特開 2024-130136 転写方法および転写装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024130136

(43)【公開日】2024-09-30

(54)【発明の名称】転写方法および転写装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/52 20060101AFI20240920BHJP

   H01L 21/50 20060101ALI20240920BHJP

【ＦＩ】

H01L21/52 C

H01L21/50 C

【審査請求】未請求

【請求項の数】9

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023039673

(22)【出願日】2023-03-14

(71)【出願人】

【識別番号】000219314

【氏名又は名称】東レエンジニアリング株式会社

(72)【発明者】

【氏名】風間 浩一

(72)【発明者】

【氏名】陣田 敏行

(72)【発明者】

【氏名】新井 義之

(72)【発明者】

【氏名】岡田 達弥

【テーマコード（参考）】

5F047

【Ｆターム（参考）】

5F047AA19

5F047BA21

5F047BB03

5F047BB18

(57)【要約】

【課題】ブリスタリングにより被転写基板上に転写された後の素子が位置ずれすることを防ぐことができる転写方法および転写装置を提供する。
【解決手段】転写基板上２２に保持された素子２１を被転写基板２３へ転写する転写方法であり、転写基板２２に保持された素子２１と被転写基板２３とを対向させる転写準備工程と、所定の素子２１の周囲の圧力が第１の圧力である環境下において所定の素子２１の保持領域もしくはその近傍で転写基板２２にブリスタ３０を生じさせることによって、所定の素子２１を被転写基板２３に保持させる転写工程と、所定の素子２１の周囲の圧力を第１の圧力より高い第２の圧力に変更し、ブリスタ３０を収縮させるブリスタ収縮工程と、を有する。
【選択図】図４

【特許請求の範囲】

【請求項1】

転写基板上に保持された素子を被転写基板へ転写する転写方法であり、
前記転写基板に保持された素子と前記被転写基板とを対向させる転写準備工程と、
所定の素子の周囲の圧力が第１の圧力である環境下において所定の素子の保持領域もしくはその近傍で前記転写基板にブリスタを生じさせることによって、前記所定の素子を前記被転写基板に保持させる転写工程と、
前記所定の素子の周囲の圧力を前記第１の圧力より高い第２の圧力に変更し、前記ブリスタを収縮させるブリスタ収縮工程と、
を有することを特徴とする、転写方法。

【請求項2】

前記ブリスタを収縮させた後、前記転写基板上の素子の配列方向に前記転写基板と前記被転写基板とを相対移動させる配列方向移動工程をさらに有することを特徴とする、請求項１に記載の転写方法。

【請求項3】

前記第１の圧力は大気圧より低く、前記第２の圧力は大気圧であることを特徴とする、請求項１に記載の転写方法。

【請求項4】

前記第１の圧力は大気圧であり、前記第２の圧力は大気圧より高いことを特徴とする、請求項１に記載の転写方法。

【請求項5】

転写基板へ活性エネルギー線を照射することによって当該転写基板に保持された素子を被転写基板へ転写する転写装置であり、
転写基板へ活性エネルギー線を照射し、転写基板の所定の素子の保持領域もしくはその近傍でブリスタを生じさせるエネルギー照射部と、
少なくとも前記転写基板に保持される素子の周囲の圧力を調節する圧力調節部と、
を備え、
前記圧力調節部は、前記エネルギー照射部が前記転写基板に前記ブリスタを生じさせるときの前記所定の素子の周囲の圧力である第１の圧力に対し、前記所定の素子が前記被転写基板に保持されたときに前記所定の素子の周囲の圧力を前記第１の圧力より高い第２の圧力に変更することにより前記ブリスタを収縮させることを特徴とする、転写装置。

【請求項6】

前記転写基板を把持する転写基板把持部と、前記被転写基板を把持する被転写基板把持部と、をさらに有し、前記転写基板把持部は前記転写基板の把持領域を囲い、前記被転写基板把持部へ延びる側壁部を有し、前記側壁部が前記被転写基板把持部と当接することにより、前記転写基板の把持領域と前記被転写基板の把持領域を囲う密閉空間が形成され、前記圧力調節部は当該密閉空間の圧力を調節することを特徴とする、請求項５に記載の転写装置。

【請求項7】

前記転写基板を把持する転写基板把持部と、前記被転写基板を把持する被転写基板把持部と、をさらに有し、前記被転写基板把持部は前記被転写基板の把持領域を囲い、前記転写基板把持部へ延びる側壁部を有し、前記側壁部が前記転写基板把持部と当接することにより、前記転写基板の把持領域と前記被転写基板の把持領域を囲う密閉空間が形成され、前記圧力調節部は当該密閉空間の圧力を調節することを特徴とする、請求項５に記載の転写装置。

【請求項8】

前記前記圧力調節部は減圧機構であり、前記ブリスタを生じさせる時は前記所定の素子の周囲を減圧し、前記所定の素子が前記被転写基板に保持されたときに前記所定の素子の周囲を大気開放することを特徴とする、請求項５に記載の転写装置。

【請求項9】

前記前記圧力調節部は加圧機構であり、前記ブリスタを生じさせる時は前記所定の素子の周囲を大気開放し、前記所定の素子が前記被転写基板に保持されたときに前記所定の素子の周囲を加圧することを特徴とする、請求項５に記載の転写装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、光エネルギーを転写基板に照射し、ブリスタリングを利用して素子を被転写基板へ転写する、転写方法に関する。

【背景技術】

【0002】

近年、半導体チップはコスト低減のために小型化され、この小型化した半導体チップを高精度に実装するための取組みが行われている。この小型化したチップを高速で実装するにあたり、転写基板に接合されたチップの転写基板との接合面へレーザを照射することによってアブレーションを生じさせ、チップを転写基板から剥離、付勢させて被転写基板へと転写する、いわゆるレーザリフトオフなる手法が採用されている。

【0003】

特許文献１には、転写基板に設けられた、表面側に接着材層を有するブリスタリング層にレーザビームを照射することによって、ブリスタリング層をアブレーションさせる技術が開示されている。このブリスタリング層ではアブレーションによってブリスタ（膨らみ）が生じ、このブリスタの発生によって接着剤層に接着されていた物品（素子）を押し出し、これにより物品を転写基板から切り離す。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特表２０１４－５１５８８３号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

しかしながら、特許文献１で示される素子の転写方法では、被転写基板に転写された素子が位置ずれを起こすおそれがあった。具体的には、図７（ａ）に示すように転写基板１２２が有するブリスタリング層１２４にレーザ光１１１を照射してブリスタ１３０を生じさせて素子１２１を被転写基板１２３へ転写するにあたって、ブリスタ１３０の大きさによっては図７（ｂ）に示すように素子１２１の全体が被転写基板１２３上のキャッチ層１２５に転写された後もブリスタ１３０がしぼむまでブリスタリング層１２４が素子１２１に付着している状態が続く場合がある。ここで、仮にキャッチ層１２５の粘着力がブリスタリング層１２４の粘着力よりも充分大きくなかった場合には、たとえば素子の配列間隔を変更するために転写基板１２２と被転写基板１２３とを相対移動させたときに、図７（ｃ）に示すように未だ素子１２１に付着しているブリスタリング層１２４に素子１２１が引っ張られて位置ずれが生じるといった問題があった。

【0006】

本願発明は、上記問題点を鑑み、ブリスタリングにより被転写基板上に転写された後の素子が位置ずれすることを防ぐことができる転写方法および転写装置を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0007】

上記課題を解決するために本発明の転写方法は、転写基板上に保持された素子を被転写基板へ転写する転写方法であり、前記転写基板に保持された素子と前記被転写基板とを対向させる転写準備工程と、所定の素子の周囲の圧力が第１の圧力である環境下において所定の素子の保持領域もしくはその近傍で前記転写基板にブリスタを生じさせることによって、前記所定の素子を前記被転写基板に保持させる転写工程と、前記所定の素子の周囲の圧力を前記第１の圧力より高い第２の圧力に変更し、前記ブリスタを収縮させるブリスタ収縮工程と、を有することを特徴としている。

【0008】

本発明の転写方法によれば、ブリスタ収縮工程を有していることにより、被転写基板への素子の転写に供したブリスタを強制的に萎ませて素子から離間させることができるため、ブリスタによって素子の位置ずれが生じることを防ぐことができる。

【0009】

また、前記ブリスタを収縮させた後、前記転写基板上の素子の配列方向に前記転写基板と前記被転写基板とを相対移動させる配列方向移動工程をさらに有すると良い。

【0010】

こうすることにより、配列方向移動工程が実施されるときにブリスタが素子に付着している状態を回避することができるため、配列方向移動工程中に素子がブリスタに引っ張られて位置ずれすることを防ぐことができる。

【0011】

ここで、前記第１の圧力は大気圧より低く、前記第２の圧力は大気圧であっても良い。

【0012】

一方、前記第１の圧力は大気圧であり、前記第２の圧力は大気圧より高いと良い。

【0013】

また、上記課題を解決するために本発明の転写装置は、転写基板へ活性エネルギー線を照射することによって当該転写基板に保持された素子を被転写基板へ転写する転写装置であり、転写基板へ活性エネルギー線を照射し、転写基板の所定の素子の保持領域もしくはその近傍でブリスタを生じさせるエネルギー照射部と、少なくとも前記転写基板に保持される素子の周囲の圧力を調節する圧力調節部と、を備え、前記圧力調節部は、前記エネルギー照射部が前記転写基板に前記ブリスタを生じさせるときの前記所定の素子の周囲の圧力である第１の圧力に対し、前記所定の素子が前記被転写基板に保持されたときに前記所定の素子の周囲の圧力を前記第１の圧力より高い第２の圧力に変更することにより前記ブリスタを収縮させることを特徴としている。

【0014】

本発明の転写装置によれば、圧力調節部により所定の素子の周囲の圧力を第１の圧力から第２の圧力にすることにより、被転写基板への素子の転写に供したブリスタを強制的に萎ませて素子から離間させることができるため、ブリスタによって素子の位置ずれが生じることを防ぐことができる。

【0015】

また、前記転写基板を把持する転写基板把持部と、前記被転写基板を把持する被転写基板把持部と、をさらに有し、前記転写基板把持部は前記転写基板の把持領域を囲い、前記被転写基板把持部へ延びる側壁部を有し、前記側壁部が前記被転写基板把持部と当接することにより、前記転写基板の把持領域と前記被転写基板の把持領域を囲う密閉空間が形成され、前記圧力調節部は当該密閉空間の圧力を調節すると良い。

【0016】

一方、前記転写基板を把持する転写基板把持部と、前記被転写基板を把持する被転写基板把持部と、をさらに有し、前記被転写基板把持部は前記被転写基板の把持領域を囲い、前記転写基板把持部へ延びる側壁部を有し、前記側壁部が前記転写基板把持部と当接することにより、前記転写基板の把持領域と前記被転写基板の把持領域を囲う密閉空間が形成され、前記圧力調節部は当該密閉空間の圧力を調節しても良い。

【0017】

こうすることにより、圧力を調節する領域を限定することができ、圧力の調節に要する時間を短縮することができる。

【0018】

ここで、前記前記圧力調節部は減圧機構であり、前記ブリスタを生じさせる時は前記所定の素子の周囲を減圧し、前記所定の素子が前記被転写基板に保持されたときに前記所定の素子の周囲を大気開放しても良い。

【0019】

一方、前記前記圧力調節部は加圧機構であり、前記ブリスタを生じさせる時は前記所定の素子の周囲を大気開放し、前記所定の素子が前記被転写基板に保持されたときに前記所定の素子の周囲を加圧すると良い。

【発明の効果】

【0020】

本発明の転写方法および転写装置により、ブリスタリングにより被転写基板上に転写された後の素子が位置ずれすることを防ぐことができる。

【図面の簡単な説明】

【0021】

【図1】本発明の転写方法を実施するための転写装置を説明する図である。

【図2】本発明の一実施形態における転写工程を説明する図である。

【図3】本発明の一実施形態におけるブリスタ収縮工程を説明する図である。

【図4】本発明の一実施形態における転写方法を説明する図である。

【図5】本発明の他の実施形態における転写装置を説明する図である。

【図6】本発明の他の実施形態における転写工程を説明する図である。

【図7】従来の転写方法において素子の転写に失敗した例を説明する図である。

【発明を実施するための形態】

【0022】

本発明の転写方法を実施するための転写装置について、図１を参照して説明する。

【0023】

転写装置１０は、レーザ光１１を照射するレーザ照射部１２、転写基板２２を保持して少なくともＸ軸方向、Ｙ軸方向に移動可能な転写基板把持部１３、転写基板把持部１３の下側にあって転写基板２２と隙間を有して対向するように被転写基板２３を保持する被転写基板把持部１４、および図示しない制御部を備えており、転写基板２２にレーザ光１１を照射することによって転写基板でアブレーションを生じさせ、転写基板２２から被転写基板２３へ素子２１を転写する。

【0024】

レーザ照射部１２は、本発明におけるエネルギー照射部の一実施形態であり、活性エネルギー線であるエキシマレーザなどのレーザ光１１を照射する装置であり、転写装置１０に固定して設けられる。本実施形態においては、レーザ照射部１２はスポット状のレーザ光１１を間欠的に出射し、レーザ光１１は、制御部により角度が調節されるガルバノミラー１５およびＦθレンズ１６を介してＸ軸方向およびＹ軸方向の照射位置が制御され、転写基板把持部１３に保持された転写基板２２に複数配置されている素子２１に選択的に照射する。レーザ光１１が転写基板２２を通して素子２１近傍に入射することによって、転写基板２２と素子２１との間で活性エネルギー（光エネルギー）の付与によるアブレーションが生じ、このアブレーションによって素子２１は付勢され、転写基板２２から被転写基板２３へ素子２１が転写される。なお、本説明では素子２１はたとえば半導体チップである。

【0025】

また、転写装置１０はレーザ出射部１２から出射されたレーザ光１１を真下（Ｚ軸方向）に反射するミラー１７ａおよびミラー１７ａが反射したレーザ光１１を反射してガルバノミラー１５へ入射させるミラー１７ｂを有している。また、レーザ出射部１２とミラー１７ａの間には、図示しないエキスパンダーレンズ、コリメートレンズなどの光学系が設けられている。

【0026】

また、図１の二点鎖線に囲まれたミラー１７ｂ、ガルバノミラー１５、Ｆθレンズ１６は共通のフレームに取り付けられて一体となってＺ軸方向に移動可能となっており、これらがＺ軸方向に移動することにより、転写基板２２近傍におけるレーザ光１１のＺ軸方向の焦点位置を調節することができる。

【0027】

転写基板把持部１３は開口を有し、転写基板２２の外周部近傍を吸着把持する。転写基板把持部１３に保持された転写基板２２へこの開口を介してレーザ照射部１２から発せられたレーザ光１１を当てることができる。

【0028】

転写基板２２は、ガラスなどを材料としてレーザ光１１を透過することが可能な基板であり、下面側で素子２１を保持する。また、この転写基板２２の素子２１を保持する面にはブリスタリング層２４が形成されており、このブリスタリング層２４の表面は粘着性を有する。このブリスタリング層２４の表面の粘着力が素子２１の保持力となり、素子２１を粘着保持する。

【0029】

また、転写基板把持部１３は図示しない移動機構により、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、およびＺ軸方向に関して被転写基板把持部１４に対して相対移動する。図示しない制御部がこの移動機構を制御し、転写基板把持部１３の位置を調節することにより、転写基板２２に保持された素子２１の被転写基板２３に対する相対位置を調節することができる。

【0030】

ここで、転写基板把持部１３は、転写基板２３を把持する領域を囲うように、下方へ（被転写基板把持部１４の方向へ）延びる側壁部４１を有している。側壁部４１の下端部の高さは均一であり、転写基板把持部１３が被転写基板把持部１４に接近した際、側壁部４１の下端部全体が同時に被転写基板把持部１４の上面に当接する。また、側壁部４１の下端部にはＯリングが設けられており、側壁部４１は少なくとも下端部が可撓性を有している。

【0031】

また、転写基板把持部１３の側壁部４１より内側には、圧力調節部４０が接続されている。本実施形態の圧力調節部４０は、減圧ポンプ４２、三方弁４３、および大気開放部４４を有している。転写基板把持部１３につながる配管４５の接続先が三方弁４３により切り替え可能となっており、配管４５が三方弁４３を介して減圧ポンプ４２と接続されている場合と、配管４５が三方弁４３を介して大気開放部４４と接続されている場合とで切り替わる。なお、本実施形態では、大気開放部４４は三方弁４３と接続されていない方の端部が何とも繋がれていない（解放された）配管である。

【0032】

被転写基板把持部１４は、上面に平坦面を有し、素子２１の転写工程中、転写基板２２のブリスタリング層２４およびブリスタリング層２４が保持する素子２１と被転写基板２３の被転写面が対向するように被転写基板２３を把持する。この被転写基板把持部１４の上面には複数の吸引孔が設けられており、吸引力により被転写基板２３の裏面（素子２１が転写されない方の面）を把持する。

【0033】

ここで、本実施形態における被転写基板２３は、ガラスなどを材料とする基板であり、被転写面（素子２１を受ける側の面）には、粘着性を有するキャッチ層２５が設けられ、転写基板２２から転写された素子２１を粘着保持する。

【0034】

なお、本実施形態では、転写基板把持部１３のみがＸ軸方向およびＹ軸方向に移動することにより転写基板把持部１３と被転写基板把持部１４とがＸＹ方向に相対移動する形態をとっているが、被転写基板２３の寸法が大きく、レーザ光１１の照射範囲の直下に被転写基板２３の全面が位置できない場合には、被転写基板把持部１４にもＸ軸方向およびＹ軸方向の移動機構が設けられていても良い。

【0035】

この被転写基板把持部１４に対し、転写基板２２を把持した状態で転写基板把持部１３が接近し、側壁部４１が被転写基板把持部１４の表面に当接することにより、図１に示すように転写基板把持部１３における転写基板２２の把持領域、転写基板２２、被転写基板把持部１４における被転写基板２３の把持領域、および側壁部４１に囲われた密閉空間が形成される。減圧ポンプ４２はこの密閉空間の減圧を行う。この減圧により、転写基板２２に保持されている素子２１の周囲の圧力が低減される（調節される）。また、本実施形態のように密閉空間を形成することにより、圧力を調節する領域を限定することができ、圧力の調節に要する時間を短縮することができる。

【0036】

なお、図１では便宜上側壁部４１は被転写基板２３の近辺にあるように描画しているが、後述のように転写基板把持部１３と被転写基板把持部１４とがＸＹ方向に相対移動しても側壁部４１と被転写基板２３とが衝突することが無いよう、実際の形態では側壁部４１は被転写基板２３の把持領域から充分に離れた位置にて被転写基板把持部１４と当接する。

【0037】

以上の構成を有する転写装置１０において、素子２１を挟んで転写基板２２と被転写基板２３とが対向した状態において転写基板２２を通して素子２１に向けてレーザ光１１が照射され、ブリスタリング層２４にレーザ光１１が照射されることによって、レーザ光１１のエネルギーによってブリスタリング層２４の材料の一部が分解され、ガスが発生する。このブリスタリング層２４の材料の分解およびガスの発生により、図１に示すようにブリスタリング層２４の内部もしくは転写基板２２のガラス面２２ａとブリスタリング層２４との間でブリスタ（気泡）３０が発生する。このようにブリスタ３０が発生する現象を本説明ではブリスタリングと呼ぶ。

【0038】

本発明の転写装置を用いた転写方法内の一工程である転写工程の一実施形態を、図２を用いて説明する。図２（ａ）は図１におけるＡＡ矢視図であり、図２（ｂ）は転写基板２２および被転写基板２３を含めた正面図である。

【0039】

本実施形態の転写工程では、図２（ａ）に示す通り、転写基板２２に設けられたブリスタリング層２４における一つの素子２１が保持されている領域（図２（ａ）における破線部）において照射位置を変更しながらレーザ光１１を複数回照射することにより、各照射位置で生じる小さなブリスタを連結させて図２（ｂ）に示すような１つの大きなドーム状のブリスタ３０を形成させる。このようにブリスタ３０を形成させることにより、素子２１がブリスタリング層２４の表面部分に保持されたまま素子２１を被転写基板２３へ接近させるとともにブリスタリング層２４と素子２１の接触面積を減少させて、素子２１を転写基板２２から被転写基板２３へ転写する。このレーザ光１１の照射位置（以下、照射スポットとも呼ぶ）の変更は、本実施形態では前述の通り照射位置制御部であるガルバノミラー１５によって行われる。

【0040】

このとき、本実施形態におけるレーザ光１１の照射スポットの移動の軌跡は、図２（ａ）に示すようにＸ軸方向の直線状の移動、移動方向の９０度回転、Ｙ軸方向の直線状の移動、移動方向の９０度回転、が繰り返されて、略渦巻き形態となっている。そして、各照射スポットの間隔が略均一になるようにレーザ光１１の照射を行っている。

【0041】

ここで、この転写工程における素子２１の周囲の圧力である第１の圧力Ｐ１は、本実施形態では減圧ポンプ４２の作動によって大気圧以下となっている。

【0042】

次に、転写方法内の一工程であるブリスタ収縮工程の一実施形態を、図３を用いて説明する。

【0043】

本発明におけるブリスタ収縮工程は、転写工程の実施後に、素子２１の転写のために形成したブリスタ３０を強制的に収縮させる工程である。

【0044】

本実施形態では、転写工程では大気圧以下の第１の圧力Ｐ１にて素子２１の転写を行ったのに対し、ブリスタ収縮工程では素子２１の周囲の圧力を第１の圧力Ｐ１より高い第２の圧力Ｐ２に変更する。具体的には、圧力調節部４０の三方弁４３を作動させ、配管４５と大気開放部４４とを接続することにより、素子２１の周囲の圧力が大気圧である第２の圧力Ｐ２となるように大気開放する。

【0045】

このようにブリスタ収縮工程において素子の周囲の圧力が転写工程時の圧力よりも高くなることにより、図３に矢印で示すようにブリスタ３０を外側から押す力が増加する。これによりブリスタ３０が収縮し、ブリスタリング層２４を素子２１から強制的に離間させることができる。

【0046】

次に、本発明の一実施形態における転写方法の一連のフローを、図４を用いて説明する。

【0047】

まず、図４（ａ）の左半分に示すように、転写基板２２が素子２１を保持し、素子２１と被転写基板２３とが離間した状態で、素子２１を挟むように転写基板２２と被転写基板２３とを対向させる。本説明では、この工程を転写準備工程と呼ぶ。この転写準備工程後、素子２１の周囲の圧力を減圧状態である第１の圧力Ｐ１とする。

【0048】

次に、図４（ａ）の右半分に示すように、所定の素子２１の近傍にレーザ光１１を照射してブリスタリング層２４にブリスタ３０を生じさせることにより、素子２１を被転写基板２３に接近させ、被転写基板２３に保持させる。この工程を、前述の通り転写工程と呼ぶ。

【0049】

図４（ｂ）は、転写工程が進行して一つの素子２１の保持領域に対し複数回のレーザ光１１の照射が行われ、大きなブリスタ３０が形成されるとともに、ブリスタリング層２４が素子２１に付着したまま素子２１全体が被転写基板２３のキャッチ層２５に転写された状態を示している。ここで、素子２１の周囲の圧力が減圧状態であることから、素子２１が被転写基板２３へ向かう際の空気抵抗が低減され、空気抵抗によって転写位置にずれが生じることを低減させることができる。

【0050】

次に、図４（ｃ）に示すように素子２１の周囲を大気開放して大気圧である第２の圧力Ｐ２まで上昇させ、ブリスタ３０を収縮させる。この工程を、前述の通りブリスタ収縮工程と呼び、ブリスタ３０が収縮することによりブリスタ３０は萎み、ブリスタリング層２４が素子２１から離間する。

【0051】

被転写基板２３に転写された素子２１とブリスタリング層２４とがブリスタ収縮工程によって完全に分離された後、次に、図４（ｄ）に示すように転写基板２２上の素子２１の配列方向（図４におけるＸ軸方向）に転写基板２２と被転写基板２３とが相対移動する。本説明では、この工程を配列方向移動工程と呼ぶ。本実施形態では、転写基板把持部１３がＸ軸方向に移動することにより、転写基板２２と被転写基板２３とが相対移動する。

【0052】

このように配列方向移動工程が行われることにより、転写基板２２上では素子２１のピッチが図４（ａ）に示すように距離Ｄ１だったものが任意に調節され、後述するように任意のピッチで被転写基板２３上に複数の素子２１を配列させることができる。

【0053】

ここで、仮に従来のようにブリスタ収縮工程無く配列方向移動工程を実施しようとする場合、素子２１の被転写基板２３に保持される面全体が被転写基板２３に保持された後でも、ブリスタ３０が自然に萎むまではブリスタリング層２４が素子２１に付着し続ける可能性がある。

【0054】

そしてブリスタリング層２４が素子２１に付着したまま配列方向移動工程が実施された場合、被転写基板２３上の素子２１がブリスタリング層２４に引っ張られて位置ずれが生じる可能性がある。

【0055】

このようにブリスタリング層２４が素子２１を位置ずれさせてしまうか否かは、ブリスタリング層２４に起因するものだと、ブリスタ３０の大きさ、形状に起因するキャッチ層２５への押付力や密着性のばらつき、ブリスタリング層２４自身の粘着力や厚みのばらつきに応じて左右される。また、素子２１に起因するものだと、素子２１の形状の不均一性、それによるキャッチ層との密着性のばらつきに応じて左右される。また、キャッチ層２５に起因するものだと、その粘着力や厚みのばらつきに応じて左右される。また、レーザ光１１に起因するものだと、その照射位置やエネルギー分布のばらつきに応じて左右される。

【0056】

これに対し、本発明では配列方向移動工程の前にブリスタ収縮工程が設けられることにより、配列方向移動工程開始時にはブリスタリング層２４から素子２１が完全に分離している。そのため、上記のような被転写基板２３上の素子２１の位置ずれが生じることを防止することができる。

【0057】

また、本実施形態では第２の圧力Ｐ２を大気圧とし、配列方向移動工程は大気開放状態で実施されるため、転写基板把持部１３と被転写基板把持部１４とを相対移動させることが比較的容易である。ここで、相対移動時に側壁部４１と被転写基板把持部１４との間でこすれが生じなくするように、転写基板把持部１３と被転写基板把持部１４とをＺ軸方向に少し離間させても良い。

【0058】

配列方向移動工程により所定の距離だけ転写基板２２と被転写基板２３とが相対移動し終わると、次に転写する素子２１が被転写基板２３に対向した状態となり、これは次の素子２１に対する転写準備工程が行われたことに相当する。そして、素子２１の周囲の圧力を再度第１の圧力Ｐ１へ変更した後、図４（ｅ）に示すように次の素子２１へのレーザ光１１の照射が行われることにより、次の素子２１への転写工程が行われる。

【0059】

上記の通り転写準備工程、転写工程、ブリスタ破裂工程、配列方向移動工程を経ることにより、図４（ｅ）にて距離Ｄ２で示すように、転写基板２２上での素子２１のピッチ（距離Ｄ１）に対して被転写基板２３上の素子２１同士のピッチが任意のピッチとなるように調節された上で、次の素子２１が転写基板２２から被転写基板２３へ転写される。

【0060】

以上の転写方法により、ブリスタリングにより被転写基板上に転写された後の素子が位置ずれすることを防ぐことが可能である。

【0061】

ここで、本発明の転写方法は、以上で説明した形態に限らず本発明の範囲内において他の形態のものであってもよい。たとえば、上記の説明では圧力調節部４０は減圧機構であり、第１の圧力Ｐ１が減圧状態、第２の圧力Ｐ２が大気圧状態であったが、これに限らず、圧力調節部４０が加圧機構であって第１の圧力Ｐ１が大気圧状態、第２の圧力Ｐ２が加圧状態であっても構わない。

【0062】

また、上記の実施形態では側壁部は転写基板把持部から被転写基板把持部に向かって延びていたが、それに限らず被転写基板把持部から転写基板把持部に向かって延びるものであっても構わない。

【0063】

また、上記の説明では図１に示すように側壁部４１が設けられることにより転写基板２２の周囲の局所に対して圧力調節部４０が圧力調節を行うものであったが、これに限らず、たとえば図５に示すように転写装置１０全体を収容するチャンバ壁４６が設けられ、圧力調節部４０はチャンバ壁４６の内部、すなわち転写装置１０全体の周囲の圧力を調節するものであっても良い。

【0064】

また、上記の説明では図２（ａ）などに示すように照射スポットの移動の軌跡は略渦巻き状であるが、これに限らずたとえば図６に示すようにジグザグ状であっても良い。

【0065】

また、素子２１の面積が充分に小さい場合、１回の転写工程におけるレーザ光１１の照射は１回のみであっても良い。

【0066】

また、上記の説明では、素子２１の全体が被転写基板２３に転写された後にブリスタ収縮工程が実施されているが、これに限らずたとえば図４（ａ）に示すように素子２１の一部が先行して被転写基板２３と接触し、その後徐々に被転写基板２３と保持される部分が増加することによって最終的に素子２１全体が被転写基板２３に保持される形態を転写工程が有しているならば、素子２１の一部が被転写基板２３に保持された時にブリスタ収縮工程が実施されても良い。

【0067】

また、上記の説明では、レーザ光１１は図２（ａ）などに破線で示した素子保持領域内に照射されているが、これに限らず、ブリスタリングにより所定の素子２１を被転写基板２３へ接近させる効果を奏することを条件に、素子保持領域の近傍であって素子保持領域の周辺にレーザ光１１が照射されても良い。

【0068】

また、必ずしも転写基板２２上の全ての素子２１において被転写基板２３への転写後もブリスタリング層２４が素子２１に付着している必要は無く、一部の素子２１において被転写基板２３への転写後もブリスタリング層２４が素子２１に付着するおそれがある場合に、本発明の通りブリスタ収縮工程を有する転写方法が好適に用いられうる。

【0069】

また、上記の説明ではブリスタリング層およびキャッチ層は粘着力によって素子を保持するが、粘着力以外の保持力によって素子を保持しても良い。

【符号の説明】

【0070】

１０ 転写装置
１１ レーザ光（活性エネルギー線）
１２ レーザ光源（エネルギー照射部）
１３ 転写基板把持部
１４ 被転写基板把持部
１５ ガルバノミラー
１６ Ｆθレンズ
１７ａ ミラー
１７ｂ ミラー
２１ 素子
２２ 転写基板
２２ａ ガラス面
２３ 被転写基板
２４ ブリスタリング層
２４ａ 破裂部
２５ キャッチ層
３０ ブリスタ
４０ 圧力調節部
４１ 側壁部
４２ 圧空源
４３ 三方弁
４４ 大気開放部
４５ 配管
４６ チャンバ壁
１１１ レーザ光
１２１ 素子
１２２ 転写基板
１２３ 被転写基板
１２４ ブリスタリング層
１２５ キャッチ層
１３０ ブリスタ

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】