特開 2024-132735 半導体装置とその製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024132735

(43)【公開日】2024-10-01

(54)【発明の名称】半導体装置とその製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 25/07 20060101AFI20240920BHJP

【ＦＩ】

H01L25/08 Y

【審査請求】未請求

【請求項の数】5

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023043636

(22)【出願日】2023-03-17

(71)【出願人】

【識別番号】318010018

【氏名又は名称】キオクシア株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100119035

【弁理士】

【氏名又は名称】池上 徹真

(74)【代理人】

【識別番号】100141036

【弁理士】

【氏名又は名称】須藤 章

(74)【代理人】

【識別番号】100178984

【弁理士】

【氏名又は名称】高下 雅弘

(72)【発明者】

【氏名】中原 泰志

(57)【要約】

【課題】本発明の実施形態は、信頼性の高い半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】
実施形態の半導体装置は、支持基板と、支持基板上に設けられ、第１方向にずれて階段状に重なった複数の半導体素子が積層した第１積層体と、第１積層体上に設けられ、第１方向とは反対側の第２方向にずれて階段状に重なった複数の半導体素子が積層した第２積層体と、支持基板と第２積層体の間に設けられた支持体と、第２積層体と支持体との間に第１樹脂組成物層とを有する。第２積層体の最も支持基板側に位置している半導体素子を第１半導体素子する。第１樹脂組成物層は、第１半導体素子と支持体を接続する。支持体の第２積層体側を向く面に支持体の長さ方向に延びる第１溝又は／及び支持体の幅方向に延びる第２溝を有する。
【選択図】 図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

支持基板と、
前記支持基板上に設けられ、第１方向にずれて階段状に重なった複数の半導体素子が積層した第１積層体と、
前記第１積層体上に設けられ、前記第１方向とは反対側の第２方向にずれて階段状に重なった複数の半導体素子が積層した第２積層体と、
前記支持基板と前記第２積層体の間に設けられた支持体と、
前記第２積層体と前記支持体との間に第１樹脂組成物層とを有し、
前記第２積層体の最も前記支持基板側に位置している前記半導体素子を第１半導体素子とし、
前記第１樹脂組成物層は、前記第１半導体素子と前記支持体を接続し、
支持体の第２積層体側を向く面に前記支持体の長さ方向に延びる第１溝又は／及び前記支持体の幅方向に延びる第２溝を有する半導体装置。

【請求項2】

前記支持体の第１溝又は／第２の溝内に第１樹脂組成物層が存在する請求項１に記載の半導体装置。

【請求項3】

前記第１半導体素子の厚さは、前記第１積層体及び前記第２積層体に含まれる半導体素子の厚さよりも厚い請求項１に記載の半導体装置。

【請求項4】

前記第１積層体及び前記第２積層体を封止する樹脂体を有し、
前記第１樹脂組成物層は、前記樹脂体の内部のみに形成される請求項１ないし３のいずれか１項に記載の半導体装置。

【請求項5】

支持基板上に第１方向にずれて階段状に重なった複数の半導体素子を有する第１積層体を設ける工程と、
支持体の表面に溝を形成する工程と、
前記支持基板上に第１積層体が設けられた前記支持基板上に溝が形成された支持体を設ける工程と、
前記支持体上に前記第１方向とは反対側の第２方向にずれて階段状に重なった最下段に第１半導体素子を含む複数の半導体素子を有し、前記第１半導体素子の前記支持基板側の面には、第１接着層を有する第２積層体を設ける工程と、
前記第１接着層を硬化させる工程と、
前記第１半導体素子と接続する配線を形成する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明の実施形態は、半導体装置とその製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

従来のＮＡＮＤフラッシュメモリチップを積層するなどしたパッケージにおいて、積層したＮＡＮＤフラッシュメモリチップ同士はボンディングで接続されている。この構造の他にもＮＡＮＤフラッシュメモリチップから配線基板に向かって垂直な配線を形成して、ＮＡＮＤフラッシュメモリチップをフリップチップ化して、垂直な配線の先端部分と配線基板をハンダで接合した形態も検討されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】米国特許登録10002853

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

本発明の実施形態は、信頼性の高い半導体装置とその製造方法を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0005】

実施形態の半導体装置は、支持基板と、支持基板上に設けられ、第１方向にずれて階段状に重なった複数の半導体素子が積層した第１積層体と、第１積層体上に設けられ、第１方向とは反対側の第２方向にずれて階段状に重なった複数の半導体素子が積層した第２積層体と、支持基板と第２積層体の間に設けられた支持体と、第２積層体と支持体との間に第１樹脂組成物層とを有する。第２積層体の最も支持基板側に位置している半導体素子を第１半導体素子する。第１樹脂組成物層は、第１半導体素子と支持体を接続する。支持体の第２積層体側を向く面に支持体の長さ方向に延びる第１溝又は／及び支持体の幅方向に延びる第２溝を有する。

【図面の簡単な説明】

【0006】

【図1】実施形態に係る半導体装置の模式断面図。

【図2】実施形態に係る半導体装置の上面模式図。

【図3】実施形態に係る半導体装置の模式断面図。

【図4】実施形態に係る支持体の斜視模式図。

【図5】実施形態に係る支持体の斜視模式図。

【図6】実施形態に係る支持体の斜視模式図。

【図7】実施形態に係る支持体の斜視模式図。

【図8】実施形態に係る支持体の斜視模式図。

【図9】実施形態に係る支持体の斜視模式図。

【図10】実施形態に係る半導体装置の模式断面図。

【図11】実施形態に係る半導体装置の模式上面図。

【図12】実施形態に係る半導体装置の模式断面図。

【図13】実施形態に係る半導体装置の模式断面図。

【図14】実施形態に係る半導体装置の模式断面図。

【図15】実施形態に係る半導体装置の製造方法のフローチャート。

【図16】実施形態に係る半導体装置の工程模式断面図。

【図17】実施形態に係る半導体装置の工程模式断面図。

【図18】実施形態に係る半導体装置の工程模式断面図。

【図19】実施形態に係る半導体装置の工程模式断面図。

【図20】実施形態に係る半導体装置の工程模式断面図。

【図21】実施形態に係る半導体装置の工程模式断面図。

【図22】実施形態に係る半導体装置の工程模式断面図。

【図23】実施形態に係る半導体装置の工程模式断面図。

【図24】実施形態に係る半導体装置の工程模式断面図。

【図25】実施形態に係る半導体装置の工程模式断面図。

【図26】実施形態に係る半導体装置の工程模式断面図。

【図27】実施形態に係る半導体装置の工程模式断面図。

【図28】実施形態に係る半導体装置の模式断面図。

【図29】実施形態に係る半導体装置の模式断面図。

【発明を実施するための形態】

【0007】

以下、実施の形態について、図面を参照して説明する。

【0008】

本明細書では、いくつかの要素に複数の表現の例を付している。なおこれら表現の例はあくまで例示であり、上記要素が他の表現で表現されることを否定するものではない。また、複数の表現が付されていない要素についても、別の表現で表現されてもよい。

【0009】

また、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係や各層の厚みの比率などは現実のものと異なることがある。また、図面相互間において互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれることもある。また、図面において、一部の符号を省略している。

【0010】

実施形態において表している物性値は、大気圧下で２５℃の値である。また、直径の値は、断面の外接円直径の値である。

【0011】

本明細書において、工程には独立した工程だけではなく、他の工程や他の処理と組み合わせも含まれる。本明書中の数値条件において、複数の数値範囲が記載されている場合、その数値範囲の上限値又は下限値は、他の数値範囲の上限値又は下限値に置き換えてもよい。本明細書中の数値条件の上限値と下限値が記載されている場合、上限値と下限値を組み合わせた数値範囲の条件に置き換えることもできる。

【0012】

（第１実施形態）
第１実施形態は、半導体装置とその製造方法に関する。図１に半導体装置１００の模式断面図を示す。図２に半導体装置１００の上面模式図を示す。図２は、半導体素子と支持体２の位置大きさの関係を説明するために一部の部材、例えば、樹脂体４などの図示を省略している。実施形態の半導体装置１００は、より具体的には、ＮＡＮＤフラッシュメモリチップ等を搭載している。なお、Ｘ方向、Ｙ方向及びＺ方向は、互いに交差し、互いに直交することが好ましい。

【0013】

半導体装置１００は、複数の半導体素子が積層した構造を有する。図１に示す半導体装置１００は、支持基板１、支持体２、第２樹脂組成物層３、樹脂体４、第２半導体素子１０、第３樹脂組成物層１１、第１パッド１２、第１配線１３、第２パッド１４、第３半導体素子２０、第４樹脂組成物層２１、第３パッド２２、第２配線２３、第４パッド２４、第１半導体素子３０、第１樹脂組成物層３１、第５パッド３２、第３配線３３、第６パッド３４、第４半導体素子４０、第５樹脂組成物層４１、第７パッド４２、第４配線４３及び第８パッド４４を有する。

【0014】

支持基板１は、複数の半導体素子（図１では、第２半導体素子１０、第３半導体素子２０、第１半導体素子３０、第４半導体素子４０）及び支持体２を支持している。支持基板１は、支持体２と直接的に接しない。

【0015】

支持基板１は、半導体基板、プリント基板、シリコン基板、ガラス板、セラミック板、樹脂板、リードフレーム等の金属板等である。

【0016】

第１方向にずれて階段状に重なった複数の半導体素子（第２半導体素子１０及び第３半導体素子２０）が積層した第１積層体と、第１積層体上に設けられ、第１方向とは反対側の第２方向にずれて階段状に重なった複数の半導体素子（第１半導体素子３０及び第４半導体素子４０）が積層した第２積層体とが支持基板１上に設けられている。第２積層体の最も支持基板１側に位置している半導体素子が第１半導体素子３０である。

【0017】

第１積層体に含まれる半導体素子の数と第２積層体に含まれる半導体素子の数は同じでもよいし、異なっていてもよい。第１積層体に含まれる半導体素子の数よりも第２積層体に含まれる半導体素子の数が多い場合、配線が形成し難いことがある。第１積層体に含まれる半導体素子の数は、第２積層体に含まれる半導体素子の数以下であることが好ましい。

【0018】

支持体２は、支持基板１上に設けられたスペーサーである。支持体２と支持基板１の間には、第２樹脂組成物層３が存在する。支持体２と支持基板１は、第２樹脂組成物層３で固定されている。支持体２の支持基板１側とは反対側の面には、第２積層体が設けられている。

【0019】

支持体２の第２積層体側を向く面に支持体２の長さ方向に延びる第１溝又は／及び支持体２の幅方向に延びる第２溝を有することが好ましい。第１溝及び第２溝を含む支持体２に設けられた溝の幅Ｗ０は、１０[μｍ]以上３００[μｍ]以下が好ましく、より好ましくは５０[μｍ]以上１００[μｍ]以下である。第１溝及び第２溝を含む支持体２に設けられた溝の深さＨ０は、１０[μｍ]以上３００[μｍ]以下が好ましく、より好ましくは５０[μｍ]以上１００[μｍ]以下である。

【0020】

支持体２の高さと第２樹脂組成物層３の高さの和（支持基板１の第１半導体素子３０側の面から、支持体２の第１半導体素子３０側の面までの距離）をＨ１とする。第１積層体の高さ（半導体素子のパッドを考慮しない高さ）をＨ２とする。Ｈ１は、Ｈ２よりも高くすることも、Ｈ２より低くすることもできる。Ｈ１は、Ｈ２以上であることが好ましく、Ｈ２よりも１［μｍ］以上高いことがより好ましく、Ｈ２よりも２０［μｍ］以上高いことがさらにより好ましい。また、Ｈ１＝Ｈ２も好ましい。

【0021】

支持体２の長さをＬ１とする。支持体２の長さＬ２は、半導体素子のパッドが並ぶ方向の長さである。支持体２の長さＬ１は、支持体２の長さ方向の長さである。支持体２の長さ方向と同方向の第１半導体素子３０の長さをＬ２とする場合、Ｌ１は、Ｌ２の５０％以上１５０％以下が好ましい。Ｌ１は、Ｌ２よりも長いことが好ましい。Ｌ１は、Ｌ２の７５％以上１２５％以下がより好ましい。

【0022】

支持体２は、例えば、エポキシ系、フェノール系、ポリイミド系、ポリアミド系、アクリル系、ＰＢＯ系、シリコーン系、ベンゾシクロブテン系などの樹脂、これらの混合材料、複合材料を使用する。エポキシ樹脂の例としては特に限定されず、例えば、ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＡＤ型、ビスフェノールＳ型等のビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型、クレゾールノボラック型等のノボラック型エポキシ樹脂、レゾルシノール型エポキシ樹脂、トリスフェノールメタントリグリシジルエーテル等の芳香族エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ポリエーテル変性エポキシ樹脂、ベンゾフェノン型エポキシ樹脂、アニリン型エポキシ樹脂、ＮＢＲ変性エポキシ樹脂、ＣＴＢＮ変性エポキシ樹脂、及び、これらの水添化物等が挙げられる。なかでも、Ｓｉ との密着性が良い点から、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂が好ましい。また、速硬化性が得られやすいことから、ベンゾフェノン型エポキシ樹脂も好ましい。これらのエポキシ樹脂は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。また、支持体２の中にシリカやアルミナなどのフィラーが含まれていてもよい。

【0023】

第２樹脂組成物層３は、接着層（例えば、ダイアタッチフィルム）が硬化したものである。フェノール系、ポリイミド系、ポリアミド系、アクリル系、エポキシ系、PBO（p-phenylenebenzobisoxazole）系、シリコーン系、ベンゾシクロブテン系等の樹脂、または、これらの混合材料、複合材料等である。第２樹脂組成物層３は、支持体２と直接的に接する。

【0024】

第２樹脂組成物層３の厚さは、典型的には、５［μｍ］以上１００［μｍ］以下であることが好ましく、５[μｍ]以上５０[μｍ]以下がより好ましい。第２樹脂組成物層３の厚さは、第１樹脂組成物層３１の厚さより薄く、第１樹脂組成物層３１の厚さの５％以上５０％以下が好ましく、１０％以上４０％以下が好ましい。

【0025】

図１に示す樹脂体４は、半導体素子及び支持体２を封止する。樹脂体４は、絶縁性で、例えば、モールド樹脂である。第１配線１３、第２配線２３、第３配線３３及び第４配線４３は、樹脂体４の支持基板１側を向く面以外の面（外表面）に露出している。

【0026】

半導体装置１００に含まれる第１樹脂組成物層３１、第２樹脂組成物層３、第３樹脂組成物層１１、第４樹脂組成物層２１、第５樹脂組成物層４１は、樹脂体４の支持基板１側を向く面以外の面（外表面）に露出していないことが好ましい。つまり、第１樹脂組成物層３１は、樹脂体４の内部のみに形成されることが好ましい。

【0027】

半導体装置１００に含まれる第１積層体、第２積層体及び支持体２は、樹脂体４の支持基板１側を向く面以外の面（外表面）に露出していないことが好ましい。

【0028】

樹脂体４は、例えば、エポキシ系、フェノール系、ポリイミド系、ポリアミド系、アクリル系、ＰＢＯ系、シリコーン系、ベンゾシクロブテン系などの樹脂、これらの混合材料、複合材料を使用する。エポキシ樹脂の例としては特に限定されず、例えば、ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＡＤ型、ビスフェノールＳ型等のビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型、クレゾールノボラック型等のノボラック型エポキシ樹脂、レゾルシノール型エポキシ樹脂、トリスフェノールメタントリグリシジルエーテル等の芳香族エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ポリエーテル変性エポキシ樹脂、ベンゾフェノン型エポキシ樹脂、アニリン型エポキシ樹脂、ＮＢＲ変性エポキシ樹脂、ＣＴＢＮ変性エポキシ樹脂、及び、これらの水添化物等が挙げられる。なかでも、Ｓｉ との密着性が良い点から、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂が好ましい。また、速硬化性が得られやすいことから、ベンゾフェノン型エポキシ樹脂も好ましい。これらのエポキシ樹脂は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。また、樹脂体４の中にシリカやアルミナなどのフィラーが含まれていてもよい。

【0029】

第２半導体素子１０は、第２半導体素子１０は、支持基板１に載置されている。第２半導体素子１０は、第１積層体に含まれる。第２半導体素子１０は、第３樹脂組成物層１１を介して支持基板１上に設けられている。第２半導体素子１０と支持基板１の間には、第３樹脂組成物層１１が存在する。第２半導体素子１０と支持基板１は、第３樹脂組成物層１１で固定されている。第２半導体素子１０は、支持体２と直接的に接しない。第２半導体素子１０と支持体２の間には、樹脂体４が設けられている。

【0030】

第２半導体素子１０は、例えば、半導体メモリチップである。半導体メモリチップは、データの読み書きをする半導体チップである。

【0031】

不揮発性メモリチップとしては、ＮＡＮＤメモリチップ、相変化メモリチップ、抵抗変化メモリチップ、強誘電体メモリチップ、磁気メモリチップ等を用いることができる。揮発性メモリチップとしては、ＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）等を用いることができる。

【0032】

第１積層体及び第２積層体に含まれる半導体メモリチップは、個体差を除き同一回路を有する同一構造の半導体チップであることが好ましい。例えば、第１半導体素子３０、第２半導体素子１０、第３半導体素子２０、第４半導体素子４０は、個体差を除き同一回路を有する同一構造の半導体メモリチップである。

【0033】

第３樹脂組成物層１１は、接着層（例えば、ダイアタッチフィルム）が硬化したものである。第３樹脂組成物層１１は、支持体２と直接的に接しない。第３樹脂組成物層１１と支持体２の間には、樹脂体４が設けられている。

【0034】

第３樹脂組成物層１１は、フェノール系、ポリイミド系、ポリアミド系、アクリル系、エポキシ系、PBO（p-phenylenebenzobisoxazoＬe）系、シリコーン系、ベンゾシクロブテン系等の樹脂、または、これらの混合材料、複合材料等である。

【0035】

第３樹脂組成物層１１の厚さは、典型的には、５［μｍ］以上１００［μｍ］以下であることが好ましく、５[μｍ]以上５０[μｍ]以下がより好ましい。第３樹脂組成物層１１の厚さは、第１樹脂組成物層３１の厚さより薄く、第１樹脂組成物層３１の厚さの５％以上５０％以下が好ましく、１０％以上４０％以下が好ましい。

【0036】

第１パッド１２は、第２半導体素子１０の表面に設けられた端子である。第２半導体素子１０は、複数の第１パッド１２を含む。第１パッド１２は、Y方向に複数並ぶ。第１パッド１２は、信号用パッドと電源用パッドを含む。

【0037】

第１パッド１２は、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｗ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｉ－Ｐ、Ｎｉ－Ｂからなる群より選ばれる２種以上を含む膜を含む低抵抗金属膜である。第１パッド１２は、より具体的には、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ又はＮｉ／Ａｕ又はＣｕであることがより好ましい。

【0038】

第１配線１３は、第１パッド１２に設けられた配線である。複数の第１配線１３は、Y方向に並ぶ。第１配線１３を介して、第２半導体素子１０は、外部の配線基板又は半導体素子と電気的に接続する。第１配線１３と支持基板１が電気的には接続しない場合、例えば、第１配線１３は、第１パッド１２から支持基板１側とは反対方向に延びる。

【0039】

第１配線１３は、Ｃｕ又はＰｄで被覆されたＣｕが好ましい。第１配線１３の直径は１０［μｍ］以上５０［μｍ］以下が好ましく、１５［μｍ］以上３０［μｍ］以下が好ましい。

【0040】

第２パッド１４は、第１配線１３の先端のメッキ部分である。第２パッド１４は、例えば無電解めっきされたメッキ層である。

【0041】

第２パッド１４は、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｗ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｉ－Ｐ、Ｎｉ－Ｂからなる群より選ばれる２種以上を含む膜を含む低抵抗金属膜である。第２パッド１４は、より具体的には、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ又はＮｉ／Ａｕ又はＣｕであることがより好ましい。

【0042】

第３半導体素子２０は、第２半導体素子１０に載置されている。第３半導体素子２０は、第１積層体に含まれる。第３半導体素子２０は、第４樹脂組成物層２１を介して第２半導体素子１０上に設けられている。第３半導体素子２０と第２半導体素子１０の間には、第４樹脂組成物層２１が存在する。第３半導体素子２０と第２半導体素子１０は、第４樹脂組成物層２１で固定されている。第３半導体素子２０は、支持体２と直接的に接しない。第３半導体素子２０と支持体２の間には、樹脂体４が設けられている。

【0043】

第３半導体素子２０は、例えば、半導体メモリチップである。半導体メモリチップは、データの読み書きをする半導体チップである。

【0044】

第４樹脂組成物層２１は、接着層（例えば、ダイアタッチフィルム）が硬化したものである。第４樹脂組成物層２１は、支持体２と直接的に接しない。第４樹脂組成物層２１と支持体２の間には、樹脂体４が設けられている。

【0045】

第４樹脂組成物層２１は、フェノール系、ポリイミド系、ポリアミド系、アクリル系、エポキシ系、PBO（p-phenylenebenzobisoxazoＬe）系、シリコーン系、ベンゾシクロブテン系等の樹脂、または、これらの混合材料、複合材料等である。

【0046】

第４樹脂組成物層２１の厚さは、典型的には、５［μｍ］以上１００［μｍ］以下であることが好ましく、５[μｍ]以上５０[μｍ]以下がより好ましい。第４樹脂組成物層２１の厚さは、第１樹脂組成物層３１の厚さより薄く、第１樹脂組成物層３１の厚さの５％以上５０％以下が好ましく、１０％以上４０％以下が好ましい。

【0047】

第３パッド２２は、第３半導体素子２０の表面に設けられた端子である。第３半導体素子２０は、複数の第３パッド２２を含む。第３パッド２２は、Y方向に複数並ぶ。第３パッド２２は、信号用パッドと電源用パッドを含む。

【0048】

第２配線２３は、第３パッド２２に設けられた配線である。複数の第２配線２３は、Y方向に並ぶ。第２配線２３を介して、第３半導体素子２０は、外部の配線基板又は半導体素子と電気的に接続する。第２配線２３と支持基板１が電気的には接続しない場合、例えば、第２配線２３は、第３パッド２２から支持基板１側とは反対方向に延びる。

【0049】

第２配線２３は、Ｃｕ又はＰｄで被覆されたＣｕが好ましい。第２配線２３の直径は１０［μｍ］以上５０［μｍ］以下が好ましく、１５［μｍ］以上３０［μｍ］以下が好ましい。

【0050】

第４パッド２４は、第２配線２３の先端のメッキ部分である。第４パッド２４は、例えば無電解めっきされたメッキ層である。

【0051】

第４パッド２４は、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｗ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｉ－Ｐ、Ｎｉ－Ｂからなる群より選ばれる２種以上を含む膜を含む低抵抗金属膜である。第４パッド２４は、より具体的には、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ又はＮｉ／Ａｕ又はＣｕであることがより好ましい。

【0052】

第１半導体素子３０は、支持体２に載置されている。第１半導体素子３０は、第２積層体に含まれる。第１半導体素子３０を含む第２積層体は、第１積層体よりも支持基板１から離間している。第１半導体素子３０は、第１樹脂組成物層３１を介して支持体２上に設けられている。第１半導体素子３０と支持体２の間には、第１樹脂組成物層３１が存在する。第１半導体素子３０と支持体２は、第１樹脂組成物層３１で固定されている。第１半導体素子３０は、支持体２と直接的に接しない。第１半導体素子３０と支持体２の間には、第１樹脂組成物層３１が設けられている。

【0053】

第１半導体素子３０は、例えば、半導体メモリチップである。半導体メモリチップは、データの読み書きをする半導体チップである。

【0054】

第１樹脂組成物層３１は、接着層（例えば、ダイアタッチフィルム）が硬化したものである。第１樹脂組成物層３１は、支持体２と直接的に接する。

【0055】

第１樹脂組成物層３１は、フェノール系、ポリイミド系、ポリアミド系、アクリル系、エポキシ系、PBO（p-phenylenebenzobisoxazole）系、シリコーン系、ベンゾシクロブテン系等の樹脂、または、これらの混合材料、複合材料等である。

【0056】

第１樹脂組成物層３１の厚さは、典型的には、２０［μｍ］以上３００［μｍ］以下であることが好ましい。第１樹脂組成物層３１は、第３樹脂組成物層１１よりも厚く、第３樹脂組成物層１１よりも１０［μｍ］以上２００［μｍ］以下厚いことが好ましい。第４樹脂組成物層２１よりも厚く、第４樹脂組成物層２１よりも１０［μｍ］以上２００［μｍ］以下厚いことが好ましい。第５樹脂組成物層４１よりも厚く、第５樹脂組成物層４１よりも１０［μｍ］以上２００［μｍ］以下厚いことが好ましい。

【0057】

図３の半導体装置１００の模式断面図に示すように第１樹脂組成物層３１は、第１積層体側とは反対側にはみ出ている部分３１Ｂが含まれることがある。このはみ出ている部分３１Ｂは、樹脂体４の側面から表面（外表面）には露出していないことが好ましい。

【0058】

第５パッド３２は、第１半導体素子３０の表面に設けられた端子である。第１半導体素子３０は、複数の第５パッド３２を含む。第５パッド３２は、Y方向に複数並ぶ。第５パッド３２は、信号用パッドと電源用パッドを含む。

【0059】

第３配線３３は、第５パッド３２に設けられた配線である。複数の第３配線３３は、Y方向に並ぶ。第３配線３３を介して、第１半導体素子３０は、外部の配線基板又は半導体素子と電気的に接続する。第３配線３３と支持基板１が電気的には接続しない場合、例えば、第３配線３３は、第５パッド３２から支持基板１側とは反対方向に延びる。

【0060】

第３配線３３は、Ｃｕ又はＰｄで被覆されたＣｕが好ましい。第３配線３３の直径は１０［μｍ］以上５０［μｍ］以下が好ましく、１５［μｍ］以上３０［μｍ］以下が好ましい。

【0061】

第６パッド３４は、第３配線３３の先端のメッキ部分である。第６パッド３４は、例えば無電解めっきされたメッキ層である。

【0062】

第６パッド３４は、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｗ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｉ－Ｐ、Ｎｉ－Ｂからなる群より選ばれる２種以上を含む膜を含む低抵抗金属膜である。第６パッド３４は、より具体的には、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ又はＮｉ／Ａｕ又はＣｕであることがより好ましい。

【0063】

第４半導体素子４０は、第１半導体素子３０に載置されている。第４半導体素子４０は、第２積層体に含まれる。第４半導体素子４０は、第５樹脂組成物層４１を介して第１半導体素子３０上に設けられている。第４半導体素子４０と第１半導体素子３０の間には、第５樹脂組成物層４１が存在する。第４半導体素子４０と第１半導体素子３０は、第５樹脂組成物層４１で固定されている。第４半導体素子４０は、支持体２と直接的に接しない。第４半導体素子４０と支持体２の間には、第５樹脂組成物層４１、第１半導体素子３０及び第１樹脂組成物層３１が設けられている。

【0064】

第４半導体素子４０は、例えば、半導体メモリチップである。半導体メモリチップは、データの読み書きをする半導体チップである。

【0065】

第５樹脂組成物層４１は、接着層（例えば、ダイアタッチフィルム）が硬化したものである。第５樹脂組成物層４１は、支持体２と直接的に接しない。第５樹脂組成物層４１と支持体２の間には、第１半導体素子３０及び第１樹脂組成物層３１が設けられている。

【0066】

第５樹脂組成物層４１は、フェノール系、ポリイミド系、ポリアミド系、アクリル系、エポキシ系、PBO（p-phenylenebenzobisoxazoＬe）系、シリコーン系、ベンゾシクロブテン系等の樹脂、または、これらの混合材料、複合材料等である。

【0067】

第５樹脂組成物層４１の厚さは、典型的には、５［μｍ］以上１００［μｍ］以下であることが好ましく、５[μｍ]以上５０[μｍ]以下がより好ましい。第５樹脂組成物層４１の厚さは、第１樹脂組成物層３１の厚さより薄く、第１樹脂組成物層３１の厚さの５％以上５０％以下が好ましく、１０％以上４０％以下が好ましい。

【0068】

第７パッド４２は、第４半導体素子４０の表面に設けられた端子である。第４半導体素子４０は、複数の第７パッド４２を含む。第７パッド４２は、Y方向に複数並ぶ。第７パッド４２は、信号用パッドと電源用パッドを含む。

【0069】

第４配線４３は、第７パッド４２に設けられた配線である。複数の第４配線４３は、Y方向に並ぶ。第４配線４３を介して、第４半導体素子４０は、外部の配線基板又は半導体素子と電気的に接続する。第４配線４３と支持基板１が電気的には接続しない場合、例えば、第４配線４３は、第７パッド４２から支持基板１側とは反対方向に延びる。

【0070】

第４配線４３は、Ｃｕ又はＰｄで被覆されたＣｕが好ましい。第４配線４３の直径は１０［μｍ］以上５０［μｍ］以下が好ましく、１５［μｍ］以上３０［μｍ］以下が好ましい。

【0071】

第８パッド４４は、第４配線４３の先端のメッキ部分である。第８パッド４４は、例えば無電解めっきされたメッキ層である。

【0072】

第８パッド４４は、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｗ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｉ－Ｐ、Ｎｉ－Ｂからなる群より選ばれる２種以上を含む膜を含む低抵抗金属膜である。第８パッド４４は、より具体的には、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ又はＮｉ／Ａｕ又はＣｕであることがより好ましい。

【0073】

次に、図４から図９の斜視模式図を参照して、支持体２、第１溝及び第２溝について説明する。第１溝又は／及び第２溝は、支持体２の第１半導体素子３０側に設けられている凹みである。第１溝又は／及び第２溝の内部には、第１樹脂組成物層３１が存在することが好ましい。第１溝又は／及び第２溝の側面は、第１樹脂組成物層３１と直接的に接していることが好ましい。第１溝又は／及び第２溝は、意図的に形成された凹みであり、意図せずに生じた欠け等ではない。意図的に形成された第１溝又は／及び第２溝の深さは、典型的には、１０[μｍ]以上３００[μｍ]以下である。より好ましくは５０［μｍ］以上１５０［μｍ］以下である。第１溝又は／及び第２溝に、意図せずに生じた欠けによる凹み等が含まれていてもよい。

【0074】

支持体２の第１半導体素子３０側の表面には、支持体２及び第１半導体素子３０の長手方向に延びる第１溝が設けられていることが好ましい。

【0075】

支持体２の第１半導体素子３０側の表面には、支持体２及び第１半導体素子３０の長さ方向に延びる第１溝、及び、支持体２及び第１半導体素子３０の幅方向に延びる第１溝が設けられていることが好ましい。

【0076】

図４に支持体２の溝の一例を示す。図４の支持体２の上面は、平坦面２Ａと長さ方向（Ｙ方向）に延びる第１溝２Ｂを有する。第１溝２Ｂは、支持体２の長さ方向の一方の端部から他方の端部まで連続した凹みである。図４の支持体２の第１溝２Ｂは、第１積層体側とは反対側に位置している。第１溝２Ｂは、第１積層体側とは反対側に設けられていることが好ましい。第１溝２Ｂは、支持体２の側面に設けられていることが好ましい。第１溝２Ｂは、支持体２の長さ方向と同方向又は略同方向が好ましい。

【0077】

図５に支持体２の溝の一例を示す。図５の支持体２の上面は、平坦面２Ａ、長さ方向（Ｙ方向）に延びる第１溝２Ｂ及び、幅方向（Ｘ方向）に延びる第２溝２Ｃを有する。第１溝２Ｂ及び第２溝２Ｃは、分離していてもよいし、連結していてもよい。第１溝２Ｂの断面形状は、図４の模式図では矩形で、図５の模式図では扇形である。第２溝２Ｃの断面形状は、図５の模式図では矩形である。溝の断面形状は、特に限定されない。第２溝２Ｃは、支持体２の幅方向と同方向又は略同方向が好ましい。

【0078】

図６に支持体２の溝の一例を示す。図６の支持体２の上面は、平坦面２Ａ、長さ方向（Ｙ方向）に延びる第１溝２Ｂ及び、長さ方向（Ｙ方向）に延びる第１溝２Ｄを有する。第１溝２Ｂは、第１積層体側とは反対側に位置している。第１溝２Ｄは、第１積層体側に位置している。第１積層体側と第１積層体側とは反対側の両側に溝が設けられていてもよい。第１溝２Ｂの断面形状と第１溝２Ｄの断面形状は、同じでもよいし、異なっていてもよい。

【0079】

図７に支持体２の溝の一例を示す。図７の支持体２の上面は、平坦面２Ａ、長さ方向（Ｙ方向）に延びる第１溝２Ｅ及び、幅方向（Ｘ方向）に延びる第２溝２Ｃを有する。第１溝２Ｅは、２段の溝になっている。複数段の溝である場合、格段の溝の形状は同じ（矩形と矩形）でもよいし、異なって（図７のように矩形と扇形）いてもよい。第２溝２Ｃは、２部存在する。

【0080】

図８に支持体２の溝の一例を示す。図８の支持体２の上面は、平坦面２Ａ、長さ方向（Ｙ方向）に延びる第１溝２Ｂ及び、幅方向（Ｘ方向）に延びる第２溝２Ｃを有する。第２溝２Ｃの一方は、第１溝２Ｂの一方の端部と接続し、第２溝２Ｃの他方は、第１溝２Ｂの他方の端部と接続している。

【0081】

図９に支持体２の溝の一例を示す。図９の支持体２の上面は、平坦面２Ａと長さ方向（Ｙ方向）に延びる第１溝２Ｆを有する。第１溝２Ｆは、支持体２の第１積層体側の側面と第１積層体側とは反対側の側面の内側に位置している。

【0082】

半導体装置１００の第２積層体は、第１積層体及び支持体２上に設けられている。支持体２の高さＨ１と第１積層体の高さＨ２を同じに設計した場合に生じる公差を補う目的で、第１樹脂組成物層３１の厚さは、他の樹脂組成物層よりも厚いことが好ましい。第１樹脂組成物層３１の厚さが厚いと、支持体２に第１半導体素子３０と硬化前の第１樹脂組成物層３１の積層体を載置する際に、第１樹脂組成物層３１がはみ出しやすい。はみ出し量を減らそうとすると、第１半導体素子３０と硬化前の第１樹脂組成物層３１の積層体が支持体２上に斜めに載置されてしまったり、支持体２と第１半導体素子３０の間に樹脂体４が入り込んでしまったりする可能性もあるため、厚い第１樹脂組成物層３１が好ましい。厚い第１樹脂組成物層３１を用いると、はみ出し量が多くなる。はみ出し量が多いと、樹脂体４の側面に第１樹脂組成物層３１が露出する可能性がある。第１樹脂組成物層３１と樹脂体４では、熱伝導率や強度が異なるため、はみ出し量の誤差が半導体装置１００の信頼性に影響を及ぼす可能性がある。そこで、厚い第１樹脂組成物層３１を使用した場合でもはみ出し量が少なくなるように、第１溝又は／及び第２溝を設けることが好ましい。

【0083】

第１溝又は／及び第２溝に、第１樹脂組成物層３１が入り込むことで第１樹脂組成物層３１のはみ出し量を減らすことができる。

【0084】

第１溝又は／及び第２溝は、ブレード加工やレーザー加工で形成されることが好ましい。第１溝又は／及び第２溝がブレード加工で形成されると、ブレードによって溝の表面が粗くなる。表面が粗い溝の場合、粗い溝の凹凸に第１樹脂組成物層３１が入り込みアンカー効果が生じることが好ましい。アンカー効果が生じることで、第１樹脂組成物層３１と接している第１半導体素子３０の耐振動性等が向上する。アンカー効果が生じると、第１半導体素子３０や第４半導体素子４０上に形成する第３配線３３及び第４配線４３を形成する際の超音波振動によって、第１半導体素子３０及び第４半導体素子４０が動くことを抑制することができる。

【0085】

支持体２が存在すると、第１半導体素子３０や第４半導体素子４０上に形成する第３配線３３及び第４配線４３を形成する際に、第５パッド３２及び第７パッド４２の下が支持体２で支えられているため、信頼性の高い配線を形成することができる。支持体２が無い場合は、第１半導体素子３０や第４半導体素子４０は、片側が支えられていない状態で、配線が形成されるため、配線形成時に機械的な強度が低いことがある。配線形成時の安定性を向上させる観点から、第１半導体素子３０と支持体２の積層方向に第５パッド３２と支持体２が重なることが好ましく、同方向に第７パッド４２と支持体２が重なることが好ましい。

【0086】

厚い第１樹脂組成物層３１を用いる場合、第１半導体素子３０の厚さは他の半導体素子よりも厚いことが好ましい。厚い第１樹脂組成物層３１を用いると、ダイシングの際に第１半導体素子３０にチッピングが生じ易い。そこで、ダイシングの際の第１半導体素子３０のチッピングを考慮して第１半導体素子３０の厚さは厚いことが好ましい。

【0087】

（第２実施形態）
第２実施形態は、半導体装置に関する。第２実施形態の半導体装置１１０は、第１実施形態の変形例である。図１０に半導体装置１１０の断面模式図を示す。図１１に半導体装置１１０の上面模式図を示す。第２実施形態の半導体装置１１０は、第５配線１５及び第６配線３５を有すること以外は、第１実施形態の半導体装置１００と同様である。第１実施形態から第２実施形態で共通する内容についてはその説明を省略する。

【0088】

第５配線１５は、第２半導体素子１０と第３半導体素子２０間を接続する配線である。第５配線１５は、例えば、第１パッド１２と第３パッド２２のうちの電源用パッド/接地用パッドに設けられている。例えば、第５配線１５を設けることで、例えば、電源のインピーダンスを下げることができる。たとえば、電源用パッド、信号用パッド、接地用パッドのような順番で設けられる。信号用パッドには第５配線１５が設けられない。

【0089】

第５配線１５は、Ａｕ、Ａｕ合金、Ｐｄ又は／及びＮｉでメッキされたＡｕ（合金含む）、Ｃｕ、Ｐｄ又は及びＮｉでメッキされたＣｕやＡｇなどである。

【0090】

第６配線３５は、第１半導体素子３０と第４半導体素子４０間を接続する配線である。第６配線３５は、例えば、第５パッド３２と第７パッド４２のうちの電源用パッド/接地用パッドに設けられている。例えば、第６配線３５を設けることで、例えば、電源のインピーダンスを下げることができる。たとえば、電源用パッド、信号用パッド、接地用パッドのような順番で設けられる。信号用パッドには第６配線３５が設けられない。

【0091】

第６配線３５は、Ａｕ、Ａｕ合金、Ｐｄ又は／及びＮｉでメッキされたＡｕ（合金含む）、Ｃｕ、Ｐｄ又は及びＮｉでメッキされたＣｕやＡｇなどである。

【0092】

第５配線１５及び第６配線３５を設ける場合も、第１実施形態の半導体装置１００と同様に支持体２とその溝の効果を有する。支持体２が存在するため、第６配線３５を形成する際の超音波振動に対する耐振動性が高いことも好ましい。

【0093】

（第３実施形態）
第３実施形態は、半導体装置に関する。第３実施形態の半導体装置１２０は、第１実施形態から第２実施形態の変形例である。図１２に半導体装置１２０の断面模式図を示す。第３実施形態の半導体装置１２０は、第１積層体側に第１樹脂組成物層３１がはみ出していること以外は、第１実施形態の半導体装置１００と同様である。第１実施形態から第３実施形態で共通する内容についてはその説明を省略する。

【0094】

半導体装置１２０の支持体２の高さと第２樹脂組成物層３の高さの和（支持基板１の第１半導体素子３０側の面から、支持体２の第１半導体素子３０側の面までの距離）Ｈ１は、第１積層体の高さＨ２と同じである。

【0095】

第１樹脂組成物層３１は第１積層体側にはみ出ることがある。支持体２と第１積層体との間には、ギャップが存在するため、第１樹脂組成物層３１が第１積層体側にはみ出ていても第１半導体素子３０等の載置の安定性を下げることなく、好適に第１半導体素子３０等を載置することができる。

【0096】

（第４実施形態）
第４実施形態は、半導体装置に関する。第４実施形態の半導体装置１３０は、第１実施形態から第３実施形態の変形例である。図１３に半導体装置１３０の断面模式図を示す。第４実施形態の半導体装置１３０は、半導体素子にも溝が設けられていること以外は、第１実施形態の半導体装置１００と同様である。第１実施形態から第４実施形態で共通する内容についてはその説明を省略する。溝の代わりに半導体素子にノッチを設けてもよい。

【0097】

第２半導体素子１０の第１パッド１２側とは反対側に溝が設けられている。第２半導体素子１０の溝が存在すると、第４樹脂組成物層２１が第２半導体素子１０の溝に入り込む。溝に第４樹脂組成物層２１が入り込むことで、第４樹脂組成物層２１と第２半導体素子１０が接する面積が増えるため、第１積層体の構造の安定性などが向上する。

【0098】

第３半導体素子２０の第３パッド２２側とは反対側に溝が設けられている。第３半導体素子２０の溝が存在すると、第１樹脂組成物層３１が第３半導体素子２０の溝に入り込む。溝に第１樹脂組成物層３１が入り込むことで、第１樹脂組成物層３１と第３半導体素子２０が接する面積が増えるため、第１積層体と第２積層体の構造の安定性などが向上する。

【0099】

第１半導体素子３０の第５パッド３２側とは反対側に溝が設けられている。第１半導体素子３０の溝が存在すると、第５樹脂組成物層４１が第１半導体素子３０の溝に入り込む。溝に第５樹脂組成物層４１が入り込むことで、第５樹脂組成物層４１と第１半導体素子３０が接する面積が増えるため、第２積層体の構造の安定性などが向上する。

【0100】

第４半導体素子４０の第７パッド４２側とは反対側に溝が設けられている。第４半導体素子４０の溝が存在すると、樹脂体４が第４半導体素子４０の溝に入り込む。溝に樹脂体４が入り込むことで、樹脂体４と第４半導体素子４０が接する面積が増えるため、第２積層体の構造の安定性などが向上する。

【0101】

（第５実施形態）
第５実施形態は、半導体装置と半導体装置の製造方法に関する。第５実施形態は、例えば、第１から第４実施形態の半導体装置１００～１３０をパッケージ化した形態である。第５実施形態の半導体装置２００の断面模式図を図１４に示す。第５実施形態半導体装置の製造方法は、第１から第４実施形態の半導体装置１００～１３０を含む。第１実施形態から第５実施形態で共通する内容についてはその説明を省略する。

【0102】

図１４の断面模式図に示す半導体装置２００は、支持基板１、支持体２、第２樹脂組成物層３、樹脂体４、第２半導体素子１０、第３樹脂組成物層１１、第１パッド１２、第１配線１３、第２パッド１４、第３半導体素子２０、第４樹脂組成物層２１、第３パッド２２、第２配線２３、第４パッド２４、第１半導体素子３０、第１樹脂組成物層３１、第５パッド３２、第３配線３３、第６パッド３４、第４半導体素子４０、第５樹脂組成物層４１、第７パッド４２、第４配線４３、第８パッド４４、第２樹脂組成物５０、第３樹脂組成物５１、第４樹脂組成物５２、第５半導体素子６０、第９パッド６１、第１導電性接合剤７１、第２導電性接合剤７２、第３導電性接合剤７３、第４導電性接合剤７４、第５導電性接合剤７５、配線基板８０、第１０パッド８１、第１１パッド８２、第１２パッド８３、第１３パッド８４、第１４パッド８５及び半田ボール８６を有する。

【0103】

第２樹脂組成物５０は、半導体装置２００の封止材である。第２樹脂組成物５０は、支持体２及び第１樹脂組成物層３１と直接的に接していない。第２樹脂組成物５０は、絶縁性で、例えば、モールド樹脂である。

【0104】

第２樹脂組成物５０は、例えば、エポキシ系、フェノール系、ポリイミド系、ポリアミド系、アクリル系、ＰＢＯ系、シリコーン系、ベンゾシクロブテン系などの樹脂、これらの混合材料、複合材料を使用する。エポキシ樹脂の例としては特に限定されず、例えば、ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＡＤ型、ビスフェノールＳ型等のビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型、クレゾールノボラック型等のノボラック型エポキシ樹脂、レゾルシノール型エポキシ樹脂、トリスフェノールメタントリグリシジルエーテル等の芳香族エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ポリエーテル変性エポキシ樹脂、ベンゾフェノン型エポキシ樹脂、アニリン型エポキシ樹脂、ＮＢＲ変性エポキシ樹脂、ＣＴＢＮ変性エポキシ樹脂、及び、これらの水添化物等が挙げられる。なかでも、Ｓｉ との密着性が良い点から、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂が好ましい。また、速硬化性が得られやすいことから、ベンゾフェノン型エポキシ樹脂も好ましい。これらのエポキシ樹脂は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。また、第２樹脂組成物５０の中にシリカやアルミナなどのフィラーが含まれていてもよい。

【0105】

第３樹脂組成物５１は、第５半導体素子６０と配線基板８０の間に設けられた第５半導体素子６０の封止材である。第３樹脂組成物５１は、絶縁性で、例えば、硬化したアンダーフィル剤である。

【0106】

第３樹脂組成物５１は、例えば、エポキシ系、フェノール系、ポリイミド系、ポリアミド系、アクリル系、ＰＢＯ系、シリコーン系、ベンゾシクロブテン系などの樹脂、これらの混合材料、複合材料を使用する。エポキシ樹脂の例としては特に限定されず、例えば、ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＡＤ型、ビスフェノールＳ型等のビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型、クレゾールノボラック型等のノボラック型エポキシ樹脂、レゾルシノール型エポキシ樹脂、トリスフェノールメタントリグリシジルエーテル等の芳香族エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ポリエーテル変性エポキシ樹脂、ベンゾフェノン型エポキシ樹脂、アニリン型エポキシ樹脂、ＮＢＲ変性エポキシ樹脂、ＣＴＢＮ変性エポキシ樹脂、及び、これらの水添化物等が挙げられる。なかでも、Ｓｉ との密着性が良い点から、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂が好ましい。また、速硬化性が得られやすいことから、ベンゾフェノン型エポキシ樹脂も好ましい。これらのエポキシ樹脂は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。また、第３樹脂組成物５１は、の中にシリカやアルミナなどのフィラーが含まれていてもよい。

【0107】

第４樹脂組成物５２は、半導体装置２００の封止材である。第５半導体素子６０と樹脂体４の間に設けられている。第４樹脂組成物５２は、硬化した絶縁ペーストである。第４樹脂組成物５２は、半導体装置２００のボイドを減らす。

【0108】

第４樹脂組成物５２は、例えば、エポキシ系、フェノール系、ポリイミド系、ポリアミド系、アクリル系、ＰＢＯ系、シリコーン系、ベンゾシクロブテン系などの樹脂、これらの混合材料、複合材料を使用する。エポキシ樹脂の例としては特に限定されず、例えば、ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＡＤ型、ビスフェノールＳ型等のビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型、クレゾールノボラック型等のノボラック型エポキシ樹脂、レゾルシノール型エポキシ樹脂、トリスフェノールメタントリグリシジルエーテル等の芳香族エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ポリエーテル変性エポキシ樹脂、ベンゾフェノン型エポキシ樹脂、アニリン型エポキシ樹脂、ＮＢＲ変性エポキシ樹脂、ＣＴＢＮ変性エポキシ樹脂、及び、これらの水添化物等が挙げられる。なかでも、Ｓｉ との密着性が良い点から、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂が好ましい。また、速硬化性が得られやすいことから、ベンゾフェノン型エポキシ樹脂も好ましい。これらのエポキシ樹脂は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。また、第４樹脂組成物５２の中にシリカやアルミナなどのフィラーが含まれていてもよい。

【0109】

第４樹脂組成物５２は、第５半導体素子６０と配線基板８０の間に設けられた第５半導体素子６０の封止材である。第４樹脂組成物５２は、絶縁性で、例えば、半導体装置２００の空隙率を下げる。

【0110】

第５半導体素子６０は、配線基板８０に載置されている。第５半導体素子６０は、配線基板８０を介して、第１半導体素子３０、第２半導体素子１０、第３半導体素子２０及び第４半導体素子４０と電気的に接続する。第５実施形態において、第５半導体素子６０は、第２樹脂組成物５０、第３樹脂組成物５１及び第４樹脂組成物５２に覆われている。

【0111】

第５半導体素子６０は、例えば、フリップチップである。半導体装置２００が記憶装置であるとき、例えば、第５半導体素子６０はコントローラチップである。コントローラチップは、半導体メモリチップの読み書き及び消去などを制御する半導体チップである。第５半導体素子６０は、第１半導体素子３０、第２半導体素子１０、第３半導体素子２０及び第４半導体素子４０の読み書き及び消去などを制御する。

【0112】

第９パッド６１は、第５半導体素子６０の端子である。複数の第９パッド６１が第５半導体素子６０に設けられている。第９パッド６１と配線基板８０の第１４パッド８５は、第５導電性接合剤７５を介して電気的に接続している。

【0113】

第９パッド６１は、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｗ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｉ－Ｐ、Ｎｉ－Ｂからなる群より選ばれる２種以上を含む膜を含む低抵抗金属膜である。第９パッド６１は、より具体的には、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ又はＮｉ／Ａｕ又はＣｕであることがより好ましい。

【0114】

第１導電性接合剤７１は、第２半導体素子１０と接続した第１配線１３と電気的に接続する。第１導電性接合剤７１は、第２パッド１４と第１０パッド８１を電気的に接続する導電部材である。第１導電性接合剤７１は、例えば、半田である。

【0115】

第２導電性接合剤７２は、第３半導体素子２０と接続した第２配線２３と電気的に接続する。第２導電性接合剤７２は、第４パッド２４と第１１パッド８２を電気的に接続する導電部材である。第２導電性接合剤７２は、例えば、半田である。

【0116】

第３導電性接合剤７３は、第１半導体素子３０と接続した第３配線３３と電気的に接続する。第３導電性接合剤７３は、第６パッド３４と第１２パッド８３を電気的に接続する導電部材である。第３導電性接合剤７３は、例えば、半田である。

【0117】

第４導電性接合剤７４は、第４半導体素子４０と接続した第４配線４３と電気的に接続する。第４導電性接合剤７４は、第８パッド４４と第１３パッド８４を電気的に接続する導電部材である。第４導電性接合剤７４は、例えば、半田である。

【0118】

第５導電性接合剤７５は、第５半導体素子６０と接続した第９パッド６１と電気的に接続する。第５導電性接合剤７５は、第９パッド６１と第１４パッド８５を電気的に接続する導電部材である。第５導電性接合剤７５は、例えば、半田である。

【0119】

配線基板８０は、第５半導体素子６０等の支持基板である。配線基板８０はより具体的には、多層のプリント基板（ＰＣＢ）である。配線基板８０の第５半導体素子６０が設けられている面とは反対側の面側に半導体装置１００の外部と接続端子である半田ボール８６などの半球状の電極が設けられている。

【0120】

第１０パッド８１は、配線基板８０に設けられた電極パッドである。第１０パッド８１は、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｗ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｉ－Ｐ、Ｎｉ－Ｂからなる群より選ばれる２種以上を含む膜を含む低抵抗金属膜である。第１０パッド８１は、より具体的には、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ又はＮｉ／Ａｕ又はＣｕであることがより好ましい。

【0121】

第１１パッド８２は、配線基板８０に設けられた電極パッドである。第１１パッド８２は、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｗ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｉ－Ｐ、Ｎｉ－Ｂからなる群より選ばれる２種以上を含む膜を含む低抵抗金属膜である。第１１パッド８２は、より具体的には、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ又はＮｉ／Ａｕ又はＣｕであることがより好ましい。

【0122】

第１２パッド８３は、配線基板８０に設けられた電極パッドである。第１２パッド８３は、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｗ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｉ－Ｐ、Ｎｉ－Ｂからなる群より選ばれる２種以上を含む膜を含む低抵抗金属膜である。第１２パッド８３は、より具体的には、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ又はＮｉ／Ａｕ又はＣｕであることがより好ましい。

【0123】

第１３パッド８４は、配線基板８０に設けられた電極パッドである。第１３パッド８４は、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｗ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｉ－Ｐ、Ｎｉ－Ｂからなる群より選ばれる２種以上を含む膜を含む低抵抗金属膜である。第１３パッド８４は、より具体的には、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ又はＮｉ／Ａｕ又はＣｕであることがより好ましい。

【0124】

第１４パッド８５は、配線基板８０に設けられた電極パッドである。第１４パッド８５は、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｗ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｉ－Ｐ、Ｎｉ－Ｂからなる群より選ばれる２種以上を含む膜を含む低抵抗金属膜である。第１４パッド８５は、より具体的には、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ又はＮｉ／Ａｕ又はＣｕであることがより好ましい。

【0125】

半田ボール８６は、半導体装置２００の外部と電気的に接続する外部接続端子である。半導体装置２００がＢＧＡ（BaＬＬ Grid Array）パッケージである場合、半導体装置２００に複数の半田ボール８６が設けられている。半導体装置のパッケージ形態に応じて、外部接続端子には好適な部材が選択される。

【0126】

半導体装置２００に用いた信頼性の高い半導体装置１００は、半導体装置２００の信頼性の向上に寄与する。半導体装置１００の第１樹脂組成物層３１は、第２樹脂組成物５０と直接的に接していない。モールド樹脂ではない第１樹脂組成物層３１が外装材である第２樹脂組成物５０の内表面に接しておらず、第２樹脂組成物５０の内部に侵入していない。この構成を採用することで、半導体装置２００の信頼性の向上に寄与する。

【0127】

次に、半導体装置２００の製造方法について説明する。半導体装置２００の製造方法は、明細書に例示するが、例えば、支持体２の溝の形成方法含め、他の方法を採用してもよい。図１５に半導体装置２００の製造方法のフローチャートを示す。図１６から図２７に半導体装置２００の工程模式図を示す。工程図において、一部の部材の符号を省略している。半導体装置２００の製造方法の一部は、半導体装置１００の製造方法と共通する。

【0128】

半導体装置１００及び半導体装置２００の製造方法は、支持基板１上に第１方向にずれて階段状に重なった複数の半導体素子を有する第１積層体を設ける工程（Ｓ０１）と、支持体２の表面に溝を形成する工程（Ｓ０２）と、支持基板１上に第１積層体が設けられた支持基板上に溝が形成された支持体２を設ける工程（Ｓ０３）と、支持体２上に第１方向とは反対側の第２方向にずれて階段状に重なった最下段に第１半導体素子３０を含む複数の半導体素子を有し、第１半導体素子３０の支持基板側の面には、第１接着層３１Ａを有する第２積層体を設ける工程（Ｓ０４）と、第１接着層３１Ａを硬化させる工程（Ｓ０５）と、第１半導体素子３０と接続する配線を形成する工程（Ｓ０５）と、を有する。

【0129】

図１６の工程模式図を用いて、支持基板１上に第１方向にずれて階段状に重なった複数の半導体素子を有する第１積層体を設ける工程（Ｓ０１）について説明する。支持基板１上に第１積層体を設けて図１６の工程模式図の部材を得る。第１積層体は、第２半導体素子１０と第３半導体素子２０を含む。まず、接着層が下面に設けられた第２半導体素子１０を接着層を支持基板１側に向けて支持基板１上に載置する。そして、接着層が下面に設けられた第３半導体素子２０を接着層を支持基板１側に向けて第２半導体素子１０上に載置する。載置後に接着層を硬化する。第２半導体素子１０と支持基板１の間の接着層が第３樹脂組成物層１１になる。第３半導体素子２０と第２半導体素子１０の間の接着層が第４樹脂組成物層２１になる。接着層は、支持体２を設ける工程（Ｓ０３）の前後どちらに実施してもよい。実施形態の工程図では、区別した場合を除き接着層が硬化した樹脂組成物層（例えば、第３樹脂組成物層１１、第４樹脂組成物層２１）として説明する。

【0130】

図１７と１８の工程模式図を用いて、支持体２の表面に溝を形成する工程（Ｓ０２）について説明する。図１７の支持体２に矢印の幅の浅い溝を形成する。支持体２の浅い溝が形成される面とは反対側には、接着層３Ａと支持テープ３Ｂが設けられている。図１７の溝は、例えば、ブレード加工やレーザー加工で形成される。そして、図１８の工程模式図に示すように浅い溝が形成された部分にさらに矢印の幅の切り幅で支持体２を切断して第１溝２Ｂが形成された支持体２を得る。図１８の支持体２は、図４の支持体２と同様の第１溝２Ｂが形成されていて、第１溝２Ｂが形成されていない平坦面２Ａも有する。

【0131】

ブレードで溝加工をすることで、第１溝２Ｂの表面粗さＲａが大きくなる。第１溝２Ｂの表面粗さＲａが大きいと、溝の粗い表面に第１樹脂組成物層３１が食い込んで第１半導体素子３０の安定性が向上する。第１溝２Ｂの表面粗さＲａは、平坦面２Ａの表面粗さＲａの２倍以上５倍以下が好ましい。

【0132】

図１９の工程模式図を用いて、支持基板１上に第１積層体が設けられた支持基板上に溝が形成された支持体２を設ける工程（Ｓ０３）について説明する。図１６の工程模式図の部材に、図１８の支持テープ３Ｂを剥離した支持体２を載置し、接着層３Ａを硬化して図１９の工程模式図に示す部材を得る。接着層３Ａが硬化して、第２樹脂組成物層３になる。
第１積層体が設けられていない支持基板１に支持体２を設けると、第２半導体素子１０や第３半導体素子２０を設ける際に支持体２が物理的に妨げになりやすい。先に第１積層体を支持基板１に設け、その後に支持体２を支持基板１に設けることで、両方の部材の載置がやりやすくなる。なお、支持体２の高さが低いと支持体２の載置がし難い場合がある。そこで、支持基板１から支持体２の支持基板１側とは反対側の面までの距離は、支持基板１から第１積層体の支持基板側とは反対側の面までの距離よりも長くなるように、部材の厚さを調整することが好ましい。

【0133】

図２０と図２１の工程模式図を用いて、支持体２上に第１方向とは反対側の第２方向にずれて階段状に重なった最下段に第１半導体素子３０を含む複数の半導体素子を有し、第１半導体素子３０の支持基板側の面には、第１接着層３１Ａを有する第２積層体を設ける工程（Ｓ０４）と、第１接着層３１Ａを硬化させる工程（Ｓ０５）について説明する。図１９の部材の支持体２の上に第２積層体を設ける。第２積層体は、第１半導体素子３０と第４半導体素子４０を含む。まず、図２０の工程模式図に示すように第１接着層３１Ａが下面に設けられた第１半導体素子３０を第１接着層３１Ａを支持体２側に向けて支持体２上に載置する。そして、接着層が下面に設けられた第４半導体素子４０を接着層を支持基板１側に向けて第１半導体素子３０上に載置する。載置後に接着層を硬化して図２１の工程模式図に示す部材が得られる。第１半導体素子３０と支持体２の間の第１接着層３１Ａが第１樹脂組成物層３１になる。第４半導体素子４０と第１半導体素子３０の間の接着層が第５樹脂組成物層４１になる。

【0134】

第２積層体を設ける工程において、第１接着層３１Ａを支持体２の第１溝２Ｂが形成された面に押しつけることで第１溝２Ｂの内部に第１接着層３１Ａが好適に充填される。第１溝２Ｂが設けられているため、第１接着層３１Ａの支持体２の面方向にはみ出る量が減る。第１溝２Ｂが存在するため、第１接着層３１Ａが広がりやすく、平坦面２Ａの第１接着層３１Ａとの接触面積比率が高まることも好ましい。

【0135】

支持体２の幅方向のみに溝が設けられていると、支持体２の幅方向の辺の長さは長さ方向の辺の長さより短いため、第１接着層３１Ａのはみ出し量の減少が十分ではない場合がある。そこで、支持体２の溝は、支持体２の長さ方向に沿って設けられていることが好ましい。

【0136】

図２２の工程模式図を用いて、第１半導体素子３０と接続する配線を形成する工程（Ｓ０５）について説明する。図２１の工程模式図の部材の半導体素子のパッドに配線を形成する。第１積層体は、安定した支持基板１に支えられていて、第２半導体素子１０の第１パッド１２に、例えば、キャピラリーを用いて安定的に第１配線１３を形成することができる。同様に、第３半導体素子２０の第３パッド２２に、例えば、キャピラリーを用いて安定的に第２配線２３を形成することができる。

【0137】

第１半導体素子３０は、第１積層体と支持体２に支えられていて、第１半導体素子３０の第５パッド３２に、例えば、キャピラリーを用いて安定的に第３配線３３を形成することができる。第１半導体素子３０と支持体２の積層方向において、第５パッド３２と支持体２は重なるため、第３配線３３の形成時の力が支持体２にかかり安定的に第３配線３３が形成される。同様に、第４半導体素子４０の第７パッド４２に、例えば、キャピラリーを用いて安定的に第４配線４３を形成することができる。支持体２が無いと、第１半導体素子３０に印加された力が分散されにくいため、第１半導体素子３０が破損する可能性がある。実施形態の構成を採用することで、第１半導体素子３０に印加された力が分散して第１半導体素子３０の破損を防ぐことができる。

【0138】

図１０の断面模式図に示す半導体装置１００を製造する場合、第１半導体素子３０と接続する配線を形成する工程（Ｓ０５）において第５配線１５及び第６配線３５を形成することが好ましい。

【0139】

次に、図２３の工程模式図に示すように、樹脂体４を形成する。そして、第１配線１３、第２配線２３、第３配線３３及び第４配線４３の先端が露出するように樹脂体４の表面を研磨除去する。第１配線１３の先端部分に無電解めっきで第２パッド１４を形成する。第２配線２３の先端部分に無電解めっきで第４パッド２４を形成する。第３配線３３の先端部分に無電解めっきで第６パッド３４を形成する。第４配線４３の先端部分に無電解めっきで第８パッド４４を形成する。これらの工程を行って、図２４の工程模式図に示す半導体装置１００を製造することができる。

【0140】

溝を有する支持体２を用いることで、第１樹脂組成物層３１のはみ出し量を抑え、安定的に配線を形成することができる。機械的及び熱的に信頼性が高い半導体装置１００を得ることができる。

【0141】

続いて加工を行うことで、半導体装置２００を製造する。図２５の工程模式図に示すように、図２４の工程模式図の樹脂体４の一部を除去して、第１積層体の配線と第２積層体の配線の間の領域に座繰りを形成する。座繰りは、第５半導体素子６０が収容される空間である。

【0142】

そして、図２６の工程模式図に示すように、第５半導体素子６０を設けた配線基板８０と図２５の工程模式図の部材を向かい合わせる。配線基板８０と第５半導体素子６０は、第５導電性接合剤７５で接続されている。配線基板８０と第５半導体素子６０は、フラックスを塗布して接合することが好ましい。配線基板８０と第５半導体素子６０の間には、アンダーフィルなどを用いて形成した第３樹脂組成物５１が存在する。第５半導体素子６０の座繰り側を向く面には、ＮＣＰなどの絶縁性の第４樹脂組成物５２が設けられている。

【0143】

そして、図２６の工程模式図に示すように、第１０パッド８１上に設けられた第１導電性接合剤７１を第２パッド１４と接合し、第１１パッド８２上に設けられた第２導電性接合剤７２を第４パッド２４と接合し、第１２パッド８３上に設けられた第３導電性接合剤７３を第６パッド３４と接合し、第１３パッド８４上に設けられた第４導電性接合剤７４を第８パッド４４と接合し、図２７の工程模式図に示す部材を得る。そして、第２樹脂組成物５０の形成、半田ボール８６の形成及び個片化を行って、図１４の断面模式図に示した半導体装置２００を得ることができる。

【0144】

（第６実施形態）
第６実施形態は、半導体装置に関する。第６実施形態の半導体装置３００は、第１実施形態から第５実施形態の変形例である。図２８に半導体装置３００の断面模式図を示す。第６実施形態の半導体装置３００は、第１積層体が第２半導体素子１０、第３半導体素子２０、第６半導体素子２０Ａ及び第７半導体素子２０Ｂを含み、第２積層体が第１半導体素子３０、第４半導体素子４０、第８半導体素子４０Ａ及び第９半導体素子４０Ｂを含み、第１積層体及び第２積層体は、ボンディングワイヤで支持基板１と電気的に接続している以外は、第１実施形態の半導体装置１００と同様である。第１実施形態から第６実施形態で共通する内容についてはその説明を省略する。

【0145】

図２８に示す半導体装置３００は、支持基板１、支持体２、第２樹脂組成物層３、樹脂体４、第２半導体素子１０、第３樹脂組成物層１１、第１パッド１２、第７配線１６、第３半導体素子２０、第４樹脂組成物層２１、第３パッド２２、第８配線２６、第６半導体素子２０Ａ、第６樹脂組成物層２１Ａ、第１５パッド２２Ａ、第９配線２６Ａ、第７半導体素子２０Ｂ、第７樹脂組成物層２１Ｂ、第１６パッド２２Ｂ、第１０配線２６Ｂ、第１半導体素子３０、第１樹脂組成物層３１、第５パッド３２、第１１配線３６、第４半導体素子４０、第５樹脂組成物層４１、第７パッド４２、第１２配線４６、第８半導体素子４０Ａ、第８樹脂組成物層４１Ａ、第１７パッド４２Ａ、第１３配線４６Ａ、第９半導体素子４０Ｂ、第９樹脂組成物層４１Ｂ、第１８パッド４２Ｂ及び第１４配線４６Ｂを有する。

【0146】

半導体装置３００は、支持基板１に配線基板を用いている。支持基板１上の第１９パッド５Ａと第１積層体が電気的に接続している。支持基板１上の第２０パッド５Ｂと第２積層体が電気的に接続している。

【0147】

第６半導体素子２０Ａと第３半導体素子２０は、第４樹脂組成物層２１と同様の第６樹脂組成物層２１Ａで固定されている。第７半導体素子２０Ｂと第６半導体素子２０Ａは、第４樹脂組成物層２１と同様の第７樹脂組成物層２１Ｂで固定されている。

【0148】

図１０に示した第５配線１５と同様の第７配線１６は、第１パッド１２と同様の第１９パッド５Ａと第１パッド１２を電気的に接続している。第５配線１５と同様の第８配線２６は、第１パッド１２と第３パッド２２を電気的に接続している。第５配線１５と同様の第９配線２６Ａは、第１パッド１２と同様の第１５パッド２２Ａと第３パッド２２を電気的に接続している。第５配線１５と同様の第１０配線２６Ｂは、第１パッド１２と同様の第１６パッド２２Ｂと第１５パッド２２Ａを電気的に接続している。

【0149】

第８半導体素子４０Ａと第４半導体素子４０は、第５樹脂組成物層４１と同様の第８樹脂組成物層４１Ａで固定されている。第８半導体素子４０Ａと第９半導体素子４０Ｂは、第５樹脂組成物層４１と同様の第９樹脂組成物層４１Ｂで固定されている。

【0150】

図１０に示した。第６配線３５と同様の第１１配線３６は、第５パッド３２と同様の第２０パッド５Ｂと第５パッド３２を電気的に接続している。第６配線３５と同様の第１２配線４６は、第５パッド３２と第７パッド４２を電気的に接続している。第６配線３５と同様の第１３配線４６Ａは、第５パッド３２と同様の第１７パッド４２Ａと第７パッド４２を電気的に接続している。第６配線３５と同様の第１４配線４６Ｂは、第５パッド３２と同様の第１８パッド４２Ｂと第１７パッド４２Ａを電気的に接続している。

【0151】

第６実施形態の積層体と支持基板１が電気的に接続する形態においても、支持体２を用いることで、第１実施形態と同様に第１樹脂組成物層３１のはみ出し量を抑え、安定的に配線を形成することができる。機械的及び熱的に信頼性が高い半導体装置３００を得ることができる。

【0152】

（第７実施形態）
第７実施形態は、半導体装置に関する。第７実施形態の半導体装置４００は、第１実施形態から第６実施形態の変形例である。図２９に半導体装置４００の断面模式図を示す。第７実施形態の半導体装置４００は、第５半導体素子６０を有し、第５半導体素子６０がボンディングワイヤである第１５配線７で支持基板１と電気的に接続していて、半田ボール８６が支持基板１に設けられていること以外は、第６実施形態の半導体装置３００と同様である。第１実施形態から第７実施形態で共通する内容についてはその説明を省略する。

【0153】

支持基板１上に第５半導体素子６０図示しない樹脂組成物層を介して設けられている。第５半導体素子６０の第９パッド６１と支持基板１上の第１パッド１２同様の第２１パッド６は、図１０に記載した第５配線１５と同様の第１５配線７で接続されている。

【0154】

第７実施形態の積層体と支持基板１が電気的に接続する形態においても、支持体２を用いることで、第１実施形態と同様に第１樹脂組成物層３１のはみ出し量を抑え、安定的に配線を形成することができる。機械的及び熱的に信頼性が高い半導体装置３００を得ることができる。

【0155】

以下、実施形態の技術案を付記する。
［技術案１］
支持基板と、
前記支持基板上に設けられ、第１方向にずれて階段状に重なった複数の半導体素子が積層した第１積層体と、
前記第１積層体上に設けられ、前記第１方向とは反対側の第２方向にずれて階段状に重なった複数の半導体素子が積層した第２積層体と、
前記支持基板と前記第２積層体の間に設けられた支持体と、
前記第２積層体と前記支持体との間に第１樹脂組成物層とを有し、
前記第２積層体の最も前記支持基板側に位置している前記半導体素子を第１半導体素子とし、
前記第１樹脂組成物層は、前記第１半導体素子と前記支持体を接続し、
支持体の第２積層体側を向く面に前記支持体の長さ方向に延びる第１溝又は／及び前記支持体の幅方向に延びる第２溝を有する半導体装置。
［技術案２］
前記支持体の第１溝又は／第２の溝内に第１樹脂組成物層が存在する技術案１に記載の半導体装置。
［技術案３］
前記支持基板から前記支持体の支持基板側とは反対側の面までの距離は、前記支持基板から前記第１積層体の前記支持基板側とは反対側の面までの距離よりも長い技術案１又は２に記載の半導体装置。
［技術案４］
前記第１半導体素子の厚さは、前記第１積層体及び前記第２積層体に含まれる半導体素子の厚さよりも厚い技術案１ないし３のいずれか１案に記載の半導体装置。
［技術案５］
前記第１半導体素子から前記支持基板側とは反対側に延びる配線が設けられている技術案１ないし４のいずれか１案に記載の半導体装置。
［技術案６］
前記第１積層体及び前記第２積層体を封止する樹脂体を有し、
前記第１樹脂組成物層は、前記第１樹脂組成物の内部のみに形成される技術案１ないし５のいずれか１案に記載の半導体装置。
［技術案７］
前記第１積層体及び前記第２積層体に含まれる半導体素子は、半導体メモリチップである技術案１ないし６のいずれか１案に記載の半導体装置。
［技術案８］
支持基板上に第１方向にずれて階段状に重なった複数の半導体素子を有する第１積層体を設ける工程と、
支持体の表面に溝を形成する工程と、
前記支持基板上に第１積層体が設けられた前記支持基板上に溝が形成された支持体を設ける工程と、
前記支持体上に前記第１方向とは反対側の第２方向にずれて階段状に重なった最下段に第１半導体素子を含む複数の半導体素子を有し、前記第１半導体素子の前記支持基板側の面には、第１接着層を有する第２積層体を設ける工程と、
前記第１接着層を硬化させる工程と、
前記第１半導体素子と接続する配線を形成する工程と、
を有する半導体装置の製造方法
［技術案９］
前記第２積層体を設ける工程において、前記第１接着層を前記支持体の溝が形成された面に押しつける技術案８に記載の半導体装置の製造方法。

【0156】

以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形例は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

【符号の説明】

【0157】

１ ：支持基板
２ ：支持体
２Ａ ：平坦面
２Ｂ（２Ｄ、２Ｅ、２Ｆ） ：第１溝
２Ｃ ：第２溝
３ ：第２樹脂組成物層
３Ａ ：接着層
３Ｂ ：支持テープ
４ ：樹脂体
５ ：技術案
５Ａ ：第１９パッド
５Ｂ ：第２０パッド
６ ：第２１パッド
７ ：第１５配線
１０ ：第２半導体素子
１１ ：第３樹脂組成物層
１２ ：第１パッド
１３ ：第１配線
１４ ：第２パッド
１５ ：第５配線
１６ ：第７配線
２０ ：第３半導体素子
２０Ａ ：第６半導体素子
２０Ｂ ：第７半導体素子
２１ ：第４樹脂組成物層
２１Ａ ：第６樹脂組成物層
２１Ｂ ：第７樹脂組成物層
２２ ：第３パッド
２２Ａ ：第１５パッド
２２Ｂ ：第１６パッド
２３ ：第２配線
２４ ：第４パッド
２６ ：第８配線
２６Ａ ：第９配線
２６Ｂ ：第１０配線
３０ ：第１半導体素子
３１ ：第１樹脂組成物層
３１Ａ ：第１接着層
３１A ：部分
３２ ：第５パッド
３３ ：第３配線
３４ ：第６パッド
３５ ：第６配線
３６ ：第１１配線
４０ ：第４半導体素子
４０Ａ ：第８半導体素子
４０Ｂ ：第９半導体素子
４１ ：第５樹脂組成物層
４１Ａ ：第８樹脂組成物層
４１Ｂ ：第９樹脂組成物層
４２ ：第７パッド
４２Ａ ：第１７パッド
４２Ｂ ：第１８パッド
４３ ：第４配線
４４ ：第８パッド
４６ ：第１２配線
４６Ａ ：第１３配線
４６Ｂ ：第１４配線
５０ ：第２樹脂組成物
５１ ：第３樹脂組成物
５２ ：第４樹脂組成物
６０ ：第５半導体素子
６１ ：第９パッド
７１ ：第１導電性接合剤
７２ ：第２導電性接合剤
７３ ：第３導電性接合剤
７４ ：第４導電性接合剤
７５ ：第５導電性接合剤
８０ ：配線基板
８１ ：第１０パッド
８２ ：第１１パッド
８３ ：第１２パッド
８４ ：第１３パッド
８５ ：第１４パッド
８６ ：半田ボール
１００ ：半導体装置
１１０ ：半導体装置
１２０ ：半導体装置
１３０ ：半導体装置
２００ ：半導体装置
３００ ：半導体装置
４００ ：半導体装置

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】

【図22】

【図23】

【図24】

【図25】

【図26】

【図27】

【図28】

【図29】