(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024133789
(43)【公開日】2024-10-03
(54)【発明の名称】インプリント方法およびインプリント用テンプレート
(51)【国際特許分類】
H01L 21/027 20060101AFI20240926BHJP
B29C 59/02 20060101ALI20240926BHJP
【ＦＩ】
H01L21/30 502D
B29C59/02 Z
【審査請求】未請求
【請求項の数】9
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023043754
(22)【出願日】2023-03-20
(71)【出願人】
【識別番号】318010018
【氏名又は名称】キオクシア株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110001634
【氏名又は名称】弁理士法人志賀国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】紙田 祐吉
(72)【発明者】
【氏名】小松 大佑
(72)【発明者】
【氏名】安藤 彰彦
【テーマコード（参考）】
4F209
5F146
【Ｆターム（参考）】
4F209AA44
4F209AF01
4F209AG05
4F209AH33
4F209AR07
4F209PA02
4F209PB01
4F209PN09
4F209PN13
5F146AA31
5F146AA32
(57)【要約】
【課題】レジスト層によるパターン埋まりなどの欠陥を低減するインプリント方法およびテンプレートを提供することである。
【解決手段】実施形態のインプリント方法は、基板上に設けた光硬化性のインプリント材の押印領域に対し、凹凸部を有するパターン面を備えたテンプレートを押し付けてパターンを形成する。光透過制限膜をパターン面に対し隣接して備えたテンプレートを用意する工程と、インプリント材を備えた基板を用意する工程と、パターン面をインプリント材に押圧し、インプリント材に光を照射する工程を有する。光を照射する工程において、押印領域のインプリント材と、押印領域に隣接してパターン面の隣接位置に盛り上がったインプリント材に露光し、押印領域のインプリント材を硬化させ、隣接位置に盛り上がったインプリント材の高さと形状を保持したままインプリント材を硬化させる。
【選択図】図１
【解決手段】実施形態のインプリント方法は、基板上に設けた光硬化性のインプリント材の押印領域に対し、凹凸部を有するパターン面を備えたテンプレートを押し付けてパターンを形成する。光透過制限膜をパターン面に対し隣接して備えたテンプレートを用意する工程と、インプリント材を備えた基板を用意する工程と、パターン面をインプリント材に押圧し、インプリント材に光を照射する工程を有する。光を照射する工程において、押印領域のインプリント材と、押印領域に隣接してパターン面の隣接位置に盛り上がったインプリント材に露光し、押印領域のインプリント材を硬化させ、隣接位置に盛り上がったインプリント材の高さと形状を保持したままインプリント材を硬化させる。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板上に設けた光硬化性のインプリント材の押印領域に対し、凹凸部を有するパターン面を備えた光透過性のテンプレートを押し付けてパターンを形成するインプリント方法であって、
光透過制限膜を前記パターン面に対し隣接して備えたテンプレートを用意し、
前記インプリント材を備えた前記基板を用意し、
前記パターン面を前記インプリント材に押圧した状態で、前記インプリント材に光を照射してインプリントを行う方法であって、
前記インプリント材に光を照射する際、
前記押印領域のインプリント材と、前記押印領域に隣接して前記パターン面の端縁に盛り上がったインプリント材に露光し、前記押印領域のインプリント材を硬化させるとともに、前記端縁に盛り上がったインプリント材の盛上部をその高さと形状を保持したまま硬化させる、
インプリント方法。
光透過制限膜を前記パターン面に対し隣接して備えたテンプレートを用意し、
前記インプリント材を備えた前記基板を用意し、
前記パターン面を前記インプリント材に押圧した状態で、前記インプリント材に光を照射してインプリントを行う方法であって、
前記インプリント材に光を照射する際、
前記押印領域のインプリント材と、前記押印領域に隣接して前記パターン面の端縁に盛り上がったインプリント材に露光し、前記押印領域のインプリント材を硬化させるとともに、前記端縁に盛り上がったインプリント材の盛上部をその高さと形状を保持したまま硬化させる、
インプリント方法。
【請求項2】
前記パターン面に隣接する位置に、前記パターン面の端縁と離間させた光透過制限膜を有し、前記パターン面の端縁と前記光透過制限膜との間に、前記パターン面の前記端縁に対し前記凹凸部の高低差より大きな高低差を介して設けられる中位面を備えたテンプレートを用いる、
請求項１に記載のインプリント方法。
請求項１に記載のインプリント方法。
【請求項3】
前記パターン面に隣接する位置に、前記パターン面の端縁と離間させて光透過制限膜を有し、前記パターン面の端縁と前記光透過制限膜との間に、前記パターン面の前記端縁に対し前記凹凸部の高低差より大きな高低差を生成する斜面を介して設けられる中位面を備えたテンプレートを用いる、
請求項１に記載のインプリント方法。
請求項１に記載のインプリント方法。
【請求項4】
前記斜面が、凸曲面あるいは凹曲面もしくは凸曲面と凹曲面を組み合わせた曲面を有する、
請求項３に記載のインプリント方法。
請求項３に記載のインプリント方法。
【請求項5】
前記テンプレートの前記パターン面を前記インプリント材に押印した状態で、前記インプリント材に光を照射する際、
前記テンプレートの側方から、前記盛上部のインプリント材に光を照射する、
請求項１に記載のインプリント方法。
前記テンプレートの側方から、前記盛上部のインプリント材に光を照射する、
請求項１に記載のインプリント方法。
【請求項6】
インプリント材にパターンを転写するインプリントリソグラフィに用いる光透過性のテンプレートであって、
基材部と、
前記基材部の一の面に対し突出して設けられ、第１中位面を有する第１メサ部と、
前記第１メサ部の前記第１中位面に対し突出して設けられ、第２中位面を有する第２メサ部と、
前記第２メサ部の前記第２中位面に対し突出して設けられ、凹凸部を備えたパターン面を有する第３メサ部を備え、
前記第１中位面に、前記第２メサ部に隣接する光透過制限膜を有し、
前記第２メサ部の前記第２中位面と前記パターン面との段差が前記凹凸部の高低差より大きい、
テンプレート。
基材部と、
前記基材部の一の面に対し突出して設けられ、第１中位面を有する第１メサ部と、
前記第１メサ部の前記第１中位面に対し突出して設けられ、第２中位面を有する第２メサ部と、
前記第２メサ部の前記第２中位面に対し突出して設けられ、凹凸部を備えたパターン面を有する第３メサ部を備え、
前記第１中位面に、前記第２メサ部に隣接する光透過制限膜を有し、
前記第２メサ部の前記第２中位面と前記パターン面との段差が前記凹凸部の高低差より大きい、
テンプレート。
【請求項7】
前記第２中位面が、前記パターン面の前記インプリント材への押圧時に、前記第３メサ部の端縁に沿って盛り上がる前記インプリント材の盛上部に接して前記盛上部の高さを規制する面である、
請求項６に記載のテンプレート。
請求項６に記載のテンプレート。
【請求項8】
前記第２メサ部が平面視前記第３メサ部の周囲を囲む位置に形成された、
請求項６に記載のテンプレート。
請求項６に記載のテンプレート。
【請求項9】
前記第１メサ部が平面視前記第２メサ部の周囲を囲む位置に形成された、
請求項６に記載のテンプレート。
請求項６に記載のテンプレート。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明の実施形態は、インプリント方法およびインプリント用テンプレートに関する。
【背景技術】
【0002】
レジスト層にテンプレートを押し当てることにより、エッチングマスクを形成するインプリントリソグラフィが知られている。インプリントリソグラフィでは、エッチング対象膜上の全面にスピンコート法によりレジスト層が形成される場合がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０２１－０４４２９９号公報
【特許文献2】特開２０２０－１８１８７８号公報
【特許文献3】特開２０２１－０９００２０号公報
【特許文献4】特許第６９６５５５７号公報
【特許文献5】特許第６４４１１８１号公報
【特許文献6】特許第６４０３０１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本発明の一つの実施形態が解決しようとする課題は、レジスト層によるパターン埋まりなどの欠陥を低減するインプリント方法およびインプリント用テンプレートを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0005】
実施形態のインプリント方法は、基板上に設けた光硬化性のインプリント材の押印領域に対し、凹凸部を有するパターン面を備えた光透過性のテンプレートを押し付けてパターンを形成するインプリント方法である。光透過制限膜を前記パターン面に対し隣接して備えたテンプレートを用意し、前記インプリント材を備えた前記基板を用意する。前記パターン面を前記インプリント材に押圧した状態で、前記インプリント材に光を照射してインプリントを行う方法である。前記インプリント材に光を照射する際、前記押印領域のインプリント材と、前記押印領域に隣接して前記パターン面の端縁に盛り上がったインプリント材に露光し、前記押印領域のインプリント材を硬化させる。また、前記端縁に盛り上がったインプリント材の盛上部をその高さと形状を保持したまま硬化させる。
【図面の簡単な説明】
【0006】
【図1】第１実施形態に係るテンプレートを用いてレジスト層に押印する状態を模式的に示す図。
【図2】同テンプレートの部分断面を模式的に示す図。
【図3】同テンプレートによりレジスト層に押印する領域の例を示す平面図。
【図4】第１実施形態に係るテンプレートを用いてレジスト層に押印する状態を段階的に示す模式図。
【図5】比較例のテンプレートによりレジスト層に押印する状態を段階的に示す模式図。
【図6】比較例のテンプレートによるインプリント後のレジスト層の状態を段階的に示す模式図。
【図7】第１実施例に係るテンプレートの製造方法について段階的に示す模式図。
【図8】インプリント法に用いる第１変形例のテンプレートと押印状態を示す模式図。
【図9】第１変形例のテンプレートを用いてインプリント法を実施する状態について段階的に示す模式図。
【図10】インプリント法に用いる第２変形例のテンプレートと押印状態を示す模式図。
【図11】インプリント法に用いる第３変形例のテンプレートと押印状態を示す模式図。
【図12】インプリント法に用いる第４変形例のテンプレートと押印状態を段階的に示す模式図。
【図13】インプリント法に用いる第５変形例のテンプレートと押印状態を示す模式図。
【図14】同テンプレートによりレジスト層に押印する領域の例を示す平面図。
【図15】インプリント法に用いる第６変形例のテンプレートと押印状態を示す模式図。
【図16】インプリント法に用いる第７～第９変形例のテンプレートと押印状態を示す模式図。
【発明を実施するための形態】
【0007】
以下、添付の図面を参照しながら、限定的でない例示の実施形態について説明する。
添付の全図面中、同一または対応する部材または部品については、同一または対応する参照符号を付し、重複する説明を省略する。また、図面は、部材もしくは部品間、または、種々の層の厚さの相対比を示すことを目的としない。したがって、具体的な厚さや寸法は、以下の限定的でない実施形態に照らし、当業者により決定されて良い。
添付の全図面中、同一または対応する部材または部品については、同一または対応する参照符号を付し、重複する説明を省略する。また、図面は、部材もしくは部品間、または、種々の層の厚さの相対比を示すことを目的としない。したがって、具体的な厚さや寸法は、以下の限定的でない実施形態に照らし、当業者により決定されて良い。
【0008】
（第１実施形態）
図１は、第１実施形態に係るテンプレート１０と、テンプレート１０により押印される対象のレジスト層１と、レジスト層１を備えた対象膜２および対象膜２を備えた基板（ウエハ）３を模式的に示す断面図である。図２はテンプレート１０の部分断面を模式的に示す図、図３（Ａ）はテンプレート１０の下面を模式的に示す図である。基板は、例えば、シリコンウエハ等の半導体基板を含む。
本実施形態の説明において、下面とは、レジスト層１にテンプレート１０を押し当てるときに、テンプレート１０においてレジスト層１と対向する側の面を言う。
なお、レジスト層１は対象膜２の上にスピンコート法などの塗布法により塗布された液体の層であり、レジスト層１はインプリント材に相当するレジストからなる層の一例に該当する。
図１は、第１実施形態に係るテンプレート１０と、テンプレート１０により押印される対象のレジスト層１と、レジスト層１を備えた対象膜２および対象膜２を備えた基板（ウエハ）３を模式的に示す断面図である。図２はテンプレート１０の部分断面を模式的に示す図、図３（Ａ）はテンプレート１０の下面を模式的に示す図である。基板は、例えば、シリコンウエハ等の半導体基板を含む。
本実施形態の説明において、下面とは、レジスト層１にテンプレート１０を押し当てるときに、テンプレート１０においてレジスト層１と対向する側の面を言う。
なお、レジスト層１は対象膜２の上にスピンコート法などの塗布法により塗布された液体の層であり、レジスト層１はインプリント材に相当するレジストからなる層の一例に該当する。
【0009】
テンプレート１０は、光（例えば、紫外線）を透過可能な材料、例えば石英ガラスや樹脂により形成され、図示のとおり、第１メサ部１０Ａ、第２メサ部１０Ｂ、第３メサ部１０Ｃ、および、基材部１０Ｄを有している。基材部１０Ｄは、ほぼ四角形の平面視形状を有している。基材部１０Ｄの上面には窪み部１０Ｅが形成されている。
【0010】
第１メサ部１０Ａは、本実施形態ではほぼ四角形の平面視形状を有しており、基材部１０Ｄの下面のほぼ中央から下方に突き出ている。第２メサ部１０Ｂは、本実施形態ではほぼ四角形の平面視形状を有しており、第１メサ部１０Ａの下面のほぼ中央から下方に突き出ている。
図２に例示するように基材部１０Ｄの下面１０ｒと第１メサ部１０Ａの下面１０ｓとの高低差（段差）ｔ１は、例えば数十μｍであって良い。第１メサ部１０Ａの下面１０ｓと第２メサ部１０Ｂの下面１０ｔとの高低差（段差）ｔ２は、例えば数十μｍであって良い。第１メサ部１０Ａと第２メサ部１０Ｂの平面視形状の一例を図３（Ａ）に示す。
図２に例示するように基材部１０Ｄの下面１０ｒと第１メサ部１０Ａの下面１０ｓとの高低差（段差）ｔ１は、例えば数十μｍであって良い。第１メサ部１０Ａの下面１０ｓと第２メサ部１０Ｂの下面１０ｔとの高低差（段差）ｔ２は、例えば数十μｍであって良い。第１メサ部１０Ａと第２メサ部１０Ｂの平面視形状の一例を図３（Ａ）に示す。
【0011】
第３メサ部１０Ｃは、本実施形態ではほぼ四角形の平面視形状を有しており、第２メサ部１０Ｂの下面１０ｔから下方に突き出ている。第３メサ部１０Ｃの下面１０ｕは、フォトレジストによって形成するべきパターンに対応する凹凸部１０ａを含んでいる。第３メサ部１０Ｃの下面１０ｕは、パターン面と称することができる。
第３メサ部１０Ｃの下面（パターン面）１０ｕと第２メサ部１０Ｂの下面１０ｔとの高低差（段差）ｔ３（図２参照）は、例えば２００ｎｍ～５００ｎｍ程度、あるいは、パターンの深さの２倍～５倍程度であって良い。この高低差は、凹凸部１０ａの高低差より大きい。また、第３メサ部１０Ｃの平面視における各辺は、例えば数ｍｍ～数ｃｍまでの範囲の長さを有することができる。
なお、本明細書において数値範囲に関し、「～」を用いて上限と下限による範囲を規定する場合、特に説明しない限り、下限値以上かつ上限値以下の範囲を意味する。よって、例えば２００ｎｍ～５００ｎｍは、２００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の範囲を意味する。
第３メサ部１０Ｃの下面（パターン面）１０ｕと第２メサ部１０Ｂの下面１０ｔとの高低差（段差）ｔ３（図２参照）は、例えば２００ｎｍ～５００ｎｍ程度、あるいは、パターンの深さの２倍～５倍程度であって良い。この高低差は、凹凸部１０ａの高低差より大きい。また、第３メサ部１０Ｃの平面視における各辺は、例えば数ｍｍ～数ｃｍまでの範囲の長さを有することができる。
なお、本明細書において数値範囲に関し、「～」を用いて上限と下限による範囲を規定する場合、特に説明しない限り、下限値以上かつ上限値以下の範囲を意味する。よって、例えば２００ｎｍ～５００ｎｍは、２００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の範囲を意味する。
【0012】
図１に示し、前述したように、本実施形態によるテンプレート１０では、第３メサ部１０Ｃの下面１０ｕは凹凸部１０ａを形成したパターン面とされている。
第３メサ部１０Ｃの下面全体（パターン面全体）が、レジスト層１における押印領域ｅ（ショット領域とも言う） に対応する。
第３メサ部１０Ｃの下面全体（パターン面全体）が、レジスト層１における押印領域ｅ（ショット領域とも言う） に対応する。
【0013】
本実施形態において、第３メサ部１０Ｃは、平面視で第２メサ部１０Ｂよりも小さく、図３（Ａ）に示すように第２メサ部１０Ｂと同心状に配置されている。すなわち、平面視で、第３メサ部１０Ｃの中心と第２メサ部１０Ｂの中心とが一致しても良く、第３メサ部１０Ｃの各辺が、第２メサ部１０Ｂの対応する辺と平行になっていても良い。第３メサ部１０Ｃの平面視周囲には、第２メサ部１０Ｂの下面１０ｔが第２中位面ＥＦとして存在し、この第２中位面ＥＦはその各辺で一定の幅を有していても良い。以下、この第２中位面ＥＦの幅ｔ４（図２参照）は、数μｍ、例えば１～２μｍであって良い。
【0014】
本実施形態において、第２メサ部１０Ｂは、平面視で第１メサ部１０Ａよりも小さく、図３（Ａ）に示すように第１メサ部１０Ａと同心状に配置されている。すなわち、平面視で、第２メサ部１０Ｂの中心と第１メサ部１０Ａの中心とが一致しても良く、第２メサ部１０Ｂの各辺が、第１メサ部１０Ａの対応する辺と平行になっていても良い。第２メサ部１０Ｂの周囲には、第１メサ部１０Ａの下面１０ｓが配置され、この下面１０ｓはその各辺で一定の幅を有していても良い。この一定幅の下面１０ｓの幅ＷＴ（図２参照）は、例えば数μｍであって良い。
【0015】
第１メサ部１０Ａの下面１０ｓには、第１メサ部１０Ａの４つの辺に沿って光透過制限膜として機能する遮光部Ｓが形成されている。遮光部Ｓは、例えば金属等でコートすることにより形成され得る。遮光部Ｓを構成する材料として、例えば、金属材料及びその酸化物、窒化物、酸窒化物等を１種以上含むものであってもよい。上記の金属材料の具体例としては、例えば、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、チタン（Ｔｉ）等を挙げることができる。
これらの材料から形成されることで、遮光部Ｓは光の透過を遮ることができる。遮光部Ｓは、例えば、波長３６５ｎｍの紫外線を照射した場合の透過率を１０％以下とすることが好ましい。
これらの材料から形成されることで、遮光部Ｓは光の透過を遮ることができる。遮光部Ｓは、例えば、波長３６５ｎｍの紫外線を照射した場合の透過率を１０％以下とすることが好ましい。
【0016】
図１、図２に示す例では、遮光部Ｓの平面視形状が、図３（Ａ）に示すように、平面視で四角枠状の第２中位面ＥＦの周囲を均等幅で囲む四角枠状である。しかし、遮光部Ｓの平面視形状は図３（Ａ）に示す形状に限らない。
例えば、図３(Ｂ)に示すように、平面視した四角枠状の遮光部Ｓにおいて、右辺部分より＋Ｘ方向側に遮光部Ｓを部分的に設けず、第１中位面Ｔを部分的に露出させた第１中位面露出部１０Ｆを設けても良い。以下の説明において、図３(Ｂ)に示す平面視した四角枠状の遮光部Ｓに対して、短辺の延在する方向をＸ方向と仮定し、長辺の延在する方向をＹ方向と仮定して説明する。
Ｙ方向は、Ｘ方向とは交差する（例えば直交する）方向である。＋Ｘ方向と－Ｘ方向は１８０°異なる方向、＋Ｙ方向と－Ｙ方向は１８０°異なる方向とする。
例えば、図３(Ｂ)に示すように、平面視した四角枠状の遮光部Ｓにおいて、右辺部分より＋Ｘ方向側に遮光部Ｓを部分的に設けず、第１中位面Ｔを部分的に露出させた第１中位面露出部１０Ｆを設けても良い。以下の説明において、図３(Ｂ)に示す平面視した四角枠状の遮光部Ｓに対して、短辺の延在する方向をＸ方向と仮定し、長辺の延在する方向をＹ方向と仮定して説明する。
Ｙ方向は、Ｘ方向とは交差する（例えば直交する）方向である。＋Ｘ方向と－Ｘ方向は１８０°異なる方向、＋Ｙ方向と－Ｙ方向は１８０°異なる方向とする。
【0017】
第１中位面露出部１０Ｆは、平面視した場合、Ｙ方向に延在する縦長長方形状である。第１中位面露出部１０ＦのＹ方向長さは、例えば、遮光部Ｓの右辺側のＹ方向長さの数分の一程度である。第１中位面露出部１０ＦのＸ方向幅は、例えば、遮光部Ｓの長辺側のＸ方向幅より若干小さい。平面視した場合、第１中位面露出部１０Ｆの－Ｘ方向端は、第２中位面ＥＦのＸ方向端に達している。第１中位面露出部１０Ｆの平面視右側には、Ｘ方向幅の小さい遮光部Ｓがそのまま残されている。
また、図３（Ｂ）に示すように平面視した遮光部Ｓにおいて、第１中位面露出部１０Ｆの近傍にＹ方向に延在する縦長長方形状の第２中位面露出部１０Ｇを設けても良い。第２中位面露出部１０Ｇは、平面視第１中位面露出部１０ＦよりＸ方向幅が小さく、Ｙ方向長さも小さい。
また、図３（Ｂ）に示すように平面視した遮光部Ｓにおいて、第１中位面露出部１０Ｆの近傍にＹ方向に延在する縦長長方形状の第２中位面露出部１０Ｇを設けても良い。第２中位面露出部１０Ｇは、平面視第１中位面露出部１０ＦよりＸ方向幅が小さく、Ｙ方向長さも小さい。
【0018】
図３（Ｂ）に示す例では、平面視第１中位面露出部１０Ｆより＋Ｘ方向側かつ－Ｙ方向側に第２中位面露出部１０Ｇが設けられている。
第２中位面露出部１０Ｇの－Ｘ方向端かつ＋Ｙ方向端は、平面視第１中位面露出部１０Ｆの＋Ｘ方向端かつ－Ｙ方向端と一致されている。第２中位面露出部１０Ｇの＋Ｘ方向端は、平面視遮光部Ｓの右辺側の＋Ｘ方向端に達している。
第２中位面露出部１０Ｇの－Ｘ方向端かつ＋Ｙ方向端は、平面視第１中位面露出部１０Ｆの＋Ｘ方向端かつ－Ｙ方向端と一致されている。第２中位面露出部１０Ｇの＋Ｘ方向端は、平面視遮光部Ｓの右辺側の＋Ｘ方向端に達している。
【0019】
また、図３(Ｂ)に示すように、平面視した四角枠状の遮光部Ｓにおいて、左辺部分より－Ｘ方向側に遮光部Ｓを部分的に設けずに第１中位面Ｔを露出させた第３中位面露出部１０Ｈを設けても良い。
第３中位面露出部１０Ｈは、Ｙ方向幅の若干大きい平面視縦長長方形状の幅広部１０ｈとＸ方向幅が小さくＹ方向に細長い幅狭部１０ｉを設けても良い。幅広部１０ｈは、平面視した四角枠状の遮光部Ｓにおいて左辺側であり、遮光部Ｓの左辺側のＹ方向中央部に平面視連続する位置に形成されている。幅広部１０ｈのＸ方向幅は、遮光部Ｓの左辺部分のＸ方向幅の半分より若干大きい。よって、幅広部１０ｈの－Ｘ方向側には幅の狭い遮光部Ｓが残されている。幅狭部１０ｉは、平面視＋Ｘ方向端縁を第２中位面ＥＦの左辺部分の－Ｘ方向端位置と一致させて、Ｙ方向に延在されている。幅狭部１０ｉの－Ｙ方向端は、第２中位面ＥＦの－Ｙ方向端の位置まで形成されている。
第３中位面露出部１０Ｈは、Ｙ方向幅の若干大きい平面視縦長長方形状の幅広部１０ｈとＸ方向幅が小さくＹ方向に細長い幅狭部１０ｉを設けても良い。幅広部１０ｈは、平面視した四角枠状の遮光部Ｓにおいて左辺側であり、遮光部Ｓの左辺側のＹ方向中央部に平面視連続する位置に形成されている。幅広部１０ｈのＸ方向幅は、遮光部Ｓの左辺部分のＸ方向幅の半分より若干大きい。よって、幅広部１０ｈの－Ｘ方向側には幅の狭い遮光部Ｓが残されている。幅狭部１０ｉは、平面視＋Ｘ方向端縁を第２中位面ＥＦの左辺部分の－Ｘ方向端位置と一致させて、Ｙ方向に延在されている。幅狭部１０ｉの－Ｙ方向端は、第２中位面ＥＦの－Ｙ方向端の位置まで形成されている。
【0020】
図３（Ｂ）に例示した第１～第３中位面露出部１０Ｆ～１０Ｈを有するテンプレートを用いても良い。
【0021】
「インプリント方法」
次に、第１実施形態に係るテンプレート１０を用いたインプリント方法について図１と図４を参照しつつ説明する。インプリント方法は、例えば、半導体装置の製造方法の一環としておこなわれ得る。
図１を用いて先に説明したレジスト層１と対象膜２を備えた基板３を用意する。対象膜２は、たとえば酸化シリコン等の絶縁層、金属元素を含む導電層又は／及びそれらの積層膜が考えられるが、特に限定されない。レジスト層１は基板３の上に形成された所定のエッチング対象膜２の上面全面に、例えばスピンコート法により一定厚さに塗布されている。レジスト層１は例えば紫外線硬化性（光硬化性）であり、紫外線（光）を照射した場合に硬化する層であるが、塗布した状態では液体のままである。
次に、第１実施形態に係るテンプレート１０を用いたインプリント方法について図１と図４を参照しつつ説明する。インプリント方法は、例えば、半導体装置の製造方法の一環としておこなわれ得る。
図１を用いて先に説明したレジスト層１と対象膜２を備えた基板３を用意する。対象膜２は、たとえば酸化シリコン等の絶縁層、金属元素を含む導電層又は／及びそれらの積層膜が考えられるが、特に限定されない。レジスト層１は基板３の上に形成された所定のエッチング対象膜２の上面全面に、例えばスピンコート法により一定厚さに塗布されている。レジスト層１は例えば紫外線硬化性（光硬化性）であり、紫外線（光）を照射した場合に硬化する層であるが、塗布した状態では液体のままである。
【0022】
レジスト層１に対し、レジスト層１の上方から凹凸部１０ａを下向きとしたテンプレート１０を下降させ、図１、図４（Ａ）に示す通り、テンプレート１０の下面（パターン面）１０ｕの凹凸部１０ａをレジスト層１に押し当てる。
具体的には、まず、第３メサ部１０Ｃの下面１０ｕをレジスト層１の押印領域ｅに対し押し当てて押印する。押印時に、液体のレジスト層１に対し、図１に示すように凹凸部１０ａの全てをレジスト層１に沈めるように押し当てる。
具体的には、まず、第３メサ部１０Ｃの下面１０ｕをレジスト層１の押印領域ｅに対し押し当てて押印する。押印時に、液体のレジスト層１に対し、図１に示すように凹凸部１０ａの全てをレジスト層１に沈めるように押し当てる。
【0023】
この際、第３メサ部１０Ｃの端縁１０Ｃ１より外側に存在するレジスト層１は、表面張力により端縁１０Ｃ１に沿って第３メサ部１０Ｃの周縁側で盛り上がる。この結果、第２メサ部１０Ｂの第２中位面ＥＦまで到達するレジスト層の盛上部１Ａがパターン面１０ｕの周縁側に形成される。また、盛上部１Ａの周囲に存在するレジスト層１は液体であり、その一部が盛上部１Ａの生成に使用されるため、盛上部１Ａの周囲ではレジスト層１の液面が一時的に低下し、レジスト層１に凹部１Ｂが形成される。
【0024】
テンプレート１０をレジスト層１に押し当てたまま、テンプレート１０を通して図１の矢印に示すように上方から光（例えば、紫外線）をレジスト層１に照射する。紫外線を照射する範囲は、四角枠状の遮光部Ｓとその内側の範囲とする。紫外線の照射により、フォトレジストが硬化し、第３メサ部１０Ｃの凹凸部１０ａの形状がレジスト層１にパターンＰＡとして転写される。
テンプレート１０が平面視四角枠状の遮光部Ｓにより紫外線を遮るため、遮光部Ｓの内側下方に位置するレジスト層１のみを硬化できる。テンプレート１０において、第３メサ部１０Ｃの下面１０ｕの下方領域が、ショット領域と対応した領域である。
テンプレート１０が平面視四角枠状の遮光部Ｓにより紫外線を遮るため、遮光部Ｓの内側下方に位置するレジスト層１のみを硬化できる。テンプレート１０において、第３メサ部１０Ｃの下面１０ｕの下方領域が、ショット領域と対応した領域である。
【0025】
テンプレート１０では、遮光部Ｓの内側に第２メサ部１０Ｂの第２中位面ＥＦを有している。このため、ショット領域に加え、その周囲に存在するレジスト層１の盛上部１Ａの部分も硬化できる。第２中位面ＥＦは平面視四角枠状であるため、盛上部１ＡはパターンＰＡの周囲を平面視四角枠状に囲むように生成する。
盛上部１Ａは、第２中位面ＥＦによって高さを規制されたレジスト層１を硬化して構成されるので、最大でも図２に示す高低差ｔ３と同じ高さを有する。即ち、盛上部１Ａの最大高さを２００ｎｍ～５００ｎｍ程度に制御することができる。
盛上部１Ａは、第２中位面ＥＦによって高さを規制されたレジスト層１を硬化して構成されるので、最大でも図２に示す高低差ｔ３と同じ高さを有する。即ち、盛上部１Ａの最大高さを２００ｎｍ～５００ｎｍ程度に制御することができる。
【0026】
図４（Ｂ）に示すように硬化したパターンＰＡの周囲に盛上部１Ａが形成されるが、盛上部１Ａの周囲では遮光部Ｓの影響により液体のレジスト層１が硬化されていない状態を維持する。即ち、凹部１Ｂとその周囲のレジスト層１は液体のままであるため、ある程度時間が経過すると、図４（Ｃ）に示すように周囲から液体のレジスト層１が流れて来て、凹部１Ｂを埋め、当初のレジスト層１の厚さまでレジスト層１の厚さが回復する。
【0027】
周囲の未硬化レジストが凹部１Ｂに流れ込む場合、盛上部１Ａが存在しないと、流れ込む液体のレジストがパターンＰＡの領域まで流れ込み、パターンＰＡの周辺部を埋めてしまうおそれがある。このため、盛上部１Ａの高さは、パターンＰＡの凹凸よりある程度高い必要がある。必要な高さの盛上部１Ａを設けることでパターン埋まりなどの欠陥を生じていないパターンＰＡを得ることができる。
【0028】
一例として、絶縁層にデュアルダマシン技術により形成する配線部などのライン高さは６０～７５ｎｍ程度であり、配線部の下に形成されるコンタクト部の深さが一例として数１０ｎｍ程度、例えば４０ｎｍ程度である。これらのサイズを勘案し、１００ｎｍを超える配線部の高さや厚さを考慮し、盛上部１Ａの高さを２００ｎｍ～５００ｎｍ程度としておく。従って、インプリント方法の実施対象物の大きさにより凹凸部の大きさが多少変動したとして、パターン埋まりを確実に防止できる盛上部１Ａを形成できる。
【0029】
押印が終了すると、テンプレート１０は、所定の駆動装置および支持具により、基板３において先に押印した領域のレジスト層１から離型され、基板３において隣接する他の領域上に移動され、該当領域に対し前述の押印動作と同様に押印される。
図４（Ｄ）は、先の押印によりパターンＰＡを転写後、隣接する左側の領域にテンプレート１０を移動させ、未硬化のレジスト層１に対し押印を行った状態を示す。
テンプレート１０により隣接する領域の未硬化のレジスト層１に対し押印を行うと、第３メサ部１０Ｃの端縁１０Ｃ１より外側に存在するレジスト層１は、表面張力により端縁１０Ｃ１に沿って第３メサ部１０Ｃの外側に盛り上がる。この結果、第２メサ部１０Ｂの第２中位面ＥＦまで到達するレジスト層の盛上部１Ａが形成される。
図４（Ｄ）は、先の押印によりパターンＰＡを転写後、隣接する左側の領域にテンプレート１０を移動させ、未硬化のレジスト層１に対し押印を行った状態を示す。
テンプレート１０により隣接する領域の未硬化のレジスト層１に対し押印を行うと、第３メサ部１０Ｃの端縁１０Ｃ１より外側に存在するレジスト層１は、表面張力により端縁１０Ｃ１に沿って第３メサ部１０Ｃの外側に盛り上がる。この結果、第２メサ部１０Ｂの第２中位面ＥＦまで到達するレジスト層の盛上部１Ａが形成される。
【0030】
この状態から前述の場合と同じように光（紫外線）を照射すると、隣接する領域においてパターンＰＡを形成できるとともに、硬化した盛上部１Ａを形成できる。このため、隣接した領域においてもパターン埋まりなどの欠陥を有していない目的のパターンＰＡを得ることができる。
先の転写で形成したパターンＰＡの端縁に存在する盛上部１Ａと、図４（Ｄ）に示す押印で形成したパターンＰの端縁に存在する盛上部１Ａの間に、ショット間ギャップＧが生成する。このギャップＧは、基板３をダイシングなどにより分断する場合の切断幅として利用することができる。
先の転写で形成したパターンＰＡの端縁に存在する盛上部１Ａと、図４（Ｄ）に示す押印で形成したパターンＰの端縁に存在する盛上部１Ａの間に、ショット間ギャップＧが生成する。このギャップＧは、基板３をダイシングなどにより分断する場合の切断幅として利用することができる。
【0031】
以上説明した押印動作を基板３の、例えば、全てのショット領域のレジスト層１に対し、繰り返し実施することにより、レジスト層１の全面にパターンＰＡを形成できる。
レジスト層１に対し欠陥のないパターンＰＡを形成し、このレジスト層１のパターンＰＡを利用してエッチング処理を行うことで対象膜２にパターンＰＡに対応した加工を施す。例えば、レジスト層１に形成されたパターンＰＡの底部を除去し、対象膜２を露出させる処理をおこなう。次いで、レジスト層１をマスクにして、対象膜２をエッチングする。対象膜２をエッチングする際には、後述のようにレジスト層１に形成された盛上部１Ａは残存していてよい。
これにより、対象膜２には、パターンＰＡに対応したパターンが形成される。例えば、図４（Ｅ）に示す如く、基板３の上の対象膜２にパターンＰＡが形成される。
残存したレジスト層１は、例えばアッシング処理により除去される。この後、例えば、対象膜２が絶縁層の場合には、銅（Ｃｕ）等の金属が対象膜２に形成されたパターンに埋め込まれ、例えばデュアルダマシン配線の一部となる。
レジスト層１に対し欠陥のないパターンＰＡを形成し、このレジスト層１のパターンＰＡを利用してエッチング処理を行うことで対象膜２にパターンＰＡに対応した加工を施す。例えば、レジスト層１に形成されたパターンＰＡの底部を除去し、対象膜２を露出させる処理をおこなう。次いで、レジスト層１をマスクにして、対象膜２をエッチングする。対象膜２をエッチングする際には、後述のようにレジスト層１に形成された盛上部１Ａは残存していてよい。
これにより、対象膜２には、パターンＰＡに対応したパターンが形成される。例えば、図４（Ｅ）に示す如く、基板３の上の対象膜２にパターンＰＡが形成される。
残存したレジスト層１は、例えばアッシング処理により除去される。この後、例えば、対象膜２が絶縁層の場合には、銅（Ｃｕ）等の金属が対象膜２に形成されたパターンに埋め込まれ、例えばデュアルダマシン配線の一部となる。
【0032】
図４（Ｄ）に示すように隣接する他の領域のレジスト層１に対しテンプレート１０によりインプリント法を実施すると、押印した領域毎に盛上部１Ａを有することとなるが、盛上部１Ａの最大高さは予め分かっていて形成位置もわかっているため、次工程の加工などでは問題を生じるおそれが少ない。仮に、盛上部の高さが図２に示す高低差ｔ３を超えて大きくなり過ぎると、次工程で盛上部が倒れるか、盛上部の先端が折損するなどの現象を生じるおそれがある。この場合、次工程のエッチング処理などにおいてエッチング不良部を発生するなどの問題を生じるおそれがある。
【0033】
「比較例」
図５は、第２メサ部１０Ｂと第２中位面ＥＦを有していない比較例のテンプレート２０を示す。この例のテンプレート２０は、基材部１０Ｄと第１メサ部１０Ａと第３メサ部１０Ｃを有する。第１メサ部１０Ａに遮光部Ｓが形成されている点、第３メサ部１０Ｃに凹凸部１０ａを有するパターン面１０ｕが形成されている点も先のテンプレート１０と同等構成である。テンプレート２０においては、第３メサ部１０Ｃの平面視周囲側に第１メサ部１０Ａが形成され、第１メサ部１０Ａの下面１０Ｓ（第１中位面Ｔ）に遮光部Ｓが形成されている。
図５は、第２メサ部１０Ｂと第２中位面ＥＦを有していない比較例のテンプレート２０を示す。この例のテンプレート２０は、基材部１０Ｄと第１メサ部１０Ａと第３メサ部１０Ｃを有する。第１メサ部１０Ａに遮光部Ｓが形成されている点、第３メサ部１０Ｃに凹凸部１０ａを有するパターン面１０ｕが形成されている点も先のテンプレート１０と同等構成である。テンプレート２０においては、第３メサ部１０Ｃの平面視周囲側に第１メサ部１０Ａが形成され、第１メサ部１０Ａの下面１０Ｓ（第１中位面Ｔ）に遮光部Ｓが形成されている。
【0034】
テンプレート２０を用いてレジスト層１に対しインプリント法を実施すると、図５（Ｂ）に示すように第３メサ部１０Ｃの端縁１０Ｃ１の外側にレジスト層１の盛上部１Ｄを生じる。この盛上部１Ｄには、硬化時に光（紫外線）が照射されないので、液体のレジスト層１のまま盛上部１Ｄが残留する。
この後、テンプレート２０を他の領域に移動するために図５（Ｃ）に示すようにレジスト層１から離型すると、液体の盛上部１Ｄは図５（Ｄ）に示すように崩れて液体のレジスト１Ｅとして周囲に流れる。このため、レジスト１Ｅが周囲のインプリント後のパターンＰＡ側に流れ込み、パターンＰＡの一部を液体のレジスト１Ｅが埋めることとなる。これにより、パターン埋まりなどの欠陥を有する不良のパターンＰＡを形成してしまう問題がある。
この後、テンプレート２０を他の領域に移動するために図５（Ｃ）に示すようにレジスト層１から離型すると、液体の盛上部１Ｄは図５（Ｄ）に示すように崩れて液体のレジスト１Ｅとして周囲に流れる。このため、レジスト１Ｅが周囲のインプリント後のパターンＰＡ側に流れ込み、パターンＰＡの一部を液体のレジスト１Ｅが埋めることとなる。これにより、パターン埋まりなどの欠陥を有する不良のパターンＰＡを形成してしまう問題がある。
【0035】
図６は図５に示すパターン埋まりを生じた後のレジスト層１を示すが、液体のレジスト１ＥがパターンＰＡ側に図６（Ａ）に示すように流れることとなる。また、その反対側にはレジスト層１の凹部１Ｂが生成されているが、周囲の液体のままのレジスト層１から、いずれ液体レジストが流れてくるので、液体レジストにより凹部１Ｂは図６（Ｂ）、（Ｃ）に示すように埋められる。しかし、先に説明のようにパターンＰＡ側にパターン埋まりを生じる。
これに対し、先に図４を用いて説明したように、テンプレート１０により盛上部１Ａのレジストに対し、第２中位面ＥＦを介し紫外線を照射して硬化させるならば、パターン埋まりを有していない目的のパターンＰＡを形成できることがわかる。
これに対し、先に図４を用いて説明したように、テンプレート１０により盛上部１Ａのレジストに対し、第２中位面ＥＦを介し紫外線を照射して硬化させるならば、パターン埋まりを有していない目的のパターンＰＡを形成できることがわかる。
【0036】
「テンプレートの製造方法」
次に、図７（Ａ）～（Ｆ）を参照しながら、第１実施形態に係るテンプレート１０の製造方法について説明する。
まず、出発材料として図７（Ａ）に示す光透過性の基板３０を用意し、前述の第１メサ部１０Ａに相当する領域を覆うレジストパターンを形成し、エッチングにより前述の第１メサ部１０Ａ、第２メサ部１０Ｂ、第３メサ部１０Ｃの形成領域に対応する隆起部３０Ａを形成する。図７（Ａ）に基板３０に対し隆起部３０Ａを形成した状態を示す。基板３０は、例えば、紫外線（紫外光）を透過可能な材料、例えば石英ガラスや樹脂により形成される。
次に、図７（Ａ）～（Ｆ）を参照しながら、第１実施形態に係るテンプレート１０の製造方法について説明する。
まず、出発材料として図７（Ａ）に示す光透過性の基板３０を用意し、前述の第１メサ部１０Ａに相当する領域を覆うレジストパターンを形成し、エッチングにより前述の第１メサ部１０Ａ、第２メサ部１０Ｂ、第３メサ部１０Ｃの形成領域に対応する隆起部３０Ａを形成する。図７（Ａ）に基板３０に対し隆起部３０Ａを形成した状態を示す。基板３０は、例えば、紫外線（紫外光）を透過可能な材料、例えば石英ガラスや樹脂により形成される。
【0037】
図７（Ａ）に示す隆起部３０Ａの上面に第２メサ部１０Ｂと第３メサ部１０Ｃに相当する領域を覆う第１レジスト層３１を形成し、第１レジスト層３１を介し隆起部３０Ａの周縁側を蝕刻するリアクティブイオンエッチングを施す。このエッチングにより図７(Ｂ)に示すように第１段部３０ａを有する第１突部３０Ｂを形成する。
次に、第１レジスト層３１を除去した後、図７（Ｃ）に示すように第１突部３０Ｂの最上面に前述の第３メサ部１０Ｃに相当する領域を覆う第２レジスト層３２を形成する。第２レジスト層３２の形成後、第２レジスト層３２を介し第１突部３０Ｂの周縁側を蝕刻するリアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）を施す。
次に、第１レジスト層３１を除去した後、図７（Ｃ）に示すように第１突部３０Ｂの最上面に前述の第３メサ部１０Ｃに相当する領域を覆う第２レジスト層３２を形成する。第２レジスト層３２の形成後、第２レジスト層３２を介し第１突部３０Ｂの周縁側を蝕刻するリアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）を施す。
【0038】
このエッチングにより図７（Ｄ）に示すように、基板３０上に第１メサ部１０Ａと第２メサ部１０Ｂを有し、第２メサ部１０Ｂ上に第３メサ部相当の第３突部３０Ｃを有する構造を形成できる。
この後、図７（Ｅ）に示すように第３突部３０Ｃの上面に微細パターンである凹凸部１０ａを形成することで第３メサ部１０Ｃを形成する。この後、図７（Ｆ）に示すように第２メサ部１０Ｂの上面に遮光部Ｓを形成すると、図１に示したテンプレート１０と同等構造のテンプレート３３を得ることができる。
この後、図７（Ｅ）に示すように第３突部３０Ｃの上面に微細パターンである凹凸部１０ａを形成することで第３メサ部１０Ｃを形成する。この後、図７（Ｆ）に示すように第２メサ部１０Ｂの上面に遮光部Ｓを形成すると、図１に示したテンプレート１０と同等構造のテンプレート３３を得ることができる。
【0039】
図１、図２、図３（Ａ）を基に先に説明した第１実施形態のテンプレート１０では、図４に示すようにパターンＰＡを形成した領域に隣接する位置に、硬化させたレジストからなる盛上部１Ａを形成した。そして、この盛上部１Ａは、遮光部Ｓを有していない第２メサ部１０Ｂに設けた第２中位面ＥＦを透過して紫外線を照射することにより形成できた。
盛上部１Ａを形成するためには、第１実施形態のテンプレート１０に限らず、図８を基に以下に示す第１変形例のテンプレートを用いても良い。
盛上部１Ａを形成するためには、第１実施形態のテンプレート１０に限らず、図８を基に以下に示す第１変形例のテンプレートを用いても良い。
【0040】
「第１変形例のテンプレート」
第１変形例のテンプレート４０は、テンプレート１０と同様の光（紫外線）を透過可能な材料からなる。テンプレート４０は、基材部１０Ｄの下面側に第１メサ部１０Ａと第３メサ部１０Ｃを有する。第１メサ部１０Ａの下面１０ｓ（第１中位面Ｔ）に遮光部Ｓが設けられている構成はテンプレート１０と同等である。第３メサ部１０Ｃの下面に凹凸部１０ａを設けたパターン面１０ｕが形成されている構成はテンプレート１０と同等である。
テンプレート４０においては、第１メサ部１０Ａの下面１０ｓ（第１中位面Ｔ）の内周から第３メサ部１０Ｃの外周に至る部分に斜面４０Ｅが形成されている構成に特徴を有する。
第１変形例のテンプレート４０は、テンプレート１０と同様の光（紫外線）を透過可能な材料からなる。テンプレート４０は、基材部１０Ｄの下面側に第１メサ部１０Ａと第３メサ部１０Ｃを有する。第１メサ部１０Ａの下面１０ｓ（第１中位面Ｔ）に遮光部Ｓが設けられている構成はテンプレート１０と同等である。第３メサ部１０Ｃの下面に凹凸部１０ａを設けたパターン面１０ｕが形成されている構成はテンプレート１０と同等である。
テンプレート４０においては、第１メサ部１０Ａの下面１０ｓ（第１中位面Ｔ）の内周から第３メサ部１０Ｃの外周に至る部分に斜面４０Ｅが形成されている構成に特徴を有する。
【0041】
斜面４０Ｅは、図８に示す断面において、第１メサ部１０Ａの内周から第３メサ部１０Ｃの外周に至るに従い第３メサ部１０Ｃの幅を徐々に小さくする向きに傾斜されている。
テンプレート４０において、第１メサ部１０Ａと第３メサ部１０Ｃが形成する平面視形状は図３（Ａ）に示す平面視形状と同等である。図３（Ａ）では第２中位面ＥＦが第３メサ部１０Ｃのパターン面１０ｕと段差を構成する面であった。これに対し、テンプレート４０では、図３（Ａ）に示す第２メサ部１０Ｂの位置に斜面４０Ｅを配置した構成と同等になる。
斜面４０の高さは、先の高低差（段差）ｔ３（図２参照）と同程度、例えば２００ｎｍ～５００ｎｍ程度であって良い。
テンプレート４０において、第１メサ部１０Ａと第３メサ部１０Ｃが形成する平面視形状は図３（Ａ）に示す平面視形状と同等である。図３（Ａ）では第２中位面ＥＦが第３メサ部１０Ｃのパターン面１０ｕと段差を構成する面であった。これに対し、テンプレート４０では、図３（Ａ）に示す第２メサ部１０Ｂの位置に斜面４０Ｅを配置した構成と同等になる。
斜面４０の高さは、先の高低差（段差）ｔ３（図２参照）と同程度、例えば２００ｎｍ～５００ｎｍ程度であって良い。
【0042】
斜面４０Ｅを有するテンプレート４０を用いてレジスト層１に凹凸部１０ａを転写するインプリント方法について、図９を基に以下に説明する。
レジスト層１と対象膜２を備えた基板３を用意する点は先に説明した実施形態と同様である。
レジスト層１に対し、レジスト層１の上方から凹凸部１０ａを下向きとしたテンプレート４０を下降させ、図９（Ａ）に示す通り、テンプレート４０の凹凸部１０ａをレジスト層１に押し当てる。
レジスト層１と対象膜２を備えた基板３を用意する点は先に説明した実施形態と同様である。
レジスト層１に対し、レジスト層１の上方から凹凸部１０ａを下向きとしたテンプレート４０を下降させ、図９（Ａ）に示す通り、テンプレート４０の凹凸部１０ａをレジスト層１に押し当てる。
【0043】
この際、第３メサ部１０Ｃの端縁１０Ｃ１より外側に存在するレジスト層１は、表面張力により斜面４０Ｅに沿って第３メサ部１０Ｃの周縁側で盛り上がる。この結果、レジスト層の盛上部１Ｇが形成される。また、盛上部１Ｇの周囲に存在するレジスト層１は液体であり、その一部が盛上部１Ｇの生成に使用されるため、盛上部１Ｇの周囲ではレジスト層１の液面が一時的に低下し、レジスト層１に凹部１Ｂが形成される。
【0044】
テンプレート４０をレジスト層１に押し当てたまま、テンプレート４０を通して図９（Ａ）の矢印に示すように上方から光（紫外線）をレジスト層１に照射する。紫外線を照射する範囲は、四角枠状の遮光部Ｓとその内側の範囲とする。紫外線の照射により、フォトレジストが硬化し、第３メサ部１０Ｃの凹凸部１０ａの形状がレジスト層１に必要なパターンＰＡとして転写される。
テンプレート４０が平面視四角枠状の遮光部Ｓにより紫外線を遮るため、遮光部Ｓの内側下方に位置するレジスト層１のみを硬化できる。テンプレート４０において、第３メサ部１０Ｃの下面４０ｕの下方領域が、本来インプリントのために必要な領域である。
テンプレート４０が平面視四角枠状の遮光部Ｓにより紫外線を遮るため、遮光部Ｓの内側下方に位置するレジスト層１のみを硬化できる。テンプレート４０において、第３メサ部１０Ｃの下面４０ｕの下方領域が、本来インプリントのために必要な領域である。
【0045】
テンプレート４０では、遮光部Ｓの内側に第３メサ部１０Ｃの斜面４０Ｅを有する。このため、インプリントのために本来必要な領域に加え、その周囲に存在するレジスト層１の盛上部１Ｇの部分も硬化できる。第３メサ部１０Ｃは先の実施形態と同様、平面視四角枠状であるため、盛上部１ＧはパターンＰＡの周囲を平面視四角枠状に囲むように生成する。
盛上部１Ｇは、斜面４０Ｅによって高さを規制されたレジスト層１を硬化して構成されるので、斜面４０Ｅに規定された高さを有する。即ち、盛上部１Ｇの最大高さを２００ｎｍ～５００ｎｍ程度に制御することができる。
テンプレート４０においても、先のテンプレート１０と同様に、図９（Ｂ）、図９（Ｃ）に示すようにパターン埋まりを有していない目的のパターンＰＡを形成できる。
先の領域において押印が終了したならば、図９（Ｄ）に示すように隣接する他の領域のレジスト層１にテンプレート４０による押印を行う。他の領域に対してもパターン埋まりを生じていない望ましいパターンＰＡを形成できる。
盛上部１Ｇは、斜面４０Ｅによって高さを規制されたレジスト層１を硬化して構成されるので、斜面４０Ｅに規定された高さを有する。即ち、盛上部１Ｇの最大高さを２００ｎｍ～５００ｎｍ程度に制御することができる。
テンプレート４０においても、先のテンプレート１０と同様に、図９（Ｂ）、図９（Ｃ）に示すようにパターン埋まりを有していない目的のパターンＰＡを形成できる。
先の領域において押印が終了したならば、図９（Ｄ）に示すように隣接する他の領域のレジスト層１にテンプレート４０による押印を行う。他の領域に対してもパターン埋まりを生じていない望ましいパターンＰＡを形成できる。
【0046】
「第２変形例のテンプレート」
パターン埋まりを有しない目的のパターンＰＡを形成するためには、第１実施形態のテンプレート１０に限らず、図１０に示す第２変形例のテンプレートを用いても良い。
この第２変形例のテンプレート５０は、テンプレート１０と同様の光（紫外線）を透過可能な材料からなる。テンプレート５０は、先のテンプレート４０と略同一構成を有するが、斜面４０Ｅの代わりに、図１０（Ａ）、（Ｂ）に示す凸曲面５０Ｅが設けられている。凸曲面５０Ｅは、第３メサ部１０Ｃの外側に突出する曲面である。
図１０（Ａ）はテンプレート５０の断面を示し、図１０（Ｂ）はテンプレート５０をレジスト層１に押し付けた状態を示す。
凸曲面５０Ｅの高さは、先の高低差（段差）ｔ３（図２参照）と同程度、例えば２００ｎｍ～５００ｎｍ程度であって良い。
パターン埋まりを有しない目的のパターンＰＡを形成するためには、第１実施形態のテンプレート１０に限らず、図１０に示す第２変形例のテンプレートを用いても良い。
この第２変形例のテンプレート５０は、テンプレート１０と同様の光（紫外線）を透過可能な材料からなる。テンプレート５０は、先のテンプレート４０と略同一構成を有するが、斜面４０Ｅの代わりに、図１０（Ａ）、（Ｂ）に示す凸曲面５０Ｅが設けられている。凸曲面５０Ｅは、第３メサ部１０Ｃの外側に突出する曲面である。
図１０（Ａ）はテンプレート５０の断面を示し、図１０（Ｂ）はテンプレート５０をレジスト層１に押し付けた状態を示す。
凸曲面５０Ｅの高さは、先の高低差（段差）ｔ３（図２参照）と同程度、例えば２００ｎｍ～５００ｎｍ程度であって良い。
【0047】
テンプレート５０は、遮光部Ｓの内側に第３メサ部１０Ｃの凸曲面５０Ｅを有する。このため、テンプレート１０の上方から紫外線を照射すると、インプリントのために本来必要な領域に加え、図１０（Ｂ）に示すように周囲に存在するレジスト層１の盛上部１Ｈの部分も硬化できる。第３メサ部１０Ｃは平面視四角枠状であるため、盛上部１ＨはパターンＰＡの周囲を平面視四角枠状に囲むように生成する。
盛上部１Ｈは、凸曲面５０Ｅによって高さを規制されたレジスト層１を硬化して構成されるので、斜面に規定された高さを有する。即ち、盛上部１Ｈの最大高さを２００ｎｍ～５００ｎｍ程度に制御することができる。
テンプレート５０においても、先のテンプレート４０と同様に、パターン埋まりを有していない目的のパターンＰＡを形成できる。
盛上部１Ｈは、凸曲面５０Ｅによって高さを規制されたレジスト層１を硬化して構成されるので、斜面に規定された高さを有する。即ち、盛上部１Ｈの最大高さを２００ｎｍ～５００ｎｍ程度に制御することができる。
テンプレート５０においても、先のテンプレート４０と同様に、パターン埋まりを有していない目的のパターンＰＡを形成できる。
【0048】
「第３変形例のテンプレート」
パターン埋まりを有していない目的のパターンＰＡを形成するためには、第１実施形態のテンプレート１０に限らず、図１１に示す第３変形例のテンプレートを用いても良い。
この第３変形例のテンプレート６０は、テンプレート１０と同様の光（紫外線）を透過可能な材料からなる。テンプレート６０は、先のテンプレート４０と略同一構成を有するが、斜面４０Ｅの代わりに、凹凸曲面６０Ｅが設けられている。凹凸曲面６０Ｅは、第３メサ部１０Ｃの外側に突出する。凹凸曲面６０Ｅは、第３メサ部１０Ｃの外側に突出する凸曲面６０ｅと第３メサ部４０Ｃの内側に突出する凹曲面６０ｆと第３メサ部１０Ｃの外側に突出する凸曲面６０ｇを組み合わせた形状を有する。
凹凸曲面６０Ｅの高さは、先の高低差（段差）ｔ３（図２参照）と同程度、例えば２００ｎｍ～５００ｎｍ程度であって良い。
図１１（Ａ）はテンプレート６０の断面を示し、図１１（Ｂ）はテンプレート６０をレジスト層１に押し付けた状態を示す。
パターン埋まりを有していない目的のパターンＰＡを形成するためには、第１実施形態のテンプレート１０に限らず、図１１に示す第３変形例のテンプレートを用いても良い。
この第３変形例のテンプレート６０は、テンプレート１０と同様の光（紫外線）を透過可能な材料からなる。テンプレート６０は、先のテンプレート４０と略同一構成を有するが、斜面４０Ｅの代わりに、凹凸曲面６０Ｅが設けられている。凹凸曲面６０Ｅは、第３メサ部１０Ｃの外側に突出する。凹凸曲面６０Ｅは、第３メサ部１０Ｃの外側に突出する凸曲面６０ｅと第３メサ部４０Ｃの内側に突出する凹曲面６０ｆと第３メサ部１０Ｃの外側に突出する凸曲面６０ｇを組み合わせた形状を有する。
凹凸曲面６０Ｅの高さは、先の高低差（段差）ｔ３（図２参照）と同程度、例えば２００ｎｍ～５００ｎｍ程度であって良い。
図１１（Ａ）はテンプレート６０の断面を示し、図１１（Ｂ）はテンプレート６０をレジスト層１に押し付けた状態を示す。
【0049】
テンプレート６０は、遮光部Ｓの内側に第３メサ部１０Ｃの凹凸曲面６０Ｅを有する。このため、インプリントのために本来必要な領域に加え、その周囲に存在するレジスト層１の盛上部１Ｊの部分も硬化できる。第３メサ部１０Ｃは平面視四角枠状であるため、盛上部１ＪはパターンＰＡの周囲を平面視四角枠状に囲むように生成する。
盛上部１Ｊは、凹凸曲面６０Ｅによって高さを規制されたレジスト層１を硬化して構成されるので、斜面に規定された高さを有する。即ち、盛上部１Ｊの最大高さを２００ｎｍ～５００ｎｍ程度に制御することができる。
テンプレート６０においても、先のテンプレート１０と同様に、パターン埋まりを有していない目的のパターンＰＡを形成できる。
盛上部１Ｊは、凹凸曲面６０Ｅによって高さを規制されたレジスト層１を硬化して構成されるので、斜面に規定された高さを有する。即ち、盛上部１Ｊの最大高さを２００ｎｍ～５００ｎｍ程度に制御することができる。
テンプレート６０においても、先のテンプレート１０と同様に、パターン埋まりを有していない目的のパターンＰＡを形成できる。
【0050】
「第４変形例のテンプレート」
パターン埋まりを有していない目的のパターンＰＡを形成するために、第１実施形態のテンプレート１０に限らず、図１２（Ａ）に示す第４変形例のテンプレートを用いても良い。
この第４変形例のテンプレート７０は、テンプレート１０と同様の光（紫外線）を透過可能な材料からなる。テンプレート７０は、基材部１０Ｄの下面側に第１メサ部１０Ａと第３メサ部１０Ｃを有する。第１メサ部１０Ａの下面１０ｓ（第１中位面Ｔ）に遮光部Ｓが設けられている構成はテンプレート１０と同等である。第３メサ部１０Ｃの下面１０ｓに凹凸部１０ａを設けたパターン面１０ｕが形成されている構成はテンプレート１０と同等である。
パターン埋まりを有していない目的のパターンＰＡを形成するために、第１実施形態のテンプレート１０に限らず、図１２（Ａ）に示す第４変形例のテンプレートを用いても良い。
この第４変形例のテンプレート７０は、テンプレート１０と同様の光（紫外線）を透過可能な材料からなる。テンプレート７０は、基材部１０Ｄの下面側に第１メサ部１０Ａと第３メサ部１０Ｃを有する。第１メサ部１０Ａの下面１０ｓ（第１中位面Ｔ）に遮光部Ｓが設けられている構成はテンプレート１０と同等である。第３メサ部１０Ｃの下面１０ｓに凹凸部１０ａを設けたパターン面１０ｕが形成されている構成はテンプレート１０と同等である。
【0051】
テンプレート７０では、第１メサ部１０Ａの下面１０ｓ（第１中位面Ｔ）の内周側に遮光部Ｓを設けず透光部７０Ｅを設けた構成に特徴を有する。透光部７０Ｅは、平面視第３メサ部１０Ｃの外側を囲むように矩形枠状に形成されている。
図１２（Ｂ）はテンプレート７０の凹凸部１０ａをレジスト層１に押し付けた状態を示し、第３メサ部１０Ｃの周縁には盛上部１Ｋが形成される。
図１２（Ｂ）はテンプレート７０の凹凸部１０ａをレジスト層１に押し付けた状態を示し、第３メサ部１０Ｃの周縁には盛上部１Ｋが形成される。
【0052】
テンプレート７０では、インプリントのために本来必要な領域に加え、その周囲に存在するレジスト層１の盛上部１Ｋの部分も硬化できる。第３メサ部７０Ｃは平面視四角枠状であるため、盛上部１ＫはパターンＰＡの周囲を平面視四角枠状に囲むように生成する。
テンプレート７０では、第１メサ部１０Ａの下面１０ｓと第３メサ部１０Ｃのパターン面（下面）１０ｕとの高低差が２００ｎｍ～５００ｎｍ程度に設定されていて良い。
盛上部１Ｋは、透光部７０Ｅによって高さを規制されたレジスト層１を硬化して構成されるので、透光部に規定された高さを有する。即ち、盛上部１Ｋの最大高さを２００ｎｍ～５００ｎｍ程度に制御することができる。
テンプレート７０では、第１メサ部１０Ａの下面１０ｓと第３メサ部１０Ｃのパターン面（下面）１０ｕとの高低差が２００ｎｍ～５００ｎｍ程度に設定されていて良い。
盛上部１Ｋは、透光部７０Ｅによって高さを規制されたレジスト層１を硬化して構成されるので、透光部に規定された高さを有する。即ち、盛上部１Ｋの最大高さを２００ｎｍ～５００ｎｍ程度に制御することができる。
【0053】
テンプレート７０においては、図１２（Ａ）に示すように、透光部７０Ｅを透過した紫外線をレジスト層１に照射し、盛上部１Ｋを硬化できる。このため、図１２（Ｂ）あるいは図１２（Ｃ）に示す硬化させた盛上部１Ｋを設けることができ、先のテンプレート１０を用いた押印の場合と同様に、パターン埋まりを有していない目的のパターンＰＡを形成できる。
【0054】
「第５変形例のテンプレート」
パターン埋まりを有していない目的のパターンＰＡを形成するために、第１実施形態のテンプレート１０に限らず、図１３に示す第５変形例のテンプレートを用い、以下に説明するインプリント方法を実施しても良い。
第５変形例のテンプレートは先に比較例として示したテンプレート２０と同等の構成である。
パターン埋まりを有していない目的のパターンＰＡを形成するために、第１実施形態のテンプレート１０に限らず、図１３に示す第５変形例のテンプレートを用い、以下に説明するインプリント方法を実施しても良い。
第５変形例のテンプレートは先に比較例として示したテンプレート２０と同等の構成である。
【0055】
図１３に示すようにテンプレート２０の凹凸部１０ａをレジスト層１に押し付けるとともに、テンプレート２０とレジスト層１の間に形成されている隙間空間に沿ってテンプレート２０の周囲側からレジスト層１の面方向と平行（図１３の横方向）に光（紫外線）を照射する。テンプレート２０の第３メサ部１０Ｃの端縁１０Ｃ１の外側には押印時にレジスト層１の盛上部１Ｌを生じているので、横方向からの紫外線の照射により盛上部１Ｌを硬化させることができる。
図１３に示すテンプレート２０の上方からレジスト層１の押印領域に紫外線を照射することで目的のパターンＰＡを形成し、盛上部１Ｌを硬化させることができる。
本変形例では、テンプレート自体は比較例として示したテンプレート２０と同等の構成であるが、インプリント方法（光の照射方法）が、比較例とは異なっている。
盛上部１Ｌを硬化させているので、第２変形例～第４変形例の場合と同様に、パターン埋まりを生じていない目的のパターンＰＡを得ることができる。
図１３に示すテンプレート２０の上方からレジスト層１の押印領域に紫外線を照射することで目的のパターンＰＡを形成し、盛上部１Ｌを硬化させることができる。
本変形例では、テンプレート自体は比較例として示したテンプレート２０と同等の構成であるが、インプリント方法（光の照射方法）が、比較例とは異なっている。
盛上部１Ｌを硬化させているので、第２変形例～第４変形例の場合と同様に、パターン埋まりを生じていない目的のパターンＰＡを得ることができる。
【0056】
図１４は遮光部Ｓの平面視形状の変形例を示す。
図１４に示すように遮光部Ｓの一部に延出部Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３を有し、延出部Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３を設けた部分ではパターン面１ｕを第１中位面１０ｓと隣接させた構造とすることもできる。
図１４に示すように遮光部Ｓの一部に延出部Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３を有し、延出部Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３を設けた部分ではパターン面１ｕを第１中位面１０ｓと隣接させた構造とすることもできる。
【0057】
「第６変形例のテンプレート」
図１５は第６変形例のテンプレート８０を示す。
このテンプレート８０では第２中位面１０ｔ（ＥＦ）に、この面から下方に突出する壁部８１を設けている。この変形例では液体のレジストが第２中位面１０ｔから這い上がることを防止できる構成を採用した。
テンプレート８０において、壁部８１の下端からパターン面までの高さｔ４、第２中位面１０ｔからパターン面までの高さｔ５、パターンの凹凸の深さｔ６とすると、ｔ５＞ｔ４＞ｔ６の関係を有することが好ましい。
図１５は第６変形例のテンプレート８０を示す。
このテンプレート８０では第２中位面１０ｔ（ＥＦ）に、この面から下方に突出する壁部８１を設けている。この変形例では液体のレジストが第２中位面１０ｔから這い上がることを防止できる構成を採用した。
テンプレート８０において、壁部８１の下端からパターン面までの高さｔ４、第２中位面１０ｔからパターン面までの高さｔ５、パターンの凹凸の深さｔ６とすると、ｔ５＞ｔ４＞ｔ６の関係を有することが好ましい。
【0058】
「第７～第９変形例のテンプレート」
図１６（ａ）は第７変形例のテンプレート８２を示す。
このテンプレート８２では、第２中位面１０ｔ（ＥＦ）が平面ではなく断面視で矩形波形状の凹凸部８３を有する面からなる。
図１６（ｂ）は第８変形例のテンプレート８４を示す。
このテンプレート８４では、第２中位面１０ｔ（ＥＦ）が平面ではなく断面視で三角波形状の凹凸部８５を有する面からなる。
図１６（ｃ）は第９変形例のテンプレート８６を示す。
このテンプレート８６では、第２中位面１０ｔ（ＥＦ）が平面ではなく断面視で正弦波形状の凹凸部８７を有する面からなる。
これらの例のように第２中位面１０ｔ（ＥＦ）は平面に限らず、種々の形状を有していても良い。この変形例では、液体のレジストが第２中位面１０ｔを伝う速度を低下させることができる。
図１６（ａ）は第７変形例のテンプレート８２を示す。
このテンプレート８２では、第２中位面１０ｔ（ＥＦ）が平面ではなく断面視で矩形波形状の凹凸部８３を有する面からなる。
図１６（ｂ）は第８変形例のテンプレート８４を示す。
このテンプレート８４では、第２中位面１０ｔ（ＥＦ）が平面ではなく断面視で三角波形状の凹凸部８５を有する面からなる。
図１６（ｃ）は第９変形例のテンプレート８６を示す。
このテンプレート８６では、第２中位面１０ｔ（ＥＦ）が平面ではなく断面視で正弦波形状の凹凸部８７を有する面からなる。
これらの例のように第２中位面１０ｔ（ＥＦ）は平面に限らず、種々の形状を有していても良い。この変形例では、液体のレジストが第２中位面１０ｔを伝う速度を低下させることができる。
【0059】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【0060】
１…レジスト層（インプリント材の層）、
１Ａ、１Ｄ、１Ｇ、１Ｈ、１Ｊ、１Ｋ、１Ｌ…盛上部、２…対象膜、
３…基板（ウエハ）、
１０、２０、４０、５０、６０、７０、８０、８２、８４、８６…テンプレート、
１０Ａ…第１メサ部、１０ａ…凹凸部、１０Ｂ…第２メサ部、１０Ｃ…第３メサ部、
１０Ｃ１…端縁、１０Ｄ…基材部、１０ｒ…基材部の下面、
１０ｓ（Ｔ）…第１メサ部の下面（第１中位面）、
１０ｔ（ＥＦ）…第２メサ部の下面（第２中位面）、
１０ｕ…第３メサ部の下面（パターン面）、
４０Ｅ…斜面、５０Ｅ…凸曲面、６０Ｅ…凹凸曲面、７０Ｅ…透光部、
ｅ…押印領域、ｓ…遮光部（光透過制限膜）、ＰＡ…パターン、
ｔ１…基材部の下面と第１メサ部の下面との高低差（段差）、
ｔ２…第１メサ部の下面と第２メサ部の下面との高低差（段差）、
ｔ３…第２メサ部の下面と第３メサ部の下面との高低差（段差）。
１Ａ、１Ｄ、１Ｇ、１Ｈ、１Ｊ、１Ｋ、１Ｌ…盛上部、２…対象膜、
３…基板（ウエハ）、
１０、２０、４０、５０、６０、７０、８０、８２、８４、８６…テンプレート、
１０Ａ…第１メサ部、１０ａ…凹凸部、１０Ｂ…第２メサ部、１０Ｃ…第３メサ部、
１０Ｃ１…端縁、１０Ｄ…基材部、１０ｒ…基材部の下面、
１０ｓ（Ｔ）…第１メサ部の下面（第１中位面）、
１０ｔ（ＥＦ）…第２メサ部の下面（第２中位面）、
１０ｕ…第３メサ部の下面（パターン面）、
４０Ｅ…斜面、５０Ｅ…凸曲面、６０Ｅ…凹凸曲面、７０Ｅ…透光部、
ｅ…押印領域、ｓ…遮光部（光透過制限膜）、ＰＡ…パターン、
ｔ１…基材部の下面と第１メサ部の下面との高低差（段差）、
ｔ２…第１メサ部の下面と第２メサ部の下面との高低差（段差）、
ｔ３…第２メサ部の下面と第３メサ部の下面との高低差（段差）。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】