特開 2024-129285 振動素子の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024129285

(43)【公開日】2024-09-27

(54)【発明の名称】振動素子の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H03H 3/04 20060101AFI20240919BHJP

   H03H 3/007 20060101ALI20240919BHJP

【ＦＩ】

H03H3/04 B

H03H3/007 M

【審査請求】未請求

【請求項の数】9

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023038387

(22)【出願日】2023-03-13

(71)【出願人】

【識別番号】000002369

【氏名又は名称】セイコーエプソン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100179475

【弁理士】

【氏名又は名称】仲井 智至

(74)【代理人】

【識別番号】100216253

【弁理士】

【氏名又は名称】松岡 宏紀

(74)【代理人】

【識別番号】100225901

【弁理士】

【氏名又は名称】今村 真之

(72)【発明者】

【氏名】大西 一

【テーマコード（参考）】

5J108

【Ｆターム（参考）】

5J108AA02

5J108BB01

5J108CC06

5J108EE03

5J108KK05

5J108MM08

5J108NA03

5J108NB05

(57)【要約】

【課題】振動部に予め調整膜を形成することなく振動素子の共振周波数を調整可能な技術の提供
【解決手段】振動素子を準備する工程と、第１面と前記第１面の裏面である第２面とを有し、エネルギー線を透過する透過基板を準備する工程と、前記第１面に質量調整物質を含む複数のドットを形成する工程と、前記透過基板の前記第１面側を前記振動素子に向けて配置する工程と、前記第２面側から前記エネルギー線を少なくとも一つの前記ドットに照射して前記質量調整物質を前記振動素子に転写し、前記振動素子の共振周波数を調整する工程と、を含む製造方法で振動素子を製造する。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

振動素子を準備する工程と、
第１面と前記第１面の裏面である第２面とを有し、エネルギー線を透過する透過基板を準備する工程と、
前記第１面に質量調整物質を含む複数のドットを形成する工程と、
前記透過基板の前記第１面側を前記振動素子に向けて配置する工程と、
前記第２面側から前記エネルギー線を少なくとも一つの前記ドットに照射して前記質量調整物質を前記振動素子に転写し、前記振動素子の共振周波数を調整する工程と、
を含む振動素子の製造方法。

【請求項2】

前記ドットは、インクジェット法によって形成される、
請求項１に記載の振動素子の製造方法。

【請求項3】

前記ドットに含まれる前記質量調整物質の質量は、一つの前記ドットによって前記振動素子に与える共振周波数の変化幅に基づいて決定される、
請求項１または請求項２に記載の振動素子の製造方法。

【請求項4】

質量が異なる複数の前記ドットが前記第１面に形成される、
請求項１または請求項２に記載の振動素子の製造方法。

【請求項5】

複数の前記ドットは、質量毎に前記第１面に配列される、
請求項４に記載の振動素子の製造方法。

【請求項6】

前記振動素子は、基部と、前記基部から延出した複数の振動腕を含み、
前記質量調整物質は、前記振動腕の前記基部とは反対側の先端部に転写される、
請求項１または請求項２に記載の振動素子の製造方法。

【請求項7】

質量が異なる複数の前記ドットが前記第１面に形成され、
質量が最も小さい前記ドットは、前記振動腕の前記先端部における前記基部側に転写され、
質量が最も大きい前記ドットは、前記振動腕の前記先端部における前記基部側とは反対側に転写される、
請求項６に記載の振動素子の製造方法。

【請求項8】

前記振動素子の共振周波数は真空中で調整される、
請求項１または請求項２に記載の振動素子の製造方法。

【請求項9】

前記振動素子の共振周波数を調整する工程の後に、
前記エネルギー線を照射して、前記振動素子に転写された前記質量調整物質の少なくとも一部を除去する工程を含む、
請求項１または請求項２に記載の振動素子の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、振動素子の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

従来、振動素子の質量を調整することによって振動素子の共振周波数を調整する技術が知られている。例えば、特許文献１には、振動部に酸化モリブデンからなる調整膜を形成し、レーザーによって、調整膜のうち少なくとも一部を除去することによって共振子の共振周波数を調整する技術が開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特許６７７８４０７号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

上述の従来技術においては、振動部に予め形成された調整膜を除去することによって共振周波数が調整される。従って、所望の共振周波数に調整するためには、除去される調整膜を見越して、所望の共振周波数となる調整膜の量よりも多くなるように予め調整膜を形成しておく必要がある。このため、除去される調整膜が必ず発生し、材料が無駄になる。

【課題を解決するための手段】

【0005】

上記課題を解決するための一実施形態としての振動素子の製造方法は、振動素子を準備する工程と、第１面と前記第１面の裏面である第２面とを有し、エネルギー線を透過する基板を準備する工程と、前記第１面に質量調整物質を含む複数のドットを形成する工程と、前記第１面側を前記振動素子に向けて配置する工程と、前記第２面側から前記エネルギー線を少なくとも一つの前記ドットに照射して前記質量調整物質を前記振動素子に転写し、前記振動素子の共振周波数を調整する工程と、を含む。

【図面の簡単な説明】

【0006】

【図1】実施形態に係る振動子の構成を示す概略平面図。

【図2】振動子の構成を示す図１のＡ－Ａ断面図。

【図3】振動子の製造方法を示す工程フローチャート。

【図4】ドットを形成するための装置を説明するための図。

【図5】透過基板に形成されたドットを示す図。

【図6】データベースの例を示す図。

【図7】ドットを転写するための装置を説明するための図。

【図8】周波数調整処理のフローチャート。

【図9】振動素子に転写されたドットを説明するための図。

【発明を実施するための形態】

【0007】

以下、本発明を具体化した実施形態について、図面を参照して説明する。なお、以下での説明例は、本発明の一実施形態であって、本発明を限定するものではない。また、本実施形態で説明される構成の全てが、本発明の必須構成要件であるとは限らない。また、以下の各図においては、説明を分かりやすくするため、実際とは異なる尺度で記載している場合がある。

【0008】

（実施形態）
まず、実施形態に係る振動子１について、図１および図２を参照して説明する。図１は、実施形態に係る振動子１の構成を示す概略平面図である。図２は、図１に示すＡ－Ａ線における概略断面図である。なお、図１に示す概略平面図は、概略形状が直方体である振動子１の最も広い面に垂直な方向から振動子１を見た状態を示している。また、図１においては、振動子１の内部の構成を説明する便宜上、リッド５を取り外した（透視した）状態を図示している。

【0009】

本実施形態に係る振動子１においては、図１に示すように、内部にＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）素子である振動素子２０が形成されている。振動子１は、ベースとしてのＳＯＩ（Silicon on Insulator）基板１０と、振動素子２０を気密封止し内封可能な蓋体としてのリッド５と、を含み構成されている。振動素子２０は、三つの振動腕２２を含み、隣り合う振動腕２２を逆相で振動させる振動素子として機能する。

【0010】

蓋体として機能するリッド５は、直方体状の基板５ａと基板５ａに接合された枠状の基板５ｂとを含む。基板５ａおよび基板５ｂの外周は、図１に示す平面視においてＳＯＩ基板１０の外周と同様の形状である。本実施形態において、基板５ａは、ガラスやシリコン等で構成され、基板５ｂは、厚さ５０μｍ程度の単結晶シリコン等で構成されている。基板５ｂは、図１のように振動子１を見た場合の外縁に沿った枠状をなし、枠の内側が振動素子２０を収容するキャビティー７として機能する。

【0011】

リッド５のキャビティー７は、基板５ａと基板５ｂとによって形成される凹形状の空間であり、ＳＯＩ基板１０側に開口している。リッド５は、キャビティー７が設けられた側の面をＳＯＩ基板１０側に向けた状態、すなわち、基板５ｂがＳＯＩ基板１０の振動素子２０を囲む状態でＳＯＩ基板１０に接合されている。

【0012】

ＳＯＩ基板１０は、図２に示すように、シリコン層１１と、ＢＯＸ（Buried Oxide）層１２と、表面シリコン層１３とが、この順で積層された基板である。例えば、シリコン層１１および表面シリコン層１３は、単結晶シリコンで構成され、ＢＯＸ層１２は、酸化ケイ素層（ＳｉＯ₂等）で構成される。

【0013】

ＳＯＩ基板１０には、表面シリコン層１３のシリコンで構成された振動素子２０と、表面シリコン層１３上に形成された電極パッド５０と、振動素子２０を駆動するための素子電極と電極パッド５０とを接続する複数の配線４６（図２参照、図１では図示せず）と、電極パッド５０と接続しリッド５とは反対側の外面１１ｒに電極を引き出す第１の配線電極５８と、第１の配線電極５８を形成するための第１の配線用貫通孔５２と、リッド５のキャビティー７およびＳＯＩ基板１０に形成されたキャビティー８により構成される内部空間を気密封止するための貫通孔と、が配設されている。貫通孔は、第１の孔部６２および第１の孔部６２に連通する第２の孔部６４と、第１の孔部６２と第２の孔部６４との連通部を塞ぐ封止部（不図示）とを含み構成されている。

【0014】

そして、リッド５の枠状の基板５ｂは、キャビティー７およびキャビティー８により構成される内部空間に振動素子２０を収容するように、ＳＯＩ基板１０の表面シリコン層１３に、シリコン－シリコンの直接接合によって接合され、振動子１が構成される。

【0015】

振動素子２０は、ＢＯＸ層１２によって支持された基部２１と、ＢＯＸ層１２が除去された領域上において、基部２１以外の周囲のシリコンから分離された複数の振動腕２２と、を有している。本実施形態で例示する振動素子２０は、並行するように配置されている三つの振動腕２２を有しており、図１に示す平面視において振動腕２２は、基部２１から第１の孔部６２の逆方向に延出している。振動腕２２とシリコン層１１との間、振動腕２２と表面シリコン層１３との間、および振動腕２２同士の間には、内部空間を構成するキャビティー８が設けられている。また、振動素子２０（振動腕２２）のリッド５側の面には、シリコン酸化膜である素子調整層３０と、素子調整層３０の少なくとも一部を覆う圧電駆動部４０と、が設けられている。

【0016】

素子調整層３０は、振動腕２２の共振周波数の温度特性を補正するために設けられている。シリコンは、温度が高くなるにつれて低下する共振周波数を有しており、一方、シリコン酸化膜は、温度が高くなるにつれて上昇する共振周波数を有している。従って、シリコンの振動素子２０上にシリコン酸化膜である素子調整層３０を配設することにより、振動素子２０の振動腕２２と素子調整層３０とで構成される複合体の共振周波数の温度特性をフラットに近付けることができる。

【0017】

振動腕２２に設けられている圧電駆動部４０は、第１の保護膜４１と、第１の電極４２と、圧電体としての圧電体層４３と、第２の電極４４と、を含んでいる。なお、本実施形態において、第１の電極４２および第２の電極４４は、圧電体としての圧電体層４３の表面に設けられている電極（素子電極）に相当する。詳細に、第１の電極４２は、圧電体層４３の第１の保護膜４１側の表面に配設され、第２の電極４４は、圧電体層４３の第１の保護膜４１と反対側の表面に配設されている。また、ベースとしてのＳＯＩ基板１０の表面シリコン層１３と一体に構成されている基部２１（図１参照）および振動腕２２と、第１の電極４２と、圧電体としての圧電体層４３と、第２の電極４４とを含む振動素子２０の構成が振動体に相当する。

【0018】

第１の保護膜４１は、不純物がドープされていないポリシリコンで構成されているが、アモルファスシリコンで構成されてもよい。また、第１の保護膜４１は、ポリシリコンとアモルファスシリコンの積層膜であってもよい。本実施形態において、第１の保護膜４１は、振動素子２０上に配設されている素子調整層３０を覆うように設けられている。このように、第１の保護膜４１と振動素子２０との間に素子調整層３０があることによって、第１の保護膜４１が、圧電駆動部４０の周囲のシリコン酸化膜のエッチングから素子調整層３０を保護することができる。

【0019】

第１の電極４２および第２の電極４４は、圧電体層４３を挟むように配設されている。本実施形態に示す例においては、三つの振動腕２２に対応して、３組の第１の電極４２、圧電体層４３および第２の電極４４が配設されている。

【0020】

複数の配線４６は、隣り合う振動腕２２を逆相で振動させるように、第１の電極４２および第２の電極４４に電気的に接続されている。また、複数の配線４６は、電極パッド５０と電気的に接続されており、２つの電極パッド５０間に第１の配線電極５８や不図示の配線電極を介して外部から電圧を印加することにより、隣り合う振動腕２２を逆相で振動させることができる。

【0021】

なお、これらを構成する材料としては、例えば、圧電体層４３は、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）等で構成され、第１の電極４２および第２の電極４４は、窒化チタン（ＴｉＮ）等で構成され、複数の配線４６および電極パッド５０は、アルミニウム（Ａｌ）または銅（Ｃｕ）等で構成されている。

【0022】

振動子１は、２つの電極パッド５０を介して、第１の電極４２と第２の電極４４との間に電圧が印加されると、それによって圧電体層４３が伸縮して振動腕２２が振動する。その振動は、固有の共振周波数において大きく励起されて、インピーダンスが最小となる。その結果、この振動子１は、発振回路に接続することで、主に振動腕２２の共振周波数によって決定される発振周波数で発振する。

【0023】

第１の配線用貫通孔５２は、図１に示すように、平面視で、リッド５のキャビティー７の領域で、振動素子２０の幅方向の両側に一つずつ配設され、表面シリコン層１３の電極パッド５０と重なる位置に配設されている。

【0024】

電極パッド５０は、平面視で、第１の配線用貫通孔５２と重なる位置において、配線４６を介して第１の配線電極５８と電気的に接続されるよう配設されている。また、電極パッド５０は、第１の配線用貫通孔５２と重ならない位置では、表面シリコン層１３上に素子調整層３０、第１の保護膜４１および配線４６を介して配設されている。このような構成により、電極パッド５０と第１の配線電極５８とが電気的に接続され、第１の電極４２および第２の電極４４を、シリコン層１１の振動素子２０が形成されている側とは反対側の外面１１ｒに引き出すことができる。なお、第１の配線電極５８を構成する材料としては、チタニウム（Ｔｉ）やタングステン（Ｗ）や銅（Ｃｕ）等で構成されている。また、第１の配線電極５８は、メッキ法により形成されたメッキ層によって構成されている。

【0025】

リッド５のキャビティー７とＳＯＩ基板１０のキャビティー８とにより構成される内部空間を気密封止するための封止孔として機能する貫通孔は、シリコン層１１および酸化膜としてのＢＯＸ層１２を貫通する第１の孔部６２と、表面シリコン層１３を貫通して第１の孔部６２に連通する第２の孔部６４と、を含み構成されている。

【0026】

貫通孔は、平面視で、リッド５のキャビティー７の領域で、基部２１に対して振動腕２２が設けられている側と反対側に配設されている。貫通孔を構成する第１の孔部６２は、表面シリコン層１３に設けられている第２の孔部６４と重なる位置に配設されている。また、貫通孔を構成する第１の孔部６２は、第２の孔部６４に連通するようにシリコン層１１およびＢＯＸ層１２に配設されている。

【0027】

第１の孔部６２は、シリコン層１１の外面１１ｒからシリコン層１１およびＢＯＸ層１２を貫通している。第１の孔部６２によって外面１１ｒ側と反対側に開口する開口部には、第１の孔部６２と第２の孔部６４との連通部となる表面シリコン層１３の裏面が対向している。第１の孔部６２は、表面シリコン層１３の内部空間側（キャビティー７側）と第２の孔部６４とが連通されるように表面シリコン層１３を貫通している。

【0028】

貫通孔は、第１の孔部６２と第２の孔部６４との連通部となる表面シリコン層１３の裏面側から第２の孔部６４にかけて配設される封止膜や封止材の充填などによる封止部（不図示）によって封止されている。これにより、キャビティー７およびキャビティー８により構成される内部空間を気密に封止することができる。

【0029】

なお、振動子１を構成するベースとしてのＳＯＩ基板１０は、ガラス基板とすることもできる。この場合、ベースとしてのガラス基板は、ＳＯＩ基板１０のシリコン層１１に相当するガラス層と、ＳＯＩ基板１０のＢＯＸ（Buried Oxide）層１２に相当する酸化ケイ素層（ＳｉＯ₂等）と、ＳＯＩ基板１０の表面シリコン層１３に相当し、振動素子２０を構成する表面ガラス層によって構成することができる。ここで、ベースとしてガラス基板を用いた場合におけるリッド５との接合は、陽極接合、もしくは直接接合を適用することができる。

【0030】

（振動素子の製造方法）
以上の構成に係る本実施形態においては、振動素子２０の重量を調整することによって振動素子２０の共振周波数を調整することが可能である。以下においては、当該共振周波数の調整を含む振動素子２０の製造方法を説明する。図３は、振動素子２０の製造方法を示すフローチャートである。

【0031】

振動素子２０の製造方法が開始されると、まず、ウエハにベースとしてのＳＯＩ基板１０が形成され、当該ＳＯＩ基板１０の一方面側に振動体としての振動素子２０が形成される（ステップＳ１０）。当該ステップＳ１０が実施されると、振動素子２０が準備された状態となる。具体的には、シリコン層１１と、ＢＯＸ層１２と、表面シリコン層１３とが、この順で積層されたＳＯＩ基板１０が形成され、さらに、表面シリコン層１３に振動腕２２を含む振動素子２０の外形形状が形成される。そして、振動腕２２に圧電体層４３が形成され、圧電体層４３の表面に第１の電極４２および第２の電極４４が形成される。以上の形成工程は、公知の技術によって実現可能であり、例えば、特開２０２０－３６０６３号公報に開示された各工程と同様の工程で実現可能である。

【0032】

一方、ステップＳ１０と並行して、または、ステップＳ１０の前後のいずれかにおいて透過基板にドットが形成される（ステップＳ１５）。ドットの形成に先立ち、透過基板が準備される。図４は、ドットを形成するための装置と透過基板１３０との関係を示す図である。本実施形態において、透過基板１３０は、板状の部材であり、最も広い２つの面は、ドットＤｔが形成される第１面１３０ａと、当該第１面の裏面である第２面１３０ｂを構成する。透過基板１３０は、振動素子２０の製造に用いられる基板であり、エネルギー線を透過する基板である。本実施形態においてエネルギー線はレーザーであり、透過基板１３０は光透過性（透光性）を有するガラス基板である。

【0033】

透過基板１３０が透過させる光の波長は、用いられるレーザーの波長を含めば良く、例えば、可視光領域（波長：３５０ｎｍ～７００ｎｍ）、近赤外光領域（波長：７００ｎｍ～２．５μｍ）、中赤外光領域（波長：２．５μｍ～４μｍ）、遠赤外光領域（波長：４μｍ～１０００μｍ）等が挙げられる。厚さは任意であるが、例えば、厚さ１００μｍ程度の光透過性（透光性）を有するガラス、所謂透明ガラスで構成可能である。このように、光透過性を有する基板としてガラスを用いることにより、容易に入手可能であり、且つ低コストの基板とすることができる。透過基板１３０は、各種の透過材料で構成されて良く、例えばサファイア基板（サファイアガラス基板）、水晶基板、もしくはアクリル基板（アクリルガラス基板）などを適用することができる。

【0034】

本実施形態においては、インクジェット法によって第１面１３０ａにドットが形成される。本実施形態において、ドットは質量調整物質を含んでいる。また、透過基板１３０の第１面１３０ａには、質量が異なる複数のドットが形成される。なお、質量調整物質は、振動素子２０の質量を調整することができる物質であり、例えば、銀等の金属、各種の合金、酸化物等を用いることができる。

【0035】

図４においては、透過基板１３０にドットを形成するための装置の概略も示されている。本実施形態においては、ドット形成のためのインクジェット印刷装置１００と、透過基板１３０またはインクジェット印刷装置１００を移動させるための移動制御部１１０が用いられる。本例においては、透過基板１３０が、図示しないＸ－Ｙステージに取り付けられる。移動制御部１１０は、Ｘ－Ｙステージに取り付けられた透過基板１３０を２次元的に移動させることができる。また、移動制御部１１０は、Ｘ－Ｙステージでの移動と同期させてインクジェット印刷装置１００を制御し、図示しないノズルから質量調整物質を含む記録材を吐出させることができる。なお、移動制御部１１０は、インクジェット印刷装置１００を移動させてもよいし、インクジェット印刷装置１００とＳＯＩ基板１０との双方を移動させても良い。

【0036】

本実施形態においては、図４に示すように、透過基板１３０の第１面１３０ａがインクジェット印刷装置１００側になるように、Ｘ－Ｙステージにセットされる。従って、インクジェット印刷装置１００のノズルから透過基板１３０に向けて吐出された記録材は、第１面１３０ａに印刷される。本実施形態において、記録材は、質量調整物質と溶媒と分散剤とを含んでいる。従って、記録材が透過基板１３０の第１面１３０ａに印刷され、溶媒および分散剤が揮発すると第１面１３０ａ上にドットＤｔが形成される。なお、本実施形態においてインクジェット印刷装置１００によるドットの形成は大気中で実施されるが、アルゴン雰囲気などでもよく、大気圧と同等の環境で実施されて良い。

【0037】

本実施形態において、ドットＤｔは、透過基板１３０の第１面１３０ａにおいて、質量毎に配列される。図５は、ドットＤｔが形成された透過基板１３０を第１面１３０ａ側から見た場合の例を示す図である。図５においては、透過基板１３０に複数の径のドットＤｔｌ，Ｄｔｍ，Ｄｔｓが形成されている例を示している。各ドットＤｔｌ，Ｄｔｍ，Ｄｔｓにおいては、ドットに含まれる質量調整物質の質量が異なっている。以下、ドットＤｔｌを大ドット、ドットＤｔｍを中ドット、ドットＤｔｓを小ドットと呼ぶ。

【0038】

各ドットに含まれる質量調整物質の質量は、大ドットＤｔｌ＞中ドットＤｔｍ＞小ドットＤｔｓである。このようなドット径の大きさの調整は、例えば、インクジェット印刷装置１００が備えるピエゾ素子の駆動電圧を調整することによって実現可能である。また、ピエゾ素子の駆動電圧を調整することで、大ドットＤｔｌ，中ドットＤｔｍ，小ドットＤｔｓの径の大きさを微調整することも可能である。

【0039】

本実施形態において複数のドットは、質量毎に第１面１３０ａに配列される。例えば、図５に示す例であれば、ドットに含まれる質量調整物質の質量が最も大きい大ドットＤｔｌは、透過基板１３０の長さ方向に３個、幅方向に６個並べて配列されている。質量調整物質の質量が２番目に大きい中ドットＤｔｍは、透過基板１３０の長さ方向に３個、幅方向に９個並べて配列されている。質量調整物質の質量が最も小さい小ドットＤｔｓは、透過基板１３０の長さ方向に４個、幅方向に１２個並べて配列されている。また、本実施形態においては、透過基板１３０の先端側から反対側に向けて大ドットＤｔｌ，中ドットＤｔｍ，小ドットＤｔｓの順に配列されている。

【0040】

本実施形態においては、透過基板１３０に形成されたドットＤｔに含まれる質量調整物質が振動素子２０に対して転写されることによって、振動素子２０の共振周波数が調整される。すなわち、質量調整物質によって振動素子２０の質量が調整されることによって振動素子２０の共振周波数が調整される。このため、透過基板１３０に形成されるドットＤｔに含まれる質量調整物質の質量は、一つのドットＤｔによって振動素子２０に与える共振周波数の変化幅に基づいて決定される。

【0041】

具体的には、ドットＤｔに含まれる質量調整物質の質量に対応した共振周波数の変化幅、共振周波数の変化幅の代表値が特定され、図示しない記憶媒体にデータベースとして登録されている。図６は、データベースの構成例を示す図である。図６に示すデータベースにおいては、ドットＤｔの質量に対して、当該ドットＤｔが振動素子２０に形成されることによる共振周波数の変化幅が対応付けられている。本例において、ドットＤｔの質量は、大ドットＤｔｌの質量Ｗｌ，中ドットＤｔｍの質量Ｗｍ、小ドットＤｔｓの質量Ｗｓの３種類である。各質量に対して、共振周波数の変化幅が対応付けられる。例えば、質量Ｗｌのドットを振動素子２０に形成すると、振動素子２０の共振周波数はΔｆｌだけ変化する。

【0042】

なお、振動素子２０に転写される質量調整物質の位置が異なると共振周波数の変化幅が異なり得る。このため、データベースにおいては、ドットの質量と、質量調整物質が振動素子２０に転写される位置と、の組合せに対して共振周波数の変化幅が対応付けられていても良い。この場合、後述の共振周波数の調整工程において、ドットの質量および位置が選択され、質量調整物質が振動素子２０に対して転写される。この構成によれば、より詳細に共振周波数を調整することができる。

【0043】

図５に示す例は一例であり、任意のドットが任意の位置に形成され得る構成であっても良い。また、大ドット、中ドット、小ドット等の区別がなくドットの質量が変化する様に構成されていても良いし、ドットの種類はより多数であっても良いし、少数であっても良い。なお、本実施形態においては、質量調整物質が透過基板１３０から振動素子２０に転写されることにより、当該ドットＤｔに含まれる質量調整物質の質量と同じだけ振動素子２０の質量が増加するため、ドットの形成により共振周波数は小さくなる。但し、図６において共振周波数の変化幅は、変化の大きさを示す正の値としてデータベース化される。

【0044】

ステップＳ１０における振動素子２０の形成工程およびステップＳ１５におけるドットの形成工程が終了すると、透過基板１３０とウエハとが対向した状態で真空槽内に設置される（ステップＳ２０）。ここで、透過基板１３０とウエハとが対向した状態とは、透過基板１３０上に形成されたドットＤｔが振動素子２０の振動腕２２に向いた状態である。

【0045】

図７は、ＳＯＩ基板１０と、レーザー光学系２００と、ＳＯＩ基板１０を移動させる移動制御部２１０と、の関係を模式的に示す図である。ステップＳ１０における振動素子２０の形成工程が終了すると、例えば、図２に示す断面図において、リッド５が接合されていない状態となる。図７においては、振動素子２０の形成工程が終了することによって得られた、リッド５が接合されていない振動子１の概略断面図を示している。図７においては、振動子１の一部を図１に示すＢ－Ｂ線で切断した状態の振動子１の概略断面図で示している。但し、図７における振動素子２０の断面図は概略図であり、例えば、圧電駆動部４０は省略されている。以上のようにして形成された振動素子２０において、振動腕２２にはシリコン層１１側を向いた面とシリコン層１１と反対側を向いた面とが存在する。本実施形態においては、シリコン層１１と反対側の面を第１面２２ａ、シリコン層１１側の面を第２面２２ｂと呼ぶ。

【0046】

なお、振動素子２０はウエハに形成されるため、複数の振動子１が備える振動素子２０が同時に形成される。すなわち、ＳＯＩ基板１０は、ウエハに複数個形成される。本実施形態においては、ウエハ上で特定の方向にＳＯＩ基板１０が複数個並び、さらに、当該特定の方向に垂直な方向にもＳＯＩ基板１０が複数個並ぶように形成される。従って、ＳＯＩ基板１０は、ウエハ上で格子状に並ぶ。図７においては、複数個存在するＳＯＩ基板１０の中の１個を模式的に示している。

【0047】

ＳＯＩ基板１０が形成されたウエハと、透過基板１３０とは、真空槽２２１内に設置される。すなわち、真空槽２２１には、図示しないウエハの保持部と透過基板１３０の保持部とが設けられている。本実施形態においては、透過基板１３０の第１面１３０ａが振動素子２０に向くように、透過基板１３０およびウエハが真空槽２２１内に配置され、保持される。真空槽２２１内に透過基板１３０およびＳＯＩ基板１０が保持されると、図示しない真空ポンプによって真空槽２２１内が真空引きされる。真空槽２２１においては、レーザー光学系２００とＳＯＩ基板１０との間に位置する面の少なくとも一部が透過材料２２１ａ（例えばガラス）で構成されている。

【0048】

レーザー光学系２００は、透過材料２２１ａを透過するレーザーを出力する光学系である。ＳＯＩ基板１０が形成されたウエハ、透過基板１３０は、図示しない移動機構に取り付けられる。移動制御部２１０は、レーザー光学系２００から出力されたレーザーが透過基板１３０に形成された任意のドットに照射されるように、レーザー光学系２００と透過基板１３０との相対位置関係を制御することができる。また、移動制御部２１０は、レーザーが照射されたドットが揮発し、質量調整物質が所望の振動素子２０に転写されるように、透過基板１３０とウエハとの相対位置関係を制御することができる。移動制御部２１０は、ウエハ、透過基板１３０およびレーザー光学系２００の少なくとも一つを移動させることによって、任意のドットにレーザーを照射可能であり、任意の振動素子２０に質量調整物質を転写することができればよい。ここでは、レーザー光学系２００および透過基板１３０の位置が固定された状態で、ウエハが移動される例を説明する。

【0049】

真空槽２２１内に透過基板１３０およびウエハが設置され、真空引きが完了すると、スタート列の処理位置にウエハが移動され（ステップＳ３０）、周波数調整処理（ステップＳ４０）が行われる。本実施形態にかかるウエハおいては、２次元方向に並ぶ複数のＳＯＩ基板１０が格子状に配列されている。本実施形態においては、複数のＳＯＩ基板１０が並ぶ格子の一方向を行方向、行方向に直交する方向を列方向としたとき、一行毎または一列毎に周波数調整が行われる。周波数調整処理の詳細は後述する。

【0050】

本明細書では、一列毎に周波数調整が行われる例が想定されており、行方向において最も端に位置する列が最初に処理されるスタート列であり、１列の処理が終了すると処理対象が順次隣の列に移動し、逆側の列まで処理が行われる。そこで、ステップＳ３０においては、スタート列に存在する振動素子２０を調整するための初期位置に透過基板１３０が配置されるように移動制御部２１０によってウエハが移動される。

【0051】

次に、ステップＳ４０において、処理対象の列に存在する振動素子２０の周波数調整処理が行われる。処理対象の列に存在する振動素子２０の周波数調整処理が行われると、全ての列の調整が終了したか否か判定される（ステップＳ５０）。ステップＳ５０において、全ての列の調整が終了したと判定されない場合、次の列の処理位置にウエハが移動される（ステップＳ６０）。すなわち、次に処理対象となる列に存在する振動素子２０を調整するための初期位置に透過基板１３０が配置されるように移動制御部２１０によってウエハが移動される。そして、当該列を処理対象として、ステップＳ４０の周波数調整処理が行われる。

【0052】

ステップＳ５０において、全ての列の調整が終了したと判定された場合、ウエハが真空槽２２１から取り出され（ステップＳ７０）、振動素子２０が封入される（ステップＳ８０）。振動素子２０の封入は、リッド５の形成、接合、振動子１の内部空間の真空引き、封止を含む。具体的には、基板５ａに基板５ｂが接合され、基板５ａに接合された基板５ｂが枠状にエッチングされることによってリッド５が形成される。リッド５の形成工程は、公知の技術によって実現可能であり、例えば、特開２０２０－３６０６３号公報に開示された各工程と同様の工程で実現可能である。

【0053】

リッド５が形成されると、リッド５を構成する枠状の基板５ｂの枠内（キャビティー７）に振動素子２０が配置された状態で、基板５ｂと表面シリコン層１３とが接合される。このときの接合は、ＳＯＩ基板１０の表面シリコン層１３と、リッド５を構成する枠状の基板５ｂとの、シリコン－シリコンの直接接合が適用される。

【0054】

リッド５が表面シリコン層１３に接合され、振動子１として一体化されると、振動子１の内部空間が真空引きされる。すなわち、図１に示す第１の孔部６２、第２の孔部６４を介して、図示しない減圧器等によって振動子１の内部空間が減圧され、既定の圧力以下とされる。その後、表面シリコン層１３の裏面側から第２の孔部６４にかけて配設される封止膜や封止材の充填などによって封止されている。これにより、キャビティー７およびキャビティー８により構成される内部空間が真空状態となって封止される。以上のようにして複数の振動子１が形成されると、各振動子１が切断されて複数の振動子１が完成する。

【0055】

次に、ステップＳ４０における周波数調整処理を説明する。図８は、周波数調整処理のフローチャートである。周波数調整処理が開始されると、処理対象の列内の振動素子２０の共振周波数ｆが測定される（ステップＳ４００）。すなわち、ＳＯＩ基板１０または振動素子２０に対して、図示しないプローブが電気的に接続され、各振動素子２０の共振周波数ｆが測定される。共振周波数ｆを測定するための回路は、公知の回路によって実現可能である。

【0056】

次に、所望の共振周波数ｆ０との差分が算出される（ステップＳ４０５）。すなわち、測定された共振周波数ｆと所望の共振周波数ｆ０との差分であるｆ－ｆ０が、振動素子２０のそれぞれについて算出される。なお、当該差分はｆ－ｆ０の絶対値である（以下同様）。次に、処理対象の列内に差分が閾値以上の振動素子２０が存在するか否か判定される（ステップＳ４１０）。ここで、閾値は、振動素子２０の共振周波数ｆが所望の共振周波数ｆ０と一致したと見なせるか否か判定するための値であり、予め決定される。

【0057】

ステップＳ４１０において、処理対象の列内に差分が閾値以上の振動素子２０が存在すると判定されない場合、処理対象の列内に存在する全ての振動素子２０の共振周波数ｆが所望の共振周波数ｆ０と一致していると見なされる。この場合、処理対象の列内に存在する振動素子２０について周波数調整を行う必要はない。このため、処理対象の列の周波数調整処理が終了し、図３に示すフローチャートに戻る。

【0058】

ステップＳ４１０において、処理対象の列内に差分が閾値以上の振動素子２０が存在すると判定された場合、差分が閾値以上の振動素子２０が調整対象の振動素子２０となる。次に、測定された共振周波数ｆが所望の共振周波数ｆ０より小さい振動素子２０が調整対象外に設定される（ステップＳ４１５）。本実施形態においては、透過基板１３０に形成されたドットＤｔにレーザーを照射し、質量調整物質を振動素子２０に転写することによって共振周波数ｆが調整される。振動素子２０の質量が大きくなるほど、共振周波数ｆは小さくなるため、本実施形態においては、振動素子２０に質量調整物質が転写されていない状態において、共振周波数ｆが所望の共振周波数ｆ０より大きくなるように設計されている。このため、設計通りであれば、振動素子２０に対して質量調整物質を転写させていくことで、共振周波数ｆが小さくなるように調整し、所望の共振周波数ｆ０に近づけることができる。

【0059】

しかし、転写前のステップＳ４１５において既に共振周波数ｆが所望の共振周波数ｆ０より小さい振動素子２０は、所望の共振周波数ｆ０に調整することができない。このような状況は通常発生しないが、振動素子２０の製造過程で不具合等が生じた場合に発生し得る。そこで、ステップＳ４１０において、調整対象とされた振動素子２０であっても、共振周波数ｆが所望の共振周波数ｆ０より小さくなっている振動素子２０は、調整対象から除外される。

【0060】

次に、列内の振動素子２０の全てについて調整が終了したか否か判定される（ステップＳ４２０）。すなわち、ステップＳ４１５の処理により、調整対象とされた振動素子２０が存在しなくなったか、または、ステップＳ４２０～Ｓ４６５のループ処理の過程で、振動素子２０の周波数調整が進み、調整対象の振動素子２０がなくなった場合、列内の振動素子２０の全てについて調整が終了したと判定される。ステップＳ４２０において、列内の振動素子２０の全てについて調整が終了したと判定された場合、処理対象の列の周波数調整処理が終了したことになるため、図３に示すフローチャートに戻る。

【0061】

一方、ステップＳ４２０において、列内の振動素子２０の全てについて調整が終了したと判定されない場合、列内の振動素子２０の一つが選択される（ステップＳ４２５）。すなわち、ステップＳ４３０～Ｓ４４５のループ処理の対象として選択されていない振動素子２０の中から一つの振動素子２０が選択される。次に、選択された振動素子２０の共振周波数ｆが所望の共振周波数ｆ０より大きいか否か判定される（ステップＳ４３０）。ステップＳ４３０において、選択された振動素子２０の共振周波数ｆが所望の共振周波数ｆ０より大きいと判定された場合、共振周波数ｆを小さくする調整が必要である。この場合、ドットＤｔにレーザーが照射され、質量調整物質が振動素子２０に転写されて質量が大きくなれば、共振周波数ｆが小さくなり、共振周波数ｆを共振周波数ｆ０に近づけることができる。

【0062】

そこで、共振周波数の差分ｆ－ｆ０に基づいて、レーザーの照射による転写対象のドットが特定される（ステップＳ４３５）。具体的には、図６に示すデータベースが参照されて、転写対象のドットが特定される。ドットを特定するための処理は、種々の処理であって良い。例えば、大ドットＤｔｌ，中ドットＤｔｍ，小ドットＤｔｓの中から任意の数のドットが選択され、選択されたドットによる共振周波数の変化幅の和が算出される。そして、当該和が差分ｆ－ｆ０に最も近くなるようにドットの数が特定される。

【0063】

図６に示す例において、例えば、振動素子２０にドットが転写されていない状態を想定する。この状態においてｆ－ｆ０がΔｆｌ＋Δｆｍ＋Δｆｓにほぼ等しい場合、大ドットＤｔｌ，中ドットＤｔｍ，小ドットＤｔｓが転写対象として特定される。

【0064】

一方、ステップＳ４３０において、選択された振動素子２０の共振周波数ｆが所望の共振周波数ｆ０より大きいと判定されない場合、共振周波数ｆが所望の共振周波数ｆ０より小さい状態である。従って、共振周波数ｆを大きくする調整が必要である。この場合、既に振動素子２０に形成されているドットＤｔにレーザーが照射され、質量調整物質が振動素子２０から除去されて質量が小さくなれば、共振周波数ｆが大きくなり、共振周波数ｆを共振周波数ｆ０に近づけることができる。

【0065】

そこで、共振周波数の差分ｆ－ｆ０に基づいて、レーザーの照射による除去対象のドットが特定される（ステップＳ４４０）。具体的には、図６に示すデータベースが参照されて、除去対象のドットが特定される。ドットを特定するための処理は、種々の処理であって良い。例えば、選択された振動素子２０に既に転写されたドットが特定される。なお、ここでは、透過基板１３０から振動素子２０に転写された質量調整物質もドットと呼ぶ。さらに、転写されたドットに含まれていた質量調整物質の質量に対応した共振周波数の変化幅が特定される。そして、共振周波数の変化幅の和が、差分ｆ－ｆ０に最も近くなるように、転写されたドットＤｔの組合せが特定される。

【0066】

図６に示す例において、例えば、振動素子２０に大ドットＤｔｌ，中ドットＤｔｍ，小ドットＤｔｓが一つずつ転写されている状態を想定する。この状態において、ｆ－ｆ０がΔｆｍ＋Δｆｓにほぼ等しい場合、中ドットＤｔｍ，小ドットＤｔｓの転写によって振動素子２０に形成されたドットが除去対象のドットとなる。

【0067】

次に、列内の振動素子２０の全てについて対象が特定されたか否か判定される（ステップＳ４４５）。すなわち、処理対象の列内に存在し、調整対象から除外されていない振動素子２０の全てについて、ステップＳ４３５において転写対象が特定されるか、または、ステップＳ４４０において除去対象が特定された場合、列内の振動素子２０の全てについて対象が特定されたと見なされる。ステップＳ４４５において、列内の振動素子２０の全てについて対象が特定されたと判定されない場合、ステップＳ４２５以降の処理が繰り返される。

【0068】

ステップＳ４４５において、列内の振動素子２０の全てについて対象が特定されたと判定された場合、転写対象および除去対象のドットにレーザーが照射される（ステップＳ４５０）。すなわち、ステップＳ４３５およびＳ４４０で特定された転写対象および除去対象にレーザーが照射される。

【0069】

具体的には、転写対象が特定された振動素子２０についての処理が行われる場合、透過基板１３０に形成してあるドットのうち、ステップＳ４３５において特定されたドットが振動素子２０に対向するように、移動制御部２１０がウエハを移動させる。そして、レーザー光学系２００からレーザーが出力され、第２面１３０ｂ側から当該ドットに照射される。この結果、レーザーが照射されたドットに含まれている質量調整物質が振動素子２０に転写される。同一の振動素子２０に対して複数のドットが転写される場合、移動制御部２１０は、各ドットを転写可能な位置にウエハを移動させ、レーザー光学系２００によってレーザーが照射される。

【0070】

本実施形態において、ドットは、振動腕２２の基部２１とは反対側の先端部に転写される。図９は、振動素子２０の振動腕２２における先端部２３を模式的に示す図である。図９に示されるように、透過基板１３０に形成されたドットは、振動素子２０に対して転写され、振動素子２０上で質量調整物質がドットを形成する。転写が行われる領域は、先端部２３である。

【0071】

さらに、本実施形態において、質量が最も小さいドットは、先端部２３における基部２１側に配置され、質量が最も大きいドットは、先端部２３における基部２１側とは反対側に配置される。このような構成は、例えば、先端部２３において、大ドットＤｌ用の領域２３ａ，中ドットＤｍ用の領域２３ｂ，小ドットＤｓ用の領域２３ｃが設けられており、各領域に各ドットが転写される構成によって実現可能である。なお、図９においては、領域２３ａ～２３ｃに転写可能なドットの最大数まで転写されている状態が示されている。しかし、実際には、ステップＳ４３５において特定されたドットが振動素子２０に転写されることになるため、多くの場合、転写されるドットの数はより少ない。

【0072】

除去対象が特定された振動素子２０についての処理が行われる場合、振動素子２０に対して質量調整物質が転写されて振動素子２０上に形成されたドットのうち、ステップＳ４４０において特定されたドットがレーザーの照射位置に配置されるように、移動制御部２１０がウエハを移動させる。そして、レーザー光学系２００からレーザーが出力され、振動素子２０上のドットに照射される。この結果、レーザーが照射されたドットに含まれている質量調整物質が振動素子２０から除去される。同一の振動素子２０から複数のドットが除去される場合、移動制御部２１０は、各ドットを除去可能な位置にウエハを移動させ、レーザー光学系２００によってレーザーが照射される。

【0073】

次に、調整対象の振動素子２０の共振周波数ｆが測定される（ステップＳ４５５）。すなわち、ＳＯＩ基板１０または振動素子２０に対して、図示しないプローブが電気的に接続され、調整対象の振動素子２０の共振周波数ｆが測定される。共振周波数ｆを測定するための回路は、公知の回路によって実現可能である。次に、所望の共振周波数ｆ０との差分が算出される（ステップＳ４６０）。すなわち、測定された共振周波数ｆと所望の共振周波数ｆ０との差分であるｆ－ｆ０が、振動素子２０のそれぞれについて算出される。

【0074】

次に、差分が閾値以下の振動素子２０が調整対象から除外される（ステップＳ４６５）。ここで、閾値は、ステップＳ４１０で用いられた閾値と同一である。すなわち、共振周波数ｆが所望の共振周波数ｆ０と一致したと見なせる場合、その振動素子２０は、調整対象から除外される。この後、ステップＳ４２０に戻り、処理が続けられる。すなわち、列内の振動素子の全てについて調整が終了するまで、ステップＳ４２５～Ｓ４６５の処理が繰り返される。むろん、この処理には例外が設けられていても良い。例えば、同一の振動素子２０に対して既定回数の転写および除去が行われても差分ｆ－ｆ０が閾値以下にならない場合には、当該振動素子２０を調整対象から除外する等の処理が行われてもよい。

【0075】

以上の構成によれば、振動素子２０に対して質量調整物質を転写させていくことによって、振動素子２０の共振周波数ｆを所望の共振周波数ｆ０に調整することができる。従って、振動素子２０に対して質量調整物質が付されていない状態から共振周波数の調整を開始することができる。このため、従来技術のように、予め過大な量の調整膜を振動素子２０に形成させておく必要はなく、質量調整物質の無駄が生じにくい。

【0076】

また、本実施形態において、透過基板１３０上のドットＤｔはインクジェット法によって形成される。インクジェット法は、極めて少量の記録材であっても正確に印刷することが可能である。このため、本実施形態によれば、所望の質量のドットを容易に形成することができる。

【0077】

さらに、本実施形態においては、透過基板１３０上に予め決められた質量のドットが形成されており、当該質量は、ドットの有無によって振動素子２０に与えられる共振周波数の変化幅に対応している。従って、本実施形態によれば、ドットの形成または除去により、正確に既定の変化幅で共振周波数を変化させることができ、効率的に周波数調整を行うことができる。また、透過基板１３０上に質量が異なる複数のドットが形成されることにより、振動素子２０の共振周波数の調整自由度を向上させることができ、正確な共振周波数の調整を行うことが容易になる。さらに、ドットは、透過基板１３０上に質量毎に配列されるため、容易に共振周波数の変化幅を選択可能であり、周波数調整が容易になる。

【0078】

さらに、本実施形態において、ドットは振動素子２０の振動腕２２の先端に形成される。ドットは、振動腕２２の基部側よりも先端側に形成された方が、ドットの有無による共振周波数の変化幅が大きくなる。従って、本実施形態においては、基部２１側にドットが形成される構成と比較して、効率的に共振周波数を変化させることが可能である。

【0079】

さらに、本実施形態においては、小ドットは大ドットよりも基部２１側に形成される。小ドットは、大ドットよりも質量が小さいため、小ドットの有無によって変化する共振周波数の変化幅は大ドットより小さい。また、ドットは、振動腕２２の先端側よりも基部２１側に形成された方が、ドットの有無による共振周波数の変化幅が小さくなる。従って、小ドットが基部２１側に形成されると、共振周波数を微調整することが容易になる。また、大ドットが基部２１と反対側に形成されると、共振周波数を粗調整することが容易になる。

【0080】

さらに、透過基板１３０上に形成されたドットの転写と、振動素子２０に形成されたドットの除去は、真空槽２２１内で実施される。振動子１は封止された状態、すなわち、内部空間が真空である状態で使用される。このため、真空以外の状態、例えば、大気中で振動素子２０の共振周波数が調整されると、真空状態での共振周波数と異なる場合がある。この結果、振動子１の使用時の共振周波数を、所望の共振周波数に調整することが困難になる。しかし、本実施形態においては、真空中で共振周波数が調整されるため、振動子１が使用される際の共振周波数を容易に所望の共振周波数に調整することができる。

【0081】

さらに、本実施形態によれば、エネルギー線であるレーザーを振動素子２０上に形成されたドットに照射することにより、ドットを容易に除去することができる。このため、共振周波数の調整過程において、振動素子２０の共振周波数が小さくなりすぎた場合であっても、ドットの除去により、共振周波数を大きくすることが可能である。この結果、振動素子２０および振動子１が不良品となることを防止することができる。

【0082】

（他の実施形態）
上述の実施形態は本発明を実施するための例であり、他にも種々の実施形態を採用可能である。例えば、振動腕２２の数は３個に限定されない。また、ドットの数、質量、形成位置等は上述の例に限定されない。例えば、任意の大きさのドットが振動素子２０の先端部２３の任意の位置に形成されても良い。さらに、透過基板１３０の第１面１３０ａに形成されたドットに対して第２面１３０ｂ側から、光軸が第２面１３０ｂに垂直なレーザーが照射される構成に限定されない。例えば、レーザーの光軸は第２面１３０ｂに傾斜していても良いし、第１面１３０ａ側からレーザーがドットに照射されても良い。

【0083】

振動素子を準備する工程は、質量調整物質を転写可能な振動腕を有する振動素子を準備することができればよく、工程は、上述の実施形態のような工程に限定されない。また、振動素子の準備が完了した場合における振動素子周辺の構成は、図７のような構成に限定されず、例えば、第１の保護膜４１，配線４６，電極パッド５０が形成されていない状態の振動素子が準備されても良い。

【0084】

透過基板を準備する工程は、エネルギー線を透過する基板であって、ドットが形成される第１面と表裏の関係にある第２面を有する基板を準備することができればよい。従って、透過基板の形状は直方体に限定されず、第１面および第２面を有する他の形状であっても良い。

【0085】

ドットを形成する工程は、第１面に質量調整物質を含む複数のドットを形成することができればよい。ドットの形成方法はインクジェット法に限定されず、例えば、マスクとエッチングとを用いる半導体製造プロセスが適用されてドットが形成されても良い。

【0086】

透過基板の前記第１面側を振動素子に向けて配置する工程は、第１面に形成されたドットにエネルギー線が照射されることにより、ドットに含まれる質量調整物質が振動素子に転写される工程であれば良い。従って、第１面と振動素子の転写先の面とが平行である構成に限定されず、両者の距離等も限定されない。

【0087】

振動素子の共振周波数を調整する工程は、第２面側からエネルギー線を少なくとも一つのドットに照射して質量調整物質を振動素子に転写することができればよい。すなわち、透過基板を透過したエネルギー線が透過基板からドットを除去し、かつ、除去によって質量調整物質が振動素子の表面に移動し、付着するように、透過基板の厚さおよび材料、エネルギー線のエネルギー、ビーム径等が調整されれば良い。振動素子に転写されたドットの除去においても、振動素子に転写されたドット毎に除去ができるように、エネルギー線のエネルギー、ビーム径等が調整されれば良い。

【0088】

以上の実施形態は発明を実施する例である。従って、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、本発明に、他の任意の構成物が付加されていてもよい。また、前述した各実施形態を適宜組み合わせてもよい。

【符号の説明】

【0089】

１…振動子、５…リッド、５ａ…基板、５ｂ…基板、７…キャビティー、８…キャビティー、１０…ＳＯＩ基板、１１…シリコン層、１２…ＢＯＸ層、１３…表面シリコン層、２０…振動素子、２１…基部、２２…振動腕、２２ａ…第１面、２２ｂ…第２面、２３…先端部、３０…素子調整層、４０…圧電駆動部、４１…第１の保護膜、４２…第１の電極、４３…圧電体層、４４…第２の電極、４６…配線、５０…電極パッド、５２…第１の配線用貫通孔、５８…第１の配線電極、６２…第１の孔部、６４…第２の孔部、１００…インクジェット印刷装置、１１０…移動制御部、１３０…透過基板、１３０ａ…第１面、１３０ｂ…第２面、２００…レーザー光学系、２１０…移動制御部、２２１…真空槽、２２１ａ…透過材料

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】