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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024130756
(43)【公開日】2024-09-30
(54)【発明の名称】半導体装置
(51)【国際特許分類】
H01L 21/60 20060101AFI20240920BHJP
H01L 25/07 20060101ALI20240920BHJP
【ＦＩ】
H01L21/60 301A
H01L25/04 C
【審査請求】未請求
【請求項の数】6
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023040650
(22)【出願日】2023-03-15
(71)【出願人】
【識別番号】000005234
【氏名又は名称】富士電機株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110003177
【氏名又は名称】弁理士法人旺知国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】日向 裕一朗
(72)【発明者】
【氏名】金井 直之
【テーマコード（参考）】
5F044
【Ｆターム（参考）】
5F044AA02
5F044EE00
5F044FF05
5F044FF06
(57)【要約】
【課題】ボンディングワイヤの接合部に発生するひずみを低減できる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置の一態様は、半導体チップ２０と、半導体チップ２０に設けられた電極と電気的に接続されるボンディングワイヤと、半導体チップ２０の電極に接合された接続用基板９０と、を備え、接続用基板９０の熱膨張係数α１は、ボンディングワイヤの熱膨張係数α１と同じ、又は、ボンディングワイヤの熱膨張係数α１よりも所定値ｄ以下の範囲内の値であり、ボンディングワイヤでα１は接続用基板９０に接合され、接続用基板９０を通じて電極に導通する。
【選択図】図１
【解決手段】半導体装置の一態様は、半導体チップ２０と、半導体チップ２０に設けられた電極と電気的に接続されるボンディングワイヤと、半導体チップ２０の電極に接合された接続用基板９０と、を備え、接続用基板９０の熱膨張係数α１は、ボンディングワイヤの熱膨張係数α１と同じ、又は、ボンディングワイヤの熱膨張係数α１よりも所定値ｄ以下の範囲内の値であり、ボンディングワイヤでα１は接続用基板９０に接合され、接続用基板９０を通じて電極に導通する。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
半導体チップと、
前記半導体チップに設けられた電極と電気的に接続されるボンディングワイヤと、
前記半導体チップの前記電極に接合された接続用基板と、を備え、
前記接続用基板の熱膨張係数は、前記ボンディングワイヤの熱膨張係数と同じ、又は、前記ボンディングワイヤの熱膨張係数よりも所定値以下の範囲内の値であり、
前記ボンディングワイヤは、前記接続用基板に接合され、前記接続用基板を通じて前記電極に導通する、
半導体装置。
前記半導体チップに設けられた電極と電気的に接続されるボンディングワイヤと、
前記半導体チップの前記電極に接合された接続用基板と、を備え、
前記接続用基板の熱膨張係数は、前記ボンディングワイヤの熱膨張係数と同じ、又は、前記ボンディングワイヤの熱膨張係数よりも所定値以下の範囲内の値であり、
前記ボンディングワイヤは、前記接続用基板に接合され、前記接続用基板を通じて前記電極に導通する、
半導体装置。
【請求項2】
前記接続用基板と前記電極との接合部のせん断強度は、
前記ボンディングワイヤと前記電極とがワイヤボンディングされたときのワイヤボンディング接合部のせん断強度に比べて強い
請求項１に記載の半導体装置。
前記ボンディングワイヤと前記電極とがワイヤボンディングされたときのワイヤボンディング接合部のせん断強度に比べて強い
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項3】
前記半導体チップを搭載する絶縁配線基板と、
前記電極、及び前記絶縁配線基板を電気的に接続する板状の配線部材と、
を更に備え、
前記接続用基板と前記電極との接合に用いられる前記接合材料が、前記配線部材と前記電極との接合に用いられる接合材料と同じである
請求項２に記載の半導体装置。
前記電極、及び前記絶縁配線基板を電気的に接続する板状の配線部材と、
を更に備え、
前記接続用基板と前記電極との接合に用いられる前記接合材料が、前記配線部材と前記電極との接合に用いられる接合材料と同じである
請求項２に記載の半導体装置。
【請求項4】
前記接続用基板の熱伝導率が前記半導体チップを搭載する絶縁配線基板も低い
請求項１に記載の半導体装置。
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項5】
前記接続用基板は、
第１主面、及び第２主面を有し、前記第１主面及び前記第２主面の間を貫通する１つ以上のスルーホールが設けられた基板と、
前記第１主面に設けられ、前記ボンディングワイヤが接合される導電性の第１配線層と、
前記第２主面に設けられ、前記半導体チップの電極に接合される導電性の第２配線層と、
前記スルーホールの壁面に設けられ、前記第１配線層と前記第２配線層とを繋ぐ導電性の第３配線層と、
を含む、請求項１に記載の半導体装置。
第１主面、及び第２主面を有し、前記第１主面及び前記第２主面の間を貫通する１つ以上のスルーホールが設けられた基板と、
前記第１主面に設けられ、前記ボンディングワイヤが接合される導電性の第１配線層と、
前記第２主面に設けられ、前記半導体チップの電極に接合される導電性の第２配線層と、
前記スルーホールの壁面に設けられ、前記第１配線層と前記第２配線層とを繋ぐ導電性の第３配線層と、
を含む、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項6】
前記スルーホールの前記第１主面からみた開口形状が長孔形状である、
請求項５に記載の半導体装置。
請求項５に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、半導体装置に関する。
【背景技術】
【0002】
特許文献１には、半導体装置において、高温の負荷条件下で、電力半導体素子のＡｌワイヤ接合部に早期にクラックが発生し、従来から要求されていた寿命が得られないという課題が生じることが示されている。また、特許文献１には、Ａｌワイヤと電力半導体素子の中間の線膨張係数を有するバッファプレートを設けることにより、高温で熱膨張する際にＡｌワイヤの接合部に加わる応力を軽減することが示されている。
【0003】
特許文献２には、半導体素子に接続された枕部と、枕部に接続されたワイヤ部と、を有し、かつ、枕部の線膨張係数が、半導体素子の第１導電層の線膨張係数よりも小である半導体装置が示されており、この半導体装置によれば、ワイヤの剥離が抑制されることが示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開２０１１－２５３９５０号公報
【特許文献2】国際公開第２０２０／０５４６８８号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
特許文献１、及び特許文献２の技術においては、ボンディングワイヤと、当該ボンディングワイヤが接合される箇所との熱膨張係数の差が比較的大きい。このため、ボンディングワイヤの接合部におけるひずみの低減、及び当該ひずみに起因するクラックの発生を抑える点において更なる改善の余地がある。
【0006】
本開示は、ボンディングワイヤの接合部に発生するひずみを低減できる半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本開示の１つの態様に係る半導体装置は、半導体チップと、前記半導体チップに設けられた電極と電気的に接続されるボンディングワイヤと、前記半導体チップの前記電極に接合された接続用基板と、を備え、前記接続用基板の熱膨張係数は、前記ボンディングワイヤの熱膨張係数と同じ、又は、前記ボンディングワイヤの熱膨張係数よりも所定値以下の範囲内の値であり、前記ボンディングワイヤは、前記接続用基板に接合され、前記接続用基板を通じて前記電極に導通する。
【発明の効果】
【0008】
本開示の1つの態様によれば、ワイヤの接合部に発生するひずみを低減できる。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【図1】本開示の実施形態に係る半導体装置の構成の一例を模式的に示す断面図である。
【図2】半導体装置の構成の一例を模式的に示す平面図である。
【図3】接続用基板の構成の一例を模式的に示す断面図である。
【図4】接続用基板の構成の一例を模式的に示す平面図である。
【図5】接続用基板の有無による、第２ワイヤの接合部におけるひずみの違いを示す図である。
【図6】接続用基板に用いられる材料の例を示す図である
【図7】半導体装置の製造工程の一例を示すフローチャートである。
【図8】本開示の変形例１に係る接続用基板の構成の一例を模式的に示す平面図である。
【図9】本開示の変形例２に係る接続用基板を備えた半導体装置の一例を模式的に示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【0010】
本開示を実施するための形態について図面を参照して説明する。なお、各図面においては、各要素の寸法及び縮尺が実際の製品とは相違する場合がある。また、以下に説明する形態は、本開示を実施する場合に想定される例示的な一形態である。したがって、本開示の範囲は、以下に例示する形態に限定されない。
【0011】
１．実施形態
図１は本実施形態に係る半導体装置１の構成の一例を模式的に示す断面図であり、図２は半導体装置１の構成の一例を模式的に示す平面図である。
同図に示す半導体装置１は本開示の半導体装置の一例である。半導体装置１は、図１に示すように、第１主面１０Ａ、及び第２主面１０Ｂを有する板状の絶縁配線基板１０と、当該絶縁配線基板１０の第１主面１０Ａの側に設けられた半導体チップ２０と、第１主端子３０－１と、第２主端子３０－２と、制御端子４０と、を備える。第１主端子３０－１、第２主端子３０－２、及び制御端子４０は、それぞれ半導体チップ２０の互いに異なる電極に電気的に接続される端子であり、それぞれが半導体装置１の外部の回路に接続される。
図１は本実施形態に係る半導体装置１の構成の一例を模式的に示す断面図であり、図２は半導体装置１の構成の一例を模式的に示す平面図である。
同図に示す半導体装置１は本開示の半導体装置の一例である。半導体装置１は、図１に示すように、第１主面１０Ａ、及び第２主面１０Ｂを有する板状の絶縁配線基板１０と、当該絶縁配線基板１０の第１主面１０Ａの側に設けられた半導体チップ２０と、第１主端子３０－１と、第２主端子３０－２と、制御端子４０と、を備える。第１主端子３０－１、第２主端子３０－２、及び制御端子４０は、それぞれ半導体チップ２０の互いに異なる電極に電気的に接続される端子であり、それぞれが半導体装置１の外部の回路に接続される。
【0012】
以下の説明において、絶縁配線基板１０からみて半導体チップ２０が設けられている方向を「上」と定義し、その反対方向を「下」と定義する。また、「平面視」における平面は、上方から対象物を視た平面である。
【0013】
絶縁配線基板１０は、電気的絶縁性を有する板状の絶縁層１００を含み、この絶縁層１００の第１主面１０Ａ、及び第２主面１０Ｂのそれぞれに第１導電層１０１、及び第２導電層１０２が形成される。絶縁層１００としては、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）を主成分とする複合セラミックス、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）等を用いることができる。第１導電層１０１、及び第２導電層１０２は、それぞれ電気的な回路を構成するためのパターンを含み、第１導電層１０１、及び第２導電層１０２の主材には導電性、及び加工性に優れた材料が用いられる。この材料の例には、銅（Ｃｕ）、及びアルミニウム（Ａｌ）などの金属が挙げられる。
【0014】
第１導電層１０１は、図２に示すように、第１主端子３０－１が接続される第１パターン１０１Ｐ１と、半導体チップ２０、及び第２主端子３０－２が接続される第２パターン１０１Ｐ２と、制御端子４０が接続される第３パターン１０１Ｐ３と、を含む。本実施形態の半導体装置１は補助端子５０を更に備えており、第１導電層１０１は、補助端子５０が接続される第４パターン１０１Ｐ４を更に含む。
第１主端子３０－１、第２主端子３０－２、制御端子４０、及び補助端子５０と、対応するパターンとの接合にははんだ接合及び超音波接合やレーザー溶接等の適宜の接合手法が用いられる。また、第１主端子３０－１、第２主端子３０－２、制御端子４０、及び補助端子５０の形状、材料、及び製造方法については任意である。なお、図１では補助端子５０が省略されている。
第１主端子３０－１、第２主端子３０－２、制御端子４０、及び補助端子５０と、対応するパターンとの接合にははんだ接合及び超音波接合やレーザー溶接等の適宜の接合手法が用いられる。また、第１主端子３０－１、第２主端子３０－２、制御端子４０、及び補助端子５０の形状、材料、及び製造方法については任意である。なお、図１では補助端子５０が省略されている。
【0015】
図１に示すように、本実施形態の半導体チップ２０は、シリコン（Ｓｉ）、炭化珪素（ＳｉＣ）、又は、窒化ガリウム（ＧａＮ）などを主材とする平面視略矩形状、かつ、第１主面２０Ａ、及び第２主面２０Ｂを有する板状の電子部品である。図２に示すように、第１主面２０Ａには第１電極２０１、及び第３電極２０３の互いに異なる２つの電極が形成されている。また、図１に示すように、第２主面２０Ｂには第２電極２０２が形成されている。そして、第２主面２０Ｂが焼結材６０によって第２パターン１０１Ｐ２に接合される。焼結材６０は導電性を有する接合材料であり、当該焼結材６０を通じて半導体チップ２０の第２電極２０２と第２パターン１０１Ｐ２とが電気的に接続される。
【0016】
一方、半導体チップ２０において、図２に示すように、第１主面２０Ａの第１電極２０１が配線部材７０によって第１パターン１０１Ｐ１に電気的に接続され、第３電極２０３が第１ワイヤ８０－１によって第３パターン１０１Ｐ３に電気的に接続される。さらに、本実施形態の第１電極２０１は、上記第１パターン１０１Ｐ１の他に、第４パターン１０１Ｐ４に第２ワイヤ８０－２によって電気的に接続される。
【0017】
第１ワイヤ８０－１、及び、第２ワイヤ８０－２は、それぞれ、アルミニウム、及び銅などの金属を主材とするボンディングワイヤである。すなわち、第１ワイヤ８０－１の両端が、それぞれワイヤボンディングによって第３電極２０３、及び第３パターン１０１Ｐ３に接合される。また、第２ワイヤ８０－２の両端が、それぞれワイヤボンディングによって第１電極２０１、及び第４パターン１０１Ｐ４に接合される。なお、本実施形態において、第１電極２０１には接続用基板９０が焼結材６０によって接合されており、第２ワイヤ８０－２の一端部は当該接続用基板９０にワイヤボンディングによって接続される。接続用基板９０、及び焼結材６０については後に詳述する。
【0018】
配線部材７０は、第１電極２０１と第１パターン１０１Ｐ１との間を延びる略板状の導電性部材であり、少なくとも断面積がボンディングワイヤよりも大きな部材である。配線部材７０と第１パターン１０１Ｐ１、及び第１電極２０１との接合は、半導体チップ２０と第２パターン１０１Ｐ２との接合に用いられる焼結材６０を用いて行われる。
【0019】
配線部材７０はボンディングワイヤに比べて大きな電流を流すことが可能であるため、より大電流に適した半導体装置１が得られる。なお、配線部材７０の具体的な材料、及び形状は適宜であり、例えば、銅などの金属製の板状の部材などであってもよい。
【0020】
半導体チップ２０は、例えば、パワー半導体素子の１つであるＩＧＢＴ（ＩｎｓｕｌａｔｅｄＧａｔｅＢｉｐｏｌａｒＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ：絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）、又は、ＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor）、及び、ＢＪＴ（Bipolar junction transistor）などのスイッチング素子である。
以下では半導体チップ２０がＩＧＢＴである場合を説明する。この場合、第１電極２０１、及び第１主端子３０－１は、それぞれエミッタ電極、及びエミッタ端子に相当し、第２電極２０２、及び第２主端子３０－２は、それぞれコレクタ電極、及びコレクタ端子に相当する。また第３電極２０３、及び制御端子４０は、それぞれゲート電極、及びゲート端子に相当し、補助端子５０は補助エミッタ端子に相当する。そして、半導体装置１において、ゲート端子である制御端子４０へ印加される制御用の電圧が外部の回路によって制御されることにより、第１主端子３０－１（エミッタ端子）と第２主端子３０－２（コレクタ端子）との間の電流が制御される。
以下では半導体チップ２０がＩＧＢＴである場合を説明する。この場合、第１電極２０１、及び第１主端子３０－１は、それぞれエミッタ電極、及びエミッタ端子に相当し、第２電極２０２、及び第２主端子３０－２は、それぞれコレクタ電極、及びコレクタ端子に相当する。また第３電極２０３、及び制御端子４０は、それぞれゲート電極、及びゲート端子に相当し、補助端子５０は補助エミッタ端子に相当する。そして、半導体装置１において、ゲート端子である制御端子４０へ印加される制御用の電圧が外部の回路によって制御されることにより、第１主端子３０－１（エミッタ端子）と第２主端子３０－２（コレクタ端子）との間の電流が制御される。
【0021】
第１主端子３０－１（エミッタ端子）に流れる電流は比較的大きく、この電流による電圧降下の影響により、第１主端子３０－１（エミッタ端子）と制御端子４０との間に制御用の電圧を正確に印加することが難しい場合がある。この問題を解消するために補助端子５０が用いられる。補助端子５０は、上述の通り、第１主端子３０－１と同じ第１電極２０１（エミッタ電極）に接続されているが、補助端子５０に流れる電流は第１主端子３０－１（エミッタ端子）に流れる電流に比べて非常に小さい端子である。したがって、補助端子５０と制御端子４０との間に制御用の電圧を外部の機器によって印加することで、電圧降下の影響を受けずに当該制御用の電圧を正確に印加することができる。
【0022】
ところで、本実施形態の半導体装置１は、ベースとなる放熱器などの部材と、当該ベースの部材に組み付けられた枠体とを含むケースに収められることによりパワー半導体モジュールとしてモジュール化される。係るパワー半導体モジュールの用途の一例には、車両、及び産業機器などに搭載された電動機を駆動するインバータ回路が挙げられる。当該インバータ回路において、パワー半導体モジュールの制御端子４０には、オン／オフを繰り返すＰＷＭ（Pulse Width Modulation）信号が与えられる。そして、ＰＷＭ信号のデューティ比、及び周波数等を可変することによって第１主端子３０－１（エミッタ端子）、及び第２主端子３０－２（コレクタ端子）の間の電流のオン／オフが制御され、当該電流のオン／オフの制御によって電動機の回転数、及び加速度等が可変される。
【0023】
一方、パワー半導体モジュールに組み込まれた半導体装置１にあっては、第１主端子３０－１、及び第２主端子３０－２の間の電流のオン／オフに伴い、半導体チップ２０が自身の電気抵抗により発熱と冷却の熱サイクルを繰り返すことになる。したがって、半導体チップ２０の第１主面２０Ａの電極にボンディングワイヤがワイヤボンディングによって接合されている構成においては、熱サイクルにより、半導体チップ２０とボンディングワイヤの接合部との間の熱膨張係数の差によってひずみが生じる。このひずみに起因してボンディングワイヤの内部にクラックが進展し、最終的には断線することで半導体装置１が破壊に至ることがある。この結果、半導体チップ２０それ自身、及び、配線部材７０の接合部などが破壊される前にボンディングワイヤにおけるクラックの進展によって故障が生じることとなり、半導体装置１の寿命が想定寿命よりも短くなる可能性がある。
【0024】
また、パワー半導体モジュールについては、小型化、及び、冷却機構の簡素化などによる半導体装置１のコストダウンの要請などに起因して使用温度範囲が年々上昇しており、従前の使用温度範囲が１７５℃以下の温度域であるのに対し、近年の使用温度範囲は２００℃以上の温度域にまで達している。このため、半導体チップ２０における熱サイクルの温度差が大きくなり、半導体チップ２０とボンディングワイヤの接合部との間のひずみが増大するため、ボンディングワイヤにおけるクラックの発生の問題はより顕著なものとなる。
【0025】
この問題に対し、例えば、半導体チップ２０において、大電流が通電されない低発熱エリアを増やし、第１主面２０Ａの活性部の直上から外れた低発熱エリア上部に補助エミッタ電極を設け、当該補助エミッタ電極にボンディングワイヤを接合する、という手法が考え得る。しかしながら、低発熱エリアが半導体チップ２０に設けられることにより、半導体チップ２０のサイズ、及びコストが増大する、という新たな問題が生じる。
【0026】
そこで本実施形態の半導体装置１は、半導体チップ２０の発熱エリアに相当する第１電極２０１の中に、上述の接続用基板９０を接合し、当該接続用基板９０に、ワイヤボンディング部材である第２ワイヤ８０－２の一端部をワイヤボンディングすることにより、ボンディングワイヤにおけるクラックの発生を抑制している。
【0027】
なお、本実施形態の半導体装置１において、半導体チップ２０の第１主面２０Ａには、図２に示すように、第２ワイヤ８０－２の他にも、第１ワイヤ８０－１がワイヤボンディングされる。本実施形態の半導体チップ２０は、この第１ワイヤ８０－１が接合される第３電極２０３（本実施形態ではゲート電極）に相当するエリアが上述の低発熱エリアとなっており、このため、当該第１ワイヤ８０－１の接合部において発生するひずみは十分に抑えられている。
一方、発熱エリアに相当する第１電極２０１（本実施形態ではエミッタ電極）には、第２ワイヤ８０－２の他に配線部材７０も接合されている。しかしながら、配線部材７０の接合強度は第２ワイヤ８０－２の強度に比べて高いため、熱サイクルによって仮に配線部材７０の接合部に破壊が生じるとしても、この破壊よりも先に第２ワイヤ８０－２において破壊が生じる。したがって、半導体装置１の寿命の短縮化の解決には、配線部材７０よりも第２ワイヤ８０－２における破壊を抑えることが必要不可欠である。
一方、発熱エリアに相当する第１電極２０１（本実施形態ではエミッタ電極）には、第２ワイヤ８０－２の他に配線部材７０も接合されている。しかしながら、配線部材７０の接合強度は第２ワイヤ８０－２の強度に比べて高いため、熱サイクルによって仮に配線部材７０の接合部に破壊が生じるとしても、この破壊よりも先に第２ワイヤ８０－２において破壊が生じる。したがって、半導体装置１の寿命の短縮化の解決には、配線部材７０よりも第２ワイヤ８０－２における破壊を抑えることが必要不可欠である。
【0028】
［接続用基板９０：構造・特性］
図３は接続用基板９０の構成の一例を模式的に示す断面図であり、図４は接続用基板９０の構成の一例を模式的に示す平面図である。
接続用基板９０は、図３に示すように、第１主面９０Ａ、及び第２主面９０Ｂを有する板状であり、第１主面９０Ａに第２ワイヤ８０－２がワイヤボンディングによって接合され、また、第２主面９０Ｂが半導体チップ２０の第１電極２０１に焼結材６０によって接合される部材である。この接続用基板９０は、第１主面９０Ａと第２主面９０Ｂとが導通し、かつ、第１主面９０Ａと第２主面９０Ｂとの間を熱が伝わり難い構造を有する。加えて、接続用基板９０は、半導体チップ２０の動作時の高温度の範囲として想定される１００℃以上２００℃以下の範囲での熱膨張係数α１が、第２ワイヤ８０－２の熱膨張係数α２に応じた値、より具体的には、第２ワイヤ８０－２の熱膨張係数α２と同じ、又は、第２ワイヤ８０－２の熱膨張係数α２よりも所定値ｄ以下の範囲内の値となっている。
図３は接続用基板９０の構成の一例を模式的に示す断面図であり、図４は接続用基板９０の構成の一例を模式的に示す平面図である。
接続用基板９０は、図３に示すように、第１主面９０Ａ、及び第２主面９０Ｂを有する板状であり、第１主面９０Ａに第２ワイヤ８０－２がワイヤボンディングによって接合され、また、第２主面９０Ｂが半導体チップ２０の第１電極２０１に焼結材６０によって接合される部材である。この接続用基板９０は、第１主面９０Ａと第２主面９０Ｂとが導通し、かつ、第１主面９０Ａと第２主面９０Ｂとの間を熱が伝わり難い構造を有する。加えて、接続用基板９０は、半導体チップ２０の動作時の高温度の範囲として想定される１００℃以上２００℃以下の範囲での熱膨張係数α１が、第２ワイヤ８０－２の熱膨張係数α２に応じた値、より具体的には、第２ワイヤ８０－２の熱膨張係数α２と同じ、又は、第２ワイヤ８０－２の熱膨張係数α２よりも所定値ｄ以下の範囲内の値となっている。
【0029】
詳述すると、本実施形態の接続用基板９０は、図３に示すように、第１主面９０Ａ及び第２主面９０Ｂに亘って貫通する１つ以上のスルーホール９１０が設けられた第１基板９００と、この第１基板９００の第１主面９０Ａに設けられた導電性の第１配線層９１１と、第２主面９０Ｂに設けられた導電性の第２配線層９１２と、スルーホール９１０の壁面に設けられ、第１配線層９１１及び第２配線層９１２を導通させる導電性の第３配線層９１３と、を有する。
第１配線層９１１、第２配線層９１２、及び第３配線層９１３は、例えばめっき処理によって形成される。
第１配線層９１１、第２配線層９１２、及び第３配線層９１３は、例えばめっき処理によって形成される。
【0030】
第１基板９００は、絶縁配線基板１０よりも１０分の１以下の低い熱伝導率を有し、かつ、電気的絶縁性を有する板材である。絶縁配線基板１０の熱伝導率は、５Ｗ／ｍＫ以下とすることができる。本実施形態ではプリント基板が第１基板９００に用いられている。すなわち、第１基板９００は、低熱伝導率、及び電気的絶縁性を有する基材から成る絶縁板９０１と、この絶縁板９０１の第１主面、及び第２主面のそれぞれに、略全面を覆う大きさに設けられた金属箔９０２とを有する。プリント基板は、リジット基板及びフレキシブル基板のいずれもよく、また金属箔９０２は例えば銅箔である。
【0031】
接続用基板９０の第１主面９０Ａは、第２ワイヤ８０－２がワイヤボンディング可能な大きさ以上、かつ、半導体チップ２０の第１主面２０Ａのサイズ以内の大きさである。本実施形態では、第２ワイヤ８０－２の断面の直径が約３００μｍであり、第１主面９０Ａのサイズは短辺Ｌ１が約１ｍｍ、長辺Ｌ２が約２ｍｍとなっている。
係る第１主面９０Ａの第１配線層９１１には、図３に示すように、第２ワイヤ８０－２がワイヤボンディングによって接合され、また、第２配線層９１２には上述の焼結材６０によって半導体チップ２０の第１電極２０１に接合される。この接合により、第２ワイヤ８０－２と第１電極２０１とが、第１配線層９１１、第２配線層９１２、及び第３配線層９１３を通じて導通する。
係る第１主面９０Ａの第１配線層９１１には、図３に示すように、第２ワイヤ８０－２がワイヤボンディングによって接合され、また、第２配線層９１２には上述の焼結材６０によって半導体チップ２０の第１電極２０１に接合される。この接合により、第２ワイヤ８０－２と第１電極２０１とが、第１配線層９１１、第２配線層９１２、及び第３配線層９１３を通じて導通する。
【0032】
ここで、第２ワイヤ８０－２が接続用基板９０に接続された状態においては、第２ワイヤ８０－２と第１電極２０１との間に、半導体チップ２０よりも低い熱伝導率の第１基板９００が介在する。したがって、半導体チップ２０が発熱した場合でも、第２ワイヤ８０－２の接続用基板９０との接合部Ｐへ半導体チップ２０から熱が伝わり難くなる。
【0033】
一般に、第２ワイヤ８０－２の接続用基板９０との接合部Ｐに生じるひずみεは、当該接合部Ｐにおける温度変化ΔＴに比例し、また、第２ワイヤ８０－２の熱膨張係数α２と接続用基板９０の熱膨張係数α１との差である熱膨張係数差Δα（ただし、Δα＝α２－α１）にも比例することが知られている。
【0034】
したがって、半導体チップ２０から第２ワイヤ８０－２の接続用基板９０との接合部Ｐへの伝熱が抑えられることによって、当該接合部Ｐの温度変化ΔＴも抑えられるため、ひずみεが抑えられることになる。そして、ひずみεに起因した第２ワイヤ８０－２の接続用基板９０との接合部Ｐにおけるクラックの発生、及び半導体装置１の寿命の短縮が抑えられる。
【0035】
また、上述の通り、接続用基板９０の熱膨張係数α１は、熱膨張係数α２以下、かつ、（熱膨張係数α２－所定値ｄ）以上の範囲の値に設定されている。本実施形態において所定値ｄは約９ｐｐｍ／Ｋである。したがって、上述の熱膨張係数差Δαはゼロ以上、所定値ｄ以下という小さな値となるため、熱膨張係数差Δαが小さいことによってもひずみεが抑えられている。なお、所定値ｄは、製品に求められる寿命によって設定され、所定値ｄが小さい値ほど、ひずみを小さくできる。
【0036】
なお、本実施形態の接続用基板９０は、上述の通り、第１基板９００、第１配線層９１１、及び第２配線層９１２の積層構造体であるため、接続用基板９０の熱膨張係数α１は、例えば、特開２０２１-１５５０４５８号公報に記載されているように、線熱膨張係数の複合則（Turner, P.S. J. Research of the National Bureau of Standard 36, 239 1946）を用いて求められる。
【0037】
図５は、接続用基板９０の有無による、第２ワイヤ８０－２の接続用基板９０との接合部Ｐにおけるひずみεの違いを示す図である。
なお、接合部Ｐのひずみεは、第２ワイヤ８０－２、及び、当該第２ワイヤ８０－２が接合される部材のそれぞれの熱膨張係数に基づいて算出された値である。また、同図における温度変化ΔＴは、熱サイクルにおいて室温から高温まで変化させたときの接合部Ｐの温度変化であり、接続用基板９０の熱伝導率が０．４Ｗ／ｍＫであると仮定してシミュレーションによって得られた値である。このシミュレーション結果に示されるように、接続用基板９０が「有」の場合、「無」の場合に比べ接合部Ｐの温度が約１０℃以上低くなることが分かる。
なお、接合部Ｐのひずみεは、第２ワイヤ８０－２、及び、当該第２ワイヤ８０－２が接合される部材のそれぞれの熱膨張係数に基づいて算出された値である。また、同図における温度変化ΔＴは、熱サイクルにおいて室温から高温まで変化させたときの接合部Ｐの温度変化であり、接続用基板９０の熱伝導率が０．４Ｗ／ｍＫであると仮定してシミュレーションによって得られた値である。このシミュレーション結果に示されるように、接続用基板９０が「有」の場合、「無」の場合に比べ接合部Ｐの温度が約１０℃以上低くなることが分かる。
【0038】
また、図５において、第２ワイヤ８０－２の熱膨張係数α２は、一般的なアルミニウムワイヤの値である。第２ワイヤ８０－２が接合される部材の熱膨張係数は、接続用基板９０が「有」の場合、当該接続用基板９０の熱膨張係数α１であり、接続用基板９０が「無」の場合、半導体チップ２０の熱膨張係数α３である。熱膨張係数α３には、シリコン（Ｓｉ）の値が用いられている。接続用基板９０の熱膨張係数α３には、アルミニウム（Ａｌ）の値（＝２４）と、銅（Ｃｕ）の値（＝１５）とが用いられている。
【0039】
図５に示すように、接続用基板９０が「無」の場合、ひずみεは約０．２%に達する。
これに対して、接続用基板９０の熱膨張係数α１がアルミニウムの値、すなわち第２ワイヤ８０－２の熱膨張係数α２と概ね等しい場合、ひずみεは約０．００４％であり、「接続用基板９０」が「無」の場合に比べ非常に小さな値となる。したがって、この場合、接合部Ｐにおけるクラックは、接続用基板９０が「無」の場合に比べて非常に発生し難くなることが分かる。
これに対して、接続用基板９０の熱膨張係数α１がアルミニウムの値、すなわち第２ワイヤ８０－２の熱膨張係数α２と概ね等しい場合、ひずみεは約０．００４％であり、「接続用基板９０」が「無」の場合に比べ非常に小さな値となる。したがって、この場合、接合部Ｐにおけるクラックは、接続用基板９０が「無」の場合に比べて非常に発生し難くなることが分かる。
【0040】
また、接続用基板９０の熱膨張係数α１が銅の値、すなわち第２ワイヤ８０－２の熱膨張係数α２よりも約８～９ｐｐｍ／Ｋ以下の値の場合でも、ひずみεは約０．０８％程度に抑えられる。この値は、接続用基板９０が「無」の場合に比べて約３分の１であり十分に低い値である。したがって、第２ワイヤ８０－２の熱膨張係数α２と接続用基板９０の熱膨張係数α１の差、すなわち上記所定値ｄが約８～９ｐｐｍ／Ｋであっても、ひずみεが十分に抑えられ、クラックの発生が抑制されることが分かる。
【0041】
［接続用基板９０：材料例］
図６は、接続用基板９０に用いられる材料の２つの例を示す図である。
同図において、第１の例、及び第２の例は、いずれも、アルミニウム（Ａｌ）、及び銅（Ｃｕ）のいずれかに近い熱膨張係数α１を実現でき、第１基板９００の熱伝導率が上述の低い熱伝導率に相当し、なおかつ、第１基板９００が焼結材６０の焼結のための加圧、及び加熱に耐え得る材料の例である。
また第１の例は、接続用基板９０がフレキシブル基板のように柔軟性を有する例であり、第２の例は、接続用基板９０がリジット基板のように柔軟性を有さない例である。
第１の例、及び第２の例に示すように、第１配線層９１１、及び第２配線層９１２の主材には銅（Ｃｕ）やアルミニウム（Ａｌ）が用いられてもよく、また、第１基板９００には、フレキシブル基板に用いられるカプトン（登録商標）などのポリイミド材料、及びリジッド基板に用いられるガラスエポキシ系材料が用いられてもよい。
そして、第１の例、及び第２の例のいずれの材料の組み合わせにおいても、第１配線層９１１、第２配線層９１２、及び第１基板９００のそれぞれの厚みを調整することによって、接続用基板９０の熱膨張係数α３がアルミニウム、又は銅の値に近付けることができる。
図６は、接続用基板９０に用いられる材料の２つの例を示す図である。
同図において、第１の例、及び第２の例は、いずれも、アルミニウム（Ａｌ）、及び銅（Ｃｕ）のいずれかに近い熱膨張係数α１を実現でき、第１基板９００の熱伝導率が上述の低い熱伝導率に相当し、なおかつ、第１基板９００が焼結材６０の焼結のための加圧、及び加熱に耐え得る材料の例である。
また第１の例は、接続用基板９０がフレキシブル基板のように柔軟性を有する例であり、第２の例は、接続用基板９０がリジット基板のように柔軟性を有さない例である。
第１の例、及び第２の例に示すように、第１配線層９１１、及び第２配線層９１２の主材には銅（Ｃｕ）やアルミニウム（Ａｌ）が用いられてもよく、また、第１基板９００には、フレキシブル基板に用いられるカプトン（登録商標）などのポリイミド材料、及びリジッド基板に用いられるガラスエポキシ系材料が用いられてもよい。
そして、第１の例、及び第２の例のいずれの材料の組み合わせにおいても、第１配線層９１１、第２配線層９１２、及び第１基板９００のそれぞれの厚みを調整することによって、接続用基板９０の熱膨張係数α３がアルミニウム、又は銅の値に近付けることができる。
【0042】
［接続用基板９０：焼結材６０］
接続用基板９０と半導体チップ２０との接合には、上述の通り、導電性を有する焼結材６０が用いられる。この焼結材６０は、配線部材７０と第１電極２０１との接合に用いられる接合材料と同じである。したがって、製造工程においては、配線部材７０と半導体チップ２０との接合のための焼結材６０を塗布した後に、別の接合材材料を接続用基板９０の接合のために塗布する必要がなく、製造コストを抑えることができる。
接続用基板９０と半導体チップ２０との接合には、上述の通り、導電性を有する焼結材６０が用いられる。この焼結材６０は、配線部材７０と第１電極２０１との接合に用いられる接合材料と同じである。したがって、製造工程においては、配線部材７０と半導体チップ２０との接合のための焼結材６０を塗布した後に、別の接合材材料を接続用基板９０の接合のために塗布する必要がなく、製造コストを抑えることができる。
【0043】
ここで、接続用基板９０と半導体チップ２０との間のせん断強度が第２ワイヤ８０－２の接続用基板９０との接合部Ｐのせん断強度よりも弱い場合、接続用基板９０と半導体チップ２０の接合箇所が接合部Ｐよりも先に破壊されることがある。そこで、接続用基板９０と半導体チップ２０とは、第２ワイヤ８０－２と第１電極２０１とがワイヤボンディングされたときのワイヤボンディング接合部よりも強いせん断強度が得られる接合材料、より具体的には、焼結型の接合材料である焼結材６０を用いて接合される。焼結型の接合材料としては、例えば、銀粒子や銅粒子を主材とする材料が用いられる。これらのせん断強度（ＭＰａ）は、ＪＩＳ Ｚ ３１９８－７（チップ部品のはんだ継手せん断試験方法）に基づくシェア試験により測定できる。
【0044】
［半導体装置１の製造工程］
図７は半導体装置１の製造工程の一例を示すフローチャートである。
同図に示すように、先ず、絶縁配線基板１０を製造装置のステージにセットし（ステップＳａ１）、絶縁配線基板１０の第１主面１０Ａの第１パターン１０１Ｐ１および第２パターン１０１Ｐ２上に接合材を塗布によって搭載する（ステップＳａ２）。本実施形態において、この接合材は焼結材６０である。第１パターン１０１Ｐ１上の焼結材６０と第２パターン１０１Ｐ２上の焼結材６０は同じ材料であってよい。次いで、この接合材の上に半導体チップ２０を搭載する（ステップＳａ３）。
図７は半導体装置１の製造工程の一例を示すフローチャートである。
同図に示すように、先ず、絶縁配線基板１０を製造装置のステージにセットし（ステップＳａ１）、絶縁配線基板１０の第１主面１０Ａの第１パターン１０１Ｐ１および第２パターン１０１Ｐ２上に接合材を塗布によって搭載する（ステップＳａ２）。本実施形態において、この接合材は焼結材６０である。第１パターン１０１Ｐ１上の焼結材６０と第２パターン１０１Ｐ２上の焼結材６０は同じ材料であってよい。次いで、この接合材の上に半導体チップ２０を搭載する（ステップＳａ３）。
【0045】
次に、半導体チップ２０の第１主面１０Ａに接合材を塗布により搭載する（ステップＳａ４）。本実施形態において、この接合材は焼結材６０である。この焼結材６０は、第１パターン１０１Ｐ１上の焼結材６０および第２パターン１０１Ｐ２上の焼結材６０とは異なる材料であってよい。次いで、この焼結材の上に配線部材７０を搭載し（ステップＳａ５）、また、この焼結材の上に接続用基板９０を搭載する（ステップＳａ６）。このように、配線部材７０と半導体チップ２０との接合、及び、接続用基板９０と半導体チップ２０との接合のそれぞれに同じ焼結材６０が用いられるため、ステップＳａ６において、ステップＳａ５とは別に接合材料を塗布する必要がない。
【0046】
次いで、半導体チップ２０などが搭載された絶縁配線基板１０を加熱炉に入れて加熱することにより、接合材である焼結材６０を焼結させ、接合材に搭載されている各部材を接合する（ステップＳａ７）。次に、第２ワイヤ８０－２の両端をワイヤボンディングにより、接続用基板９０、及び、絶縁配線基板１０の第４パターン１０１Ｐ４にそれぞれ接合する（ステップＳａ８）。
その後、第１主端子３０－１、第２主端子３０－２、制御端子４０、及び補助端子５０などの各種の端子を、例えば超音波接合、及びはんだ接合などにより絶縁配線基板１０に接合する（ステップＳａ９）。
その後、第１主端子３０－１、第２主端子３０－２、制御端子４０、及び補助端子５０などの各種の端子を、例えば超音波接合、及びはんだ接合などにより絶縁配線基板１０に接合する（ステップＳａ９）。
【0047】
以上説明したように、本実施形態の半導体装置１は、半導体チップ２０と、半導体チップ２０に設けられた第１電極２０１と電気的に接続される第２ワイヤ８０－２と、半導体チップ２０の第１電極２０１に接合された接続用基板９０と、を備える。そして、接続用基板９０の熱膨張係数α１は、第２ワイヤ８０－２の熱膨張係数α２と同じ、又は、第２ワイヤ８０－２の熱膨張係数α２よりも所定値ｄ以下の範囲内の値であり、第２ワイヤ８０－２は、接続用基板９０に接合され、この接続用基板９０を通じて第１電極２０１に導通する。
この構成によれば、接続用基板９０の熱膨張係数α１が第２ワイヤ８０－２と同じ、又は所定値ｄの範囲内であるため、半導体チップ２０の熱サイクルにおいて発生するひずみεが抑えられ、当該ひずみεに起因したクラックの発生が抑えられる。
この構成によれば、接続用基板９０の熱膨張係数α１が第２ワイヤ８０－２と同じ、又は所定値ｄの範囲内であるため、半導体チップ２０の熱サイクルにおいて発生するひずみεが抑えられ、当該ひずみεに起因したクラックの発生が抑えられる。
【0048】
本実施形態の半導体装置１において、接続用基板９０と第１電極２０１とのせん断強度は、第２ワイヤ８０－２と第１電極２０１とがワイヤボンディングされたときのワイヤボンディング接合部のせん断強度よりも強い。
この構成によれば、第２ワイヤ８０－２の接続用基板９０との接合部Ｐよりも先に接続用基板９０と第１電極２０１の接合箇所にクラックなどの破壊が生じることを確実に防止できる。
この構成によれば、第２ワイヤ８０－２の接続用基板９０との接合部Ｐよりも先に接続用基板９０と第１電極２０１の接合箇所にクラックなどの破壊が生じることを確実に防止できる。
【0049】
本実施形態の半導体装置１において、半導体チップ２０を搭載する絶縁配線基板１０と、第１電極２０１、及び絶縁配線基板１０を電気的に接続する板状の配線部材７０と、を更に備え、接続用基板９０と第１電極２０１との接合に用いられる接合材料が、配線部材７０と第１電極２０１との接合に用いられる接合材料と同じである。
この構成によれば、配線部材７０と半導体チップ２０との接合のための接合材料を半導体チップ２０に塗布した後に、当該塗布とは別の接合材材料を、接続用基板９０の接合のために塗布する必要がなく、製造コストを抑えることができる。
この構成によれば、配線部材７０と半導体チップ２０との接合のための接合材料を半導体チップ２０に塗布した後に、当該塗布とは別の接合材材料を、接続用基板９０の接合のために塗布する必要がなく、製造コストを抑えることができる。
【0050】
本実施形態の半導体装置１において、接続用基板９０の熱伝導率は半導体チップ２０よりも低い。
この構成によれば、第２ワイヤ８０－２と第１電極２０１との間に半導体チップ２０よりも低い熱伝導率の接続用基板９０が介在する。したがって、半導体チップ２０が発熱した場合でも、第２ワイヤ８０－２の接続用基板９０との接合部Ｐへ半導体チップ２０から熱が伝わり難くなり、当該接合部Ｐで発生するひずみεが抑えられる。
この構成によれば、第２ワイヤ８０－２と第１電極２０１との間に半導体チップ２０よりも低い熱伝導率の接続用基板９０が介在する。したがって、半導体チップ２０が発熱した場合でも、第２ワイヤ８０－２の接続用基板９０との接合部Ｐへ半導体チップ２０から熱が伝わり難くなり、当該接合部Ｐで発生するひずみεが抑えられる。
【0051】
本実施形態の半導体装置１において、接続用基板９０は、第１主面９０Ａ、及び第２主面９０Ｂを有し、第１主面９０Ａ及び第２主面９０Ｂに亘って貫通する１つ以上のスルーホールが設けられた第１基板９００と、第１主面９０Ａに設けられ、第２ワイヤ８０－２が接合される導電性の第１配線層９１１と、第２主面９０Ｂに設けられ、半導体チップ２０の第１電極２０１に接合される導電性の第２配線層９１２と、スルーホール９１０の壁面に設けられ、第１配線層９１１と第２配線層９１２とを導通させる導電性の第３配線層９１３と、を含む。
この構成によれば、第１主面９０Ａと第２主面９０Ｂの導通をスルーホール９１０によって確保しつつ、絶縁板９０１により第２主面９０Ｂから第１主面９０Ａ側への熱伝導を抑制することにより、第２ワイヤ８０－２と第１主面９０Ａとの接合部Ｐの温度上昇が抑えられる。また、第１基板９００、第１配線層９１１、及び第２配線層９１２のそれぞれの主材、及び厚みなどを変えることで、接続用基板９０の電気的絶縁性や熱伝導率、熱膨張係数α１を調整できる。
この構成によれば、第１主面９０Ａと第２主面９０Ｂの導通をスルーホール９１０によって確保しつつ、絶縁板９０１により第２主面９０Ｂから第１主面９０Ａ側への熱伝導を抑制することにより、第２ワイヤ８０－２と第１主面９０Ａとの接合部Ｐの温度上昇が抑えられる。また、第１基板９００、第１配線層９１１、及び第２配線層９１２のそれぞれの主材、及び厚みなどを変えることで、接続用基板９０の電気的絶縁性や熱伝導率、熱膨張係数α１を調整できる。
【0052】
２．変形例
以上に例示した実施形態に付加される変形の形態を以下に例示する。以下の例示から任意に選択された２以上の形態を、相互に矛盾しない範囲で適宜に併合してもよい。
以上に例示した実施形態に付加される変形の形態を以下に例示する。以下の例示から任意に選択された２以上の形態を、相互に矛盾しない範囲で適宜に併合してもよい。
【0053】
（変形例１）
図８は、変形例１に係る接続用基板９０の構成の一例を模式的に示す平面図である。
接続用基板９０における１つ以上のスルーホール９１０は、第１主面９０Ａからみた開口形状が前掲図４に示す円形ではなく、図８に示すように長孔形状でもよい。
図８は、変形例１に係る接続用基板９０の構成の一例を模式的に示す平面図である。
接続用基板９０における１つ以上のスルーホール９１０は、第１主面９０Ａからみた開口形状が前掲図４に示す円形ではなく、図８に示すように長孔形状でもよい。
【0054】
（変形例２）
接続用基板９０は、図９に示すように、半導体チップ２０の第１主面２０Ａに設けられた第１電極２０１、及び第３電極２０３の両方を覆う形状（すなわち、複数の電極を覆う形状）であり、第１電極２０１と導通する第２ワイヤ８０－２、及び第３電極２０３と導通する第１ワイヤ８０－１の両方が接続用基板９０に接合されてもよい。
より具体的には、接続用基板９０の第１主面９０Ａの第１配線層９１１には、第１電極２０１と導通する第１領域９０２－１と、第３電極２０３と導通する第２領域９０２－２とを電気的に分離するための分離領域９４０が設けられる。分離領域９４０は例えば、第１配線層９１１を除去することによって形成される。また、図示を省略するが、第２主面９０Ｂの第２配線層９１２にも同様に、第１電極２０１と導通する領域と、第３電極２０３と導通する領域とが分離領域によって分離されている。
そして、第１主面９０Ａにおいて、第１領域９０２－１には第２ワイヤ８０－２が接合され、第２領域９０２－２には第１ワイヤ８０－１が接合される。
なお、半導体チップ２０の第１主面２０Ａに、例えば温度などの状態検出のためのボンディングワイヤが導通する他の電極が更に設けられる場合には、接続用基板９０が、その電極も更に覆う形状とし、当該電極に対応する第３領域９０２－３が更に設けられてもよい。
接続用基板９０は、図９に示すように、半導体チップ２０の第１主面２０Ａに設けられた第１電極２０１、及び第３電極２０３の両方を覆う形状（すなわち、複数の電極を覆う形状）であり、第１電極２０１と導通する第２ワイヤ８０－２、及び第３電極２０３と導通する第１ワイヤ８０－１の両方が接続用基板９０に接合されてもよい。
より具体的には、接続用基板９０の第１主面９０Ａの第１配線層９１１には、第１電極２０１と導通する第１領域９０２－１と、第３電極２０３と導通する第２領域９０２－２とを電気的に分離するための分離領域９４０が設けられる。分離領域９４０は例えば、第１配線層９１１を除去することによって形成される。また、図示を省略するが、第２主面９０Ｂの第２配線層９１２にも同様に、第１電極２０１と導通する領域と、第３電極２０３と導通する領域とが分離領域によって分離されている。
そして、第１主面９０Ａにおいて、第１領域９０２－１には第２ワイヤ８０－２が接合され、第２領域９０２－２には第１ワイヤ８０－１が接合される。
なお、半導体チップ２０の第１主面２０Ａに、例えば温度などの状態検出のためのボンディングワイヤが導通する他の電極が更に設けられる場合には、接続用基板９０が、その電極も更に覆う形状とし、当該電極に対応する第３領域９０２－３が更に設けられてもよい。
【0055】
本変形例によれば、半導体チップ２０に電気的に接続される複数のボンディングワイヤのそれぞれについて、半導体チップ２０の熱サイクルに起因して発生するひずみが抑えられ、また、ひずみに起因するクラックの発生が抑えられる。
【0056】
（変形例３）
接続用基板９０と半導体チップ２０との接合に用いられる接合材料は、必ずしも、半導体チップ２０と配線部材７０との接合に用いられる接合材料と同じである必要はない。
また、接続用基板９０と半導体チップ２０との接合に用いられる接合材料は焼結材に限らない。すなわち、接合材料は、導電性を有し、かつ、ボンディングワイヤと半導体チップ２０とがワイヤボンディングされたときのワイヤボンディング接合部よりも強いせん断強度が得られる材料であれば、例えば、金属接着剤、及び樹脂材の被覆などでせん断強度が補強されたはんだ等でもよい。
接続用基板９０と半導体チップ２０との接合に用いられる接合材料は、必ずしも、半導体チップ２０と配線部材７０との接合に用いられる接合材料と同じである必要はない。
また、接続用基板９０と半導体チップ２０との接合に用いられる接合材料は焼結材に限らない。すなわち、接合材料は、導電性を有し、かつ、ボンディングワイヤと半導体チップ２０とがワイヤボンディングされたときのワイヤボンディング接合部よりも強いせん断強度が得られる材料であれば、例えば、金属接着剤、及び樹脂材の被覆などでせん断強度が補強されたはんだ等でもよい。
【符号の説明】
【0057】
１…半導体装置、１０…絶縁配線基板、２０…半導体チップ、６０…焼結材（接合材料）、７０…配線部材、８０－１…第１ワイヤ（ボンディングワイヤ）、８０－２…第２ワイヤ（ボンディングワイヤ）、９０…接続用基板、２０１…第１電極、２０２…第２電極、２０３…第３電極、９１０…スルーホール、９１１…第１配線層、９１２…第２配線層、９１３…第３配線層、Ｐ…接合部、ｄ…所定値、α１、α２、α３…熱膨張係数。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】