特開 2024-129983 検知装置及びストレージ装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024129983

(43)【公開日】2024-09-30

(54)【発明の名称】検知装置及びストレージ装置

(51)【国際特許分類】

   G01R 31/00 20060101AFI20240920BHJP

【ＦＩ】

G01R31/00

【審査請求】未請求

【請求項の数】6

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023039433

(22)【出願日】2023-03-14

(71)【出願人】

【識別番号】000005108

【氏名又は名称】株式会社日立製作所

(74)【代理人】

【識別番号】110002365

【氏名又は名称】弁理士法人サンネクスト国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】武藤 亮真

(72)【発明者】

【氏名】堀 雅則

【テーマコード（参考）】

2G036

【Ｆターム（参考）】

2G036AA24

2G036AA28

2G036BA46

2G036BB12

2G036BB22

(57)【要約】

【課題】大気に曝されることによる腐食の予兆を検知すること。
【解決手段】対象の装置に取り付けられる検知装置であって、電源に取り付けられた第１抵抗素子と、前記第１抵抗素子に直列に接続された第２抵抗素子と、前記第１抵抗素子と前記第２抵抗素子との間の中間電圧を取得する検知部とを備え、前記第２抵抗素子は、前記装置の周辺大気に露出され、前記検知部は、前記中間電圧の変化に基づいて、前記周辺大気によって生じる前記装置の腐食の予兆を検知することを特徴とする。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

対象の装置に取り付けられる検知装置であって、
電源に取り付けられた第１抵抗素子と、
前記第１抵抗素子に直列に接続された第２抵抗素子と、
前記第１抵抗素子と前記第２抵抗素子との間の中間電圧を取得する検知部と
を備え、
前記第２抵抗素子は、前記装置の周辺大気に露出され、
前記検知部は、前記中間電圧の変化に基づいて、前記周辺大気によって生じる前記装置の腐食の予兆を検知することを特徴とする検知装置。

【請求項2】

請求項１に記載の検知装置であって、
前記検知部は、規定の電圧で導通する金属酸化膜半導体電界効果トランジスタを備え、当該導通を契機に腐食の予兆があることを示す出力を行うことを特徴とする検知装置。

【請求項3】

請求項１に記載の検知装置であって、
前記第２抵抗素子に、腐食を促進する薬剤を塗布したことを特徴とする検知装置。

【請求項4】

請求項１に記載の検知装置であって、
複数の前記検知部を備え、複数の前記検知部はそれぞれ異なる中間電圧値で作動し、作動する検知部に対応して緊急度に応じた動作を行うことを特徴とする検知装置。

【請求項5】

請求項４に記載の検知装置であって、
前記作動する検知部に応じて態様の異なる警告出力を行う出力部をさらに備えたことを特徴とする検知装置。

【請求項6】

記憶デバイスと、
前記記憶デバイスに対するデータの読み書きを行う制御ユニットと、
周辺大気を取り込んで前記記憶デバイス及び／又は前記制御ユニットを冷却する送風ユニットと、
前記制御ユニットに取り付けられた検知装置とを備え、
前記検知装置は、
電源に取り付けられた第１抵抗素子と、
前記第１抵抗素子に直列に接続された第２抵抗素子と、
前記第１抵抗素子と前記第２抵抗素子との間の中間電圧を取得する検知部と
を備え、
前記第２抵抗素子は、前記周辺大気に露出され、
前記検知部は、前記中間電圧の変化に基づいて、前記周辺大気によって生じる腐食の予兆を検知することを特徴とするストレージ装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、検知装置及びストレージ装置に関する。

【背景技術】

【0002】

従来、回路における腐食による異常の発生を予見するため、特開２０２０－１３４３８７号公報（特許文献１）に記載の技術がある。この公報には、「異常予見装置Ｄは、硫化水素ガスの発生を伴う環境で用いられるプリント回路板１に搭載され、プリント回路板１中の対象電子部品１０よりも高温になるように設定されているダミー部品１１と、ダミー部品１１の抵抗値の異常を検出する異常検出部１２と、備える。」という記載がある。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０２０－１３４３８７号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

従来の技術では、「硫化水素ガスによる腐食は温度が高いほど進行が速い」点に着目し、対象電子部品よりも高温になるように設定したダミー部品の抵抗値の異常を検出している。しかし、従来の技術では、大気に曝されることによる腐食の進行について考慮されていない。例えば、装置の使用環境が工場地帯や交通量の多い道路の近くであれば、装置の電子部品が大気中の汚染物質にさらされて腐食が発生し、故障に至る可能性がある。特に、外気をファンで取り込む空冷方式を採用するストレージ装置などでは、この問題が深刻となる。さらに、ストレージ装置では、無停止で常時稼働することを求められるため、腐食等による故障をできるだけ早い段階で検知し、対処することが求められる。

【0005】

そこで、本発明では、大気に曝されることによる腐食の予兆を検知することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

上記目的を達成するために、代表的な本発明の検知装置の一つは、対象の装置に取り付けられる検知装置であって、電源に取り付けられた第１抵抗素子と、前記第１抵抗素子に直列に接続された第２抵抗素子と、前記第１抵抗素子と前記第２抵抗素子との間の中間電圧を取得する検知部とを備え、前記第２抵抗素子は、前記装置の周辺大気に露出され、前記検知部は、前記中間電圧の変化に基づいて、前記周辺大気によって生じる前記装置の腐食の予兆を検知することを特徴とする。
また、代表的な本発明のストレージ装置の一つは、記憶デバイスと、前記記憶デバイスに対するデータの読み書きを行う制御ユニットと、周辺大気を取り込んで前記記憶デバイス及び／又は前記制御ユニットを冷却する送風ユニットと、前記制御ユニットに取り付けられた検知装置とを備え、前記検知装置は、電源に取り付けられた第１抵抗素子と、前記第１抵抗素子に直列に接続された第２抵抗素子と、前記第１抵抗素子と前記第２抵抗素子との間の中間電圧を取得する検知部とを備え、前記第２抵抗素子は、前記周辺大気に露出され、前記検知部は、前記中間電圧の変化に基づいて、前記周辺大気によって生じる腐食の予兆を検知することを特徴とする。

【発明の効果】

【0007】

本発明によれば、大気に曝されることによる腐食の予兆を検知できる。上記した以外の課題、構成及び効果は以下の実施の形態の説明により明らかにされる。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】対象デバイスと検知回路の説明図

【図2】プログラムと管理テーブルについての説明図

【図3】回路配置の説明図

【図4】検知回路を複数実装する場合の説明図

【図5】ステートドリブン構成の説明図

【図6】イベントドリブン構成の説明図

【図7】ハイブリッドドリブン構成の説明図

【図8】ステートドリブンの処理の説明図（その１）

【図9】ステートドリブンの処理の説明図（その２）

【図10】イベントドリブンの処理の説明図（その１）

【図11】イベントドリブンの処理の説明図（その２）

【図12】管理テーブルの説明図

【図13】実装と抵抗変化の説明図

【図14】ＬＥＤによる通知を行う場合の構成図

【図15】複数装置についての表示の説明図

【発明を実施するための形態】

【0009】

以下、実施例を図面を用いて説明する。

【実施例0010】

図１は、対象デバイスと検知回路の説明図である。図１における対象デバイスは、ストレージ装置１０である。ストレージ装置１０は、容器（キャニスタ）の内部に、ファン１１と、プリント回路基板（ＰＣＢ）２０と、検知回路３０とを有する。

【0011】

ファン１１は、周辺大気を取り込んでストレージ装置１０を冷却する送風ユニットである。ＰＣＢ２０は、各種電子部品を実装され、ストレージ装置１０の制御ユニットとして動作するパッケージである。

【0012】

図１の検知回路３０は、ＰＣＢ２０に取り付けられ、第１抵抗素子である抵抗素子Ｒ１、第２抵抗素子である抵抗素子Ｒ２、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）３１、レジスタ３２を有する。

【0013】

抵抗素子Ｒ１は電源に取り付けられ、抵抗素子Ｒ２は抵抗素子Ｒ１に直列に接続される。ＭＯＳＦＥＴ３１は、抵抗素子Ｒ１と抵抗素子Ｒ２との間の中間電圧をゲート電圧として取得する。ＭＯＳＦＥＴ３１は、ゲート電圧が規定の電圧以上となった場合に作動して導通し、レジスタ３２の値を更新する。

【0014】

図２は、プログラムと管理テーブルについての説明図である。図２では、レジスタ３２にはＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）４１を接続している。そして、ＣＰＵ４１にはメモリ４２を接続している。メモリ４２は、監視プログラムと管理テーブルを格納する。ＣＰＵ４１は、メモリ４２の監視プログラムを読み出して実行することにより、レジスタ３２の値を取得して、腐食の予兆を検知する。

【0015】

図３は、回路配置の説明図である。図３に示すように、ストレージ装置１０のドライブボックス筐体には、記憶デバイスであるドライブ５０（例えば、ソリッドステートドライブやハードディスクドライブ）と、ＰＣＢ２０と、電源供給ユニット（ＰＳ）６０とを有する。ファン１１は、電源供給ユニット６０に設けられている。ファン１１が稼働すると、ドライブ５０、ＰＣＢ２０、電源供給ユニット６０を通る流路で冷却風が流れ、装置を冷却する。冷却風の当たり方には局所性がある。装置を冷却する点では、冷却風の局所性は問題にならず、ある程度全体的に温度を下げることができる。一方、冷却風自体による影響については、局所性が大きく影響する。例えば、冷却風となる外気が汚染されていれば、流路に当たる場所の電子部品には流入する外気に曝されることで、腐食が早く進行する。

【0016】

そこで、検知回路３０は、抵抗素子Ｒ１を流路から外れた場所（流入外気にさらされない場所）に配置し、抵抗素子Ｒ２を流路にあたる場所（流入外気にさらされる場所）に配置する。このように、抵抗素子Ｒ２を周辺大気に露出させ、抵抗素子Ｒ１を抵抗素子Ｒ２に比して周辺大気に露出しないようにすれば、抵抗素子Ｒ２は抵抗素子Ｒ１よりも早く腐食が進行する。この結果、抵抗素子Ｒ２と抵抗素子Ｒ１との中間電圧が変化する。この中間電圧の変化でＭＯＳＦＥＴ３１を作動させれば、信号デバイス４０は腐食の予兆を検知できる。なお、信号デバイス４０は、レジスタ３２やＣＰＵ４１等の素子を必要に応じて適宜備え、信号を処理して腐食検知の結果を出力するデバイスである。

【0017】

抵抗素子Ｒ２には、腐食を促進する薬剤を塗布してもよい。腐食を促進する薬剤を塗布すれば、抵抗素子Ｒ２の腐食の進行を早め、より早期に予兆検知が可能である。

【0018】

また、検知回路を複数個所に実装してもよい。図４は、検知回路を複数実装する場合の説明図である。図４では、抵抗素子Ｒ１ａと抵抗素子Ｒ２ａを直列に接続し、中間電圧をＭＯＳＦＥＴ３１ａのゲート電圧としている。また、抵抗素子Ｒ１ｂと抵抗素子Ｒ２ｂを直列に接続し、中間電圧をＭＯＳＦＥＴ３１ｂのゲート電圧としている。抵抗素子Ｒ２ａと抵抗素子Ｒ２ｂは、流路上の異なる位置に配置する。ｋのように配置すれば、複数個所の中間電圧の変動から腐食の予兆を検知できる。

【0019】

次に、ステートドリブン構成とイベントドリブン構成について説明する。
図５は、ステートドリブン構成の説明図である。ステートドリブンでは、状態監視により腐食の予兆を検知する。
具体的には、ＣＰＵ４１は、あらかじめ設定された周期でポーリングを行い、レジスタの値を監視する（０）。抵抗素子Ｒ２が外気の影響を受けて劣化すると（１）、抵抗素子Ｒ２の抵抗値が変化する（２）。抵抗素子Ｒ２の抵抗値の変化により、中間電圧が設計値電圧を外れると、ＭＯＳＦＥＴのスイッチが発動する（３）。このスイッチの発動により、レジスタの値が更新される（４）。ＣＰＵ４１は、ポーリングによりレジスタ更新を検出すると、腐食の予兆を検知する（５）。

【0020】

図６は、イベントドリブン構成の説明図である。イベントドリブンでは、電位差によるＭＯＳＦＥＴの発動をイベントとしてＣＰＵ４１にライン入力し、腐食の予兆を検知する。
具体的には、抵抗素子Ｒ２が外気の影響を受けて劣化すると（１）、抵抗素子Ｒ２の抵抗値が変化する（２）。抵抗素子Ｒ２の抵抗値の変化により、中間電圧が設計値電圧を外れると、ＭＯＳＦＥＴのスイッチが発動する（３）。このスイッチの発動により、ＣＰＵ４１にライン入力が行われる（４）。ＣＰＵ４１は、ライン入力をイベントとして検出すると、腐食の予兆を検知する（５）。

【0021】

図７は、ハイブリッドドリブン構成の説明図である。ハイブリッドドリブン構成では、動作電圧の異なるＭＯＳＦＥＴを複数搭載し腐食検知にレベルを設けている。
図７のハイブリッド構成では、まず、検知回路３０は、ＭＯＳＦＥＴ３１ｃとＭＯＳＦＥＴ３２ｄを有する。ＭＯＳＦＥＴ３１ｃとＭＯＳＦＥＴ３２ｄは、同一の中間電圧をゲート電圧として取得するが、動作電圧が異なる。ＭＯＳＦＥＴ３１ｃの動作電圧は、ＭＯＳＦＥＴ３１ｄの動作電圧よりも低い。このため、抵抗素子Ｒ２が劣化して、中間電圧が徐々に上昇すると、先にＭＯＳＦＥＴ３１ｃが作動し、その後ＭＯＳＦＥＴ３１ｄが作動する。ＭＯＳＦＥＴ３１ｃが作動すると、レジスタ３２を更新する。ＭＯＳＦＥＴ３１ｄが作動すると、ＣＰＵ４１に対してライン入力を行う。また、ＣＰＵ４１はモニタ７０に接続し、モニタ７０に注意喚起のメッセージや警告のメッセージを出力可能である。

【0022】

図７の動作を順に説明する。ＣＰＵ４１は、あらかじめ設定された周期でポーリングを行い、レジスタ３２の値を監視する（０）。抵抗素子Ｒ２が外気の影響を受けて劣化すると（１）、抵抗素子Ｒ２の抵抗値が変化する（２）（２）’。抵抗素子Ｒ２の抵抗値の変化により、中間電圧が設計値電圧を外れると、ＭＯＳＦＥＴ３１ｃのスイッチが発動する（３）。このスイッチの発動により、レジスタ３２の値が更新される（４）。ＣＰＵ４１は、ポーリングによりレジスタ更新を検出すると、腐食の予兆を検知し（５）、モニタ７０に注意的なメッセージを出力する（６）。

【0023】

その後、中間電圧が設計値電圧をさらに外れると、ＭＯＳＦＥＴ３２ｄのスイッチが発動する（７）。このスイッチの発動により、ＣＰＵ４１にライン入力される（８）。ＣＰＵ４１は、ライン入力をイベントとして検出すると、腐食の予兆を検知し（９）、モニタ７０に警告的なメッセージを出力する（１０）。

【0024】

図８及び図９は、ステートドリブンの処理の説明図である。
抵抗素子Ｒ２は、劣化により徐々に抵抗値が変化する（ステップＳ１０１）。このため、いずれは中間電圧が設計値に到達する（ステップＳ１０２）。ＭＯＳＦＥＴ３１は、中間電圧の変化によりスイッチが発動し（ステップＳ１０３）、レジスタ３２を更新する（ステップＳ１０４）。

【0025】

ＣＰＵ４１は、ポーリング（設定周期による巡回処理）によりレジスタ３２の値を監視している（ステップＳ２０１）。レジスタ３２が更新されていなければ（ステップＳ２０２；Ｎｏ）、ポーリングを繰り返す。レジスタ３２が更新されたならば（ステップＳ２０２；Ｙｅｓ）、ＣＰＵ４１は、レジスタ３２の更新を検知する（ステップＳ２０３）。このレジスタ３２の更新検知は、ＣＰＵ４１が抵抗素子Ｒ２の劣化を把握したことを意味する。その後、ＣＰＵ４１は、腐食の予兆を検知したとしてメッセージ出力を行い（ステップＳ２０４）、処理を終了する。

【0026】

図１０及び図１１は、イベントドリブンの処理の説明図である。
抵抗素子Ｒ２は、劣化により徐々に抵抗値が変化する（ステップＳ３０１）。このため、いずれは中間電圧が設計値に到達する（ステップＳ３０２）。ＭＯＳＦＥＴ３１は、中間電圧の変化によりスイッチが発動し（ステップＳ３０３）、ＣＰＵ４１にライン入力を行う。

【0027】

ＣＰＵ４１は、ライン入力を受け付ける（ステップＳ３０４）。ライン入力の検出（ステップＳ３０５）は、ＣＰＵ４１が抵抗素子Ｒ２の劣化を把握したことを意味する。その後、ＣＰＵ４１は、腐食の予兆を検知したとしてメッセージ出力を行い（ステップＳ３０６）、処理を終了する。

【0028】

図１２は、管理テーブルの説明図である。管理テーブルには、ＭＯＳＦＥＴ動作テーブル、ＣＰＵ監視周期テーブル、ステート管理テーブルなどが含まれる。ＭＯＳＦＥＴ動作テーブルは、状態、中間電圧値Ｖ１とゲート閾値電圧Ｖｔｈの数値、信号デバイス応答値を対応付けている。正常時の状態は、Ｖｔｈ＞Ｖ１であり、信号デバイス応答値は「０」である。抵抗の腐食により抵抗値が上昇して中間電圧が上昇した状態は、Ｖ１≧Ｖｔｈであり、信号デバイス応答値は「１」である。

【0029】

ＣＰＵ監視周期テーブルは、ポーリングの周期を設定する。例えば１ｍｓ、１０ｍｓ、１００ｍｓなどの周期にＩＤを対応付け、ＩＤの指定により周期を設定可能としている。
ステート管理テーブルは、特に同一パッケージ上の複数個所に配置する場合に利用する。また、複数結果を総合判断してもよい。図１２では、配置場所ごとにステート（ＯＫであるかＮＧであるか）を示している。

【0030】

図１３は、実装と抵抗変化の説明図である。
図１３は、抵抗素子Ｒ１を「１０ｋΩ」、抵抗素子Ｒ２を「８．５ｋΩ」、電源電圧Ｖを「ＤＣ ５Ｖ」、中間電圧Ｖ１を「ＤＣ ５Ｖ」、ＭＯＳＦＥＴのドレイン電圧ＶＤＤを「ＤＣ ３．３Ｖ」、ＭＯＳＦＥＴの動作電圧を「ＤＣ ２．５Ｖ」としている。

【0031】

この構成では、抵抗素子Ｒ２の抵抗値が増加するほど、中間電圧Ｖ１が上昇する。そして、抵抗素子Ｒ２の抵抗値が１０％増加した時点で、中間電圧Ｖ１はＭＯＳＦＥＴの動作電圧２．５Ｖに達する。
また、抵抗素子Ｒ２の抵抗値の変化率は、時間の経過とともに増大した。

【0032】

図１４は、ＬＥＤによる通知を行う場合の構成図である。図１４では、動作電圧の異なるＭＯＳＦＥＴを複数搭載し腐食検知に「レベル」を設け、レベルに応じたＬＥＤを点灯させている。
図１４の構成では、まず、検知回路３０は、ＭＯＳＦＥＴ３１ｅとＭＯＳＦＥＴ３２ｆを有する。ＭＯＳＦＥＴ３１ｃとＭＯＳＦＥＴ３２ｄは、同一の中間電圧をゲート電圧として取得するが、動作電圧が異なる。ＭＯＳＦＥＴ３１ｅの動作電圧は、ＭＯＳＦＥＴ３１ｆの動作電圧よりも低い。このため、抵抗素子Ｒ２が劣化して、中間電圧が徐々に上昇すると、先にＭＯＳＦＥＴ３１ｅが作動し、その後ＭＯＳＦＥＴ３１ｆが作動する。ＭＯＳＦＥＴ３１ｅが作動すると、ＬＥＤ１が点灯する。ＭＯＳＦＥＴ３１ｆが作動すると、ＬＥＤ１が点灯する。

【0033】

図１４の動作を順に説明する。抵抗素子Ｒ２が外気の影響を受けて劣化すると（１）、抵抗素子Ｒ２の抵抗値が変化する（２）（２）’。抵抗素子Ｒ２の抵抗値の変化により、中間電圧が設計値電圧を外れると、ＭＯＳＦＥＴ３１ｅのスイッチが発動する（３）。このスイッチの発動により、ＬＥＤ１のドレインとソースの間に電流が流れ（４）、ＬＥＤ１が点灯する（５）。

【0034】

その後、中間電圧が設計値電圧をさらに外れると、ＭＯＳＦＥＴ３２ｆのスイッチが発動する（６）。このスイッチの発動により、ＬＥＤ２のドレインとソースの間に電流が流れ（７）、ＬＥＤ２が点灯する（８）。

【0035】

ＬＥＤ１とＬＥＤ２は、筐体の外から視認可能に設ける。ＬＥＤ１の点灯を「Ｗａｒｎｉｎｇ」に対応させ、ＬＥＤ２の点灯を「Ａｌａｒｍ」に対応させることで、腐食の進行に応じてレベルに応じた報知が可能である。

【0036】

図１５は、複数装置についての表示の説明図である。装置Ｄ１～Ｄ４は、図７に示したハイブリッドドリブン構成を有する。この構成では、設定周期で各装置に対してポーリングによる監視を行っている（０）。装置Ｄ１～Ｄ４の検知回路から出力される信号は、メモリに格納される（１）。ＣＰＵは、メモリの情報を読み込んで演算し（２）、現在の装置ステータスをメモリに書き込む（３）。そして、モニタに各装置のステータスを出力する。この結果、各装置について「異常なし」、「Ｗａｒｎｉｎｇ」、「Ａｌａｒｍ」を識別可能に報知できる。

【0037】

上述してきたように、実施例に開示した検知回路３０は、対象の装置に取り付けられる検知装置であって、電源に取り付けられた第１抵抗素子（Ｒ１）と、前記第１抵抗素子に直列に接続された第２抵抗素子（Ｒ２）と、前記第１抵抗素子と前記第２抵抗素子との間の中間電圧を取得する検知部としての信号デバイス４０とを備え、前記第２抵抗素子は、前記装置の周辺大気に露出され、前記検知部は、前記中間電圧の変化に基づいて、前記周辺大気によって生じる前記装置の腐食の予兆を検知する。
かかる構成及び動作により、検知装置は、大気に曝されることによる腐食の予兆を検知できる。また、第２抵抗素子を、対象装置で使用する素子と同等のものとすれば、腐食の予兆をより高精度に検知できる。

【0038】

また、前記検知部は、規定の電圧で導通する金属酸化膜半導体電界効果トランジスタを備え、当該導通を契機に腐食の予兆があることを示す出力を行う。
このように、構成が簡易であるため、低コストで腐食の予兆を検知できる。

【0039】

また、前記第２抵抗素子に、腐食を促進する薬剤を塗布してもよい。
腐食の予兆を促進することで、より早期の検知が可能である。

【0040】

また、複数の前記検知部を備え、複数の前記検知部はそれぞれ異なる中間電圧値で作動し、作動する検知部に対応して緊急度に応じた動作を行う構成としてもよい。
さらに、前記作動する検知部に応じて態様の異なる警告出力を行う出力部をさらに備えてもよい。
このような構成では、段階的な報知が可能である。

【0041】

また、記憶デバイス（５０）と、前記記憶デバイスに対するデータの読み書きを行う制御ユニット（２０）と、周辺大気を取り込んで前記記憶デバイス及び／又は前記制御ユニットを冷却する送風ユニット（１１）と、前記制御ユニットに取り付けられた検知装置（３０）とを備え、前記検知装置は、電源に取り付けられた第１抵抗素子（Ｒ１）と、前記第１抵抗素子に直列に接続された第２抵抗素子（Ｒ２）と、前記第１抵抗素子と前記第２抵抗素子との間の中間電圧を取得する検知部とを備え、前記第２抵抗素子は、前記周辺大気に露出され、前記検知部は、前記中間電圧の変化に基づいて、前記周辺大気によって生じる腐食の予兆を検知するストレージ装置として実施してもよい。

【0042】

なお、本発明は上記の実施例に限定されるものではなく、様々な変形例が含まれる。例えば、上記した実施例は本発明を分かりやすく説明するために詳細に説明したものであり、必ずしも説明した全ての構成を備えるものに限定されるものではない。また、かかる構成の削除に限らず、構成の置き換えや追加も可能である。

【符号の説明】

【0043】

１０：ストレージ装置、１１：ファン、３０：検知回路、３１：ＭＯＳＦＥＴ、３２：レジスタ、４０：信号デバイス、４１：ＣＰＵ、４２：メモリ、５０：ドライブ、６０：電源供給ユニット、７０：モニタ、Ｄ１～Ｄ４：装置、Ｒ１～Ｒ２：抵抗素子

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】