▶ 日鉄住金エレクトロデバイス株式会社の特許一覧 ▶ 日本碍子株式会社の特許一覧
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024133026
(43)【公開日】2024-10-01
(54)【発明の名称】ノイズフィルタおよび電子機器
(51)【国際特許分類】
H03H 7/12 20060101AFI20240920BHJP
H01C 13/00 20060101ALI20240920BHJP
H01C 1/084 20060101ALI20240920BHJP
H01G 4/40 20060101ALI20240920BHJP
【ＦＩ】
H03H7/12
H01C13/00 C
H01C1/084
H01G4/40 301A
【審査請求】未請求
【請求項の数】21
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2024041001
(22)【出願日】2024-03-15
(31)【優先権主張番号】P 2023042824
(32)【優先日】2023-03-17
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(71)【出願人】
【識別番号】391039896
【氏名又は名称】ＮＧＫエレクトロデバイス株式会社
(71)【出願人】
【識別番号】000004064
【氏名又は名称】日本碍子株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100088672
【弁理士】
【氏名又は名称】吉竹 英俊
(74)【代理人】
【識別番号】100088845
【弁理士】
【氏名又は名称】有田 貴弘
(74)【代理人】
【識別番号】100134991
【弁理士】
【氏名又は名称】中尾 和樹
(74)【代理人】
【識別番号】100148507
【弁理士】
【氏名又は名称】喜多 弘行
(72)【発明者】
【氏名】鵜原 貴俊
【テーマコード（参考）】
5E028
5E082
5J024
【Ｆターム（参考）】
5E028BB01
5E028DA08
5E028GA01
5E082AB03
5E082BC25
5E082DD01
5E082JJ03
5E082LL15
5J024AA01
5J024BA15
5J024CA17
5J024DA04
5J024EA09
(57)【要約】
【課題】抵抗素子での電力消費にともなう温度上昇に起因してのパワーアンプの動作の不安定性を抑制することができるノイズフィルタを提供する。
【解決手段】セラミック部材１０は、互いに反対の第１の面ＳＦ１および第２の面ＳＦ２を有する。第１の内部電極層２２はグランド内部電極層２０に対向する。第１の電極端子３１はセラミック部材１０の第１の面ＳＦ１上に配置される。グランド電極端子３０は、セラミック部材１０の第２の面ＳＦ２上に配置されグランド内部電極層２０に電気的に接続される。抵抗素子８０は、セラミック部材１０の第２の面ＳＦ２上に配置され、第１の電極端子３１に電気的に接続された第１の端部８１と第１の内部電極層２２に電気的に接続された第２の端部８２とを有する。絶縁体９０は抵抗素子８０を被覆する。
【選択図】図４
【解決手段】セラミック部材１０は、互いに反対の第１の面ＳＦ１および第２の面ＳＦ２を有する。第１の内部電極層２２はグランド内部電極層２０に対向する。第１の電極端子３１はセラミック部材１０の第１の面ＳＦ１上に配置される。グランド電極端子３０は、セラミック部材１０の第２の面ＳＦ２上に配置されグランド内部電極層２０に電気的に接続される。抵抗素子８０は、セラミック部材１０の第２の面ＳＦ２上に配置され、第１の電極端子３１に電気的に接続された第１の端部８１と第１の内部電極層２２に電気的に接続された第２の端部８２とを有する。絶縁体９０は抵抗素子８０を被覆する。
【選択図】図４
【特許請求の範囲】
【請求項1】
パワーアンプ用のノイズフィルタであって、
厚み方向において互いに反対の第１の面および第２の面を有し、電気的絶縁性を有するセラミック部材と、
前記セラミック部材中に配置された少なくとも１つのグランド内部電極層と、
前記セラミック部材中に配置され、第１の静電容量が形成されるように前記少なくとも１つのグランド内部電極層に対向する少なくとも１つの第１の内部電極層と、
前記セラミック部材の前記第１の面上に配置された第１の電極端子と、
前記セラミック部材の前記第２の面上に配置され、前記少なくとも１つのグランド内部電極層に電気的に接続された少なくとも１つのグランド電極端子と、
前記セラミック部材の前記第２の面上に配置され、前記第１の電極端子に電気的に接続された第１の端部と前記少なくとも１つの第１の内部電極層に電気的に接続された第２の端部とを有し、前記第１の端部と前記第２の端部との間に電気抵抗を有する抵抗素子と、
前記抵抗素子を被覆する絶縁体と、
を備える、ノイズフィルタ。
厚み方向において互いに反対の第１の面および第２の面を有し、電気的絶縁性を有するセラミック部材と、
前記セラミック部材中に配置された少なくとも１つのグランド内部電極層と、
前記セラミック部材中に配置され、第１の静電容量が形成されるように前記少なくとも１つのグランド内部電極層に対向する少なくとも１つの第１の内部電極層と、
前記セラミック部材の前記第１の面上に配置された第１の電極端子と、
前記セラミック部材の前記第２の面上に配置され、前記少なくとも１つのグランド内部電極層に電気的に接続された少なくとも１つのグランド電極端子と、
前記セラミック部材の前記第２の面上に配置され、前記第１の電極端子に電気的に接続された第１の端部と前記少なくとも１つの第１の内部電極層に電気的に接続された第２の端部とを有し、前記第１の端部と前記第２の端部との間に電気抵抗を有する抵抗素子と、
前記抵抗素子を被覆する絶縁体と、
を備える、ノイズフィルタ。
【請求項2】
請求項１に記載のノイズフィルタであって、前記少なくとも１つのグランド電極端子は前記第２の面上に直接的に配置されている、ノイズフィルタ。
【請求項3】
請求項２に記載のノイズフィルタであって、前記絶縁体はガラス膜である、ノイズフィルタ。
【請求項4】
請求項１に記載のノイズフィルタであって、前記少なくとも１つのグランド電極端子は前記第２の面上に前記絶縁体を介して間接的に配置されている、ノイズフィルタ。
【請求項5】
請求項４に記載のノイズフィルタであって、前記絶縁体はセラミック膜である、ノイズフィルタ。
【請求項6】
パワーアンプ用のノイズフィルタであって、
厚み方向において互いに反対の第１の面および第２の面を有し、電気的絶縁性を有するセラミック部材と、
前記セラミック部材中に配置された少なくとも１つのグランド内部電極層と、
前記セラミック部材中に配置され、第１の静電容量が形成されるように前記少なくとも１つのグランド内部電極層に対向する少なくとも１つの第１の内部電極層と、
前記セラミック部材の前記第１の面上に配置された第１の電極端子と、
前記セラミック部材の前記第２の面上に配置され、前記少なくとも１つのグランド内部電極層に電気的に接続された少なくとも１つのグランド電極端子と、
前記厚み方向において前記少なくとも１つの第１の内部電極層および前記少なくとも１つのグランド内部電極層を含むすべての内部電極層と前記セラミック部材の前記第２の面との間に配置され、前記第１の電極端子に電気的に接続された第１の端部と前記少なくとも１つの第１の内部電極層に電気的に接続された第２の端部とを有し、前記第１の端部と前記第２の端部との間に電気抵抗を有する抵抗素子と、
を備え、
前記抵抗素子は前記セラミック部材中に少なくとも部分的に埋設されている、ノイズフィルタ。
厚み方向において互いに反対の第１の面および第２の面を有し、電気的絶縁性を有するセラミック部材と、
前記セラミック部材中に配置された少なくとも１つのグランド内部電極層と、
前記セラミック部材中に配置され、第１の静電容量が形成されるように前記少なくとも１つのグランド内部電極層に対向する少なくとも１つの第１の内部電極層と、
前記セラミック部材の前記第１の面上に配置された第１の電極端子と、
前記セラミック部材の前記第２の面上に配置され、前記少なくとも１つのグランド内部電極層に電気的に接続された少なくとも１つのグランド電極端子と、
前記厚み方向において前記少なくとも１つの第１の内部電極層および前記少なくとも１つのグランド内部電極層を含むすべての内部電極層と前記セラミック部材の前記第２の面との間に配置され、前記第１の電極端子に電気的に接続された第１の端部と前記少なくとも１つの第１の内部電極層に電気的に接続された第２の端部とを有し、前記第１の端部と前記第２の端部との間に電気抵抗を有する抵抗素子と、
を備え、
前記抵抗素子は前記セラミック部材中に少なくとも部分的に埋設されている、ノイズフィルタ。
【請求項7】
請求項６に記載のノイズフィルタであって、前記抵抗素子は前記セラミック部材中に完全に埋設されている、ノイズフィルタ。
【請求項8】
請求項６に記載のノイズフィルタであって、
前記抵抗素子は前記セラミック部材中に部分的に埋設されており、
前記ノイズフィルタは、前記セラミック部材と共に前記抵抗素子を完全に埋設する絶縁体をさらに備える、
ノイズフィルタ。
前記抵抗素子は前記セラミック部材中に部分的に埋設されており、
前記ノイズフィルタは、前記セラミック部材と共に前記抵抗素子を完全に埋設する絶縁体をさらに備える、
ノイズフィルタ。
【請求項9】
請求項１から５および請求項８のいずれか１項に記載のノイズフィルタであって、前記絶縁体上に金属含有層をさらに備える、ノイズフィルタ。
【請求項10】
請求項７に記載のノイズフィルタであって、前記セラミック部材上に金属含有層をさらに備える、ノイズフィルタ。
【請求項11】
請求項１から８のいずれか１項に記載のノイズフィルタであって、前記セラミック部材の前記第１の面上、または前記第１の面と前記第２の面とをつなぐ側面上に配置され、前記少なくとも１つの第１の内部電極層に電気的に接続された第２の電極端子をさらに備える、ノイズフィルタ。
【請求項12】
請求項１１に記載のノイズフィルタであって、前記第２の電極端子の形状は前記第１の電極端子の形状と合同な形状ではない、ノイズフィルタ。
【請求項13】
請求項１から８のいずれか１項に記載のノイズフィルタであって、前記少なくとも１つのグランド電極端子は第１のグランド電極端子および第２のグランド電極端子を含み、前記抵抗素子は、前記厚み方向に垂直な平面レイアウトにおいて前記第１のグランド電極端子と前記第２のグランド電極端子との間に配置されている、ノイズフィルタ。
【請求項14】
請求項１から８のいずれか１項に記載のノイズフィルタであって、
前記少なくとも１つのグランド電極端子と前記少なくとも１つのグランド内部電極層との間を互いに電気的に接続し、互いに並列に設けられた複数のビア電極を含むグランドビア電極群をさらに備える、ノイズフィルタ。
前記少なくとも１つのグランド電極端子と前記少なくとも１つのグランド内部電極層との間を互いに電気的に接続し、互いに並列に設けられた複数のビア電極を含むグランドビア電極群をさらに備える、ノイズフィルタ。
【請求項15】
請求項１から８のいずれか１項に記載のノイズフィルタであって、前記セラミック部材中に配置され、第２の静電容量が形成されるように前記少なくとも１つのグランド内部電極層に対向し、前記第１の電極端子に電気的に接続された少なくとも１つの第２の内部電極層をさらに備える、ノイズフィルタ。
【請求項16】
請求項１５に記載のノイズフィルタであって、
前記第１の電極端子と前記少なくとも１つの第２の内部電極層との間を互いに電気的に接続し、互いに並列に設けられた複数のビア電極を含むビア電極群をさらに備える、ノイズフィルタ。
前記第１の電極端子と前記少なくとも１つの第２の内部電極層との間を互いに電気的に接続し、互いに並列に設けられた複数のビア電極を含むビア電極群をさらに備える、ノイズフィルタ。
【請求項17】
請求項１から８のいずれか１項に記載のノイズフィルタであって、
前記少なくとも１つの内部電極層は複数の第１の内部電極層であり、
前記複数の第１の内部電極層同士を互いに電気的に接続し、互いに並列に設けられた複数のビア電極を含むビア電極群をさらに備える、ノイズフィルタ。
前記少なくとも１つの内部電極層は複数の第１の内部電極層であり、
前記複数の第１の内部電極層同士を互いに電気的に接続し、互いに並列に設けられた複数のビア電極を含むビア電極群をさらに備える、ノイズフィルタ。
【請求項18】
請求項１から８のいずれか１項に記載のノイズフィルタと、
前記ノイズフィルタの前記セラミック部材の前記第２の面に対向する放熱部材と、
前記ノイズフィルタの前記少なくとも１つのグランド電極端子と前記放熱部材とを互いに接着する導電性接着材と、
を備える、電子機器。
前記ノイズフィルタの前記セラミック部材の前記第２の面に対向する放熱部材と、
前記ノイズフィルタの前記少なくとも１つのグランド電極端子と前記放熱部材とを互いに接着する導電性接着材と、
を備える、電子機器。
【請求項19】
請求項１８に記載の電子機器であって、前記導電性接着材は、前記厚み方向において前記放熱部材と前記抵抗素子との間に配置された部分を有する、電子機器。
【請求項20】
請求項１８に記載の電子機器であって、
前記放熱部材上に実装され、前記放熱部材に電気的に接続された第１の主端子、前記第１の主端子から離れた第２の主端子、および前記第１の主端子と前記第２の主端子との間のスイッチングを制御する信号を受けるための制御端子を有する半導体スイッチング素子と、
前記半導体スイッチング素子の前記制御端子に電気的に接続された制御リードと、
前記半導体スイッチング素子の前記第２の主端子と前記ノイズフィルタの前記第１の電極端子とに電気的に接続された主リードと、
をさらに備える、電子機器。
前記放熱部材上に実装され、前記放熱部材に電気的に接続された第１の主端子、前記第１の主端子から離れた第２の主端子、および前記第１の主端子と前記第２の主端子との間のスイッチングを制御する信号を受けるための制御端子を有する半導体スイッチング素子と、
前記半導体スイッチング素子の前記制御端子に電気的に接続された制御リードと、
前記半導体スイッチング素子の前記第２の主端子と前記ノイズフィルタの前記第１の電極端子とに電気的に接続された主リードと、
をさらに備える、電子機器。
【請求項21】
請求項２０に記載の電子機器であって、
前記放熱部材上に設けられ、前記放熱部材上において前記ノイズフィルタおよび前記半導体スイッチング素子を囲み、前記制御リードおよび前記主リードを支持する枠体と、
前記放熱部材上において前記枠体に囲まれた空間を封止するように前記枠体に取り付けられた蓋体と、
をさらに備える、電子機器。
前記放熱部材上に設けられ、前記放熱部材上において前記ノイズフィルタおよび前記半導体スイッチング素子を囲み、前記制御リードおよび前記主リードを支持する枠体と、
前記放熱部材上において前記枠体に囲まれた空間を封止するように前記枠体に取り付けられた蓋体と、
をさらに備える、電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、ノイズフィルタおよび電子機器に関し、特に、パワーアンプ用のノイズフィルタと、それを有する電子機器とに関するものである。
【背景技術】
【0002】
ＲＦ(Radio Frequency)パワーアンプのような電子機器は、ＭＯＳＦＥＴ（金属酸化物半導体電界効果トランジスタ）またはＩＧＢＴ（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）のような半導体スイッチング素子と、半導体スイッチング素子からの放熱を促進するための放熱部材とに加えて、アンプの広帯域化に対応したノイズフィルタ回路を必要とすることがある。近年では、例えば、数ＧＨｚオーダーの周波数向けのＲＦパワーアンプにおいて、数百ＭＨｚ程度の広帯域が求められている。
【0003】
特表２０２２－５１８８６６号公報（特許文献１）は、放熱板と、前記放熱板の上に溶着されたパワーデバイスと、を有するＲＦパワーアンプを開示している。前記パワーデバイスはキャリアフランジを有している。前記キャリアフランジに、トランジスタおよびデカップリング回路モジュールが貼設されている。前記デカップリング回路モジュールは、第１コンデンサと、第２コンデンサと、ダンピング抵抗器と、を有している。前記ダンピング抵抗器は前記第１コンデンサおよび前記第２コンデンサに接続されている。前記第１コンデンサ、前記第２コンデンサおよび前記ダンピング抵抗器は多層共焼成セラミック材料スタックによって作製されている。
【0004】
特開２００２－２４６８６４号公報（特許文献２）は、中心周波数帯域可変型バンドパスフィルタを開示している。当該フィルタにおいては、直流カット用の第１および第２の抵抗体が、複数のセラミック層を有する積層体の上面上に配置されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【特許文献1】特表２０２２－５１８８６６号公報
【特許文献2】特開２００２－２４６８６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
本発明者の検討によれば、ノイズフィルタの抵抗素子での電力消費にともなう温度上昇に起因して、パワーアンプの動作が不安定となることがある。この不安定性は、上記温度上昇に起因して、例えば、当該抵抗素子の抵抗値が許容範囲を超えて変動したり、あるいは、ノイズフィルタの他の素子の特性、例えばコンデンサの静電容量または絶縁抵抗値、が許容範囲を超えて変動したりすることによって引き起こされ得る。
【0007】
本発明は以上のような課題を解決するためになされたものであり、その一の目的は、ノイズフィルタの抵抗素子での電力消費にともなう温度上昇に起因してのパワーアンプの動作の不安定性を抑制することができる技術を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0008】
態様１は、パワーアンプ用のノイズフィルタであって、厚み方向において互いに反対の第１の面および第２の面を有し、電気的絶縁性を有するセラミック部材と、前記セラミック部材中に配置された少なくとも１つのグランド内部電極層と、前記セラミック部材中に配置され、第１の静電容量が形成されるように前記少なくとも１つのグランド内部電極層に対向する少なくとも１つの第１の内部電極層と、前記セラミック部材の前記第１の面上に配置された第１の電極端子と、前記セラミック部材の前記第２の面上に配置され、前記少なくとも１つのグランド内部電極層に電気的に接続された少なくとも１つのグランド電極端子と、前記セラミック部材の前記第２の面上に配置され、前記第１の電極端子に電気的に接続された第１の端部と前記少なくとも１つの第１の内部電極層に電気的に接続された第２の端部とを有し、前記第１の端部と前記第２の端部との間に電気抵抗を有する抵抗素子と、前記抵抗素子を被覆する絶縁体と、を備える。
【0009】
態様２は、態様１に記載のノイズフィルタであって、前記少なくとも１つのグランド電極端子は前記第２の面上に直接的に配置されている。
【0010】
態様３は、態様２に記載のノイズフィルタであって、前記絶縁体はガラス膜である。
【0011】
態様４は、態様１に記載のノイズフィルタであって、前記少なくとも１つのグランド電極端子は前記第２の面上に前記絶縁体を介して間接的に配置されている。
【0012】
態様５は、態様４に記載のノイズフィルタであって、前記絶縁体はセラミック膜である。
【0013】
態様６は、パワーアンプ用のノイズフィルタであって、厚み方向において互いに反対の第１の面および第２の面を有し、電気的絶縁性を有するセラミック部材と、前記セラミック部材中に配置された少なくとも１つのグランド内部電極層と、前記セラミック部材中に配置され、第１の静電容量が形成されるように前記少なくとも１つのグランド内部電極層に対向する少なくとも１つの第１の内部電極層と、前記セラミック部材の前記第１の面上に配置された第１の電極端子と、前記セラミック部材の前記第２の面上に配置され、前記少なくとも１つのグランド内部電極層に電気的に接続された少なくとも１つのグランド電極端子と、前記厚み方向において前記少なくとも１つの第１の内部電極層および前記少なくとも１つのグランド内部電極層を含むすべての内部電極層と前記セラミック部材の前記第２の面との間に配置され、前記第１の電極端子に電気的に接続された第１の端部と前記少なくとも１つの第１の内部電極層に電気的に接続された第２の端部とを有し、前記第１の端部と前記第２の端部との間に電気抵抗を有する抵抗素子と、を備え、前記抵抗素子は前記セラミック部材中に少なくとも部分的に埋設されている。
【0014】
態様７は、態様６に記載のノイズフィルタであって、前記抵抗素子は前記セラミック部材中に完全に埋設されている。
【0015】
態様８は、態様６に記載のノイズフィルタであって、前記抵抗素子は前記セラミック部材中に部分的に埋設されており、前記ノイズフィルタは、前記セラミック部材と共に前記抵抗素子を完全に埋設する絶縁体をさらに備える。
【0016】
態様９は、態様１から５および態様８のいずれか１項に記載のノイズフィルタであって、前記絶縁体上に金属含有層をさらに備える。
【0017】
態様１０は、態様７に記載のノイズフィルタであって、前記セラミック部材上に金属含有層をさらに備える。
【0018】
態様１１は、態様１から１０のいずれか１項に記載のノイズフィルタであって、前記セラミック部材の前記第１の面上、または前記第１の面と前記第２の面とをつなぐ側面上に配置され、前記少なくとも１つの第１の内部電極層に電気的に接続された第２の電極端子をさらに備える。
【0019】
態様１２は、態様１１に記載のノイズフィルタであって、前記第２の電極端子の形状は前記第１の電極端子の形状と合同な形状ではない。
【0020】
態様１３は、態様１から１２のいずれか１項に記載のノイズフィルタであって、前記少なくとも１つのグランド電極端子は第１のグランド電極端子および第２のグランド電極端子を含み、前記抵抗素子は、前記厚み方向に垂直な平面レイアウトにおいて前記第１のグランド電極端子と前記第２のグランド電極端子との間に配置されている。
【0021】
態様１４は、態様１から１３のいずれか１項に記載のノイズフィルタであって、前記少なくとも１つのグランド電極端子と前記少なくとも１つのグランド内部電極層との間を互いに電気的に接続し、互いに並列に設けられた複数のビア電極を含むグランドビア電極群をさらに備える。
【0022】
態様１５は、態様１から１４のいずれか１項に記載のノイズフィルタであって、前記セラミック部材中に配置され、第２の静電容量が形成されるように前記少なくとも１つのグランド内部電極層に対向し、前記第１の電極端子に電気的に接続された少なくとも１つの第２の内部電極層をさらに備える。
【0023】
態様１６は、態様１５に記載のノイズフィルタであって、前記第１の電極端子と前記少なくとも１つの第２の内部電極層との間を互いに電気的に接続し、互いに並列に設けられた複数のビア電極を含むビア電極群をさらに備える。
【0024】
態様１７は、態様１から１６のいずれか１項に記載のノイズフィルタであって、前記少なくとも１つの内部電極層は複数の第１の内部電極層であり、前記複数の第１の内部電極層同士を互いに電気的に接続し、互いに並列に設けられた複数のビア電極を含むビア電極群をさらに備える。
【0025】
態様１８は、電子機器であって、態様１から１７のいずれか１項に記載のノイズフィルタと、前記ノイズフィルタの前記セラミック部材の前記第２の面に対向する放熱部材と、前記ノイズフィルタの前記少なくとも１つのグランド電極端子と前記放熱部材とを互いに接着する導電性接着材と、を備える。
【0026】
態様１９は、態様１８に記載の電子機器であって、前記導電性接着材は、前記厚み方向において前記放熱部材と前記抵抗素子との間に配置された部分を有する。
【0027】
態様２０は、態様１８または１９に記載の電子機器であって、前記放熱部材上に実装され、前記放熱部材に電気的に接続された第１の主端子、前記第１の主端子から離れた第２の主端子、および前記第１の主端子と前記第２の主端子との間のスイッチングを制御する信号を受けるための制御端子を有する半導体スイッチング素子と、前記半導体スイッチング素子の前記制御端子に電気的に接続された制御リードと、前記半導体スイッチング素子の第２の主端子と前記ノイズフィルタの前記第１の電極端子とに電気的に接続された主リードと、をさらに備える。
【0028】
態様２１は、態様２０に記載の電子機器であって、前記放熱部材上に設けられ、前記放熱部材上において前記ノイズフィルタおよび前記半導体スイッチング素子を囲み、前記制御リードおよび前記主リードを支持する枠体と、前記放熱部材上において前記枠体に囲まれた空間を封止するように前記枠体に取り付けられた蓋体と、をさらに備える。
【発明の効果】
【0029】
上記態様によれば、少なくとも１つのグランド電極端子および抵抗素子は共にセラミック部材の第２の面上に配置される。これにより、ノイズフィルタのグランド電極端子が放熱部材へ接合された電子機器において、抵抗素子が放熱部材に面する。よって、抵抗素子を放熱部材の近くに配置することができる。よって、抵抗素子からの放熱の効率が高められる。よって、ノイズフィルタの抵抗素子での電力消費にともなう温度上昇に起因してのパワーアンプの動作の不安定性を抑制することができる。
【0030】
この発明の目的、特徴、態様、および利点は、以下の詳細な説明と添付図面とによって、より明白となる。
【図面の簡単な説明】
【0031】
【図1】実施の形態１における電子機器の等価回路を概略的に示す図である。
【図2】実施の形態１における電子機器の構成を、蓋体の図示を省略しつつ概略的に示す平面図である。
【図5】実施の形態１におけるノイズフィルタの構成を概略的に示す断面図である。
【図6】実施の形態１におけるノイズフィルタの構成を概略的に示す上面図である。
【図7】実施の形態１におけるノイズフィルタの構成を概略的に示す下面図である。
【図9】比較例の電子機器における、抵抗素子の消費電力と、放熱部材およびノイズフィルタの各々の表面温度との関係を示すグラフ図である。
【図10】実施例の電子機器における、抵抗素子の消費電力と、放熱部材およびノイズフィルタの各々の表面温度との関係を示すグラフ図である。
【図11】実施の形態２におけるノイズフィルタの構成を概略的に示す断面図である。
【図12】実施の形態３におけるノイズフィルタの構成を概略的に示す断面図である。
【図13】実施の形態４におけるノイズフィルタの構成を概略的に示す断面図である。
【図14】実施の形態５におけるノイズフィルタの等価回路を概略的に示す図である。
【図15】実施の形態５におけるノイズフィルタの構成を概略的に示す断面図である。
【図16】実施の形態６におけるノイズフィルタの構成を概略的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0032】
＜実施の形態１＞
図１は、実施の形態１における電子機器２００の等価回路を概略的に示す図である。図２は、電子機器２００の構成を、蓋体２９５（図３）の図示を省略しつつ概略的に示す平面図である。図３は、図２の線ＩＩＩ－ＩＩＩに沿う概略的な断面図である。図４は、図３の領域ＩＶに対応する概略的な部分断面図である。
図１は、実施の形態１における電子機器２００の等価回路を概略的に示す図である。図２は、電子機器２００の構成を、蓋体２９５（図３）の図示を省略しつつ概略的に示す平面図である。図３は、図２の線ＩＩＩ－ＩＩＩに沿う概略的な断面図である。図４は、図３の領域ＩＶに対応する概略的な部分断面図である。
【0033】
電子機器２００は、本実施の形態においてはＲＦパワーアンプであり、パワーアンプ用のノイズフィルタ１０１を有している。例えば、ＲＦは１ＧＨｚ以上１０ＧＨｚ以下であってよく、帯域幅は１００ＭＨｚ以上１ＧＨｚ以下であってよい。ノイズフィルタ１０１は、ＲＦパワーアンプに求められる帯域幅に対応した周波数以下のノイズを除去するためのものであり、その目的で、抵抗Ｒ、静電容量Ｃ１（第２の静電容量）および静電容量Ｃ２（第１の静電容量）を、図１に示された等価回路を構成するように有している。抵抗Ｒは、例えば、０．５Ω以上１０Ω以下である。静電容量Ｃ１は、静電容量Ｃ２より小さくてよいが、必ずしもこれに限定されるものではない。
【0034】
電子機器２００は、ノイズフィルタ１０１に加えて、半導体スイッチング素子２７１を含む少なくとも１つの電気的素子２７０と、半導体スイッチング素子２７１に電気的に接続される制御リード２９２および主リード２９１と、放熱部材２５１と、放熱部材２５１上にノイズフィルタ１０１を実装するための導電性接着材２５２とを含む。
【0035】
半導体スイッチング素子２７１は放熱部材２５１上に実装されている。半導体スイッチング素子２７１は、高い周波数での動作に適したワイドバンドギャップ半導体（特に、窒化ガリウム（ＧａＮ））を用いた素子であってよく、例えばＭＯＳＦＥＴまたはＩＧＢＴである。半導体スイッチング素子２７１は、放熱部材２５１に電気的に接続された第１の主端子と、第１の主端子から離れた第２の主端子と、第１の主端子と第２の主端子との間のスイッチングを制御する信号を受けるための制御端子とを有する。半導体スイッチング素子２７１がＭＯＳＦＥＴの場合、制御端子はゲート端子Ｇ（図１）であり、第１の主端子および第２の主端子のそれぞれはソース端子Ｓ（図１）およびドレイン端子Ｄ（図１）であってよく、以下における具体的説明はこの場合について行うものとする。少なくとも１つの電気的素子２７０は、本実施の形態においては他の電気的素子２７２（図１の等価回路においては図示を省略）を含み、電気的素子２７２は、例えば、キャパシタを含んでいてよい。
【0036】
主リード２９１（図２）は、半導体スイッチング素子２７１のドレイン端子Ｄ（図１）と、ノイズフィルタ１０１（図４）の外部電極端子３１（第１の電極端子）とに電気的に接続されている。主リード２９１とノイズフィルタ１０１の外部電極端子３１との電気的接続は、図２に示されているようにボンディングワイヤ２６１とメタライズ層２８１とによって行われてよく、あるいは、主リード２９１と外部電極端子３１とがボンディングワイヤによって互いに直接的に接続されてもよい。ノイズフィルタ１０１のボンディングワイヤ２６１は、外部電極端子３１（図４）と、主リード２９１に接するメタライズ層２８１とを互いに接続している。主リード２９１と半導体スイッチング素子２７１との電気的接続のための配線２６２は、図２に示された例においては、ボンディングワイヤ２６２ａとボンディングワイヤ２６２ｂとの直列接続によって構成されている。ボンディングワイヤ２６２ａは、主リード２９１と電気的素子２７２とを互いに接続している。ボンディングワイヤ２６２ｂは、電気的素子２７２と半導体スイッチング素子２７１とを互いに接続している。ボンディングワイヤ２６２ａとボンディングワイヤ２６２ｂとは、電気的素子２７２によって互いに直列に接続されており、この直列接続は、典型的には、ボンディングワイヤ２６２ａおよびボンディングワイヤ２６２ｂが電気的素子２７２の電極に共通して接続されることによって得られている。
【0037】
制御リード２９２は半導体スイッチング素子２７１のゲート端子Ｇに電気的に接続されている。この電気的接続は、例えばボンディングワイヤ２６５（図２）によってなされてよい。
【0038】
放熱部材２５１は、その上に配置された部材から熱を除去する機能を有している。言い換えれば、放熱部材２５１はヒートシンクである。よって放熱部材２５１は、高い熱伝導性を有することが好ましく、この観点で典型的には金属から形成される。当該金属は、例えば、銅（Ｃｕ）、銅合金、またはこれらの積層材料である。銅合金は、例えば、銅モリブデン合金（Ｃｕ－Ｍｏ）である。積層材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）と銅モリブデン合金（Ｃｕ－Ｍｏ）と銅（Ｃｕ）との３層構造（Ｃｕ／Ｃｕ－Ｍｏ／Ｃｕ）を有する積層材料が、高い熱伝導性と、典型的なセラミック材料と整合させやすい面内方向における線膨張係数と、を有する材料として本技術分野においてよく知られている。なお、ここでの合金とは、複数の金属成分からなる固溶体の他に、固溶化していない混合体、金属間化合物、をも含めたものを指す。放熱部材２５１は板状の形状を有していてよい。言い換えれば、放熱部材２５１は放熱板であってよい。
【0039】
放熱部材２５１は、半導体スイッチング素子２７１のソース端子Ｓ（図１）と、ノイズフィルタ１０１のセラミック部材１０の下面ＳＦ２（第２の面）（図４）との各々に対向している。導電性接着材（図示せず）が放熱部材２５１と半導体スイッチング素子２７１のソース端子Ｓとを互いに接着している。また、導電性接着材２５２が、放熱部材２５１と、ノイズフィルタ１０１の少なくとも１つのグランド電極端子３０ａ，３０ｂ（図４）とを互いに接着している。導電性接着材２５２は、厚み方向（図４における縦方向）において、放熱部材２５１と、ノイズフィルタ１０１の絶縁膜９０（絶縁体）（図４）とを互いにつないでいる。導電性接着材２５２は、金属を含有しており、例えば銀（Ａｇ）を含有している。また、導電性接着材２５２は、例えば、はんだであってもよい。したがって、導電性接着材２５２は通電機能のみならず熱伝導機能も有している。なお、半導体スイッチング素子２７１用の導電性接着材の材料と、ノイズフィルタ１０１用の導電性接着材２５２の材料とは、同じであっても異なってもよい。
【0040】
電子機器２００はさらに、枠体２８０（図２および図３）と、蓋体２９５（図３）とを含んでよい。枠体２８０は、放熱部材２５１上に設けられており、放熱部材２５１上においてノイズフィルタ１０１および半導体スイッチング素子２７１を囲んでいる。枠体２８０は主リード２９１および制御リード２９２を支持している。枠体２８０上には、主リード２９１および制御リード２９２のそれぞれが接合されるメタライズ層２８１およびメタライズ層２８２が設けられていてよい。蓋体２９５は、放熱部材２５１上において枠体２８０に囲まれた空間ＣＶ（図３）を封止するように枠体２８０に取り付けられている。
【0041】
図５～図７のそれぞれは、本実施の形態におけるノイズフィルタ１０１の構成を概略的に示す断面図、上面図および下面図である。なお本明細書における「上面」および「下面」の文言は、互いに反対の面を区別する意図で用いられているものであり、重力方向に関連した何らかの限定を示唆するものではない。
【0042】
ノイズフィルタ１０１は、セラミック部材１０と、少なくとも１つのグランド内部電極層２０と、少なくとも１つの第２の内部電極層２１と、少なくとも１つの第１の内部電極層２２とを有している。複数のグランド内部電極層２０が用いられる場合、これらは互いに電気的に接続される。言い換えれば、複数のグランド内部電極層２０同士は互いに電気的に接続される。また複数の第２の内部電極層２１が用いられる場合、これらは互いに電気的に接続される。言い換えれば、複数の第２の内部電極層２１同士は互いに電気的に接続される。また複数の第１の内部電極層２２が用いられる場合、これらは互いに電気的に接続される。言い換えれば、複数の第１の内部電極層２２同士は互いに電気的に接続される。これらの電気的接続は、後述するように、セラミック部材１０中に配置されたビア電極を用いてなされてよい。以下においては、複数のグランド内部電極層２０と、１つの第２の内部電極層２１と、複数の第１の内部電極層２２とが用いられる場合について詳述する。
【0043】
セラミック部材１０は、厚み方向において互いに反対の上面ＳＦ１（第１の面）および下面ＳＦ２（第２の面）を有している。上面ＳＦ１は平坦な面であってよい。また下面ＳＦ２は平坦な面であってよい。セラミック部材１０は、電気的絶縁性を有している。セラミック部材１０は、グランド内部電極層２０、第２の内部電極層２１および第１の内部電極層２２との同時焼成を可能とするために、低温同時焼成セラミック（ＬＴＣＣ：Low Temperature Co-fired Ceramics）から作られていてよい。セラミック部材１０の比誘電率は、静電容量Ｃ１および静電容量Ｃ２を容易に形成するために、２０以上であってよい。なお、セラミック部材１０の比誘電率は、例えば誘電率特性以外の他の特性を適正化する関係上、３００以下であってよい。
【0044】
グランド内部電極層２０、第２の内部電極層２１および第１の内部電極層２２は、セラミック部材１０中に配置されている。グランド内部電極層２０と、第２の内部電極層２１および第１の内部電極層２２を含む非グランド内部電極層とは、セラミック部材１０中で厚み方向において交互に配置されていてよい。第２の内部電極層２１は、静電容量Ｃ１が形成されるように少なくとも１つのグランド内部電極層２０に対向しており、図５においては厚み方向において上方のグランド内部電極層２０と下方のグランド内部電極層とに対向している。第１の内部電極層２２は、静電容量Ｃ２が形成されるように少なくとも１つのグランド内部電極層２０に対向しており、図５においては厚み方向において上方のグランド内部電極層２０と下方のグランド内部電極層とに対向している。
【0045】
なお、図５において、第１の内部電極層２２は、厚み方向に垂直な方向（図中、横方向）においてグランドビア電極４０ａおよびグランドビア電極４０ｂの内側に形成されているが、第１の内部電極層２２の少なくとも一部がグランドビア電極４０ａおよびグランドビア電極４０ｂの外側に形成されていてもよい。第２の内部電極層２１についても同様である。
【0046】
図５に示されているように、厚み方向において第２の内部電極層２１が第１の内部電極層２２とセラミック部材１０の上面ＳＦ１との間に配置されてよい。本発明者のシミュレーションによれば、これにより、ノイズフィルタ１０１に起因した電気的損失を抑制しやすくなる。
【0047】
なお上面ＳＦ１に最も近い電極層は、図５においてはグランド内部電極層２０であるが、変形例として、第２の内部電極層２１または第１の内部電極層２２であってもよい。同様に、下面ＳＦ２に最も近い電極層は、図５においてはグランド内部電極層２０であるが、変形例として、第２の内部電極層２１または第１の内部電極層２２であってもよい。
【0048】
ノイズフィルタ１０１は、第２の内部電極層２１に接続された少なくとも１つのビア電極４１と、第１の内部電極層２２に接続された少なくとも１つのビア電極４２とを有している。図６および図７においては、互いに並列に設けられた複数のビア電極４１と、互いに並列に設けられた複数のビア電極４２とが設けられた例が示されている。言い換えれば、セラミック部材１０の、厚み方向に隣り合う第１の内部電極層間に位置する少なくとも１つのセラミック層内で、複数のビア電極４２が設けられている。また、セラミック部材１０の、厚み方向に隣り合う第２の内部電極層間に位置する少なくとも１つのセラミック層内で、複数のビア電極４１が設けられている。
【0049】
複数の第１の内部電極層２２が設けられている場合において、各ビア電極４２は、当該複数の第１の内部電極層２２のすべてに接するように厚み方向（図５における縦方向）に沿って延在していてよく、あるいは、当該複数の第１の内部電極層２２のうちの一部の第１の内部電極層２２にのみ接するように厚み方向に延在していてよい。同様に、複数の第２の内部電極層２１が設けられている場合において、各ビア電極４１は、当該複数の第２の内部電極層２１のすべてに接するように厚み方向（図５における縦方向）に沿って延在していてよく、あるいは、当該複数の第２の内部電極層２１のうちの一部の第２の内部電極層２１にのみ接するように厚み方向に延在していてよい。
【0050】
複数のビア電極４２の数および配置は、上記セラミック層毎に共通であっても異なってもよい。同様に、複数のビア電極４１の数および配置は、上記セラミック層毎に共通であっても異なってもよい。
【0051】
複数のビア電極４１は第１のビア電極群４１Ｐとも称し、また複数のビア電極４２は第２のビア電極群４２Ｐとも称する。
【0052】
ノイズフィルタ１０１はさらに、セラミック部材１０の下面ＳＦ２上に少なくとも１つのグランド電極端子を有している。本実施の形態においては、この少なくとも１つのグランド電極端子は、下面ＳＦ２上に直接的に配置されている。以下においては、複数のグランド電極端子、具体的にはグランド電極端子３０ａ（第１のグランド電極端子）およびグランド電極端子３０ｂ（第２のグランド電極端子）が用いられる場合について詳述する。なお、グランド電極端子３０ａおよびグランド電極端子３０ｂを総称してグランド電極端子３０と称することがある。グランド電極端子３０はグランド内部電極層２０に電気的に接続されている。
【0053】
上述したように少なくとも１つのグランド電極端子としてグランド電極端子３０ａおよびグランド電極端子３０ｂが設けられる場合、これに対応して、ノイズフィルタ１０１は、グランド電極端子３０ａに接続される少なくとも１つのグランドビア電極４０ａと、グランド電極端子３０ｂに接続される少なくとも１つのグランドビア電極４０ｂとを有している。図７においては、互いに並列に設けられた複数のグランドビア電極４０ａと、互いに並列に設けられた複数のグランドビア電極４０ｂとが設けられた例が示されている。言い換えれば、セラミック部材１０の、厚み方向に隣り合うグランド内部電極層２０間に位置する少なくとも１つのセラミック層内で、複数のグランドビア電極４０ａと、複数のグランドビア電極４０ｂとが設けられている。各グランドビア電極は、複数のグランド内部電極層２０のすべてに接するように厚み方向（図５における縦方向）に沿って延在していてよく、あるいは、複数のグランド内部電極層２０のうちの一部のグランド内部電極層２０にのみ接するように厚み方向に沿って延在していてよい。また、これらグランドビア電極の数および配置は、上記セラミック層毎に共通であっても異なってもよい。複数のグランドビア電極４０ａはグランドビア電極群４０ａＰとも称し、また複数のグランドビア電極４０ｂはグランドビア電極群４０ｂＰとも称する。グランドビア電極４０ａは、複数のグランド内部電極層２０を互いに電気的に接続している。グランドビア電極４０ｂも、複数のグランド内部電極層２０を互いに電気的に接続している。
【0054】
ノイズフィルタ１０１はさらに、セラミック部材１０の上面ＳＦ１上に外部電極端子３１を有している。外部電極端子３１は、ビア電極４１に接続されることによって第２の内部電極層２１に電気的に接続されている。
【0055】
ノイズフィルタ１０１はさらに、セラミック部材１０の上面ＳＦ１上にテスト電極端子３２（第２の電極端子）を有していてよい。テスト電極端子３２は、ビア電極４２に接続されることによって第１の内部電極層２２に電気的に接続されている。厚み方向に垂直な平面レイアウトにおいて、テスト電極端子３２の形状は外部電極端子３１の形状と合同な形状でなくてよい。具体的には、テスト電極端子３２の面積は外部電極端子３１の面積よりも小さくてよく、これに代わって、あるいはこれとともに、テスト電極端子３２の形状は外部電極端子３１の形状と異なっていてよい。なおテスト電極端子３２は、セラミック部材１０の上面ＳＦ１上に代わって、上面ＳＦ１と下面ＳＦ２とをつなぐ側面上に配置されてもよい。その場合、少なくとも１つの第１の内部電極層２２がセラミック部材１０の側面に達する端部を有するように延在してよく、当該端部に接するようにテスト電極端子３２がセラミック部材１０の側面上に配置されてよい。また、テスト電極端子３２は、不要な場合、省略されてよい。
【0056】
ノイズフィルタ１０１はさらに、セラミック部材１０の下面ＳＦ２上に抵抗素子８０を有している。抵抗素子８０は、厚み方向に垂直な平面レイアウトにおいて、グランド電極端子３０ａとグランド電極端子３０ｂとの間に配置されていてよい。具体的には、本実施の形態においては、抵抗素子８０は下面ＳＦ２上においてグランド電極端子３０ａとグランド電極端子３０ｂとの間に配置されていてよい。抵抗素子８０は、第２の内部電極層２１に電気的に接続された第１の端部８１と、第１の内部電極層２２に電気的に接続された第２の端部８２とを有している。ここで、第２の内部電極層２１は外部電極端子３１に電気的に接続されているので、抵抗素子８０の第１の端部８１も外部電極端子３１に電気的に接続されている。また、第１の内部電極層２２はテスト電極端子３２に電気的に接続されているので、抵抗素子８０の第２の端部８２もテスト電極端子３２に電気的に接続されている。抵抗素子８０は第１の端部８１と第２の端部８２との間で、抵抗Ｒ（図１）に対応した電気抵抗を有している。抵抗素子８０は、電極材料に比して低い導電率を有する抵抗体材料からなっていてよい。抵抗素子８０としては、公知の厚膜抵抗体が適用されてよい。例えば、ＰｄおよびＡｇを含有する厚膜抵抗体（Ｐｄ－Ａｇ厚膜抵抗体）が、よく知られている。
【0057】
ノイズフィルタ１０１はさらに、抵抗素子８０への電気的接続を確実かつ安定的に得るために、セラミック部材１０の下面ＳＦ２上に第１の抵抗電極端子７１および第２の抵抗電極端子７２を有していてよい。第１の抵抗電極端子７１および第２の抵抗電極端子７２のそれぞれは、抵抗素子８０の第１の端部８１および第２の端部８２のそれぞれに接している。また第１の抵抗電極端子７１および第２の抵抗電極端子７２のそれぞれは、ビア電極４１およびビア電極４２に接している。よって、抵抗素子８０の第１の端部８１は、第１の抵抗電極端子７１およびビア電極４１を介して外部電極端子３１に電気的に接続されている。また抵抗素子８０の第２の端部８２は、第２の抵抗電極端子７２およびビア電極４２を介してテスト電極端子３２に電気的に接続されている。変形例として、ビア電極４１およびビア電極４２のそれぞれが抵抗素子８０の第１の端部８１および第２の端部８２に直接的に接することによって第１の抵抗電極端子７１および第２の抵抗電極端子７２が省略されてもよいが、以下においては、第１の抵抗電極端子７１および第２の抵抗電極端子７２が用いられる場合について説明する。
【0058】
ノイズフィルタ１０１はさらに絶縁膜９０（絶縁体）を有している。絶縁膜９０は抵抗素子８０を被覆している。これにより絶縁膜９０が導電性接着材２５２と抵抗素子８０との間を電気的に絶縁している。また絶縁膜９０は第１の抵抗電極端子７１および第２の抵抗電極端子７２を被覆している。これにより絶縁膜９０が、導電性接着材２５２と、第１の抵抗電極端子７１および第２の抵抗電極端子７２の各々との間を電気的に絶縁している。絶縁膜９０は、高い電気的絶縁性を有していることが好ましい。また、電子機器２００は、図示されていない他の部材（典型的には基板（図示せず））に実装されることが想定され得るものであり、この実装は、はんだリフロー工程のような高温加熱を伴う工程によって行われることが多い。よって絶縁膜９０は、典型的なリフロー温度（例えば２５０℃程度）以上の高い耐熱性を有していることが好ましい。この観点で、絶縁膜９０は、無機絶縁膜であることが好ましく、例えばガラス膜である。ただし、絶縁膜９０は、十分な耐熱性を有しているならば樹脂膜であってもよい。絶縁膜９０の厚みは、電気的絶縁性の観点で、例えば２０μｍ以上である。また絶縁膜９０の厚みは、抵抗素子８０からの放熱を過度に阻害しない観点で、例えば４０μｍ以下である。
【0059】
次に、ノイズフィルタ１０１の製造方法について、以下に、簡単に説明する。
【0060】
まず、セラミック部材１０と、グランド内部電極層２０と、第２の内部電極層２１と、第１の内部電極層２２と、グランドビア電極４０ａと、グランドビア電極４０ｂと、ビア電極４１と、ビア電極４２とを有する焼成体が形成される。この焼成体の形成は、周知の積層セラミック技術を用いて行われてよい。例えば、セラミックグリーンシートの形成と、ビア電極設計に対応してのビア孔の形成と、ビア孔への電極ペースト（例えばＡｇＰｄペースト）の充填と、電極層の設計に対応しての電極ペースト（例えばＡｇＰｄペースト）の印刷と、セラミックグリーンシートを積層することによる積層体の形成と、積層体の焼成による焼成体の形成とが、順に行われる。なお積層体を構成する複数のセラミックグリーンシートの厚みは、互いに同じであっても異なってもよい。
【0061】
次に、上記の工程によって得られた焼成体の上面ＳＦ１に、外部電極端子３１およびテスト電極端子３２となる電極ペースト（例えばＡｕペースト）の印刷が行われる。また、焼結体の下面ＳＦ２上に、抵抗素子８０となる抵抗体ペースト（例えば、Ｐｄ－Ａｇ厚膜抵抗体用のペースト）の印刷と、第１の抵抗電極端子７１、第２の抵抗電極端子７２、グランド電極端子３０ａおよびグランド電極端子３０ｂとなる電極ペースト（例えばＡｇＰｔペースト）の印刷と、絶縁膜９０となるガラスペーストの印刷とが行われる。そして、上面ＳＦ１上および下面ＳＦ２上の上述したペースト体が焼成される。なお、これらペースト体の焼成は、必ずしも焼成体の上面ＳＦ１上および下面ＳＦ２上の上記すべてのペースト体が付加された後に行われる必要はなく、一部のペースト体の付加および焼成が行われた後に他のペースト体の付加および焼成が行われてよい。例えば、上述した本実施の形態における製造方法の変形例として、後述する第１～第３の変形例の製造方法が行われてよい。
【0062】
以上のように、本実施の形態においては、第１の抵抗電極端子７１、第２の抵抗電極端子７２、抵抗素子８０、および絶縁膜９０は、セラミック部材１０の焼成の後に形成されてよい。よって、第１の抵抗電極端子７１、第２の抵抗電極端子７２、抵抗素子８０、および絶縁膜９０の各々の材料を、セラミック部材１０との同時焼成が可能となるように選択する必要がない。
【0063】
第１の変形例においては、まず上記焼成体が形成される。次に、上記焼成体の上面ＳＦ１に、外部電極端子３１およびテスト電極端子３２となる電極ペースト（例えばＡｕペースト）の印刷が行われ、また、焼結体の下面ＳＦ２上に、第１の抵抗電極端子７１、第２の抵抗電極端子７２、グランド電極端子３０ａおよびグランド電極端子３０ｂとなる電極ペースト（例えばＡｇＰｔペースト）の印刷が行われる。そして、上面ＳＦ１上および下面ＳＦ２上の上述したペースト体が焼成される。次に、焼結体の下面ＳＦ２上に、抵抗素子８０となる抵抗体ペースト（例えば、Ｐｄ－Ａｇ厚膜抵抗体用のペースト）の印刷が行われ、そしてこのペースト体が焼成される。次に、焼結体の下面ＳＦ２上に、絶縁膜９０となるガラスペーストの印刷が行われ、そしてこのペースト体が焼成される。
【0064】
第２の変形例においては、上記積層体の上面ＳＦ１に、外部電極端子３１およびテスト電極端子３２となる電極ペースト（例えばＡｕペースト）の印刷が行われ、また、積層体の下面ＳＦ２上に、第１の抵抗電極端子７１、第２の抵抗電極端子７２、グランド電極端子３０ａおよびグランド電極端子３０ｂとなる電極ペースト（例えばＡｇＰｔペースト）の印刷が行われる。そして、当該積層体と、その上面ＳＦ１上および下面ＳＦ２上の上述したペースト体とが、同時に焼成される。次に、上記焼成によって得られた焼結体の下面ＳＦ２上に、抵抗素子８０となる抵抗体ペースト（例えば、Ｐｄ－Ａｇ厚膜抵抗体用のペースト）の印刷が行われ、そしてこのペースト体が焼成される。次に、焼結体の下面ＳＦ２上に、絶縁膜９０となるガラスペーストの印刷が行われ、そしてこのペースト体が焼成される。
【0065】
第３の変形例においては、上記積層体の上面ＳＦ１に、外部電極端子３１およびテスト電極端子３２となる電極ペースト（例えばＡｕペースト）の印刷が行われ、また、積層体の下面ＳＦ２上に、第１の抵抗電極端子７１、第２の抵抗電極端子７２、グランド電極端子３０ａおよびグランド電極端子３０ｂとなる電極ペースト（例えばＡｇＰｔペースト）の印刷と、抵抗素子８０となる抵抗体ペースト（例えば、Ｐｄ－Ａｇ厚膜抵抗体用のペースト）の印刷とが行われる。そして、当該積層体と、その上面ＳＦ１上および下面ＳＦ２上の上述したペースト体とが、同時に焼成される。次に、焼結体の下面ＳＦ２上に、絶縁膜９０となるガラスペーストの印刷が行われ、そしてこのペースト体が焼成される。
【0066】
本実施の形態における製造方法およびその第１～第３の変形例のいずれにおいても、上記積層体を焼成することによって焼成体が形成された後に、ガラスペーストを焼成することによって絶縁膜９０が形成される。したがって、積層体が焼成される際には、積層体にガラスペーストが塗布されていない。よって、積層体の焼成中に、積層体中の導電成分がガラス中に拡散することが避けられる。よって、絶縁膜９０中への導電成分の拡散量を抑制することができる。
【0067】
なお、大量生産のための慣用技術として、複数のノイズフィルタ１０１となる部分を含む半製品としての１つのブロックが上記製造方法によって形成された後に、当該半製品をダイシングすることによって、複数のノイズフィルタ１０１が切り出されてよい。
【0068】
図８は、比較例の電子機器２００Ｃの構成を図４の視野と同様の視野で示す部分断面図である。電子機器２００Ｃは比較例のノイズフィルタ１０１Ｃを有している。ノイズフィルタ１０１Ｃにおいては抵抗素子８０が、下面ＳＦ２上ではなく上面ＳＦ１上に配置されている。
【0069】
図９は、比較例の電子機器２００Ｃにおける、抵抗素子８０の消費電力と、放熱部材２５１およびノイズフィルタ１０１Ｃの各々の表面温度との関係を示すグラフ図である。図１０は、本実施の形態に対応する実施例の電子機器２００における、抵抗素子８０の消費電力と、放熱部材２５１およびノイズフィルタ１０１の各々の表面温度との関係を示すグラフ図である。なお両者に共通して、放熱部材２５１としては、３層構造（Ｃｕ／Ｃｕ－Ｍｏ／Ｃｕ）を有するヒートシンクが用いられた。またノイズフィルタの寸法は、長さ３ｍｍ×幅１ｍｍ×厚さ０．５ｍｍとされた。また、静電容量Ｃ１は０．１５ｎＦとされ、静電容量Ｃ２は１．１ｎＦとされ、抵抗Ｒは２Ωとされた。各グラフにおけるプロットは測定点を示している。これら測定点に対する直線近似から求めた、消費電力の代表値に対する表面温度の数値を、以下の表１に示す。
【0070】
【表1】
【0071】
消費電力３Ｗにおいて比較すると、比較例のノイズフィルタ１０１Ｃの表面温度が約１６０℃であったのに対して、実施例のノイズフィルタ１０１の表面温度は９０℃であった。セラミック部材１０をなすセラミック材料の特性が保証される温度範囲は、例えば、－５５℃～＋１２５℃であり、また抵抗素子８０をなす抵抗体材料の特性が保証される温度範囲は、例えば、２５℃～１５０℃である。よって、比較例においては、ノイズフィルタ１０１Ｃの表面温度が過度に高いことによってセラミック部材１０および抵抗素子８０の特性の過度な変動が懸念される。この過度な変動は、抵抗Ｒ，静電容量Ｃ１および静電容量Ｃ２の少なくともいずれかの過大な変動につながる可能性があり、その結果、パワーアンプとしての電子機器２００Ｃの動作が不安定となることがある。これに対して、実施例においては、ノイズフィルタ１０１の表面温度が十分に低く、よって、セラミック部材１０および抵抗素子８０の所望の特性が十分に維持されると考えられる。なお実施例においては、消費電力をさらに４Ｗまで増大させても、表面温度が十分に抑制されていた。
【0072】
上記のように比較例のノイズフィルタ１０１Ｃの表面温度が高かった理由は、比較例の電子機器２００Ｃにおいて、抵抗素子８０からの放熱の効率が低いからと考えられる。具体的には、電子機器２００Ｃにおいては、抵抗素子８０から発生した熱は、上面ＳＦ１の上方の大気中への放出と、セラミック部材１０を経由しての放熱部材２５１への放出とによって除去されるところ、前者の大気冷却の作用は、放熱部材を用いての冷却作用に比して一般に効率が低く、また後者の放熱作用も、セラミック部材１０をなすセラミック材料の熱伝導率が一般に低いことから、効率が低いと考えられる。
【0073】
本実施の形態によれば、図４に示されているように、グランド電極端子３０および抵抗素子８０は共にセラミック部材１０の下面ＳＦ２に配置される。これにより、ノイズフィルタ１０１のグランド電極端子３０が放熱部材２５１へ接合された電子機器２００において、抵抗素子８０が放熱部材２５１に面する。よって、抵抗素子８０を放熱部材２５１の近くに配置することができる。よって、抵抗素子８０からの放熱の効率が高められる。よって、ノイズフィルタ１０１の抵抗素子８０での電力消費にともなう温度上昇に起因してのパワーアンプの動作の不安定性を抑制することができる。
【0074】
ノイズフィルタ１０１はテスト電極端子３２を有してよい。これにより、抵抗素子８０の第１の端部８１および第２の端部８２のそれぞれが、外部電極端子３１およびテスト電極端子３２に電気的に接続される。よって、外部電極端子３１およびテスト電極端子３２の間の抵抗値を測定することによって、抵抗素子８０の抵抗値を検査することができる。なお、この検査のための測定装置の接続は、例えば、外部電極端子３１およびテスト電極端子３２にプローブ電極を接触させることによって行うことができる。この検査後、外部電極端子３１には電気的配線としてボンディングワイヤ２６１（図２）が接続されるが、テスト電極端子３２に電気的配線が接続されるか否かは任意であり、通常は接続される必要はない。
【0075】
図６に示されているように、テスト電極端子３２の形状は外部電極端子３１の形状と合同な形状ではなくてよい。これにより、テスト電極端子３２と外部電極端子３１とを、これらの外観に基づいて区別することが、容易となる。特に、図６に示されるように、テスト電極端子３２の面積が外部電極端子３１の面積よりも小さい場合には、テスト電極端子３２の面積が外部電極端子３１の面積以上である場合に比して、テスト電極端子３２の材料コストを低減することができる。この効果は、テスト電極端子３２が、高い材料コストを要する貴金属を含有する場合に大きく、特に、金（Ａｕ）を含有する場合に大きい。なお、外部電極端子３１が半導体スイッチング素子２７１の主電流を扱う一方で、テスト電極端子３２は、抵抗素子８０の抵抗値の検査のための小電流を扱うことが想定されている。よって、テスト電極端子３２は上記主電流に対応可能なほどの大きさを必要としないので、外部電極端子３１の面積よりも小さな面積を有していても、その機能を十分に確保することができる。この観点では、テスト電極端子３２の面積は、外部電極端子３１の８０％以下であることが好ましく、６０％以下であることがより好ましい。なお、テスト電極端子３２の面積が過度に小さいと検査目的での電気的接続が困難となる。この観点では、テスト電極端子３２の面積は、例えば、外部電極端子３１の１０％以上であることが好ましく、２０％以上であることがより好ましい。
【0076】
なお、テスト電極端子３２と外部電極端子３１との区別を目的として、外部電極端子３１の面積よりもテスト電極端子３２の面積を大きくする場合は、目視で大きさを容易に区別できるようにするために、テスト電極端子３２の面積は、例えば、外部電極端子３１の１１０％以上であることが好ましく、１２０％以上であることがより好ましい。ただし、コストを抑える面から、テスト電極端子３２の面積は、外部電極端子３１の面積の１８０％以下であることが好ましく、１６０％以下であることがより好ましい。また、テスト電極端子３２の形状と外部電極端子３１の形状とは互いに異なっていてもよい。この場合も、前述同様、テスト電極端子３２と外部電極端子３１との区別が容易になるという利点がある。
【0077】
図４に示されているように、グランド電極端子３０はグランド電極端子３０ａおよびグランド電極端子３０ｂを含んでよい。抵抗素子８０は、厚み方向に垂直な平面レイアウトにおいて第１のグランド電極端子３０ａと第２のグランド電極端子３０ｂとの間に配置されている。この配置によって、平面レイアウトにおいて、グランド電極端子３０ａおよびグランド電極端子３０ｂのそれぞれを、長さ方向（図４における横方向）において、抵抗素子８０の一方側および他方側にバランスよく配置することができる。これにより、例えば、放熱部材２５１上へ実装される際のノイズフィルタ１０１の傾きを抑制することができる。
【0078】
ノイズフィルタ１０１は、単数のグランドビア電極４０ａを有していてよいが、図７に示されているように複数のグランドビア電極４０ａ（グランドビア電極群４０ａＰ）を有していてもよい。後者の場合、１つのグランドビア電極４０ａが何らかの理由によって断線していてもグランドビア電極群４０ａＰの配線機能をおおよそ維持することができる。ノイズフィルタ１０１は、単数のグランドビア電極４０ｂを有していてよいが、図７に示されているように複数のグランドビア電極４０ｂ（グランドビア電極群４０ｂＰ）を有していてもよい。後者の場合、１つのグランドビア電極４０ｂが何らかの理由によって断線していてもグランドビア電極群４０ｂＰの配線機能をおおよそ維持することができる。
【0079】
ノイズフィルタ１０１は、単数のビア電極４１を有してよいが、図６および図７に示されているように複数のビア電極４１（第１のビア電極群４１Ｐ）を有してもよい。後者の場合、１つのビア電極４１が何らかの理由によって断線していても第１のビア電極群４１Ｐの配線機能をおおよそ維持することができる。ノイズフィルタ１０１は、単数のビア電極４２を有してよいが、図６および図７に示されているように複数のビア電極４２（第２のビア電極群４２Ｐ）を有してもよい。後者の場合、第２のビア電極群４２Ｐの一部が何らかの理由によって断線していても第２のビア電極群４２Ｐの配線機能をおおよそ維持することができる。ただし、セラミック部材１０の、厚み方向に隣り合う１対の第２の内部電極層の間に位置するビア電極４１および、厚み方向に隣り合う１対の第１の内部電極層の間に位置するビア電極４２の、平面レイアウトにおける総面積が大きくなるほど、静電容量が小さくなる。したがって、１対の内部電極層の間において（好ましくは各対の間において）ビア電極が総面積ＣＳを有しているとすると、総面積ＣＳは、平面レイアウトにおいて当該１対の内部電極層が互いに重複する面積の１０％以下であることが好ましく、５％以下であることがより好ましい。なお各ビア電極４２は、複数の第１の内部電極層２２のすべてに接するように厚み方向（図５における縦方向）に沿って延在していてよく、あるいは、複数の第１の内部電極層２２のうちの一部の第１の内部電極層２２にのみ接するように厚み方向に沿って延在していてよい。また、これらビア電極４２の数および配置は、層毎に共通であっても異なってもよい。ビア電極４１の数および配置も、層毎に共通であっても異なってもよい。
【0080】
なお図５においては、第２の内部電極層２１および第１の内部電極層２２は、厚み方向に垂直な方向（図中、横方向）においてグランドビア電極４０ａおよびグランドビア電極４０ｂの内側に形成されているが、第２の内部電極層２１および第１の内部電極層２２の少なくとも一部がグランドビア電極４０ａおよびグランドビア電極４０ｂの外側に形成されている場合においては、グランドビア電極４０ａ，４０ｂの、平面レイアウトにおける総面積が大きくなるほど、静電容量を大きく確保しにくくなる。したがって、厚み方向に隣り合う１対のグランド内部電極層２０の間において（好ましくは各対の間において）グランドビア電極４０ａ，４０ｂが総面積ＣＧを有しているとすると、総面積ＣＧは、平面レイアウトにおいて当該１対のグランド内部電極層２０が互いに重複する面積の１０％以下であることが好ましく、５％以下であることがより好ましい。
【0081】
図４に示されているように、導電性接着材２５２は、厚み方向において放熱部材２５１と抵抗素子８０との間に配置された部分を有していてよい。具体的には、導電性接着材２５２は厚み方向において放熱部材２５１と絶縁膜９０とを互いにつないでいてよい。導電性接着材２５２は熱伝導性にも優れているので、これにより放熱部材２５１と絶縁膜９０との間の熱伝導性が高められる。よって、絶縁膜９０に被覆された抵抗素子８０からの放熱の効率を高めることができる。
【0082】
第２の内部電極層２１を有することによって、後述するノイズフィルタ１０５（図１４および図１５）と異なり、セラミック部材１０内に静電容量Ｃ１を形成することができる。特に、図５に示された構成においては、第１の内部電極層２２と第２の内部電極層２１との間のグランド内部電極層２０を、静電容量Ｃ１および静電容量Ｃ２の両方のために利用することができる。
【0083】
＜実施の形態２＞
図１１は、本実施の形態におけるノイズフィルタ１０２の構成を概略的に示す断面図である。本実施の形態におけるノイズフィルタ１０２は、ノイズフィルタ１０１（図５：実施の形態１）における絶縁膜９０に代わって、電気的絶縁性を有するセラミック膜９１（本実施の形態２における絶縁膜）を有している。また、グランド電極端子３０ａおよびグランド電極端子３０ｂは、ノイズフィルタ１０１（図５：前述の実施の形態１）においては下面ＳＦ２上に直接的に配置されているが、ノイズフィルタ１０２（図１１：本実施の形態２）においては、下面ＳＦ２上にセラミック膜９１を介して間接的に配置されている。セラミック膜９１は抵抗素子８０の下面を覆う部分を有しており、当該部分のうち最も薄い箇所の厚みは、電気的絶縁性を確保する観点で１０μｍ以上であることが望ましく、また熱抵抗を十分に抑制する観点で４０μｍ以下であることが望ましい。
図１１は、本実施の形態におけるノイズフィルタ１０２の構成を概略的に示す断面図である。本実施の形態におけるノイズフィルタ１０２は、ノイズフィルタ１０１（図５：実施の形態１）における絶縁膜９０に代わって、電気的絶縁性を有するセラミック膜９１（本実施の形態２における絶縁膜）を有している。また、グランド電極端子３０ａおよびグランド電極端子３０ｂは、ノイズフィルタ１０１（図５：前述の実施の形態１）においては下面ＳＦ２上に直接的に配置されているが、ノイズフィルタ１０２（図１１：本実施の形態２）においては、下面ＳＦ２上にセラミック膜９１を介して間接的に配置されている。セラミック膜９１は抵抗素子８０の下面を覆う部分を有しており、当該部分のうち最も薄い箇所の厚みは、電気的絶縁性を確保する観点で１０μｍ以上であることが望ましく、また熱抵抗を十分に抑制する観点で４０μｍ以下であることが望ましい。
【0084】
ノイズフィルタ１０２の製造方法においては、前述した実施の形態１の製造方法と異なり、セラミック膜９１、抵抗素子８０、第１の抵抗電極端子７１および第２の抵抗電極端子７２の焼成が、セラミック部材１０の焼成と同時に行われる。これにより工程数が削減されることによって、製造コストを低減することができる。なお、この焼成の結果、セラミック部材１０とセラミック膜９１とは互いに焼結されており、これらは１つのセラミック体ＲＣを構成している。セラミック膜９１の材料は、セラミック部材１０の材料と同一であってもよいし、異なってもよい。前者の場合、焼成時のセラミック部材１０の焼結収縮とセラミック膜９１の焼結収縮とが同じとなるので、焼成時におけるこれらの間での層間剥離の発生が抑制される。
【0085】
なお本実施の形態においては、セラミック体ＲＣ中に、抵抗素子８０、第１の抵抗電極端子７１および第２の抵抗電極端子７２が配置されている。セラミック体ＲＣは、セラミック部材１０と上面ＳＦ１を共有しており、またこれと反対の下面ＳＦ３を有している。グランド電極端子３０ａおよびグランド電極端子３０ｂは下面ＳＦ３上に配置されている。グランド電極端子３０ａおよびグランド電極端子３０ｂは、セラミック膜９１を貫通してグランド内部電極層２０に接続されていてよい。
【0086】
ノイズフィルタ１０２（図１１：本実施の形態）は、電子機器２００（図４）において、ノイズフィルタ１０１（図５：前述の実施の形態１）に代わって用いることができる。いずれの形態においても、グランド電極端子３０ａおよびグランド電極端子３０ｂが放熱部材２５１に導電性接着材２５２によって接着される。本実施の形態のようにノイズフィルタ１０２の被接着面としての下面がセラミック膜９１の下面ＳＦ３によって構成されていることによって、ノイズフィルタ１０２の被接着面の平坦性を、より確保しやすくなる。これにより、放熱部材２５１（図４）への接着の際にノイズフィルタ１０２のバランスがより取りやすく、よって、より安定した接着を行うことが可能となる。
【0087】
なお、上記以外の構成については、上述した実施の形態１の構成とほぼ同じであるため、同一または対応する要素について同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。
【0088】
＜実施の形態３＞
図１２は、本実施の形態におけるノイズフィルタ１０３の構成を概略的に示す断面図である。本実施の形態におけるノイズフィルタ１０３においては、ノイズフィルタ１０１（図５：実施の形態１）と異なり、抵抗素子８０はセラミック部材１０中に完全に埋設されている。言い換えれば、抵抗素子８０は、厚み方向においてセラミック部材１０の上面ＳＦ１と下面ＳＦ２との間に配置されている。具体的には、抵抗素子８０は、厚み方向において第１の内部電極層２２およびグランド内部電極層２０を含む全内部電極層と前記セラミック部材の前記第２の面ＳＦ２上との間に配置されている。図１２に示された例においては、全内部電極層は第２の内部電極層２１も含む。また、第１の抵抗電極端子７１および第２の抵抗電極端子７２もセラミック部材１０中に完全に埋設されていてよい。
図１２は、本実施の形態におけるノイズフィルタ１０３の構成を概略的に示す断面図である。本実施の形態におけるノイズフィルタ１０３においては、ノイズフィルタ１０１（図５：実施の形態１）と異なり、抵抗素子８０はセラミック部材１０中に完全に埋設されている。言い換えれば、抵抗素子８０は、厚み方向においてセラミック部材１０の上面ＳＦ１と下面ＳＦ２との間に配置されている。具体的には、抵抗素子８０は、厚み方向において第１の内部電極層２２およびグランド内部電極層２０を含む全内部電極層と前記セラミック部材の前記第２の面ＳＦ２上との間に配置されている。図１２に示された例においては、全内部電極層は第２の内部電極層２１も含む。また、第１の抵抗電極端子７１および第２の抵抗電極端子７２もセラミック部材１０中に完全に埋設されていてよい。
【0089】
ノイズフィルタ１０３の製造方法においては、前述した実施の形態１の製造方法と異なり、抵抗素子８０、第１の抵抗電極端子７１および第２の抵抗電極端子７２の焼成が、セラミック部材１０の焼成と同時に行われる。これにより工程数が削減されることによって、製造コストを低減することができる。
【0090】
ノイズフィルタ１０３（図１２：本実施の形態）は、電子機器２００（図４）において、ノイズフィルタ１０１（図５：前述の実施の形態１）に代わって用いることができる。いずれの形態においても、グランド電極端子３０ａおよびグランド電極端子３０ｂが放熱部材２５１に導電性接着材２５２によって接着される。本実施の形態のように抵抗素子８０がセラミック部材１０中に完全に埋設されていることによって、絶縁膜９０（図５：実施の形態１）なしに抵抗素子８０を導電性接着材２５２（図４参照）から電気的に絶縁することができる。
【0091】
また、ノイズフィルタ１０３（図１２：本実施の形態）によれば、ノイズフィルタ１０１（図５）の下面のうち絶縁膜９０によって構成されていた部分を、セラミック部材１０で構成することができる。これによって、ノイズフィルタ１０３の被接着面としての下面の平坦性を、より確保しやすくなる。これにより、導電性接着材２５２を用いての放熱部材２５１（図４）への接着の際にノイズフィルタ１０３のバランスがより取りやすく、よって、より安定した接着を行うことが可能となる。
【0092】
なお、上記以外の構成については、上述した実施の形態１の構成とほぼ同じであるため、同一または対応する要素について同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。
【0093】
＜実施の形態４＞
図１３は、本実施の形態におけるノイズフィルタ１０４の構成を概略的に示す断面図である。
図１３は、本実施の形態におけるノイズフィルタ１０４の構成を概略的に示す断面図である。
【0094】
抵抗素子８０はセラミック部材１０中に部分的にのみ埋設されている。具体的には、セラミック部材１０の下面ＳＦ２は、本実施の形態においては、平坦な面ではなく、窪み部分（図１３における中央部分）を有する面である。この窪み部分に抵抗素子８０が配置されている。よってノイズフィルタ１０４においては、ノイズフィルタ１０３（図１２：実施の形態３）と異なり、抵抗素子８０は、厚み方向においてセラミック部材１０の上面ＳＦ１と下面ＳＦ２との間には配置されていない。また図１３に示されているように、抵抗素子８０は、上記窪み部分から突出した部分を有していてよい。
【0095】
ノイズフィルタ１０４は、セラミック部材１０と共に抵抗素子８０を完全に埋設する絶縁膜９０（絶縁体）を有している。これによって、ノイズフィルタ１０１に代わってノイズフィルタ１０４が放熱部材２５１へ接着された構成を有する電子機器２００（図４参照）において、抵抗素子８０を導電性接着材２５２（図４参照）から電気的に絶縁することができる。
【0096】
ノイズフィルタ１０４の製造方法において、第１の抵抗電極端子７１および第２の抵抗電極端子７２の焼成が、セラミック部材１０の焼成と同時に行われてよい。グランド電極端子３０ａおよびグランド電極端子３０ｂを形成するための焼成も同時に行われてよい。抵抗素子８０の焼成は、この焼成と同時に行われてよいし、あるいは、この焼成の後に行われてよい。一方、絶縁膜９０を形成するためのガラスペーストの印刷および焼成は、セラミック部材１０の焼成の後に行われる。これにより、セラミック部材１０中の導電成分がガラス中に拡散することが抑制される。よって、絶縁膜９０中への導電成分の拡散量を抑制することができる。セラミック部材１０の焼成後に抵抗素子８０の焼成が行われる場合は、絶縁膜９０を形成するためのガラスペーストの印刷および焼成が抵抗素子８０の焼成の後に行われてよく、これにより、抵抗素子８０中の導電成分がガラス中に拡散することも抑制される。
【0097】
本実施の形態によれば、抵抗素子８０はセラミック部材１０中に部分的に埋設されている。これにより本実施の形態（図１３）においては、前述した実施の形態１（図５）に比して、絶縁膜９０の厚みが薄くても抵抗素子８０を導電性接着材２５２（図５）から電気的に十分に絶縁しやすい。なお、前述した実施の形態１におけるノイズフィルタ１０１（図５）および本実施の形態４におけるノイズフィルタ１０４（図１３）については、グランド電極端子３０ａの下面、絶縁膜９０の下面およびグランド電極端子３０ｂの下面が同一平面上にあることがより望ましい。これにより、ノイズフィルタ１０１（またはノイズフィルタ１０４）を放熱部材２５１（図４）へ接着する際に、ノイズフィルタ１０１（またはノイズフィルタ１０４）のバランスがより取りやすく、よって安定した接着を行うことが可能となる。特に本実施の形態４におけるノイズフィルタ１０４（図１３）は、抵抗素子８０および絶縁膜９０がグランド電極端子３０ａ，３０ｂに比して厚い場合でも、グランド電極端子３０ａの下面、絶縁膜９０の下面およびグランド電極端子３０ｂの下面を同一平面上に配置しやすいという利点を有する。
【0098】
なお、上記以外の構成については、上述した実施の形態１の構成とほぼ同じであるため、同一または対応する要素について同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。
【0099】
＜実施の形態５＞
図１４および図１５のそれぞれは、本実施の形態５におけるノイズフィルタ１０５の等価回路および構成を概略的に示す断面図である。ノイズフィルタ１０５（図１４）は、ノイズフィルタ１０１（図１：実施の形態１）と異なり、静電容量Ｃ１を有していない。これに対応して、ノイズフィルタ１０５（図１５）は、静電容量Ｃ１を形成するための第２の内部電極層２１（図５：実施の形態１）を有していない。本実施の形態５によっても、静電容量Ｃ１に関連した効果を除けば、実施の形態１において説明された効果とほぼ同様の効果が得られる。
図１４および図１５のそれぞれは、本実施の形態５におけるノイズフィルタ１０５の等価回路および構成を概略的に示す断面図である。ノイズフィルタ１０５（図１４）は、ノイズフィルタ１０１（図１：実施の形態１）と異なり、静電容量Ｃ１を有していない。これに対応して、ノイズフィルタ１０５（図１５）は、静電容量Ｃ１を形成するための第２の内部電極層２１（図５：実施の形態１）を有していない。本実施の形態５によっても、静電容量Ｃ１に関連した効果を除けば、実施の形態１において説明された効果とほぼ同様の効果が得られる。
【0100】
＜実施の形態６＞
図１６は、本実施の形態６におけるノイズフィルタ１０６の構成を概略的に示す断面図である。ノイズフィルタ１０６は、ノイズフィルタ１０１（図５：実施の形態１）の構成に加えて、絶縁膜９０（絶縁体）上、具体的には絶縁膜９０の図１６における下面上に、金属含有層９５を有している。金属含有層９５は、金属を含有する層である。具体的には、金属含有層９５は、少なくともその表面（図１６における下面）において、金属からなる部分を含む。具体的には、金属含有層９５は、実質的に金属からなっていてよく、あるいは、金属と、当該金属中に分散されたセラミックとからなっていてよい。例えば、絶縁膜９０がガラス膜の印刷とその焼成とによって形成される場合、金属含有層９５は、当該焼成の後に、銀ペースト等の印刷とその焼成とを行うことによって形成されてよい。
図１６は、本実施の形態６におけるノイズフィルタ１０６の構成を概略的に示す断面図である。ノイズフィルタ１０６は、ノイズフィルタ１０１（図５：実施の形態１）の構成に加えて、絶縁膜９０（絶縁体）上、具体的には絶縁膜９０の図１６における下面上に、金属含有層９５を有している。金属含有層９５は、金属を含有する層である。具体的には、金属含有層９５は、少なくともその表面（図１６における下面）において、金属からなる部分を含む。具体的には、金属含有層９５は、実質的に金属からなっていてよく、あるいは、金属と、当該金属中に分散されたセラミックとからなっていてよい。例えば、絶縁膜９０がガラス膜の印刷とその焼成とによって形成される場合、金属含有層９５は、当該焼成の後に、銀ペースト等の印刷とその焼成とを行うことによって形成されてよい。
【0101】
ノイズフィルタ１０６が絶縁膜９０上に金属含有層９５を有することによって、ノイズフィルタ１０６と導電性接着材２５２（図４参照）との間の密着力を向上させることができる。また熱抵抗を低減させることができる。
【0102】
変形例として、金属含有層９５が、実施の形態１に代わって、実施の形態１の変形例、または、実施の形態１以外の他の実施の形態に適用されてよい。例えば、実施の形態２におけるノイズフィルタ１０２のセラミック膜９１（絶縁体）上に金属含有層９５が形成されてよい。この場合、金属含有層９５は、セラミック膜９１との同時焼成によって形成されてよい。また、実施の形態３におけるノイズフィルタ１０３のセラミック部材１０の下面ＳＦ２上（言い換えれば、図１２におけるセラミック部材１０の下側）に金属含有層９５が形成されてよい。この場合、金属含有層９５は、セラミック部材１０との同時焼成によって形成されてよい。
【0103】
上述した実施の形態１～６、およびそれらの変形例は、互いに自由に組み合わされてよい。この発明は詳細に説明されたが、上記した説明は、すべての態様において、例示であって、この発明がそれに限定されるものではない。例示されていない無数の変形例が、この発明の範囲から外れることなく想定され得るものと解される。
【符号の説明】
【0104】
１０ ：セラミック部材
２０ ：グランド内部電極層
２１ ：第２の内部電極層
２２ ：第１の内部電極層
３０ ：グランド電極端子
３０ａ ：第１のグランド電極端子
３０ｂ ：第２のグランド電極端子
３１ ：外部電極端子（第１の電極端子）
３２ ：テスト電極端子（第２の電極端子）
４０ａ，４０ｂ ：グランドビア電極
４０ａＰ，４０ｂＰ：グランドビア電極群
４１，４２ ：ビア電極
４１Ｐ ：第１のビア電極群
４２Ｐ ：第２のビア電極群
８０ ：抵抗素子
８１ ：第１の端部
８２ ：第２の端部
９０ ：絶縁膜（絶縁体）
９１ ：セラミック膜（絶縁膜）
９５ ：金属含有層
１０１～１０６ ：ノイズフィルタ
２００ ：電子機器
２５１ ：放熱部材
２５２ ：導電性接着材
２７１ ：半導体スイッチング素子
２８０ ：枠体
２９１ ：主リード
２９２ ：制御リード
２９５ ：蓋体
ＳＦ１ ：上面（第１の面）
ＳＦ２ ：下面（第２の面）
２０ ：グランド内部電極層
２１ ：第２の内部電極層
２２ ：第１の内部電極層
３０ ：グランド電極端子
３０ａ ：第１のグランド電極端子
３０ｂ ：第２のグランド電極端子
３１ ：外部電極端子（第１の電極端子）
３２ ：テスト電極端子（第２の電極端子）
４０ａ，４０ｂ ：グランドビア電極
４０ａＰ，４０ｂＰ：グランドビア電極群
４１，４２ ：ビア電極
４１Ｐ ：第１のビア電極群
４２Ｐ ：第２のビア電極群
８０ ：抵抗素子
８１ ：第１の端部
８２ ：第２の端部
９０ ：絶縁膜（絶縁体）
９１ ：セラミック膜（絶縁膜）
９５ ：金属含有層
１０１～１０６ ：ノイズフィルタ
２００ ：電子機器
２５１ ：放熱部材
２５２ ：導電性接着材
２７１ ：半導体スイッチング素子
２８０ ：枠体
２９１ ：主リード
２９２ ：制御リード
２９５ ：蓋体
ＳＦ１ ：上面（第１の面）
ＳＦ２ ：下面（第２の面）
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】