特開 2024-131059 積層インダクタ

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024131059

(43)【公開日】2024-09-30

(54)【発明の名称】積層インダクタ

(51)【国際特許分類】

   H01F 17/06 20060101AFI20240920BHJP

   H01F 27/255 20060101ALI20240920BHJP

【ＦＩ】

H01F17/06 F

H01F27/255

【審査請求】未請求

【請求項の数】8

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023041086

(22)【出願日】2023-03-15

(71)【出願人】

【識別番号】000003067

【氏名又は名称】ＴＤＫ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100088155

【弁理士】

【氏名又は名称】長谷川 芳樹

(74)【代理人】

【識別番号】100113435

【弁理士】

【氏名又は名称】黒木 義樹

(74)【代理人】

【識別番号】100124062

【弁理士】

【氏名又は名称】三上 敬史

(72)【発明者】

【氏名】矢田 剛裕

(72)【発明者】

【氏名】下保 真志

(72)【発明者】

【氏名】山本 将敬

(72)【発明者】

【氏名】阿部 裕幸

(72)【発明者】

【氏名】齋藤 大樹

(72)【発明者】

【氏名】生出 章彦

【テーマコード（参考）】

5E070

【Ｆターム（参考）】

5E070AB03

5E070BA16

5E070CA07

(57)【要約】

【課題】直流重畳特性の向上が可能な積層インダクタを提供する。
【解決手段】積層インダクタ１０は、互いに対向している一対の端面１２ａ，１２ｂと、一対の端面１２ａ，１２ｂ間を接続するように第一方向Ｄ１において延在している側面１２ｃと、を有する素体１２と、素体１２内に配置され、第一方向Ｄ１において延在しているスルー導体１６と、を備える。素体１２は、第一方向Ｄ１から見て、スルー導体１６を囲む第一部分２１と、第一部分２１よりも外側に位置する第二部分２２と、を含む。第一部分２１は、側面１２ｃ，１２ｄ，１２ｅ，１２ｆから離間して配置されている。第一部分２１及び第二部分２２は、互いに異なる透磁率を有している。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

互いに対向している一対の端面と、前記一対の端面間を接続するように前記一対の端面の対向方向において延在している側面と、を有する素体と、
前記素体内に配置され、前記対向方向において延在しているスルー導体と、を備え、
前記素体は、前記対向方向から見て、前記スルー導体を囲む第一部分と、前記第一部分よりも外側に位置する第二部分と、を含み、
前記第一部分は、前記側面から離間して配置されており、
前記第一部分及び前記第二部分は、互いに異なる透磁率を有している、
積層インダクタ。

【請求項2】

前記第一部分の透磁率は、前記第二部分の透磁率よりも低い、
請求項１に記載の積層インダクタ。

【請求項3】

前記素体は、前記第一部分と前記第二部分との間に配置された第三部分を更に含み、
前記第三部分の透磁率は、前記第一部分の透磁率よりも高く、前記第二部分の透磁率よりも低い、
請求項２に記載の積層インダクタ。

【請求項4】

前記素体は、前記対向方向において積層された複数の素体層を有している、
請求項１～３のいずれか一項に記載の積層インダクタ。

【請求項5】

前記第一部分の前記対向方向における長さは、前記スルー導体の前記対向方向における長さと等しい、
請求項１～３のいずれか一項に記載の積層インダクタ。

【請求項6】

前記対向方向から見て、前記第一部分は、前記第一部分の長手方向が前記素体の長手方向に沿うように配置されている、
請求項１～３のいずれか一項に記載の積層インダクタ。

【請求項7】

前記一対の端面は、長方形状を呈しており、
前記一対の端面の長辺方向における前記第一部分の長さは、前記一対の端面の短辺方向における前記第一部分の長さよりも長い、
請求項１～３のいずれか一項に記載の積層インダクタ。

【請求項8】

前記一対の端面は、正方形状を呈しており、
前記対向方向から見て、前記スルー導体及び前記第一部分は、いずれも円形状を呈しているか、いずれも正方形状を呈している、
請求項１～３のいずれか一項に記載の積層インダクタ。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、積層インダクタに関する。

【背景技術】

【0002】

一対の端面を有する素体と、素体内に配置され、一対の端面の対向方向において延在しているスルー導体と、を備える積層インダクタが知られている（たとえば、特許文献１）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開平４－１６５６０６号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

本開示は、直流重畳特性の向上が可能な積層インダクタを提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本開示の一態様に係る積層インダクタは、互いに対向している一対の端面と、一対の端面間を接続するように一対の端面の対向方向において延在している側面と、を有する素体と、素体内に配置され、対向方向において延在しているスルー導体と、を備え、素体は、対向方向から見て、スルー導体を囲む第一部分と、第一部分よりも外側に位置する第二部分と、を含み、第一部分は、側面から離間して配置されており、第一部分及び第二部分は、互いに異なる透磁率を有している。

【0006】

上記積層インダクタでは、スルー導体を囲む素体の第一部分と、第一部分よりも外側に位置する素体の第二部分とが互いに異なる透磁率を有している。これにより、磁束密度の分布が一様となり易いので、直流重畳特性を向上させることができる。第一部分は、側面から離間して配置され、側面から露出していないので、側面にめっき延びを生じさせることが抑制される。

【0007】

第一部分の透磁率は、第二部分の透磁率よりも低くてもよい。この場合、確実に直流重畳特性を向上させることができる。

【0008】

素体は、第一部分と第二部分との間に配置された第三部分を更に含み、第三部分の透磁率は、第一部分の透磁率よりも高く、第二部分の透磁率よりも低くてもよい。この場合、インピーダンスを調整することができる。

【0009】

素体は、対向方向において積層された複数の素体層を有していてもよい。この場合、各素体層を印刷法により形成すれば、第一部分及び第二部分を所望の形状とし易い。

【0010】

第一部分の対向方向における長さは、スルー導体の対向方向における長さと等しくてもよい。この場合、スルー導体の全長にわたって、第一部分を設けることができるので、直流重畳特性を更に向上させることができる。

【0011】

対向方向から見て、第一部分は、第一部分の長手方向が素体の長手方向に沿うように配置されていてもよい。この場合、磁束を素体の全体に分散させ易い。よって、磁束が素体の一部に集中し、磁気飽和することが抑制される。その結果、直流重畳特性を更に向上させることができる。

【0012】

一対の端面は、長方形状を呈しており、一対の端面の長辺方向における第一部分の長さは、一対の端面の短辺方向における第一部分の長さよりも長くてもよい。この場合、磁束を素体の全体に分散させ易い。よって、磁束が素体の一部に集中し、磁気飽和することが抑制される。その結果、直流重畳特性を更に向上させることができる。

【0013】

一対の端面は、正方形状を呈しており、対向方向から見て、スルー導体及び第一部分は、いずれも円形状を呈しているか、いずれも正方形状を呈していてもよい。この場合、磁束を素体の全体に分散させ易い。よって、磁束が素体の一部に集中し、磁気飽和することが抑制される。その結果、直流重畳特性を更に向上させることができる。

【発明の効果】

【0014】

本発明の一態様によれば、直流重畳特性の向上が可能な積層インダクタを提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0015】

【図1】図１は、第一実施形態に係る積層インダクタを示す斜視図である。

【図2】図２は、図１の積層インダクタを示す斜視図である。

【図3】図３は、図１の積層インダクタを示す断面図である。

【図4】図４は、図１の積層インダクタを示す断面図である。

【図5】図５は、第二実施形態に係る積層インダクタを示す斜視図である。

【図6】図６は、図５の積層インダクタを示す断面図である。

【図7】図７は、第三実施形態に係る積層インダクタを示す断面図である。

【図8】図８は、第四実施形態に係る積層インダクタを示す断面図である。

【図9】図９は、第五実施形態に係る積層インダクタを示す断面図である。

【図10】図１０（ａ）は、第一比較例に係る積層インダクタを示す断面図である。図１０（ｂ）は、第二比較例に係る積層インダクタを示す断面図である。

【図11】図１１は、直流重畳特性のシミュレーション結果を示すグラフである。

【発明を実施するための形態】

【0016】

以下、添付図面を参照して、本発明の実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明において同一又は相当要素には同一符号を付し、重複する説明は省略する。

【0017】

（第一実施形態）
図１は、第一実施形態に係る積層インダクタを示す斜視図である。図１に示されるように、第一実施形態に係る積層インダクタ１０は、素体１２と、一対の外部電極１４Ａ，１４Ｂと、スルー導体１６とを備えている。

【0018】

素体１２は、直方体形状の外形を有している。直方体形状には、角部及び稜線部が面取りされている直方体の形状、及び、角部及び稜線部が丸められている直方体の形状が含まれる。素体１２は、その外面として、互いに対向している一対の端面１２ａ，１２ｂと、互いに対向している一対の側面１２ｃ，１２ｄと、互いに対向している一対の側面１２ｅ，１２ｆとを有している。各側面１２ｃ，１２ｄ，１２ｅ，１２ｆは、一対の端面１２ａ，１２ｂ間を接続するように一対の端面１２ａ，１２ｂの対向方向において延在している。

【0019】

側面１２ｄは、積層インダクタ１０が実装された際に実装基体と対向する実装面である。側面１２ｄと対向する側面１２ｃは、積層インダクタ１０が実装された際に頂面となる。以下では、一対の端面１２ａ，１２ｂの対向方向を第一方向Ｄ１、一対の側面１２ｃ，１２ｄの対向方向を第二方向Ｄ２、一対の側面１２ｅ，１２ｆの対向方向を第三方向Ｄ３とする。第一方向Ｄ１、第二方向Ｄ２及び第三方向Ｄ３は、互いに直交している。

【0020】

素体１２の第一方向Ｄ１における寸法を長さ、素体１２の第三方向Ｄ３における寸法を幅、素体１２の第二方向Ｄ２における寸法を厚さとすると、素体１２の寸法は、一例として長さ２．５ｍｍ×幅２ｍｍ×厚さ０．８５ｍｍである。本実施形態では、素体１２は、厚さより幅のほうが長くなるように設計されている。また、素体１２は、幅より長さのほうが長くなるように設計されている。各端面１２ａ，１２ｂは、第二方向Ｄ２を短辺方向、第三方向Ｄ３を長辺方向とする長方形状を呈している。

【0021】

素体１２は、第一方向Ｄ１において積層されている複数の素体層（不図示）を有している。すなわち、第一方向Ｄ１は複数の素体層の積層方向である。実際の素体１２では、複数の素体層は、その層間の境界が視認できない程度に一体化されている。素体１２を構成する素体層の数は、一例として１５０である。各素体層の厚さ（第一方向Ｄ１の長さ）は、たとえば、１μｍ以上１００μｍ以下である。素体１２は、たとえばフェライト等の磁性材料で構成されている。素体１２は、素体層となる複数の磁性体パターンを積層して焼成することで得られる。磁性体パターンは、たとえば、磁性体ペースト（たとえば、フェライトペースト）を用い、印刷法により所望のパターンで形成される。すなわち、素体１２は、印刷積層構造を有する。

【0022】

一対の外部電極１４Ａ，１４Ｂは、素体１２の一対の端面１２ａ，１２ｂにそれぞれ設けられている。一対の外部電極１４Ａ，１４Ｂは、スルー導体１６と電気的に接続されている。外部電極１４Ａは、端面１２ａに設けられ、端面１２ａの全領域を覆っている。外部電極１４Ａは、端面１２ａと、端面１２ａと隣り合う側面１２ｃ，１２ｄ，１２ｅ，１２ｆの端部とを一体的に覆っている。外部電極１４Ｂは、端面１２ｂに設けられ、端面１２ｂの全領域を覆っている。外部電極１４Ｂは、端面１２ｂと、端面１２ｂと隣り合う側面１２ｃ，１２ｄ，１２ｅ，１２ｆの端部とを一体的に覆っている。

【0023】

各外部電極１４Ａ，１４Ｂは、一または複数の電極層で構成されている。各外部電極１４Ａ，１４Ｂを構成する電極材料には、たとえばＡｇ等の金属材料や樹脂電極材料を採用することができる。各外部電極１４Ａ，１４Ｂは、たとえば、焼結金属層と、焼結金属層を覆うめっき層とを含んで構成されている。

【0024】

図２は、図１の積層インダクタを示す斜視図である。図２では、外部電極１４Ａ，１４Ｂの図示が省略されている。図３及び図４は、図１の積層インダクタを示す断面図である。図３では、第一方向Ｄ１に直交する断面図が示されている。図４では、第三方向Ｄ３に直交する断面図が示されている。図２～図４に示されるように、スルー導体１６は、素体１２内に配置され、第一方向Ｄ１において延在している。スルー導体１６は、端面１２ａから端面１２ｂに至っている。スルー導体１６は、第一方向Ｄ１を軸方向とする円柱形状を呈している。スルー導体１６の直径は、一例として０．４ｍｍである。スルー導体１６の第一方向Ｄ１における長さＬ１は、素体１２の第一方向Ｄ１における長さと等しい。

【0025】

スルー導体１６は、一対の端面１６ａ，１６ｂ及び側面１６ｃを有している。一対の端面１６ａ，１６ｂは、第一方向Ｄ１において互いに対向している。端面１６ａは、端面１２ａに露出し、外部電極１４Ａと接合されている。端面１６ｂは、端面１２ｂに露出し、外部電極１４Ｂと接合されている。側面１６ｃは、一対の端面１６ａ，１６ｂ間を接続するように第一方向Ｄ１において延在している。側面１６ｃは、スルー導体１６の外周面である。

【0026】

スルー導体１６は、各側面１２ｃ，１２ｄ，１２ｅ，１２ｆから離間して配置され、各側面１２ｃ，１２ｄ，１２ｅ，１２ｆには露出していない。スルー導体１６は、素体１２の第二方向Ｄ２の中央部、かつ、素体１２の第三方向Ｄ３の中央部に配置されている。すなわち、スルー導体１６と側面１２ｃとの離間距離は、スルー導体１６と側面１２ｄとの離間距離と同等である。スルー導体１６と側面１２ｅとの離間距離は、スルー導体１６と側面１２ｆとの離間距離と同等である。本明細書において、離間距離は最短の離間距離を意味する。

【0027】

スルー導体１６は、たとえばＡｇ等の金属を含む導電材料で構成されている。スルー導体１６は、たとえば素体層に設けられた貫通孔に導電ペーストを充填し、焼成することにより形成されている。スルー導体１６は、素体層と共に積層された複数の導体層（不図示）を有していてもよい。この場合、スルー導体１６を構成する導体層の数は、素体１２を構成する素体層の数と同じである。スルー導体１６は、導体層となる複数の導体パターンを積層して焼成することで得られる。導体パターンは、たとえば、導電ペーストを用い、印刷法により所定のパターンで形成される。すなわち、素体１２と同様にスルー導体１６は、印刷積層構造を有してもよい。

【0028】

素体１２は、第一部分２１及び第二部分２２を含む。第一部分２１は、第一方向Ｄ１から見て、スルー導体１６を囲んでいる。第一部分２１は、側面１６ｃに接して設けられている。第一部分２１は、各側面１２ｃ，１２ｄ，１２ｅ，１２ｆから離間して配置され、各側面１２ｃ，１２ｄ，１２ｅ，１２ｆには露出していない。

【0029】

第一部分２１は、一対の端面２１ａ，２１ｂ及び側面２１ｃを有している。一対の端面２１ａ，２１ｂは、第一方向Ｄ１において互いに対向している。端面２１ａは、端面１２ａに露出し、外部電極１４Ａにより覆われている。端面２１ｂは、端面１２ｂに露出し、外部電極１４Ｂにより覆われている。側面２１ｃは、一対の端面２１ａ，２１ｂ間を接続するように第一方向Ｄ１において延在している。

【0030】

第一部分２１は、第一方向Ｄ１を軸方向とし、内部にスルー導体１６が配置された円筒形状を呈している。側面２１ｃは、第一部分２１の外周面である。第一部分２１は、スルー導体１６と同軸となるように配置されている。第一部分２１の外径は、一例として０．７ｍｍである。第一部分２１は、側面１６ｃの全領域を均等な厚さで覆っている。

【0031】

第二部分２２は、第一方向Ｄ１から見て、第一部分２１よりも外側に位置している。第二部分２２は、第一方向Ｄ１から見て、第一部分２１を囲んでいる。第二部分２２は、第一部分２１の側面２１ｃに接して設けられている。第二部分２２は、各側面１２ｃ，１２ｄ，１２ｅ，１２ｆの全体を構成している。

【0032】

第一部分２１及び第二部分２２は、互いに異なる透磁率を有している。本実施形態では、第一部分２１の透磁率は、第二部分２２の透磁率よりも低い。第一部分２１の第一方向Ｄ１における長さＬ２は、スルー導体１６の第一方向Ｄ１における長さＬ１と等しい。

【0033】

以上説明したように、積層インダクタ１０では、スルー導体１６を囲む第一部分２１と、第一部分２１よりも外側に位置する第二部分２２とが互いに異なる透磁率を有している。これにより、磁束密度の分布が一様となり易いので、直流重畳特性を向上させることができる。第一部分２１の透磁率は、第二部分２２の透磁率よりも低いので、確実に直流重畳特性を向上させることができる。

【0034】

一対の外部電極１４Ａ，１４Ｂがめっき層を含んで構成される場合、第一部分２１が側面１２ｃ，１２ｄ，１２ｅ，１２ｆから露出していると、露出箇所にめっき延びが生じるおそれがある。積層インダクタ１０では、第一部分２１は、側面１２ｃ，１２ｄ，１２ｅ，１２ｆから離間して配置され、側面１２ｃ，１２ｄ，１２ｅ，１２ｆから露出していない。よって、側面１２ｃ，１２ｄ，１２ｅ，１２ｆにめっき延びを生じさせることが抑制される。

【0035】

一対の端面２１ａ，２１ｂは、一対の端面１２ａ，１２ｂに露出している。しかしながら、一対の端面２１ａ，２１ｂは、めっき層の形成時には、一対の外部電極１４Ａ，１４Ｂのめっき層以外の電極層（たとえば、焼結金属層）により既に覆われ、めっきに接する部分を有さない。よって、一対の端面１２ａ，１２ｂにめっき延びを生じさせることも抑制される。

【0036】

素体１２は、第一方向Ｄ１において積層された複数の素体層を有している。各素体層を印刷法により形成すれば、第一部分２１及び第二部分２２を所望の形状とし易い。長さＬ１は、長さＬ２と等しいので、スルー導体１６の第一方向Ｄ１の全長にわたって、第一部分２１を設けることができる。よって、直流重畳特性を更に向上させることができる。

【0037】

（第二実施形態）
図５は、第二実施形態に係る積層インダクタを示す斜視図である。図５では、外部電極１４Ａ，１４Ｂの図示が省略されている。図６は、図５の積層インダクタを示す断面図である。図６では、第一方向Ｄ１に直交する断面図が示されている。図５及び図６に示されるように、第二実施形態に係る積層インダクタ１０Ａでは、素体１２が第三部分２３を更に含む点で、第一実施形態に係る積層インダクタ１０と相違している。以下では、積層インダクタ１０との相違点を中心に積層インダクタ１０Ａについて説明する。

【0038】

第三部分２３は、第一方向Ｄ１から見て、第一部分２１と第二部分２２との間に配置されている。第三部分２３は、第一方向Ｄ１から見て、第一部分２１を囲んでいる。第三部分２３は、第一部分２１の側面２１ｃに接して設けられている。第三部分２３は、各側面１２ｃ，１２ｄ，１２ｅ，１２ｆから離間して配置され、各側面１２ｃ，１２ｄ，１２ｅ，１２ｆには露出していない。

【0039】

第三部分２３は、一対の端面２３ａ，２３ｂ及び側面２３ｃを有している。一対の端面２３ａ，２３ｂは、第一方向Ｄ１において互いに対向している。端面２３ａは、端面１２ａに露出し、外部電極１４Ａにより覆われている。端面２３ｂは、端面１２ｂに露出し、外部電極１４Ｂにより覆われている。側面２３ｃは、一対の端面２３ａ，２３ｂ間を接続するように第一方向Ｄ１において延在している。

【0040】

第三部分２３は、第一方向Ｄ１を軸方向とし、内部にスルー導体１６及び第一部分２１が配置された円筒形状を呈している。側面２３ｃは、第三部分２３の外周面である。第三部分２３は、スルー導体１６及び第一部分２１と同軸となるように配置されている。第三部分２３の外径は、一例として０．７ｍｍである。この場合、第一部分２１の外径は、一例として○○ｍｍである。第三部分２３は、側面２１ｃの全領域を均等な厚さで覆っている。

【0041】

第三部分２３は、素体１２の第二方向Ｄ２の中央部、かつ、素体１２の第三方向Ｄ３の中央部に配置されている。すなわち、第三部分２３と側面１２ｃとの離間距離は、第三部分２３と側面１２ｄとの離間距離と同等である。第三部分２３と側面１２ｅとの離間距離は、第三部分２３と側面１２ｆとの離間距離と同等である。第二部分２２は、第一方向Ｄ１から見て、第一部分２１及び第三部分２３よりも外側に位置し、第一部分２１及び第三部分２３を囲んでいる。第二部分２２は、第三部分２３の側面２３ｃに接して設けられている。

【0042】

第一部分２１、第二部分２２、及び第三部分２３は、互いに異なる透磁率を有している。本実施形態では、第三部分２３の透磁率は、第一部分２１の透磁率よりも高く、第二部分２２の透磁率よりも低い。

【0043】

積層インダクタ１０Ａにおいても、第一部分２１及び第二部分２２が互いに異なる透磁率を有しているので、直流重畳特性を向上させることができる。第三部分２３の透磁率は、第一部分２１の透磁率よりも高く、第二部分２２の透磁率よりも低いので、インピーダンスを調整することができる。よって、積層インダクタ１０Ａでは、直流重畳特性の向上とインピーダンスの確保とを両立し易い。

【0044】

（第三実施形態）
図７は、第三実施形態に係る積層インダクタを示す断面図である。図７では、第三方向Ｄ３に直交する断面図が示されている。図７に示されるように、第三実施形態に係る積層インダクタ１０Ｂでは、長さＬ２が長さＬ１よりも短い点で、第一実施形態に係る積層インダクタ１０と相違している。以下では、積層インダクタ１０との相違点を中心に積層インダクタ１０Ｂについて説明する。

【0045】

第一部分２１は、側面１６ｃの全領域ではなく、側面１６ｃの第一方向Ｄ１の一部領域を覆っている。第一部分２１は、一対の端面１２ａ，１２ｂから離間して配置されている。一対の端面２１ａ，２１ｂは、第二部分２２により覆われ、一対の端面１２ａ，１２ｂに露出していない。第一部分２１は、素体１２の第一方向Ｄ１の中央部に配置されている。すなわち、第一部分２１と端面１２ａとの離間距離は、第一部分２１と端面１２ｂとの離間距離と同等である。

【0046】

積層インダクタ１０Ｂにおいても、第一部分２１及び第二部分２２が互いに異なる透磁率を有しているので、直流重畳特性を向上させることができる。第一部分２１の長さＬ２を変動させることにより、第一部分２１の体積が変動するので、直流重畳特性にも変化が生じる。これにより、取得できるインピーダンス値の幅が広がるので、使用目的に合わせたインピーダンスの調整が可能となる。第一部分２１の全体が素体１２内に配置され、素体１２の外面に露出していないので、めっき延びがより確実に抑制される。

【0047】

（第四実施形態）
図８は、第四実施形態に係る積層インダクタを示す断面図である。図８では、第三方向Ｄ３に直交する断面図が示されている。図８に示されるように、第四実施形態に係る積層インダクタ１０Ｃでは、第一部分２１が一対の分割部分２１１，２１２を含む点で、第一実施形態に係る積層インダクタ１０と相違している。以下では、積層インダクタ１０との相違点を中心に積層インダクタ１０Ｃについて説明する。

【0048】

一対の分割部分２１１，２１２は、第一方向Ｄ１において互いに離間して配置されている。一対の分割部分２１１，２１２の間には、第二部分２２が配置されている。一対の分割部分２１１，２１２は、互いに同じ形状を有している。分割部分２１１は、端面２１ａを含み、端面１２ａに露出している。分割部分２１２は、端面２１ｂを含み、端面１２ｂに露出している。各分割部分２１１，２１２の第一方向Ｄ１の長さＬ３は、長さＬ１よりも短い。長さＬ３は、長さＬ１の１／２よりも短い。

【0049】

積層インダクタ１０Ｃにおいても、第一部分２１及び第二部分２２が互いに異なる透磁率を有しているので、直流重畳特性を向上させることができる。第一部分２１の長さ（すなわち、分割部分２１１の長さＬ３の総和）を変動させることにより、第一部分２１の体積（すなわち、分割部分２１１，２１２の長さＬ３の総和）が変動するので、直流重畳特性にも変化が生じる。これにより、取得できるインピーダンス値の幅が広がるので、使用目的に合わせたインピーダンスの調整が可能となる。

【0050】

（第五実施形態）
図９は、第五実施形態に係る積層インダクタを示す断面図である。図９では、第一方向Ｄ１に直交する断面図が示されている。図９に示されるように、第五実施形態に係る積層インダクタ１０Ｄでは、第一方向Ｄ１から見た第一部分２１の外縁が、円形状ではなく、楕円形状を呈している点で、第一実施形態に係る積層インダクタ１０と相違している。以下では、積層インダクタ１０との相違点を中心に積層インダクタ１０Ｄについて説明する。

【0051】

第一方向Ｄ１から見た第一部分２１の外縁は、第三方向Ｄ３を長軸方向、第二方向Ｄ２を短軸方向とする楕円形状を呈している。一対の端面１２ａ，１２ｂの長辺方向（すなわち第三方向Ｄ３）における第一部分２１の長さＬ５は、一対の端面１２ａ，１２ｂの短辺方向（すなわち第二方向Ｄ２）における第一部分２１の長さＬ４よりも長い。長さＬ４は、スルー導体１６の直径と同等である。長さＬ４は、スルー導体１６の直径より長くてもよい。

【0052】

第一方向Ｄ１から見て、第一部分２１は、第一部分２１の長手方向（すなわち第三方向Ｄ３）が素体１２の長手方向（すなわち第三方向Ｄ３）に沿うように配置されていると言える。アスペクト比を長手方向の長さと短手方向の長さの比とすると、第一方向Ｄ１から見て、第一部分２１のアスペクト比（すなわち、長さＬ５と長さＬ４の比）は、素体１２のアスペクト比（すなわち、素体１２の第三方向Ｄ３の長さと素体１２の第二方向Ｄ２の長さの比）と同等であってもよい。

【0053】

積層インダクタ１０Ｄにおいても、第一部分２１及び第二部分２２が互いに異なる透磁率を有しているので、直流重畳特性を向上させることができる。第一方向Ｄ１から見て、第一部分２１の長手方向と素体１２の長手方向とが一致している。また、長さＬ５は、長さＬ４より長い。これにより、第一方向Ｄ１から見て、第二部分２２の厚さ、すなわち、側面１２ｃ，１２ｄ，１２ｅ，１２ｆから第一部分２１の側面２１ｃまでの距離が、積層インダクタ１０の場合よりも均等になる。このため、積層インダクタ１０Ｄでは、磁束が素体１２の一部に集中し、磁気飽和することが抑制される。その結果、直流重畳特性を更に向上させることができる。

【0054】

上記実施形態の効果を確認するために、実施例及び比較例に係る積層インダクタの直流重畳特性をシミュレーションにより評価した。なお、本発明はこれら実施例に限定されない。

【0055】

第一実施例に係る積層インダクタは、第一実施形態に係る積層インダクタ１０Ａに対応する構成を有している。第二実施例に係る積層インダクタは、第五実施形態に係る積層インダクタ１０Ｄに対応する構成を有している。

【0056】

図１０（ａ）は、第一比較例に係る積層インダクタを示す断面図である。図１０（ａ）及び図３に示されるように、第一比較例に係る積層インダクタ５１と第一実施形態に係る積層インダクタ１０との主な相違点は、積層インダクタ１０では、素体１２が互いに異なる透磁率を有する第一部分２１及び第二部分２２により構成されているのに対し、積層インダクタ５１では、素体１２の全体が同じ透磁率を有する磁性材料で構成されている点である。

【0057】

図１０（ｂ）は、第二比較例に係る積層インダクタを示す断面図である。図１０（ｂ）及び図３に示されるように、第二比較例に係る積層インダクタ５２と第一実施形態に係る積層インダクタ１０との主な相違点は、第一部分２１の形状である。積層インダクタ１０では、第一部分２１がスルー導体１６の側面１６ｃの全領域を覆い、側面１２ｃ，１２ｄ，１２ｅ，１２ｆに露出していない。これに対し、積層インダクタ５２では、第一部分２１がスルー導体１６の側面１６ｃの一部領域のみを覆い、側面１２ｅ，１２ｆに露出している。

【0058】

積層インダクタ５２では、第一部分２１の第二方向Ｄ２の長さは、スルー導体１６の直径よりも短い。第一部分２１は、スルー導体１６の第三方向Ｄ３の両側に配置されている。第一部分２１は、第二方向Ｄ２を厚さ方向とする矩形板状を呈し、スルー導体１６から側面１２ｅ，１２ｆに至っている。第一部分２１は、側面１６ｃのうち、側面１２ｅと対向する領域、及び、側面１２ｆと対向する領域を覆っている。側面１６ｃの残りの領域は、第一部分２１から露出している。

【0059】

第一実施例、第二実施例、第一比較例及び第二比較例に係る積層インダクタでは、いずれも素体の寸法を長さ２．５ｍｍ×幅２ｍｍ×厚さ０．８５ｍｍとし、スルー導体の直径を０．４ｍｍとした。各積層インダクタに対し、０Ａ、０．５Ａ、１Ａ、２Ａ、３Ａ、４Ａ、及び５Ａの直流電流（ＩＤＣ）を流したときのインダクタンスをシミュレーションにより求めた。

【0060】

図１１は、直流重畳特性のシミュレーション結果を示すグラフである。図１１の横軸は、直流電流の値（Ａ）を示す。図１１の縦軸は、インダクタンスの変化率（％）を示す。インダクタンスは、直流電流が増加するにつれて低下する。インダクタンスの変化率は、インダクタンスの変化量を０Ａのときのインダクタンスを基準としてパーセント表示されている（すなわち、インダクタンスの変化率（％）＝インダクタンスの変化量／０Ａのときのインダクタンス）。

【0061】

図１１に示されるように、第一実施例及び第二実施例に係る積層インダクタによれば、第一比較例に係る積層インダクタに比べて、直流重畳特性を向上できることが確認できた。第二比較例に係る積層インダクタでは、第一実施例に係る積層インダクタよりも直流重畳特性が向上できるものの、第一部分が素体の側面に露出しているので、めっき延びを抑制することができない。

【0062】

以上、本発明の実施形態について説明してきたが、本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。

【0063】

一対の端面１２ａ，１２ｂは、正方形状を呈していてもよい。この場合、スルー導体１６及び第一部分２１の外縁は、第一方向Ｄ１から見て、いずれも円形状を呈していてもよい。または、スルー導体１６及び第一部分２１の外縁は、第一方向Ｄ１から見て、いずれも正方形状を呈していてもよい。これにより、第一方向Ｄ１から見て、第二部分２２の厚さ、すなわち、側面１２ｃ，１２ｄ，１２ｅ，１２ｆと第一部分２１の側面２１ｃとの離間距離が、積層インダクタ１０の場合よりも均等化される。したがって、磁束を素体１２の全体に分散させ易い。よって、磁束が素体１２の一部に集中し、磁気飽和することが抑制される。その結果、直流重畳特性を更に向上させることができる。

【0064】

積層インダクタ１０では、第一部分２１の透磁率は、第二部分２２の透磁率よりも高くてもよい。この場合、第一部分２１の透磁率が第二部分２２の透磁率よりも低い場合に比べて、直流重畳特性は悪化するものの、初期Ｌ値は増大する。つまり、第一部分２１の透磁率が高い場合と低い場合とを使い分けることにより、インピーダンス値の調整が可能となる。

【0065】

積層インダクタ１０Ｂでは、第一部分２１は一対の端面１２ａ，１２ｂから離間しているが、端面１２ａに露出していてもよいし、端面１２ｂに露出していてもよい。積層インダクタ１０Ｃでは、各分割部分２１１，２１２は、各端面１２ａ，１２ｂから離間していてもよい。積層インダクタ１０Ｃでは、第一部分２１は、第一方向Ｄ１において互いに離間する三つ以上の分割部分を有していてもよい。複数の分割部分は、互いに異なる形状を有していてもよい。

【0066】

上記実施形態及び上記変形例は、適宜組み合わされてもよい。上述した実施形態及び変形例の記載から把握されるとおり、本明細書は以下に示す態様の開示を含んでいる。
（条項１）
互いに対向している一対の端面と、前記一対の端面間を接続するように前記一対の端面の対向方向において延在している側面と、を有する素体と、
前記素体内に配置され、前記対向方向において延在しているスルー導体と、を備え、
前記素体は、前記対向方向から見て、前記スルー導体を囲む第一部分と、前記第一部分よりも外側に位置する第二部分と、を含み、
前記第一部分は、前記側面から離間して配置されており、
前記第一部分及び前記第二部分は、互いに異なる透磁率を有している、
積層インダクタ。
（条項２）
前記第一部分の透磁率は、前記第二部分の透磁率よりも低い、
条項１に記載の積層インダクタ。
（条項３）
前記素体は、前記第一部分と前記第二部分との間に配置された第三部分を更に含み、
前記第三部分の透磁率は、前記第一部分の透磁率よりも高く、前記第二部分の透磁率よりも低い、
条項２に記載の積層インダクタ。
（条項４）
前記素体は、前記対向方向において積層された複数の素体層を有している、
条項１～３のいずれか一項に記載の積層インダクタ。
（条項５）
前記第一部分の前記対向方向における長さは、前記スルー導体の前記対向方向における長さと等しい、
条項１～４のいずれか一項に記載の積層インダクタ。
（条項６）
前記対向方向から見て、前記第一部分は、前記第一部分の長手方向が前記素体の長手方向に沿うように配置されている、
条項１～５のいずれか一項に記載の積層インダクタ。
（条項７）
前記一対の端面は、長方形状を呈しており、
前記一対の端面の長辺方向における前記第一部分の長さは、前記一対の端面の短辺方向における前記第一部分の長さよりも長い、
条項１～６のいずれか一項に記載の積層インダクタ。
（条項８）
前記一対の端面は、正方形状を呈しており、
前記対向方向から見て、前記スルー導体及び前記第一部分は、いずれも円形状を呈しているか、いずれも正方形状を呈している、
条項１～５のいずれか一項に記載の積層インダクタ。

【符号の説明】

【0067】

１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄ…積層インダクタ、１２…素体、１２ａ，１２ｂ…端面、１２ｃ，１２ｄ，１２ｅ，１２ｆ…側面、１６…スルー導体、２１…第一部分、２２…第二部分、２３…第三部分。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】