特開 2024-133869 パターン設計方法、テンプレート製造方法及びパターン設計装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024133869

(43)【公開日】2024-10-03

(54)【発明の名称】パターン設計方法、テンプレート製造方法及びパターン設計装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/027 20060101AFI20240926BHJP

   B29C 59/02 20060101ALI20240926BHJP

【ＦＩ】

H01L21/30 502D

B29C59/02 Z

【審査請求】未請求

【請求項の数】16

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023043866

(22)【出願日】2023-03-20

(71)【出願人】

【識別番号】318010018

【氏名又は名称】キオクシア株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110002147

【氏名又は名称】弁理士法人酒井国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】小林 幸子

(72)【発明者】

【氏名】高畑 和宏

(72)【発明者】

【氏名】三木 聡

【テーマコード（参考）】

4F209

5F146

【Ｆターム（参考）】

4F209AA44

4F209AC05

4F209AF01

4F209AG05

4F209AH33

4F209AR07

4F209AR12

4F209AR14

4F209PA02

4F209PB01

4F209PJ06

4F209PJ26

4F209PN09

4F209PN13

5F146AA32

(57)【要約】

【課題】インプリント処理における被処理層の流動による影響を抑制する。
【解決手段】実施形態のパターン設計方法は、被処理層の表面にテンプレートに押し付けて所定のパターンを形成するインプリント処理に用いられるテンプレートのパターンを設計する方法であって、被処理層に押し付けられるショット面の端部から所定距離だけ内側の外縁領域に対応する外縁被覆率範囲を、外縁領域より内側の内部領域に対応する内部被覆率範囲とは異なるように設定し、外縁領域内のパターンをその被覆率が外縁被覆率範囲内となるように設計し、内部領域内のパターンをその被覆率が内部被覆率範囲内となるように設計する。
【選択図】図７

【特許請求の範囲】

【請求項1】

被処理層の表面にテンプレートに押し付けて所定のパターンを形成するインプリント処理に用いられる前記テンプレートのパターンを設計する方法であって、
前記被処理層に押し付けられるショット面の端部から所定距離だけ内側の外縁領域に対応する外縁被覆率範囲を、前記外縁領域より内側の内部領域に対応する内部被覆率範囲とは異なるように設定し、
前記外縁領域内のパターンをその被覆率が前記外縁被覆率範囲内となるように設計し、
前記内部領域内のパターンをその被覆率が前記内部被覆率範囲内となるように設計する、
パターン設計方法。

【請求項2】

前記外縁被覆率範囲は、前記内部被覆率範囲より狭い、
請求項１に記載のパターン設計方法。

【請求項3】

前記外縁被覆率範囲の上限値は、前記内部被覆率範囲の上限値より低い、
請求項１に記載のパターン設計方法。

【請求項4】

前記外縁領域は、前記ショット面の端部から第１所定距離だけ内側の第１外縁領域と、前記第１外縁領域の内側の端部から第２所定距離だけ内側の第２外縁領域と、を含み、
前記外縁被覆率範囲は、前記第１外縁領域に対応する第１被覆率範囲と、前記第２外縁領域に対応し前記第１被覆率範囲とは異なる第２被覆率範囲と、を含み、
前記第１外縁領域内のパターンは、その被覆率が前記第１被覆率範囲内となるように設計され、
前記第２外縁領域内のパターンは、その被覆率が前記第２被覆率範囲内となるように設計される、
請求項１に記載のパターン設計方法。

【請求項5】

前記第１被覆率範囲は、前記第２被覆率範囲より狭い、
請求項４に記載のパターン設計方法。

【請求項6】

前記第１被覆率範囲の上限値は、前記第２被覆率範囲の上限値より低い、
請求項４に記載のパターン設計方法。

【請求項7】

前記ショット面は、ステップアンドリピート方式で行われる前記インプリント処理における押印方向の下流側の端部から所定距離だけ内側の領域である先行領域と、前記押印方向の上流側の端部から所定距離だけ内側の領域である後続領域と、を含み、
前記先行領域に対応する被覆率範囲である先行被覆率範囲を、前記後続領域に対応する被覆率範囲である後続被覆率範囲とは異なるように設定し、
前記先行領域内のパターンをその被覆率が前記先行被覆率範囲内となるように設計し、
前記後続領域内のパターンをその被覆率が前記後続被覆率範囲内となるように設計する、
請求項１に記載のパターン設計方法。

【請求項8】

前記先行被覆率範囲は、前記後続被覆率範囲より狭い、
請求項７に記載のパターン設計方法。

【請求項9】

前記先行被覆率範囲の上限値は、前記後続被覆率範囲の上限値より低い、
請求項７に記載のパターン設計方法。

【請求項10】

前記ショット面は、内部にパターンが形成される本体領域と、前記本体領域の周囲に形成され内部にパターンが形成されないカーフ領域と、を含み、
前記本体領域に対応する被覆率範囲である本体被覆率範囲を、前記カーフ領域に対応する被覆率範囲であるカーフ被覆率範囲とは異なるように設定し、
前記本体領域内のパターンをその被覆率が前記本体被覆率範囲内となるように設計し、
前記カーフ領域内のパターンをその被覆率が前記カーフ被覆率範囲内となるように設計する、
請求項１に記載のパターン設計方法。

【請求項11】

前記本体被覆率範囲は、前記カーフ被覆率範囲より狭い、
請求項１０に記載のパターン設計方法。

【請求項12】

前記本体被覆率範囲の上限値は、前記カーフ被覆率範囲の上限値より低い、
請求項１０に記載のパターン設計方法。

【請求項13】

ステップアンドリピート方式で行われる前記インプリント処理において、前記被処理層上でショット領域の境界を越えて流動する前記被処理層の挙動の予測を示す流動予測情報に基づいて、流動する前記被処理層の影響が前記本体領域に及ばないように、前記ショット面の端部と前記本体領域と前記カーフ領域との位置関係を調整する、
請求項１０に記載のパターン設計方法。

【請求項14】

前記ショット面の端部は、ジグソー形状を有する、
請求項１に記載のパターン設計方法。

【請求項15】

被処理層の表面にテンプレートに押し付けて所定のパターンを形成するインプリント処理に用いられる前記テンプレートを製造する方法であって、
前記被処理層に押し付けられるショット面の端部から所定距離だけ内側の外縁領域に対応する外縁被覆率範囲を、前記外縁領域より内側の内部領域に対応する内部被覆率範囲とは異なるように設定し、
被覆率が前記外縁被覆率範囲内となるように設計された前記外縁領域内のパターンを示す情報と、被覆率が前記内部被覆率範囲内となるように設計された前記内部領域内のパターンを示す情報と、を含む設計情報を生成し、
前記設計情報に基づいて前記ショット面にパターンを形成する、
テンプレート製造方法。

【請求項16】

被処理層の表面にテンプレートに押し付けて所定のパターンを形成するインプリント処理に用いられる前記テンプレートのパターンを設計するための処理を実行する演算装置を備え、
演算装置は、
前記被処理層に押し付けられるショット面の端部から所定距離だけ内側の外縁領域に対応する外縁被覆率範囲を、前記外縁領域より内側の内部領域に対応する内部被覆率範囲とは異なるように設定し、
前記外縁領域内のパターンをその被覆率が前記外縁被覆率範囲内となるように設計し、
前記内部領域内のパターンをその被覆率が前記内部被覆率範囲内となるように設計する、
パターン設計装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明の実施形態は、パターン設計方法、テンプレート製造方法及びパターン設計装置に関する。

【背景技術】

【0002】

半導体装置の製造工程において、所定のパターンが形成されたテンプレートをレジスト等の被処理層の表面に区画された複数のショット領域に順次押し付けていくことにより被処理層にパターンを形成するステップアンドリピート方式のインプリント処理が利用されている。このようなインプリント処理においては、流動性の被処理層（例えば硬化前のレジスト等）がショット領域の境界を越えて流動することにより不具合が生ずる場合がある。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０２０－１８１８７８号公報

【特許文献2】特開２０２０－１９８４２８号公報

【特許文献3】特開２０２１－８２８０８号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

１つの実施形態は、インプリント処理における被処理層の流動による影響を抑制可能なパターンを設計可能なパターン設計方法、テンプレート製造方法及びパターン設計装置を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0005】

実施形態のパターン設計方法は、被処理層の表面にテンプレートに押し付けて所定のパターンを形成するインプリント処理に用いられるテンプレートのパターンを設計する方法であって、被処理層に押し付けられるショット面の端部から所定距離だけ内側の外縁領域に対応する外縁被覆率範囲を、外縁領域より内側の内部領域に対応する内部被覆率範囲とは異なるように設定し、外縁領域内のパターンをその被覆率が外縁被覆率範囲内となるように設計し、内部領域内のパターンをその被覆率が内部被覆率範囲内となるように設計するものである。

【図面の簡単な説明】

【0006】

【図1】第１実施形態のインプリント装置の構成の一例を示す図。

【図2】第１実施形態のテンプレートのショット面の構成の一例を示す図。

【図3】第１実施形態の基板に設けられた複数のショット領域の一例を示す図。

【図4】第１実施形態の押印動作の一例を示す図。

【図5】先行ショット領域に対する未硬化レジストの影響の一例を示す図。

【図6】後続ショット領域に対する未硬化レジストの影響の一例を示す図。

【図7】第１実施形態のパターン設計装置の構成の一例を示す図。

【図8】第１実施形態の被覆率の一例を示す図。

【図9】第１実施形態のパターンの被覆率と未硬化レジストの流動量との関係の一例を示す図。

【図10】第１実施形態のショット面における外縁領域、内部領域、先行領域及び後続領域の一例を示す図。

【図11】第１実施形態のショット面における本体領域及びカーフ領域の一例を示す図。

【図12】第１実施形態の被覆率規定情報の一例を示す図。

【図13】第１実施形態のパターン設計装置による処理の一例を示すフローチャート。

【図14】第２実施形態のパターン設計装置の構成の一例を示す図。

【図15】第２実施形態の未硬化レジストの流動による影響の予測方法の一例を示す図。

【発明を実施するための形態】

【0007】

以下に、本発明につき図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、下記の実施形態により、本発明が限定されるものではない。また、下記実施形態における構成要素には、当業者が容易に想定できるものあるいは実質的に同一のものが含まれる。

【0008】

（第１実施形態）
図１は、第１実施形態のインプリント装置１００の構成の一例を示す図である。インプリント装置１００は、基板Ｗ上に塗布されたレジスト等の被処理層にテンプレート１０を押し付けることにより被処理層に所定のパターンを形成するステップアンドリピート方式のインプリント処理を実行可能な装置である。ステップアンドリピート方式とは、被処理層上に区画された複数のショット領域にテンプレート１０を所定の順番で順次押し付けていく方式である。

【0009】

ここで例示するインプリント装置１００は、テンプレートステージ８１、載置台８２、基準マーク８５、アライメントセンサ８６、液滴下装置８７、ステージベース８８、光源８９及び制御部９０を備えている。

【0010】

載置台８２は、本体８３及びウェハチャック８４を備える。ウェハチャック８４は、処理対象となる基板Ｗを本体８３上の所定位置に固定する。載置台８２上には、基準マーク８５が設けられている。基準マーク８５は、基板Ｗを載置台８２上に固定する際の位置合わせに用いられる。載置台８２は、基板Ｗを載置するとともに、載置した基板Ｗと平行な平面内（水平面内）を移動する。載置台８２は、基板Ｗにレジスト（被処理層の一例）を滴下する際には基板Ｗを液滴下装置８７の下方側に移動させ、基板Ｗへの転写処理を行う際には基板Ｗをテンプレート１０の下方側に移動させる。なお、基板Ｗ上にレジストを塗布する方法は上記に限定されるものではない。例えば、他の装置によりスピンコート法等を利用して基板Ｗにレジストを塗布してもよい。この場合、既にレジストが塗布された状態の基板Ｗが載置台８２に設置される。基板Ｗは、例えばシリコンウエハ等の半導体基板であり得る。

【0011】

ステージベース８８は、テンプレートステージ８１によってテンプレート１０を支持するとともに、上下方向及び水平方向に移動可能に構成される。これにより、テンプレート１０のショット面１１を基板Ｗ（レジスト）上に区画された複数のショット領域に順次押し付けていくステップアンドリピート方式のインプリント処理を実現できる。また、ステージベース８８上には、基板Ｗの位置検出やテンプレート１０の位置検出等を行うアライメントセンサ８６が設けられている。

【0012】

テンプレート１０は、紫外線を透過する透明材料から構成され、下方に突出した形状のメサ部１５を有する。メサ１５Ｍの上面部には、ザグリ１６が形成され、下面部には、基板Ｗ上の被処理層（本実施形態ではレジスト）に押し付けられるショット面１１が形成されている。ショット面１１には、所定のパターンＰが形成されている。パターンＰは、後述するように、半導体デバイスの回路構成に寄与する実パターン、回路構成に寄与しないダミーパターン、及び／又は、アライメントマーク等のマークパターンを含む。

【0013】

液滴下装置８７は、インクジェット方式によって基板Ｗ上にレジストを滴下する装置である。液滴下装置８７が備えるインクジェットヘッドは、レジストの液滴（ドロップレット）を噴出する複数の微細孔を有しており、レジストの液滴を基板Ｗ上に滴下する。

【0014】

ここで、レジストとは、樹脂系マスク材であって、光を照射することによって硬化する光硬化型樹脂や、熱を加えることによって硬化する熱硬化型樹脂等であり得る。本実施形態では、光硬化型樹脂のレジストを用いることを想定する。

【0015】

光源８９は、例えば紫外線を照射する装置であり、ステージベース８８の上方に設けられている。光源８９は、テンプレート１０がレジストに押し当てられた状態で、テンプレート１０上から光を照射する。これにより、テンプレート１０のパターンＰが転写されたレジストを硬化させることができる。

【0016】

制御部９０は、テンプレートステージ８１、載置台８２、基準マーク８５、アライメントセンサ８６、液滴下装置８７、ステージベース８８及び光源８９を制御する。

【0017】

図２は、第１実施形態のテンプレート１０のショット面１１の構成の一例を示す下面図である。図２は、テンプレート１０のショット面１１を下方から見た図である。図２において、方向Ｘは、紙面の左側から右側へ向かう方向を示し、方向Ｙは、紙面の下側から上側へ向かう方向を示し、方向Ｚは、紙面の手前側から奥側へ向かう方向を示している。これらの方向Ｘ，Ｙ，Ｚは、他の図面における方向Ｘ，Ｙ，Ｚと対応している。

【0018】

図２に示すように、ショット面１１の端部Ｅの内側の領域には、パターンＰが形成されている。本実施形態のショット面１１の端部Ｅは、ジグソー形状を有する。ジグソー形状とは、端部Ｅを構成する各辺が屈折しており、複数のショット面１１を互いに隣接するように配置したときに隣接する辺同士が噛合する形状である。本実施形態の端部Ｅは、２つのショット面１１を左右方向に（Ｘ方向に沿って）隣接するように配置したときに右辺部Ｅ１と左辺部Ｅ２とが噛合し、２つのショット面１１を上下方向に（Ｙ方向に沿って）隣接するように配置したときに上辺部Ｅ３と下辺部Ｅ４とが噛合するように形成されている。なお、ジグソー形状の態様をこれに限定されるものではない。

【0019】

上記のような端部Ｅの内側の領域には、ショット面１１の底面（ＸＹ平面）２１から垂直方向（Ｚ方向の反対方向）突出するように形成された複数の凸部２２が形成されている。図２中、ハッチングで示される部分は、凸部２２の端面２３を表している。端面２３は、テンプレート１０を被処理層に押し付ける際に被処理層と最初に接触する部分である。このような凸部２２の形状や配置の組み合わせによりパターンＰが構成される。

【0020】

図３は、第１実施形態の基板Ｗに設けられた複数のショット領域Ｓｈの一例を示す上面図である。図３に示すように、基板Ｗ（レジスト等の被処理層を含む）の表面には、複数のショット領域Ｓｈが設定される。各ショット領域Ｓｈは、上述したようなテンプレート１０のショット面１１が順次押し付けられる領域であり、本実施形態においては、ショット面１１の端部Ｅと同様にジグソー形状となっている。図３中、境界領域Ｂは、隣り合うショット領域Ｓｈ間に形成される隙間の領域を示している。

【0021】

各ショット領域Ｓｈには、上述したようなテンプレート１０を用いたステップアンドリピート方式の押印動作（ショット面１１を被処理層に押し付ける動作）が所定の順番で順次行われる。図３中、押印方向Ｄは、押印動作が順次行われる方向の一例を示しており、本例では右から左へ向かう方向となっている。なお、押印方向Ｄは、基板Ｗ上の領域によって変化してもよい。例えば、押印方向Ｄは、左右方向（Ｘ方向に平行な方向）に並ぶ複数のショット領域Ｓｈからなる行毎に左右反転してもよいし、上下方向（Ｙ方向に平行な方向）であってもよい。また、図３において、押印方向Ｄに沿って隣接する先行ショット領域Ｓｈ１及び後続ショット領域Ｓｈ２が例示されている。先行ショット領域Ｓｈ１は、先に押印動作が行われるショット領域であり、後続ショット領域Ｓｈ２は、先行ショット領域Ｓｈ１の次に押印動作が行われるショット領域である。

【0022】

図４は、第１実施形態の押印動作の一例を示す図である。図４において、基板Ｗの表面に被処理層としてのレジストＲが塗布され、押印方向Ｄに沿って隣接する先行ショット領域Ｓｈ１及び後続ショット領域Ｓｈ２にパターンを形成する際の状況が例示されている。

【0023】

先ず、先行ショット領域Ｓｈ１の上方に位置するテンプレート１０を下降させ、ショット面１１をレジストＲに押し付ける。その後、ショット面１１がレジストＲに押し付けられた状態で露光し、先行ショット領域Ｓｈ１のレジストＲを硬化させる。その後、テンプレート１０を上昇させてレジストＲから離型する。

【0024】

次いで、テンプレート１０を押印方向Ｄに移動させて後続ショット領域Ｓｈ２の上方に配置する。このとき、先行ショット領域Ｓｈ１と後続ショット領域Ｓｈ２との間には所定の幅の境界領域Ｂが形成される。その後、後続ショット領域Ｓｈ２の上方に位置するテンプレート１０を下降させ、ショット面１１をレジストＲに押し付ける。その後、ショット面１１がレジストＲに押し付けられた状態で露光し、後続ショット領域Ｓｈ２のレジストＲを硬化させる。その後、テンプレート１０を上昇させてレジストＲから離型する。

【0025】

上記のような処理を順次行うことにより、複数のショット領域Ｓｈのそれぞれにテンプレート１０のパターンＰと同一のパターンを形成できる。

【0026】

上記のようなステップアンドリピート方式のインプリント処理においては、未硬化のレジストＲの流動による不具合が発生する可能性がある。以下、硬化前の流動性のあるレジストＲを未硬化レジストＲｆ、露光により硬化されたレジストＲを硬化レジストＲｓと称する。

【0027】

図５は、先行ショット領域Ｓｈ１に対する未硬化レジストＲｆの影響の一例を示す図である。図６は、後続ショット領域Ｓｈ２に対する未硬化レジストＲｆの影響の一例を示す図である。なお、図５及び図６においては、ショット面１１に形成されているパターンＰの記載が省略されている。

【0028】

図５（Ａ）は、先行ショット領域Ｓｈ１においてテンプレート１０を未硬化レジストＲｆに押し付け始めるとき（押印開始時）の状態を例示している。このとき、テンプレート１０のメサ部１５は、テンプレート１０に対する背圧及び未硬化レジストＲｆの液面からの表面張力により若干下方へ撓んでおり、ショット面１１の端部Ｅ（図５においては左辺部Ｅ２）付近の部分は、若干湾曲した状態となる。そして、先行ショット領域Ｓｈ１内の未硬化レジストＲｆは、テンプレート１０の下降による圧力により境界領域Ｂへ流出する。

【0029】

図５（Ｂ）は、先行ショット領域Ｓｈ１においてテンプレート１０を所定位置まで下降させた状態で露光するとき（露光時）の状態を例示している。当該露光により、未硬化レジストＲｆが硬化レジストＲｓに変化する。このとき、上記のようにテンプレート１０の下降により境界領域Ｂに流出した未硬化レジストＲｆは、テンプレート１０の端部Ｅにより堰き止められ、未硬化レジストＲｆの表面張力の効果によりメサ部１５の側面が未硬化レジストＲｆにより濡れた状態となる。

【0030】

図５（Ｃ）は、先行ショット領域Ｓｈ１において露光完了後にテンプレート１０を上昇させ始めるとき（離型開始時）の状態を例示している。このとき、境界領域Ｂにおいてテンプレート１０の端部Ｅにより堰き止められていた未硬化レジストＲｆは、表面張力の効果等により先行ショット領域Ｓｈ１に流入する。

【0031】

図５（Ｄ）は、先行ショット領域Ｓｈ１においてテンプレート１０の上昇が完了したとき（離型完了時）の状態を例示している。このとき、上記のように境界領域Ｂから流入してきた未硬化レジストＲｆは、硬化レジストＲｓ上に滞留する。

【0032】

図６（Ａ）は、後続ショット領域Ｓｈ２においてテンプレート１０を未硬化レジストＲｆに押し付け始めるとき（押印開始時）の状態を例示している。このとき、テンプレート１０のメサ部１５は、図５（Ａ）に示した状態と同様に、テンプレート１０に対する背圧及び未硬化レジストＲｆの液面からの表面張力により若干下方へ撓んでおり、ショット面１１の端部Ｅ（図６においては右辺部Ｅ１）付近の部分は、若干湾曲した状態となる。そして、後続ショット領域Ｓｈ２内の未硬化レジストＲｆは、テンプレート１０の下降による圧力により境界領域Ｂへ流出する。

【0033】

図６（Ｂ）は、後続ショット領域Ｓｈ２においてテンプレート１０を所定位置まで下降させた状態で露光するとき（露光時）の状態を例示している。当該露光により、未硬化レジストＲｆが硬化レジストＲｓに変化する。このとき、上記のようにテンプレート１０の下降により境界領域Ｂに流出した未硬化レジストＲｆは、テンプレート１０の端部Ｅにより堰き止められ、未硬化レジストＲｆの表面張力の効果によりメサ部１５の側面が未硬化レジストＲｆにより濡れた状態となる。

【0034】

図６（Ｃ）は、後続ショット領域Ｓｈ２において露光完了後にテンプレート１０を上昇させ始めるとき（離型開始時）の状態を例示している。このとき、境界領域Ｂにおいてテンプレート１０の端部Ｅにより堰き止められていた未硬化レジストＲｆは、表面張力の効果等により後続ショット領域Ｓｈ２に流入する。

【0035】

図６（Ｄ）は、後続ショット領域Ｓｈ２においてテンプレート１０の上昇が完了したとき（離型完了時）の状態を例示している。このとき、上記のように境界領域Ｂから流入してきた未硬化レジストＲｆは、硬化レジストＲｓ上に滞留する。

【0036】

上記のように、ステップアンドリピート方式でインプリント処理を行う場合、未硬化レジストＲｆが先行ショット領域Ｓｈ１と境界領域Ｂとの間、及び後続ショット領域Ｓｈ２と境界領域Ｂとの間で流動し、既にパターンが形成された硬化レジストＲｓの表面を汚損する可能性がある。なお、未硬化レジストＲｆによる影響の態様は、上記に限定されるものではない。

【0037】

上記のような未硬化レジストＲｆの流動による影響は、テンプレート１０に形成されるパターンＰの被覆率に応じて変化する場合がある。特に、未硬化レジストＲｆをショット領域Ｓｈから境界領域Ｂへ流出させる圧力は、ショット面１１の端部Ｅ近傍の領域に形成されたパターンＰの被覆率に大きく影響される。そこで、本実施形態は、未硬化レジストＲｆの流動による影響を抑制可能なテンプレート１０のパターンＰを形成するための手法を提供する。

【0038】

図７は、第１実施形態のパターン設計装置２０１の構成の一例を示すブロック図である。パターン設計装置２０１は、テンプレート１０のパターンＰを設計するための処理を実行する情報処理装置である。

【0039】

パターン設計装置２０１の具体的なハードウェア構成は、特に限定されるべきものではないが、例えば、汎用のコンピュータと同様の構成であり得る。この場合、パターン設計装置２０１は、例えば、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ストレージ、ユーザインターフェース、通信インターフェース等を備え、ＲＯＭやストレージ等に記憶されたプログラムに従ってＲＡＭを作業領域として使用してＣＰＵが所定の演算処理等を実行するものであり得る。また、パターン設計装置２０１は、単独のコンピュータで構成されてもよいし、複数のコンピュータや電子機器等が連携して構成されるシステムであってもよい。

【0040】

パターン設計装置２０１は、入力装置２１１、記憶装置２１２、演算装置２１３及び出力装置２１４を備える。

【0041】

入力装置２１１は、パターンＰの設計に必要な各種情報を入力する装置であり、例えば、所定の記憶媒体との間でデータの読み書きが可能なデバイス、他の電子機器と通信可能なデバイス、ユーザの入力操作を受け付けるキーボードやタッチパネル等であり得る。本実施形態の入力装置２１１は、インプリント情報を入力可能に構成される。インプリント情報は、上述したようなステップアンドリピート方式のインプリント処理を実行するために必要な情報である。インプリント情報には、例えば、使用する基板Ｗに関する情報、ショット領域Ｓｈに関する情報、押印方向Ｄ、レジストＲに形成しようとしているパターンに関する情報等が含まれ得る。

【0042】

記憶装置２１２は、パターンＰの設計に必要な各種情報を記憶する装置であり、例えば、適宜な不揮発性メモリ、揮発性メモリ等を利用して構成され得る。本実施形態の記憶装置２１２が記憶するデータには、パターン設計プログラム及び被覆率規定情報２５１が含まれる。パターン設計プログラムは、パターンＰを設計するための演算処理等を演算装置２１３に実行させるプログラムである。

【0043】

被覆率規定情報２５１は、パターンＰを設計する際に用いられる被覆率範囲を決定するための情報である。被覆率範囲とは、テンプレート１０のショット面１１にパターンＰを形成する際に遵守されるべき被覆率の範囲である。本実施形態においては、ショット面１１が複数の領域に区画され、領域毎に被覆率範囲が設定される（後に詳述する）。本実施形態の被覆率規定情報２５１は、ショット面１１上の各領域と被覆率範囲との関係を示す情報を含む。

【0044】

演算装置２１３は、パターンＰを設計するための各種演算処理等を実行する装置であり、例えば、ＣＰＵ、ＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）、ＦＰＧＡ（Field Programmable Gate Array）等を利用して構成され得る。

【0045】

演算装置２１３は、機能部として、被覆率範囲設定部２２１及びパターン設計部２２２を備える。

【0046】

被覆率範囲設定部２２１は、インプリント情報や被覆率規定情報２５１等に基づいて、テンプレート１０のショット面１１に設定された複数の領域のそれぞれについて被覆率範囲を設定する。

【0047】

パターン設計部２２２は、インプリント情報や被覆率範囲設定部２２１による設定結果等に基づいて、ショット面１１上の各領域の被覆率がそれぞれ対応する被覆率範囲内となるようにパターンＰを設計する。

【0048】

出力装置２１４は、演算装置２１３により生成された各種情報を出力する装置であり、例えば、外部機器との通信を確立するデバイス、ディスプレイ、スピーカ等であり得る。本実施形態の出力装置２１４は、演算装置２１３により設計されたパターンＰを示す設計情報をテンプレート製造装置３０１に出力する。

【0049】

テンプレート製造装置３０１は、設計情報に基づいてテンプレート１０のショット面１１にパターンＰを形成することが可能な装置やシステムである。テンプレート製造装置３０１により、演算装置２１３により設計されたパターンＰが形成されたテンプレート１０が製造される。

【0050】

図８は、第１実施形態の被覆率の一例を示す図である。図８において、テンプレート１０のショット面１１に形成されたパターンＰの一部が例示されている。本実施形態の被覆率は、ショット面１１上の所定領域Ｓ１の面積に対する、当該所定領域Ｓ１内に存在するパターンＰを構成する凸部２２の端面２３の総面積の割合である。例えば、所定領域Ｓ１が５０μｍ×５０μｍの正方形であり（面積：２５００μｍ）、端面２３の総面積が１２５０μｍ^２である場合には、被覆率が５０％となる。

【0051】

上述したように、押印動作に伴って生ずるショット領域Ｓｈと境界領域Ｂとの間の未硬化レジストＲｆの流動は、硬化レジストＲｓに形成されたパターンの汚損の要因となるが、当該押印動作時における未硬化レジストＲｆの流動量は、テンプレート１０に形成されたパターンＰの被覆率に応じて変化する。

【0052】

図９は、第１実施形態のパターンＰの被覆率と未硬化レジストＲｆの流動量との関係の一例を示す図である。図９（Ａ）～図９（Ｃ）において、被覆率が１００％、７０％及び５０％のときのそれぞれにおける未硬化レジストＲｆの流動量が概念的に例示されている。同図において、矢印の太さは、未硬化レジストＲｆの流動量に対応しており、矢印が太いほど流動量が多いことを示している。

【0053】

図９（Ａ）～図９（Ｂ）に示すように、被覆率が小さいほど、テンプレート１０のメサ部１５に形成された凹部２５（複数の凸部２２の間に形成される空間）に未硬化レジストＲｆが保持されるため、未硬化レジストＲｆの流動量は少なくなる。このような現象は、ショット面１１の端部Ｅに近い領域ほど顕著となる。すなわち、端部Ｅに近い領域に形成されたパターンＰの被覆率が高い場合、ショット領域Ｓｈと境界領域Ｂとの間での未硬化レジストＲｆの流動量が多くなる。そこで、本実施形態の演算装置２１３（被覆率範囲設定部２２１）は、このような被覆率と未硬化レジストＲｆの流動量との関係を考慮して、未硬化レジストＲｆの流動による影響が低減されるように、ショット面１１上の領域毎に最適化された被覆率範囲を設定する。

【0054】

以下に、ショット面１１に設定される領域と被覆率範囲との関係の例について説明する。

【0055】

図１０は、第１実施形態のショット面１１における外縁領域Ａ１，Ａ２、内部領域Ａ３、先行領域Ａｐ１，Ａｐ２及び後続領域Ａｓ１，Ａｓ２の一例を示す下面図である。外縁領域Ａ１，Ａ２は、ショット面１１の端部Ｅから所定距離Ｄ１だけ内側の領域である。本実施形態の外縁領域Ａ１，Ａ２は、２つの領域、すなわち第１外縁領域Ａ１及び第２外縁領域Ａ２を含む。第１外縁領域Ａ１は、ショット面１１の端部Ｅから所定距離Ｄ２（第１所定距離の一例）だけ内側の領域である。第２外縁領域Ａ２は、第１外縁領域Ａ１の内側の端部Ｅ２から所定距離Ｄ３（第２所定距離の一例）だけ内側の領域である。内部領域Ａ３は、外縁領域（本実施形態では第２外縁領域Ａ２）の内側の端部Ｅ３より内側の領域である。

【0056】

外縁領域Ａ１，Ａ２に対応する被覆率範囲である外縁被覆率範囲は、内部領域Ａ３に対応する被覆率範囲である内部被覆率範囲とは異なるように設定される。外縁領域Ａ１，Ａ２は、内部領域Ａ３より未硬化レジストＲｆの流動に与える影響が大きい領域であるから、外縁被覆率範囲は、内部被覆率範囲より厳格な条件で設定されるべきである。具体的には、例えば、外部被覆率範囲を内部被覆率範囲より狭く設定したり、外部被覆率範囲の上限値を内部被覆率範囲の上限値より低く設定したりすることが考えられる。例えば、外部被覆率範囲を３０％～６０％等とし、内部被覆率範囲を２０％～７０％等とすることが考えられる。なお、当該数値は単なる例示であり、具体的な数値は使用状況に応じて適宜設定されるべき事項である。

【0057】

また、第１外縁領域Ａ１に対応する被覆率範囲である第１外縁被覆率範囲は、第２外縁領域Ａ２に対応する被覆率範囲である第２外縁被覆率範囲とは異なるように設定される。第１外縁領域Ａ１は、第２外縁領域Ａ２より未硬化レジストＲｆの流動に与える影響が大きい領域であるから、第１外縁被覆率範囲は、第２外縁被覆率範囲より厳格な条件で設定される。具体的には、例えば、第１外縁被覆率範囲を第２外縁被覆率範囲より狭く設定したり、第１外部被覆率範囲の上限値を第２外縁被覆率範囲の上限値より低く設定したりすることが考えられる。例えば、第１外部被覆率範囲を４５％～５５％等とし、第２外部被覆率範囲を３０％～６０％等とすることが考えられる。なお、当該数値は単なる例示であり、具体的な数値は使用状況に応じて適宜設定されるべき事項である。

【0058】

また、ショット面１１は、先行領域Ａｐ１，Ａｐ２及び後続領域Ａｓ１，Ａｓ２を含む。先行領域Ａｐ１，Ａｐ２は、ショット面１１の押印方向Ｄの下流側の端部Ｅｂから所定距離Ｄ１だけ内側の領域である。先行領域Ａｐ１，Ａｐ２は、ステップアンドリピート方式で行われるインプリント処理において押印動作が未だ行われていないショット領域Ｓｈに隣接する領域である。本実施形態の先行領域Ａｐ１，Ａｐ２は、２つの領域、すなわち第１先行領域Ａｐ１及び第２先行領域Ａｐ２を含む。第１先行領域Ａｐ１は、下流側の端部Ｅｂから所定距離Ｄ２だけ内側の領域である。第２先行領域Ａｐ２は、第１先行領域Ａｐ１の内側の端部Ｅ２から所定距離Ｄ３だけ内側の領域である。

【0059】

後続領域Ａｓ１，Ａｓ２は、ショット面１１の押印方向Ｄの上流側の端部Ｅａから所定距離Ｄ１だけ内側の領域である。後続領域Ａｓ１，Ａｓ２は、ステップアンドリピート方式で行われるインプリント処理において押印動作が既に行われたショット領域Ｓｈに隣接する領域である。本実施形態の後続領域Ａｓ１，Ａｓ２は、２つの領域、すなわち第１後続領域Ａｓ１及び第２後続領域Ａｓ２を含む。第１後続領域Ａｓ１は、上流側の端部Ｅａから所定距離Ｄ２だけ内側の領域である。第２後続領域Ａｓ２は、第１後続領域Ａｓ１の内側の端部Ｅ２から所定距離Ｄ３だけ内側の領域である。

【0060】

先行領域Ａｐ１，Ａｐ２に対応する被覆率範囲である先行被覆率範囲は、後続領域Ａｓ１，Ａｓ２に対応する被覆率範囲である後続被覆率範囲とは異なるように設定される。先行領域Ａｐ１，Ａｐ２は、後続領域Ａｓ１，Ａｓ２より未硬化レジストＲｆの流動（流出及び再流入）に与える影響が大きい領域であるから、先行被覆率範囲は、後続被覆率範囲より厳格な条件で設定されるべきである。具体的には、例えば、先行被覆率範囲を後続被覆率範囲より狭く設定したり、先行被覆率範囲の上限値を後続被覆率範囲の上限値より低く設定したりすることが考えられる。

【0061】

また、第１先行領域Ａｐ１に対応する被覆率範囲である第１先行被覆率範囲は、第２先行領域Ａｐ２に対応する被覆率範囲である第２先行被覆率範囲とは異なるように設定され、第１後続領域Ａｓ１に対応する被覆率範囲である第１後続被覆率範囲は、第２後続領域Ａｓ２に対応する被覆率範囲である第２後続被覆率範囲とは異なるように設定される。第１先行領域Ａｐ１は、第２先行領域Ａｐ２より未硬化レジストＲｆの流動に与える影響が大きい領域であるから、第１先行被覆率範囲は、第２先行被覆率範囲より厳格な条件で設定されるべきである。また、第１後続領域Ａｓ１は、第２後続領域Ａｓ２より未硬化レジストＲｆの流動に与える影響が大きい領域であるから、第１後続被覆率範囲は、第２後続被覆率範囲より厳格な条件で設定されるべきである。具体的には、例えば、第１先行被覆率範囲を第２先行被覆率範囲より狭く設定したり、第１先行被覆率範囲の上限値を第２先行被覆率範囲の上限値より低く設定したりすることが考えられる。また、第１後続被覆率範囲を第２後続被覆率範囲より狭く設定したり、第１後続被覆率範囲の上限値を第２後続被覆率範囲の上限値より低く設定したりすることが考えられる。なお、先行被覆率範囲及び後続被覆率範囲の具体的な数値は、使用状況に応じて適宜設定されるべき事項である。

【0062】

図１１は、第１実施形態のショット面１１における本体領域Ａｍ及びカーフ領域Ａｋの一例を示す図である。本体領域Ａｍは、内部に製造目的となる半導体デバイスの回路パターンに対応するパターンＰが形成される領域である。カーフ領域Ａｋは、本体領域Ａｍの周囲に形成され内部に当該回路パターンに対応するパターンＰが形成されない領域であり、半導体デバイス（チップ）間のダイシングラインに相当する。本実施形態のカーフ領域Ａｋには、基板Ｗ上の被処理層（レジスト）にアライメント用のアライメントマークを形成するためのアライメントパターンＰＡを含むパターンＰが形成されている。図１１中、一点鎖線は、本体領域Ａｍとカーフ領域Ａｋとの境界線を示している。パターンＰ及びアライメントパターンＰＡは、当該境界線を跨がないように形成される。本体領域Ａｍ及びカーフ領域Ａｋには、例えば、実パターンに接続されず、電気的にフローティングの状態を有するダミーパターンが形成されてもよい。

【0063】

本体領域Ａｍに対応する被覆率範囲である本体被覆率範囲は、カーフ領域Ａｋに対応する被覆率範囲であるカーフ被覆率範囲とは異なるように設定される。本体領域Ａｍは、カーフ領域Ａｋより未硬化レジストＲｆの流動による影響を厳格に排除する必要がある領域であるから、本体被覆率範囲は、カーフ被覆率範囲より厳格な条件で設定されるべきである。具体的には、例えば、本体被覆率範囲をカーフ被覆率範囲より狭く設定したり、本体被覆率範囲の上限値をカーフ被覆率範囲の上限値より低く設定したりすることが考えられる。なお、本体被覆率範囲及びカーフ被覆率範囲の具体的な数値は、使用状況に応じて適宜設定されるべき事項である。

【0064】

図１２は、第１実施形態の被覆率規定情報２５１の一例を示す図である。ここで例示する被覆率規定情報２５１は、上述したような各種領域と被覆率範囲との関係を規定する情報である。「位置」は、被覆率範囲の設定の対象となる対象領域が外縁領域Ａ１，Ａ２又は内部領域Ａ３のいずれに該当するかを示す項目である。「順番」は、対象領域が先行領域Ａｐ１，Ａｐ２又は後続領域Ａｓ１，Ａｓ２のいずれに該当するかを示す項目である。「内容」は、対象領域が本体領域Ａｍ又はカーフ領域Ａｋのいずれに該当するかを示す項目である。

【0065】

図１２に示す例では、対象領域が第１外縁領域Ａ１であり、且つ先行領域（第１先行領域）Ａｐ１であり、且つ本体領域Ａｍである場合には、被覆率範囲はα１に設定される。対象領域が第１外縁領域Ａ１であり、且つ先行領域Ａｐ１であり、且つカーフ領域Ａｋである場合には、被覆率範囲はα２に設定される。このとき、本体領域Ａｍはカーフ領域Ａｋより厳格性が求められるため、α１はα２より厳格な値（例えば、範囲が狭い、及び／又は、上限値が低い数値範囲）となる。

【0066】

対象領域が第１外縁領域Ａ１であり、且つ後続領域（第１後続領域）Ａｓ１であり、且つ本体領域Ａｍである場合には、被覆率範囲はα３に設定される。対象領域が第１外縁領域Ａ１であり、且つ後続領域Ａｓ１であり、且つカーフ領域Ａｋである場合には、被覆率範囲はα４に設定される。このとき、本体領域Ａｍはカーフ領域Ａｋより厳格性が求められるため、α３はα４より厳格な値となる。また、先行領域Ａｐ１は後続領域Ａｓ１より厳格性が求められるため、α１はα３より厳格な値となり、α２はα４より厳格な値となる。

【0067】

対象領域が第２外縁領域Ａ２であり、且つ先行領域（第２先行領域）Ａｐ２であり、且つ本体領域Ａｍである場合には、被覆率範囲はβ１に設定される。対象領域が第２外縁領域Ａ２であり、且つ先行領域Ａｐ２であり、且つカーフ領域Ａｋである場合には、被覆率範囲はβ２に設定される。このとき、本体領域Ａｍはカーフ領域Ａｋより厳格性が求められるため、β１はβ２より厳格な値となる。また、第１外縁領域Ａ１は第２外縁領域Ａ２より厳格性が求められるため、α１はβ１より厳格な値となり、α２はβ２より厳格な値となる。

【0068】

対象領域が第２外縁領域Ａ２であり、且つ後続領域（第２後続領域）Ａｓ２であり、且つ本体領域Ａｍである場合には、被覆率範囲はβ３に設定される。対象領域が第２外縁領域Ａ２であり、且つ後続領域Ａｓ２であり、且つカーフ領域Ａｋである場合には、被覆率範囲はβ４に設定される。このとき、本体領域Ａｍはカーフ領域Ａｋより厳格性が求められるため、β３はβ４より厳格な値となる。また、先行領域Ａｐ２は後続領域Ａｓ２より厳格性が求められるため、β１はβ３より厳格な値となり、β２はβ４より厳格な値となる。また、第１外縁領域Ａ１は第２外縁領域Ａ２より厳格性が求められるため、α３はβ３より厳格な値となり、α４はβ４より厳格な値となる。

【0069】

対象領域が内部領域Ａ３である場合には、「順番」及び「内容」に関わらず、被覆率範囲はγに設定される。γは従来の手法等に基づいて適宜設定されればよいが、例えばα１～α４，β１～β４のいずれよりも厳格性が低い値（例えば、範囲が広い、及び／又は、上限値が高い数値範囲）であり得る。

【0070】

図１３は、第１実施形態のパターン設計装置２０１による処理の一例を示すフローチャートである。演算装置２１３（被覆率範囲設定部２２１）は、インプリント情報及び被覆率規定情報２５１に基づいて、ショット面１１上に区画された複数の領域のそれぞれについて被覆率範囲を設定する（Ｓ１０１）。その後、演算装置２１３（パターン設計部２２２）は、各領域の被覆率が領域毎に設定された被覆率範囲内となるように、ショット面１１の全域に亘ってパターンＰを設計する（Ｓ１０２）。出力装置２１４は、パターンＰの設計結果を含む設計情報をテンプレート製造装置３０１に出力する（Ｓ１０３）。

【0071】

以上のように、本実施形態によれば、被処理層（本実施形態では未硬化レジストＲｆ）の流動の影響を考慮して、ショット面１１上に区画された複数の領域のそれぞれについて最適化された被覆率範囲が設定される。これにより、ステップアンドリピート方式のインプリント処理を実行する際に生じ得る被処理層の流動による不具合（例えばパターン形成後の硬化レジストＲｓに対する汚損等）を抑制できる。

【0072】

以下に、他の実施形態について説明するが、第１実施形態と同一又は同様の箇所についてはその説明を適宜省略する。

【0073】

（第２実施形態）
図１４は、第２実施形態のパターン設計装置４０１の構成の一例を示すブロック図である。本実施形態のパターン設計装置４０１は、被処理層の流動の予測に基づいて、ショット面１１の端部Ｅの位置を調整する機能を備える。

【0074】

本実施形態の記憶装置２１２は、流動予測情報２６１を記憶する。流動予測情報２６１は、ステップアンドリピート方式で行われるインプリント処理において、被処理層上でショット領域Ｓｈの境界を越えて流動する（ショット領域Ｓｈと境界領域Ｂとの間を流動する）被処理層（未硬化レジストＲｆ）の挙動の予測を示す情報である。流動予測情報２６１には、例えば、被処理層として使用するレジストＲの粘度、流動速度、硬化速度等に関する情報が含まれ得る。流動予測情報２６１は、事前に行われた試験やシミュレーション等の結果に基づいて生成されてもよいし、所定の条件下で逐次生成、更新等されてもよい。

【0075】

本実施形態の演算装置２１３のパターン設計部２２２は、流動予測情報２６１に基づいて、被処理層（未硬化レジストＲｆ）の流動による影響が本体領域Ａｍに及ばないように、ショット面１１の端部と本体領域Ａｍとカーフ領域Ａｋとの関係を調整する。

【0076】

図１５は、第２実施形態の未硬化レジストＲｆの流動による影響の予測方法の一例を示す図である。図１５において、先行ショット領域Ｓｈ１及び後続ショット領域Ｓｈ２、並びにそれらの間の境界領域Ｂが例示されている。図中、本体ショット領域Ｓｍは、製造目的となる半導体デバイスの回路パターンが形成される領域であって、上述したテンプレート１０のショット面１１に形成される本体領域Ａｍに対応する領域である。カーフショット領域Ｓｋは、回路パターンが形成されず、半導体デバイスの製造プロセスにおいて用いられるアライメントマーク等が形成され、最終的に切断領域（ダイシングライン）として利用される領域であって、上述したテンプレート１０のショット面１１に形成されるカーフ領域Ａｋに対応する領域である。

【0077】

本実施形態のパターン設計部２２２は、流動予測情報に基づいて、図１５（Ａ）に示すように境界領域Ｂの近傍に設定された検査位置Ｐ１，Ｐ２における未硬化レジストＲｆの流動を予測する。検査位置Ｐ１，Ｐ２を中心とする円は、未硬化レジストＲｆの流動範囲を示している。図１５（Ａ）には、先行ショット領域Ｓｈ１のカーフショット領域Ｓｋ内に存在する未硬化レジストＲｆが後続ショット領域Ｓｈ２の本体ショット領域Ｓｍに影響を及ぼす場合が例示されている。

【0078】

上記のような場合、すなわち、境界領域Ｂ付近における未硬化レジストＲｆの本体ショット領域Ｓｍへの影響が予測される場合には、パターン設計部２２２は、当該影響がなくなるように境界領域Ｂの位置を調整する。図１５（Ｂ）は、境界領域Ｂの調整後の状態を例示している。図１５（Ｂ）に示すように、調整後においては、検査位置Ｐ１における未硬化レジストＲｆの影響が及ぶ範囲に本体ショット領域Ｓｍが存在しなくなる。そして、本実施形態のパターン設計部２２２は、調整後の境界領域Ｂと、本体ショット領域Ｓｍと、カーフショット領域Ｓｋと、の位置関係に対応するように、テンプレート１０のショット面１１の端部Ｅと、本体領域Ａｍと、カーフ領域Ａｋと、の位置関係を調整する。

【0079】

以上のように、本実施形態によれば、ショット領域Ｓｈの境界付近における被処理層の流動による本体ショット領域Ｓｍへの影響が予測され、その予測結果に基づいて当該影響がなくなるようにショット面１１の端部Ｅと本体領域Ａｍとカーフ領域Ａｋとの位置関係が調整される。これにより、本体ショット領域Ｓｍへの影響をより確実に抑制可能なテンプレート１０を製造できる。

【0080】

上述したようなパターン設計装置の機能を実現するために、コンピュータ（演算装置）に所定の処理を実行させるプログラムは、コンピュータにインストール可能な形式又は実行可能な形式のファイルでＣＤ－ＲＯＭ、フレキシブルディスク（ＦＤ）、ＣＤ－Ｒ、ＤＶＤ（Digital Versatile Disk）等のコンピュータで読み取り可能な記録媒体に記録されて提供されてもよい。また、当該プログラムを、インターネット等のネットワークに接続されたコンピュータ上に格納し、ネットワーク経由でダウンロードさせることにより提供するように構成してもよい。また、当該プログラムを、インターネット等のネットワーク経由で提供又は配布するように構成してもよい。

【0081】

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

【符号の説明】

【0082】

１０…テンプレート、１１…ショット面、１５…メサ部、２２…凸部、２３…端面、１００…インプリント装置、２０１，４０１…パターン設計装置、２１１…入力装置、２１２…記憶装置、２１３…演算装置、２１４…出力装置、２２１…被覆率範囲設定部、２２２…パターン設計部、２５１…被覆率規定情報、２６１…流動予測情報、３０１…テンプレート製造装置、Ａ１…第１外縁領域、Ａ２…第２外縁領域、Ａ３…内部領域、Ａｋ…カーフ領域、Ａｍ…本体領域、Ａｐ１…第１先行領域、Ａｐ２…第２先行領域、Ａｓ１…第１後続領域、Ａｓ２…第２後続領域、Ｂ…境界領域、Ｄ…押印方向、Ｅ…端部、Ｐ…パターン、Ｐ１，Ｐ２…検査位置、ＰＡ…アライメントパターン、Ｒ…レジスト、Ｒｆ…未硬化レジスト、Ｒｓ…硬化レジスト、Ｓ１…所定領域、Ｓｈ…ショット領域、Ｓｈ１…先行ショット領域、Ｓｈ２…後続ショット領域、Ｓｋ…カーフショット領域、Ｓｍ…本体ショット領域、Ｗ…基板

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】