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特開2024-129400光電気混載基板およびそれを用いた光電気混載モジュール、アクティブオプティカルケーブル
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024129400
(43)【公開日】2024-09-27
(54)【発明の名称】光電気混載基板およびそれを用いた光電気混載モジュール、アクティブオプティカルケーブル
(51)【国際特許分類】
G02B 6/12 20060101AFI20240919BHJP
G02B 6/42 20060101ALI20240919BHJP
H05K 3/28 20060101ALI20240919BHJP
【ＦＩ】
G02B6/12 301
G02B6/42
H05K3/28 C
【審査請求】未請求
【請求項の数】6
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023038578
(22)【出願日】2023-03-13
(71)【出願人】
【識別番号】000003964
【氏名又は名称】日東電工株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100079382
【弁理士】
【氏名又は名称】西藤 征彦
(74)【代理人】
【識別番号】100123928
【弁理士】
【氏名又は名称】井▲崎▼ 愛佳
(74)【代理人】
【識別番号】100136308
【弁理士】
【氏名又は名称】西藤 優子
(72)【発明者】
【氏名】舘 直樹
(72)【発明者】
【氏名】田中 直幸
(72)【発明者】
【氏名】寺地 誠喜
【テーマコード（参考）】
2H137
2H147
5E314
【Ｆターム（参考）】
2H137AB12
2H137AC04
2H137BA55
2H137BA56
2H137BB02
2H137BB12
2H137BB25
2H137BB33
2H137DA39
2H137EA04
2H137EA05
2H137FA02
2H137FA06
2H147AB04
2H147AB05
2H147BG02
2H147BG17
2H147CA13
2H147DA08
2H147DA10
2H147EA16C
2H147EA17A
2H147EA17B
2H147EA17C
2H147EA19A
2H147EA19B
2H147EA20A
2H147EA20B
2H147EA20D
2H147FA20
2H147FC01
2H147GA16
5E314AA32
5E314BB06
5E314BB11
5E314CC01
5E314DD07
5E314FF06
5E314GG21
(57)【要約】
【課題】光素子を実装する際に反りが生じにくく、しかも高速通信が可能な光電気混載基板およびそれを用いた光電気混載モジュールを提供することを目的とする。
【解決手段】フレキシブルプリント基板１と、上記フレキシブルプリント基板１の第１の面１ａに設けられた光素子実装用のパッド６と、上記フレキシブルプリント基板１の第２の面１ｂに積層形成された光導波路２とを有し、上記フレキシブルプリント基板１の第１の面１ａに、光電気混載基板の反りを抑制するための反り抑制層７を部分的に設けるようにした。
【選択図】図１
【解決手段】フレキシブルプリント基板１と、上記フレキシブルプリント基板１の第１の面１ａに設けられた光素子実装用のパッド６と、上記フレキシブルプリント基板１の第２の面１ｂに積層形成された光導波路２とを有し、上記フレキシブルプリント基板１の第１の面１ａに、光電気混載基板の反りを抑制するための反り抑制層７を部分的に設けるようにした。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
光電混載基板であって、
フレキシブルプリント基板と、上記フレキシブルプリント基板の第１の面に設けられた光素子実装用のパッドと、上記フレキシブルプリント基板の第２の面に積層形成された光導波路とを有し、
ここで、
上記フレキシブルプリント基板の第１の面に、光電気混載基板の反りを抑制するための反り抑制層が部分的に設けられている、光電気混載基板。
フレキシブルプリント基板と、上記フレキシブルプリント基板の第１の面に設けられた光素子実装用のパッドと、上記フレキシブルプリント基板の第２の面に積層形成された光導波路とを有し、
ここで、
上記フレキシブルプリント基板の第１の面に、光電気混載基板の反りを抑制するための反り抑制層が部分的に設けられている、光電気混載基板。
【請求項2】
請求項１に記載の光電混載基板であって、
上記光導波路がコア層とクラッド層を有しており、上記クラッド層がエポキシ系樹脂からなる、光電気混載基板。
上記光導波路がコア層とクラッド層を有しており、上記クラッド層がエポキシ系樹脂からなる、光電気混載基板。
【請求項3】
請求項１または２に記載の光電混載基板であって、
上記光導波路の厚み（Ｑ）に対する上記反り抑制層の厚み（Ｒ）の比（Ｒ／Ｑ）が、０．１以上２以下である、光電気混載基板。
上記光導波路の厚み（Ｑ）に対する上記反り抑制層の厚み（Ｒ）の比（Ｒ／Ｑ）が、０．１以上２以下である、光電気混載基板。
【請求項4】
請求項１または２に記載の光電混載基板であって、
上記反り抑制層が、線膨張係数が３０ｐｐｍ／℃以上１２０ｐｐｍ／℃以下の樹脂からなる、光電気混載基板。
上記反り抑制層が、線膨張係数が３０ｐｐｍ／℃以上１２０ｐｐｍ／℃以下の樹脂からなる、光電気混載基板。
【請求項5】
請求項１または２に記載の光電混載基板を用いた光電気混載モジュールであって、
上記光電気混載基板と、光素子とを有し、
ここで、
上記光電気混載基板の光素子実装用のパッドに上記光素子が接続されることにより実装されている、光電気混載モジュール。
上記光電気混載基板と、光素子とを有し、
ここで、
上記光電気混載基板の光素子実装用のパッドに上記光素子が接続されることにより実装されている、光電気混載モジュール。
【請求項6】
請求項５に記載の光電気混載モジュールを用いたアクティブオプティカルケーブルであって、
上記光電気混載モジュールと、光ケーブルとを有し、
ここで、上記光電気混載モジュールと上記光ケーブルとは接続されている、アクティブオプティカルケーブル。
上記光電気混載モジュールと、光ケーブルとを有し、
ここで、上記光電気混載モジュールと上記光ケーブルとは接続されている、アクティブオプティカルケーブル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、光信号伝送と電気信号伝送とが可能な光電気混載基板および光電気混載モジュールに関するものであり、より詳しくは、加熱による反りが抑制された、高速通信性を有する光電気混載基板およびそれを用いた光電気混載モジュール、アクティブオプティカルケーブルに関するものである。
【背景技術】
【0002】
近年の電子機器等においては、伝送情報量の増加に伴い、電気配線に加えて、光配線が併用された光電気混載基板が用いられている。そして、昨今は、さらに多くの情報（例えば、信号）をより早く伝送できるものの開発が産業界から要求されている。これらの要求に対し、例えば、特許文献１のフレキシブル光電気混載基板が提案されている。
【0003】
しかし、特許文献１のものは、光導波路と外部との光結合効率の劣化が防止されているものの、光素子を実装する際には光電気混載基板が高温（例えば２００℃）に晒されることがあり、その際に光電気混載基板自体に反りが生じやすいという問題がある。
より詳しく説明すると、高温に晒されると、図９に模式図を示すように、長リボン状の光電気混載基板は、それを構成するフレキシブルプリント基板１と光導波路２との線膨張係数の異なりにより、一点鎖線で示すように光導波路２を内側にして矢印で示す方向に撓む（反る）傾向がみられる。光素子を実装する際に光電気混載基板が反ると、実装精度が低下するおそれがあり好ましくない。このため、光素子実装時の高温による反りをいかに防ぐかが重要な課題となっている。
なお、図において、符号３は金属層、４はベース層、５は電気配線、６は光素子実装用のパッド、８はカバーレイを示す。また、符号９はアンダークラッド層、１０はコア、１１はオーバークラッド層、１０ａはミラー面を示す。
より詳しく説明すると、高温に晒されると、図９に模式図を示すように、長リボン状の光電気混載基板は、それを構成するフレキシブルプリント基板１と光導波路２との線膨張係数の異なりにより、一点鎖線で示すように光導波路２を内側にして矢印で示す方向に撓む（反る）傾向がみられる。光素子を実装する際に光電気混載基板が反ると、実装精度が低下するおそれがあり好ましくない。このため、光素子実装時の高温による反りをいかに防ぐかが重要な課題となっている。
なお、図において、符号３は金属層、４はベース層、５は電気配線、６は光素子実装用のパッド、８はカバーレイを示す。また、符号９はアンダークラッド層、１０はコア、１１はオーバークラッド層、１０ａはミラー面を示す。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開２０１２－４２７３１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
本開示はこのような事情に鑑みなされたもので、光素子を実装する際に反りが生じにくく、高速通信が可能な光電気混載基板およびそれを用いた光電気混載モジュールを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
上記の目的を達成するため、本開示は、以下の［１］～［６］を提供する。
［１］フレキシブルプリント基板と、上記フレキシブルプリント基板の第１の面に設けられた光素子実装用のパッドと、上記フレキシブルプリント基板の第２の面に積層形成された光導波路とを有し、上記フレキシブルプリント基板の第１の面に、光電気混載基板の反りを抑制するための反り抑制層が部分的に設けられている光電気混載基板。
［２］上記光導波路がコア層とクラッド層を有しており、上記クラッド層がエポキシ系樹脂からなる［１］の光電気混載基板。
［３］上記光導波路の厚み（Ｑ）に対する上記反り抑制層の厚み（Ｒ）の比（Ｒ／Ｑ）が、０．１以上２以下である［１］または［２］の光電気混載基板。
［４］上記反り抑制層が、線膨張係数が３０ｐｐｍ／℃以上１２０ｐｐｍ／℃以下の樹脂からなる［１］～［３］のいずれかの光電気混載基板。
［５］［１］～［４］のいずれかの光電気混載基板と、光素子とを有し、上記光電気混載基板の光素子実装用のパッドに上記光素子が接続されることにより実装されている光電気混載モジュール。
［６］［５］に記載の光電気混載モジュールを用いたアクティブオプティカルケーブルであって、上記光電気混載モジュールと、光ケーブルとを有し、上記光電気混載モジュールと上記光ケーブルとは接続されている、アクティブオプティカルケーブル。
［１］フレキシブルプリント基板と、上記フレキシブルプリント基板の第１の面に設けられた光素子実装用のパッドと、上記フレキシブルプリント基板の第２の面に積層形成された光導波路とを有し、上記フレキシブルプリント基板の第１の面に、光電気混載基板の反りを抑制するための反り抑制層が部分的に設けられている光電気混載基板。
［２］上記光導波路がコア層とクラッド層を有しており、上記クラッド層がエポキシ系樹脂からなる［１］の光電気混載基板。
［３］上記光導波路の厚み（Ｑ）に対する上記反り抑制層の厚み（Ｒ）の比（Ｒ／Ｑ）が、０．１以上２以下である［１］または［２］の光電気混載基板。
［４］上記反り抑制層が、線膨張係数が３０ｐｐｍ／℃以上１２０ｐｐｍ／℃以下の樹脂からなる［１］～［３］のいずれかの光電気混載基板。
［５］［１］～［４］のいずれかの光電気混載基板と、光素子とを有し、上記光電気混載基板の光素子実装用のパッドに上記光素子が接続されることにより実装されている光電気混載モジュール。
［６］［５］に記載の光電気混載モジュールを用いたアクティブオプティカルケーブルであって、上記光電気混載モジュールと、光ケーブルとを有し、上記光電気混載モジュールと上記光ケーブルとは接続されている、アクティブオプティカルケーブル。
【0007】
本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討を重ねた。その結果、フレキシブルプリント基板と、上記フレキシブルプリント基板の第１の面に設けられた光素子実装用のパッドと、上記フレキシブルプリント基板の第２の面に積層形成された光導波路とを有する光電気混載基板であって、上記フレキシブルプリント基板の第１の面に、光電気混載基板の反りを抑制するための反り抑制層を部分的に設けるようにすると、光素子を実装する際等の高温（例えば２００℃）によって、上記光導波路が積層形成された側を内側にして上記光電気混載基板が撓む（言い換えると、反る）ことを抑制できることを見出した。
【発明の効果】
【0008】
本開示の光電気混載基板によれば、フレキシブルプリント基板と、上記フレキシブルプリント基板の第１の面に設けられた光素子実装用のパッドと、上記フレキシブルプリント基板の第２の面に積層形成された光導波路とを有し、上記フレキシブルプリント基板の第１の面に、光電気混載基板の反りを抑制するための反り抑制層が部分的に設けられているため、光素子を実装する際の高温に晒されたとしても反りが生じにくくなっており、光素子を光電気混載基板に精度よく実装することができる。光電気混載基板に光素子が精度よく実装された光電気混載モジュールはその通信性が損なわれないため、本開示の光電気混載モジュールは信頼性および高速通信性に優れる。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【発明を実施するための形態】
【0010】
つぎに、本開示の実施の形態を、図面に基づいて詳しく説明する。本開示を説明するに当たり、具体例を挙げて説明するが、本開示の趣旨を逸脱しない限り以下の内容に限定されるものではなく、適宜変更して実施することができる。
【0011】
図１は、本開示の一実施の形態である光電気混載基板を長手方向に切断した縦断面を示したものである。図２は、その部分的な拡大図である。この光電気混載基板は、金属層３の上に絶縁性を有するベース層４が形成され、上記ベース層４の表面に電気配線５が形成されてなるフレキシブルプリント基板（以下「基板」ということがある）１と、上記基板１の第１の面１ａに設けられた光素子実装用のパッド６と、上記基板１の第２の面１ｂに積層形成された光導波路２とを有し、上記基板１の第１の面１ａの光素子の実装予定部分１２を除いた全面に、光電気混載基板の反りを抑制するための反り抑制層７が設けられている（図３を参照）。
まず、上記基板１と光導波路２について説明し、ついで、上記反り抑制層７について説明する。
まず、上記基板１と光導波路２について説明し、ついで、上記反り抑制層７について説明する。
【0012】
［フレキシブルプリント基板１］
上記基板１は、図２に示すように、可撓性を有するプリント基板であり、金属層３の上に、透光性および絶縁性を有し、ポリイミド等の樹脂からなるベース層４が形成されており、その表面（上記基板１の第１の面１ａ）に、光素子を電気的および物理的に接続（つまり、実装）するための光素子実装用のパッド６に形成されるパッド５ａやアース用電極（図示せず）等を含む電気配線５が形成され、これらのうち、上記パッド５ａ等を除く電気配線５が、上記ベース層４と同一のポリイミド等の樹脂からなるカバーレイ８によって絶縁保護された構成になっている。なお、上記カバーレイ８によって被覆されないパッド５ａ等の表面は、金やニッケル等からなる電解メッキ層５ｂで被覆され、光素子実装用のパッド６に形成される。
上記基板１は、図２に示すように、可撓性を有するプリント基板であり、金属層３の上に、透光性および絶縁性を有し、ポリイミド等の樹脂からなるベース層４が形成されており、その表面（上記基板１の第１の面１ａ）に、光素子を電気的および物理的に接続（つまり、実装）するための光素子実装用のパッド６に形成されるパッド５ａやアース用電極（図示せず）等を含む電気配線５が形成され、これらのうち、上記パッド５ａ等を除く電気配線５が、上記ベース層４と同一のポリイミド等の樹脂からなるカバーレイ８によって絶縁保護された構成になっている。なお、上記カバーレイ８によって被覆されないパッド５ａ等の表面は、金やニッケル等からなる電解メッキ層５ｂで被覆され、光素子実装用のパッド６に形成される。
【0013】
上記金属層３は、金属の薄膜からなるものであり、上記金属としては、ステンレス鋼（ＳＵＳ）、銅、４２アロイ等を用いることができ、寸法精度および強度等の観点から、好ましくはＳＵＳ、銅であり、さらに好ましくはＳＵＳである。
また、上記金属層３の厚みは、１μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましく、３μｍ以上３０μｍ以下であることがより好ましい。とりわけ、上記金属層３がＳＵＳからなる場合の好ましい厚みは１０μｍ以上３０μｍ以下である。上記金属層３が銅からなる場合の好ましい厚みは３μｍ以上１０μｍ以下である。上記金属層３の厚みが上記範囲内にあると、耐久性と反り抑制効果とのバランスに優れる。
また、上記金属層３の厚みは、１μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましく、３μｍ以上３０μｍ以下であることがより好ましい。とりわけ、上記金属層３がＳＵＳからなる場合の好ましい厚みは１０μｍ以上３０μｍ以下である。上記金属層３が銅からなる場合の好ましい厚みは３μｍ以上１０μｍ以下である。上記金属層３の厚みが上記範囲内にあると、耐久性と反り抑制効果とのバランスに優れる。
【0014】
上記ベース層４は、例えば、ポリイミド，ポリエーテルニトリル，ポリエーテルスルホン，ポリエチレンテレフタレート，ポリエチレンナフタレート，ポリ塩化ビニル等の合成樹脂、シリコーン系ゾルゲル材料を用いてなるものであり、なかでも、ポリイミドを用いることが好ましい。これらは単独でもしくは２種以上併せて用いることができる。また、上記ベース層４の厚みは、１μｍ以上１００μｍ以下に設定されることが好ましく、３μｍ以上５０μｍ以下であることがより好ましく、５μｍ以上１５μｍ以下であることがさらに好ましい。上記ベース層４の厚みが上記範囲内にあると、絶縁性の確保と反り抑制効果とのバランスに優れる。
【0015】
上記基板１の長手方向の長さＬ（図３参照）は、特に限定するものではないが、５ｍｍ以上１０００ｍｍ以下であることが好ましく、１０ｍｍ以上８００ｍｍ以下であることがより好ましく、１５ｍｍ以上７００ｍｍ以下であることがさらに好ましい。上記基板１の長手方向の長さＬが上記範囲内にあると、より反り抑制効果に優れる傾向がみられる。
【0016】
［光導波路２］
一方、上記金属層３の裏面（上記基板１の第２の面１ｂ）に積層形成された光導波路２は、アンダークラッド層９と、上記アンダークラッド層９の表面（図１および図２においては下面）に所定パターンで形成された光路用のコア１０と、このコア１０を被覆した状態で上記アンダークラッド層９の表面と一体化するオーバークラッド層１１とで構成されている。上記コア１０の屈折率は、上記アンダークラッド層９およびオーバークラッド層１１の屈折率よりも大きくなっている。なお、上記基板１と上記光導波路２との間のうち、光素子実装用のパッド６に対応する部分等、一定の強度が求められる部分に補強層（図示せず）を設けてもよい。
一方、上記金属層３の裏面（上記基板１の第２の面１ｂ）に積層形成された光導波路２は、アンダークラッド層９と、上記アンダークラッド層９の表面（図１および図２においては下面）に所定パターンで形成された光路用のコア１０と、このコア１０を被覆した状態で上記アンダークラッド層９の表面と一体化するオーバークラッド層１１とで構成されている。上記コア１０の屈折率は、上記アンダークラッド層９およびオーバークラッド層１１の屈折率よりも大きくなっている。なお、上記基板１と上記光導波路２との間のうち、光素子実装用のパッド６に対応する部分等、一定の強度が求められる部分に補強層（図示せず）を設けてもよい。
【0017】
上記光導波路２のコア１０、アンダークラッド層９およびオーバークラッド層１１は、いずれも線膨張係数が３０ｐｐｍ／℃以上１２０ｐｐｍ／℃以下の樹脂で形成されることが好ましく、３０ｐｐｍ／℃以上９０ｐｐｍ／℃以下の樹脂で形成されることがより好ましく、３０ｐｐｍ／℃以上７０ｐｐｍ／℃以下の樹脂で形成されることがさらに好ましい。上記光導波路２の各層の線膨張係数が上記範囲内であると、光電気混載基板の反りをより抑制できる傾向がみられる。なお、各層の線膨張係数は互いに異なっていてもよいし、同じであってもよい。
【0018】
上記光導波路２のコア１０、アンダークラッド層９およびオーバークラッド層１１の形成材料としては、例えば、エポキシ系樹脂（例えば、グリシジルエーテル型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、脂環型エポキシ樹脂等）、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂等があげられ、なかでも、透明性、耐熱性、微細パターニング性の点からエポキシ系樹脂が好ましく用いられる。これらは単独でもしくは２種以上併せて用いることができる。
【0019】
上記光導波路２の厚み（Ｑ）は、１０μｍ以上２００μｍ以下であることが好ましく、６０μｍ以上１５０μｍ以下であることがより好ましく、８０μｍ以上１２０μｍ以下であることがさらに好ましく、９０μｍ以上１１０μｍ以下であることが特に好ましい。上記光導波路２の厚み（Ｑ）が上記範囲の上限を超えると、光電気混載基板の反り量が多くなる傾向がみられるためである。なお、上記光導波路２の厚み（Ｑ）は、アンダークラッド層９、コア１０、オーバークラッド層１１を含む全体の厚みを意味する。
【0020】
上記光導波路２の各層（アンダークラッド層９、コア１０、およびオーバークラッド層１１）の厚みは、それぞれ２μｍ以上８０μｍ以下であることが好ましく、２０μｍ以上７０μｍ以下であることがより好ましく、３０μｍ以上６０μｍ以下であることがさらに好ましい。上記光導波路２の各層の厚みが上記範囲内にあると、上記光導波路２の寸法精度と光電気混載基板の反りの抑制効果とのバランスに優れる傾向がみられる。なお、各層の厚みは互いに異なっていてもよいし、同じであってもよい。
【0021】
そして、上記光電気混載基板の光素子実装箇所に対応する光導波路２の部分が、コア１０の延びる方向に対して４５°の傾斜面に形成されている。この傾斜面は、光の反射面（ミラー面１０ａ，１０ｂ）になっており、コア１０内を伝播されてきた光の向きを９０°変えて光素子の受光部に入射させたり、逆に光素子の発光部から出射された光の向きを９０°変えてコア１０内に入射させたりする役割を果たす。
【0022】
また、本開示の光電気混載基板は、この光電気混載基板を表面（具体的には、基板１の第１の面１ａ）から見た構成（詳細は、図３を参照）を示すように、上記基板１の表面（上記光導波路２に接する面とは反対側の面）の大部分が反り抑制層７によって被覆されている。なお、図３においては、上記光導波路２と上記反り抑制層７との位置関係を分かりやすくするため、その右半分の反り抑制層７を破りその下の構成が見えるように示すとともに、上記光導波路２に斜線を引いて示している（斜線の意味は、図７Ａ，図７Ｂにも共通する。）。そして、図３において、符号Ｌは上記基板１の長手方向の長さを示し、符号Ｗは上記基板１の幅を示している。また、符号Ｌ1は上記光導波路２の長手方向の長さを示し、符号Ｗ1は上記光導波路２の幅を示している。さらに、符号Ｌ2は上記反り抑制層７の長手方向の長さを示し、符号Ｗ2は上記反り抑制層７の幅を示している。なお、この実施の形態では、上記基板１、上記光導波路２および上記反り抑制層７の長手方向の長さおよび幅は同一である。
【0023】
［反り抑制層７］
上記反り抑制層７は、上記のとおり、上記基板１の第１の面１ａに設けられるものであり、光素子の実装予定部分１２（上記光素子実装用のパッド６を含む所定領域）を除いて、上記基板１の全面を被覆している。
上記反り抑制層７は、上記のとおり、上記基板１の第１の面１ａに設けられるものであり、光素子の実装予定部分１２（上記光素子実装用のパッド６を含む所定領域）を除いて、上記基板１の全面を被覆している。
【0024】
上記反り抑制層７は、上記光導波路２のアンダークラッド層９およびオーバークラッド層１１と線膨張係数が同等（線膨張係数の差が２０ｐｐｍ／℃以内）の樹脂で形成することが好ましい。なかでも、上記反り抑制層７は、線膨張係数が３０ｐｐｍ／℃以上１２０ｐｐｍ／℃以下の樹脂で形成されることが好ましく、３０ｐｐｍ／℃以上９０ｐｐｍ／℃以下の樹脂で形成されることがより好ましく、３０ｐｐｍ／℃以上７０ｐｐｍ／℃以下の樹脂で形成されることがさらに好ましい。上記反り抑制層７の線膨張係数が上記範囲内であると、光電気混載基板の反りをより抑制できる傾向がみられる。
また、上記反り抑制層７の形成材料としては、例えば、エポキシ系樹脂があげられ、耐熱性、微細パターニング性の点から好ましく用いられる。これらは単独でもしくは２種以上併せて用いることができる。なかでも、上記反り抑制層７は、上記アンダークラッド層９およびオーバークラッド層１１と同一の樹脂で形成することがより好ましい。これは工程上、同じ材料であることが作業性を考慮すると好ましく、また積層時の密着性等を考慮した結果、反り抑制のために同じ線膨張係数のエポキシ材料を選定した。
また、上記反り抑制層７の形成材料としては、例えば、エポキシ系樹脂があげられ、耐熱性、微細パターニング性の点から好ましく用いられる。これらは単独でもしくは２種以上併せて用いることができる。なかでも、上記反り抑制層７は、上記アンダークラッド層９およびオーバークラッド層１１と同一の樹脂で形成することがより好ましい。これは工程上、同じ材料であることが作業性を考慮すると好ましく、また積層時の密着性等を考慮した結果、反り抑制のために同じ線膨張係数のエポキシ材料を選定した。
【0025】
上記反り抑制層７の厚み（Ｒ）は、特に限定するものではないが、１０μｍ以上２００μｍ以下であることが好ましく、５０μｍ以上１５０μｍ以下であることがより好ましく、８０μｍ以上１２０μｍ以下であることがさらに好ましい。
とりわけ、上記反り抑制層７の厚み（Ｒ）は、上記光導波路２の厚み（Ｑ）と同程度であることが好ましい。すなわち、上記光導波路２の厚み（Ｑ）に対する上記反り抑制層７の厚み（Ｒ）の比（Ｒ／Ｑ）が０．１以上２以下にあることが好ましく、０．５以上１．５以下にあることがより好ましく、０．８以上１．２以下にあることがさらに好ましい。上記比（Ｒ／Ｑ）が上記範囲内であると、光電気混載基板の反りをより抑制できる傾向がみられる。
とりわけ、上記反り抑制層７の厚み（Ｒ）は、上記光導波路２の厚み（Ｑ）と同程度であることが好ましい。すなわち、上記光導波路２の厚み（Ｑ）に対する上記反り抑制層７の厚み（Ｒ）の比（Ｒ／Ｑ）が０．１以上２以下にあることが好ましく、０．５以上１．５以下にあることがより好ましく、０．８以上１．２以下にあることがさらに好ましい。上記比（Ｒ／Ｑ）が上記範囲内であると、光電気混載基板の反りをより抑制できる傾向がみられる。
【0026】
上記反り抑制層７の面積は、上記基板１の表面の面積の５０％以上あることが好ましく、７０％以上あることがより好ましく、さらに好ましくは９０％以上である。
【0027】
また、上記反り抑制層７の面積は、上記基板１の裏面（第２の面１ｂ）に形成された光導波路の面積の６０％以上あることが好ましく、８０％以上あることがより好ましく、さらに好ましくは９０％以上であり、１００％であることがより一層好ましい。
【0028】
つぎに、上記光電気混載基板を製造する方法について説明する。
［フレキシブルプリント基板１の形成］
まず、上記金属層３を形成するための金属シート材Ｍ〔図４Ａ参照〕を準備し、上記金属シート材Ｍの表面に、感光性絶縁樹脂を塗布し、フォトリソグラフィ法等により、所定パターンのベース層４を形成する。
［フレキシブルプリント基板１の形成］
まず、上記金属層３を形成するための金属シート材Ｍ〔図４Ａ参照〕を準備し、上記金属シート材Ｍの表面に、感光性絶縁樹脂を塗布し、フォトリソグラフィ法等により、所定パターンのベース層４を形成する。
【0029】
つぎに、図４Ｂに示すように、上記電気配線５と実装用パッド５ａとを、例えば、セミアディティブ法，サブトラクティブ法等により形成する。上記電気配線５と実装用パッド５ａの厚みは、例えば、いずれも１μｍ以上３０μｍ以下に設定されることが好ましい。
【0030】
ついで、図４Ｃに示すように、上記電気配線５の部分に、ポリイミド樹脂等からなる感光性絶縁樹脂を塗布し、フォトリソグラフィ法により、カバーレイ８を形成する。上記カバーレイ８の厚みは、例えば、１μｍ以上３０μｍ以下に設定されることが好ましい。
また、上記実装用パッド５ａ等のカバーレイ８が形成されなかった箇所の上に電解メッキ層５ｂを形成する。このようにして、上記基板１を形成する。なお、上記基板１の第１の面１ａには、上記のとおり上記パッド５ａおよび電解メッキ層５ｂが形成されており、これらが光素子実装用のパッド６になっている。
また、上記実装用パッド５ａ等のカバーレイ８が形成されなかった箇所の上に電解メッキ層５ｂを形成する。このようにして、上記基板１を形成する。なお、上記基板１の第１の面１ａには、上記のとおり上記パッド５ａおよび電解メッキ層５ｂが形成されており、これらが光素子実装用のパッド６になっている。
【0031】
［金属層３の形成］
その後、図４Ｄに示すように、上記金属シート材Ｍにエッチング等を施すことにより、その金属シート材Ｍに、貫通孔１３を含む所定形状を付与する。このようにして、上記金属シート材Ｍを金属層３に形成する。
その後、図４Ｄに示すように、上記金属シート材Ｍにエッチング等を施すことにより、その金属シート材Ｍに、貫通孔１３を含む所定形状を付与する。このようにして、上記金属シート材Ｍを金属層３に形成する。
【0032】
［光導波路２の形成］
そして、上記基板１の裏面（第２の面１ｂ）に光導波路２（図１参照）を形成するために、まず、図５Ａに示すように、上記基板１の裏面（第２の面１ｂ、図では下面）に、アンダークラッド層９の形成材料である感光性樹脂を塗布し、フォトリソグラフィ法等により、アンダークラッド層９に形成する。なお、光導波路２の形成時（上記アンダークラッド層９，下記コア１０，下記オーバークラッド層１１の形成時）は、上記基板１の裏面は上に向けられる。
そして、上記基板１の裏面（第２の面１ｂ）に光導波路２（図１参照）を形成するために、まず、図５Ａに示すように、上記基板１の裏面（第２の面１ｂ、図では下面）に、アンダークラッド層９の形成材料である感光性樹脂を塗布し、フォトリソグラフィ法等により、アンダークラッド層９に形成する。なお、光導波路２の形成時（上記アンダークラッド層９，下記コア１０，下記オーバークラッド層１１の形成時）は、上記基板１の裏面は上に向けられる。
【0033】
つぎに、図５Ｂに示すように、アンダークラッド層９の表面（図では下面）に、コア１０の形成材料である感光性ドライフィルムを積層するか、または感光性樹脂を塗布し、フォトリソグラフィ法により、コア１０を形成する。上記コア１０の屈折率は、上記アンダークラッド層９および下記オーバークラッド層１１の屈折率よりも大きくなっている。
【0034】
そして、図５Ｃに示すように、上記コア１０を被覆するよう、上記アンダークラッド層９の表面（図では下面）に、オーバークラッド層１１の形成材料を塗布し、フォトリソグラフィ法により、オーバークラッド層１１を形成する。その後、図６Ａに示すように、上記コア１０の特定部分を、上記アンダークラッド層９および上記オーバークラッド層１１とともに、例えば、ダイシングやレーザ加工等により、コア１０の延びる方向（長手方向）に対して４５°傾斜した傾斜面に形成する。それら傾斜面に位置する上記コア１０の特定部分が光反射面（ミラー面１０ａ）となる。このようにして、上記金属層３の裏面に、ミラー面１０ａを備えた光導波路２を形成する。
【0035】
［反り抑制層７の形成］
ついで、図６Ａに示すように、上記光素子の実装予定部分１２を除いた上記基板１の第１の面１ａの全面に、反り抑制層７の形成材料を塗布し、フォトリソグラフィ法等により、反り抑制層７を形成する。このように、上記反り抑制層７は、生産効率および光導波路の寸法精度を確保する点から、上記光導波路２を積層形成した後に形成することが好ましい。
ついで、図６Ａに示すように、上記光素子の実装予定部分１２を除いた上記基板１の第１の面１ａの全面に、反り抑制層７の形成材料を塗布し、フォトリソグラフィ法等により、反り抑制層７を形成する。このように、上記反り抑制層７は、生産効率および光導波路の寸法精度を確保する点から、上記光導波路２を積層形成した後に形成することが好ましい。
【0036】
このようにして、基板の第１の面１ａに設けられた光素子実装用のパッド６と、上記基板１の第２の面１ｂに積層形成された光導波路２とを有し、上記基板１の第１の面１ａのほぼ全面に、光電気混載基板の反りを抑制するための反り抑制層７が設けられている光電気混載基板を得ることができる。
【0037】
上記光電気混載基板は、例えば、図６Ｂに示すように、その端部にコネクタ等が取り付けられ（図示せず）、光素子実装用のパッド６を介して光素子１４が、通常、高温（例えば２００℃）下で実装される。なお、本開示において、上記光素子１４には、電気光変換素子および光電気変換素子のいずれも含まれる。
【0038】
この構成によると、上記基板１の第１の面１ａのほぼ全面に、光電気混載基板の反りを抑制するための反り抑制層７が設けられているため、光素子１４を実装する際の高温に晒されたとしても反りが生じにくくなっており、光素子１４をフレキシブルである光電気混載基板に精度よく実装することができる。光電気混載基板に光素子１４が精度よく実装された光電気混載モジュールは、その通信性が損なわれないため、信頼性および高速通信性の向上が図られている。
【0039】
上記実施の形態では、図３に示すように上記基板１のほぼ全面（光素子の実装予定部分１２以外の部分を除く）が反り抑制層７によって被覆されている。言い換えると、上記反り抑制層７は、上記基板１を挟んで対峙する上記光導波路２のほぼ全面に対応する部分を被覆している。しかし、上記反り抑制層７は、図７Ａに示すように、上記基板１を挟んで対峙する上記光導波路２の長手方向の端部ぎりぎりに対応する部分まで被覆しなくてもよい。その場合、上記光導波路２の長手方向の長さＬ1に対する上記反り抑制層７の長手方向の長さＬ2の比（Ｌ2／Ｌ1）が０．５５以上１以下であることが好ましく、０．７以上１以下であることがより好ましく、０．８以上１以下であることがさらに好ましく、０．９以上１以下であることが一層好ましい。また、上記反り抑制層７は、上記光導波路２の幅方向の端部ぎりぎりに対応する部分まで被覆しなくてもよい。この場合、上記光導波路２の幅Ｗ1に対する上記反り抑制層７の幅Ｗ2の比（Ｗ2／Ｗ1）が０．６以上１以下であることが好ましく、０．７以上１以下であることがより好ましく、０．８以上１以下であることがさらに好ましく、０．９以上１以下であることが一層好ましい。
これらの比が上記範囲にあると、製造コストと反り量の低減のバランスに優れる傾向がある。
これらの比が上記範囲にあると、製造コストと反り量の低減のバランスに優れる傾向がある。
【0040】
さらに、上記反り抑制層７は、図７Ｂに示すように、その幅方向に一続きでなく、分断されていてもよい。この場合、上記反り抑制層７の分断された幅Ｗ3の合計を、上記反り抑制層７の幅Ｗ2とする。ただし、上記反り抑制層７は、その長手方向に一続きに形成されていることが好ましい。
【0041】
つぎに、反り抑制層７を設ける部位のバリエーションを図８Ａに示して説明する。
この実施の形態では、基板１が長手方向の端部の両方に光導波路２のミラー面１０ａを有するものであり、光素子実装用のパッド６近傍（光素子１４の実装予定部分）およびレシーバまたはドライバと接続するための接続端子１５近傍（レシーバまたはドライバと当接する予定部分）以外の部分（図８Ａにおいて斜線で示す部分）が、反り抑制層７によって被覆されている。
すなわち、この実施の形態では、基板１の第１の面の、光素子１４等の実装予定部以外の部分に反り抑制層７が設けられている。
もちろん、本開示の光電気混載基板は、図８Ｂに示すように、長手方向の端部の一方にのみ光導波路２のミラー面１０ａを有するものであってもよい。この場合、ミラー面１０ａを有しない方の端部は、通常、コネクタ等が実装される。
なお、図８Ａ，図８Ｂにおいて、符号１３は光導波路２の貫通孔であり、符号５は基板１に設けられた電気配線である。
この実施の形態では、基板１が長手方向の端部の両方に光導波路２のミラー面１０ａを有するものであり、光素子実装用のパッド６近傍（光素子１４の実装予定部分）およびレシーバまたはドライバと接続するための接続端子１５近傍（レシーバまたはドライバと当接する予定部分）以外の部分（図８Ａにおいて斜線で示す部分）が、反り抑制層７によって被覆されている。
すなわち、この実施の形態では、基板１の第１の面の、光素子１４等の実装予定部以外の部分に反り抑制層７が設けられている。
もちろん、本開示の光電気混載基板は、図８Ｂに示すように、長手方向の端部の一方にのみ光導波路２のミラー面１０ａを有するものであってもよい。この場合、ミラー面１０ａを有しない方の端部は、通常、コネクタ等が実装される。
なお、図８Ａ，図８Ｂにおいて、符号１３は光導波路２の貫通孔であり、符号５は基板１に設けられた電気配線である。
【実施例0042】
以下に実施例を挙げて本開示をさらに具体的に説明するが、本開示趣旨を逸脱しない限り適宜変更することができる。したがって、本開示の範囲は以下に示す具体例により限定的に解釈されるべきものではない。
【0043】
まず、下記に示す材料（光導波路２および反り抑制層７の形成材料）を準備した。
【0044】
＜光導波路２の形成材料＞
（１）コア１０の形成材料として、以下の成分を混合し調製した。なお、調整する工程においては、はじめに以下に記載される光カチオン重合開始剤を混ぜて混合液を得た。その後、得られた混合液に光カチオン重合開始剤を添加した。このときの樹脂の線膨張係数は６３ｐｐｍ／℃であった。
〔エポキシ系樹脂〕
・ＶＧ３１０１Ｌ（プリンテック社製）：３０重量部
・ＹＸ－７１８０Ｈ４０（三菱ケミカル社から購入）：２０重量部(固形分)
・ｊＥＲ－１００２(三菱ケミカル社製)：３０重量部
・オグソールＰＧ－１００(大阪ガスケミカル社製)：２０重量部
〔光カチオン重合開始剤〕
・ＣＰＩ－１０１Ａ（サンアプロ社製）：２重量部
〔酸化防止剤〕
・Ｓｏｎｇｎｏｘ１０１０（共同薬品社製）：０．５重量部
・ＨＣＡ（三光社製）：１．５重量部
（１）コア１０の形成材料として、以下の成分を混合し調製した。なお、調整する工程においては、はじめに以下に記載される光カチオン重合開始剤を混ぜて混合液を得た。その後、得られた混合液に光カチオン重合開始剤を添加した。このときの樹脂の線膨張係数は６３ｐｐｍ／℃であった。
〔エポキシ系樹脂〕
・ＶＧ３１０１Ｌ（プリンテック社製）：３０重量部
・ＹＸ－７１８０Ｈ４０（三菱ケミカル社から購入）：２０重量部(固形分)
・ｊＥＲ－１００２(三菱ケミカル社製)：３０重量部
・オグソールＰＧ－１００(大阪ガスケミカル社製)：２０重量部
〔光カチオン重合開始剤〕
・ＣＰＩ－１０１Ａ（サンアプロ社製）：２重量部
〔酸化防止剤〕
・Ｓｏｎｇｎｏｘ１０１０（共同薬品社製）：０．５重量部
・ＨＣＡ（三光社製）：１．５重量部
【0045】
（２）アンダークラッド層９およびオーバークラッド層１１の形成材料として、以下の成分を混合し調製した。なお、調整する工程においては、はじめに以下に記載される光カチオン重合開始剤を混ぜて混合液を得た。その後、得られた混合液に光カチオン重合開始剤を添加した。ここのときの樹脂の線膨張係数は６３ｐｐｍ／℃であった。
〔エポキシ系樹脂〕
・ＶＧ３１０１Ｌ（プリンテック社製）：２０重量部
・ＹＸ－７１８０Ｈ４０（三菱ケミカル社から購入）：２０重量部(固形分)
・ｊＥＲ－１００２(三菱ケミカル社製)：３０重量部
・ＥＨＰＥ３１５０（ダイセル社製）：３０重量部
〔光カチオン重合開始剤〕
・ＣＰＩ－１０１Ａ（サンアプロ社製）：２重量部
〔酸化防止剤〕
・Ｓｏｎｇｎｏｘ１０１０（共同薬品社製）：０．５重量部
・ＨＣＡ（三光社製）：１．５重量部
〔エポキシ系樹脂〕
・ＶＧ３１０１Ｌ（プリンテック社製）：２０重量部
・ＹＸ－７１８０Ｈ４０（三菱ケミカル社から購入）：２０重量部(固形分)
・ｊＥＲ－１００２(三菱ケミカル社製)：３０重量部
・ＥＨＰＥ３１５０（ダイセル社製）：３０重量部
〔光カチオン重合開始剤〕
・ＣＰＩ－１０１Ａ（サンアプロ社製）：２重量部
〔酸化防止剤〕
・Ｓｏｎｇｎｏｘ１０１０（共同薬品社製）：０．５重量部
・ＨＣＡ（三光社製）：１．５重量部
【0046】
＜反り抑制層＞
（１）反り抑制層Ａ：アンダークラッド層およびオーバークラッド層と同じエポキシ系樹脂を用いた（線膨張係数：６３ｐｐｍ／℃）。
（２）反り抑制層Ｂ：フィラーを入れてエポキシの線膨張係数を調整（線膨張係数：４２ｐｐｍ／℃）。
（１）反り抑制層Ａ：アンダークラッド層およびオーバークラッド層と同じエポキシ系樹脂を用いた（線膨張係数：６３ｐｐｍ／℃）。
（２）反り抑制層Ｂ：フィラーを入れてエポキシの線膨張係数を調整（線膨張係数：４２ｐｐｍ／℃）。
【0047】
上記材料を用いて、以下のとおり実施例１～３７および比較例１～６を作製した。
【0048】
［実施例１］
前記実施の形態で説明したとおりに、図３に示す幅Ｗが２．９９ｍｍ、長さＬが２８０ｍｍであり、その第１の面１ａに光素子実装用のパッド６を有するフレキシブルプリント基板１を準備し、上記基板１の第２の面１ｂの全面に、光導波路２を積層形成した。
そして、上記基板１の第１の面１ａの全面（上記光導波路２が形成された箇所に対応する箇所）に、上記光素子実装用のパッド６の近傍（光素子１４の実装予定部分１２）を除いて１００μｍの厚みを有する反り抑制層７（反り抑制層Ａ）を形成した。
なお、上記基板１は、２０μｍの厚みを有するＳＵＳ（ステンレス鋼、日鉄ケミカル＆マテリアル社製）からなる金属層３の上に１０μｍの厚みを有するポリイミドからなるベース層４を介して６μｍの厚みを有するＣｕ（銅）を用いて電気配線５、パッド５ａが形成されたものである。
そして、上記光導波路２は、コア１０の厚みが２０μｍであり、全体の厚みが１００μｍに形成されたものである。
また、上記反り抑制層７は、上記光導波路２のアンダークラッド層９およびオーバークラッド層１１と同じ材料で形成されたものである。
前記実施の形態で説明したとおりに、図３に示す幅Ｗが２．９９ｍｍ、長さＬが２８０ｍｍであり、その第１の面１ａに光素子実装用のパッド６を有するフレキシブルプリント基板１を準備し、上記基板１の第２の面１ｂの全面に、光導波路２を積層形成した。
そして、上記基板１の第１の面１ａの全面（上記光導波路２が形成された箇所に対応する箇所）に、上記光素子実装用のパッド６の近傍（光素子１４の実装予定部分１２）を除いて１００μｍの厚みを有する反り抑制層７（反り抑制層Ａ）を形成した。
なお、上記基板１は、２０μｍの厚みを有するＳＵＳ（ステンレス鋼、日鉄ケミカル＆マテリアル社製）からなる金属層３の上に１０μｍの厚みを有するポリイミドからなるベース層４を介して６μｍの厚みを有するＣｕ（銅）を用いて電気配線５、パッド５ａが形成されたものである。
そして、上記光導波路２は、コア１０の厚みが２０μｍであり、全体の厚みが１００μｍに形成されたものである。
また、上記反り抑制層７は、上記光導波路２のアンダークラッド層９およびオーバークラッド層１１と同じ材料で形成されたものである。
【0049】
［実施例２～３７および比較例１～６］
表１～６に示すように、基板１の長さ、光導波路２の厚み（Ｑ）、反り抑制層７の種類、反り抑制層７の厚み（Ｒ）を設定し、実施例１と同様にして目的とする光電気混載基板を作製した。
表１～６に示すように、基板１の長さ、光導波路２の厚み（Ｑ）、反り抑制層７の種類、反り抑制層７の厚み（Ｒ）を設定し、実施例１と同様にして目的とする光電気混載基板を作製した。
【0050】
そして、得られた実施例１～３７および比較例１～６の光電気混載基板に対し、反り量（ｍｍ）を下記のとおりに測定し、下記の指標に基づいて評価を行った。得られた評価については、後記の表１～６に記載した。さらに、測定した反り量（ｍｍ）の具体的な値については、後記の表７に併せて記載した。
【0051】
＜反り量＞
・測定方法
実施例１～３７および比較例１～６の光電気混載基板を２６０℃の雰囲気下で１分間加熱した後、室温（２３℃）になるまで静置した。加熱後の光電気混載基板について、それぞれその長手方向の端部を固定した状態で水平面に置いた。そして、その水平面から上記光電気混載基板が浮き上がって離れた箇所が生じた場合、水平面からそのもっとも離れた箇所までの距離を測定した。
なお、上記測定に際し、基板の第１の面（反り抑制層が形成された側の面）を内側にして撓む（反る）場合を－（マイナス）を付けて示し、基板の第２の面（光導波路が形成された側の面）を内側にして撓む（言い換えると、反る）場合には数値のみを示した。
＜評価＞
反り抑制の効果は、測定された反り量（ｍｍ）と、光電気混載基板の全体に対する目視観察を行った結果とを総合的に判定したものである。
判定の結果、反り抑制の効果があったものは○（マル）、反り抑制の効果がなかったものは×（バツ）と表中に示した。
・測定方法
実施例１～３７および比較例１～６の光電気混載基板を２６０℃の雰囲気下で１分間加熱した後、室温（２３℃）になるまで静置した。加熱後の光電気混載基板について、それぞれその長手方向の端部を固定した状態で水平面に置いた。そして、その水平面から上記光電気混載基板が浮き上がって離れた箇所が生じた場合、水平面からそのもっとも離れた箇所までの距離を測定した。
なお、上記測定に際し、基板の第１の面（反り抑制層が形成された側の面）を内側にして撓む（反る）場合を－（マイナス）を付けて示し、基板の第２の面（光導波路が形成された側の面）を内側にして撓む（言い換えると、反る）場合には数値のみを示した。
＜評価＞
反り抑制の効果は、測定された反り量（ｍｍ）と、光電気混載基板の全体に対する目視観察を行った結果とを総合的に判定したものである。
判定の結果、反り抑制の効果があったものは○（マル）、反り抑制の効果がなかったものは×（バツ）と表中に示した。
【0052】
【表1】
【0053】
【表2】
【0054】
【表3】
【0055】
【表4】
【0056】
【表5】
【0057】
【表6】
【0058】
【表7】
【0059】
上記の結果から、実施例１～３７の光電気混載基板は、いずれも反り量が低減されていることがわかる。とりわけ基板１の長さが長くなるほど、反り量が増加する傾向がみられるが、実施例３５～３７と比較例６とを対比してわかるとおり、本開示の光電気混載基板は基板１の長さが増加しても反り量の低減が充分に図られていることがわかる。
以下に、補足が必要な実施例、比較例について説明する。
以下に、補足が必要な実施例、比較例について説明する。
【0060】
［実施例１～７、比較例１］
実施例５は、－（マイナス）側の振切れがあったものの、備考に記載のとおり、比較例１と比べて、反り抑制の効果を有していた。
なお、比較例１は、備考に記載のとおり、実施例１～７と比べて目視でも違いがわかるほどの大きな反りがみられ、その反り量は、－（マイナス）側の振切れが生じるものであった。
実施例５は、－（マイナス）側の振切れがあったものの、備考に記載のとおり、比較例１と比べて、反り抑制の効果を有していた。
なお、比較例１は、備考に記載のとおり、実施例１～７と比べて目視でも違いがわかるほどの大きな反りがみられ、その反り量は、－（マイナス）側の振切れが生じるものであった。
【0061】
［実施例８～１４、比較例２］
実施例９～１２は、－（マイナス）側の振切れがあったものの、備考に記載のとおり、比較例２と比べて、反り抑制の効果を有していた。
なお、比較例２は、備考に記載のとおり、実施例８～１４と比べて目視でも違いがわかるほどの大きな反りがみられ、その反り量は、－（マイナス）側の振切れが生じるものであった。
実施例９～１２は、－（マイナス）側の振切れがあったものの、備考に記載のとおり、比較例２と比べて、反り抑制の効果を有していた。
なお、比較例２は、備考に記載のとおり、実施例８～１４と比べて目視でも違いがわかるほどの大きな反りがみられ、その反り量は、－（マイナス）側の振切れが生じるものであった。
【0062】
［実施例３５～３７、比較例６］
実施例３６は－（マイナス）側に振切れし、実施例３７は＋（プラス）側に振切れした。
なお、表６の備考に示すように、比較例６における反り量が、全実施例および比較例のなかで最大であった。
実施例３６は－（マイナス）側に振切れし、実施例３７は＋（プラス）側に振切れした。
なお、表６の備考に示すように、比較例６における反り量が、全実施例および比較例のなかで最大であった。
【0063】
つぎに、実施例１および比較例１の光電気混載基板の光素子実装用のパッド６に光素子１４をそれぞれ２００℃でフリップチップボンディング（超音波フリップチップ実装機 ＡＦＭ―１５、ＴＤＫ社製）によって実装し、光電気混載モジュールを作製した。
その結果、光素子１４の実装時に光電気混載基板の反りを抑制できた実施例１の光電気混載モジュールの方が比較例１のものより、光素子が精度よく実装されているだけでなく、ハンドリング性もよいことが確認できた。
その結果、光素子１４の実装時に光電気混載基板の反りを抑制できた実施例１の光電気混載モジュールの方が比較例１のものより、光素子が精度よく実装されているだけでなく、ハンドリング性もよいことが確認できた。
【産業上の利用可能性】
【0064】
本開示の光電気混載基板は、高熱下で反りが生じにくいため、各種素子の実装精度が向上し、高速通信を可能とする光電気混載基板およびそれを用いた光電気混載モジュールとして好適に利用できる。
【符号の説明】
【0065】
１ フレキシブルプリント基板
１ａ 第１の面
１ｂ 第２の面
２ 光導波路
３ 金属層
４ ベース層
５ 電気配線
５ａ パッド
５ｂ 電解メッキ層
６ 光素子実装用のパッド
７ 反り抑制層
８ カバーレイ
９ アンダークラッド層
１０ コア
１０ａ ミラー面
１０ｂ ミラー面
１１ オーバークラッド層
１２ 実装予定部分
１３ 貫通孔
１４ 光素子
１５ 接続端子
Ｌ 基板の長手方向の長さ
Ｌ1 光導波路の長手方向の長さ
Ｌ2 反り抑制層の長手方向の長さ
Ｑ 光導波路の厚み
Ｒ 反り抑制層の厚み
Ｗ 基板の幅
Ｗ1 光導波路の幅
Ｗ2 反り抑制層の幅
Ｗ3 反り抑制層の分断された幅
１ａ 第１の面
１ｂ 第２の面
２ 光導波路
３ 金属層
４ ベース層
５ 電気配線
５ａ パッド
５ｂ 電解メッキ層
６ 光素子実装用のパッド
７ 反り抑制層
８ カバーレイ
９ アンダークラッド層
１０ コア
１０ａ ミラー面
１０ｂ ミラー面
１１ オーバークラッド層
１２ 実装予定部分
１３ 貫通孔
１４ 光素子
１５ 接続端子
Ｌ 基板の長手方向の長さ
Ｌ1 光導波路の長手方向の長さ
Ｌ2 反り抑制層の長手方向の長さ
Ｑ 光導波路の厚み
Ｒ 反り抑制層の厚み
Ｗ 基板の幅
Ｗ1 光導波路の幅
Ｗ2 反り抑制層の幅
Ｗ3 反り抑制層の分断された幅
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】