特開 2024-131666 積層セラミック電子部品の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024131666

(43)【公開日】2024-09-30

(54)【発明の名称】積層セラミック電子部品の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01G 4/30 20060101AFI20240920BHJP

【ＦＩ】

H01G4/30 311Z

H01G4/30 517

【審査請求】未請求

【請求項の数】9

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023042079

(22)【出願日】2023-03-16

(71)【出願人】

【識別番号】000006633

【氏名又は名称】京セラ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100075557

【弁理士】

【氏名又は名称】西教 圭一郎

(72)【発明者】

【氏名】岡▲崎▼ 祐太

(72)【発明者】

【氏名】江藤 大俊

(72)【発明者】

【氏名】蓮沼 亮太

【テーマコード（参考）】

5E001

5E082

【Ｆターム（参考）】

5E001AB03

5E001AC09

5E001AE02

5E001AE03

5E001AF06

5E001AH05

5E001AJ02

5E082AA01

5E082AB03

5E082BC36

5E082EE04

5E082EE23

5E082EE35

5E082FF05

5E082FG04

5E082FG26

5E082FG46

5E082FG56

5E082GG10

5E082GG11

5E082GG28

5E082JJ03

5E082JJ12

5E082JJ23

(57)【要約】

【課題】 耐湿性に優れた積層セラミック電子部品を提供する。
【解決手段】 本開示の積層セラミック電子部品の製造方法は、第１工程、第２工程、第３工程および第４工程を備える。第１工程では、複数のセラミックシートと複数の導電体が交互に積層された積層体を準備する。第２工程では、導電体を露出する側面を形成するように積層体を切断する。第３工程では、積層体の側面を、減圧条件下において、加速させたプラズマイオンを照射してエッチング処理を行う。第４工程では、エッチング処理後の積層体の側面に、セラミック誘電体を含むサイドマージン部を設ける。
【選択図】 図１１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

複数のセラミックシートと複数の導電体が交互に積層された積層体を準備する第１工程と、
前記導電体を露出する側面を形成するように前記積層体を切断する第２工程と、
前記積層体の前記側面を、減圧条件下において、加速させたプラズマイオンを照射してエッチング処理を行う第３工程と、
前記エッチング処理後の前記積層体の前記側面に、セラミック誘電体を含むサイドマージン部を設ける第４工程と、
を備える、積層セラミック電子部品の製造方法。

【請求項2】

前記プラズマイオンはＡｒイオン、Ｈｅイオン、Ｋｒイオン、Ｘｅイオン、Ｎ２イオンおよびＯ２イオンのいずれかを含む、
請求項１に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。

【請求項3】

前記減圧条件下とは０．４Ｐａ以下の気圧条件である、
請求項１に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。

【請求項4】

前記減圧条件下とは０．２Ｐａ以下の気圧条件である、
請求項１に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。

【請求項5】

前記第３工程において、２００Ｖ以上４０００Ｖ未満の電圧条件によって加速された前記プラズマイオンを照射する、
請求項１に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。

【請求項6】

前記第３工程において、３０００Ｖ以上４０００Ｖ未満の電圧条件によって加速された前記プラズマイオンを照射する、
請求項１に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。

【請求項7】

前記第３工程において、前記プラズマイオンの照射時間は３０ｓｅｃ以上１８０ｓｅｃ以下である、
請求項１に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。

【請求項8】

前記第３工程において、前記プラズマイオンの照射方向は、前記側面に垂直な方向に対して傾斜する、
請求項１に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。

【請求項9】

前記照射方向は、前記側面に垂直な方向に対して２０°～７０°傾斜する、
請求項８に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、積層セラミック電子部品の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

近年、電子機器の小型化及び高性能化に伴い、電子機器に用いられる積層セラミックコンデンサに対する小型化及び大容量化の要望が強くなっている。この要望に応えるためには、積層セラミックコンデンサの内部電極を拡大することが有効である。内部電極を拡大するためには、内部電極の周囲の絶縁性を確保するためのサイドマージン部を薄くする必要がある。

【0003】

一方で、一般的な積層セラミックコンデンサの製造方法では、例えば内部電極のパターニングおよび積層シートの切断などの各工程の精度により、均一な厚さのサイドマージン部を形成することが難しい。したがって、このような積層セラミックコンデンサの製造方法では、サイドマージン部を薄くするほど、内部電極の周囲の絶縁性を確保することが難しくなる。

【0004】

例えば、特許文献１では、複数のセラミックグリーンシートと複数の内部電極パターンとを含むマザーブロックを作製し、マザーブロックを切断し、切断側面に内部電極が露出した状態にあるグリーンチップを用意し、切断側面に側面用セラミックグリーンシートを貼り付けることが開示されている。特許文献１の方法によれば、均一な厚さの側面用セラミックグリーンシートを形成でき、サイドマージン部を薄くする場合にも、内部電極の周囲の絶縁性を確保することができる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【特許文献1】特開２０１２－２０９５３９号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

特許文献１に記載の方法では、グリーンチップの切断側面に露出した内部電極は、切断に使用するカット刃の移動に伴い、内部電極が引き摺られ、短絡が発生する可能性があった。

【課題を解決するための手段】

【0007】

（１）
本開示の一実施形態に係る積層セラミック電子部品の製造方法では、複数のセラミックシートと複数の導電体が交互に積層された積層体を準備する第１工程と、前記導電体を露出する側面を形成するように前記積層体を切断する第２工程と、前記積層体の前記側面を、減圧条件下において、加速させたプラズマイオンを照射してエッチング処理を行う第３工程と、前記エッチング処理後の前記積層体の前記側面に、セラミック誘電体を含むサイドマージン部を設ける第４工程と、を備える。

【0008】

（２）
本開示の一実施形態に係る積層セラミック電子部品の製造方法では、（１）に記載の積層セラミック電子部品の製造方法であって、前記プラズマイオンはＡｒイオン、Ｈｅイオン、Ｋｒイオン、Ｘｅイオン、Ｎ２イオンおよびＯ２イオンのいずれかを含む。

【0009】

（３）
本開示の一実施形態に係る積層セラミック電子部品の製造方法では、（１）または（２）に記載の積層セラミック電子部品の製造方法であって、前記減圧条件下とは０．４Ｐａ以下の気圧条件である。

【0010】

（４）
本開示の一実施形態に係る積層セラミック電子部品の製造方法では、（１）乃至（３）のいずれかに記載の積層セラミック電子部品の製造方法であって、前記減圧条件下とは０．２Ｐａ以下の気圧条件である。

【0011】

（５）
本開示の一実施形態に係る積層セラミック電子部品の製造方法では、（１）乃至（４）のいずれかに記載の積層セラミック電子部品の製造方法であって、前記第３工程において、２００Ｖ以上４０００Ｖ未満の電圧条件によって加速された前記プラズマイオンを照射する。

【0012】

（６）
本開示の一実施形態に係る積層セラミック電子部品の製造方法では、（１）乃至（５）のいずれかに記載の積層セラミック電子部品の製造方法であって、前記第３工程において、３０００Ｖ以上４０００Ｖ未満の電圧条件によって加速された前記プラズマイオンを照射する。

【0013】

（７）
本開示の一実施形態に係る積層セラミック電子部品の製造方法では、（１）乃至（６）のいずれかに記載の積層セラミック電子部品の製造方法であって、前記第３工程において、前記プラズマイオンの照射時間は３０ｓｅｃ以上１８０ｓｅｃ以下である。

【0014】

（８）
本開示の一実施形態に係る積層セラミック電子部品の製造方法では、（１）乃至（７）のいずれかに記載の積層セラミック電子部品の製造方法であって、前記第３工程において、前記プラズマイオンの照射方向は、前記側面に垂直な方向に対して傾斜する。

【0015】

（９）
本開示の一実施形態に係る積層セラミック電子部品の製造方法では、（８）に記載の積層セラミック電子部品の製造方法であって、前記照射方向は、前記側面に垂直な方向に対して２０°～７０°傾斜する。

【発明の効果】

【0016】

上記のような積層セラミック電子部品の製造方法によれば、内部電極の短絡の発生を低減することができる。

【図面の簡単な説明】

【0017】

【図1】本開示の一実施形態に係る積層セラミック電子部品の模式図である。

【図2】本開示の一実施形態に係る素体の模式図および素体が有する各構成を切り離して示した模式図である。

【図3】本開示の一実施形態に係る積層セラミック電子部品の製造方法を示すフローチャートである。

【図4】本開示の一実施形態に係るセラミックシートおよびこれらに配置された導電体を示す模式図である。

【図5】本開示の一実施形態に係る母積層体の模式的な斜視図である。

【図6】本開示の一実施形態に係る母積層体の模式的な斜視図である。

【図7】本開示の一実施形態に係る積層体の模式的な斜視図である。

【図8】第２工程における母積層体の断面の一部についての模式図である。

【図9】第２工程により切断された積層体の断面の一部についての模式図である。

【図10】第３工程を模式的に示した図である。

【図11】第３工程の前後における積層体の側面の状態を模式的に示す図である。

【図12】第４工程のプロセスを模式的に示した図である。

【図13】本開示の一実施形態に係る素体前駆体の模式的な斜視図である。

【発明を実施するための形態】

【0018】

以下、図面を参照しつつ、本開示の一実施形態に係る積層セラミック電子部品１および、積層セラミック電子部品１の製造方法について説明する。なお、以下では、積層セラミック電子部品１の一例として積層セラミックコンデンサについて説明するが、本開示の対象となる積層セラミック電子部品は、積層セラミックコンデンサに限られず、積層型圧電素子、積層サーミスタ素子、積層部コイル、および積層セラミック多層基板等の様々な積層セラミック電子部品に適用することができる。

【0019】

なお、以下の説明で用いられる図は模式的なものであり、図面上の寸法比率等は現実のものとは必ずしも一致していない。また、本明細書に記載する各実施形態は例示的なものであり、異なる実施形態および変更例間において部分的に置換してもよい。また、異なる実施形態および変更例を部分的に組み合わせてもよい。

【0020】

［積層セラミック電子部品の構成］
図１は、本開示の一実施形態に係る積層セラミック電子部品１の模式図である。積層セラミック電子部品１は、素体２と、外部電極３とを有している。素体２の形状は適宜設定されるが、一例として、素体２は、略直方体状の形状である。外部電極３は、一例として、素体２の一対の端面に位置し、該端面に隣接するその他の面にまで回り込んで形成されていてもよい。一方の端面に位置する外部電極を外部電極３ａ、他方の端面に位置する外部電極を外部電極３ｂとする。

【0021】

図面には、便宜上、第１方向、第２方向、第３方向からなる直交座標系を付すことがある。本開示に係る積層セラミック電子部品１は、いずれの方向が第１方向、第２方向、第３方向とされてもよい。ただし、便宜上、後述する内部電極層２１２と誘電体層２１１の積層方向を第１方向と定義する。また、第１方向と交差する方向であって、略直方体状の形状である素体２の短辺側に略平行な方向を、第２方向と定義する。また第２方向に交差する方向であって、略直方体状の形状である素体２の長辺側に略平行な方向を第３方向と定義する。また、便宜上、第１方向を上下方向、第２方向を左右方向、第３方向を前後方向とすることがある。

【0022】

素体２は略直方体状の形状であり、６つの面を有している。第１方向において素体２の上下に位置する面を主面、第２方向において素体２の左右に位置する面を側面、第３方向において素体２の前後に位置する面を端面と定義する。主面、側面、端面の定義は、素体２を構成する後述の積層部２１についても、それぞれ同様に定義する。また、主面、側面、端面の定義は、後述する焼成前の素体前駆体２００についても、それぞれ同様に定義する。また、主面、側面、端面の定義は、後述する焼成前の積層体５０についても、それぞれ同様に定義する。また、主面、側面、端面の定義は、後述する焼成前の母積層体５００についても、それぞれ同様に定義する。

【0023】

外部電極３は、導体により形成され、積層セラミック電子部品１の端子として機能する。外部電極３を形成する導体として、例えばニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム
（Ｐｄ）、錫（Ｓｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）および金（Ａｕ）などの金属またはこれらの合金などが挙げられる。

【0024】

外部電極３は単層構造であってもよいし、複層構造であってもよい。例えば複層構造の外部電極３は、例えば、下地膜と表面膜との２層構造や、下地膜と中間膜と表面膜との３層構造として構成されていてもよい。下地膜は、例えば、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｇ、Ａｕなどを主成分とする金属または合金の焼き付け膜とすることができる。中間膜は、例えば、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉなどを主成分とする金属または合金のメッキ膜とすることができる。表面膜は、例えば、Ｃｕ、Ｓｎ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｚｎなどを主成分とする金属および合金のメッキ膜とすることができる。

【0025】

図２は、素体２の模式図である。素体２は積層部２１、サイドマージン部２２およびカバー部２３を有する。図２Ａは積層部２１、サイドマージン部２２およびカバー部２３を一体として示した模式図であり、図２Ｂは積層部２１、サイドマージン部２２およびカバー部２３を切り離して示した模式図である。図２は、焼成前の素体２を示す図でもあり、焼成後の素体２を示す図でもある。焼成後の素体２は、焼成によって収縮しているが、焼成前の素体２と略同一構造を有する。

【0026】

積層部２１は、複数の誘電体層２１１と、複数の内部電極層２１２が第１方向に積層している。複数の誘電体層２１１は、種々のセラミック誘電体を含んでいてもよい。一例として、誘電体層２１１の主成分は、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）である。なお、本開示において主成分とは、８０％以上の構成割合を有する成分を示す。

【0027】

複数の内部電極層２１２は外部電極３に接続される。内部電極層２１２は、Ｎｉ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｕなどの種々の金属を含んでいてもよい。一例として、内部電極層２１２の主成分はＮｉである。複数の内部電極層２１２のうち、外部電極３ａに接続するものを内部電極層２１２ａとし、外部電極３ｂに接続するものを内部電極層２１２ｂとする。

【0028】

サイドマージン部２２は、第２方向において、積層部２１の両側面に位置する。サイドマージン部２２は、種々のセラミック誘電体を含んでいてもよい。例えばサイドマージン部２２の主成分は、積層部２１の誘電体層２１１の主成分と同一であってもよい。この場合、製造効率が向上するとともに、素体２１における内部応力が低減し信頼性が向上する。

【0029】

カバー部２３は、第１方向において積層部２１の両主面に位置する。カバー部２３は種々のセラミック誘電体を含んでいてもよい。例えばカバー部２３の主成分は、積層部２１の誘電体層２１１の主成分と同一であってもよい。この場合、製造効率が向上するとともに、素体２１における内部応力が低減し信頼性が向上する。

【0030】

上記の構成により、積層セラミック電子部品１では、外部電極３ａと外部電極３ｂとの間に電圧が印加されると、内部電極層２１２ａと内部電極層２１２ｂとの間の複数の誘電体層２１１に電圧が加わる。これにより、積層セラミック電子部品１では、外部電極３ａと外部電極３ｂとの間の電圧に応じた電荷が蓄えられる。

【0031】

なお、積層セラミック電子部品１の構成は、特定の構成に限定されず、積層セラミック電子部品１に求められるサイズや性能などに応じて、公知の構成を適宜採用可能である。例えば、積層部２１における内部電極層２１２の枚数は、適宜決定可能である。

【0032】

［積層セラミック電子部品の製造方法］
図３は、積層セラミック電子部品１の製造方法を示すフローチャートである。図４～図
１２は、積層セラミック電子部品１の製造工程を示す図である。以下、積層セラミック電子部品１の製造方法について、図４～図１２を参照しながら説明する。

【0033】

（第１工程：積層体準備）
第１工程では、複数のセラミックシート４００と複数の導電体４１０とが交互に積層された母積層体５００を準備する。

【0034】

まずは、第１セラミックシート４０１、第２セラミックシート４０２、第３セラミックシート４０３、第１導電体４１１および第２導電体４１２を準備する。第１セラミックシート４０１及び第２セラミックシート４０２は焼成後の積層部２１の誘電体層２１１を形成する。第３セラミックシート４０３は、焼成後のカバー部２３を形成する。第１導電体４１１および第２導電体４１２は、焼成後の内部電極層２１２を形成する。なお第１セラミックシート４０１、第２セラミックシート４０２、第３セラミックシート４０３を合わせてセラミックシート４００と呼ぶことがある。第１導電体４１１と第２導電体４１２は合わせて導電体４１０と呼ぶことがある。

【0035】

図４はセラミックシート４００およびこれらに配置された導電体４１０を示す。図４Ａは第１セラミックシート４０１と第１導電体４１１を示し、図４Ｂは第２セラミックシート４０２と第２導電体４１２を示し、図４Ｃは第３セラミックシート４０３を示す。

【0036】

セラミックシート４００は、例えばキャリアフィルムに配置する。この配置は、例えばダイコーターを用いて行われるが、これに限定されない。例えば、ドクターブレードコーターまたはグラビアコーター等を用いて行ってもよい。セラミックシート４００の厚みは適宜設定可能である。例えば、セラミックシート４００の厚みは１～１０μｍ程度であってもよい。セラミックシートの厚みを薄くするほど、積層セラミック電子部品１の静電容量を高くすることができる。

【0037】

セラミックシート４００は、種々のセラミック誘電体材料によって作製されてもよい。一例として、セラミックシート４００は、ＢａＴｉＯ３に添加剤を加えたセラミックの混合粉体をビーズミルで湿式粉砕混合し、この粉砕混合したスラリーに、ポリビニルブチラール系バインダ、可塑剤、および有機溶剤を混合することで作製する。

【0038】

次に、図４Ａおよび図４Ｂに示すように、上記で作成した第１セラミックシート４０１に、焼成後に内部電極層２１２ａとなる第１導電体４１１を、間隔Ｐをあけて配置する。また第２セラミックシート４０２に、焼成後に内部電極層２１２ｂとなる第２導電体４１２を、間隔Ｐをあけて配置する。図４Ａと図４Ｂは、内部電極層２１２となる金属材料を含む導電体４１０を極性の異なる２種類の導体パターンで印刷したものである。

【0039】

導電体４１０の形成には、例えば、スクリーン印刷法やグラビア印刷法を用いることができる。導電体４１０は、種々の金属によって作成されてもよい。具体的に、本開示の一実施形態においては、導電体４１０は、Ｎｉを主成分とする導電性ペーストによって作製する。

【0040】

なお、焼成後のカバー部２３に対応する第３セラミックシート４０３には導電体４１０が形成されていなくてもよい。ただしこの例に限定されず、例えば第３セラミックシート４０３には、焼成後にダミーの内部電極層となる導電体４１０が配置されていてもよい。

【0041】

導電体４１０の厚みは、適宜設定可能である。コンデンサとしての特性が確保できる限りにおいて、導電体４１０の厚みが薄ければ薄いほど、内部応力による内部欠陥を防ぐことができる。例えば、高積層数のコンデンサであれば、導電体４１０の厚みは１．０μｍ
以下であってもよい。また間隔Ｐは、適宜設定可能である。間隔Ｐは必ずしも一定である必要はなく、例えば、第１導電体４１１の間隔Ｐと第２導電体４１２の間隔Ｐは異なっていてもよい。

【0042】

なお、第１導電体４１１が形成された第１セラミックシート４０１を第１シート、第２導電体４１２が形成された第２セラミックシート４０２を第２シート、第３セラミックシート４０３を第３シートと呼ぶことがある。

【0043】

次に準備した第１シート、第２シートおよび第３シートを積層することにより母積層体５００を作製する。図５は、母積層体５００の模式的な斜視図である。図５では、説明の便宜上、それぞれのセラミックシート４００を分解して示している。しかし、実際の母積層体５００は、図６に示すようにセラミックシート４００が静水圧加圧や一軸加圧などにより圧着されて一体化される。これにより、高密度の母積層体５００が得られる。

【0044】

母積層体５００では、焼成後の積層部２１に対応する第１シート及び第２シートが第１方向に交互に積層されている。また、母積層体５００では、交互に積層された第１シートと第２シートの第１方向最上面及び最下面に、それぞれ焼成後のカバー部２３に対応する第３シートが積層される。なお、図５に示す例では、第３シートがそれぞれ３枚ずつ積層されているが、第３シートの枚数は適宜変更可能である。

【0045】

（第２工程：切断）
第２工程では、導電体を露出する側面および端面を形成するように母積層体５００を切断する。

【0046】

第１工程で得られた母積層体５００を押し切りにより切断し、未焼成の積層体５０を作成する。図６は、母積層体５００の斜視図である。母積層体５００は、保持部材としてのテープに貼り付けられた状態で、切断線ＣＬ１およびＣＬ２に沿って切断される。これにより、母積層体５００が個片化され、図７に示すような積層体５０が得られる。

【0047】

図８は、第２工程のプロセスを示す母積層体５００の断面の一部を模式的に示した図である。なお図８は第３方向から見た時の母積層体５００の断面図である。第２工程の切断には、カット刃６を備える切断装置を用いる。図８に示すように、カット刃６を用いて母積層体５００を切断した後、カット刃６を母積層体５００から引き抜く。なお、図８は切断線ＣＬ１に沿って切断する場合におけるプロセスの一例を示している。

【0048】

切断線ＣＬ１に沿って切断されることにより形成される母積層体５００の切断面は、積層体５０の第２方向の側面となる。なお、積層体５０の側面は二つ存在し、一方を側面Ｓ１とし、他方を側面Ｓ２と呼ぶことがある。図７において側面Ｓ１および側面Ｓ２を点線で示している。第２工程により形成された積層体５０の側面Ｓ１および側面Ｓ２には導電体４１０が露出する。

【0049】

積層体切断線ＣＬ２に沿って切断されることにより形成される母積層体５００の切断面は、積層体５０の第３方向の端面となる。なお、積層体５０の端面は二つ存在し、一方を端面Ｔ１とし、他方を端面Ｔ２と呼ぶことがある。図７において端面Ｔ１および端面Ｔ２を長鎖線で示している。第２工程により形成された積層体５０の端面には導電体４１０が露出する。

【0050】

第２工程により、母積層体５００が複数の積層体５０に個片化される。このとき、テープは、切断されずに、各積層体５０を接続していてもよい。この場合、以降の工程において複数の積層体５０を一括して扱うことが可能となり、製造効率が向上する。

【0051】

図９は第２工程により切断された積層体５０の断面の一部を模式的に示した図である。また図９は、第２方向から見た時の積層体５０の断面図である。切断後の積層体５０の側面は、図９Ａおよび図９Ｂに例示される状態となる場合がある。なお図９Ａおよび図９Ｂは一例であり、その他の状態にある場合もある。

【0052】

例えば図９Ａに示す積層体５０の側面には、第２工程においてカット刃６の移動に伴い、導電体４１０を引き摺られることにより、セラミックシート４００上に導電体４１０の引延部Ｅが形成される。例えば第１導電体４１１の引延部Ｅが第２導電体４１２に到達すると、第１導電体４１１と第２導電体４１２同士が引延部Ｅを介して接続されることにより、短絡が発生してしまう。

【0053】

例えば図９Ｂに示す積層体５０の側面には、セラミックシート４００上に異物Ｆが付着している。異物Ｆとしては、第２工程において導電体４１０やカット刃６などから生じた導電性を有する物質等が想定される。このような異物Ｆが側面に多く付着することで、第１導電体４１１と第２導電体４１２同士が異物Ｆを介して接続されることにより、短絡が発生してしまう。

【0054】

このように、第２工程の切断後の積層体５０では、引延部Ｅおよび異物Ｆ等の影響により側面に露出する第１導電体４１１と第２導電体４１２が短絡する場合がある。第１導電体４１１と第２導電体４１２が短絡していると、焼成後においても内部電極層２１２ａと内部電極層２１２ｂとが短絡してしまい、積層セラミック電子部品１の性能が悪化してしまう。

【0055】

特に、内部電極層２１２ａと内部電極層２１２ｂの間隔が狭い場合、換言すると第１導電体４１１と第２導電体４１２の間のセラミックシート４００が薄い場合に、積層体５０の側面における第１導電体４１１と第２導電体４１２間の短絡が発生しやすい。

【0056】

なお、第２工程における母積層体５００の切断には、カット刃６による押し切りとは異なる技術を用いてもよく、例えば回転刃を用いてもよい。更に、母積層体５００の切断には、刃を要しない技術を用いてもよく、例えばレーザ切断やウォータージェット切断を用いてもよい。このような場合であっても、第２工程では、積層体５０の側面において第１導電体４１１と第２導電体４１２との短絡が発生する場合がある。

【0057】

（第３工程：第１エッチング処理）
第３工程では、二つ存在する積層体５０の側面のうち一方の側面Ｓ１を、減圧条件下において、加速させたプラズマイオンを照射してエッチング処理をする。

【0058】

図１０は第３工程を模式的に示した図である。図１０に示すように第３工程のエッチング処理にはプラズマイオン照射装置７を使用する。第３工程ではプラズマイオン照射装置７により加速されたプラズマイオンを、積層体５０の側面Ｓ１に照射することにより行う。なお、第３工程は減圧条件下で行う。なお減圧条件下とは、大気圧よりも気圧が低い条件を示し、例えば０．１ＭＰａよりも小さい気圧条件である。

【0059】

図１１は、第３工程を行う前後における積層体５０の側面Ｓ１の状態を模式的に示す。引延部Ｅおよび異物Ｆなどは、第２工程後の側面Ｓ１の表層に含まれる。第３工程で側面Ｓ１の表層をエッチングすることにより、引延部Ｅおよび異物Ｆなどが除去される。これにより、積層体５０の側面Ｓ１における第１導電体４１１と第２導電体４１２との短絡が発生する可能性を低減することができる。なお、エッチングにより除去する側面Ｓ１の第２方向の深さは、適宜設定可能である。

【0060】

第３工程において、照射するプラズマイオンは適宜設定可能である。例えば、照射するプラズマイオンは不活性ガスであるイオンを含んでいてもよい。一例として、照射するプラズマイオンはＡｒイオンを含む。この場合、質量数の大きいＡｒイオンを照射するため、効果的に積層体５０の側面をエッチングすることができる。なお照射するプラズマイオンはＡｒイオンに限定されない。例えば、照射するプラズマイオンに含まれるイオンの例として、Ｈｅイオン、Ｋｒイオン、Ｘｅイオン、Ｎ２イオンおよびＯ２イオン等が挙げられる。

【0061】

第３工程において、減圧条件は適宜設定可能である。例えば０．４Ｐａ以下の気圧条件であってもよい。この場合、照射されるプラズマイオンが大気分子と衝突する可能性を低減することができる。換言すると、加速されたプラズマイオンが積層体５０の側面Ｓ１に到達するまでに減速してしまうことを低減することができる。結果としてプラズマイオンの速度が高い状態で積層体５０の側面Ｓ１に到達するため、効果的に側面Ｓ１をエッチングすることができる。なお、減圧条件は、例えば０．２Ｐａ以下の気圧条件であってもよい。この場合、さらに効果的に、積層体５０の側面Ｓ１をエッチングすることができる。

【0062】

第３工程において、プラズマイオンを加速させる電圧条件は適宜設定可能である。例えば、電圧条件は２００Ｖ以上であってもよい。２００Ｖ以上の電圧でプラズマイオンを加速する場合、プラズマイオンの速度が高い状態で積層体５０の側面Ｓ１に到達するため、効果的に側面Ｓ１をエッチングすることができる。なお、電圧条件は、例えば３０００Ｖ以上であってもよい３０００Ｖ以上の電圧でプラズマイオンを加速する場合、さらに効果的に、積層体５０の側面Ｓ１をエッチングすることができる。

【0063】

電圧条件は、例えば４０００Ｖ以下であってもよい。４０００Ｖ以上の電圧条件でプラズマイオンを加速する場合には、エッチングにより除去した残渣が舞い上がりすぎてしまい、積層体５０の側面Ｓ１に再付着してしまう可能性が高くなる。また４０００Ｖ以上の電圧条件でプラズマイオンを加速する場合には、積層体５０の側面側が高電圧にさらされるため帯電してしまい、エッチングにより除去した残渣を再付着させる可能性が高くなる。このように、電圧条件が４０００Ｖ以上の場合には、エッチングした残渣が再付着する可能性が高まり、短絡の原因を作ってしまう恐れがある。したがって電圧条件は２００Ｖ以上４０００Ｖ未満であってもよく、より好ましくは３０００Ｖ以上４０００Ｖ未満であってもよい。この場合、残渣の再付着の可能性を低減しつつ、効果的にエッチング処理を行うことができる。

【0064】

第３工程において、プラズマイオンを照射する照射時間は適宜設定可能である。例えば、照射時間は３０ｓｅｃ以上１８０ｓｅｃ以下であってもよい。照射時間を３０ｓｅｃ以上１８０ｓｅｃ以下とする場合、より確実に積層体５０の側面をエッチングすることができる。

【0065】

第３工程において、プラズマイオンの照射方向は適宜設定可能である。例えば、照射方向は、積層体５０の側面に垂直な方向に対して傾斜していてもよい。この場合、エッチングにより除去した残渣の舞い上がりを低減し、側面に再付着することを低減することができる。また、照射方向が積層体５０の側面に垂直な方向に対して傾斜する場合には、エッチングの残渣が、プラズマイオンの進行方向に舞い上がることを低減し、プラズマイオンの減速を低減することができる。したがって照射方向は、積層体５０の側面に垂直な方向に対して傾斜する場合、短絡の可能性を低減しつつ効果的にエッチング処理を行うことができる。このような照射方向の角度として、例えば側面に垂直な方向に対して２０°～７０°の範囲であり、より好ましくは４５°である。

【0066】

（第４工程：第１サイドマージン部形成）
第４工程では、第３工程によるエッチング処理を行った積層体５０の側面Ｓ１に、セラミック誘電体を含むサイドマージンシート４０３を設ける。

【0067】

第４工程では、まずは焼成後にサイドマージン部２２を形成するサイドマージンシート４０３を準備する。図１２は、第４工程のプロセスを模式的に示した図である。まず、平板状の弾性体の上に、サイドマージンシート４０３が配置される。積層体５０は、側面Ｓ１をサイドマージンシート４０３に対向させて配置される。

【0068】

サイドマージンシート４０３は、第１工程で準備されるセラミックシート４００と同じく、種々のセラミック誘電体材料によって作製されてもよい。一例としてサイドマージンシート４０３はセラミックシート４００と同一の材料である。サイドマージンシート４０３は、例えば、ロールコーターやドクターブレードを用いてシート状に成形される。

【0069】

次に、積層体５０の側面Ｓ１をサイドマージンシート４０３に押し当てる。これにより、積層体５０の側面Ｓ１によってサイドマージンシート４０３が打ち抜かれる。その後に、積層体５０をサイドマージンシート４０３から引き上げると、サイドマージンシート４０３から打ち抜かれ、側面Ｓ１に貼り付いたサイドマージンシート４０３のみが、弾性体から離れて積層体５０側に残る。これにより、側面Ｓ１に焼成後にサイドマージン部２２となるサイドマージンシート４０３が設けられた積層体５０が得られる。

【0070】

なお、積層体５０の側面Ｓ１におけるサイドマージンシート４０３は、上記の打ち抜き以外の方法によって形成されてもよい。例えば、予め切断されたサイドマージンシート４０３を積層体５０の側面Ｓ１に貼り付けてもよい。または、サイドマージンシート４０３を用いずに、誘電体セラミックを含むセラミックペーストを積層体５０の側面Ｓ１に塗布することにより、焼成後のサイドマージン部２２を形成してもよい。この場合におけるセラミックペーストの塗布方法としては、例えば、ディップ法などを用いることができる。

【0071】

（第５工程：第２エッチング処理）
第５工程では、積層体５０の側面Ｓ２を、減圧条件下において、加速させたプラズマイオンを照射してエッチング処理をする。

【0072】

第５工程における側面Ｓ２の表層の除去は、第３工程における側面Ｓ１の表層の除去と同一もしくは類似のプロセスによって行うことができる。第５工程のエッチング処理には例えば第３工程と同一のプラズマイオン照射装置７を使用することができる。第５工程では、プラズマイオン照射装置７により加速されたプラズマイオンを、積層体５０の側面Ｓ２に照射することにより行う。

【0073】

第５工程により、側面Ｓ２の表層に含まれる引延部Ｅおよび異物Ｆなどが除去されるため積層体５０の側面Ｓ２における第１導電体４１１と第２導電体４１２との短絡が発生する可能性を低減することができる。

【0074】

（第６工程：第２サイドマージン部形成）
第６工程では、第５工程によるエッチング処理を行った積層体５０の側面Ｓ２に、セラミック誘電体を含むサイドマージン部２２を設ける。

【0075】

第６工程における側面Ｓ２へのサイドマージン部２２の形成は、第４工程における側面Ｓ１へのサイドマージン部２２の形成と同一もしくは類似のプロセスに行うことができる。例えば、第６工程では、積層体５０の側面Ｓ２をサイドマージンシート４０３に押し当てることにより、積層体５０の側面Ｓ２に焼成後にサイドマージン部２２となるサイドマ
ージンシート４０３を形成してもよい。

【0076】

以上の工程により、図１３に示すような素体前駆体２００を得ることができる。素体前駆体２００は、焼成後に素体２となる。素体前駆体２００の形状および大きさは、焼成後の素体２の形状および特性に応じて適宜設定可能である。

【0077】

（第７工程：焼成）
第７工程では、得られた未焼成の素体前駆体２００を焼成することにより、図２に示すような素体２を作製する。焼成は、例えば、還元雰囲気下又は低酸素分圧雰囲気下において行うことができる。

【0078】

（第８工程：外部電極形成）
第８工程では、第７工程で得られた素体２の端面に外部電極３を形成する。

【0079】

第８工程では、まず、素体２の第３方向の両端面を覆うように未焼成の電極材料を塗布する。素体２に塗布された未焼成の電極材料に、例えば、還元雰囲気下、又は低酸素分圧雰囲気下において焼き付け処理を行って、素体２に下地膜を形成する。そして、素体２に焼き付けられた下地膜の上に、中間膜及び表面膜を電解メッキなどのメッキ処理で形成して、外部電極３が完成する。

【0080】

なお、第８工程における処理の一部を、第７工程の前に行ってもよい。例えば、第７工程の前に未焼成の素体前駆体２００の第３方向の両端面に未焼成の電極材料を塗布し、第７工程において、素体前駆体２００を焼成すると同時に、未焼成の電極材料を焼き付けて外部電極３の下地層を形成してもよい。

【0081】

以上のように第１工程～第８工程を行うことにより、図１に示す積層セラミック電子部品１を得ることができる。

【0082】

［実施例］
以下の表１は、上記の工程により作成した積層セラミック電子部品１の特性評価をまとめたものである。表１には試料Ｎｏ１～Ｎｏ１０までの十個のサンプルの結果を示している。試料Ｎｏ１およびＮｏ２は比較例としての積層セラミック電子部品であり、試料Ｎｏ２～Ｎｏ１０は実施例としての積層セラミック電子部品１である。

【0083】

表１では、それぞれのサンプルにおける第３工程において、気圧（Ｐａ）、プラズマイオンの加速電圧（Ｖ）、プラズマイオンを照射する照射時間（ｓｅｃ）、プラズマイオンの照射方向を変化させている。なお、プラズマイオンの照射方向は、照射角（°）として示している。照射角（°）とは、プラズマイオンの照射方向が積層体５０の側面に垂直な方向に対する傾斜角度を示している。

【0084】

また、上述のように、第２工程後の積層体５０の側面におけるセラミックシート４００上には、例えば導電粒子を含む引延部Ｅおよび異物Ｆなどが付着している。表１では、それぞれのサンプルにおける積層体５０の側面のセラミックシート４００上に位置する導電粒子の数の割合を示す。この割合を導電粒子脱離個数割合（％）と呼ぶ。

【0085】

導電粒子脱離個数割合の算出方法は以下である。まず試料Ｎｏ１についての積層体５０の側面のセラミックシート４００上に位置する導電粒子の数（以下、基準個数という。）を測定する。次にそれぞれのサンプルについての積層体５０の側面のセラミックシート４００上に位置する導電粒子の数を測定し、基準個数の割合を１００％とした時の割合を算出する。例えば、導電粒子脱離個数割合（％）が小さいほど、基準個数に比べて積層体５
０の側面のセラミックシート４００上に位置する導電粒子の数が少ないということであり、引延部Ｅおよび異物Ｆなどが少ないということが言える。

【0086】

また、表１ではそれぞれのサンプルにおける積層セラミック電子部品の短絡割合（％）を示している。短絡割合とは、積層セラミック電子部品を１００個用意した時に何個短絡が起きるかを示している。なお、積層セラミック電子部品の短絡の原因は多岐にわたるが、表１に記載の短絡割合は、切断に起因して発生する短絡についての割合である。

【0087】

比較例としての試料Ｎｏ１は、第２工程による切断後の積層体５０の側面に対して、プラズマイオンによるエッチング処理を行っていないサンプルである。換言すると、試料Ｎｏ１では第３工程および第５工程を行なっていない。

【0088】

比較例としての試料Ｎｏ２は、プラズマイオンによるエッチング処理を０．１ＭＰａの気圧条件で行っている。換言すると、試料Ｎｏ２は、大気圧条件下においてプラズマイオンによるエッチング処理を行っており、減圧条件下におけるプラズマイオンによるエッチング処理は行っていない。

【0089】

実施例としての試料Ｎｏ３～Ｎｏ１０では、第３工程および第５工程を行っており、それぞれ第３工程および第５工程のプラズマイオンによるエッチング処理の条件を変化させている。例えば気圧条件について、試料Ｎｏ３は０．４Ｐａとし、試料Ｎｏ４～Ｎｏ１０は０．２Ｐａとしている。

【0090】

例えばプラズマイオンの加速電圧について、試料Ｎｏ２～Ｎｏ５およびＮｏ９は２００Ｖとし、試料Ｎｏ６～Ｎｏ７およびＮｏ１０は３０００Ｖとし、試料Ｎｏ８は４０００Ｖとしている。

【0091】

例えばプラズマイオンを照射する照射時間について、試料Ｎｏ２～Ｎｏ４、Ｎｏ６およびＮｏ９～Ｎｏ１０は３０ｓｅｃとし、試料Ｎｏ５およびＮｏ７～Ｎｏ８は１８０ｓｅｃとしている。

【0092】

例えばプラズマイオンの照射角について、試料Ｎｏ２～Ｎｏ８は９０°とし、試料Ｎｏ９～Ｎｏ１０は４５°としている。換言すると、試料Ｎｏ２～Ｎｏ８におけるプラズマイオンの照射方向は、積層体５０の側面に垂直な方向であり、試料Ｎｏ９～Ｎｏ１０におけるプラズマイオンの照射方向は、積層体５０の側面に垂直な方向に対して４５°傾斜している。

【0093】

【表1】

【0094】

表１に示すように、プラズマイオンによるエッチングを行わない試料Ｎｏ１および大気圧条件でプラズマイオンによるエッチングを行った試料Ｎｏ２の比較例に比べて、本開示の一実施例である試料Ｎｏ３～Ｎｏ１０は、導電粒子脱離個数割合が低く、また短絡割合も低いことが分かった。したがって本開示の積層セラミック電子部品の一製造方法によれば、短絡の発生する可能性を低減することができる。

【0095】

また、０．２Ｐａ以下の気圧条件でプラズマイオンによるエッチングを行っている試料
Ｎｏ４は、試料Ｎｏ３に比べて導電粒子脱離個数割合が低く、また短絡割合も低いことが分かった。気圧が低い場合、照射される加速されるプラズマイオンが大気分子と衝突する可能性を低減することができる。結果としてプラズマイオンの速度が高い状態で積層体５０の側面に到達するため、効果的に側面をエッチングすることができる。

【0096】

また、プラズマイオンを加速させる電圧条件が３０００Ｖである試料Ｎｏ６は、電圧条件が２００Ｖである試料Ｎｏ４に比べて導電粒子脱離個数割合が低く、また短絡割合も低いことが分かった。プラズマイオンを加速させる電圧条件が高い場合、プラズマイオンの速度が高い状態で積層体５０の側面に到達するため、効果的に側面をエッチングすることができる。

【0097】

ただし、プラズマイオンを加速させる電圧条件が４０００ＶであるＮｏ８の場合、エッチングにより除去した残渣が舞い上がりすぎてしまい、積層体５０の側面に再付着してしまう可能性が高くなる。またＮｏ８の場合には、積層体５０の側面側が高電圧にさらされるため帯電してしまい、エッチングにより除去した残渣を再付着させる可能性が高くなる。このように、プラズマイオンを加速させる電圧条件が４０００Ｖ以上の場合には、エッチングした残渣が再付着する可能性が高まり、短絡の原因を作ってしまう恐れがある。

【0098】

また、プラズマイオンを照射する照射時間が１８０ｓｅｃである試料Ｎｏ７は、照射時間が３０ｓｅｃである試料Ｎｏ６に比べて導電粒子脱離個数割合が低く、また短絡割合も低いことが分かった。プラズマイオンを照射する照射時間が長い場合、より確実に積層体５０の側面をエッチングすることができる。

【0099】

また、プラズマイオンの照射角が４５°の試料Ｎｏ１０は、照射角が９０°の試料Ｎｏ６に比べて導電粒子脱離個数割合が低く、また短絡割合も低いことが分かった。プラズマイオンの照射方向が積層体５０の側面に垂直な方向に対して傾斜する場合、エッチングにより除去した残渣の舞い上がりを低減し、側面に再付着することを低減することができる。また、プラズマイオンの照射角が４５°の場合には、９０°の場合に比べてエッチングの残渣がプラズマイオンの進行方向に舞い上がることを低減し、プラズマイオンの減速を低減することができる。したがって、より効果的に積層体５０の側面をエッチングすることができる。

【0100】

なお、プラズマイオンの照射角が厳密に４５°である必要はない。例えば、プラズマイオンの照射角は２０°～７０°の範囲であってもよい。この場合であっても、上述した残渣の舞い上がりによる側面への再付着およびプラズマイオンの速度低下を低減することができる。

【符号の説明】

【0101】

１：積層セラミック電子部品
２：素体
２００：素体前駆体
２１：積層部
２１１：誘電体層
２１２：内部電極層
２２：サイドマージン部
２３：カバー部
３、３ａ、３ｂ：外部電極
４００：セラミックシート
４０３：サイドマージンシート
４１０：導電体
５０：積層体
５００：母積層体
６：カット刃
７：プラズマイオン照射装置

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【手続補正書】

【提出日】2023-12-05

【手続補正1】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００２８

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0028】

サイドマージン部２２は、第２方向において、積層部２１の両側面に位置する。サイドマージン部２２は、種々のセラミック誘電体を含んでいてもよい。例えばサイドマージン部２２の主成分は、積層部２１の誘電体層２１１の主成分と同一であってもよい。この場合、製造効率が向上するとともに、素体２における内部応力が低減し信頼性が向上する。

【手続補正2】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００２９

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0029】

カバー部２３は、第１方向において積層部２１の両主面に位置する。カバー部２３は種々のセラミック誘電体を含んでいてもよい。例えばカバー部２３の主成分は、積層部２１の誘電体層２１１の主成分と同一であってもよい。この場合、製造効率が向上するとともに、素体２における内部応力が低減し信頼性が向上する。

【手続補正3】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００６２

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0062】

第３工程において、プラズマイオンを加速させる電圧条件は適宜設定可能である。例えば、電圧条件は２００Ｖ以上であってもよい。２００Ｖ以上の電圧でプラズマイオンを加速する場合、プラズマイオンの速度が高い状態で積層体５０の側面Ｓ１に到達するため、効果的に側面Ｓ１をエッチングすることができる。なお、電圧条件は、例えば３０００Ｖ以上であってもよい。３０００Ｖ以上の電圧でプラズマイオンを加速する場合、さらに効果的に、積層体５０の側面Ｓ１をエッチングすることができる。

【手続補正4】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００６３

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0063】

電圧条件は、例えば４０００Ｖ未満であってもよい。４０００Ｖ以上の電圧条件でプラズマイオンを加速する場合には、エッチングにより除去した残渣が舞い上がりすぎてしまい、積層体５０の側面Ｓ１に再付着してしまう可能性が高くなる。また４０００Ｖ以上の電圧条件でプラズマイオンを加速する場合には、積層体５０の側面側が高電圧にさらされるため帯電してしまい、エッチングにより除去した残渣を再付着させる可能性が高くなる。このように、電圧条件が４０００Ｖ以上の場合には、エッチングした残渣が再付着する可能性が高まり、短絡の原因を作ってしまう恐れがある。したがって電圧条件は２００Ｖ以上４０００Ｖ未満であってもよく、より好ましくは３０００Ｖ以上４０００Ｖ未満であってもよい。この場合、残渣の再付着の可能性を低減しつつ、効果的にエッチング処理を行うことができる。

【手続補正5】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００６６

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0066】

（第４工程：第１サイドマージン部形成）
第４工程では、第３工程によるエッチング処理を行った積層体５０の側面Ｓ１に、セラミック誘電体を含むサイドマージンシート４０４を設ける。

【手続補正6】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００６７

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0067】

第４工程では、まずは焼成後にサイドマージン部２２を形成するサイドマージンシート４０４を準備する。図１２は、第４工程のプロセスを模式的に示した図である。まず、平板状の弾性体の上に、サイドマージンシート４０４が配置される。積層体５０は、側面Ｓ１をサイドマージンシート４０４に対向させて配置される。

【手続補正7】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００６８

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0068】

サイドマージンシート４０４は、第１工程で準備されるセラミックシート４００と同じく、種々のセラミック誘電体材料によって作製されてもよい。一例としてサイドマージンシート４０４はセラミックシート４００と同一の材料である。サイドマージンシート４０４は、例えば、ロールコーターやドクターブレードを用いてシート状に成形される。

【手続補正8】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００６９

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0069】

次に、積層体５０の側面Ｓ１をサイドマージンシート４０４に押し当てる。これにより、積層体５０の側面Ｓ１によってサイドマージンシート４０４が打ち抜かれる。その後に、積層体５０をサイドマージンシート４０４から引き上げると、サイドマージンシート４０４から打ち抜かれ、側面Ｓ１に貼り付いたサイドマージンシート４０４のみが、弾性体から離れて積層体５０側に残る。これにより、側面Ｓ１に焼成後にサイドマージン部２２となるサイドマージンシート４０４が設けられた積層体５０が得られる。

【手続補正9】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００７０

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0070】

なお、積層体５０の側面Ｓ１におけるサイドマージンシート４０４は、上記の打ち抜き以外の方法によって形成されてもよい。例えば、予め切断されたサイドマージンシート４０４を積層体５０の側面Ｓ１に貼り付けてもよい。または、サイドマージンシート４０４を用いずに、誘電体セラミックを含むセラミックペーストを積層体５０の側面Ｓ１に塗布することにより、焼成後のサイドマージン部２２を形成してもよい。この場合におけるセラミックペーストの塗布方法としては、例えば、ディップ法などを用いることができる。

【手続補正10】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００７５

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0075】

第６工程における側面Ｓ２へのサイドマージン部２２の形成は、第４工程における側面Ｓ１へのサイドマージン部２２の形成と同一もしくは類似のプロセスに行うことができる。例えば、第６工程では、積層体５０の側面Ｓ２をサイドマージンシート４０４に押し当てることにより、積層体５０の側面Ｓ２に焼成後にサイドマージン部２２となるサイドマージンシート４０４を形成してもよい。

【手続補正11】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０１０１

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0101】

１：積層セラミック電子部品
２：素体
２００：素体前駆体
２１：積層部
２１１：誘電体層
２１２：内部電極層
２２：サイドマージン部
２３：カバー部
３、３ａ、３ｂ：外部電極
４００：セラミックシート
４０４：サイドマージンシート
４１０：導電体
５０：積層体
５００：母積層体
６：カット刃
７：プラズマイオン照射装置

【手続補正12】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図１２

【補正方法】変更

【補正の内容】

【図12】

【手続補正13】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図１３

【補正方法】変更

【補正の内容】

【図13】