▶ サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド．の特許一覧
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024132918
(43)【公開日】2024-10-01
(54)【発明の名称】積層型電子部品
(51)【国際特許分類】
H01G 4/30 20060101AFI20240920BHJP
【ＦＩ】
H01G4/30 201G
H01G4/30 516
H01G4/30 513
H01G4/30 201F
【審査請求】未請求
【請求項の数】14
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2024028340
(22)【出願日】2024-02-28
(31)【優先権主張番号】10-2023-0033556
(32)【優先日】2023-03-14
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(71)【出願人】
【識別番号】594023722
【氏名又は名称】サムソン エレクトロ－メカニックス カンパニーリミテッド．
(74)【代理人】
【識別番号】110000877
【氏名又は名称】弁理士法人ＲＹＵＫＡ国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】アン、ソ ジュン
(72)【発明者】
【氏名】チョイ、ヒュン ジョン
(72)【発明者】
【氏名】パク、ジュン ウォン
(72)【発明者】
【氏名】リー、ヨー ジェオン
(72)【発明者】
【氏名】ウォン、クワン イェウン
(72)【発明者】
【氏名】スン、ウー キュン
(72)【発明者】
【氏名】ジェオン、ビュン ジュン
(72)【発明者】
【氏名】リー、チュル セウン
【テーマコード（参考）】
5E001
5E082
【Ｆターム（参考）】
5E001AB03
5E001AC10
5E001AD04
5E001AE01
5E001AE02
5E001AE03
5E001AE04
5E001AF06
5E001AJ01
5E082AB03
5E082EE04
5E082EE23
5E082EE35
5E082FG03
5E082FG26
5E082FG46
5E082GG10
5E082GG11
(57)【要約】
【課題】外部電極のめっき層形成時に発生する水素によって積層型電子部品の耐湿信頼性が低下する問題を解決する。
【解決手段】
本発明の一実施形態による積層型電子部品は、誘電体層、及び上記誘電体層と交互に配置される内部電極を含む本体と、上記本体上に配置される外部電極を含み、上記外部電極は、上記内部電極と連結されてＣｕを含む電極層、上記電極層上に配置される第１めっき部及び上記第１めっき部上に配置される第２めっき部を含み、上記第１めっき部は、上記電極層と接してＮｉを含むＮｉ層、上記Ｎｉ層上に配置されてＮｉ及びＳｎの少なくとも一つを含む金属間化合物を含む金属間化合物層を含む。
【選択図】図５
【解決手段】
本発明の一実施形態による積層型電子部品は、誘電体層、及び上記誘電体層と交互に配置される内部電極を含む本体と、上記本体上に配置される外部電極を含み、上記外部電極は、上記内部電極と連結されてＣｕを含む電極層、上記電極層上に配置される第１めっき部及び上記第１めっき部上に配置される第２めっき部を含み、上記第１めっき部は、上記電極層と接してＮｉを含むＮｉ層、上記Ｎｉ層上に配置されてＮｉ及びＳｎの少なくとも一つを含む金属間化合物を含む金属間化合物層を含む。
【選択図】図５
【特許請求の範囲】
【請求項1】
誘電体層、及び前記誘電体層と交互に配置される内部電極を含む本体と、
前記本体上に配置される外部電極と、を含み、
前記外部電極は、前記内部電極と連結され、Ｃｕを含む電極層、前記電極層上に配置される第１めっき部及び前記第１めっき部上に配置される第２めっき部を含み、
前記第１めっき部は、前記電極層と接し、Ｎｉを含むＮｉ層、及び前記Ｎｉ層上に配置され、Ｎｉ及びＳｎの少なくとも一つを含む金属間化合物を含む金属間化合物層を含み、
前記第２めっき部は、前記第１めっき部と接し、Ｎｉを含むＮｉ層を含む、積層型電子部品。
前記本体上に配置される外部電極と、を含み、
前記外部電極は、前記内部電極と連結され、Ｃｕを含む電極層、前記電極層上に配置される第１めっき部及び前記第１めっき部上に配置される第２めっき部を含み、
前記第１めっき部は、前記電極層と接し、Ｎｉを含むＮｉ層、及び前記Ｎｉ層上に配置され、Ｎｉ及びＳｎの少なくとも一つを含む金属間化合物を含む金属間化合物層を含み、
前記第２めっき部は、前記第１めっき部と接し、Ｎｉを含むＮｉ層を含む、積層型電子部品。
【請求項2】
前記金属間化合物は、Ｎｉ３Ｓｎ、Ｎｉ３Ｓｎ２及びＮｉ３Ｓｎ４の少なくとも一つを含む、請求項１に記載の積層型電子部品。
【請求項3】
前記第１めっき部の平均厚さは０．３μｍ以上５μｍ以下である、請求項１または２に記載の積層型電子部品。
【請求項4】
前記第２めっき部は、前記第２めっき部のＮｉ層上に配置されてＳｎを含むＳｎ層をさらに含む、請求項１または２に記載の積層型電子部品。
【請求項5】
前記第１めっき部に含まれるＮｉ層の平均厚さは、前記第２めっき部に含まれるＮｉ層の平均厚さよりも小さい、請求項４に記載の積層型電子部品。
【請求項6】
前記電極層はガラスをさらに含む、請求項１または２に記載の積層型電子部品。
【請求項7】
前記電極層はガラスを含まない、請求項１または２に記載の積層型電子部品。
【請求項8】
誘電体層、及び前記誘電体層と交互に配置される内部電極を含む本体と、
前記本体上に配置される外部電極と、を含み、
前記外部電極は、前記内部電極と連結されてＣｕを含む電極層、前記電極層上に配置される第１めっき部、及び前記第１めっき部上に配置される第２めっき部を含み、
前記第１めっき部は、前記電極層と接してＮｉを含むＮｉ層、前記Ｎｉ層上に配置されてＮｉ及びＳｎの少なくとも一つを含む金属間化合物を含む金属間化合物層、及び前記金属間化合物層上に配置されてＳｎを含むＳｎ層を含み、
前記第２めっき部は、前記第１めっき部と接してＮｉを含むＮｉ層を含む、積層型電子部品。
前記本体上に配置される外部電極と、を含み、
前記外部電極は、前記内部電極と連結されてＣｕを含む電極層、前記電極層上に配置される第１めっき部、及び前記第１めっき部上に配置される第２めっき部を含み、
前記第１めっき部は、前記電極層と接してＮｉを含むＮｉ層、前記Ｎｉ層上に配置されてＮｉ及びＳｎの少なくとも一つを含む金属間化合物を含む金属間化合物層、及び前記金属間化合物層上に配置されてＳｎを含むＳｎ層を含み、
前記第２めっき部は、前記第１めっき部と接してＮｉを含むＮｉ層を含む、積層型電子部品。
【請求項9】
前記金属間化合物は、Ｎｉ３Ｓｎ、Ｎｉ３Ｓｎ２及びＮｉ３Ｓｎ４の少なくとも一つを含む、請求項８に記載の積層型電子部品。
【請求項10】
前記第１めっき部の平均厚さは０．５μｍ以上５μｍ以下である、請求項８に記載の積層型電子部品。
【請求項11】
前記第２めっき部は、前記第２めっき部のＮｉ層上に配置されてＳｎを含むＳｎ層をさらに含む、請求項８から１０のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
【請求項12】
前記第１めっき部のＮｉ層の平均厚さは、前記第２めっき部のＮｉ層の平均厚さよりも小さく、前記第１めっき部のＳｎ層の平均厚さは、前記第２めっき部のＳｎ層の平均厚さよりも小さい、請求項１１に記載の積層型電子部品。
【請求項13】
前記電極層はガラスをさらに含む、請求項８から１０のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
【請求項14】
前記電極層はガラスを含まない、請求項８から１０のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、積層型電子部品に関するものである。
【背景技術】
【0002】
積層型電子部品の一つである積層セラミックキャパシタ（ＭＬＣＣ：Ｍｕｌｔｉｌａｙｅｒ Ｃｅｒａｍｉｃ Ｃａｐａｃｉｔｏｒ）は、液晶表示装置（ＬＣＤ：Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）及びプラズマ表示装置パネル（ＰＤＰ：Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ）などの映像機器、コンピュータ、スマートフォン及び携帯電話などの様々な電子製品のプリント回路基板に装着されて電気を充電または放電させる役割を果たすチップ形態のコンデンサである。
【0003】
電子製品の小型化、スリム化、多機能化により、チップ部品も小型化が求められており、電子部品の実装も高集積化されている。このような傾向に応じて実装される電子部品に関するものである。
【0004】
積層型電子部品の密閉性及び実装性を確保するための方案として、Ｃｕ電極層上にＮｉめっき層及びＳｎめっき層を順次形成する試みがあった。高信頼性を要求する積層型電子部品の場合、めっき層の切れまたはめっき層内のボイド形成などの欠陥のないめっき層を形成することが積層型電子部品の耐湿信頼性の改善に大きな影響を及ぼすことがある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
本発明の様々な目的の一つは、外部電極のめっき層形成時に発生する水素によって積層型電子部品の耐湿信頼性が低下する問題を解決することである。
【0006】
但し、本発明の目的は、上述した内容に限定されず、本発明の具体的な実施形態を説明する過程でより容易に理解することができる。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本発明の一実施形態による積層型電子部品は、誘電体層、及び上記誘電体層と交互に配置される内部電極を含む本体と、上記本体上に配置される外部電極を含み、上記外部電極は、上記内部電極と連結され、Ｃｕを含む電極層、上記電極層上に配置される第１めっき部及び上記第１めっき部上に配置される第２めっき部を含み、上記第１めっき部は、上記電極層と接し、Ｎｉを含むＮｉ層及び上記Ｎｉ層上に配置され、Ｎｉ及びＳｎの少なくとも一つを含む金属間化合物を含む金属間化合物層を含む。
【0008】
本発明の他の一実施形態による積層型電子部品は、誘電体層、及び上記誘電体層と交互に配置される内部電極を含む本体と、上記本体上に配置される外部電極と、を含み、上記外部電極は、上記内部電極と連結され、Ｃｕを含む電極層、上記電極層上に配置される第１めっき部及び上記第１めっき部上に配置される第２めっき部を含み、上記第１めっき部は、上記電極層と接し、Ｎｉを含むＮｉ層、上記Ｎｉ層上に配置され、Ｎｉ及びＳｎの少なくとも一つを含む金属間化合物を含む金属間化合物層、及び上記金属間化合物層上に配置され、Ｓｎを含むＳｎ層を含む。
【発明の効果】
【0009】
本発明の様々な効果の一つは、外部電極にめっき層形成時に発生する可能性がある水素または水分が本体の内部に浸透することを遮断して積層型電子部品の耐湿信頼性を向上させたことである。
【0010】
本発明の様々な効果の一つは、外部電極にめっき層形成時に発生する可能性がある水素が本体の内部に浸透した場合、これを別途の熱処理によって除去することで、積層型電子部品の耐湿信頼性を向上させたことである。
【0011】
但し、本発明の多様でありながらも有意義な利点及び効果は、上述した内容に限定されず、本発明の具体的な実施形態を説明する過程でより容易に理解されることができる。
【図面の簡単な説明】
【0012】
【発明を実施するための形態】
【0013】
以下、具体的な実施形態及び添付の図面を参照して、本発明の実施形態を説明する。しかし、本発明の実施形態は、いくつかの他の形態に変形することができ、本発明の範囲が以下説明する実施形態に限定されるものではない。また、本発明の実施形態は、通常の技術者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面における要素の形状及び大きさなどはより明確な説明のために拡大縮小表示（又は強調表示や簡略化表示）がされることがあり、図面上に同一符号で示される要素は同一要素である。
【0014】
尚、図面において本発明を明確に説明するために説明と関係ない部分は省略し、図示した各構成の大きさ及び厚さは、説明の便宜のために任意で示したものであるため、本発明は必ずしも図示により限定されない。また、同一の思想の範囲内の機能が同一である構成要素は、同一の参照符号を用いて説明することができる。さらに、明細書全体において、ある部分がある構成要素を「含む」というのは、特に反対される記載がない限り、他の構成要素を除外するのではなく、他の構成要素をさらに含むことができることを意味する。
【0015】
図面において、第１方向は、誘電体層を挟んで第１及び第２内部電極が交互に配置される方向または厚さ（Ｔ）方向、上記第１方向と垂直な方向である第２方向及び第３方向のうち、上記第２方向は長さ（Ｌ）方向、上記第３方向は幅（Ｗ）方向と定義することができる。
【0016】
図１は、本発明の一実施形態による積層型電子部品を概略的に示した斜視図であり、図２は、図１のＩ－Ｉ'線に沿った断面図であり、図３は、図１のＩＩ－ＩＩ'線に沿った断面図であり、図４は、一実施形態による本体を分解して示した分解斜視図であり、図５は、図２のＰ領域拡大図である。
【0017】
【0018】
本発明の一実施形態による積層型電子部品１００は、誘電体層１１１、及び上記誘電体層と交互に配置される内部電極１２１、１２２を含む本体１１０と、上記本体上に配置される外部電極１３０、１４０を含み、上記外部電極は上記内部電極と連結され、Ｃｕを含む電極層１３１、上記電極層上に配置される第１めっき部、及び上記第１めっき部上に配置される第２めっき部１３３を含み、上記第１めっき部は上記電極層と接し、Ｎｉを含むＮｉ層１３２ａ、上記Ｎｉ層上に配置されるＮｉ及びＳｎの少なくとも１つを含む金属間化合物を含む金属間化合物層１３２ｂを含む。
【0019】
本体１１０は、誘電体層１１１、及び誘電体層１１１と交互に配置される内部電極１２１、１２２を含む。本体１１０は、誘電体層１１１及び内部電極１２１、１２２が交互に積層されていることができ、誘電体層１１１と内部電極１２１、１２２が積層されている方向を第１方向とみなすことができる。
【0020】
本体１１０の具体的な形状に特に制限はないが、図示のように本体１１０は六面体状やこれと類似した形状からなることができる。焼成過程において本体１１０に含まれたセラミック粉末の収縮により、本体１１０は完全な直線を有する六面体状ではなく、実質的に六面体状を有することができる。
【0021】
図２を参照すると、本体１１０は、第１方向に互いに向かい合う第１及び第２面１、２、上記第１及び第２面１、２と連結され、第２方向に互いに向かい合う第３及び第４面３、４、第１及び第２面１、２と連結され、第３及び第４面３、４と連結され、第３方向に互いに向かい合う第５及び第６面５、６を有することができる。
【0022】
本体１１０を形成する複数の誘電体層１１１は、焼成された状態であり、隣接する誘電体層１１１間の境界は、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ：Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を利用せずには確認しにくいほど一体化することができる。
【0023】
誘電体層１１１を形成する原料は、十分な静電容量が得られる限り、特に制限されない。例えば、チタン酸バリウム系材料、鉛複合ペロブスカイト系材料、またはチタン酸ストロンチウム系材料などを用いることができる。上記チタン酸バリウム系材料は、ＢａＴｉＯ３系セラミック粉末を含むことができ、上記セラミック粉末の例示として、ＢａＴｉＯ３、ＢａＴｉＯ３にＣａ（カルシウム）、Ｚｒ（ジルコニウム）などが一部固溶された（Ｂａ１－ｘＣａｘ）ＴｉＯ３（０＜ｘ＜１）、Ｂａ（Ｔｉ１－ｙＣａｙ）Ｏ３（０＜ｙ＜１）、（Ｂａ１－ｘＣａｘ）（Ｔｉ１－ｙＺｒｙ）Ｏ３（０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１）またはＢａ（Ｔｉ１－ｙＺｒｙ）Ｏ３（０＜ｙ＜１）などが挙げられる。
【0024】
また、誘電体層１１１を形成する原料は、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）などのパウダーに本発明の目的に応じて様々なセラミック添加剤、有機溶剤、結合剤、分散剤などが添加されることができる。
【0025】
一方、誘電体層１１１の平均厚さｔｄは特に限定する必要はない。例えば、誘電体層１１１の平均厚さｔｄは０．２μｍ以上２μｍ以下であることができ、積層型電子部品１００の高容量化及び小型化をより容易に達成するために誘電体層１１１の平均厚さｔｄは０．３５μｍ以下であることができる。
【0026】
上記誘電体層１１１の平均厚さｔｄは、上記第１及び第２内部電極１２１、１２２の間に配置される誘電体層１１１の第１方向の平均大きさを意味することができる。一方、本体１１０が複数の誘電体層１１１を含む場合、誘電体層１１１の平均厚さｔｄは、複数の誘電体層１１１の少なくとも１つの平均厚さを意味することができる。
【0027】
誘電体層１１１の平均厚さｔｄは、本体１１０の長さ及び厚さ方向（Ｌ－Ｔ）の断面を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ、Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を用いてイメージをスキャンして測定することができる。より具体的には、スキャンされたイメージにおいて一つの誘電体層を長さ方向に等間隔の３０個の地点でその厚さを測定して平均値を測定することができる。上記等間隔の３０個の地点は容量形成部Ａｃで指定されることができる。また、このような平均値測定を１０個の誘電体層に拡張して平均値を測定すると、誘電体層の平均厚さをさらに一般化することができる。
【0028】
【0029】
容量形成部Ａｃは、キャパシタの容量形成に寄与する部分であり、誘電体層１１１を挟んで複数の第１及び第２内部電極１２１、１２２を繰り返し積層して形成されることができる。
【0030】
上記容量形成部Ａｃの第１方向の一面には上部カバー部１１２が配置されることができ、上記容量形成部Ａｃの第１方向の他面には下部カバー部１１３が配置されることができる。
【0031】
上記上部カバー部及び下部カバー部は、単一誘電体層または２つ以上の誘電体層を容量形成部Ａｃの上下面にそれぞれ厚さ方向に積層して形成することができ、基本的に物理的または化学的ストレスによる内部電極の損傷を防止する役割を果たすことができる。
【0032】
上記上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３は内部電極を含まず、誘電体層１１１と同じ材料を含むことができる。
【0033】
すなわち、上記上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３はセラミック材料を含むことができ、例えばチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）系セラミック材料を含むことができる。
【0034】
一方、カバー部１１２、１１３の平均厚さｔｃは特に限定する必要はない。但し、積層型電子部品の小型化及び高容量化をより容易に達成するために、カバー部１１２、１１３の平均厚さｔｃは１５μｍ以下であることができる。ここで、カバー部１１２、１１３の平均厚さは、第１カバー部１１２及び第２カバー部１１３のそれぞれの平均厚さを意味することができる。
【0035】
カバー部１１２、１１３の平均厚さｔｃは第１方向の大きさを意味することができ、容量形成部Ａｃの上部または下部で等間隔の５個の地点で測定したカバー部１１２、１１３の第１方向の大きさを平均した値であることができる。
【0036】
図２を参照すると、容量形成部Ａｃの第３方向の一面及び他面には、マージン部１１４、１１５が配置されることができる。
【0037】
マージン部１１４、１１５は、本体１１０の第５面５に配置されたマージン部１１４と、第６面６に配置されたマージン部１１５を含むことができる。すなわち、マージン部１１４、１１５は、上記セラミック本体１１０の幅方向の両側面に配置されることができる。
【0038】
マージン部１１４、１１５は、図３に示されたように、上記本体１１０を幅－厚さ（Ｗ－Ｔ）方向に切断した断面において、第１及び第２内部電極１２１、１２２の両端と本体１１０の境界面との間の領域を意味することができる。
【0039】
マージン部１１４、１１５は、基本的に物理的または化学的ストレスによる内部電極の損傷を防止する役割を果たすことができる。
【0040】
マージン部１１４、１１５は、セラミックグリーンシート上にマージン部が形成されるところを除いて導電性ペーストを塗布して内部電極を形成することで形成されたものであることができる。
【0041】
また、内部電極１２１、１２２による段差を抑制するために、積層後に内部電極が本体の第５及び第６面５、６に露出するように切断した後、単一誘電体層または２つ以上の誘電体層を容量形成部Ａｃの両側面に幅方向に積層してマージン部１１４、１１５を形成することもできる。
【0042】
一方、マージン部１１４、１１５の幅は特に限定する必要はない。但し、積層型電子部品の小型化及び高容量化をより容易に達成するために、マージン部１１４、１１５の平均幅は１５μｍ以下であることができる。
【0043】
マージン部１１４、１１５の平均幅は、マージン部１１４、１１５の第３方向の平均大きさを意味することができ、容量形成部Ａｃの側面で等間隔の５個の地点で測定したマージン部１１４、１１５の第３方向の大きさを平均した値であることができる。
【0044】
内部電極１２１、１２２は誘電体層１１１と交互に配置される。このとき、上記内部電極及び誘電体層は第１方向に交互に配置されることができる。
【0045】
内部電極１２１、１２２は、第１及び第２内部電極１２１、１２２を含むことができる。第１及び第２内部電極１２１、１２２は、本体１１０を構成する誘電体層１１１を挟んで互いに対向するように交互に配置され、本体１１０の第３及び第４面３、４にそれぞれ連結されることができる。具体的には、第１内部電極１２１の一端は第３面に連結され、第２内部電極１２２の一端は第４面に連結されることができる。すなわち、一実施形態において、内部電極１２１、１２２は、第３面３または第４面４と接することができる。
【0046】
図２に示されたように、第１内部電極１２１は第４面４から離隔し、第３面３を介して露出して、第２内部電極１２２は第３面３から離隔し、第４面４を介して露出することができる。本体の第３面３には第１外部電極１３０が配置され、第１内部電極１２１と連結され、本体の第４面４には第２外部電極１４０が配置されて第２内部電極１２２と連結されることができる。
【0047】
すなわち、第１内部電極１２１は第２外部電極１４０とは連結されず、第１外部電極１３０と連結され、第２内部電極１２２は第１外部電極１３０とは連結されず、第２外部電極１４０と連結される。したがって、第１内部電極１２１は第４面４から一定距離離隔して形成され、第２内部電極１２２は第３面３から一定距離離隔して形成されることができる。このとき、第１及び第２内部電極１２１、１２２は、中間に配置された誘電体層１１１によって互いに電気的に分離することができる。
【0048】
内部電極１２１、１２２を形成する材料は特に制限されず、電気導電性に優れた材料を用いることができる。例えば、内部電極１２１、１２２は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、スズ（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金の少なくとも１つを含むことができる。
【0049】
また、内部電極１２１、１２２は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、スズ（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金の少なくとも一つを含む内部電極用導電性ペーストをセラミックグリーンシートに印刷して形成することができる。上記内部電極用導電性ペーストの印刷方法は、スクリーン印刷法またはグラビア印刷法などを用いることができ、本発明がこれに限定されるものではない。
【0050】
一方、内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅは特に限定する必要はない。例えば、内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅは０．２μｍ以上２μｍ以下であることができ、積層型電子部品１００の高容量化及び小型化をより容易に達成するために内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅは０．３５μｍ以下であることができる。
【0051】
上記内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅは、内部電極１２１、１２２の第１方向の平均大きさを意味することができる。一方、本体１１０が複数の内部電極１２１、１２２を含む場合、内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｄは、複数の内部電極１２１、１２２の少なくとも１つの平均厚さを意味することができる。
【0052】
内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅは、本体１１０の長さ及び厚さ方向（Ｌ－Ｔ）の断面を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ、Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を用いてイメージをスキャンして測定することができる。より具体的には、スキャンされたイメージにおいて一つの内部電極を長さ方向に等間隔の３０個の地点でその厚さを測定して平均値を測定することができる。上記等間隔の３０個の地点は容量形成部Ａｃで指定されることができる。また、このような平均値測定を１０個の内部電極に拡張して平均値を測定すると、内部電極の平均厚さをさらに一般化することができる。
【0053】
本体１１０上には外部電極１３０、１４０が配置される。
【0054】
外部電極１３０、１４０は、本体１１０の第３面３上に配置される第１外部電極１３０及び第４面４上に接する第２外部電極１４０を含むことができる。
【0055】
以下では、第１外部電極１３０を基準に本発明の外部電極１３０、１４０の構造について詳細に説明する。但し、第１外部電極１３０に対する説明は、第２外部電極１４０にも同様に適用されることができる。また、本実施形態においては、積層型電子部品１００が２つの外部電極１３１、１３２を有する構造を説明しているが、外部電極１３１、１３２の個数や形状などは内部電極１２１、１２２の形態やその他の目的に応じて変わることができる。
【0056】
図５を参照すると、本発明の一実施形態による外部電極１３０は、内部電極１２１と連結され、Ｃｕを含む電極層１３１、上記電極層上に配置される第１めっき部１３２、上記第１めっき部１３２上に配置される第２めっき部１３３を含む。このとき、上記第１めっき部は、上記電極層と接してＮｉを含むＮｉ層１３２ａ及び上記Ｎｉ層上に配置され、Ｎｉ及びＳｎの少なくとも１つを含む金属間化合物を含む金属間化合物層１３２ｂを含む。
【0057】
電極層１３１は内部電極１２１と連結されてＣｕを含む。電極層１３１は、外部電極１３０において内部電極１２１との電気的連結性を確保する役割を果たすことができる。電極層１３１は、目的に応じてＣｕ以外の導電性金属元素及び合金の少なくとも一つをさらに含むことができる。具体的には、電極層１３１は、Ｃｕの他にも、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｃｒ及びこれらの合金の少なくとも１つを含むことができる。
【0058】
電極層１３１を形成する方法は特に制限されない。電極層１３１は、Ｃｕ粒子とガラスを含む導電性ペーストを本体１１０の第３面３及び第４面４に塗布し、乾燥及び焼成過程を経て形成されることができるが、これに制限されるものではなく、Ｃｕを本体１１０の第３面３及び第４面４に電解めっきまたは無電解めっきによって形成することもできる。すなわち、電極層１３１は、ガラスをさらに含む焼成電極であるか、ガラスを含まないめっき電極であることができるが、これに制限されるものではない。
【0059】
一般的に、積層型電子部品に含まれる外部電極のめっき層は電解めっき法で形成されることができる。電界めっき法でめっき層を形成する場合、水素が発生し易く、このように発生した水素は本体１１０の内部に浸透して積層型電子部品１００の全体の電気的特性を低下させることができる。
【0060】
従来の場合、めっき層形成時に発生した水素が本体１１０に浸透することを防止するための手段として、Ｃｕを含む電極層上にＮｉ－Ｓｎ合金層を形成する試みがあった。
【0061】
しかしながら、Ｃｕ電極層上にＮｉ－Ｓｎ合金層を直接形成する場合、ＣｕとＳｎの拡散速度差による界面ｖｏｉｄ欠陥が発生することがある。このような欠陥は、水分及び水素の主な浸透経路となることがあり、積層型電子部品の耐湿信頼性を低下させる原因となり得る。
【0062】
本発明では、Ｃｕを含む電極層１３１上にＮｉ－Ｓｎ合金層を直接形成するのではなく、電極層１３１とＮｉ－Ｓｎ合金層との間に別途の層を配置して、ＣｕとＳｎの拡散速度差による界面ｖｏｉｄ欠陥の発生を抑制しながらも、水分及び水素が本体１１０の内部に拡散することを防止して積層型電子部品１００の耐湿信頼性を向上させる。
【0063】
具体的には、本発明の一実施形態による第１めっき部１３２は、内部電極１２１と連結され、Ｃｕを含む電極層１３１とＮｉを含むＮｉ層１３２ａが接するように配置し、Ｎｉ層１３２ａ上にＮｉ及びＳｎの少なくとも１つを含む金属間化合物を含む金属間化合物層１３２ｂを配置することで、電極層１３１と金属間化合物層１３２ｂが直接接することを防止してＣｕとＳｎの拡散速度差によるｖｏｉｄ欠陥の発生を根本的に遮断することができる。これにより、本体１１０の内部への水素及び水分の浸透を効果的に抑制することができるだけでなく、電極層１３１と第１めっき部１３２との間のｖｏｉｄ欠陥の発生を遮断することができる。これにより、積層型電子部品１００の耐湿信頼性が顕著に向上することができる。
【0064】
第１めっき部１３２を形成する方法は特に制限されない。例えば、電極層１３１上に電解めっき法または無電解めっき法でＮｉ層１３２ａをめっきした後、合金めっき法を介して金属間化合物層１３２ｂめっきして形成することができる。このとき、Ｎｉ層１３２ａを電解めっき法で形成する場合に発生する可能性がある水素は、金属間化合物層１３２ｂを形成した後に別途の熱処理を進行することで除去されることができる。
【0065】
金属間化合物層１３２ｂが含まれるＮｉ及びＳｎの少なくとも１つを含む金属間化合物の種類は特に制限されない。例えば、上記金属間化合物は、Ｎｉ３Ｓｎ、Ｎｉ３Ｓｎ２及びＮｉ３Ｓｎ４の少なくとも１つを含むことができる。
【0066】
第１めっき部１３２の平均厚さＴ１は特に制限されない。但し、電極層１３１の表面を十分に覆うことができるように、第１めっき部１３２の平均厚さＴ１は０．３μｍ以上であることが好ましい。一方、第１めっき部１３２の平均厚さＴ１の上限は特に制限されないが、積層型電子部品１００の小型化のために５μｍ以下であることが好ましい。
【0067】
第２めっき部１３３は、第１めっき部１３２上に配置される。第２めっき部１３３は、外部電極１３０のシーリング特性をさらに向上させるか、実装特性を向上させる役割を果たすことができる。
【0068】
一実施形態において、第２めっき部１３３は、第１めっき部１３２と接してＮｉを含むＮｉ層１３３ａ及び第２めっき部１３３のＮｉ層１３３ａ上に配置され、Ｓｎを含むＳｎ層１３３ｂを含むことができる。これにより、積層型電子部品１００のシーリング特性がさらに向上することができ、実装特性も向上することができる。
【0069】
一方、第２めっき部１３３を形成する方法は特に制限されず、無電解めっき法、電解めっき法などの様々なめっき法を用いて形成されることができる。
【0070】
一方、第１めっき部１３２のＮｉ層１３２ａの平均厚さＴ１ａは、第２めっき部１３３のＮｉ層１３３ａの平均厚さＴ２ａよりも大きいことができる。これにより、第１めっき部１３２が外部電極１３０から占める比重を最小化して、積層型電子部品１００の単位体積当たりの静電容量を向上させることができる。
【0071】
第１めっき部１３２の平均厚さＴ１、第１めっき部１３２のＮｉ層１３２ａの平均厚さＴ１ａ、及び第２めっき部１３３のＮｉ層１３３ａの平均厚さＴ２ａを測定する方法は特に制限されない。例えば、積層型電子部品１００の第３方向の中心部までＦＩＢ Ｍｉｌｌｉｎｇして第１及び第２方向の断面を露出させた後、内部電極１２１、１２２の第１方向の最上端から最下端まで領域を第１方向に５等分した後、各領域の任意の地点でＳＥＭ－ＥＤＸ（Ｅｎｅｒｇｙ ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ Ｘ－ｒａｙ ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）Ｉｏｎモードで測定した第２方向の大きさを平均した値であることができる。このとき、各層の区分はＳＥＭ－ＥＤＸ分析して組成を確認して進むことができ、特にＮｉ及びＳｎの少なくとも１つを含む金属間化合物が存在するか否かは、ＳＥＭ－ＥＤＸ分析と共にＸＲＤ（Ｘ－Ｒａｙ Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）分析によって確認することができる。
【0072】
【0073】
【0074】
【0075】
具体的には、図７を参照すると、本発明の他の一実施形態による積層型電子部品１００'は、誘電体層１１１、及び上記誘電体層と交互に配置される内部電極１２１、１２２を含む本体１１０と、上記本体上に配置される外部電極１３０、１４０と、を含み、上記外部電極は、上記内部電極と連結され、Ｃｕを含む電極層１３１、上記電極層上に配置される第１めっき部１３２及び上記第１めっき部上に配置される第２めっき部１３２を含み、上記第１めっき部は、上記電極層と接してＮｉを含むＮｉ層１３２ａ、上記Ｎｉ層上に配置され、Ｎｉ及びＳｎの少なくとも一つを含む金属間化合物を含む金属間化合物層１３２ｂ、及び上記金属間化合物層上に配置され、Ｓｎを含むＳｎ層１３２ｃを含む。
【0076】
このとき、第１めっき部１３２は、電極層１３１上にＮｉを含むＮｉ層１３２ａ及びＳｎを含むＳｎ層１３２ｃを順に形成した後、別途の熱処理を介してＮｉ層１３２ａとＳｎ層１３２ｃの界面にＮｉ及びＳｎを含む金属間化合物を含む金属間化合物層１３２ｂが形成された構造であることができる。これにより、金属間化合物層１３２ｂを形成する過程でＮｉ層１３２ａ及びＳｎ層１３２ｃを電解めっきで形成した場合に発生した水素を除去することができるため、積層型電子部品１００'の耐湿信頼性を向上させることができる。
【0077】
第１めっき部１３２の平均厚さＴ１'は、特に制限されない。但し、電極層１３１の表面を十分に覆うことができるように、第１めっき部１３２の平均厚さＴ１'は０．５μｍ以上であることが好ましい。一方、第１めっき部１３２の平均厚さＴ１'の上限は特に制限されないが、積層型電子部品１００の小型化のために５μｍ以下であることが好ましい。
【0078】
一方、第１めっき部１３２のＮｉ層１３２ａの平均厚さＴ１ａ'は、第２めっき部１３３のＮｉ層１３３ａの平均厚さＴ２ａ'よりも小さいことができる。これにより、第１めっき部１３２が外部電極１３０から占める比重を最小化して、積層型電子部品１００の単位体積当たりの静電容量を向上させることができる。
【0079】
これと類似した観点から、第１めっき部１３２のＳｎ層１３２ｃの平均厚さＴ１ｂ'は、第２めっき部１３３のＳｎ層１３３ｂの平均厚さＴ２ｂ'よりも小さいことができる。
【0080】
第１めっき部１３２の平均厚さＴ１'、第１めっき部１３２のＮｉ層１３２ａの平均厚さＴ１ａ'、第１めっき部１３２のＳｎ層１３２ｃの平均厚さＴ１ｂ'、第２めっき部１３３のＮｉ層１３３ａの平均厚さＴ２ａ'、及び第２めっき部１３３のＳｎ層１３３ｂの平均厚さＴ２ｂ'を測定する方法は、特に制限されない。例えば、積層型電子部品１００'の第３方向の中心部までＦＩＢ Ｍｉｌｌｉｎｇして第１及び第２方向の断面を露出させた後、内部電極１２１、１２２の第１方向の最上端から最下端まで領域を第１方向に５等分した後、各領域の任意の地点でＳＥＭ－ＥＤＸ（Ｅｎｅｒｇｙ ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ Ｘ－ｒａｙ ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）Ｉｏｎモードで測定した第２方向の大きさを平均した値であることができる。このとき、各層の区分はＳＥＭ－ＥＤＸ分析により組成を確認して進むことができ、特にＮｉ及びＳｎの少なくとも１つを含む金属間化合物が存在するか否かは、ＳＥＭ－ＥＤＸ分析と共にＸＲＤ（Ｘ－Ｒａｙ Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）分析によって確認することができる。
【0081】
以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明は、上述の実施形態及び添付の図面によって限定されるものではなく、添付の特許請求の範囲によって限定される。したがって、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から外れない範囲内で、当技術分野における通常の知識を有する者によって多様な形態の置換、変形、及び変更が可能であり、これも本発明の範囲に属するといえる。
【0082】
また、本開示で用いられた「一実施形態」という表現は、互いに同一の実施形態を意味するものではなく、それぞれ互いに異なる固有の特徴を強調して説明するために提供されたものである。しかしながら、上記提示された一実施形態は、他の一実施形態の特徴と組み合わせて実現されることを排除しない。例えば、特定の一実施形態において説明された事項が他の一実施形態に説明されていなくても、他の一実施形態においてその事項と反対または矛盾する説明がない限り、他の一実施形態に関連する説明として理解することができる。
【0083】
本開示で用いられた用語は、単に一実施形態を説明するために用いられたものであり、本開示を限定する意図ではない。このとき、単数の表現は、文脈上明らかに異なるものを意味しない限り、複数の表現を含む。
【符号の説明】
【0084】
１００、１００' 積層型電子部品
１１０ 本体
１１１ 誘電体層
１２１、１２２ 内部電極
１３０、１４０ 外部電極
１３１ 電極層
１３２ 第１めっき部
１３１ａ、１３１ｂ、１３１ｃ Ｎｉ層、金属間化合物層、Ｓｎ層
１３３ 第２めっき部
１３３ａ Ｎｉ層、Ｓｎ層
１１２、１１３ カバー部
１１４、１１５ マージン部
１１０ 本体
１１１ 誘電体層
１２１、１２２ 内部電極
１３０、１４０ 外部電極
１３１ 電極層
１３２ 第１めっき部
１３１ａ、１３１ｂ、１３１ｃ Ｎｉ層、金属間化合物層、Ｓｎ層
１３３ 第２めっき部
１３３ａ Ｎｉ層、Ｓｎ層
１１２、１１３ カバー部
１１４、１１５ マージン部
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】