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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024132032
(43)【公開日】2024-09-30
(54)【発明の名称】磁気部品
(51)【国際特許分類】
H01F 17/04 20060101AFI20240920BHJP
H01F 17/00 20060101ALI20240920BHJP
H01F 10/16 20060101ALI20240920BHJP
H01F 41/18 20060101ALI20240920BHJP
H01F 10/20 20060101ALI20240920BHJP
【ＦＩ】
H01F17/04 F
H01F17/00 B
H01F10/16
H01F41/18
H01F10/20
【審査請求】未請求
【請求項の数】17
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023042654
(22)【出願日】2023-03-17
(71)【出願人】
【識別番号】000116024
【氏名又は名称】ローム株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100135389
【弁理士】
【氏名又は名称】臼井 尚
(72)【発明者】
【氏名】石戸 亮祐
(72)【発明者】
【氏名】宮▲崎▼ 達也
(72)【発明者】
【氏名】▲高▼村 陽太
(72)【発明者】
【氏名】中川 茂樹
(72)【発明者】
【氏名】藤▲崎▼ 啓介
【テーマコード（参考）】
5E049
5E070
【Ｆターム（参考）】
5E049AA01
5E049AA04
5E049AB04
5E049GC01
5E070AA01
5E070AB03
5E070BB01
5E070CB12
(57)【要約】
【課題】磁気的性質を改善することが可能な磁気部品を提供する。
【解決手段】磁気部品Ａ１０は、コイル部２と、磁性体３とを備える。コイル部２は、導電体を含む。磁性体３は、コイル部２を覆う。磁性体３は、第１磁性方向ｄ１と第２磁性方向ｄ２とを有する。第１磁性方向ｄ１と第２磁性方向ｄ２とは、磁気的性質の大きさが互いに異なる。
【選択図】図７
【解決手段】磁気部品Ａ１０は、コイル部２と、磁性体３とを備える。コイル部２は、導電体を含む。磁性体３は、コイル部２を覆う。磁性体３は、第１磁性方向ｄ１と第２磁性方向ｄ２とを有する。第１磁性方向ｄ１と第２磁性方向ｄ２とは、磁気的性質の大きさが互いに異なる。
【選択図】図７
【特許請求の範囲】
【請求項1】
導電体を含むコイル部と、
前記コイル部を覆う磁性体と、
を備え、
前記磁性体は、第１磁性方向と第２磁性方向とを有し、
前記第１磁性方向と前記第２磁性方向とは、磁気的性質の大きさが互いに異なる、磁気部品。
前記コイル部を覆う磁性体と、
を備え、
前記磁性体は、第１磁性方向と第２磁性方向とを有し、
前記第１磁性方向と前記第２磁性方向とは、磁気的性質の大きさが互いに異なる、磁気部品。
【請求項2】
前記磁性体は、前記コイル部が発生させる磁束の方向に前記第１磁性方向が沿うように配置される、請求項１に記載の磁気部品。
【請求項3】
前記磁気的性質は、透磁率であり、
前記第１磁性方向の透磁率は、前記第２磁性方向の透磁率よりも高い、請求項２に記載の磁気部品。
前記第１磁性方向の透磁率は、前記第２磁性方向の透磁率よりも高い、請求項２に記載の磁気部品。
【請求項4】
前記磁気的性質は、ヒステリシス損失であり、
前記第１磁性方向のヒステリシス損失は、前記第２磁性方向のヒステリシス損失よりも小さい、請求項２に記載の磁気部品。
前記第１磁性方向のヒステリシス損失は、前記第２磁性方向のヒステリシス損失よりも小さい、請求項２に記載の磁気部品。
【請求項5】
前記磁性体は、前記コイル部に流れる電流の方向に前記第１磁性方向が直交するように配置される、請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の磁気部品。
【請求項6】
前記磁性体は、互いに分離する複数の磁性部を含み、
前記複数の磁性部の各々は、前記第１磁性方向および前記第２磁性方向を有し、
前記コイル部を仮想的に複数の領域に分けたとき、当該複数の領域の各々に対して、前記複数の磁性部がそれぞれ個別に配置される、請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の磁気部品。
前記複数の磁性部の各々は、前記第１磁性方向および前記第２磁性方向を有し、
前記コイル部を仮想的に複数の領域に分けたとき、当該複数の領域の各々に対して、前記複数の磁性部がそれぞれ個別に配置される、請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の磁気部品。
【請求項7】
前記コイル部は、前記磁気部品の厚さ方向に直交する平面に沿って形成された導体パターンを含み、
前記第１磁性方向および前記第２磁性方向の各々は、前記厚さ方向に直交する、請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の磁気部品。
前記第１磁性方向および前記第２磁性方向の各々は、前記厚さ方向に直交する、請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の磁気部品。
【請求項8】
前記導体パターンは、前記厚さ方向に見てスパイラル状に巻回される、請求項７に記載の磁気部品。
【請求項9】
前記導体パターンに接する絶縁被膜をさらに備え、
前記絶縁被膜は、前記導体パターンの配線方向に見て前記導体パターンを覆う、請求項７に記載の磁気部品。
前記絶縁被膜は、前記導体パターンの配線方向に見て前記導体パターンを覆う、請求項７に記載の磁気部品。
【請求項10】
前記磁性体は、前記絶縁被膜を覆う、請求項９に記載の磁気部品。
【請求項11】
前記磁性体は、少なくとも１つの第１磁性膜と少なくとも１つの第２磁性膜とを含み、
前記少なくとも１つの第１磁性膜と前記少なくとも１つの第２磁性膜とは、前記厚さ方向において前記導体パターンを挟んで互いに反対側に配置される、請求項７に記載の磁気部品。
前記少なくとも１つの第１磁性膜と前記少なくとも１つの第２磁性膜とは、前記厚さ方向において前記導体パターンを挟んで互いに反対側に配置される、請求項７に記載の磁気部品。
【請求項12】
前記少なくとも１つの第１磁性膜と前記少なくとも１つの第２磁性膜とは、互いに離れている、請求項１１に記載の磁気部品。
【請求項13】
前記導体パターンは、第１環状部と、前記第１環状部に繋がる第２環状部とを含み、
前記磁性体は、前記第１環状部と前記第２環状部との間に介在する第３磁性膜を含む、請求項１１に記載の磁気部品。
前記磁性体は、前記第１環状部と前記第２環状部との間に介在する第３磁性膜を含む、請求項１１に記載の磁気部品。
【請求項14】
前記第３磁性膜は、少なくとも１つの第２磁性膜に繋がる、請求項１３に記載の磁気部品。
【請求項15】
前記第３磁性膜と前記少なくとも１つの第１磁性膜と間に介在する絶縁層をさらに備える、請求項１３に記載の磁気部品。
【請求項16】
前記少なくとも１つの第１磁性膜は、複数の第１磁性膜を含み、
前記複数の第１磁性膜は、前記絶縁層を隔てて配置される、請求項１５に記載の磁気部品。
前記複数の第１磁性膜は、前記絶縁層を隔てて配置される、請求項１５に記載の磁気部品。
【請求項17】
前記磁性体は、コバルト鉄ボロン、あるいは、フェライトを含む、請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の磁気部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、磁気部品に関する。
【背景技術】
【0002】
電気機器および電気自動車などには、磁気部品が搭載されることがある。このような磁気部品には、たとえばインダクタがある。特許文献１には、従来のインダクタの一例が開示されている。特許文献１に記載のインダクタは、基板とコイル導体とを備える。コイル導体は、基板に形成されている。コイル導体は、平面視螺旋状に形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０１８－４６２５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
特許文献１に記載のインダクタは、Ｑ値（Quality Factor）を向上させたものである。しかしながら、インダクタは、その用途に合わせて、Ｑ値と異なる磁気的性質の改善が求められる。このような磁気的性質には、たとえばインダクタンス値およびヒステリシス損失などがある。
【0005】
本開示は、上記事情に鑑みて考え出されたものであり、その目的は、磁気的性質を改善することが可能な磁気部品を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本開示によって提供される磁気部品は、導電体を含むコイル部と、前記コイル部を覆う磁性体と、を備え、前記磁性体は、第１磁性方向と第２磁性方向とを有し、前記第１磁性方向と前記第２磁性方向とは、磁気的性質の大きさが互いに異なる。
【発明の効果】
【0007】
本開示の磁気部品によれば、磁気的性質の改善を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【発明を実施するための形態】
【0009】
本開示の磁気部品の好ましい実施の形態について、図面を参照して、以下に説明する。以下では、同一あるいは類似の構成要素に、同じ符号を付して、重複する説明を省略する。本開示における「第１」、「第２」、「第３」等の用語は、単にラベルとして用いたものであり、必ずしもそれらの対象物に順列を付することを意図していない。
【0010】
本開示において、「ある物Ａがある物Ｂに形成されている」および「ある物Ａがある物Ｂ（の）上に形成されている」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに直接形成されていること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物を介在させつつ、ある物Ａがある物Ｂに形成されていること」を含む。同様に、「ある物Ａがある物Ｂに配置されている」および「ある物Ａがある物Ｂ（の）上に配置されている」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに直接配置されていること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物を介在させつつ、ある物Ａがある物Ｂに配置されていること」を含む。同様に、「ある物Ａがある物Ｂ（の）上に位置している」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに接して、ある物Ａがある物Ｂ（の）上に位置していること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物が介在しつつ、ある物Ａがある物Ｂ（の）上に位置していること」を含む。また、「ある方向に見てある物Ａがある物Ｂに重なる」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂのすべてに重なること」、および、「ある物Ａがある物Ｂの一部に重なること」を含む。また、「ある物Ａ（の材料）がある材料Ｃを含む」とは、「ある物Ａ（の材料）がある材料Ｃからなる場合」、および、「ある物Ａ（の材料）の主成分がある材料Ｃである場合」を含む。
【0011】
図１～図１０は、第１実施形態にかかる磁気部品Ａ１０を示している。磁気部品Ａ１０は、たとえばインダクタである。図示された例では、磁気部品Ａ１０は、表面実装されるチップ型である。磁気部品Ａ１０は、たとえば厚さ方向ｚに見て、矩形である。磁気部品Ａ１０は、支持基板１、コイル部２、磁性体３、絶縁体４、一対の外部端子５１，５２および一対の絶縁層６１，６２を備える。
【0012】
説明の便宜上、磁気部品Ａ１０の厚さ方向を「厚さ方向ｚ」という。以下の説明では、厚さ方向ｚの一方を上方といい、他方を下方ということがある。なお、「上」、「下」、「上方」、「下方」、「上面」および「下面」などの記載は、厚さ方向ｚにおける各部品等の相対的位置関係を示すものであり、必ずしも重力方向との関係を規定する用語ではない。また、「平面視」とは、厚さ方向ｚに見たときをいう。厚さ方向ｚに対して直交する方向を「第１方向ｘ」という。厚さ方向ｚおよび第１方向ｘに直交する方向を「第２方向ｙ」という。
【0013】
支持基板１は、図８～図１０に示すように、コイル部２および磁性体３などを支持する。支持基板１は、たとえば半導体基板である。当該半導体基板は、半導体材料としてのケイ素（Ｓｉ）を含む。支持基板１は、半導体基板ではなく絶縁性樹脂基板、ガラス基板あるいはセラミックス基板であってもよい。支持基板１の平面視形状は、何ら限定されないが、図示された例では矩形である。
【0014】
図８～図１０に示すように、支持基板１は、基板主面１０ａおよび基板裏面１０ｂを有する。基板主面１０ａおよび基板裏面１０ｂは、厚さ方向ｚに離間する。基板主面１０ａおよび基板裏面１０ｂは、厚さ方向ｚにおいて互いに反対側を向く。基板裏面１０ｂは、磁気部品Ａ１０の外部に露出する。基板主面１０ａは、絶縁層６１に覆われている。
【0015】
コイル部２は、導電体材料を含む。当該導電体材料は、何ら限定されないが、たとえば銅または銅合金である。コイル部２は、導体パターン２１および一対の接続配線部２２を含む。
【0016】
導体パターン２１は、厚さ方向ｚに直交する平面に沿って形成されている。図４および図５などに示すように、磁気部品Ａ１０では、導体パターン２１は、厚さ方向ｚに見て、スパイラル状に巻回されている。導体パターン２１の巻回軸は、厚さ方向ｚに平行である。
【0017】
磁気部品Ａ１０では、図４～図６に示すように、導体パターン２１は、平面視において、仮想的に４つの領域２Ａ～２Ｄに分ける。４つの領域２Ａ～２Ｄは、導体パターン２１の配線方向に基づいて、分けられている。２つの領域２Ａ，２Ｃにおいては、導体パターン２１の配線方向は、第２方向ｙに平行である。領域２Ａにおいて電流が流れる方向と、領域２Ｃにおいて電流が流れる方向とは、互いに反対である。２つの領域２Ｂ，２Ｄにおいては、導体パターン２１の配線方向は、第１方向ｘに平行である。領域２Ｂにおいて電流が流れる方向と、領域２Ｄにおいて電流が流れる方向とは、互いに反対である。よって、図示された例では、４つの領域２Ａ～２Ｄは、平面視矩形状の支持基板１の２つの対角線によって区画される４つの領域に相当する。このため、４つの領域２Ａ～２Ｄはそれぞれ、厚さ方向ｚに見て略均等な大きさの三角形である。２つの領域２Ａ，２Ｃは、第１方向ｘに離間し、第２方向ｙに沿う軸を対称軸とする線対称であり、２つの領域２Ｂ，２Ｄは、第２方向ｙに離間し、第１方向ｘに沿う軸を対称軸とする線対称である。
【0018】
図５に示すように、導体パターン２１は、複数の環状部２１０および一対の接続端２１１，２１２を含む。導体パターン２１は、接続端２１１から複数の環状部２１０を介して接続端２１２に至る。
【0019】
複数の環状部２１０は、隣接する環状部２１０同士が、互いに繋がっている。図示された例では、複数の環状部２１０の各々は、厚さ方向ｚに見て矩形環状である。この例と異なり、各環状部２１０は、厚さ方向ｚに見て、円環状であってもよいし、楕円環状であってもよい。環状部２１０の数は、図示された例に限定されず、環状部２１０の数が多い程、インダクタンス値を向上できる。
【0020】
一対の接続端２１１，２１２はそれぞれ、導体パターン２１の巻回方向における端部である。接続端２１１は、厚さ方向ｚに見て、導体パターン２１の巻回軸に近い方の端部であり、接続端２１２は、厚さ方向ｚに見て、導体パターン２１の巻回軸に遠い方の端部である。
【0021】
一対の接続配線部２２，２３はそれぞれ、図９および図１０に示すように、磁性体３の一部（後述の第２磁性膜３２）および絶縁層６２を厚さ方向ｚに貫通する。接続配線部２２は、導体パターン２１の接続端２１１と外部端子５１とを電気的に接続する。接続配線部２３は、導体パターン２１の接続端２１２と外部端子５２とを電気的に接続する。なお、一対の接続配線部２２，２３の各側面は、図示しない絶縁膜で覆われていてもよい。
【0022】
磁性体３は、図８～図１０に示すように、コイル部２を覆う。磁性体３の構成材料は、何ら限定されないが、たとえばＣｏＦｅＢ（コバルト鉄ボロン）を含む。磁性体３は、ＣｏＦｅＢの代わりに、フェライトを含んでいてもよい。当該フェライトは、たとえばＣｏ（コバルト）、Ｎｉ（ニッケル）あるいはＭｎ（マンガン）を含む。磁性体３の形成方法は、何ら限定されないが、たとえばスパッタリング法が用いられる。
【0023】
磁性体３は、磁気異方性を有する。磁気異方性とは、磁性体３において、互いに異なる２つの方向で磁気的性質の大きさが互いに異なる特性のことである。以下では、先述の２つの方向を、「第１磁性方向ｄ１」、「第２磁性方向ｄ２」という。つまり、磁性体３は、第１磁性方向ｄ１および第２磁性方向ｄ２を有し、第１磁性方向ｄ１と第２磁性方向ｄ２とで、磁気的性質の大きさが異なる。本実施形態では、当該磁気的性質は、透磁率であり、磁性体３において、第１磁性方向ｄ１の透磁率は、第２磁性方向ｄ２の透磁率よりも高い。磁性体３は、コイル部２の通電によって発生する磁束の向きに第１磁性方向ｄ１が沿うように配置される。本実施形態では、磁性体３は、複数の磁性部３Ａ～３Ｄを含む。
【0024】
複数の磁性部３Ａ～３Ｄは、互いに分離する。複数の磁性部３Ａ～３Ｄの各々は、第１磁性方向ｄ１および第２磁性方向ｄ２を有する。本実施形態では、図７に示すように、各磁性部３Ａ～３Ｄにおいて、第１磁性方向ｄ１と第２磁性方向ｄ２とは、互いに直交するが、これらは、互いに同じ方向にならない範囲で直交していなくてもよい。各磁性部３Ａ～３Ｄにおいて、第１磁性方向ｄ１および第２磁性方向ｄ２はそれぞれ、厚さ方向ｚに直交する。図示された導体パターン２１の形状では、コイル部２（導体パターン２１）によって発生する磁束の向きは、複数の領域２Ａ～２Ｄによってそれぞれ異なることから、各領域２Ａ～２Ｄにおける磁束の向きに対応させるように、磁性体３を、複数の磁性部３Ａ～３Ｄに分割している。複数の磁性部３Ａ～３Ｄは、複数の領域２Ａ～２Ｄにそれぞれ個別に配置される。よって、導体パターン２１を４つの領域２Ａ～２Ｄに分けた時、磁性体３は、４つの磁性部３Ａ～３Ｄを含む。磁性部３Ａは、領域２Ａに配置され、磁性部３Ｂは、領域２Ｂに配置され、磁性部３Ｃは、領域２Ｃに配置され、磁性部３Ｄは、領域２Ｄに配置される。２つの磁性部３Ａ，３Ｃはそれぞれ、２つの磁性部３Ｂ，３Ｄの各々に接し、２つの磁性部３Ｂ，３Ｄはそれぞれ、２つの磁性部３Ａ，３Ｃの各々に接する。
【0025】
各磁性部３Ａ～３Ｄは、導体パターン２１（コイル部２）に流れる電流の方向に第１磁性方向ｄ１が直交するように配置されている。なお、導体パターン２１に流れる電流の方向は、導体パターン２１の配線方向に対応する。各領域２Ａ，２Ｃにおける導体パターン２１の配線方向は、第２方向ｙに平行であるから、図７に示すように、２つの磁性部３Ａ，３Ｃの各々では、第１磁性方向ｄ１が第１方向ｘに沿い且つ第２磁性方向ｄ２が第２方向ｙに沿う。また、各領域２Ｂ，２Ｄにおける導体パターン２１の配線方向は、第１方向ｘに平行であるから、図７に示すように、２つの磁性部３Ｂ，３Ｄの各々では、第１磁性方向ｄ１が第２方向ｙに沿い且つ第２磁性方向ｄ２が第１方向ｘに沿う。
【0026】
磁性体３は、複数の第１磁性膜３１、複数の第２磁性膜３２および複数の第３磁性膜３３を含む。複数の磁性部３Ａ～３Ｄはそれぞれ、複数の第１磁性膜３１、複数の第２磁性膜３２および複数の第３磁性膜３３をそれぞれ１つずつ含んでいる。
【0027】
複数の第１磁性膜３１は、導体パターン２１に対して、厚さ方向ｚの下方に配置される。複数の第１磁性膜３１は、互いに接する。
【0028】
複数の第２磁性膜３２は、導体パターン２１に対して、厚さ方向ｚの上方に配置される。複数の第２磁性膜３２は、互いに接する。複数の第２磁性膜３２は、複数の第１磁性膜３１から厚さ方向ｚに離間する。
【0029】
複数の第３磁性膜３３は、導体パターン２１のうちの隣り合う２つの環状部２１０同士の間に介在する。複数の第３磁性膜３３は、厚さ方向ｚにおいて導体パターン２１と同じ位置に形成される。図８および図９に示すように、複数の第３磁性膜３３は、複数の第２磁性膜３２に繋がり、複数の第１磁性膜３１から離間する。厚さ方向ｚにおいて、各第３磁性膜３３と各第１磁性膜３１との間には、絶縁体４の一部（後述の絶縁層４１）が配置される。
【0030】
絶縁体４は、導体パターン２１と磁性体３とを絶縁する。図８～図１０に示すように、絶縁体４は、磁性体３に覆われる。絶縁体４は、たとえば酸化ケイ素（ＳｉＯ2）を含む。絶縁体４は、絶縁層４１および絶縁被膜４２を含む。
【0031】
絶縁層４１は、図８～図１０に示すように、厚さ方向ｚにおいて、導体パターン２１と複数の第１磁性膜３１との間に形成される。また、絶縁層４１は、厚さ方向ｚにおいて、各第１磁性膜３１と各第３磁性膜３３との間に配置される。
【0032】
絶縁被膜４２は、絶縁層４１に繋がる。図８～図１０に示すように、絶縁被膜４２は、導体パターン２１の配線方向に見て、導体パターン２１を覆う。図示された例では、上記領域２Ａ，２Ｃでは、導体パターン２１の配線方向は第２方向ｙに平行であるので、絶縁被膜４２は、第２方向ｙに見た導体パターン２１の周縁を覆う。上記領域２Ｂ，２Ｄでは、導体パターン２１の配線方向は第１方向ｘに平行であるので、絶縁被膜４２は、第１方向ｘに見た導体パターン２１の周縁を覆う。絶縁層４１と絶縁被膜４２とにより、導体パターン２１の配線方向に見て、導体パターン２１の全周が覆われる。絶縁被膜４２は、磁性体３に覆われる。
【0033】
絶縁層６１は、支持基板１の基板主面１０ａを覆う。絶縁層６１は、厚さ方向ｚにおいて、支持基板１と第１磁性膜３１との間に配置される。絶縁層６１は、第１磁性膜３１と支持基板１とを絶縁する。各第１磁性膜３１と支持基板１との絶縁が確保される場合には、磁気部品Ａ１０は、絶縁層６１を備えていなくてもよい。絶縁層６１は、たとえば支持基板１の酸化膜である。絶縁層６１は、絶縁性を有するものであれば何ら限定されないが、たとえばＳｉＯ2を含む。
【0034】
絶縁層６２は、厚さ方向ｚにおいて、一対の外部端子５１，５２と第２磁性膜３２との間に配置される。絶縁層６２は、第２磁性膜３２と一対の外部端子５１，５２とを絶縁する。各第２磁性膜３２と各外部端子５１，５２との絶縁が確保される場合には、磁気部品Ａ１０は、絶縁層６２を備えていなくてもよい。絶縁層６２は、絶縁性を有するものであれば何ら限定されないが、たとえばＳｉＯ2を含む。
【0035】
一対の外部端子５１，５２は、電子機器などの回路基板に磁気部品Ａ１０を実装するための端子である。図８～図１０に示すように、一対の外部端子５１，５２はそれぞれ、絶縁層６２を挟んで、複数の第２磁性膜３２上に形成される。一対の外部端子５１，５２はそれぞれ、たとえばニッケル層、パラジウム層および金層の積層構造をなす。なお、一対の外部端子５１，５２の積層構造は、先述の例に限定されず、ニッケル層および金層であってもよい。また、一対の外部端子５１，５２は、積層構造ではなく、１つの金属層の単層構造であってもよい。当該金属層は、たとえば銅または銅合金、もしくは、金または金合金などを含む。
【0036】
図９に示すように、外部端子５１は、接続配線部２２に接する。外部端子５１は、接続配線部２２を介して導体パターン２１の接続端２１１に導通する。図１０に示すように、外部端子５２は、接続配線部２３に接する。外部端子５２は、接続配線部２３を介して導体パターン２１の接続端２１２に導通する。一対の外部端子５１，５２のいずれか一方から入力された電流は、導体パターン２１を介して、一対の外部端子５１，５２のいずれか他方から出力される。
【0037】
次に、磁気部品Ａ１０の製造方法の一例を、図１１～図２４を参照して説明する。図１１～図２４は、磁気部品Ａ１０の製造方法の一工程を示す図である。図１１、図１２、図１４、図１６～図１９、図２１、図２３および図２４は、磁気部品Ａ１０の製造法の一工程を示す断面図であって、図９の断面に対応する。図１３は、図１２に示す工程に対応する平面図であり、図１５は、図１４に示す工程に対応する平面図であり、図２０は、図１９に示す工程に対応する平面図であり、図２２は、図２１に示す工程に対応する平面図である。なお、実際の製造方法では、以下に示す一連の処理により、複数の磁気部品Ａ１０が製造されうるが、図１１～図２４は、１つの磁気部品Ａ１０のみを図示する。
【0038】
磁気部品Ａ１０の製造方法では、まず、図１１に示すように、支持基板１を準備し、当該支持基板１に絶縁層６１を形成する。支持基板１の準備では、たとえばＳｉウエハを用意する。用意するＳｉウエハは、複数の磁気部品Ａ１０を製造可能な大きさである。そして、準備した支持基板１の基板主面１０ａに絶縁層６１を形成する。絶縁層６１の形成は、たとえば熱酸化である。絶縁層６１の形成方法は、熱酸化に限定されず、スパッタリング法であってもよい。
【0039】
次いで、図１２～図１５に示すように、絶縁層６１上に、複数の第１磁性膜３１を形成する。複数の第１磁性膜３１は、たとえばＣｏＦｅＢを含む。複数の第１磁性膜３１の形成では、次に示す第１処理および第２処理を有する。第１処理では、図１２および図１３に示すように、各磁性部３Ａ，３Ｃの第１磁性膜３１をそれぞれ、スパッタリング法により形成する。なお、理解の便宜上、図１３において、各第１磁性膜３１の形成領域をドット柄で示す。このとき、第１磁性方向ｄ１が第１方向ｘに沿い且つ第２磁性方向ｄ２が第２方向ｙに沿うように、各磁性部３Ａ，３Ｃの第１磁性膜３１を形成する。第２処理では、図１４および図１５に示すように、各磁性部３Ｂ，３Ｄの第１磁性膜３１をそれぞれ、スパッタリング法により形成する。なお、理解の便宜上、図１５において、各第１磁性膜３１の形成領域をドット柄で示す。このとき、第１磁性方向ｄ１が第２方向ｙに沿い且つ第２磁性方向ｄ２が第１方向ｘに沿うように、各磁性部３Ｂ，３Ｄの第１磁性膜３１を形成する。なお、第１処理および第２処理は、どちらを先に行ってもよい。
【0040】
次いで、図１６に示すように、複数の第１磁性膜３１上に、絶縁層４１を形成する。絶縁層４１の形成では、たとえば、ＳｉＯ2をスパッタリング法により積層させる。
【0041】
次いで、図１７に示すように、絶縁層４１上に、導体パターン２１を形成する。導体パターン２１の形成では、まず、シード層をスパッタリング法により絶縁層４１の上面全体に形成する。シード層は、たとえばＣｕを含む。続いて、シード層上にレジストを部分的に形成する。続いて、シード層を導電経路とする電解めっきにより、レジストから露出するシード層上にめっき層を形成する。めっき層は、シード層と同様に、たとえばＣｕを含む。その後、レジストおよび不要なシード層（めっき層から露出するシード層）を除去する。以上の処理を経て、導体パターン２１が形成される。形成された導体パターン２１は、スパイラル状に平面巻回されている。
【0042】
次いで、図１８に示すように、導体パターン２１を覆う絶縁被膜４２を形成する。絶縁被膜４２の形成は、たとえばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法によりＳｉＯ2を成膜する。
【0043】
次いで、図１９～図２２に示すように、複数の第２磁性膜３２および複数の第３磁性膜３３を形成する。複数の第２磁性膜３２および複数の第３磁性膜３３は、たとえばＣｏＦｅＢを含む。複数の第２磁性膜３２および複数の第３磁性膜３３の形成では、次に示す第３処理および第４処理を有する。第３処理では、図１９および図２０に示すように、各磁性部３Ａ，３Ｃの第２磁性膜３２および第３磁性膜３３をそれぞれ、スパッタリング法により形成する。なお、理解の便宜上、図２０において、各第２磁性膜３２および各第３磁性膜３３の形成領域をドット柄で示す。このとき、第１磁性方向ｄ１が第１方向ｘに沿い且つ第２磁性方向ｄ２が第２方向ｙに沿うように、各磁性部３Ａ，３Ｃの第２磁性膜３２および第３磁性膜３３を形成する。第４処理では、図２１および図２２に示すように、各磁性部３Ｂ，３Ｄの第２磁性膜３２および第３磁性膜３３をそれぞれ、スパッタリング法により形成する。なお、理解の便宜上、図２２において、各第２磁性膜３２および第３磁性膜３３の形成領域をドット柄で示す。このとき、第１磁性方向ｄ１が第２方向ｙに沿い且つ第２磁性方向ｄ２が第１方向ｘに沿うように、各磁性部３Ｂ，３Ｄの第２磁性膜３２および第３磁性膜３３を形成する。第３処理および第４処理は、どちらを先に行ってもよい。
【0044】
次いで、図２３に示すように、複数の第２磁性膜３２上に、絶縁層６２を形成する。絶縁層６２の形成では、たとえば、ＳｉＯ2をスパッタリング法により積層させる。
【0045】
次いで、図２４に示すように、コイル部２の一対の接続配線部２２，２３を形成する。一対の接続配線部２２，２３の形成では、まず、絶縁層６２、第２磁性膜３２および絶縁被膜４２をそれぞれ部分的に除去し、導体パターン２１の一対の接続端２１１，２１２をそれぞれ露出させる。続いて、露出させた一対の接続端２１１，２１２に繋がる一対の接続配線部２２，２３を形成する。
【0046】
次いで、一対の外部端子５１，５２をそれぞれ形成する。一対の外部端子５１，５２は、図２５に示す想像線の範囲に形成される。一対の外部端子５１，５２の形成方法は、何ら限定されないが、たとえば電解めっき、無電解めっき、スパッタリング法などが用いられる。その後、磁気部品Ａ１０毎に個片化することで、図１～図１０に示す磁気部品Ａ１０が製造される。
【0047】
第１実施形態にかかる磁気部品Ａ１０の作用および効果は、次の通りである。
【0048】
磁気部品Ａ１０は、コイル部２と、磁性体３とを備える。磁性体３は、第１磁性方向ｄ１および第２磁性方向ｄ２を有し、第１磁性方向ｄ１と第２磁性方向ｄ２とは、磁気的性質の大きさが異なる。この構成によれば、第１磁性方向ｄ１あるいは第２磁性方向ｄ２のいずれかを、コイル部２の通電によって発生する磁束に合わせて配置することで、磁気部品Ａ１０の磁気的性質を調整することが可能となる。したがって、磁気部品Ａ１０は、磁気的性質の改善を図ることが可能となる。
【0049】
磁気部品Ａ１０では、上記磁気的性質は、透磁率であり、第１磁性方向ｄ１の透磁率は、第２磁性方向ｄ２の透磁率よりも高い。この構成によれば、コイル部２の通電によって発生する磁束に対して、磁性体３の透磁率が高くなる。これにより、磁気部品Ａ１０は、インダクタンス値を向上できる。
【0050】
磁気部品Ａ１０では、磁性体３は、複数の磁性部３Ａ～３Ｄを含む。複数の磁性部３Ａ～３Ｄはそれぞれ、第１磁性方向ｄ１および第２磁性方向ｄ２を有する。複数の磁性部３Ａ～３Ｄは、コイル部２（導体パターン２１）を仮想的に複数の領域２Ａ～２Ｄに分けたとき、複数の領域２Ａ～２Ｄの各々に対して、それぞれ個別に配置される。複数の領域２Ａ～２Ｄの各々においては、たとえばコイル部２への通電によって発生する磁束の向きがそれぞれ異なる。このため、磁性体３を複数の磁性部３Ａ～３Ｄに分けることで、各領域２Ａ～２Ｄにおける磁束の向きに対応させることができる。これにより、磁気部品Ａ１０は、各領域２Ａ～２Ｄにおける磁気抵抗を低減できるので、インダクタンス値を向上できる。
【0051】
以下に、本開示の磁気部品の他の実施形態および変形例について、説明する。各実施形態および各変形例における各部の構成は、技術的な矛盾が生じない範囲において相互に組み合わせ可能である。
【0052】
図２５は、第１実施形態の第１変形例にかかる磁気部品Ａ１１を示している。図２５に示す平面図は、図３に示す平面に対応する。上記磁気部品Ａ１０では、複数の磁性部３Ａ～３Ｄの各々が略均等な大きさとなるように、磁性体３を分割していた。これに対して、磁気部品Ａ１１では、図２５に示すように、複数の磁性部３Ａ～３Ｄの大きさが均等ではない。
【0053】
磁気部品Ａ１１では、複数の磁性部３Ａ～３Ｄは、コイル部２の通電によって発生する磁束の向きに応じて、異なる大きさおよび異なる形状で分割されている。この構成によれば、コイル部２による磁束の向きに対して、各磁性部３Ａ～３Ｄの第１磁性方向ｄ１が一致する割合を高めることができる。したがって、磁気部品Ａ１１では、磁気部品Ａ１０よりもさらに磁気的性質の改善を図ることができる。
【0054】
図２６は、第１実施形態の第２変形例にかかる磁気部品Ａ１２を示している。図２６に示す断面図は、図９に示す断面に対応する。上記磁気部品Ａ１０では、一対の外部端子５１，５２が絶縁層６２上に形成されていた。これに対して、磁気部品Ａ１２は、一対の外部端子５１，５２は、支持基板１の基板裏面１０ｂ上に形成されている。
【0055】
磁気部品Ａ１２で示すように、一対の外部端子５１，５２は、導体パターン２１に対して、厚さ方向ｚのどちら側に配置されていてもよい。さらには、一対の外部端子５１，５２は、導体パターン２１を挟んで、厚さ方向ｚに互いに反対側に配置されていてもよい。つまり、一対の外部端子５１，５２の一方は、支持基板１の基板裏面１０ｂ上に形成され、一対の外部端子５１，５２の他方は、絶縁層６２上に形成されていてもよい。
【0056】
図２７は、第１実施形態の第３変形例にかかる磁気部品Ａ１３を示している。図２７に示す断面図は、図８に示す断面に対応する。上記磁気部品Ａ１０では、支持基板１を備えた例を示した。これに対して、磁気部品Ａ１３は、支持基板１を備えていない。
【0057】
磁気部品Ａ１３は、たとえば、磁気部品Ａ１０の製造方法において、支持基板１を基板裏面１０ｂ側から研削する工程を追加することで、製造される。この研削工程は、たとえば、複数の第２磁性膜３２および複数の第３磁性膜３３の形成後であって、個片化前のいずれかで行われる。
【0058】
磁気部品Ａ１３は、支持基板１を備えていない。この構成によれば、支持基板１の厚さ（厚さ方向ｚの寸法）だけ、磁気部品Ａ１３の厚さ（厚さ方向ｚの寸法）が縮小される。したがって、磁気部品Ａ１３は、磁気部品Ａ１０よりも薄型化される。
【0059】
図２８および図２９は、第１実施形態の第４変形例にかかる磁気部品Ａ１４を示している。図２８に示す平面図は、図３に示す平面に対応し、図２９に示す断面図は、図８に示す断面に対応する。上記磁気部品Ａ１０では、厚さ方向ｚに見て、導体パターン２１の巻回軸の周辺まで、磁性体３（複数の磁性部３Ａ～３Ｄ）が形成されていた。これに対して、磁気部品Ａ１４では、厚さ方向ｚに見て、導体パターン２１の巻回軸の周辺には、磁性体３（複数の磁性部３Ａ～３Ｄ）が形成されていない。
【0060】
図示された導体パターン２１では、導体パターン２１の巻回軸周辺には、環状部２１０が形成されていない。この場合、導体パターン２１の巻回軸の周辺での磁束密度の第１方向ｘの成分あるいは第２方向ｙの成分が、導体パターン２１の近辺での磁束密度よりも小さいことがある。そこで、磁気部品Ａ１４では、導体パターン２１の近辺にのみ、磁性体３（複数の磁性部３Ａ～３Ｄ）が形成されている。このように、磁束密度の大きさに応じて、磁性体３の形成範囲を変えることも可能である。この構成によれば、磁性体３を形成する範囲を小さくできるため、製造コストを抑制することが可能となる。
【0061】
先述の各磁気部品Ａ１１～Ａ１４は、磁気部品Ａ１０と同様に、次の特徴を有する。それは、磁性体３は、磁気的性質の大きさが異なる第１磁性方向ｄ１および第２磁性方向ｄ２を有する。したがって、各磁気部品Ａ１１～Ａ１４は、磁気部品Ａ１０と同様に、磁気的性質の改善を図ることが可能となる。その他、各磁気部品Ａ１１～Ａ１４は、磁気部品Ａ１０と共通する構成により、当該磁気部品Ａ１０と同様の効果を奏する。
【0062】
図３０および図３１は、第２実施形態にかかる磁気部品Ａ２０を示している。磁気部品Ａ２０は、磁気部品Ａ１０と比較して、次の点で異なる。それは、複数の磁性部３Ａ～３Ｄが、間隙３９を隔てて配置されている点である。図３０に示す平面図は、図３に示す平面に対応し、図３１に示す断面図は、図８に示す断面に対応する。
【0063】
間隙３９は、磁性体３を厚さ方向ｚに貫通する。つまり、間隙３９は、厚さ方向ｚにおいて、各第１磁性膜３１（下面）から各第２磁性膜３２（上面）に跨って形成されている。磁気部品Ａ２０では、間隙３９により、複数の磁性部３Ａ～３Ｄは、互いに接していない。図３１に示すように、間隙３９には、絶縁層４１および絶縁層６２が充填される。磁気部品Ａ１０では、複数の磁性部３Ａ～３Ｄが互いに接するように形成されるが、磁性体３の形成精度によって、各磁性部３Ａ～３Ｄの間に間隙３９を設けることが好ましい場合がある。このように、磁性体３の形成精度に応じて、磁性体３に間隙３９を設けてもよい。
【0064】
磁気部品Ａ２０は、磁気部品Ａ１０と同様に、次の特徴を有する。それは、磁性体３は、磁気的性質の大きさが異なる第１磁性方向ｄ１および第２磁性方向ｄ２を有する。したがって、磁気部品Ａ２０は、磁気部品Ａ１０と同様に、磁気的性質の改善を図ることが可能となる。その他、磁気部品Ａ２０は、磁気部品Ａ１０と共通する構成により、当該磁気部品Ａ１０と同様の効果を奏する。
【0065】
図３２は、第２実施形態の変形例にかかる磁気部品Ａ２１を示している。図３２に示す断面図は、図３１に示す断面に対応する。上記磁気部品Ａ２０では、間隙３９には、絶縁層４１および絶縁層６２が充填されていた。そのため、絶縁層４１および絶縁層６２はそれぞれ、部分的に厚さが大きい部分を有する。これに対して、磁気部品Ａ２１では、絶縁層４１および絶縁層６２は、厚さが一様である薄膜で構成される。
【0066】
磁気部品Ａ２１の磁性体３は、各磁気部品Ａ１０，Ａ２０と同様に、磁気的性質の大きさが異なる第１磁性方向ｄ１および第２磁性方向ｄ２を有する。したがって、磁気部品Ａ２１は、各磁気部品Ａ１０，Ａ２０と同様に、磁気的性質の改善を図ることが可能となる。その他、磁気部品Ａ２１は、先述の磁気部品Ａ１０，Ａ２０と共通する構成により、当該磁気部品Ａ１０，Ａ２０と同様の効果を奏する。
【0067】
図３３は、第３実施形態にかかる磁気部品Ａ３０を示している。図３３に示す断面図は、図８に示す断面に対応する。磁気部品Ａ３０は、磁気部品Ａ１０と比較して、次の点で異なる。第１に、磁気部品Ａ３０は、支持基板１を備えない。第２に、磁気部品Ａ３０の絶縁体４は、絶縁層４１を含んでいない。
【0068】
磁気部品Ａ３０では、図３３に示すように、絶縁体４の絶縁被膜４２は、導体パターン２１の配線方向に見て、導体パターン２１の全周を覆っている。
【0069】
磁気部品Ａ３０は、たとえば、次のように製造される。まず、導体パターン２１を準備する。次いで、準備した導体パターン２１に、絶縁被膜４２を形成する。次いで、絶縁被膜４２を覆う磁性体３（複数の磁性部３Ａ～３Ｄ）を形成する。次いで、磁性体３の厚さ方向ｚの両面に一対の絶縁層６１，６２を形成する。次いで、一対の接続配線部２２，２３を形成した後、一対の外部端子５１，５２を形成する。以上のような工程を経て、磁気部品Ａ３０が製造されうる。
【0070】
磁気部品Ａ３０は、各磁気部品Ａ１０，Ａ２０と同様に、次の特徴を有する。それは、磁性体３は、磁気的性質の大きさが異なる第１磁性方向ｄ１および第２磁性方向ｄ２を有する。したがって、磁気部品Ａ３０は、各磁気部品Ａ１０，Ａ２０と同様に、磁気的性質の改善を図ることが可能となる。その他、磁気部品Ａ３０は、先述の磁気部品Ａ１０，Ａ２０と共通する構成により、当該磁気部品Ａ１０，Ａ２０と同様の効果を奏する。
【0071】
図３４および図３５は、第４実施形態にかかる磁気部品Ａ４０を示している。図３４に示す平面図は、図３に示す平面に対応し、図３５に示す断面図は、図８に示す断面に対応する。磁気部品Ａ４０は、磁気部品Ａ１０と比較して、磁性体３が複数の磁性部３Ａ～３Ｄに分割されていない点で異なる。
【0072】
磁気部品Ａ４０は、磁性体３により、導体パターン２１の全体が覆われている。磁気部品Ａ４０では、図３４に示すように、磁性体３の第１磁性方向ｄ１が第２方向ｙに沿って配置され、磁性体３の第２磁性方向ｄ２が第１方向ｘに沿って配置されている。この例とは異なり、磁性体３の第１磁性方向ｄ１が第１方向ｘに沿って配置され、磁性体３の第２磁性方向ｄ２が第２方向ｙに沿って配置されていてもよい。
【0073】
磁気部品Ａ４０は、各磁気部品Ａ１０，Ａ２０，Ａ３０と同様に、次の特徴を有する。それは、磁性体３は、磁気的性質の大きさが異なる第１磁性方向ｄ１および第２磁性方向ｄ２を有する。
【0074】
磁気部品Ａ４０では、磁性体３は、複数の磁性部３Ａ～３Ｄに分割されていない。磁気部品Ａ１０では、磁性体３が複数の磁性部３Ａ～３Ｄに分割されていたため、磁気部品Ａ１０の製造方法においては、たとえば図１２～図１５に示すように、第１磁性膜３１の形成を複数回に分けている。一方は、磁気部品Ａ４０は、複数の磁性部３Ａ～３Ｄに分割されていないので、先述のように、第１磁性膜３１の形成を複数回に分けて形成する必要がない。したがって、磁気部品Ａ４０は、磁気部品Ａ１０と比較して、容易に製造することが可能である。ただし、磁気的性質の改善においては、導体パターン２１の形状に合わせて、磁性体３を複数の磁性部３Ａ～３Ｄに分割することが好ましい。
【0075】
上記第１実施形態ないし上記第４実施形態では、コイル部２（導体パターン２１）は、平面スパイラル状に巻回された例を示したが、コイル部２（導体パターン２１）の形状は、これに限定されない。たとえば、コイル部２（導体パターン２１）は、トロイダル形状、つづら折り形状、あるいは、ソレノイド形状に形成されていてもよい。トロイダル形状である場合と、つづら折り形状である場合とをそれぞれ、図３６および図３７を参照して、以下に説明する。図３６および図３７に示す各平面図は、図７に示す平面模式図に対応する。
【0076】
図３６および図３７に示す例では、磁性体３が複数の磁性部３Ｋに分割されている。複数の磁性部３Ｋは、導体パターン２１を複数の領域に分割したとき、当該複数の領域にそれぞれ個別に配置される。複数の領域は、上述する通り、導体パターン２１の通電により発生する磁束の向きに応じて、仮想的に分割されたものである。図３６に示す例では、磁性体３は、８つの磁性部３Ｋに分割され、８つの磁性部３Ｋは、厚さ方向ｚに見たときの導体パターン２１の径方向に沿って配列される。そして、８つの磁性部３Ｋはそれぞれ、第１磁性方向ｄ１が厚さ方向ｚに見たときの導体パターン２１の径方向に沿うように配置される。これは、図３６に示す例において発生する磁束は、トロイダル形状の導体パターン２１によって区画される内側の空間を通るためである。図３７に示す例では、３つの磁性部３Ｋが第２方向ｙに沿って配列される。そして、３つの磁性部３Ｋのうちの中央は、第１磁性方向ｄ１が第１方向ｘに沿うように配置され、３つの磁性部３Ｋのうちの両外側のそれぞれは、第１磁性方向ｄ１が第２方向ｙに沿うように配置される。これは、図３７に示す例において、第２方向ｙ中央の領域では、導体パターン２１の配線方向が、主に第２方向ｙに沿っており、第２方向ｙ両外側の領域では、導体パターン２１の配線方向が、主に第１方向ｘに沿っているためである。
【0077】
図３６および図３７に示す磁気部品においても、磁気的性質の改善を図ることが可能となる。なお、図３６および図３７に示す例において、磁性部３Ｋの数は、上記した例に限定されない。磁性体３をより細分化して、磁性部３Ｋの数を多くすると、第１磁性方向ｄ１と磁束の向きとが一致する割合が大きくなるため、磁気的性質を改善する上で好ましい。一方で、磁性体３をより大まかに分けて、磁性部３Ｋの数を少なくすると、製造を簡略化する上で好ましい。
【0078】
上記第１実施形態ないし第４実施形態（これらの変形例を含む）では、コイル部２は、導体パターン２１を含む例を示した。この例とは異なり、コイル部２は、導体パターン２１の代わりに、導線を物理的に巻回したものを用いてもよい。
【0079】
上記第１実施形態ないし第４実施形態（これらの変形例を含む）では、第１磁性方向ｄ１の透磁率が、第２磁性方向ｄ２の透磁率よりも高い例を示した。この例とは異なり、第１磁性方向ｄ１の透磁率が、第２磁性方向ｄ２の透磁率よりも低くてもよい。
【0080】
上記第１実施形態ないし第４実施形態（これらの変形例を含む）では、磁性体３の磁気異方性について、第１磁性方向ｄ１と第２磁性方向ｄ２とで透磁率が互いに異なる例を示した。この例とは異なり、第１磁性方向ｄ１と第２磁性方向ｄ２とでヒステリシス損失が異なっていてもよい。つまり、上記磁気的性質は、透磁率ではなくヒステリシス損失であってもよい。たとえば、第１磁性方向ｄ１のヒステリシス損失は、第２磁性方向ｄ２のヒステリシス損失よりも小さい。この例においては、コイル部２の通電によって発生する磁束に対して、磁性体３のヒステリシス損失が小さくなる。これにより、当該変形例にかかる磁気部品は、エネルギー損失を低減できる。
【0081】
本開示にかかる磁気部品は、上記した実施形態に限定されるものではない。本開示の磁気部品の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。たとえば、本開示の磁気部品は、以下の付記に関する実施形態を含む。
付記１．
導電体を含むコイル部と、
前記コイル部を覆う磁性体と、
を備え、
前記磁性体は、第１磁性方向と第２磁性方向とを有し、
前記第１磁性方向と前記第２磁性方向とは、磁気的性質の大きさが互いに異なる、磁気部品。
付記２．
前記磁性体は、前記コイル部が発生させる磁束の方向に前記第１磁性方向が沿うように配置される、付記１に記載の磁気部品。
付記３．
前記磁気的性質は、透磁率であり、
前記第１磁性方向の透磁率は、前記第２磁性方向の透磁率よりも高い、付記２に記載の磁気部品。
付記４．
前記磁気的性質は、ヒステリシス損失であり、
前記第１磁性方向のヒステリシス損失は、前記第２磁性方向のヒステリシス損失よりも小さい、付記２に記載の磁気部品。
付記５．
前記磁性体は、前記コイル部に流れる電流の方向に前記第１磁性方向が直交するように配置される、付記１ないし付記４のいずれかに記載の磁気部品。
付記６．
前記磁性体は、互いに分離する複数の磁性部を含み、
前記複数の磁性部の各々は、前記第１磁性方向および前記第２磁性方向を有し、
前記コイル部を仮想的に複数の領域に分けたとき、当該複数の領域の各々に対して、前記複数の磁性部がそれぞれ個別に配置される、付記１ないし付記５のいずれかに記載の磁気部品。
付記７．
前記コイル部は、前記磁気部品の厚さ方向に直交する平面に沿って形成された導体パターンを含み、
前記第１磁性方向および前記第２磁性方向の各々は、前記厚さ方向に直交する、付記１ないし付記６のいずれかに記載の磁気部品。
付記８．
前記導体パターンは、前記厚さ方向に見てスパイラル状に巻回される、付記７に記載の磁気部品。
付記９．
前記導体パターンに接する絶縁被膜をさらに備え、
前記絶縁被膜は、前記導体パターンの配線方向に見て前記導体パターンを覆う、付記７または付記８に記載の磁気部品。
付記１０．
前記磁性体は、前記絶縁被膜を覆う、付記９に記載の磁気部品。
付記１１．
前記磁性体は、少なくとも１つの第１磁性膜と少なくとも１つの第２磁性膜とを含み、
前記少なくとも１つの第１磁性膜と前記少なくとも１つの第２磁性膜とは、前記厚さ方向において前記導体パターンを挟んで互いに反対側に配置される、付記７ないし付記１０のいずれかに記載の磁気部品。
付記１２．
前記少なくとも１つの第１磁性膜と前記少なくとも１つの第２磁性膜とは、互いに離れている、付記１１に記載の磁気部品。
付記１３．
前記導体パターンは、第１環状部と、前記第１環状部に繋がる第２環状部とを含み、
前記磁性体は、前記第１環状部と前記第２環状部との間に介在する第３磁性膜を含む、付記１１または付記１２に記載の磁気部品。
付記１４．
前記第３磁性膜は、少なくとも１つの第２磁性膜に繋がる、付記１３に記載の磁気部品。
付記１５．
前記第３磁性膜と前記少なくとも１つの第１磁性膜と間に介在する絶縁層をさらに備える、付記１３または付記１４に記載の磁気部品。
付記１６．
前記少なくとも１つの第１磁性膜は、複数の第１磁性膜を含み、
前記複数の第１磁性膜は、前記絶縁層を隔てて配置される、付記１５に記載の磁気部品。
付記１７．
前記磁性体は、コバルト鉄ボロン、あるいは、フェライトを含む、付記１ないし付記１６のいずれかに記載の磁気部品。
付記１．
導電体を含むコイル部と、
前記コイル部を覆う磁性体と、
を備え、
前記磁性体は、第１磁性方向と第２磁性方向とを有し、
前記第１磁性方向と前記第２磁性方向とは、磁気的性質の大きさが互いに異なる、磁気部品。
付記２．
前記磁性体は、前記コイル部が発生させる磁束の方向に前記第１磁性方向が沿うように配置される、付記１に記載の磁気部品。
付記３．
前記磁気的性質は、透磁率であり、
前記第１磁性方向の透磁率は、前記第２磁性方向の透磁率よりも高い、付記２に記載の磁気部品。
付記４．
前記磁気的性質は、ヒステリシス損失であり、
前記第１磁性方向のヒステリシス損失は、前記第２磁性方向のヒステリシス損失よりも小さい、付記２に記載の磁気部品。
付記５．
前記磁性体は、前記コイル部に流れる電流の方向に前記第１磁性方向が直交するように配置される、付記１ないし付記４のいずれかに記載の磁気部品。
付記６．
前記磁性体は、互いに分離する複数の磁性部を含み、
前記複数の磁性部の各々は、前記第１磁性方向および前記第２磁性方向を有し、
前記コイル部を仮想的に複数の領域に分けたとき、当該複数の領域の各々に対して、前記複数の磁性部がそれぞれ個別に配置される、付記１ないし付記５のいずれかに記載の磁気部品。
付記７．
前記コイル部は、前記磁気部品の厚さ方向に直交する平面に沿って形成された導体パターンを含み、
前記第１磁性方向および前記第２磁性方向の各々は、前記厚さ方向に直交する、付記１ないし付記６のいずれかに記載の磁気部品。
付記８．
前記導体パターンは、前記厚さ方向に見てスパイラル状に巻回される、付記７に記載の磁気部品。
付記９．
前記導体パターンに接する絶縁被膜をさらに備え、
前記絶縁被膜は、前記導体パターンの配線方向に見て前記導体パターンを覆う、付記７または付記８に記載の磁気部品。
付記１０．
前記磁性体は、前記絶縁被膜を覆う、付記９に記載の磁気部品。
付記１１．
前記磁性体は、少なくとも１つの第１磁性膜と少なくとも１つの第２磁性膜とを含み、
前記少なくとも１つの第１磁性膜と前記少なくとも１つの第２磁性膜とは、前記厚さ方向において前記導体パターンを挟んで互いに反対側に配置される、付記７ないし付記１０のいずれかに記載の磁気部品。
付記１２．
前記少なくとも１つの第１磁性膜と前記少なくとも１つの第２磁性膜とは、互いに離れている、付記１１に記載の磁気部品。
付記１３．
前記導体パターンは、第１環状部と、前記第１環状部に繋がる第２環状部とを含み、
前記磁性体は、前記第１環状部と前記第２環状部との間に介在する第３磁性膜を含む、付記１１または付記１２に記載の磁気部品。
付記１４．
前記第３磁性膜は、少なくとも１つの第２磁性膜に繋がる、付記１３に記載の磁気部品。
付記１５．
前記第３磁性膜と前記少なくとも１つの第１磁性膜と間に介在する絶縁層をさらに備える、付記１３または付記１４に記載の磁気部品。
付記１６．
前記少なくとも１つの第１磁性膜は、複数の第１磁性膜を含み、
前記複数の第１磁性膜は、前記絶縁層を隔てて配置される、付記１５に記載の磁気部品。
付記１７．
前記磁性体は、コバルト鉄ボロン、あるいは、フェライトを含む、付記１ないし付記１６のいずれかに記載の磁気部品。
【符号の説明】
【0082】
Ａ１０～Ａ１４，Ａ２０，Ａ２１，Ａ３０，Ａ４０：磁気部品
１ ：支持基板
１０ａ ：基板主面
１０ｂ ：基板裏面
２ ：コイル部
２Ａ～２Ｄ：領域
２１ ：導体パターン
２１０ ：環状部
２１１，２１２：接続端
２２，２３：接続配線部
３ ：磁性体
３Ａ～３Ｄ，３Ｋ：磁性部
３１ ：第１磁性膜
３２ ：第２磁性膜
３３ ：第３磁性膜
３９ ：間隙
４ ：絶縁体
４１ ：絶縁層
４２ ：絶縁被膜
５１，５２：外部端子
６１，６２：絶縁層
ｄ１ ：第１磁性方向
ｄ２ ：第２磁性方向
１ ：支持基板
１０ａ ：基板主面
１０ｂ ：基板裏面
２ ：コイル部
２Ａ～２Ｄ：領域
２１ ：導体パターン
２１０ ：環状部
２１１，２１２：接続端
２２，２３：接続配線部
３ ：磁性体
３Ａ～３Ｄ，３Ｋ：磁性部
３１ ：第１磁性膜
３２ ：第２磁性膜
３３ ：第３磁性膜
３９ ：間隙
４ ：絶縁体
４１ ：絶縁層
４２ ：絶縁被膜
５１，５２：外部端子
６１，６２：絶縁層
ｄ１ ：第１磁性方向
ｄ２ ：第２磁性方向
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】
【図32】
【図33】
【図34】
【図35】
【図36】
【図37】