特開 2024-129957 電気光学装置、および電子機器

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024129957

(43)【公開日】2024-09-30

(54)【発明の名称】電気光学装置、および電子機器

(51)【国際特許分類】

   G09F 9/30 20060101AFI20240920BHJP

   G02F 1/1368 20060101ALN20240920BHJP

   G02F 1/1335 20060101ALN20240920BHJP

【ＦＩ】

G09F9/30 349C

G09F9/30 349D

G09F9/30 338

G02F1/1368

G02F1/1335 520

【審査請求】未請求

【請求項の数】11

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023039389

(22)【出願日】2023-03-14

(71)【出願人】

【識別番号】000002369

【氏名又は名称】セイコーエプソン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100179475

【弁理士】

【氏名又は名称】仲井 智至

(74)【代理人】

【識別番号】100216253

【弁理士】

【氏名又は名称】松岡 宏紀

(74)【代理人】

【識別番号】100225901

【弁理士】

【氏名又は名称】今村 真之

(72)【発明者】

【氏名】及川 広之

【テーマコード（参考）】

2H192

2H291

5C094

【Ｆターム（参考）】

2H192CB53

2H192EA03

2H192EA15

2H192EA23

2H192EA32

2H192FA02

2H192JA06

2H192JA13

2H192JA17

2H192JA33

2H192JB02

2H291FA13Y

2H291FA31Y

2H291FB14

2H291FD02

2H291FD07

2H291FD25

2H291FD26

2H291FD27

2H291LA03

2H291LA04

2H291MA13

5C094AA34

5C094BA03

5C094BA43

5C094CA19

5C094DA13

5C094EA01

5C094EA06

5C094ED15

5C094FB02

5C094HA08

(57)【要約】

【課題】品質信頼性の低下が抑制された電気光学装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置は、画像を表示する表示領域と、平面視で前記表示領域の外側に設けられる周辺領域とを有する電気光学装置であって、第１基板と、前記第１基板に対向する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に配置され、電界に応じて光学的特性が変化する電気光学層と、を備え、前記第１基板および前記第２基板の一方または両方は、前記周辺領域に設けられる遮光層と、前記周辺領域に設けられる反射層と、を備え、前記反射層の可視光に対する反射率は、前記遮光層の可視光に対する反射率よりも高く、前記遮光層は、前記反射層よりも前記表示領域側に配置される。
【選択図】図４

【特許請求の範囲】

【請求項1】

画像を表示する表示領域と、平面視で前記表示領域の外側に設けられる周辺領域とを有する電気光学装置であって、
第１基板と、前記第１基板に対向する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に配置され、電界に応じて光学的特性が変化する電気光学層と、を備え、
前記第１基板および前記第２基板の一方または両方は、
前記周辺領域に設けられる遮光層と、
前記周辺領域に設けられる反射層と、を備え、
前記反射層の可視光に対する反射率は、前記遮光層の可視光に対する反射率よりも高く、
前記遮光層は、前記反射層よりも前記表示領域側に配置される、
ことを特徴とする電気光学装置。

【請求項2】

前記遮光層と前記反射層とは、互いに異なる層に設けられる、
請求項１に記載の電気光学装置。

【請求項3】

前記遮光層と前記反射層とは接触しており、
前記遮光層の平面積は、前記遮光層の平面積よりも小さい、
請求項１に記載の電気光学装置。

【請求項4】

前記反射層は、アルミニウムを含み、
前記遮光層は、窒化チタン、タングステン、またはタングステンシリサイドを含む、
請求項１に記載の電気光学装置。

【請求項5】

前記第１基板および前記第２基板のそれぞれは、前記反射層および前記遮光層を有する、
請求項１に記載の電気光学装置。

【請求項6】

前記第１基板に設けられる前記遮光層は、前記第２基板に設けられる前記反射層よりも前記表示領域側に位置する部分を含む、
請求項５に記載の電気光学装置。

【請求項7】

前記周辺領域に設けられるトランジスターをさらに有し、
前記反射層は、前記周辺領域の前記遮光層よりも光の入射側に配置され、かつ、平面視で前記トランジスターと重なる、
請求項１に記載の電気光学装置。

【請求項8】

前記第１基板は、
前記表示領域に設けられた複数の画素電極と、
前記周辺領域に設けられ、前記複数の画素電極の外側に位置する複数のダミー画素電極と、をさらに備え、
前記遮光層は、平面視で前記複数のダミー画素電極の一部または全部に重なる部分を含む、
請求項１に記載の電気光学装置。

【請求項9】

前記第１基板は、前記表示領域に設けられるトランジスターと、
前記トランジスターに対応して設けられる画素電極と、
前記トランジスターと前記画素電極との間の層に配置される中継電極と、
前記中継電極と前記画素電極との間の層を貫通する貫通孔の内部に設けられ、前記中継電極と前記画素電極とを電気的に接続するコンタクトプラグと、
前記中継電極と前記画素電極との間の層に配置される第２反射層と、
を備える、
請求項１に記載の電気光学装置。

【請求項10】

前記反射層は、第１反射層であり、
前記第１基板は、前記第１反射層を有し、
前記第１反射層は、前記第２反射層と同層に配置される、
請求項９に記載の電気光学装置。

【請求項11】

請求項１に記載の電気光学装置と、
前記電気光学装置の動作を制御する制御部と、を有することを特徴とする電子機器。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、電気光学装置、および電子機器に関する。

【背景技術】

【0002】

プロジェクター等の電子機器には、例えば、画素ごとに光学的特性を変更可能な液晶表示装置等の電気光学装置が用いられる。当該電気光学装置の例として、特許文献１に記載の電気光学装置が知られている。

【0003】

当該文献の電気光学装置は、第１基板と第２基板とこれら基板の間に配置された液晶層とを含む。当該電気光学装置には、表示領域と、表示領域を囲む周辺領域とが設けられる。また、第１基板の表示領域には、トランジスターおよび画素電極が設けられる。第２基板の表示領域には、対向電極が設けられる。

【0004】

また、第１基板の周辺領域には、導電膜が設けられる。導電膜は、遮光性を有しており、周辺領域における光漏れを防止するために設けられる。当該導電膜は、アルミニウム膜と、光吸収性を有する窒化チタン膜との積層体で構成される。また、第２基板の周辺領域には、見切り部が設けられる。見切り部によって、第１基板同様に、周辺領域における光漏れを防止している。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【特許文献1】特開２０１７－０８３６７８号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

当該導電体および見切り部が設けられることで、周辺領域における光漏れが抑制される反面、当該導電体および見切り部が光を吸収することで、第１基板および第２基板の温度が上昇してしまう。このため、光漏れを抑制しつつ、温度上昇を抑制することが難しい。この結果、電気光学装置の品質信頼性が低下するおそれがある。

【課題を解決するための手段】

【0007】

本発明の電気光学装置の一態様は、画像を表示する表示領域と、平面視で前記表示領域の外側に設けられる周辺領域とを有する電気光学装置であって、第１基板と、前記第１基板に対向する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に配置され、電界に応じて光学的特性が変化する電気光学層と、を備え、前記第１基板および前記第２基板の一方または両方は、前記周辺領域に設けられる遮光層と、前記周辺領域に設けられる反射層と、を備え、前記反射層の可視光に対する反射率は、前記遮光層の可視光に対する反射率よりも高く、前記遮光層は、前記反射層よりも前記表示領域側に配置される。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】実施形態に係る電気光学装置の平面図である。

【図2】図１に示す電気光学装置のＡ－Ａ線の断面図である。

【図3】図１の第１基板の電気的な構成を示す等価回路図である。

【図4】図２の電気光学装置の周辺領域における断面構造を示す図である。

【図5】図４の第１基板が有する遮光層および反射層の平面的な配置を示す図である。

【図6】図４の第２基板が有する遮光層および反射層の平面的な配置を示す図である。

【図7】図４の電気光学装置の周辺領域における光路を説明するための図である。

【図8】図２の画素電極および第２トランジスターの平面的な配置を示す図である。

【図9】図２の第１基板の表示領域における断面構造を示す図である。

【図10】図９の第２反射層の平面図である。

【図11】変形例の電気光学装置の周辺領域における断面構造を示す図である。

【図12】電子機器の一例であるパーソナルコンピューターを示す斜視図である。

【図13】電子機器の一例であるスマートフォンを示す平面図である。

【図14】電子機器の一例であるプロジェクターを示す模式図である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

以下、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態を説明する。なお、図面において各部の寸法または縮尺は実際と適宜に異なり、理解を容易にするために模式的に示す部分もある。また、本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの形態に限られない。

【0010】

Ａ．電気光学装置１００
Ａ－１．電気光学装置１００の概要
図１は、実施形態に係る電気光学装置１００の平面図である。図２は、図１に示す電気光学装置１００のＡ－Ａ線の断面図である。以下では、説明の便宜上、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を適宜用いて説明する。また、Ｘ軸に沿う一方向をＸ１方向と表記し、Ｘ１方向とは反対の方向をＸ２方向と表記する。同様に、Ｙ軸に沿う一方向をＹ１方向と表記し、Ｙ１方向とは反対の方向をＹ２方向と表記する。Ｚ軸に沿う一方向をＺ１方向と表記し、Ｚ１方向とは反対の方向をＺ２方向と表記する。

【0011】

また、本明細書において、要素αと要素βとの「電気的な接続」は、要素αと要素βとが直接的に接合されることで導通する構成のほか、要素αと要素βとが他の導電体を介して間接的に導通する構成も含まれる。

【0012】

図１および図２に示す電気光学装置１００は、画素ごとにスイッチング素子としてＴＦＴ（Thin Film Transistor）を備えたアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置である。

【0013】

電気光学装置１００は、第１基板２と、第２基板３と、枠状のシール部材４と、液晶層５とを有する。図２に示すように、第１基板２、液晶層５および第２基板３は、この順にＺ１方向に並ぶ。なお、第１基板２、液晶層５および第２基板３の重なる方向であるＺ１方向またはＺ２方向から見ることを「平面視」とする。また、図１に示す電気光学装置１００の平面形状は四角形であるが、四角形以外の多角形または円形であってもよい。

【0014】

電気光学装置１００は透過型であり、第１基板２および第２基板３は、透光性を有する。図２に示すように、例えば、光ＬＬが第２基板３に入射した後、第１基板２から出射される間に変調することにより、画像が表示される。また、「透光性」とは、可視光に対する透過性を意味し、好ましくは可視光の透過率が５０％以上であることをいう。

【0015】

図１に示すように、電気光学装置１００は、表示領域Ａ１０と、周辺領域Ａ２０とを含む。表示領域Ａ１０は、画像を表示する領域であり、行列状に配列される複数の画素Ｐが設けられる。周辺領域Ａ２０は、平面視で表示領域Ａ１０の外側に位置し、表示領域Ａ１０を囲む。また、周辺領域Ａ２０は、ダミー画素領域Ａ２１を有する。ダミー画素領域Ａ２１は、平面視で表示領域Ａ１０を囲む。

【0016】

図２に示すように、第１基板２は、基板２１と、積層体２０と、複数の画素電極２４と、複数のダミー画素電極２４ｄと、配向膜２９とを有する。基板２１、積層体２０、複数の画素電極２４、および配向膜２９は、この順にＺ１方向に積層される。

【0017】

基板２１は、透光性および絶縁性を有する平板であり、例えばガラス基板または石英基板で構成される。積層体２０は、透光性を有する。積層体２０には、トランジスターおよび各種配線等が設けられる。複数の画素電極２４、および複数のダミー画素電極２４ｄは、積層体２０上に配置される。画素電極２４は、画素Ｐごとに設けられる。複数の画素電極２４は、液晶層５に電界を印加するために用いられる。複数のダミー画素電極２４ｄは、表示には寄与しないものの、複数の画素電極２４と同様に駆動制御される。例えば、複数のダミー画素電極２４ｄは、複数の画素電極２４に書き込まれる画像信号のノイズ対策等のために用いられる。複数の画素電極２４および複数のダミー画素電極２４ｄは、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）およびＦＴＯ（Fluorine-doped tin oxide）等の透明導電材料を含む。なお、複数の画素電極２４の外側には、イオントラップ用の電極が設けられてもよい。

【0018】

配向膜２９は、透光性および絶縁性を有する。配向膜２９は、液晶層５に接触しており、液晶層５が有する液晶分子５０を配向させる。配向膜２９は、複数の画素電極２４を覆うように配置される。配向膜２９の材料は、例えばポリイミドおよび酸化ケイ素等である。

【0019】

図１に示すように、第１基板２には、駆動回路１０と複数の外部端子１３とが配置される。駆動回路１０は、走査線駆動回路１１とデータ線駆動回路１２とを含む。複数の外部端子１３の一部は、図示しないが、駆動回路１０から引き回される配線に接続される。また、複数の外部端子１３は、定電位Ｖｃｏｍが印加させる外部端子１３を含む。

【0020】

図２に示す第２基板３は、第１基板２に対向して配置される。第２基板３は、基板３１と、積層体３０と、対向電極３２と、配向膜３９と、見切り部３８とを有する。基板３１、積層体３０、対向電極３２および配向膜３９は、この順にＺ２方向に積層される。

【0021】

基板３１は、透光性および絶縁性を有する平板であり、例えばガラス基板または石英基板で構成される。積層体３０は、複数の絶縁膜を含む。当該複数の絶縁膜のそれぞれは、透光性および絶縁性を有し、例えば酸化ケイ素等のケイ素を含む無機材料で形成される。積層体３０は、例えば、マイクロレンズを含む。また、積層体３０には、見切り部３８が設けられる。見切り部３８は、不必要な迷光が表示領域Ａ１０に入射しないように遮蔽するために設けられる。

【0022】

対向電極３２は、複数の画素電極２４に対して液晶層５を介して対向する。対向電極３２は、液晶層５に電界を印加するために用いられる。対向電極３２は、複数の画素Ｐで共通に設けられる共通電極である。対向電極３２は、透光性および導電性を有する。対向電極３２は、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯおよびＦＴＯ等の透明導電材料を含む。配向膜３９は、透光性および絶縁性を有する。配向膜３９は、液晶分子５０を配向させる。配向膜３９の材料は、例えばポリイミドおよび酸化ケイ素等である。

【0023】

また、第２基板３と第１基板２との間には、図示省略された導通材が配置される。当該導通材は、第１基板２との第２基板３とを電気的に接続する。当該導通材は、複数の外部端子１３のいずれかの外部端子１３に図示省略された配線を介して接続される。当該配線および導通材を介して、対向電極３２には、定電位Ｖｃｏｍが印加させる。

【0024】

シール部材４は、第１基板２と第２基板３との間に配置される。シール部材４は、例えばエポキシ樹脂等のＵＶ硬化性材料を含む。ＵＶは、ultravioletの略称であり、特に、波長１００ｎｍ以上４００ｎｍ以下の光をいう。また、シール部材４は、ガラス等の無機材料で構成されるギャップ材を含んでもよい。

【0025】

液晶層５は、第１基板２と第２基板３との間に配置される。具体的には、液晶層５は、第１基板２、第２基板３およびシール部材４によって囲まれる領域内に配置される。液晶層５は、電界に応じて光学的特性が変化する電気光学層である。液晶層５は、液晶分子５０を含む。液晶分子５０は、正または負の誘電異方性を有する。液晶分子５０の配向は、液晶層５に印加される電圧に応じて変化する。

【0026】

かかる電気光学装置１００は、例えば、後述するパーソナルコンピューターおよびスマートフォン等のカラー表示を行う表示装置に適用される。当該表示装置に適用される場合、電気光学装置１００に対してカラーフィルターが適宜用いられる。また、電気光学装置１００は、例えば、後述する投射型のプロジェクターに適用される。この場合、電気光学装置１００は、ライトバルブとして機能する。この場合、電気光学装置１００に対してカラーフィルターが省略される。

【0027】

Ａ－２．第１基板２の電気的な構成
図３は、図１の第１基板２の電気的な構成を示す等価回路図である。図３に示すように、第１基板２には、複数のトランジスター２３とｎ本の走査線２４１とｍ本のデータ線２４２とｎ本の定電位線２４３とが設けられる。これらは図２の積層体２０に設けられる。なお、ｎおよびｍはそれぞれ２以上の整数である。ｎ本の走査線２４１とｍ本のデータ線２４２との各交差に対応してトランジスター２３が配置される。各トランジスター２３は、例えばスイッチング素子として機能するＴＦＴである。各トランジスター２３は、ゲート、ソースおよびドレインを含む。

【0028】

ｎ本の走査線２４１のそれぞれはＸ１方向に延在し、ｎ本の走査線２４１はＹ１方向に等間隔で並ぶ。ｎ本の走査線２４１のそれぞれは、対応する複数のトランジスター２３のゲートに電気的に接続される。ｎ本の走査線２４１は、図１に示す走査線駆動回路１１に電気的に接続される。１～ｎ本の走査線２４１には、走査線駆動回路１１から走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、およびＧｎが線順次で供給される。

【0029】

図３に示すｍ本のデータ線２４２のそれぞれはＹ１方向に延在し、ｍ本のデータ線２４２はＸ１方向に等間隔で並ぶ。ｍ本のデータ線２４２のそれぞれは、対応する複数のトランジスター２３のソースに電気的に接続される。ｍ本のデータ線２４２は、図１に示すデータ線駆動回路１２に電気的に接続される。１～ｍ本のデータ線２４２には、データ線駆動回路１２から画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、およびＳｍが並行に供給される。

【0030】

図３に示すｎ本の走査線２４１とｍ本のデータ線２４２とは、互いに電気的に絶縁されており、平面視で格子状に配置される。隣り合う２つの走査線２４１と隣り合う２つのデータ線２４２とで囲まれる領域が画素Ｐに対応する。画素Ｐごとにトランジスター２３、画素電極２４および容量素子２５が設けられる。画素電極２４は、トランジスター２３に対応して設けられる。１つの画素電極２４に対して１つのトランジスター２３が配置される。各画素電極２４は、対応するトランジスター２３のドレインに電気的に接続される。

【0031】

ｎ本の定電位線２４３のそれぞれはＹ１方向に延在し、ｎ本の定電位線２４３はＸ１方向に等間隔で並ぶ。各定電位線２４３には、定電位Ｖｃｏｍが印加される。各定電位線２４３は、対応する容量素子２５が有する２つの電極のうちの一方に電気的に接続される容量線である。各容量素子２５は、画素電極２４の電位を保持するための保持容量である。容量素子２５は、トランジスター２３に対して１対１で設けられる。また、各容量素子２５が有する２つの電極のうちの他方は、画素電極２４とトランジスター２３のドレインとに電気的に接続される。

【0032】

走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、およびＧｎが順次アクティブとなり、ｎ本の走査線２４１が順次選択されると、選択される走査線２４１に接続されるトランジスター２３がオン状態となる。すると、ｍ本のデータ線２４２を介して表示すべき階調に応じた大きさの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、およびＳｍに応じた電位が、選択される走査線２４１に対応する画素Ｐの画素電極２４に印加される。これにより、画素電極２４と対向電極３２との間に形成される液晶容量に、表示すべき階調に応じた電圧が印加され、印加される電圧に応じて液晶分子５０の配向が変化する。また、容量素子２５によって、印加される電圧が保持される。このような液晶分子５０の配向の変化によって光ＬＬが変調され階調表示が可能となる。

【0033】

Ａ－３．電気光学装置１００の周辺領域Ａ２０の一部の構造
図４は、図２の電気光学装置１００の周辺領域Ａ２０における断面構造を示す図である。前述のように、第１基板２は、基板２１と、積層体２０と、複数の画素電極２４と、複数のダミー画素電極２４ｄと、配向膜２９とを有する。

【0034】

図４に示すように、積層体２０は、基板２１から順に積層された絶縁層２０１、２０２、２０３、２０４、２０５、２０６および２０７を含む。これら各層は、透光性および絶縁性を有する。絶縁層２０１～２０５の各材料は、例えば、酸化シリコンおよび酸窒化シリコン等のケイ素を含む無機材料である。また、積層体２０の表示領域Ａ１０には、前述のトランジスター２３、および各種配線等が配置される。また、積層体２０のダミー画素領域Ａ２１にも、複数のトランジスター２３が設けられる。

【0035】

また、第１基板２の周辺領域Ａ２０には、遮光膜２１０と、駆動回路１０に含まれる複数の第２トランジスター２３０と、遮光層２２２と、反射層２２３とが設けられる。反射層２２３は、「第１反射層」の例示である。なお、複数の第２トランジスター２３０の図示は簡略化される。

【0036】

基板２１上には、遮光膜２１０が配置される。図示省略するが、遮光膜２１０の平面形状は、例えば四角枠状である。遮光膜２１０は、平面視で複数の第２トランジスター２３０に重なる。遮光膜２１０は、第２トランジスター２３０への光ＬＬの入射を防ぐために設けられる。遮光膜２１０の材料は、例えば、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、および鉄（Ｆｅ）等の金属、金属窒化物ならびに金属シリサイド等が挙げられる。これらの中でも、遮光膜２１０はタングステンを含むことが好ましい。タングステンは、各種金属の中でも、耐熱性に優れ、かつ、例えば製造時の熱処理によってもＯＤ（Optical Density）値が低下し難い。よって、遮光膜２１０がタングステンを含むことで、遮光膜２１０によってトランジスター２３への光ＬＬの入射を効果的に防ぐことができる。なお、遮光膜２１０は基板２１に形成された凹部内に配置されてもよい。

【0037】

絶縁層２０１上には、複数の第２トランジスター２３０が配置される。各第２トランジスター２３０の構成は、前述の図３のトランジスター２３と同様の構成であり、ゲート、ソースおよびドレインを含む。また、図示省略するが、積層体２０には、各第２トランジスター２３０に電気的に接続される各種配線が配置される。

【0038】

絶縁層２０５上には、遮光層２２２が配置される。平面図は省略するが、遮光層２２２は、平面視で複数のダミー画素電極２４ｄおよびシール部材４と重なる。遮光層２２２は、光ＬＬを吸収する光吸収性を有し、遮光層２２２よりも下層への光ＬＬの浸入を遮る遮光性を有する。光吸収性とは、可視光に対する光吸収性を意味する。遮光層２２２の可視光に対する光吸収率は、好ましくは５０％以上であり、より好ましくは８０％以上である。吸収率［％］は、（１００－透過率［％］－反射率［％］）で求められる。遮光層２２２が設けられることで、周辺領域Ａ２０から表示領域Ａ１０への光漏れ、すなわち不必要な迷光の発生を抑制することができる。

【0039】

絶縁層２０６上には、反射層２２３が配置される。反射層２２３は、光ＬＬに対する反射性を有する。「反射性」とは、可視光に対する反射性を意味する。反射層２２３の可視光に対する反射率は、好ましくは５０％以上であり、より好ましくは９０％以上である。また、反射層２２３の可視光に対する反射率は、前述の遮光層２２２の可視光に対する反射率よりも高い。反射層２２３は高反射膜であり、遮光層２２２は低反射膜である。高反射膜である反射層２２３が設けられることで、反射層２２３で光ＬＬを反射させることができる。

【0040】

図５は、図４に示す遮光層２２２および反射層２２３の平面的な配置を示す図である。図５では、便宜上、遮光層２２２はドットで示され、反射層２２３は斜線で示される。

【0041】

図５に示すように、遮光層２２２および反射層２２３の各平面形状は、四角枠状である。図４および図５に示すように、遮光層２２２は、反射層２２３よりも表示領域Ａ１０側に設けられる。別の言い方をすると、遮光層２２２は、反射層２２３よりも第１基板２の内側に設けられる。具体的には、図５に示すように、遮光層２２２の平面視での枠状の中心線Ａ２２２は、反射層２２３の平面視での枠状の中心線Ａ２２３よりも表示領域Ａ１０に近い。また、図示の例では、遮光層２２２の内縁は、反射層２２３の内縁よりも表示領域Ａ１０に近い。遮光層２２２の外縁と、反射層２２３の外縁とは平面視で重なっている。また、遮光層２２２の平面積は、反射層２２３の平面積よりも大きい。また、遮光層２２２は、反射層２２３に平面視で重なる。

【0042】

遮光層２２２が反射層２２３よりも表示領域Ａ１０側に配置されることで、遮光層２２２によって周辺領域Ａ２０から表示領域Ａ１０への光漏れ、すなわち不必要な迷光の発生を抑制することができる。よって、電気光学装置１００の表示品位を高めることができる。さらに、反射層２２３が設けられていることで、反射層２２３によって光ＬＬを反射させることができる。このため、反射層２２３よりも下層の各種配線等に光ＬＬが入射することによる各種配線等の温度上昇を抑制することができる。よって、第１基板２の温度上昇を抑制することができる。このため、液晶層５の液晶が劣化するおそれが抑制される。このようなことから、電気光学装置１００の品質信頼性を向上させることができる。

【0043】

仮に、反射層２２３が遮光層２２２よりも表示領域Ａ１０側に設けられている場合、反射層２２３で反射した光が表示領域Ａ１０内に迷光して進入するおそれがある。仮に、反射層２２３のみが設けられ、遮光層２２２が設けられていない場合も同様に、反射層２２３で反射した光が表示領域Ａ１０内に迷光して進入するおそれがある。また、仮に、遮光層２２２のみが設けられ、反射層２２３が設けられていない場合、遮光層２２２が光ＬＬを吸収する。このため、反射層２２３が設けられていない場合、反射層２２３が設けられている場合に比べ、遮光層２２２の温度が上昇し、第１基板２の温度が上昇してしまう。

【0044】

これに対し、本実施形態では、遮光層２２２および反射層２２３を有し、かつ、遮光層２２２が反射層２２３よりも表示領域Ａ１０側に配置される。このため、第１基板２の温度上昇を抑制しつつ、光漏れを抑制することができる。

【0045】

なお、遮光層２２２および反射層２２３の各平面形状は、枠状以外でもよく、点在していてもよい。ただし、枠状であることで点在している場合に比べ、各機能が好適に発揮される。遮光層２２２および反射層２２３が枠状でなく点在している場合、遮光層２２２の平面視での中心が、反射層２２３の平面視での中心がよりも表示領域Ａ１０に近いことで、第１基板２の温度上昇を抑制しつつ、周辺領域Ａ２０における光漏れを抑制することができる。

【0046】

また、遮光層２２２は、平面視で複数のダミー画素電極２４ｄに重なり、遮光層２２２はダミー画素領域Ａ２１に配置される部分を含む。遮光層２２２がダミー画素領域Ａ２１に配置される部分を含むことで、当該部分を含まない場合に比べ、周辺領域Ａ２０から表示領域Ａ１０への光漏れを抑制することができる。また、反射層２２３の一部は、ダミー画素領域Ａ２１に配置される。反射層２２３の内縁は、平面視でダミー画素電極２４ｄに重なる。

【0047】

図４に示すように、遮光層２２２と反射層２２３とは、互いに異なる層に配置される。遮光層２２２は絶縁層２０５上に配置され、反射層２２３は絶縁層２０６上に配置される。互いに異なる層に設けられていることで、遮光層２２２と反射層２２３とは互いに接触していない。このため、例えば、遮光層２２２上に反射層２２３を積層する場合、光漏れの抑制のため、反射層２２３の一部を除去して遮光層２２２の一部を露出させる必要がある。これに対し、遮光層２２２と反射層２２３とが互いに異なる層に配置されることで、上記のような一部を露出させる処理を省くことができる。

【0048】

さらに、図４に示す例では、反射層２２３は、遮光層２２２に対して光ＬＬの入射側に配置される。このため、反射層２２３によって遮光層２２２に光ＬＬが入射することによる遮光層２２２の温度上昇を抑制することができる。よって、遮光層２２２の平面積が反射層２２３の平面積よりも大きくても、第１基板２の温度上昇を効果的に抑制することができる。

【0049】

また、反射層２２３は、積層体２０のうち最も液晶層５に近い絶縁層２０７に接触している。したがって、反射層２２３は、第２トランジスター２３０に電気的に接続される各種配線よりも光ＬＬの入射側に配置される。このため、当該各種配線に光ＬＬが入射することによる温度上昇を抑制することができる。また、第２反射層２２１が画素電極２４の直下の絶縁層２０７に接触していることで、周辺領域Ａ２０において、光ＬＬが第１基板２の深くまで侵入することが抑制される。このようなことから、光ＬＬの入射による第１基板２の温度上昇を特に効果的に抑制することができる。

【0050】

また、遮光層２２２の材料としては、例えば、タングステン、チタン、クロム、および鉄等の金属、窒化チタン等の金属窒化物ならびに金属シリサイド等が挙げられる。これらの中でも、遮光層２２２は、窒化チタン、タングステン、またはタングステンシリサイドを含むことが好ましい。これらは、光吸収性に優れる。よって、かかる材料を含むことで、他の材料を用いる場合に比べ、周辺領域Ａ２０から表示領域Ａ１０への光漏れを抑制することができる。

【0051】

反射層２２３の材料としては、例えば、金、銀、銅、鉄、およびアルミニウム等の金属、または金属化合物が挙げられる。これらの中でも、反射層２２３は、アルミニウムまたは銅を含むことが好ましく、アルミニウムを含むことが特に好ましい。アルミニウムは可視光の反射率に特に優れる。このため、アルミニウムを含むことで、反射層２２３による反射性を特に好適に発揮することができる。また、アルミニウムは各種配線の材料としても用いられる。したがって、反射層２２３と同層に配線が配置されている場合、反射層２２３を当該配線と同時に形成することができる。

【0052】

なお、周辺領域Ａ２０において、絶縁層２０７とシール部材４との間には配向膜２９が設けられているが、配向膜２９は、これらの間に設けられていなくてもよい。すなわち、配向膜２９は、表示領域Ａ１０のみに設けられていてもよい。

【0053】

図４に示すように、第２基板３が有する見切り部３８は、反射層３８１と、遮光層３８２とを含む。反射層３８１は、「第１反射層」の例示である。なお、図４に示す例では、反射層３８１と遮光層３８２とは、基板３１上に形成されるが、積層体３０が有する複数の絶縁膜のうちのいずれかの絶縁膜上に形成されてもよい。

【0054】

反射層３８１は、光ＬＬに対する反射性を有する。反射層３８１の可視光に対する反射率は、好ましくは、５０％以上であり、より好ましくは９０％以上である。また、平面図は省略するが、反射層３８１は、平面視で複数のダミー画素電極２４ｄおよびシール部材４に重なる。

【0055】

反射層３８１上には、遮光層３８２が配置される。遮光層３８２は、反射層３８１に積層されており、反射層３８１に接触している。遮光層３８２は、光ＬＬを吸収する光吸収性を有し、光ＬＬの浸入を遮る遮光性を有する。遮光層３８２の可視光に対する光吸収率は、好ましくは５０％以上であり、より好ましくは８０％以上である。遮光層３８２が設けられることで、周辺領域Ａ２０から表示領域Ａ１０への光漏れ、すなわち不必要な迷光の発生を抑制することができる。

【0056】

また、反射層３８１の可視光に対する反射率は、遮光層３８２の可視光に対する反射率よりも高い。反射層３８１は高反射膜であり、遮光層３８２は低反射膜である。かかる高反射膜である反射層３８１が設けられることで、反射層３８１で光ＬＬを反射させることができる。

【0057】

図６は、図４に示す遮光層３８２および反射層３８１の平面的な配置を示す図である。図６では、便宜上、遮光層３８２はドットで示され、反射層３８１は斜線で示される。

【0058】

図６に示すように、反射層３８１および遮光層３８２の各平面形状は、四角枠状である。図４および図６に示すように、遮光層３８２は、平面視で反射層３８１よりも表示領域Ａ１０側に設けられる。別の言い方をすると、遮光層３８２は、反射層３８１よりも第２基板３の内側に設けられる。具体的には、図６に示すように、遮光層３８２の平面視での枠状の中心線Ａ３８２は、反射層３８１の平面視での枠状の中心線Ａ３８１よりも表示領域Ａ１０に近い。また、遮光層３８２の外縁は、反射層３８１の外縁よりも表示領域Ａ１０に近い。図示の例では、遮光層３８２の内縁と、反射層３８１の内縁とは平面視で重なっている。

【0059】

遮光層３８２が反射層３８１よりも表示領域Ａ１０側に配置されることで、遮光層３８２によって周辺領域Ａ２０から表示領域Ａ１０への光漏れ、すなわち不必要な迷光の発生を抑制することができる。よって、電気光学装置１００の表示品位を高めることができる。さらに、反射層３８１が設けられていることで、反射層３８１によって光ＬＬを反射させることができる。このため、第２基板３の反射層３８１よりも液晶層５側の部分に光ＬＬが入射することによる第２基板３の温度上昇を抑制することができる。加えて、第１基板２に光ＬＬが入射することによる第１基板２の温度上昇を抑制することができる。このため、第１基板２および第２基板３の温度上昇を抑制することができる。よって、液晶層５の液晶が劣化するおそれが抑制される。このようなことから、電気光学装置１００の品質信頼性を高めることができる。

【0060】

仮に、反射層３８１が遮光層３８２よりも表示領域Ａ１０側に設けられている場合、反射層３８１で反射した光が表示領域Ａ１０内に迷光して進入するおそれがある。仮に、反射層３８１のみが設けられ、遮光層３８２が設けられていない場合も同様に、反射層３８１で反射した光が表示領域Ａ１０内に迷光して進入するおそれがある。また、仮に、遮光層３８２のみが設けられ、反射層３８１が設けられていない場合、遮光層３８２が光ＬＬを吸収する。このため、反射層３８１が設けられていない場合、反射層３８１が設けられている場合に比べ、遮光層３８２の温度が上昇し、第２基板３の温度が上昇してしまう。

【0061】

これに対し、本実施形態では、遮光層３８２および反射層３８１を有し、かつ、遮光層３８２が反射層３８１よりも表示領域Ａ１０側に配置される。このため、第２基板３および第１基板２の温度上昇を抑制しつつ、光漏れを抑制することができる。

【0062】

なお、反射層３８１および遮光層３８２の各平面形状は、枠状以外でもよく、点在していてもよい。ただし、枠状であることで点在している場合に比べ、各機能が好適に発揮される。遮光層３８２および反射層３８１が枠状でなく点在している場合、遮光層３８２の平面視での中心は、反射層３８１の平面視での中心がよりも表示領域Ａ１０に近い。

【0063】

また、遮光層３８２の一部または全部は、平面視で複数のダミー画素電極２４ｄに重なり、ダミー画素領域Ａ２１内に配置される。遮光層３８２がダミー画素領域Ａ２１に配置される部分を含むことで、当該部分を含まない場合に比べ、周辺領域Ａ２０から表示領域Ａ１０への光漏れを抑制することができる。また、反射層３８１の一部は、ダミー画素領域Ａ２１に配置される。反射層３８１の内縁は、平面視でダミー画素電極２４ｄに重なる。また、遮光層３８２の一部または全部は、平面視で遮光層２２２と重なる。遮光層３８２の一部は、平面視で反射層２２３と重なり、遮光層３８２は、平面視で反射層２２３よりも表示領域Ａ１０側に位置する部分を含む。また、反射層３８１の一部または全部は、平面視で反射層２２３と重なる。また、反射層３８１の一部または全部は、平面視で遮光層２２２と重なる。

【0064】

また、前述のように、遮光層３８２は反射層３８１に接触しており、遮光層３８２の平面積は、反射層３８１の平面積よりも小さい。このため、遮光層３８２と反射層３８１とが互いに異なる層に設けられる場合に比べ、第２基板３の厚さを薄くすることできる。なお、遮光層３８２は例えば以下のようにして形成される。例えば、反射層３８１上に成膜された反射層３８１と平面視で同一形状の遮光膜を形成する。その後、当該遮光膜をエッチングによりパターニングすることにより、遮光層３８２が形成される。

【0065】

また、図４に示す例では、反射層３８１は、遮光層３８２に対して光ＬＬの入射側に配置される。このため、反射層３８１によって遮光層３８２に光ＬＬが入射することによる遮光層３８２の温度上昇を抑制することができる。よって、第２基板３の温度上昇を効果的に抑制することができる。

【0066】

反射層３８１の材料としては、例えば、金、銀、銅、鉄、およびアルミニウム等の金属、または金属化合物が挙げられる。これらの中でも、反射層３８１は、アルミニウムまたは銅を含むことが好ましく、アルミニウムを含むことが特に好ましい。アルミニウムは可視光の反射率に特に優れる。このため、アルミニウムを含むことで、反射層３８１による反射性を好適に発揮することができる。

【0067】

遮光層３８２の材料としては、例えば、タングステン、チタン、クロム、および鉄等の金属、窒化チタン等の金属窒化物ならびに金属シリサイド等が挙げられる。これらの中でも、遮光層３８２は、窒化チタン、タングステン、またはタングステンシリサイドを含むことが好ましい。これらは、光吸収性に優れる。よって、かかる材料を含むことで、他の材料を用いる場合に比べ、周辺領域Ａ２０から表示領域Ａ１０への光漏れを抑制することができる。

【0068】

以上説明したように、本実施形態では、第１基板２が遮光層２２２および反射層２２３を有し、第２基板３が遮光層３８２および反射層３８１を有する。このため、第１基板２および第２基板３のそれぞれが「遮光層」および「反射層」を有する。よって、両方の基板が「遮光層」および「反射層」を有することで、第１基板２および第２基板３のいずれか一方が「遮光層」および「反射層」を有さない場合に比べ、電気光学装置１００の品質信頼性を高めることができる。

【0069】

Ａ－４．周辺領域Ａ２０における光路
図７は、図４の周辺領域Ａ２０における光路を説明するための図である。光ＬＬは、ある程度の拡がり角をもって出射される。

【0070】

前述のように、反射層２２３が第１基板２に設けられる。このため、図７に示すように、例えば、光ＬＬに含まれる光ＬＬ１は、反射層２２３で反射する。このため、光ＬＬの入射による各種配線の温度上昇を抑制できるので、第１基板２の温度上昇を抑制することができる。さらに、反射層２２３は遮光層２２２よりも光ＬＬの入射側に配置される。このため、前述のように、遮光層２２２への光ＬＬの入射を抑制することができるので、第１基板２の温度上昇を特に効果的に抑制することができる。

【0071】

また、遮光層２２２は、反射層２２３よりも表示領域Ａ１０側に配置される。このため、例えば、光ＬＬに含まれる光ＬＬ２を遮光層２２２で吸収することができる。このため、前述のように、周辺領域Ａ２０から表示領域Ａ１０への光漏れを抑制することができる。

【0072】

また、反射層３８１が第２基板３に設けられる。このため、例えば、光ＬＬに含まれる光ＬＬ３は、反射層３８１で反射する。よって、反射層３８１よりも液晶層５側への光ＬＬの入射が抑制されるので、第２基板３および第１基板２の温度上昇が抑制される。さらに、反射層３８１は遮光層３８２よりも光ＬＬの入射側に配置される。このため、前述のように、遮光層３８２への光ＬＬの入射を抑制することができるので、第２基板３の温度上昇を特に効果的に抑制することができる。

【0073】

また、遮光層３８２は、反射層３８１よりも表示領域Ａ１０側に配置される。このため、例えば、光ＬＬに含まれる光ＬＬ４が反射層２２３で反射した反射光を、遮光層３８２で吸収することができる。よって、周辺領域Ａ２０から表示領域Ａ１０への光漏れを抑制することができる。特に、遮光層３８２の一部が平面視で反射層２２３と重なり、遮光層３８２は、平面視で反射層２２３よりも表示領域Ａ１０側に位置する部分を含む。このため、反射層２２３で反射した反射光を、遮光層３８２で効果的に吸収することができる。

【0074】

Ａ－７．表示領域Ａ１０の画素電極２４およびトランジスター２３の平面的な配置
図８は、図２の画素電極２４およびトランジスター２３の平面的な配置を示す図である。図８に示すように、複数の画素電極２４は、互いに離間し、平面視で行列状に配置される。各画素電極２４の平面形状は、四角形である。トランジスター２３は、平面視で、対応する画素電極２４の四隅のうちの図面左下の角に対応する位置に設けられる。図４では、トランジスター２３が有する後述の半導体層２３１が図示される。

【0075】

また、電気光学装置１００には、複数の開口部Ａ１１および遮光領域Ａ１２が設けられる。各開口部Ａ１１は、光ＬＬが透過する領域である。複数の開口部Ａ１１には、複数の画素電極２４が１対１で配置される。したがって、複数の開口部Ａ１１は、互いに離間し、平面視で行列状に配置される。各開口部Ａ１１は、ほぼ四角形である。

【0076】

遮光領域Ａ１２は、平面視で、複数の開口部Ａ１１を囲む枠状である。遮光領域Ａ１２は、光ＬＬの透過が遮られる領域である。遮光領域Ａ１２には、複数のトランジスター２３が配置される。また、遮光領域Ａ１２には、各種配線等が配置される。なお、各画素電極２４の外縁部は、遮光領域Ａ１２に位置する。

【0077】

Ａ－８．第１基板２の表示領域Ａ１０の一部の断面構造
図９は、図２の第１基板２の表示領域Ａ１０における断面構造を示す図である。図９では、１つの画素電極２４に対応する断面が図示される。

【0078】

図９に示すように、基板２１上には、遮光膜２１１が配置される。遮光膜２１１は、トランジスター２３が有する半導体層２３１への光の入射を防ぐために設けられる。遮光膜２１１の材料は、例えば、タングステン、チタン、クロム、および鉄等の金属、金属窒化物ならびに金属シリサイド等が挙げられる。これらの中でも、遮光膜２１１は、前述の遮光膜２１０と同様の理由から、タングステンを含むことが好ましい。なお、遮光膜２１１は基板２１に形成された凹部内に配置されてもよい。

【0079】

絶縁層２０１上には、トランジスター２３が配置される。トランジスター２３は、半導体層２３１と、ゲート電極２３２と、ゲート絶縁膜２３３とを有する。半導体層２３１は、絶縁層２０１上に配置される。半導体層２３１とゲート電極２３２との間にはゲート絶縁膜２３３が設けられる。

【0080】

半導体層２３１は、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有する。具体的には、半導体層２３１は、ドレイン領域２３１ｄ、ソース領域２３１ｓ、チャネル領域２３１ｃ、低濃度ドレイン領域２３１ａおよび低濃度ソース領域２３１ｂを有する。半導体層２３１は、例えば、ポリシリコンで形成される。チャネル領域２３１ｃを除く領域には、導電性を高める不純物がドープされる。低濃度ドレイン領域２３１ａ中の不純物濃度は、ドレイン領域２３１ｄ中の不純物濃度よりも低い。低濃度ソース領域２３１ｂ中の不純物濃度は、ソース領域２３１ｓ中の不純物濃度よりも低い。

【0081】

ゲート電極２３２は、例えば、ポリシリコンに導電性を高める不純物がドープされることにより形成される。なお、ゲート電極２３２は、金属、金属酸化物および金属化合物の導電性を有する材料を用いて形成されてもよい。また、ゲート電極２３２は、絶縁層２０１および２０２を貫通する孔に配置された導電性の接続部２７１を介して遮光膜２１１に電気的に接続される。また、ゲート絶縁膜２３３は、例えば、熱酸化またはＣＶＤ（chemical vapor deposition）法等で成膜される酸化ケイ素膜で構成される。

【0082】

絶縁層２０２上には、走査線２４１、中継層２４５、中継層２４６、および電極２４４が配置される。走査線２４１は、絶縁層２０２を貫通する孔に配置された導電性の接続部２７１を介してゲート電極２３２に電気的に接続される。中継層２４５および中継層２４６は、導電性を有する。中継層２４５は、絶縁層２０２を貫通する孔に配置された導電性の接続部２７２を介して半導体層２３１のソース領域２３１ｓに電気的に接続される。中継層２４５は、絶縁層２０２を貫通する孔に配置された導電性の接続部２７３を介して半導体層２３１のドレイン領域２３１ｄに電気的に接続される。電極２４４は、絶縁層２０１および２０２を貫通する孔に配置された導電性の接続部２７４を介して遮光膜２１１に電気的に接続される。電極２４４は、走査線２４１と電気的に接続されてもよい。

【0083】

なお、接続部２７１～２７４のそれぞれは、接続される配線等と一体で形成された所謂トレンチ型の電極であってもよいし、コンタクトプラグであってもよい。

【0084】

絶縁層２０３上には、データ線２４２および中継層２４７が配置される。データ線２４２は、絶縁層２０３を貫通する孔に配置された導電性の接続部２７５を介して中継層２４５に電気的に接続される。中継層２４７は、絶縁層２０３を貫通する孔に配置された導電性の接続部２７６を介して中継層２４６に電気的に接続される。なお、接続部２７５および２７６のそれぞれは、接続される配線等と一体で形成された所謂トレンチ型の電極であってもよいし、コンタクトプラグであってもよい。

【0085】

絶縁層２０４上には、容量素子２５が配置される。容量素子２５は、第１容量電極２５１と第２容量電極２５２と誘電体層２５３とを有する。第１容量電極２５１は絶縁層２０５上に配置される。第２容量電極２５２は、絶縁層２０５上に配置される。別の言い方をすると、第２容量電極２５２は、トランジスター２３と画素電極２４との間の層に配置される。誘電体層２５３は、第１容量電極２５１と第２容量電極２５２との間に配置される。

【0086】

第１容量電極２５１は、前述の定電位線２４３の一部を構成する。第２容量電極２５２は「中継電極」に相当する。第２容量電極２５２は、絶縁層２０４を貫通する孔に配置された導電性の接続部２７７を介して中継層２４７に電気的に接続される。なお、接続部２７７は、第２容量電極２５２と一体で形成された所謂トレンチ型の電極であってもよいし、コンタクトプラグであってもよい。

【0087】

第１容量電極２５１および第２容量電極２５２のそれぞれは、例えば、導電性のポリシリコン、金属シリサイド、金属あるいは金属化合物などの導電材料で形成される。本実施形態では、第１容量電極２５１および第２容量電極２５２のそれぞれは、窒化チタン（ＴｉＮ）、タングステン、またはタングステンシリサイド（ＷＳｉ）を含む。また、誘電体層２５３は、高誘電率材料であるＨｉｇｈ－Ｋで形成される。

【0088】

絶縁層２０６上には、第２反射層２２１が配置される。第２反射層２２１は、光ＬＬを反射させる反射性を有する。第２反射層２２１の可視光に対する反射率は、好ましくは５０％以上であり、より好ましくは９０％以上である。また、絶縁層２０７上には、画素電極２４が配置される。画素電極２４は、コンタクトプラグ２７８を介して第２容量電極２５２に電気的に接続される。コンタクトプラグ２７８は、絶縁層２０６および２０７を貫通する貫通孔Ｈ０を埋めるプラグ状の導電部である。また、画素電極２４上には、配向膜２９が配置される。

【0089】

また、接続部２７１～２７７、およびコンタクトプラグ２７８の各材料としては、特に限定されないが、例えば、タングステン、チタン、クロム、鉄およびアルミニウム等の金属、金属窒化物ならびに金属シリサイド等が挙げられる。

【0090】

前述の走査線２４１、データ線２４２、電極２４４、中継層２４５、２４６および２４７のそれぞれは、例えば、アルミニウム等の金属、または窒化チタン等の金属化合物を含み、単層でも複数層であってもよい。特に、これらは、アルミニウム膜と窒化チタン膜の積層構造であることが好ましい。これらがアルミニウム膜を含むことで、低抵抗化を図ることができる。また、窒化チタン膜を含むことで、各接続部２７１～２７７との接触を避け、アルミニウム膜の電蝕を抑制することができる。

【0091】

また、前述のように、コンタクトプラグ２７８は、第２容量電極２５２と画素電極２４との間の層に設けられ、第２容量電極２５２と画素電極２４とを電気的に接続する。また、第２反射層２２１は、第２容量電極２５２と画素電極２４との間の層に配置される。

【0092】

貫通孔Ｈ０を埋めるプラグ状のコンタクトプラグ２７８が設けられることで、従来のように、コンタクトホール、すなわち絶縁層に形成された孔の壁面に沿って設けられるトレンチ型の電極を設けずに済む。コンタクトプラグ２７８は、アスペクト比の高い貫通孔Ｈ０であっても良好に配置することができる。このため、第２容量電極２５２と画素電極２４との間の層に設けられた第２反射層２２１を、第２容量電極２５２と画素電極２４とを電気的に接続するための中継配線として用いずに済む。したがって、第２反射層２２１を第２容量電極２５２および画素電極２４と電気的に接続する必要がない。よって、第２反射層２２１にコンタクトホールに沿って設けられた電極を接続しなくて済む。第２反射層２２１は、第２容量電極２５２および画素電極２４と絶縁される。

【0093】

第２反射層２２１にコンタクトホールに沿って設けられた電極を接続しなくて済むことで、第２反射層２２１の平面積を広くし易い。このため、第２反射層２２１により光ＬＬを反射させる機能を高めることができる。この結果、第２反射層２２１よりも下層の第２容量電極２５２等に光ＬＬが入射することが抑制される。それゆえ、第２容量電極２５２等の光ＬＬの入射による温度上昇を抑制することができる。よって、第１基板２の温度上昇を抑制することができる。このため、液晶層５の液晶が劣化するおそれ、またはトランジスター２３の抵抗値が変わって設計通りの特性が発揮されなくなるおそれが抑制される。このため、電気光学装置１００の品質信頼性の向上させることができる。

【0094】

表示領域Ａ１０に第２反射層２２１が配置され、かつ、前述のように周辺領域Ａ２０に反射層２２３が配置されることで、第１基板２の温度上昇を最も効果的に抑制することができる。

【0095】

第２反射層２２１の材料としては、例えば、金、銀、銅、鉄、およびアルミニウム等の金属、または金属化合物が挙げられる。これらの中でも、第２反射層２２１は、アルミニウムまたは銅を含むことが好ましく、アルミニウムを含むことが特に好ましい。アルミニウムは可視光の反射率に特に優れる。このため、アルミニウムを含むことで、第２反射層２２１による反射性を好適に発揮することができる。また、アルミニウムは各種配線の材料としても用いられる。したがって、第２反射層２２１と同層に配線が配置されている場合、第２反射層２２１を当該配線と同時に形成することができる。

【0096】

また、第２反射層２２１は、前述の周辺領域Ａ２０の反射層２２３と同層に設けられる。このため、反射層２２３と第２反射層２２１とは、例えば、１つの反射膜をパターニングすることにより、一括で形成することができる。よって、反射層２２３と第２反射層２２１とを簡単に形成することができる。

【0097】

また、絶縁層２０７上に画素電極２４が配置されており、第２反射層２２１が、絶縁層２０７に接触している。したがって、第２反射層２２１は、各種配線よりも光ＬＬの入射側に配置される。このため、第２容量電極２５２に加え、第２容量電極２５２以外の下層に配置される配線に光ＬＬが入射することによる温度上昇を抑制することができる。また、第２反射層２２１は、画素電極２４の直下の層に設けられることで、光ＬＬが第１基板２の深くまで侵入することが抑制される。このようなことから、光ＬＬの入射による第１基板２の温度上昇を特に効果的に抑制することができる。

【0098】

また、第２容量電極２５２は、前述のように、例えば、窒化チタン、タングステン、またはタングステンシリサイドを含む。この場合、第２容量電極２５２は光ＬＬを吸収し易く、光ＬＬの吸収によって温度上昇し易い。このため、「中継電極」としての第２容量電極２５２が上記材料のいずれかを含む場合、第２容量電極２５２よりも上方に第２反射層２２１が配置されることで、第２容量電極２５２の温度上昇を抑制することができる。よって、第１基板２の温度上昇を効果的に抑制することができる。

【0099】

コンタクトプラグ２７８の材料としては、前述のように、例えば、タングステン、チタン、クロム、鉄およびアルミニウム等の金属、金属窒化物ならびに金属シリサイド等が挙げられる。これらの中でも、コンタクトプラグ２７８は、タングステンを含むことが好ましい。タングステンは、これら金属等の中でも充填性に優れる。このため、タングステンを用いることで、アスペクト比の高い貫通孔Ｈ０を均質に埋めることができる。よって、第２反射層２２１の平面積を大きくし易い。

【0100】

さらに、コンタクトプラグ２７８は、単一材料で構成されてもよいし、複数層で形成されてもよい。例えば、コンタクトプラグ２７８は、バリア層と導電層とを含む。バリア層は、貫通孔Ｈ０を形成する内壁面に接触する。バリア層は、導電層の成分の拡散防止のために設けられる。導電層は、バリア層の内側に配置され、貫通孔Ｈ０を埋める。バリア層は、タングステンナイトライド（ＷＮ）またはチタンナイトライド（ＴｉＮ）含むことが好ましい。導電層は、タングステンを含むことが好ましい。

【0101】

Ａ－９．第２反射層２２１の平面構造
図１０は、図９の第２反射層２２１の平面図である。図１０に示すように、各第２反射層２２１の平面形状は、ほぼＬ字であって、Ｙ軸に沿って並ぶ複数の第２反射層２２１は、互いに接続される。

【0102】

具体的には、各第２反射層２２１は、幅広部２２１１と、延在部２２１２と、延在部２２１３とを含む。幅広部２２１１は、平面視で、対応する画素電極２４の四隅のうちの図面左下の角に対応する位置に設けられる。延在部２２１２は、幅広部２２１１からＸ１方向に延在する。延在部２２１３は、幅広部２２１１からＹ１方向に延在する。ある１つの第２反射層２２１の延在部２２１３は、Ｙ１方向に隣接する他の１つの第２反射層２２１の幅広部２２１１に接続される。

【0103】

図１０に示す第２反射層２２１は、前述の図８に示す遮光領域Ａ１２に沿って配置される。このため、図示省略するが、第２反射層２２１は、平面視でトランジスター２３、走査線２４１、データ線２４２、電極２４４、中継層２４５～２４７、第１容量電極２５１、および第２容量電極２５２と重なる。

【0104】

第２反射層２２１が遮光領域Ａ１２に配置されることで、遮光領域Ａ１２において第２反射層２２１よりも下層の各種配線等への光ＬＬの入射を抑制することができる。特に、第２反射層２２１が遮光領域Ａ１２に沿って配置されることで、第２反射層２２１が点在して配置される場合に比べ、第２反射層２２１よりも下層の各種配線等への光ＬＬの入射をより抑制することができる。よって、各種配線の光ＬＬの入射による温度上昇を抑制することができるので、第１基板２の温度上昇を効果的に抑制することができる。

【0105】

なお、第２反射層２２１は、遮光領域Ａ１２に沿って配置されておらず、点在して配置されていてもよい。また、図１０に示す例では、Ｘ軸に沿って隣接する２つの第２反射層２２１は、互いに接続されていない。しかし、ある１つの第２反射層２２１は、Ｘ１方向に隣接する他の１つの第２反射層２２１に接続されてもよい。したがって、複数の第２反射層２２１の全てによって枠状形状が構成されてもよい。枠状形状であることで、各種配線等に光ＬＬが入射することによる温度上昇を特に効果的に抑制することができる。また、図１０に示す例では、ある１つの第２反射層２２１は、Ｙ１方向に隣接する他の１つの第２反射層２２１に接続されているが、接続されていなくてもよい。

【0106】

また、図１０に示すように、遮光膜２１１は、平面視でコンタクトプラグ２７８と異なる位置に設けられており、平面視でコンタクトプラグ２７８と重ならない。幅広部２２１１が有する切欠き部２２１０に対応してコンタクトプラグ２７８が設けられる。前述のように、コンタクトプラグ２７８を用いることで、トレンチ型の電極を用いる場合に比べ、第２反射層２２１の平面積を大きくすることができる。

【0107】

また、第２容量電極２５２は、平面視でコンタクトプラグ２７８および第２反射層２２１に重なっている。第２容量電極２５２が平面視で第２反射層２２１に重なることで、第２反射層２２１によって第２容量電極２５２への光ＬＬの入射を好適に抑制することができる。

【0108】

２．変形例
以上に例示した実施形態は多様に変形され得る。前述の実施形態に適用され得る具体的な変形の態様を以下に例示する。

【0109】

図１１は、変形例の電気光学装置１００の周辺領域における断面構造を示す図である。図１１に示すように、反射層３８１と遮光層３８２とは、接触していなくてもよい。図１１に示す例では、反射層３８１と遮光層３８２とは、積層体３０が有する複数の絶縁膜のうち互いに異なる絶縁膜上に配置される。このため、遮光層３８２を形成するために、反射層３８１上に成膜された遮光膜をエッチングによりパターニングする必要がない。このため、遮光層３８２の製造が容易である。

【0110】

また、前述の実施形態では、反射層２２３が遮光層２２２よりも光ＬＬの入射側に配置されるが、遮光層２２２が反射層２２３よりも光ＬＬの入射側に配置されてもよい。この場合であっても、第１基板２の温度上昇を抑制しつつ、光漏れを抑制することができる。また、例えば、戻り光を反射層２２３で反射させることができるので、遮光層２２２への光ＬＬの入射を防ぐことができる。よって、第１基板２の温度上昇を抑制することができる。また、反射層２２３と遮光層２２２とは同層に設けられてもよい。

【0111】

同様に、前述の実施形態では、反射層３８１は、遮光層３８２の上層に配置されるが、遮光層３８２が反射層３８１よりも光ＬＬの入射側に配置されてもよい。この場合であっても、第１基板２および第２基板３の温度上昇を抑制しつつ、光漏れを抑制することができる。また、例えば、戻り光を反射層３８１で反射させることができるので、遮光層３８２への光ＬＬの入射を防ぐことができる。よって、第２基板３の温度上昇を抑制することができる。また、反射層３８１と遮光層３８２とは同層に設けられてもよい。

【0112】

前述の実施形態では、「中継電極」として第２容量電極２５２を例示したが、「中継電極」は、第２容量電極２５２以外でもよい。すなわち、「中継電極」は、容量素子２５が有する電極に限定されない。図９で示す各種配線の配置は、一例であって、図９に示す配置以外でも構わない。「中継電極」は、「画素電極」に「コンタクトプラグ」を介して接続されていれば、いかなる配線でもよい。

【0113】

「電気光学装置」の駆動方式は、縦電界方式に限定されず、横電界方式でもよい。なお、横電界方式としては、例えばＩＰＳ（In Plane Switching）モードが挙げられる。また、縦電界方式としては、ＴＮ（Twisted Nematic）モード、ＶＡ（Virtical Alignment）、ＰＶＡモードおよびＯＣＢ（Optically Compensated Bend）モードが挙げられる。

【0114】

前述の各実施形態では、アクティブマトリクス方式の電気光学装置１００が例示されるが、これに限定されず、電気光学装置１００の駆動方式は、例えば、パッシブマトリクス方式等でもよい。

【0115】

また、前述した説明では、「電気光学装置」の一例として液晶表示装置について説明したが、「電気光学装置」のはこれに限定されない。例えば、「電気光学装置」のは、イメージセンサー等にも適用することができる。

【0116】

２．電子機器
電気光学装置１００は、各種電子機器に用いることができる。

【0117】

図１２は、電子機器の一例であるパーソナルコンピューター２０００を示す斜視図である。パーソナルコンピューター２０００は、各種の画像を表示する電気光学装置１００と、電源スイッチ２００１およびキーボード２００２が設置される本体部２０１０と、制御部２００３と、を有する。制御部２００３は、例えばプロセッサーおよびメモリーを含み、電気光学装置１００の動作を制御する。

【0118】

図１３は、電子機器の一例であるスマートフォン３０００を示す平面図である。スマートフォン３０００は、操作ボタン３００１と、各種の画像を表示する電気光学装置１００と、制御部３００２と、を有する。操作ボタン３００１の操作に応じて電気光学装置１００に表示される画面内容が変更される。制御部３００２は、例えばプロセッサーおよびメモリーを含み、電気光学装置１００の動作を制御する。

【0119】

図１４は、電子機器の一例であるプロジェクターを示す模式図である。投射型表示装置４０００は、例えば、３板式のプロジェクターである。電気光学装置１ｒは、赤色の表示色に対応する電気光学装置１００であり、電気光学装置１ｇは、緑の表示色に対応する電気光学装置１００であり、電気光学装置１ｂは、青色の表示色に対応する電気光学装置１００である。すなわち、投射型表示装置４０００は、赤、緑および青の表示色に各々対応する３個の電気光学装置１ｒ、１ｇ、１ｂを有する。制御部４００５は、例えばプロセッサーおよびメモリーを含み、電気光学装置１００の動作を制御する。

【0120】

照明光学系４００１は、光源である照明装置４００２からの出射光のうち赤色成分ｒを電気光学装置１ｒに供給し、緑色成分ｇを電気光学装置１ｇに供給し、青色成分ｂを電気光学装置１ｂに供給する。各電気光学装置１ｒ、１ｇ、１ｂは、照明光学系４００１から供給される各単色光を表示画像に応じて変調するライトバルブ等の光変調器として機能する。投射光学系４００３は、各電気光学装置１ｒ、１ｇ、１ｂからの出射光を合成して投射面４００４に投射する。

【0121】

以上の電子機器は、前述の電気光学装置１００と、制御部２００３、３００２または４００５と、を備える。前述の電気光学装置１００は品質信頼性に優れる。よって、電気光学装置１００を備えることで、パーソナルコンピューター２０００、スマートフォン３０００または投射型表示装置４０００の表示品位の低下を抑制することができる。

【0122】

なお、本発明の電気光学装置が適用される電子機器としては、例示した機器に限定されず、例えば、ＰＤＡ（Personal Digital Assistants）、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、車載用の表示器、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、およびＰＯＳ（Point of sale）端末等が挙げられる。さらに、本発明が適用される電子機器としては、プリンター、スキャナー、複写機、ビデオプレーヤー、またはタッチパネルを備えた機器等が挙げられる。

【0123】

以上、好適な実施形態に基づいて本発明を説明したが、本発明は前述の実施形態に限定されない。また、本発明の各部の構成は、前述の実施形態の同様の機能を発揮する任意の構成に置換でき、また、任意の構成を付加できる。

【符号の説明】

【0124】

１ｂ…電気光学装置、１ｇ…電気光学装置、１ｒ…電気光学装置、２…第１基板、３…第２基板、４…シール部材、５…液晶層、１０…駆動回路、１１…走査線駆動回路、１２…データ線駆動回路、１３…外部端子、２０…積層体、２１…基板、２３…トランジスター、２４…画素電極、２４ｄ…ダミー画素電極、２５…容量素子、２９…配向膜、３０…積層体、３１…基板、３２…対向電極、３８…見切り部、３９…配向膜、５０…液晶分子、１００…電気光学装置、２０１…絶縁層、２０２…絶縁層、２０３…絶縁層、２０４…絶縁層、２０５…絶縁層、２０６…絶縁層、２０７…絶縁層、２１０…遮光膜、２１１…遮光膜、２２１…第２反射層、２２２…遮光層、２２３…反射層、２３０…第２トランジスター、２３１…半導体層、２３１ａ…低濃度ドレイン領域、２３１ｂ…低濃度ソース領域、２３１ｃ…チャネル領域、２３１ｄ…ドレイン領域、２３１ｓ…ソース領域、２３２…ゲート電極、２３３…ゲート絶縁膜、２４１…走査線、２４２…データ線、２４３…定電位線、２４４…電極、２４５…中継層、２４６…中継層、２４７…中継層、２５１…第１容量電極、２５２…第２容量電極、２５３…誘電体層、２７１…接続部、２７２…接続部、２７３…接続部、２７４…接続部、２７５…接続部、２７６…接続部、２７７…接続部、２７８…コンタクトプラグ、３８１…反射層、３８２…遮光層、２０００…パーソナルコンピューター、２００１…電源スイッチ、２００２…キーボード、２００３…制御部、２０１０…本体部、２２１０…切欠き部、２２１１…幅広部、２２１２…延在部、２２１３…延在部、３０００…スマートフォン、３００１…操作ボタン、３００２…制御部、４０００…投射型表示装置、４００１…照明光学系、４００２…照明装置、４００３…投射光学系、４００４…投射面、４００５…制御部、Ａ１０…表示領域、Ａ１１…開口部、Ａ１２…遮光領域、Ａ２０…周辺領域、Ａ２１…ダミー画素領域、Ａ２２２…中心線、Ａ２２３…中心線、Ａ３８１…中心線、Ａ３８２…中心線、Ｈ０…貫通孔、ＬＬ…光、ＬＬ１…光、ＬＬ２…光、ＬＬ３…光、ＬＬ４…光、Ｐ…画素。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】