特開 2024-131881 半導体装置及び半導体装置の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024131881

(43)【公開日】2024-09-30

(54)【発明の名称】半導体装置及び半導体装置の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 25/04 20230101AFI20240920BHJP

   H10B 80/00 20230101ALI20240920BHJP

   H01L 21/60 20060101ALI20240920BHJP

   H01L 23/29 20060101ALI20240920BHJP

   H01L 21/56 20060101ALI20240920BHJP

【ＦＩ】

H01L25/04 Z

H10B80/00

H01L21/60 311S

H01L23/30 B

H01L21/56 E

【審査請求】未請求

【請求項の数】5

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023042392

(22)【出願日】2023-03-16

(71)【出願人】

【識別番号】318010018

【氏名又は名称】キオクシア株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100119035

【弁理士】

【氏名又は名称】池上 徹真

(74)【代理人】

【識別番号】100141036

【弁理士】

【氏名又は名称】須藤 章

(74)【代理人】

【識別番号】100178984

【弁理士】

【氏名又は名称】高下 雅弘

(72)【発明者】

【氏名】丹羽 恵一

【テーマコード（参考）】

4M109

5F044

5F061

【Ｆターム（参考）】

4M109AA02

4M109BA04

4M109CA05

4M109CA21

4M109EA02

4M109EB12

5F044LL01

5F044RR18

5F044RR19

5F061AA02

5F061BA04

5F061CA05

5F061CA21

5F061CB02

5F061CB12

(57)【要約】      （修正有）

【課題】信頼性の高い半導体装置及び信頼性の高い半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１００は、配線基板１０と、配線基板１０の第１面１０Ａ側に設けられた第１半導体素子２０と、配線基板１０の第１面１０Ａ側に設けられた第２半導体素子３０と、配線基板１０の第１面１０Ａ側と第１半導体素子２０の配線基板１０側を向く面ａ面ａ側との間、及び、第２半導体素子３０の側面Ａ１面Ａ１に設けられた第１樹脂組成物４０と、有する。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

配線基板と、
前記配線基板の第１面側に設けられた第１半導体素子と、
前記配線基板の前記第１面側に設けられた第２半導体素子と、
前記配線基板の前記第１面側と前記第１半導体素子の前記配線基板側を向く面側との間、及び、前記第２半導体素子の側面に設けられた第１樹脂組成物と、有する半導体装置。

【請求項2】

前記第１半導体素子は、フリップチップである請求項１に記載の半導体装置。

【請求項3】

前記第２半導体素子と前記配線基板は、ボンディングワイヤで接続される請求項１又は２に記載の半導体装置。

【請求項4】

第１半導体素子が接合され第２半導体素子が載置された配線基板に第１樹脂組成物の前駆体を塗布する工程と、
前記第１樹脂組成物の前駆体が塗布された部材を加圧加熱処理して前記第１樹脂組成物の前駆体を硬化させる工程と、
前記第１樹脂組成物の前駆体が硬化した部材の前記第２半導体素子と前記配線基板間にボンディングワイヤを形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法。

【請求項5】

前記第１半導体素子は、フリップチップである請求項４に記載の半導体装置の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明の実施形態は、半導体装置及び半導体装置の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

ＮＡＮＤフラッシュメモリチップを積層したパッケージにおいて、配線基板上のＮＡＮＤフラッシュメモリチップは封止樹脂に封止されている。例えば、厚い封止樹脂を用いることで、パッケージの変形を防ぐことができる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】米国特許公開2011／0175218

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

本発明の実施形態は、信頼性の高い半導体装置及び信頼性の高い半導体装置の製造方法を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0005】

実施形態の半導体装置は、配線基板と、配線基板の第１面側に設けられた第１半導体素子と、配線基板の第１面側に設けられた第２半導体素子と、配線基板の前記第１面側と前記第１半導体素子の前記配線基板側を向く面側との間、及び、第２半導体素子の側面に設けられた第１樹脂組成物と、有する。

【図面の簡単な説明】

【0006】

【図1】実施形態に係る半導体装置の模式断面図。

【図2】実施形態に係る半導体装置の模式上面図。

【図3】実施形態に係る半導体装置の製造方法のフローチャート。

【図4】実施形態に係る半導体装置の製造方法の工程模式図。

【図5】実施形態に係る半導体装置の製造方法の工程模式図。

【図6】実施形態に係る半導体装置の製造方法の工程模式図。

【図7】実施形態に係る半導体装置の製造方法の工程模式図。

【図8】実施形態に係る半導体装置の製造方法の工程模式図。

【図9】実施形態に係る半導体装置の製造方法の工程模式図。

【図10】実施形態に係る半導体装置の製造方法の工程模式図。

【図11】実施形態に係る半導体装置の模式断面図。

【図12】実施形態に係る半導体装置の模式断面図。

【図13】実施形態に係る半導体装置の模式断面図。

【図14】実施形態に係る半導体装置の模式上面図。

【図15】実施形態に係る半導体装置の模式上面図。

【図16】実施形態に係る半導体装置の模式上面図。

【図17】実施形態に係る半導体装置の模式上面図。

【図18】実施形態に係る半導体装置の模式上面図。

【図19】実施形態に係る半導体装置の模式上面図。

【図20】実施形態に係る半導体装置の模式断面図。

【図21】実施形態に係る半導体装置の模式断面図。

【図22】実施形態に係る半導体装置の模式断面図。

【図23】実施形態に係る半導体装置の模式断面図。

【図24】実施形態に係る半導体装置の模式上面図。

【発明を実施するための形態】

【0007】

以下、実施形態について、図面を参照して説明する。図中の重複する符号は一部省略している。

【0008】

本明細書では、いくつかの要素に複数の表現の例を付している。なおこれら表現の例はあくまで例示であり、上記要素が他の表現で表現されることを否定するものではない。また、複数の表現が付されていない要素についても、別の表現で表現されてもよい。

【0009】

また、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係や各層の厚みの比率などは現実のものと異なることがある。また、図面相互間において互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれることもある。また、図面において、一部の符号を省略している。

【0010】

実施形態において表している物性値は、大気圧（１気圧）下で室温（２５℃）下の値である。

【0011】

本明細書において、工程には独立した工程だけではなく、他の工程や他の処理との組み合わせも含まれる。本明細書中の数値条件において、複数の数値範囲が記載されている場合、その数値範囲の上限値又は下限値は、他の数値範囲の上限値又は下限値に置き換えてもよい。本明細書中の数値条件の上限値と下限値が記載されている場合、上限値と下限値を組み合わせた数値範囲の条件に置き換えることもできる。

【0012】

（第１実施形態）
第１実施形態は、半導体装置と半導体装置の製造方法に関する。図１に半導体装置１００の模式断面図を示す。図２に半導体装置１００の模式上面図を示す。図２の模式上面図は、図１のＺ方向の上方から半導体装置１００を見た図である。図２の模式図は、第１絶縁層１３や第２樹脂組成物５０等を不可視化した半導体装置１００の上面である。図１の実施形態の半導体装置１００は、より具体的には、ＮＡＮＤフラッシュメモリチップ等を搭載した半導体パッケージである。なお、Ｘ方向、Ｙ方向及びＺ方向は、互いに交差し、互いに直交することが好ましい。

【0013】

図１の断面図は、半導体装置１００の中央付近の断面図である。実際の半導体装置では、１断面に一方のボンディングワイヤのみしか存在しない場合がある。

【0014】

図２の模式上面図は、第２半導体素子３０、第３半導体素子６０、第１中間層３１及び第２中間層６１の面の方向を示している。図１の模式断面図は、例えば、図２のＳ－Ｓ’の二点長鎖線の位置の断面図である。

【0015】

半導体装置１００は、記憶装置の一例である。半導体装置１００は、配線基板１０、第１半導体素子２０、導電性接合剤２１、第２半導体素子３０、第１中間層３１、第１ボンディングワイヤ３３、第３半導体素子６０、第２中間層６１、第２ボンディングワイヤ６３、第１樹脂組成物４０、第２樹脂組成物５０、及び、半田ボール７０を有する。

【0016】

配線基板１０は、第１半導体素子２０等の支持基板である。配線基板１０はより具体的には、多層のプリント基板（ＰＣＢ）である。配線基板１０の２つの主面を第１面１０Ａ及び第２面１０Ｂとする。図中の先端が矢印の引出線は、部材の面に付した符号を示している。第１面には、第１半導体素子２０及び第２半導体素子３０等が設けられている。配線基板１０の第１面とは反対側の第２面側に半導体装置１００の外部と接続端子である半田ボール７０などの半球状の電極が設けられている。

【0017】

配線基板１０は、配線１２が設けられた基板１１を有する。配線１２は、第１面１０Ａ側の第１半導体素子２０、第２半導体素子３０及び第３半導体素子６０等と半田ボール７０を電気的に接続する。第１面１０Ａ側には、レジストなどの第１絶縁層１３が設けられている。第１絶縁層１３の開口部には、第１パッド１４、第２パッド１５及び第３パッド１６が設けられている。

【0018】

第１パッド１４は、導電性接合剤２１を介して第１半導体素子２０と接続する。第１パッド１４は、例えば、２以上設けられている。

【0019】

第２パッド１５は、第１ボンディングワイヤ３３を介して第２半導体素子３０と接続する。第２パッド１５は、例えば、配線基板１０の配線１２上に２以上設けられている。

【0020】

第３パッド１６は、第２ボンディングワイヤ６３を介して第３半導体素子６０と接続する。第３パッド１６は、例えば、配線基板１０の配線１２上に２以上設けられている。

【0021】

配線基板１０の第１面１０Ａとは反対側の第２面１０Ｂ側には、半田ボール７０が設けられている。第２面１０Ｂ側の基板１１には、配線１２が設けられている。配線基板１０の第２面１０Ｂ側の表面には、レジストなどの第２絶縁層１７が設けられている。第２絶縁層１７の開口部には、配線１２及び半田ボール７０と接続する複数の第４パッド１８が設けられている。

【0022】

半田ボール７０は、半導体装置１００の外部と電気的に接続する外部接続端子である。半導体装置１００がＢＧＡ（Ball Grid Array）パッケージである場合、半導体装置１００に複数の半田ボール７０が設けられている。半導体装置のパッケージ形態に応じて、外部接続端子には好適な部材が選択される。

【0023】

第１半導体素子２０は、配線基板１０に載置されている。第１半導体素子２０は、第２半導体素子３０及び第３半導体素子６０の両方と回路が異なる半導体素子である。第１半導体素子２０は、、導電性接合剤２１（例えば、半田又）を介して配線基板１０と電気的に接続している。第１半導体素子２０は、配線基板１０を介して、第２半導体素子３０及び第３半導体素子６０と電気的に接続する。

【0024】

第１半導体素子２０の配線基板１０側を向く面は、ａ面ａ（下面）である。第１半導体素子２０の配線基板１０側を向く面とは反対側の面は、ｂ面ｂ（上面）である。第１半導体素子２０の第２半導体素子３０側を向く面は、ｃ面ｃ（第２半導体素子３０と対向する側面）である。第１半導体素子２０の第３半導体素子６０側を向く面は、ｄ面ｄ（第３半導体素子６０と対向する側面）である。第１半導体素子２０の第２半導体素子３０及び第３半導体素子６０側を向かない側面（図１の手前方向）は、ｅ面ｅ（半導体素子と非対向な側面）である。第１半導体素子２０の第２半導体素子３０及び第３半導体素子６０側を向かない側面（図１の手前方向とは反対方向（後方））は、ｆ面ｆ（半導体素子と非対向な側面）である。

【0025】

第１半導体素子２０の各面の形状は、矩形又は略矩形である。第１半導体素子２０の各面の形状は、長方形、正方形、略長方形又は略正方形である。

【0026】

半導体装置１００が記憶装置である場合、第１半導体素子２０は、例えばコントローラチップである。コントローラチップは、第２半導体素子３０及び第３半導体素子６０（例えば、半導体メモリチップ）の読み書き及び消去などを制御する半導体チップである。

【0027】

第１半導体素子２０は、フリップチップである。第１半導体素子２０に直接的に接続したボンディングワイヤは、半導体装置１００に含まれないことが好ましい。第１半導体素子２０は、配線基板１０とフリップチップ接続している。

【0028】

第１半導体素子２０のａ面ａ及びｂ面ｂのアスペクト比は、１又は１に近いことが好ましい。第１半導体素子２０の幅はＷ１である。第１半導体素子２０の幅Ｗ１は、ａ面ａの幅とｂ面ｂの幅の平均距離である。第１半導体素子２０の奥行きはＬ１である。第１半導体素子２０の奥行きＬ１は、ａ面ａの奥行きとｂ面ｂの奥行きの平均距離である。Ｗ１≧Ｌ１である場合、Ｗ１／Ｌ１は、１以上２以下が好ましく、１以上１．５以下がより好ましい。Ｗ１＜Ｌ１である場合は、Ｌ１／Ｗ１は、１より大きく２以下が好ましく、１より大きく１．５以下がより好ましい。第１半導体素子２０の高さはＨ１である。

【0029】

導電性接合剤２１は、第１半導体素子２０の図示しないパッドを配線基板１０の第１面１０Ａ側に設けられている第１パッド１４と電気的に接続する。導電性接合剤２１は、例えば、第１半導体素子２０に設けられた複数の導電性バンプであり、第１半導体素子２０の複数のパッドと配線基板１０の第１パッド１４の両方と接続している。導電性接合剤２１は、第１半導体素子２０と配線基板１０の間に存在する。

【0030】

導電性接合剤２１は、Ｃｕバンプを含む。配線基板１０と接合前の導電性接合剤２１は、例えば、Ｓｕを主体とするハンダ、Ａｕ（Ａｕ合金を含む）バンプ、Ａｇ（合金を含む）バンプ、又はＣｕ（Ｃｕ合金を含む）バンプ（Ｃｕピラー）を含む。Ｃｕバンプの表面にＮｉ、Ｎｉ／Ｐｄ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕメッキが施されている。

【0031】

複数の導電性接合剤２１の間には、ギャップが存在する。

【0032】

第２半導体素子３０は、配線基板１０に載置されている。第２半導体素子３０と配線基板１０の間には、第１中間層３１が設けられている。

【0033】

第２半導体素子３０は、第５パッド３２を有する。第２半導体素子３０は、第５パッド３２と第２パッド１５間を接続する第１ボンディングワイヤ３３を介して配線基板１０と電気的に接続する。図２に示すように、Ｙ方向に複数の第５パッド３２が並んでいることが好ましい。

【0034】

第２半導体素子３０の第１半導体素子２０側を向く面は、Ａ１面Ａ１（第１半導体素子２０と対向する側面）である。第２半導体素子３０の配線基板１０側（第１中間層３１側）を向く面は、Ｂ１面Ｂ１（下面）である。第２半導体素子３０の第１半導体素子２０側を向く面とは反対側の面は、Ｃ１面Ｃ１（第１半導体素子２０及び第３半導体素子６０と非対向な側面）である。第２半導体素子３０の配線基板１０側とは反対側を向く面は、Ｄ１面Ｄ１（上面）である。第１半導体素子２０と第２半導体素子３０が並ぶ方向に沿っている第２半導体素子３０の側面（図１の手前方向）は、Ｅ１面Ｅ１（手前側の側面）である。第１半導体素子２０と第２半導体素子３０が並ぶ方向に沿っている第２半導体素子３０の側面（図１の後方側の方向）は、Ｆ１面Ｆ１（後方側の側面）である。

【0035】

第１中間層３１は、例えば、ダイアタッチフィルム（ＤＡＦ）が硬化した接着層である。第１中間層３１は、例えば、エポキシ樹脂を含む。

【0036】

第１中間層３１の第２半導体素子３０側を向く面は、第２半導体素子３０の第１中間層３１側（配線基板１０側）の面と直接的に接している。第１中間層３１の配線基板１０側を向く面は、配線基板１０の第１中間層３１側を向く面と直接的に接している。第１中間層３１の配線基板１０側を向く面は、第１絶縁層１３の第１中間層３１側を向く面と直接的に接している。

【0037】

第１中間層３１の第２半導体素子３０側を向く面は、第２半導体素子３０の第１中間層３１側（配線基板１０側）の面の全面と直接的に接していることが好ましい。第１中間層３１の配線基板１０側を向く面の全面は、配線基板１０の第１中間層３１側を向く面と直接的に接していることが好ましい。第１中間層３１の配線基板１０側を向く面の全面は、第１絶縁層１３の第１中間層３１側を向く面と直接的に接していることが好ましい。

【0038】

第１中間層３１の第１半導体素子２０側を向く面は、Ａ２面Ａ２（第１半導体素子２０と対向する側面）である。第１中間層３１の配線基板１０側を向く面は、Ｂ２面Ｂ２（下面）である。第１中間層３１の第１半導体素子２０側を向く面とは反対側の面は、Ｃ２面Ｃ２（第１半導体素子２０及び第３半導体素子６０と非対向な側面）である。第１中間層３１の第２半導体素子３０側を向く面は、Ｄ２面Ｄ２（上面）である。第１半導体素子２０と第２半導体素子３０が並ぶ方向に沿っている第１中間層３１の側面（図１の手前方向）は、Ｅ２面Ｅ２（手前側の側面）である。第１半導体素子２０と第２半導体素子３０が並ぶ方向に沿っている第１中間層３１の側面（図１の後方側の方向）は、Ｆ２面Ｆ２（後方側の側面）である。

【0039】

第３半導体素子６０は、配線基板１０に載置されている。第３半導体素子６０と配線基板１０の間には、第１中間層３１が設けられている。

【0040】

第３半導体素子６０は、第６パッド６２を有する。第２半導体素子６０は、第６パッド６２と第３パッド１６間を接続する第２ボンディングワイヤ６３を介して配線基板１０と電気的に接続する。図２に示すように、Ｙ方向に複数の第６パッド６２が並んでいることが好ましい。

【0041】

第３半導体素子６０の第１半導体素子２０側を向く面は、Ａ３面Ａ３（第１半導体素子２０と対向する側面）である。第３半導体素子６０の配線基板１０側（第２中間層６１側）を向く面は、Ｂ３面Ｂ３（下面）である。第３半導体素子６０の第１半導体素子２０側を向く面とは反対側の面は、Ｃ３面Ｃ３（第１半導体素子２０及び第２半導体素子３０と非対向な側面）である。第３半導体素子６０の配線基板１０側とは反対側を向く面は、Ｄ３面Ｄ３（上面）である。第１半導体素子２０と第３半導体素子６０が並ぶ方向に沿っている第３半導体素子６０の側面（図１の手前方向）は、Ｅ３面Ｅ３（手前側の側面）である。第１半導体素子２０と第３半導体素子６０が並ぶ方向に沿っている第３半導体素子６０の側面（図１の後方側の方向）は、Ｆ３面Ｆ３（後方側の側面）である。

【0042】

第２中間層６１は、例えば、ダイアタッチフィルム（ＤＡＦ）が硬化した接着層である。第２中間層６１は、例えば、エポキシ樹脂を含む。

【0043】

第２中間層６１の第３半導体素子６０側を向く面は、第３半導体素子６０の第２中間層６１側（配線基板１０側）の面と直接的に接している。第２中間層６１の配線基板１０側を向く面は、配線基板１０の第２中間層６１側を向く面と直接的に接している。第２中間層６１の配線基板１０側を向く面は、第１絶縁層１３の第２中間層６１側を向く面と直接的に接している。

【0044】

第２中間層６１の第３半導体素子６０側を向く面は、第３半導体素６０の第２中間層６１側（配線基板１０側）の面の全面と直接的に接していることが好ましい。第２中間層６１の配線基板１０側を向く面の全面は、配線基板１０の第２中間層６１側を向く面と直接的に接していることが好ましい。第２中間層６１の配線基板１０側を向く面の全面は、第１絶縁層１３の第２中間層６１側を向く面と直接的に接していることが好ましい。

【0045】

第２中間層６１の第１半導体素子２０側を向く面は、Ａ４面Ａ４（第１半導体素子２０と対向する側面）である。第２中間層６１の配線基板１０側を向く面は、Ｂ４面Ｂ４（下面）である。第２中間層６１の第１半導体素子２０側を向く面とは反対側の面は、Ｃ４面Ｃ４（第１半導体素子２０及び第２半導体素子３０と非対向な側面）である。第２中間層６１の第３半導体素子６０側を向く面は、Ｄ４面Ｄ４（上面）である。第１半導体素子２０と第３半導体素子６０が並ぶ方向に沿っている第２中間層６１の側面（図１の手前方向）は、Ｅ４面Ｅ４（手前側の側面）である。第１半導体素子２０と第３半導体素子６０が並ぶ方向に沿っている第２中間層６１の側面（図１の後方側の方向）は、Ｆ４面Ｆ４（後方側の側面）である。

【0046】

第２半導体素子３０と第３半導体素子６０の間に第１半導体素子２０が設けられている。第２半導体素子３０及び第３半導体素子６０は、例えば、半導体メモリチップである。半導体メモリチップは、データの読み書きをする半導体チップである。

【0047】

第２半導体素子３０及び第３半導体素子６０として不揮発性メモリチップ、揮発性メモリチップを用いることができる。不揮発性メモリチップとしては、ＮＡＮＤメモリチップ、相変化メモリチップ、抵抗変化メモリチップ、強誘電体メモリチップ、磁気メモリチップ等を用いることができる。揮発性メモリチップとしては、ＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）等を用いることができる。第２半導体素子３０及び第３半導体素子６０は、不揮発性メモリチップが好ましい。第２半導体素子３０及び第３半導体素子６０は、ＮＡＮＤメモリチップがより好ましい。

【0048】

半導体装置１００に含まれる半導体メモリチップは、個体差を除き同一回路を有する同一構造の半導体チップであることが好ましい。例えば、第２半導体素子３０と第３半導体素子６０は、個体差を除き同一回路を有する同一構造の半導体メモリチップである。

【0049】

第１樹脂組成物４０は、第１半導体素子２０の下面側を封止する絶縁性の部材である。第１樹脂組成物４０は、配線基板１０と第１半導体素子２０の間に設けられている。第１樹脂組成物４０は、配線基板１０の第１面１０Ａ側と直接的に接している。第１樹脂組成物４０は、第１半導体素子２０の下面（ａ面ａ）側と直接的に接している。さらに、第１樹脂組成物４０は、第２半導体素子３０の側面にも設けられている。第１樹脂組成物４０が設けられている第２半導体素子３０の側面は、例えば、Ａ１面Ａ１である。

【0050】

第１樹脂組成物４０は、例えば、エポキシ樹脂とフィラーを含む。第１樹脂組成物４０は、例えば、アンダーフィルが硬化した絶縁体である。

【0051】

第１樹脂組成物４０は、半導体装置１００の外表面に露出していないことが好ましい。

【0052】

配線基板１０の第１面１０Ａ側と第１半導体素子２０の配線基板１０側を向く面（ａ面ａ）側との間に設けられている第１樹脂組成物４０は、導電性接合剤２１の間のギャップに存在している。

【0053】

第１樹脂組成物４０は、ｃ面ｃ側の第１半導体素子２０の側面及びｄ面ｄ側の第１半導体素子２０の側面に設けられていることが好ましい。第１樹脂組成物４０は、ｃ面ｃ側の第１半導体素子２０の側面の全面又は／及びｄ面ｄ側の第１半導体素子２０の側面の全面に設けられていてもよい。

【0054】

第１樹脂組成物４０は、ｅ面ｅ側の第１半導体素子２０の側面及びｆ面ｆ側の第１半導体素子２０の側面に設けられていることが好ましい。第１樹脂組成物４０は、ｅ面ｅ側の第１半導体素子２０の側面の全面又は／及びｆ面ｆ側の第１半導体素子２０の側面の全面に設けられていてもよい。

【0055】

第１樹脂組成物４０は、ｂ面ｂ側の第１半導体素子２０の面にも設けられていてもよい。第１樹脂組成物４０は、第１半導体素子２０の側面に沿って設けられていて、さらにｂ面ｂ側の第１半導体素子２０の面にも設けられていてもよい。ｂ面ｂ側の第１半導体素子２０の面の中央には第１樹脂組成物４０が設けられていないことが好ましい。言い換えると、第１半導体素子２０は、第１樹脂組成物４０の単体で封止されていないことが好ましい。

【0056】

第１樹脂組成物４０は、第１半導体素子２０と第２半導体素子３０の間の配線基板１０の第１面１０Ａ側にも設けられていることが好ましい。第１半導体素子２０と第２半導体素子３０の間に設けられている第１樹脂組成物４０は、第１半導体素子２０と配線基板１０の間に設けられている第１樹脂組成物４０と直接的に接していることが好ましい。第１半導体素子２０と第２半導体素子３０の間に設けられている第１樹脂組成物４０は、第２半導体素子３０の側面と直接的に接していることが好ましい。

【0057】

第１樹脂組成物４０は、第１樹脂組成物４０が設けられている第２半導体素子３０の側面と同じ方向を向く第１中間層３１の側面にも設けられていることが好ましい。第１樹脂組成物４０が設けられている第１中間層３１の側面は、例えば、Ａ２面Ａ２である。

【0058】

第１樹脂組成物４０は、第１中間層３１の下面（Ｂ２面Ｂ２）と接していないことが好ましい。第１樹脂組成物４０が第１中間層３１と配線基板１０の間に存在する場合、第１中間層３１と配線基板１０との接着性が低下して固定強度が低下しやすい。第１樹脂組成物４０が第１中間層３１と配線基板１０の間に存在する場合、第１樹脂組成物４０の厚みによって第２半導体素子３０が配線基板１０の第１面１０Ａに対して斜めに設けられやすい。

【0059】

第１樹脂組成物４０は、第１ボンディングワイヤ３３と直接的に接していないことが好ましい。

【0060】

第１樹脂組成物４０が第２半導体素子３０の側面に設けられていると、第１ボンディングワイヤ３３を形成する際に、より具体的には、第１ボンディングワイヤ３３を形成する際の超音波振動によって、第２半導体素子３０が動くことを抑制することができる。半導体装置１００の製造過程で、第２半導体素子３０が動くと第１ボンディングワイヤ３３の信頼性が低下する可能性があるが、第１樹脂組成物４０によって第２半導体素子３０が動くことを抑制し、第１ボンディングワイヤ３３による接続の信頼性を高めることができる。

【0061】

第２半導体素子３０のアスペクト比が高い場合において、第１樹脂組成物４０が第２半導体素子３０の側面に設けられている効果は顕著になる。第２半導体素子３０のアスペクト比が高い場合、超音波振動の影響が大きくなる。例えば、超音波振動でＢ１面Ｂ１方向に１°［θ］の角度回転した場合、アスペクト比が３の第２半導体素子３０は、アスペクト比が１の第２半導体素子３０よりも移動距離が３倍になる。超音波振動によって、第２半導体素子３０が上下方向に動く場合もアスペクト比が高いほど移動距離が大きくなる。

【0062】

第２半導体素子３０の幅はＷ２である。第２半導体素子３０の幅Ｗ２は、Ｂ１面Ｂ１の幅とＤ１面Ｄ１の幅の平均距離である。第２半導体素子３０の奥行きはＬ２である。第２半導体素子３０の奥行きＬ２は、Ｂ１面Ｂ１の奥行きとＤ１面Ｄ１の奥行きの平均距離である。本実施形態ではＷ２＜Ｌ２である。第２半導体素子３０のアスペクト比（Ｌ２／Ｗ２）は、１より大きく１０以下が好ましい。第２半導体素子３０のアスペクト比が大きい場合に、第１樹脂組成物４０が第２半導体素子３０の側面に設けられていることによる効果が顕著になる。

【0063】

第１樹脂組成物４０が第２半導体素子３０の側面に設けられている高さ（配線基板１０と第１中間層３１の積層方向における第１樹脂組成物４０が第２半導体素子３０の側面に直接的に接している距離）は、Ｈ２の２５％以上１００％以下が好ましく、５０％以上１００％以下がより好ましい。配線基板１０と第１中間層３１の積層方向における第１樹脂組成物４０が第２半導体素子３０の側面に直接的に接している距離は、第１樹脂組成物４０が第２半導体素子３０の側面に直接的に接している部分の平均距離である。

【0064】

第２半導体素子３０の上にさらに別の半導体素子が設けられていない場合、第１樹脂組成物４０が第２半導体素子３０の側面に設けられている高さは、Ｈ２の２５％以上１００％未満が好ましく、５０％以上１００％未満がより好ましい。第２半導体素子３０の上にさらに別の半導体素子が設けられていない場合、第１樹脂組成物４０が第２半導体素子３０の上面（Ｄ１面Ｄ１）に設けられていると、第１ボンディングワイヤ３３と接続する第５パッド３２にも第１樹脂組成物４０が形成されやすい。第５パッド３２にも第１樹脂組成物４０が形成されていると、第１ボンディングワイヤ３３を形成できない可能性や第１ボンディングワイヤ３３の信頼性が低下することがある。そこで、第２半導体素子３０の上にさらに別の半導体素子が設けられていない場合、第１樹脂組成物４０が第２半導体素子３０の側面に設けられている高さは、Ｈ２の２５％以上９５％以下が好ましく、５０％以上９０％以下がより好ましい。

【0065】

第１樹脂組成物４０は、第２半導体素子３０の角に設けられていて直接的に接していることが好ましい。第２半導体素子３０の角に第１樹脂組成物４０が直接的に接していると第２半導体素子３０の回転を効果的に抑制することができる。第２半導体素子３０の２以上の角に第１樹脂組成物４０が直接的に接していると第２半導体素子３０の回転をさらに効果的に抑制することができる。第２半導体素子３０の角は、第２半導体素子３０の側面と側面が接する部位である。

【0066】

実施形態において、角は、角をなす側面を含んでいる。つまり、角に設けられている第１樹脂組成物４０は、角をなす２つの側面に設けられていて、その２つの側面と直接的に接している。

【0067】

第２半導体素子３０の側面に第１樹脂組成物４０が設けられている長さは長いことが好ましい。アスペクト比が大きい場合、第２半導体素子３０の側面に第１樹脂組成物４０が設けられている長さが長いことで第２半導体素子３０の回転を効果的に抑制することができる、第２半導体素子３０の側面に第１樹脂組成物４０が設けられている長さは、（Ｗ２＋Ｌ２）の２５％以上９０％以下が好ましく、９０％以上１００％以下がより好ましい。

【0068】

第１樹脂組成物４０は、Ｄ１面Ｄ１側の第２半導体素子３０の面は設けられていないことが好ましい。言い換えると、第２半導体素子３０は、第１樹脂組成物４０の単体で封止されていないことが好ましい。

【0069】

第１中間層３１の側面にも第１樹脂組成物４０が設けられていることが好ましい。第１樹脂組成物４０によって、超音波振動を加えて第１ボンディングワイヤ３３を第２半導体素子３０に接合する際の振動に対する第２半導体素子３０の動きを抑制することができる。

【0070】

第１樹脂組成物４０は、第１中間層３１の角に設けられていて直接的に接していることが好ましい。第１中間層３１の角に第１樹脂組成物４０が直接的に接していると第１中間層３１の回転を効果的に抑制することができる。第１中間層３１の２以上の角に第１樹脂組成物４０が直接的に接していると第１中間層３１の回転をさらに効果的に抑制することができる。第１中間層３１の角は、第１中間層３１の側面と側面が接する部位である。

【0071】

第１中間層３１の側面に第１樹脂組成物４０が設けられている長さは長いことが好ましい。アスペクト比が大きい場合、第１中間層３１の側面に第１樹脂組成物４０が設けられている長さが長いことで第１中間層３１の回転を効果的に抑制することができる、第２半導体素子３０の側面に第１樹脂組成物４０が設けられている長さが好ましくは（Ｗ２＋Ｌ２）の２５％以上９０％以下、より好ましくは９０％以上１００％以下を満たすことで、第１中間層３１の側面に第１樹脂組成物４０が設けられている長さも好ましい値になる。

【0072】

図１の断面図に示すように、第１樹脂組成物４０は、ｃ面ｃとＡ１面Ａ１の間がくぼんでいることが好ましい。ｃ面ｃとＡ１面Ａ１の間で第１樹脂組成物４０の高さが最も低い部分の高さをｈ１とする。第１樹脂組成物４０の高さは、配線基板１０の第１面１０Ａから配線基板１０と第１中間層３１の積層方向に向かう第１樹脂組成物４０の距離である。ｃ面ｃ側の第１半導体素子２０と第１樹脂組成物４０の界面で最も高さが高い位置の高さをｈ２とする。第２半導体素子３０のＡ１面Ａ１と第１樹脂組成物４０の界面で最も高さが高い位置の高さをｈ３とする。ｈ１、ｈ２及びｈ３は、ｈ１＜ｈ２及びｈ１＜ｈ３を満たすことが好ましく、１．１ｘｈ１＜ｈ２及び１．１ｈ１＜ｈ３を満たすことがより好ましく、１．２ｘｈ１＜ｈ２及び１．２ｈ１＜ｈ３を満たすことがさらにより好ましい。

【0073】

第１樹脂組成物４０は、第３半導体素子６０の側面に設けられていることが好ましい。第１樹脂組成物４０が設けられている第３半導体素子６０の側面は、例えば、Ａ３面Ａ３である。第１半導体素子２０と第３半導体素子６０の間に設けられている第１樹脂組成物４０は、第１半導体素子２０と配線基板１０の間に設けられている第１樹脂組成物４０と直接的に接していることが好ましい。

【0074】

第１樹脂組成物４０は、第１半導体素子２０のｄ面ｄ側と第３半導体素子６０の間の配線基板１０の第１面１０Ａ側にも設けられていることが好ましい。第１半導体素子２０と第３半導体素子６０の間に設けられている第１樹脂組成物４０は、第３半導体素子６０の側面と直接的に接していることが好ましい。

【0075】

第１樹脂組成物４０は、第１樹脂組成物４０が設けられている第３半導体素子６０の側面と同じ方向を向く第２中間層６１の側面にも設けられていることが好ましい。第１樹脂組成物４０が設けられている第２中間層６１の側面は、例えば、Ａ４面Ａ４である。

【0076】

第１樹脂組成物４０は、第２中間層６１の下面（Ｂ４面Ｂ４）と接していないことが好ましい。第１樹脂組成物４０が第２中間層６１と配線基板１０の間に存在する場合、第２中間層６１と配線基板１０との接着性が低下して固定強度が低下しやすい。第１樹脂組成物４０が第２中間層６１と配線基板１０の間に存在する場合、第１樹脂組成物４０の厚みによって第３半導体素子６０が配線基板１０の第１面１０Ａに対して斜めに設けられやすい。

【0077】

第１樹脂組成物４０は、第２ボンディングワイヤ６３と直接的に接していないことが好ましい。

【0078】

第１樹脂組成物４０が第３半導体素子６０の側面に設けられていると、第２ボンディングワイヤ６３を形成する際に、より具体的には、第２ボンディングワイヤ６３を形成する際の超音波振動によって、第３半導体素子６０が動くことを抑制することができる。半導体装置１００の製造過程で、第３半導体素子６０が動くと第２ボンディングワイヤ６３の信頼性が低下する可能性があるが、第１樹脂組成物４０によって第３半導体素子６０が動くことを抑制し、第２ボンディングワイヤ６３による接続の信頼性を高めることができる。

【0079】

第３半導体素子６０のアスペクト比が高い場合において、第１樹脂組成物４０が第３半導体素子６０の側面に設けられている効果は顕著になる。第３半導体素子６０のアスペクト比が高い場合、超音波振動の影響が大きくなる。例えば、超音波振動でＢ１面Ｂ１方向に１°［θ］の角度回転した場合、アスペクト比が３の第３半導体素子６０は、アスペクト比が１の第３半導体素子６０よりも移動距離が３倍になる。超音波振動によって、第３半導体素子６０が上下方向に動く場合もアスペクト比が高いほど移動距離が大きくなる。

【0080】

第３半導体素子６０の幅はＷ３である。第３半導体素子６０の幅Ｗ３は、Ｂ３面Ｂ３の幅とＤ３面Ｄ３の幅の平均距離である。第３半導体素子６０の奥行きはＬ３である。第３半導体素子６０の奥行きＬ３は、Ｂ３面Ｂ３の奥行きとＤ３面Ｄ３の奥行きの平均距離である。本実施形態ではＷ３＜Ｌ３である。第３半導体素子６０のアスペクト比（Ｌ３／Ｗ３）は、１より大きく１０以下が好ましい。第３半導体素子６０のアスペクト比が大きい場合に、第１樹脂組成物４０が第３半導体素子６０の側面に設けられていることによる効果が顕著になる。第３半導体素子６０の高さはＨ３である。

【0081】

第１樹脂組成物４０が第３半導体素子６０の側面に設けられている高さ（配線基板１０と第２中間層６１の積層方向における第１樹脂組成物４０が第３半導体素子６０の側面に直接的に接している距離）は、Ｈ２の２５％以上１００％以下が好ましく、５０％以上１００％以下がより好ましい。配線基板１０と第２中間層６１の積層方向における第１樹脂組成物４０が第３半導体素子６０の側面に直接的に接している距離は、第１樹脂組成物４０が第３半導体素子６０の側面に直接的に接している部分の平均距離である。

【0082】

第３半導体素子６０の上にさらに別の半導体素子が設けられていない場合、第１樹脂組成物４０が第３半導体素子６０の側面に設けられている高さは、Ｈ３の２５％以上１００％未満が好ましく、５０％以上１００％未満がより好ましい。第３半導体素子６０の上にさらに別の半導体素子が設けられていない場合、第１樹脂組成物４０が第３半導体素子６０の上面（Ｄ３面Ｄ３）に設けられていると、第２ボンディングワイヤ６３と接続する第６パッド６２にも第１樹脂組成物４０が形成されやすい。第６パッド６２にも第１樹脂組成物４０が形成されていると、第２ボンディングワイヤ６３を形成できない可能性や第２ボンディングワイヤ６３の信頼性が低下することがある。そこで、第３半導体素子６０の上にさらに別の半導体素子が設けられていない場合、第１樹脂組成物４０が第３半導体素子６０の側面に設けられている高さは、Ｈ３の２５％以上９５％以下が好ましく、５０％以上９０％以下がより好ましい。

【0083】

第１樹脂組成物４０は、第３半導体素子６０の角に設けられていて直接的に接していることが好ましい。第３半導体素子６０の角に第１樹脂組成物４０が直接的に接していると第３半導体素子６０の回転を効果的に抑制することができる。第３半導体素子６０の２以上の角に第１樹脂組成物４０が直接的に接していると第３半導体素子６０の回転をさらに効果的に抑制することができる。第３半導体素子６０の角は、第３半導体素子６０の側面と側面が接する部位である。

【0084】

第３半導体素子６０の側面に第１樹脂組成物４０が設けられている長さは長いことが好ましい。アスペクト比が大きい場合、第３半導体素子６０の側面に第１樹脂組成物４０が設けられている長さが長いことで第３半導体素子６０の回転を効果的に抑制することができる、第３半導体素子６０の側面に第１樹脂組成物４０が設けられている長さは、（Ｗ３＋Ｌ３）の２５％以上９０％以下が好ましく、９０％以上１００％以下がより好ましい。

【0085】

第１樹脂組成物４０は、Ｄ３面Ｄ３側の第３半導体素子６０の面は設けられていないことが好ましい。言い換えると、第３半導体素子６０は、第１樹脂組成物４０の単体で封止されていないことが好ましい。

【0086】

第２中間層６１の側面にも第１樹脂組成物４０が設けられていることが好ましい。第１樹脂組成物４０によって、超音波振動を加えて第２ボンディングワイヤ６３を第３半導体素子６０に接合する際の振動に対する第３半導体素子６０の動きを抑制することができる。

【0087】

第１樹脂組成物４０は、第２中間層６１の角に設けられていて直接的に接していることが好ましい。第２中間層６１の角に第１樹脂組成物４０が直接的に接していると第２中間層６１の回転を効果的に抑制することができる。第２中間層６１の２以上の角に第１樹脂組成物４０が直接的に接していると第２中間層６１の回転をさらに効果的に抑制することができる。第２中間層６１の角は、第２中間層６１の側面と側面が接する部位である。

【0088】

第２中間層６１の側面に第１樹脂組成物４０が設けられている長さは長いことが好ましい。アスペクト比が大きい場合、第２中間層６１の側面に第１樹脂組成物４０が設けられている長さが長いことで第２中間層６１の回転を効果的に抑制することができる、第３半導体素子６０の側面に第１樹脂組成物４０が設けられている長さが好ましくは（Ｗ３＋Ｌ３）の２５％以上９０％以下、より好ましくは９０％以上１００％以下を満たすことで、第２中間層６１の側面に第１樹脂組成物４０が設けられている長さも好ましい値になる。

【0089】

図１の断面図に示すように、第１樹脂組成物４０は、ｄ面ｄとＡ３面Ａ３の間がくぼんでいることが好ましい。ｄ面ｄとＡ３面Ａ３の間で第１樹脂組成物４０の高さが最も低い部分の高さをｈ４とする。第１樹脂組成物４０の高さは、配線基板１０の第１面１０Ａから配線基板１０と第２中間層６１の積層方向に向かう第１樹脂組成物４０の距離である。ｄ面ｄ側の第１半導体素子２０と第１樹脂組成物４０の界面で最も高さが高い位置の高さをｈ５とする。第３半導体素子６０のＡ１面Ａ１と第１樹脂組成物４０の界面で最も高さが高い位置の高さをｈ６とする。ｈ４、ｈ５及びｈ６は、ｈ４＜ｈ５及びｈ４＜ｈ６を満たすことが好ましく、１．１ｘｈ４＜ｈ５及び１．１ｈ４＜ｈ６を満たすことがより好ましく、１．２ｘｈ４＜ｈ５及び１．２ｈ４＜ｈ６を満たすことがさらにより好ましい。

【0090】

第１パッド１４は、第１樹脂組成物４０と直接的に接していてもよい。

【0091】

第２パッド１５、第３パッド１６、第５パッド３２及び第６パッド６２は、第１樹脂組成物４０と直接的に接していないことが好ましい。第２パッド１５、第３パッド１６、第５パッド３２及び第６パッド６２と第１樹脂組成物４０が直接的に接していると、第１ボンディングワイヤ３３及び第２ボンディングワイヤ６３が形成し難く、信頼性が低下する可能性がある。

【0092】

第２樹脂組成物５０は、配線基板１０の第１面１０Ａ側に設けられた絶縁体である。第２樹脂組成物５０は、いわゆるモールド樹脂である。第２樹脂組成物５０は、半導体装置１００の外装材であることが好ましい。第２樹脂組成物５０は、例えば、エポキシ樹脂とフィラーを含む。

【0093】

第２樹脂組成物５０は、第１半導体素子２０の上面（ｂ面ｂ）と直接的に接していることが好ましい。第２樹脂組成物５０は、第２半導体素子３０の上面（Ｄ１面Ｄ１）と直接的に接していることが好ましい。第２樹脂組成物５０は、第３半導体素子６０の上面（Ｄ３面Ｄ３）と直接的に接していることが好ましい。

【0094】

第１パッド１４は、第２樹脂組成物５０と直接的に接していない。

【0095】

第２パッド１５、第３パッド１６、第５パッド３２及び第６パッド６２は、第２樹脂組成物５０と直接的に接していてもよい。

【0096】

第１ボンディングワイヤ３３及び第２ボンディングワイヤ６３は、第２樹脂組成物５０で封止されている。

【0097】

次に、図３の半導体装置１００の製造方法のフローチャート、図４から図１０の工程模式図を参照して、半導体装置１００の製造方法について説明する。フローチャート及び工程模式図には、半導体装置１００の製造方法の一部を示している。フローチャートには、第３半導体素子６０について省略しているが、製造方法に関する第２半導体素子３０の説明について、第３半導体素子６０に適用可能である。

【0098】

半導体装置１００の製造方法は、第１半導体素子２０が接合され第２半導体素子３０が載置された配線基板１０に第１樹脂組成物４０の前駆体を塗布する工程、第１樹脂組成物４０の前駆体が塗布された部材を加圧加熱処理して第１樹脂組成物４０の前駆体を硬化させる工程と、第１樹脂組成物４０の前駆体が硬化した部材の第２半導体素子３０と配線基板１０間に第１ボンディングワイヤ３３を形成する工程を有する。

【0099】

図３の半導体装置１００の製造方法のフローチャートに示すように、半導体装置１００の製造方法は、配線基板１０に第１半導体素子２０を載置する工程（Ｓ０１）、配線基板１０と第１半導体素子２０を接合する工程（Ｓ０２）、第１半導体素子２０が接合された配線基板１０に第２半導体素子３０を載置する工程（Ｓ０３）、第１半導体素子２０が接合され第２半導体素子３０が載置された配線基板１０に第１樹脂組成物４０の前駆体を塗布する工程（Ｓ０４）、第１樹脂組成物４０の前駆体が塗布された部材を加圧加熱処理して第１樹脂組成物４０の前駆体を硬化させる工程（Ｓ０５）と、第１樹脂組成物４０の前駆体が硬化した部材の第２半導体素子３０と配線基板１０間に第１ボンディングワイヤ３３を形成する工程（Ｓ０６）とを有する。

【0100】

配線基板１０に第１半導体素子２０を載置する工程（Ｓ０１）に関して、図４及び図５の工程模式図を参照して説明する。図４の工程模式図は、配線基板１０の工程模式図である。図４の配線基板１０とコレット７１や吸着ノズルで吸着させた第１半導体素子２０載置して図５の工程模式図の部材を得る。配線基板１０は、例えば、第１半導体素子２０のエリアが開口したクランプで固定されている。図４を含めた工程模式図では、１つ分の半導体装置１００の配線基板１０が示されているが、横方向及び縦方向に同じパターンが複数形成されていて、最終的に個片化される。

【0101】

配線基板１０と第１半導体素子２０を接合する工程（Ｓ０２）に関して、図６の工程模式図を参照して説明する。図５の工程模式図に示す部材の導電性接合剤２１を加熱して導電性接合剤２１と第１パッド１４を接合させる。加熱は、第１半導体素子２０を載置する際に行ってもよいし、載置後にリフロー炉で加熱してもよい。

【0102】

第１半導体素子２０が接合された配線基板１０に第２半導体素子３０を載置する工程（Ｓ０３）に関して、図７の工程模式図を参照して説明する。図６の工程模式図に示す第１半導体素子２０が接合された配線基板１０に第２半導体素子３０及び第３半導体素子６０を載置して図７の工程模式図に示す部材を得る。第１半導体素子２０及び第３半導体素子６０は、第１樹脂組成物４０の前駆体を塗布する前に載置される。

【0103】

第２半導体素子３０に第１中間層３１（より具体的には、硬化前の第１中間層３１）が設けられた部材を配線基板１０に載置する。第１中間層３１が接着層として働き、第２半導体素子３０が配線基板１０に固定される。第１中間層３１の硬化は、この工程（Ｓ０３）で行ってもよい。

【0104】

第３半導体素子６０に第２中間層６１（より具体的には、硬化前の第２中間層６１）が設けられた部材を配線基板１０に載置する。第２中間層６１が接着層として働き、第３半導体素子６０が配線基板１０に固定される。第２中間層６１の硬化は、この工程（Ｓ０３）で行ってもよい。

【0105】

配線基板１０と第１半導体素子２０を接合する工程（Ｓ０２）と第１半導体素子２０が接合された配線基板１０に第２半導体素子３０を載置する工程（Ｓ０３）の間に、配線基板１０の洗浄を行って、クランプを取り外し、第２半導体素子３０及び第３半導体素子６０のエリアが開口した第２クランプで固定することが好ましい。

【0106】

第１半導体素子２０が接合され第２半導体素子３０が載置された配線基板１０に第１樹脂組成物４０の前駆体４１を塗布する工程（Ｓ０４）に関して、図８の工程模式図を参照して説明する。図７の部材に第１樹脂組成物４０の前駆体４１であるアンダーフィルを塗布する。図８の工程模式図において、例えばキャピラリーを使用して、第１半導体素子２０と第２半導体素子３０の間及び第１半導体素子２０と第３半導体素子６０の間に第１樹脂組成物４０の前駆体４１を注入する。第１樹脂組成物４０の前駆体は、毛細管現象で第１半導体素子２０と配線基板１０の間に入り込み、例えば、分子間力で第２半導体素子３０及び第３半導体素子６０の側面に付着する。

【0107】

キャピラリーで第１樹脂組成物４０の前駆体４１を注入する位置と量を調整することで、第１樹脂組成物４０が設けられる第２半導体素子３０及び第３半導体素子６０の側面を変えることができる。

【0108】

第１半導体素子２０の上面の中央に第１樹脂組成物４０の前駆体４１は塗布されず、硬化後において第１半導体素子２０の上面の中央には第１樹脂組成物４０が設けられないように塗布量を調整し、塗布位置を調整し、加圧及び加熱を行うことが好ましい。

【0109】

第２半導体素子３０及び第３半導体素子６０の上面に第１樹脂組成物４０の前駆体４１が付着せず、硬化後も第２半導体素子３０及び第３半導体素子６０の上面に第１樹脂組成物４０が設けられないように塗布量を調整し、塗布位置を調整し、加圧及び加熱を行うことが好ましい。

【0110】

第２パッド１５及び第３パッドに第１樹脂組成物４０の前駆体４１が付着せず、硬化後も第２パッド１５及び第３パッドに第１樹脂組成物４０が設けられないように塗布量を調整し、塗布位置を調整し、加圧及び加熱を行うことが好ましい。

【0111】

配線基板１０と第１中間層３１との間及び配線基板１０と第２中間層６１との間には第１樹脂組成物４０の前駆体４１が入り込まないため、硬化後に配線基板１０と第１中間層３１との間及び配線基板１０と第２中間層６１との間には第１樹脂組成物４０が存在しないことが好ましい。

【0112】

第１樹脂組成物４０の前駆体４１を塗布する際に、第１半導体素子２０と第２半導体素子３０の間、及び、第１半導体素子２０と第３半導体素子６０の間には、第１樹脂組成物４０が広がることを防ぐ部材、例えば、絶縁性の壁は設けられていない。第１半導体素子２０と第２半導体素子３０の間、及び、第１半導体素子２０と第３半導体素子６０の間は、平坦であることが好ましい。第１半導体素子２０と第２半導体素子３０の間、及び、第１半導体素子２０と第３半導体素子６０の間に例えば微細な凹凸が含まれていてもよい。第１半導体素子２０と第２半導体素子３０の間、及び、第１半導体素子２０と第３半導体素子６０の間に存在する凸部の高さ（第１中間層３１が設けられている配線基板１０の面を基準とした高さ又は第２中間層６１が設けられている配線基板の面を基準とした高さ）は、第１中間層３１の高さ未満であり、第２中間層６１の高さ未満であることが好ましい。

【0113】

第１樹脂組成物４０の前駆体の塗布前に、プラズマなどで図７の工程模式図の部材を洗浄することが好ましい。

【0114】

第１樹脂組成物４０の前駆体４１が塗布された部材を加圧加熱処理して第１樹脂組成物４０の前駆体４１を硬化させる工程（Ｓ０５）に関して、図９の工程模式図を参照して説明する。図８の部材を加圧加熱雰囲気で処理して、第１樹脂組成物４０の前駆体４１を硬化（キュア）させて、図９の部材が得られる。第１樹脂組成物４０の前駆体４１が硬化すると第１樹脂組成物４０が得られる。この硬化は、不完全な硬化（プレキュア）でもよい。不完全な硬化を行う場合、後工程で再加熱してさらに硬化（ポストキュア）させることが好ましい。

【0115】

この工程（Ｓ０５）の加圧加熱によって、第１中間層３１及び第２中間層６１を硬化させてもよい。

【0116】

第１樹脂組成物４０の第１半導体素子２０と第２半導体素子３０間のくぼみ及び第１半導体素子２０と第３半導体素子６０の間のくぼみは、第１半導体素子２０が接合され第２半導体素子３０が載置された配線基板１０に第１樹脂組成物４０の前駆体４１を塗布する工程（Ｓ０４）又は／及び第１樹脂組成物４０の前駆体４１が塗布された部材を加圧加熱処理して第１樹脂組成物４０の前駆体４１を硬化させる工程（Ｓ０５）で形成される。

【0117】

第２半導体素子３０の上にさらに半導体素子を載置させる場合、第１樹脂組成物４０の前駆体４１が塗布された部材を加圧加熱処理して第１樹脂組成物４０の前駆体４１を硬化させる工程（Ｓ０５）の前後に第２半導体素子３０の上にさらに半導体素子を載置させることができる。第３半導体素子６０の上にさらに半導体素子を載置させる場合、第１樹脂組成物４０の前駆体４１が塗布された部材を加圧加熱処理して第１樹脂組成物４０の前駆体４１を硬化させる工程（Ｓ０５）の前後に第３半導体素子６０の上にさらに半導体素子を載置させることができる。

【0118】

第１樹脂組成物４０の前駆体４１を硬化させる工程（Ｓ０５）の前に、第２半導体素子３０及び第３半導体素子６０上にさらに半導体素子を載置させる場合、第２半導体素子３０及び第３半導体素子６０上に載置された半導体素子の側面にも第１樹脂組成物４０を設けることができる。従って、第２半導体素子３０及び第３半導体素子６０上に載置された半導体素子もボンディングワイヤを形成する際の超音波振動に起因する動きが抑制されることが好ましい。

【0119】

第１樹脂組成物４０の前駆体４１を硬化させる工程（Ｓ０５）の後に、第２半導体素子３０及び第３半導体素子６０上にさらに半導体素子を載置させる場合、第２半導体素子３０及び第３半導体素子６０上に半導体素子を載置する時に第２半導体素子３０及び第３半導体素子６０が動きにくく安定していることが好ましい。第１樹脂組成物４０によって第２半導体素子３０及び第３半導体素子６０が安定しているため、第２半導体素子３０及び第３半導体素子の上に載置された半導体素子も安定することが好ましい。この場合、第２半導体素子３０及び第３半導体素子６０上にさらに半導体素子を載置させた後に、第１樹脂組成物４０の前駆体を塗布し、硬化させることで第２半導体素子３０及び第３半導体素子６０上に載置させた半導体素子の動きも抑制させる。

【0120】

第１樹脂組成物４０の前駆体４１が硬化した部材の第２半導体素子３０と配線基板１０間に第１ボンディングワイヤ３３を形成する工程（Ｓ０６）に関して、図１０の工程模式図を参照して説明する。図９の部材の第１樹脂組成物４０も第１樹脂組成物４０の前駆体４１も形成されていない第２パッド１５と第１樹脂組成物４０も第１樹脂組成物４０の前駆体４１も形成されていない第５パッド３２の間に第１ボンディングワイヤ３３を形成する。また、図９の部材の第１樹脂組成物４０も第１樹脂組成物４０の前駆体４１も形成されていない第３パッド１６と第１樹脂組成物４０も第１樹脂組成物４０の前駆体４１も形成されていない第６パッド６２の間に第２ボンディングワイヤ６３を形成する。第１ボンディングワイヤ３３及び第２ボンディングワイヤ６３の形成によって、図１０の工程模式図の部材を得ることができる。

【0121】

第１ボンディングワイヤ３３及び第２ボンディングワイヤ６３の形成時に、第２半導体素子３０及び第３半導体素子６０の側面に第１樹脂組成物４０が設けられているため、超音波振動でボンディングワイヤを形成する際に超音波振動によって、第２半導体素子３０及び第３半導体素子６０が動くことが抑制されている。第２半導体素子３０及び第３半導体素子６０のアスペクト比が大きい場合に、超音波振動による第２半導体素子３０及び第３半導体素子６０の動きが大きくなり易いが、第１樹脂組成物４０によって超音波振動による第２半導体素子３０及び第３半導体素子６０の動きが抑制されている。従って、アスペクト比が高い第２半導体素子３０及び第３半導体素子６０を用いた場合にも信頼性の高いボンディングワイヤを形成することができる。

【0122】

第１ボンディングワイヤ３３及び第２ボンディングワイヤ６３の形成時に、接続するパッドに第１樹脂組成物４０も第１樹脂組成物４０の前駆体４１も形成されていないことで、ボンディングワイヤの信頼性が高いことが好ましい。

【0123】

図１０の工程模式図の部材に第２樹脂組成物５０を形成し、さらに第４パッド１８に半田ボール７０を形成するなどして、半導体装置１００を製造することができる。

【0124】

実施形態の半導体装置は、動きの抑制効果以外にも下記の利点を備える。第１樹脂組成物４０が配線基板１０と第１中間層３１との間及び配線基板１０と第２中間層６１との間に入り込まないため、第２半導体素子３０及び第３半導体素子６０の平坦性が高くなることが好ましい。第２半導体素子３０及び第３半導体素子６０の高い平坦性は、第２半導体素子３０及び第３半導体素子６０の上に載置する半導体素子の平坦性の向上に寄与することが好ましい。第２半導体素子３０及び第３半導体素子６０の高い平坦性は、第１ボンディングワイヤ３３及び第２ボンディングワイヤ６３の信頼性の向上に寄与することが好ましい。第２半導体素子３０及び第３半導体素子６０の高い平坦性は、第２半導体素子３０及び第３半導体素子６０の上に載置する半導体素子に形成するボンディングワイヤの信頼性の向上にも寄与することが好ましい。第２半導体素子３０及び第３半導体素子６０の高い平坦性は、第２半導体素子３０及び第３半導体素子６０の上に載置する半導体装置の平坦性の向上にも寄与する。これらのことから、第２半導体素子３０及び第３半導体素子６０の高い平坦性は、半導体装置１００の信頼性の向上に寄与し、歩留まりの向上にも寄与する。

【0125】

（第２実施形態）
第２実施形態は、半導体装置とその製造方法に関する。第２実施形態の半導体装置２００は、第１実施形態の半導体装置１００の変形例である。第１実施形態から第２実施形態において共通する内容については、その説明を省略する。

【0126】

第２実施形態の半導体装置２００の断面模式図を図１１に示す。第２実施形態の半導体装置２００は、第３パッド１６、第３半導体素子６０及び第２ボンディングワイヤ６３が省略されていること以外は、第１実施形態の半導体装置１００と同様である。

【0127】

第１実施形態の半導体装置１００の製造方法は、第１半導体素子２０が接合された配線基板１０に第２半導体素子３０を載置する工程（Ｓ０３）で、第３半導体素子６０も載置していたが、第２実施形態の半導体装置２００の製造方法では、第３半導体素子６０を載置しない。また、第１樹脂組成物４０の前駆体が硬化した部材の第２半導体素子３０と配線基板１０間に第１ボンディングワイヤ３３を形成する工程（Ｓ０６）において、第２ボンディングワイヤ６３の形成も行なわない。また、第３半導体素子６０が用いられない半導体装置２００の配線基板１０には、第３半導体素子６０用のパターンとパッドが省略されてもよい。これらのこと以外は第１実施形態の半導体装置１００の製造方法と第２実施形態の半導体装置２００の製造方法は同様である。

【0128】

第１実施形態と第２実施形態は、同様の製造方法で半導体装置１００及び半導体装置２００を製造できる。半導体装置２００の第１半導体素子２０は、第２半導体素子３０と第３半導体素子６０に挟まれていない。第１半導体素子２０のｃ面ｃ側にのみ半導体メモリチップが備えられた構成である。第１半導体素子２０の片側に半導体素子が載置されている構成の半導体装置２００でも第１実施形態の半導体装置１００と同様の効果が得られる。

【0129】

（第３実施形態）
第３実施形態は、半導体装置と半導体装置の製造方法に関する。第３実施形態の半導体装置３００は、第１実施形態の半導体装置１００から第２実施形態の半導体装置２００の変形例である。第２実施形態の半導体装置２００に第３実施形態の構成を採用することができる。第１実施形態から第３実施形態において共通する内容については、その説明を省略する。

【0130】

図１２に半導体装置３００の模式断面図を示す。第３実施形態の半導体装置３００は、第２半導体素子３０の上に第４半導体素子８０を有し、第３半導体素子６０の上に第５半導体素子９０を有する。

【0131】

第４半導体素子８０及び第５半導体素子９０は、例えば、半導体メモリチップである。第２半導体素子３０、第３半導体素子６０、第４半導体素子８０及び第５半導体素子９０は、個体差を除き同一回路を有する同一構造の半導体チップであることが好ましい。

【0132】

第４半導体素子８０と第２半導体素子３０の間に存在する第３中間層８１で第２半導体素子３０と第４半導体素子８０が接着している。第４半導体素子８０の第７パッド８２は、第３ボンディングワイヤ８３を介して第２半導体素子３０の第５パッド３２と接続している。第４半導体素子８０は、第３ボンディングワイヤ８３、第１ボンディングワイヤ３３及び配線基板１０を介して第１半導体素子２０と電気的に接続している。

【0133】

第５半導体素子９０と第３半導体素子６０の間に存在する第４中間層９１で第５半導体素子９０と第３半導体素子６０が接着している。第５半導体素子９０の第８パッド９２は、第４ボンディングワイヤ９３を介して第３半導体素子６０の第６パッド６２と接続している。第５半導体素子９０は、第４ボンディングワイヤ９３、第２ボンディングワイヤ６３及び配線基板１０を介して第１半導体素子２０と電気的に接続している。

【0134】

第４半導体素子８０及び第５半導体素子９０は、第１半導体素子２０が接合された配線基板１０に第２半導体素子３０を載置する工程（Ｓ０３）、第１半導体素子２０が接合され第２半導体素子３０が載置された配線基板１０に第１樹脂組成物４０の前駆体を塗布する工程（Ｓ０４）の間、又は、第１樹脂組成物４０の前駆体が塗布された部材を加圧加熱処理して第１樹脂組成物４０の前駆体を硬化させる工程（Ｓ０５）と、第１樹脂組成物４０の前駆体が硬化した部材の第２半導体素子３０と配線基板１０間に第１ボンディングワイヤ３３を形成する工程（Ｓ０６）の間に載置されることが好ましい。

【0135】

第３ボンディングワイヤ８３及び第４ボンディングワイヤ９３は、第１樹脂組成物４０の前駆体が硬化した部材の第２半導体素子３０と配線基板１０間に第１ボンディングワイヤ３３を形成する工程（Ｓ０６）において形成されることが好ましい。

【0136】

第２半導体素子３０の上に第４半導体素子８０を有し、第３半導体素子６０の上に第５半導体素子９０を有する半導体装置３００も第１実施形態の半導体装置１００と同様の効果が得られる。

【0137】

（第４実施形態）
第４実施形態は、半導体装置と半導体装置の製造方法に関する。第４実施形態の半導体装置４００は、第１実施形態の半導体装置１００から第３実施形態の半導体装置３００の変形例である。第１実施形態の半導体装置１００から第３実施形態の半導体装置３００に第４実施形態の構成を採用することができる。第１実施形態から第４実施形態において共通する内容については、その説明を省略する。

【0138】

第４実施形態では複数の変形例を示す。第４実施形態は、第１樹脂組成物４０と第２半導体素子３０との関係及び第１樹脂組成物４０と第３半導体素子６０との関係について複数の例示を示す。

【0139】

図１３に半導体装置４００の模式断面図を示す。図１４に半導体装置４００の模式上面図を示す。第４実施形態の半導体装置４００の第１樹脂組成物４０は、第２半導体素子３０、第１中間層３１、第３半導体素子６０及び第２中間層６１の側面を囲む。

【0140】

第１樹脂組成物４０は、第２半導体素子３０のＡ１面Ａ１、Ｃ１面Ｃ１、Ｅ１面Ｅ１及びＦ１面Ｆ１と直接的に接している。第２半導体素子３０の複数の側面と複数の角が第１樹脂組成物４０と直接的に接していることで、超音波振動によって、第２半導体素子３０が動くことが効果的に抑制されている。

【0141】

第１樹脂組成物４０は、第１中間層３１のＡ２面Ａ２、Ｃ２面Ｃ２、Ｅ２面Ｅ２及びＦ２面Ｆ２と直接的に接している。第１中間層３１の複数の側面と複数の角が第１樹脂組成物４０と直接的に接していることで、超音波振動によって、第１中間層３１及び第２半導体素子３０が動くことが効果的に抑制されている。

【0142】

第１樹脂組成物４０は、第３半導体素子６０のＡ３面Ａ３、Ｃ３面Ｃ３、Ｅ３面Ｅ３及びＦ３面Ｆ３と直接的に接している。第３半導体素子６０の複数の側面と複数の角が第１樹脂組成物４０と直接的に接していることで、超音波振動によって、第３半導体素子６０が動くことが効果的に抑制されている。

【0143】

第１樹脂組成物４０は、第２中間層６１のＡ４面Ａ４、Ｃ４面Ｃ４、Ｅ４面Ｅ４及びＦ４面Ｆ４と直接的に接している。第２中間層６１の複数の側面と複数の角が第１樹脂組成物４０と直接的に接していることで、超音波振動によって、第２中間層６１及び第３半導体素子６０が動くことが効果的に抑制されている。

【0144】

第１樹脂組成物４０の前駆体４１の塗布量及び塗布位置を調整することで、第２半導体素子３０及び第３半導体素子６０を囲み、かつ、第２パッド１５及び第３パッド１６と直接的に接しない第１樹脂組成物４０を形成することができる。また、第１中間層３１及び第２中間層６１の下面に第１樹脂組成物４０が存在しないため、第２半導体素子３０及び第３半導体素子６０は高い平坦性を備えることができる。

【0145】

第４実施形態の変形例について図１５から図１９の上面模式図を示して説明する。いずれの形態において、超音波振動によって、第２半導体素子３０及び第３半導体素子６０が動くことが効果的に抑制されていて、第２半導体素子３０及び第３半導体素子６０は高い平坦性を備えることができる。

【0146】

図１５の上面模式図に示す半導体装置４０１の第１樹脂組成物４０は、第２半導体素子３０の１つの側面（１面のみ）であるＡ１面Ａ１と直接的に接し、第１中間層３１の１つの側面（１面のみ）であるＡ２面Ａ２と直接的に接し、第３半導体素子６０の１つの側面（１面のみ）であるＡ３面Ａ３と直接的に接し、かつ、第２中間層６１の１つの側面（１面のみ）であるＡ４面Ａ４と直接的に接している。

【0147】

図１６の上面模式図に示す半導体装置４０２の第１樹脂組成物４０は、第２半導体素子３０のＡ１面Ａ１、第２半導体素子３０のＥ１面Ｅ１、第２半導体素子３０のＦ１面Ｆ１、第２半導体素子３０のＡ１面Ａ１とＥ１面Ｅ１とがなす角、第２半導体素子３０のＡ１面Ａ１とＦ１面Ｆ１とがなす角、第２半導体素子３０のＣ１面Ｃ１とＥ１面Ｅ１とがなす角、及び、第２半導体素子３０のＣ１面Ｃ１とＦ１面Ｆ１とがなす角と直接的に接している。

【0148】

半導体装置４０２の第１樹脂組成物４０は、第１中間層３１のＡ２面Ａ２、第１中間層３１のＥ２面Ｅ２、第１中間層３１のＦ２面Ｆ２、第１中間層３１のＡ２面Ａ２とＥ２面Ｅ２とがなす角、第１中間層３１のＡ２面Ａ２とＦ２面Ｆ２とがなす角、第１中間層３１のＣ２面Ｃ２とＥ２面Ｅ２とがなす角、及び、第１中間層３１のＣ２面Ｃ２とＦ２面Ｆ２とがなす角と直接的に接している。

【0149】

半導体装置４０２の第１樹脂組成物４０は、第３半導体素子６０のＡ３面Ａ３、第３半導体素子６０のＥ３面Ｅ３、第３半導体素子６０のＦ３面Ｆ３、第３半導体素子６０のＡ３面Ａ３とＥ３面Ｅ３とがなす角、第３半導体素子６０のＡ３面Ａ３とＦ３面Ｆ３とがなす角、第３半導体素子６０のＣ３面Ｃ３とＥ３面Ｅ３とがなす角、及び、第３半導体素子６０のＣ３面Ｃ３とＦ３面Ｆ３とがなす角と直接的に接している。

【0150】

半導体装置４０２の第１樹脂組成物４０は、第２中間層６１のＡ４面Ａ４、第２中間層６１のＥ４面Ｅ４、第２中間層６１のＦ４面Ｆ４、第２中間層６１のＡ４面Ａ４とＥ４面Ｅ４とがなす角、第２中間層６１のＡ４面Ａ４とＦ４面Ｆ４とがなす角、第２中間層６１のＣ４面Ｃ４とＥ４面Ｅ４とがなす角、及び、第２中間層６１のＣ４面Ｃ４とＦ４面Ｆ４とがなす角と直接的に接している。

【0151】

図１７の上面模式図に示す半導体装置４０３の第１樹脂組成物４０は、第２半導体素子３０のＡ１面Ａ１、第２半導体素子３０のＡ１面Ａ１とＥ１面Ｅ１とがなす角、及び、第２半導体素子３０のＡ１面Ａ１とＦ１面Ｆ１とがなす角と直接的に接している。

【0152】

半導体装置４０３の第１樹脂組成物４０は、第１中間層３１のＡ２面Ａ２、第１中間層３１のＡ２面Ａ２とＥ２面Ｅ２とがなす角、及び、第１中間層３１のＡ２面Ａ２とＦ２面Ｆ２とがなす角と直接的に接している。

【0153】

半導体装置４０３の第１樹脂組成物４０は、第３半導体素子６０のＡ３面Ａ３、第３半導体素子６０のＡ３面Ａ３とＥ３面Ｅ３とがなす角、及び、第３半導体素子６０のＡ３面Ａ３とＦ３面Ｆ３とがなす角と直接的に接している。

【0154】

半導体装置４０３の第１樹脂組成物４０は、第２中間層６１のＡ４面Ａ４、第２中間層６１のＡ４面Ａ４とＥ４面Ｅ４とがなす角、及び、第２中間層６１のＡ４面Ａ４とＦ４面Ｆ４とがなす角と直接的に接している。

【0155】

図１８の上面模式図に示す半導体装置４０４の第１樹脂組成物４０は、第２半導体素子３０のＡ１面Ａ１、第２半導体素子３０のＣ１面Ｃ１とＥ１面Ｅ１とがなす角、及び、第２半導体素子３０のＣ１面Ｃ１とＦ１面Ｆ１とがなす角と直接的に接している。

【0156】

半導体装置４０４の第１樹脂組成物４０は、第１中間層３１のＡ２面Ａ２、第１中間層３１のＣ２面Ｃ２とＥ２面Ｅ２とがなす角、及び、第１中間層３１のＣ２面Ｃ２とＦ２面Ｆ２とがなす角と直接的に接している。

【0157】

半導体装置４０４の第１樹脂組成物４０は、第３半導体素子６０のＡ３面Ａ３、第３半導体素子６０のＣ３面Ｃ３とＥ３面Ｅ３とがなす角、及び、第３半導体素子６０のＣ３面Ｃ３とＦ３面Ｆ３とがなす角と直接的に接している。

【0158】

半導体装置４０４の第１樹脂組成物４０は、第２中間層６１のＡ４面Ａ４、第２中間層６１のＣ４面Ｃ４とＥ４面Ｅ４とがなす角、及び、第２中間層６１のＣ４面Ｃ４とＦ４面Ｆ４とがなす角と直接的に接している。

【0159】

図１９の上面模式図に示す半導体装置４０５の第１樹脂組成物４０は、第２半導体素子３０のＡ１面Ａ１、第２半導体素子３０のＡ１面Ａ１とＥ１面Ｅ１とがなす角、及び、第２半導体素子３０のＣ１面Ｃ１とＦ１面Ｆ１とがなす角と直接的に接している。

【0160】

半導体装置４０５の第１樹脂組成物４０は、第１中間層３１のＡ２面Ａ２、第１中間層３１のＡ２面Ａ２とＥ２面Ｅ２とがなす角、及び、第１中間層３１のＣ２面Ｃ２とＦ２面Ｆ２とがなす角と直接的に接している。

【0161】

半導体装置４０５の第１樹脂組成物４０は、第３半導体素子６０のＡ３面Ａ３、第３半導体素子６０のＡ３面Ａ３とＥ３面Ｅ３とがなす角、及び、第３半導体素子６０のＣ３面Ｃ３とＦ３面Ｆ３とがなす角と直接的に接している。

【0162】

半導体装置４０５の第１樹脂組成物４０は、第２中間層６１のＡ４面Ａ４、第２中間層６１のＡ４面Ａ４とＥ４面Ｅ４とがなす角、及び、第２中間層６１のＣ４面Ｃ４とＦ４面Ｆ４とがなす角と直接的に接している。

【0163】

（第５実施形態）
第５実施形態は、半導体装置と半導体装置の製造方法に関する。第５実施形態の半導体装置５００は、第１実施形態の半導体装置１００から第４実施形態の半導体装置４００（４００～４０５）の変形例である。より具体的には、第５実施形態の半導体装置５００は、第３実施形態の半導体装置３００の変形例である。第１実施形態の半導体装置１００から第４実施形態の半導体装置４００（４００～４０５）に第５実施形態の構成を採用することができる。第１実施形態から第５実施形態において共通する内容については、その説明を省略する。

【0164】

図２０に半導体装置５００の模式断面図を示す。第５実施形態の半導体装置５００の第１樹脂組成物４０は、第４半導体素子８０、第３中間層８１、第５半導体素子９０及び第４中間層９１の側面と直接的に接している。

【0165】

第４半導体素子８０、第３中間層８１、第５半導体素子９０及び第４中間層９１の側面にも第１樹脂組成物４０が設けられていることで、超音波振動によって、第４半導体素子８０、第３中間層８１、第５半導体素子９０及び第４中間層９１の動きが効果的に抑制されている。

【0166】

第１樹脂組成物４０の前駆体４１の塗布量及び塗布位置を調整することで、第４半導体素子８０、第３中間層８１、第５半導体素子９０及び第４中間層９１の側面に第１樹脂組成物４０が設けられた半導体装置５００を製造することができる。また、第１中間層３１及び第２中間層６１の下面に第１樹脂組成物４０が存在せず、かつ、第１樹脂組成物４０が第３中間層８１と第２半導体素子３０に挟まれず、第１樹脂組成物４０が第４中間層９１と第３半導体素子６０に挟まれないため、第２半導体素子３０、第３半導体素子６０、第４半導体素子８０及び第５半導体素子９０は高い平坦性を備えることができる。

【0167】

（第６実施形態）
第６実施形態は、半導体装置と半導体装置の製造方法に関する。第６実施形態の半導体装置６００は、第１実施形態の半導体装置１００から第５実施形態の半導体装置５００の変形例である。より具体的には、第６実施形態の半導体装置６００は、第３実施形態の半導体装置３００の変形例である。第１実施形態の半導体装置１００から第５実施形態の半導体装置５００に第６実施形態の構成を採用することができる。第１実施形態から第６実施形態において共通する内容については、その説明を省略する。

【0168】

図２１に半導体装置６００の模式断面図を示す。第６実施形態の半導体装置６００は、第２半導体素子３０の上に第４半導体素子８０、第４半導体素子８０の上に第６半導体素子８４、第６半導体素子８４の上に第７半導体素子８８、第３半導体素子６０の上に第５半導体素子９０、第５半導体素子９０の上に第８半導体素子９４及び第８半導体素子９４の上に第９半導体素子９８を有する。

【0169】

第６半導体素子８４、第７半導体素子８８、第８半導体素子９４及び第９半導体素子９８は、例えば、半導体メモリチップである。第２半導体素子３０、第３半導体素子６０、第４半導体素子８０、第５半導体素子９０、第６半導体素子８４、第７半導体素子８８、第８半導体素子９４及び第９半導体素子９８は、個体差を除き同一回路を有する同一構造の半導体チップであることが好ましい。

【0170】

第６半導体素子８４と第４半導体素子８０の間に存在する第５中間層８５で第４半導体素子８０と第６半導体素子８４が接着している。第６半導体素子８４の第９パッド８６は、第５ボンディングワイヤ８７を介して第４半導体素子８０の第７パッド８２と接続している。第６半導体素子８４は、第５ボンディングワイヤ８７、第３ボンディングワイヤ８３、第１ボンディングワイヤ３３及び配線基板１０を介して第１半導体素子２０と電気的に接続している。

【0171】

第７半導体素子８８と第６半導体素子８４の間に存在する第６中間層８９で第６半導体素子８４と第７半導体素子８８が接着している。第７半導体素子８８の第１０パッド８９Ａは、第６ボンディングワイヤ８９Ｂを介して第６半導体素子８４の第９パッド８６と接続している。第７半導体素子８８は、第６ボンディングワイヤ８９Ｂ、第５ボンディングワイヤ８７、第３ボンディングワイヤ８３、第１ボンディングワイヤ３３及び配線基板１０を介して第１半導体素子２０と電気的に接続している。

【0172】

第８半導体素子９４と第５半導体素子９０の間に存在する第７中間層９５で第８半導体素子９４と第５半導体素子９０が接着している。第８半導体素子９４の第１１パッド９６は、第７ボンディングワイヤ９７を介して第５半導体素子９０の第８パッド９２と接続している。第８半導体素子９４は、第７ボンディングワイヤ９７、第４ボンディングワイヤ９３、第２ボンディングワイヤ６３及び配線基板１０を介して第１半導体素子２０と電気的に接続している。

【0173】

第９半導体素子９８と第８半導体素子９４の間に存在する第８中間層９９で第９半導体素子９８と第８半導体素子９４が接着している。第９半導体素子９８の第１２パッド９９Ａは、第８ボンディングワイヤ９９Ｂを介して第８半導体素子９４の第１１パッド９６と接続している。第９半導体素子９８は、第８ボンディングワイヤ９９Ｂ、第７ボンディングワイヤ９７、第４ボンディングワイヤ９３、第２ボンディングワイヤ６３及び配線基板１０を介して第１半導体素子２０と電気的に接続している。

【0174】

第４半導体素子８０、第５半導体素子９０、第６半導体素子８４、第７半導体素子８８、第８半導体素子９４及び第９半導体素子９８は、第１半導体素子２０が接合された配線基板１０に第２半導体素子３０を載置する工程（Ｓ０３）、第１半導体素子２０が接合され第２半導体素子３０が載置された配線基板１０に第１樹脂組成物４０の前駆体を塗布する工程（Ｓ０４）の間、又は／及び、第１樹脂組成物４０の前駆体が塗布された部材を加圧加熱処理して第１樹脂組成物４０の前駆体を硬化させる工程（Ｓ０５）と、第１樹脂組成物４０の前駆体が硬化した部材の第２半導体素子３０と配線基板１０間に第１ボンディングワイヤ３３を形成する工程（Ｓ０６）の間に載置されることが好ましい。

【0175】

第３ボンディングワイヤ８３、第４ボンディングワイヤ９３、第５ボンディングワイヤ８７、第６ボンディングワイヤ８９Ｂ、第７ボンディングワイヤ９７及び第８ボンディングワイヤ９９Ｂは、第１樹脂組成物４０の前駆体が硬化した部材の第２半導体素子３０と配線基板１０間に第１ボンディングワイヤ３３を形成する工程（Ｓ０６）において形成されることが好ましい。

【0176】

第１半導体素子２０と配線基板１０の積層方向において、半導体装置６００の第１半導体素子２０上に半導体素子（例えば、第６半導体素子８４、第７半導体素子８８、第８半導体素子９４及び第９半導体素子９８）が重なる。

【0177】

片側に４段ずつの半導体メモリチップが積層された半導体装置６００も第１実施形態の半導体装置１００と同様の効果が得られる。

【0178】

（第７実施形態）
第７実施形態は、半導体装置に関する。第７実施形態の半導体装置７００は、第１実施形態の半導体装置１００から第６実施形態の半導体装置６００の変形例である。より具体的には、第７実施形態の半導体装置７００は、第１実施形態の半導体装置１００の変形例である。第１実施形態の半導体装置１００から第６実施形態の半導体装置６００に第７実施形態の構成を採用することができる。第１実施形態から第７実施形態において共通する内容については、その説明を省略する。

【0179】

図２２に半導体装置７００の模式断面図を示す。第７実施形態の半導体装置７００は、第１半導体素子２０と配線基板１０の積層方向において、第２半導体素子３０下面（Ｂ１面Ｂ１）、第１中間層３１の下面（Ｂ２面Ｂ２）、第３半導体素子６０の下面（Ｂ３面Ｂ３）及び第２中間層６１の下面（Ｂ４面Ｂ４）は、配線基板１０の第２面１０Ｂ側から第１半導体素子２０の上面（ｂ面ｂ）よりも遠い。

【0180】

第２半導体素子３０の下の配線基板１０の、例えば、第１絶縁層１３に凸部が存在し、凸部上に第２半導体素子３０及び第３半導体素子６０が支持されるように設けられている。第１絶縁層１３の凸部は、例えば、厚いレジスト膜やポリイミドなどの絶縁膜である。凸部は、第１半導体素子２０と配線基板１０の積層方向において、第２半導体素子３０下面（Ｂ１面Ｂ１）、第１中間層３１の下面（Ｂ２面Ｂ２）、第３半導体素子６０の下面（Ｂ３面Ｂ３）及び第２中間層６１の下面（Ｂ４面Ｂ４）は、配線基板１０の第２面１０Ｂ側から第１半導体素子２０の上面（ｂ面ｂ）よりも遠い半導体装置の一例であり、これを実現する構成は凸部に限定されない。

【0181】

第１半導体素子２０と配線基板１０の積層方向において、半導体装置６００の第１半導体素子２０上に第２半導体素子３０及び第３半導体素子６０が重なる。半導体装置７００は、Ｘ方向のパッケージサイズを縮小することができ、超音波振動による第２半導体素子３０及び第３半導体素子６０の動きを抑制することができる。

【0182】

第１樹脂組成物４０は、第１中間層３１の下面（Ｂ２面Ｂ２）にも一部設けられている。配線基板１０が第２半導体素子３０を支持している部分において、第１樹脂組成物４０は第１中間層３１と配線基板１０の間及び第２中間層６１と配線基板１０の間に存在しないため、第２半導体素子３０及び第３半導体素子６０は、高い平坦性を備えることができる。

【0183】

（第８実施形態）
第８実施形態は、半導体装置に関する。第８実施形態の半導体装置８００は、第１実施形態の半導体装置１００から第７実施形態の半導体装置７００の変形例である。より具体的には、第７実施形態の半導体装置７００は、第１実施形態の半導体装置１００の変形例である。第１実施形態の半導体装置１００から第７実施形態の半導体装置７００に第８実施形態の構成を採用することができる。第１実施形態から第８実施形態において共通する内容については、その説明を省略する。

【0184】

図２３に半導体装置８００の模式断面図を示す。図２４に半導体装置８００の上面模式図を示す。第８実施形態の半導体装置８００は、第１半導体素子２０と直接的に接した第１樹脂組成物４０と第２半導体素子３０と直接的に接した第１樹脂組成物４０が分断し、第１半導体素子２０と直接的に接した第１樹脂組成物４０と第３半導体素子６０と直接的に接した第１樹脂組成物４０が分断している。

【0185】

第１半導体素子２０は第１樹脂組成物４０に囲まれていて、第１半導体素子２０を囲む第１樹脂組成物４０と分離した第１樹脂組成物４０が第２半導体素子３０の側面及び第３半導体素子６０の側面並びに第１中間層３１の側面及び第２中間層６１の側面に設けられている。第８実施形態においても、第１半導体素子２０を囲む第１樹脂組成物４０と分離した第１樹脂組成物４０が存在し、分離した第１樹脂組成物４０は、第２半導体素子３０の角及び第３半導体素子６０の角と直接的に接している。

【0186】

第１半導体素子２０を囲む第１樹脂組成物４０とは分離している第１樹脂組成物４０は、第２半導体素子３０のＡ１面Ａ１を含む側面及び第３半導体素子６０のＡ３面Ａ３を含む側面に設けられていることが好ましい。

【0187】

第１半導体素子２０を囲む第１樹脂組成物４０とは分離していて、第２半導体素子３０の側面及び第３半導体素子６０の側面に設けられている第１樹脂組成物４０は、超音波振動による第２半導体素子３０及び第３半導体素子６０の動きを抑制することができる。

【0188】

第１半導体素子２０を囲む第１樹脂組成物４０と第２半導体素子３０の側面及び第３半導体素子６０の側面に設けられている第１樹脂組成物４０が分離していても第２半導体素子３０及び第３半導体素子６０は高い平坦性を備えることができる。

【0189】

以下、実施形態の半導体装置の製造方法及び半導体装置の技術案を記載する。
技術案１
配線基板と、
前記配線基板の第１面側に設けられた第１半導体素子と、
前記配線基板の前記第１面側に設けられた第２半導体素子と、
前記配線基板の前記第１面側と前記第１半導体素子の前記配線基板側を向く面側との間、及び、前記第２半導体素子の側面に設けられた第１樹脂組成物と、有する半導体装置。
技術案２
前記第１半導体素子は、フリップチップである技術案１に記載の半導体装置。
技術案３
前記第２半導体素子と前記配線基板は、ボンディングワイヤで接続される技術案１又は２に記載の半導体装置。
技術案４
前記第２半導体素子のアスペクト比は、１以上１０以下である技術案１ないし３のいずれか１案に記載の半導体装置。
技術案５
前記第１樹脂組成物は、前記第２半導体素子の角に設けられている技術案１ないし４のいずれか１案に記載の半導体装置。
技術案６
前記第２半導体素子は、半導体メモリチップであり、
前記第１半導体素子は、前記第２半導体素子を制御するコントローラチップである技術案１ないし５のいずれか１案に記載の半導体装置。
技術案７
前記第１樹脂組成物は、前記半導体装置の外表面に露出していない技術案１ないし６のいずれか１案に記載の半導体装置。
技術案８
前記第２半導体素子と前記配線基板の間には、中間層を有し、
前記中間層と配線基板の間には、前記第１樹脂組成物が存在しない技術案１ないし７のいずれか１案に記載の半導体装置。
技術案９
前記中間層の側面に前記第１樹脂組成物が設けられている技術案１ないし８のいずれか１案に記載の半導体装置
技術案１０
第１半導体素子が接合され第２半導体素子が載置された配線基板に第１樹脂組成物の前駆体を塗布する工程と、
前記第１樹脂組成物の前駆体が塗布された部材を加圧加熱処理して前記第１樹脂組成物の前駆体を硬化させる工程と、
前記第１樹脂組成物の前駆体が硬化した部材の前記第２半導体素子と前記配線基板間にボンディングワイヤを形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法。
技術案１１
前記第１半導体素子は、フリップチップである技術案１０に記載の半導体装置の製造方法。
技術案１２
前記配線基板上に前記ボンディングワイヤと接続するパッドを有し、
前記パッドに前記第１樹脂組成物の前駆体４１が付着しない技術案１０又は１１に記載の半導体装置の製造方法。
技術案１３
前記配線基板上に前記ボンディングワイヤと接続するパッドを有し、
前記パッドに前記硬化した第１樹脂組成物が形成されない技術案１０ないし１２のいずれか１案記載の半導体装置の製造方法。

【0190】

以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発 明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形例は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

【符号の説明】

【0191】

１０ ：配線基板
１０Ａ ：第１面
１０Ｂ ：第２面
１１ ：基板
１２ ：技術案
１２ ：配線
１３ ：第１絶縁層
１４ ：第１パッド
１５ ：第２パッド
１６ ：第３パッド
１７ ：第２絶縁層
１８ ：第４パッド
２０ ：第１半導体素子
２１ ：導電性接合剤
３０ ：第２半導体素子
３１ ：第１中間層
３２ ：第５パッド
３３ ：第１ボンディングワイヤ
４０ ：第１樹脂組成物
４１ ：前駆体
５０ ：第２樹脂組成物
６０ ：第５半導体素子
６０ ：第３半導体素子
６１ ：第２中間層
６２ ：第６パッド
６３ ：第２ボンディングワイヤ
７０ ：半田ボール
７１ ：コレット
８０ ：第４半導体素子
８１ ：第３中間層
８２ ：第７パッド
８３ ：第３ボンディングワイヤ
８４ ：第６半導体素子
８５ ：第５中間層
８６ ：第９パッド
８７ ：第５ボンディングワイヤ
８８ ：第７半導体素子
８９ ：第６中間層
８９Ａ ：第１０パッド
８９Ｂ ：第６ボンディングワイヤ
９０ ：第５半導体素子
９１ ：第４中間層
９２ ：第８パッド
９３ ：第４ボンディングワイヤ
９４ ：第８半導体素子
９５ ：第７中間層
９６ ：第１１パッド
９７ ：第７ボンディングワイヤ
９８ ：第９半導体素子
９９ ：第８中間層
９９Ａ ：第１２パッド
９９Ｂ ：第８ボンディングワイヤ
１００ ：半導体装置
２００ ：半導体装置
３００ ：半導体装置
４００ ：半導体装置
４０１ ：半導体装置
４０２ ：半導体装置
４０３ ：半導体装置
４０４ ：半導体装置
４０５ ：半導体装置
５００ ：半導体装置
６００ ：半導体装置
６３０ ：第３半導体素
７００ ：半導体装置
８００ ：半導体装置
Ａ１ ：Ａ１面
Ａ２ ：Ａ２面
Ａ３ ：Ａ３面
Ａ４ ：Ａ４面
Ｂ１ ：Ｂ１面
Ｂ２ ：Ｂ２面
Ｂ３ ：Ｂ３面
Ｂ４ ：Ｂ４面
Ｃ１ ：Ｃ１面
Ｃ２ ：Ｃ２面
Ｃ３ ：Ｃ３面
Ｃ４ ：Ｃ４面
Ｄ１ ：Ｄ１面
Ｄ２ ：Ｄ２面
Ｄ３ ：Ｄ３面
Ｄ４ ：Ｄ４面
Ｅ１ ：Ｅ１面
Ｅ２ ：Ｅ２面
Ｅ３ ：Ｅ３面
Ｅ４ ：Ｅ４面
Ｆ１ ：Ｆ１面
Ｆ２ ：Ｆ２面
Ｆ３ ：Ｆ３面
Ｆ４ ：Ｆ４面
ａ ：ａ面
ｂ ：ｂ面
ｃ ：ｃ面
ｄ ：ｄ面
ｅ ：ｅ面
ｆ ：ｆ面

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】

【図22】

【図23】

【図24】