ホーム > 特許ランキング > セイコーグループ株式会社
知財求人 - 知財ポータルサイト「IP Force」
特開2024-130055センサ用パッケージ及びその製造方法、並びに、赤外線センサ
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024130055
(43)【公開日】2024-09-30
(54)【発明の名称】センサ用パッケージ及びその製造方法、並びに、赤外線センサ
(51)【国際特許分類】
G01J 1/02 20060101AFI20240920BHJP
H01L 31/02 20060101ALI20240920BHJP
【ＦＩ】
G01J1/02 C
H01L31/02 B
【審査請求】未請求
【請求項の数】13
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023039548
(22)【出願日】2023-03-14
(71)【出願人】
【識別番号】000005038
【氏名又は名称】セイコーグループ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100165179
【弁理士】
【氏名又は名称】田▲崎▼ 聡
(74)【代理人】
【識別番号】100126664
【弁理士】
【氏名又は名称】鈴木 慎吾
(74)【代理人】
【識別番号】100161207
【弁理士】
【氏名又は名称】西澤 和純
(72)【発明者】
【氏名】田家 良久
【テーマコード（参考）】
2G065
5F149
【Ｆターム（参考）】
2G065AA04
2G065AB02
2G065BA02
2G065BA34
2G065BA36
2G065BA38
2G065BE08
2G065CA13
2G065CA23
2G065CA25
2G065CA30
2G065DA20
5F149BA25
5F149BA28
5F149BA30
5F149JA03
5F149JA05
5F149JA19
5F149JA20
5F149LA01
5F149XB02
(57)【要約】
【課題】基板の薄肉箇所に撓みが生じるのを抑制するとともに、基板及びパッケージ全体の強度を確保でき、気密封止構造の高い信頼性並びに優れた製造歩留まりが得られるセンサ用パッケージ及びその製造方法並びに赤外線センサを提供する。
【解決手段】上面２ａ側に、デバイス領域２２と電極配置領域２３ａ，２３ｂとを有する第１基板２と、第１基板２の上面２ａ側にデバイス領域２２を覆うように接合され、下面３ａ側に、デバイス領域２２との間にキャビティＣを形成するためのキャビティ領域３２と、平面視でキャビティ領域３２を囲むように設けられる接合部３１とを有するとともに、平面視で接合部３１の外側の少なくとも一部が、第１基板２の電極配置領域２３ａ，２３ｂを露出させる貫通領域３３とされた第２基板３と、を備え、第２基板３は、キャビティ領域３２の天井面３２ａにおける何れかの位置に補強部が設けられている。
【選択図】図２
【解決手段】上面２ａ側に、デバイス領域２２と電極配置領域２３ａ，２３ｂとを有する第１基板２と、第１基板２の上面２ａ側にデバイス領域２２を覆うように接合され、下面３ａ側に、デバイス領域２２との間にキャビティＣを形成するためのキャビティ領域３２と、平面視でキャビティ領域３２を囲むように設けられる接合部３１とを有するとともに、平面視で接合部３１の外側の少なくとも一部が、第１基板２の電極配置領域２３ａ，２３ｂを露出させる貫通領域３３とされた第２基板３と、を備え、第２基板３は、キャビティ領域３２の天井面３２ａにおける何れかの位置に補強部が設けられている。
【選択図】図２
【特許請求の範囲】
【請求項1】
一面側に、デバイス領域と、平面視で前記デバイス領域の外側に配置される電極配置領域とを有する第１基板と、
前記第１基板の前記一面側に前記デバイス領域を覆うように接合され、前記第１基板との接合面である下面側に、前記デバイス領域との間に封止空間を形成するための凹状のキャビティ領域と、平面視で前記キャビティ領域を囲むように設けられる接合部とを有するとともに、平面視で前記接合部の外側の少なくとも一部が、前記第１基板の前記電極配置領域を露出させる貫通領域とされた第２基板と、
を備え、
前記第２基板は、前記キャビティ領域の天井面における何れかの位置に補強部が設けられていることを特徴とするセンサ用パッケージ。
前記第１基板の前記一面側に前記デバイス領域を覆うように接合され、前記第１基板との接合面である下面側に、前記デバイス領域との間に封止空間を形成するための凹状のキャビティ領域と、平面視で前記キャビティ領域を囲むように設けられる接合部とを有するとともに、平面視で前記接合部の外側の少なくとも一部が、前記第１基板の前記電極配置領域を露出させる貫通領域とされた第２基板と、
を備え、
前記第２基板は、前記キャビティ領域の天井面における何れかの位置に補強部が設けられていることを特徴とするセンサ用パッケージ。
【請求項2】
前記補強部は、前記キャビティ領域の前記天井面から突出するように設けられた、平面視で細長梁状とされた少なくとも１以上の凸状体からなることを特徴とする請求項１に記載のセンサ用パッケージ。
【請求項3】
前記補強部は、複数の前記凸状体からなり、前記キャビティ領域の前記天井面において、複数の前記凸状体で囲まれた領域であるセルが複数で確保された平面視格子状に配置されていることを特徴とする請求項２に記載のセンサ用パッケージ。
【請求項4】
前記補強部は、さらに、前記キャビティ領域の側面と前記天井面との間の角部における少なくとも一部に、前記角部に沿って配置され、且つ、前記キャビティ領域を平面視したとき、前記凸状体よりも幅広とされた段差体を含むことを特徴とする請求項２又は請求項３に記載のセンサ用パッケージ。
【請求項5】
前記補強部は、前記キャビティ領域の前記天井面に複数で設けられた凹部の各々の間に配置される架橋体からなることを特徴とする請求項１に記載のセンサ用パッケージ。
【請求項6】
前記第２基板は、前記キャビティ領域の前記天井面における複数の前記セルの各々に、断面半球状のレンズ体が設けられていることを特徴とする請求項３に記載のセンサ用パッケージ。
【請求項7】
前記第１基板は、前記一面側に前記デバイス領域が複数で配置されており、且つ、複数の前記デバイス領域は、前記第２基板に設けられた複数の前記セルの各々に対応した位置で、複数の前記セルとそれぞれ対向するように配置されていることを特徴とする請求項６に記載のセンサ用パッケージ。
【請求項8】
前記第１基板及び前記第２基板がシリコン基板からなることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のセンサ用パッケージ。
【請求項9】
前記第１基板及び前記第２基板が平面視矩形状とされており、
前記電極配置領域及び前記貫通領域が、前記第１基板及び前記第２基板における平面視で少なくとも一辺側に沿って配置されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のセンサ用パッケージ。
前記電極配置領域及び前記貫通領域が、前記第１基板及び前記第２基板における平面視で少なくとも一辺側に沿って配置されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のセンサ用パッケージ。
【請求項10】
請求項１又は請求項２に記載のセンサ用パッケージと、
前記第１基板の前記デバイス領域に配置される赤外線検出素子と、
前記第１基板における前記電極配置領域に配置される電極と、
前記第１基板における、前記第２基板に設けられた前記接合部に対応する位置に設けられている第１金属接合膜と、
前記第２基板の前記接合部における前記第１基板と接合する位置を覆うように設けられる第２金属接合膜と、
を備え、
前記第１金属接合膜と前記第２金属接合膜とが接合されていることで、前記赤外線検出素子上に前記封止空間を確保しながら、前記第１基板と前記第２基板とが接合されていることを特徴とする赤外線センサ。
前記第１基板の前記デバイス領域に配置される赤外線検出素子と、
前記第１基板における前記電極配置領域に配置される電極と、
前記第１基板における、前記第２基板に設けられた前記接合部に対応する位置に設けられている第１金属接合膜と、
前記第２基板の前記接合部における前記第１基板と接合する位置を覆うように設けられる第２金属接合膜と、
を備え、
前記第１金属接合膜と前記第２金属接合膜とが接合されていることで、前記赤外線検出素子上に前記封止空間を確保しながら、前記第１基板と前記第２基板とが接合されていることを特徴とする赤外線センサ。
【請求項11】
基板材料の表面をエッチングすることにより、一面側に凹状のデバイス領域を形成して第１基板を得る工程（１）と、
基板材料の表面をエッチングすることにより、前記基板材料の少なくとも一部に貫通領域を形成するとともに、前記第１基板との接合面となる下面側に凹状のキャビティ領域を形成し、さらに、平面視で前記キャビティ領域を囲むように設けられる接合部を形成して第２基板を得る工程（２）と、を備え、
前記工程（２）は、前記基板材料をエッチングすることにより、前記第２基板を、前記キャビティ領域の天井面における何れかの位置に補強部を形成しながら加工することを特徴とするセンサ用パッケージの製造方法。
基板材料の表面をエッチングすることにより、前記基板材料の少なくとも一部に貫通領域を形成するとともに、前記第１基板との接合面となる下面側に凹状のキャビティ領域を形成し、さらに、平面視で前記キャビティ領域を囲むように設けられる接合部を形成して第２基板を得る工程（２）と、を備え、
前記工程（２）は、前記基板材料をエッチングすることにより、前記第２基板を、前記キャビティ領域の天井面における何れかの位置に補強部を形成しながら加工することを特徴とするセンサ用パッケージの製造方法。
【請求項12】
前記工程（２）は、前記補強部を、前記キャビティ領域の前記天井面から突出するように設けられた、平面視で細長梁状とされた少なくとも１以上の凸状体として形成することを特徴とする請求項１１に記載のセンサ用パッケージの製造方法。
【請求項13】
前記工程（２）は、前記補強部として、複数の前記凸状体を、前記キャビティ領域の前記天井面において、複数の前記凸状体で囲まれた領域であるセルが複数で確保された平面視格子状に形成し、且つ、複数の前記セルの各々に、断面半球状のレンズ体を形成することを特徴とする請求項１２に記載のセンサ用パッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、センサ用パッケージ及びその製造方法、並びに、赤外線センサに関する。
【背景技術】
【0002】
近年、各種の電子デバイスにおいて、これら電子デバイスの小型化や高機能化等に伴い、より一層の小型化及び薄型化が求められるようになっている。これに伴い、例えば、スマートフォン等のモバイル機器、あるいは、ウェアラブル機器等の小型電子機器においても、さらなる小型化や薄型化が進められており、それに搭載されることが検討されている各種のセンサデバイスに対しても、より一層の小型化が求められている。
【0003】
電子機器の小型化の要求に対しては、例えば、それらの寸法を電子部品の寸法に近づけることが有効であり、例えば、ウエハーレベルパッケージ技術を用いること等も提案されている。
ここで、上記のような各種の小型電子機器においては、特性劣化や環境耐性といった品質を向上させるため、気密封止に関しての様々な工夫がなされているが、気密封止特性を高めた構成を採用すると製造コストが増大するという問題がある。このような製造コストが増大するのを抑制する観点からも、小型電子機器等におけるウエハーレベルパッケージ技術の導入は有効である。
ここで、上記のような各種の小型電子機器においては、特性劣化や環境耐性といった品質を向上させるため、気密封止に関しての様々な工夫がなされているが、気密封止特性を高めた構成を採用すると製造コストが増大するという問題がある。このような製造コストが増大するのを抑制する観点からも、小型電子機器等におけるウエハーレベルパッケージ技術の導入は有効である。
【0004】
しかしながら、例えば、センサ基板（ベース基板）とリッド基板（蓋基板）との間にスペーサを設けた場合には、センサ基板とリッド基板の両方にスペーサを接着することになるため、手間がかかる複雑な工程となる。このため、製造歩留まりの低下や、気密不良による品質低下を招くおそれがあった。
【0005】
上記のような問題を解決するため、リッド基板におけるセンサ基板との接合部に凸部を設け、さらに、この凸部の先端に突起部を設けることが提案されている（例えば、特許文献１を参照）。特許文献１に記載によれば、凸部の先端に突起部を設け、接合部間の加圧力を高めて強固に接合することにより、気密封止構造の信頼性を高められることのみならず、製造歩留まりも向上することが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
【特許文献1】特開２０１６－０８２０６０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
特許文献１に記載の技術のように、接合部に凸部を設け、接合部間の加圧力を高めて強固に接合するためには、凸部を大きく構成する必要がある。また、センサ基板上に配置されたセンサ素子等にリッド基板が干渉するのを防止するためには、リッド基板に凹状のキャビティ領域を設ける必要がある。一方、パッケージを薄型化するためには、センサ素子の直上におけるリッド基板の厚みを薄くする必要がある。しかしながら、このような場合、センサ素子等が大型であるか、あるいは、接合部間の間隔が大きいと、センサ基板とリッド基板とを重ね合わせて加圧した際にウエハが撓み、接合部以外の箇所でリッド基板とセンサ基板とが接触し、加圧力が分散してしまう。このような加圧力の分散が生じると、接合部に所望の加圧力が効率的に付与されず、接合部間を強固に接合することができないことから、製造歩留まりの低下が生じるという問題がある。また、リッド基板の厚みが薄く、接合時の加圧力に機械的強度が耐えられない場合には、クラックや割れが生じることから、パッケージ及びこのパッケージを備えるセンサ等の品質や信頼性が低下する。即ち、製造歩留まりの低下や気密封止構造の信頼性の低下が生じてしまうことから、上述した小型電子機器等への適用にあたって求められる、品質面等での種々の要求に応えられないという問題があった。
【0008】
本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり、パッケージを薄型化した場合であっても、基板の薄肉箇所に撓みが生じるのを抑制できるとともに、基板及びパッケージ全体の強度を確保することができ、気密封止構造の高い信頼性並びに優れた製造歩留まりが得られるセンサ用パッケージ及びその製造方法、並びに、赤外線センサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0009】
上記課題を解決するため、本発明の赤外線センサは、以下に示す構成を採用する。
［１］ 本発明の一態様に係るセンサ用パッケージは、一面側に、デバイス領域と、平面視で前記デバイス領域の外側に配置される電極配置領域とを有する第１基板と、前記第１基板の前記一面側に前記デバイス領域を覆うように接合され、前記第１基板との接合面である下面側に、前記デバイス領域との間に封止空間を形成するための凹状のキャビティ領域と、平面視で前記キャビティ領域を囲むように設けられる接合部とを有するとともに、平面視で前記接合部の外側の少なくとも一部が、前記第１基板の前記電極配置領域を露出させる貫通領域とされた第２基板と、を備え、前記第２基板は、前記キャビティ領域の天井面における何れかの位置に補強部が設けられていることを特徴とするセンサ用パッケージである。
［１］ 本発明の一態様に係るセンサ用パッケージは、一面側に、デバイス領域と、平面視で前記デバイス領域の外側に配置される電極配置領域とを有する第１基板と、前記第１基板の前記一面側に前記デバイス領域を覆うように接合され、前記第１基板との接合面である下面側に、前記デバイス領域との間に封止空間を形成するための凹状のキャビティ領域と、平面視で前記キャビティ領域を囲むように設けられる接合部とを有するとともに、平面視で前記接合部の外側の少なくとも一部が、前記第１基板の前記電極配置領域を露出させる貫通領域とされた第２基板と、を備え、前記第２基板は、前記キャビティ領域の天井面における何れかの位置に補強部が設けられていることを特徴とするセンサ用パッケージである。
【0010】
本態様によれば、第２基板が、キャビティ領域の天井面における何れかの位置に補強部が設けられていることで、パッケージ全体の薄型化に伴ってキャビティ領域の部分が薄く構成された場合でも、第１基板と第２基板とを接合する際の加圧力によって、第２基板のキャビティ領域が撓むのを抑制できる。これにより、接合部の突設寸法を大きくすることができ、接合時における第２基板の撓みによって接合部以外の部分に加圧力が分散するのを抑制できるので、接合部に加圧力が効率的に付与され、強固な接合が可能となる。また、センサ素子が大型であるか、あるいは、接合部間の間隔が大きい場合であっても、第２基板のキャビティ領域が撓むのを抑制できることで、上記同様、加圧力が分散するのを抑制できるので、接合部に加圧力が効率的に付与され、強固な接合が可能となる。従って、気密封止構造の高い信頼性、並びに、優れた製造歩留まりが得られる。
【0011】
［２］ 上記［１］の態様のセンサ用パッケージにおいて、前記補強部が、前記キャビティ領域の前記天井面から突出するように設けられた、平面視で細長梁状とされた少なくとも１以上の凸状体からなることが好ましい。
【0012】
本態様のセンサ用パッケージによれば、補強部が、平面視で細長梁状とされた凸状体からなることで、上記同様、パッケージ全体の薄型化に伴ってキャビティ領域の部分が薄く構成された場合でも、第１基板と第２基板とを接合する際の加圧力によって、第２基板のキャビティ領域が撓むのを抑制できる。従って、上記同様、加圧力が分散するのを抑制できるので、接合部に加圧力が効率的に付与され、強固な接合が可能になることから、気密封止構造の信頼性が高められ、製造歩留まりにも優れたセンサ用パッケージが実現できる。
【0013】
［３］ 上記［２］の態様のセンサ用パッケージにおいて、前記補強部が、複数の前記凸状体からなり、前記キャビティ領域の前記天井面において、複数のセルが確保された平面視格子状に配置されていることが好ましい。
【0014】
本態様のセンサ用パッケージによれば、補強部が複数の凸状体からなり、キャビティ領域の天井面において複数のセルが確保された平面視格子状に配置されていることで、キャビティ領域の撓みをより顕著に抑制できる。これにより、気密封止構造の信頼性が顕著に高められ、製造歩留まりに優れたセンサ用パッケージが実現できる。
【0015】
［４］ 上記［２］又は［３］の態様のセンサ用パッケージにおいて、前記補強部が、さらに、前記キャビティ領域の側面と前記天井面との間の角部における少なくとも一部に、前記角部に沿って配置され、且つ、前記キャビティ領域を平面視したとき、前記凸状体よりも幅広とされた段差体を含む構成を採用できる。
【0016】
本態様のセンサ用パッケージによれば、第２基板のキャビティ領域において、上記の凸状体に加え、さらに段差体が設けられていることにより、キャビティ領域の撓みをさらに顕著に抑制できる。これにより、気密封止構造の信頼性が顕著に高められ、製造歩留まりに優れたセンサ用パッケージが実現できる。
【0017】
［５］ 上記［１］の態様のセンサ用パッケージにおいて、前記補強部が、前記キャビティ領域の前記天井面に複数で設けられた凹部の各々の間に配置される架橋体からなる構成を採用できる。
【0018】
本態様のセンサ用パッケージによれば、補強部が架橋体から構成されることで、上記同様、パッケージ全体の薄型化に伴ってキャビティ領域の部分が薄く構成された場合でも、第１基板と第２基板とを接合する際の加圧力によって、第２基板のキャビティ領域が撓むのを抑制できる。従って、上記同様、加圧力が分散するのを抑制できるので、接合部に加圧力が効率的に付与され、強固な接合が可能になるので、気密封止構造の信頼性が高められ、製造歩留まりにも優れたセンサ用パッケージが実現できる。
【0019】
［６］ 上記［３］の態様のセンサ用パッケージにおいて、前記第２基板が、前記キャビティ領域の前記天井面における複数の前記セルの各々に、断面半球状のレンズ体が設けられている構成を採用できる。
【0020】
本態様のセンサ用パッケージによれば、キャビティ領域における複数のセルの各々にレンズ体が設けられていることで、レンズ効果によって第１基板のデバイス領域に向けて集光することが可能になるので、万が一、補強部による入射光の減衰が生じた場合であっても、受光感度の低下を防止できる。これにより、良好な素子特性を維持することができ、製造歩留まりを高めることが可能となる。
【0021】
［７］ 上記［６］の態様のセンサ用パッケージにおいて、前記第１基板が、前記一面側に前記デバイス領域が複数で配置されており、且つ、複数の前記デバイス領域は、前記第２基板に設けられた複数の前記セルの各々に対応した位置で、複数の前記セルとそれぞれ対向するように配置されている構成を採用できる。
【0022】
本態様のセンサ用パッケージによれば、第１基板においてデバイス領域が複数で配置され、且つ、第２基板における複数のセルに各々対応して配置されていることで、第１基板のデバイス領域に向けてより効果的に集光することができる。これにより、十分な受光感度を確保でき、製造歩留まりを高めることが可能となる。
【0023】
［８］ 上記［１］～［７］の何れかの態様のセンサ用パッケージにおいて、前記第１基板及び前記第２基板がシリコン基板からなることが好ましい。
【0024】
本態様のセンサ用パッケージによれば、第１基板及び第２基板がシリコン基板からなることで、第２基板における赤外線の透過率が高められるので、センサ用パッケージを赤外線センサに適用した場合には、赤外線を効率よく受光することが可能になる。
また、第１基板及び第２基板が、加工性に優れるシリコン基板からなることで、ドライエッチング又はウェットエッチングで加工するときの精度が向上する。また、第１基板及び第２基板として、一般的に流通している、特に面方位が（１００）面であるシリコン基板を採用することにより、入手容易性に優れるとともに、製造コストを抑制することが可能となる。
また、第１基板及び第２基板が、加工性に優れるシリコン基板からなることで、ドライエッチング又はウェットエッチングで加工するときの精度が向上する。また、第１基板及び第２基板として、一般的に流通している、特に面方位が（１００）面であるシリコン基板を採用することにより、入手容易性に優れるとともに、製造コストを抑制することが可能となる。
【0025】
［９］ 上記［１］～［８］の何れかの態様のセンサ用パッケージにおいて、前記第１基板及び前記第２基板が平面視矩形状とされており、前記電極配置領域及び前記貫通領域が、前記第１基板及び前記第２基板における平面視で少なくとも一辺側に沿って配置されている構成を採用できる。
【0026】
本態様のセンサ用パッケージによれば、電極を設けるための電極配置領域を、例えば、第１基板の一辺側のみに設けてもよいし、さらに、この一辺側と対向する他辺側にも設けることもできるので、例えば、センサ用パッケージをプリント基板等に対してＣＯＢする場合のスペース等を想定しながら、フレキシブルに構成できる。従って、例えば、第１基板の一辺側にのみ、電極配置領域を設けた場合には、センサ用パッケージ、並びに、赤外線センサが搭載されるプリント基板を小型化することが可能となり、さらに他辺側にも電極配置領域を設けた場合には、より複雑な電気的接続に対応することも可能となる。
【0027】
［１０］ 本発明の一態様に係る赤外線センサは、上記の［１］～［９］の何れかの態様のセンサ用パッケージと、前記第１基板の前記デバイス領域に配置される赤外線検出素子と、前記第１基板における前記電極配置領域に配置される電極と、前記第１基板における、前記第２基板に設けられた前記接合部に対応する位置に設けられている第１金属接合膜と、前記第２基板の前記接合部における前記第１基板と接合する位置を覆うように設けられる第２金属接合膜と、を備え、前記第１金属接合膜と前記第２金属接合膜とが接合されていることで、前記赤外線検出素子上に前記封止空間を確保しながら、前記第１基板と前記第２基板とが接合されていることを特徴とする赤外線センサである。
【0028】
本態様によれば、第２基板が、キャビティ領域の天井面における何れかの位置に補強部が設けられた、上記態様のセンサ用パッケージを備えることにより、上述したように、パッケージ全体の薄型化に伴ってキャビティ領域の部分が薄く構成された場合でも、第１基板と第２基板とを接合する際の加圧力によって、第２基板のキャビティ領域が撓むのを抑制できる。これにより、上記同様、接合部の突設寸法を大きくすることができ、接合時における第２基板の撓みによって接合部以外の部分に加圧力が分散するのを抑制できるので、接合部に加圧力が効率的に付与され、強固な接合が可能となる。また、赤外線検出素子が大型であるか、あるいは、接合部間の間隔が大きい場合であっても、第２基板のキャビティ領域が撓むのを抑制できることで、上記同様、加圧力が分散するのを抑制できるので、接合部に加圧力が効率的に付与され、強固な接合が可能となる。従って、気密封止構造の信頼性が高く、製造歩留まりにも優れた赤外線センサが実現できる。
【0029】
［１１］ 本発明の一態様に係るセンサ用パッケージの製造方法は、基板材料の表面をエッチングすることにより、一面側に凹状のデバイス領域を形成して第１基板を得る工程（１）と、基板材料の表面をエッチングすることにより、前記基板材料の少なくとも一部に貫通領域を形成するとともに、前記第１基板との接合面となる下面側に凹状のキャビティ領域を形成し、さらに、平面視で前記キャビティ領域を囲むように設けられる接合部を形成して第２基板を得る工程（２）と、を備え、前記工程（２）は、前記基板材料をエッチングすることにより、前記第２基板を、前記キャビティ領域の天井面における何れかの位置に補強部を形成しながら加工することを特徴とするセンサ用パッケージの製造方法である。
【0030】
本態様によれば、工程（２）において、基板材料をエッチングすることにより、第２基板を、キャビティ領域の天井面における何れかの位置に補強部を形成しながら加工することで、上記同様、パッケージ全体の薄型化に伴ってキャビティ領域の部分が薄く構成された場合でも、第１基板と第２基板とを接合する際の加圧力によって、第２基板のキャビティ領域が撓むのを抑制できる。これにより、接合部の突設寸法を大きくすることができ、接合時における第２基板の撓みによって接合部以外の部分に加圧力が分散するのを抑制できるので、接合部に加圧力を効率的に付与でき、強固に接合することが可能となる。また、センサ素子が大型であるか、あるいは、接合部間の間隔が大きい場合であっても、第２基板のキャビティ領域が撓むのを抑制できることで、上記同様、加圧力が分散するのを抑制できるので、接合部に加圧力を効率的に付与でき、強固に接合することが可能となる。従って、信頼性の高い気密封止構造を有するセンサ用パッケージを優れた製造歩留まりで製造することが可能となる。
【0031】
［１２］ 上記［１１］の態様のセンサ用パッケージの製造方法において、前記工程（２）は、前記補強部を、前記キャビティ領域の前記天井面から突出するように設けられた、平面視で細長梁状とされた少なくとも１以上の凸状体として形成することが好ましい。
【0032】
本態様のセンサ用パッケージの製造方法によれば、工程（２）において、補強部を、平面視で細長梁状とされた凸状体として形成することで、例えば、デバイス領域に赤外線検出素子が配置された赤外線センサを構成した場合に、外部から入射する赤外線が補強部によって遮られるのを最小限に抑制できるセンサ用パッケージが得られる。これにより、信頼性の高い気密封止構造並びに優れたセンサ用パッケージを、優れた製造歩留まりで製造することが可能となる。
【0033】
［１３］ 上記［１２］の態様のセンサ用パッケージの製造方法において、前記工程（２）は、前記補強部として、複数の前記凸状体を、前記キャビティ領域の前記天井面において複数のセルが確保された平面視格子状に形成し、且つ、複数の前記セルの各々に、断面半球状のレンズ体を形成することがより好ましい。
【0034】
本態様のセンサ用パッケージの製造方法によれば、工程（２）において、補強部を複数の凸状体に形成するとともに、キャビティ領域の天井面において複数のセルが確保された平面視格子状に配置することで、第１基板と第２基板を接合する際のキャビティ領域の撓みをより顕著に抑制できる。また、赤外線センサを構成した場合に、外部から入射する赤外線が補強部によって遮られるのを最小限に抑制できるセンサ用パッケージを製造できる。さらに、工程（２）において、キャビティ領域における複数のセルの各々にレンズ体を形成することで、レンズ効果によって第１基板のデバイス領域に向けて集光することが可能なセンサ用パッケージを製造できる。また、補強部及びレンズ体は同一プロセスで形成することが可能である。従って、万が一、補強部による入射光の減衰が生じるような場合であっても、受光感度の低下を防止できるので、製造歩留まりを高めることが可能になるとともに、工程が増加するのを回避できるので、優れた生産性も維持できる。
【発明の効果】
【0035】
本発明によれば、上記構成を備えることにより、パッケージを薄型化した場合であっても、基板の薄肉箇所に撓みが生じるのを抑制できるとともに、基板及びパッケージ全体の強度を確保することができる。これにより、気密封止構造の高い信頼性並びに優れた製造歩留まりが得られるセンサ用パッケージ及びその製造方法、並びに、赤外線センサを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【0036】
【図1】本発明の第１の実施形態であるセンサ用パッケージ及び赤外線センサを模式的に説明する平面図である。
【図3A】本発明の第１の実施形態であるセンサ用パッケージ及び赤外線センサの製造方法を模式的に説明する図であり、第２基板を得る工程（２）の手順を示す工程図である。
【図3B】本発明の第１の実施形態であるセンサ用パッケージ及び赤外線センサの製造方法を模式的に説明する図であり、第２基板を得る工程（２）の手順を示す工程図である。
【図3C】本発明の第１の実施形態であるセンサ用パッケージ及び赤外線センサの製造方法を模式的に説明する図であり、第２基板を得る工程（２）の手順を示す工程図である。
【図3D】本発明の第１の実施形態であるセンサ用パッケージ及び赤外線センサの製造方法を模式的に説明する図であり、第２基板を得る工程（２）の手順を示す工程図である。
【図4A】本発明の第１の実施形態であるセンサ用パッケージ及び赤外線センサの製造方法を模式的に説明する図であり、第２基板を得る工程（２）の手順を示す工程図である。
【図4B】本発明の第１の実施形態であるセンサ用パッケージ及び赤外線センサの製造方法を模式的に説明する図であり、第２基板を得る工程（２）の手順を示す工程図である。
【図4C】本発明の第１の実施形態であるセンサ用パッケージ及び赤外線センサの製造方法を模式的に説明する図であり、第２基板を得る工程（２）の手順を示す工程図である。
【図4D】本発明の第１の実施形態であるセンサ用パッケージ及び赤外線センサの製造方法を模式的に説明する図であり、第２基板を得る工程（２）の手順を示す工程図である。
【図5A】本発明の第１の実施形態であるセンサ用パッケージ及び赤外線センサの製造方法を模式的に説明する図であり、第２基板を得る工程（２）の手順を示す工程図である。
【図5B】本発明の第１の実施形態であるセンサ用パッケージ及び赤外線センサの製造方法を模式的に説明する図であり、第２基板を得る工程（２）の手順を示す工程図である。
【図5C】本発明の第１の実施形態であるセンサ用パッケージ及び赤外線センサの製造方法を模式的に説明する図であり、工程（２）で得られた第２基板の接合部における第１基板と接合する位置を覆うように第２金属接合膜を形成する工程（６）の手順を示す工程図である。
【図5D】本発明の第１の実施形態であるセンサ用パッケージ及び赤外線センサの製造方法を模式的に説明する図であり、工程（２）で得られた第２基板の接合部における第１基板と接合する位置を覆うように第２金属接合膜を形成する工程（６）の手順を示す工程図である。
【図5E】本発明の第１の実施形態であるセンサ用パッケージ及び赤外線センサの製造方法を模式的に説明する図であり、工程（２）で得られた第２基板の接合部における第１基板と接合する位置を覆うように第２金属接合膜を形成する工程（６）の手順を示す工程図である。
【図6A】本発明の第１の実施形態であるセンサ用パッケージ及び赤外線センサの製造方法を模式的に説明する図であり、第１基板を得る工程（１）、第１基板の一面側に、第２基板の接合部に対応する位置で第１金属接合膜を形成する工程（３）、デバイス領域に赤外線検出素子を配置する工程（４）、並びに、第１基板の一面側における電極配置領域に、電極を配置する工程（５）の手順を示す工程図である。
【図6B】本発明の第１の実施形態である赤外線センサの製造方法を模式的に説明する図であり、第１基板と第２基板とを接合して赤外線センサを得る工程（８）、並びに、ダイシングラインに沿って第１基板及び第２基板を切断することにより、チップ単位に個片化する工程（９）の手順を示す工程図である。
【図7】本発明の第２の実施形態であるセンサ用パッケージ及び赤外線センサを模式的に説明する平面図である。
【図9】本発明の第３の実施形態であるセンサ用パッケージ及び赤外線センサを模式的に説明する平面図である。
【図11】本発明の第４の実施形態であるセンサ用パッケージ及び赤外線センサを模式的に説明する平面図である。
【図13】本発明の第５の実施形態であるセンサ用パッケージ及び赤外線センサの他の例を模式的に説明する平面図である。
【発明を実施するための形態】
【0037】
以下、本発明のセンサ用パッケージ及びその製造方法、並びに、赤外線センサの実施形態を挙げ、その構成について図１～図１３を適宜参照しながら説明する。なお、以下の説明で用いる各図面は、本発明のセンサ用パッケージ並びに赤外線センサの特徴をわかりやすくするため、便宜上、特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率等は実際とは異なる場合がある。また、以下の説明において例示される材料、寸法等は一例であって、本発明はそれらに限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲で適宜変更して実施することが可能である。
【0038】
＜第１の実施形態＞
以下に、本発明の第１の実施形態に係るセンサ用パッケージ及び赤外線センサ、並びに、それらの製造方法について、図１、図２、図３Ａ～図３Ｄ、図４Ａ～図４Ｄ、図５Ａ～図５Ｅ、並びに図６Ａ及び図６Ｂを参照しながら詳述する。
図１は、本実施形態の赤外線センサ（センサ用パッケージ）１を模式的に説明する平面図であり、図２は、図１中に示す赤外線センサ１のＡ－Ａ断面図である。また、図３Ａ～図３Ｄ、図４Ａ～図４Ｄ、図５Ａ～図５Ｅ、並びに図６Ａ及び図６Ｂは、本実施形態の赤外線センサ（センサ用パッケージ）１の製造方法を説明する図であり、各工程の手順を示す工程図である。
以下に、本発明の第１の実施形態に係るセンサ用パッケージ及び赤外線センサ、並びに、それらの製造方法について、図１、図２、図３Ａ～図３Ｄ、図４Ａ～図４Ｄ、図５Ａ～図５Ｅ、並びに図６Ａ及び図６Ｂを参照しながら詳述する。
図１は、本実施形態の赤外線センサ（センサ用パッケージ）１を模式的に説明する平面図であり、図２は、図１中に示す赤外線センサ１のＡ－Ａ断面図である。また、図３Ａ～図３Ｄ、図４Ａ～図４Ｄ、図５Ａ～図５Ｅ、並びに図６Ａ及び図６Ｂは、本実施形態の赤外線センサ（センサ用パッケージ）１の製造方法を説明する図であり、各工程の手順を示す工程図である。
【0039】
［センサ用パッケージ及び赤外線センサの構成］
図１及び図２に示すように、本実施形態のセンサ用パッケージは、第１基板２（ベース基板）と、第２基板３（リッド基板）とを備える。
そして、本実施形態の赤外線センサ１は、上記のセンサ用パッケージを構成する第１基板２及び第２基板３に加え、さらに、第１基板２の上面（一面）２ａに形成されたデバイス領域２２内に配置される赤外線検出素子４を備え、概略構成される。
即ち、本実施形態の赤外線センサ１は、詳細を後述するように、第１基板２及び第２基板３を有するセンサ用パッケージを含むものである。
図１及び図２に示すように、本実施形態のセンサ用パッケージは、第１基板２（ベース基板）と、第２基板３（リッド基板）とを備える。
そして、本実施形態の赤外線センサ１は、上記のセンサ用パッケージを構成する第１基板２及び第２基板３に加え、さらに、第１基板２の上面（一面）２ａに形成されたデバイス領域２２内に配置される赤外線検出素子４を備え、概略構成される。
即ち、本実施形態の赤外線センサ１は、詳細を後述するように、第１基板２及び第２基板３を有するセンサ用パッケージを含むものである。
【0040】
より詳細に説明すると、本実施形態の赤外線センサ１は、まず、上述した第１基板２及び第２基板３を有する本実施形態のセンサ用パッケージを備える。
さらに、本実施形態の赤外線センサ１は、第１基板２のデバイス領域２２に配置される赤外線検出素子４と、第１基板２における電極配置領域２３ａ，２３ｂに配置される電極８１，８２と、第１基板２における、第２基板３に設けられた接合部３１に対応する位置に設けられている第１金属接合膜５１と、第２基板３の接合部３１における、第１基板２と接合する位置である底面３１ａを覆うように設けられる第２金属接合膜５２と、を備える。これにより、本実施形態の赤外線センサ１は、赤外線検出素子４上に封止空間であるキャビティＣを確保しながら、第１基板２と第２基板３とが接合されて構成される。
さらに、本実施形態の赤外線センサ１は、第１基板２のデバイス領域２２に配置される赤外線検出素子４と、第１基板２における電極配置領域２３ａ，２３ｂに配置される電極８１，８２と、第１基板２における、第２基板３に設けられた接合部３１に対応する位置に設けられている第１金属接合膜５１と、第２基板３の接合部３１における、第１基板２と接合する位置である底面３１ａを覆うように設けられる第２金属接合膜５２と、を備える。これにより、本実施形態の赤外線センサ１は、赤外線検出素子４上に封止空間であるキャビティＣを確保しながら、第１基板２と第２基板３とが接合されて構成される。
【0041】
また、本実施形態の赤外線センサ１は、第２基板３における、キャビティ領域３２の天井面３２ａにおける何れかの位置に補強部が設けられるものであり、図１及び図２に示す例では、複数の凸状体３４からなる補強部が、後述の段差体３６を含めて平面視で概略格子状となるように配置されている。即ち、図示例においては、天井面３２ａにおいて、２本の凸状体３４が各々の長さ方向の中心付近で直交するように配置されていることで、天井面３２ａに計４つのセル３５が確保されている。
【0042】
さらに、図示例の赤外線センサ１は、第２基板３における、キャビティ領域３２の側面３２ｂと天井面３２ａとの間の角部３２ｃにおける少なくとも一部に、角部３２ｃに沿って配置され、キャビティ領域３２を平面視したとき、凸状体３４よりも幅広とされた段差体３６からなる補強部が設けられている。
【0043】
そして、本実施形態の赤外線センサ１は、第１金属接合膜５１と第２金属接合膜５２とが、例えば、金属拡散接合によって接合されていることで、赤外線検出素子４上にキャビティＣを確保しながら、第１基板２と第２基板３とが接合された構成とされている。
以下、本実施形態の赤外線センサ１の各構成についてさらに詳細に説明する。
以下、本実施形態の赤外線センサ１の各構成についてさらに詳細に説明する。
【0044】
第１基板２は、センサ用パッケージ及び赤外線センサ１のベース基板であり、例えば、シリコン基板から構成される。また、第１基板２は、図１に示す例では、平面視で矩形状に形成されている。また、第１基板２の上面２ａ（一面）には、詳細を後述する赤外線検出素子４を配置するためのデバイス領域２２が凹状に形成されており、図示例においては、平面視で概略中央にデバイス領域２２が設けられている。また、第１基板２の上面２ａには、平面視でデバイス領域２２の外側に配置される電極配置領域２３ａ，２３ｂが設けられている。
【0045】
第１基板２は、例えば、シリコン基板をドライエッチングすることにより、デバイス領域２２を形成することで得ることができる。デバイス領域２２は、例えば、平面視矩形状に形成される領域である。
なお、第１基板２の平面視形状は、図示例のような概略矩形状のものには限定されず、赤外線センサ１としての平面視形状に合わせて他の形状を採用することも可能である。
また、本実施形態で説明する例では、第１基板２の上面２ａ及び下面２ｂは、デバイス領域２２の部分を除いて概略平坦に構成されている。
また、第１基板２は、シリコン基板をウェットエッチングすることにより、デバイス領域２２を形成することで得ることも可能である。
なお、第１基板２の平面視形状は、図示例のような概略矩形状のものには限定されず、赤外線センサ１としての平面視形状に合わせて他の形状を採用することも可能である。
また、本実施形態で説明する例では、第１基板２の上面２ａ及び下面２ｂは、デバイス領域２２の部分を除いて概略平坦に構成されている。
また、第１基板２は、シリコン基板をウェットエッチングすることにより、デバイス領域２２を形成することで得ることも可能である。
【0046】
また、第１基板２には、該第１基板２内に埋設され、赤外線検出素子４に電気的に接続される埋め込み配線７１，７２と、第１基板２上において、対向して配置される第２基板３よりも平面視で外側に設けられ、埋め込み配線７１，７２と第１コンタクト９１ａ，９２ａを介して電気的に接続される電極８１，８２とが備えられている。
また、図１及び図２においては詳細な図示を省略しているが、第２コンタクト９１ｂ，９２ｂと赤外線検出素子４との間は、第１信号配線部６１、又は、第２信号配線部６２を介して電気的に接続されており、これにより、電極８１，８２は、赤外線検出素子４から出力された検出信号を外部に向けて送出できるように構成されている。
また、図１及び図２においては詳細な図示を省略しているが、第２コンタクト９１ｂ，９２ｂと赤外線検出素子４との間は、第１信号配線部６１、又は、第２信号配線部６２を介して電気的に接続されており、これにより、電極８１，８２は、赤外線検出素子４から出力された検出信号を外部に向けて送出できるように構成されている。
【0047】
また、図１及び図２等においては図示を省略しているが、本実施形態の赤外線センサ１においては、第１基板２におけるデバイス領域２２の周囲や、後述する埋め込み配線７１，７２又は電極８１，８２の周囲等に、さらに絶縁層が設けられていてもよい。具体的には、図示略の絶縁層は、第１基板２の上面２ａ側のうち、赤外線検出素子４よりも外側の領域に、平面視で赤外線検出素子４を囲むように設けることができる。この絶縁層は、絶縁性を有する材料からなり、例えば、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）等のシリコン酸化膜や、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）等から形成される。
【0048】
第２基板３は、赤外線センサ１のリッド基板（蓋）であり、第１基板２と同様、シリコン基板をエッチングすることで得られる。また、図示例の第２基板３は、第１基板２と同様、平面視で矩形状に形成されている。
より具体的には、第２基板３は、第１基板２の上面２ａ側にデバイス領域２２を覆うように接合されるものであり、第１基板２との接合面である下面３ａ側に、デバイス領域２２との間にキャビティＣを確保するための凹状のキャビティ領域３２と、平面視でキャビティ領域３２を囲むように概略枠状で設けられる接合部３１とを有する。
また、第２基板３は、平面視で接合部３１の外側の少なくとも一部、図示例では、平面視矩形状とされた第２基板３において対向して配置された一辺側と他辺側に沿うように、第１基板２の電極配置領域２３ａ，２３ｂを露出させるための貫通領域３３を有する。
図１及び図２に示す例では、貫通領域３３が、電極配置領域２３ａ及び電極配置領域２３ｂのそれぞれに対応する位置で、キャビティ領域３２を介して一対で配置されている。また、図示例では、キャビティ領域３２が平面視矩形状とされている。
より具体的には、第２基板３は、第１基板２の上面２ａ側にデバイス領域２２を覆うように接合されるものであり、第１基板２との接合面である下面３ａ側に、デバイス領域２２との間にキャビティＣを確保するための凹状のキャビティ領域３２と、平面視でキャビティ領域３２を囲むように概略枠状で設けられる接合部３１とを有する。
また、第２基板３は、平面視で接合部３１の外側の少なくとも一部、図示例では、平面視矩形状とされた第２基板３において対向して配置された一辺側と他辺側に沿うように、第１基板２の電極配置領域２３ａ，２３ｂを露出させるための貫通領域３３を有する。
図１及び図２に示す例では、貫通領域３３が、電極配置領域２３ａ及び電極配置領域２３ｂのそれぞれに対応する位置で、キャビティ領域３２を介して一対で配置されている。また、図示例では、キャビティ領域３２が平面視矩形状とされている。
【0049】
そして、図示例の第２基板３には、上述したように、キャビティ領域３２の天井面３２ａにおいて、２本の凸状体３４が各々の長さ方向の中心付近で直交するように、後述の段差体３６と含めて平面視で概略格子状に配置されていることで、天井面３２ａに計４つのセル３５が確保されている。
凸状体３４は、キャビティ領域３２の天井面３２ａから突出するように設けられるとともに、平面視で細長梁状とされている。
凸状体３４は、キャビティ領域３２の天井面３２ａから突出するように設けられるとともに、平面視で細長梁状とされている。
【0050】
さらに、図示例の第２基板３には、キャビティ領域３２の側面３２ｂと天井面３２ａとの間の角部３２ｃ全体に沿って配置され、キャビティ領域３２を平面視したとき、凸状体３４よりも幅広とされた段差体３６が配置されている。
【0051】
凸状体３４及び段差体３６の幅寸法としては、特に限定されないが、第１基板２のデバイス領域２２に配置される赤外線検出素子４への赤外線の入光を阻害することのない範囲で適宜設定できる。より具体的には、例えば、第２基板３を平面視したときの凸状体３４及び段差体３６の合計面積が、少なくとも、第１基板２を平面視したときのデバイス領域２２（赤外線検出素子４）の面積の半分以下とすることで、キャビティ領域３２の天井面３２ａの強度を高めながら、赤外線を十分に入光させることが可能となる。
【0052】
また、凸状体３４及び段差体３６の高さ寸法としても、特に限定されず、例えば、第１基板２のデバイス領域２２に配置される赤外線検出素子４との干渉が発生しない程度の寸法で、且つ、赤外線検出素子４への赤外線の入光を阻害することのない範囲で適宜設定できる。
【0053】
第２基板３は、例えば、シリコン基板をドライエッチングすることで接合部３１及び貫通領域３３を形成するとともに、上記の各補強部を含むキャビティ領域３２を形成することが可能である。
即ち、第２基板３は、例えば、接合部３１、補強部を含むキャビティ領域３２及び貫通領域３３の全てをドライエッチングで形成することで、同じプロセスで同時に形成して得ることも可能である。
即ち、第２基板３は、例えば、接合部３１、補強部を含むキャビティ領域３２及び貫通領域３３の全てをドライエッチングで形成することで、同じプロセスで同時に形成して得ることも可能である。
【0054】
第２基板３は、第１基板２に対して概略平行となるように重ね合わせられる。
第２基板３の平面視形状も、第１基板２の場合と同様、図示例のような概略矩形状には限定されず、赤外線センサ１としての平面視形状に合わせて、第１基板２と対応する形状とすることができる。
また、第２基板３は、遠赤外線を透過可能なシリコン基板からなることで、赤外線検出素子４に遠赤外線を入射させることが可能な構成とされている。
第２基板３の平面視形状も、第１基板２の場合と同様、図示例のような概略矩形状には限定されず、赤外線センサ１としての平面視形状に合わせて、第１基板２と対応する形状とすることができる。
また、第２基板３は、遠赤外線を透過可能なシリコン基板からなることで、赤外線検出素子４に遠赤外線を入射させることが可能な構成とされている。
【0055】
第２基板３におけるキャビティ領域３２の深さ、即ち、枠状の接合部３１の高さとしては、キャビティＣとして一定容量を有する空間を確保できる高さであれば、特に限定されず、例えば、３０～１００μｍの高さとすることができる。
【0056】
また、接合部３１の底面３１ａの平面視寸法（面積）としては、特に限定されないが、詳細を後述する、第１金属接合膜５１と第２金属接合膜５２との金属拡散接合による接合強度を確保することも勘案し、例えば、１．５～４．０ｍｍ角の概略矩形状とすることができる。
【0057】
また、本実施形態においては、第１基板２及び第２基板３がシリコン基板からなることで、第２基板３における遠赤外線の透過率が高められ、遠赤外線を効率よく受光することが可能になる。
また、第１基板２及び第２基板３が、加工性に優れるシリコン基板からなることで、ドライエッチング又はウェットエッチングで加工するときの精度が向上するので、素子特性にさらに優れたものとなる。
また、第１基板２及び第２基板３として、一般的に流通している、特に面方位が（１００）面であるシリコン基板を採用することにより、入手容易性に優れるとともに、製造コストを抑制することが可能となる。
また、第１基板２及び第２基板３が、加工性に優れるシリコン基板からなることで、ドライエッチング又はウェットエッチングで加工するときの精度が向上するので、素子特性にさらに優れたものとなる。
また、第１基板２及び第２基板３として、一般的に流通している、特に面方位が（１００）面であるシリコン基板を採用することにより、入手容易性に優れるとともに、製造コストを抑制することが可能となる。
【0058】
赤外線検出素子４は、上述のように、第１基板２の上面２ａ側に形成された凹状のデバイス領域２２に収容されるように設けられている。また、赤外線検出素子４は、上述したように、その検出信号を、電極８１，８２から外部に向けて送出するように設けられており、第１基板２のデバイス領域２２に設置された状態において、その上面側が、減圧空間（封止空間）とされたキャビティＣに露出するように設けられる。
【0059】
赤外線検出素子４は、例えば、ベース基板である第１基板２の構成材料から構成された部分を有してもよく、外部から供給された材料から構成された部分を有してもよく、また、第１基板２の構成材料と外部から供給された材料とを混合して構成された部分を有してもよい。
【0060】
第１金属接合膜５１は、上述したように、第１基板２の上面２ａにおける、第２基板３の接合部３１に対応した位置に設けられる。
また、第２金属接合膜５２は、上述したように、第２基板３の接合部３１における、第１基板２と接合する位置、即ち、底面３１ａを覆うように設けられる。
本実施形態においては、第１基板２に設けられる第１金属接合膜５１と、第２基板３に設けられる第２金属接合膜５２とが、例えば、金属拡散接合によって接合されることで金属接合体５０が形成され、この金属接合体５０によって第１基板２と第２基板３とが接合される。
また、第２金属接合膜５２は、上述したように、第２基板３の接合部３１における、第１基板２と接合する位置、即ち、底面３１ａを覆うように設けられる。
本実施形態においては、第１基板２に設けられる第１金属接合膜５１と、第２基板３に設けられる第２金属接合膜５２とが、例えば、金属拡散接合によって接合されることで金属接合体５０が形成され、この金属接合体５０によって第１基板２と第２基板３とが接合される。
【0061】
第１金属接合膜５１及び第２金属接合膜５２は、図１中に示すように、平面視矩形状で概略枠状に形成され、これら第１金属接合膜５１と第２金属接合膜５２とが金属拡散接合してなる金属接合体５０も、平面視矩形状で概略枠状に形成される。
また、第１金属接合膜５１と第２金属接合膜５２とからなる金属接合体５０は、第１基板２と第２基板３とを接合することで、これら第１基板２、第２基板３及び金属接合体５０に囲まれたキャビティＣを形成する。
また、第１金属接合膜５１と第２金属接合膜５２とからなる金属接合体５０は、第１基板２と第２基板３とを接合することで、これら第１基板２、第２基板３及び金属接合体５０に囲まれたキャビティＣを形成する。
【0062】
より具体的には、金属接合体５０は、第１基板２の上面２ａに配置される第１下地層５１ａ、及び、第１下地層５１ａ上に積層して設けられる第１接合層５１ｂからなる第１金属接合膜５１と、第２基板３の接合部３１の先端に配置される第２下地層５２ａ、及び、第２下地層５２ａ上に積層して設けられる第２接合層５２ｂからなる第２金属接合膜５２とから構成される。
【0063】
第１下地層５１ａ及び第２下地層５２ａは、それぞれ、第１基板２の上面２ａ、又は、第２基板３における接合部３１の底面３１ａに接合されて設けられる。上記のような各下地層を備えることにより、第１接合層５１ｂが第１基板２に対して強固に接合されるとともに、第２接合層５２ｂが第２基板３の接合部３１に対して強固に接合される。
【0064】
第１下地層５１ａ及び第２下地層５２ａは、第１基板２の上面２ａ上、又は、第２基板３の接合部３１の先端において、導電性を有する金属材料によって薄膜状に形成されている。
第１下地層５１ａ及び第２下地層５２ａの材料としては、特に限定されないが、例えば、タンタル（Ｔａ）又は窒化チタン（ＴｉＮ）からなる薄膜とされていることが好ましい。
また、第１基板２側に設けられる第１下地層５１ａは、例えば、図示略のグラウンドに接続されている。このグラウンドは、例えば、第１基板２の下面２ｂ側に設けることができるが、第１基板２の上面２ａ側に設けられていてもよい。
第１下地層５１ａ及び第２下地層５２ａの材料としては、特に限定されないが、例えば、タンタル（Ｔａ）又は窒化チタン（ＴｉＮ）からなる薄膜とされていることが好ましい。
また、第１基板２側に設けられる第１下地層５１ａは、例えば、図示略のグラウンドに接続されている。このグラウンドは、例えば、第１基板２の下面２ｂ側に設けることができるが、第１基板２の上面２ａ側に設けられていてもよい。
【0065】
第１接合層５１ｂ及び第２接合層５２ｂは、上記のように、それぞれ、第１下地層５１ａ上、又は、第２下地層５２ａ上に積層されている。
第１接合層５１ｂ及び第２接合層５２ｂの材料としては、特に限定されないが、例えば、第１下地層５１ａ及び第２下地層５２ａの材料としてタンタルを用いた場合には、第１接合層５１ｂ及び第２接合層５２ｂの材料として金（Ａｕ）を用いる。また、第１下地層５１ａ及び第２下地層５２ａの材料として窒化チタンを用いた場合には、第１接合層５１ｂ及び第２接合層５２ｂの材料としてアルミニウム（Ａｌ）を用いる。
第１接合層５１ｂ及び第２接合層５２ｂの材料としては、特に限定されないが、例えば、第１下地層５１ａ及び第２下地層５２ａの材料としてタンタルを用いた場合には、第１接合層５１ｂ及び第２接合層５２ｂの材料として金（Ａｕ）を用いる。また、第１下地層５１ａ及び第２下地層５２ａの材料として窒化チタンを用いた場合には、第１接合層５１ｂ及び第２接合層５２ｂの材料としてアルミニウム（Ａｌ）を用いる。
【0066】
そして、本実施形態においては、第１接合層５１ｂと第２接合層５２ｂとが、同じ材料同士で接合されるように構成される。即ち、第１接合層５１ｂ及び第２接合層５２ｂは、両方が同じ材料、即ち、金（Ａｕ）又はアルミニウム（Ａｌ）の何れか一方の材料を含むように構成される。
【0067】
金属接合体５０を構成する第１金属接合膜５１及び第２金属接合膜５２を上記材料から構成した場合、各層の厚さは特に限定されない。一方、電気的特性や接合時の強度等を勘案し、第１下地層５１ａ及び第２下地層５２ａをタンタルから構成し、第１接合層５１ｂ及び第２接合層５２ｂを金から構成した場合には、例えば、｛第１接合層５１ｂ（又は第２接合層５２ｂ）：０．５ｎｍ～２μｍ／第１下地層５１ａ（又は第２下地層５２ａ）：０．０５～０．２μｍ｝の範囲とすることが好ましい。
同様に、第１下地層５１ａ及び第２下地層５２ａを窒化チタンから構成し、第１接合層５１ｂ及び第２接合層５２ｂをアルミニウムから構成した場合には、例えば、｛第１接合層５１ｂ（又は第２接合層５２ｂ）：１～３μｍ／第１下地層５１ａ（又は第２下地層５２ａ）：０．０５～０．５μｍ｝の範囲とすることが好ましい。
同様に、第１下地層５１ａ及び第２下地層５２ａを窒化チタンから構成し、第１接合層５１ｂ及び第２接合層５２ｂをアルミニウムから構成した場合には、例えば、｛第１接合層５１ｂ（又は第２接合層５２ｂ）：１～３μｍ／第１下地層５１ａ（又は第２下地層５２ａ）：０．０５～０．５μｍ｝の範囲とすることが好ましい。
【0068】
また、金属接合体５０によるキャビティＣに対する封止幅、即ち、接合部３１に対応して平面視矩形状に形成された第２金属接合膜５２及び第１金属接合膜５１の最大幅としても、特に限定されない。一方、この部分の接合性を高め、キャビティＣの封止気密性をより高めることを考慮した場合、第１金属接合膜５１及び第２金属接合膜５２の最大幅は、第１下地層５１ａ及び第２下地層５２ａをタンタルから構成し、第１接合層５１ｂ及び第２接合層５２ｂを金から構成した場合には、例えば、０．１０～０．３０ｍｍとすることが好ましい。また、第１下地層５１ａ及び第２下地層５２ａを窒化チタンから構成し、第１接合層５１ｂ及び第２接合層５２ｂをアルミニウムから構成した場合には、第２金属接合膜５２及び第１金属接合膜５１の最大幅は、例えば、０．０３～０．１ｍｍの幅とすることが好ましい。
【0069】
本実施形態においては、金属接合体５０をなす第１金属接合膜５１及び第２金属接合膜５２を、上記のような層構造から構成することにより、第１基板２と第２基板３とを重ね合わせて加圧した際に、第１下地層５１ａ及び第１接合層５１ｂと、第２下地層５２ａ及び第２接合層５２ｂとの間に金属拡散接合が発現される。これにより、金属接合体５０を強固な接合構造とし、且つ、第１基板２と第２基板３とを、キャビティＣにおける封止性を高めながら強固に接合することが可能になる。
【0070】
なお、本実施形態においては、第１基板２と第２基板３とを接合するにあたり、第１金属接合膜５１及び第２金属接合膜５２を上記材料から構成して金属拡散接合させることには限定されない。例えば、第１金属接合膜５１及び第２金属接合膜５２の各層を金（Ａｕ）又はスズ（Ｓｎ）から構成し、Ａｕ－Ｓｎ共晶接合させた構成を採用してもよい。この場合、例えば、第１下地層５１ａ及び第２下地層５２ａ、並びに、第１接合層５１ｂ及び第２接合層５２ｂを、それぞれＡｕ－Ｓｎ共晶合金から形成し、共晶温度まで加熱及び溶融させることで、第１下地層５１ａ及び第１接合層５１ｂと、第２下地層５２ａ及び第２接合層５２ｂとの間を共晶接合させる。これにより、第１基板２と第２基板３とを強固且つ安定して接合することができ、キャビティＣの高い封止気密性が得られる。
【0071】
第１金属接合膜５１及び第２金属接合膜５２の各層を金又はスズから構成した場合の、各層の組成としては、特に限定されないが、例えば、Ａｕ－Ｓｎを２０～２２％で含むものを用いることができる。
また、この場合の第１金属接合膜５１及び第２金属接合膜５２の各層の厚みも、特に限定されないが、例えば、５～１０μｍの厚みを有するペースト状又はリボン状に構成することができる。
また、第１金属接合膜５１と第２金属接合膜５２とをＡｕ－Ｓｎ共晶接合させた場合の封止幅、即ち、第１金属接合膜５１及び第２金属接合膜５２の幅についても、特に限定されないが、例えば、０．１～０．５ｍｍの範囲とすることができる。
また、この場合の第１金属接合膜５１及び第２金属接合膜５２の各層の厚みも、特に限定されないが、例えば、５～１０μｍの厚みを有するペースト状又はリボン状に構成することができる。
また、第１金属接合膜５１と第２金属接合膜５２とをＡｕ－Ｓｎ共晶接合させた場合の封止幅、即ち、第１金属接合膜５１及び第２金属接合膜５２の幅についても、特に限定されないが、例えば、０．１～０．５ｍｍの範囲とすることができる。
【0072】
さらに、第１基板２の上面２ａには、上述した電極８１，８２、埋め込み配線７１，７２、第１コンタクト９１ａ，９２ａ及び第２コンタクト９１ｂ，９２ｂが設けられている。
【0073】
埋め込み配線７１，７２は、上述したように、赤外線検出素子４と電極８１，８２とを電気的に接続するものである。埋め込み配線７１，７２は、電極８１，８２及び赤外線検出素子４における図示略の出力端子の数に応じて複数で設けられており、図２中においては、埋め込み配線７１，７２の一部のみを示している。また、電極８１，８２は、赤外線検出素子４に対して、第１信号配線部６１及び第２信号配線部６２を介して電気的に接続されている。また、図示例の埋め込み配線７１，７２は、第１基板２の厚さ方向において、中央部よりも上方に埋設されており、電極８１，８２、並びに、第１信号配線部６１及び第２信号配線部６２の下方にわたるように配置されている。
【0074】
埋め込み配線７１，７２の材料としては、優れた導電性を有する配線材料又は電極材料であれば、特に限定されず、従来からこの分野で用いられている金属材料等を何ら制限無く用いることができる。このような材料としては、例えば、ポリシリコン配線やアルミニウム（Ａｌ）配線等、埋め込み配線に一般的に用いられる導電性材料が挙げられる。
【0075】
電極８１，８２は、埋め込み配線７１，７２及び第１コンタクト９１ａ，９２ａ等を介して赤外線検出素子４と電気的に接続され、赤外線検出素子４による検出信号等を外部に出力するものである。電極８１，８２は、第１基板２の上面２ａ上に確保された電極配置領域２３ａ，２３ｂにおいて、それぞれ対向する縁部に沿って設けられており、図示例においては、電極８１と電極８２とが、それぞれ対向して５カ所に設けられている。また、電極８１，８２は、平面視で、第１基板２と対向して設けられる第２基板３よりも外側に設けられている。電極８１，８２は、例えば、赤外線検出素子４による検出信号等を必要とする種々の外部機器に対して電気的に接続可能に設けられる。
【0076】
電極８１，８２の材料としても、従来からこの分野で用いられている金属材料等を何ら制限無く用いることができ、例えば、アルミシリコン合金（ＡｌＳｉ）及び窒化チタン（ＴｉＮ）をスパッタリング法によって順次積層したもの等を用いることができる。
また、詳細を後述するように、電極８１，８２を、第１金属接合膜５１と同じ工程で同時に形成する場合には、これら各電極の材料として、上述した第１金属接合膜５１と同じ材料を用いればよい。
また、詳細を後述するように、電極８１，８２を、第１金属接合膜５１と同じ工程で同時に形成する場合には、これら各電極の材料として、上述した第１金属接合膜５１と同じ材料を用いればよい。
【0077】
第１コンタクト９１ａ，９２ａは、埋め込み配線７１，７２と電極８１，８２とを電気的に接続するものであり、第２コンタクト９１ｂ，９２ｂは、埋め込み配線７１，７２と第１信号配線部６１又は第２信号配線部６２とを電気的に接続するものである。図２に示す例においては、第１コンタクト９１ａ，９２ａが埋め込み配線７１，７２の一端側に接続され、第２コンタクト９１ｂ，９２ｂが、埋め込み配線７１，７２の他端側に接続されている。
【0078】
上記により、赤外線検出素子４は、第１信号配線部６１及び第２信号配線部６２、第２コンタクト９１ｂ，９２ｂ、埋め込み配線７１，７２、及び、第１コンタクト９１ａ，９２ａを介して電極８１，８２と電気的に接続されている。
【0079】
第１コンタクト９１ａ，９２ａ及び第２コンタクト９１ｂ，９２ｂを構成する材料としても、特に限定されず、従来からこの分野で用いられている金属材料を何ら制限無く用いることができる。
また、電極８１，８２の場合と同様、第１コンタクト９１ａ，９２ａ及び第２コンタクト９１ｂ，９２ｂを、第１金属接合膜５１と同じ工程で同時に形成する場合には、これら各コンタクトの材料として、上述した第１金属接合膜５１と同じ材料を用いればよい。
また、電極８１，８２の場合と同様、第１コンタクト９１ａ，９２ａ及び第２コンタクト９１ｂ，９２ｂを、第１金属接合膜５１と同じ工程で同時に形成する場合には、これら各コンタクトの材料として、上述した第１金属接合膜５１と同じ材料を用いればよい。
【0080】
本実施形態のセンサ用パッケージを含む赤外線センサ１によれば、第２基板３が、キャビティ領域３２の天井面３２ａに、補強部として凸状体３４や段差体３６が設けられた構成を採用している。このような補強部を設けることで、パッケージ全体の薄型化に伴ってキャビティ領域３２の部分、即ち、天井面３２ａの部分が薄く構成された場合でも、第１基板２と第２基板３とを接合する際の加圧力によって、第２基板３のキャビティ領域３２が撓むのを抑制できる。これにより、接合部３１の突設寸法を大きくすることができ、接合時における第２基板３の撓みによって接合部３１以外の部分に加圧力が分散するのを抑制できるので、接合部３１に加圧力が効率的に付与され、強固な接合強度が得られる。また、センサ素子である赤外線検出素子４が大型であるか、あるいは、接合部３１間の間隔が大きい場合であっても、第２基板３のキャビティ領域３２が撓むのを抑制できることで、上記同様、加圧力が分散するのを抑制できるので、接合部３１に加圧力が効率的に付与され、強固な接合強度が得られる。従って、気密封止構造の信頼性が高く、製造歩留まりにも優れた赤外線センサ１が実現できる。
【0081】
また、第２基板３のキャビティ領域３２における補強部として、平面視で細長梁状とされた凸状体３４を備えることで、図示例のような、第１基板２のデバイス領域２２に赤外線検出素子４が配置された赤外線センサ１を構成した場合に、外部から入射する赤外線が補強部によって遮られるのを最小限に抑制できる。これにより、上記同様、気密封止構造の高い信頼性を有し、製造歩留まりに優れるとともに、優れた素子特性を維持することが可能となる。
【0082】
また、補強部が複数の凸状体３４からなり、キャビティ領域３２の天井面３２ａにおいて複数のセル３５が確保された平面視格子状に配置されていることで、キャビティ領域３２の天井面３２ａの部分が撓むのをより顕著に抑制できる。また、複数の凸状体３４が格子状に配置されていることで、上記同様、センサ用パッケージを用いて赤外線センサ１を構成した場合に、外部から入射する赤外線が凸状体３４によって遮られるのを最小限に抑制できる。これにより、気密封止構造の信頼性が顕著に高められ、製造歩留まりに優れるとともに、優れた素子特性を維持することが可能となる。
【0083】
また、第２基板３のキャビティ領域３２において、上記の凸状体３４に加え、さらに段差体３６が設けられていることにより、キャビティ領域３２の天井面３２ａに撓みが生じるのをさらに顕著に抑制できる。また、段差体３６は、キャビティ領域３２の角部３２ｃに沿って設けられたものなので、上記同様、センサ用パッケージを用いて赤外線センサ１を構成した場合に、外部から入射する赤外線が段差体３６によって遮られるのを最小限に抑制できる。これにより、気密封止構造の信頼性が顕著に高められ、製造歩留まりに優れるとともに、優れた素子特性を維持することが可能となる。
【0084】
なお、本実施形態のセンサ用パッケージを含む赤外線センサ１においては、第２基板３における、キャビティ領域３２によって確保されるキャビティＣに露出した天井面３２ａ及び側面３２ｂのうち、第１基板２に設けられた赤外線検出素子４と対向する部分を除いた位置に、図示略のガス吸着層が設けられていてもよい。上記のようなガス吸着層を備えることで、減圧されたキャビティＣ内のガスを効果的に吸着でき、キャビティＣ内の真空度を高める効果が得られるので、赤外線検出素子４による受光感度がより高められる効果が得られる。
また、ガス吸着層の形成位置としては、例えば、凸状体３４や段差体３６の側面側とすることもできる。
また、ガス吸着層の形成位置としては、例えば、凸状体３４や段差体３６の側面側とすることもできる。
【0085】
図示略のガス吸着層の材質としては、例えば、水素や酸素等のガスを吸着できるゲッター剤からなるものであれば、とくに限定されず、例えば、少なくとも、チタン、ジルコニウム又はニッケル等を含むゲッター剤からなるものを採用することができる。また、これらのゲッター剤の塗布にあたっては、例えば、キャビティＣ内を高真空封止する必要がある場合には、メタルマスク等を使用してゲッター剤を塗布することでガス吸着層を形成する方法を採用することも可能である。
【0086】
また、ガス吸着層の寸法及び形状についても、特に限定されず、ガス吸着層によるキャビティＣ内のガス吸着効率を勘案しながら、適宜、設計することができる。
また、上記のようなガス吸着層を設ける場合、このガス吸着層を、赤外線検出素子４と重ならない位置にのみ形成することが好ましいが、赤外線検出素子４における受光に支障が生じない程度であれば、赤外線検出素子４とガス吸着層とが若干重なった構成とすることも可能である。一方、赤外線センサとしての特性を最大限まで高める観点からは、赤外線検出素子４とガス吸着層とが全く重ならない構成とすることがより好ましい。
また、上記のようなガス吸着層を設ける場合、このガス吸着層を、赤外線検出素子４と重ならない位置にのみ形成することが好ましいが、赤外線検出素子４における受光に支障が生じない程度であれば、赤外線検出素子４とガス吸着層とが若干重なった構成とすることも可能である。一方、赤外線センサとしての特性を最大限まで高める観点からは、赤外線検出素子４とガス吸着層とが全く重ならない構成とすることがより好ましい。
【0087】
次に、本実施形態の赤外線センサ１を用いた各種検出に係る処理の一例について説明する。
まず、赤外線が第２基板３の上面３ｂ側から入射して第２基板３を透過すると、赤外線検出素子４は、その遠赤外線を検出して検出信号を出力する。赤外線検出素子４から出力された検出信号は、第１信号配線部６１及び第２信号配線部６２、第２コンタクト９１ｂ，９２ｂ、埋め込み配線７１，７２、及び、第１コンタクト９１ａ，９２ａを通り、電極８１，８２から外部に向けて出力される。電極８１，８２から出力された検出信号は、図示略の外部機器等に送信されて所定の動作が行われる。
まず、赤外線が第２基板３の上面３ｂ側から入射して第２基板３を透過すると、赤外線検出素子４は、その遠赤外線を検出して検出信号を出力する。赤外線検出素子４から出力された検出信号は、第１信号配線部６１及び第２信号配線部６２、第２コンタクト９１ｂ，９２ｂ、埋め込み配線７１，７２、及び、第１コンタクト９１ａ，９２ａを通り、電極８１，８２から外部に向けて出力される。電極８１，８２から出力された検出信号は、図示略の外部機器等に送信されて所定の動作が行われる。
【0088】
［センサ用パッケージ及び赤外線センサの製造方法］
次に、本実施形態のセンサ用パッケージを含む赤外線センサ１を製造する方法について、図３Ａ～図３Ｄ、図４Ａ～図４Ｄ、図５Ａ～図５Ｅ、図６Ａ及び図６Ｂを適宜参照しながら詳述する（赤外線センサ１の構成については図１及び図２も適宜参照）。
次に、本実施形態のセンサ用パッケージを含む赤外線センサ１を製造する方法について、図３Ａ～図３Ｄ、図４Ａ～図４Ｄ、図５Ａ～図５Ｅ、図６Ａ及び図６Ｂを適宜参照しながら詳述する（赤外線センサ１の構成については図１及び図２も適宜参照）。
【0089】
本実施形態の赤外線センサ１の製造方法は、例えば、図１及び図２に示すような本実施形態の赤外線センサ１を製造する方法であり、まず、センサ用パッケージを製造するための、少なくとも以下の工程（１），（２）を含む方法である。
工程（１）：基板材料の表面をエッチングすることにより、上面２ａ側に凹状のデバイス領域２２を形成して第１基板２を得る。
工程（２）：基板材料の表面をエッチングすることにより、シリコン基板の少なくとも一部に貫通領域３３を形成するとともに、第１基板２との接合面となる下面３ａ側に凹状のキャビティ領域３２を形成し、さらに、平面視でキャビティ領域３２を囲むように設けられる接合部３１を形成して第２基板３を得る。この際、基板材料をエッチングすることにより、第２基板３を、キャビティ領域３２の天井面３２ａにおける何れかの位置に補強部を形成しながら加工する。本実施形態で説明する例の工程（２）においては、図１及び図２中に示すように、補強部として、キャビティ領域３２の天井面３２ａから突出するように設けられた、平面視で細長梁状とされた凸状体３４を、複数のセル３５を確保しながら平面視格子状に形成する。また、本実施形態で説明する例の工程（２）では、補強部として、さらに、キャビティ領域３２の側面３２ｂと天井面３２ａとの間の角部３２ｃに沿って配置され、且つ、キャビティ領域３２を平面視したとき、凸状体３４よりも幅広とされた段差体３６を形成する。
工程（１）：基板材料の表面をエッチングすることにより、上面２ａ側に凹状のデバイス領域２２を形成して第１基板２を得る。
工程（２）：基板材料の表面をエッチングすることにより、シリコン基板の少なくとも一部に貫通領域３３を形成するとともに、第１基板２との接合面となる下面３ａ側に凹状のキャビティ領域３２を形成し、さらに、平面視でキャビティ領域３２を囲むように設けられる接合部３１を形成して第２基板３を得る。この際、基板材料をエッチングすることにより、第２基板３を、キャビティ領域３２の天井面３２ａにおける何れかの位置に補強部を形成しながら加工する。本実施形態で説明する例の工程（２）においては、図１及び図２中に示すように、補強部として、キャビティ領域３２の天井面３２ａから突出するように設けられた、平面視で細長梁状とされた凸状体３４を、複数のセル３５を確保しながら平面視格子状に形成する。また、本実施形態で説明する例の工程（２）では、補強部として、さらに、キャビティ領域３２の側面３２ｂと天井面３２ａとの間の角部３２ｃに沿って配置され、且つ、キャビティ領域３２を平面視したとき、凸状体３４よりも幅広とされた段差体３６を形成する。
【0090】
そして、本実施形態の赤外線センサ１の製造方法は、上記の工程（１）及び工程（２）の後に、さらに、少なくとも以下の工程（３）～（６）、及び（８）、（９）を含む方法である。
工程（３）：工程（１）で得られた第１基板２の上面２ａ側に、第２基板３に設けられた接合部３１に対応する位置で第１金属接合膜５１を形成する。
工程（４）：工程（１）で得られた第１基板２の上面２ａ側における電極配置領域２３ａ，２３ｂに、電極８１，８２を配置する。
工程（５）：工程（１）で得られた第１基板２のデバイス領域２２に赤外線検出素子４を配置する。
工程（６）：工程（２）で得られた第２基板３の接合部３１における、第１基板２と接合する位置である底面３１ａを覆うように第２金属接合膜５２を形成する。
工程（８）：第１基板２と第２基板３との間に赤外線検出素子４が配置されるように第１基板２と第２基板３とを重ね合わせ、第１金属接合膜５１と第２金属接合膜５２とを互いに加圧して金属拡散接合させることで、赤外線検出素子４上にキャビティＣを確保しながら、第１基板２と第２基板３とを接合する。
工程（９）：ダイシングラインＬに沿って第１基板２及び第２基板３を切断することにより、チップ単位に個片化する。
工程（３）：工程（１）で得られた第１基板２の上面２ａ側に、第２基板３に設けられた接合部３１に対応する位置で第１金属接合膜５１を形成する。
工程（４）：工程（１）で得られた第１基板２の上面２ａ側における電極配置領域２３ａ，２３ｂに、電極８１，８２を配置する。
工程（５）：工程（１）で得られた第１基板２のデバイス領域２２に赤外線検出素子４を配置する。
工程（６）：工程（２）で得られた第２基板３の接合部３１における、第１基板２と接合する位置である底面３１ａを覆うように第２金属接合膜５２を形成する。
工程（８）：第１基板２と第２基板３との間に赤外線検出素子４が配置されるように第１基板２と第２基板３とを重ね合わせ、第１金属接合膜５１と第２金属接合膜５２とを互いに加圧して金属拡散接合させることで、赤外線検出素子４上にキャビティＣを確保しながら、第１基板２と第２基板３とを接合する。
工程（９）：ダイシングラインＬに沿って第１基板２及び第２基板３を切断することにより、チップ単位に個片化する。
【0091】
また、本実施形態においては、上記の工程（６）と工程（８）との間に、さらに、工程（２）で得られた第２基板３における、キャビティ領域３２によって確保されるキャビティＣに露出する面のうち、第１基板２に設けられた前記赤外線検出素子４と対向する位置を除いた少なくとも一部を覆うようにゲッター剤を塗布してガス吸着層を形成する工程（７）を備えた例について説明する。
【0092】
まず、工程（１）において、例えばシリコン基板等からなる基板材料の表面をドライエッチングし、赤外線検出素子４を収容する凹状のデバイス領域２２を形成して第１基板２を作製する（図６Ａ及び図６Ｂ中の第１基板２を参照）。
具体的には、工程（１）では、まず、基板材料となるシリコン基板の表面に、例えば、フォトリソグラフィ法により、凹状のデバイス領域２２をドライエッチングで形成するための、図示略のレジストパターンを形成する。
次いで、シリコン基板の表面をドライエッチングすることにより、凹状のデバイス領域２２を形成する。
その後、第１基板２からレジストパターンを剥離する。
具体的には、工程（１）では、まず、基板材料となるシリコン基板の表面に、例えば、フォトリソグラフィ法により、凹状のデバイス領域２２をドライエッチングで形成するための、図示略のレジストパターンを形成する。
次いで、シリコン基板の表面をドライエッチングすることにより、凹状のデバイス領域２２を形成する。
その後、第１基板２からレジストパターンを剥離する。
【0093】
工程（１）においては、フォトリソグラフィ法によってレジストパターンを形成するにあたり、例えば、スピンコート法等を用いて、従来公知の条件でレジストパターンを形成することができる。
また、工程（１）においては、ドライエッチングを用いてシリコン基板をエッチング加工することができる一方、ウェットエッチングを用いた方法も採用できる。このように、工程（１）においてウェットエッチングを行う場合の条件としても、特に限定されず、例えば、従来からシリコン基板のエッチングに一般的に用いられている、ヒドラジン（Ｎ２Ｈ４）、水酸化カリウム（ＫＯＨ）、水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）等のエッチング液を用いることができる。また、エッチング液の温度やエッチング時間等の各条件についても、従来公知の条件を何ら制限無く採用できる。
また、工程（１）においては、ドライエッチングを用いてシリコン基板をエッチング加工することができる一方、ウェットエッチングを用いた方法も採用できる。このように、工程（１）においてウェットエッチングを行う場合の条件としても、特に限定されず、例えば、従来からシリコン基板のエッチングに一般的に用いられている、ヒドラジン（Ｎ２Ｈ４）、水酸化カリウム（ＫＯＨ）、水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）等のエッチング液を用いることができる。また、エッチング液の温度やエッチング時間等の各条件についても、従来公知の条件を何ら制限無く採用できる。
【0094】
【0095】
具体的には、まず、第１基板２の上面２ａに、図示略の絶縁膜（酸化膜）を形成する。
次いで、上記の図示略の絶縁膜を形成した領域に、例えば、｛ＴｉＮ／ＡｌＳｉ／ＴｉＮ｝の積層構造、あるいは、ポリシリコンからなる埋め込み配線膜を、例えば、スパッタリング法や蒸着法（ＣＶＤ法）等の方法で成膜する。
次いで、フォトリソグラフィ法により、埋め込み配線７１，７２を形成するための、図示略の酸化膜等からなるレジストパターンを形成する。
次いで、上記の埋め込み配線膜をドライエッチングすることにより、パターニングされた埋め込み配線７１，７２を形成する。
次いで、第１基板２からレジストパターンを剥離する。
次いで、上記の図示略の絶縁膜を形成した領域に、例えば、｛ＴｉＮ／ＡｌＳｉ／ＴｉＮ｝の積層構造、あるいは、ポリシリコンからなる埋め込み配線膜を、例えば、スパッタリング法や蒸着法（ＣＶＤ法）等の方法で成膜する。
次いで、フォトリソグラフィ法により、埋め込み配線７１，７２を形成するための、図示略の酸化膜等からなるレジストパターンを形成する。
次いで、上記の埋め込み配線膜をドライエッチングすることにより、パターニングされた埋め込み配線７１，７２を形成する。
次いで、第１基板２からレジストパターンを剥離する。
【0096】
次いで、埋め込み配線７１，７２上に、図示略の絶縁膜（酸化膜や窒化膜）を、例えば、蒸着法によって形成することにより、埋め込み配線７１，７２を覆い込む。
その後、必要に応じて、埋め込み配線７１，７２上に形成した図示略の絶縁膜を、例えば、ＣＭＰ法（化学機械研磨：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）等の方法で平坦化する。
その後、必要に応じて、埋め込み配線７１，７２上に形成した図示略の絶縁膜を、例えば、ＣＭＰ法（化学機械研磨：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）等の方法で平坦化する。
【0097】
次いで、本実施形態で説明する例においては、上記の工程（１）において、さらに、後述する工程（３）において第１コンタクト９１ａ，９２ａ及び第２コンタクト９１ｂ，９２ｂを設けるためのホールを形成する。
この際、まず、第１基板２の上面２ａにおける、上記のホールの形成予定位置（第１コンタクト９１ａ、９２ａ及び第２コンタクト９１ｂ，９２ｂに対応する位置）を除いた全面に、フォトリソグラフィ法によってレジストパターンを形成する。
次いで、第１基板２の上面２ａをドライエッチングすることにより、埋め込み配線７１，７２の両端に対応する位置に、第１コンタクト９１ａ，９２ａ及び第２コンタクト９１ｂ，９２ｂを設けるためのホールを形成する。
次いで、第１基板２からレジストパターンを剥離する。
この際、まず、第１基板２の上面２ａにおける、上記のホールの形成予定位置（第１コンタクト９１ａ、９２ａ及び第２コンタクト９１ｂ，９２ｂに対応する位置）を除いた全面に、フォトリソグラフィ法によってレジストパターンを形成する。
次いで、第１基板２の上面２ａをドライエッチングすることにより、埋め込み配線７１，７２の両端に対応する位置に、第１コンタクト９１ａ，９２ａ及び第２コンタクト９１ｂ，９２ｂを設けるためのホールを形成する。
次いで、第１基板２からレジストパターンを剥離する。
【0098】
本実施形態では、上記工程（１）を実施するとともに、工程（２）において、例えばシリコン基板等からなる基板材料をエッチングすることにより、シリコン基板の少なくとも一部に貫通領域３３を形成するとともに、第１基板２との接合面となる下面３ａ側に凹状のキャビティ領域３２を形成し、さらに、平面視でキャビティ領域３２を囲むように設けられる接合部３１を形成して第２基板３を作製するプロセスを実施する（図３Ａ～図３Ｄ、図４Ａ～図４Ｄ、及び、図５Ａ～図５Ｂを参照）。
【0099】
即ち、工程（２）においては、まず、基板材料となるシリコン基板を準備する（図３Ａを参照）。
次いで、シリコン基板の表面（下面３ａ側）に、例えば、スピンコート法又はスプレーコート法等の方法により、キャビティ領域３２、貫通領域３３、及び接合部３１をドライエッチングで形成するための酸化膜Ｓを形成する（図３Ｂを参照）。
次いで、シリコン基板の表面（下面３ａ側）に、例えば、スピンコート法又はスプレーコート法等の方法により、キャビティ領域３２、貫通領域３３、及び接合部３１をドライエッチングで形成するための酸化膜Ｓを形成する（図３Ｂを参照）。
【0100】
次いで、シリコン基板の表面に形成した酸化膜Ｓの表面に、例えば、スピンコート法又はスプレーコート法等の方法でレジスト材料を塗布し、さらに、フォトリソグラフィ法によってパターニングすることにより、貫通領域３３を形成するためのレジストパターンＲを形成する（図３Ｃを参照）。
【0101】
次いで、ドライエッチング又はウェットエッチングにより、酸化膜ＳにおけるレジストパターンＲの形成箇所以外の部分を除去し、その後、レジストパターンＲを除去する（図３Ｄを参照）。
【0102】
次いで、シリコン基板の一面側（上面３ｂ側）をドライエッチング又はウェットエッチングすることにより、貫通領域３３を形成しながらシリコン基板を矩形状に分割する（図４Ａを参照）。
【0103】
次いで、シリコン基板の表面（下面３ａ側）の酸化膜Ｓ上に、スプレーコート法によってレジスト材料を塗布し、さらに、フォトリソグラフィ法によってパターニングすることにより、キャビティ領域３２の形成予定箇所に併せてレジストパターンＲを形成する（図４Ａを参照）。
【0104】
【0105】
次いで、シリコン基板の表面（下面３ａ側）上及び酸化膜Ｓ上に、スプレーコート法によってレジスト材料を塗布し、さらに、フォトリソグラフィ法によってパターニングすることにより、凸状体３４及び段差体３６の形成予定箇所に併せてレジストパターンＲを形成する（図４Ｄを参照）。
【0106】
次いで、ドライエッチングにより、酸化膜ＳにおけるレジストパターンＲの形成箇所以外の部分を除去することで、凸状体３４及び段差体３６を含むキャビティ領域３２を形成する（図５Ａを参照）。この際、凸状体３４及び段差体３６を同一のプロセスで形成することができる。
【0107】
上記のような、凸状体３４及び段差体３６を含むキャビティ領域３２の形成にあたっては、レジスト材料とシリコン基板との選択比を利用して、レジストパターンＲが全て除去され、且つ、キャビティ領域３２の内部に段差が生じるまでドライエッチングで掘り込む。この際、接合部３１に対応する位置は、酸化膜Ｓ上にレジストパターンＲが形成されているので、この酸化膜Ｓとシリコン基板との選択比を大きくできるエッチングガスを使用し、酸化膜Ｓが全て除去される前にエッチングを終了する。このようなプロセスを採用することで、シリコン基板上における接合部３１に対応する位置が、ドライエッチングによってダメージを受けるのを防止できる。
【0108】
本実施形態の製造方法で得られる赤外線センサ１は、上記のキャビティ領域３２に対応する領域が封止空間であるキャビティＣとして確保される。
その後、第２基板３から酸化膜Ｓをウェットエッチングによって除去する（図５Ｂを参照）。
その後、第２基板３から酸化膜Ｓをウェットエッチングによって除去する（図５Ｂを参照）。
【0109】
なお、工程（２）で形成する貫通領域３３の寸法や平面視形状は、特に限定されず、電極８１，８２を露出させ、且つ、外部との結線等を施しやすい形状であれば、如何なる形状、寸法であってもよい。
【0110】
工程（２）においても、工程（１）と同様、上述したようなフォトリソグラフィ法によってレジストパターンを形成するにあたり、例えばスピンコート法等を用いて、従来公知の条件でレジストパターンを形成することができる。
また、工程（２）においても、ドライエッチングを用いてシリコン基板をエッチング加工することができる一方、例えば、貫通領域３３の形成プロセスにおいてはウェットエッチングを用いた方法も採用できる。このように、工程（２）においてウェットエッチングを採用した場合の条件としても、工程（１）と同様のエッチング液を用いるとともに、エッチング液の温度やエッチング時間等の各条件についても同様とすることができる。
また、工程（２）においても、ドライエッチングを用いてシリコン基板をエッチング加工することができる一方、例えば、貫通領域３３の形成プロセスにおいてはウェットエッチングを用いた方法も採用できる。このように、工程（２）においてウェットエッチングを採用した場合の条件としても、工程（１）と同様のエッチング液を用いるとともに、エッチング液の温度やエッチング時間等の各条件についても同様とすることができる。
【0111】
次に、工程（３）においては、工程（１）で得られた第１基板２の上面２ａ側に、第２基板３に設けられた接合部３１に対応する位置で、複数の金属膜からなる第１金属接合膜５１を形成する（図６Ａ及び図６Ｂ中の第１基板２を参照）。
また、本実施形態で説明する例では、工程（３）及び工程（４）を同時に実施することにより、第１基板２の上面２ａに、上記の第１金属接合膜５１とともに、電極配置領域２３ａ，２３ｂに、電極８１，８２を形成することも可能である。また、本実施形態では、同時に実施する工程（３）及び工程（４）において、上記の第１金属接合膜５１及び複数の電極８１，８２に加え、さらに、第１コンタクト９１ａ，９２ａ、第２コンタクト９１ｂ，９２ｂ、第１信号配線部６１及び第２信号配線部６２を同時に形成することも可能である。
また、本実施形態で説明する例では、工程（３）及び工程（４）を同時に実施することにより、第１基板２の上面２ａに、上記の第１金属接合膜５１とともに、電極配置領域２３ａ，２３ｂに、電極８１，８２を形成することも可能である。また、本実施形態では、同時に実施する工程（３）及び工程（４）において、上記の第１金属接合膜５１及び複数の電極８１，８２に加え、さらに、第１コンタクト９１ａ，９２ａ、第２コンタクト９１ｂ，９２ｂ、第１信号配線部６１及び第２信号配線部６２を同時に形成することも可能である。
【0112】
具体的には、例えば、デバイス領域２２が形成された第１基板２の上面２ａに、スプレーコート法によってレジスト材料を塗布した後、フォトリソグラフィ法を用いたパターニングにより、第１金属接合膜５１を形成するための、図示略の酸化膜等からなるレジストパターンを形成する。この際、第１基板２の上面２ａにおける、第２基板３の接合部３１に対応する位置、第１コンタクト９１ａ，９２ａ、第１信号配線部６１及び第２信号配線部６２、第２コンタクト９１ｂ，９２ｂを形成するためのホールの位置、並びに、電極８１，８２の形成予定位置を除いた全面にレジストパターンを形成する。
【0113】
次いで、例えば、スパッタリング法、蒸着法又はめっき法等の方法により、第１基板２の上面２ａ上に、第１下地層５１ａと第１接合層５１ｂとが積層されてなる第１金属接合膜５１を形成する。
なお、工程（３）においては、材料及び積層順を適宜選択することにより、上述したような｛Ａｕ／Ｔａ｝構造、又は、｛Ａｌ／ＴｉＮ｝構造の薄膜からなる第１金属接合膜５１を形成することができる。
また、この際、第２基板３側に形成される第２金属接合膜５２が｛Ａｕ／Ｔａ｝構造である場合には、第１金属接合膜５１も同様の材料から形成する。この場合には、第１金属接合膜５１のＡｕ層（第１接合層５１ｂ）と第２金属接合膜５２のＡｕ層（第２接合層５２ｂ）とが接合するように、各層の積層順を調整する。
同様に、第２金属接合膜５２が｛Ａｌ／ＴｉＮ｝構造からなる場合には、第１金属接合膜５１も同様の材料から形成する。この場合には、第１金属接合膜５１のＡｌ層（第１接合層５１ｂ）と第２金属接合膜５２のＡｌ層（第２接合層５２ｂ）とが接合するように、各層の積層順を調整する。
その後、第１基板２の上面２ａから図示略のレジストパターンを剥離する。
なお、工程（３）においては、材料及び積層順を適宜選択することにより、上述したような｛Ａｕ／Ｔａ｝構造、又は、｛Ａｌ／ＴｉＮ｝構造の薄膜からなる第１金属接合膜５１を形成することができる。
また、この際、第２基板３側に形成される第２金属接合膜５２が｛Ａｕ／Ｔａ｝構造である場合には、第１金属接合膜５１も同様の材料から形成する。この場合には、第１金属接合膜５１のＡｕ層（第１接合層５１ｂ）と第２金属接合膜５２のＡｕ層（第２接合層５２ｂ）とが接合するように、各層の積層順を調整する。
同様に、第２金属接合膜５２が｛Ａｌ／ＴｉＮ｝構造からなる場合には、第１金属接合膜５１も同様の材料から形成する。この場合には、第１金属接合膜５１のＡｌ層（第１接合層５１ｂ）と第２金属接合膜５２のＡｌ層（第２接合層５２ｂ）とが接合するように、各層の積層順を調整する。
その後、第１基板２の上面２ａから図示略のレジストパターンを剥離する。
【0114】
また、本実施形態で説明する例の工程（３）においては、図６Ａ及び図６Ｂ中中に示すように、第１基板２の上面２ａ側に、スパッタリング法、蒸着法又はめっき法等の方法によって導電性材料を積層することにより、第１コンタクト９１ａ，９２ａ及び第２コンタクト９１ｂ，９２ｂを、それぞれ埋め込み配線７１，７２の両端側に接続するように形成する。
さらに、工程（４）において、第１コンタクト９１ａ，９２ａに対してそれぞれ接続するように、電極８１，８２を形成するとともに、第２コンタクト９１ｂ，９２ｂに対してそれぞれ接続するように、第１信号配線部６１及び第２信号配線部６２を形成する。
さらに、工程（４）において、第１コンタクト９１ａ，９２ａに対してそれぞれ接続するように、電極８１，８２を形成するとともに、第２コンタクト９１ｂ，９２ｂに対してそれぞれ接続するように、第１信号配線部６１及び第２信号配線部６２を形成する。
【0115】
この際、第１コンタクト９１ａ，９２ａ及び第２コンタクト９１ｂ，９２ｂを、例えば、タングステン（Ｗ）を用いて、スパッタリング法や蒸着法等の方法により、上記の工程（２）で形成したホール内に埋め込むように形成することができる。また、電極８１，８２については、これら電極８１，８２の形成予定位置（電極配置領域２３ａ，２３ｂ）に、ＴｉＮ及びＡｌＳｉを、スパッタリング法等の方法で順次積層することで形成することができる。さらに、第１信号配線部６１及び第２信号配線部６２についても、これらの形成予定位置に、ＴｉＮ及びＡｌＳｉを、スパッタリング法等の方法で順次積層することで形成することができる。
【0116】
一方、例えば、第１コンタクト９１ａ，９２ａ及び第２コンタクト９１ｂ，９２ｂ、電極８１，８２、並びに第１信号配線部６１及び第２信号配線部６２を、第１金属接合膜５１と同じ工程で同時に形成する場合には、上述した第１金属接合膜５１と同じ材料を用い、例えば、スパッタリング法、蒸着法又はめっき法等によって形成することができる。この場合、第１コンタクト９１ａ，９２ａ及び第２コンタクト９１ｂ，９２ｂ、電極８１，８２、並びに第１信号配線部６１及び第２信号配線部６２は、第１金属接合膜５１と同様の積層構造、即ち、｛Ａｕ／Ｔａ｝構造、又は、｛Ａｌ／ＴｉＮ｝構造を有するものとなる。
【0117】
【0118】
次に、本実施形態では、上記の工程（３）、工程（４）及び工程（５）を実施するとともに、これらと平行して、工程（６）において、上述したような、第２基板３の接合部３１における、第１基板２と接合する位置である底面３１ａを覆うように第２金属接合膜５２を形成するプロセスを実施する（図５Ｃ～図５Ｅを参照）。
【0119】
具体的には、まず、工程（２）で得られた第２基板３の下面３ａ側の全面に、例えば、スパッタリング法、蒸着法又はめっき法等の方法により、第２下地層５２ａの金属材料と第２接合層５２ｂの金属材料とを連続して成膜する（図５Ｃを参照）。
【0120】
次いで、第２基板３の下面３ａ側の全面に形成した金属材料の表面全体に、スプレーコート法によってレジスト材料を塗布した後、フォトリソグラフィ法を用いたパターニングにより、第２金属接合膜５２を形成するためのレジストパターンＲを形成する（図５Ｃを参照）。
【0121】
次いで、ウェットエッチングにより、第２基板３の下面３ａに形成した金属材料の膜における、レジストパターンＲの形成箇所以外の部分を除去することにより、接合部３１の下面３ａに、第２下地層５２ａと第２接合層５２ｂとが積層されてなる第２金属接合膜５２を形成する（図５Ｄを参照）。
その後、レジストパターンＲを除去する（図５Ｅを参照）。
その後、レジストパターンＲを除去する（図５Ｅを参照）。
【0122】
工程（６）においては、材料及び積層順を適宜選択することにより、上述したような｛Ａｕ／Ｔａ｝構造、又は、｛Ａｌ／ＴｉＮ｝構造の薄膜からなる第２金属接合膜５２を形成することができる。
【0123】
なお、上記の工程（３）及び工程（６）では、後述の工程（８）において、第１金属接合膜５１と第２金属接合膜５２とをＡｕ－Ｓｎ共晶接合させることを目的として、例えば、第１金属接合膜５１及び第２金属接合膜５２の各層を金（Ａｕ）又はスズ（Ｓｎ）から構成することも可能である。
【0124】
次に、工程（７）においては、必要に応じて、第２基板３における、キャビティ領域３２によって確保されるキャビティＣに露出する面のうち、第１基板２に設けられた赤外線検出素子４と対向する位置を除いた少なくとも一部を覆うようにゲッター剤を塗布することで、図示略のガス吸着層を形成することができる。また、ガス吸着層の形成位置としては、例えば、凸状体３４や段差体３６の側面側とすることもできる。
【0125】
具体的には、まず、第２基板３の下面３ａ側に、スプレーコート法等のフォトリソグラフィ法によって図示略のレジストパターンを形成するか、又は、第２基板３の下面３ａ側を、パターン化された図示略のメタルマスクで覆う。
そして、例えば、チタン、ジルコニウム又はニッケルを含むゲッター剤を、従来公知のディスペンサーやスクリーン印刷法、あるいは、スパッタリング法や蒸着法等を用い、第２基板３の下面３ａに塗布する。
その後、第２基板３から図示略のレジストパターン又はメタルマスクを剥離する。
そして、例えば、チタン、ジルコニウム又はニッケルを含むゲッター剤を、従来公知のディスペンサーやスクリーン印刷法、あるいは、スパッタリング法や蒸着法等を用い、第２基板３の下面３ａに塗布する。
その後、第２基板３から図示略のレジストパターン又はメタルマスクを剥離する。
【0126】
次に、工程（８）においては、上述したように、第１基板２と第２基板３との間に赤外線検出素子４が配置されるように第１基板２と第２基板３とを重ね合わせ、第１金属接合膜５１と第２金属接合膜５２とを互いに加圧して金属拡散接合させることで、赤外線検出素子４上にキャビティＣを確保しながら、第１基板２と第２基板３とを接合する（図６Ａ及び図６Ｂを参照）。
【0127】
具体的には、まず、図６Ａに示すように、第１金属接合膜５１と第２金属接合膜５２との位置合わせを行いながら、第１基板２と第２基板３とを対向させる。
次いで、図６Ｂに示すように、第１金属接合膜５１と第２金属接合膜５２とを突き合わせるように、第１基板２と第２基板３とを重ね合わせる。
次いで、第１基板２と第２基板３とを互いに加圧することにより、第１金属接合膜５１と第２金属接合膜５２との間に金属拡散接合を発現させ、これらの部分を接合することで、金属接合体５０を形成させる。
次いで、図６Ｂに示すように、第１金属接合膜５１と第２金属接合膜５２とを突き合わせるように、第１基板２と第２基板３とを重ね合わせる。
次いで、第１基板２と第２基板３とを互いに加圧することにより、第１金属接合膜５１と第２金属接合膜５２との間に金属拡散接合を発現させ、これらの部分を接合することで、金属接合体５０を形成させる。
【0128】
上記の拡散接合を行う際の条件、即ち、赤外線センサ１のキャビティＣを封止する条件としては、特に限定されないが、例えば、第１基板２側の第１金属接合膜５１、並びに、第２基板３側の第２金属接合膜５２が｛Ａｕ（第１接合層５１ｂ又は第２接合層５２ｂ）／Ｔａ（第１下地層５１ａ又は第２下地層５２ａ）｝の層構造である場合には、例えば、温度条件を３００～３５０℃の範囲とし、加圧力を４５０～９００ｋＰａの範囲とすることが好ましい。
【0129】
一方、第１金属接合膜５１、並びに、第２金属接合膜５２が｛Ａｌ（第１接合層５１ｂ又は第２接合層５２ｂ）／ＴｉＮ（第１下地層５１ａ又は第２下地層５２ａ）｝の層構造である場合には、例えば、温度条件を３５０～４００℃の範囲とし、加圧力を２７～６０ＭＰａの範囲とすることが好ましい。
【0130】
上述したように、第１基板２と第２基板３とを接合する際の、金属接合体５０によるキャビティＣに対する封止幅（接合幅）、即ち、接合部３１に対応して形成された金属接合体５０の最大幅としても特に限定されない。一方、この部分の接合性を高め、キャビティＣの封止気密性をより高めること等を考慮すると、上記の封止幅（最大幅）は、第１下地層５１ａ及び第２下地層５２ａをＴａとし、第１接合層５１ｂ及び第２接合層５２ｂをＡｕとした場合には、例えば、０．１０～０．３０ｍｍとすることが好ましい。また、第１下地層５１ａ及び第２下地層５２ａをＴｉＮ、第１接合層５１ｂ及び第２接合層５２ｂをＡｌとした場合には、例えば、０．０３～０．１ｍｍの幅とすることが好ましい。
【0131】
また、工程（８）においては、上述したように、第１金属接合膜５１及び第２金属接合膜５２の各層を金（Ａｕ）又はスズ（Ｓｎ）から構成することで、Ａｕ－Ｓｎ共晶接合させることで金属接合体５０を形成させてもよい。この場合には、例えば、温度条件を３００～４００℃の範囲とし、加圧力を０～１ｋＰａの範囲としたうえで、封止幅を０．１～０．５ｍｍとすることが好ましい。
【0132】
そして、本実施形態では、工程（９）において、図６Ｂに示すように、ダイシングラインＬに沿って、ブレードダイシング等によって第１基板２を切断することにより、チップ単位に個片化する。
以上の各工程により、本実施形態のセンサ用パッケージを含む赤外線センサ１を製造することができる。
なお、上記の各工程は、可能な範囲で、その工程順を変更したり、あるいは、同じ工程として行ったりすることも可能である。
以上の各工程により、本実施形態のセンサ用パッケージを含む赤外線センサ１を製造することができる。
なお、上記の各工程は、可能な範囲で、その工程順を変更したり、あるいは、同じ工程として行ったりすることも可能である。
【0133】
本実施形態のセンサ用パッケージの製造方法、並びに、赤外線センサ１の製造方法によれば、まず、工程（２）において、第２基板３を、キャビティ領域３２の天井面３２ａにおける何れかの位置に、補強部として凸状体３４や段差体３６を形成しながら加工する方法を採用している。上記のような補強部を形成することで、パッケージ全体の薄型化に伴ってキャビティ領域３２の天井面３２ａの部分が薄く構成された場合でも、第１基板２と第２基板３とを接合する際の加圧力によって、第２基板３のキャビティ領域３２が撓むのを抑制できる。これにより、接合部３１の突設寸法を大きくすることができ、接合時における第２基板３の撓みによって接合部３１以外の部分に加圧力が分散するのを抑制できるので、接合部３１に加圧力を効率的に付与でき、強固に接合することが可能となる。また、赤外線検出素子４が大型であるか、あるいは、接合部３１間の間隔が大きい場合であっても、第２基板３のキャビティ領域３２が撓むのを抑制できることで、上記同様、加圧力が分散するのを抑制できるので、接合部３１に加圧力を効率的に付与でき、強固に接合することが可能となる。
【0134】
そして、本実施形態の製造方法によれば、工程（１）及び工程（２）で、センサ用パッケージを構成する第１基板２及び第２基板３を製造した後、工程（３）～（６）、（８）、（９）の各工程により、第１基板２と第２基板３とを接合する際の加圧力によって第２基板３のキャビティ領域３２が撓むのを抑制することが可能な赤外線センサ１を製造することができる。従って、信頼性の高い気密封止構造を有し、センサ特性に優れた赤外線センサ１を歩留まりよく製造することが可能となる。
【0135】
また、工程（２）において、補強部を、平面視で細長梁状とされた凸状体３４として形成することで、例えば、デバイス領域２２に赤外線検出素子４が配置された赤外線センサ１を構成した場合に、外部から入射する赤外線が凸状体（補強部）３４によって遮られるのを最小限に抑制できるセンサ用パッケージが得られる。これにより、信頼性の高い気密封止構造を有するセンサ用パッケージ、並びに、優れた素子特性を有する赤外線センサ１を、優れた製造歩留まりで製造することが可能となる。
【0136】
また、工程（２）において、補強部を複数の凸状体３４から形成するとともに、キャビティ領域３２の天井面３２ａにおいて複数のセル３５が確保された平面視格子状に配置することで、第１基板２と第２基板３を接合する際のキャビティ領域３２の撓みをより顕著に抑制できる。また、赤外線センサ１を構成した場合に、外部から入射する赤外線が凸状体（補強部）３４によって遮られるのを最小限に抑制できるセンサ用パッケージを製造できる。
【0137】
また、工程（２）において、補強部として、さらに段差体３６を形成することにより、第１基板２と第２基板３とを接合する際のキャビティ領域３２の撓みをさらに顕著に抑制できる。また、段差体３６を、キャビティ領域３２の角部３２ｃに沿って形成することで、赤外線センサ１を構成した場合に、外部から入射する赤外線が段差体（補強部）３６によって遮られるのを最小限に抑制可能なセンサ用パッケージを製造できる。これにより、信頼性の高い気密封止構造を有するセンサ用パッケージ、並びに、優れた素子特性を有する赤外線センサ１を、優れた製造歩留まりで製造することが可能となる。
【0138】
また、工程（２）において、シリコン基板材料をドライエッチングで掘り込み、第２基板３に補強部を含むキャビティ領域３２を形成することで、加工精度の向上が見込める。これにより、信頼性の高い気密封止構造を有するセンサ用パッケージ、並びに、優れた素子特性を有する赤外線センサ１を、優れた製造歩留まりで製造することが可能となる。
【0139】
＜第２の実施形態＞
以下に、本発明の第２の実施形態に係るセンサ用パッケージ及び赤外線センサ、並びに、それらの製造方法について、図７及び図８を適宜参照しながら詳述する。
図７は、本実施形態の赤外線センサ（センサ用パッケージ）１Ａを模式的に説明する平面図であり、図８は、図７中に示した赤外線センサ１ＡのＢ－Ｂ断面図である。
なお、以下に説明する第２の実施形態の赤外線センサ１Ａにおいて、上述した第１の実施形態の赤外線センサ１と共通する構成については、図中において同じ符号を付与するとともに、その詳細な説明を省略する場合がある。
以下に、本発明の第２の実施形態に係るセンサ用パッケージ及び赤外線センサ、並びに、それらの製造方法について、図７及び図８を適宜参照しながら詳述する。
図７は、本実施形態の赤外線センサ（センサ用パッケージ）１Ａを模式的に説明する平面図であり、図８は、図７中に示した赤外線センサ１ＡのＢ－Ｂ断面図である。
なお、以下に説明する第２の実施形態の赤外線センサ１Ａにおいて、上述した第１の実施形態の赤外線センサ１と共通する構成については、図中において同じ符号を付与するとともに、その詳細な説明を省略する場合がある。
【0140】
図７及び図８に示すように、第２の実施形態の赤外線センサ１Ａは、第２基板３Ａが、キャビティ領域３２Ａの天井面３２ａにおける補強部として、凸状体３４及び段差体３６が設けられている点で、図１及び図２に示した第１の実施形態の赤外線センサ１と同様である。一方、第２の実施形態の赤外線センサ１Ａは、天井面３２ａに計８本の凸状体３４が設けられ、且つ、凸状体３４が４本対４本で各々直交するように、平面視で概略格子状に配置されていることで、天井面３２ａに計２５個のセル３５が確保されている点で、第１の実施形態の赤外線センサ１とは異なる。
【0141】
本実施形態の赤外線センサ１Ａを製造する場合には、工程（２）において、第２基板３Ａの下面３ａ側に形成する凸状体３４が図７及び図８に示す本数や位置となるように、酸化膜やレジストパターンを適宜変更する。これにより、工程（２）において、図７及び図８に示すような構造を有する第２基板３Ａを加工することができ、この第２基板３Ａを有するセンサ用パッケージ、並びに、それを用いた赤外線センサ１を製造することが可能となる。
【0142】
第２の実施形態のセンサ用パッケージを備える赤外線センサ１Ａによれば、複数の凸状体３４が、キャビティ領域３２Ａの天井面３２ａにおいて複数のセル３５が確保された平面視格子状に配置されていることで、第１の実施形態の赤外線センサ１と同様、キャビティ領域３２Ａの天井面３２ａの部分が撓むのを顕著に抑制できる。しかも、本実施形態の赤外線センサ１Ａにおいては、図７及び図８に示すように、より多くの凸状体３４を備え、より細かくセル３５が配置された構成なので、第１の実施形態の赤外線センサ１に比べ、キャビティ領域３２Ａの天井面３２ａの部分が撓むのをより顕著に抑制できる効果が得られる。
【0143】
また、第２の実施形態の赤外線センサ１Ａにおいても、複数の凸状体３４が格子状に配置されていることで、第１の実施形態の赤外線センサ１と同様、外部から入射する赤外線が凸状体３４によって遮られるのを最小限に抑制できる。これにより、気密封止構造の信頼性が顕著に高められ、製造歩留まりに優れるとともに、優れた素子特性を維持することが可能となる。
【0144】
＜第３の実施形態＞
以下に、本発明の第３の実施形態に係るセンサ用パッケージ及び赤外線センサ、並びに、それらの製造方法について、図９及び図１０を適宜参照しながら詳述する。
図９は、本実施形態の赤外線センサ１Ｂを模式的に説明する平面図であり、図１０は、図９中に示す赤外線センサ１ＢのＣ－Ｃ断面図である。
なお、以下に説明する第３の実施形態の赤外線センサ１Ｂについても、上述した第１，２の実施形態の赤外線センサ１，１Ａと共通する構成については、図中において同じ符号を付与するとともに、その詳細な説明を省略する場合がある。
以下に、本発明の第３の実施形態に係るセンサ用パッケージ及び赤外線センサ、並びに、それらの製造方法について、図９及び図１０を適宜参照しながら詳述する。
図９は、本実施形態の赤外線センサ１Ｂを模式的に説明する平面図であり、図１０は、図９中に示す赤外線センサ１ＢのＣ－Ｃ断面図である。
なお、以下に説明する第３の実施形態の赤外線センサ１Ｂについても、上述した第１，２の実施形態の赤外線センサ１，１Ａと共通する構成については、図中において同じ符号を付与するとともに、その詳細な説明を省略する場合がある。
【0145】
図９及び図１０に示すように、第３の実施形態の赤外線センサ１Ｂは、第２基板３Ｂが、キャビティ領域３２Ｂの天井面３２ａにおける補強部として、平面視格子状に配置された複数の凸状体３４及び段差体３６が設けられている点で、図７及び図８に示した第２の実施形態の赤外線センサ１Ａと同様である。一方、第３の実施形態の赤外線センサ１Ｂは、キャビティ領域３２Ｂの天井面３２ａにおいて、複数の凸状体３４が平面視格子状に設けられることで確保された複数のセル３５のうち、一部のセル３５の各々に、断面半球状のレンズ体３０が設けられている点で、第２の実施形態の赤外線センサ１Ａとは異なる。図示例においては、天井面３２ａに設けられた計２５個のセル３５のうち、平面視で中央寄りの計９個のセル３５の各々にレンズ体３０が設けられている。
また、図９及び図１０に示す例では、第１基板２Ｂの上面２ａ側に複数のデバイス領域２２Ｂが設けられ、これらデバイス領域２２Ｂのうち、第２基板３Ｂにおけるレンズ体３０が設けられたセル３５に対応して配置されたデバイス領域２２Ｂにのみ、赤外線検出素子４Ｂが配置されている。
また、図９及び図１０に示す例では、第１基板２Ｂの上面２ａ側に複数のデバイス領域２２Ｂが設けられ、これらデバイス領域２２Ｂのうち、第２基板３Ｂにおけるレンズ体３０が設けられたセル３５に対応して配置されたデバイス領域２２Ｂにのみ、赤外線検出素子４Ｂが配置されている。
【0146】
本実施形態の赤外線センサ１Ｂを製造する場合には、工程（２）において、まず、第２基板３Ａの下面３ａ側に形成する凸状体３４が図９及び図１０に示す本数や位置となるように、酸化膜やレジストパターンを形成する。そして、例えば、グレースケール露光工法により、複数のセル３５の領域に断面半球状のレンズ体３０を形成するのと同時に、複数の凸状対、及び、段差体３６を形成する。このようなグレースケール露光工法では、光に対する濃淡を有するフォトマスクを用いて、露光面に到達する光量を制御することで、光量に応じて、現像時にシリコン基板が溶ける深さが変化する。これにより、断面半球状のレンズ体３０と複数の凸状体３４を同一プロセスで同時形成することが可能となり、工程が増加するのを回避できるので、優れた生産性も維持できる。
【0147】
また、本実施形態の赤外線センサ１Ｂを製造する場合には、工程（１）において、第１基板２Ｂにデバイス領域２２Ｂを複数で形成し、且つ、複数のデバイス領域２２Ｂを、第２基板３Ｂに形成される複数のセル３５の各々に対応した位置で形成する。
【0148】
第３の実施形態のセンサ用パッケージを備える赤外線センサ１Ｂによれば、キャビティ領域３２Ｂにおける複数のセル３５の各々にレンズ体３０が設けられていることで、レンズ効果によって第１基板２Ｂのデバイス領域２２Ｂ、即ち、赤外線検出素子４Ｂに向けて集光することが可能になる。これにより、万が一、例えば、凸状体３４や段差体３６による入射光の減衰が生じた場合であっても、受光感度の低下を防止できるので、良好な素子特性を維持することができ、製造歩留まりを高めることが可能となる。
【0149】
また、第３の実施形態の赤外線センサ１Ｂにおいても、第２の実施形態の赤外線センサ１Ａと同様、複数の凸状体３４が平面視格子状に配置された構成なので、キャビティ領域３２Ｂの天井面３２ａの部分が撓むのをより顕著に抑制できる効果が得られる。
【0150】
なお、本実施形態においては、図９及び図１０に示す例のように、第１基板２Ｂが、上面２ａ側にデバイス領域２２Ｂが複数で配置され、且つ、複数のデバイス領域２２Ｂが、第２基板３Ｂに設けられた複数のセル３５の各々に対応した位置で、複数のセル３５とそれぞれ対向するように配置されている構成を採用してもよい。即ち、第１基板２Ｂにおける複数のデバイス領域２２Ｂに各々配置される複数の赤外線検出素子４Ｂと、第２基板３Ｂに設けられる複数のセル３５及び複数のレンズ体３０とが、それぞれ対応して配置されていてもよい。
【0151】
上記のように、複数の赤外線検出素子４Ｂと複数のレンズ体３０とが対応配置されていることで、第１基板２Ｂのデバイス領域２２Ｂに配置された赤外線検出素子４Ｂに向けてより効果的に集光することができる。これにより、十分な受光感度を確保でき、製造歩留まりを高めることが可能となる。
【0152】
＜第４の実施形態＞
以下に、本発明の第４の実施形態に係るセンサ用パッケージ及び赤外線センサ、並びに、それらの製造方法について、図１１及び図１２を適宜参照しながら詳述する。
図１１は、本実施形態の赤外線センサ１Ｃを模式的に説明する平面図であり、図１２は、図１１中に示す赤外線センサ１ＣのＤ－Ｄ断面図である。
なお、以下に説明する第４の実施形態の赤外線センサ１Ｃについても、上述した第１～３の実施形態の赤外線センサ１，１Ａ，１Ｂと共通する構成については、図中において同じ符号を付与するとともに、その詳細な説明を省略する場合がある。
以下に、本発明の第４の実施形態に係るセンサ用パッケージ及び赤外線センサ、並びに、それらの製造方法について、図１１及び図１２を適宜参照しながら詳述する。
図１１は、本実施形態の赤外線センサ１Ｃを模式的に説明する平面図であり、図１２は、図１１中に示す赤外線センサ１ＣのＤ－Ｄ断面図である。
なお、以下に説明する第４の実施形態の赤外線センサ１Ｃについても、上述した第１～３の実施形態の赤外線センサ１，１Ａ，１Ｂと共通する構成については、図中において同じ符号を付与するとともに、その詳細な説明を省略する場合がある。
【0153】
図１１及び図１２に示すように、第４の実施形態の赤外線センサ１Ｃは、第２基板３Ｃが、補強部として、キャビティ領域３２Ｃの天井面３２ａに複数で設けられた凹部３２ｄの各々の間に配置される架橋体３２ｅからなる。図示例においては、第２基板３Ｃのキャビティ領域３２Ｃ内に、平面視円形状の凹部３２ｄが、平面視千鳥状で計１３箇所に設けられており、これら各々の凹部３２ｄの間が、架橋体３２ｅからなる補強部とされている。
【0154】
本実施形態の赤外線センサ１Ｃを製造する場合には、工程（２）において、基板材料の表面をエッチングすることにより、キャビティ領域３２Ｃの天井面３２ａに複数で凹部３２ｄを形成することで、凹部３２ｄの各々の間に配置される架橋体３２ｅを形成する。
また、工程（１）において、第１基板２Ｃにデバイス領域２２Ｃを複数で形成し、且つ、複数のデバイス領域２２Ｃを、第２基板３Ｃに形成される複数の凹部３２ｄの各々に対応した位置で形成する。
また、工程（１）において、第１基板２Ｃにデバイス領域２２Ｃを複数で形成し、且つ、複数のデバイス領域２２Ｃを、第２基板３Ｃに形成される複数の凹部３２ｄの各々に対応した位置で形成する。
【0155】
第３の実施形態のセンサ用パッケージを備える赤外線センサ１Ｃによれば、第２基板３Ｃにおける補強部が架橋体３２ｅから構成されることで、上記同様、キャビティ領域３２Ｃの天井面３２ａが薄く構成された場合でも、第１基板２Ｃと第２基板３Ｃとを接合する際の加圧力によって、第２基板３Ｃのキャビティ領域３２Ｃが撓むのを抑制できる。これにより、上記同様、第１基板２Ｃと第２基板３Ｃとを接合する際に加圧力が分散するのを抑制できるので、接合部３１に加圧力が効率的に付与され、強固な接合が可能になる。従って、気密封止構造の信頼性が高められ、製造歩留まりにも優れたものとなる。
【0156】
＜第５の実施形態＞
以下に、本発明の第５の実施形態に係るセンサ用パッケージ及び赤外線センサ、並びに、それらの製造方法について、図１３を適宜参照しながら詳述する。
図１３は、本実施形態の赤外線センサ１Ｄを模式的に説明する平面図である。
なお、以下に説明する第５の実施形態の赤外線センサ１Ｄにおいても、上述した第１～４の実施形態の赤外線センサ１，１Ａ～１Ｃと共通する構成については、図中において同じ符号を付与するとともに、その詳細な説明を省略する場合がある。
以下に、本発明の第５の実施形態に係るセンサ用パッケージ及び赤外線センサ、並びに、それらの製造方法について、図１３を適宜参照しながら詳述する。
図１３は、本実施形態の赤外線センサ１Ｄを模式的に説明する平面図である。
なお、以下に説明する第５の実施形態の赤外線センサ１Ｄにおいても、上述した第１～４の実施形態の赤外線センサ１，１Ａ～１Ｃと共通する構成については、図中において同じ符号を付与するとともに、その詳細な説明を省略する場合がある。
【0157】
図１３に示すように、第５の実施形態の赤外線センサ１Ｄは、第２基板３Ｄに設けられる貫通領域３３、及び、第１基板の上面２ａに配置される、電極配置領域２３ｂに設けられた電極８２が、第１基板２及び第２基板３Ａにおける平面視で一辺側にのみ設けられている点で、第１～４の実施形態の赤外線センサ１，１Ａ～１Ｃとは異なる。
なお、図１３に示す例においては、第１信号配線部、及び、それと電気的に接続される内部配線、第１コンタクト及び第２コンタクトの図示を省略している。
なお、図１３に示す例においては、第１信号配線部、及び、それと電気的に接続される内部配線、第１コンタクト及び第２コンタクトの図示を省略している。
【0158】
また、本実施形態の赤外線センサ１Ｄは、第１基板２Ｄに複数のデバイス領域２２Ｃが設けられ、各々のデバイス領域２２Ｃのそれぞれに赤外線センサ１Ｄが配置されている。
また、本実施形態の赤外線センサ１Ｄは、第２基板３Ｄにおけるキャビティ領域３２Ｄの天井面３２ａに、２本の凸状体３４が直交するように平面視で概略格子状に配置されているとともに、キャビティ領域３２の角部３２ｃ全体に沿うように段差体３６が配置されている点で、第１の実施形態の赤外線センサ１と類似している。
また、本実施形態の赤外線センサ１Ｄは、第２基板３Ｄにおけるキャビティ領域３２Ｄの天井面３２ａに、２本の凸状体３４が直交するように平面視で概略格子状に配置されているとともに、キャビティ領域３２の角部３２ｃ全体に沿うように段差体３６が配置されている点で、第１の実施形態の赤外線センサ１と類似している。
【0159】
本実施形態のように、第１基板２Ｄ及び第２基板３Ｄを平面視矩形状に構成した場合には、少なくとも一辺側に沿って電極８２が配置されていればよい。また、本発明の赤外線センサは、第１～４の実施形態の赤外線センサ１，１Ａ～１Ｃのように、一辺側と対向する他辺側にも電極を設けた構成を採用してもよい。
また、第１基板２Ｄに設けられる電極８１、及び、第２基板３Ｄに設けられる貫通領域３３の位置や数は、例えば、センサ用パッケージをプリント基板等に対してＣＯＢ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｂｏａｒｄ）する場合のスペース等を想定しながら、フレキシブルに設計することができる。
また、第１基板２Ｄに設けられる電極８１、及び、第２基板３Ｄに設けられる貫通領域３３の位置や数は、例えば、センサ用パッケージをプリント基板等に対してＣＯＢ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｂｏａｒｄ）する場合のスペース等を想定しながら、フレキシブルに設計することができる。
【0160】
従って、本実施形態のように、第１基板２Ｄの一辺側にのみ、電極８２（電極配置領域２３ｂ）を設けた場合には、センサ用パッケージ、並びに、赤外線センサ１Ｄが搭載されるプリント基板を小型化することが可能となる。一方、第１～４の実施形態の赤外線センサ１，１Ａ～１Ｃのように、さらに他辺側にも電極８１を設けた場合には、より複雑な電気的接続に対応することも可能となる。
【産業上の利用可能性】
【0161】
本発明のセンサ用パッケージを備える赤外線センサは、上述したように、パッケージを薄型化した場合であっても、基板の薄肉箇所に撓みが生じるのを抑制できるとともに、基板及びパッケージ全体の強度を確保することができ、気密封止構造の高い信頼性並びに優れた製造歩留まりが得られるものである。従って、本発明のセンサ用パッケージ、及び、それを備える赤外線センサは、信頼性の高い各種検出精度が要求される電子機器等における用途、例えば、携帯端末、スマートフォン、センサネットワーク・デバイス、モノのインターネット（ＩｏＴ）技術等において非常に好適である。
【符号の説明】
【0162】
１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ…赤外線センサ（センサ用パッケージ）
２，２Ｂ，２Ｃ，２Ｄ…第１基板
２ａ…上面
２ｂ…下面
２２…デバイス領域
２３ａ，２３ｂ…電極配置領域
３，３Ａ，３Ｂ，３Ｃ，３Ｄ…第２基板
３ａ…下面
３ｂ…上面
３０…レンズ体
３１…接合部
３１ａ…底面
３２，３２Ａ，３２Ｂ，３２Ｃ，３２Ｄ…キャビティ領域
３２ａ…天井面
３２ｂ…側面
３２ｃ…角部
３２ｄ…凹部
３２ｅ…架橋体
３３…貫通領域
３４…凸状体（複数の凸状体）
３５…セル（複数のセル）
３６…段差体
４，４Ｂ，４Ｃ，４Ｄ…赤外線検出素子
５０…金属接合体
５１…第１金属接合膜
５１ａ…第１下地層
５１ｂ…第１接合層
５２…第２金属接合膜
５２ａ…第２下地層
５２ｂ…第２接合層
６１…第１信号配線部
６２…第２信号配線部
７１，７２…埋め込み配線
８１，８２…電極
９１ａ，９２ａ…第１コンタクト
９１ｂ，９２ｂ…第２コンタクト
２，２Ｂ，２Ｃ，２Ｄ…第１基板
２ａ…上面
２ｂ…下面
２２…デバイス領域
２３ａ，２３ｂ…電極配置領域
３，３Ａ，３Ｂ，３Ｃ，３Ｄ…第２基板
３ａ…下面
３ｂ…上面
３０…レンズ体
３１…接合部
３１ａ…底面
３２，３２Ａ，３２Ｂ，３２Ｃ，３２Ｄ…キャビティ領域
３２ａ…天井面
３２ｂ…側面
３２ｃ…角部
３２ｄ…凹部
３２ｅ…架橋体
３３…貫通領域
３４…凸状体（複数の凸状体）
３５…セル（複数のセル）
３６…段差体
４，４Ｂ，４Ｃ，４Ｄ…赤外線検出素子
５０…金属接合体
５１…第１金属接合膜
５１ａ…第１下地層
５１ｂ…第１接合層
５２…第２金属接合膜
５２ａ…第２下地層
５２ｂ…第２接合層
６１…第１信号配線部
６２…第２信号配線部
７１，７２…埋め込み配線
８１，８２…電極
９１ａ，９２ａ…第１コンタクト
９１ｂ，９２ｂ…第２コンタクト
【図1】
【図2】
【図3A】
【図3B】
【図3C】
【図3D】
【図4A】
【図4B】
【図4C】
【図4D】
【図5A】
【図5B】
【図5C】
【図5D】
【図5E】
【図6A】
【図6B】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】