特開 2024-131769 半導体装置の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024131769

(43)【公開日】2024-09-30

(54)【発明の名称】半導体装置の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/66 20060101AFI20240920BHJP

   G01Q 60/40 20100101ALI20240920BHJP

   G01N 27/00 20060101ALI20240920BHJP

   H01L 21/265 20060101ALI20240920BHJP

【ＦＩ】

H01L21/66 N

G01Q60/40

G01N27/00 Z

H01L21/265 W

【審査請求】未請求

【請求項の数】5

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023042226

(22)【出願日】2023-03-16

(71)【出願人】

【識別番号】000004260

【氏名又は名称】株式会社デンソー

(71)【出願人】

【識別番号】000003207

【氏名又は名称】トヨタ自動車株式会社

(71)【出願人】

【識別番号】520124752

【氏名又は名称】株式会社ミライズテクノロジーズ

(74)【代理人】

【識別番号】110000110

【氏名又は名称】弁理士法人 快友国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】西出 拓矢

【テーマコード（参考）】

2G060

4M106

【Ｆターム（参考）】

2G060AA08

2G060AE20

2G060AF07

2G060AG11

2G060KA10

4M106AA02

4M106BA14

4M106CA51

4M106CB02

4M106DH16

(57)【要約】

【課題】 半導体装置を破壊することなく、半導体装置の内部のドーパント濃度分布を検査する。
【解決手段】 半導体装置の製造方法であって、半導体ウエハの素子領域（２０）にドーパントをイオン注入することによって第１拡散領域（２６）を形成する工程と、前記半導体ウエハのダイシング領域に前記第１拡散領域に対するイオン注入と同じ条件でドーパントをイオン注入することによって第２拡散領域（５６）を形成する工程と、切断面に前記第２拡散領域が露出するように前記半導体ウエハをダイシングする工程と、前記切断面にプローブ（８０）を接触させて前記第２拡散領域内のドーパント濃度分布を測定する工程、を有する。
【選択図】図１１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

半導体装置の製造方法であって、
半導体ウエハの素子領域（２０）にドーパントをイオン注入することによって第１拡散領域（２６）を形成する工程と、
前記半導体ウエハのダイシング領域に前記第１拡散領域に対するイオン注入と同じ条件でドーパントをイオン注入することによって第２拡散領域（５６）を形成する工程と、
切断面に前記第２拡散領域が露出するように前記半導体ウエハをダイシングする工程と、
前記切断面にプローブ（８０）を接触させて前記第２拡散領域内のドーパント濃度分布を測定する工程、
を有する製造方法。

【請求項2】

前記第１拡散領域に対するイオン注入と前記第２拡散領域に対するイオン注入を同時に実行する、請求項１に記載の製造方法。

【請求項3】

前記第１拡散領域に対するイオン注入では、第１開口部（７０ａ）が設けられたマスクを介して前記素子領域にドーパントをイオン注入し、
前記第２拡散領域に対するイオン注入では、第２開口部（７０ｂ）が設けられたマスクを介して前記ダイシング領域にドーパントをイオン注入し、
前記第１開口部の幅が前記第２開口部の幅と実質的に等しい、
請求項１または２に記載の製造方法。

【請求項4】

前記半導体ウエハをダイシングする前記工程では、へき開によってダイシングを行う請求項１または２に記載の製造方法。

【請求項5】

前記半導体ウエハの表面に、ｐｎ接合を介さずに前記第２拡散領域に電気的に接続された電極（４６）を形成する工程をさらに有し、
前記第２拡散領域内のドーパント濃度分布を測定する前記工程では、前記プローブと前記電極の間に電流を流す、
請求項１または２に記載の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本明細書に開示の技術は、半導体装置の製造方法に関する。

【0002】

特許文献１には、走査型プローブ顕微鏡によって半導体装置の内部のドーパント濃度分布を測定する技術が開示されている。走査型プローブ顕微鏡としては、例えば、走査型容量顕微鏡（すなわち、ＳＣＭ：Scanning Capacitance Microscope）や走査型拡がり抵抗顕微鏡（すなわち、ＳＳＲＭ：Scanning Spreading Resistance Microscope）が知られている。特許文献１の測定方法では、半導体装置を切断し、切断面に走査型プローブ顕微鏡のプローブを接触させてその切断面におけるドーパント濃度分布を測定する。これにより、半導体装置の内部のドーパント濃度分布を測定できる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２００３－３２２５９９号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

特許文献１の技術では、半導体装置を切断して半導体装置の内部のドーパント濃度分布を測定する。このため、半導体装置を非破壊で検査することができない。本明細書では、半導体装置を破壊することなく、半導体装置の内部のドーパント濃度分布を検査する技術を提案する。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本明細書が開示する半導体装置の製造方法は、半導体ウエハの素子領域にドーパントをイオン注入することによって第１拡散領域を形成する工程と、前記半導体ウエハのダイシング領域に前記第１拡散領域に対するイオン注入と同じ条件でドーパントをイオン注入することによって第２拡散領域を形成する工程と、切断面に前記第２拡散領域が露出するように前記半導体ウエハをダイシングする工程と、前記切断面にプローブを接触させて前記第２拡散領域内のドーパント濃度分布を測定する工程、を有する。

【0006】

なお、上記の「条件」には、イオン注入の加速電圧、イオン注入するイオン種、イオン注入時のドーズ量、イオン注入時のチルト角、イオン注入時のツイスト角の少なくとも1つが含まれる。

【0007】

この製造方法では、半導体ウエハのダイシング領域に、第１拡散領域に対するイオン注入と同じ条件でドーパントをイオン注入することによって第２拡散領域を形成する。したがって、第２拡散領域では、第１拡散領域に対応する態様でドーパントが分布する。その後、切断面に第２拡散領域が露出するように半導体ウエハをダイシングし、切断面にプローブを接触させて第２拡散領域内のドーパント濃度分布を測定する。第２拡散領域には第１拡散領域に対応する態様でドーパントが分布しているので、第２拡散領域のドーパント濃度分布を測定することで、第１拡散領域（すなわち、半導体装置の内部）のドーパント濃度分布を検査することができる。このように、この製造方法によれば、半導体装置を破壊することなく、半導体装置の内部のドーパント濃度分布を検査することができる。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】半導体ウエハの上面の拡大図。

【図2】素子形成工程の説明図。

【図3】素子形成工程の説明図。

【図4】素子形成工程の説明図。

【図5】素子形成工程の説明図。

【図6】素子形成工程の説明図。

【図7】素子形成工程の説明図。

【図8】素子形成工程の説明図。

【図9】ダイシング工程の説明図。

【図10】ダイシング工程の説明図。

【図11】検査工程の説明図。

【発明を実施するための形態】

【0009】

本明細書が開示する一例の製造方法では、前記第１拡散領域に対するイオン注入と前記第２拡散領域に対するイオン注入を同時に実行してもよい。

【0010】

この構成によれば、第１拡散領域に対するイオン注入と第２拡散領域に対するイオン注入を同じ条件で実施することができる。

【0011】

本明細書が開示する一例の製造方法においては、前記第１拡散領域に対するイオン注入では第１開口部が設けられたマスクを介して前記素子領域にドーパントをイオン注入し、前記第２拡散領域に対するイオン注入では第２開口部が設けられたマスクを介して前記ダイシング領域にドーパントをイオン注入してもよい。この場合、前記第１開口部の幅が前記第２開口部の幅と実質的に等しくてもよい。

【0012】

なお、第１開口部の幅が第２開口部の幅と実質的に等しいとは、第１開口部の幅が第２開口部の幅に対して開口部形成時の誤差範囲内の値であることを意味する。

【0013】

この構成によれば、第２拡散領域のドーパント濃度分布が第１拡散領域のドーパント濃度分布により近くなるので、第１拡散領域のドーパント濃度分布をより正確に検査できる。

【0014】

本明細書が開示する一例の製造方法においては、前記半導体ウエハをダイシングする前記工程では、へき開によってダイシングを行ってもよい。

【0015】

この構成によれば、切断面において結晶が破壊され難いので、好適に第２拡散領域のドーパント濃度分布を測定できる。

【0016】

本明細書が開示する一例の製造方法は、ｐｎ接合を介さずに前記第２拡散領域に電気的に接続された電極（４６）を形成する工程をさらに有していてもよい。前記第２拡散領域内のドーパント濃度分布を測定する前記工程では、前記プローブと前記電極の間に電流を流してもよい。

【0017】

この構成によれば、第２拡散領域のドーパント濃度分布を好適に測定できる。

【0018】

図１は、実施形態の製造方法で使用する半導体ウエハの上面の拡大図を示している。半導体ウエハは、Ｓｉ、ＳｉＣ、または、ＧａＮ等の半導体により構成されている。加工前の半導体ウエハの全体は、図２等に示すｎ型のドレイン領域２２により構成されている。図１に示すように、半導体ウエハの上面に、複数の素子領域２０、ダイシング領域５０及びＴＥＧ領域５２が設定されている。なお、素子領域２０、ダイシング領域５０及びＴＥＧ領域５２は、仮想的に設定される領域であり、加工前の段階では視認することができない領域である。素子領域２０は、後述する素子形成工程において半導体素子が形成される領域である。半導体ウエハの上面には、複数の素子領域２０がマトリクス状に設定されている。ダイシング領域５０は、各素子領域２０の間に設けられた間隔である。ダイシング領域５０は、後述するダイシング工程において切断される領域である。ＴＥＧ領域５２は、ダイシング領域５０内に設定されている。ＴＥＧ領域５２は、後述する素子形成工程においてＴＥＧ（Test Element Group）が形成される領域である。

【0019】

図２～８は、製造工程中における半導体ウエハの断面図を示している。図２～８の各図において、左側の図（ａ）は図１のＡ－Ａ線の位置における素子領域２０の断面であり、右側の図（ｂ）は図１のＢ－Ｂ線の位置におけるＴＥＧ領域５２の断面である。実施形態の製造方法では、素子形成工程、ダイシング工程及び検査工程を順に実施する。

【0020】

（素子形成工程）
まず、図２に示すように、ドレイン領域２２上にｎ型の第１ドリフト領域２４をエピタキシャル成長により形成する。第１ドリフト領域２４は、ドレイン領域２２よりもｎ型不純物濃度が低いｎ型領域である。第１ドリフト領域２４は、素子領域２０とダイシング領域５０の全域に形成される。

【0021】

次に、図３に示すように、第１ドリフト領域２４上にマスク層７０を形成する。マスク層７０は、素子領域２０とダイシング領域５０の全域に形成される。次に、マスク層７０に開口部７０ａ、７０ｂを形成する。ここでは、素子領域２０に複数の開口部７０ａを形成し、ＴＥＧ領域５２に複数の開口部７０ｂを形成する。なお、図示していないが、素子領域２０には、広い範囲に多数の開口部７０ａが形成される。ＴＥＧ領域５２に形成される開口部７０ｂの数は、素子領域２０に形成される開口部７０ａの数よりも少ない。開口部７０ａ、７０ｂは、図３の紙面に対して垂直な方向に長く伸びている。開口部７０ａの長手方向の寸法は、開口部７０ｂの長手方向の寸法よりも大きい。開口部７０ａの幅Ｗ７０ａは、開口部７０ｂの幅Ｗ７０ｂと等しい。

【0022】

次に、図４に示すように、マスク層７０を介して上側から第１ドリフト領域２４にｐ型不純物を注入する。これにより、素子領域２０に複数のｐ型領域２６を形成し、ＴＥＧ領域５２に複数のｐ型領域５６を形成する。一度のイオン注入で素子領域２０とＴＥＧ領域５２に同時にｐ型不純物を注入するので、素子領域２０（すなわち、ｐ型領域２６）とＴＥＧ領域５２（すなわち、ｐ型領域５６）に同じ条件でｐ型不純物が注入される。すなわち、ｐ型領域２６に対するイオン注入とｐ型領域５６に対するイオン注入とで、加速電圧が等しく、注入されるイオン種が等しく、ドーズ量が等しく、チルト角が等しく、ツイスト角が等しい。また、上述したように、開口部７０ａの幅Ｗ７０ａと開口部７０ｂの幅Ｗ７０ｂは等しい。したがって、図４に示す断面において、ｐ型領域２６の形状とｐ型領域５６の形状がほぼ等しくなる。また、図４に示す断面において、ｐ型領域２６内のｐ型不純物濃度分布とｐ型領域５６内のｐ型不純物濃度分布がほぼ等しくなる。ｐ型領域２６、５６の形成後に、マスク層７０を除去する。

【0023】

次に、図５に示すように、半導体ウエハ上にｎ型の第２ドリフト領域３０をエピタキシャル成長により形成する。第２ドリフト領域３０は、第１ドリフト領域２４と略等しいｎ型不純物濃度を有するｎ型領域である。第２ドリフト領域３０は、素子領域２０とダイシング領域５０の全域に形成される。

【0024】

次に、図６に示すように、第２ドリフト領域３０上にマスク層７２を形成する。マスク層７２は、素子領域２０とダイシング領域５０の全域に形成される。次に、マスク層７２に開口部７２ａ、７２ｂを形成する。ここでは、素子領域２０に複数の開口部７２ａを形成し、ＴＥＧ領域５２に複数の開口部７２ｂを形成する。ここでは、各ｐ型領域２６の上部に開口部７２ａを形成し、各ｐ型領域５６の上部に開口部７２ｂを形成する。開口部７２ａの幅Ｗ７２ａは、開口部７２ｂの幅Ｗ７２ｂと等しい。幅Ｗ７２ａ、Ｗ７２ｂは、幅Ｗ７０ａ、Ｗ７０ｂよりも狭い。

【0025】

次に、図７に示すように、マスク層７２を介して上側から第２ドリフト領域３０にｐ型不純物を注入する。これにより、素子領域２０に複数のｐ型領域２７を形成し、ＴＥＧ領域５２に複数のｐ型領域５７を形成する。各ｐ型領域２６の上部に、ｐ型領域２６と繋がるようにｐ型領域２７が形成される。以下では、ｐ型領域２６、２７をまとめてｐ型領域２８という。各ｐ型領域５６の上部に、ｐ型領域５６と繋がるようにｐ型領域５７が形成される。以下では、ｐ型領域５６、５７をまとめてｐ型領域５８という。一度のイオン注入で素子領域２０とＴＥＧ領域５２に同時にｐ型不純物を注入するので、素子領域２０（すなわち、ｐ型領域２７）とＴＥＧ領域５２（すなわち、ｐ型領域５７）に同じ条件でｐ型不純物が注入される。すなわち、ｐ型領域２７に対するイオン注入とｐ型領域５７に対するイオン注入とで、加速電圧が等しく、注入されるイオン種が等しく、ドーズ量が等しく、チルト角が等しく、ツイスト角が等しい。また、上述したように、開口部７２ａの幅Ｗ７２ａと開口部７２ｂの幅Ｗ７２ｂは等しい。したがって、図７に示す断面において、ｐ型領域２７の形状とｐ型領域５７の形状がほぼ等しくなる。また、図７に示す断面において、ｐ型領域２７内のｐ型不純物濃度分布とｐ型領域５７内のｐ型不純物濃度分布がほぼ等しくなる。ｐ型領域２７、５７の形成後に、マスク層７２を除去する。

【0026】

次に、図８に示すように、素子領域２０内において、半導体ウエハ上（すなわち、第２ドリフト領域３０とｐ型領域２７の上部）に半導体層をさらに積層し、積層した半導体層内にｐ型のボディ領域３２、ｐ型のコンタクト領域３４及びｎ型のソース領域３６を形成する。また、素子領域２０内において、半導体ウエハ上にゲート絶縁膜３８、ゲート電極４０、層間絶縁膜４２、ソース電極４４を形成する。図８に示すように、ＴＥＧ領域５２を含むダイシング領域５０内には、ボディ領域３２、コンタクト領域３４、ソース領域３６、ゲート絶縁膜３８、ゲート電極４０、層間絶縁膜４２及びソース電極４４は形成されない。次に、図８に示すように、ＴＥＧ領域５２内に、第２ドリフト領域３０の上面とｐ型領域５７の上面に接する検査電極４６を形成する。検査電極４６は、ソース電極４４と繋がっていてもよいし、ソース電極４４から分離されていてもよい。なお、検査電極４６は、ソース電極４４と同時に形成されてもよい。次に、半導体ウエハの下面に、ドレイン領域２２に接するドレイン電極４８を形成する。ドレイン電極４８は、半導体ウエハの下面全域に形成される。

【0027】

図８のように加工を行うことで、素子領域２０内にＭＯＳＦＥＴ（metal-oxide-semiconductor field effect transistor）が形成される。ドリフト領域２４、３０内には、間隔を空けて配置された複数のｐ型領域２８によってスーパージャンクション構造が設けられている。したがって、ＭＯＳＦＥＴは高い耐圧を有している。また、ＴＥＧ領域５２内には、ｐ型領域２８とほぼ同じ断面形状及びｐ型不純物濃度分布を有するｐ型領域５８が形成される。半導体装置の使用時にＴＥＧ領域５２には電流が流れないので、ＴＥＧ領域５２はＭＯＳＦＥＴの特性にほとんど影響を与えない。

【0028】

（ダイシング工程）
次に、半導体ウエハをダイシングすることによって、半導体ウエハを複数のチップ（すなわち、半導体装置）に分割する。ここでは、図１に示す各ダイシング領域５０の中心線５０ｃに沿って半導体ウエハを分割する。図９、１０は、ダイシング工程の詳細を示している。ダイシング工程では、まず、図９に示すように、半導体ウエハの上面を吸着テーブル９４で支持した状態で、半導体ウエハの下面にローラブレード９０を押し当てる。すると、半導体ウエハの下面のうちのローラブレード９０によって加圧された箇所に半導体ウエハの厚さ方向に沿ってクラック９２が形成される。ここでは、ローラブレード９０をダイシング領域５０の中心線５０ｃに沿って移動させることで、中心線５０ｃに沿ってクラック９２を形成する。次に、図１０に示すように、半導体ウエハの下面のうちのダイシング領域５０の中心と重ならない範囲を支持板９６で支持する。次に、支持板９６で半導体ウエハを支持した状態で、半導体ウエハの上面に中心線５０ｃに沿って分離板９８の先端部を押し当てる。分離板９８を半導体ウエハの上面に押し当てると、半導体ウエハがクラック９２に沿って（すなわち、図１の中心線５０ｃに沿って）へき開する。これによって、半導体ウエハが複数の半導体装置に分割される。半導体ウエハを分割すると、切断面に図８（ｂ）に示すＴＥＧ領域５２のｐ型領域５８の断面が露出する。

【0029】

（検査工程）
次に、半導体装置の検査工程を実施する。検査工程では、ＳＣＭまたはＳＲＲＭによってｐ型領域５８内のｐ型不純物濃度分布を測定する。上述したように、各半導体装置の側面（すなわち、ダイシング工程における切断面）には、ｐ型領域５８が露出している。検査工程では、図１１に示すように、半導体装置の側面に露出しているｐ型領域５８に検査装置のプローブ８０を接触させる。また、検査電極４６に検査装置の導電性ステージ８２を接触させる。そして、プローブ８０と検査電極４６の間に電流を流す。このように電流を流しながらプローブ８０でｐ型領域５８の表面を走査することで、ｐ型領域５８内のｐ型不純物濃度分布を測定する。ｐ型領域５８はｐｎ接合を介さずに検査電極４６に電気的に接続されているので、検査工程ではｐｎ接合の影響を受けることなくｐ型領域５８内のｐ型不純物濃度分布を正確に測定できる。ｐ型領域５８内のｐ型不純物濃度分布は、ｐ型領域２８内のｐ型不純物濃度分布と略等しい。したがって、検査工程では、ｐ型領域２８内のｐ型不純物濃度分布を把握することができる。したがって、この方法によれば、半導体装置を破壊することなく、ｐ型領域２８内のｐ型不純物濃度分布を検査することができる。

【0030】

以上の通り、この製造方法では、半導体装置を破壊することなくｐ型領域２８内のｐ型不純物濃度分布を検査できる。これにより、検査済みの半導体装置として、信頼性が高い半導体装置を製造することができる。

【0031】

なお、上述した実施形態では、ｐ型領域２６に対するイオン注入とｐ型領域５６に対するイオン注入を同時に行ったが、ｐ型領域２６に対するイオン注入とｐ型領域５６に対するイオン注入を別工程で実施してもよい。これらを別工程で実施する場合でも、ｐ型領域２６に対するイオン注入とｐ型領域５６に対するイオン注入を同じ条件で実施すれば、ｐ型領域５６内にｐ型領域２６内とほぼ同じｐ型不純物濃度分布を形成できる。同様に、ｐ型領域２７に対するイオン注入とｐ型領域５７に対するイオン注入を別工程で実施してもよい。

【0032】

また、上述した実施形態では、イオン注入により形成されたｐ型領域２８を検査したが、イオン注入により形成されたｎ型領域を本明細書に開示の技術によって検査してもよい。この場合、素子領域とＴＥＧ領域にイオン注入によってｎ型領域を形成し、ＴＥＧ領域内のｎ型領域内のｎ型不純物濃度分布を測定することで素子領域内のｎ型領域を検査することができる。この場合、ＴＥＧ領域内のｎ型領域を検査電極に対してｐｎ接合を介さずに電気的に接続することで、ＴＥＧ領域内のｎ型領域のｎ型不純物濃度を正確に検出できる。

【0033】

また、上述した実施形態では、ローラブレード９０を用いて半導体ウエハをへき開したが、他の方法によって半導体ウエハをへき開してもよい。また、ダイシングソー等を使用した切削加工により半導体ウエハをダイシングしてもよい。ただし、この場合には、切削後の切断面に結晶性が破壊されたダメージ層が形成される。したがって、ダメージ層をエッチング等によって除去する処理が必要となる場合がある。これに対し、へき開によりダイシングを行う場合には、結晶性が高い切断面を形成することができる。

【0034】

以下に、本明細書に開示の技術の構成を列記する。
（構成１）
半導体装置の製造方法であって、
半導体ウエハの素子領域にドーパントをイオン注入することによって第１拡散領域を形成する工程と、
前記半導体ウエハのダイシング領域に前記第１拡散領域に対するイオン注入と同じ条件でドーパントをイオン注入することによって第２拡散領域を形成する工程と、
切断面に前記第２拡散領域が露出するように前記半導体ウエハをダイシングする工程と、
前記切断面にプローブを接触させて前記第２拡散領域内のドーパント濃度分布を測定する工程、
を有する製造方法。
（構成２）
前記第１拡散領域に対するイオン注入と前記第２拡散領域に対するイオン注入を同時に実行する、構成１に記載の製造方法。
（構成３）
前記第１拡散領域に対するイオン注入では、第１開口部が設けられたマスクを介して前記素子領域にドーパントを注入し、
前記第２拡散領域に対するイオン注入では、第２開口部が設けられたマスクを介して前記ダイシング領域にドーパントを注入し、
前記第１開口部の幅が前記第２開口部の幅と実質的に等しい、
構成１または２に記載の製造方法。
（構成４）
前記半導体ウエハをダイシングする前記工程では、へき開によってダイシングを行う構成１～３のいずれか一項に記載の製造方法。
（構成５）
前記半導体ウエハの表面に電極を形成する工程をさらに有し、
前記第２拡散領域が、前記電極に対してｐｎ接合を介さずに電気的に接続されており、
前記第２拡散領域内のドーパント濃度分布を測定する前記工程では、前記プローブと前記電極の間に電流を流す、
構成１～４のいずれか一項に記載の製造方法。

【0035】

以上、実施形態について詳細に説明したが、これらは例示にすぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例をさまざまに変形、変更したものが含まれる。本明細書または図面に説明した技術要素は、単独あるいは各種の組み合わせによって技術有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組み合わせに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの１つの目的を達成すること自体で技術有用性を持つものである。

【符号の説明】

【0036】

２０：素子領域、２４：第１ドリフト領域、２８：ｐ型領域、３０：第２ドリフト領域、４６：検査電極、５０：ダイシング領域、５２：ＴＥＧ領域、５８：ｐ型領域、８０：プローブ

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】