特開 2024-130805 積層型電子部品

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024130805

(43)【公開日】2024-09-30

(54)【発明の名称】積層型電子部品

(51)【国際特許分類】

   H03H 7/075 20060101AFI20240920BHJP

   H01F 27/00 20060101ALI20240920BHJP

   H01F 17/00 20060101ALI20240920BHJP

【ＦＩ】

H03H7/075 Z

H01F27/00 S

H01F17/00 C

【審査請求】未請求

【請求項の数】12

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023040710

(22)【出願日】2023-03-15

(71)【出願人】

【識別番号】000003067

【氏名又は名称】ＴＤＫ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110004185

【氏名又は名称】インフォート弁理士法人

(74)【代理人】

【識別番号】110002907

【氏名又は名称】弁理士法人イトーシン国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】易 龍飛

【テーマコード（参考）】

5E070

5J024

【Ｆターム（参考）】

5E070AA05

5E070AB07

5E070CB13

5E070CB17

5E070DB08

5J024AA01

5J024BA11

5J024BA18

5J024CA02

5J024CA03

5J024CA04

5J024CA09

5J024DA04

5J024DA25

5J024DA29

5J024DA31

5J024DA33

5J024DA34

5J024DA35

5J024EA01

5J024EA02

5J024EA03

5J024KA03

(57)【要約】

【課題】通過帯域に近い周波数領域に発生させた減衰極を、他の特性に影響を与えることなく制御する。
【解決手段】電子部品１は、共振器２０と、積層された複数の誘電体層と、複数の導体とを含む積層体５０とを備えている。複数の導体は、共振器２０を構成するための導体層７０２と、減衰極を形成するための導体群とを含んでいる。導体層７０２は、第１の端部Ｅ１と、第２の端部Ｅ２とを有している。導体群は、第１の端部Ｅ１と第２の端部Ｅ２との間において導体層７０２に接続されると共に、インダクタＬ４１を構成するためのインダクタ用導体と、キャパシタＣ４１を構成するためのキャパシタ用導体とを含んでいる。
【選択図】図１０

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１の信号端子と、
第２の信号端子と、
回路構成上、前記第１の信号端子と前記第２の信号端子との間に設けられた共振器と、
前記第１の信号端子、前記第２の信号端子および前記共振器を一体化するための積層体であって、積層された複数の誘電体層と、複数の導体とを含む積層体とを備え、
前記複数の導体は、前記共振器を構成するための共振器用導体層と、前記第１の信号端子と前記第２の信号端子との間の通過減衰特性において減衰極を形成するための導体群とを含み、
前記共振器用導体層は、回路構成上前記第１の信号端子に最も近い第１の端部と、回路構成上前記第２の信号端子に最も近い第２の端部とを有し、
前記導体群は、前記第１の端部と前記第２の端部との間において前記共振器用導体層に接続されると共に、インダクタを構成するためのインダクタ用導体と、キャパシタを構成するためのキャパシタ用導体とを含むことを特徴とする積層型電子部品。

【請求項2】

前記導体群は、回路構成上、前記第１の端部と前記第２の端部とを接続する経路とグランドとの間に設けられていることを特徴とする請求項１記載の積層型電子部品。

【請求項3】

前記共振器は、直列に接続された第１の部分および第２の部分を含み、
前記導体群は、前記第１の部分と前記第２の部分との接続点に接続されていることを特徴とする請求項１記載の積層型電子部品。

【請求項4】

前記共振器用導体層は、前記第１の端部を含む第１の領域と、前記第２の端部を含む第２の領域と、前記共振器用導体層の長手方向において前記第１の領域と前記第２の領域との間に配置された中央領域とを含み、
前記導体群は、前記中央領域に接続されていることを特徴とする請求項１記載の積層型電子部品。

【請求項5】

前記インダクタ用導体は、前記キャパシタ用導体に電気的に接続されていると共に、回路構成上、前記第１の端部と前記第２の端部とを接続する経路と前記キャパシタ用導体との間に設けられていることを特徴とする請求項１記載の積層型電子部品。

【請求項6】

前記インダクタ用導体は、複数の導体層と、前記複数の導体層を直列に接続するための複数のスルーホールとを含み、
前記複数の導体層の各々は、前記複数のスルーホールが接続される接続部分と、線路部分とを含み、
前記複数の導体層は、前記複数の誘電体層の積層方向において隣接する２つの導体層を含み、
前記２つの導体層は、前記積層方向から見たときに、前記２つの導体層の一方の前記線路部分と前記２つの導体層の他方の前記線路部分とが互いに重ならないように配置されていることを特徴とする請求項１記載の積層型電子部品。

【請求項7】

前記２つの導体層の一方の前記線路部分と前記２つの導体層の他方の前記線路部分は、互いに対称な形状を有していることを特徴とする請求項６記載の積層型電子部品。

【請求項8】

前記複数の導体は、更に、前記共振器を構成するための２つのスルーホール列であって、それぞれ複数のスルーホールが直列に接続されることによって構成されたスルーホール列を含み、
前記２つのスルーホール列の各々の一端は、前記共振器用導体層に電気的に接続されていることを特徴とする請求項１記載の積層型電子部品。

【請求項9】

前記導体群は、前記複数の誘電体層の積層方向に直交する一方向から見て、前記２つのスルーホール列の間に配置されていることを特徴とする請求項８記載の積層型電子部品。

【請求項10】

更に、前記共振器を含むと共に回路構成上前記第１の信号端子と前記第２の信号端子との間に設けられたフィルタを備えたことを特徴とする請求項１ないし９のいずれかに記載の積層型電子部品。

【請求項11】

前記フィルタは、更に、少なくとも１つの他の共振器を含み、
前記複数の導体は、更に、前記少なくとも１つの他の共振器を構成するための少なくとも１つの他の共振器用導体層を含むことを特徴とする請求項１０記載の積層型電子部品。

【請求項12】

前記少なくとも１つの他の共振器は、複数の他の共振器であり、
前記少なくとも１つの他の共振器用導体層は、複数の他の共振器用導体層であり、
前記複数の導体は、前記通過減衰特性において減衰極を形成するための少なくとも１つの他の導体群を含み、
前記少なくとも１つの他の導体群は、前記第１の端部と前記第２の端部との間において前記複数の他の共振器用導体層のうちの少なくとも１つに接続されると共に、それぞれ他のインダクタを構成するための他のインダクタ用導体と他のキャパシタを構成するための他のキャパシタ用導体とを含むことを特徴とする請求項１１記載の積層型電子部品。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、共振器を含む積層型電子部品に関する。

【背景技術】

【0002】

通信装置に用いられる電子部品の一つには、複数の共振器を備えたバンドパスフィルタがある。特に小型の通信装置に用いられるバンドパスフィルタには、小型化が求められる。小型化に適したバンドパスフィルタとしては、積層された複数の誘電体層と複数の導体層とを含む積層体を用いたものが知られている。

【0003】

積層体を用いたバンドパスフィルタに用いられる共振器としては、例えば、特許文献１に開示されているように、導体層と複数のスルーホールとによって構成されたインダクタであって、複数の誘電体層の積層方向に直交する軸に巻回されたインダクタを含む共振器が知られている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】国際公開第２０２２／０７１１９１号

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

バンドパスフィルタには、通過帯域に近い周波数領域において、挿入損失が急峻に変化する特性が求められる場合がある。このような特性は、例えば、通過帯域に近い周波数領域に減衰極を発生させることで実現することができる。減衰極は、例えば、バンドパスフィルタを構成するインダクタの数やインダクタンスを調整したり、キャパシタの数やキャパシタンスを調整したりすることによって発生させることができる。しかし、この減衰極の周波数を制御しようとすると、通過帯域の特性や他の減衰極の周波数も変化してしまうため、所望の特性を実現することが難しかった。

【0006】

上記の問題は、バンドパスフィルタに限らず、所定の通過帯域を有する積層型電子部品全般に当てはまる。

【0007】

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、通過帯域に近い周波数領域に発生させた減衰極を、他の特性に影響を与えることなく制御することができる積層型電子部品を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0008】

本発明の積層型電子部品は、第１の信号端子と、第２の信号端子と、回路構成上、第１の信号端子と第２の信号端子との間に設けられた共振器と、第１の信号端子、第２の信号端子および共振器を一体化するための積層体であって、積層された複数の誘電体層と、複数の導体とを含む積層体とを備えている。複数の導体は、共振器を構成するための共振器用導体層と、第１の信号端子と第２の信号端子との間の通過減衰特性において減衰極を形成するための導体群とを含んでいる。共振器用導体層は、回路構成上第１の信号端子に最も近い第１の端部と、回路構成上第２の信号端子に最も近い第２の端部とを有している。導体群は、第１の端部と第２の端部との間において共振器用導体層に接続されると共に、インダクタを構成するためのインダクタ用導体と、キャパシタを構成するためのキャパシタ用導体とを含んでいる。

【発明の効果】

【0009】

本発明の積層型電子部品では、第１の信号端子と第２の信号端子との間の通過減衰特性において減衰極を形成するための導体群が、第１の端部と第２の端部との間において共振器用導体層に接続されている。これにより、本発明によれば、通過帯域に近い周波数領域に発生させた減衰極を、他の特性に影響を与えることなく制御することができるという効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【0010】

【図1】本発明の一実施の形態に係る積層型電子部品の回路構成を示す回路図である。

【図2】本発明の一実施の形態に係る積層型電子部品の外観を示す斜視図である。

【図3】本発明の一実施の形態に係る積層型電子部品の積層体における１層目ないし３層目の誘電体層のパターン形成面を示す説明図である。

【図4】本発明の一実施の形態に係る積層型電子部品の積層体における４層目ないし６層目の誘電体層のパターン形成面を示す説明図である。

【図5】本発明の一実施の形態に係る積層型電子部品の積層体における７層目ないし９層目の誘電体層のパターン形成面を示す説明図である。

【図6】本発明の一実施の形態に係る積層型電子部品の積層体における１０層目ないし１４層目の誘電体層のパターン形成面を示す説明図である。

【図7】本発明の一実施の形態に係る積層型電子部品の積層体における１５層目ないし１８層目の誘電体層のパターン形成面を示す説明図である。

【図8】本発明の一実施の形態に係る積層型電子部品の積層体における１９層目ないし２１層目の誘電体層のパターン形成面を示す説明図である。

【図9】本発明の一実施の形態に係る積層型電子部品の積層体における２２層目の誘電体層のパターン形成面を示す説明図である。

【図10】本発明の一実施の形態に係る積層型電子部品の積層体の内部を示す斜視図である。

【図11】本発明の一実施の形態に係る積層型電子部品の特性の一例を示す特性図である。

【図12】第１のシミュレーションの結果を示す特性図である。

【図13】第２のシミュレーションの結果を示す特性図である。

【図14】本発明の一実施の形態における共振器の変形例を示す特性図である。

【図15】本発明の一実施の形態における共振回路の変形例を示す特性図である。

【発明を実施するための形態】

【0011】

以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。始めに、図１を参照して、本発明の一実施の形態に係る積層型電子部品（以下、単に電子部品と記す。）１の構成の概略について説明する。

【0012】

電子部品１は、第１の信号端子２と、第２の信号端子３と、回路構成上、第１の信号端子と第２の信号端子との間に設けられた共振器２０と、共振器２０に接続された共振回路４０とを備えている。本実施の形態では特に、共振回路４０は、回路構成上、共振器２０とグランドとの間に設けられている。なお、本出願において、「回路構成上」という表現は、物理的な構成における配置ではなく、回路図上での配置を指すために用いている。

【0013】

電子部品１は、更に、共振器１０，３０を備えている。共振器１０，３０は、回路構成上、第１の信号端子２と第２の信号端子３とを接続する経路とグランドとの間に設けられている。共振器１０は、回路構成上、共振器２０よりも第１の信号端子２により近い位置において上記の経路に接続されている。共振器３０は、回路構成上、共振器２０よりも第２の信号端子３により近い位置において上記の経路に接続されている。

【0014】

電子部品１は、更に、回路構成上、第１の信号端子２と第２の信号端子３との間に設けられた少なくとも１つのフィルタを備えている。本実施の形態では特に、電子部品１は、少なくとも１つのフィルタとして、共振器１０を含む第１のハイパスフィルタ４と、共振器２０を含むローパスフィルタ５と、共振器３０を含む第２のハイパスフィルタ６とを備えている。第１のハイパスフィルタ４、ローパスフィルタ５および第２のハイパスフィルタ６は、第１の信号端子２から第２の信号端子３に向かって、この順に直列に接続されている。

【0015】

また、第１のハイパスフィルタ４、ローパスフィルタ５および第２のハイパスフィルタ６は、所定の通過帯域内の周波数の信号を選択的に通過させるバンドパスフィルタを構成する。従って、電子部品１は、少なくとも１つのフィルタとして、共振器１０，２０，３０を含むバンドパスフィルタを備えているとも言える。このバンドパスフィルタは、構成要素として、共振回路４０を含んでいてもよいし、含んでいなくてもよい。

【0016】

次に、図１を参照して、電子部品１の回路構成の一例について説明する。電子部品１は、更に、インダクタＬ１，Ｌ２，Ｌ３を備えている。インダクタＬ１の一端は、第１の信号端子２に接続されている。

【0017】

第１のハイパスフィルタ４は、共振器１０に加えて、インダクタＬ１１，Ｌ１２と、キャパシタＣ１１，Ｃ１２，Ｃ１３，Ｃ１４，Ｃ１５，Ｃ１６とを備えている。キャパシタＣ１１の一端は、インダクタＬ１の他端に接続されている。キャパシタＣ１２の一端は、キャパシタＣ１１の他端に接続されている。キャパシタＣ１３，Ｃ１４の各一端は、キャパシタＣ１１の一端に接続されている。キャパシタＣ１３の他端は、キャパシタＣ１２の他端に接続されている。キャパシタＣ１４の他端は、グランドに接続されている。

【0018】

共振器１０の一端は、キャパシタＣ１１とキャパシタＣ１２との接続点に接続されている。インダクタＬ１１は、キャパシタＣ１１の一端に接続されている。キャパシタＣ１５の一端は、インダクタＬ１１の他端に接続されている。キャパシタＣ１５の他端は、共振器１０の他端に接続されている。

【0019】

キャパシタＣ１６の一端は、共振器１０の一端に接続されている。インダクタＬ１２の一端は、共振器１０の他端に接続されている。キャパシタＣ１６とインダクタＬ１２の各他端は、インダクタＬ３の一端に接続されている。

【0020】

ローパスフィルタ５は、共振器２０に加えて、インダクタＬ２３と、キャパシタＣ２１，Ｃ２２，Ｃ２３とを含んでいる。共振器２０は、直列に接続された第１の部分２１および第２の部分２２を含んでいる。第１の部分２１の一端は、第１のハイパスフィルタ４のキャパシタＣ１２の他端に接続されている。第２の部分２２の一端は、第１の部分２１の他端に接続されている。

【0021】

キャパシタＣ２１，Ｃ２３の各一端は、共振器２０の第１の部分２１の一端に接続されている。キャパシタＣ２２の一端とキャパシタＣ２３の他端は、共振器２０の第２の部分２２の他端に接続されている。キャパシタＣ２１，Ｃ２２の各他端は、インダクタＬ２３の一端に接続されている。インダクタＬ２３の他端は、グランドに接続されている。

【0022】

第２のハイパスフィルタ６は、共振器３０に加えて、インダクタＬ３１，Ｌ３２と、キャパシタＣ３１，Ｃ３２，Ｃ３３，Ｃ３４，Ｃ３５，Ｃ３６とを備えている。キャパシタＣ３１の一端は、ローパスフィルタ５の共振器２０の第２の部分２２の他端に接続されている。キャパシタＣ３２の一端は、キャパシタＣ３１の他端に接続されている。キャパシタＣ３３の一端は、キャパシタＣ３１の一端に接続されている。キャパシタＣ３３の他端とキャパシタＣ３４の一端は、キャパシタＣ３２の他端に接続されている。キャパシタＣ３４の他端は、グランドに接続されている。

【0023】

共振器３０の一端は、キャパシタＣ３１とキャパシタＣ３２との接続点に接続されている。インダクタＬ３１は、キャパシタＣ３２の他端に接続されている。キャパシタＣ３５の一端は、インダクタＬ３１の他端に接続されている。キャパシタＣ３５の他端は、共振器３０の他端に接続されている。

【0024】

インダクタＬ２の一端は、キャパシタＣ３２の他端に接続されている。インダクタＬ２の他端は、第２の信号端子３に接続されている。

【0025】

キャパシタＣ３６の一端は、共振器３０の一端に接続されている。インダクタＬ３２の一端は、共振器３０の他端に接続されている。キャパシタＣ３６とインダクタＬ３２の各他端は、インダクタＬ３の一端に接続されている。

【0026】

インダクタＬ３の他端は、グランドに接続されている。

【0027】

共振回路４０は、インダクタＬ４１とキャパシタＣ４１とを含んでいる。インダクタＬ４１の一端は、ローパスフィルタ５の共振器２０の第１の部分２１と第２の部分２２との接続点Ｐに接続されている。キャパシタＣ４１の一端は、インダクタＬ４１の他端に接続されている。キャパシタＣ４１の他端は、グランドに接続されている。

【0028】

次に、図２を参照して、電子部品１のその他の構成について説明する。図２は、電子部品１の外観を示す斜視図である。

【0029】

電子部品１は、更に、積層された複数の誘電体層と、複数の導体（複数の導体層および複数のスルーホール）とを含む積層体５０を備えている。第１の信号端子２、第２の信号端子３、共振器１０，２０，３０および共振回路４０は、積層体５０に一体化されている。

【0030】

積層体５０は、複数の誘電体層の積層方向Ｔの両端に位置する底面５０Ａおよび上面５０Ｂと、底面５０Ａと上面５０Ｂを接続する４つの側面５０Ｃ～５０Ｆとを有している。側面５０Ｃ，５０Ｄは互いに反対側を向き、側面５０Ｅ，５０Ｆも互いに反対側を向いている。側面５０Ｃ～５０Ｆは、上面５０Ｂおよび底面５０Ａに対して垂直になっている。

【0031】

ここで、図２に示したように、Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向を定義する。Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向は、互いに直交する。本実施の形態では、積層方向Ｔに平行な一方向を、Ｚ方向とする。また、Ｘ方向とは反対の方向を－Ｘ方向とし、Ｙ方向とは反対の方向を－Ｙ方向とし、Ｚ方向とは反対の方向を－Ｚ方向とする。また、「積層方向Ｔから見たとき」という表現は、Ｚ方向または－Ｚ方向に離れた位置から対象物を見ることを意味する。

【0032】

図２に示したように、底面５０Ａは、積層体５０における－Ｚ方向の端に位置する。上面５０Ｂは、積層体５０におけるＺ方向の端に位置する。側面５０Ｃは、積層体５０における－Ｘ方向の端に位置する。側面５０Ｄは、積層体５０におけるＸ方向の端に位置する。側面５０Ｅは、積層体５０における－Ｙ方向の端に位置する。側面５０Ｆは、積層体５０におけるＹ方向の端に位置する。

【0033】

電子部品１は、更に、積層体５０の底面５０Ａに設けられた電極１１１，１１２，１１３，１１４を備えている。電極１１１は、側面５０Ｄよりも側面５０Ｃにより近い位置において、Ｙ方向に平行な方向に延在している。電極１１２は、側面５０Ｃよりも側面５０Ｄにより近い位置において、Ｙ方向に平行な方向に延在している。電極１１３，１１４は、電極１１１と電極１１２との間に配置されている。電極１１３は、側面５０Ｆよりも側面５０Ｅにより近い位置に配置されている。電極１１４は、側面５０Ｅよりも側面５０Ｆにより近い位置に配置されている。

【0034】

電極１１１は第１の信号端子２に対応し、電極１１２は第２の信号端子３に対応している。従って、第１および第２の信号端子２，３は、積層体５０の底面５０Ａに設けられている。電極１１３，１１４の各々は、グランドに接続される。

【0035】

次に、図３（ａ）ないし図９を参照して、積層体５０を構成する複数の誘電体層および複数の導体の一例について説明する。この例では、積層体５０は、積層された２２層の誘電体層を有している。以下、この２２層の誘電体層を、下から順に１層目ないし２２層目の誘電体層と呼ぶ。また、１層目ないし２２層目の誘電体層を符号５１～７２で表す。

【0036】

図３（ａ）ないし図８（ｂ）において、複数の円は複数のスルーホールを表している。誘電体層５１～７０の各々には、複数のスルーホールが形成されている。複数のスルーホールは、それぞれ、スルーホール用の孔に導体ペーストを充填することによって形成される。複数のスルーホールの各々は、電極、導体層または他のスルーホールに接続されている。複数のスルーホールの各々と、電極、導体層または他のスルーホールとの接続関係については、１層目ないし２１層目の誘電体層５１～７１が積層された状態における接続関係について説明している。

【0037】

図３（ａ）は、１層目の誘電体層５１のパターン形成面を示している。誘電体層５１のパターン形成面には、電極１１１～１１４が形成されている。また、誘電体層５１には、電極１１３に接続されたスルーホール５１Ｔ４と、電極１１１に接続されたスルーホール５１Ｔ５と、電極１１２に接続されたスルーホール５１Ｔ６と、電極１１４に接続されたスルーホール５１Ｔ７，５１Ｔ８が形成されている。

【0038】

図３（ｂ）は、２層目の誘電体層５２のパターン形成面を示している。誘電体層５２のパターン形成面には、導体層５２１，５２２，５２３が形成されている。導体層５２１は、導体層５２１の長手方向の両端に位置する第１端および第２端を有している。導体層５２２は、導体層５２２の長手方向の両端に位置する第１端および第２端を有している。スルーホール５１Ｔ５は、導体層５２１の第１端の近傍部分に接続されている。スルーホール５１Ｔ６は、導体層５２２の第１端の近傍部分に接続されている。

【0039】

また、誘電体層５２には、スルーホール５２Ｔ１ｂ，５２Ｔ３ｂ，５２Ｔ４，５２Ｔ５，５２Ｔ６が形成されている。スルーホール５１Ｔ４，５１Ｔ７，５１Ｔ８，５２Ｔ１ｂ，５２Ｔ３ｂ，５２Ｔ４は、導体層５２３に接続されている。スルーホール５２Ｔ５は、導体層５２１の第２端の近傍部分に接続されている。スルーホール５２Ｔ６は、導体層５２２の第２端の近傍部分に接続されている。

【0040】

図３（ｃ）は、３層目の誘電体層５３のパターン形成面を示している。誘電体層５３のパターン形成面には、導体層５３１，５３２，５３３，５３４，５３５，５３６が形成されている。導体層５３１は、導体層５３１の長手方向の両端に位置する第１端および第２端を有している。導体層５３２は、導体層５３２の長手方向の両端に位置する第１端および第２端を有している。スルーホール５２Ｔ５は、導体層５３１の第１端の近傍部分に接続されている。スルーホール５２Ｔ６は、導体層５３２の第１端の近傍部分に接続されている。

【0041】

また、誘電体層５３には、２つのスルーホール５３Ｔ１ａと、２つのスルーホール５３Ｔ３ａと、スルーホール５３Ｔ１ｂ，５３Ｔ２ａ，５３Ｔ２ｂ，５３Ｔ３ｂ，５３Ｔ４，５３Ｔ５，５３Ｔ６とが形成されている。スルーホール５２Ｔ１ｂ，５２Ｔ３ｂ，５２Ｔ４は、それぞれスルーホール５３Ｔ１ｂ，５３Ｔ３ｂ，５３Ｔ４に接続されている。２つのスルーホール５３Ｔ１ａは、導体層５３３に接続されている。スルーホール５３Ｔ２ａ，５３Ｔ２ｂは、それぞれ、導体層５３４，５３５に接続されている。２つのスルーホール５３Ｔ３ａは、導体層５３６に接続されている。スルーホール５３Ｔ５は、導体層５３１の第２端の近傍部分に接続されている。スルーホール５３Ｔ６は、導体層５３２の第２端の近傍部分に接続されている。

【0042】

図４（ａ）は、４層目の誘電体層５４のパターン形成面を示している。誘電体層５４のパターン形成面には、導体層５４１，５４２，５４３，５４４が形成されている。スルーホール５３Ｔ４は、導体層５４４に接続されている。

【0043】

また、誘電体層５４には、２つのスルーホール５４Ｔ１ａと、２つのスルーホール５４Ｔ３ａと、スルーホール５４Ｔ１ｂ，５４Ｔ２ａ，５４Ｔ２ｂ，５４Ｔ３ｂ，５４Ｔ５，５４Ｔ６とが形成されている。スルーホール５３Ｔ１ａ，５３Ｔ１ｂ，５３Ｔ２ａ，５３Ｔ２ｂ，５３Ｔ３ａ，５３Ｔ３ｂは、それぞれスルーホール５４Ｔ１ａ，５４Ｔ１ｂ，５４Ｔ２ａ，５４Ｔ２ｂ，５４Ｔ３ａ，５４Ｔ３ｂに接続されている。スルーホール５３Ｔ５，５４Ｔ５は、導体層５４１に接続されている。スルーホール５３Ｔ６，５４Ｔ６は、導体層５４２に接続されている。

【0044】

図４（ｂ）は、５層目の誘電体層５５のパターン形成面を示している。誘電体層５５のパターン形成面には、導体層５５１，５５２，５５３，５５４，５５５が形成されている。また、誘電体層５５には、２つのスルーホール５５Ｔ１ａと、２つのスルーホール５５Ｔ１ｂと、２つのスルーホール５５Ｔ３ａと、２つのスルーホール５５Ｔ３ｂと、スルーホール５５Ｔ２ａ，５５Ｔ２ｂ，５５Ｔ４，５５Ｔ５，５５Ｔ６とが形成されている。スルーホール５４Ｔ１ａ，５５Ｔ１ａは、導体層５５１に接続されている。スルーホール５４Ｔ１ｂ，５５Ｔ１ｂは、導体層５５４に接続されている。スルーホール５４Ｔ３ａ，５５Ｔ３ａは、導体層５５２に接続されている。スルーホール５４Ｔ３ｂ，５５Ｔ３ｂは、導体層５５５に接続されている。スルーホール５４Ｔ２ａ，５４Ｔ２ｂ，５４Ｔ５，５４Ｔ６は、それぞれスルーホール５５Ｔ２ａ，５５Ｔ２ｂ，５５Ｔ５，５５Ｔ６に接続されている。スルーホール５５Ｔ４は、導体層５５３に接続されている。

【0045】

図４（ｃ）は、６層目の誘電体層５６のパターン形成面を示している。誘電体層５６のパターン形成面には、導体層５６１，５６２が形成されている。また、誘電体層５６には、２つのスルーホール５６Ｔ１ａと、２つのスルーホール５６Ｔ１ｂと、２つのスルーホール５６Ｔ３ａと、２つのスルーホール５６Ｔ３ｂと、スルーホール５６Ｔ２ａ，５６Ｔ２ｂ，５６Ｔ４，５６Ｔ５，５６Ｔ６とが形成されている。スルーホール５５Ｔ１ａ，５５Ｔ１ｂ，５５Ｔ３ａ，５５Ｔ３ｂ，５５Ｔ４～５５Ｔ６は、それぞれスルーホール５６Ｔ１ａ，５６Ｔ１ｂ，５６Ｔ３ａ，５６Ｔ３ｂ，５６Ｔ４～５６Ｔ６に接続されている。スルーホール５５Ｔ２ａ，５６Ｔ２ａは、導体層５６１に接続されている。スルーホール５５Ｔ２ｂ，５６Ｔ２ｂは、導体層５６２に接続されている。

【0046】

図５（ａ）は、７層目の誘電体層５７のパターン形成面を示している。誘電体層５７のパターン形成面には、導体層５７１が形成されている。また、誘電体層５７には、２つのスルーホール５７Ｔ１ａと、２つのスルーホール５７Ｔ１ｂと、２つのスルーホール５７Ｔ３ａと、２つのスルーホール５７Ｔ３ｂと、スルーホール５７Ｔ２ａ，５７Ｔ２ｂ，５７Ｔ４，５７Ｔ５，５７Ｔ６とが形成されている。スルーホール５６Ｔ１ａ，５６Ｔ１ｂ，５６Ｔ２ａ，５６Ｔ２ｂ，５６Ｔ３ａ，５６Ｔ３ｂ，５６Ｔ４～５６Ｔ６は、それぞれスルーホール５７Ｔ１ａ，５７Ｔ１ｂ，５７Ｔ２ａ，５７Ｔ２ｂ，５７Ｔ３ａ，５７Ｔ３ｂ，５７Ｔ４～５７Ｔ６に接続されている。

【0047】

図５（ｂ）は、８層目の誘電体層５８のパターン形成面を示している。誘電体層５８には、２つのスルーホール５８Ｔ１ａと、２つのスルーホール５８Ｔ１ｂと、２つのスルーホール５８Ｔ３ａと、２つのスルーホール５８Ｔ３ｂと、スルーホール５８Ｔ２ａ，５８Ｔ２ｂ，５８Ｔ４，５８Ｔ５，５８Ｔ６とが形成されている。スルーホール５７Ｔ１ａ，５７Ｔ１ｂ，５７Ｔ２ａ，５７Ｔ２ｂ，５７Ｔ３ａ，５７Ｔ３ｂ，５７Ｔ４～５７Ｔ６は、それぞれスルーホール５８Ｔ１ａ，５８Ｔ１ｂ，５８Ｔ２ａ，５８Ｔ２ｂ，５８Ｔ３ａ，５８Ｔ３ｂ，５８Ｔ４～５８Ｔ６に接続されている。

【0048】

図５（ｃ）は、９層目の誘電体層５９のパターン形成面を示している。誘電体層５９のパターン形成面には、導体層５９１が形成されている。導体層５９１は、導体層５９１の長手方向の両端に位置する第１の接続部分および第２の接続部分と、第１の接続部分と第２の接続部分との間に位置する線路部分とを含んでいる。図５（ｃ）では、第１の接続部分と線路部分との境界と、第２の接続部分と線路部分との境界を、それぞれ点線で示している。なお、これ以降の説明で使用する図５（ｃ）と同様の図においても、第１の接続部分と線路部分との境界と、第２の接続部分と線路部分との境界については、図５（ｃ）と同様の表し方を用いる。スルーホール５８Ｔ４は、導体層５９１の第１の接続部分に接続されている。

【0049】

また、誘電体層５９には、２つのスルーホール５９Ｔ１ａと、２つのスルーホール５９Ｔ１ｂと、２つのスルーホール５９Ｔ３ａと、２つのスルーホール５９Ｔ３ｂと、スルーホール５９Ｔ２ａ，５９Ｔ２ｂ，５９Ｔ４，５９Ｔ５，５９Ｔ６とが形成されている。スルーホール５８Ｔ１ａ，５８Ｔ１ｂ，５８Ｔ２ａ，５８Ｔ２ｂ，５８Ｔ３ａ，５８Ｔ３ｂ，５８Ｔ５，５８Ｔ６は、それぞれスルーホール５９Ｔ１ａ，５９Ｔ１ｂ，５９Ｔ２ａ，５９Ｔ２ｂ，５９Ｔ３ａ，５９Ｔ３ｂ，５９Ｔ５，５９Ｔ６に接続されている。スルーホール５９Ｔ４は、導体層５９１の第２の接続部分に接続されている。

【0050】

図６（ａ）は、１０層目および１１層目の誘電体層６０，６１の各々のパターン形成面を示している。誘電体層６０，６１の各々には、２つのスルーホール６０Ｔ１ａと、２つのスルーホール６０Ｔ１ｂと、２つのスルーホール６０Ｔ３ａと、２つのスルーホール６０Ｔ３ｂと、スルーホール６０Ｔ２ａ，６０Ｔ２ｂ，６０Ｔ４，６０Ｔ５，６０Ｔ６とが形成されている。スルーホール５９Ｔ１ａ，５９Ｔ１ｂ，５９Ｔ２ａ，５９Ｔ２ｂ，５９Ｔ３ａ，５９Ｔ３ｂ，５９Ｔ４～５９Ｔ６は、それぞれ、誘電体層６０に形成されたスルーホール６０Ｔ１ａ，６０Ｔ１ｂ，６０Ｔ２ａ，６０Ｔ２ｂ，６０Ｔ３ａ，６０Ｔ３ｂ，６０Ｔ４～６０Ｔ６に接続されている。また、誘電体層６０，６１では、上下に隣接する同じ符号のスルーホール同士が互いに接続されている。

【0051】

図６（ｂ）は、１２層目の誘電体層６２のパターン形成面を示している。誘電体層６２のパターン形成面には、導体層６２１が形成されている。導体層６２１は、導体層６２１の長手方向の両端に位置する第１の接続部分および第２の接続部分と、第１の接続部分と第２の接続部分との間に位置する線路部分とを含んでいる。誘電体層６１に形成されたスルーホール６０Ｔ４は、導体層６２１の第１の接続部分に接続されている。

【0052】

また、誘電体層６２には、２つのスルーホール６２Ｔ１ａと、２つのスルーホール６２Ｔ１ｂと、２つのスルーホール６２Ｔ３ａと、２つのスルーホール６２Ｔ３ｂと、スルーホール６２Ｔ２ａ，６２Ｔ２ｂ，６２Ｔ４，６２Ｔ５，６２Ｔ６とが形成されている。誘電体層６１に形成されたスルーホール６０Ｔ１ａ，６０Ｔ１ｂ，６０Ｔ２ａ，６０Ｔ２ｂ，６０Ｔ３ａ，６０Ｔ３ｂ，６０Ｔ５，６０Ｔ６は、それぞれスルーホール６２Ｔ１ａ，６２Ｔ１ｂ，６２Ｔ２ａ，６２Ｔ２ｂ，６２Ｔ３ａ，６２Ｔ３ｂ，６２Ｔ５，６２Ｔ６に接続されている。スルーホール６２Ｔ４は、導体層６２１の第２の接続部分に接続されている。

【0053】

図６（ｃ）は、１３層目および１４層目の誘電体層６３，６４の各々のパターン形成面を示している。誘電体層６３，６４の各々には、２つのスルーホール６３Ｔ１ａと、２つのスルーホール６３Ｔ１ｂと、２つのスルーホール６３Ｔ３ａと、２つのスルーホール６３Ｔ３ｂと、スルーホール６３Ｔ２ａ，６３Ｔ２ｂ，６３Ｔ４，６３Ｔ５，６３Ｔ６とが形成されている。スルーホール６２Ｔ１ａ，６２Ｔ１ｂ，６２Ｔ２ａ，６２Ｔ２ｂ，６２Ｔ３ａ，６２Ｔ３ｂ，６２Ｔ４～６２Ｔ６は、それぞれ、誘電体層６３に形成されたスルーホール６３Ｔ１ａ，６３Ｔ１ｂ，６３Ｔ２ａ，６３Ｔ２ｂ，６３Ｔ３ａ，６３Ｔ３ｂ，６３Ｔ４～６３Ｔ６に接続されている。また、誘電体層６３，６４では、上下に隣接する同じ符号のスルーホール同士が互いに接続されている。

【0054】

図７（ａ）は、１５層目の誘電体層６５のパターン形成面を示している。誘電体層６５のパターン形成面には、導体層６５１が形成されている。導体層６５１は、導体層６５１の長手方向の両端に位置する第１の接続部分および第２の接続部分と、第１の接続部分と第２の接続部分との間に位置する線路部分とを含んでいる。誘電体層６４に形成されたスルーホール６３Ｔ４は、導体層６５１の第１の接続部分に接続されている。

【0055】

また、誘電体層６５には、２つのスルーホール６５Ｔ１ａと、２つのスルーホール６５Ｔ１ｂと、２つのスルーホール６５Ｔ３ａと、２つのスルーホール６５Ｔ３ｂと、スルーホール６５Ｔ２ａ，６５Ｔ２ｂ，６５Ｔ４，６５Ｔ５，６５Ｔ６とが形成されている。誘電体層６４に形成されたスルーホール６３Ｔ１ａ，６３Ｔ１ｂ，６３Ｔ２ａ，６３Ｔ２ｂ，６３Ｔ３ａ，６３Ｔ３ｂ，６３Ｔ５，６３Ｔ６は、それぞれスルーホール６５Ｔ１ａ，６５Ｔ１ｂ，６５Ｔ２ａ，６５Ｔ２ｂ，６５Ｔ３ａ，６５Ｔ３ｂ，６５Ｔ５，６５Ｔ６に接続されている。スルーホール６５Ｔ４は、導体層６５１の第２の接続部分に接続されている。

【0056】

図７（ｂ）は、１６層目および１７層目の誘電体層６６，６７の各々のパターン形成面を示している。誘電体層６６，６７の各々には、２つのスルーホール６６Ｔ１ａと、２つのスルーホール６６Ｔ１ｂと、２つのスルーホール６６Ｔ３ａと、２つのスルーホール６６Ｔ３ｂと、スルーホール６６Ｔ２ａ，６６Ｔ２ｂ，６６Ｔ４，６６Ｔ５，６６Ｔ６とが形成されている。スルーホール６５Ｔ１ａ，６５Ｔ１ｂ，６５Ｔ２ａ，６５Ｔ２ｂ，６５Ｔ３ａ，６５Ｔ３ｂ，６５Ｔ４～６５Ｔ６は、それぞれ、誘電体層６６に形成されたスルーホール６６Ｔ１ａ，６６Ｔ１ｂ，６６Ｔ２ａ，６６Ｔ２ｂ，６６Ｔ３ａ，６６Ｔ３ｂ，６６Ｔ４～６６Ｔ６に接続されている。また、誘電体層６６，６７では、上下に隣接する同じ符号のスルーホール同士が互いに接続されている。

【0057】

図７（ｃ）は、１８層目の誘電体層６８のパターン形成面を示している。誘電体層６８のパターン形成面には、導体層６８１が形成されている。導体層６８１は、導体層６８１の長手方向の両端に位置する第１の接続部分および第２の接続部分と、第１の接続部分と第２の接続部分との間に位置する線路部分とを含んでいる。誘電体層６７に形成されたスルーホール６６Ｔ４は、導体層６８１の第１の接続部分に接続されている。

【0058】

また、誘電体層６８には、２つのスルーホール６８Ｔ１ａと、２つのスルーホール６８Ｔ１ｂと、２つのスルーホール６８Ｔ３ａと、２つのスルーホール６８Ｔ３ｂと、スルーホール６８Ｔ２ａ，６８Ｔ２ｂ，６８Ｔ４，６８Ｔ５，６８Ｔ６とが形成されている。誘電体層６７に形成されたスルーホール６６Ｔ１ａ，６６Ｔ１ｂ，６６Ｔ２ａ，６６Ｔ２ｂ，６６Ｔ３ａ，６６Ｔ３ｂ，６６Ｔ５，６６Ｔ６は、それぞれスルーホール６８Ｔ１ａ，６８Ｔ１ｂ，６８Ｔ２ａ，６８Ｔ２ｂ，６８Ｔ３ａ，６８Ｔ３ｂ，６８Ｔ５，６８Ｔ６に接続されている。スルーホール６８Ｔ４は、導体層６８１の第２の接続部分に接続されている。

【0059】

図８（ａ）は、１９層目の誘電体層６９のパターン形成面を示している。誘電体層６９のパターン形成面には、導体層６９１，６９２が形成されている。スルーホール６８Ｔ５，６８Ｔ６は、それぞれ導体層６９１，６９２に接続されている。

【0060】

また、誘電体層６８には、２つのスルーホール６９Ｔ１ａと、２つのスルーホール６９Ｔ１ｂと、２つのスルーホール６９Ｔ３ａと、２つのスルーホール６９Ｔ３ｂと、スルーホール６９Ｔ２ａ，６９Ｔ２ｂ，６９Ｔ４とが形成されている。スルーホール６８Ｔ１ａ，６８Ｔ１ｂ，６８Ｔ２ａ，６８Ｔ２ｂ，６８Ｔ３ａ，６８Ｔ３ｂ，６８Ｔ４は、それぞれスルーホール６９Ｔ１ａ，６９Ｔ１ｂ，６９Ｔ２ａ，６９Ｔ２ｂ，６９Ｔ３ａ，６９Ｔ３ｂ，６９Ｔ４に接続されている。

【0061】

図８（ｂ）は、２０層目の誘電体層７０のパターン形成面を示している。誘電体層７０のパターン形成面には、導体層７０１，７０２，７０３が形成されている。導体層７０１は、導体層７０１の長手方向の両端に位置する第１端および第２端を有している。導体層７０２は、導体層７０２の長手方向の両端に位置する第１端および第２端を有している。導体層７０３は、導体層７０３の長手方向の両端に位置する第１端および第２端を有している。

【0062】

また、導体層７０２は、第１端を含む第１の部分７０２Ａと、第２端を含むと共に第１の部分７０２Ａに接続された第２の部分７０２Ｂとを含んでいる。図８（ｂ）では、第１の部分７０２Ａと第２の部分７０２Ｂとの境界を、点線で示している。

【0063】

また、誘電体層７０には、２つのスルーホール７０Ｔ１ａと、２つのスルーホール７０Ｔ１ｂと、２つのスルーホール７０Ｔ３ａと、２つのスルーホール７０Ｔ３ｂと、スルーホール７０Ｔ２ａ，７０Ｔ２ｂ，７０Ｔ４とが形成されている。スルーホール６９Ｔ１ａ，７０Ｔ１ａは、導体層７０１の第１端の近傍部分に接続されている。スルーホール６９Ｔ１ｂ，７０Ｔ１ｂは、導体層７０１の第２端の近傍部分に接続されている。スルーホール６９Ｔ２ａ，７０Ｔ２ａは、導体層７０２の第１端の近傍部分に接続されている。スルーホール６９Ｔ２ｂ，７０Ｔ２ｂは、導体層７０２の第２端の近傍部分に接続されている。スルーホール６９Ｔ３ａ，７０Ｔ３ａは、導体層７０３の第１端の近傍部分に接続されている。スルーホール６９Ｔ３ｂ，７０Ｔ３ｂは、導体層７０３の第２端の近傍部分に接続されている。スルーホール６９Ｔ４，７０Ｔ４は、導体層７０２の第１の部分７０２Ａと第２の部分７０２Ｂとの境界およびその近傍部分に接続されている。

【0064】

図８（ｃ）は、２１層目の誘電体層７１のパターン形成面を示している。誘電体層７１のパターン形成面には、導体層７１１，７１２，７１３が形成されている。導体層７１１は、導体層７１１の長手方向の両端に位置する第１端および第２端を有している。導体層７１２は、導体層７１２の長手方向の両端に位置する第１端および第２端を有している。導体層７１３は、導体層７１３の長手方向の両端に位置する第１端および第２端を有している。

【0065】

また、導体層７１２は、第１端を含む第１の部分７１２Ａと、第２端を含むと共に第１の部分７１２Ａに接続された第２の部分７１２Ｂとを含んでいる。図８（ｃ）では、第１の部分７１２Ａと第２の部分７１２Ｂとの境界を、点線で示している。

【0066】

２つのスルーホール７０Ｔ１ａは、導体層７１１の第１端の近傍部分に接続されている。２つのスルーホール７０Ｔ１ｂは、導体層７１１の第２端の近傍部分に接続されている。スルーホール７０Ｔ２ａは、導体層７１２の第１端の近傍部分に接続されている。スルーホール７０Ｔ２ｂは、導体層７１２の第２端の近傍部分に接続されている。２つのスルーホール７０Ｔ３ａは、導体層７１３の第１端の近傍部分に接続されている。２つのスルーホール７０Ｔ３ｂは、導体層７１３の第２端の近傍部分に接続されている。スルーホール７０Ｔ４は、導体層７１２の第１の部分７１２Ａと第２の部分７１２Ｂとの境界およびその近傍部分に接続されている。

【0067】

図９は、２２層目の誘電体層７２のパターン形成面を示している。誘電体層７２のパターン形成面には、マーク７２１が形成されている。

【0068】

図２に示した積層体５０は、１層目の誘電体層５１のパターン形成面が積層体５０の底面５０Ａになり、２２層目の誘電体層７２のパターン形成面とは反対側の面が積層体５０の上面５０Ｂになるように、１層目ないし２２層目の誘電体層５１～７２が積層されて構成される。

【0069】

図３（ａ）ないし図８（ｂ）に示した複数のスルーホールの各々は、１層目ないし２１層目の誘電体層５１～７１を積層したときに、積層方向Ｔにおいて重なる導体層または積層方向Ｔにおいて重なる他のスルーホールに接続されている。また、図３（ａ）ないし図８（ｂ）に示した複数のスルーホールのうち、電極内または導体層内に位置するスルーホールは、その電極またはその導体層に接続されている。

【0070】

図１０は、１層目ないし２２層目の誘電体層５１～７２が積層されて構成された積層体５０の内部を示している。図１０に示したように、積層体５０の内部では、図３（ａ）ないし図８（ｃ）に示した複数の導体層と複数のスルーホールが積層されている。なお、図１０では、マーク７２１を省略している。

【0071】

以下、図１に示した電子部品１の回路の構成要素と、図３（ａ）ないし図８（ｃ）に示した積層体５０の内部の構成要素との対応関係について説明する。始めに、インダクタＬ１，Ｌ２について説明する。インダクタＬ１は、導体層５２１，５３１と、スルーホール５２Ｔ５とによって構成されている。インダクタＬ２は、導体層５２２，５３２と、スルーホール５２Ｔ６とによって構成されている。

【0072】

次に、第１のハイパスフィルタ４の構成要素について説明する。共振器１０は、導体層７０１，７１１と、スルーホール５５Ｔ１ａ，５５Ｔ１ｂ，５６Ｔ１ａ，５６Ｔ１ｂ，５７Ｔ１ａ，５７Ｔ１ｂ，５８Ｔ１ａ，５８Ｔ１ｂ，５９Ｔ１ａ，５９Ｔ１ｂ，６０Ｔ１ａ，６０Ｔ１ｂ，６２Ｔ１ａ，６２Ｔ１ｂ，６３Ｔ１ａ，６３Ｔ１ｂ，６５Ｔ１ａ，６５Ｔ１ｂ，６６Ｔ１ａ，６６Ｔ１ｂ，６８Ｔ１ａ，６８Ｔ１ｂ，６９Ｔ１ａ，６９Ｔ１ｂ，７０Ｔ１ａ，７０Ｔ１ｂとによって構成されている。

【0073】

インダクタＬ１１は、スルーホール５４Ｔ５，５５Ｔ５，５６Ｔ５，５７Ｔ５，５８Ｔ５，５９Ｔ５，６０Ｔ５，６２Ｔ５，６３Ｔ５，６５Ｔ５，６６Ｔ５，６８Ｔ５によって構成されている。インダクタＬ１２は、スルーホール５２Ｔ１ｂ，５３Ｔ１ｂ，５４Ｔ１ｂによって構成されている。

【0074】

キャパシタＣ１１は、導体層５３３，５４１，５５１と、これらの導体層の間の誘電体層５３，５４とによって構成されている。キャパシタＣ１２は、導体層５５１，５６１と、これらの導体層の間の誘電体層５５とによって構成されている。キャパシタＣ１３は、導体層５４１，５６１と、これらの導体層の間の誘電体層５４，５５とによって構成されている。

【0075】

キャパシタＣ１４は、導体層５２３，５４１と、これらの導体層の間の誘電体層５２，５３とによって構成されている。キャパシタＣ１５は、導体層６９１，７０１と、これらの導体層の間の誘電体層６９とによって構成されている。キャパシタＣ１６は、導体層５２３，５４３，５５１と、これらの導体層の間の誘電体層５２，５３とによって構成されている。

【0076】

次に、ローパスフィルタ５の構成要素について説明する。共振器２０は、導体層７０２，７１２と、スルーホール５６Ｔ２ａ，５６Ｔ２ｂ，５７Ｔ２ａ，５７Ｔ２ｂ，５８Ｔ２ａ，５８Ｔ２ｂ，５９Ｔ２ａ，５９Ｔ２ｂ，６０Ｔ２ａ，６０Ｔ２ｂ，６２Ｔ２ａ，６２Ｔ２ｂ，６３Ｔ２ａ，６３Ｔ２ｂ，６５Ｔ２ａ，６５Ｔ２ｂ，６６Ｔ２ａ，６６Ｔ２ｂ，６８Ｔ２ａ，６８Ｔ２ｂ，６９Ｔ２ａ，６９Ｔ２ｂ，７０Ｔ２ａ，７０Ｔ２ｂ，７０Ｔ４とによって構成されている。

【0077】

インダクタＬ２３は、主に電極１１３，１１４、導体層５２３およびスルーホール５１Ｔ４，５１Ｔ７，５１Ｔ８に生じるインダクタンス成分に対応する。

【0078】

キャパシタＣ２１は、導体層５２３，５３４と、これらの導体層の間の誘電体層５２とによって構成されている。キャパシタＣ２２は、導体層５２３，５３５と、これらの導体層の間の誘電体層５２とによって構成されている。キャパシタＣ２３は、導体層５６１，５６２，５７１と、これらの導体層の間の誘電体層５６とによって構成されている。

【0079】

次に、第２のハイパスフィルタ６の構成要素について説明する。共振器３０は、導体層７０３，７１３と、スルーホール５５Ｔ３ａ，５５Ｔ３ｂ，５６Ｔ３ａ，５６Ｔ３ｂ，５７Ｔ３ａ，５７Ｔ３ｂ，５８Ｔ３ａ，５８Ｔ３ｂ，５９Ｔ３ａ，５９Ｔ３ｂ，６０Ｔ３ａ，６０Ｔ３ｂ，６２Ｔ３ａ，６２Ｔ３ｂ，６３Ｔ３ａ，６３Ｔ３ｂ，６５Ｔ３ａ，６５Ｔ３ｂ，６６Ｔ３ａ，６６Ｔ３ｂ，６８Ｔ３ａ，６８Ｔ３ｂ，６９Ｔ３ａ，６９Ｔ３ｂ，７０Ｔ３ａ，７０Ｔ３ｂとによって構成されている。

【0080】

インダクタＬ３１は、スルーホール５４Ｔ６，５５Ｔ６，５６Ｔ６，５７Ｔ６，５８Ｔ６，５９Ｔ６，６０Ｔ６，６２Ｔ６，６３Ｔ６，６５Ｔ６，６６Ｔ６，６８Ｔ６によって構成されている。インダクタＬ３２は、スルーホール５２Ｔ３ｂ，５３Ｔ３ｂ，５４Ｔ３ｂによって構成されている。

【0081】

キャパシタＣ３１は、導体層５５２，５６２と、これらの導体層の間の誘電体層５５とによって構成されている。キャパシタＣ３２は、導体層５３６，５４２，５５２と、これらの導体層の間の誘電体層５３，５４とによって構成されている。キャパシタＣ３３は、導体層５４２，５６２と、これらの導体層の間の誘電体層５４，５５とによって構成されている。

【0082】

キャパシタＣ３４は、導体層５２３，５４２と、これらの導体層の間の誘電体層５２，５３とによって構成されている。キャパシタＣ３５は、導体層６９２，７０３と、これらの導体層の間の誘電体層６９とによって構成されている。キャパシタＣ１６は、導体層５２３，５４３，５５２と、これらの導体層の間の誘電体層５２，５３とによって構成されている。

【0083】

次に、共振回路４０の構成要素について説明する。インダクタＬ４１は、導体層５９１，６２１，６５１，６８１と、スルーホール５５Ｔ４，５６Ｔ４，５７Ｔ４，５８Ｔ４，５９Ｔ４，６０Ｔ４，６２Ｔ４，６３Ｔ４，６５Ｔ４，６６Ｔ４，６８Ｔ４，６９Ｔ４とによって構成されている。

【0084】

キャパシタＣ４１は、導体層５４４，５５３と、これらの導体層の間の誘電体層５４とによって構成されている。

【0085】

次に、インダクタＬ３について説明する。インダクタＬ３は、主に電極１１３，１１４、導体層５２３およびスルーホール５１Ｔ４，５２Ｔ７，５１Ｔ８に生じるインダクタンス成分に対応する。

【0086】

次に、図１ないし図１０を参照して、本実施の形態に係る電子部品１の構造上の特徴について説明する。第１のハイパスフィルタ４の共振器１０、ローパスフィルタ５の共振器２０、および第２のハイパスフィルタ６の共振器３０は、それぞれ、矩形状またはほぼ矩形状の巻線でもある。矩形状またはほぼ矩形状の巻線では、巻回数について、巻線を矩形とみなしたときに、矩形の１辺につき１／４回と数えてもよい。共振器１０，２０，３０の各々の巻回数は、３／４回以上である。本実施の形態では、共振器１０，２０，３０の各々は、積層方向Ｔに直交する軸の周りに３／４回巻回されている。

【0087】

ここで、２つ以上のスルーホールが直列に接続されることによって構成された構造物を、スルーホール列と言う。共振器１０は、２つのスルーホール列Ｔ１ａと、２つのスルーホール列Ｔ１ｂと、２つのスルーホール列Ｔ１ａの各々の一端と２つのスルーホール列Ｔ１ｂの各々の一端に電気的に接続された導体層７０１とを含んでいる。２つのスルーホール列Ｔ１ａは、スルーホール５５Ｔ１ａ，５６Ｔ１ａ，５７Ｔ１ａ，５８Ｔ１ａ，５９Ｔ１ａ，６０Ｔ１ａ，６２Ｔ１ａ，６３Ｔ１ａ，６５Ｔ１ａ，６６Ｔ１ａ，６８Ｔ１ａ，６９Ｔ１ａが直列に接続されることによって構成されている。２つのスルーホール列Ｔ１ｂは、スルーホール５５Ｔ１ｂ，５６Ｔ１ｂ，５７Ｔ１ｂ，５８Ｔ１ｂ，５９Ｔ１ｂ，６０Ｔ１ｂ，６２Ｔ１ｂ，６３Ｔ１ｂ，６５Ｔ１ｂ，６６Ｔ１ｂ，６８Ｔ１ｂ，６９Ｔ１ｂが直列に接続されることによって構成されている。共振器１０は、更に、導体層７１１と、導体層７０１と導体層７１１とを電気的に接続するスルーホール７０Ｔ１ａ，７０Ｔ１ｂとを含んでいる。

【0088】

共振器２０は、スルーホール列Ｔ２ａと、スルーホール列Ｔ２ｂと、スルーホール列Ｔ２ａの一端とスルーホール列Ｔ２ｂの一端に電気的に接続された導体層７０２とを含んでいる。スルーホール列Ｔ２ａは、スルーホール５６Ｔ２ａ，５７Ｔ２ａ，５８Ｔ２ａ，５９Ｔ２ａ，６０Ｔ２ａ，６２Ｔ２ａ，６３Ｔ２ａ，６５Ｔ２ａ，６６Ｔ２ａ，６８Ｔ２ａ，６９Ｔ２ａが直列に接続されることによって構成されている。スルーホール列Ｔ２ｂは、スルーホール５６Ｔ２ｂ，５７Ｔ２ｂ，５８Ｔ２ｂ，５９Ｔ２ｂ，６０Ｔ２ｂ，６２Ｔ２ｂ，６３Ｔ２ｂ，６５Ｔ２ｂ，６６Ｔ２ｂ，６８Ｔ２ｂ，６９Ｔ２ｂが直列に接続されることによって構成されている。共振器２０は、更に、導体層７１２と、導体層７０２と導体層７１２とを電気的に接続するスルーホール７０Ｔ２ａ，７０Ｔ２ｂ，７０Ｔ４とを含んでいる。

【0089】

共振器２０の第１の部分２１は、スルーホール列Ｔ２ａと、導体層７０２の第１の部分７０２Ａと、導体層７１２の第１の部分７１２Ａとを含んでいる。共振器２０の第２の部分２２は、スルーホール列Ｔ２ｂと、導体層７０２の第２の部分７０２Ｂと、導体層７１２の第２の部分７１２Ｂとを含んでいる。

【0090】

共振器３０は、２つのスルーホール列Ｔ３ａと、２つのスルーホール列Ｔ３ｂと、２つのスルーホール列Ｔ３ａの各々の一端と２つのスルーホール列Ｔ３ｂの各々の一端に電気的に接続された導体層７０３とを含んでいる。２つのスルーホール列Ｔ３ａは、スルーホール５５Ｔ３ａ，５６Ｔ３ａ，５７Ｔ３ａ，５８Ｔ３ａ，５９Ｔ３ａ，６０Ｔ３ａ，６２Ｔ３ａ，６３Ｔ３ａ，６５Ｔ３ａ，６６Ｔ３ａ，６８Ｔ３ａ，６９Ｔ３ａが直列に接続されることによって構成されている。２つのスルーホール列Ｔ３ｂは、スルーホール５５Ｔ３ｂ，５６Ｔ３ｂ，５７Ｔ３ｂ，５８Ｔ３ｂ，５９Ｔ３ｂ，６０Ｔ３ｂ，６２Ｔ３ｂ，６３Ｔ３ｂ，６５Ｔ３ｂ，６６Ｔ３ｂ，６８Ｔ３ｂ，６９Ｔ３ｂが直列に接続されることによって構成されている。共振器３０は、更に、導体層７１３と、導体層７０３と導体層７１３とを電気的に接続するスルーホール７０Ｔ３ａ，７０Ｔ３ｂとを含んでいる。

【0091】

積層体５０の複数の導体は、共振器２０を構成するための導体層７０２を含んでいる。積層体５０の複数の導体は、更に、共振回路４０を構成するための導体群を含んでいる。共振回路４０は、第１の信号端子２と第２の信号端子３との間の通過減衰特性において減衰極を形成するための回路である。従って、導体群は、第１の信号端子２と第２の信号端子３との間の通過減衰特性において減衰極を形成するためのものである、とも言える。

【0092】

導体群は、インダクタを構成するためのインダクタ用導体と、キャパシタを構成するためのキャパシタ用導体とを含んでいる。本実施の形態では、導体群は、インダクタ用導体として、導体層５９１，６２１，６５１，６８１と、スルーホール５５Ｔ４，５６Ｔ４，５７Ｔ４，５８Ｔ４，５９Ｔ４，６０Ｔ４，６２Ｔ４，６３Ｔ４，６５Ｔ４，６６Ｔ４，６８Ｔ４，６９Ｔ４とを含んでいる。スルーホール５５Ｔ４，５６Ｔ４，５７Ｔ４，５８Ｔ４，５９Ｔ４，６０Ｔ４，６２Ｔ４，６３Ｔ４，６５Ｔ４，６６Ｔ４，６８Ｔ４，６９Ｔ４は、導体層５９１，６２１，６５１，６８１を直列に接続するためのものである。

【0093】

また、導体群は、キャパシタ用導体として、導体層５４４，５５３を含んでいる。インダクタ用導体であるスルーホール５５Ｔ４は、キャパシタ用導体である導体層５５３に電気的に接続されている。

【0094】

図８（ｂ）に示したように、導体層７０２は、回路構成上第１の信号端子２に最も近い第１の端部Ｅ１と、回路構成上第２の信号端子３に最も近い第２の端部Ｅ２とを有している。第１の端部Ｅ１は、具体的には、導体層７０２のうち、スルーホール６９Ｔ２ａが接する部分である。第２の端部Ｅ２は、具体的には、導体層７０２のうち、スルーホール６９Ｔ２ｂが接する部分である。図１では、第１の端部Ｅ１に対応する回路図上の点を符号２０ａで表し、第２の端部Ｅ２に対応する回路図上の点を符号２０ｂで表している。符号２０ｃは、第１の端部Ｅ１（２０ａ）と第２の端部Ｅ２（２０ｂ）とを接続する経路を示している。

【0095】

導体群は、第１の端部Ｅ１と第２の端部Ｅ２との間において導体層７０２に接続されている。本実施の形態では、導体群のうちのスルーホール６９Ｔ４が、導体層７０２に接続されている。図８（ｂ）に示したように、導体層７０２は、第１の端部Ｅ１を含む第１の領域７０２ａと、第２の端部Ｅ２を含む第２の領域７０２ｂと、導体層７０２の長手方向において第１の領域７０２ａと第２の領域７０２ｂとの間に配置された中央領域７０２ｃとを含んでいる。スルーホール６９Ｔ４すなわち導体群は、中央領域７０２ｃに接続されている。

【0096】

第１の領域７０２ａは、導体層７０２の第１の部分７０２Ａの一部を含んでいる。第２の領域７０２ｂは、導体層７０２の第２の部分７０２Ｂの一部を含んでいる。中央領域７０２ｃは、第１の部分７０２Ａの他の一部と第２の部分７０２Ｂの他の一部を含むと共に、第１の部分７０２Ａと第２の部分７０２Ｂとの境界を含んでいる。第１の部分７０２Ａと第２の部分７０２Ｂとの境界は、共振器２０の第１の部分２１と第２の部分との接続点Ｐ（図１参照）に対応する。本実施の形態では、スルーホール６９Ｔ４は、第１の部分７０２Ａと第２の部分７０２Ｂとの境界およびその近傍部分に接続されている。従って、本実施の形態では、導体群は、接続点Ｐに接続されている。

【0097】

なお、導体層７０２の第１の部分７０２Ａと第２の部分７０２Ｂとの境界は、導体層７０２の長手方向の中央であってもよい。この場合、導体群は、導体層７０２の長手方向の中央に接続されている。

【0098】

本実施の形態では特に、導体層７０２は、ローパスフィルタ５の共振器２０を構成するための導体層である。従って、導体群すなわち共振回路４０は、ローパスフィルタ５の共振器２０に接続されているとも言える。

【0099】

また、導体群は、共振器１０，２０，３０によって囲まれた空間に配置されている。本実施の形態では特に、導体群は、積層方向Ｔに直交する一方向すなわちＹ方向から見て、共振器２０のスルーホール列Ｔ２ａとスルーホール列Ｔ２ｂとの間に配置されている。

【0100】

インダクタ用導体（導体層５９１，６２１，６５１，６８１およびスルーホール５５Ｔ４，５６Ｔ４，５７Ｔ４，５８Ｔ４，５９Ｔ４，６０Ｔ４，６２Ｔ４，６３Ｔ４，６５Ｔ４，６６Ｔ４，６８Ｔ４，６９Ｔ４）は、回路構成上、第１の端部Ｅ１（２０ａ）と第２の端部Ｅ２（２０ｂ）とを接続する経路２０ｃとキャパシタ用導体（導体層５４４，５５３）との間に設けられている。

【0101】

インダクタ用導体の導体層５９１，６２１，６５１，６８１の各々は、第１および第２の接続部分と、線路部分とを含んでいる。導体層５９１，６２１，６５１，６８１のうち、積層方向Ｔにおいて隣接する２つの導体層は、積層方向Ｔから見たときに、２つの導体層の一方の線路部分と２つの導体層の他方の線路部分とが互いに重ならないように配置されている。すなわち、図５（ｃ）および図６（ｂ）に示したように、導体層５９１，６２１は、積層方向Ｔから見たときに、導体層５９１の線路部分と導体層６２１の線路部分とが互いに重ならないように配置されている。また、図６（ｂ）および図７（ａ）に示したように、導体層６２１，６５１は、積層方向Ｔから見たときに、導体層６２１の線路部分と導体層６５１の線路部分とが互いに重ならないように配置されている。また、図７（ａ）および図７（ｃ）に示したように、導体層６５１，６８１は、積層方向Ｔから見たときに、導体層６５１の線路部分と導体層６８１の線路部分とが互いに重ならないように配置されている。

【0102】

また、導体層５９１，６２１，６５１，６８１のうち、積層方向Ｔにおいて隣接する２つの導体層の一方の線路部分と他方の線路部分は、互いに対称な形状を有している。すなわち、図５（ｃ）および図６（ｂ）に示したように、導体層５９１の線路部分と導体層６２１の線路部分は、積層方向Ｔから見たときに、互いに対称（面対称）な形状を有している。また、図６（ｂ）および図７（ａ）に示したように、導体層６２１の線路部分と導体層６５１の線路部分は、積層方向Ｔから見たときに、互いに対称（面対称）な形状を有している。また、図７（ａ）および図７（ｃ）に示したように、導体層６５１の線路部分と導体層６８１の線路部分は、積層方向Ｔから見たときに、互いに対称（面対称）な形状を有している。

【0103】

次に、本実施の形態に係る電子部品１の特性の一例を示す。図１１は、電子部品１の通過減衰特性および反射減衰特性の一例を示している。図１１において、横軸は周波数を示し、縦軸は減衰量を示している。また、図１１において、符号８１を付した曲線は、電子部品１の通過減衰特性を示している。また、符号８２を付した曲線は、第１の信号端子２における反射減衰特性を示している。図１１に示したように、電子部品１は、通過帯域よりも低く通過帯域に近い周波数領域において、減衰量の絶対値すなわち挿入損失が急峻に変化する特性を有している。

【0104】

次に、本実施の形態に係る電子部品１の作用および効果について説明する。本実施の形態では、導体層７０２に接続された導体群すなわち共振回路４０は、図１１に示したように、通過帯域よりも低く通過帯域に近い周波数領域に減衰極を発生させる。この減衰極の周波数は、共振回路４０に含まれるインダクタＬ４１とキャパシタＣ４１の各々のパラメータを調整することによって制御することができる。本実施の形態によれば、他の特性にほとんど影響を与えることなく、減衰極の周波数を制御することが可能である。以下、この効果について、第１および第２のシミュレーションの結果を参照して説明する。

【0105】

第１のシミュレーションでは、共振回路４０に含まれるインダクタＬ４１とキャパシタＣ４１の各々のパラメータを調整することによって、通過帯域よりも低く通過帯域に近い周波数領域において発生する減衰極の周波数を制御した。図１２は、第１のシミュレーションの結果を示す特性図である。図１２において、横軸は周波数を示し、縦軸は減衰量を示している。また、図１２において、符号８３を付した曲線は、図１１に示した特性よりも減衰極の周波数が低くなるようにパラメータを調整したときの電子部品１の通過減衰特性を示している。符号８４を付した曲線は、図１１に示した特性よりも減衰極の周波数が高くなるようにパラメータを調整したときの電子部品１の通過減衰特性を示している。

【0106】

図１２から理解されるように、本実施の形態によれば、通過帯域の減衰量、通過帯域よりも低い周波数領域における他の減衰極の周波数、および通過帯域よりも高い周波数領域における他の減衰極の周波数をほとんど変えることなく、減衰極の周波数を制御することができる。

【0107】

第２のシミュレーションでは、通過帯域よりも低く通過帯域に近い周波数領域に減衰極が発生するように、共振回路４０に含まれるインダクタＬ４１とキャパシタＣ４１の各々のパラメータを調整した。図１３は、第２のシミュレーションの結果を示す特性図である。図１３において、横軸は周波数を示し、縦軸は減衰量を示している。また、図１３において、符号８５を付した曲線は、減衰極の周波数が相対的に低くなるようにパラメータを調整したときの電子部品１の通過減衰特性を示している。符号８６を付した曲線は、減衰極の周波数が相対的に高くなるようにパラメータを調整したときの電子部品１の通過減衰特性を示している。

【0108】

図１３から理解されるように、本実施の形態によれば、通過帯域の減衰量、通過帯域よりも低い周波数領域における他の減衰極の周波数および通過帯域よりも高い周波数領域における他の１つの減衰極の周波数をほとんど変えることなく、減衰極の周波数を制御することができる。

【0109】

以上説明したように、本実施の形態によれば、通過帯域に近い周波数領域に発生させた減衰極を、他の特性に影響を与えることなく制御することができる

【0110】

［変形例］
次に、本実施の形態における第１および第２の変形例について説明する。始めに、図１４を参照して、第１の変形例について説明する。図１４は、本実施の形態における共振器の変形例を示す説明図である。第１の変形例では、電子部品１は、共振器２０の代わりに、共振器１２０を備えている。共振器１２０は、所定の線路長を有するように構成された分布定数線路である共振器用導体層によって構成されている。

【0111】

共振器１２０（共振器用導体層）は、回路構成上第１の信号端子２（図１参照）に最も近い第１の端部１２０ａと、回路構成上第２の信号端子（図１参照）に最も近い第２の端部１２０ｂとを有している。第１の端部１２０ａは、第１のポート１０２に接続されている。第２の端部１２０ｂは、第２のポート１０３に接続されている。

【0112】

共振回路４０は、第１の端部１２０ａと第２の端部１２０ｂとの間において共振器１２０（共振器用導体層）に接続されている。すなわち、共振回路４０を構成するための導体群は、第１の端部１２０ａと第２の端部１２０ｂとの間において共振器１２０（共振器用導体層）に接続されている。

【0113】

第１のポート１０２は、第１の信号端子２に直接接続されていてもよいし、他の回路（以下、第１の回路と言う。）を介して第１の信号端子２に接続されていてもよい。第１の回路は、共振器１２０と同様の構成の共振器を含んでいてもよい。この場合、第１の回路は、更に、共振器に接続されると共に、共振回路４０と同様の構成の共振回路を含んでいてもよい。あるいは、第１の回路は、第１のハイパスフィルタ４と同様の構成を有していてもよい。

【0114】

第２のポート１０３は、第２の信号端子３に直接接続されていてもよいし、他の回路（以下、第２の回路と言う。）を介して第２の信号端子３に接続されていてもよい。第２の回路は、共振器１２０と同様の構成の共振器を含んでいてもよい。この場合、第２の回路は、更に、共振器に接続されると共に、共振回路４０と同様の構成の共振回路を含んでいてもよい。あるいは、第２の回路は、第２のハイパスフィルタ６と同様の構成を有していてもよい。

【0115】

次に、図１５を参照して、第２の変形例について説明する。図１５は、本実施の形態における共振回路の変形例を示す説明図である。第２の変形例は、以下の点で第１の変形例と異なっている。第２の変形例では、電子部品１は、共振回路４０の代わりに、共振回路１４０を備えている。共振回路１４０は、第１の端部１２０ａと第２の端部１２０ｂとの間において共振器１２０（共振器用導体層）に接続されている。

【0116】

共振回路１４０は、インダクタＬ１４１とキャパシタＣ１４１とを含んでいる。キャパシタＣ１４１の一端は、共振器１２０（共振器用導体層）に接続されている。インダクタＬ１４１の一端は、キャパシタＣ１４１の他端に接続されている。インダクタＬ１４１の他端は、グランドに接続されている。

【0117】

積層体５０の複数の導体は、共振回路１４０を構成するための導体群を含んでいる。導体群は、インダクタＬ１４１を構成するためのインダクタ用導体と、キャパシタＣ１４１を構成するためのキャパシタ用導体とを含んでいる。インダクタＬ１４１を構成するためのインダクタ用導体の構成は、基本的には、インダクタＬ４１を構成するためのインダクタ用導体の構成と同じである。キャパシタＣ１４１を構成するためのキャパシタ用導体の構成は、基本的には、キャパシタＣ４１を構成するためのキャパシタ用導体の構成と同じである。第２の変形例では、キャパシタ用導体に含まれる１つの導体層は、共振器１２０（共振器用導体層）に電気的に接続されている。また、キャパシタ用導体は、回路構成上、共振器１２０（共振器用導体層）とインダクタ用導体との間に設けられている。

【0118】

なお、本発明は、上記実施の形態に限定されず、種々の変更が可能である。例えば、本発明の共振器２０は、積層方向Ｔに直交する軸に巻回された共振器や、分布定数線路によって構成された共振器に限らず、積層方向Ｔに平行な軸に巻回された共振器であってもよい。

【0119】

また、第１のハイパスフィルタ４、ローパスフィルタ５および第２のハイパスフィルタ６の各々の構成は、任意である。

【0120】

また、インダクタ用導体は、導体層５９１，６２１，６５１，６８１に加えて、積層方向Ｔにおいて導体層５９１に隣接する第１の導体層を含んでいてもよい。第１の導体層は、積層方向Ｔから見て、導体層５９１と重なると共に、導体層５９１の平面形状と同じかほぼ同じ形状または導体層５９１の平面形状と相似するかほぼ相似する形状を有していてもよい。第１の導体層は、第１の導体層と導体層６２１との間に導体層５９１が配置される位置に配置されていてもよい。この場合、導体層５９１と第１の導体層との間隔は、導体層５９１と導体層６２１との間隔以下であってもよい。

【0121】

インダクタ用導体は、更に、積層方向Ｔにおいて導体層６２１に隣接する第２の導体層と、積層方向Ｔにおいて導体層６５１に隣接する第３の導体層と、積層方向Ｔにおいて導体層６８１に隣接する第４の導体層とを含んでいてもよい。導体層５９１と第１の導体層の組についての上記の説明は、導体層６２１と第２の導体層の組、導体層６５１と第３の導体層の組、および導体層６８１と第４の導体層の組にも当てはまる。

【0122】

以上説明したように、本発明の積層型電子部品は、第１の信号端子と、第２の信号端子と、回路構成上、第１の信号端子と第２の信号端子との間に設けられた共振器と、第１の信号端子、第２の信号端子および共振器を一体化するための積層体であって、積層された複数の誘電体層と、複数の導体とを含む積層体とを備えている。複数の導体は、共振器を構成するための共振器用導体層と、第１の信号端子と第２の信号端子との間の通過減衰特性において減衰極を形成するための導体群とを含んでいる。共振器用導体層は、回路構成上第１の信号端子に最も近い第１の端部と、回路構成上第２の信号端子に最も近い第２の端部とを有している。導体群は、第１の端部と第２の端部との間において共振器用導体層に接続されると共に、インダクタを構成するためのインダクタ用導体と、キャパシタを構成するためのキャパシタ用導体とを含んでいる。

【0123】

本発明の積層型電子部品において、導体群は、回路構成上、第１の端部と第２の端部とを接続する経路とグランドとの間に設けられていてもよい。

【0124】

また、本発明の積層型電子部品において、共振器は、直列に接続された第１の部分および第２の部分を含んでいてもよい。導体群は、第１の部分と第２の部分との接続点に接続されていてもよい。

【0125】

また、本発明の積層型電子部品において、共振器用導体層は、第１の端部を含む第１の領域と、第２の端部を含む第２の領域と、共振器用導体層の長手方向において第１の領域と第２の領域との間に配置された中央領域とを含んでいてもよい。導体群は、中央領域に接続されていてもよい。

【0126】

また、本発明の積層型電子部品において、インダクタ用導体は、キャパシタ用導体に電気的に接続されていると共に、回路構成上、第１の端部と第２の端部とを接続する経路とキャパシタ用導体との間に設けられていてもよい。

【0127】

また、本発明の積層型電子部品において、インダクタ用導体は、複数の導体層と、複数の導体層を直列に接続するための複数のスルーホールとを含んでいてもよい。複数の導体層の各々は、複数のスルーホールが接続される接続部分と、線路部分とを含んでいてもよい。複数の導体層は、複数の誘電体層の積層方向において隣接する２つの導体層を含んでいてもよい。２つの導体層は、積層方向から見たときに、２つの導体層の一方の線路部分と２つの導体層の他方の線路部分とが互いに重ならないように配置されていてもよい。２つの導体層の一方の線路部分と２つの導体層の他方の線路部分は、互いに対称な形状を有していてもよい。

【0128】

また、本発明の積層型電子部品において、複数の導体は、更に、共振器を構成するための２つのスルーホール列であって、それぞれ複数のスルーホールが直列に接続されることによって構成されたスルーホール列を含んでいてもよい。２つのスルーホール列の各々の一端は、共振器用導体層に電気的に接続されていてもよい。導体群は、複数の誘電体層の積層方向に直交する一方向から見て、２つのスルーホール列の間に配置されていてもよい。

【0129】

また、本発明の積層型電子部品は、更に、共振器を含むと共に回路構成上第１の信号端子と第２の信号端子との間に設けられたフィルタを備えていてもよい。フィルタは、更に、少なくとも１つの他の共振器を含んでいてもよい。複数の導体は、更に、少なくとも１つの他の共振器を構成するための少なくとも１つの他の共振器用導体層を含んでいてもよい。少なくとも１つの他の共振器は、複数の他の共振器であってもよい。少なくとも１つの他の共振器用導体層は、複数の他の共振器用導体層であってもよい。複数の導体は、通過減衰特性において減衰極を形成するための少なくとも１つの他の導体群を含んでいてもよい。少なくとも１つの他の導体群は、第１の端部と第２の端部との間において複数の他の共振器用導体層のうちの少なくとも１つに接続されると共に、それぞれ他のインダクタを構成するための他のインダクタ用導体と他のキャパシタを構成するための他のキャパシタ用導体とを含んでいてもよい。

【符号の説明】

【0130】

１…電子部品、２…第１の信号端子、３…第２の信号端子、４…第１のハイパスフィルタ、５…ローパスフィルタ、６…第２のハイパスフィルタ、１０…共振器、２０…共振器、２１…第１の部分、２２…第２の部分、３０…共振器、４０…共振回路、５０…積層体、５０Ａ…底面、５０…上面、５０Ｃ～５０Ｆ…側面、５１～７２…誘電体層、Ｃ１１～Ｃ１６，Ｃ２１～Ｃ２３，Ｃ３１～Ｃ３６，Ｃ４１…キャパシタ、Ｌ１～Ｌ３，Ｌ１１，Ｌ１２，Ｌ２３，Ｌ３１，Ｌ３２，Ｌ４１…インダクタ。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】