特開 2024-131141 半導体装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024131141

(43)【公開日】2024-09-30

(54)【発明の名称】半導体装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/60 20060101AFI20240920BHJP

   H01L 29/78 20060101ALI20240920BHJP

   H01L 23/36 20060101ALI20240920BHJP

【ＦＩ】

H01L21/60 321E

H01L29/78 652Z

H01L29/78 653C

H01L29/78 652M

H01L21/60 301B

H01L23/36 Z

【審査請求】未請求

【請求項の数】12

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023041230

(22)【出願日】2023-03-15

(71)【出願人】

【識別番号】000003078

【氏名又は名称】株式会社東芝

(71)【出願人】

【識別番号】317011920

【氏名又は名称】東芝デバイス＆ストレージ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110004026

【氏名又は名称】弁理士法人ｉＸ

(72)【発明者】

【氏名】有馬 理恵

(72)【発明者】

【氏名】松尾 一輝

(72)【発明者】

【氏名】泉沢 優

【テーマコード（参考）】

5F044

5F136

【Ｆターム（参考）】

5F044AA01

5F044AA14

5F044CC02

5F044CC06

5F044CC07

5F044FF05

5F044FF06

5F044JJ05

5F136BC02

5F136DA07

5F136FA33

5F136FA34

5F136FA53

5F136FA62

(57)【要約】      （修正有）

【課題】導通損失を低減し、放熱性を向上させた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、金属ベース２０と、金属ベース２０から離間した第１端子３０と、第２端子４０と、半導体チップ１０と、第１接続部材５０、第２接続部材６０と、導電部材７０と、を備える。半導体チップ１０は、金属ベース２０に接続される裏面側電極１７と、裏面側電極１７とは反対側の表面上に設けられる表面側電極１１と、を有する。第１接続部材５０は、半導体チップ１０の表面側電極１１に接続される第１端部５０Ｅ１と、第１端子３０に接続される第２端部５０Ｅ２と、を有する。導電部材７０は、半導体チップ１０の表面側電極１１上に設けられ、表面側電極１１の第１接続部材５０の第１端部５０Ｅ１に接続されない領域を覆う。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

金属ベースと、
前記金属ベースから離間した端子と、
前記金属ベースに接続される裏面側電極と、前記裏面側電極とは反対側の表面上に設けられる表面側電極と、を有する半導体チップと、
前記半導体チップの前記表面側電極に接続される第１端部と、前記端子に接続される第２端部と、を有する接続部材と、
前記半導体チップの前記表面側電極上に設けられ、前記表面側電極の前記接続部材の前記第１端部に接続されない領域を覆う導電部材と、
を備えた半導体装置。

【請求項2】

前記導電部材は、前記接続部材の前記第１端部を少なくとも部分的に覆う、請求項１記載の半導体装置。

【請求項3】

前記接続部材は、前記表面側電極に接続される裏面と、前記裏面とは反対側の表面と、を有し、
前記導電部材は、前記接続部材の前記第１端部における前記表面を部分的に覆う、請求項１記載の半導体装置。

【請求項4】

前記半導体チップの前記表面に垂直な方向において、前記導電部材の厚さは、前記表面側電極の厚さよりも厚い、請求項１乃至３のいずれか１つに記載の半導体装置。

【請求項5】

前記半導体チップの前記表面に垂直な方向において、前記導電部材の厚さは、前記接続部材の厚さよりも厚い、請求項１乃至３のいずれか１つに記載の半導体装置。

【請求項6】

前記接続部材の前記第１端部と、前記表面側電極と、の間に設けられる接合部材をさらに備え、
前記接合部材は、前記導電部材の材料とは異なる材料を含む、請求項１記載の半導体装置。

【請求項7】

前記接続部材の前記第１端部と、前記表面側電極と、の間に設けられる接合部材をさらに備え、
前記接合部材は、前記導電部材の材料と同じ材料を含む、請求項１記載の半導体装置。

【請求項8】

前記表面側電極において、前記接続部材の前記第１端部に接続される領域と、前記第１端部に接続されない前記領域と、の境界に設けられる樹脂部材をさらに備える、請求項１記載の半導体装置。

【請求項9】

前記金属ベースと前記端子とは、第１方向に並び、
前記表面側電極の沿った第２方向であって、前記第１方向と直交する第２方向において、前記接続部材は、第１幅を有し、
前記導電部材は、前記第２方向の第２幅を有し、前記第１幅は、前記第２幅よりも狭い、請求項１記載の半導体装置。

【請求項10】

前記接続部材は、板状の金属コネクタであり、前記表面側電極に接続される裏面と、前記裏面とは反対側の表面と、前記裏面および前記表面につながる側面と、を有し、
前記導電部材は、前記第１端部において、少なくとも前記側面に接するように設けられる、請求項１記載の半導体装置。

【請求項11】

前記接続部材は、金属ワイヤであり、
前記導電部材は、前記表面電極を覆い、前記金属ワイヤの第１端部に接する、請求項１記載の半導体装置。

【請求項12】

前記接続部材は、金属ワイヤであり、
前記導電部材は、前記表面側電極と、前記金属ワイヤの第１端部と、を覆う、請求項１記載の半導体装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

実施形態は、半導体装置に関する。

【背景技術】

【0002】

電力制御用の半導体装置には、導通損失の低減および放熱性の向上が求められる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０２１－１４１２３５号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

実施形態は、導通損失を低減し、放熱性を向上させた半導体装置を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0005】

実施形態に係る半導体装置は、金属ベースと、前記金属ベースから離間した端子と、半導体チップと、接続部材と、導電部材と、を備える。前記半導体チップは、前記金属ベースに接続される裏面側電極と、前記裏面側電極とは反対側の表面上に設けられる表面側電極と、を有する。前記接続部材は、前記半導体チップの前記表面側電極に接続される第１端部と、前記端子に接続される第２端部と、を有する。前記導電部材は、前記半導体チップの前記表面側電極上に設けられ、前記表面側電極の前記接続部材の前記第１端部に接続されない領域を覆う。

【図面の簡単な説明】

【0006】

【図1】第１実施形態に係る半導体装置を示す模式図である。

【図2】第１実施形態に係る半導体チップを示す模式断面図である。

【図3】第１実施形態に係る半導体装置の製造過程を示す模式平面図である。

【図4】第１実施形態に係る半導体チップを示す模式平面図である。

【図5】第２実施形態に係る半導体装置を示す模式図である。

【発明を実施するための形態】

【0007】

以下、実施の形態について図面を参照しながら説明する。図面中の同一部分には、同一番号を付してその詳しい説明は適宜省略し、異なる部分について説明する。なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。

【0008】

さらに、各図中に示すＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を用いて各部分の配置および構成を説明する。Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸は、相互に直交し、それぞれＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向を表す。また、Ｚ方向を上方、その反対方向を下方として説明する場合がある。

【0009】

（第１実施形態）
図１（ａ）および（ｂ）は、第１実施形態に係る半導体装置１を示す模式図である。図１（ａ）は平面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）中に示すＡ－Ａ線に沿った断面図である。

【0010】

図１（ａ）に示すように、半導体装置１は、半導体チップ１０と、金属ベース２０と、第１端子３０と、第２端子４０と、第１接続部材５０と、第２接続部材６０と、を含む。半導体チップ１０は、ＭＯＳトランジスタ、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）、ダイオードなどのパワー半導体である。以下の例では、半導体チップ１０は、ＭＯＳトランジスタである。

【0011】

半導体チップ１０は、金属ベース２０上にマウントされる。金属ベース２０は、例えば、銅もしくはアルミニウムを含む金属板である。半導体チップ１０は、金属ベース２０に接続される裏面とは反対側の表面に設けられる表面側電極１１と、制御パッド１３と、を含む。制御パッド１３は、半導体チップ１０の表面側において、表面側電極１１から離間して設けられる。

【0012】

第１端子３０および金属ベース２０は、例えば、Ｙ方向に並べて配置される。第２端子４０および金属ベース２０もＹ方向に並べて配置される。第１端子３０および第２端子４０は、例えば、Ｘ方向に並ぶ。第１端子３０、第２端子４０および金属ベース２０は、相互に離間して配置される。第１端子３０および第２端子４０は、例えば、金属ベース２０の材料と同じ材料を含む。

【0013】

第１接続部材５０は、半導体チップ１０の表面側電極１１と第１端子３０とを電気的に接続する。第１接続部材５０は、所謂、金属コネクタであり銅もしくはアルミニウムを含む。第１端子３０は、例えば、ソース端子である。

【0014】

第２接続部材６０は、半導体チップ１０の制御パッド１３と第２端子４０とを電気的に接続する。第２接続部材６０は、所謂、金属コネクタであり銅もしくはアルミニウムを含む。第２端子４０は、例えば、ゲート端子である。

【0015】

半導体装置１は、導電部材７０をさらに備える。導電部材７０は、半導体チップ１０の表面側電極１１上に設けられる。導電部材７０は、表面側電極１１における第１接続部材５０に接続されない領域を覆う。

【0016】

導電部材７０は、好ましくは、表面側電極１１の第１接続部材５０に接続されない領域のほぼ全面を覆うように設けられる。第１接続部材５０は、例えば、Ｘ方向の第１幅Ｗ１を有する。導電部材７０は、例えば、第１幅Ｗ１よりも広いＸ方向の第２幅Ｗ２を有する。

【0017】

図１（ｂ）に示すように、半導体チップ１０は、接合部材２１を介して、金属ベース２０上にマウントされる。接合部材２１は、例えば、はんだ材である。半導体チップ１０は、接合部材２１を介して、金属ベース２０に電気的に接続される。金属ベース２０は、例えば、ドレイン端子である。

【0018】

第１接続部材５０は、半導体チップ１０に接続される第１端部５０Ｅ１と、第１端子３０に接続される第２端部５０Ｅ２とを有する。第１端部５０Ｅ１は、接合部材５３を介して、半導体チップ１０の表面側電極１１に接続される。第２端部５０Ｅ２は、接合部材５５を介して、第１端子３０に接続される。接合部材５３および５５は、例えば、はんだ材である。

【0019】

導電部材７０は、半導体チップ１０の表面に垂直な方向、例えば、Ｚ方向の第１厚Ｔ１を有する。第１接続部材５０は、例えば、Ｚ方向の第２厚Ｔ２を有する。また、第１接続部材５０は、半導体チップ１０に接続される裏面５０Ｂと、裏面５０Ｂとは反対側の上面５０Ｔと、裏面５０Ｂおよび上面５０Ｔにつながる側面５０Ｓを有する。

【0020】

導電部材７０は、少なくとも、第１端部５０Ｅ１の側面５０Ｓに接するように設けられ、第１接続部材５０の第１端部５０Ｅ１の上面５０Ｔを覆うように設けられてもよい。この例では、導電部材７０のＺ方向における第１厚Ｔ１は、第１接続部材Ｔ２のＺ方向の第２厚Ｔ２よりも厚く記載されているが、第１厚Ｔ１が第２厚Ｔ２よりも薄い場合でも、導電部材７０は、第１接続部材５０の第１端部５０Ｅ１の上面５０Ｔを覆うように設けられてもよい。すなわち、導電部材７０は、Ｚ方向の厚さに関わらず、第１端部５０Ｅ１において、上面５０Ｔの少なくとも一部を覆うように設けられてもよい。このように、導電部材７０は、第１接続部材５０に接し、電気的に接続される。導電部材７０は、例えば、はんだ材である。また、導電部材７０は、銀ペーストもしくは銅ペーストなどの金属ペーストであってもよい。また、導電部材７０は、導電性接着剤、導電性シリコーン、導電性コーティング剤などの導電性樹脂であってもよい。導電部材７０がペーストもしくは導電性の樹脂部材である場合には、第１厚Ｔ１は。第１接続部材５０の第２厚Ｔ２よりも厚いことが好ましい。

【0021】

導電部材７０は、接合部材５３と同じ材料であってもよいし、異なる材料であってもよい。導電部材７０の材料と接合部材５３の材料が同じ場合には、導電部材７０と接合部材５３の親和性が向上し、接合強度が高くなる。また、導電部材７０の材料と、接合部材５３の材料が異なる場合には、導電部材７０を形成する際に、接合部材５３が再溶融することによる第１接続部材５０の動きなどを回避することが容易になる。

【0022】

半導体装置１は、封止樹脂８０をさらに備える。封止樹脂８０は、半導体チップ１０と、金属ベース２０と、第１端子３０と、第２端子４０と、第１接続部材５０と、第２接続部材６０と、を含む組立体を覆う。封止樹脂８０は、半導体チップ１０を金属ベース２０上に封じる。封止樹脂８０は、例えば、エポキシ樹脂もしくはポリイミドである。

【0023】

実施形態に係る半導体装置１では、半導体チップ１０の表面側電極１１上に導電部材７０を設けることにより、半導体チップ１０から第１接続部材５０に至る電流経路における電気抵抗を低減することができる。これにより、オン抵抗を小さくして、導通損失を低減できる。さらに、半導体チップ１０において発生するジュール熱を、導電部材７０を介して第１接続部材５０に移動させることにより、放熱性を向上させることも可能である。

【0024】

さらに、半導体チップ１０の表面側電極１１上に導電部材７０を設けることにより、オン抵抗および熱伝導性を低下させることなく、第１接続部材５０と表面側電極１１との間の接続面積を小さくすることも可能である。例えば、導電部材７０を設けない場合には、金属ベース２０上にマウントされる半導体チップ１０のサイズに合わせて、第１接続部材５０のサイズを変更することが望ましい。これにより、第１接続部材５０と表面側電極１１との間の接続面積を広くしてオン抵抗および熱伝導性を向上させることが望まれる。これに対し、実施形態に係る半導体装置１では、半導体チップ１０のサイズに第１接続部材１０のサイズを適合させる必要はなく、製造過程の簡略化、および、低コスト化を実現できる。

【0025】

図２は、第１実施形態に係る半導体チップ１０を例示する模式断面図である。半導体チップ１０は、表面側電極１１と、半導体部１５と、裏面側電極１７と、ゲート電極１８と、を含む。

【0026】

表面側電極１１は、例えば、ソース電極である。裏面側電極１７は、例えば、ドレイン電極である。裏面側電極１７は、半導体部１５の裏面上に設けられ、接合部材２１を介して、金属ベース２０に接続される。表面側電極１１は、半導体部１５の裏面とは反対側の表面上に設けられる。

【0027】

ゲート電極１８は、半導体部１５の表面側に設けられ、例えば、トレンチゲート構造を有する。ゲート電極１８は、ゲート絶縁膜１９により半導体部１５から電気的に絶縁される。ゲート電極１８は、制御パッド１３（図１（ａ）参照）に電気的に接続される。

【0028】

半導体部１５は、例えば、ｎ形ドリフト層２３と、ｐ形ボディ層２５と、ｎ形ソース層２７と、ｐ形コンタクト層２９と、を含む。ｎ形ドリフト層２３は、表面側電極１１と裏面側電極１７との間に延在する。ｐ形ボディ層２５は、ｎ形ドリフト層２３と表面側電極１１との間に設けられ、Ｙ方向において隣り合うゲート電極１８の間に位置する。

【0029】

ｎ形ソース層２７は、表面側電極１１とｐ形ボディ層２５との間に設けられる。また、ｐ形コンタクト層２９も、表面側電極１１とｐ形ボディ層２５との間に設けられる。ｎ形ソース層２７およびｐ形コンタクト層２９は、例えば、半導体部１５の表面に沿って並び、表面側電極１１に接続される。

【0030】

表面側電極１１は、例えば、Ｚ方向の第３厚Ｔ３を有する。表面側電極１１の外縁は、例えば、樹脂部材８５に覆われる。樹脂部材８５は、例えば、ポリイミドである。表面側電極１１は、樹脂部材８５の内側に露出された部分において、第１接続部材５０の第１端部５０Ｅ１に接続される。導電部材７０は、樹脂部材８５の内側を覆うように設けられる。導電部材７０は、表面側電極１１の樹脂部材８５の内側に露出され、第１端部５０Ｅ１に接続されない領域の大部分を覆うことが好ましい。

【0031】

例えば、表面側電極１１の第３厚Ｔ３を厚くするほど、表面抵抗は低減され、熱伝導性を向上させることができる。しかしながら、第３厚Ｔ３を厚くすることは、必ずしも容易ではない。第３厚Ｔ３を厚くすると、例えば、半導体チップ１０の内部ストレスが大きくなり、製造歩留まりを低下させる場合もある。

【0032】

これに対し、実施形態に係る半導体装置１では、第３厚Ｔ３を厚くした半導体チップを用いる必要はなく、例えば、第３厚Ｔ３よりも厚い第１厚Ｔ１を有する導電部材７０を設けることにより、表面側電極１１の表面抵抗を低減し、熱伝導性を向上させることができる。言い換えれば、表面側電極１１の厚さＴ３を薄くすることにより、半導体チップ１０の製造が容易になり、半導体チップ１０のコストを低減することができる。

【0033】

図３（ａ）および（ｂ）は、第１実施形態に係る半導体装置１の製造過程を示す模式平面図である。図３（ａ）および（ｂ）は、金属ベース２０の上面を表している。

【0034】

図３（ａ）に示すように、半導体チップ１０を金属ベース２０上にマウントした後、半導体チップ１０の表面側電極１１および第１端子３０の上に接合部材５３および５５をそれぞれ塗布する。また、半導体チップ１０の制御パッド１３および第２端子４０の上に接合部材６３および６５をそれぞれ塗布する。接合部材５３、５５、６３および６５は、例えば、クリームはんだである。

【0035】

半導体チップ１０の表面側電極１１の上には、例えば、樹脂部材８７が設けられる。樹脂部材８７は、表面側電極１１の第１接続部材５０に接続される領域と、第１接続部材５０に接続されない領域と、の境界に配置される。樹脂部材８７は、表面側電極１１と導電部材７０（図１参照）との間の電気伝導および熱伝導に対する影響を無視できるサイズに設けられる。樹脂部材８７は、例えば、ポリイミドである。なお、樹脂部材８７は、必要に応じて配置されるものであり、樹脂部材８７を配置しない構成でもよい。

【0036】

図３（ｂ）に示すように、第１接続部材５０を表面側電極１１および第１端子３０の上に載置し、上方から押圧する。これにより、第１接続部材５０は、接合部材５３を介して、半導体チップ１０の表面側電極１１に接続され、接合部材５５を介して、第１端子３０に接続される。第２接続部材６０も同様に、接合部材６３を介して、半導体チップ１０の制御パッド１３に接続され、接合部材６５を介して、第２端子４０に接続される。

【0037】

続いて、半導体チップ１０、金属ベース２０、第１端子３０、第２端子４０、第１接続部材５０および第２接続部材６０を含む組立体を、例えば、リフロー炉の内部に搬入し、加熱する。その後、組立体をリフロー炉から搬出し、冷却する。これにより、接合部材５３および５５が硬化され、第１接続部材５０は、半導体チップ１０の表面側電極１１および第１端子３０の上に固定される。同様に、第２接続部材６０は、半導体チップ１０の制御パッド１３および第２端子４０の上に固定される。

【0038】

さらに、導電部材７０（図１参照）を半導体チップ１０の表面側電極１１上に塗布し、硬化させる。導電部材７０がはんだ材の場合には、導電部材７０を塗布した後、組立体を、再度、リフロー炉中にて加熱し、リフロー炉から取り出して冷却する。

【0039】

この過程において、接合部材５３が溶融され、表面側電極の第１接続部材５０に接続されない領域に広がると共に、第１接続部材５０が意図しない位置に移動する場合がある。樹脂部材８７は、溶融された接合部材５３の広がりを防ぎ、第１接続部材５０の移動を抑制する。

【0040】

図４（ａ）～（ｃ）は、第１実施形態に係る半導体チップ１０を示す模式平面図である。図４（ａ）～（ｃ）は、半導体チップ１０の表面側を表している。

【0041】

図４（ａ）～（ｃ）に示すように、表面側電極１１上に複数の樹脂部材８７が設けられる。樹脂部材８７は、相互に離間し、半導体チップ１０の１つの辺に沿った方向、例えば、Ｘ方向に並ぶ。樹脂部材８７の平面形状は、三角形でもよいし、台形または円形であってもよい。すなわち、樹脂部材８７は、任意の平面形状を有する。

【0042】

（第２実施形態）
図５（ａ）および（ｂ）は、第２実施形態に係る半導体装置２を示す模式図である。図５（ａ）は平面図である。図５（ｂ）は、図５（ａ）中に示すＢ－Ｂ線に沿った断面図である。

【0043】

図５（ａ）に示すように、半導体装置２は、半導体チップ１０と、金属ベース２０と、第１端子３０と、第２端子４０と、を含む。半導体チップ１０は、金属ベース２０上にマウントされる。

【0044】

金属ベース２０、第１端子３０および第２端子４０は、相互に離間して配置される。第１端子３０は、例えば、複数の金属ワイヤ９０を介して、半導体チップ１０の表面側電極１１に電気的に接続される。第２端子４０は、例えば、金属ワイヤ９５を介して、半導体チップ１０の制御パッド１３に電気的に接続される。金属ワイヤ９０および９５は、例えば、銅ワイヤやアルミニウムワイヤである。

【0045】

半導体チップ１０の表面側電極１１上には、導電部材７０が設けられる。好ましくは、導電部材７０は、金属ワイヤ９０を覆う。導電部材７０は、例えば、表面側電極１１の大部分を覆うように設けられる。導電部材７０は、好ましくは、樹脂部材８５に覆われる外縁を除く、表面側電極１１の全面を覆う。

【0046】

図５（ｂ）に示すように、半導体チップ１０は、接合部材２１を介して、金属ベース２０に接続される。金属ワイヤ９０は、半導体チップ１０に接続される第１端部９０Ｅ１と、第１端子３０に接続される第２端部９０Ｅ２と、を有する。導電部材７０は、金属ワイヤ９０の第１端部９０Ｅ１を覆う。

【0047】

半導体チップ１０と、金属ベース２０と、第１端子３０と、第２端子４０と、を含む組立体は、封止樹脂８０中に封じられる。金属ベース２０、第１端子３０および第２端子４０のそれぞれの一部は、封止樹脂８０から延出する。

【0048】

この例でも、半導体チップ１０の表面側電極１１上に導電部材７０を設けることにより、表面抵抗を低減し、熱伝導性を向上させることができる。例えば、表面側電極１１上に導電部材７０を設けない場合、金属ワイヤ９０は、第１端部９０Ｅ１の底面において表面側電極１１に接する。したがって、表面側電極１１と金属ワイヤ９０との接触面積は限られる。金属ワイヤ９０の数を増して接触面積を広くするとしても、表面側電極１１に接続できる金属ワイヤ９０の数は限られる。これに対し、実施形態に係る半導体装置２では、表面側電極１１上に導電部材７０を設けることにより、金属ワイヤ９０の第１端部９０Ｅ１の全面において、表面側電極１１に電気的に接続することが可能となる。これにより、オン抵抗を低減し、金属ワイヤ９０を介した熱伝導性を向上させることができる。

【0049】

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

【0050】

（付記１）
金属ベースと、
前記金属ベースから離間した端子と、
前記金属ベースに接続される裏面側電極と、前記裏面側電極とは反対側の表面上に設けられる表面側電極と、を有する半導体チップと、
前記半導体チップの前記表面側電極に接続される第１端部と、前記端子に接続される第２端部と、を有する接続部材と、
前記半導体チップの前記表面側電極上に設けられ、前記表面側電極における前記接続部材の前記第１端部に接続されない領域を覆う導電部材と、
を備えた半導体装置。
（付記２）
前記導電部材は、前記接続部材の前記第１端部を少なくとも部分的に覆う、付記１記載の半導体装置。
（付記３）
前記接続部材は、前記表面側電極に接続される裏面と、前記裏面とは反対側の表面と、を有し、
前記導電部材は、前記接続部材の前記第１端部における前記表面を部分的に覆う、付記１記載の半導体装置。
（付記４）
前記半導体チップの前記表面に垂直な方向において、前記導電部材の厚さは、前記表面側電極の厚さよりも厚い、付記１乃至３のいずれか１つに記載の半導体装置。
（付記５）
前記半導体チップの前記表面に垂直な方向において、前記導電部材の厚さは、前記接続部材の厚さよりも厚い、付記１乃至４のいずれか１つに記載の半導体装置。
（付記６）
前記接続部材の前記第１端部と、前記表面側電極と、の間に設けられる接合部材をさらに備え、
前記接合部材は、前記導電部材の材料とは異なる材料を含む、付記１乃至５のいずれか１つに記載の半導体装置。
（付記７）
前記接続部材の前記第１端部と、前記表面側電極と、の間に設けられる接合部材をさらに備え、
前記接合部材は、前記導電部材の材料と同じ材料を含む、付記１乃至６のいずれか１つに記載の半導体装置。
（付記８）
前記表面側電極において、前記接続部材の前記第１端部に接続される領域と、前記第１端部に接続されない前記領域と、の境界に設けられる樹脂部材をさらに備える、付記１乃至７のいずれか１つに記載の半導体装置。
（付記９）
前記金属ベースと前記端子とは、第１方向に並び、
前記表面側電極の沿った第２方向であって、前記第１方向と直交する第２方向において、前記接続部材は、第１幅を有し、
前記導電部材は、前記第２方向の第２幅を有し、前記第１幅は、前記第２幅よりも狭い、付記１乃至８のいずれか１つに記載の半導体装置。
（付記１０）
前記接続部材は、板状の金属コネクタであり、前記表面側電極に接続される裏面と、前記裏面とは反対側の表面と、前記裏面および前記表面につながる側面と、を有し、
前記導電部材は、前記第１端部において、少なくとも前記側面に接するように設けられる、付記１または２に記載の半導体装置。
（付記１１）
前記接続部材は、金属ワイヤであり、
前記導電部材は、前記表面電極を覆い、前記金属ワイヤの第１端部に接する、付記１乃至９のいずれか１つに記載の半導体装置。
（付記１２）
前記接続部材は、金属ワイヤであり、
前記導電部材は、前記表面側電極と、前記金属ワイヤの第１端部と、を覆う、付記１乃至９のいずれか１つに記載の半導体装置。

【符号の説明】

【0051】

１、２…半導体装置、１０…半導体チップ、１１…表面側電極、１３…制御パッド、１５…半導体部、１７…裏面側電極、１８…ゲート電極、１９…ゲート絶縁膜、２０…金属ベース、２１、５３、５５、６３、６５…接合部材、２３…ｎ形ドリフト層、２５…ｐ形ボディ層、２７…ｎ形ソース層、２９…ｐ形コンタクト層、３０…第１端子、４０…第２端子、５０…第１接続部材、５０Ｂ…裏面、５０Ｓ…側面、５０Ｔ…上面、６０…第２接続部材、７０…導電部材、８０…封止樹脂、８５、８７…樹脂部材、９０、９５…金属ワイヤ

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】