硫酸マグネシウム５ｇを加えて１５分間攪拌した後、フィルターろ過にて硫酸マグネシウムを除去し、ろ液を３００ｍＬナス型フラスコに入れ、エバポレーターを用いて溶媒を留去することで、化合物ａ－２４ １．３ｇを得た。
【0186】
化合物ａ－２４ １．３ｇの入ったナス型フラスコに攪拌子を入れ、濃塩酸２０ｍＬを追加し、４０℃で攪拌した。１時間攪拌の後、反応溶液を氷冷し、１Ｎ水酸化ナトリウム水溶液２４０ｍＬを加え中和した。次いで、分液ロートに移液し、酢酸エチル２００ｍＬを加えて有機相を抽出した後、硫酸マグネシウム５ｇを加えて１５分間攪拌した。その後、フィルターろ過にて硫酸マグネシウムを除去し、ろ液を３００ｍＬナス型フラスコに入れ、エバポレーターを用いて溶媒を留去した。その後、フラスコに残留した化合物をシリカゲルクロマトグラフィーにて単離精製することにより、化合物ａ－２５を１．１ｇ得た。なお、化合物の同定はＬＣ－ＭＳおよび1Ｈ－ＮＭＲ分析により行った。
【0187】
［中間体合成例１１］
【化31】
【0188】
撹拌子を入れた２００ｍＬのナス型フラスコに、化合物ａ－２５ １．５ｇ、ジエチルエーテル５０ｍＬを加え、氷冷した。氷冷５分後に１ｍｏｌ／Ｌのメチルマグネシウムヨージドジエチルエーテル溶液１．５ｍＬを１０分かけて加え、その後、３５℃に加熱し、２時間攪拌した。次いで、反応溶液を氷冷し、２０％過塩素酸水溶液を５０ｍＬ加え、析出した固体をろ別し、水５０ｍＬで洗浄し、５０℃で減圧乾燥することで、化合物ａ－２６を３．０ｇ得た。なお、化合物の同定は1Ｈ－ＮＭＲ分析により行った。
【0189】
［化合物（ｚ－１５７）の合成例］
【化32】
【0190】
撹拌子を入れた１００ｍＬのナス型フラスコに、化合物ａ－２６ ７．０ｇ、マロンアルデヒドジアニリド塩酸塩 ２．５ｇ、アセトニトリル５０ｍＬ、無水酢酸１０ｍＬ、および、ピリジン１０ｍＬを加え、２時間加熱還流した。その後、室温まで冷却し、析出した固体を減圧ろ過にて回収し、酢酸１０ｍＬ、アセトニトリル１０ｍＬで洗浄し、５０℃で減圧乾燥することにより、化合物ａ－２７を５．１ｇ得た。
【0191】
撹拌子を入れた１００ｍＬのナス型フラスコに、化合物ａ－２７ ０．６ｇ、リチウムテトラキスペンタフルオロフェニルボレート１．２ｇ、ジクロロメタン５０ｍＬ、および、水５０ｍＬを加え、室温にて３時間攪拌した。次いで、分液ロートに移液し、水相を除去した後、有機相を水２０ｍＬで２回洗浄し、エバポレーターを用いて有機相から溶媒を留去した。その後、残留物をアセトン２０ｍＬに溶解させ、水を１００ｍＬ加え、エバポレーターで溶媒を１０ｇ分留去した後、氷冷した。その後、析出した固体を吸引ろ過にて回収し、メタノール５０ｍＬで洗浄した後、固体を５０℃で減圧乾燥することにより、化合物（ｚ－１５７）を１．０ｇ得た。なお、化合物の同定はＬＣ－ＭＳおよび1Ｈ－ＮＭＲ分析により行った。
【0192】
［中間体合成例１２］
【化33】
【0193】
撹拌子を入れた２００ｍＬのナス型フラスコに、１－アダマンタンカルボニルクロリド（化合物ａ－２８）２２ｇと、メチレンシクロヘキサン５．２ｇとを加え、９０℃に加熱した後、トリフルオロメタンスルホン酸１０ｇを滴下しながら１０分間攪拌した。次いで、０℃まで冷却した後、ヘキサン１５０ｍＬとジエチルエーテル５０ｍＬと水５０ｍＬとを添加して撹拌し、析出した固体をろ過にてろ別し、５０℃で減圧乾燥することで、化合物ａ－３５を４．２ｇ得た。なお、化合物の同定は1Ｈ－ＮＭＲ分析で行った。
【0194】
［化合物（ｚ－１６３）の合成例］
【化34】
【0195】
撹拌子を入れた１００ｍＬのナス型フラスコに、化合物ａ－３５ ０．５ｇ、マロンアルデヒドジアニリド塩酸塩 ０．１ｇ、アセトニトリル４ｍＬ、無水酢酸１ｍＬ、および、ピリジン１ｍＬを加え、９０℃で１０分間撹拌した。０℃まで冷却した後、析出した固体をろ過にてろ別し、アセトニトリル２ｍＬで洗浄の後、５０℃で減圧乾燥することで、化合物ａ－３６を０．３ｇ得た。なお、化合物の同定は1Ｈ－ＮＭＲ分析で行った。
【0196】
撹拌子を入れた１００ｍＬのナス型フラスコに、化合物ａ－３６ ０．３ｇ、リチウムテトラキスペンタフルオロフェニルボレート０．４ｇ、ジクロロメタン２０ｍＬ、および、水２０ｍＬを加え、室温にて４時間攪拌した。次いで、分液ロートに移液し、水相を除去した後、有機相を水２０ｍＬで２回洗浄し、エバポレーターを用いて有機相から溶媒を留去した。その後、残留物をジクロロメタンに溶解させ、メタノールを加えた後、析出した固体を吸引ろ過にて回収し、５０℃で減圧乾燥することで、化合物（ｚ－１６３）を０．４ｇ得た。なお、化合物の同定はＬＣ－ＭＳおよび1Ｈ－ＮＭＲ分析により行った。
【0197】
［中間体合成例１３］
【化35】
【0198】
化合物ａ－３７（２０．０ｇ）のｔ－ＢｕＯＨ（１５０ｍＬ）溶液に、ピバル酸エチル（５０．０ｇ）を加え、水素化ナトリウム（60%, dispersion in Paraffin Liquid）５．５ｇを加えた後、８０℃にて３時間攪拌した。その後、室温まで冷却し、濃塩酸２０ｍＬを加えた。酢酸エチル・水で分液洗浄後、硫酸ナトリウムを加えて乾燥させ、エバポレーターを用いて溶媒を留去し、化合物ａ－３８を得た。
【0199】
その後、化合物ａ－３８を精製せず、濃塩酸６０ｍＬを追加し、４０℃で攪拌した。１時間後、反応溶液を氷冷し、１Ｎ水酸化ナトリウム水溶液を加え中和した。酢酸エチル・水で分液洗浄後、硫酸ナトリウムを加えて乾燥させ、エバポレーターを用いて溶媒を留去した。得られた混合物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製することにより、化合物ａ－３９（１５．４ｇ）を得た。化合物の同定はＬＣ－ＭＳおよび1Ｈ－ＮＭＲ分析により行った。
【0200】
［中間体合成例１４］
【化36】
【0201】
化合物ａ－３９（１５．４ｇ）、フェニルボロン酸（１１．７ｇ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（１．０ｇ）、および、炭酸カリウム（６０．０ｇ）を、トルエン５０ｍＬ、水５０ｍＬの混合溶液に溶解させ、激しく撹拌させながら１１０℃で１２時間加熱した。室温まで放冷後、トルエン・水で分液洗浄し、有機層に硫酸ナトリウムを加えて乾燥させ、エバポレーターを用いて溶媒を留去した。得られた混合物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製することにより、化合物ａ－４０（１２．４ｇ）を得た。
【0202】
化合物ａ－４０（１２．４ｇ）およびテトラヒドロフラン９０ｍＬを攪拌しながら氷冷した。氷冷５分後に、メチルマグネシウムヨージドジエチルエーテル溶液（１ｍｏｌ／Ｌ、５０ｍＬ）を滴下し、３５℃に加熱して２時間攪拌した。次いで、反応溶液を氷冷し、２０％過塩素酸水溶液を９０ｍＬ加え、析出した固体をろ別し、水６０ｍＬで洗浄し、５０℃で減圧乾燥することで化合物ａ－４１（１０．４ｇ）を得た。化合物の同定は1Ｈ－ＮＭＲ分析により行った。
【0203】
［化合物（ｚ－１５６）の合成例］
【化37】
【0204】
撹拌子を入れた１００ｍＬのナス型フラスコに、化合物ａ－４１ ７．０ｇ、マロンアルデヒドジアニリド塩酸塩 ２．５ｇ、アセトニトリル５０ｍＬ、無水酢酸１０ｍＬ、および、ピリジン１０ｍＬを加え、２時間加熱還流した。その後、室温まで冷却し、析出した固体を減圧ろ過にて回収し、酢酸１０ｍＬ、アセトニトリル１０ｍＬで洗浄し、５０℃で減圧乾燥することにより、化合物ａ－４２を５．０ｇ得た。
【0205】
撹拌子を入れた１００ｍＬのナス型フラスコに、化合物ａ－４２ ０．６ｇ、リチウムテトラキスペンタフルオロフェニルボレート１．２ｇ、ジクロロメタン５０ｍＬ、および、水５０ｍＬを加え、室温にて３時間攪拌した。次いで、分液ロートに移液し、水相を除去した後、有機相を水２０ｍＬで２回洗浄し、エバポレーターを用いて有機相から溶媒を留去した。その後、残留物をアセトン２０ｍＬに溶解させ、水を１００ｍＬ加え、エバポレーターで溶媒を１０ｇ分留去した後、氷冷した。その後、析出した固体を吸引ろ過にて回収し、メタノール５０ｍＬで洗浄した後、固体を５０℃で減圧乾燥することにより、化合物（ｚ－１５６）を１．０ｇ得た。なお、化合物の同定はＬＣ－ＭＳおよび1Ｈ－ＮＭＲ分析により行った。
【0206】
［中間体合成例１５］
【化38】
【0207】
ジクロロメタン（１００ｍＬ）中で、化合物ａ－４３（２０．０ｇ）、二塩化オキサリル（２１．４ｇ）、ピリジン（１３．４ｇ）およびＤＭＦ（１ｍＬ）を、室温下で１時間撹拌した。ジクロロメタンをエバポレーターにより除去し、化合物ａ－４４を含む混合物を得た。
【0208】
［化合物（ｚ－１６１）の合成例］
【化39】
【0209】
ピバル酸エチルを化合物ａ－４４に変更した以外は中間体合成例１０と同様の方法で化合物ａ－４５を得た。
【0210】
化合物ａ－２３を化合物ａ－４５に変更し、マロンアルデヒドジアニリド塩酸塩をN-[2-chloro-3-(phenylamino)-2-propenylidene]-benzenamine monohydrochlorideに変更した以外は中間体合成例１１および化合物（ｚ－１５７）の合成例と同様の方法で化合物（ｚ－１６１）を得た。なお、化合物の同定はＬＣ－ＭＳおよび1Ｈ－ＮＭＲ分析により行った。
【0211】
＜要件（Ａ）＞
下記試験で用いた化合物（Ｚ）または（Ｘ）をジクロロメタンに溶解させた溶液を用い、日本分光（株）製の分光光度計（Ｖ－７２００）を用いて測定される透過スペクトル（但し、該透過スペクトルは、吸収極大波長における透過率が１０％となるスペクトルである。）を用いて、前記要件（Ａ）を測定した。結果を表５に示す。なお、表５における要件Ａ～Ｄはそれぞれ、前記＜化合物（Ｚ）＞の欄の要件（Ａ）、（Ｂ－１）、（Ｃ）および（Ｄ）のことを示す。
下記試験で用いた化合物（Ｚ）または（Ｘ）をジクロロメタンに溶解させた溶液を用い、日本分光（株）製の分光光度計（Ｖ－７２００）を用いて測定される透過スペクトル（但し、該透過スペクトルは、吸収極大波長における透過率が１０％となるスペクトルである。）を用いて、前記要件（Ａ）を測定した。結果を表５に示す。なお、表５における要件Ａ～Ｄはそれぞれ、前記＜化合物（Ｚ）＞の欄の要件（Ａ）、（Ｂ－１）、（Ｃ）および（Ｄ）のことを示す。
【0212】
＜要件（Ｂ）＞
下記試験で用いた化合物（Ｚ）または（Ｘ）をジクロロメタンに溶解させた溶液を用い、日本分光（株）製の分光光度計（Ｖ－７２００）を用いて測定される吸収スペクトルを用いて、前記要件（Ｂ）を測定した。結果を表５に示す。
下記試験で用いた化合物（Ｚ）または（Ｘ）をジクロロメタンに溶解させた溶液を用い、日本分光（株）製の分光光度計（Ｖ－７２００）を用いて測定される吸収スペクトルを用いて、前記要件（Ｂ）を測定した。結果を表５に示す。
【0213】
＜要件（Ｃ）＞
容器に、樹脂合成例１で得られた樹脂Ａ １００質量部、Ｉｒｇａｎｏｘ １０１０（ＢＡＳＦジャパン（株）製）０．３質量部、下記試験で用いた化合物（Ｚ）または（Ｘ）、およびジクロロメタンを加えて樹脂濃度が２０質量％の溶液を調製した。
なお、下記化合物（ｚ－１）、（ｘ－３）、（ｚ－１６３）を用いた場合は、その使用量を０．０５質量部とし、下記化合物（ｚ－１６）を用いた場合は、その使用量を０．０６質量部とし、下記化合物（ｚ－５９）、（ｚ－６２）、（ｚ－１５６）、（ｚ－１５７）、（ｚ－１５８）、（ｚ－１５９）、（ｚ－１６０）、（ｚ－１６１）、（ｚ－１６２）を用いた場合は、その使用量を０．０４質量部とし、下記化合物（ｚ－１５１）を用いた場合は、その使用量を０．０８質量部とし、下記化合物（ｘ－４）を用いた場合は、その使用量を０．０３質量部とした。これら各化合物の使用量は、各化合物のモル吸光係数に応じ、得られる溶液の吸収極大波長における吸光度が約１となるように調整した量である。
容器に、樹脂合成例１で得られた樹脂Ａ １００質量部、Ｉｒｇａｎｏｘ １０１０（ＢＡＳＦジャパン（株）製）０．３質量部、下記試験で用いた化合物（Ｚ）または（Ｘ）、およびジクロロメタンを加えて樹脂濃度が２０質量％の溶液を調製した。
なお、下記化合物（ｚ－１）、（ｘ－３）、（ｚ－１６３）を用いた場合は、その使用量を０．０５質量部とし、下記化合物（ｚ－１６）を用いた場合は、その使用量を０．０６質量部とし、下記化合物（ｚ－５９）、（ｚ－６２）、（ｚ－１５６）、（ｚ－１５７）、（ｚ－１５８）、（ｚ－１５９）、（ｚ－１６０）、（ｚ－１６１）、（ｚ－１６２）を用いた場合は、その使用量を０．０４質量部とし、下記化合物（ｚ－１５１）を用いた場合は、その使用量を０．０８質量部とし、下記化合物（ｘ－４）を用いた場合は、その使用量を０．０３質量部とした。これら各化合物の使用量は、各化合物のモル吸光係数に応じ、得られる溶液の吸収極大波長における吸光度が約１となるように調整した量である。
【0214】
得られた溶液を平滑なガラス板上にキャストし、２０℃で８時間乾燥した後、ガラス板から剥離した。剥離した塗膜を更に減圧下１００℃で８時間乾燥して、厚さ０．１ｍｍ、縦２１０ｍｍ、横２１０ｍｍの耐光性評価用樹脂層を得た。
前記耐光性評価用樹脂層の吸光度を日本分光（株）製の分光光度計（Ｖ－７２００）を用いて測定し、波長７００～１０００ｎｍの範囲の極大吸収波長λａにおける吸光度Ａｉを測定した。その後、耐光性評価用樹脂層の面に対する垂直方向の直上から３０ｃｍの距離になるように蛍光灯（ツインバード工業（株）製、アーム型タッチインバータ蛍光灯ＬＫ－Ｈ７６６Ｂ、全光束：１３３４ ｌｍ）を設置し、蛍光灯を３０日間照射した。蛍光灯照射３０日後の耐光性評価用樹脂層の前記λａおける吸光度Ａｆを測定し、吸光度の保持率Ｄ（＝Ａｆ×１００／Ａｉ）を算出した。結果を表５に示す。
前記耐光性評価用樹脂層の吸光度を日本分光（株）製の分光光度計（Ｖ－７２００）を用いて測定し、波長７００～１０００ｎｍの範囲の極大吸収波長λａにおける吸光度Ａｉを測定した。その後、耐光性評価用樹脂層の面に対する垂直方向の直上から３０ｃｍの距離になるように蛍光灯（ツインバード工業（株）製、アーム型タッチインバータ蛍光灯ＬＫ－Ｈ７６６Ｂ、全光束：１３３４ ｌｍ）を設置し、蛍光灯を３０日間照射した。蛍光灯照射３０日後の耐光性評価用樹脂層の前記λａおける吸光度Ａｆを測定し、吸光度の保持率Ｄ（＝Ａｆ×１００／Ａｉ）を算出した。結果を表５に示す。
【0215】
＜要件（Ｄ）＞
下記試験で用いた化合物（Ｚ）または（Ｘ）をジクロロメタンに溶解させた溶液を用い、日本分光（株）製の分光光度計（Ｖ－７２００）を用いて測定される吸収スペクトルにおいて、極大吸収波長のうち、最も長い波長における吸光度をεａ、波長４３０～５８０ｎｍにおける吸光度の最大値をεｂｍａｘとして、εａ／εｂｍａｘを算出した。結果を表５に示す。
下記試験で用いた化合物（Ｚ）または（Ｘ）をジクロロメタンに溶解させた溶液を用い、日本分光（株）製の分光光度計（Ｖ－７２００）を用いて測定される吸収スペクトルにおいて、極大吸収波長のうち、最も長い波長における吸光度をεａ、波長４３０～５８０ｎｍにおける吸光度の最大値をεｂｍａｘとして、εａ／εｂｍａｘを算出した。結果を表５に示す。
【0216】
【表5】
【0217】
＜分子量＞
樹脂の分子量は、各樹脂の溶剤への溶解性等を考慮し、下記の（ａ）または（ｂ）の方法にて測定を行った。
（ａ）ウォーターズ（ＷＡＴＥＲＳ）社製のゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）装置（１５０Ｃ型、カラム：東ソー（株）製Ｈタイプカラム、展開溶剤：ｏ－ジクロロベンゼン）を用い、標準ポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）および数平均分子量（Ｍｎ）を測定した。
（ｂ）東ソー（株）製ＧＰＣ装置（ＨＬＣ－８２２０型、カラム：ＴＳＫｇｅｌα－Ｍ、展開溶剤：ＴＨＦ）を用い、標準ポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）および数平均分子量（Ｍｎ）を測定した。
樹脂の分子量は、各樹脂の溶剤への溶解性等を考慮し、下記の（ａ）または（ｂ）の方法にて測定を行った。
（ａ）ウォーターズ（ＷＡＴＥＲＳ）社製のゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）装置（１５０Ｃ型、カラム：東ソー（株）製Ｈタイプカラム、展開溶剤：ｏ－ジクロロベンゼン）を用い、標準ポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）および数平均分子量（Ｍｎ）を測定した。
（ｂ）東ソー（株）製ＧＰＣ装置（ＨＬＣ－８２２０型、カラム：ＴＳＫｇｅｌα－Ｍ、展開溶剤：ＴＨＦ）を用い、標準ポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）および数平均分子量（Ｍｎ）を測定した。
【0218】
なお、後述する樹脂合成例３で合成した樹脂については、前記方法による分子量の測定ではなく、下記方法（ｃ）による対数粘度の測定を行った。
（ｃ）ポリイミド溶液の一部を無水メタノールに投入してポリイミドを析出させ、ろ過することで未反応単量体から分離した後、８０℃で１２時間真空乾燥した。得られたポリイミド０．１ｇをＮ－メチル－２－ピロリドン２０ｍＬに溶解（希薄ポリイミド溶液）し、キャノン・フェンスケ粘度計を使用して３０℃における対数粘度（μ）を下記式により求めた。
μ＝｛ｌｎ（ｔｓ／ｔ０）｝／Ｃ
ｔ０：溶媒（Ｎ－メチル－２－ピロリドン）の流下時間
ｔｓ：希薄ポリイミド溶液の流下時間
Ｃ：０．５ｇ／ｄＬ
（ｃ）ポリイミド溶液の一部を無水メタノールに投入してポリイミドを析出させ、ろ過することで未反応単量体から分離した後、８０℃で１２時間真空乾燥した。得られたポリイミド０．１ｇをＮ－メチル－２－ピロリドン２０ｍＬに溶解（希薄ポリイミド溶液）し、キャノン・フェンスケ粘度計を使用して３０℃における対数粘度（μ）を下記式により求めた。
μ＝｛ｌｎ（ｔｓ／ｔ０）｝／Ｃ
ｔ０：溶媒（Ｎ－メチル－２－ピロリドン）の流下時間
ｔｓ：希薄ポリイミド溶液の流下時間
Ｃ：０．５ｇ／ｄＬ
【0219】
＜ガラス転移温度（Ｔｇ）＞
樹脂のガラス転移温度は、（株）日立ハイテクサイエンス製の示差走査熱量計（ＤＳＣ６２００）を用いて、昇温速度：毎分２０℃、窒素気流下で測定した。
樹脂のガラス転移温度は、（株）日立ハイテクサイエンス製の示差走査熱量計（ＤＳＣ６２００）を用いて、昇温速度：毎分２０℃、窒素気流下で測定した。
【0220】
［樹脂合成例１］
下記式（ａ）で表される８－メチル－８－メトキシカルボニルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］ドデカ－３－エン（以下「ＤＮＭ」ともいう。）１００質量部、１－ヘキセン（分子量調節剤）１８質量部およびトルエン（開環重合反応用溶媒）３００質量部を、窒素置換した反応容器に仕込み、この溶液を８０℃に加熱した。次いで、反応容器内の溶液に、重合触媒として、トリエチルアルミニウムのトルエン溶液（０．６ｍｏｌ／リットル）０．２質量部と、メタノール変性の六塩化タングステンのトルエン溶液（濃度０．０２５ｍｏｌ／リットル）０．９質量部とを添加し、この溶液を８０℃で３時間加熱攪拌することで開環重合反応させ、開環重合体溶液を得た。この重合反応における重合転化率は９７％であった。
下記式（ａ）で表される８－メチル－８－メトキシカルボニルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］ドデカ－３－エン（以下「ＤＮＭ」ともいう。）１００質量部、１－ヘキセン（分子量調節剤）１８質量部およびトルエン（開環重合反応用溶媒）３００質量部を、窒素置換した反応容器に仕込み、この溶液を８０℃に加熱した。次いで、反応容器内の溶液に、重合触媒として、トリエチルアルミニウムのトルエン溶液（０．６ｍｏｌ／リットル）０．２質量部と、メタノール変性の六塩化タングステンのトルエン溶液（濃度０．０２５ｍｏｌ／リットル）０．９質量部とを添加し、この溶液を８０℃で３時間加熱攪拌することで開環重合反応させ、開環重合体溶液を得た。この重合反応における重合転化率は９７％であった。
【0221】
【化40】
【0222】
前記で得られた開環重合体溶液１，０００質量部をオートクレーブに仕込み、この開環重合体溶液に、ＲｕＨＣｌ（ＣＯ）［Ｐ（Ｃ6Ｈ5）3］3を０．１２質量部添加し、水素ガス圧１００ｋｇ／ｃｍ2、反応温度１６５℃の条件下で、３時間加熱撹拌して水素添加反応を行った。得られた反応溶液（水素添加重合体溶液）を冷却した後、水素ガスを放圧した。得られた反応溶液を大量のメタノール中に注いで凝固物を分離回収し、これを乾燥して、水素添加重合体（以下「樹脂Ａ」ともいう。）を得た。得られた樹脂Ａは、数平均分子量（Ｍｎ）が３２，０００、重量平均分子量（Ｍｗ）が１３７，０００であり、ガラス転移温度（Ｔｇ）が１６５℃であった。
【0223】
［樹脂合成例２］
３Ｌの４つ口フラスコに、２，６－ジフルオロベンゾニトリル３５．１２ｇ（０．２５３ｍｏｌ）、９，９－ビス（４－ヒドロキシフェニル）フルオレン８７．６０ｇ（０．２５０ｍｏｌ）、炭酸カリウム４１．４６ｇ（０．３００ｍｏｌ）、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド４４３ｇおよびトルエン１１１ｇを添加した。続いて、４つ口フラスコに温度計、撹拌機、窒素導入管付き三方コック、ディーンスターク管および冷却管を取り付けた。次いで、フラスコ内を窒素置換した後、得られた溶液を１４０℃で３時間反応させ、生成する水をディーンスターク管から随時取り除いた。水の生成が認められなくなったところで、温度を徐々に１６０℃まで上昇させ、そのままの温度で６時間反応させた。その後、室温（２５℃）まで冷却し、生成した塩をろ紙で除去し、ろ液をメタノールに投じて再沈殿させ、ろ別によりろ物（残渣）を単離した。得られたろ物を６０℃で一晩真空乾燥することで、白色粉末（以下「樹脂Ｂ」ともいう。）を得た（収率９５％）。得られた樹脂Ｂは、数平均分子量（Ｍｎ）が７５，０００、重量平均分子量（Ｍｗ）が１８８，０００であり、ガラス転移温度（Ｔｇ）が２８５℃であった。
３Ｌの４つ口フラスコに、２，６－ジフルオロベンゾニトリル３５．１２ｇ（０．２５３ｍｏｌ）、９，９－ビス（４－ヒドロキシフェニル）フルオレン８７．６０ｇ（０．２５０ｍｏｌ）、炭酸カリウム４１．４６ｇ（０．３００ｍｏｌ）、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド４４３ｇおよびトルエン１１１ｇを添加した。続いて、４つ口フラスコに温度計、撹拌機、窒素導入管付き三方コック、ディーンスターク管および冷却管を取り付けた。次いで、フラスコ内を窒素置換した後、得られた溶液を１４０℃で３時間反応させ、生成する水をディーンスターク管から随時取り除いた。水の生成が認められなくなったところで、温度を徐々に１６０℃まで上昇させ、そのままの温度で６時間反応させた。その後、室温（２５℃）まで冷却し、生成した塩をろ紙で除去し、ろ液をメタノールに投じて再沈殿させ、ろ別によりろ物（残渣）を単離した。得られたろ物を６０℃で一晩真空乾燥することで、白色粉末（以下「樹脂Ｂ」ともいう。）を得た（収率９５％）。得られた樹脂Ｂは、数平均分子量（Ｍｎ）が７５，０００、重量平均分子量（Ｍｗ）が１８８，０００であり、ガラス転移温度（Ｔｇ）が２８５℃であった。
【0224】
［樹脂合成例３］
温度計、撹拌器、窒素導入管、側管付き滴下ロート、ディーンスターク管および冷却管を備えた５００ｍＬの５つ口フラスコに、窒素気流下で、１，４－ビス（４－アミノ－α，α－ジメチルベンジル）ベンゼン２７．６６ｇ（０．０８モル）および４，４'－ビス（４－アミノフェノキシ）ビフェニル７．３８ｇ（０．０２モル）を入れ、γ－ブチロラクトン６８．６５ｇおよびＮ，Ｎ－ジメチルアセトアミド１７．１６ｇに溶解させた。得られた溶液を、氷水バスを用いて５℃に冷却し、同温に保ちながら１，２，４，５－シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物２２．６２ｇ（０．１モル）およびイミド化触媒であるトリエチルアミン０．５０ｇ（０．００５モル）を一括添加した。添加終了後、１８０℃に昇温し、留出液を随時留去させながら、６時間還流させた。反応終了後、内温が１００℃になるまで空冷し、次いで、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド１４３．６ｇを加えて希釈し、攪拌しながら冷却することで、固形分濃度２０質量％のポリイミド溶液２６４．１６ｇを得た。このポリイミド溶液の一部を１Ｌのメタノール中に注ぎ入れてポリイミドを沈殿させた。ろ別したポリイミドをメタノールで洗浄した後、１００℃の真空乾燥機中で２４時間乾燥することで、白色粉末（以下「樹脂Ｃ」ともいう。）を得た。得られた樹脂ＣのＩＲスペクトルを測定したところ、イミド基に特有の１７０４ｃｍ-1、１７７０ｃｍ-1の吸収が見られた。樹脂Ｃはガラス転移温度（Ｔｇ）が３１０℃であり、対数粘度を測定したところ、０．８７であった。
温度計、撹拌器、窒素導入管、側管付き滴下ロート、ディーンスターク管および冷却管を備えた５００ｍＬの５つ口フラスコに、窒素気流下で、１，４－ビス（４－アミノ－α，α－ジメチルベンジル）ベンゼン２７．６６ｇ（０．０８モル）および４，４'－ビス（４－アミノフェノキシ）ビフェニル７．３８ｇ（０．０２モル）を入れ、γ－ブチロラクトン６８．６５ｇおよびＮ，Ｎ－ジメチルアセトアミド１７．１６ｇに溶解させた。得られた溶液を、氷水バスを用いて５℃に冷却し、同温に保ちながら１，２，４，５－シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物２２．６２ｇ（０．１モル）およびイミド化触媒であるトリエチルアミン０．５０ｇ（０．００５モル）を一括添加した。添加終了後、１８０℃に昇温し、留出液を随時留去させながら、６時間還流させた。反応終了後、内温が１００℃になるまで空冷し、次いで、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド１４３．６ｇを加えて希釈し、攪拌しながら冷却することで、固形分濃度２０質量％のポリイミド溶液２６４．１６ｇを得た。このポリイミド溶液の一部を１Ｌのメタノール中に注ぎ入れてポリイミドを沈殿させた。ろ別したポリイミドをメタノールで洗浄した後、１００℃の真空乾燥機中で２４時間乾燥することで、白色粉末（以下「樹脂Ｃ」ともいう。）を得た。得られた樹脂ＣのＩＲスペクトルを測定したところ、イミド基に特有の１７０４ｃｍ-1、１７７０ｃｍ-1の吸収が見られた。樹脂Ｃはガラス転移温度（Ｔｇ）が３１０℃であり、対数粘度を測定したところ、０．８７であった。
【0225】
［実施例１］
〔基材の作製〕
容器に、樹脂合成例１で得られた樹脂Ａ １００質量部、化合物（Ｚ）として、下記化合物（ｚ－１）（ジクロロメタン中での吸収極大波長７８７ｎｍ）０．２０質量部、化合物（Ｘ）として、下記化合物（ｘ－１）（ジクロロメタン中での吸収極大波長７１１ｎｍ）０．０３８質量部、下記化合物（ｘ－２）（ジクロロメタン中での吸収極大波長７３８ｎｍ）０．０７５質量部、およびジクロロメタンを加えて樹脂濃度が２０質量％の溶液を調製した。得られた溶液を平滑なガラス板上にキャストし、２０℃で８時間乾燥した後、ガラス板から剥離した。剥離した塗膜を更に減圧下１００℃で８時間乾燥して、厚さ０．１ｍｍ、縦２１０ｍｍ、横２１０ｍｍの樹脂層（１）を得た。
〔基材の作製〕
容器に、樹脂合成例１で得られた樹脂Ａ １００質量部、化合物（Ｚ）として、下記化合物（ｚ－１）（ジクロロメタン中での吸収極大波長７８７ｎｍ）０．２０質量部、化合物（Ｘ）として、下記化合物（ｘ－１）（ジクロロメタン中での吸収極大波長７１１ｎｍ）０．０３８質量部、下記化合物（ｘ－２）（ジクロロメタン中での吸収極大波長７３８ｎｍ）０．０７５質量部、およびジクロロメタンを加えて樹脂濃度が２０質量％の溶液を調製した。得られた溶液を平滑なガラス板上にキャストし、２０℃で８時間乾燥した後、ガラス板から剥離した。剥離した塗膜を更に減圧下１００℃で８時間乾燥して、厚さ０．１ｍｍ、縦２１０ｍｍ、横２１０ｍｍの樹脂層（１）を得た。
【0226】
・化合物（ｚ－１）
【化41】
【0227】
・化合物（ｘ－１）
【化42】
【0228】
・化合物（ｘ－２）
【化43】
【0229】
得られた樹脂層（１）の片面に、下記樹脂組成物（１）を、得られる樹脂層（２）の厚みが３μｍとなるようにバーコーターで塗布し、オーブン中７０℃で２分間加熱して溶剤を揮発除去した。次にＵＶコンベア式露光機（アイグラフィックス（株）製、アイ紫外硬化用装置、型式ＵＳ２－Ｘ０４０５、６０Ｈｚ）を用いて露光（露光量５００ｍＪ／ｃｍ2、照度：２００ｍＷ／ｃｍ2）を行い、樹脂組成物（１）を硬化させ、樹脂層（１）上に樹脂層（２）を形成した。同様にして、樹脂層（１）のもう一方の面にも樹脂組成物（１）からなる樹脂層（２）を形成した。これにより、化合物（Ｚ）を含む樹脂層（１）の両面に化合物（Ｚ）を含まない樹脂層（２）を有する基材を得た。
【0230】
樹脂組成物（１）：トリシクロデカンジメタノールアクリレート６０質量部、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート４０質量部、１－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン５質量部、およびメチルエチルケトン（溶剤、得られる組成物中の固形分濃度が３０質量％となるよう使用）を含む組成物
【0231】
（耐光性）
得られた基材を、室内蛍光灯に５００時間曝露させ、樹脂中に含まれる近赤外線吸収色素の耐光性を評価した。耐光性は、基材の最も吸収強度が高い波長（以下「λａ」と称する。基材が複数の吸収極大を有する場合、λａはこのうち最も吸収強度が高い波長である。）における蛍光灯曝露前後の吸光度変化から色素残存率（％）を算出して評価した。
蛍光灯で５００時間曝露後の色素残存率が、９５％以上の場合を「○」、９５％未満の場合を「×」とした。結果を表８に示す。
得られた基材を、室内蛍光灯に５００時間曝露させ、樹脂中に含まれる近赤外線吸収色素の耐光性を評価した。耐光性は、基材の最も吸収強度が高い波長（以下「λａ」と称する。基材が複数の吸収極大を有する場合、λａはこのうち最も吸収強度が高い波長である。）における蛍光灯曝露前後の吸光度変化から色素残存率（％）を算出して評価した。
蛍光灯で５００時間曝露後の色素残存率が、９５％以上の場合を「○」、９５％未満の場合を「×」とした。結果を表８に示す。
【0232】
〔光学フィルターの作製〕
前記基材の作製で得られた基材の片面に誘電体多層膜（Ｉ）を形成し、さらに基材のもう一方の面に誘電体多層膜（ＩＩ）を形成し、厚さ約０．１１０ｍｍの光学フィルターを得た。
前記基材の作製で得られた基材の片面に誘電体多層膜（Ｉ）を形成し、さらに基材のもう一方の面に誘電体多層膜（ＩＩ）を形成し、厚さ約０．１１０ｍｍの光学フィルターを得た。
【0233】
誘電体多層膜（Ｉ）は、蒸着温度１００℃で、シリカ（ＳｉＯ2）層とチタニア（ＴｉＯ2）層とを交互に積層した積層体である（合計２６層）。誘電体多層膜（ＩＩ）は、蒸着温度１００℃で、シリカ（ＳｉＯ2）層とチタニア（ＴｉＯ2）層とを交互に積層した積層体である（合計２２層）。
誘電体多層膜（Ｉ）および（ＩＩ）のいずれにおいても、シリカ層およびチタニア層を、基材側からチタニア層、シリカ層、チタニア層、・・・シリカ層、チタニア層、シリカ層の順となるように交互に積層し、光学フィルターの最外層をシリカ層とした。
誘電体多層膜（Ｉ）および（ＩＩ）のいずれにおいても、シリカ層およびチタニア層を、基材側からチタニア層、シリカ層、チタニア層、・・・シリカ層、チタニア層、シリカ層の順となるように交互に積層し、光学フィルターの最外層をシリカ層とした。
【0234】
各層の厚さと層数については、可視域の良好な透過率と近赤外域の反射性能とを達成できるよう、基材の屈折率の波長依存特性や、使用した化合物（Ｚ）および（Ｘ）の吸収特性に合わせて、光学薄膜設計ソフト（Ｅｓｓｅｎｔｉａｌ Ｍａｃｌｅｏｄ、Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｃｅｎｔｅｒ社製）を用いて最適化を行った。最適化を行う際、本実施例においてはソフトへの入力パラメータ（Ｔａｒｇｅｔ値）を下記表６の通りとした。
【0235】
【表6】
【0236】
膜構成最適化の結果、前記誘電体多層膜（Ｉ）を、物理膜厚約３７～１６８ｎｍのシリカ層と物理膜厚約１１～１０４ｎｍのチタニア層とを交互に積層した、積層数２６層の多層蒸着膜とし、誘電体多層膜（ＩＩ）を、物理膜厚約４０～１９１ｎｍのシリカ層と物理膜厚約１０～１１０ｎｍのチタニア層とを交互に積層した、積層数２２層の多層蒸着膜とした。最適化を行った膜構成の一例を下記表７に示す。
【0237】
【表7】
【0238】
得られた光学フィルターについて、波長４３０～５８０ｎｍにおける光学フィルターの垂直方向から測定した分光透過率の平均値Ｔ、および、波長７００～８００ｎｍにおける誘電体多層膜（ＩＩ）側の垂直方向から５°の角度から入射する無偏光光線の分光反射率の平均値Ｒを求めた。なお、該分光透過率および分光反射率は、日本分光（株）製の分光光度計（Ｖ－７２００）を用いて測定した。結果を表８に示す。
【0239】
［実施例２］
実施例１において、化合物（ｚ－１）０．２質量部の代わりに、下記化合物（ｚ－１６）（ジクロロメタン中での吸収極大波長８２５ｎｍ）０．０８質量部を用いたこと、樹脂Ａの代わりに樹脂Ｂを用いたこと以外は、実施例１と同様にして基材を得た。
得られた基材について、実施例１と同様に耐光性を評価した。結果を表８に示す。
実施例１において、化合物（ｚ－１）０．２質量部の代わりに、下記化合物（ｚ－１６）（ジクロロメタン中での吸収極大波長８２５ｎｍ）０．０８質量部を用いたこと、樹脂Ａの代わりに樹脂Ｂを用いたこと以外は、実施例１と同様にして基材を得た。
得られた基材について、実施例１と同様に耐光性を評価した。結果を表８に示す。
【0240】
・化合物（ｚ－１６）
【化44】
【0241】
続いて、実施例１と同様に、得られた基材の片面に、シリカ（ＳｉＯ2）層とチタニア（ＴｉＯ2）層とが交互に積層されてなる合計２６層の誘電体多層膜（Ｉ）を形成し、さらに基材のもう一方の面に、シリカ（ＳｉＯ2）層とチタニア（ＴｉＯ2）層とが交互に積層されてなる合計２２層の誘電体多層膜（ＩＩ）を形成し、厚さ約０．１１０ｍｍの光学フィルターを得た。
誘電体多層膜の設計は、実施例１と同様に、基材の屈折率の波長依存性等を考慮した上で、実施例１と同じ設計パラメーターを用いて行った。
得られた光学フィルターについて、実施例１と同様に、平均値ＴおよびＲを求めた。結果を表８に示す。
誘電体多層膜の設計は、実施例１と同様に、基材の屈折率の波長依存性等を考慮した上で、実施例１と同じ設計パラメーターを用いて行った。
得られた光学フィルターについて、実施例１と同様に、平均値ＴおよびＲを求めた。結果を表８に示す。
【0242】
［実施例３］
実施例１において、化合物（ｚ－１）０．２質量部の代わりに、下記化合物（ｚ－５９）（ジクロロメタン中での吸収極大波長７７０ｎｍ）０．１４質量部を用いたこと、樹脂Ａの代わりに樹脂Ｃを用いたこと以外は、実施例１と同様にして基材を得た。
得られた基材について、実施例１と同様に耐光性を評価した。結果を表８に示す。
実施例１において、化合物（ｚ－１）０．２質量部の代わりに、下記化合物（ｚ－５９）（ジクロロメタン中での吸収極大波長７７０ｎｍ）０．１４質量部を用いたこと、樹脂Ａの代わりに樹脂Ｃを用いたこと以外は、実施例１と同様にして基材を得た。
得られた基材について、実施例１と同様に耐光性を評価した。結果を表８に示す。
【0243】
・化合物（ｚ－５９）
【化45】
【0244】
続いて、実施例１と同様に、得られた基材の片面に、シリカ（ＳｉＯ2）層とチタニア（ＴｉＯ2）層とが交互に積層されてなる合計２６層の誘電体多層膜（Ｉ）を形成し、さらに基材のもう一方の面に、シリカ（ＳｉＯ2）層とチタニア（ＴｉＯ2）層とが交互に積層されてなる合計２２層の誘電体多層膜（ＩＩ）を形成し、厚さ約０．１１０ｍｍの光学フィルターを得た。
誘電体多層膜の設計は、実施例１と同様に、基材の屈折率の波長依存性等を考慮した上で、実施例１と同じ設計パラメーターを用いて行った。
得られた光学フィルターについて、実施例１と同様に、平均値ＴおよびＲを求めた。結果を表８に示す。
誘電体多層膜の設計は、実施例１と同様に、基材の屈折率の波長依存性等を考慮した上で、実施例１と同じ設計パラメーターを用いて行った。
得られた光学フィルターについて、実施例１と同様に、平均値ＴおよびＲを求めた。結果を表８に示す。
【0245】
［実施例４］
実施例１において、化合物（ｚ－１）０．２質量部の代わりに、下記化合物（ｚ－６２）（ジクロロメタン中での吸収極大波長７５７ｎｍ）０．２質量部を用いたこと、樹脂Ａの代わりに（株）日本触媒製アクリビュアを用いたこと以外は、実施例１と同様にして基材を得た。
得られた基材について、実施例１と同様に耐光性を評価した。結果を表８に示す。
実施例１において、化合物（ｚ－１）０．２質量部の代わりに、下記化合物（ｚ－６２）（ジクロロメタン中での吸収極大波長７５７ｎｍ）０．２質量部を用いたこと、樹脂Ａの代わりに（株）日本触媒製アクリビュアを用いたこと以外は、実施例１と同様にして基材を得た。
得られた基材について、実施例１と同様に耐光性を評価した。結果を表８に示す。
【0246】
・化合物（ｚ－６２）
【化46】
【0247】
続いて、実施例１と同様に、得られた基材の片面に、シリカ（ＳｉＯ2）層とチタニア（ＴｉＯ2）層とが交互に積層されてなる合計２６層の誘電体多層膜（Ｉ）を形成し、さらに基材のもう一方の面に、シリカ（ＳｉＯ2）層とチタニア（ＴｉＯ2）層とが交互に積層されてなる合計２２層の誘電体多層膜（ＩＩ）を形成し、厚さ約０．１１０ｍｍの光学フィルターを得た。
誘電体多層膜の設計は、実施例１と同様に、基材の屈折率の波長依存性等を考慮した上で、実施例１と同じ設計パラメーターを用いて行った。
得られた光学フィルターについて、実施例１と同様に、平均値ＴおよびＲを求めた。結果を表８に示す。
誘電体多層膜の設計は、実施例１と同様に、基材の屈折率の波長依存性等を考慮した上で、実施例１と同じ設計パラメーターを用いて行った。
得られた光学フィルターについて、実施例１と同様に、平均値ＴおよびＲを求めた。結果を表８に示す。
【0248】
［実施例５］
実施例１において、化合物（ｚ－１）０．２質量部の代わりに化合物（ｚ－１５１）（ジクロロメタン中での吸収極大波長８２４ｎｍ）０．０８質量部を用いた以外は、実施例１と同様にして基材を得た。
得られた基材について、実施例１と同様に耐光性を評価した。結果を表８に示す。
実施例１において、化合物（ｚ－１）０．２質量部の代わりに化合物（ｚ－１５１）（ジクロロメタン中での吸収極大波長８２４ｎｍ）０．０８質量部を用いた以外は、実施例１と同様にして基材を得た。
得られた基材について、実施例１と同様に耐光性を評価した。結果を表８に示す。
【0249】
・化合物（ｚ－１５１）
【化47】
【0250】
続いて、実施例１と同様に、得られた基材の片面に、シリカ（ＳｉＯ2）層とチタニア（ＴｉＯ2）層とが交互に積層されてなる合計２６層の誘電体多層膜（Ｉ）を形成し、さらに基材のもう一方の面に、シリカ（ＳｉＯ2）層とチタニア（ＴｉＯ2）層とが交互に積層されてなる合計２２層の誘電体多層膜（ＩＩ）を形成し、厚さ約０．１１０ｍｍの光学フィルターを得た。
誘電体多層膜の設計は、実施例１と同様に、基材の屈折率の波長依存性等を考慮した上で、実施例１と同じ設計パラメーターを用いて行った。
得られた光学フィルターについて、実施例１と同様に、平均値ＴおよびＲを求めた。結果を表８に示す。
誘電体多層膜の設計は、実施例１と同様に、基材の屈折率の波長依存性等を考慮した上で、実施例１と同じ設計パラメーターを用いて行った。
得られた光学フィルターについて、実施例１と同様に、平均値ＴおよびＲを求めた。結果を表８に示す。
【0251】
［実施例６］
容器に、樹脂合成例１で得られた樹脂Ａ １００質量部、化合物（Ｘ）として、化合物（ｘ－１）０．３８質量部、化合物（ｘ－２）０．７５質量部、およびジクロロメタンを加えて、樹脂濃度が２０質量％の溶液を調製し、孔径５μｍのミリポアフィルターでろ過を行い、樹脂溶液（Ｅ６－１）を得た。
同様にして、樹脂Ａ １００質量部、化合物（Ｚ）として、前記化合物（ｚ－１）２質量部、およびジクロロメタンを加えて、樹脂濃度が２０質量％の溶液を調製し、孔径５μｍのミリポアフィルターでろ過を行い、樹脂溶液（Ｅ６－２）を得た。
容器に、樹脂合成例１で得られた樹脂Ａ １００質量部、化合物（Ｘ）として、化合物（ｘ－１）０．３８質量部、化合物（ｘ－２）０．７５質量部、およびジクロロメタンを加えて、樹脂濃度が２０質量％の溶液を調製し、孔径５μｍのミリポアフィルターでろ過を行い、樹脂溶液（Ｅ６－１）を得た。
同様にして、樹脂Ａ １００質量部、化合物（Ｚ）として、前記化合物（ｚ－１）２質量部、およびジクロロメタンを加えて、樹脂濃度が２０質量％の溶液を調製し、孔径５μｍのミリポアフィルターでろ過を行い、樹脂溶液（Ｅ６－２）を得た。
【0252】
２００ｍｍ×２００ｍｍの大きさにカットした、日本電気硝子（株）製の透明ガラス支持体「ＯＡ－１０Ｇ」（厚み２００μｍ）の両面に下記樹脂組成物（２）を、乾燥後の膜厚が約１μｍとなるようにスピンコートで塗布した後、ホットプレート上８０℃で２分間加熱して溶媒を揮発除去し、ガラス支持体と後述するコーティング樹脂層（１）およびコーティング樹脂層（２）との接着層として機能する接着層を形成した。
【0253】
次に、前記接着層が形成されたガラス支持体の片面にスピンコーターを用いて、樹脂溶液（Ｅ６－１）を乾燥後の膜厚が１０μｍとなるように塗布し、ホットプレート上８０℃で５分間加熱して溶媒を揮発除去し、コーティング樹脂層（２）を形成した。
更に、前記接着層が形成されたガラス支持体のもう一方の面にスピンコーターを用いて、樹脂溶液（Ｅ６－２）を乾燥後の膜厚が１０μｍとなるように塗布し、ホットプレート上８０℃で５分間加熱して溶媒を揮発除去し、コーティング樹脂層（１）を形成した。
これにより、ガラス支持体の一方の面に化合物（Ｚ）を含む樹脂層を積層し、他方の面に化合物（Ｚ）を含まない樹脂層を積層した厚み２２２μｍの基材を得た。
得られた基材について、実施例１と同様に耐光性を評価した。結果を表９に示す。
更に、前記接着層が形成されたガラス支持体のもう一方の面にスピンコーターを用いて、樹脂溶液（Ｅ６－２）を乾燥後の膜厚が１０μｍとなるように塗布し、ホットプレート上８０℃で５分間加熱して溶媒を揮発除去し、コーティング樹脂層（１）を形成した。
これにより、ガラス支持体の一方の面に化合物（Ｚ）を含む樹脂層を積層し、他方の面に化合物（Ｚ）を含まない樹脂層を積層した厚み２２２μｍの基材を得た。
得られた基材について、実施例１と同様に耐光性を評価した。結果を表９に示す。
【0254】
樹脂組成物（２）：イソシアヌル酸エチレンオキサイド変性トリアクリレート（商品名：アロニックス Ｍ－３１５、東亜合成（株）製）３０質量部、１，９－ノナンジオールジアクリレート２０質量部、メタクリル酸２０質量部、メタクリル酸グリシジル３０質量部、３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン５質量部、１－ヒドロキシシクロヘキシルベンゾフェノン（商品名：ＩＲＧＡＣＵＲＥ１８４、ＢＡＳＦジャパン（株）製）５質量部およびサンエイドＳＩ－１１０主剤（三新化学工業（株）製）１質量部を混合し、固形分濃度が５０質量％となるようにプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに溶解させた後、孔径０．２μｍのミリポアフィルターでろ過した組成物
【0255】
続いて、実施例１を参考にして、コーティング樹脂層（２）面に、シリカ（ＳｉＯ2）層とチタニア（ＴｉＯ2）層とが交互に積層されてなる合計２６層の誘電体多層膜（Ｉ）を形成し、さらにコーティング樹脂層（１）面に、シリカ（ＳｉＯ2）層とチタニア（ＴｉＯ2）層とが交互に積層されてなる合計２２層の誘電体多層膜（ＩＩ）を形成し、厚さ約０．２２６ｍｍの光学フィルターを得た。
誘電体多層膜の設計は、実施例１と同様に、基材の屈折率の波長依存性等を考慮した上で、実施例１と同じ設計パラメーターを用いて行った。
得られた光学フィルターについて、実施例１と同様に、平均値ＴおよびＲを求めた。結果を表９に示す。
誘電体多層膜の設計は、実施例１と同様に、基材の屈折率の波長依存性等を考慮した上で、実施例１と同じ設計パラメーターを用いて行った。
得られた光学フィルターについて、実施例１と同様に、平均値ＴおよびＲを求めた。結果を表９に示す。
【0256】
［実施例７］
実施例１において、さらに下記化合物（ｘ－３）（ジクロロメタン中での吸収極大波長９３１ｎｍ）０．０１質量部を追加で用いたこと以外は、実施例１と同様にして基材を得た。
得られた基材について、実施例１と同様に耐光性を評価した。結果を表８に示す。
実施例１において、さらに下記化合物（ｘ－３）（ジクロロメタン中での吸収極大波長９３１ｎｍ）０．０１質量部を追加で用いたこと以外は、実施例１と同様にして基材を得た。
得られた基材について、実施例１と同様に耐光性を評価した。結果を表８に示す。
【0257】
・化合物（ｘ－３）
【化48】
【0258】
続いて、実施例１と同様に、得られた基材の片面に、シリカ（ＳｉＯ2）層とチタニア（ＴｉＯ2）層とが交互に積層されてなる合計２６層の誘電体多層膜（Ｉ）を形成し、さらに基材のもう一方の面に、シリカ（ＳｉＯ2）層とチタニア（ＴｉＯ2）層とが交互に積層されてなる合計２２層の誘電体多層膜（ＩＩ）を形成し、厚さ約０．１１０ｍｍの光学フィルターを得た。
誘電体多層膜の設計は、実施例１と同様に、基材の屈折率の波長依存性等を考慮した上で、実施例１と同じ設計パラメーターを用いて行った。
得られた光学フィルターについて、実施例１と同様に、平均値ＴおよびＲを求めた。結果を表８に示す。
誘電体多層膜の設計は、実施例１と同様に、基材の屈折率の波長依存性等を考慮した上で、実施例１と同じ設計パラメーターを用いて行った。
得られた光学フィルターについて、実施例１と同様に、平均値ＴおよびＲを求めた。結果を表８に示す。
【0259】
［実施例８］
実施例１において、さらに下記化合物（ｘ－５）（ジクロロメタン中での吸収極大波長１０９５ｎｍ）０．０３質量部を追加で用いたこと以外は、実施例１と同様にして基材を得た。
得られた基材について、実施例１と同様に耐光性を評価した。結果を表８に示す。
実施例１において、さらに下記化合物（ｘ－５）（ジクロロメタン中での吸収極大波長１０９５ｎｍ）０．０３質量部を追加で用いたこと以外は、実施例１と同様にして基材を得た。
得られた基材について、実施例１と同様に耐光性を評価した。結果を表８に示す。
【0260】
・化合物（ｘ－５）
【化49】
【0261】
続いて、実施例１と同様に、得られた基材の片面に、シリカ（ＳｉＯ2）層とチタニア（ＴｉＯ2）層とが交互に積層されてなる合計２６層の誘電体多層膜（Ｉ）を形成し、さらに基材のもう一方の面に、シリカ（ＳｉＯ2）層とチタニア（ＴｉＯ2）層とが交互に積層されてなる合計２２層の誘電体多層膜（ＩＩ）を形成し、厚さ約０．１１０ｍｍの光学フィルターを得た。
誘電体多層膜の設計は、実施例１と同様に、基材の屈折率の波長依存性等を考慮した上で、実施例１と同じ設計パラメーターを用いて行った。
得られた光学フィルターについて、実施例１と同様に、平均値ＴおよびＲを求めた。結果を表８に示す。
誘電体多層膜の設計は、実施例１と同様に、基材の屈折率の波長依存性等を考慮した上で、実施例１と同じ設計パラメーターを用いて行った。
得られた光学フィルターについて、実施例１と同様に、平均値ＴおよびＲを求めた。結果を表８に示す。
【0262】
［実施例９］
実施例１において、化合物（ｚ－１）０．２質量部の代わりに、化合物（ｚ－１６）（ジクロロメタン中での吸収極大波長８２５ｎｍ）０．１６質量部および化合物（ｚ－５９）（ジクロロメタン中での吸収極大波長７７０ｎｍ）０．１２質量部を用いたこと以外は、実施例１と同様にして基材を得た。
得られた基材について、実施例１と同様に耐光性を評価した。結果を表８に示す。
実施例１において、化合物（ｚ－１）０．２質量部の代わりに、化合物（ｚ－１６）（ジクロロメタン中での吸収極大波長８２５ｎｍ）０．１６質量部および化合物（ｚ－５９）（ジクロロメタン中での吸収極大波長７７０ｎｍ）０．１２質量部を用いたこと以外は、実施例１と同様にして基材を得た。
得られた基材について、実施例１と同様に耐光性を評価した。結果を表８に示す。
【0263】
続いて、実施例１と同様に、得られた基材の片面に、シリカ（ＳｉＯ2）層とチタニア（ＴｉＯ2）層とが交互に積層されてなる合計２６層の誘電体多層膜（Ｉ）を形成し、さらに基材のもう一方の面に、シリカ（ＳｉＯ2）層とチタニア（ＴｉＯ2）層とが交互に積層されてなる合計２２層の誘電体多層膜（ＩＩ）を形成し、厚さ約０．１１０ｍｍの光学フィルターを得た。
誘電体多層膜の設計は、実施例１と同様に、基材の屈折率の波長依存性等を考慮した上で、実施例１と同じ設計パラメーターを用いて行った。
得られた光学フィルターについて、実施例１と同様に、平均値ＴおよびＲを求めた。結果を表８に示す。
誘電体多層膜の設計は、実施例１と同様に、基材の屈折率の波長依存性等を考慮した上で、実施例１と同じ設計パラメーターを用いて行った。
得られた光学フィルターについて、実施例１と同様に、平均値ＴおよびＲを求めた。結果を表８に示す。
【0264】
［実施例１０］
実施例１において、さらに下記化合物（ｙ－１）（ジクロロメタン中での吸収極大波長３９４ｎｍ）０．１７質量部を追加で用いたこと以外は、実施例１と同様にして基材を得た。
得られた基材について、実施例１と同様に耐光性を評価した。結果を表８に示す。
実施例１において、さらに下記化合物（ｙ－１）（ジクロロメタン中での吸収極大波長３９４ｎｍ）０．１７質量部を追加で用いたこと以外は、実施例１と同様にして基材を得た。
得られた基材について、実施例１と同様に耐光性を評価した。結果を表８に示す。
【0265】
・化合物（ｙ－１）
【化50】
【0266】
続いて、実施例１と同様に、得られた基材の片面に、シリカ（ＳｉＯ2）層とチタニア（ＴｉＯ2）層とが交互に積層されてなる合計２６層の誘電体多層膜（Ｉ）を形成し、さらに基材のもう一方の面に、シリカ（ＳｉＯ2）層とチタニア（ＴｉＯ2）層とが交互に積層されてなる合計２２層の誘電体多層膜（ＩＩ）を形成し、厚さ約０．１１０ｍｍの光学フィルターを得た。
誘電体多層膜の設計は、実施例１と同様に、基材の屈折率の波長依存性等を考慮した上で、実施例１と同じ設計パラメーターを用いて行った。
得られた光学フィルターについて、実施例１と同様に、平均値ＴおよびＲを求めた。結果を表８に示す。
誘電体多層膜の設計は、実施例１と同様に、基材の屈折率の波長依存性等を考慮した上で、実施例１と同じ設計パラメーターを用いて行った。
得られた光学フィルターについて、実施例１と同様に、平均値ＴおよびＲを求めた。結果を表８に示す。
【0267】
［実施例１１］
実施例６において、日本電気硝子（株）製の透明ガラス支持体「ＯＡ－１０Ｇ」（厚み２００μｍ）の代わりに、松波硝子工業（株）製の近赤外線吸収ガラス基板「ＢＳ－１１」（厚み０．２ｍｍ）を用いたこと以外は実施例６と同様にして基材を得た。
得られた基材について、実施例１と同様に耐光性を評価した。結果を表９に示す。
実施例６において、日本電気硝子（株）製の透明ガラス支持体「ＯＡ－１０Ｇ」（厚み２００μｍ）の代わりに、松波硝子工業（株）製の近赤外線吸収ガラス基板「ＢＳ－１１」（厚み０．２ｍｍ）を用いたこと以外は実施例６と同様にして基材を得た。
得られた基材について、実施例１と同様に耐光性を評価した。結果を表９に示す。
【0268】
続いて、実施例６と同様に、コーティング樹脂層（２）面に、シリカ（ＳｉＯ2）層とチタニア（ＴｉＯ2）層とが交互に積層されてなる合計２６層の誘電体多層膜（Ｉ）を形成し、さらにコーティング樹脂層（１）面に、シリカ（ＳｉＯ2）層とチタニア（ＴｉＯ2）層とが交互に積層されてなる合計２２層の誘電体多層膜（ＩＩ）を形成し、厚さ約０．２２６ｍｍの光学フィルターを得た。
誘電体多層膜の設計は、実施例１と同様に、基材の屈折率の波長依存性等を考慮した上で、実施例１と同じ設計パラメーターを用いて行った。
得られた光学フィルターについて、実施例１と同様に、平均値ＴおよびＲを求めた。結果を表９に示す。
誘電体多層膜の設計は、実施例１と同様に、基材の屈折率の波長依存性等を考慮した上で、実施例１と同じ設計パラメーターを用いて行った。
得られた光学フィルターについて、実施例１と同様に、平均値ＴおよびＲを求めた。結果を表９に示す。
【0269】
［実施例１２］
実施例１において、化合物（ｚ－１）０．２質量部の代わりに、下記化合物（ｚ－１５６）（ジクロロメタン中での吸収極大波長７８５ｎｍ）０．１質量部を用いたこと以外は、実施例１と同様にして基材を得た。
得られた基材について、実施例１と同様に耐光性を評価した。結果を表８に示す。
実施例１において、化合物（ｚ－１）０．２質量部の代わりに、下記化合物（ｚ－１５６）（ジクロロメタン中での吸収極大波長７８５ｎｍ）０．１質量部を用いたこと以外は、実施例１と同様にして基材を得た。
得られた基材について、実施例１と同様に耐光性を評価した。結果を表８に示す。
【0270】
・化合物（ｚ－１５６）
【化51】
【0271】
続いて、実施例１と同様に、得られた基材の片面に、シリカ（ＳｉＯ2）層とチタニア（ＴｉＯ2）層とが交互に積層されてなる合計２６層の誘電体多層膜（Ｉ）を形成し、さらに基材のもう一方の面に、シリカ（ＳｉＯ2）層とチタニア（ＴｉＯ2）層とが交互に積層されてなる合計２２層の誘電体多層膜（ＩＩ）を形成し、厚さ約０．１１０ｍｍの光学フィルターを得た。
誘電体多層膜の設計は、実施例１と同様に、基材の屈折率の波長依存性等を考慮した上で、実施例１と同じ設計パラメーターを用いて行った。
得られた光学フィルターについて、実施例１と同様に、平均値ＴおよびＲを求めた。結果を表８に示す。
誘電体多層膜の設計は、実施例１と同様に、基材の屈折率の波長依存性等を考慮した上で、実施例１と同じ設計パラメーターを用いて行った。
得られた光学フィルターについて、実施例１と同様に、平均値ＴおよびＲを求めた。結果を表８に示す。
【0272】
［実施例１３］
実施例１２において、化合物（ｚ－１５６）０．１質量部の代わりに、下記化合物（ｚ－１５７）（ジクロロメタン中での吸収極大波長７８８ｎｍ）０．１質量部を用いたこと以外は、実施例１２と同様にして基材を得た。
得られた基材について、実施例１と同様に耐光性を評価した。結果を表８に示す。
実施例１２において、化合物（ｚ－１５６）０．１質量部の代わりに、下記化合物（ｚ－１５７）（ジクロロメタン中での吸収極大波長７８８ｎｍ）０．１質量部を用いたこと以外は、実施例１２と同様にして基材を得た。
得られた基材について、実施例１と同様に耐光性を評価した。結果を表８に示す。
【0273】
・化合物（ｚ－１５７）
【化52】
【0274】
続いて、実施例１と同様に、得られた基材の片面に、シリカ（ＳｉＯ2）層とチタニア（ＴｉＯ2）層とが交互に積層されてなる合計２６層の誘電体多層膜（Ｉ）を形成し、さらに基材のもう一方の面に、シリカ（ＳｉＯ2）層とチタニア（ＴｉＯ2）層とが交互に積層されてなる合計２２層の誘電体多層膜（ＩＩ）を形成し、厚さ約０．１１０ｍｍの光学フィルターを得た。
誘電体多層膜の設計は、実施例１と同様に、基材の屈折率の波長依存性等を考慮した上で、実施例１と同じ設計パラメーターを用いて行った。
得られた光学フィルターについて、実施例１と同様に、平均値ＴおよびＲを求めた。結果を表８に示す。
誘電体多層膜の設計は、実施例１と同様に、基材の屈折率の波長依存性等を考慮した上で、実施例１と同じ設計パラメーターを用いて行った。
得られた光学フィルターについて、実施例１と同様に、平均値ＴおよびＲを求めた。結果を表８に示す。
【0275】
［実施例１４］
実施例１２において、化合物（ｚ－１５６）０．１質量部の代わりに、下記化合物（ｚ－１５８）（ジクロロメタン中での吸収極大波長７９０ｎｍ）０．１質量部を用いたこと以外は、実施例１２と同様にして基材を得た。
得られた基材について、実施例１と同様に耐光性を評価した。結果を表８に示す。
実施例１２において、化合物（ｚ－１５６）０．１質量部の代わりに、下記化合物（ｚ－１５８）（ジクロロメタン中での吸収極大波長７９０ｎｍ）０．１質量部を用いたこと以外は、実施例１２と同様にして基材を得た。
得られた基材について、実施例１と同様に耐光性を評価した。結果を表８に示す。
【0276】
・化合物（ｚ－１５８）
【化53】
【0277】
続いて、実施例１と同様に、得られた基材の片面に、シリカ（ＳｉＯ2）層とチタニア（ＴｉＯ2）層とが交互に積層されてなる合計２６層の誘電体多層膜（Ｉ）を形成し、さらに基材のもう一方の面に、シリカ（ＳｉＯ2）層とチタニア（ＴｉＯ2）層とが交互に積層されてなる合計２２層の誘電体多層膜（ＩＩ）を形成し、厚さ約０．１１０ｍｍの光学フィルターを得た。
誘電体多層膜の設計は、実施例１と同様に、基材の屈折率の波長依存性等を考慮した上で、実施例１と同じ設計パラメーターを用いて行った。
得られた光学フィルターについて、実施例１と同様に、平均値ＴおよびＲを求めた。結果を表８に示す。
誘電体多層膜の設計は、実施例１と同様に、基材の屈折率の波長依存性等を考慮した上で、実施例１と同じ設計パラメーターを用いて行った。
得られた光学フィルターについて、実施例１と同様に、平均値ＴおよびＲを求めた。結果を表８に示す。
【0278】
［実施例１５］
実施例１２において、化合物（ｚ－１５６）０．１質量部の代わりに、下記化合物（ｚ－１５９）（ジクロロメタン中での吸収極大波長８００ｎｍ）０．１質量部を用いたこと以外は、実施例１２と同様にして基材を得た。
得られた基材について、実施例１と同様に耐光性を評価した。結果を表８に示す。
実施例１２において、化合物（ｚ－１５６）０．１質量部の代わりに、下記化合物（ｚ－１５９）（ジクロロメタン中での吸収極大波長８００ｎｍ）０．１質量部を用いたこと以外は、実施例１２と同様にして基材を得た。
得られた基材について、実施例１と同様に耐光性を評価した。結果を表８に示す。
【0279】
・化合物（ｚ－１５９）
【化54】
【0280】
続いて、実施例１と同様に、得られた基材の片面に、シリカ（ＳｉＯ2）層とチタニア（ＴｉＯ2）層とが交互に積層されてなる合計２６層の誘電体多層膜（Ｉ）を形成し、さらに基材のもう一方の面に、シリカ（ＳｉＯ2）層とチタニア（ＴｉＯ2）層とが交互に積層されてなる合計２２層の誘電体多層膜（ＩＩ）を形成し、厚さ約０．１１０ｍｍの光学フィルターを得た。
誘電体多層膜の設計は、実施例１と同様に、基材の屈折率の波長依存性等を考慮した上で、実施例１と同じ設計パラメーターを用いて行った。
得られた光学フィルターについて、実施例１と同様に、平均値ＴおよびＲを求めた。結果を表８に示す。
誘電体多層膜の設計は、実施例１と同様に、基材の屈折率の波長依存性等を考慮した上で、実施例１と同じ設計パラメーターを用いて行った。
得られた光学フィルターについて、実施例１と同様に、平均値ＴおよびＲを求めた。結果を表８に示す。
【0281】
［実施例１６］
実施例１２において、化合物（ｚ－１５６）０．１質量部の代わりに、下記化合物（ｚ－１６０）（ジクロロメタン中での吸収極大波長７９１ｎｍ）０．１質量部を用いたこと以外は、実施例１２と同様にして基材を得た。
得られた基材について、実施例１と同様に耐光性を評価した。結果を表８に示す。
実施例１２において、化合物（ｚ－１５６）０．１質量部の代わりに、下記化合物（ｚ－１６０）（ジクロロメタン中での吸収極大波長７９１ｎｍ）０．１質量部を用いたこと以外は、実施例１２と同様にして基材を得た。
得られた基材について、実施例１と同様に耐光性を評価した。結果を表８に示す。
【0282】
・化合物（ｚ－１６０）
【化55】
【0283】
続いて、実施例１と同様に、得られた基材の片面に、シリカ（ＳｉＯ2）層とチタニア（ＴｉＯ2）層とが交互に積層されてなる合計２６層の誘電体多層膜（Ｉ）を形成し、さらに基材のもう一方の面に、シリカ（ＳｉＯ2）層とチタニア（ＴｉＯ2）層とが交互に積層されてなる合計２２層の誘電体多層膜（ＩＩ）を形成し、厚さ約０．１１０ｍｍの光学フィルターを得た。
誘電体多層膜の設計は、実施例１と同様に、基材の屈折率の波長依存性等を考慮した上で、実施例１と同じ設計パラメーターを用いて行った。
得られた光学フィルターについて、実施例１と同様に、平均値ＴおよびＲを求めた。結果を表８に示す。
誘電体多層膜の設計は、実施例１と同様に、基材の屈折率の波長依存性等を考慮した上で、実施例１と同じ設計パラメーターを用いて行った。
得られた光学フィルターについて、実施例１と同様に、平均値ＴおよびＲを求めた。結果を表８に示す。
【0284】
［実施例１７］
実施例１２において、化合物（ｚ－１５６）０．１質量部の代わりに、下記化合物（ｚ－１６１）（ジクロロメタン中での吸収極大波長８００ｎｍ）０．１質量部を用いたこと以外は、実施例１２と同様にして基材を得た。
得られた基材について、実施例１と同様に耐光性を評価した。結果を表８に示す。
実施例１２において、化合物（ｚ－１５６）０．１質量部の代わりに、下記化合物（ｚ－１６１）（ジクロロメタン中での吸収極大波長８００ｎｍ）０．１質量部を用いたこと以外は、実施例１２と同様にして基材を得た。
得られた基材について、実施例１と同様に耐光性を評価した。結果を表８に示す。
【0285】
・化合物（ｚ－１６１）
【化56】
【0286】
続いて、実施例１と同様に、得られた基材の片面に、シリカ（ＳｉＯ2）層とチタニア（ＴｉＯ2）層とが交互に積層されてなる合計２６層の誘電体多層膜（Ｉ）を形成し、さらに基材のもう一方の面に、シリカ（ＳｉＯ2）層とチタニア（ＴｉＯ2）層とが交互に積層されてなる合計２２層の誘電体多層膜（ＩＩ）を形成し、厚さ約０．１１０ｍｍの光学フィルターを得た。
誘電体多層膜の設計は、実施例１と同様に、基材の屈折率の波長依存性等を考慮した上で、実施例１と同じ設計パラメーターを用いて行った。
得られた光学フィルターについて、実施例１と同様に、平均値ＴおよびＲを求めた。結果を表８に示す。
誘電体多層膜の設計は、実施例１と同様に、基材の屈折率の波長依存性等を考慮した上で、実施例１と同じ設計パラメーターを用いて行った。
得られた光学フィルターについて、実施例１と同様に、平均値ＴおよびＲを求めた。結果を表８に示す。
【0287】
［実施例１８］
実施例１２において、化合物（ｚ－１５６）０．１質量部の代わりに、下記化合物（ｚ－１６２）（ジクロロメタン中での吸収極大波長８１０ｎｍ）０．１質量部を用いたこと以外は、実施例１２と同様にして基材を得た。
得られた基材について、実施例１と同様に耐光性を評価した。結果を表８に示す。
実施例１２において、化合物（ｚ－１５６）０．１質量部の代わりに、下記化合物（ｚ－１６２）（ジクロロメタン中での吸収極大波長８１０ｎｍ）０．１質量部を用いたこと以外は、実施例１２と同様にして基材を得た。
得られた基材について、実施例１と同様に耐光性を評価した。結果を表８に示す。
【0288】
・化合物（ｚ－１６２）
【化57】
【0289】
続いて、実施例１と同様に、得られた基材の片面に、シリカ（ＳｉＯ2）層とチタニア（ＴｉＯ2）層とが交互に積層されてなる合計２６層の誘電体多層膜（Ｉ）を形成し、さらに基材のもう一方の面に、シリカ（ＳｉＯ2）層とチタニア（ＴｉＯ2）層とが交互に積層されてなる合計２２層の誘電体多層膜（ＩＩ）を形成し、厚さ約０．１１０ｍｍの光学フィルターを得た。
誘電体多層膜の設計は、実施例１と同様に、基材の屈折率の波長依存性等を考慮した上で、実施例１と同じ設計パラメーターを用いて行った。
得られた光学フィルターについて、実施例１と同様に、平均値ＴおよびＲを求めた。結果を表８に示す。
誘電体多層膜の設計は、実施例１と同様に、基材の屈折率の波長依存性等を考慮した上で、実施例１と同じ設計パラメーターを用いて行った。
得られた光学フィルターについて、実施例１と同様に、平均値ＴおよびＲを求めた。結果を表８に示す。
【0290】
［実施例１９］
実施例１２において、化合物（ｚ－１５６）０．１質量部の代わりに、下記化合物（ｚ－１６３）（ジクロロメタン中での吸収極大波長７６０ｎｍ）０．１質量部を用いたこと以外は、実施例１２と同様にして基材を得た。
得られた基材について、実施例１と同様に耐光性を評価した。結果を表８に示す。
実施例１２において、化合物（ｚ－１５６）０．１質量部の代わりに、下記化合物（ｚ－１６３）（ジクロロメタン中での吸収極大波長７６０ｎｍ）０．１質量部を用いたこと以外は、実施例１２と同様にして基材を得た。
得られた基材について、実施例１と同様に耐光性を評価した。結果を表８に示す。
【0291】
・化合物（ｚ－１６３）
【化58】
【0292】
続いて、実施例１と同様に、得られた基材の片面に、シリカ（ＳｉＯ2）層とチタニア（ＴｉＯ2）層とが交互に積層されてなる合計２６層の誘電体多層膜（Ｉ）を形成し、さらに基材のもう一方の面に、シリカ（ＳｉＯ2）層とチタニア（ＴｉＯ2）層とが交互に積層されてなる合計２２層の誘電体多層膜（ＩＩ）を形成し、厚さ約０．１１０ｍｍの光学フィルターを得た。
誘電体多層膜の設計は、実施例１と同様に、基材の屈折率の波長依存性等を考慮した上で、実施例１と同じ設計パラメーターを用いて行った。
得られた光学フィルターについて、実施例１と同様に、平均値ＴおよびＲを求めた。結果を表８に示す。
誘電体多層膜の設計は、実施例１と同様に、基材の屈折率の波長依存性等を考慮した上で、実施例１と同じ設計パラメーターを用いて行った。
得られた光学フィルターについて、実施例１と同様に、平均値ＴおよびＲを求めた。結果を表８に示す。
【0293】
［比較例１］
実施例１において、化合物（Ｚ）を使用しなかったこと以外は、実施例１と同様にして基材を得た。
得られた基材について、実施例１と同様に耐光性を評価した。結果を表８に示す。
実施例１において、化合物（Ｚ）を使用しなかったこと以外は、実施例１と同様にして基材を得た。
得られた基材について、実施例１と同様に耐光性を評価した。結果を表８に示す。
【0294】
続いて、実施例１と同様に、得られた基材の片面に、シリカ（ＳｉＯ2）層とチタニア（ＴｉＯ2）層とが交互に積層されてなる合計２６層の誘電体多層膜（Ｉ）を形成し、さらに基材のもう一方の面に、シリカ（ＳｉＯ2）層とチタニア（ＴｉＯ2）層とが交互に積層されてなる合計２２層の誘電体多層膜（ＩＩ）を形成し、厚さ約０．１１０ｍｍの光学フィルターを得た。
誘電体多層膜の設計は、実施例１と同様に、基材の屈折率の波長依存性等を考慮した上で、実施例１と同じ設計パラメーターを用いて行った。
得られた光学フィルターについて、実施例１と同様に、平均値ＴおよびＲを求めた。結果を表８に示す。
誘電体多層膜の設計は、実施例１と同様に、基材の屈折率の波長依存性等を考慮した上で、実施例１と同じ設計パラメーターを用いて行った。
得られた光学フィルターについて、実施例１と同様に、平均値ＴおよびＲを求めた。結果を表８に示す。
【0295】
［比較例２］
実施例１において、化合物（Ｚ）を用いず、化合物（Ｘ）として、化合物（ｘ－１）０．０３８質量部、化合物（ｘ－２）０．０７５質量部、および化合物（ｘ－３）（ジクロロメタン中での吸収極大波長９３１ｎｍ）０．２質量部を用いた以外は、実施例１と同様にして基材を得た。
得られた基材について、実施例１と同様に耐光性を評価した。結果を表８に示す。
実施例１において、化合物（Ｚ）を用いず、化合物（Ｘ）として、化合物（ｘ－１）０．０３８質量部、化合物（ｘ－２）０．０７５質量部、および化合物（ｘ－３）（ジクロロメタン中での吸収極大波長９３１ｎｍ）０．２質量部を用いた以外は、実施例１と同様にして基材を得た。
得られた基材について、実施例１と同様に耐光性を評価した。結果を表８に示す。
【0296】
・化合物（ｘ－３）
【化59】
【0297】
続いて、実施例１と同様に、得られた基材の片面に、シリカ（ＳｉＯ2）層とチタニア（ＴｉＯ2）層とが交互に積層されてなる合計２６層の誘電体多層膜（Ｉ）を形成し、さらに基材のもう一方の面に、シリカ（ＳｉＯ2）層とチタニア（ＴｉＯ2）層とが交互に積層されてなる合計２２層の誘電体多層膜（ＩＩ）を形成し、厚さ約０．１１０ｍｍの光学フィルターを得た。
誘電体多層膜の設計は、実施例１と同様に、基材の屈折率の波長依存性等を考慮した上で、実施例１と同じ設計パラメーターを用いて行った。
得られた光学フィルターについて、実施例１と同様に、平均値ＴおよびＲを求めた。結果を表８に示す。
誘電体多層膜の設計は、実施例１と同様に、基材の屈折率の波長依存性等を考慮した上で、実施例１と同じ設計パラメーターを用いて行った。
得られた光学フィルターについて、実施例１と同様に、平均値ＴおよびＲを求めた。結果を表８に示す。
【0298】
［比較例３］
実施例１において、化合物（Ｚ）を用いず、化合物（Ｘ）として、化合物（ｘ－１）０．０３８質量部、化合物（ｘ－２）０．０７５質量部、化合物（ｘ－４）（ジクロロメタン中での吸収極大波長７６０ｎｍ）０．０８質量部を用いた以外は、実施例１と同様にして基材を得た。
得られた基材について、実施例１と同様に耐光性を評価した。結果を表８に示す。
実施例１において、化合物（Ｚ）を用いず、化合物（Ｘ）として、化合物（ｘ－１）０．０３８質量部、化合物（ｘ－２）０．０７５質量部、化合物（ｘ－４）（ジクロロメタン中での吸収極大波長７６０ｎｍ）０．０８質量部を用いた以外は、実施例１と同様にして基材を得た。
得られた基材について、実施例１と同様に耐光性を評価した。結果を表８に示す。
【0299】
・化合物（ｘ－４）
【化60】
【0300】
続いて、実施例１と同様に、得られた基材の片面に、シリカ（ＳｉＯ2）層とチタニア（ＴｉＯ2）層とが交互に積層されてなる合計２６層の誘電体多層膜（Ｉ）を形成し、さらに基材のもう一方の面に、シリカ（ＳｉＯ2）層とチタニア（ＴｉＯ2）層とが交互に積層されてなる合計２２層の誘電体多層膜（ＩＩ）を形成し、厚さ約０．１１０ｍｍの光学フィルターを得た。
誘電体多層膜の設計は、実施例１と同様に、基材の屈折率の波長依存性等を考慮した上で、実施例１と同じ設計パラメーターを用いて行った。
得られた光学フィルターについて、実施例１と同様に、平均値ＴおよびＲを求めた。結果を表８に示す。
誘電体多層膜の設計は、実施例１と同様に、基材の屈折率の波長依存性等を考慮した上で、実施例１と同じ設計パラメーターを用いて行った。
得られた光学フィルターについて、実施例１と同様に、平均値ＴおよびＲを求めた。結果を表８に示す。
【0301】
【表8】
【0302】
【表9】
【0303】
前記実施例１～１９で得られた光学フィルターは、可視光の透過性を良好に維持しながら、近赤外光、特に、波長７００～８００ｎｍの波長域の反射光強度の低減が可能であるため、近年、高性能化が進むデジタルスチルカメラ等の撮像装置等において、可視光領域の感度低下を最小限に抑えつつ、該反射光に起因する画像不良を解消できるため、有用である。
【0304】
［化合物（ｚ－１６４）の合成例］
ナスフラスコに、アセチルクロリド（２等量）、ｔｅｒｔ－ブチルアルコール（１等量）を仕込み、８５℃に温調したオイルバスで加熱しながら攪拌した。そこに、トリフルオロメタンスルホン酸（１等量）を５分間かけて滴下し、滴下終了後、オイルバスの設定温度を１００℃とし、３０分間攪拌した。室温まで冷却した後、ジエチルエーテルおよび水を加えて析出した固体をろ取し、下記化合物（ｍ－１）を得た。
ナスフラスコに、アセチルクロリド（２等量）、ｔｅｒｔ－ブチルアルコール（１等量）を仕込み、８５℃に温調したオイルバスで加熱しながら攪拌した。そこに、トリフルオロメタンスルホン酸（１等量）を５分間かけて滴下し、滴下終了後、オイルバスの設定温度を１００℃とし、３０分間攪拌した。室温まで冷却した後、ジエチルエーテルおよび水を加えて析出した固体をろ取し、下記化合物（ｍ－１）を得た。
【0305】
・化合物（ｍ－１）
【化61】
【0306】
ナスフラスコに、前記で得られた化合物（ｍ－１）（１等量）およびマロンアルデヒドジアニリド塩酸塩（０．５等量）を仕込み、そこに、アセトニトリルおよび無水酢酸を加え攪拌した。次いで、ピリジン（１等量）を滴下し、室温で２時間攪拌した。その後、アセトニトリル、無水酢酸、ピリジンをエバポレーターで除去し、塩化メチレン／水にて分液操作を行った。有機相を回収し、そこに、ＬｉＦＡＢＡ（リチウム＝テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボラヌイド）１．５等量および水を加え、３時間激しく攪拌した。その後、有機相を回収し、塩化メチレンをエバポレーターで除去し、化合物（ｚ－１６４）を得た。
【0307】
・化合物（ｚ－１６４）：ジクロロメタン中での吸収極大波長７１５ｎｍ
【化62】
【0308】
［化合物（ｚ－１６５）の合成例］
化合物（ｚ－１６４）の合成例において、アセチルクロリドを１－メチルシクロプロパンカルボン酸クロリドに変更したこと以外、該合成例と同様の方法で化合物（ｚ－１６５）を得た。
化合物（ｚ－１６４）の合成例において、アセチルクロリドを１－メチルシクロプロパンカルボン酸クロリドに変更したこと以外、該合成例と同様の方法で化合物（ｚ－１６５）を得た。
【0309】
・化合物（ｚ－１６５）：ジクロロメタン中での吸収極大波長７２７ｎｍ
【化63】
【0310】
［化合物（ｚ－１６６）の合成例］
化合物（ｚ－１６４）の合成例において、アセチルクロリドを１－メチルシクロヘキサンカルボン酸クロリドに変更したこと以外、該合成例と同様の方法で化合物（ｚ－１６６）を得た。
化合物（ｚ－１６４）の合成例において、アセチルクロリドを１－メチルシクロヘキサンカルボン酸クロリドに変更したこと以外、該合成例と同様の方法で化合物（ｚ－１６６）を得た。
【0311】
・化合物（ｚ－１６６）：ジクロロメタン中での吸収極大波長７１９ｎｍ
【化64】
【0312】
［化合物（ｚ－１６７）の合成例］
化合物（ｚ－１６４）の合成例において、アセチルクロリドを１－アダマンタンカルボン酸クロリドに変更したこと以外、該合成例と同様の方法で化合物（ｚ－１６７）を得た。
化合物（ｚ－１６４）の合成例において、アセチルクロリドを１－アダマンタンカルボン酸クロリドに変更したこと以外、該合成例と同様の方法で化合物（ｚ－１６７）を得た。
【0313】
・化合物（ｚ－１６７）：ジクロロメタン中での吸収極大波長７２１ｎｍ
【化65】
【0314】
［化合物（ｚ－１６８）の合成例］
化合物（ｚ－１６４）の合成例において、マロンアルデヒドジアニリド塩酸塩を下記化合物（ｍ－２）に変更したこと以外、該合成例と同様の方法で化合物（ｚ－１６８）を得た。
化合物（ｚ－１６４）の合成例において、マロンアルデヒドジアニリド塩酸塩を下記化合物（ｍ－２）に変更したこと以外、該合成例と同様の方法で化合物（ｚ－１６８）を得た。
【0315】
・化合物（ｍ－２）
【化66】
【0316】
・化合物（ｚ－１６８）：ジクロロメタン中での吸収極大波長７２０ｎｍ
【化67】
【0317】
［化合物（ｚ－１６９）の合成例］
化合物（ｚ－１６７）の合成例において、マロンアルデヒドジアニリド塩酸塩を前記化合物（ｍ－２）に変更したこと以外、該合成例と同様の方法で化合物（ｚ－１６９）を得た。
化合物（ｚ－１６７）の合成例において、マロンアルデヒドジアニリド塩酸塩を前記化合物（ｍ－２）に変更したこと以外、該合成例と同様の方法で化合物（ｚ－１６９）を得た。
【0318】
・化合物（ｚ－１６９）：ジクロロメタン中での吸収極大波長７２６ｎｍ
【化68】
【0319】
［化合物（ｚ－１７０）の合成例］
化合物（ｚ－１６９）の合成例において、化合物（ｍ－２）を下記化合物（ｍ－３）に変更したこと以外、該合成例と同様の方法で化合物（ｚ－１７０）を得た。
化合物（ｚ－１６９）の合成例において、化合物（ｍ－２）を下記化合物（ｍ－３）に変更したこと以外、該合成例と同様の方法で化合物（ｚ－１７０）を得た。
【0320】
・化合物（ｍ－３）
【化69】
【0321】
・化合物（ｚ－１７０）：ジクロロメタン中での吸収極大波長７３９ｎｍ
【化70】
【0322】
［化合物（ｚ－１７１）の合成例］
化合物（ｚ－１６７）の合成例において、化合物（ｍ－１）を下記化合物（ｍ－４）に変更したこと以外、該合成例と同様の方法で化合物（ｚ－１７１）を得た。
化合物（ｚ－１６７）の合成例において、化合物（ｍ－１）を下記化合物（ｍ－４）に変更したこと以外、該合成例と同様の方法で化合物（ｚ－１７１）を得た。
【0323】
・化合物（ｍ－４）
【化71】
【0324】
・化合物（ｚ－１７１）：ジクロロメタン中での吸収極大波長７３４ｎｍ
【化72】
【0325】
［化合物（ｚ－１７２）の合成例］
化合物（ｚ－１６７）の合成例において、化合物（ｍ－１）を下記化合物（ｍ－５）に変更したこと以外、該合成例と同様の方法で化合物（ｚ－１７２）を得た。
化合物（ｚ－１６７）の合成例において、化合物（ｍ－１）を下記化合物（ｍ－５）に変更したこと以外、該合成例と同様の方法で化合物（ｚ－１７２）を得た。
【0326】
・化合物（ｍ－５）
【化73】
【0327】
・化合物（ｚ－１７２）：ジクロロメタン中での吸収極大波長７３８ｎｍ
【化74】
【0328】
［化合物（ｚ－１７３）の合成例］
化合物（ｚ－１６９）の合成例において、化合物（ｍ－２）を下記化合物（ｍ－６）に変更したこと以外、該合成例と同様の方法で化合物（ｚ－１７３）を得た。
化合物（ｚ－１６９）の合成例において、化合物（ｍ－２）を下記化合物（ｍ－６）に変更したこと以外、該合成例と同様の方法で化合物（ｚ－１７３）を得た。
【0329】
・化合物（ｍ－６）
【化75】
【0330】
・化合物（ｚ－１７３）：ジクロロメタン中での吸収極大波長７２４ｎｍ
【化76】
【0331】
［実施例２０～３２および比較例４～７］
〔基材の作製〕
実施例１と同様にして、具体的には以下のようにして基材を作製した。
表１２に記載した通りの割合で樹脂、化合物（Ｚ）、化合物（Ｘ）、化合物（Ｙ）およびジクロロメタンを加えて樹脂濃度が２０質量％の溶液を調製した。得られた溶液を平滑なガラス板上にキャストし、２０℃で８時間乾燥した後、ガラス板から剥離した。剥離した塗膜を更に減圧下１００℃で８時間乾燥して、厚さ０．１ｍｍ、縦２１０ｍｍ、横２１０ｍｍの樹脂層（１）を得た。
なお、表１２中の化合物（Ｚ）、化合物（Ｘ）および化合物（Ｙ）の欄に記載の数値は、樹脂１００質量部に対する各化合物の含有量（質量部）を示す。
〔基材の作製〕
実施例１と同様にして、具体的には以下のようにして基材を作製した。
表１２に記載した通りの割合で樹脂、化合物（Ｚ）、化合物（Ｘ）、化合物（Ｙ）およびジクロロメタンを加えて樹脂濃度が２０質量％の溶液を調製した。得られた溶液を平滑なガラス板上にキャストし、２０℃で８時間乾燥した後、ガラス板から剥離した。剥離した塗膜を更に減圧下１００℃で８時間乾燥して、厚さ０．１ｍｍ、縦２１０ｍｍ、横２１０ｍｍの樹脂層（１）を得た。
なお、表１２中の化合物（Ｚ）、化合物（Ｘ）および化合物（Ｙ）の欄に記載の数値は、樹脂１００質量部に対する各化合物の含有量（質量部）を示す。
【0332】
なお、表１２中の化合物（ｘ－６）は下記式で表される化合物である（ジクロロメタン中での吸収極大波長７１７ｎｍ）
【化77】
【0333】
得られた樹脂層（１）の片面に、下記樹脂組成物（１）を、得られる樹脂層（２）の厚みが３μｍとなるようにバーコーターで塗布し、オーブン中７０℃で２分間加熱して溶剤を揮発除去した。次にＵＶコンベア式露光機（アイグラフィックス（株）製、アイ紫外硬化用装置、型式ＵＳ２－Ｘ０４０５、６０Ｈｚ）を用いて露光（露光量５００ｍＪ／ｃｍ2、照度：２００ｍＷ／ｃｍ2）を行い、樹脂組成物（１）を硬化させ、樹脂層（１）上に樹脂層（２）を形成した。同様にして、樹脂層（１）のもう一方の面にも樹脂組成物（１）からなる樹脂層（２）を形成した。
【0334】
樹脂組成物（１）：トリシクロデカンジメタノールアクリレート６０質量部、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート４０質量部、１－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン５質量部、およびメチルエチルケトン（溶剤、得られる組成物中の固形分濃度が３０質量％となるよう使用）を含む組成物
【0335】
＜分光透過率＞
得られた基材の、波長６５０～８００ｎｍの近赤外領域の透過率、および、波長４３０～５８０ｎｍの可視光透過率は、日本分光（株）製の分光光度計（Ｖ－７２００）を用いて測定した。この透過率は、光が基材の面に対して垂直に入射する条件で、該分光光度計を使用して測定した。本装置を用いて測定したパラメーターは以下の通りである。結果を表１２に示す。
実施例２０および実施例２８で得られた基材の分光透過率スペクトルを、それぞれ図１～２に示す。
なお、下記ＴｃおよびＴｄは、得られた基材を、予め１５５℃に熱しておいたオーブンで７時間加熱し、この加熱試験後の基材の透過率を測定した（耐熱性評価）。
また、ＴｅおよびＴｆは、得られた基材に、ＵＶ露光機（岩崎電気（株）製、アイ紫外線硬化用装置ＵＳ２－ＫＯ４５０１、照度：１８０ｍＷ／ｃｍ2、照射量：５６０ｍＪ／ｃｍ2）を用いてＵＶを照射し、このＵＶ照射後の基材の透過率を測定した（耐ＵＶ性評価）。
得られた基材の、波長６５０～８００ｎｍの近赤外領域の透過率、および、波長４３０～５８０ｎｍの可視光透過率は、日本分光（株）製の分光光度計（Ｖ－７２００）を用いて測定した。この透過率は、光が基材の面に対して垂直に入射する条件で、該分光光度計を使用して測定した。本装置を用いて測定したパラメーターは以下の通りである。結果を表１２に示す。
実施例２０および実施例２８で得られた基材の分光透過率スペクトルを、それぞれ図１～２に示す。
なお、下記ＴｃおよびＴｄは、得られた基材を、予め１５５℃に熱しておいたオーブンで７時間加熱し、この加熱試験後の基材の透過率を測定した（耐熱性評価）。
また、ＴｅおよびＴｆは、得られた基材に、ＵＶ露光機（岩崎電気（株）製、アイ紫外線硬化用装置ＵＳ２－ＫＯ４５０１、照度：１８０ｍＷ／ｃｍ2、照射量：５６０ｍＪ／ｃｍ2）を用いてＵＶを照射し、このＵＶ照射後の基材の透過率を測定した（耐ＵＶ性評価）。
【0336】
Ｘａ：波長６５０～８００ｎｍにおいて、基材の垂直方向から測定した透過率が最も低い値となる光の波長
Ｔａ：波長６５０～８００ｎｍにおいて、基材の垂直方向から測定した最低透過率
Ｔｂ：基材の垂直方向から測定した、波長４３０～５８０ｎｍの光の平均透過率
Ｔｃ：基材の垂直方向から測定した、加熱試験後の波長６５０～８００ｎｍの光の最低透過率
Ｔｄ：基材の垂直方向から測定した、加熱試験後の波長４３０～５８０ｎｍの光の平均透過率
Ｔｅ：基材の垂直方向から測定した、ＵＶ照射後の波長６５０～８００ｎｍの光の最低透過率
Ｔｆ：基材の垂直方向から測定した、ＵＶ照射後の波長４３０～５８０ｎｍの光の平均透過率
Ｔａ：波長６５０～８００ｎｍにおいて、基材の垂直方向から測定した最低透過率
Ｔｂ：基材の垂直方向から測定した、波長４３０～５８０ｎｍの光の平均透過率
Ｔｃ：基材の垂直方向から測定した、加熱試験後の波長６５０～８００ｎｍの光の最低透過率
Ｔｄ：基材の垂直方向から測定した、加熱試験後の波長４３０～５８０ｎｍの光の平均透過率
Ｔｅ：基材の垂直方向から測定した、ＵＶ照射後の波長６５０～８００ｎｍの光の最低透過率
Ｔｆ：基材の垂直方向から測定した、ＵＶ照射後の波長４３０～５８０ｎｍの光の平均透過率
【0337】
〔光学フィルターの作製〕
前記基材の作製で得られた基材の片面に誘電体多層膜（ＩＩＩ）を形成し、さらに基材のもう一方の面に誘電体多層膜（ＩＶ）を形成し、厚さ約０．１１０ｍｍの光学フィルターを得た。
前記基材の作製で得られた基材の片面に誘電体多層膜（ＩＩＩ）を形成し、さらに基材のもう一方の面に誘電体多層膜（ＩＶ）を形成し、厚さ約０．１１０ｍｍの光学フィルターを得た。
【0338】
誘電体多層膜（ＩＩＩ）は、蒸着温度１００℃で、シリカ（ＳｉＯ2）層とチタニア（ＴｉＯ2）層とを交互に積層した積層体である（合計２８層）。誘電体多層膜（ＩＶ）は、蒸着温度１００℃で、シリカ（ＳｉＯ2）層とチタニア（ＴｉＯ2）層とを交互に積層した積層体である（合計２４層）。
誘電体多層膜（ＩＩＩ）および（ＩＶ）のいずれにおいても、シリカ層およびチタニア層を、基材側からチタニア層、シリカ層、チタニア層、・・・シリカ層、チタニア層、シリカ層の順となるように交互に積層し、光学フィルターの最外層をシリカ層とした。
誘電体多層膜（ＩＩＩ）および（ＩＶ）のいずれにおいても、シリカ層およびチタニア層を、基材側からチタニア層、シリカ層、チタニア層、・・・シリカ層、チタニア層、シリカ層の順となるように交互に積層し、光学フィルターの最外層をシリカ層とした。
【0339】
各層の厚さと層数については、可視域の良好な透過率と近赤外域の反射性能とを達成できるよう、基材の屈折率の波長依存特性や、使用した化合物（Ｚ）および（Ｘ）の吸収特性に合わせて、光学薄膜設計ソフト（Ｅｓｓｅｎｔｉａｌ Ｍａｃｌｅｏｄ、Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｃｅｎｔｅｒ社製）を用いて最適化を行った。最適化を行う際、本実施例においてはソフトへの入力パラメータ（Ｔａｒｇｅｔ値）を下記表１０の通りとした。
【0340】
【表10】
【0341】
膜構成最適化の結果、前記誘電体多層膜（ＩＩＩ）を、物理膜厚約３２～１５９ｎｍのシリカ層と物理膜厚約９～９４ｎｍのチタニア層とを交互に積層した、積層数２８層の多層蒸着膜とし、誘電体多層膜（ＩＶ）を、物理膜厚約３９～１９３ｎｍのシリカ層と物理膜厚約１２～１１７ｎｍのチタニア層とを交互に積層した、積層数２４層の多層蒸着膜とした。最適化を行った膜構成の一例を下記表１１に示す。
【0342】
【表11】
【0343】
＜分光透過率＞
得られた光学フィルターの、波長６５０～８００ｎｍの近赤外領域の透過率、および、波長４３０～５８０ｎｍの可視光透過率は、日本分光（株）製の分光光度計（Ｖ－７２００）を用いて測定した。この透過率は、光が光学フィルターに対して垂直に入射する条件で、該分光光度計を使用して測定したものである。本装置を用いて測定したパラメーターは以下の通りである。結果を表１２に示す。
実施例２０および実施例２８で得られた光学フィルターの分光透過率スペクトルを、それぞれ図３～４に示す。
得られた光学フィルターの、波長６５０～８００ｎｍの近赤外領域の透過率、および、波長４３０～５８０ｎｍの可視光透過率は、日本分光（株）製の分光光度計（Ｖ－７２００）を用いて測定した。この透過率は、光が光学フィルターに対して垂直に入射する条件で、該分光光度計を使用して測定したものである。本装置を用いて測定したパラメーターは以下の通りである。結果を表１２に示す。
実施例２０および実施例２８で得られた光学フィルターの分光透過率スペクトルを、それぞれ図３～４に示す。
【0344】
Ｔｇ：光学フィルターの垂直方向から測定した、波長６５０～８００ｎｍの光の平均透過率
Ｔｈ：光学フィルターの垂直方向から測定した、波長４３０～５８０ｎｍの光の平均透過率
Ｔｈ：光学フィルターの垂直方向から測定した、波長４３０～５８０ｎｍの光の平均透過率
【0345】
［実施例３３～４３および比較例８］
実施例６と同様にして、具体的には以下のようにして基材を作製した。
表１３に記載した通りの割合で、樹脂Ａ、化合物（Ｘ）、化合物（Ｙ）およびジクロロメタンを加えて、樹脂濃度が２０質量％の溶液を調製し、孔径５μｍのミリポアフィルターでろ過を行い、樹脂溶液（Ｅ－１）を得た。
表１３に記載した通りの割合で、樹脂Ａ、化合物（Ｚ）およびジクロロメタンを加えて、樹脂濃度が２０質量％の溶液を調製し、孔径５μｍのミリポアフィルターでろ過を行い、樹脂溶液（Ｅ－２）を得た。
実施例６と同様にして、具体的には以下のようにして基材を作製した。
表１３に記載した通りの割合で、樹脂Ａ、化合物（Ｘ）、化合物（Ｙ）およびジクロロメタンを加えて、樹脂濃度が２０質量％の溶液を調製し、孔径５μｍのミリポアフィルターでろ過を行い、樹脂溶液（Ｅ－１）を得た。
表１３に記載した通りの割合で、樹脂Ａ、化合物（Ｚ）およびジクロロメタンを加えて、樹脂濃度が２０質量％の溶液を調製し、孔径５μｍのミリポアフィルターでろ過を行い、樹脂溶液（Ｅ－２）を得た。
【0346】
２００ｍｍ×２００ｍｍの大きさにカットした、日本電気硝子（株）製の透明ガラス支持体「ＯＡ－１０Ｇ」（厚み２００μｍ）の両面に下記樹脂組成物（２）を、乾燥後の膜厚が約１μｍとなるようにスピンコートで塗布した後、ホットプレート上８０℃で２分間加熱して溶媒を揮発除去し、ガラス支持体と後述するコーティング樹脂層（１）およびコーティング樹脂層（２）との接着層として機能する接着層を形成した。
なお、実施例３９のみ、「ＯＡ－１０Ｇ」の代わりに、２００ｍｍ×２００ｍｍの大きさにカットした、松波硝子工業（株）製の近赤外線吸収ガラス基板「ＢＳ－１１」（厚み２００μｍ）を用いた。
なお、実施例３９のみ、「ＯＡ－１０Ｇ」の代わりに、２００ｍｍ×２００ｍｍの大きさにカットした、松波硝子工業（株）製の近赤外線吸収ガラス基板「ＢＳ－１１」（厚み２００μｍ）を用いた。
【0347】
次に、前記接着層が形成されたガラス支持体の片面にスピンコーターを用いて、樹脂溶液（Ｅ－１）を乾燥後の膜厚が１０μｍとなるように塗布し、ホットプレート上８０℃で５分間加熱して溶媒を揮発除去し、コーティング樹脂層（２）を形成した。
更に、前記接着層が形成されたガラス支持体のもう一方の面にスピンコーターを用いて、樹脂溶液（Ｅ－２）を乾燥後の膜厚が１０μｍとなるように塗布し、ホットプレート上８０℃で５分間加熱して溶媒を揮発除去し、コーティング樹脂層（１）を形成した。
これにより、ガラス支持体の一方の面に化合物（Ｚ）を含む樹脂層を積層し、他方の面に化合物（Ｚ）を含まない樹脂層を積層した厚み２２２μｍの基材を得た。
なお、表１３中の化合物ｚ－１６４～ｚ－１７３に記載の数値は、樹脂層（１）中の樹脂１００質量部に対する各化合物の含有量（質量部）を示し、表１３中の化合物ｘ－１、ｘ－２およびｙ－１に記載の数値は、樹脂層（２）中の樹脂１００質量部に対する各化合物の含有量（質量部）を示す。
実施例２０と同様にして、基材のＸａ、Ｔａ～Ｔｆを測定した。結果を表１３に示す。
実施例３６で得られた基材の分光透過率スペクトルを図５に示す。
更に、前記接着層が形成されたガラス支持体のもう一方の面にスピンコーターを用いて、樹脂溶液（Ｅ－２）を乾燥後の膜厚が１０μｍとなるように塗布し、ホットプレート上８０℃で５分間加熱して溶媒を揮発除去し、コーティング樹脂層（１）を形成した。
これにより、ガラス支持体の一方の面に化合物（Ｚ）を含む樹脂層を積層し、他方の面に化合物（Ｚ）を含まない樹脂層を積層した厚み２２２μｍの基材を得た。
なお、表１３中の化合物ｚ－１６４～ｚ－１７３に記載の数値は、樹脂層（１）中の樹脂１００質量部に対する各化合物の含有量（質量部）を示し、表１３中の化合物ｘ－１、ｘ－２およびｙ－１に記載の数値は、樹脂層（２）中の樹脂１００質量部に対する各化合物の含有量（質量部）を示す。
実施例２０と同様にして、基材のＸａ、Ｔａ～Ｔｆを測定した。結果を表１３に示す。
実施例３６で得られた基材の分光透過率スペクトルを図５に示す。
【0348】
樹脂組成物（２）：イソシアヌル酸エチレンオキサイド変性トリアクリレート（商品名：アロニックス Ｍ－３１５、東亜合成（株）製）３０質量部、１，９－ノナンジオールジアクリレート２０質量部、メタクリル酸２０質量部、メタクリル酸グリシジル３０質量部、３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン５質量部、１－ヒドロキシシクロヘキシルベンゾフェノン（商品名：ＩＲＧＡＣＵＲＥ１８４、ＢＡＳＦジャパン（株）製）５質量部およびサンエイドＳＩ－１１０主剤（三新化学工業（株）製）１質量部を混合し、固形分濃度が５０質量％となるようにプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに溶解させた後、孔径０．２μｍのミリポアフィルターでろ過した組成物
【0349】
続いて、実施例２０と同様に、得られた基材の片面に、シリカ（ＳｉＯ2）層とチタニア（ＴｉＯ2）層とが交互に積層されてなる合計２８層の誘電体多層膜（ＩＩＩ）を形成し、さらに基材のもう一方の面に、シリカ（ＳｉＯ2）層とチタニア（ＴｉＯ2）層とが交互に積層されてなる合計２４層の誘電体多層膜（ＩＶ）を形成し、厚さ約０．２２６ｍｍの光学フィルターを得た。
誘電体多層膜の設計は、実施例２０と同様に、基材の屈折率の波長依存性等を考慮した上で、実施例２０と同じ設計パラメーターを用いて行った。
実施例２０と同様にして、光学フィルターのＴｇおよびＴｈを測定した。結果を表１３に示す。
実施例３６で得られた光学フィルターの分光透過率スペクトルを図６に示す。
誘電体多層膜の設計は、実施例２０と同様に、基材の屈折率の波長依存性等を考慮した上で、実施例２０と同じ設計パラメーターを用いて行った。
実施例２０と同様にして、光学フィルターのＴｇおよびＴｈを測定した。結果を表１３に示す。
実施例３６で得られた光学フィルターの分光透過率スペクトルを図６に示す。
【0350】
【表12】
【0351】
【表13】
【0352】
前記実施例２０～４３で得られた光学フィルターは、可視光の透過性を良好に維持しながら、近赤外光、特に、波長７００～７５０ｎｍの波長域の反射光強度の低減が可能であるため、近年、高性能化が進むデジタルスチルカメラ等の撮像装置等において、可視光領域の感度低下を最小限に抑えつつ、該反射光に起因する画像不良を解消できるため、有用である。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
