特開 2024-132021 放熱部材、および半導体モジュール

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024132021

(43)【公開日】2024-09-30

(54)【発明の名称】放熱部材、および半導体モジュール

(51)【国際特許分類】

   H01L 23/473 20060101AFI20240920BHJP

   H05K 7/20 20060101ALI20240920BHJP

【ＦＩ】

H01L23/46 Z

H05K7/20 N

【審査請求】未請求

【請求項の数】7

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023042640

(22)【出願日】2023-03-17

(71)【出願人】

【識別番号】000232302

【氏名又は名称】ニデック株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110001933

【氏名又は名称】弁理士法人 佐野特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】西川 和宏

(72)【発明者】

【氏名】堀 裕多

【テーマコード（参考）】

5E322

5F136

【Ｆターム（参考）】

5E322AA01

5E322AA06

5E322AA10

5E322AA11

5E322DA04

5E322DB06

5E322FA01

5F136BA03

5F136BA13

5F136BA37

5F136CB07

5F136FA03

(57)【要約】      （修正有）

【課題】半導体素子の冷却性能の均等化が容易となる放熱部材を提供する。
【解決手段】半導体モジュール１００において、少なくとも１つのフィン６は、第１方向Ｘに複数配置される半導体素子５Ａ～５Ｆと第３方向Ｚに対向するフィン領域部ＲＡ～ＲＦを第１方向に複数有し、複数のフィン領域部ＲＡ～ＲＦのうち２以上のフィン領域部ＲＣ～ＲＦのそれぞれにおいて、側壁部にスポイラー９が形成され、前記２以上のフィン領域部ＲＣ～ＲＦの間で、スポイラー９の数は等しく、冷媒Ｗが流れる上流側Ｘ２のフィン領域部ＲＣから下流側のフィン領域部ＲＦに向かうに従って、フィン領域部ＲＣ～ＲＦにおけるスポイラー９の構造による流路抵抗が大きくなる。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

半導体素子を搭載する絶縁回路基板を冷却するための放熱部材であって、
冷媒が流れる方向に沿う第１方向、かつ第１方向に直交する第２方向に広がり、第１方向および第２方向に直交する第３方向に厚みを有し、第３方向一方側に前記絶縁回路基板が配置される板形状のベース部と、
前記ベース部から前記第３方向他方側に突出し、第１方向かつ第３方向に広がって第２方向を厚み方向とする平板状の側壁部を有し、第２方向に複数配置されるフィンと、
を有し、
少なくとも１つの前記フィンは、第１方向に複数配置される前記半導体素子と第３方向に対向するフィン領域部を第１方向に複数有し、
前記複数の前記フィン領域部のうち２以上の前記フィン領域部のそれぞれにおいて、前記側壁部にスポイラーが形成され、
前記２以上の前記フィン領域部の間で、前記スポイラーの数は等しく、
前記冷媒が流れる上流側の前記フィン領域部から下流側の前記フィン領域部に向かうに従って、前記フィン領域部における前記スポイラーの構造による流路抵抗が大きくなる、放熱部材。

【請求項2】

第１方向に隣接する前記フィン領域部のすべての組において、上流側の前記フィン領域部よりも下流側の前記フィン領域部のほうが前記流路抵抗が大きい、請求項１に記載の放熱部材。

【請求項3】

第１方向に隣接する前記フィン領域部の組の少なくともいずれかにおいて、前記フィン領域部の間の前記流路抵抗は等しい、請求項１に記載の放熱部材。

【請求項4】

前記スポイラーが第１方向および第３方向に延びる長さによって、前記流路抵抗が調整される、請求項１に記載の放熱部材。

【請求項5】

前記スポイラーが前記側壁部から第２方向に突出する突出量によって、前記流路抵抗が調整される、請求項１に記載の放熱部材。

【請求項6】

第２方向に視て前記スポイラーが第１方向から傾く角度によって、前記流路抵抗が調整される、請求項１に記載の放熱部材。

【請求項7】

請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の放熱部材と、前記絶縁回路基板と、前記半導体素子と、を備える、半導体モジュール。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、放熱部材に関する。

【背景技術】

【0002】

従来、発熱体の冷却に放熱部材が用いられる。放熱部材は、ベース部と、複数のフィンと、を有する。複数のフィンは、ベース部から突出する。複数のフィンにおける隣接するフィン同士の間を水などの冷媒が流れることにより、発熱体の熱は冷媒に移動する（例えば、特許文献１参照）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】中国特許出願公開第１０６５４６１１６号

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

近年、車載用途などにおいて、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）などの半導体素子を放熱部材により冷却する技術が重要となっている。従来の放熱部材では、冷媒が流れる方向に複数の半導体素子を配置させる場合、下流側に向かうほど熱移動により冷媒の温度が高くなるため、半導体素子間に生じる温度差が課題となっていた。

【0005】

上記状況に鑑み、本開示は、半導体素子の冷却性能の均等化が容易となる放熱部材を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本開示の例示的な放熱部材は、半導体素子を搭載する絶縁回路基板を冷却するための放熱部材であって、冷媒が流れる方向に沿う第１方向、かつ第１方向に直交する第２方向に広がり、第１方向および第２方向に直交する第３方向に厚みを有し、第３方向一方側に前記絶縁回路基板が配置される板形状のベース部と、前記ベース部から前記第３方向他方側に突出し、第１方向かつ第３方向に広がって第２方向を厚み方向とする平板状の側壁部を有し、第２方向に複数配置されるフィンと、を有する。少なくとも１つの前記フィンは、第１方向に複数配置される前記半導体素子と第３方向に対向するフィン領域部を第１方向に複数有する。前記複数の前記フィン領域部のうち２以上の前記フィン領域部のそれぞれにおいて、前記側壁部にスポイラーが形成される。前記２以上の前記フィン領域部の間で、前記スポイラーの数は等しく、前記冷媒が流れる上流側の前記フィン領域部から下流側の前記フィン領域部に向かうに従って、前記フィン領域部における前記スポイラーの構造による流路抵抗が大きくなる。

【発明の効果】

【0007】

本開示の例示的な放熱部材によれば、半導体素子の冷却性能の均等化が容易となる。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】図１は、本開示の例示的な実施形態に係る放熱部材の斜視図である。

【図2】図２は、本開示の例示的な実施形態に係る放熱部材の第２方向途中を第２方向他方側から第２方向一方側へ視た場合の側面図である。

【図3】図３は、本開示の例示的な実施形態に係る放熱部材を第３方向他方側から第３方向一方側へ視た場合の平面図である。

【図4】図４は、シングルスポイラーの一例を示す斜視図である。

【図5】図５は、ダブルスポイラーの一例を示す斜視図である。

【図6】図６は、スポイラーの長さ調整を説明するための図である。

【図7】図７は、スポイラーの突出量調整を説明するための図である。

【図8】図８は、スポイラーの角度調整を説明するための図である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

以下に、本開示の例示的な実施形態について、図面を参照して説明する。

【0010】

なお、図面においては、第１方向をＸ方向として、Ｘ１を第１方向一方側、Ｘ２を第１方向他方側として示す。第１方向は、冷媒Ｗが流れる方向Ｆに沿い、下流側をＦ１、上流側をＦ２として示す。第１方向に直交する第２方向をＹ方向として、Ｙ１を第２方向一方側、Ｙ２を第２方向他方側として示す。第１方向および第２方向に直交する第３方向をＺ方向として、Ｚ１を第３方向一方側、Ｚ２を第３方向他方側として示す。なお、上記直交とは、９０度から若干ずれた角度での交差も含む。上記の各方向は、放熱部材を各種機器に組み込んだときの方向を限定しない。

【0011】

＜１．放熱部材＞
図１は、本開示の例示的な実施形態に係る放熱部材１の斜視図である。図２は、本開示の例示的な実施形態に係る放熱部材１の第２方向途中を第２方向他方側から第２方向一方側へ視た場合の側面図である。図３は、放熱部材１を第３方向他方側から第３方向一方側へ視た場合の平面図である。

【0012】

なお、図２および図３においては、放熱部材１の第３方向一方側に配置される絶縁回路基板４１～４３、および半導体素子５Ａ～５Ｆ（以下、５Ａ等）も図示している。半導体モジュール１００は、放熱部材１と、絶縁回路基板４１～４３と、半導体素子５Ａ等と、を備える。

【0013】

放熱部材１は、図示しない液冷ジャケットに設置可能であり、ベース部２と、放熱フィン部３と、を有する。

【0014】

ベース部２は、第１方向かつ第２方向に広がり、第３方向に厚みを有する板形状である。ベース部２は、熱伝導性の高い金属から構成され、例えば銅合金から構成される。

【0015】

放熱フィン部３は、フィン（フィンプレート）６を第２方向に複数配置することで、いわゆるスタックドフィンとして構成される。フィン６は、第１方向に延びる金属板から構成され、例えば、銅板により構成される。放熱フィン部３は、ベース部２の第３方向他方側面２１に例えばろう付けにより固定される。

【0016】

図２に示すように、フィン６は、第１方向に延びる側壁部６１と、側壁部６１の第３方向一方側端部において第２方向他方側に延びる底板部６２と、側壁部６１の第３方向他方側端部において第２方向他方側に延びる天板部６３と、を有する。すなわち、放熱部材１は、ベース部２から第３方向他方側に突出し、第１方向かつ第３方向に広がって第２方向を厚み方向とする平板状の側壁部６１を有し、第２方向に複数配置されるフィン６を有する。なお、天板部６３は、側壁部６１の先端を折り曲げることで設けられる。ただし、天板部６３は、側壁部６１の先端に板状の部材を取り付けることで設けられてもよい。

【0017】

冷媒Ｗは、第１方向他方側（上流側）から放熱フィン部３内部へ流れ込み、第２方向に隣接するフィン６間に形成される流路チャンネルを第１方向一方側（下流側）に流れ、放熱フィン部３から第１方向一方側へ排出される。

【0018】

＜２．半導体素子＞
半導体素子５Ａ等は、放熱部材１により冷却される対象である発熱体である。半導体素子５Ａ等は、例えば、車両の車輪を駆動するためのトラクションモータに備えられるインバータに設けられる。半導体素子５Ａ等は、トランジスタであり、例えばＩＧＢＴである。

【0019】

ベース部２の第３方向一方側に絶縁回路基板４１～４３が接合される。当該接合には、はんだ付け、溶接、溶着、ネジ止めなど、絶縁回路基板を固定できる各種方法が採用されうる。絶縁回路基板４１，４２，４３は、この順に第１方向他方側から第１方向一方側にかけて並べられる。

【0020】

半導体素子５Ａ，５Ｂは、絶縁回路基板４１の第３方向一方側に配置される。半導体素子５Ｂは、半導体素子５Ａの第１方向一方側に配置される。半導体素子５Ｃ，５Ｄは、絶縁回路基板４２の第３方向一方側に配置される。半導体素子５Ｄは、半導体素子５Ｃの第１方向一方側に配置される。半導体素子５Ｅ，５Ｆは、絶縁回路基板４３の第３方向一方側に配置される。半導体素子５Ｆは、半導体素子５Ｅの第１方向一方側に配置される。

【0021】

なお、絶縁回路基板および半導体素子のレイアウトは、上記に限らない。絶縁回路基板の個数は、上記のような複数に限らず、単数であってもよい。半導体素子の個数は、上記のような６個に限らず、６個以外の複数であってもよい。半導体素子の種類は、上記のように１種類に限らず、２種類以上であってもよい。

【0022】

半導体素子５Ａ等から発生した熱が絶縁回路基板４１～４３およびベース部２を介してフィン６に伝えられ、冷媒Ｗへ移動することで、半導体素子５Ａ等の冷却が行われる。すなわち、放熱部材１は、半導体素子５Ａ等を搭載する絶縁回路基板４１～４３を冷却するための放熱部材である。

【0023】

＜３．スポイラーの構成＞
図２に示すように、本実施形態では、フィン６の側壁部６１にスポイラー９が設けられる。後述するように、スポイラー９には、シングルスポイラーとダブルスポイラーの２種類がある。図２では、一例として、フィン６にスポイラー９としてダブルスポイラーのみが形成されている。シングルスポイラーは、１個のスポイラー９に相当し、ダブルスポイラーは、２個のスポイラー９に相当する。

【0024】

図４は、シングルスポイラー９１の一例を示す斜視図である。シングルスポイラー９１は、開口部９０に対して設けられる。開口部９０は、側壁部６１を第２方向に貫通する。シングルスポイラー９１は、四角状の開口部９０の１つの辺において第２方向に突出する。シングルスポイラー９１は、第３方向一方側かつ第１方向一方側に傾斜する。シングルスポイラー９１は、開口部９０における第３方向一方側または第３方向他方側の辺に設けられる。

【0025】

図５は、ダブルスポイラー９２の一例を示す斜視図である。ダブルスポイラー９２は、開口部９０に対して設けられる。ダブルスポイラー９２は、四角状の開口部９０の２つの対向する辺においてそれぞれ第２方向に突出する。ダブルスポイラー９２は、第３方向一方側かつ第１方向一方側に傾斜する。

【0026】

このようなシングルスポイラー９１またはダブルスポイラー９２は、冷媒Ｗが流れる方向に対向するので乱流が発生しやすくなり、流路抵抗を大きく設定しやすく、冷却性能が向上する。

【0027】

＜４．スポイラーの配置＞
図２に示すように、フィン６は、半導体素子５Ａと第３方向に対向するフィン領域部ＲＡと、半導体素子５Ｂと第３方向に対向するフィン領域部ＲＢと、半導体素子５Ｃと第３方向に対向するフィン領域部ＲＣと、半導体素子５Ｄと第３方向に対向するフィン領域部ＲＤと、半導体素子５Ｅと第３方向に対向するフィン領域部ＲＥと、半導体素子５Ｆと第３方向に対向するフィン領域部ＲＦと、を有する。すなわち、少なくとも１つのフィン６は、第１方向に複数配置される半導体素子５Ａ等と第３方向に対向するフィン領域部ＲＡ～ＲＦを第１方向に複数有する。

【0028】

図２に示すように、フィン領域部ＲＣ，ＲＤ，ＲＥ，ＲＦのそれぞれにおいてスポイラー９が設けられる。フィン領域部ＲＡ，ＲＢにおいては、スポイラー９は設けられない。このように、スポイラー９は、必ずしもすべてのフィン領域部に設けなくてもよい。すなわち、複数のフィン領域部ＲＡ～ＲＦのうち２以上のフィン領域部ＲＣ～ＲＦのそれぞれにおいて、側壁部６１にスポイラー９が形成される。

【0029】

図２では、フィン領域部ＲＣ～ＲＦのそれぞれにおいて、ダブルスポイラー９２が３個ずつ設けられ、スポイラー９の個数は２×３＝６個である。すなわち、２以上のフィン領域部ＲＣ～ＲＦの間で、スポイラー９の個数は等しい。なお、図２はあくまで例示であり、例えばフィン領域部ＲＣ～ＲＦのそれぞれにおいて、シングルスポイラー９１のみを設けてもよいし、例えばフィン領域部ＲＣ～ＲＦの少なくともいずれかにおいて、シングルスポイラー９１とダブルスポイラー９２とを混在させてもよい。すなわち、１×シングルスポイラーの個数＋２×ダブルスポイラーの個数＝スポイラーの個数として、２以上のフィン領域部の間で、スポイラーの個数が等しければよい。

【0030】

なお、図２に示すように、フィン領域部ＲＣ～ＲＦのそれぞれにおいて、スポイラー９が形成される位置Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３の半導体素子５Ｃ～５Ｆの第１方向他方側端の位置Ｐ０に対する相対関係は、同じである。

【0031】

＜５．流路抵抗の調整＞
本実施形態では、上記のようなスポイラーの配置を行うことに加え、スポイラーの構造によってそれぞれのフィン領域部における流路抵抗を調整している。具体的には、フィン領域部ＲＣ～ＲＦのそれぞれにおける流路抵抗をＦＲＣ～ＦＲＦとすると、ＦＲＣ＜ＦＲＤ＜ＦＲＥ＜ＦＲＦとしている。すなわち、下流側に向かうほど流路抵抗を大きくしている。なお、上記に限らず、例えばＦＲＣ＝ＦＲＤ＝ＦＲＥ＜ＦＲＦ、あるいはＦＲＣ＝ＦＲＤ＜ＦＲＥ＝ＦＲＦ、あるいはＦＲＣ＜ＦＲＤ＝ＦＲＥ＝ＦＲＦ、あるいはＦＲＣ＜ＦＲＤ＝ＦＲＥ＜ＦＲＦなどとしてもよい。すなわち、下流側に向かう方向の途中で、第１方向に隣り合うフィン領域部の間で流路抵抗が等しくなってもよい。なお、流路抵抗を調整するためのスポイラーの構造については、後述する。

【0032】

すなわち、冷媒Ｗが流れる上流側のフィン領域部ＲＣから下流側のフィン領域部ＲＦに向かうに従って、フィン領域部ＲＣ～ＲＦにおけるスポイラー９の構造による流路抵抗が大きくなる。

【0033】

上記のようにスポイラーによって簡便に乱流を形成することが可能であり、スポイラーの個数を下流側で増やすことで、冷媒Ｗの温度が高温となりやすい下流側の冷却性能を向上させ、第１方向に複数配置される半導体素子の冷却性能を均等化することが考えられる。しかしながら、スポイラーの個数は整数値であるため、乱流形成度を微調整することができない。また、前段のスポイラーによって乱流が発生した状態で後段のスポイラーに冷媒が到達する場合、スポイラー相互の間隔が乱流発生状況に強く関係するため、単にスポイラーの間隔を狭めてスポイラーの個数を増やしても、冷却性能が相応に向上しない場合がある。また、半導体素子と第３方向に対向する領域にスポイラーを配置する必要があり、配置可能なスポイラーの数量は限定的となる。

【0034】

そこで、本実施形態では、２以上のフィン領域部ＲＣ～ＲＦのそれぞれにおけるスポイラー９の個数を等しくしつつ、スポイラー９の構造により流路抵抗（乱流形成度）を調整することで、第１方向に複数配置される半導体素子５Ｃ～５Ｆの冷却性能を微調整することが可能であり、当該冷却性能の均等化が容易となる。

【0035】

また、先述のように流路抵抗をＦＲＣ＜ＦＲＤ＜ＦＲＥ＜ＦＲＦとすることを換言すれば、第１方向に隣接するフィン領域部のすべての組（ＲＣ，ＲＤ）（ＲＤ，ＲＥ）（ＲＥ，ＲＦ）において、上流側のフィン領域部よりも下流側のフィン領域部のほうが流路抵抗が大きい。

【0036】

また、先述のように流路抵抗を例えばＦＲＣ＝ＦＲＤ＝ＦＲＥ＜ＦＲＦなどとすることを換言すれば、第１方向に隣接するフィン領域部の組の少なくともいずれかにおいて、フィン領域部の間の流路抵抗は等しい。

【0037】

＜６．スポイラーの構造＞
次に、流路抵抗を調整するためのスポイラー９の構造（設計パラメータ）について述べる。

【0038】

図６の上段は、図２に示すように１つのフィン領域部において３つのダブルスポイラー９２を設ける場合の具体的なダブルスポイラー９２の構造例を示す図である。図６の上段では、１つのフィン領域部においてダブルスポイラー９２Ａ，９２Ｂ，９２Ｃが設けられる。すなわち、スポイラー９の個数は、２×３＝６個である。そして、図６の上段では、一例として、最も下流側（第１方向一方側）のダブルスポイラー９２Ｃの第１方向および第３方向に延びる長さＬｃを、上流側のダブルスポイラー９２Ａ，９２Ｂの第１方向および第３方向に延びる長さＬａ，Ｌｂよりも長くしている（Ｌｃ＞Ｌａ＝Ｌｂ）。

【0039】

このように、スポイラー９が第１方向および第３方向に延びる長さによって、流路抵抗が調整される。スポイラー９の長さを長くすれば乱流形成度が大きくなり、流路抵抗が大きくなる。スポイラー９の長さを調整することで冷却性能の微調整が容易となる。

【0040】

なお、１つのフィン領域部において、スポイラー９の第１方向および第３方向に延びる長さは、すべてのスポイラー９において等しくしてもよい。また、図６の下段に示す例では、上流側に２つのダブルスポイラー９２Ａ，９２Ｂを設け、下流側に２つのシングルスポイラー９１Ａ，９１Ｂを設けている。このようにしても、スポイラー９の個数＝２×２＋１×２＝６個であり、図６の上段と効果は同等である。図６の下段では、シングルスポイラー９１Ａ，９１Ｂの第１方向および第３方向に延びる長さを、ダブルスポイラー９２Ａ，９２Ｂの第１方向および第３方向に延びる長さよりも長くしている。

【0041】

図７の左方においては、ダブルスポイラー９２を第１方向に視た図を示す。ダブルスポイラー９２は、側壁部６１から突出量Ｈだけ第２方向他方側に突出する。なお、シングルスポイラー９１についても側壁部６１から所定の突出量だけ第２方向他方側に突出する。このようなスポイラー９が側壁部６１から第２方向に突出する突出量によって、流路抵抗が調整される。スポイラー９の突出量を大きくすれば乱流形成度が大きくなり、流路抵抗が大きくなる。スポイラー９の突出量を調整することで冷却性能の微調整が容易となる。

【0042】

図８は、一例として、フィン領域部ＲＣ，ＲＤそれぞれにおいて設けられるダブルスポイラー９２を第２方向に視た場合の図である。具体的には、フィン領域部ＲＣにはダブルスポイラー９２Ａ～９２Ｃが設けられ、フィン領域部ＲＤにはダブルスポイラー９２Ｄ～９２Ｆが設けられる。下流側のダブルスポイラー９２Ｄ～９２Ｆそれぞれの第１方向から傾く角度θ２は、上流側のダブルスポイラー９２Ａ～９２Ｃそれぞれの第１方向から傾く角度θ１よりも大きくしている。すなわち、第２方向に視てスポイラー９が第１方向から傾く角度によって、流路抵抗が調整される。スポイラー９が傾く角度が大きくなるほど乱流形成度が大きくなり、流路抵抗が大きくなる。スポイラー９が傾く角度を調整することで冷却性能の微調整が容易となる。なお、シングルスポイラー９１が傾く角度を調整してもよい。

【0043】

＜７．その他＞
以上、本開示の実施形態を説明した。なお、本開示の範囲は上述の実施形態に限定されない。本開示は、発明の主旨を逸脱しない範囲で上述の実施形態に種々の変更を加えて実施することができる。また、上述の実施形態で説明した事項は、矛盾を生じない範囲で適宜任意に組み合わせることができる。

【0044】

＜８．付記＞
以上のように、本開示の一態様に係る放熱部材は、
半導体素子を搭載する絶縁回路基板を冷却するための放熱部材であって、
冷媒が流れる方向に沿う第１方向、かつ第１方向に直交する第２方向に広がり、第１方向および第２方向に直交する第３方向に厚みを有し、第３方向一方側に前記絶縁回路基板が配置される板形状のベース部と、
前記ベース部から前記第３方向他方側に突出し、第１方向かつ第３方向に広がって第２方向を厚み方向とする平板状の側壁部を有し、第２方向に複数配置されるフィンと、
を有し、
少なくとも１つの前記フィンは、第１方向に複数配置される前記半導体素子と第３方向に対向するフィン領域部を第１方向に複数有し、
前記複数の前記フィン領域部のうち２以上の前記フィン領域部のそれぞれにおいて、前記側壁部にスポイラーが形成され、
前記２以上の前記フィン領域部の間で、前記スポイラーの数は等しく、
前記冷媒が流れる上流側の前記フィン領域部から下流側の前記フィン領域部に向かうに従って、前記フィン領域部における前記スポイラーの構造による流路抵抗が大きくなる構成としている（第１の構成）。

【0045】

また、上記第１の構成において、第１方向に隣接する前記フィン領域部のすべての組において、上流側の前記フィン領域部よりも下流側の前記フィン領域部のほうが前記流路抵抗が大きい構成としてもよい（第２の構成）。

【0046】

また、上記第１の構成において、第１方向に隣接する前記フィン領域部の組の少なくともいずれかにおいて、前記フィン領域部の間の前記流路抵抗は等しい構成としてもよい（第３の構成）。

【0047】

また、上記第１から第４のいずれかの構成において、前記スポイラーが第１方向および第３方向に延びる長さによって、前記流路抵抗が調整される構成としてもよい（第４の構成）。

【0048】

また、上記第１から第５のいずれかの構成において、前記スポイラーが前記側壁部から第２方向に突出する突出量によって、前記流路抵抗が調整される構成としてもよい（第５の構成）。

【0049】

また、上記第１から第６のいずれかの構成において、第２方向に視て前記スポイラーが第１方向から傾く角度によって、前記流路抵抗が調整される構成としてもよい（第６の構成）。

【0050】

また、本開示の一態様に係る半導体モジュールは、上記第１から第６のいずれかの構成の放熱部材と、前記絶縁回路基板と、前記半導体素子と、を備える（第７の構成）。

【0051】

また、本開示の一態様に係る半導体モジュールは、上記第１から第７のいずれかの構成の放熱部材と、前記半導体素子と、を備える（第８の構成）。

【産業上の利用可能性】

【0052】

本開示は、各種用途の半導体素子の冷却に利用することができる。

【符号の説明】

【0053】

１ 放熱部材
２ ベース部
３ 放熱フィン部
５Ａ～５Ｆ 半導体素子
６ フィン
９ スポイラー
２１ 第３方向他方側面
４１～４３ 絶縁回路基板
６１ 側壁部
６２ 底板部
６３ 天板部
９０ 開口部
９１ シングルスポイラー
９２ ダブルスポイラー
１００ 半導体モジュール
ＲＡ～ＲＦ フィン領域部
Ｗ 冷媒

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】