特開 2024-132488 接合層、及び接合構造

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024132488

(43)【公開日】2024-10-01

(54)【発明の名称】接合層、及び接合構造

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/60 20060101AFI20240920BHJP

   H05K 1/18 20060101ALI20240920BHJP

【ＦＩ】

H01L21/60 311Q

H05K1/18 J

【審査請求】未請求

【請求項の数】6

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023043263

(22)【出願日】2023-03-17

(71)【出願人】

【識別番号】000003067

【氏名又は名称】ＴＤＫ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100088155

【弁理士】

【氏名又は名称】長谷川 芳樹

(74)【代理人】

【識別番号】100113435

【弁理士】

【氏名又は名称】黒木 義樹

(74)【代理人】

【識別番号】100124062

【弁理士】

【氏名又は名称】三上 敬史

(72)【発明者】

【氏名】水戸瀬 智久

(72)【発明者】

【氏名】谷口 晋

【テーマコード（参考）】

5E336

5F044

【Ｆターム（参考）】

5E336AA04

5E336EE01

5E336GG12

5F044KK01

5F044LL01

5F044LL15

5F044QQ08

(57)【要約】

【課題】実装密度の向上に伴う基板電極の狭ピッチ化による、電子部品の二次実装やリペア等の後工程における端子間ショートを抑制することができる接合層、及び接合構造を提供する。
【解決手段】接合層２０Ａ，２０Ｂは、少なくとも基板電極１０Ａ，１０Ｂとの接合部３０において基板電極１０Ａ，１０Ｂの幅よりも狭い幅を有する。すなわち、接合後の状態において、接合部３０での幅が接合相手の基板電極１０Ａ，１０Ｂの幅よりは狭くなっている。この場合、二次実装やリペア等の後工程の場面において、荷重による変形、または溶融による接合層の変形が生じても、接合層２０Ａ，２０Ｂの幅方向への広がりを抑制することができる。従って、変形後の接合層２０Ａが、他の基板電極１０Ｂに対する接合層２０Ｂと接触することを抑制できる。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

電子部品と基板電極とを接合する接合層であって、
少なくとも前記基板電極との接合部において前記基板電極の幅よりも狭い幅を有する、接合層。

【請求項2】

前記基板電極は、バリア層を含み、
前記接合層は、前記接合部において前記バリア層の幅よりも狭い幅を有する、請求項１に記載の接合層。

【請求項3】

Ｓｎを含有する、請求項１に記載の接合層。

【請求項4】

前記基板電極は、バリア層を含み、
前記接合層は、本体部と、前記バリア層との間に形成される金属間化合物層と、を有し、
前記金属間化合物層は、前記本体部が含有する第１の金属元素、及び前記バリア層が含有する第２の金属元素からなる金属間化合物を含有する、請求項１に記載の接合層。

【請求項5】

電子部品と基板とを接合する接合構造であって、
前記電子部品と第１の基板電極とを接合する第１の接合層と、
前記第１の接合層から幅方向に離間した状態で隣り合うように配置され、前記電子部品と第２の基板電極とを接合する第２の接合層と、を備え、
前記第１の接合層及び前記第２の接合層の少なくとも一方の接合層は、一方の基板電極との接合部において、前記一方の基板電極よりも他方の接合層から前記幅方向に離間した位置に配置される、接合構造。

【請求項6】

前記一方の基板電極と他方の基板電極との間の前記幅方向における離間距離を第１の寸法とし、
前記一方の接合層の前記接合部と、前記他方の接合層との間の前記幅方向における離間距離を第２の寸法とした場合、
前記第２の寸法は、前記第１の寸法より大きい、請求項５に記載の接合構造。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、接合層、及び接合構造に関する。

【背景技術】

【0002】

電子機器の小型化、薄型化に伴い、電子部品の高密度実装に対する要求が高まっている。高密度実装のために、半導体チップ等の電子部品を樹脂等で封止することなく裸の状態で、回路基板に直接搭載するフリップチップ実装が採用されている（例えば特許文献１）。近年、低コストで高密度実装に有利な方法として、半導体チップにめっき法で形成しためっきバンプや、金線の先端に形成した金ボールをパッド上に固定したスタッドバンプ等の金属バンプを用いた熱圧着接合、超音波接合等が注目されている。（例えば特許文献１）

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２００３－２００２８９号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

ここで、電子部品の実装密度を向上させると、基板電極間のピッチが狭くなる。このように、基板電極の狭ピッチ化により、電子部品の二次実装やリペア等の後工程において、接合層を介した端子間ショートが発生する問題があった。

【0005】

本発明は、実装密度の向上に伴う基板電極の狭ピッチ化による、電子部品の二次実装やリペア等の後工程における端子間ショートを抑制することができる接合層、及び接合構造を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明に係る接合層は、電子部品と基板電極とを接合する接合層であって、少なくとも基板電極との接合部において基板電極の幅よりも狭い幅を有する。

【0007】

本発明に係る接合層は、少なくとも基板電極との接合部において基板電極の幅よりも狭い幅を有する。すなわち、接合後の状態において、接合部での幅が接合相手の基板電極の幅よりは狭くなっている。この場合、二次実装やリペア等の後工程の場面において、荷重による変形、または溶融による接合層の変形が生じても、接合層の幅方向への広がりを抑制することができる。従って、変形後の接合層が、他の基板電極に対する接合層と接触することを抑制できる。以上より、電子部品の二次実装やリペア等の後工程における端子間ショートを抑制することができる。

【0008】

基板電極は、バリア層を含み、接合層は、接合部においてバリア層の幅よりも狭い幅を有してよい。この場合、基板電極がバリア層を有している場合でも、上述と同様の効果を得ることができる。

【0009】

接合層は、Ｓｎを含有してよい。Ｓｎを含有する接合層は柔らかく、且つ融点が低い。従って、後工程において変形しやすく端子間ショートのリスクが高い。しかし、上記構造を有することで、後工程における端子間ショートを抑制することができる。

【0010】

基板電極は、バリア層を含み、接合層は、本体部と、バリア層との間に形成される金属間化合物層と、を有し、金属間化合物層は、本体部が含有する第１の金属元素、及びバリア層が含有する第２の金属元素からなる金属間化合物を含有してよい。この場合、バリア層の構成金属と接合層の構成金属からなる金属間化合物が存在することでバリア層と接合層の密着強度を向上させることができる。

【0011】

本発明に係る接合構造は、電子部品と基板とを接合する接合構造であって、電子部品と第１の基板電極とを接合する第１の接合層と、第１の接合層から幅方向に離間した状態で隣り合うように配置され、電子部品と第２の基板電極とを接合する第２の接合層と、を備え、第１の接合層及び第２の接合層の少なくとも一方の接合層は、一方の基板電極との接合部において、一方の基板電極よりも他方の接合層から幅方向に離間した位置に配置される。

【0012】

本発明に係る接合構造において、第１の接合層及び第２の接合層の少なくとも一方の接合層は、一方の基板電極との接合部において、一方の基板電極よりも他方の接合層から幅方向に離間した位置に配置される。すなわち、接合後の状態において、接合部は、接続相手の基板電極より、他方の接合層から遠い位置に配置されている。この場合、二次実装やリペア等の後工程の場面において、荷重による変形、または溶融による接合層の変形が生じても、一方の接合層の幅方向への広がりを抑制することができる。従って、変形後の一方の接合層が、他方の接合層と接触することを抑制できる。以上より、電子部品の二次実装やリペア等の後工程における端子間ショートを抑制することができる。

【0013】

一方の基板電極と他方の基板電極との間の幅方向における離間距離を第１の寸法とし、一方の接合層の接合部と、他方の接合層との間の幅方向における離間距離を第２の寸法とした場合、第２の寸法は、前記第１の寸法より大きくてよい。この場合、一方の接合層が変形しても、他方の接合層と接触することを抑制できる。

【発明の効果】

【0014】

本発明によれば、実装密度の向上に伴う基板電極の狭ピッチ化による、電子部品の二次実装やリペア等の後工程における端子間ショートを抑制することができる接合層、及び接合構造を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0015】

【図1】本発明の実施形態に係る接合層、及び接合構造を備える実装基板を示す概略断面図である。

【図2】本発明の実施形態に係る接合層、及び接合構造の具体例を示す概略断面図である。

【図3】接合層付近の拡大図である。

【図4】比較例に係る接合層、及び接合構造を備える実装基板を示す概略断面図である。

【図5】変形例に係る接合層、及び接合構造を備える実装基板を示す概略断面図である。

【図6】変形例に係る接合層、及び接合構造を備える実装基板を示す概略断面図である。

【図7】変形例に係る接合層、及び接合構造を備える実装基板を示す概略断面図である。

【図8】変形例に係る接合層、及び接合構造を備える実装基板を示す概略断面図である。

【図9】変形例に係る接合層、及び接合構造を備える実装基板を示す概略断面図である。

【図10】変形例に係る接合層、及び接合構造を備える実装基板を示す概略断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0016】

図１及び図２を参照して、本発明の実施形態に係る接合層２０Ａ，２０Ｂ、及び接合構造１００について説明する。図１は、本発明の実施形態に係る接合層２０Ａ，２０Ｂ、及び接合構造１００を備える実装基板１を示す概略断面図である。図２は、本発明の実施形態に係る接合層２０Ａ，２０Ｂ、及び接合構造１００の具体例を示す概略断面図である。

【0017】

図１に示すように、実装基板１は、電子部品２と、基板３とを備える。実装基板１は、電子部品２を接合構造１００を介して基板３に実装することによって構成される。

【0018】

電子部品２は、本体部６と、第１の端子７Ａと、第２の端子７Ｂと、を備える。本体部６は、電子部品２としての機能を発揮するための部材である。端子７Ａ，７Ｂは、本体部６の主面に形成された金属製の部分である。端子７Ａ，７Ｂは、幅方向Ｄ１に離間した状態で隣り合うように配置される。端子７の材料は、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｄの何れかの金属、またはこれらの少なくとも二つから選択される合金であってよい。電子部品２は、例えばマイクロＬＥＤなどによって構成される。マイクロＬＥＤは、基板３からの入力に応じて発光する部品である。

【0019】

基板３は、基材８と、第１の基板電極１０Ａと、第２の基板電極１０Ｂと、を備える。基材８は、基板３の平板状の本体部である。基板電極１０Ａ，１０Ｂは、基材８の主面に形成された金属製の部分である。基板電極１０Ａ，１０Ｂは、幅方向Ｄ１に離間した状態で隣り合うように配置される。図２に示す例では、基板電極１０Ａ，１０Ｂは、基板３上に形成される電極層１１と、電極層１１の上面に形成されるバリア層１２と、を備える。電極層１１の材料として、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｃｒ，Ａｌ、Ｍｏ、Ｐｔ，Ａｕや、これらの少なくとも二つから選択される合金などが採用される。バリア層１２は、第２の金属元素を含有する。第２の金属元素として、Ｔｉ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ａｌ，Ｍｏ，Ｃｒ，Ａｇなどが採用される。

【0020】

接合構造１００は、第１の接合層２０Ａと、第２の接合層２０Ｂと、を備える。第１の接合層２０Ａは、電子部品２と第１の基板電極１０Ａとを接合する層である。第２の接合層２０Ｂは、電子部品２と第２の基板電極１０Ｂとを接合する層である。第２の接合層２０Ｂは、第１の接合層２０Ａから幅方向Ｄ１に離間した状態で隣り合うように配置される。

【0021】

図２に示す例では、接合層２０Ａ，２０Ｂは、本体部２１と、金属間化合物層２２と、を有する。本体部２１は、電子部品２と基板電極１０Ａ，１０Ｂとを接合させるための部分である。組立前においては、基板３は、基板電極１０Ａ，１０Ｂの上面に配置された状態の本体部２１を備えてよい。本体部２１は、はんだとして機能する。組立時において、基板電極１０Ａ，１０Ｂと本体部２１と端子７Ａ，７Ｂとが積層された後にはんだ接合が行われる。本体部２１は、第１の金属元素を含有する。本体部２１は、接合前後において、電子部品側の端子やバリア層からの元素の拡散の有無があるため、「接合前の本体部２１」と、「接合後の本体部２１」とでは、含まれる材料の種類が異なる。具体的に、接合前の本体部２１の第１の金属元素として、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｉｎ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｇなどが採用される。接合後の本体部２１の第１の金属元素として、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｉｎ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｃｒなどが採用される。

【0022】

金属間化合物層２２は、本体部２１と、バリア層１２との間に形成される層である。金属間化合物層２２は、本体部２１が含有する第１の金属元素、及びバリア層１２が含有する第２の金属元素からなる金属間化合物を含有する。金属間化合物層２２は、組立時において、バリア層１２上に本体部２１の金属材料を配置したときに、本体部２１に対してバリア層１２の金属材料が拡散することによって形成される。あるいは、組立前に金属間化合物層２２を形成した後に、本体部２１（上述の「接合後の本体部２１」）を取り付けてもよい。

【0023】

図１に示すように、接合層２０Ａ，２０Ｂは、少なくとも基板電極１０Ａ，１０Ｂとの接合部３０において基板電極１０Ａ，１０Ｂの幅よりも狭い幅を有する。図１に示す図においては、接合層２０Ａ，２０Ｂは、上下方向の全域において基板電極１０Ａ，１０Ｂの幅よりも狭い幅を有する。図２に示す例のように、基板電極１０Ａ，１０Ｂがバリア層１２を有する場合、接合層２０Ａ，２０Ｂは、接合部３０においてバリア層１２の幅よりも狭い幅を有する。

【0024】

また、第１の接合層２０Ａ（一方の接合層）は、第１の基板電極１０Ａ（一方の基板電極）との接合部３０において、第１の基板電極１０Ａよりも第２の接合層２０Ｂ（他方の接合層）から幅方向Ｄ１に離間した位置に配置される。第２の接合層２０Ｂは、第２の基板電極１０Ｂとの接合部３０において、第２の基板電極１０Ｂよりも第１の接合層２０Ａから幅方向Ｄ１に離間した位置に配置される。

【0025】

電子部品２の幅方向Ｄ１における中心線ＣＬを設定した場合、中心線ＣＬに近付く側を幅方向Ｄ１の内側と称し、中心線ＣＬから遠ざかる側を幅方向Ｄ１の外側と称する。第１の接合層２０Ａの接合部３０の幅方向Ｄ１の内側の端部３０ａは、第１の基板電極１０Ａの幅方向Ｄ１の内側の端部１０ａよりも、幅方向Ｄ１の外側に配置される。第２の接合層２０Ｂの接合部３０の幅方向Ｄ１の内側の端部３０ａは、第２の基板電極１０Ｂの幅方向Ｄ１の内側の端部１０ａよりも、幅方向Ｄ１の外側に配置される。これにより、基板電極１０Ａ，１０Ｂの幅方向Ｄ１の内側の端部１０ａ付近には、接合層２０Ａ，２０Ｂから露出する段差面１５が形成される。

【0026】

本実施形態では、第１の接合層２０Ａの接合部３０の幅方向Ｄ１の外側の端部３０ｂは、第１の基板電極１０Ａの幅方向Ｄ１の外側の端部１０ｂよりも、幅方向Ｄ１の内側に配置される。第２の接合層２０Ｂの接合部３０の幅方向Ｄ１の外側の端部３０ｂは、第２の基板電極１０Ｂの幅方向Ｄ１の外側の端部１０ｂよりも、幅方向Ｄ１の内側に配置される。これにより、基板電極１０Ａ，１０Ｂの幅方向Ｄ１の外側の端部１０ｂ付近には、接合層２０Ａ，２０Ｂから露出する段差面１６が形成される。

【0027】

図３を参照して、接合層２０Ａ，２０Ｂと基板電極１０Ａ，１０Ｂとの大きさの関係について更に詳細に説明する。なお、図３では第１の接合層２０Ａが示されているが、第２の接合層２０Ｂでも同趣旨の説明が成り立つ。

【0028】

第１の基板電極１０Ａの幅Ｗ１は、第１の基板電極１０Ａの端部１０ａと端部１０ｂとの間の幅方向Ｄ１における寸法によって定義される。端部１０ａは、第１の基板電極１０Ａの上面のうち、最も幅方向Ｄ１における内側の位置に設定される。端部１０ｂは、第１の基板電極１０Ａの上面のうち、最も幅方向Ｄ１における外側の位置に設定される。第１の接合層２０Ａの接合部３０は、第１の基板電極１０に対する第１の接合層２０Ａの境界部である。接合部３０における幅Ｗ２は、接合部３０の端部３０ａと端部３０ｂとの間の幅方向Ｄ１における寸法によって定義される。端部３０ａは、接合部３０のうち、最も幅方向Ｄ１における内側の位置に設定される。端部３０ｂは、接合部３０のうち、最も幅方向Ｄ１における外側の位置に設定される。本実施形態では、金属間化合物層２２の下面が接合部３０となる。このように幅Ｗ１及び幅Ｗ２を定義した場合、「幅Ｗ１＞幅Ｗ２」の関係が成り立つ。また、Ｗ２／Ｗ１≦０．８８であれば、上部がはみ出していても二次実装やリペア等の後工程の場面において、荷重による変形、または溶融による接合層の変形が生じても、バリア層上に接合層が濡れ広がっていくため、内側へ膨らみづらくなりショート抑制につながる。より好ましくはＷ２／Ｗ１≦０．７７である。

【0029】

図３に示すように、第１の基板電極１０Ａの端部１０ａを通過して上下方向に延びる基準線ＳＬ１を設定する。第１の接合層２０Ａの下端（ここでは接合部３０）を通過して幅方向Ｄ１に延びる基準線ＳＬ２を設定する。第１の接合層２０Ａの上端を通過して幅方向Ｄ１に延びる基準線ＳＬ３を設定する。第１の接合層２０Ａの下端を基準とした高さ方向における領域を説明するため、基準線ＳＬ２の位置を０％の位置とし、基準線ＳＬ２から基準線ＳＬ３の範囲を１００％の領域とする。また、基準線ＳＬ２と基準線ＳＬ３との間に任意に設定した基準線ＳＬ４をした場合、基準線ＳＬ２から基準線ＳＬ４の範囲をＸ％の領域とする。第１の基板電極１０Ａの端部１０ｂを通過して上下方向に延びる基準線ＳＬ５を設定する。

【0030】

第１の接合層２０Ａの幅方向Ｄ１の内側の側面２０ａの一部は、基準線ＳＬ１から幅方向Ｄ１の内側へはみ出してもよい。ただし、接合部３０付近の領域では、側面２０ａが基準線ＳＬ１からはみ出ていないことが好ましい。例えば、側面２０ａは、基準線ＳＬ２から５０％の領域において基準線ＳＬ１からはみ出ないことが好ましく、１０％の領域において基準線ＳＬ１からはみ出ないことが好ましく、５０％の領域において基準線ＳＬ１からはみ出ないことがより好ましい。なお、幅方向Ｄ１の外側の側面２０ｂと基準線ＳＬ５との間でも同様の関係が成り立つ。

【0031】

次に、本実施形態に係る接合層２０Ａ，２０Ｂ、及び接合構造１００の作用・効果について説明する。

【0032】

まず、図４を参照して、比較例に係る接合層１２０Ａ，１２０Ｂ、及び接合構造２００について説明する。接合層１２０Ａ，１２０Ｂは、基板電極１０Ａ，１０Ｂと同じ幅を有している。そのため、接合後の接合層１２０Ａ，１２０Ｂは、幅方向Ｄ１の内側において互いに接近した状態となる。図４において二点鎖線で示すように、二次実装やリペア等の後工程の場面において、荷重による変形、または溶融による接合層の変形が生じたら、接合層１２０Ａ，１２０Ｂの幅方向への広がりが更に大きくなる。これにより、変形後の接合層１２０Ａが、他の基板電極１０Ｂに対する接合層１２０Ｂと接触し、端子間ショートが生じてしまう。

【0033】

これに対し、本実施形態に係る接合層２０Ａ，２０Ｂは、少なくとも基板電極１０Ａ，１０Ｂとの接合部３０において基板電極１０Ａ，１０Ｂの幅よりも狭い幅を有する。すなわち、接合後の状態において、接合部３０での幅が接合相手の基板電極１０Ａ，１０Ｂの幅よりは狭くなっている。この場合、二次実装やリペア等の後工程の場面において、荷重による変形、または溶融による接合層の変形が生じても、接合層２０Ａ，２０Ｂの幅方向への広がりを抑制することができる。従って、変形後の接合層２０Ａが、他の基板電極１０Ｂに対する接合層２０Ｂと接触することを抑制できる。以上より、電子部品２の二次実装やリペア等の後工程における端子間ショートを抑制することができる。

【0034】

基板電極１０Ａ，１０Ｂは、バリア層１２を含み、接合層２０Ａ，２０Ｂは、接合部３０においてバリア層１２の幅よりも狭い幅を有してよい。この場合、基板電極１０Ａ，１０Ｂがバリア層１２を有している場合でも、上述と同様の効果を得ることができる。

【0035】

接合層２０Ａ，２０Ｂは、Ｓｎを含有してよい。Ｓｎを含有する接合層２０Ａ，２０Ｂは柔らかく、且つ融点が低い。従って、後工程において変形しやすく端子間ショートのリスクが高い。しかし、上記構造を有することで、後工程における端子間ショートを抑制することができる。

【0036】

基板電極１０Ａ，１０Ｂは、バリア層１２を含み、接合層２０Ａ，２０Ｂは、本体部２１と、バリア層１２との間に形成される金属間化合物層２２と、を有し、金属間化合物層２２は、本体部２１が含有する第１の金属元素、及びバリア層１２が含有する第２の金属元素からなる金属間化合物を含有してよい。この場合、バリア層１２の構成金属と接合層２０Ａ，２０Ｂの構成金属からなる金属間化合物が存在することでバリア層１２と接合層２０Ａ，２０Ｂの密着強度を向上させることができる。

【0037】

本実施形態に係る接合構造１００は、電子部品２と基板３とを接合する接合構造１００であって、電子部品２と第１の基板電極１０Ａとを接合する第１の接合層２０Ａと、第１の接合層２０Ａから幅方向Ｄ１に離間した状態で隣り合うように配置され、電子部品２と第２の基板電極１０Ｂとを接合する第２の接合層２０Ｂと、を備え、第１の接合層２０Ａは、第１の基板電極１０Ａとの接合部３０において、第１の基板電極１０Ａよりも第２の接合層２０Ｂから幅方向Ｄ１に離間した位置に配置される。

【0038】

本実施形態に係る接合構造１００において、第１の接合層２０Ａは、第１の基板電極１０Ａとの接合部３０において、第１の基板電極１０Ａよりも第２の接合層２０Ｂから幅方向Ｄ１に離間した位置に配置される。すなわち、接合後の状態において、接合部３０は、接続相手の第１の基板電極１０Ａより、第２の接合層２０Ｂから遠い位置に配置されている。この場合、二次実装やリペア等の後工程の場面において、荷重による変形、または溶融による第２の接合層２０Ｂの変形が生じても、第１の接合層２０Ａの幅方向Ｄ１への広がりを抑制することができる。従って、変形後の第１の接合層２０Ａが、第２の接合層２０と接触することを抑制できる。以上より、電子部品２の二次実装やリペア等の後工程における端子間ショートを抑制することができる。なお、当該説明は、第１の接合層２０Ａを請求項における「一方の接合層」とみなしたものであるが、第２の接合層２０Ｂを請求項における「一方の接合層」とみなしても同様の作用・効果を得ることができる。

【0039】

本発明は、上述の実施形態に限定されるものではない。

【0040】

各層における構造は、上述の実施形態に限定されるものではない。例えば、図５に示すように、図４に示す構成から、金属間化合物層２２を省略した構成が採用されてもよい。

【0041】

また、図６に示すように、図５に示す構成に対し、単一の層に係る基板電極１０Ａ，１０Ｂを採用してもよい。例えば、基板電極１０Ａ，１０Ｂを電極層１１で単一の層としてもよく、バリア層１２で単一の層としてもよい。

【0042】

上述の実施形態では、接合層２０Ａ，２０Ｂの幅方向Ｄ１の外側の端部が、基板電極１０Ａ，１０Ｂの幅方向Ｄ１の外側の端部よりも、幅方向Ｄ１の内側に配置されていたが、図７に示すように、当該関係が成り立っていなくともよい。すなわち、後工程における接合層２０Ａ，２０Ｂの広がりを抑制する構造は、端子間ショートの可能性が高い、幅方向Ｄ１の内側だけで採用されていればよい。

【0043】

なお、図８に示すように、図７に示す構成から、金属間化合物層２２を省略してもよく、単一の層に係る基板電極１０Ａ，１０Ｂを採用してもよい。

【0044】

また、図２、図５～図８に示す構成では、第１の接合層２０Ａ及び第２の接合層２０Ｂの両側において、端子間ショートを抑制するための構造が採用されていた。しかし、第１の接合層２０Ａ及び第２の接合層２０Ｂの少なくとも一方において端子間ショートを抑制するための構造が採用されていればよい。例えば、図９に示すように、第１の接合層２０Ａの幅方向Ｄ１の内側には端子間ショートを抑制する構造が採用され、第２の接合層２０Ｂの幅方向Ｄ１の内側には端子間ショートを抑制する構造が採用されていなくともよい。

【0045】

この場合、第１の基板電極１０Ａと第２の基板電極１０Ｂとの間の幅方向Ｄ１における離間距離を第１の寸法ｄ１とし、第１の接合層２０Ａの接合部３０と、第２の接合層２０Ｂとの間の幅方向Ｄ１における離間距離を第２の寸法ｄ２とした場合、第２の寸法ｄ２は、第１の寸法ｄ１より大きくてよい。この場合、第１の接合層２０Ａが変形しても、第２の接合層２０Ｂと接触することを抑制できる。なお、第２の接合層２０Ｂの幅方向Ｄ１の内側に端子間ショートを抑制する構造が採用され、第１の接合層２０Ａの幅方向Ｄ１の内側には端子間ショートを抑制する構造が採用されていなくともよい。

【0046】

なお、図１０に示すように、図９に示す構成から、金属間化合物層２２を省略してもよく、単一の層に係る基板電極１０Ａ，１０Ｂを採用してもよい。

【0047】

［形態１］
電子部品と基板電極とを接合する接合層であって、
少なくとも前記基板電極との接合部において前記基板電極の幅よりも狭い幅を有する、接合層。
［形態２］
前記基板電極は、バリア層を含み、
前記接合層は、前記接合部において前記バリア層の幅よりも狭い幅を有する、形態１に記載の接合層。
［形態３］
Ｓｎを含有する、形態１又は２に記載の接合層。
［形態４］
前記基板電極は、バリア層を含み、
前記接合層は、本体部と、前記バリア層との間に形成される金属間化合物層と、を有し、
前記金属間化合物層は、前記本体部が含有する第１の金属元素、及び前記バリア層が含有する第２の金属元素からなる金属間化合物を含有する、形態１～３の何れか一項に記載の接合層。
［形態５］
電子部品と基板とを接合する接合構造であって、
前記電子部品と第１の基板電極とを接合する第１の接合層と、
前記第１の接合層から幅方向に離間した状態で隣り合うように配置され、前記電子部品と第２の基板電極とを接合する第２の接合層と、を備え、
前記第１の接合層及び前記第２の接合層の少なくとも一方の接合層は、一方の基板電極との接合部において、前記一方の基板電極よりも他方の接合層から前記幅方向に離間した位置に配置される、接合構造。
［形態６］
前記一方の基板電極と他方の基板電極との間の前記幅方向における離間距離を第１の寸法とし、
前記一方の接合層の前記接合部と、前記他方の接合層との間の前記幅方向における離間距離を第２の寸法とした場合、
前記第２の寸法は、前記第１の寸法より大きい、形態５に記載の接合構造。

【符号の説明】

【0048】

２…電子部品、３…基板、１０Ａ…第１の基板電極、１０Ｂ…第２の基板電極、１１…電極層、１２…バリア層、２０Ａ…第１の接合層、２０Ｂ…第２の接合層、２１…本体部、２２…金属間化合物層、３０…接合部、１００…接合構造。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】