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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024131371
(43)【公開日】2024-09-30
(54)【発明の名称】半導体装置、および半導体装置の製造方法
(51)【国際特許分類】
H01L 23/48 20060101AFI20240920BHJP
H01L 23/28 20060101ALI20240920BHJP
H01L 21/60 20060101ALI20240920BHJP
【ＦＩ】
H01L23/48 F
H01L23/28 A
H01L21/60 321E
【審査請求】未請求
【請求項の数】18
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023041589
(22)【出願日】2023-03-16
(71)【出願人】
【識別番号】000116024
【氏名又は名称】ローム株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100135389
【弁理士】
【氏名又は名称】臼井 尚
(74)【代理人】
【識別番号】100200609
【弁理士】
【氏名又は名称】齊藤 智和
(72)【発明者】
【氏名】ウィボウオゥ ケルビン
【テーマコード（参考）】
4M109
【Ｆターム（参考）】
4M109AA01
4M109BA01
4M109DA03
4M109EA02
4M109FA05
(57)【要約】
【課題】 配線基板に対する装置の接合強度の向上を図ることが可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体装置Ａ１０は、第１端子２１と、第１端子２１に導通する半導体素子１０と、半導体素子１０を覆う封止樹脂３０と、第１端子２１の一部を覆うとともに、導電性を有する保護層４０とを備える。第１端子２１は、少なくとも一部が封止樹脂３０に覆われた第１インナ部２１１と、第１インナ部２１１につながり、かつ封止樹脂３０から突出する第１アウタ部２１２とを有する。保護層４０は、第１アウタ部２１２の少なくとも一部を覆っている。第１アウタ部２１２は、第１方向ｘを向く第１端面２１２Ａを有する。保護層４０は、第１端面２１２Ａの全体を覆っている。
【選択図】 図８
【解決手段】 半導体装置Ａ１０は、第１端子２１と、第１端子２１に導通する半導体素子１０と、半導体素子１０を覆う封止樹脂３０と、第１端子２１の一部を覆うとともに、導電性を有する保護層４０とを備える。第１端子２１は、少なくとも一部が封止樹脂３０に覆われた第１インナ部２１１と、第１インナ部２１１につながり、かつ封止樹脂３０から突出する第１アウタ部２１２とを有する。保護層４０は、第１アウタ部２１２の少なくとも一部を覆っている。第１アウタ部２１２は、第１方向ｘを向く第１端面２１２Ａを有する。保護層４０は、第１端面２１２Ａの全体を覆っている。
【選択図】 図８
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１端子と、
前記第１端子に導通する半導体素子と、
前記半導体素子を覆う封止樹脂と、
前記第１端子の一部を覆うとともに、導電性を有する保護層と、を備え、
前記第１端子は、少なくとも一部が前記封止樹脂に覆われた第１インナ部と、前記第１インナ部につながり、かつ前記封止樹脂から突出する第１アウタ部と、を有し、
前記保護層は、前記第１アウタ部の少なくとも一部を覆っており、
前記第１アウタ部は、第１方向を向く第１端面を有し、
前記保護層は、前記第１端面の全体を覆っている、半導体装置。
前記第１端子に導通する半導体素子と、
前記半導体素子を覆う封止樹脂と、
前記第１端子の一部を覆うとともに、導電性を有する保護層と、を備え、
前記第１端子は、少なくとも一部が前記封止樹脂に覆われた第１インナ部と、前記第１インナ部につながり、かつ前記封止樹脂から突出する第１アウタ部と、を有し、
前記保護層は、前記第１アウタ部の少なくとも一部を覆っており、
前記第１アウタ部は、第１方向を向く第１端面を有し、
前記保護層は、前記第１端面の全体を覆っている、半導体装置。
【請求項2】
前記封止樹脂は、前記第１方向を向く第１側面を有し、
前記第１アウタ部は、前記第１側面から突出している、請求項１に記載の半導体装置。
前記第１アウタ部は、前記第１側面から突出している、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項3】
前記半導体素子に導通する第２端子をさらに備え、
前記封止樹脂は、前記第１方向において前記第１側面とは反対側を向く第２側面を有し、
前記第２端子は、前記封止樹脂に覆われた第２インナ部と、前記第２インナ部につながり、かつ前記第２側面から突出する第２アウタ部と、を有し、
前記保護層は、前記第２アウタ部の少なくとも一部を覆っており、
前記第２アウタ部は、前記第１方向において前記第１端面とは反対側を向く第２端面を有し、
前記保護層は、前記第２端面の全体を覆っている、請求項２に記載の半導体装置。
前記封止樹脂は、前記第１方向において前記第１側面とは反対側を向く第２側面を有し、
前記第２端子は、前記封止樹脂に覆われた第２インナ部と、前記第２インナ部につながり、かつ前記第２側面から突出する第２アウタ部と、を有し、
前記保護層は、前記第２アウタ部の少なくとも一部を覆っており、
前記第２アウタ部は、前記第１方向において前記第１端面とは反対側を向く第２端面を有し、
前記保護層は、前記第２端面の全体を覆っている、請求項２に記載の半導体装置。
【請求項4】
前記封止樹脂は、前記第１方向に対して直交する第２方向において互いに反対側を向く第３側面および第４側面を有し、
前記第１端子および前記第２端子の各々は、前記第３側面および前記第４側面の各々から離れている、請求項３に記載の半導体装置。
前記第１端子および前記第２端子の各々は、前記第３側面および前記第４側面の各々から離れている、請求項３に記載の半導体装置。
【請求項5】
前記半導体素子は、前記第１方向および前記第２方向の各々に対して直交する第３方向において互いに反対側に位置する第１電極および第２電極を有し、
前記第１電極は、前記第１インナ部に導電接合されており、
前記第２電極は、前記第２インナ部に導電接合されている、請求項４に記載の半導体装置。
前記第１電極は、前記第１インナ部に導電接合されており、
前記第２電極は、前記第２インナ部に導電接合されている、請求項４に記載の半導体装置。
【請求項6】
前記封止樹脂には、前記第３側面から凹む第１凹部が形成されている、請求項５に記載の半導体装置。
【請求項7】
前記封止樹脂には、前記第４側面から凹む第２凹部が形成されており、
前記第２方向に視て、前記第２凹部は、前記第１凹部に重なっている、請求項６に記載の半導体装置。
前記第２方向に視て、前記第２凹部は、前記第１凹部に重なっている、請求項６に記載の半導体装置。
【請求項8】
前記第１凹部は、前記第１方向において互いに離れた第１部および第２部を含み、
前記第２凹部は、前記第１方向において互いに離れた第３部および第４部を含み、
前記第２方向に視て、前記第１部および前記第３部の各々は、前記第１インナ部に重なっている、請求項７に記載の半導体装置。
前記第２凹部は、前記第１方向において互いに離れた第３部および第４部を含み、
前記第２方向に視て、前記第１部および前記第３部の各々は、前記第１インナ部に重なっている、請求項７に記載の半導体装置。
【請求項9】
各々が前記封止樹脂に収容された第１支持ピンおよび第２支持ピンをさらに備え、
前記第１支持ピンは、前記第１端子および前記第２端子の各々から離れているとともに、前記第３側面から外部に露出しており、
前記第２支持ピンは、前記第１端子および前記第２端子の各々から離れているとともに、前記第４側面から外部に露出している、請求項５に記載の半導体装置。
前記第１支持ピンは、前記第１端子および前記第２端子の各々から離れているとともに、前記第３側面から外部に露出しており、
前記第２支持ピンは、前記第１端子および前記第２端子の各々から離れているとともに、前記第４側面から外部に露出している、請求項５に記載の半導体装置。
【請求項10】
前記第１端子は、前記第１インナ部につながり、かつ前記封止樹脂に収容された第１吊部を有し、
前記第１吊部は、前記第３側面から外部に露出している、請求項５に記載の半導体装置。
前記第１吊部は、前記第３側面から外部に露出している、請求項５に記載の半導体装置。
【請求項11】
前記第１端子は、前記第１インナ部につながり、かつ前記封止樹脂に収容された第２吊部を有し、
前記第２吊部は、前記第２方向において前記第１インナ部を基準として前記第１吊部とは反対側に位置しており、
前記第２吊部は、前記第４側面から外部に露出している、請求項１０に記載の半導体装置。
前記第２吊部は、前記第２方向において前記第１インナ部を基準として前記第１吊部とは反対側に位置しており、
前記第２吊部は、前記第４側面から外部に露出している、請求項１０に記載の半導体装置。
【請求項12】
前記第２アウタ部には、前記第２方向において互いに反対側を向く２つの切断面が形成されており、
前記第２インナ部は、前記第２電極に対向する接合面を有し、
前記２つの切断面の各々の表面粗さは、前記接合面の表面粗さよりも大きい、請求項１１に記載の半導体装置。
前記第２インナ部は、前記第２電極に対向する接合面を有し、
前記２つの切断面の各々の表面粗さは、前記接合面の表面粗さよりも大きい、請求項１１に記載の半導体装置。
【請求項13】
前記第１端面は、前記第１方向において前記第１側面とは反対側を向いており、
前記第１インナ部の全体は、前記封止樹脂に覆われている、請求項６ないし１２のいずれかに記載の半導体装置。
前記第１インナ部の全体は、前記封止樹脂に覆われている、請求項６ないし１２のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項14】
前記第１端面は、前記第１方向において前記第１側面とは同じ側を向く、請求項７または８のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項15】
前記第１インナ部は、前記第３方向において互いに反対側を向く搭載面および実装面を有し、
前記第１電極は、前記搭載面に導電接合されており、
前記実装面は、前記封止樹脂から露出している、請求項１４に記載の半導体装置。
前記第１電極は、前記搭載面に導電接合されており、
前記実装面は、前記封止樹脂から露出している、請求項１４に記載の半導体装置。
【請求項16】
前記封止樹脂は、前記第３方向において前記実装面と同じ側を向く底面を有し、
前記第１凹部および前記第２凹部の各々は、前記底面から凹んでいる、請求項１５に記載の半導体装置。
前記第１凹部および前記第２凹部の各々は、前記底面から凹んでいる、請求項１５に記載の半導体装置。
【請求項17】
第１方向において互いに離れた第１端子および第２端子と、前記第１端子および前記第２端子の各々を支持する枠体と、を有するリードフレームにおいて、前記第１端子に半導体素子を導電接合する工程と、
前記半導体素子に前記第２端子を導電接合する工程と、
前記第１端子および前記第２端子の各々の一部と、前記半導体素子と、を覆う封止樹脂を形成する工程と、
前記枠体から前記第１端子の前記第１方向の一方側を切り離す工程と、
前記封止樹脂から露出する前記第１端子および前記第２端子の各々の部分を覆う保護層を形成する工程と、を備え、
前記リードフレームは、前記第１方向に対して直交する第２方向において前記枠体から突出する支持部を有し、
前記封止樹脂を形成する工程では、前記支持部を覆うように前記封止樹脂が形成され、
前記保護層を形成する工程は、前記枠体から前記第１端子の前記第１方向の一方側を切り離す工程の後に行われる、半導体装置の製造方法。
前記半導体素子に前記第２端子を導電接合する工程と、
前記第１端子および前記第２端子の各々の一部と、前記半導体素子と、を覆う封止樹脂を形成する工程と、
前記枠体から前記第１端子の前記第１方向の一方側を切り離す工程と、
前記封止樹脂から露出する前記第１端子および前記第２端子の各々の部分を覆う保護層を形成する工程と、を備え、
前記リードフレームは、前記第１方向に対して直交する第２方向において前記枠体から突出する支持部を有し、
前記封止樹脂を形成する工程では、前記支持部を覆うように前記封止樹脂が形成され、
前記保護層を形成する工程は、前記枠体から前記第１端子の前記第１方向の一方側を切り離す工程の後に行われる、半導体装置の製造方法。
【請求項18】
前記リードフレームは、前記第２端子の前記第２方向の両側に個別に位置する２つの連結部を有し、
前記２つの連結部の各々は、前記枠体と前記第２端子とを連結しており、
前記第２端子を導電接合する工程では、前記２つの連結部に連結された状態で前記第２端子を前記第２方向の回りに反転させる、請求項１７に記載の半導体装置の製造方法。
前記２つの連結部の各々は、前記枠体と前記第２端子とを連結しており、
前記第２端子を導電接合する工程では、前記２つの連結部に連結された状態で前記第２端子を前記第２方向の回りに反転させる、請求項１７に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、半導体装置とその製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
特許文献１には、第１リードおよび第２リードと、第１リードおよび第２リードに導電接合された半導体素子と、半導体素子を覆う封止樹脂とを具備する半導体装置の一例が開示されている。第２リードは、半導体素子を搭載している。第１リードおよび第２リードの各々の一部は、封止樹脂から露出している。封止樹脂から露出する第１リードおよび第２リードの各々の部分は、外装めっき層により覆われている。外装めっき層は、錫を含む。これにより、当該半導体装置を配線基板に実装する際、封止樹脂から露出する第１リードおよび第２リードの各々の部分に対してハンダがなじみやすくなる。これにより、ハンダに対する第１リードおよび第２リードの各々の接触面積の拡大を図ることができる。
【0003】
しかし、特許文献１に開示されている半導体装置においては、封止樹脂から露出する第１リードおよび第２リードの各々の第１方向を向く端面は、外装めっき層に覆われていない。このため、当該半導体装置を配線基板に実装する際、第１リードおよび第２リードの各々の端面にハンダが這い上がりにくくなる。したがって、当該半導体装置においては、ハンダに対する第１リードおよび第２リードの各々の接触面積のさらなる拡大を図ることが困難となっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開２０１７－１６８５５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
本開示は先述の事情に鑑み、配線基板に対する装置の接合強度の向上を図ることが可能な半導体装置およびその製造方法を提供することをその課題とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本開示の第１の側面によって提供される半導体装置は、第１端子と、前記第１端子に導通する半導体素子と、前記半導体素子を覆う封止樹脂と、前記第１端子の一部を覆うとともに、導電性を有する保護層とを備える。前記第１端子は、少なくとも一部が前記封止樹脂に覆われた第１インナ部と、前記第１インナ部につながり、かつ前記封止樹脂から突出する第１アウタ部とを有する。前記保護層は、前記第１アウタ部の少なくとも一部を覆っている。前記第１アウタ部は、第１方向を向く第１端面を有する。前記保護層は、前記第１端面の全体を覆っている。
【0007】
本開示の第２の側面によって提供される半導体装置の製造方法は、第１方向において互いに離れた第１端子および第２端子と、前記第１端子および前記第２端子の各々を支持する枠体と、を有するリードフレームにおいて、前記第１端子に半導体素子を導電接合する工程と、前記半導体素子に前記第２端子を導電接合する工程と、前記第１端子および前記第２端子の各々の一部と、前記半導体素子と、を覆う封止樹脂を形成する工程と、前記枠体から前記第１端子の前記第１方向の一方側を切り離す工程と、前記封止樹脂から露出する前記第１端子および前記第２端子の各々の部分を覆う保護層を形成する工程と、を備える。前記リードフレームは、前記第１方向に対して直交する第２方向において前記枠体から突出する支持部を有する。前記封止樹脂を形成する工程では、前記支持部を覆うように前記封止樹脂が形成される。前記保護層を形成する工程は、前記枠体から前記第１端子の前記第１方向の一方側を切り離す工程の後に行われる。
【発明の効果】
【0008】
本開示にかかる半導体装置が具備する構成によれば、配線基板に対する当該半導体装置の接合強度の向上を図ることが可能となる。
【0009】
本開示のその他の特徴および利点は、添付図面に基づき以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
【図面の簡単な説明】
【0010】
【発明を実施するための形態】
【0011】
本開示を実施するための形態について、添付図面に基づいて説明する。
【0012】
〔第１実施形態〕
図１～図８に基づき、本開示の第１実施形態にかかる半導体装置Ａ１０について説明する。半導体装置Ａ１０は、半導体素子１０、第１端子２１、第２端子２２、封止樹脂３０および保護層４０を備える。半導体装置Ａ１０は、配線基板に対して表面実装される樹脂パッケージ形式によるものである。ここで、図２は、理解の便宜上、封止樹脂３０を透過している。図２では、封止樹脂３０を想像線（二点鎖線）で示している。
図１～図８に基づき、本開示の第１実施形態にかかる半導体装置Ａ１０について説明する。半導体装置Ａ１０は、半導体素子１０、第１端子２１、第２端子２２、封止樹脂３０および保護層４０を備える。半導体装置Ａ１０は、配線基板に対して表面実装される樹脂パッケージ形式によるものである。ここで、図２は、理解の便宜上、封止樹脂３０を透過している。図２では、封止樹脂３０を想像線（二点鎖線）で示している。
【0013】
半導体装置Ａ１０の説明においては、便宜上、後述する封止樹脂３０の第１側面３３および第２側面３４の各々が向く方向を「第１方向ｘ」と呼ぶ。第１方向ｘに対して直交する方向を「第２方向ｙ」と呼ぶ。第１方向ｘおよび第２方向ｙの双方に対して直交する方向を「第３方向ｚ」と呼ぶ。第３方向ｚは、後述する第１端子２１の第１インナ部２１１の搭載面２１１Ａの法線方向に相当する。
【0014】
封止樹脂３０は、図６および図８に示すように、半導体素子１０と、第１端子２１および第２端子２２の各々の一部とを覆っている。封止樹脂３０は、電気絶縁性を有する。封止樹脂３０は、たとえば黒色のエポキシ樹脂を含む材料からなる。図３～図５に示すように、封止樹脂３０は、頂面３１、底面３２、第１側面３３、第２側面３４、第３側面３５および第４側面３６を有する。
【0015】
図８に示すように、頂面３１は、第３方向ｚにおいて後述する第１端子２１の第１インナ部２１１の搭載面２１１Ａと同じ側を向く。底面３２は、第３方向ｚにおいて頂面３１とは反対側を向く。
【0016】
図１、図３および図４に示すように、第１側面３３および第２側面３４は、第１方向ｘにおいて互いに反対側を向く。図１および図５に示すように、第３側面３５および第４側面３６は、第２方向ｙにおいて互いに反対側を向く。第１側面３３、第２側面３４、第３側面３５および第４側面３６の各々は、頂面３１および底面３２につながっている。
【0017】
半導体素子１０は、図６および図８に示すように、第１端子２１に搭載されている。半導体素子１０は、第１端子２１および第２端子２２の各々に導通している。半導体装置Ａ１０においては、半導体素子１０は、ショットキーバリアダイオードである。この他、半導体素子１０は、ショットキーバリアダイオード以外のダイオード、あるいはトランジスタなど、種々の素子を採ることができる。
【0018】
半導体素子１０は、第１電極１１および第２電極１２を有する。第１電極１１および第２電極１２は、第３方向ｚにおいて互いに反対側に位置する。第１電極１１は、第１端子２１に導通している。第２電極１２は、第２端子２２に導通している。第１端子２１は、カソードである。第２端子２２は、アノードである。第２電極１２は、たとえば、アルミニウム（Ａｌ）層の上にニッケル（Ｎｉ）層、パラジウム（Ｐｄ）層の順に積層されたものである。半導体装置Ａ１０においては、半導体素子１０を構成する半導体層と、第２電極１２との間に金属薄膜が介在することによって、ショットキー障壁が形成されている。当該金属薄膜は、たとえば、モリブデン（Ｍｏ）またはチタン（Ｔｉ）からなる。
【0019】
第１端子２１および第２端子２２の各々は、半導体素子１０と、半導体装置Ａ１０が実装される配線基板との導電経路をなしている。第１端子２１および第２端子２２は、同一のリードフレーム８０（詳細は後述）から得られる。第１端子２１および第２端子２２の各々は、銅（Ｃｕ）を含む。
【0020】
第１端子２１は、図１に示すように、封止樹脂３０の第３側面３５および第４側面３６の各々から離れている。図１、図２および図８に示すように、第１端子２１は、第１インナ部２１１および第１アウタ部２１２を有する。第１インナ部２１１の少なくとも一部は、封止樹脂３０に覆われている。半導体装置Ａ１０においては、第１インナ部２１１の全体が封止樹脂３０に覆われている。第１インナ部２１１は、第３方向ｚを向く搭載面２１１Ａを有する。搭載面２１１Ａは、半導体素子１０の第１電極１１に対向している。第１電極１１は、接合層１９を介して搭載面２１１Ａに導電接合されている。接合層１９は、たとえばハンダである。これにより、第１電極１１は、第１端子２１に導通している。第１アウタ部２１２は、第１インナ部２１１につながっている。第１アウタ部２１２は、封止樹脂３０の第１側面３３から突出している。半導体装置Ａ１０においては、第１アウタ部２１２は、封止樹脂３０の第１側面３３および底面３２に沿うように第２方向ｙの回りの曲げ加工が施されている。第１アウタ部２１２は、第１方向ｘを向く第１端面２１２Ａを有する。第１端面２１２Ａは、第１方向ｘにおいて第１側面３３とは反対側を向く。
【0021】
図２および図８に示すように、第１インナ部２１１には、溝部２１５が形成されている。溝部２１５は、第１インナ部２１１の搭載面２１１Ａから第３方向ｚに凹んでいる。溝部２１５は、第２方向ｙに延びている。第３方向ｚに視て、溝部２１５は、半導体素子１０から離れている。封止樹脂３０の一部は、溝部２１５に入り込んでいる。
【0022】
第２端子２２は、図１に示すように、封止樹脂３０の第３側面３５および第４側面３６の各々から離れている。図１、図２および図８に示すように、第２端子２２は、第２インナ部２２１および第２アウタ部２２２を有する。第２インナ部２２１は、封止樹脂３０に覆われている。第２インナ部２２１は、第３方向ｚを向く接合面２２１Ａを有する。接合面２２１Ａは、半導体素子１０の第２電極１２に対向している。接合面２２１Ａは、接合層１９を介して第２電極１２に導電接合されている。これにより、第２電極１２は、第２端子２２に導通している。
【0023】
第２アウタ部２２２は、第２インナ部２２１につながっている。第２アウタ部２２２は、封止樹脂３０の第２側面３４から突出している。半導体装置Ａ１０においては、第２アウタ部２２２は、封止樹脂３０の第２側面３４および底面３２に沿うように第２方向ｙの回りの曲げ加工が施されている。第２アウタ部２２２は、第１方向ｘを向く第２端面２２２Ａを有する。第２端面２２２Ａは、第１方向ｘにおいて第２側面３４とは反対側を向く。さらに第２端面２２２Ａは、第１方向ｘにおいて第１端子２１の第１アウタ部２１２の第１端面２１２Ａとは反対側を向く。
【0024】
図１、図３および図７に示すように、封止樹脂３０には、第３側面３５から凹む第１凹部３７が形成されている。第１凹部３７は、第１方向ｘにおいて互いに離れた第１部３７１および第２部３７２を含む。第２方向ｙに視て、第１部３７１は、第１端子２１の第１インナ部２１１に重なっている。第２部３７２は、第２端子２２の第２インナ部２２１に重なっている。
【0025】
図１、図４および図７に示すように、封止樹脂３０には、第４側面３６から凹む第２凹部３８が形成されている。第２方向ｙに視て、第２凹部３８は、第１凹部３７に重なっている。第２凹部３８は、第１方向ｘにおいて互いに離れた第３部３８１および第４部３８２を含む。第２方向ｙに視て、第３部３８１は、第１端子２１の第１インナ部２１１に重なっている。第４部３８２は、第２端子２２の第２インナ部２２１に重なっている。
【0026】
保護層４０は、第１端子２１および第２端子２２の各々の一部を覆っている。保護層４０は、導電性を有する。保護層４０は、たとえば錫（Ｓｎ）を含む金属である。保護層４０は、第１端子２１の第１アウタ部２１２の少なくとも一部と、第２端子２２の第２アウタ部２２２の少なくとも一部とを覆っている。保護層４０は、第１アウタ部２１２の第１端面２１２Ａの全体と、第２アウタ部２２２の第２端面２２２Ａの全体とを覆っている。半導体装置Ａ１０においては、保護層４０は、第１アウタ部２１２および第２アウタ部２２２の各々の全体を覆っている。
【0027】
【0028】
最初に、図９および図１０に示すように、枠体８１、第１端子８２および第２端子８３を有するリードフレーム８０において、第１端子８２に半導体素子１０の第１電極１１を導電接合する。第１端子８２および第２端子８３は、第１方向ｘにおいて互いに離れている。第１端子８２は、第１端子２１を含む要素である。第２端子８３は、第２端子２２を含む要素である。枠体８１は、複数のタイバー、および複数のセクションバーを含むとともに、第１端子８２および第２端子８３の各々を支持する。半導体素子１０の第１電極１１は、接合層１９を介したダイボンディングにより第１端子８２に導電接合される。
【0029】
次いで、図１１および図１２に示すように、半導体素子１０の第２電極１２に第２端子８３を導電接合する。ここで、リードフレーム８０は、２つの連結部８５を有する。２つの連結部８５は、第２端子８３の第２方向ｙの両側に個別に位置する。２つの連結部８５の各々は、枠体８１と第２端子８３とを連結している。本工程では、第２電極１２に接合層１９を塗布した後、第２端子８３が２つの連結部８５に連結された状態を保持したまま、第２端子８３を第２方向ｙの回りに反転させる。この際、第２方向ｙに延びる軸Ｎを回転中心として第２端子８３を反転させる。これにより、２つの連結部８５の各々には、ねじれが発生する。しかし、２つの連結部８５は、枠体８１と第２端子８３とを連結する状態を保持する。
【0030】
次いで、図１３および図１４に示すように、第１端子８２および第２端子８３の各々の一部と、半導体素子１０とを覆う封止樹脂３０を形成する。封止樹脂３０は、トランスファモールド成形により形成される。ここで、リードフレーム８０は、第２方向ｙにおいてリードフレーム８０から突出する複数の支持部８４を有する。複数の支持部８４の各々は、第１端子８２および第２端子８３の各々から離れている。本工程では、複数の支持部８４の各々を覆うように封止樹脂３０が形成される。これにより、封止樹脂３０は、複数の支持部８４に支持された構成をとる。
【0031】
次いで、図１５および図１６に示すように、枠体８１から第１端子８２の第１方向ｘの一方側を切り離す。本製造工程においては、第１端子８２および第２端子８３の各々の全体を枠体８１から切り離す。このうち第２端子８３は、２つの連結部８５の各々を切断することにより枠体８１から切り離される。この際、封止樹脂３０から外部に露出する第１端子８２および第２端子８３の各々は、押し抜き加工などにより所定の形状に成形される。本工程を経ることにより、第１端子８２には、第１方向ｘを向く第１端面８２Ａが現れる。第１端面８２Ａは、第１端子２１の第１アウタ部２１２の第１端面２１２Ａに相当する。あわせて第２端子８３には、第１方向ｘにおいて第１端面８２Ａとは反対側を向く第２端面８３Ａが現れる。第２端面８３Ａは、第２端子２２の第２アウタ部２２２の第２端面２２２Ａに相当する。
【0032】
次いで、図１７に示すように、封止樹脂３０から露出する第１端子８２および第２端子８３の各々の部分を覆う保護層４０を形成する。保護層４０は、錫を含む溶融した金属に第１端子８２および第２端子８３の各々を浸漬することにより形成される。この他、保護層４０は、無電解めっきや、金属粒子を吹き付ける方法（ただし、電解めっきを除く。）などにより形成することができる。これにより本工程では、第１端面８２Ａおよび第２端面８３Ａの各々の全体が保護層４０に覆われる。保護層４０を形成した後、封止樹脂３０から露出する第１端子８２および第２端子８３の各々の部分に折り曲げ加工を施す。最後に、封止樹脂３０から複数の支持部８４を引き抜くことにより、半導体装置Ａ１０を得ることができる。半導体装置Ａ１０において、封止樹脂３０に形成された第１凹部３７および第２凹部３８の各々は、封止樹脂３０から複数の支持部８４を引き抜いた際に現れる痕跡である。
【0033】
次に、半導体装置Ａ１０の作用効果について説明する。
【0034】
半導体装置Ａ１０は、第１端子２１、半導体素子１０、封止樹脂３０および保護層４０を備える。第１端子２１は、第１インナ部２１１および第１アウタ部２１２を有する。保護層４０は、第１アウタ部２１２の少なくとも一部を覆っている。第１アウタ部２１２は、第１方向ｘを向く第１端面２１２Ａを有する。保護層４０は、第１端面２１２Ａの全体を覆っている。本構成をとることにより、半導体装置Ａ１０を配線基板に表面実装する際、ハンダが第１端面２１２Ａに這い上がるため、ハンダに対する第１アウタ部２１２の接触面積がより増加する。したがって、本構成によれば、半導体装置Ａ１０においては、配線基板に対する半導体装置Ａ１０の接合強度の向上を図ることが可能となる。
【0035】
第１アウタ部２１２の第１端面２１２Ａにハンダが這い上がることにより、第１アウタ部２１２を覆うハンダの状態がより視認しやすくなる。これにより、配線基板に対する半導体装置Ａ１０の実装状態を外観目視によって確認することが可能となる。
【0036】
半導体装置Ａ１０は、半導体素子１０に導通する第２端子２２をさらに備える。第２端子２２は、第２インナ部２２１および第２アウタ部２２２を有する。保護層４０は、第２アウタ部２２２の少なくとも一部を覆っている。第２アウタ部２２２は、第１方向ｘを向く第２端面２２２Ａを有する。保護層４０は、第２端面２２２Ａの全体を覆っている。本構成をとることにより、半導体装置Ａ１０を配線基板に表面実装する際、ハンダが第２端面２２２Ａに這い上がるため、ハンダに対する第２アウタ部２２２の接触面積がより増加する。これにより、配線基板に対する半導体装置Ａ１０の接合強度をさらに向上させることができる。
【0037】
第１端子２１の第１アウタ部２１２は、封止樹脂３０の第１側面３３から突出している。第２端子２２の第２アウタ部２２２は、封止樹脂３０の第２側面３４から突出している。この場合において、第１端子２１および第２端子２２の各々は、封止樹脂３０の第３側面３５および第４側面３６の各々から離れている。本構成をとることにより、第１端子２１から第２端子２２に至る封止樹脂３０の表面に沿った沿面距離の縮小を抑制できる。これにより、半導体装置Ａ１０の低下を抑制することが可能となる。
【0038】
封止樹脂３０には、第３側面３５から凹む第１凹部３７と、第４側面３６から凹む第２凹部３８とが形成されている。第２方向ｙに視て、第２凹部３８は、第１凹部３７に重なっている。ここで、第１凹部３７および第２凹部３８の各々は、半導体装置Ａ１０の製造工程において、図１７に示す保護層４０を形成する工程の後に封止樹脂３０からリードフレーム８０の支持部８４を引き抜く際に現れる痕跡である。したがって、本構成をとることにより、半導体装置Ａ１０の製造工程において第１端子８２および第２端子８３の各々の全体をリードフレーム８０の枠体８１から切り離した場合（図１５および図１６参照）であっても、支持部８４を介して封止樹脂３０を枠体８１に支持させることができる。さらに、半導体装置Ａ１０においては、第３側面３５および第４側面３６の各々から露出する支持部８４が残存しないため、半導体装置Ａ１０の絶縁耐圧の低下をより効果的に抑制できる。
【0039】
第１凹部３７は、第１方向ｘにおいて互いに離れた第１部３７１および第２部３７２を含む。第２凹部３８は、第１方向ｘにおいて互いに離れた第３部３８１および第４部３８２を含む。第２方向ｙに視て、第１部３７１および第３部３８１の各々は、第１端子２１の第１インナ部２１１に重なっている。本構成をとることにより、半導体装置Ａ１０の製造工程において第１端子８２および第２端子８３の各々の全体をリードフレーム８０の枠体８１から切り離した場合であっても、支持部８４を介して封止樹脂３０を枠体８１により安定した状態で支持させることができる。この理由は、本構成をとることにより、第１端子８２の重心から支持部８４に至る距離の過度な拡大が抑制されるためである。
【0040】
〔第２実施形態〕
図１８～図２２に基づき、本開示の第２実施形態にかかる半導体装置Ａ２０について説明する。これらの図において、先述した半導体装置Ａ１０と同一または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。ここで、図１９は、理解の便宜上、封止樹脂３０を透過している。図１９では、透過した封止樹脂３０を想像線で示している。
図１８～図２２に基づき、本開示の第２実施形態にかかる半導体装置Ａ２０について説明する。これらの図において、先述した半導体装置Ａ１０と同一または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。ここで、図１９は、理解の便宜上、封止樹脂３０を透過している。図１９では、透過した封止樹脂３０を想像線で示している。
【0041】
半導体装置Ａ２０においては、２つの第１支持ピン５１、および２つの第２支持ピン５２をさらに備えることが、半導体装置Ａ１０の場合と異なる。
【0042】
図１８および図２２に示すように、２つの第１支持ピン５１、および２つの第２支持ピン５２の各々は、封止樹脂３０に収容されている。２つの第１支持ピン５１、および２つの第２支持ピン５２の各々は、第１端子２１および第２端子２２とともに同一のリードフレーム８０（図９参照）から得られる。２つの第１支持ピン５１、および２つの第２支持ピン５２の各々は、銅を含む。
【0043】
図１９に示すように、２つの第１支持ピン５１は、第１端子２１および第２端子２２の各々から離れているとともに、第１方向ｘにおいて互いに離れている。図２０に示すように、２つの第１支持ピン５１の各々は、封止樹脂３０の第３側面３５から外部に露出している。第３方向ｚに視て、２つの第１支持ピン５１の各々において、第２方向ｙにおいて第３側面３５から露出する部位とは反対側に位置する部位は、第１方向ｘに拡張された形状をなす。２つの第１支持ピン５１は、図９に示すリードフレーム８０の複数の支持部８４のいずれかに相当する。半導体装置Ａ２０の製造にあたっては、図１７に示す工程においてリードフレーム８０の枠体８１から２つの第１支持ピン５１の各々を切り離す。
【0044】
図１９に示すように、２つの第２支持ピン５２は、第１端子２１および第２端子２２の各々から離れているとともに、第１方向ｘにおいて互いに離れている。２つの第２支持ピン５２は、第２方向ｙにおいて第１端子２１および第２端子２２を基準として２つの第１支持ピン５１とは反対側に位置する。２つの第２支持ピン５２の各々は、封止樹脂３０の第４側面３６から外部に露出している。第３方向ｚに視て、２つの第２支持ピン５２の各々において、第２方向ｙにおいて第４側面３６から露出する部位とは反対側に位置する部位は、第１方向ｘに拡張された形状をなす。２つの第２支持ピン５２は、図９に示すリードフレーム８０の複数の支持部８４のいずれかに相当する。半導体装置Ａ２０の製造にあたっては、図１７に示す工程においてリードフレーム８０の枠体８１から２つの第２支持ピン５２の各々を切り離す。
【0045】
次に、半導体装置Ａ２０の作用効果について説明する。
【0046】
半導体装置Ａ２０は、第１端子２１、半導体素子１０、封止樹脂３０および保護層４０を備える。第１端子２１は、第１インナ部２１１および第１アウタ部２１２を有する。保護層４０は、第１アウタ部２１２の少なくとも一部を覆っている。第１アウタ部２１２は、第１方向ｘを向く第１端面２１２Ａを有する。保護層４０は、第１端面２１２Ａの全体を覆っている。したがって、本構成によれば、半導体装置Ａ２０においても、配線基板に対する半導体装置Ａ２０の接合強度の向上を図ることが可能となる。さらに半導体装置Ａ２０においては、半導体装置Ａ１０と共通する構成を具備することにより、半導体装置Ａ１０と同等の作用効果を奏する。
【0047】
半導体装置Ａ２０は、各々が封止樹脂３０に収容された第１支持ピン５１および第２支持ピン５２をさらに備える。第１支持ピン５１は、第１端子２１および第２端子２２から離れているとともに、封止樹脂３０の第３側面３５から外部に露出している。第２支持ピン５２は、第１端子２１および第２端子２２から離れているとともに、封止樹脂３０の第４側面３６から外部に露出している。ここで、第１支持ピン５１および第２支持ピン５２の各々は、図９に示すリードフレーム８０の支持部８４に相当する。本構成をとることにより、半導体装置Ａ２０の製造工程において第１端子８２および第２端子８３の各々の全体をリードフレーム８０の枠体８１から切り離した場合（図１５および図１６参照）であっても、支持部８４を介して封止樹脂３０を枠体８１に支持させることができる。さらに、第１支持ピン５１および第２支持ピン５２の各々が第１端子２１および第２端子２２の各々から離れているため、半導体装置Ａ２０の絶縁耐圧の低下を抑制できる。
【0048】
第３方向ｚに視て、第１支持ピン５１および第２支持ピン５２の各々において、第２方向ｙにおいて封止樹脂３０から露出する部位とは反対側に位置する部位は、第１方向ｘに拡張された形状をなす。本構成をとることにより、半導体装置Ａ２０の製造工程において第１端子８２および第２端子８３の各々の全体をリードフレーム８０の枠体８１から切り離す際（図１５および図１６参照）、枠体８１から封止樹脂３０が脱落することをより確実に防止できる。
【0049】
〔第３実施形態〕
図２３～図２７に基づき、本開示の第３実施形態にかかる半導体装置Ａ３０について説明する。これらの図において、先述した半導体装置Ａ１０と同一または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。ここで、図２４は、理解の便宜上、封止樹脂３０を透過している。図２４では、透過した封止樹脂３０を想像線で示している。
図２３～図２７に基づき、本開示の第３実施形態にかかる半導体装置Ａ３０について説明する。これらの図において、先述した半導体装置Ａ１０と同一または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。ここで、図２４は、理解の便宜上、封止樹脂３０を透過している。図２４では、透過した封止樹脂３０を想像線で示している。
【0050】
半導体装置Ａ３０においては、第１端子２１、第２端子２２および封止樹脂３０の構成が、半導体装置Ａ１０の当該構成と異なる。
【0051】
【0052】
図２４に示すように、第１吊部２１３は、第１端子２１の第１インナ部２１１の第２方向ｙの一方側につながっている。第１吊部２１３は、第２方向ｙに延びている。図２５に示すように、第１吊部２１３は、封止樹脂３０の第３側面３５から外部に露出している。第１吊部２１３は、図９に示すリードフレーム８０の複数の支持部８４のいずれかに相当する。半導体装置Ａ３０の製造にあたっては、図１７に示す工程においてリードフレーム８０の枠体８１から第１吊部２１３を切り離す。
【0053】
図２４に示すように、第２吊部２１４は、第２方向ｙにおいて第１端子２１の第１インナ部２１１を基準として第１吊部２１３とは反対側に位置するとともに、第１インナ部２１１につながっている。第２吊部２１４は、第２方向ｙに延びている。図２６に示すように、第２吊部２１４は、封止樹脂３０の第４側面３６から外部に露出している。第２吊部２１４は、図９に示すリードフレーム８０の複数の支持部８４のいずれかに相当する。半導体装置Ａ３０の製造にあたっては、図１７に示す工程においてリードフレーム８０の枠体８１から第２吊部２１４を切り離す。
【0054】
図２３～図２６に示すように、第２端子２２の第２アウタ部２２２には、第２方向ｙにおいて互いに反対側を向く２つの切断面２２２Ｂが形成されている。２つの切断面２２２Ｂの各々は、保護層４０から外部に露出している。２つの切断面２２２Ｂの各々の表面粗さは、第２端子２２の第２インナ部２２１の接合面２２１Ａの表面粗さよりも大きい。
【0055】
半導体装置Ａ３０においては、封止樹脂３０には、第１凹部３７および第２凹部３８の各々が形成されていない。
【0056】
【0057】
半導体装置Ａ３０の製造方法においては、リードフレーム８０の構成が半導体装置Ａ１０の製造方法にかかる当該構成と異なる。図２８および図２９に示すように、複数の支持部８４の各々は、第１端子８２につながっている。
【0058】
図２８は、封止樹脂３０を形成する工程を説明する図であり、半導体装置Ａ１０の製造工程を説明する図１３に対応している。半導体装置Ａ３０の製造にあたっては、図２８に示す工程の前工程までに、第２端子８３に第２端面８３Ａが現れるようにする。
【0059】
図２９は、リードフレーム８０の枠体８１から第１端子８２の第１方向ｘの一方側を切り離す工程を説明する図であり、半導体装置Ａ１０の製造工程を説明する図１５に対応している。本工程を経るにより、第１端子８２に第１端面８２Ａが現れる。図２９に示す工程では、第１端子８２は、複数の支持部８４を介してリードフレーム８０の枠体８１に支持される。第２端子８３は、２つの連結部８５を介して枠体８１に支持される。したがって、図２９に示す工程では、半導体装置Ａ１０の製造工程と異なり、第１端子８２および第２端子８３の各々の全体が枠体８１から切り離されない状態をとる。
【0060】
次に、半導体装置Ａ３０の作用効果について説明する。
【0061】
半導体装置Ａ３０は、第１端子２１、半導体素子１０、封止樹脂３０および保護層４０を備える。第１端子２１は、第１インナ部２１１および第１アウタ部２１２を有する。保護層４０は、第１アウタ部２１２の少なくとも一部を覆っている。第１アウタ部２１２は、第１方向ｘを向く第１端面２１２Ａを有する。保護層４０は、第１端面２１２Ａの全体を覆っている。したがって、本構成によれば、半導体装置Ａ３０においても、配線基板に対する半導体装置Ａ３０の接合強度の向上を図ることが可能となる。さらに半導体装置Ａ３０においては、半導体装置Ａ１０と共通する構成を具備することにより、半導体装置Ａ１０と同等の作用効果を奏する。
【0062】
半導体装置Ａ３０においては、第１端子２１は、第１吊部２１３および第２吊部２１４を有する。第１吊部２１３は、第１インナ部２１１につながり、かつ封止樹脂３０の第３側面３５から外部に露出している。第２吊部２１４は、第１インナ部２１１につながり、かつ封止樹脂３０の第４側面３６から外部に露出している。ここで、第１吊部２１３および第２吊部２１４の各々は、図９に示すリードフレーム８０の支持部８４に相当する。本構成をとることにより、半導体装置Ａ３０の製造工程において第１端子８２の一部がリードフレーム８０の枠体８１から切り離された場合（図２９参照）であっても、支持部８４を介して封止樹脂３０を枠体８１に支持させることができる。さらに、半導体装置Ａ３０の製造工程のうち保護層４０を形成する工程において、枠体８１および支持部８４を導電経路とした電解めっきにより、封止樹脂３０から露出する第１端子８２の部分の全体（第１端面８２Ａの全体を含む。）を覆う保護層４０を形成することができる。
【0063】
半導体装置Ａ３０の製造工程のうちリードフレーム８０の枠体８１から第１端子８２の一部を切り離す工程（図２９参照）において、２つの連結部８５を介して第２端子８３を枠体８１に支持させた状態のまま保護層４０を形成してもよい。本手法を採ることにより、枠体８１、および２つの連結部８５を導電経路とした電解めっきにより封止樹脂３０から露出する第２端子８３の部分の全体（第２端面８３Ａの全体を含む。ただし、第２端子８３と２つの連結部８５との界面を除く。）を覆う保護層４０を形成することができる。ここで、半導体装置Ａ３０において、第２端子２２の第２アウタ部２２２に形成される２つの切断面２２２Ｂは、電解めっきにより第２端子８３を覆う保護層４０を形成した後、２つの連結部８５を切断することにより得られる痕跡である。
【0064】
〔第４実施形態〕
図３０～図３６に基づき、本開示の第４実施形態にかかる半導体装置Ａ４０について説明する。これらの図において、先述した半導体装置Ａ１０と同一または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。ここで、図３１は、理解の便宜上、封止樹脂３０を透過している。図３１では、透過した封止樹脂３０を想像線で示している。
図３０～図３６に基づき、本開示の第４実施形態にかかる半導体装置Ａ４０について説明する。これらの図において、先述した半導体装置Ａ１０と同一または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。ここで、図３１は、理解の便宜上、封止樹脂３０を透過している。図３１では、透過した封止樹脂３０を想像線で示している。
【0065】
半導体装置Ａ４０においては、第１端子２１、第２端子２２および封止樹脂３０の構成が、半導体装置Ａ１０の当該構成と異なる。さらに半導体装置Ａ４０においては、半導体素子１０の形状が、半導体装置Ａ１０が具備する半導体素子１０の形状と異なる。
【0066】
図３５および図３６に示すように、第１端子２１の第１インナ部２１１は、実装面２１１Ｂを有する。実装面２１１Ｂは、第３方向ｚにおいて搭載面２１１Ａとは反対側を向く実装面２１１Ｂを有する。図３４に示すように、実装面２１１Ｂは、封止樹脂３０の底面３２から露出している。実装面２１１Ｂは、保護層４０に覆われている。
【0067】
図３１、図３５および図３６に示すように、第１端子２１は、庇部２１６を有する。庇部２１６は、第１端子２１の第１インナ部２１１の搭載面２１１Ａと面一である。庇部２１６の第３方向ｚの寸法は、第１インナ部２１１の第３方向ｚの寸法よりも小さい。庇部２１６は、第３方向ｚの両側から封止樹脂３０に挟まれている。
【0068】
図３４に示すように、第１端子２１の第１アウタ部２１２の第１端面２１２Ａは、第１方向ｘにおいて封止樹脂３０の第１側面３３と同じ側を向く。第１端子２１の第１アウタ部２１２は、半導体装置Ａ１０の場合と異なり、第２方向ｙの回りの曲げ加工が施されていない。
【0069】
図３４に示すように、第２端子２２の第２インナ部２２１は、封止樹脂３０の底面３２から露出している。底面３２から露出する第２インナ部２２１の部分は、保護層４０に覆われている。
【0070】
図３４に示すように、第２端子２２の第２アウタ部２２２の第２端面２２２Ａは、第１方向ｘにおいて封止樹脂３０の第２側面３４と同じ側を向く。第２端子２２の第２アウタ部２２２は、半導体装置Ａ１０の場合と異なり、第２方向ｙの回りの曲げ加工が施されていない。
【0071】
図３２、図３４および図３５に示すように、第１凹部３７は、封止樹脂３０の底面３２および第３側面３５の各々から凹んでいる。図３３～図３５に示すように、第２凹部３８は、底面３２、および封止樹脂３０の第４側面３６の各々から凹んでいる。
【0072】
次に、半導体装置Ａ４０の作用効果について説明する。
【0073】
半導体装置Ａ４０は、第１端子２１、半導体素子１０、封止樹脂３０および保護層４０を備える。第１端子２１は、第１インナ部２１１および第１アウタ部２１２を有する。保護層４０は、第１アウタ部２１２の少なくとも一部を覆っている。第１アウタ部２１２は、第１方向ｘを向く第１端面２１２Ａを有する。保護層４０は、第１端面２１２Ａの全体を覆っている。したがって、本構成によれば、半導体装置Ａ４０においても、配線基板に対する半導体装置Ａ３０の接合強度の向上を図ることが可能となる。さらに半導体装置Ａ４０においては、半導体装置Ａ１０と共通する構成を具備することにより、半導体装置Ａ１０と同等の作用効果を奏する。
【0074】
本開示は、先述した実施形態に限定されるものではない。本開示の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。
【0075】
ここで、本開示にかかる実施形態は、表面実装パッケージの半導体装置である。この他、パッケージ形式がＴＯ（Transistor Outline）およびＤＩＰ（Dual Inline Package）にかかる半導体装置においても本開示にかかる技術を適用することが可能である。ＴＯおよびＤＩＰは、一般的に配線基板に対してスルーホール実装されるが、場合によっては封止樹脂３０から突出する第１端子２１および第２端子２２の各々を折り曲げて表面実装することがある。この場合において、ＴＯおよびＤＩＰの各々のパッケージ形式にかかる半導体装置に本開示の技術を適用することにより、当該半導体装置は、本開示にかかる実施形態と同様の作用効果を奏する。
【0076】
本開示は、以下の付記に記載した実施形態を含む。
［付記１］
第１端子と、
前記第１端子に導通する半導体素子と、
前記半導体素子を覆う封止樹脂と、
前記第１端子の一部を覆うとともに、導電性を有する保護層と、を備え、
前記第１端子は、少なくとも一部が前記封止樹脂に覆われた第１インナ部と、前記第１インナ部につながり、かつ前記封止樹脂から突出する第１アウタ部と、を有し、
前記保護層は、前記第１アウタ部の少なくとも一部を覆っており、
前記第１アウタ部は、第１方向を向く第１端面を有し、
前記保護層は、前記第１端面の全体を覆っている、半導体装置。
［付記２］
前記封止樹脂は、前記第１方向を向く第１側面を有し、
前記第１アウタ部は、前記第１側面から突出している、付記１に記載の半導体装置。
［付記３］
前記半導体素子に導通する第２端子をさらに備え、
前記封止樹脂は、前記第１方向において前記第１側面とは反対側を向く第２側面を有し、
前記第２端子は、前記封止樹脂に覆われた第２インナ部と、前記第２インナ部につながり、かつ前記第２側面から突出する第２アウタ部と、を有し、
前記保護層は、前記第２アウタ部の少なくとも一部を覆っており、
前記第２アウタ部は、前記第１方向において前記第１端面とは反対側を向く第２端面を有し、
前記保護層は、前記第２端面の全体を覆っている、付記２に記載の半導体装置。
［付記４］
前記封止樹脂は、前記第１方向に対して直交する第２方向において互いに反対側を向く第３側面および第４側面を有し、
前記第１端子および前記第２端子の各々は、前記第３側面および前記第４側面の各々から離れている、付記３に記載の半導体装置。
［付記５］
前記半導体素子は、前記第１方向および前記第２方向の各々に対して直交する第３方向において互いに反対側に位置する第１電極および第２電極を有し、
前記第１電極は、前記第１インナ部に導電接合されており、
前記第２電極は、前記第２インナ部に導電接合されている、付記４に記載の半導体装置。
［付記６］
前記封止樹脂には、前記第３側面から凹む第１凹部が形成されている、付記５に記載の半導体装置。
［付記７］
前記封止樹脂には、前記第４側面から凹む第２凹部が形成されており、
前記第２方向に視て、前記第２凹部は、前記第１凹部に重なっている、付記６に記載の半導体装置。
［付記８］
前記第１凹部は、前記第１方向において互いに離れた第１部および第２部を含み、
前記第２凹部は、前記第１方向において互いに離れた第３部および第４部を含み、
前記第２方向に視て、前記第１部および前記第３部の各々は、前記第１インナ部に重なっている、付記７に記載の半導体装置。
［付記９］
各々が前記封止樹脂に収容された第１支持ピンおよび第２支持ピンをさらに備え、
前記第１支持ピンは、前記第１端子および前記第２端子の各々から離れているとともに、前記第３側面から外部に露出しており、
前記第２支持ピンは、前記第１端子および前記第２端子の各々から離れているとともに、前記第４側面から外部に露出している、付記５に記載の半導体装置。
［付記１０］
前記第１端子は、前記第１インナ部につながり、かつ前記封止樹脂に収容された第１吊部を有し、
前記第１吊部は、前記第３側面から外部に露出している、付記５に記載の半導体装置。
［付記１１］
前記第１端子は、前記第１インナ部につながり、かつ前記封止樹脂に収容された第２吊部を有し、
前記第２吊部は、前記第２方向において前記第１インナ部を基準として前記第１吊部とは反対側に位置しており、
前記第２吊部は、前記第４側面から外部に露出している、付記１０に記載の半導体装置。
［付記１２］
前記第２アウタ部には、前記第２方向において互いに反対側を向く２つの切断面が形成されており、
前記第２インナ部は、前記第２電極に対向する接合面を有し、
前記２つの切断面の各々の表面粗さは、前記接合面の表面粗さよりも大きい、付記１１に記載の半導体装置。
［付記１３］
前記第１端面は、前記第１方向において前記第１側面とは反対側を向いており、
前記第１インナ部の全体は、前記封止樹脂に覆われている、付記６ないし１２のいずれかに記載の半導体装置。
［付記１４］
前記第１端面は、前記第１方向において前記第１側面とは同じ側を向く、付記７または８のいずれかに記載の半導体装置。
［付記１５］
前記第１インナ部は、前記第３方向において互いに反対側を向く搭載面および実装面を有し、
前記第１電極は、前記搭載面に導電接合されており、
前記実装面は、前記封止樹脂から露出している、付記１４に記載の半導体装置。
［付記１６］
前記封止樹脂は、前記第３方向において前記実装面と同じ側を向く底面を有し、
前記第１凹部および前記第２凹部の各々は、前記底面から凹んでいる、付記１５に記載の半導体装置。
［付記１７］
第１方向において互いに離れた第１端子および第２端子と、前記第１端子および前記第２端子の各々を支持する枠体と、を有するリードフレームにおいて、前記第１端子に半導体素子を導電接合する工程と、
前記半導体素子に前記第２端子を導電接合する工程と、
前記第１端子および前記第２端子の各々の一部と、前記半導体素子と、を覆う封止樹脂を形成する工程と、
前記枠体から前記第１端子の前記第１方向の一方側を切り離す工程と、
前記封止樹脂から露出する前記第１端子および前記第２端子の各々の部分を覆う保護層を形成する工程と、を備え、
前記リードフレームは、前記第１方向に対して直交する第２方向において前記枠体から突出する支持部を有し、
前記封止樹脂を形成する工程では、前記支持部を覆うように前記封止樹脂が形成され、
前記保護層を形成する工程は、前記枠体から前記第１端子の前記第１方向の一方側を切り離す工程の後に行われる、半導体装置の製造方法。
［付記１８］
前記リードフレームは、前記第２端子の前記第２方向の両側に個別に位置する２つの連結部を有し、
前記２つの連結部の各々は、前記枠体と前記第２端子とを連結しており、
前記第２端子を導電接合する工程では、前記２つの連結部に連結された状態で前記第２端子を前記第２方向の回りに反転させる、付記１７に記載の半導体装置の製造方法。
［付記１］
第１端子と、
前記第１端子に導通する半導体素子と、
前記半導体素子を覆う封止樹脂と、
前記第１端子の一部を覆うとともに、導電性を有する保護層と、を備え、
前記第１端子は、少なくとも一部が前記封止樹脂に覆われた第１インナ部と、前記第１インナ部につながり、かつ前記封止樹脂から突出する第１アウタ部と、を有し、
前記保護層は、前記第１アウタ部の少なくとも一部を覆っており、
前記第１アウタ部は、第１方向を向く第１端面を有し、
前記保護層は、前記第１端面の全体を覆っている、半導体装置。
［付記２］
前記封止樹脂は、前記第１方向を向く第１側面を有し、
前記第１アウタ部は、前記第１側面から突出している、付記１に記載の半導体装置。
［付記３］
前記半導体素子に導通する第２端子をさらに備え、
前記封止樹脂は、前記第１方向において前記第１側面とは反対側を向く第２側面を有し、
前記第２端子は、前記封止樹脂に覆われた第２インナ部と、前記第２インナ部につながり、かつ前記第２側面から突出する第２アウタ部と、を有し、
前記保護層は、前記第２アウタ部の少なくとも一部を覆っており、
前記第２アウタ部は、前記第１方向において前記第１端面とは反対側を向く第２端面を有し、
前記保護層は、前記第２端面の全体を覆っている、付記２に記載の半導体装置。
［付記４］
前記封止樹脂は、前記第１方向に対して直交する第２方向において互いに反対側を向く第３側面および第４側面を有し、
前記第１端子および前記第２端子の各々は、前記第３側面および前記第４側面の各々から離れている、付記３に記載の半導体装置。
［付記５］
前記半導体素子は、前記第１方向および前記第２方向の各々に対して直交する第３方向において互いに反対側に位置する第１電極および第２電極を有し、
前記第１電極は、前記第１インナ部に導電接合されており、
前記第２電極は、前記第２インナ部に導電接合されている、付記４に記載の半導体装置。
［付記６］
前記封止樹脂には、前記第３側面から凹む第１凹部が形成されている、付記５に記載の半導体装置。
［付記７］
前記封止樹脂には、前記第４側面から凹む第２凹部が形成されており、
前記第２方向に視て、前記第２凹部は、前記第１凹部に重なっている、付記６に記載の半導体装置。
［付記８］
前記第１凹部は、前記第１方向において互いに離れた第１部および第２部を含み、
前記第２凹部は、前記第１方向において互いに離れた第３部および第４部を含み、
前記第２方向に視て、前記第１部および前記第３部の各々は、前記第１インナ部に重なっている、付記７に記載の半導体装置。
［付記９］
各々が前記封止樹脂に収容された第１支持ピンおよび第２支持ピンをさらに備え、
前記第１支持ピンは、前記第１端子および前記第２端子の各々から離れているとともに、前記第３側面から外部に露出しており、
前記第２支持ピンは、前記第１端子および前記第２端子の各々から離れているとともに、前記第４側面から外部に露出している、付記５に記載の半導体装置。
［付記１０］
前記第１端子は、前記第１インナ部につながり、かつ前記封止樹脂に収容された第１吊部を有し、
前記第１吊部は、前記第３側面から外部に露出している、付記５に記載の半導体装置。
［付記１１］
前記第１端子は、前記第１インナ部につながり、かつ前記封止樹脂に収容された第２吊部を有し、
前記第２吊部は、前記第２方向において前記第１インナ部を基準として前記第１吊部とは反対側に位置しており、
前記第２吊部は、前記第４側面から外部に露出している、付記１０に記載の半導体装置。
［付記１２］
前記第２アウタ部には、前記第２方向において互いに反対側を向く２つの切断面が形成されており、
前記第２インナ部は、前記第２電極に対向する接合面を有し、
前記２つの切断面の各々の表面粗さは、前記接合面の表面粗さよりも大きい、付記１１に記載の半導体装置。
［付記１３］
前記第１端面は、前記第１方向において前記第１側面とは反対側を向いており、
前記第１インナ部の全体は、前記封止樹脂に覆われている、付記６ないし１２のいずれかに記載の半導体装置。
［付記１４］
前記第１端面は、前記第１方向において前記第１側面とは同じ側を向く、付記７または８のいずれかに記載の半導体装置。
［付記１５］
前記第１インナ部は、前記第３方向において互いに反対側を向く搭載面および実装面を有し、
前記第１電極は、前記搭載面に導電接合されており、
前記実装面は、前記封止樹脂から露出している、付記１４に記載の半導体装置。
［付記１６］
前記封止樹脂は、前記第３方向において前記実装面と同じ側を向く底面を有し、
前記第１凹部および前記第２凹部の各々は、前記底面から凹んでいる、付記１５に記載の半導体装置。
［付記１７］
第１方向において互いに離れた第１端子および第２端子と、前記第１端子および前記第２端子の各々を支持する枠体と、を有するリードフレームにおいて、前記第１端子に半導体素子を導電接合する工程と、
前記半導体素子に前記第２端子を導電接合する工程と、
前記第１端子および前記第２端子の各々の一部と、前記半導体素子と、を覆う封止樹脂を形成する工程と、
前記枠体から前記第１端子の前記第１方向の一方側を切り離す工程と、
前記封止樹脂から露出する前記第１端子および前記第２端子の各々の部分を覆う保護層を形成する工程と、を備え、
前記リードフレームは、前記第１方向に対して直交する第２方向において前記枠体から突出する支持部を有し、
前記封止樹脂を形成する工程では、前記支持部を覆うように前記封止樹脂が形成され、
前記保護層を形成する工程は、前記枠体から前記第１端子の前記第１方向の一方側を切り離す工程の後に行われる、半導体装置の製造方法。
［付記１８］
前記リードフレームは、前記第２端子の前記第２方向の両側に個別に位置する２つの連結部を有し、
前記２つの連結部の各々は、前記枠体と前記第２端子とを連結しており、
前記第２端子を導電接合する工程では、前記２つの連結部に連結された状態で前記第２端子を前記第２方向の回りに反転させる、付記１７に記載の半導体装置の製造方法。
【符号の説明】
【0077】
Ａ１０，Ａ２０，Ａ３０，Ａ４０：半導体装置
１０：半導体素子
１１：第１電極
１２：第２電極
１９：接合層
２１：第１端子
２１１：第１インナ部
２１１Ａ：搭載面
２１１Ｂ：実装面
２１２：第１アウタ部
２１２Ａ：第１端面
２１３：第１吊部
２１４：第２吊部
２１５：溝部
２１６：庇部
２２：第２端子
２２１：第２インナ部
２２１Ａ：接合面
２２２：第２アウタ部
２２２Ａ：第２端面
２２２Ｂ：切断面
３０：封止樹脂
３１：頂面
３２：底面
３３：第１側面
３４：第２側面
３５：第３側面
３６：第４側面
３７：第１凹部
３７１：第１部
３７２：第２部
３８：第２凹部
３８１：第３部
３８２：第４部
４０：保護層
５１：第１支持ピン
５２：第２支持ピン
８０：リードフレーム
８１：枠体
８２：第１端子
８３：第２端子
８４：支持部
８５：連結部
ｘ：第１方向
ｙ：第２方向
ｚ：第３方向
１０：半導体素子
１１：第１電極
１２：第２電極
１９：接合層
２１：第１端子
２１１：第１インナ部
２１１Ａ：搭載面
２１１Ｂ：実装面
２１２：第１アウタ部
２１２Ａ：第１端面
２１３：第１吊部
２１４：第２吊部
２１５：溝部
２１６：庇部
２２：第２端子
２２１：第２インナ部
２２１Ａ：接合面
２２２：第２アウタ部
２２２Ａ：第２端面
２２２Ｂ：切断面
３０：封止樹脂
３１：頂面
３２：底面
３３：第１側面
３４：第２側面
３５：第３側面
３６：第４側面
３７：第１凹部
３７１：第１部
３７２：第２部
３８：第２凹部
３８１：第３部
３８２：第４部
４０：保護層
５１：第１支持ピン
５２：第２支持ピン
８０：リードフレーム
８１：枠体
８２：第１端子
８３：第２端子
８４：支持部
８５：連結部
ｘ：第１方向
ｙ：第２方向
ｚ：第３方向
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】
【図32】
【図33】
【図34】
【図35】
【図36】