ホーム > 特許ランキング > ミネベアミツミ株式会社
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024130342
(43)【公開日】2024-09-30
(54)【発明の名称】脈波センサ
(51)【国際特許分類】
A61B 5/02 20060101AFI20240920BHJP
【ＦＩ】
A61B5/02 310P
【審査請求】未請求
【請求項の数】11
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023040008
(22)【出願日】2023-03-14
(71)【出願人】
【識別番号】000114215
【氏名又は名称】ミネベアミツミ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100107766
【弁理士】
【氏名又は名称】伊東 忠重
(74)【代理人】
【識別番号】100070150
【弁理士】
【氏名又は名称】伊東 忠彦
(72)【発明者】
【氏名】原田 高志
(72)【発明者】
【氏名】徳田 祐太
【テーマコード（参考）】
4C017
【Ｆターム（参考）】
4C017AA09
4C017AB02
4C017AC03
4C017FF15
(57)【要約】
【課題】脈波センサにおいて、被験者への装着時間の短縮及び測定精度の向上を実現する。
【解決手段】本脈波センサは、第１面、及び前記第１面とは反対側に位置する第２面を備えた起歪体と、前記起歪体に設けられた互いに交差する複数の梁と前記第１面において、各々の前記梁の交差する領域に配置された負荷部と、前記第２面において、前記梁に、平面視で各々の前記負荷部を挟んで対向して配置された一対のひずみゲージと、前記第２面において、前記一対のひずみゲージが配置された前記梁と交差する前記梁に、平面視で各々の前記負荷部を挟んで対向して配置された他の一対のひずみゲージと、を有し、前記梁の変形に伴う各々の前記ひずみゲージの抵抗値の変化に基づいて脈波を検出する。
【選択図】図１
【解決手段】本脈波センサは、第１面、及び前記第１面とは反対側に位置する第２面を備えた起歪体と、前記起歪体に設けられた互いに交差する複数の梁と前記第１面において、各々の前記梁の交差する領域に配置された負荷部と、前記第２面において、前記梁に、平面視で各々の前記負荷部を挟んで対向して配置された一対のひずみゲージと、前記第２面において、前記一対のひずみゲージが配置された前記梁と交差する前記梁に、平面視で各々の前記負荷部を挟んで対向して配置された他の一対のひずみゲージと、を有し、前記梁の変形に伴う各々の前記ひずみゲージの抵抗値の変化に基づいて脈波を検出する。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１面、及び前記第１面とは反対側に位置する第２面を備えた起歪体と、
前記起歪体に設けられた互いに交差する複数の梁と
前記第１面において、各々の前記梁の交差する領域に配置された負荷部と、
前記第２面において、前記梁に、平面視で各々の前記負荷部を挟んで対向して配置された一対のひずみゲージと、
前記第２面において、前記一対のひずみゲージが配置された前記梁と交差する前記梁に、平面視で各々の前記負荷部を挟んで対向して配置された他の一対のひずみゲージと、を有し、
前記梁の変形に伴う各々の前記ひずみゲージの抵抗値の変化に基づいて脈波を検出する、脈波センサ。
前記起歪体に設けられた互いに交差する複数の梁と
前記第１面において、各々の前記梁の交差する領域に配置された負荷部と、
前記第２面において、前記梁に、平面視で各々の前記負荷部を挟んで対向して配置された一対のひずみゲージと、
前記第２面において、前記一対のひずみゲージが配置された前記梁と交差する前記梁に、平面視で各々の前記負荷部を挟んで対向して配置された他の一対のひずみゲージと、を有し、
前記梁の変形に伴う各々の前記ひずみゲージの抵抗値の変化に基づいて脈波を検出する、脈波センサ。
【請求項2】
前記一対のひずみゲージと前記他の一対のひずみゲージの一方は、前記負荷部の押圧に伴なって生じる前記梁の圧縮ひずみを検出し、
前記一対のひずみゲージと前記他の一対のひずみゲージの他方は、前記負荷部の押圧に伴なって生じる前記梁の引張ひずみを検出する、請求項１に記載の脈波センサ。
前記一対のひずみゲージと前記他の一対のひずみゲージの他方は、前記負荷部の押圧に伴なって生じる前記梁の引張ひずみを検出する、請求項１に記載の脈波センサ。
【請求項3】
前記圧縮ひずみを検出するひずみゲージの間隔は、前記引張ひずみを検出するひずみゲージの間隔よりも広い、請求項２に記載の脈波センサ。
【請求項4】
複数の前記梁は、１つの梁と、前記１つの梁と交差する複数の梁を含む、請求項２又は３に記載の脈波センサ。
【請求項5】
前記１つの梁は、第１方向に延び、
前記１つの梁と交差する複数の梁は、前記第１方向と直交する第２方向に延びる、請求項４に記載の脈波センサ。
前記１つの梁と交差する複数の梁は、前記第１方向と直交する第２方向に延びる、請求項４に記載の脈波センサ。
【請求項6】
前記１つの梁と交差する複数の梁は、互いに等間隔に配置された３つ以上の梁を含む、請求項５に記載の脈波センサ。
【請求項7】
前記圧縮ひずみを検出するひずみゲージは、前記第２方向に延びる梁に配置され、
前記引張ひずみを検出するひずみゲージは、前記第１方向に延びる梁に配置される、請求項５又は６に記載の脈波センサ。
前記引張ひずみを検出するひずみゲージは、前記第１方向に延びる梁に配置される、請求項５又は６に記載の脈波センサ。
【請求項8】
前記起歪体は、前記第１方向を長手方向とし、前記第２方向を短手方向とする形状である、請求項５乃至７のいずれか一項に記載の脈波センサ。
【請求項9】
すべての前記ひずみゲージは、１つのブリッジ回路を構成するように接続され、
平面視で、各々の前記負荷部に対して同一方向の最も近い位置にあるひずみゲージは、直列に接続されて前記ブリッジ回路の各辺を構成する、請求項４乃至８のいずれか一項に記載の脈波センサ。
平面視で、各々の前記負荷部に対して同一方向の最も近い位置にあるひずみゲージは、直列に接続されて前記ブリッジ回路の各辺を構成する、請求項４乃至８のいずれか一項に記載の脈波センサ。
【請求項10】
隣接する前記負荷部の間隔は、１ｍｍ以上３ｍｍ以下である、請求項１乃至９のいずれか一項に記載の脈波センサ。
【請求項11】
隣接する前記負荷部の間隔は、１ｍｍ以上２．４ｍｍ以下である、請求項１０に記載の脈波センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、脈波センサに関する。
【背景技術】
【0002】
心臓が血液を送り出すことに伴い発生する脈波を検出する脈波センサが知られている。一例として、外力の作用により撓み可能に支持されている起歪体となる受圧板と、その受圧板の撓みを電気信号に変換する圧電変換手段とが設けられた脈波センサが挙げられる。この脈波センサは、受圧板の可撓領域が外方に向かって凸曲面となるドーム状に形成されており、圧電変換手段として受圧板における頂部の内面に圧力検出素子を備えている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２００２－７８６８９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
脈波センサは、微小な信号を検出する必要があるため、検出部分を被験者の橈骨動脈等の近傍に確実に配置する必要がある。しかしながら、脈波センサの検出部分を被験者の橈骨動脈等に位置決めすることは困難であるため、脈波の取得までの装着時間が長くなったり、位置ずれにより測定精度が低下したりする問題があった。
【0005】
本発明は、上記の点に鑑みてなされたもので、脈波センサにおいて、被験者への装着時間の短縮及び測定精度の向上を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本開示の一実施形態に係る脈波センサは、第１面、及び前記第１面とは反対側に位置する第２面を備えた起歪体と、前記起歪体に設けられた互いに交差する複数の梁と前記第１面において、各々の前記梁の交差する領域に配置された負荷部と、前記第２面において、前記梁に、平面視で各々の前記負荷部を挟んで対向して配置された一対のひずみゲージと、前記第２面において、前記一対のひずみゲージが配置された前記梁と交差する前記梁に、平面視で各々の前記負荷部を挟んで対向して配置された他の一対のひずみゲージと、を有し、前記梁の変形に伴う各々の前記ひずみゲージの抵抗値の変化に基づいて脈波を検出する。
【発明の効果】
【0007】
開示の技術によれば、脈波センサにおいて、被験者への装着時間の短縮及び測定精度の向上を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【図1】第１実施形態に係る脈波センサを例示する平面図である。
【図2】第１実施形態に係る脈波センサを例示する断面図である。
【図3】各負荷部の押圧に伴なって生じる梁のひずみ量のシミュレーション結果（その１）である。
【図4】各負荷部の押圧に伴なって生じる梁のひずみ量のシミュレーション結果（その２）である。
【図5】ブリッジ接続について説明する図である。
【図6】第１実施形態に係るひずみゲージを例示する平面図である。
【図7】第１実施形態に係るひずみゲージを例示する断面図（その１）である。
【図8】第１実施形態に係るひずみゲージを例示する断面図（その２）である。
【発明を実施するための形態】
【0009】
以下、図面を参照して発明を実施するための形態について説明する。各図面において、同一の構成部には同一の符号を付す場合がある。また、各図面において、互いに直交するＸ方向、Ｙ方向、及びＺ方向を規定する場合がある。この場合、Ｘ方向において、矢印の始点（根元）側をＸ－側、矢印の終点（矢尻）側をＸ＋側と称する場合がある。Ｙ方向及びＺ方向についても同様である。また、各図面の説明において、既に説明した構成部と同一の構成部についての説明は省略する場合がある。
【0010】
【0011】
図１及び図２を参照すると、脈波センサ１は、筐体１０と、起歪体２０と、線材３０と、複数のひずみゲージ（１００Ｌ１、１００Ｌ２、１００Ｌ３、１００Ｌ４、１００Ｃ１、１００Ｃ２、１００Ｃ３、１００Ｃ４、１００Ｒ１、１００Ｒ２、１００Ｒ３、１００Ｒ４）とを有している。なお、特に区別する必要がない場合は、各ひずみゲージをひずみゲージ１００と総称する場合がある。
【0012】
起歪体２０は、基部２１と、梁２２１、２２２、２２３、及び２２４と、負荷部２３１、２３２、２３３と、複数の延伸部２４とを有している。なお、特に区別する必要がない場合は、各梁を梁２２と総称する場合がある。また、特に区別する必要がない場合は、各負荷部を負荷部２３と総称する場合がある。
【0013】
起歪体２０は、平板状である。起歪体２０は、第１面２０ｍ、及び第１面２０ｍとは反対側に位置する第２面２０ｎを備えている。起歪体２０は、例えば、平面視で２回対称の形状である。起歪体は、例えば、Ｙ方向を長手方向とし、Ｘ方向を短手方向とする形状である。具体的には、起歪体２０は、楕円形、長方形、角丸長方形等とすることができる。図示の例では、起歪体２０は、Ｙ方向を長手方向とする角丸長方形である。なお、角丸長方形とは、長方形の角の一部又は全部を丸くした形状の図形である。角丸長方形は、長さが等しい２本の平行線と、この平行線の両端に配置された半円形とからなる形状であってもよい。起歪体２０を楕円形や角丸長方形とすることにより、Ｙ方向の長さが等しい場合、円形と比べて、起歪体２０をＸ方向に小型化することができる。なお、必要な場合には、起歪体２０を、平面視で円形や正方形等としてもよい。
【0014】
起歪体２０の材料としては、例えば、金属、セラミック、ガラス等を用いることができる。起歪体２０の材料として用いる金属としては、例えば、ＳＵＳ（ステンレス鋼）、銅、アルミニウム等が挙げられる。起歪体２０は、例えば、プレス加工法等により一体に形成することができる。負荷部２３を除く起歪体２０の厚さｔは一定である。負荷部２３を除く起歪体２０の厚さｔは、例えば、０．０３ｍｍ以上０．３ｍｍ以下とすることができる。
【0015】
なお、本実施形態では、便宜上、脈波センサ１において、起歪体２０の負荷部２３が設けられている側を「上側」と称し、起歪体２０の負荷部２３が設けられていない側を「下側」と称する。又、各部位の上側に位置する面を「上面」と称し、各部位の下側に位置する面を「下面」と称する。ただし、脈波センサ１は天地逆の状態で用いることもできる。又、脈波センサ１は任意の角度で配置することもできる。又、平面視とは、起歪体２０の第１面２０ｍに対する上側から下側への法線方向で対象物を視ることを指すものとする。そして、平面形状とは、前記法線方向で対象物を視たときの、対象物の形状を指すものとする。
【0016】
脈波センサ１において、筐体１０は起歪体２０を保持する部分である。筐体１０は中空であって、下面側が塞がれ上面側が開口されている。筐体１０は、例えば、金属や樹脂等から形成できる。筐体１０の上面側の開口を塞ぐように、起歪体２０が接着剤等により固定されている。
【0017】
起歪体２０において、基部２１は、起歪体２０の外縁部の所定幅の領域である。具体的には、基部２１は、図１に示す破線よりも外側の環状の領域である。基部２１の幅ｗ１は、例えば、１ｍｍ以上５ｍｍ以下である。基部２１の幅ｗ１は、一定であってもよいし、一定でなくてもよい。基部２１の内側のＸ方向の長さは、例えば、５ｍｍ以上３５ｍｍ以下である。基部２１の内側のＹ方向の長さは、基部２１の内側のＸ方向の長さよりも長い。
【0018】
起歪体２０には、互いに交差する複数の梁２２が設けられている。複数の梁２２は、１つの梁と、１つの梁と交差する複数の梁を含んでもよい。複数の梁２２は、互いに直交してもよい。各々の梁２２は、基部２１の内側を橋渡しするように設けられている。
【0019】
図示の例では、複数の梁２２は、Ｙ方向に延びる直線状の１つの梁２２４と、１つの梁２２４と直交するＸ方向に延びる直線状の梁２２１、２２２、及び２２３とを含む。梁２２４は、梁２２１、２２２、及び２２３よりも長い。図示の例では、１つの梁２２４と交差する梁２２１、２２２、及び２２３は、互いに等間隔に配置されている。複数の梁２２は、互いに等間隔に配置された４つ以上の梁を含んでもよい。
【0020】
梁２２１、２２２、２２３、及び２２４において、交差する領域以外の幅ｗ２は一定であり、例えば、１ｍｍ以上５ｍｍ以下である。幅ｗ２が一定であることは必須ではないが、幅ｗ２を一定とすることで、ひずみをリニアに検出できる点で好ましい。
【0021】
なお、複数の梁２２は、１つの梁と、１つの梁と交差する複数の梁を含んでいればよい。１つの梁や、１つの梁と交差する複数の梁は、直線状でなくてもよい。１つの梁と交差する複数の梁は、２本以上あればよい。
【0022】
起歪体２０の第１面２０ｍにおいて、各々の梁２２の交差する領域に負荷部２３が配置されている。図示の例では、起歪体２０の第１面２０ｍにおいて、梁２２１と梁２２４の交差する領域に負荷部２３１が配置されている。また、梁２２２と梁２２４の交差する領域に負荷部２３２が配置されている。また、梁２２３と梁２２４の交差する領域に負荷部２３３が配置されている。
【0023】
起歪体２０では、１つの梁２２４に複数の負荷部２３が配置されているため、各々の負荷部２３は互いに影響し合う。すなわち、１つの負荷部２３が押圧されると、他の負荷部２３の周辺にもひずみが発生する。いずれの負荷部２３が押圧された場合も、各々の負荷部２３の周辺に発生するひずみの総和は一定となる。
【0024】
負荷部２３は、梁２２の上面から突起している。梁２２の上面を基準とする負荷部２３の突起量は、例えば、０．１ｍｍ程度である。なお、各負荷部２３の突起量は、同一であってもよいし、同一でなくてもよい。梁２２は可撓性を有しており、負荷部２３に負荷が加わると弾性変形する。
【0025】
負荷部２３の平面形状は、例えば、円形であるが、楕円形等であってもよい。負荷部２３の平面形状が円形である場合、直径は、例えば、１．５ｍｍ以上２．５ｍｍ以下とすることができる。負荷部２３の平面形状が楕円形である場合、橈骨動脈に接しやすくする観点から、長径方向がＹ方向を向くことが好ましい。
【0026】
隣接する負荷部２３のピッチは、例えば、４ｍｍ以上６ｍｍ以下程度とすることができる。隣接する負荷部２３の間隔は、例えば、１ｍｍ以上３ｍｍ以下程度とすることができる。隣接する負荷部２３の間隔は、橈骨動脈の太さ以下であることが好ましい。橈骨動脈の太さは、一般的に日本人女性の８割が２．４ｍｍ以上、最大で３．０ｍｍ、日本人男性の８割が２．６ｍｍ以上、最大で４．０ｍｍと言われている。すなわち、日本人の８割は、橈骨動脈の太さが２．４ｍｍ以上４．０ｍｍ以下である。
【0027】
そこで、隣接する負荷部の間隔は、４ｍｍ以下に設計するのがよく、３ｍｍ以下とするとより好ましく、２．４ｍｍ以下とするとさらに好ましい。隣接する負荷部の間隔を３ｍｍ以下とすることにより、多くの日本人の被験者において、いずれかの負荷部が橈骨動脈に接する確率が高くなる。隣接する負荷部の間隔を２．４ｍｍ以下とすることにより、さらに多くの日本人の被験者において、いずれかの負荷部が橈骨動脈に接する確率がさらに高くなる。
【0028】
複数の延伸部２４は、平面視で基部２１の内側から梁２２の方向に延伸する扇形や矩形の部分である。各々の延伸部２４と梁２２との間には、１ｍｍ程度の隙間（スリット）が設けられている。延伸部２４は、脈波センサ１のセンシングには寄与しないため、設けなくてもよい。
【0029】
なお、Ｘ方向に延びるスリットの長さと、Ｙ方向に延びるスリットの長さとは、同じであってもよいし、同じでなくてもよい。例えば、梁２２１の負荷部２３１よりもＸ＋側に位置する部分を規定するスリットのＸ方向の長さと、そのスリットと連続し、梁２２４の負荷部２３１よりもＹ－側に位置する部分を規定するスリットのＹ方向の長さとは、同じであってもよいし、同じでなくてもよい。
【0030】
線材３０は、脈波センサ１と外部との電気信号の入出力を行うケーブルである。線材３０は、シールドケーブルやフレキシブル基板等であってもよい。なお、線材３０は、脈波センサ１の必須の構成要素ではない。脈波センサ１は、線材３０を用いずに、無線等の方法で外部と通信する形態であってもよい。
【0031】
脈波センサ１は、起歪体２０の第２面２０ｎにおいて、梁２２に、平面視で各々の負荷部２３を挟んで対向して配置された一対のひずみゲージと、この一対のひずみゲージが配置された梁２２と交差する梁２２に、平面視で各々の負荷部２３を挟んで対向して配置された他の一対のひずみゲージとを有している。
【0032】
図示の例では、脈波センサ１は、起歪体２０の第２面２０ｎにおいて、Ｘ方向に延びる梁２２１に、平面視で負荷部２３１を挟んで対向して配置された一対のひずみゲージ１００Ｌ１及び１００Ｌ２を有している。また、一対のひずみゲージ１００Ｌ１及び１００Ｌ２が配置された梁２２１と交差する梁２２４に、平面視で負荷部２３１を挟んで対向して配置された他の一対のひずみゲージ１００Ｌ３及び１００Ｌ４を有している。
【0033】
ひずみゲージ１００Ｌ１及び１００Ｌ２は、負荷部２３１の押圧に伴なって生じる梁２２１の圧縮ひずみを検出し、ひずみゲージ１００Ｌ３及び１００Ｌ４は、負荷部２３１の押圧に伴なって生じる梁２２４の引張ひずみを検出する。圧縮ひずみを検出するひずみゲージ１００Ｌ１とひずみゲージ１００Ｌ２との間隔は、引張ひずみを検出するひずみゲージ１００Ｌ３とひずみゲージ１００Ｌ４との間隔よりも広い。
【0034】
また、脈波センサ１は、起歪体２０の第２面２０ｎにおいて、Ｘ方向に延びる梁２２２に、平面視で負荷部２３２を挟んで対向して配置された一対のひずみゲージ１００Ｃ１及び１００Ｃ２を有している。また、一対のひずみゲージ１００Ｃ１及び１００Ｃ２が配置された梁２２２と交差する梁２２４に、平面視で負荷部２３２を挟んで対向して配置された他の一対のひずみゲージ１００Ｃ３及び１００Ｃ４を有している。
【0035】
ひずみゲージ１００Ｃ１及び１００Ｃ２は、負荷部２３２の押圧に伴なって生じる梁２２２の圧縮ひずみを検出し、ひずみゲージ１００Ｃ３及び１００Ｃ４は、負荷部２３２の押圧に伴なって生じる梁２２４の引張ひずみを検出する。圧縮ひずみを検出するひずみゲージ１００Ｃ１とひずみゲージ１００Ｃ２との間隔は、引張ひずみを検出するひずみゲージ１００Ｃ３とひずみゲージ１００Ｃ４との間隔よりも広い。
【0036】
また、脈波センサ１は、起歪体２０の第２面２０ｎにおいて、Ｘ方向に延びる梁２２３に、平面視で負荷部２３３を挟んで対向して配置された一対のひずみゲージ１００Ｒ１及び１００Ｒ２を有している。また、一対のひずみゲージ１００Ｒ１及び１００Ｒ２が配置された梁２２３と交差する梁２２４に、平面視で負荷部２３２を挟んで対向して配置された他の一対のひずみゲージ１００Ｒ３及び１００Ｒ４を有している。
【0037】
ひずみゲージ１００Ｒ１及び１００Ｒ２は、負荷部２３２の押圧に伴なって生じる梁２２３の圧縮ひずみを検出し、ひずみゲージ１００Ｒ３及び１００Ｒ４は、負荷部２３３の押圧に伴なって生じる梁２２４の引張ひずみを検出する。圧縮ひずみを検出するひずみゲージ１００Ｒ１とひずみゲージ１００Ｒ２との間隔は、引張ひずみを検出するひずみゲージ１００Ｒ３とひずみゲージ１００Ｒ４との間隔よりも広い。
【0038】
各ひずみゲージ１００をこのように配置することにより、圧縮ひずみと引張ひずみを有効に検出してフルブリッジにより大きな出力を得ることができる。
【0039】
脈波センサ１は、複数の負荷部２３のうちの１以上の負荷部２３が被験者の橈骨動脈に当たるように被験者の腕に固定して使用される。被験者の脈波に応じていずれかの負荷部２３に負荷が加わって梁２２が弾性変形すると、ひずみゲージ１００の抵抗体の抵抗値が変化する。脈波センサ１は、梁２２の変形に伴なうひずみゲージ１００の抵抗体の抵抗値の変化に基づいて脈波を検出できる。脈波は、例えば、ひずみゲージ１００の電極と接続された測定回路から、周期的な電圧の変化として出力される。
【0040】
図１及び図２に示す形状の脈波センサ１について、各負荷部の押圧に伴なって生じる梁のひずみ量のシミュレーションを行った。起歪体２０において、図１及び図２のＸ方向の最大長さは１５ｍｍ、のＹ方向の最大長さは２５ｍｍ、厚さｔは０．１ｍｍとした。また、各々の負荷部２３は平面視で直径２ｍｍの円形とし、高さは０．１ｍｍとした。また、隣接する負荷部２３の間隔は、３ｍｍとした。なお、ここでは、一例として隣接する負荷部２３の間隔を３ｍｍとしたが、原理的に、３ｍｍ以外の場合であっても同様の結果が得られると予想される。
【0041】
図３は、各負荷部の押圧に伴なって生じる梁のひずみ量のシミュレーション結果（その１）である。図４は、各負荷部の押圧に伴なって生じる梁のひずみ量のシミュレーション結果（その２）である。図３は、負荷部２３１のみを押圧したときのひずみ量を示し、図４は、負荷部２３２のみを押圧したときのひずみ量を示している。
【0042】
また、図３及び図４において、Ｌの外は、ひずみゲージ１００Ｌ１及び１００Ｌ２により得られたひずみ量を示し、Ｌの内は、ひずみゲージ１００Ｌ３及び１００Ｌ４により得られたひずみ量を示している。また、Ｃの外は、ひずみゲージ１００Ｃ１及び１００Ｃ２により得られたひずみ量を示し、Ｃの内は、ひずみゲージ１００Ｃ３及び１００Ｃ４により得られたひずみ量を示している。また、Ｒの外は、ひずみゲージ１００Ｒ１及び１００Ｒ２により得られたひずみ量を示し、Ｒの内は、ひずみゲージ１００Ｒ３及び１００Ｒ４により得られたひずみ量を示している。
【0043】
図３に示すように、負荷部２３１のみを押圧した場合は、負荷部２３１のＸ方向及びＹ方向の最も近くに配置されたひずみゲージ１００Ｌ１、１００Ｌ２、１００Ｌ３、及び１００Ｌ４により、最も大きなひずみ量が得られる。
【0044】
負荷部２３１と負荷部２３２及び２３３とは、同一の梁２２４上に配置されているため、負荷部２３１が押圧された影響は、直接押圧されていない負荷部２３２及び２３３にも及ぶ。そのため、図３に示すように、Ｃの外及び内、並びにＲの外及び内においても、ひずみ量が検出される。
【0045】
負荷部２３２は負荷部２３３よりも、負荷部２３１に近い。そのため、ひずみゲージ１００Ｃ１、１００Ｃ２、１００Ｃ３、及び１００Ｃ４により得られるＣのひずみ量の方が、ひずみゲージ１００Ｒ１、１００Ｒ２、１００Ｒ３、及び１００Ｒ４により得られるＲのひずみ量よりも大きくなる。
【0046】
また、図４に示すように、負荷部２３２のみを押圧した場合は、負荷部２３２のＸ方向及びＹ方向の最も近くに配置されたひずみゲージ１００Ｃ１、１００Ｃ２、１００Ｃ３、及び１００Ｃ４により、最も大きなひずみ量が得られる。
【0047】
負荷部２３２と負荷部２３１及び２３３とは、同一の梁２２４上に配置されているため、負荷部２３２が押圧された影響は、直接押圧されていない負荷部２３１及び２３３にも及ぶ。そのため、図４に示すように、Ｌの外及び内、並びにＲの外及び内においても、ひずみ量が検出される。
【0048】
負荷部２３２と負荷部２３１との距離は、負荷部２３２と負荷部２３３との距離と同じである。そのため、ひずみゲージ１００Ｌ１、１００Ｌ２、１００Ｌ３、及び１００Ｌ４により得られるＬのひずみ量は、ひずみゲージ１００Ｒ１、１００Ｒ２、１００Ｒ３、及び１００Ｒ４により得られるＲのひずみ量と同等になる。
【0049】
また、図３に示すＬ、Ｃ、Ｒのひずみ量の総和は、図４に示すＬ、Ｃ、Ｒのひずみ量の総和と一致する。なお、負荷部２３３のみを押圧した場合のシミュレーション結果は示していないが、図３において、Ｌの外及び内のひずみ量と、Ｒの外及び内のひずみ量が入れ替わったものになる。
【0050】
このように、脈波センサ１では、複数の負荷部２３のいずれか１つが押圧されれば、ひずみ量を検出できる。すなわち、負荷部２３の配列方向（図１及び図２ではＹ方向）を橈骨動脈の延びる方向に対して略垂直な方向に向けて脈波センサ１を被験者の腕に固定することにより、複数の負荷部２３のいずれか１つ以上を、容易に被験者の橈骨動脈に当てることができる。そして、いずれの負荷部２３が被験者の橈骨動脈に当たっても、一定のひずみ量を得ることができる。これにより、橈骨動脈の位置検出機構や位置の調整が不要となり、脈波センサ１を被験者の腕に容易に固定することができるとともに、脈波を確実に検出することができる。すなわち、脈波センサ１を用いることにより、被験者への装着時間の短縮及び測定精度の向上を実現できる。
【0051】
脈波センサ１では、図５に示すように、各ひずみゲージがフルブリッジ接続される４ゲージ法により、大きな出力を得ることができる。
【0052】
図５では、図１及び図２に示すすべてのひずみゲージ１００は、１つのブリッジ回路を構成するように接続されている。具体的には、図１に示す平面視で、各々の負荷部２３に対して同一方向の最も近い位置にあるひずみゲージ１００は、直列に接続されてブリッジ回路の各辺を構成している。
【0053】
例えば、負荷部２３１に対してＸ－方向の最も近い位置にあるひずみゲージ１００Ｌ１と、負荷部２３２に対してＸ－方向の最も近い位置にあるひずみゲージ１００Ｃ１と、負荷部２３３に対してＸ－方向の最も近い位置にあるひずみゲージ１００Ｒ１とは、直列に接続されて図５に示すブリッジ回路の左上の一辺を構成している。
【0054】
また、負荷部２３１に対してＸ＋方向の最も近い位置にあるひずみゲージ１００Ｌ２と、負荷部２３２に対してＸ＋方向の最も近い位置にあるひずみゲージ１００Ｃ２と、負荷部２３３に対してＸ＋方向の最も近い位置にあるひずみゲージ１００Ｒ２とは、直列に接続されて図５に示すブリッジ回路の右下の一辺を構成している。
【0055】
また、負荷部２３１に対してＹ－方向の最も近い位置にあるひずみゲージ１００Ｌ３と、負荷部２３２に対してＹ－方向の最も近い位置にあるひずみゲージ１００Ｃ３と、負荷部２３３に対してＹ－方向の最も近い位置にあるひずみゲージ１００Ｒ３とは、直列に接続されて図５に示すブリッジ回路の右上の一辺を構成している。
【0056】
また、負荷部２３１に対してＹ＋方向の最も近い位置にあるひずみゲージ１００Ｌ４と、負荷部２３２に対してＹ＋方向の最も近い位置にあるひずみゲージ１００Ｃ４と、負荷部２３３に対してＹ＋方向の最も近い位置にあるひずみゲージ１００Ｒ４とは、直列に接続されて図５に示すブリッジ回路の左下の一辺を構成している。
【0057】
図５において、左上の辺と左下の辺の接続部と、右上の辺と右下の辺の接続部との間には、直流電圧Ｅが供給される。これにより、ブリッジ回路の出力として、左上の辺と右上の辺の接続部と、左下の辺と右下の辺の接続部との間から、出力電圧ｅ０を得ることができる。
【0058】
ブリッジ接続は、筐体１０の内側で行ってもよいし、外側で行ってもよい。必要に応じ、筐体１０の内側にブリッジ接続を行うための配線基板を配置してもよい。
【0059】
【0060】
図６及び図７を参照すると、ひずみゲージ１００は、基材１１０と、抵抗体１３０と、配線１４０と、電極１５０と、カバー層１６０とを有している。すなわち、ひずみゲージ１００は、検出素子として抵抗体１３０を有している。カバー層１６０は、必要に応じて設けることができる。なお、図６及び図７では、便宜上、カバー層１６０の外縁のみを破線で示している。まずは、ひずみゲージ１００を構成する各部について詳細に説明する。
【0061】
なお、図６～図８を用いて行うひずみゲージの説明は、上面と下面の定義が他の図の場合とは異なる。具体的には、図６～図８では、便宜上、ひずみゲージ１００において、基材１１０の抵抗体１３０が設けられている側を「上側」と称し、抵抗体１３０が設けられていない側を「下側」と称する。又、各部位の上側に位置する面を「上面」と称し、各部位の下側に位置する面を「下面」と称する。ただし、ひずみゲージ１００は天地逆の状態で用いることもできる。又、ひずみゲージ１００は任意の角度で配置することもできる。又、平面視とは、基材１１０の上面１１０ａに対する上側から下側への法線方向で対象物を視ることを指すものとする。そして、平面形状とは、前記法線方向で対象物を視たときの、対象物の形状を指すものとする。ひずみゲージ１００は、基材１１０が起歪体２０の第２面２０ｎ側を向くように、起歪体２０の第２面２０ｎに貼り付けられる。
【0062】
基材１１０は、抵抗体１３０等を形成するためのベース層となる部材である。基材１１０は可撓性を有する。基材１１０の厚さは特に限定されず、ひずみゲージ１００の使用目的等に応じて適宜決定されてよい。例えば、基材１１０の厚さは５μｍ～５００μｍ程度であってよい。なお、起歪体２０の第２面２０ｎから受感部へのひずみの伝達性、及び、環境変化に対する寸法安定性の観点から考えると、基材１１０の厚さは５μｍ～２００μｍの範囲内であることが好ましい。また、絶縁性の観点から考えると、基材１１０の厚さは１０μｍ以上であることが好ましい。
【0063】
基材１１０は、例えば、ＰＩ（ポリイミド）樹脂、エポキシ樹脂、ＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン）樹脂、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）樹脂、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）樹脂、ＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）樹脂、ＬＣＰ（液晶ポリマー）樹脂、ポリオレフィン樹脂等の絶縁樹脂フィルムから形成される。なお、フィルムとは、厚さが５００μｍ以下程度であり、かつ可撓性を有する部材を指す。
【0064】
基材１１０が絶縁樹脂フィルムから形成される場合、当該絶縁樹脂フィルムには、フィラーや不純物等が含まれていてもよい。例えば、基材１１０は、シリカやアルミナ等のフィラーを含有する絶縁樹脂フィルムから形成されてもよい。
【0065】
基材１１０の樹脂以外の材料としては、例えば、ＳｉＯ２、ＺｒＯ２（ＹＳＺも含む）、Ｓｉ、Ｓｉ２Ｎ３、Ａｌ２Ｏ３（サファイヤも含む）、ＺｎＯ、ペロブスカイト系セラミックス（ＣａＴｉＯ３、ＢａＴｉＯ３）等の結晶性材料が挙げられる。又、前述の結晶性材料以外に非晶質のガラス等を基材１１０の材料としてもよい。又、基材１１０の材料として、アルミニウム、アルミニウム合金（ジュラルミン）、チタン等の金属を用いてもよい。金属製の基材１１０を用いる場合、上面１１０ａを被覆するように絶縁膜が設けられる。
【0066】
抵抗体１３０は、基材１１０の上側に所定のパターンで形成された薄膜である。ひずみゲージ１００において、抵抗体１３０は、ひずみを受けて抵抗変化を生じる受感部である。抵抗体１３０は、基材１１０の上面１１０ａに直接形成されてもよいし、基材１１０の上面１１０ａに他の層を介して形成されてもよい。なお、図６では、便宜上、抵抗体１３０を密度の高い梨地模様で示している。
【0067】
抵抗体１３０は、複数の細長状部が長手方向を同一方向（図６の例ではＢ－Ｂ線の方向）に向けて所定間隔で配置され、隣接する細長状部の端部が互い違いに連結されて、全体としてジグザグに折り返す構造である。複数の細長状部の長手方向がグリッド方向となり、グリッド方向と垂直な方向がグリッド幅方向（図６の例ではＢ－Ｂ線と垂直な方向）となる。
【0068】
グリッド幅方向の最も外側に位置する２つの細長状部の長手方向の一端部は、グリッド幅方向に屈曲し、抵抗体１３０のグリッド幅方向の各々の終端１３０ｅ１及び１３０ｅ２を形成する。抵抗体１３０のグリッド幅方向の各々の終端１３０ｅ１及び１３０ｅ２は、配線１４０を介して、電極１５０と電気的に接続されている。言い換えれば、配線１４０は、抵抗体１３０のグリッド幅方向の各々の終端１３０ｅ１及び１３０ｅ２と各々の電極１５０とを電気的に接続している。
【0069】
抵抗体１３０は、例えば、Ｃｒ（クロム）を含む材料、Ｎｉ（ニッケル）を含む材料、又はＣｒとＮｉの両方を含む材料から形成することができる。すなわち、抵抗体１３０は、ＣｒとＮｉの少なくとも一方を含む材料から形成することができる。Ｃｒを含む材料としては、例えば、Ｃｒ混相膜が挙げられる。Ｎｉを含む材料としては、例えば、Ｃｕ－Ｎｉ（銅ニッケル）が挙げられる。ＣｒとＮｉの両方を含む材料としては、例えば、Ｎｉ－Ｃｒ（ニッケルクロム）が挙げられる。
【0070】
ここで、Ｃｒ混相膜とは、Ｃｒ、ＣｒＮ、及びＣｒ２Ｎ等が混相した膜である。Ｃｒ混相膜は、酸化クロム等の不可避不純物を含んでいてもよい。
【0071】
抵抗体１３０の厚さは特に限定されず、ひずみゲージ１００の使用目的等に応じて適宜決定されてよい。例えば、抵抗体１３０の厚さは０．０５μｍ～２μｍ程度であってよい。特に、抵抗体１３０の厚さが０．１μｍ以上である場合、抵抗体１３０を構成する結晶の結晶性（例えば、α－Ｃｒの結晶性）が向上する。また、抵抗体１３０の厚さが１μｍ以下である場合、抵抗体１３０を構成する膜の内部応力に起因する、（i）膜のクラック及び（ii）膜の基材１１０からの反りが、低減される。
【0072】
横感度を生じ難くすることと、断線対策とを考慮すると、抵抗体１３０の幅は１０μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましい。更に言えば、抵抗体１３０の幅は１０μｍ以上７０μｍ以下であることが好ましく、１０μｍ以上５０μｍ以下であるとより好ましい。
【0073】
例えば、抵抗体１３０がＣｒ混相膜である場合、安定な結晶相であるα－Ｃｒ（アルファクロム）を主成分とすることで、ゲージ特性の安定性を向上させることができる。又例えば、抵抗体１３０がＣｒ混相膜である場合、抵抗体１３０がα－Ｃｒを主成分とすることで、ひずみゲージ１００のゲージ率を１０以上、かつゲージ率温度係数ＴＣＳ及び抵抗温度係数ＴＣＲを－１０００ｐｐｍ／℃～＋１０００ｐｐｍ／℃の範囲内とすることができる。ここで、「主成分」とは、抵抗体を構成する全物質の５０重量％以上を占める成分のことを意味する。ゲージ特性を向上させるという観点から考えると、抵抗体１３０はα－Ｃｒを８０重量％以上含むことが好ましい。更に言えば、同観点から考えると、抵抗体１３０はα－Ｃｒを９０重量％以上含むことがより好ましい。なお、α－Ｃｒは、ｂｃｃ構造（体心立方格子構造）のＣｒである。
【0074】
又、抵抗体１３０がＣｒ混相膜である場合、Ｃｒ混相膜に含まれるＣｒＮ及びＣｒ２Ｎは２０重量％以下であることが好ましい。Ｃｒ混相膜に含まれるＣｒＮ及びＣｒ２Ｎが２０重量％以下であることで、ひずみゲージ１００のゲージ率の低下を抑制することができる。
【0075】
又、Ｃｒ混相膜におけるＣｒＮとＣｒ２Ｎとの比率は、ＣｒＮとＣｒ２Ｎの重量の合計に対し、Ｃｒ２Ｎの割合が８０重量％以上９０重量％未満となるようにすることが好ましい。更に言えば、同比率は、ＣｒＮとＣｒ２Ｎの重量の合計に対し、Ｃｒ２Ｎの割合が９０重量％以上９５重量％未満となるようにすることがより好ましい。Ｃｒ２Ｎは半導体的な性質を有する。そのため、前述のＣｒ２Ｎの割合を９０重量％以上９５重量％未満とすることで、ＴＣＲの低下（負のＴＣＲ）が一層顕著となる。更に、前述のＣｒ２Ｎの割合を９０重量％以上９５重量％未満とすることで抵抗体１３０のセラミックス化を低減し、抵抗体１３０の脆性破壊が起こりにくくすることができる。
【0076】
一方で、ＣｒＮは化学的に安定であるという利点を有する。Ｃｒ混相膜にＣｒＮをより多く含むことで、不安定なＮが発生する可能性を低減することができるため、安定なひずみゲージを得ることができる。ここで「不安定なＮ」とは、Ｃｒ混相膜の膜中に存在し得る、微量のＮ２もしくは原子状のＮのことを意味する。これらの不安定なＮは、外的環境（例えば高温環境）によっては膜外へ抜け出ることがある。不安定なＮが膜外へ抜け出るときに、Ｃｒ混相膜の膜応力が変化し得る。
【0077】
ひずみゲージ１００において、抵抗体１３０の材料としてＣｒ混相膜を用いた場合、高感度化かつ、小型化を実現することができる。例えば、従来のひずみゲージの出力が０．０４ｍＶ／２Ｖ程度であったのに対して、抵抗体１３０の材料としてＣｒ混相膜を用いた場合は０．３ｍＶ／２Ｖ以上の出力を得ることができる。また、従来のひずみゲージの大きさ（ゲージ長×ゲージ幅）が３ｍｍ×３ｍｍ程度であったのに対して、抵抗体１３０の材料としてＣｒ混相膜を用いた場合の大きさ（ゲージ長×ゲージ幅）は０．３ｍｍ×０．３ｍｍ程度に小型化することができる。
【0078】
配線１４０は、基材１１０上に設けられている。配線１４０は、抵抗体１３０及び電極１５０と電気的に接続されている。配線１４０は、直線状には限定されず、任意のパターンとすることができる。また、配線１４０は、任意の幅及び任意の長さとすることができる。なお、図６では、便宜上、配線１４０を抵抗体１３０よりも密度の低い梨地模様で示している。
【0079】
電極１５０は、基材１１０上に設けられている。電極１５０は、配線１４０を介して抵抗体１３０と電気的に接続されている。電極１５０は、平面視において、配線１４０よりも拡幅して略矩形状に形成されている。電極１５０は、ひずみにより生じる抵抗体１３０の抵抗値の変化を外部に出力するための一対の電極である。電極１５０には、例えば外部接続用のリード線等が接合される。電極１５０の上面に、銅等の抵抗の低い金属層、または、金等のはんだ付け性が良好な金属層を積層してもよい。抵抗体１３０と配線１４０と電極１５０とは便宜上別符号としているが、両者は同一工程において同一材料により一体に形成することができる。なお、図６では、便宜上、電極１５０を配線１４０と同じ密度の梨地模様で示している。
【0080】
カバー層１６０（保護層）は、必要に応じ、基材１１０の上面１１０ａに、抵抗体１３０及び配線１４０を被覆し電極１５０を露出するように設けられる。カバー層１６０の材料としては、例えば、ＰＩ樹脂、エポキシ樹脂、ＰＥＥＫ樹脂、ＰＥＮ樹脂、ＰＥＴ樹脂、ＰＰＳ樹脂、複合樹脂（例えば、シリコーン樹脂、ポリオレフィン樹脂）等の絶縁樹脂が挙げられる。なお、カバー層１６０は、フィラーや顔料を含有しても構わない。カバー層１６０の厚さは、特に制限されず、目的に応じて適宜選択することができる。例えば、カバー層１６０の厚さは２μｍ～３０μｍ程度とすることができる。カバー層１６０を設けることで、抵抗体１３０に機械的な損傷等が生じることを抑制することができる。又、カバー層１６０を設けることで、抵抗体１３０を湿気等から保護することができる。
【0081】
［ひずみゲージ１００の製造方法］
本実施形態に係るひずみゲージ１００では、基材１１０上に、抵抗体１３０と、配線１４０と、電極１５０と、カバー層１６０とが形成される。なお、基材１１０とこれらの部材の層の間に別の層（後述する機能層等）が形成されてもよい。
本実施形態に係るひずみゲージ１００では、基材１１０上に、抵抗体１３０と、配線１４０と、電極１５０と、カバー層１６０とが形成される。なお、基材１１０とこれらの部材の層の間に別の層（後述する機能層等）が形成されてもよい。
【0082】
以下、ひずみゲージ１００の製造方法について説明する。ひずみゲージ１００を製造するためには、まず、基材１１０を準備し、基材１１０の上面１１０ａに金属層（便宜上、金属層Ａとする）を形成する。金属層Ａは、最終的にパターニングされて抵抗体１３０、配線１４０、及び電極１５０となる層である。従って、金属層Ａの材料や厚さは、前述の抵抗体１３０、配線１４０、及び電極１５０の材料や厚さと同様である。
【0083】
金属層Ａは、例えば、金属層Ａを形成可能な原料をターゲットとしたマグネトロンスパッタ法により成膜することができる。金属層Ａは、マグネトロンスパッタ法に代えて、反応性スパッタ法、蒸着法、アークイオンプレーティング法、またはパルスレーザー堆積法等を用いて成膜されてもよい。基材１１０の上面１１０ａに金属層Ａを成膜後、周知のフォトリソグラフィ法により、金属層Ａを図６の抵抗体１３０、配線１４０、及び電極１５０と同様の平面形状にパターニングする。
【0084】
なお、基材１１０の上面１１０ａに下地層を形成してから金属層Ａを形成してもよい。例えば、基材１１０の上面１１０ａに、所定の膜厚の機能層をコンベンショナルスパッタ法により真空成膜してもよい。このように下地層を設けることによって、ひずみゲージ１００のゲージ特性を安定化させることができる。
【0085】
本願において、機能層とは、少なくとも上層である金属層Ａ（抵抗体１３０）の結晶成長を促進する機能を有する層を指す。機能層は、更に、基材１１０に含まれる酸素または水分による金属層Ａの酸化を防止する機能、および／または、基材１１０と金属層Ａとの密着性を向上する機能を備えていることが好ましい。機能層は、更に、他の機能を備えていてもよい。
【0086】
基材１１０を構成する絶縁樹脂フィルムは酸素や水分を含むことがあり、また、Ｃｒは自己酸化膜を形成することがある。そのため、特に金属層ＡがＣｒを含む場合、金属層Ａの酸化を防止する機能を有する機能層を成膜することが好ましい。
【0087】
このように、金属層Ａの下層に機能層を設けることにより、金属層Ａの結晶成長を促進可能となり、安定な結晶相からなる金属層Ａを作製することができる。その結果、ひずみゲージ１００において、ゲージ特性の安定性が向上する。又、機能層を構成する材料が金属層Ａに拡散することにより、ひずみゲージ１００において、ゲージ特性が向上する。
【0088】
機能層の材料としては、例えば、Ｃｒ（クロム）、Ｔｉ（チタン）、Ｖ（バナジウム）、Ｎｂ（ニオブ）、Ｔａ（タンタル）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｙ（イットリウム）、Ｚｒ（ジルコニウム）、Ｈｆ（ハフニウム）、Ｓｉ（シリコン）、Ｃ（炭素）、Ｚｎ（亜鉛）、Ｃｕ（銅）、Ｂｉ（ビスマス）、Ｆｅ（鉄）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｗ（タングステン）、Ｒｕ（ルテニウム）、Ｒｈ（ロジウム）、Ｒｅ（レニウム）、Ｏｓ（オスミウム）、Ｉｒ（イリジウム）、Ｐｔ（白金）、Ｐｄ（パラジウム）、Ａｇ（銀）、Ａｕ（金）、Ｃｏ（コバルト）、Ｍｎ（マンガン）、Ａｌ（アルミニウム）からなる群から選択される１種又は複数種の金属、この群の何れかの金属の合金、又は、この群の何れかの金属の化合物が挙げられる。
【0089】
図８は、第１実施形態に係るひずみゲージを例示する断面図（その２）である。図８は、抵抗体１３０、配線１４０、及び電極１５０の下地層として機能層１２０を設けた場合のひずみゲージ１００の断面形状を示している。
【0090】
機能層１２０の平面形状は、例えば抵抗体１３０、配線１４０、及び電極１５０の平面形状と略同一にパターニングされてよい。しかしながら、機能層１２０と抵抗体１３０、配線１４０、及び電極１５０との平面形状は略同一でなくてもよい。例えば、機能層１２０が絶縁材料から形成される場合には、機能層１２０を抵抗体１３０、配線１４０、及び電極１５０の平面形状と異なる形状にパターニングしてもよい。この場合、機能層１２０は例えば抵抗体１３０、配線１４０、及び電極１５０が形成されている領域にベタ状に形成されてもよい。或いは、機能層１２０は、基材１１０の上面全体にベタ状に形成されてもよい。
【0091】
抵抗体１３０、配線１４０、及び電極１５０を形成した後、必要に応じ、基材１１０の上面１１０ａにカバー層１６０を形成する。カバー層１６０は抵抗体１３０及び配線１４０を被覆するが、電極１５０はカバー層１６０から露出していてよい。例えば、基材１１０の上面１１０ａに、抵抗体１３０及び配線１４０を被覆し電極１５０を露出するように、半硬化状態の熱硬化性の絶縁樹脂フィルムをラミネートして、その後に当該絶縁樹脂フィルムを加熱して硬化させることにより、カバー層１６０を形成することができる。以上の工程により、ひずみゲージ１００が完成する。
【0092】
以上、好ましい実施形態等について詳説した。しかしながら、本開示に係る脈波センサは、上述した実施形態および変形例等に限定されない。例えば、上述した実施形態等に係る脈波センサについて、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、種々の変形及び置換を加えることができる。
【0093】
例えば、上記の実施形態では、図１においてＬ、Ｃ、Ｒの各符号を付した引張ひずみを検出するひずみゲージ１００が配置される１つの梁２２４を設けた。しかし、図１においてＬ、Ｃ、Ｒの各符号を付した引張ひずみを検出するひずみゲージ１００に対して、Ｙ方向に延びる独立した３つの梁を設けてもよい。この場合には、図１においてＬの各符号を付した４つのひずみゲージ１００に対して１つのブリッジ回路、Ｃの各符号を付した４つのひずみゲージ１００に対して１つのブリッジ回路、Ｒの各符号を付した４つのひずみゲージ１００に対して１つのブリッジ回路を設けることにより、ひずみ量を検出することができる。
【0094】
また、負荷部２３は、３つには限定されず、２つ以上あればよい。もちろん、負荷部２３は、４つ以上でもよい。また、負荷部２３の配列は、一列には限定されず、複数列であってもよい。
【0095】
また、上記の実施形態では、脈波センサ１等が脈波を検出する例を示したが、脈波センサ１の検出対象は脈波には限定されない。脈波センサ１等は、例えば、脈圧、血圧、脈拍、酸素レベル等を検出対象とすることができる。
【符号の説明】
【0096】
１ 脈波センサ、１０ 筐体、２０ 起歪体、２０ｍ 第１面、２０ｎ 第２面、２１ 基部、２２１，２２２，２２３，２２４ 梁、２３１、２３２、２３３ 負荷部、２４ 延伸部、３０ 線材、１００Ｌ１，１００Ｌ２，１００Ｌ３，１００Ｌ４，１００Ｃ１，１００Ｃ２，１００Ｃ３，１００Ｃ４，１００Ｒ１，１００Ｒ２，１００Ｒ３，１００Ｒ４ ひずみゲージ、１１０ 基材、１１０ａ 上面、１３０ 抵抗体、１４０ 配線、１５０ 電極、１６０ カバー層、１３０ｅ１，１３０ｅ２ 終端
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】