特開 2024-129173 基板処理装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024129173

(43)【公開日】2024-09-27

(54)【発明の名称】基板処理装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/306 20060101AFI20240919BHJP

【ＦＩ】

H01L21/306 E

【審査請求】未請求

【請求項の数】5

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023038196

(22)【出願日】2023-03-13

(71)【出願人】

【識別番号】318010018

【氏名又は名称】キオクシア株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110001092

【氏名又は名称】弁理士法人サクラ国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】松本 州作

(72)【発明者】

【氏名】加藤 視紅磨

(72)【発明者】

【氏名】川野 浩一郎

(72)【発明者】

【氏名】岩崎 友哉

【テーマコード（参考）】

5F043

【Ｆターム（参考）】

5F043AA35

5F043BB23

5F043DD07

5F043EE01

5F043EE05

5F043EE24

5F043GG10

(57)【要約】

【課題】半導体基板等の基板の処理液による処理を均等化することを可能にした基板処理装置を提供する。
【解決手段】実施形態の基板処理装置１は、処理液で処理される複数の基板Ｗが、それらの基板面を略水平方向に向けて第１方向に配列された状態で配置され、処理液による複数の基板Ｗの処理が行われる第１領域Ａ１と、第１領域Ａ１の近傍に設けられた第２領域Ａ２と、第１領域Ａ１と第２領域Ａ２との間に処理液が移動可能なように設けられた第３領域Ａ３とを備える処理槽１０と、処理槽１０の第２領域Ａ２内の処理液内に位置するように配置され、処理液に流れが生じるように移動する移動体２０と、移動体２０を移動させる移動機構３０とを具備する。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

処理液で処理される複数の基板が、それらの基板面を略水平方向に向けて第１方向に配列された状態で配置され、前記処理液による前記複数の基板の処理が行われる第１領域と、前記第１領域の近傍に設けられた第２領域と、前記第１領域と前記第２領域との間に前記処理液が移動可能なように設けられた第３領域とを備える処理槽と、
前記処理槽の前記第２領域内の前記処理液内に位置するように配置され、前記処理液に流れが生じるように移動する移動体と、
前記移動体を移動させる移動機構と
を具備する基板処理装置。

【請求項2】

前記第２領域は、前記第１領域と前記第１方向に沿って、又は前記第１方向と水平方向に交差する第２方向に沿って隣接するように設けられており、
前記第１領域と前記第２領域との間には、前記処理槽の底面との間に前記第３領域が位置するように仕切り板が設けられており、
前記移動体は、前記第１方向に沿って配置されており、
前記移動機構は、前記移動体を前記第１方向と垂直方向に交差する第３方向に沿って移動させる、請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項3】

前記第２領域は、前記第３領域を間に挟んで、前記第１方向と水平方向に交差する第２方向に沿って前記第１領域と並んで設けられており、
前記移動体は、前記第１方向に沿って配置されており、
前記移動機構は、前記移動体を前記第２方向に沿って移動させる、請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項4】

前記第２領域は、前記第３領域を間に挟んで、前記第１方向と垂直方向に交差する第３方向に沿って前記第１領域と並んで設けられており、
前記移動体は、前記第１方向に沿って配置されており、
前記移動機構は、前記移動体を前記第３方向に沿って移動させる、請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項5】

前記移動体は、前記処理液内に配置される板状体を備える、請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の基板処理装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明の実施形態は、基板処理装置に関する。

【背景技術】

【0002】

半導体装置の製造工程においては、半導体基板上に形成された各種の膜をエッチングする工程が実施されている。例えば、メモリセルを三次元に積み上げた三次元積層型不揮発性メモリデバイスでは、メモリホールの周囲に絶縁膜と導電膜とを積層した積層体を形成するにあたって、ケイ素酸化物膜とケイ素窒化物膜とを交互に積層した積層体に対し、ケイ素窒化物膜を選択的にエッチングする工程が実施される。エッチング工程では、例えばエッチング液を収容した処理槽に複数の半導体基板を浸漬することによりエッチング工程を実施する基板処理装置が用いられる。このような基板処理装置においては、処理槽内に配置された半導体基板全体に対して、エッチング液等の処理液の流れを均等化し、半導体基板の処理液による処理を均等化することが求められている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１９－１９７８１４号公報

【特許文献2】米国特許第１０９７８３１６号明細書

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

本発明の解決しようとする課題は、半導体基板等の基板の処理液による処理を均等化することを可能にした基板処理装置を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0005】

実施形態の基板処理装置は、処理液で処理される複数の基板が、それらの基板面を略水平方向に向けて第１方向に配列された状態で配置され、前記処理液による前記複数の基板の処理が行われる第１領域と、前記第１領域の近傍に設けられた第２領域と、前記第１領域と前記第２領域との間に前記処理液が移動可能なように設けられた第３領域とを備える処理槽と、前記処理槽の前記第２領域内の前記処理液内に位置するように配置され、前記処理液に流れが生じるように移動する移動体と、前記移動体を移動させる移動機構とを具備する。

【図面の簡単な説明】

【0006】

【図1】第１の実施形態の基板処理装置を一部断面で示す正面図である。

【図2】図１に示す基板処理装置における第１の処理液の流れを示す図である。

【図3】図１に示す基板処理装置における第２の処理液の流れを示す図である。

【図4】図１に示す基板処理装置における処理液の流れの数値解析結果を示す図である。

【図5】図１に示す基板処理装置における処理液の流速分布を示す図である。

【図6】図１に示す基板処理装置における反応生成物としてのシリカの濃度分布を示す図である。

【図7】比較例の基板処理装置における処理液の流れの数値解析結果を示す図である。

【図8】比較例の基板処理装置における処理液の流速分布を示す図である。

【図9】比較例の基板処理装置における反応生成物としてのシリカの濃度分布を示す図である。

【図10】図１に示す基板処理装置における基板の配置を９０度回転させたときの反応生成物としてのシリカの濃度分布を示す図である。

【図11】第２の実施形態の基板処理装置を一部断面で示す正面図である。

【図12】図１１に示す基板処理装置における処理液の流れの数値解析結果を示す図である。

【図13】図１１に示す基板処理装置における処理液の流速分布を示す図である。

【図14】図１１に示す基板処理装置における反応生成物としてのシリカの濃度分布を示す図である。

【図15】第３の実施形態の基板処理装置を一部断面で示す正面図である。

【図16】図１５に示す基板処理装置における処理液の流れの数値解析結果を示す図である。

【図17】図１５に示す基板処理装置における処理液の流速分布を示す図である。

【図18】図１５に示す基板処理装置における反応生成物としてのシリカの濃度分布を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0007】

以下、実施形態の基板処理装置について、図面を参照して説明する。なお、各実施形態において、実質的に同一の構成部位には同一の符号を付し、その説明を一部省略する場合がある。図面は模式的なものであり、厚さと平面寸法との関係、各部の厚さの比率等は現実のものとは異なる場合がある。

【0008】

（第１の実施形態）
図１は第１の実施形態の基板処理装置を一部断面で示す正面図である。図１に示す基板処理装置１は、複数の基板Ｗを一括して処理液で処理するバッチ式処理装置であって、処理液を貯留する処理槽１０と、処理槽１０に貯留された処理液内に位置するように配置され、処理液に流れが生じるように移動する移動体２０と、移動体２０を移動させる移動機構３０とを具備している。各部の具体的な構成を以下に詳述する。

【0009】

処理槽１０は、処理液を貯留すると共に、処理液で処理される複数の基板Ｗを所定の方向に配列された状態で収容する。処理槽１０は、複数の基板Ｗが収容される第１領域Ａ１と、第１領域Ａ１の近傍に設けられた第２領域Ａ２と、第１領域Ａ１と第２領域Ａ２との間に処理液が移動可能なように設けられた第３領域Ａ３とを備えている。第１領域Ａ１と第２領域Ａ２との間には仕切り板２１が設けられており、仕切り板２１はそれと処理槽１０の底面との間に第３領域Ａ３が存在するように設けられている。

【0010】

複数の基板Ｗは、それらの基板面（基板Ｗにおいてデバイスが形成される処理面もしくはその裏側の面）を略水平方向に向けて、例えば第１方向（図中、矢印Ｄ１で示す。）に配列された状態で収容される。処理液は基板Ｗの処理に応じて選択される。基板Ｗとして適用した半導体基板のエッチング処理を行う場合には、エッチング液が用いられる。エッチング液としては、各種公知のエッチング液が処理槽１０内に貯留される。例えば、半導体基板上に設けられたケイ素窒化物膜をエッチングする場合、１５０℃前後に加熱されたリン酸水溶液が用いられる。

【0011】

ケイ素窒化物膜のエッチング液としてのリン酸水溶液には、一般的なＨ_３ＰＯ_４で表される無機リン酸（オルトリン酸）の水溶液が用いられる。Ｈ_３ＰＯ_４に代えて、もしくはＨ_３ＰＯ_４に加えて、Ｈ_４Ｐ_２Ｏ_７（ピロリン酸）等を用いてもよい。リン酸水溶液はケイ素窒化物のエッチングレートを高めるために、添加剤等を含有していてもよい。例えば、リン酸のアルカリ金属塩のようなリン酸塩や有機リン酸等が添加されていてもよい。ここでは、基板処理装置１をウェットエッチング装置に適用する場合について主として説明するが、基板処理装置１はこれに限定されるものではなく、基板洗浄装置等であってもよい。

【0012】

複数の基板Ｗは、リフター１１に所定の方向（例えば、第１方向Ｄ１）に配列された状態で、略鉛直方向に立て掛けるように支持されて処理槽１０の第１領域Ａ１内に収容され、処理槽１０内に貯留された処理液でエッチング処理等の所定の処理が行われる。リフター１１は図示を省略した昇降ユニットによって、基板Ｗが処理槽１０内に貯留された処理液に浸漬される処理位置（第１領域Ａ１内の処理領域）と、処理槽１０の上方における待機位置との間で昇降させることが可能とされている。複数の基板Ｗは、リフター１１に支持された状態で、リフター１１が処理位置に下降した際に、処理液に浸漬されてエッチング処理等の所定の処理が行われる。リフター１１は、複数の基板Ｗを所定の間隔で支持することが可能なように設けられた、複数の基板Ｗの下縁中央部を支持する中央支持部材１２と、複数の基板Ｗの側部を支持する一対の側部支持部材１３Ａ、１３Ｂとを有する。

【0013】

処理槽１０は、処理液を循環させる、オーバーフロー部１４、循環ポンプ１５、処理液を吐出させる処理液ノズル１６、オーバーフロー部１４と循環ポンプ１５とを接続する第１配管１７、及び循環ポンプ１５と処理液ノズル１６とを接続する第２配管１８とを有する循環系を備えている。図示を省略したが、処理槽１０には処理液を供給する処理液供給部や、必要に応じて処理液の温度を調整する処理液温調部等が設けられていてもよい。循環系中には処理液中の固形の反応生成物等を除去するためのフィルタが設けられてもよい。オーバーフロー部１４は、処理槽１０の上縁部に設けられており、処理液の循環により処理槽１０の上縁から溢れた処理液を回収する。オーバーフロー部１４で回収された処理液は、第１配管１７を介して循環ポンプ１５に送られる。循環ポンプ１５から吐出された処理液は、第２配管１８を介して処理液ノズル１６に送られる。処理液は、処理液ノズル１６から処理槽１０内に吐出されることにより循環している。

【0014】

処理槽１０は、リフター１１に支持された複数の基板Ｗの処理領域を有する第１領域Ａ１と、第１方向Ｄ１と水平方向に交差する第２方向Ｄ２に沿って第１領域Ａ１と隣接する第２領域Ａ２と、第１領域Ａ１と第２領域Ａ２との間に処理液が移動可能なように、第１方向Ｄ１と垂直方向に交差する第３方向Ｄ３に延伸する仕切り板２１との間の空間に設けられた第３領域Ａ３とを備えている。第１領域Ａ１及び第２領域Ａ２のいずれにも、処理液が貯留されている。第１領域Ａ１と第２領域Ａ２とを接続する第３領域Ａ３にも、当然ながら処理液が満たされており、処理液を流通させることが可能とされている。

【0015】

第２領域Ａ２には、処理液内に位置するように第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２に沿って板状の移動体２０が配置されている。移動体２０は、駆動軸２２を介して移動機構３０に接続されている。移動機構３０は、処理液内に配置された移動体２０を上下方向（第３方向Ｄ３）に移動させ、移動体２０の動きにより処理液に流れを生じさせるものである。移動体２０は、例えば板状体により構成されており、複数の基板Ｗの配列と対応するように第１方向Ｄ１に延伸している。このような板状の移動体２０を処理液内で上下方向（第３方向Ｄ３）に反復して移動させることによって、処理液に移動体２０の移動に応じて流れが生じる。

【0016】

第１の実施形態の基板処理装置１における処理液の流れについて、図２及び図３を参照して説明する。図２は図１に示す基板処理装置１における移動体２０の下方向の移動に伴う第１の処理液の流れを示す図、図３は図１に示す基板処理装置１における移動体２０の上方向の移動に伴う第２の処理液の流れを示す図である。図２に示すように、移動体２０を下方向に移動（下降）させると、移動体２０の移動に伴って、第２領域Ａ２に処理液の下向きの流れＦ１が生じる。処理液の流れＦ１に続いて、第３領域Ａ３に処理液の流れＦ２が生じ、流れＦ２に基づいて第１領域Ａ１に処理液の上向きの流れＦ３が生じる。図２に示す状態に続いて、図３に示すように、移動体２０を上方向に移動（上昇）させると、移動体２０の移動に伴って、第２領域Ａ２に処理液の上向きの流れＦ４が生じる。処理液の流れＦ４に続いて、第３領域Ａ３に処理液の流れＦ５が生じ、流れＦ５に基づいて第１領域Ａ１に処理液の下向きの流れＦ６が生じる。

【0017】

このように、第２領域Ａ２の処理液内に配置した移動体２０を上下方向に移動させることによって、複数の基板Ｗを配置した第１領域Ａ１内に処理液の上向きの流れＦ３と下向きの流れＦ６を順に生じさせることができる。図４は図１に示す基板処理装置１における処理液の流れの数値解析結果を示す図である。図４に示すように、基板Ｗの基板面の広範囲に対して同一方向に処理液の流れが生じることが分かる。このような処理液の流れを基板Ｗの基板面に対して生じさせることによって、基板Ｗの全面に対する処理液による処理を均一化しかつ効率化することが可能になる。

【0018】

図５は図１に示す基板処理装置１を用いた際の処理液の流速分布を示している。図６は図１に示す基板処理装置１を用いた際の反応生成物であるシリカの濃度分布を示している。図５及び図６は処理液としてリン酸を用いた際の処理液の流速分布と反応生成物であるシリカの濃度分布を示している。図５に示すように、実施形態の基板処理装置１を用いた場合、処理液の流速のバラツキが小さく、部分的に流速が速い部分や遅い部分の生じる割合が小さいことが分かる。さらに、図６に示すように、実施形態の基板処理装置１を用いた場合、反応生成物であるシリカの濃度分布のバラツキも小さい。これらによって、実施形態の基板処理装置１によれば、基板Ｗの全面に対する処理液による処理を均一化しかつ効率化することが可能になることが分かる。

【0019】

上記した実施形態の基板処理装置１との比較として、処理槽下部に処理液の噴射ノズルを配置し、噴射ノズルから噴射される処理液により処理液の流れを生じさせる従来の基板処理装置の処理液の流れを検討する。図７は比較例としての基板処理装置における処理液の流れの数値解析結果を示す図である。図７に示すように、処理槽下部に配置した噴射ノズルから処理液を噴射し、噴射される処理液により処理液の流れを生じさせた場合、処理液の流れのうち主とする上昇流に加えて、上昇流と対向する下降流が生じる。すなわち、中央に流速が速い上昇流の領域が生じ、その周辺の流速は遅くなると共に、上昇流に反向する下降流が生じる。これは、中央に流速が速い領域が生じることで、その周辺に下降流が形成されやすくなるため、周辺領域は上昇流と下降流とが対向することになる。従って、周辺領域の流速がより遅くなりやすい。これらによって、従来の基板処理装置では、基板Ｗの全面に対する処理液の流速がばらつきやすくなる。これは、基板Ｗの全面に対する処理液による処理の均一性を低下させる要因となる。

【0020】

図８は図７に示す基板処理装置を用いた際の処理液の流速分布を示している。図９は図７に示す基板処理装置を用いた際の反応生成物であるシリカの濃度分布を示している。図８に示すように、比較例の基板処理装置を用いた場合、処理液の流速のバラツキが大きく、部分的に流速が速い部分や遅い部分が生じやすいことが分かる。さらに、図９に示すように、比較例の基板処理装置を用いた場合、反応生成物であるシリカの濃度分布のバラツキも大きい。これらによって、比較例の基板処理装置では、基板Ｗの全面に対する処理液の流速のばらつきが大きく、基板の処理液による処理の均一性が低い。

【0021】

図１に示した基板処理装置１においては、複数の基板Ｗを第１方向Ｄ１に配列された状態で第１領域Ａ１に収容しているが、複数の基板Ｗの配列方向は第２方向Ｄ２であってもよい。すなわち、図１に示した基板処理装置１において、複数の基板Ｗを９０度回転させた状態で配置してもよい。図４に示したように、処理液は下から上に向かって流れるため、複数の基板Ｗの配列方向は第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２のいずれであっても、処理液の流速のバラツキ及び反応生成物であるシリカの濃度分布のバラツキを小さくすることができる。図１０に図１に示す基板処理装置１における基板Ｗの配置を９０度回転させたときの反応生成物としてのシリカの濃度分布を示す。図１０に示すように、基板Ｗの配置を９０度回転させた場合であっても、シリカの濃度分布のバラツキを小さくすることができる。これは図６との対比から明らかである。

【0022】

（第２の実施形態）
図１１は第２の実施形態の基板処理装置を一部断面で示す正面図である。図１１に示す基板処理装置１は、第１の実施形態の基板処理装置１と同様に、複数の基板Ｗを一括して処理液で処理するバッチ式処理装置であって、処理液を貯留する処理槽１０と、処理槽１０に貯留された処理液内に位置するように配置され、処理液に流れが生じるように移動する移動体２０と、移動体２０を移動させる移動機構３０とを具備している。以下においては、図１１に示す第２の実施形態の基板処理装置１の図１に示す第１の実施形態の基板処理装置１との違いについて、主として説明する。

【0023】

図１１に示す基板処理装置１の処理槽１０において、第２領域Ａ２は複数の基板Ｗが収容される第１領域Ａ１の近傍に、第１領域Ａ１と第２方向Ｄ２に沿って並んで設けられている。この点は図１に示す基板処理装置１と同様である。ただし、第１領域Ａ１と第２領域Ａ２との間に仕切り板２１は設けられておらず、第１領域Ａ１と第２領域Ａ２との間が第３領域Ａ３とされている。複数の基板Ｗは、それらの基板面を略水平方向に向けて、第１方向Ｄ１に沿って配列された状態で収容される。

【0024】

第２領域Ａ２には、処理液内に位置するように第１方向Ｄ１及び第３方向Ｄ３に沿って板状の移動体２０が配置されている。板状の移動体２０は、その板面が複数の基板Ｗの配列に対向するように、第１方向Ｄ１に延伸している。移動体２０は、駆動軸２２を介して移動機構３０に接続されている。移動機構３０は、処理液内に配置された移動体２０を第２方向Ｄ２（図中、左右方向）に繰り返し反復移動させ、移動体２０の動きにより処理液に流れを生じさせるものである。このような板状の移動体２０を処理液内で左右方向（第２方向Ｄ２）に反復移動させることによって、処理液に移動体２０の移動に応じて流れが生じる。

【0025】

このように、第２領域Ａ２の処理液内に配置した移動体２０を左右方向に反復移動させることによって、複数の基板Ｗを配置した第１領域Ａ１内に処理液の左向きの流れと右向きの流れを順に生じさせることができる。図１２は図１１に示す基板処理装置１における処理液の流れの数値解析結果を示す図である。図１２に示すように、基板Ｗの基板面の広範囲に対して同一方向に処理液の流れが生じることが分かる。このような処理液の流れを基板Ｗの基板面に対して生じさせることによって、基板Ｗの全面に対する処理液による処理を均一化しかつ効率化することが可能になる。

【0026】

図１３は図１１に示す基板処理装置１を用いた際の処理液の流速分布を示している。図１４は図１１に示す基板処理装置１を用いた際の反応生成物であるシリカの濃度分布を示している。図１３及び図１４は処理液としてリン酸を用いた際の処理液の流速分布と反応生成物であるシリカの濃度分布を示している。図１３に示すように、実施形態の基板処理装置１を用いた場合、処理液の流速のバラツキが小さく、部分的に流速が速い部分や遅い部分の生じる割合が小さいことが分かる。さらに、図１４に示すように、実施形態の基板処理装置１を用いた場合、反応生成物であるシリカの濃度分布のバラツキも小さい。これらによって、実施形態の基板処理装置１によれば、基板Ｗの全面に対する処理液による処理を均一化しかつ効率化することが可能になることが分かる。

【0027】

（第３の実施形態）
図１５は第３の実施形態の基板処理装置を一部断面で示す正面図である。図１５に示す基板処理装置１は、第１の実施形態の基板処理装置１と同様に、複数の基板Ｗを一括して処理液で処理するバッチ式処理装置であって、処理液を貯留する処理槽１０と、処理槽１０に貯留された処理液内に位置するように配置され、処理液に流れが生じるように移動する移動体２０と、移動体２０を移動させる移動機構３０とを具備している。以下においては、図１５に示す第３の実施形態の基板処理装置１の図１に示す第１の実施形態の基板処理装置１との違いについて、主として説明する。なお、図１５に示す基板処理装置１の図１に示す基板処理装置１との同一部分については、一部説明を省略する。

【0028】

図１５に示す基板処理装置１の処理槽１０は、処理液を貯留すると共に、処理液で処理される複数の基板Ｗが第１方向Ｄ１に沿って配列された状態で収容される第１領域Ａ１と、第１領域Ａ１と第３方向Ｄ３（上下方向）に沿って並んで設けられた第２領域Ａ２と、第１領域Ａ１と第２領域Ａ２との間に処理液が移動可能なように設けられた第３領域Ａ３とを備えている。第２領域Ａ２は第１領域Ａ１の下側近傍に配置されている。第１領域Ａ１と第２領域Ａ２との間に、仕切り板等は設けられておらず、第１領域Ａ１と第２領域Ａ２との間が第３領域Ａ３とされている。

【0029】

第２領域Ａ２には、処理液内に位置するように第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２に沿って第１領域Ａ１の下側に板状の移動体２０が配置されている。移動体２０は、板状体の４隅に設けられた駆動軸２２を介して移動機構３０に接続されている。板状体の４隅に設けられた駆動軸２２に代えて、移動体２０は板状体の一辺に設けられた板状の駆動体を有していてもよい。移動機構３０は、処理液内に配置された移動体２０を上下方向（第３方向Ｄ３）に移動させ、移動体２０の動きにより処理液に流れを生じさせるものである。移動体２０は、例えば板状体により構成されており、その板面が複数の基板Ｗの配列に対向するように、第１方向Ｄ１に延伸している。このような板状の移動体２０を処理液内で上下方向（第３方向Ｄ３）に反復移動させることによって、処理液に移動体２０の移動に応じて流れが生じる。

【0030】

このように、第２領域Ａ２の処理液内に配置した移動体２０を上下方向に反復移動させることによって、複数の基板Ｗを配置した第１領域Ａ１内に処理液の上向きの流れと下向きの流れを順に生じさせることができる。図１６は図１５に示す基板処理装置１における処理液の流れの数値解析結果を示す図である。図１６に示すように、基板Ｗの基板面の広範囲に対して同一方向に処理液の流れが生じることが分かる。このような処理液の流れを基板Ｗの基板面に対して生じさせることによって、基板Ｗの全面に対する処理液による処理を均一化しかつ効率化することが可能になる。

【0031】

図１７は図１５に示す基板処理装置１を用いた際の処理液の流速分布を示している。図１８は図１５に示す基板処理装置１を用いた際の反応生成物であるシリカの濃度分布を示している。図１７及び図１８は処理液としてリン酸を用いた際の処理液の流速分布と反応生成物であるシリカの濃度分布を示している。図１７に示すように、実施形態の基板処理装置１を用いた場合、処理液の流速のバラツキが小さく、部分的に流速が速い部分や遅い部分の生じる割合が小さいことが分かる。さらに、図１８に示すように、実施形態の基板処理装置１を用いた場合、反応生成物であるシリカの濃度分布のバラツキも小さい。これらによって、実施形態の基板処理装置１によれば、基板Ｗの全面に対する処理液による処理を均一化しかつ効率化することが可能になることが分かる。

【0032】

図１５に示した基板処理装置１においては、複数の基板Ｗを第１方向Ｄ１に配列された状態で第１領域Ａ１に収容しているが、複数の基板Ｗの配列方向は第２方向Ｄ２であってもよい。すなわち、図１５に示した基板処理装置１において、複数の基板Ｗを９０度回転させた状態で配置してもよい。このように、図１５に示した基板処理装置１において、処理液は下から上に向かって流れると共に、上から下に向かって流れるため、複数の基板Ｗの配列方向は第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２のいずれであっても、処理液の流速のバラツキ及び反応生成物であるシリカの濃度分布のバラツキを小さくすることができる。

【0033】

なお、上述した各実施形態の構成は、それぞれ組合せて適用することができ、また一部置き換えることも可能である。ここでは、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図するものではない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施し得るものであり、発明の要旨を逸脱しない範囲において、種々の省略、置き換え、変更等を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同時に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。

【符号の説明】

【0034】

１…基板処理装置、１０…処理槽、１１…リフター、１４…オーバーフロー部、１５…循環ポンプ、２０…移動体、２１…仕切り板、２２…駆動軸、３０…移動機構。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】