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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024133547
(43)【公開日】2024-10-02
(54)【発明の名称】太陽電池及びその製造方法、光起電力システム
(51)【国際特許分類】
H01L 31/0224 20060101AFI20240925BHJP
H01L 31/0745 20120101ALI20240925BHJP
H01L 29/41 20060101ALI20240925BHJP
【ＦＩ】
H01L31/04 262
H01L31/06 450
H01L29/44 S
【審査請求】有
【請求項の数】17
【出願形態】ＯＬ
【公開請求】
(21)【出願番号】P 2024106344
(22)【出願日】2024-07-01
(31)【優先権主張番号】202311561740.8
(32)【優先日】2023-11-22
(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN
(71)【出願人】
【識別番号】523183389
【氏名又は名称】トリナ・ソーラー・カンパニー・リミテッド
【氏名又は名称原語表記】ＴＲＩＮＡ ＳＯＬＡＲ ＣＯ．， ＬＴＤ．
【住所又は居所原語表記】Ｎｏ． ２ Ｔｒｉｎａ Ｒｏａｄ， Ｔｒｉｎａ ＰＶ Ｐａｒｋ， Ｘｉｎｂｅｉ Ｄｉｓｔｒｉｃｔ， Ｃｈａｎｇｚｈｏｕ， Ｊｉａｎｇｓｕ ２１３０３１， Ｃｈｉｎａ
(74)【代理人】
【識別番号】110000291
【氏名又は名称】弁理士法人コスモス国際特許商標事務所
(72)【発明者】
【氏名】劉 成法
(72)【発明者】
【氏名】▲ゾウ▼ 楊
(72)【発明者】
【氏名】王 昆州
(72)【発明者】
【氏名】李 万里
(72)【発明者】
【氏名】張 雅倩
(72)【発明者】
【氏名】呉 暁鵬
(72)【発明者】
【氏名】張 帥
(72)【発明者】
【氏名】陸 玉剛
(72)【発明者】
【氏名】陳 紅
(57)【要約】 （修正有）
【課題】良好な電気的接続を保証したまま、パッシベーション構造への損傷及び再結合が小さく、高い光電変換効率を有する太陽電池を提供する。
【解決手段】基板層１０は、その厚さ方向に沿って対向して設けられた第１の表面及び第２の表面を含み、トンネリング酸化物層２０、第１のドープポリシリコン層３０及び第１のパッシベーション層４０は、基板層１０から徐々に離れる方向に沿って基板層１０の第１の表面に順次設けられ、第１の微細ゲート層は、第１の方向ｘに沿って間隔をあけて順次配列された複数の第１の微細ゲート５０を含み、少なくとも１つの第１の微細ゲート５０は、図示しない第１の接続孔に設けられ、第１の接続孔の孔底は、第１のドープポリシリコン層３０に位置し、各第１の微細ゲート５０は、それぞれの対応する第１の接続孔を貫通して第１のドープポリシリコン層３０に電気的に接続される。
【選択図】図１
【解決手段】基板層１０は、その厚さ方向に沿って対向して設けられた第１の表面及び第２の表面を含み、トンネリング酸化物層２０、第１のドープポリシリコン層３０及び第１のパッシベーション層４０は、基板層１０から徐々に離れる方向に沿って基板層１０の第１の表面に順次設けられ、第１の微細ゲート層は、第１の方向ｘに沿って間隔をあけて順次配列された複数の第１の微細ゲート５０を含み、少なくとも１つの第１の微細ゲート５０は、図示しない第１の接続孔に設けられ、第１の接続孔の孔底は、第１のドープポリシリコン層３０に位置し、各第１の微細ゲート５０は、それぞれの対応する第１の接続孔を貫通して第１のドープポリシリコン層３０に電気的に接続される。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
太陽電池であって、
その厚さ方向に沿って対向して設けられた第１の表面及び第２の表面を含む基板層と、
前記基板層から徐々に離れる方向に沿って前記基板層の第１の表面に順次設けられたトンネリング酸化物層、第１のドープポリシリコン層及び第１のパッシベーション層と、
第１の方向に沿って間隔をあけて順次配列された複数の第１の微細ゲートを含む第１の微細ゲート層と、を含み、
前記第１のパッシベーション層及び前記第１のドープポリシリコン層に少なくとも１つの第１の接続孔が設けられ、厚さ方向に沿って、前記第１の接続孔は、全ての第１のパッシベーション層を貫通し、且つ一部の第１のドープポリシリコン層を貫通し、前記第１の接続孔の孔底は、前記第１のドープポリシリコン層に位置し、各前記第１の微細ゲートは、それぞれの対応する前記第１の接続孔を貫通して前記第１のドープポリシリコン層に電気的に接続され、前記第１の方向において、各前記第１の接続孔の幅は、いずれも前記第１の接続孔に対応する第１の微細ゲートの幅よりも小さく、
各前記第１の接続孔の前記第１の表面への投影面積は、それぞれ独立して１０ｎｍ２～１０μｍ２である、
ことを特徴とする太陽電池。
その厚さ方向に沿って対向して設けられた第１の表面及び第２の表面を含む基板層と、
前記基板層から徐々に離れる方向に沿って前記基板層の第１の表面に順次設けられたトンネリング酸化物層、第１のドープポリシリコン層及び第１のパッシベーション層と、
第１の方向に沿って間隔をあけて順次配列された複数の第１の微細ゲートを含む第１の微細ゲート層と、を含み、
前記第１のパッシベーション層及び前記第１のドープポリシリコン層に少なくとも１つの第１の接続孔が設けられ、厚さ方向に沿って、前記第１の接続孔は、全ての第１のパッシベーション層を貫通し、且つ一部の第１のドープポリシリコン層を貫通し、前記第１の接続孔の孔底は、前記第１のドープポリシリコン層に位置し、各前記第１の微細ゲートは、それぞれの対応する前記第１の接続孔を貫通して前記第１のドープポリシリコン層に電気的に接続され、前記第１の方向において、各前記第１の接続孔の幅は、いずれも前記第１の接続孔に対応する第１の微細ゲートの幅よりも小さく、
各前記第１の接続孔の前記第１の表面への投影面積は、それぞれ独立して１０ｎｍ２～１０μｍ２である、
ことを特徴とする太陽電池。
【請求項2】
前記第１の表面への投影面積で、１ｍｍ２当たりの前記第１の微細ゲートは１～１０万個の前記第１の接続孔を介して前記第１のドープポリシリコン層に電気的に接続されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の太陽電池。
ことを特徴とする請求項１に記載の太陽電池。
【請求項3】
前記第１のパッシベーション層に少なくとも１つの第２の接続孔が設けられ、各前記第１の微細ゲートは、それぞれの対応する前記第２の接続孔及び前記第１の接続孔を貫通して前記第１のドープポリシリコン層に電気的に接続され、前記第１の方向において、各前記第２の接続孔の幅は、いずれも前記第２の接続孔に対応する第１の微細ゲートの幅以下であり、
各前記第１の接続孔の前記第１の表面への投影は、いずれも前記第２の接続孔の前記第１の表面への投影範囲内である、
ことを特徴とする請求項１に記載の太陽電池。
各前記第１の接続孔の前記第１の表面への投影は、いずれも前記第２の接続孔の前記第１の表面への投影範囲内である、
ことを特徴とする請求項１に記載の太陽電池。
【請求項4】
前記第２の接続孔の個数は、前記第１の接続孔の個数よりも小さい、
ことを特徴とする請求項３に記載の太陽電池。
ことを特徴とする請求項３に記載の太陽電池。
【請求項5】
（１）前記第１のパッシベーション層の厚さが４０ｎｍ～１００ｎｍであること、及び
（２）前記第１のドープポリシリコン層の厚さが１０ｎｍ～２００ｎｍであることのうちの１つ以上の組み合わせを満たす、
ことを特徴とする請求項１に記載の太陽電池。
（２）前記第１のドープポリシリコン層の厚さが１０ｎｍ～２００ｎｍであることのうちの１つ以上の組み合わせを満たす、
ことを特徴とする請求項１に記載の太陽電池。
【請求項6】
ボロンドープ層、第２のパッシベーション層及び第２の微細ゲート層をさらに含み、
前記ボロンドープ層及び前記第２のパッシベーション層は、前記基板層から徐々に離れる方向に沿って前記基板層の第２の表面に順次設けられ、前記第２の微細ゲート層は、第２の方向に沿って間隔をあけて順次配列された複数の第２の微細ゲートを含み、
前記第２のパッシベーション層及び前記ボロンドープ層に少なくとも１つの第３の接続孔が設けられ、厚さ方向に沿って、前記第３の接続孔は、全ての前記第２のパッシベーション層を貫通し、一部の前記ボロンドープ層を貫通し、前記第３の接続孔の孔底は、前記ボロンドープ層に位置し、各第２の微細ゲートは、それぞれの対応する前記第３の接続孔を貫通して前記ボロンドープ層に電気的に接続され、前記第２の方向において、各前記第３の接続孔の幅は、いずれも前記第３の接続孔に対応する第２の微細ゲートの幅よりも小さい、
ことを特徴とする請求項１～５のいずれか一項に記載の太陽電池。
前記ボロンドープ層及び前記第２のパッシベーション層は、前記基板層から徐々に離れる方向に沿って前記基板層の第２の表面に順次設けられ、前記第２の微細ゲート層は、第２の方向に沿って間隔をあけて順次配列された複数の第２の微細ゲートを含み、
前記第２のパッシベーション層及び前記ボロンドープ層に少なくとも１つの第３の接続孔が設けられ、厚さ方向に沿って、前記第３の接続孔は、全ての前記第２のパッシベーション層を貫通し、一部の前記ボロンドープ層を貫通し、前記第３の接続孔の孔底は、前記ボロンドープ層に位置し、各第２の微細ゲートは、それぞれの対応する前記第３の接続孔を貫通して前記ボロンドープ層に電気的に接続され、前記第２の方向において、各前記第３の接続孔の幅は、いずれも前記第３の接続孔に対応する第２の微細ゲートの幅よりも小さい、
ことを特徴とする請求項１～５のいずれか一項に記載の太陽電池。
【請求項7】
各前記第３の接続孔の前記第２の表面への投影面積は、それぞれ独立して平方ナノメートルスケールから平方マイクロメートルスケールである、
ことを特徴とする請求項６に記載の太陽電池。
ことを特徴とする請求項６に記載の太陽電池。
【請求項8】
各前記第３の接続孔の前記第２の表面への投影面積は、それぞれ独立して１０ｎｍ２～１０μｍ２である、
ことを特徴とする請求項７に記載の太陽電池。
ことを特徴とする請求項７に記載の太陽電池。
【請求項9】
前記第２の表面への投影面積で、１ｍｍ２当たりの前記第２の微細ゲートは１～１０万個の前記第３の接続孔を介して前記ボロンドープ層に電気的に接続されている、
ことを特徴とする請求項６に記載の太陽電池。
ことを特徴とする請求項６に記載の太陽電池。
【請求項10】
前記第２のパッシベーション層に少なくとも１つの第４の接続孔が設けられ、各前記第２の微細ゲートは、それぞれの対応する前記第４の接続孔及び前記第３の接続孔を貫通して前記ボロンドープ層に電気的に接続され、前記第２の方向において、各前記第４の接続孔の幅は、いずれも前記第３の接続孔に対応する第２の微細ゲートの幅以下であり、
各前記第３の接続孔の前記第２の表面への投影は、いずれも前記第４の接続孔の前記第２の表面への投影範囲内である、
ことを特徴とする請求項６に記載の太陽電池。
各前記第３の接続孔の前記第２の表面への投影は、いずれも前記第４の接続孔の前記第２の表面への投影範囲内である、
ことを特徴とする請求項６に記載の太陽電池。
【請求項11】
前記第２のパッシベーション層の厚さは、２ｎｍ～２０ｎｍである、
ことを特徴とする請求項６に記載の太陽電池。
ことを特徴とする請求項６に記載の太陽電池。
【請求項12】
反射防止層をさらに含み、
前記反射防止層は、前記第２のパッシベーション層の前記基板層から離れる側に設けられる、
ことを特徴とする請求項６に記載の太陽電池。
前記反射防止層は、前記第２のパッシベーション層の前記基板層から離れる側に設けられる、
ことを特徴とする請求項６に記載の太陽電池。
【請求項13】
前記反射防止層の厚さは、４０ｎｍ～１００ｎｍである、
ことを特徴とする請求項１２に記載の太陽電池。
ことを特徴とする請求項１２に記載の太陽電池。
【請求項14】
前記基板層は、Ｎ型単結晶シリコンウェーハである、
ことを特徴とする請求項１～５のいずれか一項に記載の太陽電池。
ことを特徴とする請求項１～５のいずれか一項に記載の太陽電池。
【請求項15】
太陽電池の製造方法であって、
基板層の第１の表面にトンネリング酸化物層、第１のドープポリシリコン層及び第１のパッシベーション層を順次形成するステップと、
前記第１のパッシベーション層の前記基板層から離れる表面に第１のパターンを印刷するステップであって、前記第１のパターンの材料は、第１の金属ペーストを含み、前記第１のパターンは、第１の方向に沿って間隔をあけて順次配列された複数の第１のゲートストライプを含むステップと、
前記第１のパターンを乾燥処理するステップと、
乾燥処理後の前記第１のパターンを焼結処理し、第１の微細ゲート層を製造するステップであって、前記第１の微細ゲート層は、第１の方向に沿って間隔をあけて順次配列された複数の第１の微細ゲートを含み、各前記第１の微細ゲートは、１つの前記第１のゲートストライプに対応するステップと、を含み、
前記焼結処理において、前記第１のパターンの材料は、前記第１のパッシベーション層及び前記第１のドープポリシリコン層を腐食し、前記第１のパッシベーション層及び前記第１のドープポリシリコン層において少なくとも１つの第１のゲートストライプに対応する位置に少なくとも１つの第１の接続孔をエッチングし、前記第１の接続孔の孔底は、前記第１のドープポリシリコン層に位置し、製造した前記第１の微細ゲートのうち各第１の微細ゲートは、それぞれの対応する前記第１の接続孔を貫通して前記第１のドープポリシリコン層に接触し、
各前記第１の接続孔の前記第１の表面への投影面積は、それぞれ独立して１０ｎｍ２～１０μｍ２である、
ことを特徴とする太陽電池の製造方法。
基板層の第１の表面にトンネリング酸化物層、第１のドープポリシリコン層及び第１のパッシベーション層を順次形成するステップと、
前記第１のパッシベーション層の前記基板層から離れる表面に第１のパターンを印刷するステップであって、前記第１のパターンの材料は、第１の金属ペーストを含み、前記第１のパターンは、第１の方向に沿って間隔をあけて順次配列された複数の第１のゲートストライプを含むステップと、
前記第１のパターンを乾燥処理するステップと、
乾燥処理後の前記第１のパターンを焼結処理し、第１の微細ゲート層を製造するステップであって、前記第１の微細ゲート層は、第１の方向に沿って間隔をあけて順次配列された複数の第１の微細ゲートを含み、各前記第１の微細ゲートは、１つの前記第１のゲートストライプに対応するステップと、を含み、
前記焼結処理において、前記第１のパターンの材料は、前記第１のパッシベーション層及び前記第１のドープポリシリコン層を腐食し、前記第１のパッシベーション層及び前記第１のドープポリシリコン層において少なくとも１つの第１のゲートストライプに対応する位置に少なくとも１つの第１の接続孔をエッチングし、前記第１の接続孔の孔底は、前記第１のドープポリシリコン層に位置し、製造した前記第１の微細ゲートのうち各第１の微細ゲートは、それぞれの対応する前記第１の接続孔を貫通して前記第１のドープポリシリコン層に接触し、
各前記第１の接続孔の前記第１の表面への投影面積は、それぞれ独立して１０ｎｍ２～１０μｍ２である、
ことを特徴とする太陽電池の製造方法。
【請求項16】
前記焼結処理のピーク温度は、７００℃～９００℃である、
ことを特徴とする請求項１５に記載の太陽電池の製造方法。
ことを特徴とする請求項１５に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項17】
光起電力システムであって、
請求項１～５のいずれか一項に記載の太陽電池、又は請求項１５～１６のいずれか一項に記載の太陽電池の製造方法により製造された太陽電池を含む、
ことを特徴とする光起電力システム。
請求項１～５のいずれか一項に記載の太陽電池、又は請求項１５～１６のいずれか一項に記載の太陽電池の製造方法により製造された太陽電池を含む、
ことを特徴とする光起電力システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本願は、太陽電池の技術分野に関し、具体的には、太陽電池及びその製造方法、光起電力システムに関する。
【背景技術】
【0002】
ＴＯＰＣｏｎ電池（トンネリング酸化物層パッシベーションコンタクト電池）は、極薄の酸化物層をパッシベーション層構造として用いた太陽電池である。極薄のトンネリング酸化物層及び１層のドープしたポリシリコン薄層によって、両者は共同でパッシベーションコンタクト構造を形成し、表面再結合及び金属コンタクト再結合を効果的に低減することができ、シリコンウェーハの裏面に良好な表面パッシベーションを提供し、裏面再結合電流密度を効果的に低減し、電池の光電変換効率を向上させることができる。
【0003】
従来のＴＯＰＣｏｎ電池は、エッチング又はレーザーアブレーションによって一部のドープポリシリコン層を露出させ、さらに電極を製造してドープポリシリコン層とオーミックコンタクト（又は電気的接続と呼ばれる）を形成するが、エッチング又はレーザーアブレーションプロセスは、パッシベーション層及び反射防止層に対する損傷が比較的大きく、ＴＯＰＣｏｎ電池の性能向上に大きな影響を与える。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
これに基づいて、本願は、パッシベーション層及び反射防止層に対する損傷及び再結合を減少し、光電変換効率の高い太陽電池及びその製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本願の一態様によれば、太陽電池を提供し、
その厚さ方向に沿って対向して設けられた第１の表面及び第２の表面を含む基板層と、
前記基板層から徐々に離れる方向に沿って前記基板層の第１の表面に順次設けられたトンネリング酸化物層、第１のドープポリシリコン層及び第１のパッシベーション層と、
第１の方向に沿って間隔をあけて順次配列された複数の第１の微細ゲートを含む第１の微細ゲート層と、を含み、
少なくとも１つの前記第１の微細ゲートは、第１の接続孔に設けられ、前記第１の接続孔の孔底は、前記第１のドープポリシリコン層に位置し、各前記第１の微細ゲートは、それぞれの対応する前記第１の接続孔を貫通して前記第１のドープポリシリコン層に電気的に接続され、前記第１の方向において、各前記第１の接続孔の幅は、いずれも前記第１の接続孔に対応する第１の微細ゲートの幅よりも小さい。
その厚さ方向に沿って対向して設けられた第１の表面及び第２の表面を含む基板層と、
前記基板層から徐々に離れる方向に沿って前記基板層の第１の表面に順次設けられたトンネリング酸化物層、第１のドープポリシリコン層及び第１のパッシベーション層と、
第１の方向に沿って間隔をあけて順次配列された複数の第１の微細ゲートを含む第１の微細ゲート層と、を含み、
少なくとも１つの前記第１の微細ゲートは、第１の接続孔に設けられ、前記第１の接続孔の孔底は、前記第１のドープポリシリコン層に位置し、各前記第１の微細ゲートは、それぞれの対応する前記第１の接続孔を貫通して前記第１のドープポリシリコン層に電気的に接続され、前記第１の方向において、各前記第１の接続孔の幅は、いずれも前記第１の接続孔に対応する第１の微細ゲートの幅よりも小さい。
【0006】
そのうちのいくつかの実施形態において、各前記第１の接続孔の前記第１の表面への投影面積は、それぞれ独立して平方ナノメートルスケールから平方マイクロメートルスケールである。
【0007】
そのうちのいくつかの実施形態において、各前記第１の接続孔の前記第１の表面への投影面積は、それぞれ独立して１０ｎｍ２～１０μｍ２である。
【0008】
そのうちのいくつかの実施形態において、前記第１の表面への投影面積で、１ｍｍ２当たりの前記第１の微細ゲートは１～１０万個の前記第１の接続孔を介して前記第１のドープポリシリコン層に電気的に接続されている。
【0009】
そのうちのいくつかの実施形態において、前記第１のパッシベーション層に少なくとも１つの第２の接続孔が設けられ、
各前記第１の微細ゲートは、それぞれの対応する前記第２の接続孔及び前記第１の接続孔を貫通して前記第１のドープポリシリコン層に電気的に接続され、前記第１の方向において、各前記第２の接続孔の幅は、いずれも前記第２の接続孔に対応する第１の微細ゲートの幅以下であり、
各前記第１の接続孔の前記第１の表面への投影は、いずれも前記第２の接続孔の前記第１の表面への投影範囲内である。
各前記第１の微細ゲートは、それぞれの対応する前記第２の接続孔及び前記第１の接続孔を貫通して前記第１のドープポリシリコン層に電気的に接続され、前記第１の方向において、各前記第２の接続孔の幅は、いずれも前記第２の接続孔に対応する第１の微細ゲートの幅以下であり、
各前記第１の接続孔の前記第１の表面への投影は、いずれも前記第２の接続孔の前記第１の表面への投影範囲内である。
【0010】
そのうちのいくつかの実施形態において、前記第２の接続孔の個数は、前記第１の接続孔の個数よりも小さい。
【0011】
そのうちのいくつかの実施形態において、各前記第２の接続孔の前記第１の表面への投影面積は、それぞれ独立して平方ナノメートルスケールから平方マイクロメートルスケールである。
【0012】
そのうちのいくつかの実施形態において、各前記第２の接続孔の前記第１の表面への投影面積は、それぞれ独立して１０ｎｍ２～１０μｍ２である。
【0013】
そのうちのいくつかの実施形態において、前記第１のパッシベーション層の厚さは、４０ｎｍ～１００ｎｍである。
【0014】
そのうちのいくつかの実施形態において、前記第１のドープポリシリコン層の厚さは、１０ｎｍ～２００ｎｍである。
【0015】
そのうちのいくつかの実施形態において、前記太陽電池は、ボロンドープ層、第２のパッシベーション層及び第２の微細ゲート層をさらに含み、
前記ボロンドープ層及び前記第２のパッシベーション層は、前記基板層から徐々に離れる方向に沿って前記基板層の第２の表面に順次設けられ、前記第２の微細ゲート層は、第２の方向に沿って間隔をあけて順次配列された複数の第２の微細ゲートを含み、
少なくとも１つの前記第２の微細ゲートは、第３の接続孔に設けられ、前記第３の接続孔の孔底は、前記ボロンドープ層に位置し、各第２の微細ゲートは、それぞれの対応する前記第３の接続孔を貫通して前記ボロンドープ層に電気的に接続され、前記第２の方向において、各前記第３の接続孔の幅は、いずれも前記第３の接続孔に対応する第２の微細ゲートの幅よりも小さい。
前記ボロンドープ層及び前記第２のパッシベーション層は、前記基板層から徐々に離れる方向に沿って前記基板層の第２の表面に順次設けられ、前記第２の微細ゲート層は、第２の方向に沿って間隔をあけて順次配列された複数の第２の微細ゲートを含み、
少なくとも１つの前記第２の微細ゲートは、第３の接続孔に設けられ、前記第３の接続孔の孔底は、前記ボロンドープ層に位置し、各第２の微細ゲートは、それぞれの対応する前記第３の接続孔を貫通して前記ボロンドープ層に電気的に接続され、前記第２の方向において、各前記第３の接続孔の幅は、いずれも前記第３の接続孔に対応する第２の微細ゲートの幅よりも小さい。
【0016】
そのうちのいくつかの実施形態において、各前記第３の接続孔の前記第２の表面への投影面積は、それぞれ独立して平方ナノメートルスケールから平方マイクロメートルスケールである。
【0017】
そのうちのいくつかの実施形態において、各前記第３の接続孔の前記第２の表面への投影面積は、それぞれ独立して１０ｎｍ２～１０μｍ２である。
【0018】
そのうちのいくつかの実施形態において、前記第２の表面への投影面積で、１ｍｍ２当たりの前記第２の微細ゲートは１～１０万個の前記第３の接続孔を介して前記ボロンドープ層に電気的に接続されている。
【0019】
そのうちのいくつかの実施形態において、前記第２のパッシベーション層に少なくとも１つの第４の接続孔が設けられ、各前記第２の微細ゲートは、それぞれの対応する前記第４の接続孔及び前記第３の接続孔を貫通して前記ボロンドープ層に電気的に接続され、前記第２の方向において、各前記第４の接続孔の幅は、いずれも前記第３の接続孔に対応する第２の微細ゲートの幅以下であり、
各前記第３の接続孔の前記第２の表面への投影は、いずれも前記第４の接続孔の前記第２の表面への投影範囲内である。
各前記第３の接続孔の前記第２の表面への投影は、いずれも前記第４の接続孔の前記第２の表面への投影範囲内である。
【0020】
そのうちのいくつかの実施形態において、前記第４の接続孔の個数は、前記第３の接続孔の個数よりも小さい。
【0021】
そのうちのいくつかの実施形態において、各前記第４の接続孔の前記第２の表面への投影面積は、それぞれ独立して平方ナノメートルスケールから平方マイクロメートルスケールである。
【0022】
そのうちのいくつかの実施形態において、各前記第４の接続孔の前記第２の表面への投影面積は、それぞれ独立して１０ｎｍ２～１０μｍ２である。
【0023】
そのうちのいくつかの実施形態において、前記第２のパッシベーション層の厚さは、２ｎｍ～２０ｎｍである。
【0024】
そのうちのいくつかの実施形態において、前記第２の微細ゲートと前記基板層とは、少なくとも前記ボロンドープ層によって離間される。
【0025】
そのうちのいくつかの実施形態において、前記太陽電池は、反射防止層をさらに含み、
前記反射防止層は、前記第２のパッシベーション層の前記基板層から離れる側に設けられる。
前記反射防止層は、前記第２のパッシベーション層の前記基板層から離れる側に設けられる。
【0026】
そのうちのいくつかの実施形態において、前記反射防止層の厚さは、４０ｎｍ～１００ｎｍである。
【0027】
第２の態様によれば、本願は、太陽電池の製造方法をさらに提供し、
基板層の第１の表面にトンネリング酸化物層、第１のドープポリシリコン層及び第１のパッシベーション層を順次形成するステップと、
前記第１のパッシベーション層の前記基板層から離れる表面に第１のパターンを印刷するステップであって、前記第１のパターンの材料は、第１の金属ペーストを含み、前記第１のパターンは、第１の方向に沿って間隔をあけて順次配列された複数の第１のゲートストライプを含むステップと、
前記第１のパターンを乾燥処理するステップと、
乾燥処理後の前記第１のパターンを焼結処理し、第１の微細ゲート層を製造するステップであって、前記第１の微細ゲート層は、第１の方向に沿って間隔をあけて順次配列された複数の第１の微細ゲートを含み、各前記第１の微細ゲートは、１つの前記第１のゲートストライプに対応するステップと、を含み、
前記焼結処理において、前記第１のパターンの材料は、前記第１のパッシベーション層及び前記第１のドープポリシリコン層を腐食し、前記第１のパッシベーション層及び前記第１のドープポリシリコン層において少なくとも１つの第１のゲートストライプに対応する位置に少なくとも１つの第１の接続孔をエッチングし、前記第１の接続孔の孔底は、前記第１のドープポリシリコン層に位置し、製造した前記第１の微細ゲートのうち各第１の微細ゲートは、それぞれの対応する前記第１の接続孔を貫通して前記第１のドープポリシリコン層に接触する。
基板層の第１の表面にトンネリング酸化物層、第１のドープポリシリコン層及び第１のパッシベーション層を順次形成するステップと、
前記第１のパッシベーション層の前記基板層から離れる表面に第１のパターンを印刷するステップであって、前記第１のパターンの材料は、第１の金属ペーストを含み、前記第１のパターンは、第１の方向に沿って間隔をあけて順次配列された複数の第１のゲートストライプを含むステップと、
前記第１のパターンを乾燥処理するステップと、
乾燥処理後の前記第１のパターンを焼結処理し、第１の微細ゲート層を製造するステップであって、前記第１の微細ゲート層は、第１の方向に沿って間隔をあけて順次配列された複数の第１の微細ゲートを含み、各前記第１の微細ゲートは、１つの前記第１のゲートストライプに対応するステップと、を含み、
前記焼結処理において、前記第１のパターンの材料は、前記第１のパッシベーション層及び前記第１のドープポリシリコン層を腐食し、前記第１のパッシベーション層及び前記第１のドープポリシリコン層において少なくとも１つの第１のゲートストライプに対応する位置に少なくとも１つの第１の接続孔をエッチングし、前記第１の接続孔の孔底は、前記第１のドープポリシリコン層に位置し、製造した前記第１の微細ゲートのうち各第１の微細ゲートは、それぞれの対応する前記第１の接続孔を貫通して前記第１のドープポリシリコン層に接触する。
【0028】
そのうちのいくつかの実施形態において、前記焼結処理のピーク温度は、７００℃～９００℃である。
【0029】
第３の態様によれば、本願は、上述した太陽電池又は上述した太陽電池の製造方法により製造された太陽電池を含む、光起電力システムをさらに提供する。
【発明の効果】
【0030】
本願は、少なくとも以下の有益な効果を有する。
本願の実施形態にて提供される太陽電池において、第１の微細ゲートは、第１のパッシベーション層上の接続孔を介して第１のドープポリシリコン層に接触し、且つ第１の接続孔の寸法は、いずれも第１の微細ゲートよりも小さく、良好な電気的接触を保証したまま、太陽電池のパッシベーション構造への損傷及び再結合が小さく、従来の太陽電池と比較して、本願の実施形態にて提供される太陽電池は高い光電変換効率を有する。
本願の実施形態にて提供される太陽電池において、第１の微細ゲートは、第１のパッシベーション層上の接続孔を介して第１のドープポリシリコン層に接触し、且つ第１の接続孔の寸法は、いずれも第１の微細ゲートよりも小さく、良好な電気的接触を保証したまま、太陽電池のパッシベーション構造への損傷及び再結合が小さく、従来の太陽電池と比較して、本願の実施形態にて提供される太陽電池は高い光電変換効率を有する。
【図面の簡単な説明】
【0031】
【図1】本願の一実施例の太陽電池の構造模式図である。
【図4】本願の一実施例の太陽電池の構造模式図である。
【図6】本願の一実施例の太陽電池の構造模式図である。
【図8】本願の一実施例の太陽電池の構造模式図である。
【発明を実施するための形態】
【0032】
本願の理解を容易にするために、以下では、関連する図面を参照して、本願をより完全に説明する。本願のより好ましい実施例が、添付の図面に示されている。しかし、本願は、多くの異なる形態で実現することができ、本明細書に記載された実施例に限定されない。むしろ、これらの実施例は、本願の開示内容の理解をより完全にすることを目的として提供される。
【0033】
本願の説明において、「中心」、「縦」、「横」、「長さ」、「幅」、「厚さ」、「上」、「下」、「前」、「後」、「左」、「右」、「垂直」、「水平」、「頂」、「底」、「内」、「外」、「時計回り」、「反時計回り」、「軸方向」、「径方向」、「周方向」などの用語が示す方位又は位置関係は、図面に示される方位又は位置関係に基づくものであり、本願の説明の便宜及び簡略化のためのものであり、示される装置又は素子が特定の方位を有し、特定の方位で構築及び操作されなければならないことを示し又は暗示するものではなく、したがって、本願を限定するものとは理解できないことを理解されたい。
【0034】
なお、「第１の」、「第２の」という用語は、単に説明のためのものであり、相対的な重要性を示すか又は暗示するか、又は示される技術的特徴の数を暗黙的に示すものと理解すべきではない。したがって、「第１の」、「第２の」と定義された特徴は、少なくとも１つのその特徴を明示的又は暗黙的に含んでもよい。本願の説明において、「複数」は、特に断りのない限り、少なくとも２つ、例えば２つ、３つなどを意味する。
【0035】
本願において、「取り付け」、「連結」、「接続」、「固定」などの用語は、別段の明示的な規定及び限定がない限り、広義に理解されるべきであり、例えば、特に明示的に限定されない限り、固定的な接続、取り外し可能な接続、又は一体的なものであってもよく、機械的接続でも電気的接続でもよく、直接的な連結でも介在媒体を介する間接的な連結でもよく、２つの要素の内部の連通、又は２つの要素の相互作用の関係であってもよい。本願における上記用語の具体的な意味は、当業者にとっては、具体的な状況に応じて理解することができる。
【0036】
なお、要素が別の要素に「固定されている」と称される場合、別の要素の上に直接あってもよく、又は介在する要素が存在してもよい。ある要素が別の要素に「接続されている」と見なされる場合、別の要素に直接接続されてもよく、又は介在する要素が同時に存在してもよい。
【0037】
本願において、別段の明示的な規定及び限定がない限り、第１の特徴が第２の特徴の「上」又は「下」にあることは、第１の特徴及び第２の特徴が直接接触していること、又は第１の特徴及び第２の特徴が介在媒体を介して間接的に接触していることであってもよい。さらに、第１の特徴が第２の特徴「の上」、「上方」及び「上面」にあることは、第１の特徴が第２の特徴の真上又は斜め上にあるか、又は単に第１の特徴が第２の特徴よりも水平高さが高いことを示す。第１の特徴が第２の特徴「の下」、「下方」及び「下面」にあることは、第１の特徴が第２の特徴の直下又は斜め下にあるか、又は単に第１の特徴が第２の特徴よりも水平高さが低いことを示す。
【0038】
さらに、図面は１対１の縮尺で描かれるものではなく、各要素の相対的な寸法は、本願の理解を容易にするために図面には例として描かれているだけであるが、必ずしも真の縮尺で描かれているわけではなく、図面の縮尺は本願を限定するものではない。
【0039】
特に定義されない限り、本明細書で用いられる全ての技術的及び科学的用語は、本願の技術分野に属する当業者によって一般的に理解されるものと同じ意味を有する。本明細書において用いられる用語は、特定の実施例を説明するためのものであり、本願を限定することを意図していない。本明細書で用いられる「及び／又は」という用語は、関連して列記される項目のうちの１つ又は複数の任意の組合せ及び全ての組合せを含む。
【0040】
本願において、オーミックコンタクトは、電気的接続と同じ意味を有し、好ましくは、電気的接続は、物理的接触であり、即ち電気的接続は、無線通信信号接続ではなく、物理的接触の回路接続を意味する。
【0041】
図１及び図２を参照すると、本願の一実施形態は、太陽電池１を提供し、当該太陽電池１は、基板層１０、トンネリング酸化物層２０、第１のドープポリシリコン層３０、第１のパッシベーション層４０及び第１の微細ゲート５０層を含み、
ここで、基板層１０は、その厚さ方向に沿って対向して設けられた第１の表面及び第２の表面を含み、
トンネリング酸化物層２０、第１のドープポリシリコン層３０及び第１のパッシベーション層４０は、基板層１０から徐々に離れる方向に沿って基板層１０の第１の表面に順次設けられ、
第１の微細ゲート層は、第１の方向ｘに沿って間隔をあけて順次配列された複数の第１の微細ゲート５０を含み、
少なくとも１つの第１の微細ゲート５０は、第１の接続孔に設けられ、第１の接続孔の孔底は、第１のドープポリシリコン層３０に位置し（第１の微細ゲート及び第１の接続孔はダマシン構造を形成するため、図１～図３に第１の接続孔が示されていない）、各第１の微細ゲート５０は、それぞれの対応する第１の接続孔を貫通して第１のドープポリシリコン層３０に電気的に接続され、第１の方向ｘにおいて、各第１の接続孔の幅Ｗ１は、いずれも第１の接続孔に対応する第１の微細ゲート５０の幅Ｗ２よりも小さい。
ここで、基板層１０は、その厚さ方向に沿って対向して設けられた第１の表面及び第２の表面を含み、
トンネリング酸化物層２０、第１のドープポリシリコン層３０及び第１のパッシベーション層４０は、基板層１０から徐々に離れる方向に沿って基板層１０の第１の表面に順次設けられ、
第１の微細ゲート層は、第１の方向ｘに沿って間隔をあけて順次配列された複数の第１の微細ゲート５０を含み、
少なくとも１つの第１の微細ゲート５０は、第１の接続孔に設けられ、第１の接続孔の孔底は、第１のドープポリシリコン層３０に位置し（第１の微細ゲート及び第１の接続孔はダマシン構造を形成するため、図１～図３に第１の接続孔が示されていない）、各第１の微細ゲート５０は、それぞれの対応する第１の接続孔を貫通して第１のドープポリシリコン層３０に電気的に接続され、第１の方向ｘにおいて、各第１の接続孔の幅Ｗ１は、いずれも第１の接続孔に対応する第１の微細ゲート５０の幅Ｗ２よりも小さい。
【0042】
理解されるように、本願において、厚さ方向に沿って、第１の接続孔は全ての第１のパッシベーション層４０を貫通し、且つ一部の第１のドープポリシリコン層３０を貫通する。
【0043】
上述した太陽電池１において、第１の微細ゲート５０は、第１の接続孔を介して第１のドープポリシリコン層３０に電気的に接続され、且つ第１の接続孔の寸法は、いずれも第１の微細ゲート５０よりも小さく、良好な電気的接続を保証したまま、太陽電池１のパッシベーション構造への損傷及び再結合が小さく、且つ第１の微細ゲート５０が第１のドープポリシリコン層３０を貫通してトンネリング酸化物層２０に接続されることがなく、さらに第１の微細ゲート層による太陽電池１のパッシベーション構造への損傷を低減し、さらにパッシベーション構造の損傷及び再結合を回避し、従来の太陽電池１と比較して、本願の実施形態にて提供される太陽電池１は、高い光電変換効率を有する。
【0044】
そのうちのいくつかの実施例では、各第１の接続孔の基板層１０の第１の表面への投影面積は、それぞれ独立して平方ナノメートルスケールから平方マイクロメートルスケールである。さらに、各第１の接続孔の基板層１０の第１の表面への投影面積は、１０ｎｍ２～１０μｍ２である。第１の接続孔の基板層１０の第１の表面への投影面積を平方ナノメートルスケールから平方マイクロメートルスケールに制御することで、第１の接続孔の寸法が小さく、第１の微細ゲート５０と第１のドープポリシリコン層３０との良好なオーミックコンタクト／電気的接続を保証したまま、第１のパッシベーション層４０への損傷及び再結合をさらに低減することができ、従来の太陽電池と比較して、光電変換効率を向上させることができる。選択的に、各第１の接続孔の基板層１０の第１の表面への投影面積は、１０ｎｍ２、５０ｎｍ２、１００ｎｍ２、５００ｎｍ２、０．１μｍ２、１μｍ２、１０μｍ２又は以上の任意の数値からなる範囲内である。
【0045】
そのうちのいくつかの実施例では、基板層１０の第１の表面への投影面積で、１ｍｍ２当たりの第１の微細ゲート５０は１～１０万個の第１の接続孔を介して第１のドープポリシリコン層３０に電気的に接続されている。選択的に、基板層１０の第１の表面への投影面積で、１ｍｍ２当たりの第１の微細ゲート５０が第１のドープポリシリコン層３０に電気的に接続されている第１の接続孔の数は、１、１０、１００、２００、５００、１千、２千、３千、５千、８千、１万、２万、３万、５万、８万、１０万又は以上の任意の数値からなる範囲内である。
【0046】
そのうちのいくつかの実施例では、第１のパッシベーション層４０の厚さは、４０ｎｍ～１００ｎｍである。選択的に、第１のパッシベーション層４０の厚さは、４０ｎｍ、５０ｎｍ、６０ｎｍ、７０ｎｍ、８０ｎｍ、９０ｎｍ、１００ｎｍ又は以上の任意の数値からなる範囲内である。
【0047】
そのうちのいくつかの実施例では、第１のドープポリシリコン層３０の厚さは、１０ｎｍ～２００ｎｍである。選択的に、第１のドープポリシリコン層３０の厚さは、１０ｎｍ、２０ｎｍ、５０ｎｍ、１００ｎｍ、１５０ｎｍ、２００ｎｍ又は以上の任意の数値からなる範囲内である。
【0048】
【0049】
ボロンドープ層６０及び第２のパッシベーション層７０は、基板層１０から徐々に離れる方向に沿って基板層１０の第２の表面に順次設けられ、第２の微細ゲート層は、第２の方向ｙに沿って間隔をあけて順次配列された複数の第２の微細ゲート８０を含む。
【0050】
そのうちのいくつかの実施例では、第２のパッシベーション層７０の厚さは、２ｎｍ～２０ｎｍである。選択的に、第２のパッシベーション層７０の厚さは、２ｎｍ、５ｎｍ、１０ｎｍ、１５ｎｍ、２０ｎｍ又は以上の任意の数値からなる範囲内である。
【0051】
図４～図８を参照すると、そのうちのいくつかの実施例では、第１のパッシベーション層４０に少なくとも１つの第２の接続孔が設けられ（第１の微細ゲート５０及び第２の接続孔はダマシン構造を形成するため、図４～図８に第２の接続孔が示されていない）、各第１の微細ゲート５０は、それぞれの対応する第２の接続孔及び第１の接続孔を貫通して前記第１のドープポリシリコン層３０に電気的に接続され、第１の方向において、各第２の接続孔の幅Ｗ０２は、いずれも第２の接続孔に対応する第１の微細ゲート５０の幅Ｗ２以下であり、
各第１の接続孔の第１の表面への投影は、いずれも第２の接続孔の第１の表面への投影範囲内である。
各第１の接続孔の第１の表面への投影は、いずれも第２の接続孔の第１の表面への投影範囲内である。
【0052】
理解されるように、厚さ方向に沿って、第２の接続孔は、一部又は全ての第１のパッシベーション層４０を貫通するが、第１のドープポリシリコン層３０まで貫通しておらず、即ち、第１の微細ゲートを除去すれば、第１の方向から第２の方向を見た場合、第２の接続孔は、少なくとも１つの第１の接続孔を含み、好ましくは、第２の接続孔は、複数の第１の接続孔を含む。
【0053】
第２の接続孔を設けることにより、第１の微細ゲート５０は、第１のドープポリシリコン層３０に電気的に接続されている部分を除いて、第１の微細ゲート５０は、単に部分的に第１のパッシベーション層４０に埋め込まれるか又は第１のパッシベーション層４０の表面を覆うので、第１の微細ゲート５０による第１のパッシベーション層４０への損傷が小さい。
【0054】
そのうちのいくつかの実施形態において、第２の接続孔の個数は、前記第１の接続孔の個数よりも小さい。
【0055】
そのうちのいくつかの実施形態において、各第２の接続孔の前記基板層１０の第１の表面への投影面積は、それぞれ独立して平方ナノメートルスケールから平方マイクロメートルスケールである。さらに、各第２の接続孔の基板層１０の第１の表面への投影面積は、１０ｎｍ２～１０μｍ２である。第２の接続孔の基板層１０の第１の表面への投影面積を平方ナノメートルスケールから平方マイクロメートルスケールに制御することで、第２の接続孔の寸法が小さく（第１の接続孔よりも大きい）、第１の微細ゲート５０と第１のドープポリシリコン層３０との良好なオーミックコンタクト／電気的接続を保証したまま、第１のパッシベーション層４０への損傷及び再結合をさらに低減することができ、従来の太陽電池と比較して、光電変換効率を向上させることができる。選択的に、各第２の接続孔の基板層１０の第１の表面への投影面積は、１０ｎｍ２、２０ｎｍ２、５０ｎｍ２、１００ｎｍ２、５００ｎｍ２、０．１μｍ２、１μｍ２、２μｍ２、３μｍ２、１０μｍ２又は以上の任意の数値からなる範囲内である。
【0056】
そのうちのいくつかの実施例では、基板層１０の第１の表面への投影面積で、１ｍｍ２当たりの第１の微細ゲート５０は１～１０万個の第２の接続孔を介して第１のドープポリシリコン層３０に電気的に接続されている。選択的に、基板層１０の第１の表面への投影面積で、１ｍｍ２当たりの第１の微細ゲート５０が第１のドープポリシリコン層３０に電気的に接続されている第２の接続孔の数は、１、２、１０、１００、２００、５００、１千、２千、３千、５千、８千、１万、２万、３万、５万、８万、１０万又は以上の任意の数値からなる範囲内である。
【0057】
図１～図８を参照すると、そのうちのいくつかの実施例では、ボロンドープ層６０、第２のパッシベーション層７０及び第２の微細ゲート層を含む太陽電池１に対して、ボロンドープ層６０及び第２のパッシベーション層７０は、基板層１０から徐々に離れる方向に沿って基板層１０の第２の表面に順次設けられ、第２の微細ゲート層は、第２の方向ｙに沿って間隔をあけて順次配列された複数の第２の微細ゲート８０を含み、
少なくとも１つの第２の微細ゲート８０は、第３の接続孔に設けられ、第３の接続孔の孔底は、ボロンドープ層６０に位置し（第２の微細ゲート及び第３の接続孔はダマシン構造を形成するため、図１～図３に第３の接続孔が示されていない）、各第２の微細ゲート８０は、それぞれの対応する第３の接続孔を貫通してボロンドープ層６０に電気的に接続され、第２の方向ｙにおいて、各第３の接続孔の幅Ｗ３は、いずれも第３の接続孔に対応する第２の微細ゲート８０の幅Ｗ４よりも小さい。図１に示すいくつかの実施例では、第１の方向ｘ及び第２の方向ｙは同じである。理解されるように、そのうちのいくつかの他の実施例では、第１の方向ｘ及び第２の方向ｙは異なってもよい。一例として、第１の方向ｘは、第２の方向ｙと垂直であってもよい。
少なくとも１つの第２の微細ゲート８０は、第３の接続孔に設けられ、第３の接続孔の孔底は、ボロンドープ層６０に位置し（第２の微細ゲート及び第３の接続孔はダマシン構造を形成するため、図１～図３に第３の接続孔が示されていない）、各第２の微細ゲート８０は、それぞれの対応する第３の接続孔を貫通してボロンドープ層６０に電気的に接続され、第２の方向ｙにおいて、各第３の接続孔の幅Ｗ３は、いずれも第３の接続孔に対応する第２の微細ゲート８０の幅Ｗ４よりも小さい。図１に示すいくつかの実施例では、第１の方向ｘ及び第２の方向ｙは同じである。理解されるように、そのうちのいくつかの他の実施例では、第１の方向ｘ及び第２の方向ｙは異なってもよい。一例として、第１の方向ｘは、第２の方向ｙと垂直であってもよい。
【0058】
理解されるように、厚さ方向に沿って、第３の接続孔は、全ての第２のパッシベーション層７０を貫通し、一部のボロンドープ層６０を貫通する。
【0059】
そのうちのいくつかの実施例では、各第３の接続孔の基板層１０の第２の表面への投影面積は、それぞれ独立して平方ナノメートルスケールから平方マイクロメートルスケールである。さらに、各第３の接続孔の基板層１０の第２の表面への投影面積は、それぞれ独立して１０ｎｍ２～１０μｍ２である。第３の接続孔の基板層１０の第２の表面への投影面積を平方ナノメートルスケールから平方マイクロメートルスケールに制御することで、第３の接続孔の寸法が小さく、第２の微細ゲート８０とボロンドープ層６０との良好なオーミックコンタクト／電気的接続を保証したまま、第２のパッシベーション層７０への損傷及び再結合をさらに低減することができ、従来の太陽電池と比較して、光電変換効率を向上させることができる。選択的に、各第３の接続孔の基板層１０の第２の表面への投影面積は、１０ｎｍ２、５０ｎｍ２、１００ｎｍ２、５００ｎｍ２、０．１μｍ２、１μｍ２、１０μｍ２又は以上の任意の数値からなる範囲内である。
【0060】
そのうちのいくつかの実施例では、基板層１０の第２の表面への投影面積で、１ｍｍ２当たりの第２の微細ゲート８０は１～１０万個の第３の接続孔を介してボロンドープ層６０に電気的に接続されている。選択的に、基板層１０の第２の表面への投影面積で、１ｍｍ２当たりの第２の微細ゲート８０がボロンドープ層６０に電気的に接続されている第３の接続孔の数は、１、１０、１００、２００、５００、１千、２千、３千、５千、８千、１万、２万、３万、５万、８万、１０万又は以上の任意の数値からなる範囲内である。
【0061】
図４～図８を参照すると、そのうちのいくつかの実施例では、第２のパッシベーション層７０に少なくとも１つの第４の接続孔が設けられ（第２の微細ゲート及び第４の接続孔はダマシン構造を形成するため、図４～図８に第４の接続孔が示されていない）、各第２の微細ゲート８０は、それぞれの対応する第４の接続孔及び第３の接続孔を貫通してボロンドープ層６０に電気的に接続され、第２の方向ｙにおいて、各第４の接続孔の幅Ｗ０４は、いずれも第３の接続孔に対応する第２の微細ゲート８０の幅Ｗ４以下であり、
各第３の接続孔の基板層１０の第２の表面への投影は、いずれも第４の接続孔の基板層１０の第２の表面への投影範囲内である。
各第３の接続孔の基板層１０の第２の表面への投影は、いずれも第４の接続孔の基板層１０の第２の表面への投影範囲内である。
【0062】
理解されるように、厚さ方向に沿って、第４の接続孔は、一部又は全ての第２のパッシベーション層７０を貫通するが、ボロンドープ層６０まで貫通しておらず、即ち、第２の微細ゲートを除去すれば、第２の方向から第１の方向を見た場合、第４の接続孔は、少なくとも１つの第３の接続孔を含み、好ましくは、第４の接続孔は、複数の第３の接続孔を含む。
【0063】
第４の接続孔を設けることにより、第２の微細ゲート８０は、ボロンドープ層６０に電気的に接続されている部分を除いて、第２の微細ゲート８０は、単に部分的に第２のパッシベーション層７０に埋め込まれるか又は第２のパッシベーション層７０の基板層１０から離れる表面側に位置するので、第２の微細ゲート８０による第２のパッシベーション層７０への損傷が小さい。
【0064】
そのうちのいくつかの実施例では、各第４の接続孔の基板層１０の第２の表面への投影面積は、それぞれ独立して平方ナノメートルスケールから平方マイクロメートルスケールである。さらに、各第４の接続孔の基板層１０の第２の表面への投影面積は、それぞれ独立して１０ｎｍ２～１０μｍ２である。第４の接続孔の基板層１０の第２の表面への投影面積を平方ナノメートルスケールから平方マイクロメートルスケールに制御することで、第４の接続孔の寸法が小さく（第３の接続孔よりも大きく）、第２の微細ゲート８０とボロンドープ層６０との良好なオーミックコンタクト／電気的接続を保証したまま、第２のパッシベーション層７０への損傷及び再結合をさらに低減することができ、従来の太陽電池と比較して、光電変換効率を向上させることができる。選択的に、各第４の接続孔の基板層１０の第２の表面への投影面積は、１０ｎｍ２、２０ｎｍ２、５０ｎｍ２、１００ｎｍ２、５００ｎｍ２、０．１μｍ２、１μｍ２、２μｍ２、３μｍ２、１０μｍ２又は以上の任意の数値からなる範囲内である。
【0065】
そのうちのいくつかの実施例では、基板層１０の第２の表面への投影面積で、１ｍｍ２当たりの第２の微細ゲート８０は１～１０万個の第４の接続孔を介してボロンドープ層６０に電気的に接続されている。選択的に、基板層１０の第２の表面への投影面積で、１ｍｍ２当たりの第２の微細ゲート８０がボロンドープ層６０に電気的に接続されている第３の接続孔の数は、１、１０、１００、２００、５００、１千、２千、３千、５千、８千、１万、２万、３万、５万、８万、１０万又は以上の任意の数値からなる範囲内である。
【0066】
そのうちのいくつかの実施例では、第２のパッシベーション層７０の厚さは、２ｎｍ～２０ｎｍである。選択的に、第２のパッシベーション層７０の厚さは、２ｎｍ、５ｎｍ、１０ｎｍ、１５ｎｍ、２０ｎｍ又は以上の任意の数値からなる範囲内である。
【0067】
【0068】
そのうちのいくつかの実施例では、反射防止層９０の厚さは、４０ｎｍ～１００ｎｍである。選択的に、反射防止層９０の厚さは、４０ｎｍ、５０ｎｍ、６０ｎｍ、７０ｎｍ、８０ｎｍ、９０ｎｍ、１００ｎｍ又は以上の任意の数値からなる範囲内である。
【0069】
理解されるように、反射防止層９０を含む太陽電池に対して、接続孔を設けてもよいし、接続孔を設けなくてもよく、接続孔を含む態様では、その接続孔の設置思想は、第２のパッシベーション層７０における第４の接続孔とは同様であるので、第４の接続孔とも呼ばれ、厚さ方向に沿って、反射防止層９０における第４の接続孔は、一部又は全ての反射防止層９０を貫通する。
【0070】
上述した第２のパッシベーション層における第４の接続孔に関する説明を参照し、且つ反射防止層９０に少なくとも１つの第４の接続孔が設けられ（第２の微細ゲート及び第４の接続孔はダマシン構造を形成するため、図４～図８に第４の接続孔が示されておらず）、各第２の微細ゲート８０は、それぞれの対応する第４の接続孔及び第３の接続孔を貫通してボロンドープ層６０に電気的に接続され、第２の方向ｙにおいて、各反射防止層９０における第４の接続孔の幅Ｗ０４は、いずれも第３の接続孔に対応する第２の微細ゲート８０の幅Ｗ４以下である。このようにすると、第２の微細ゲート８０による反射防止層９０への損傷が小さく、太陽電池１のパッシベーション構造への損傷及び再結合をさらに低減することができる。
【0071】
【0072】
図４～図８を参照すると、そのうちのいくつかの実施例では、第１のパッシベーション層４０に少なくとも１つの第５の孔が設けられ、前記第５の孔の孔底は、第１のパッシベーション層４０に位置し、各第５の孔の幅Ｗ０５は、いずれも第１の接続孔に対応する第１の微細ゲート５０の幅Ｗ２よりも小さい。
【0073】
図４を参照すると、そのうちのいくつかの実施例では、第２のパッシベーション層７０に少なくとも１つの第６の孔が設けられ、前記第６の孔の孔底は、第２のパッシベーション層７０に位置し、各第６の孔の幅Ｗ０６は、いずれも第３の接続孔に対応する第２の微細ゲート８０の幅Ｗ４よりも小さい。
【0074】
図６を参照すると、そのうちのいくつかの実施例では、反射防止層９０に少なくとも１つの第６の孔が設けられ、前記第６の孔の孔底は、反射防止層９０に位置し、各第６の孔の幅Ｗ０６は、いずれも第３の接続孔に対応する第２の微細ゲート８０の幅Ｗ４よりも小さい。
【0075】
図８を参照すると、そのうちのいくつかの実施例では、第２のパッシベーション層７０及び反射防止層９０に少なくとも１つの第６の孔が設けられ、前記第６の孔の孔底は、第２のパッシベーション層７０に位置し、各第６の孔の幅Ｗ０６は、いずれも第３の接続孔に対応する第２の微細ゲート８０の幅Ｗ４よりも小さい。
【0076】
そのうちのいくつかの実施例では、太陽電池１は、少なくとも１つの第１のメインゲート（図示せず）をさらに含む。第１のメインゲートは、第１の微細ゲート層における各第１の微細ゲート５０に接続されている。
【0077】
そのうちのいくつかの実施例では、太陽電池１は、少なくとも１つの第２のメインゲート（図示せず）をさらに含む。第２のメインゲートは、第２の微細ゲート層における各第２の微細ゲート８０に接続されている。
【0078】
そのうちのいくつかの実施例では、上記太陽電池１は、ＴＯＰＣｏｎ電池である。
【0079】
そのうちのいくつかの実施例では、基板層１０は、Ｎ型単結晶シリコンウェーハである。
【0080】
そのうちのいくつかの実施例では、基板層１０の第２の表面はテクスチャード構造を有する。テクスチャード構造の第２の表面は、太陽電池１の光の利用率を向上させ、光電変換効率を向上させることができる。
【0081】
そのうちのいくつかの実施例では、トンネリング酸化物層２０は、極薄のシリコン酸化物薄膜である。
【0082】
そのうちのいくつかの実施例では、第１のパッシベーション層４０の材料は、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素及び酸化ケイ素のうちの少なくとも１つを含む。いくつかの実施例では、第１のパッシベーション層４０の材料は、窒化ケイ素である。
【0083】
そのうちのいくつかの実施例では、第１のドープポリシリコン層３０の材料は、リンドープポリシリコンである。
【0084】
そのうちのいくつかの実施例では、第２のパッシベーション層７０は、アルミナパッシベーション膜である。
【0085】
そのうちのいくつかの実施例では、反射防止層９０の材料は、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素及び酸化ケイ素のうちの少なくとも１つを含む。いくつかの実施例では、反射防止層９０の材料は、窒化ケイ素である。
【0086】
そのうちのいくつかの実施例では、第１の微細ゲート５０は、金属単体及び金属合金のうちの少なくとも１つを含む。選択的に、第１の微細ゲート５０は、銀単体、アルミニウム単体及び銀アルミニウム合金のいずれかを含む。さらに、第１のメインゲートは、銀単体を含む。
【0087】
そのうちのいくつかの実施例では、第２の微細ゲート８０は、金属単体及び金属合金のうちの少なくとも１つを含む。選択的に、第２の微細ゲート８０は、銀単体、アルミニウム単体及び銀アルミニウム合金のいずれかを含む。さらに、第２の微細ゲート８０は、銀アルミニウム合金を含む。
【0088】
第２の態様によれば、本願は、太陽電池１の製造方法をさらに提供し、以下のステップＳ１１０～Ｓ１４０を含む。
【0089】
Ｓ１１０：基板層１０の第１の表面にトンネリング酸化物層２０、第１のドープポリシリコン層３０及び第１のパッシベーション層４０を順次形成する。
【0090】
Ｓ１２０：第１のパッシベーション層４０の基板層１０から離れる表面に第１のパターンを印刷し、第１のパターンの材料は、第１の金属ペーストを含み、第１のパターンは、第１の方向に沿って間隔をあけて順次配列された複数の第１のゲートストライプを含む。
【0091】
Ｓ１３０：第１のパターンを乾燥処理する。
【0092】
Ｓ１４０：乾燥処理後の第１のパターンを焼結処理し、第１の微細ゲート層を製造し、第１の微細ゲート層５０は、第１の方向に沿って間隔をあけて順次配列された複数の第１の微細ゲート５０を含み、各第１の微細ゲート５０は、１つの第１のゲートストライプに対応する。
【0093】
ここで、焼結処理において、第１のパターンの材料は、第１のパッシベーション層４０及び第１のドープポリシリコン層３０を腐食し、第１のパッシベーション層４０及び第１のドープポリシリコン層３０において少なくとも１つの第１のゲートストライプに対応する位置に少なくとも１つの第１の接続孔をエッチングし、前記第１の接続孔の孔底は、前記第１のドープポリシリコン層３０に位置し、製造した第１の微細ゲート５０のうち各第１の微細ゲート５０は、それぞれの対応する第１の接続孔を貫通して第１のドープポリシリコン層３０に接触する。
【0094】
上記太陽電池１の製造方法は、焼結処理において微細ゲートの製造原料を第１のパッシベーション層４０に腐食させて第１の接続孔を形成することにより、第１の微細ゲート５０は、第１の接続孔を貫通して第１のドープポリシリコン層３０に接触し、製造過程においてエッチング又はレーザーアブレーション処理によって第１のパッシベーション層４０を除去する必要がなく、焼結によって第１の微細ゲート５０と第１のドープポリシリコン層３０とのオーミックコンタクトを実現することができ、製造時における第１のパッシベーション層４０への損傷及び再結合が小さく、製造した太陽電池１が高い光電変換効率を有する。
【0095】
そのうちのいくつかの実施例では、焼結処理のピーク温度は、７００℃～９００℃である。選択的に、焼結処理のピーク温度は、７００℃、７５０℃、８００℃、８５０℃、９００℃又は以上の任意の数値からなる範囲内である。
【0096】
そのうちのいくつかの実施例では、ステップＳ１２０の前に、さらに、
第１のパッシベーション層４０の基板層１０から離れる表面に第１のメインゲートパターンを印刷するステップＳ１１４と、
第１のメインゲートパターンを乾燥処理するステップＳ１１６と、を含む。
第１のパッシベーション層４０の基板層１０から離れる表面に第１のメインゲートパターンを印刷するステップＳ１１４と、
第１のメインゲートパターンを乾燥処理するステップＳ１１６と、を含む。
【0097】
そのうちのいくつかの実施例では、ステップＳ１２０の前に、さらに、
基板層１０の第２の表面にボロンドープ層６０及び第２のパッシベーション層７０を順次形成するステップＳ２１０を含む。
基板層１０の第２の表面にボロンドープ層６０及び第２のパッシベーション層７０を順次形成するステップＳ２１０を含む。
【0098】
そのうちのいくつかの実施例では、ステップＳ１１２において、第２のパッシベーション層７０の表面に反射防止層９０を形成することをさらに含む。
【0099】
そのうちのいくつかの実施例では、ステップＳ１４０の前に、さらに、
第２のパッシベーション層７０又は反射防止層９０の基板層１０から離れる表面に第２のパターンを印刷するステップＳ２２０であって、第２のパターンの材料は、第２の金属ペーストを含み、第２のパターンは、第２の方向に沿って間隔をあけて順次配列された複数の第２のゲートストライプを含むステップＳ２２０と、
第２のパターンを乾燥処理するステップＳ２３０と、を含む。
第２のパッシベーション層７０又は反射防止層９０の基板層１０から離れる表面に第２のパターンを印刷するステップＳ２２０であって、第２のパターンの材料は、第２の金属ペーストを含み、第２のパターンは、第２の方向に沿って間隔をあけて順次配列された複数の第２のゲートストライプを含むステップＳ２２０と、
第２のパターンを乾燥処理するステップＳ２３０と、を含む。
【0100】
そのうちのいくつかの実施例では、ステップＳ２２０の前に、さらに、
第２のパッシベーション層７０又は反射防止層９０の基板層１０から離れる表面に第２のメインゲートパターンを印刷するステップＳ２１２と、
第２のメインゲートパターンを乾燥処理するステップＳ２１４と、を含む。
第２のパッシベーション層７０又は反射防止層９０の基板層１０から離れる表面に第２のメインゲートパターンを印刷するステップＳ２１２と、
第２のメインゲートパターンを乾燥処理するステップＳ２１４と、を含む。
【0101】
そのうちのいくつかの実施例では、ステップＳ１４０において、乾燥処理後の第１のパターンを焼結処理すると同時に、乾燥処理後の第２のパターンを焼結処理し、第２の微細ゲート層を製造する。
【0102】
例として、本願は、ＴＯＰＣｏｎ電池の製造方法を提供し、
Ｎ型単結晶シリコンウェーハを洗浄してテクスチャリングするステップ（１）と、
Ｎ型単結晶シリコンウェーハの正面をホウ素拡散プロセスで処理するステップ（２）と、
裏面洗浄し、ホウ珪酸ガラス層（ＢＳＧ）を除去するステップ（３）と、
裏面酸化により極薄の酸化ケイ素層を製造し、リンドープポリシリコンを堆積し、ｎ＋ポリシリコン層を形成するステップ（４）と、
正面にパッシベーション層及び反射防止層を順次堆積するステップ（５）と、
裏面にパッシベーション層を堆積するステップ（６）と、
裏面メインゲート電極をスクリーン印刷し、乾燥し、その後、裏面微細ゲート電極を印刷し、乾燥するステップ（７）と、
正面メインゲート電極をスクリーン印刷し、乾燥し、その後、正面微細ゲート電極を印刷し、乾燥するステップ（８）と、
メインゲート、微細ゲート電極が印刷されたシリコンウェーハを焼結処理し、焼結処理のピーク温度を７００℃～９００℃に制御し、太陽電池を製造するステップ（９）と、
ステップ（９）で製造した太陽電池をテスト選別する（１０）と、を含む。
Ｎ型単結晶シリコンウェーハを洗浄してテクスチャリングするステップ（１）と、
Ｎ型単結晶シリコンウェーハの正面をホウ素拡散プロセスで処理するステップ（２）と、
裏面洗浄し、ホウ珪酸ガラス層（ＢＳＧ）を除去するステップ（３）と、
裏面酸化により極薄の酸化ケイ素層を製造し、リンドープポリシリコンを堆積し、ｎ＋ポリシリコン層を形成するステップ（４）と、
正面にパッシベーション層及び反射防止層を順次堆積するステップ（５）と、
裏面にパッシベーション層を堆積するステップ（６）と、
裏面メインゲート電極をスクリーン印刷し、乾燥し、その後、裏面微細ゲート電極を印刷し、乾燥するステップ（７）と、
正面メインゲート電極をスクリーン印刷し、乾燥し、その後、正面微細ゲート電極を印刷し、乾燥するステップ（８）と、
メインゲート、微細ゲート電極が印刷されたシリコンウェーハを焼結処理し、焼結処理のピーク温度を７００℃～９００℃に制御し、太陽電池を製造するステップ（９）と、
ステップ（９）で製造した太陽電池をテスト選別する（１０）と、を含む。
【0103】
第３の態様によれば、本願は、上述した太陽電池１又は上述した太陽電池１の製造方法により製造した太陽電池１を含む、光起電力システムをさらに提供する。
【0104】
光起電力システムは、地上発電所、屋根発電所、水面発電所などの光起電力所に適用することができ、また、需要者太陽光電源、太陽光街灯、太陽光自動車、太陽光建物などの太陽光エネルギーを利用して発電する設備又は装置に適用することができる。もちろん、理解されるように、光起電力システムの適用場面はこれに限定されず、つまり、光起電力システムは、光起電力を必要とするあらゆる分野に適用可能である。光起電力システム網を例にとると、光起電力システムは、光起電力アレイ、コンバージェンスボックス及びインバータを含むことができ、光起電力アレイは、複数の太陽電池１のアレイの組合せであってもよく、例えば、複数の太陽電池１は、複数の光起電力アレイを構成することができ、光起電力アレイは、コンバージェンスボックスに接続され、コンバージェンスボックスは、光起電力アレイが発生する電流を合流することができ、合流された電流は、インバータを介して商用電力網に要求される交流電流に変換された後、商用電力網に接続されて太陽光エネルギーの供給を実現する。
【0105】
以下は、具体的な実施例である。
【0106】
実施例１
本実施例は、太陽電池１を提供し、その構造は、図１～図３を参照する。太陽電池１は、基板層１０（Ｎ型単結晶シリコンウェーハ）、トンネリング酸化物層２０、ｎ＋ポリシリコン層、第１のパッシベーション層４０（窒化ケイ素）、ボロンドープ層６０（ｐ型エミッタ）、第２のパッシベーション層７０（酸化アルミニウム）及び反射防止層９０（窒化ケイ素）を含む。
本実施例は、太陽電池１を提供し、その構造は、図１～図３を参照する。太陽電池１は、基板層１０（Ｎ型単結晶シリコンウェーハ）、トンネリング酸化物層２０、ｎ＋ポリシリコン層、第１のパッシベーション層４０（窒化ケイ素）、ボロンドープ層６０（ｐ型エミッタ）、第２のパッシベーション層７０（酸化アルミニウム）及び反射防止層９０（窒化ケイ素）を含む。
【0107】
トンネリング酸化物層２０、ｎ＋ポリシリコン層及び第１のパッシベーション層４０（窒化ケイ素）は、基板層１０から徐々に離れる方向に沿って基板層１０の第１の表面に順次設けられている。
【0108】
ボロンドープ層６０（ｐ型エミッタ）、第２のパッシベーション層７０（酸化アルミニウム）及び反射防止層９０（窒化ケイ素）は、基板層１０から徐々に離れる方向に沿って基板層１０の第２の表面に順次設けられている。
【0109】
上記構造を有するチップは、基板層１０に対して順次洗浄・テクスチャリング、正面ホウ素拡散、裏面洗浄、シリカ、ポリシリコンの裏面堆積、裏面リン拡散、洗浄、正面めっき、裏面メッキなどのプロセスにより製造される。
【0110】
本実施例の太陽電池１は、正面メインゲート、正面微細ゲート、裏面メインゲート及び裏面微細ゲートをさらに含む。第１の方向ｘにおいて、第１のパッシベーション層４０の表面に第１の方向ｘに沿って間隔をあけて順次配列された複数の裏面微細ゲートが設けられている。第２の方向ｙにおいて、反射防止層９０の表面に第１の方向ｙに沿って間隔をあけて順次配列された複数の正面微細ゲートが設けられている。
【0111】
第１のパッシベーション層４０は、裏面微細ゲートに対応する位置にそれぞれ少なくとも１つの第１の接続孔が設けられ、裏面微細ゲートは、第１の接続孔を介して第１のドープポリシリコン層３０に電気的に接続され、且つ第１の方向ｘにおいて、接続孔の幅Ｗ１は、裏面微細ゲートの幅Ｗ２よりも小さい。裏面メインゲートは、裏面微細ゲートに接続されている。第１の接続孔の基板層１０の第１の表面への投影面積は、１０ｎｍ２～１０μｍ２である。
【0112】
反射防止層９０及び第２のパッシベーション層７０は、正面微細ゲートに対応する位置にそれぞれ少なくとも１つの第３の接続孔が設けられ、正面微細ゲートは、第３の接続孔を介してボロンドープ層６０に電気的に接続され、且つ第２の方向ｙにおいて、第３の接続孔の幅Ｗ３は、正面微細ゲートの幅Ｗ４よりも小さい。正面メインゲートは、正面微細ゲートに接続されている。第３の接続孔の基板層１０の第２の表面への投影面積は、１０ｎｍ２～１０μｍ２である。
【0113】
具体的には、上記太陽電池における正面メインゲート、正面微細ゲート、裏面メインゲート及び裏面微細ゲートの製造プロセスは、以下を含み、
（１）シリコンウェーハの裏面にメインゲート銀ペーストをスクリーン印刷し、裏面メインゲート電極を製造し、乾燥する。その後、裏面に微細ゲート銀ペーストを印刷し、裏面微細ゲート電極を製造し、乾燥する。
（２）シリコンウェーハの正面にメインゲートペーストをスクリーン印刷し、正面メインゲート電極を製造し、乾燥する。その後、正面に微細ゲートペーストを印刷し、正面微細ゲート電極を製造し、乾燥する。
（３）両面に電極が印刷された電池を焼結処理し、５０℃／ｍｉｎを超えて７００℃以上まで昇温し、その後、５０℃／ｍｉｎを超えて室温まで降温し、本実施例の太陽電池を得る。
（１）シリコンウェーハの裏面にメインゲート銀ペーストをスクリーン印刷し、裏面メインゲート電極を製造し、乾燥する。その後、裏面に微細ゲート銀ペーストを印刷し、裏面微細ゲート電極を製造し、乾燥する。
（２）シリコンウェーハの正面にメインゲートペーストをスクリーン印刷し、正面メインゲート電極を製造し、乾燥する。その後、正面に微細ゲートペーストを印刷し、正面微細ゲート電極を製造し、乾燥する。
（３）両面に電極が印刷された電池を焼結処理し、５０℃／ｍｉｎを超えて７００℃以上まで昇温し、その後、５０℃／ｍｉｎを超えて室温まで降温し、本実施例の太陽電池を得る。
【0114】
比較例１
本比較例にて提供される太陽電池は、チップの構造が実施例１と同じである。実施例１との違いは、正面微細ゲート及び裏面微細ゲートの構造が異なる点である。
本比較例にて提供される太陽電池は、チップの構造が実施例１と同じである。実施例１との違いは、正面微細ゲート及び裏面微細ゲートの構造が異なる点である。
【0115】
本比較例の太陽電池において、
第１のパッシベーション層は、裏面微細ゲートに対応する位置にそれぞれ接続溝が設けられ、裏面微細ゲートは、接続溝を介して第１のドープポリシリコン層と接続され、且つ接続溝の幅は、裏面微細ゲートの幅に等しく、即ち裏面微細ゲートに対応する領域において、第１のドープポリシリコン層の表面は、第１のパッシベーション層で覆われていない。裏面メインゲートは、裏面微細ゲートに接続されている。
第１のパッシベーション層は、裏面微細ゲートに対応する位置にそれぞれ接続溝が設けられ、裏面微細ゲートは、接続溝を介して第１のドープポリシリコン層と接続され、且つ接続溝の幅は、裏面微細ゲートの幅に等しく、即ち裏面微細ゲートに対応する領域において、第１のドープポリシリコン層の表面は、第１のパッシベーション層で覆われていない。裏面メインゲートは、裏面微細ゲートに接続されている。
【0116】
反射防止層及び第２のパッシベーション層は、正面微細ゲートに対応する位置にそれぞれ接続溝が設けられ、正面微細ゲートは、接続溝を介してボロンドープ層と接続され、且つ接続溝の幅は、正面微細ゲートの幅に等しく、即ち正面微細ゲートに対応する領域において、ボロンドープ層の表面は、第２のパッシベーション層及び反射防止層で覆われていない。正面メインゲートは、正面微細ゲートに接続されている。
【0117】
具体的には、上記太陽電池における正面メインゲート、正面微細ゲート、裏面メインゲート及び裏面微細ゲートの製造プロセスは、以下を含み、
（１）シリコンウェーハの裏面にスクリーン印刷し、裏面メインゲート電極を製造し、乾燥する。その後、裏面に印刷し、裏面微細ゲート電極を製造し、乾燥する。
（２）チップの正面にペーストをスクリーン印刷し、正面メインゲート電極を製造し、乾燥する。その後、正面にペーストを印刷し、正面微細ゲート電極を製造し、乾燥する。
（３）両面に電極が印刷されたチップを焼結処理し、１５００℃／ｍｉｎで８００℃まで昇温して１分間保温し、その後、２５００℃／ｍｉｎで２５℃まで降温し、本実施例の太陽電池を得る。
（１）シリコンウェーハの裏面にスクリーン印刷し、裏面メインゲート電極を製造し、乾燥する。その後、裏面に印刷し、裏面微細ゲート電極を製造し、乾燥する。
（２）チップの正面にペーストをスクリーン印刷し、正面メインゲート電極を製造し、乾燥する。その後、正面にペーストを印刷し、正面微細ゲート電極を製造し、乾燥する。
（３）両面に電極が印刷されたチップを焼結処理し、１５００℃／ｍｉｎで８００℃まで昇温して１分間保温し、その後、２５００℃／ｍｉｎで２５℃まで降温し、本実施例の太陽電池を得る。
【0118】
実施例１及び比較例１の太陽電池の電気的性能テストにより、実施例１の太陽電池の量産平均効率は２５．５％であり、実施例１の太陽電池は比較例１の太陽電池に対して、開放電圧が２ｍＶ向上し、曲線因子が０．１％向上し、電池光電変換効率が０．１％向上することが分かった。
【0119】
以上に述べた実施例の各技術的特徴は任意の組合せが可能であり、説明を簡潔にするために、上記実施例における各技術的特徴の可能な全ての組合せについて説明していないが、これらの技術的特徴の組合せに矛盾がない限り、全て本明細書に記載された範囲であると考えるべきである。
【0120】
以上に述べた実施例は、本願のいくつかの実施形態を表現しただけで、本願の技術案を具体的かつ詳細に理解するのに便利であるが、それによって発明特許の保護範囲を制限するものと理解することはできない。指摘すべきことは、当業者にとっては、本願の構想を逸脱しないことを前提に、いくつかの変形及び改良を加えることができ、これらは本願の保護範囲に属するということである。当業者が本願にて提供される技術案を基礎として、論理的な分析、推論又は限定的な試験によって得た技術案は、いずれも本願に記載された添付の特許請求の範囲の保護範囲内にあることを理解すべきである。したがって、本願専利の保護範囲は添付の特許請求の範囲の内容を基準とすべきであり、明細書及び添付図面は添付の特許請求の範囲の内容の解釈に用いることができる。
【符号の説明】
【0121】
１ 太陽電池、１０ 基板層、２０ トンネリング酸化物層、３０ 第１のドープポリシリコン層、４０ 第１のパッシベーション層、５０ 第１の微細ゲート、５０１ 第２の接続孔に対応する第１の微細ゲート、５０２ 第５の孔に対応する第１の微細ゲート、６０ ボロンドープ層、７０ 第２のパッシベーション層、８０ 第２の微細ゲート、８０１ 第４の接続孔に対応する第２の微細ゲート、８０２ 第６の孔に対応する第２の微細ゲート、９０ 反射防止層
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
