特開 2024-130520 弾性波デバイス、及び、その製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024130520

(43)【公開日】2024-09-30

(54)【発明の名称】弾性波デバイス、及び、その製造方法

(51)【国際特許分類】

   H03H 9/25 20060101AFI20240920BHJP

   H03H 3/08 20060101ALI20240920BHJP

【ＦＩ】

H03H9/25 A

H03H3/08

【審査請求】未請求

【請求項の数】6

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023040301

(22)【出願日】2023-03-15

(71)【出願人】

【識別番号】518453730

【氏名又は名称】三安ジャパンテクノロジー株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100098202

【弁理士】

【氏名又は名称】中村 信彦

(72)【発明者】

【氏名】小田 康之

【テーマコード（参考）】

5J097

【Ｆターム（参考）】

5J097AA24

5J097AA25

5J097BB02

5J097BB11

5J097FF04

5J097HA04

5J097JJ04

5J097JJ06

5J097JJ09

5J097JJ10

5J097KK09

5J097KK10

(57)【要約】

【課題】デバイスチップとパッケージ基板との間の封止性、および、両者の機械的一体性を高く確保しつつ、熱を効率的に外部に逃がす。
【解決手段】第一封止部１０は、デバイスチップ３の一面３ａと側面３ｃとが接する隅部３ｄの近傍においてデバイスチップ３とパッケージ基板２との間を封止する周回状をなすと共に、側面３ｃの一部を覆う外側部分１０ａを有している。外側部分１０ａと側面３ｃとの間には、一方溝壁１２ａを外側部分１０ａとし且つ他方溝壁１２ｂを側面３ｃとした第一周回溝１２が形成されている。第二封止部１１を、デバイスチップ３の一面３ａに対向する他面３ｂの全体、側面３ｃのうち第一封止部１０の外側部分１０ａで覆われている部分以外の全体、及び、第一封止部１０の外側部分１０ａの表面の全体を被覆するように形成させている。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

一面を実装面としたパッケージ基板と、
一面にＩＤＴ電極を含む機能素子が形成されたデバイスチップとを、
前記パッケージ基板の前記実装面と前記デバイスチップの前記一面とを向き合わせた状態でバンプを介して接続させてなる弾性波デバイスであって、
樹脂製の第一封止部と、熱伝導率の高い材料よりなる第二封止部とを備えており、
前記第一封止部は、前記デバイスチップの前記一面と前記デバイスチップの厚さ方向に沿った側面とが接する隅部の近傍において前記デバイスチップと前記パッケージ基板との間を前記デバイスチップの全周に亘って封止する周回状をなすと共に、前記デバイスチップの前記側面の一部を覆う外側部分を有しており、
前記外側部分と前記デバイスチップの前記側面との間には、一方溝壁を前記外側部分とし且つ他方溝壁を前記側面として前記パッケージ基板の前記実装面側に向けて凹む第一周回溝が形成されていると共に、
前記第二封止部を、前記デバイスチップの前記一面に対向する他面の全体、前記デバイスチップの前記側面のうち前記第一封止部の前記外側部分で覆われている部分以外の全体、及び、前記第一封止部の前記外側部分の表面の全体を被覆するように形成させてなる、弾性波デバイス。

【請求項2】

前記第一封止部に、前記デバイスチップの前記一面と前記パッケージ基板の前記実装面との間に位置された内側部分を備えさせてなる、請求項１に記載の弾性波デバイス。

【請求項3】

前記第一封止部の前記外側部分における前記第一周回溝外の外壁部に、前記デバイスチップの前記側面側に向けて凹む第二周回溝を形成させてなる、請求項１に記載の弾性波デバイス。

【請求項4】

前記第一封止部の前記外側部分の前記外壁部に、前記パッケージ基板の前記実装面に直交する向きにおいて隣り合う前記第二周回溝との間に間隔を開けて二以上の前記第二周回溝を形成させてなる、請求項３に記載の弾性波デバイス。

【請求項5】

前記デバイスチップは、前記デバイスチップの前記一面に面一となる面であって前記一面の一部となる鍔一面と、この鍔一面に直交する面であって前記デバイスチップの前記側面の一部となる突き出し端面と、前記鍔一面に対向する鍔他面とを備えた周回鍔部を備えており、
この周回鍔部を前記第一封止部内に食い込ませるようにして前記第一封止部を形成させてなる、請求項１に記載の弾性波デバイス。

【請求項6】

請求項１乃至５のいずれか１項に記載の弾性波デバイスの製造方法であって、
前記パッケージ基板となる集合基板上に前記デバイスチップをフリップチップボンディングするステップと、
前記第一封止部を形成するステップと、
前記第二封止部を形成するステップとを含み、
前記第一封止部を形成するステップにおいては、前記第一封止部となる材料を粒子状にして所定の流動性を備えたものとし、これを前記第一封止部の形成予定領域に噴き付けて前記第一封止部を形成するようにしてなる、弾性波デバイスの製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

この発明は、モバイル通信機器などにおいて周波数フィルタなどとして使用されるのに適した弾性波デバイス、および、その製造方法の改良に関する。

【背景技術】

【0002】

ＣＳＰ（Chip Size Package）構造を有する弾性表面波(Surface Acoustic Wave/SAW)装置において、チップとフレーム構造体との間をジェットプリント構造体によってシーリングしたものとして、特許文献１に示されるものがある。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特表２００７－５３３４７５号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

この発明が解決しようとする主たる問題点は、ＣＳＰ構造を有する弾性波デバイスにおいて、デバイスチップとパッケージ基板との間の封止性、および、両者の機械的一体性を高く確保しつつ、弾性波デバイスへの信号の入力によりデバイスチップに生じる熱を効率的に外部に逃がすことが可能な新たな構造と、その製造方法を提供する点にある。

【課題を解決するための手段】

【0005】

前記課題を達成するために、この発明にあっては、第一の観点から、弾性波デバイスを、一面を実装面としたパッケージ基板と、
一面にＩＤＴ電極を含む機能素子が形成されたデバイスチップとを、
前記パッケージ基板の前記実装面と前記デバイスチップの前記一面とを向き合わせた状態でバンプを介して接続させてなる弾性波デバイスであって、
樹脂製の第一封止部と、熱伝導率の高い材料よりなる第二封止部とを備えており、
前記第一封止部は、前記デバイスチップの前記一面と前記デバイスチップの厚さ方向に沿った側面とが接する隅部の近傍において前記デバイスチップと前記パッケージ基板との間を前記デバイスチップの全周に亘って封止する周回状をなすと共に、前記デバイスチップの前記側面の一部を覆う外側部分を有しており、
前記外側部分と前記デバイスチップの前記側面との間には、一方溝壁を前記外側部分とし且つ他方溝壁を前記側面として前記パッケージ基板の前記実装面側に向けて凹む第一周回溝が形成されていると共に、
前記第二封止部を、前記デバイスチップの前記一面に対向する他面の全体、前記デバイスチップの前記側面のうち前記第一封止部の前記外側部分で覆われている部分以外の全体、及び、前記第一封止部の前記外側部分の表面の全体を被覆するように形成させてなる、ものとした。

【0006】

前記第一封止部に、前記デバイスチップの前記一面と前記パッケージ基板の前記実装面との間に位置された内側部分を備えさせるようにすることが、この発明の態様の一つとされる。

【0007】

また、前記第一封止部の前記外側部分における前記第一周回溝外の外壁部に、前記デバイスチップの前記側面側に向けて凹む第二周回溝を形成させるようにすることが、この発明の態様の一つとされる。
この場合さらに、前記第一封止部の前記外側部分の前記外壁部に、前記パッケージ基板の前記実装面に直交する向きにおいて隣り合う前記第二周回溝との間に間隔を開けて二以上の前記第二周回溝を形成させるようにすることが、この発明の態様の一つとされる。

【0008】

また、前記デバイスチップは、前記デバイスチップの前記一面に面一となる面であって前記一面の一部となる鍔一面と、この鍔一面に直交する面であって前記デバイスチップの前記側面の一部となる突き出し端面と、前記鍔一面に対向する鍔他面とを備えた周回鍔部を備えており、この周回鍔部を前記第一封止部内に食い込ませるようにして前記第一封止部を形成させることが、この発明の態様の一つとされる。

【0009】

また、前記課題を達成するために、この発明にあっては、第二の観点から、弾性波デバイスの製造方法を、前記弾性波デバイスの製造方法であって、
前記パッケージ基板上に前記デバイスチップをフリップチップボンディングするステップと、
前記第一封止部を形成するステップと、
前記第二封止部を形成するステップとを含み、
前記第一封止部を形成するステップにおいては、前記第一封止部となる材料を粒子状にして所定の流動性を備えたものとし、これを前記第一封止部の形成予定領域に噴き付けて前記第一封止部を形成するようにしてなる、ものとした。

【発明の効果】

【0010】

この発明にかかる弾性波デバイスによれば、第一に、前記第一封止部及び前記第二封止部によってデバイスチップとパッケージ基板との間の封止性を高く確保させることができる。また、第二に、デバイスチップの側面の一部を前記第一封止部の外側部分によって覆うことでデバイスチップとパッケージ基板との機械的一体性を高く確保させることができる。また、第三に、前記第二封止部が前記第一周回溝を利用して前記デバイスチップの側面の可及的に広い範囲を被覆するようにできると共に、この第一周回溝によって表面積を拡大させた第一封止部の表面を第二封止部によって被覆させることで、弾性波デバイスへの信号の入力によりデバイスチップに生じる熱を、第二封止部を通じて効率的に外部に逃がすことができる。
また、この発明のかかる弾性波デバイスの製造方法によれば、前記弾性波デバイスを適切且つ合理的に生成することができる。

【図面の簡単な説明】

【0011】

【図1】図１は、この発明の一実施の形態にかかる弾性波デバイス（第一例）の斜視構成図である。

【図2】図２は、前記第一例の断面構成図である。

【図3】図３は、前記第一例の断面構成図であり、図２のＡ－Ａ線位置で前記弾性波デバイスを断面にして示している。

【図4】図４は、前記第一例を構成するデバイスチップ上に形成される機能素子の一例を示した構成図である。

【図5】図５は、前記第一例のデバイスチップ上に形成される回路の一例を示した構成図である。

【図6】図６は、前記第一例の製造工程の要部を示した断面構成図である。

【図7】図７は、前記第一例の製造工程の要部を示した断面構成図である。

【図8】図８は、前記第一例の製造工程の要部を示した断面構成図である。

【図9】図９は、前記第一例の製造工程の要部を示した断面構成図である。

【図10】図１０は、前記第一例の製造工程の要部を示した断面構成図である。

【図11】図１１は、前記第一例の製造工程の要部を示した断面構成図である。

【図12】図１２は、この発明の一実施の形態にかかる弾性波デバイス（第二例）の断面構成図である。

【図13】図１３は、この発明の一実施の形態にかかる弾性波デバイス（第三例）の断面構成図である。

【発明を実施するための形態】

【0012】

以下、図１～図１３に基づいて、この発明の典型的な実施の形態について、説明する。この実施の形態にかかる弾性波デバイス１は、モバイル通信機器などにおいて周波数フィルタなどとして使用するのに適したものである。

【0013】

かかる弾性波デバイス１は、パッケージ基板２の一面としての実装面２ａに、ＩＤＴ電極を含む機能素子５、典型的には共振器５ａの形成された一面３ａを向き合わせて前記パッケージ基板２に実装されたデバイスチップ３を備えている。

【0014】

典型的には、前記デバイスチップ３は、一辺を０．５ないし１ｍｍとし、厚さを０．１５ないし０．２ｍｍとする四角形の板状をなすように構成される。また、前記パッケージ基板２は、一辺を０．７ないし３ｍｍとし、厚さを０．１５ないし０．２ｍｍとする四角形の板状をなすように構成される。弾性波デバイス１は厚さを０．４ないし０．６ｍｍ程度とする。

【0015】

その断面構造を図２に示す。図中符号３はデバイスチップ、符号３ａはその一面、符号３ｂは前記一面３ａに対向する他面、符号５は機能素子、符号４は金などの導電性金属からなるバンプである。デバイスチップ３とパッケージ基板２とはデバイスチップ３側の配線８に接続されたバンプパッド（図示は省略している。）とパッケージ基板２側の基板側配線２ｄに接続されたバンプパッド２ｂとの間に介在されて両者にそれぞれ固着されたる前記バンプ４によって電気的に接続されている。
前記バンプパッド２ｂ、３ｃとバンプ４はなじみの良い金属同士、典型的には金やアルミニウムから構成されて接合される。

【0016】

デバイスチップ３の一面３ａとパッケージ基板２の実装面２ａとの間には、前記バンプ４の厚さ（バンプ４の前記デバイスチップ３の一面３ａ及び実装面２ａに直交する向きの寸法）相当分のギャップ（間隔）が形成される。このようにパッケージ基板２にデバイスチップ３を実装させた後に形成される後述の第一封止部１０によってデバイスチップ３の縁側とパッケージ基板２の実装面２ａとの間はデバイスチップ３の全周に亘って塞がれており、これにより、弾性波デバイス１はキャビティ６（内部空間）を有し、デバイスチップ３の一面３ａにおける前記機能素子５の形成領域はこのキャビティ６に臨んでいる。

【0017】

パッケージ基板２における前記デバイスチップ３の実装側の実装面２ａと反対の他面には弾性波デバイス１を図示しないモジュール基板などに接続するための外部接続端子２ｃが形成される。

【0018】

デバイスチップ３は、弾性波を伝搬させる機能を持つ。デバイスチップ３には、典型的には、タンタル酸リチウムやニオブ酸リチウムなどの圧電体が用いられる。また、デバイスチップ３は、これら圧電体を、サファイア、シリコン、アルミナ、スピネル、水晶またはガラスなどの支持体に積層させて、構成される場合もある。

【0019】

デバイスチップ３の一面３ａには、導電性金属膜からなる前記機能素子５が形成されている。機能素子５は典型的にはデバイスチップ３上に複数個形成される。
機能素子５を構成する導電性金属膜の厚さ、すなわち、デバイスチップ３の一面３ａに直交する向きでの機能素子５を構成する導電性金属膜の厚さは、典型的には、０．１ないし０．５μｍの範囲とされる。
かかる導電性金属膜は、典型的には、フォトリソグラフィー法により形成される。

【0020】

図４にＳＡＷフィルタとなる共振器５ａの一例を示す。共振器５ａはＩＤＴ電極５ｂと、ＩＤＴ電極５ｂを挟むようにして形成される反射器５ｅとを有する。ＩＤＴ電極５ａは、電極対からなり、各電極対は弾性波の伝搬方向ｘに長さ方向を交叉させるように平行配列された複数の電極指５ｃ同士をこれらの一端側においてバスバー５ｄで接続させてなる。ＩＤＴ電極５ａに交流電圧を印加することにより弾性表面波が励振される。反射器５ｅは、弾性波の伝搬方向ｘに長さ方向を交叉させるように平行配列された複数の電極指５ｆの端部間をバスバー５ｇで接続させてなる。
また、かかる共振器５ａは、一つのデバイスチップ３上に、複数形成される場合もある。

【0021】

図５に一つのデバイスチップ３上に備えられる回路７の一例の概念を示す。符号５ａａは入出力ポート間に直列に接続された共振器５ａ、符号５ａｂは入出力ポート間に並列に接続された共振器５ａ、符号８は配線、符号９はグランドを示す。共振器５ａの数や配置は必要に応じて変更される。すなわち、図５の回路７によってラダー型フィルタが構成されるようになっている。

【0022】

この実施の形態にかかる弾性波デバイス１は、樹脂製の第一封止部１０と、金属やアルミナイトライドなどの熱伝導率の高い材料よりなる第二封止部１１とを備えている。

【0023】

前記第一封止部１０は、前記デバイスチップ３の前記一面３ａと前記デバイスチップ３の厚さ方向に沿った側面３ｃとが接する隅部３ｄの近傍において前記デバイスチップ３と前記パッケージ基板２との間を前記デバイスチップ３の全周に亘って封止する周回状をなすと共に、前記デバイスチップ３の前記側面３ｃの一部を覆う外側部分１０ａを有している。

【0024】

具体的には、第一封止部１０は、前記隅部３ｄ近傍において、前記デバイスチップ３の前記一面３ａと前記パッケージ基板２の前記実装面２ａとの間に位置された内側部分１０ｂと、この内側部分１０ｂの外側にあって、前記デバイスチップ３の前記側面３ｃのうち前記隅部３ｄ側に位置される箇所を覆う外側部分１０ａとを有している。
そして、第一封止部１０は、デバイスチップ３及びパッケージ基板２の中央を巡るように形成されており、デバイスチップ３をその一面３ａに直交する向きに見た状態において、機能素子５の形成領域を囲繞する四角形の枠状を呈している（図３参照）。

【0025】

また、前記外側部分１０ａと前記デバイスチップ３の前記側面３ｃとの間には、一方溝壁１２ａを前記外側部分１０ａとし且つ他方溝壁１２ｂを前記側面３ｃとして前記パッケージ基板２の前記実装面２ａ側に向けて凹む第一周回溝１２が形成されている。
具体的には、前記外側部分１０ａは、前記デバイスチップ３の前記一面３ａに直交する向きに断面にした状態において、前記デバイスチップ３の側面３ｃとの間に前記第一周回溝１２の溝幅相当分の間隔を開けた位置に頂部１０ｃを備えた山状の断面形状を持つように形成されている。そして、この断面形状によって、デバイスチップ３の側面３ｃとの間に前記第一周回溝１２を形成させるようになっている。
第一封止部１０は、前記デバイスチップ３の前記一面３ａに直交する向きの断面輪郭形状を、デバイスチップ３及びパッケージ基板２の中央を巡るいずれの位置においても、実質的に同一の形態とするように構成されている。

【0026】

前記第一封止部１０は、典型的には、エポキシ樹脂によって構成することができる。

【0027】

一方、前記第二封止部１１は、前記デバイスチップ３の前記一面３ａに対向する他面３ｂの全体、前記デバイスチップ３の前記側面３ｃのうち前記第一封止部１０の前記外側部分１０ａで覆われている部分以外の全体、及び、前記第一封止部１０の前記外側部分１０ａの表面の全体（実装面２ａと接する外側部分１０ａの基部以外の表面）を被覆するように形成されている。第二封止部１１は、前記の箇所を被覆する膜ないし層状をなす。

【0028】

すなわち、第二封止部１１は、前記第一周回溝１２内においても、外側部分１０ａによって構成される前記一方溝壁１２ａを被覆し、デバイスチップ３の側面３ｃによって構成される他方溝壁１２ｂを被覆し、さらに、外側部分１０ａによって構成される溝底１２ｃを被覆している。

【0029】

この実施の形態にかかる弾性波デバイスにあっては、第一に、前記第一封止部１０及び前記第二封止部１１によってデバイスチップ３とパッケージ基板２との間の封止性を高く確保させることができる。また、第二に、デバイスチップ３の側面３ｃの一部を前記第一封止部１０の外側部分１０ａによって覆うことでデバイスチップ３とパッケージ基板２との機械的一体性を高く確保させることができる。また、第三に、前記第二封止部１１が前記第一周回溝１２を利用して前記デバイスチップ３の側面３ｃの可及的に広い範囲を被覆するようにできると共に、この第一周回溝１２によって表面積を拡大させた第一封止部１０の表面を第二封止部１１によって被覆させることで、弾性波デバイスへの信号の入力によりデバイスチップ３に生じる熱を、第二封止部１１を通じて効率的に外部に逃がすことができる。

【0030】

また、この実施の形態にあっては、前記第一封止部１０の前記外側部分１０ａにおける前記第一周回溝１２外の外壁部１０ｅに、前記デバイスチップ３の前記側面３ｃ側に向けて凹む第二周回溝１３を形成させている。
図示の例では、前記第一封止部１０の前記外側部分１０ａの前記外壁部１０ｅに、前記パッケージ基板２の前記実装面２ａに直交する向きにおいて隣り合う前記第二周回溝１３との間に間隔を開けて二以上の前記第二周回溝１３を形成させている。
これにより、第二封止部１１によって被覆される第一封止部１０の表面積を拡大して前記熱を第二封止部１１を通じて一層外部に逃がしやすくしている。

【0031】

また、図示の例では、第一封止部１０は絶縁性を有すると共に、その第一封止部１０の外側を覆う第二封止部１１が第一封止部１０とパッケージ基板２の縁部との間でパッケージ基板２側に形成された基板側配線２ｄに接続されている。これにより、図示の例では、第二封止部１１と基板側配線２ｄとを通じた前記熱の放出経路も形成されようになっている。この基板側配線２ｄをグランドパターンとしてあっても良い。

【0032】

以上に説明した弾性波デバイス１は、以下の各ステップを含む製造方法によって、適切且つ合理的に製造することができる。

【0033】

先ず、パッケージ基板２となる集合基板１４上に設定される一つの弾性波デバイスを構成する領域ごとにそれぞれ、前記デバイスチップ３をフリップチップボンディングする（ステップ１、図６から図７）。より具体的には、前記領域ごとにそれぞれ形成されたパッケージ基板２側のバンプパッド２ｂにデバイスチップ３のバンプ４を固着させる。

【0034】

次いで、前記各領域毎に、前記第一封止部１０を形成する（ステップ２、図８ないし図１０）。
この前記第一封止部１０を形成するステップにおいては、前記第一封止部１０となる材料を粒子状にして所定の流動性を備えたものとし、これを前記第一封止部１０の形成予定領域に噴き付けて前記第一封止部１０を形成するようにする。
図示の例では、第一封止部１０となる材料は、インクジェット技術により噴き付け可能で、かつ、光、典型的には紫外線の照射により流動性を低下させ、さらに、一定の温度に加熱することで硬化する性質を備えたものを用いるようにしている。
そして、第一封止部１０を、第一封止部１０となる材料の三回に分けた前記噴き付けと、各噴き付け後の光の照射により、形成させるようにしている。
すなわち、先ず、図８に示されるように内側部分１０ｂと外側部分１０ａの一段目１０ｆを実装面２ａ上に形成させた後、光を照射してこの一段目１０ｆの流動性を低下させる。
次いで、図９に示されるように硬化した前記一段目１０ｆ上に、この一段目１０ｆとの間に前記第二周回溝１３を形成させるように外側部分１０ａの二段目１０ｇを形成させた後、光を照射してこの二段目１０ｇの流動性を低下させる。
次いで、図１０に示されるように硬化した前記二段目１０ｇ上に、この二段目１０ｇとの間に前記第二周回溝１３を形成し、かつ、デバイスチップ３の側面３ｃとの間に前記第一周回溝１２を形成させるように外側部分１０ａの三段目１０ｈを形成させた後、光を照射してこの三段目１０ｈの流動性を低下させる。
そして、この後、このように形成された第一封止部１０を一定の温度に加熱することで、第一封止部１０を硬化させるようにしている。
このように、第一封止部１０を多段階の前記噴き付けと光の照射とにより積み重ね状に形成すると共に、各段階での噴き付け量と噴き付け位置とを制御することで、前記第一封止部１０の前記外側部分１０ａにおける前記外壁部１０ｅに、一又は二以上の第二周回溝１３を容易に形成させることができる。

【0035】

次いで、前記第二封止部１１を形成する（ステップ３、図１１）。
第二封止部１１をニッケルなどの金属により構成する場合は、第二封止部１１は無電解メッキやスパッタによって形成できる。
第二封止部１１をアルミナイトライドにより構成する場合は、第二封止部１１はスパッタによって形成できる。

【0036】

この後、集合基板１４にダイシングを施して前記領域の数分の弾性波デバイス１を前記集合基板１４から生成する（ステップ４）。

【0037】

図１２は、以上に説明した弾性波デバイス１（第一例）の構成の一部を変更した第二例を示している。
この第二例では、前記デバイスチップ３は、前記デバイスチップ３は、前記一面３ａに面一となる面であって前記一面３ａの一部となる鍔一面３ｆと、この鍔一面３ｆに直交する面であって前記デバイスチップ３の前記側面３ｃの一部となる突き出し端面３ｇと、前記鍔一面３ｆに対向する鍔他面３ｈとを備えた周回鍔部３ｅを備えている。そして、この周回鍔部３ｅを前記第一封止部１０内に食い込ませるようにして前記第一封止部１０を形成させている。
図示の例では、周回鍔部３ｅの突き出し端面３ｇ側を第一封止部１０に食い込ませるようにして、周回鍔部３ｅ上に前記第一封止部１０を形成させており、第一周回溝１２の溝底１２ｃが周回鍔部３ｅの鍔他面３ｈによって形成されている。
このようにした場合、デバイスチップ３と第二封止部１１とを前記周回鍔部３ｅにおいても接触させることができ放熱性の向上に資すると共に、周回鍔部３ｅがいわばアンカーとして機能することからデバイスチップ３とパッケージ基板２との機械的一体性の向上も期待できる。
かかる周回鍔部３ｅは、デバイスチップ３となるウエハにハーフカットを施した後、このハーフカットにより形成された溝内においてウエハをダイシングすることで、形成可能である。

【0038】

図１３は、前記第二例における前記第一封止部１０の前記外側部分１０ａにおける前記外壁部１０ｅに、二以上の第二周回溝１３を形成させた第三例を示している。

【0039】

なお、当然のことながら、本発明は以上に説明した実施態様に限定されるものではなく、本発明の目的を達成し得るすべての実施態様を含むものである。

【符号の説明】

【0040】

１ 弾性波デバイス
２ パッケージ基板
２ａ 実装面
２ｂ バンプパッド
２ｃ 外部接続端子
２ｄ 基板側配線
３ デバイスチップ
３ａ 一面
３ｂ 他面
３ｃ 側面
３ｄ 隅部
３ｅ 周回鍔部
３ｆ 鍔一面
３ｇ 突き出し端面
３ｈ 鍔他面
４ バンプ
５ 機能素子
５ａ、５ａａ、５ａｂ 共振器
５ｂ ＩＤＴ電極
５ｃ 電極指
５ｄ バスバー
５ｅ 反射器
５ｆ 電極指
５ｇ バスバー
６ キャビティ
７ 回路
８ 配線
９ グランド
１０ 第一封止部
１０ａ 外側部分
１０ｂ 内側部分
１０ｃ 頂部
１０ｄ 基部
１０ｅ 外壁部
１０ｆ 一段目
１０ｇ 二段目
１０ｈ 三段目
１１ 第二封止部
１２ 第一周回溝
１２ａ 一方溝壁
１２ｂ 他方溝壁
１２ｃ 溝底
１３ 第二周回溝
１４ 集合基板
ｘ 伝搬方向

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】